[go: up one dir, main page]

CN104297830A - 光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法 - Google Patents

光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104297830A
CN104297830A CN201410589027.9A CN201410589027A CN104297830A CN 104297830 A CN104297830 A CN 104297830A CN 201410589027 A CN201410589027 A CN 201410589027A CN 104297830 A CN104297830 A CN 104297830A
Authority
CN
China
Prior art keywords
grating
fingerprint sensor
optical fingerprint
sensor chip
photosensitive unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410589027.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104297830B (zh
Inventor
冯建中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Superpix Micro Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing Superpix Micro Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Superpix Micro Technology Co Ltd filed Critical Beijing Superpix Micro Technology Co Ltd
Priority to CN201410589027.9A priority Critical patent/CN104297830B/zh
Publication of CN104297830A publication Critical patent/CN104297830A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104297830B publication Critical patent/CN104297830B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1847—Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1324—Sensors therefor by using geometrical optics, e.g. using prisms

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法，在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，光栅的不透光的成分为金属，电路部分全部用金属覆盖。结构简单、精度高，芯片可以直接使用。

Description

光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种光学指纹传感器芯片，尤其涉及一种光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法。
背景技术
如图1、图2所示，光学指纹传感器采用小孔成像的原理，需要在每个像素上做成光栅，从而满足小孔成像的条件。
现有技术中，都是需制作单独的光栅。结构复杂、精度低。
发明内容
本发明的目的是提供一种结构简单、精度高的光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
本发明的光学指纹传感器芯片光栅，在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，电路部分被覆盖。
本发明的上述的光学指纹传感器芯片光栅的制作方法，包括步骤：
A、在光学指纹传感器芯片感光单元加工完的晶圆上用CVD方法生成透明的二氧化硅膜；
B、用溅射方法生成不透明的金属膜；
C、用光刻方法露出需要透光的区域；
D、经过干法刻蚀后将需要透光区域的金属刻蚀掉，在芯片上做出光栅；
E、用CVD的方法在芯片的表面生成透明的保护膜。
由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明实施例提供的光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法，由于直接在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，电路部分被覆盖，结构简单、精度高，芯片可以直接使用。
附图说明
图1为光学指纹传感器像素中光栅的结构示意图；
图2为小孔成像原理图；
图3-1为本发明实施例中感光单元加工完的晶圆示意图；
图3-2为本发明实施例中CVD方法生成透明的二氧化硅膜示意图；
图3-3为本发明实施例中SPUTTER溅射方法生成不透明的金属膜示意图；
图3-4为本发明实施例中PR光刻方法露出将需要透光的区域示意图；
图3-5为本发明实施例中经过干法刻蚀后将透光的区域打开，在芯片上做出光栅示意图；
图3-6为本发明实施例中CVD的方法在芯片的表面生成透明的保护膜示意图。
图中：1、物体(手指)，2、光栅单元，3、芯片的感光单元。
具体实施方式
下面将对本发明实施例作进一步地详细描述。
本发明的光学指纹传感器芯片光栅，其较佳的具体实施方式是：
在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，电路部分被覆盖。
所述光栅的不透光的成分为金属，所述电路部分全部用金属覆盖。
本发明的上述的光学指纹传感器芯片光栅的制作方法，其较佳的具体实施方式是：
包括步骤：
A、在光学指纹传感器芯片感光单元加工完的晶圆上用CVD(化学气相沉积)方法生成透明的二氧化硅膜；
B、用溅射方法生成不透明的金属膜；
C、用光刻方法露出需要透光的区域；
D、经过干法刻蚀后将需要透光区域的金属刻蚀掉，在芯片上做出光栅；
E、用CVD的方法在芯片的表面生成透明的保护膜。
所述步骤E包括：
首先，用SPIN ON GLASS(自旋玻璃)方法制作透明的二氧化硅；
然后，用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)方法生成透明的氮氧化硅保护膜。
本发明为晶圆级光栅的生成方法，直接在晶圆(WAFER)上生成光栅，光栅的不透光的成分为金属，采用溅射和光刻的方法；
图像传感器的感光单元对应开孔，电路部分全部用金属覆盖。
具体实施例：
如图3－1至图3－5所示，制作方法如下：
1.SIO2-CVD--透明的二氧化硅膜；
2.溅射的方法做金属；
3.光刻；
4.干刻的方法将感光区域对应的位置的金属刻蚀掉；
5.1 SOG保护膜--SPIN ON GLASS方法透明的二氧化硅；
5.2 PECVD方法生成的SION，透明的氮氧化硅，保护膜防划伤，芯片可以直接使用。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (4)

1.一种光学指纹传感器芯片光栅，其特征在于，在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，电路部分被覆盖。
2.根据权利要求1所述的光学指纹传感器芯片光栅，其特征在于，所述光栅的不透光的成分为金属，所述电路部分全部用金属覆盖。
3.一种权利要求1或2所述的光学指纹传感器芯片光栅的制作方法，其特征在于，包括步骤：
A、在光学指纹传感器芯片感光单元加工完的晶圆上用CVD方法生成透明的二氧化硅膜；
B、用溅射方法生成不透明的金属膜；
C、用光刻方法露出需要透光的区域；
D、经过干法刻蚀后将需要透光区域的金属刻蚀掉，在芯片上做出光栅；
E、用CVD的方法在芯片的表面生成透明的保护膜。
4.根据权利要求3所述的光学指纹传感器芯片光栅的制作方法，其特征在于，所述步骤E包括：
首先，用SPIN ON GLASS方法制作透明的二氧化硅；
然后，用PECVD方法生成透明的氮氧化硅保护膜。
CN201410589027.9A 2014-10-28 2014-10-28 光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法 Active CN104297830B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410589027.9A CN104297830B (zh) 2014-10-28 2014-10-28 光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410589027.9A CN104297830B (zh) 2014-10-28 2014-10-28 光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104297830A true CN104297830A (zh) 2015-01-21
CN104297830B CN104297830B (zh) 2016-08-31

Family

ID=52317631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410589027.9A Active CN104297830B (zh) 2014-10-28 2014-10-28 光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104297830B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108010931A (zh) * 2017-12-28 2018-05-08 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种光学指纹芯片的封装结构以及封装方法
CN108022904A (zh) * 2017-01-17 2018-05-11 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种指纹识别芯片的封装结构以及封装方法
CN108693579A (zh) * 2017-04-06 2018-10-23 广州熙客轩电子科技有限公司 用于3d物体识别系统的一种组合光栅结构
CN111461040A (zh) * 2020-04-07 2020-07-28 武汉华星光电技术有限公司 电子设备及其光学指纹识别模组

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040131226A1 (en) * 2002-09-18 2004-07-08 Kameshwar Poolla Methods and apparatus for equipment matching and characterization
US20050088545A1 (en) * 2003-10-22 2005-04-28 Alps Electric Co., Ltd. Optical image reader
US20070280514A1 (en) * 2006-02-22 2007-12-06 Wasatch Photonics, Inc. Ambient light rejection filter
US7526111B2 (en) * 2003-08-26 2009-04-28 Hitachi, Ltd. Personal identification device and method
CN103455810A (zh) * 2013-08-30 2013-12-18 格科微电子（上海）有限公司 光学指纹采集装置、便携式电子装置及光学指纹采集方法
CN204142987U (zh) * 2014-10-28 2015-02-04 北京思比科微电子技术股份有限公司 光学指纹传感器芯片光栅

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040131226A1 (en) * 2002-09-18 2004-07-08 Kameshwar Poolla Methods and apparatus for equipment matching and characterization
US7526111B2 (en) * 2003-08-26 2009-04-28 Hitachi, Ltd. Personal identification device and method
US20050088545A1 (en) * 2003-10-22 2005-04-28 Alps Electric Co., Ltd. Optical image reader
US20070280514A1 (en) * 2006-02-22 2007-12-06 Wasatch Photonics, Inc. Ambient light rejection filter
CN103455810A (zh) * 2013-08-30 2013-12-18 格科微电子（上海）有限公司 光学指纹采集装置、便携式电子装置及光学指纹采集方法
CN204142987U (zh) * 2014-10-28 2015-02-04 北京思比科微电子技术股份有限公司 光学指纹传感器芯片光栅

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108022904A (zh) * 2017-01-17 2018-05-11 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种指纹识别芯片的封装结构以及封装方法
WO2018133768A1 (zh) * 2017-01-17 2018-07-26 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种指纹识别芯片的封装结构以及封装方法
CN108693579A (zh) * 2017-04-06 2018-10-23 广州熙客轩电子科技有限公司 用于3d物体识别系统的一种组合光栅结构
CN108010931A (zh) * 2017-12-28 2018-05-08 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种光学指纹芯片的封装结构以及封装方法
CN111461040A (zh) * 2020-04-07 2020-07-28 武汉华星光电技术有限公司 电子设备及其光学指纹识别模组

Also Published As

Publication number Publication date
CN104297830B (zh) 2016-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104297830B (zh) 光学指纹传感器芯片光栅及其制作方法
CN102130009B (zh) 一种晶体管的制造方法
US10818776B2 (en) Nanosheet transistor with optimized junction and cladding detectivity control
US10622388B2 (en) Array substrate sensor and detection device
CN102832224B (zh) 晶圆减薄方法
CN103738914B (zh) Mems器件的制造方法
EP1650600A3 (en) Photomask blank, photomask and fabrication method thereof
US20160252989A1 (en) Touch Panel and Method for Fabricating the Same
CN109148528A (zh) 显示面板及其制造方法、移动终端
CN204230221U (zh) 光学指纹传感器芯片封装玻璃光栅
CN103928303A (zh) 多重图形的形成方法
CN204142987U (zh) 光学指纹传感器芯片光栅
CN105021328A (zh) Cmos工艺兼容的压阻式压力传感器及其制备方法
CN103426820A (zh) 避免有机发光二极管显示设备中金属线路短路的方法
CN202522841U (zh) 掩膜版
CN104347527B (zh) 光学指纹传感器芯片封装玻璃光栅及其制作方法
CN104003350B (zh) 一种体硅谐振式压力传感器的圆片级真空封装方法
CN106298805B (zh) 一种显示面板及其制作方法和显示装置
CN109192701B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN106241730A (zh) 一种基于soi的垂直梳齿制造工艺
CN104078478A (zh) 背照式cmos影像传感器及其制造方法
CN105293423A (zh) 一种基于五层soi硅片的mems单片集成方法
CN106338845B (zh) 液晶显示面板的制作方法
CN102935995A (zh) 一种预调阈值的post-CMOS集成化方法
CN106684039B (zh) 一种阵列基板制造方法及阵列基板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant