CN105575762B - 一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法 - Google Patents
一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105575762B CN105575762B CN201410541481.7A CN201410541481A CN105575762B CN 105575762 B CN105575762 B CN 105575762B CN 201410541481 A CN201410541481 A CN 201410541481A CN 105575762 B CN105575762 B CN 105575762B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- phosphoric acid
- wafer
- silicon nitride
- silica
- processing procedure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 38
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims abstract description 32
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 163
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 130
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 81
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 68
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 62
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 115
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 18
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 18
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 17
- 102000004160 Phosphoric Monoester Hydrolases Human genes 0.000 abstract description 6
- 108090000608 Phosphoric Monoester Hydrolases Proteins 0.000 abstract description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 6
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- GDKWXCWTFCPDFQ-UHFFFAOYSA-N [Si].OP(O)(O)=O Chemical compound [Si].OP(O)(O)=O GDKWXCWTFCPDFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
本发明提供一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，该方法采用控片代替制程晶圆制作适当的含有硅化物的磷酸溶液，降低了生产成本；控片自带的氮化硅薄膜与磷酸反应生成用于抑制二氧化硅腐蚀的硅化物，有效避免了由于单独在磷酸中添加硅化物造成声场成本上升的问题；采用适当配比的磷酸与硫酸的混合溶液来去除控片中氮化硅腐蚀后在晶圆表面粘附的杂质，并以相同配比的磷酸和硫酸的混合溶液来清除制程晶圆表面杂质，使得晶圆表面无缺陷的情况下有效降低了产品的良率。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体制备方法，特别是涉及一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法。
背景技术
氮化硅是一种广泛使用于晶圆制程中的介电材料。氮化硅薄膜典型地是形成在半导体基底上，一般用作刻蚀晶圆中二氧化硅的阻挡层，形成于二氧化硅层的上表面。而在湿法刻蚀工艺过程中，常常用磷酸来刻蚀或腐蚀该氮化硅阻挡层。在腐蚀的过程中，通常是将数目众多的晶圆同时置于磷酸溶液中，由于处于磷酸溶液中的氮化硅和二氧化硅具有不同的刻蚀速率(刻蚀选择比)，即同样时间内磷酸腐蚀氮化硅和二氧化硅的速率不同。
影响氮化硅和二氧化硅在磷酸中的刻蚀选择比的因素通常有浸泡时间、磷酸溶液的温度以及刻蚀反应槽的槽寿命等；若这些影响因素掌握不当则有可能造成在腐蚀氮化硅的同时也对二氧化硅造成腐蚀，因此便形成了晶圆的缺陷。
当含有磷酸的刻蚀槽中的硅浓度增加时，二氧化硅的刻蚀速率会降低。目前为了使得在腐蚀氮化硅的同时不对二氧化硅形成腐蚀，常常在磷酸溶液中加入硅粉或硅化物等物质来抑制对二氧化硅形成腐蚀。该方法一方面造成制造成本的上升；另一方面腐蚀氮化硅后形成的硅化物和氧化物等杂质粘附在晶圆的表面会进一步对晶圆造成缺陷。
另外一种降低二氧化硅被腐蚀的方法是尽量控制刻蚀槽中晶圆的数目，这样不得不降低生产的效率。
因此，有必要提出一种新的湿法刻蚀中用于清除晶圆表面缺陷的方法，来解决上述问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，用于解决现有技术中在磷酸溶液中另外添加硅物质引起的成本上升、氮化硅被刻蚀后形成的杂质易对晶圆造成缺陷以及为降低晶圆缺陷而不得不降低生产效率的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，该方法至少包括：(1)提供若干含二氧化硅和氮化硅薄膜的控片；(2)将所述控片浸于含有磷酸溶液的第一腐蚀槽中；(3)调节浸泡时间使得所述控片上的氮化硅薄膜被完全溶解；溶解于磷酸的氮化硅在所述第一腐蚀槽中形成硅化物以抑制磷酸对二氧化硅的腐蚀；(4)将若干含有二氧化硅和氮化硅薄膜的制程晶圆置于经步骤(3)中处理过的第一腐蚀槽中将氮化硅薄膜去除；(5)提供含有磷酸和硫酸溶液的第二腐蚀槽；(6)调节所述第二腐蚀槽中磷酸和硫酸的配比使得氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比最高；(7)将步骤(4)中的所述制程晶圆置于与步骤(6)中相同配比的磷酸和硫酸溶液中以去除所述制程晶圆表面的杂质，得到无缺陷的制程晶圆。
作为本发明的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法的一种优选方案，所述步骤(2)中第一腐蚀槽中磷酸溶液的温度为150℃～160℃。
作为本发明的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法的一种优选方案，所述步骤(1)中控片的数目为100片～200片。
作为本发明的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法的一种优选方案，所述步骤(3)中的浸泡时间为20分钟～60分钟。
作为本发明的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法的一种优选方案，所述步骤(3)中所述磷酸溶液中硅的浓度为30ppm～50ppm。
作为本发明的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法的一种优选方案，所述步骤(2)中的所述第一腐蚀槽中只含有磷酸一种溶液；所述步骤(6)中的所述第二腐蚀槽中只含有由磷酸和硫酸组成的混合溶液。
作为本发明的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法的一种优选方案，所述步骤(4)中的制程晶圆数目不大于所述步骤(1)中的控片数目。
作为本发明的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法的一种优选方案，所述步骤(4)中的制程晶圆数目与所述步骤(1)中的控片数目相同。
作为本发明的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法的一种优选方案，所述步骤(6)中第二腐蚀槽中的磷酸的质量浓度为20％～40％。
作为本发明的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法的一种优选方案，所述步骤(6)中氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比最高的情况为：氮化硅被完全腐蚀，二氧化硅完全没有被腐蚀。
如上所述，本发明的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，具有以下有益效果：采用控片代替制程晶圆制作适当的含有硅化物的磷酸溶液，降低了生产成本；控片自带的氮化硅薄膜与磷酸反应生成用于抑制二氧化硅腐蚀的硅化物，有效避免了由于单独在磷酸中添加硅化物造成声场成本上升的问题；采用适当配比的磷酸与硫酸的混合溶液来去除控片中氮化硅腐蚀后在晶圆表面粘附的杂质，以相同配比的磷酸和硫酸的混合溶液来清除制程晶圆表面杂质，使得晶圆表面无缺陷的情况下有效降低了产品的良率。
附图说明
图1显示为本发明的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法的流程示意图。
图2～图5显示为本发明各个步骤的工序示意图。
元件标号说明
S1～S7 步骤
20 第一腐蚀槽
201 控片
202 磷酸溶液
203 硅化物
204 制程晶圆
21 第二腐蚀槽
205 磷酸和硫酸的混合溶液
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1所示，图1表示的是本发明的用于湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法的流程示意图；步骤(1)：提供若干含二氧化硅和氮化硅薄膜的控片；在半导体生产过程中，所述控片的主要作用是监控机台的稳定性和重复性。或者用来进行某道工艺的实验，然后测试控片的性能。因此，控片不是真正用于生产的晶圆，即不是制程晶圆。本发明中的控片含有二氧化硅层和氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜一般形成于所述二氧化硅的上表面，一般用作刻蚀的阻挡层。本发明中刻蚀形成于所述二氧化硅上表面的氮化硅的方式为湿法刻蚀或湿法腐蚀。接着实施步骤(2)：将所述控片浸于含有磷酸溶液的第一腐蚀槽中；如图2所示，该步骤中将所述控片201置于含有磷酸溶液202的第一腐蚀槽20中的目的是将所述氮化硅薄膜腐蚀掉；而一般情况下，当浸泡达到一定时间后，磷酸对氮化硅薄膜和二氧化硅都会形成腐蚀，并且腐蚀过程中，磷酸溶液的温度也会对氮化硅和二氧化硅形成不同的刻蚀选择比，即磷酸对该二者的腐蚀速率不同。为了使得氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比最高，优选地，所述第一腐蚀槽20中只含有磷酸一种溶液，虽然，其他酸溶液也会对氮化硅形成腐蚀，但为了保证氮化硅对二氧化硅刻蚀的选择比稳定，本实施例中的所述第一腐蚀槽中只有磷酸一种溶液。
实施步骤(3)：如图3所示，调节浸泡时间使得所述控片201上的氮化硅薄膜被完全溶解；即浸泡于所述磷酸溶液202中的控片201上的氮化硅薄膜被磷酸腐蚀；溶解于磷酸的氮化硅在所述第一腐蚀槽20中形成硅化物203以抑制磷酸对二氧化硅的腐蚀；由于磷酸对氮化硅和二氧化硅都具有腐蚀性，该步骤的目的是保护二氧化硅避免受磷酸的腐蚀，而需要去掉位于二氧化硅上表面的氮化硅薄膜，而磷酸溶液中，氮化硅与磷酸反应形成的硅化物对磷酸腐蚀二氧化硅具有抑制作用，因此，只要调节浸泡时间就能达到上述效果，作为本发明的一种优选方案，所述浸泡时间为20分钟～60分钟；在该时间范围内，氮化硅被腐蚀完全而磷酸对二氧化硅不会形成腐蚀。同样，第一腐蚀槽中的磷酸溶液的温度也影响氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比，因此，优选地，本发明的所述第一腐蚀槽中磷酸溶液的温度为150℃～160℃。该温度范围内，磷酸溶液中，氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比最高。
根据现有技术的实验证明，由于一次性浸泡于磷酸溶液中的控片数目决定着产生硅化物203的多少，在上述温度和浸泡时间一定的情况下，所述硅化物203越多则该对二氧化硅腐蚀的抑制作用越强，因此，为了使得尽量不对二氧化硅形成腐蚀，本实施例中优选地，所述步骤(1)中浸泡于所述第一腐蚀槽中的控片的数目为100片～200片。
在上述浸泡时间和腐蚀温度一定的情况下，本发明的另一种优选方案为所述硅化物203中硅的浓度为30ppm～50ppm。在该浓度范围内，所述氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比最高。
接着实施步骤(4)：将若干含有二氧化硅和氮化硅薄膜的制程晶圆置于经步骤(3)中处理过的第一腐蚀槽中将氮化硅薄膜去除；如图4所示，所述制程晶圆204指的是真正用于生产中进行批量生产的晶圆。所述制程晶圆204在该刻蚀工艺中刻蚀效果的好坏直接影响该制程晶圆的性能与产品的良率。通常所述制程晶圆204通过生产中的某些工艺过程后，会在二氧化硅上形成作为阻挡层的氮化硅薄膜，而经过步骤(3)中处理的磷酸溶液中含有氮化硅与磷酸反应产生的硅化物，所述步骤(4)将所述含有二氧化硅与氮化硅薄膜的制程晶圆置于之前制备好的含有硅化物的磷酸溶液中的目的是利用磷酸对氮化硅的腐蚀作用，以及进一步利用所述磷酸中的硅化物对二氧化硅被腐蚀的抑制作用，只对所述制程晶圆中的阻挡层氮化硅形成腐蚀，不对二氧化硅形成腐蚀，若制程晶圆中的二氧化硅被腐蚀，则该制程晶圆则有可能会产生缺陷，影响最终产品的良率。
该步骤中抑制腐蚀制程晶圆中的二氧化硅利用的是控片中氮化硅与磷酸反应产生的硅化物，避免了在磷酸溶液中另外加入硅化物而导致成本上升。该步骤中，当制程晶圆上的氮化硅被腐蚀完之后，不再需要调节浸泡时间，因为所述第一腐蚀槽中含有硅化物，已经对二氧化硅的腐蚀形成了抑制，因此无论浸泡时间多长都不会使得二氧化硅被腐蚀。
该步骤中为了能使得所述硅化物对二氧化硅腐蚀的抑制作用最佳，通常所选择的制程晶圆的数目应该不大于所述步骤(1)中控片的数目，因此，为了达到较高的生产效率同时又不影响所述制程晶圆中二氧化硅被腐蚀，优选地，该步骤中所述制程晶圆的数目与所述步骤(1)中控片的数目相同。
实施步骤(5)：提供含有磷酸和硫酸溶液的第二腐蚀槽；如图5所示，所述第二腐蚀槽21中含有磷酸和硫酸的混合溶液205。
接着实施步骤(6)：调节所述第二腐蚀槽21中磷酸和硫酸的配比使得氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比最高；该步骤中使用磷酸和硫酸的混合溶液对制程晶圆中的氮化硅和二氧化硅都具有腐蚀性，因此，为了使得二氧化硅的腐蚀性最低，需要调节所述第二腐蚀槽21中磷酸和硫酸的混合溶液205中硫酸和磷酸的配比。作为本发明的一种优选方案，该步骤中的所述第二腐蚀槽21中只含有由磷酸和硫酸组成的混合溶液。进一步优选地，调节所述第二腐蚀槽21中磷酸和硫酸的配比使得磷酸的质量浓度为20％～40％，该浓度下氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比最高。
当氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比为最高的情况下，所述制程晶圆中的二氧化硅也可能被腐蚀掉一部分，只是腐蚀二氧化硅的速率比腐蚀氮化硅的速率慢；本发明的该实施例中，优选地，当步骤(6)中氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比为最高时，氮化硅被完全腐蚀，而二氧化硅完全没有被腐蚀。所述步骤(6)可以继续用步骤(1)中的控片在所述含有磷酸和硫酸的溶液中进行实验，使得氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比最高。
接着实施步骤(7)：将步骤(4)中的所述制程晶圆置于与步骤(6)中相同配比的磷酸和硫酸溶液中以去除所述制程晶圆表面的杂质，得到无缺陷的制程晶圆。本实施例中，经步骤(4)处理后与所述控片相同数目的制程晶圆上的氮化硅薄膜已经被所述硅化物去除；而在去除所述氮化硅的过程中，所述制程晶圆被置于含有大量硅化物的磷酸溶液中，而所述硅化物在磷酸溶液中属于沉淀物质，当所述制程晶圆拿出所述第一腐蚀槽后，所述制程晶圆的表面会粘附很多杂质(包括硅化物)，如果制程晶圆表面的这些杂质，则在后续生产中会进一步造成晶圆表面的缺陷，因此，本发明中经过步骤(4)处理后的制程晶圆需要放置入与所述步骤(6)中相同配比的磷酸和硫酸溶液中以去除所述制程晶圆表面的杂质，得到无缺陷的制程晶圆。
至此本发明的全部实施步骤已完成。本发明的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，具有以下三个有益效果：(一)采用控片代替制程晶圆制作适当的含有硅化物的磷酸溶液，降低了生产成本；(二)控片自带的氮化硅薄膜与磷酸反应生成用于抑制二氧化硅腐蚀的硅化物，有效避免了由于单独在磷酸中添加硅化物造成声场成本上升的问题；(三)采用适当配比的磷酸与硫酸的混合溶液来去除控片中氮化硅腐蚀后在晶圆表面粘附的杂质，以相同配比的磷酸和硫酸的混合溶液来清除制程晶圆表面杂质，使得晶圆表面无缺陷的情况下有效降低了产品的良率。
综上所述，本发明的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，解决了现有技术中在磷酸溶液中另外添加硅物质引起的成本上升、氮化硅被刻蚀后形成的杂质易对晶圆造成缺陷以及为降低晶圆缺陷而不得不降低生产效率的问题。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，其特征在于，该方法至少包括：
(1)提供若干含二氧化硅和氮化硅薄膜的控片；
(2)将所述控片浸于含有磷酸溶液的第一腐蚀槽中；
(3)调节浸泡时间使得所述控片上的氮化硅薄膜被完全溶解；溶解于磷酸的氮化硅在所述第一腐蚀槽中形成硅化物以抑制磷酸对二氧化硅的腐蚀；
(4)将若干含有二氧化硅和氮化硅薄膜的制程晶圆置于经步骤(3)中处理过的第一腐蚀槽中将氮化硅薄膜去除；
(5)提供含有磷酸和硫酸溶液的第二腐蚀槽；
(6)调节所述第二腐蚀槽中磷酸和硫酸的配比使得氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比最高；
(7)将步骤(4)中的所述制程晶圆置于与步骤(6)中相同配比的磷酸和硫酸溶液中以去除所述制程晶圆表面的杂质，得到无缺陷的制程晶圆。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，其特征在于：所述步骤(2)中第一腐蚀槽中磷酸溶液的温度为150℃～160℃。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，其特征在于：所述步骤(1)中控片的数目为100片～200片。
4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，其特征在于：所述步骤(3)中的浸泡时间为20分钟～60分钟。
5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，其特征在于：所述步骤(3)中所述磷酸溶液中硅的浓度为30ppm～50ppm。
6.根据权利要求1所述的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，其特征在于：所述步骤(2)中的所述第一腐蚀槽中只含有磷酸一种溶液；所述步骤(6)中的所述第二腐蚀槽中只含有由磷酸和硫酸组成的混合溶液。
7.根据权利要求1所述的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，其特征在于：所述步骤(4)中的制程晶圆数目不大于所述步骤(1)中的控片数目。
8.根据权利要求1所述的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，其特征在于：所述步骤(4)中的制程晶圆数目与所述步骤(1)中的控片数目相同。
9.根据权利要求1所述的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，其特征在于：所述步骤(6)中第二腐蚀槽中的磷酸的质量浓度为20％～40％。
10.根据权利要求1所述的湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，其特征在于：所述步骤(6)中氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比最高的情况为：氮化硅被完全腐蚀，二氧化硅完全没有被腐蚀。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410541481.7A CN105575762B (zh) | 2014-10-14 | 2014-10-14 | 一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410541481.7A CN105575762B (zh) | 2014-10-14 | 2014-10-14 | 一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105575762A CN105575762A (zh) | 2016-05-11 |
| CN105575762B true CN105575762B (zh) | 2018-07-06 |
Family
ID=55885777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410541481.7A Active CN105575762B (zh) | 2014-10-14 | 2014-10-14 | 一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105575762B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107706192B (zh) * | 2017-08-22 | 2019-02-22 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种三维存储器的制备方法及其结构 |
| CN110047749B (zh) * | 2019-03-21 | 2020-12-18 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种射频ldmos平坦化工艺中氮化硅的去除方法 |
| CN111081787B (zh) * | 2019-11-20 | 2022-10-28 | 广微集成技术（深圳）有限公司 | 晶圆制备方法 |
| CN113943579A (zh) * | 2021-10-15 | 2022-01-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 组合型刻蚀液、刻蚀系统及刻蚀方法 |
| CN115881529B (zh) * | 2023-02-06 | 2023-05-12 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 湿法刻蚀方法、装置、系统、计算机设备以及介质 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200814181A (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-16 | Toshiba Kk | Etching liquid, etching method, and method of manufacturing electronic component |
| CN102956492A (zh) * | 2011-08-24 | 2013-03-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其制作方法、mos晶体管及其制作方法 |
| CN103208421A (zh) * | 2013-03-14 | 2013-07-17 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7976718B2 (en) * | 2003-12-30 | 2011-07-12 | Akrion Systems Llc | System and method for selective etching of silicon nitride during substrate processing |
-
2014
- 2014-10-14 CN CN201410541481.7A patent/CN105575762B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200814181A (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-16 | Toshiba Kk | Etching liquid, etching method, and method of manufacturing electronic component |
| CN102956492A (zh) * | 2011-08-24 | 2013-03-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其制作方法、mos晶体管及其制作方法 |
| CN103208421A (zh) * | 2013-03-14 | 2013-07-17 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105575762A (zh) | 2016-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105575762B (zh) | 一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法 | |
| US7905963B2 (en) | Apparatus and method for washing polycrystalline silicon | |
| CN104377119B (zh) | 一种锗单晶抛光片的清洗方法 | |
| CN114891509B (zh) | 一种高选择性的缓冲氧化物蚀刻液 | |
| CN113029070B (zh) | 一种监测原子层沉积薄膜生长厚度的方法 | |
| CN107354513B (zh) | 一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺 | |
| TWI406328B (zh) | 晶圓加工方法 | |
| CN103014876A (zh) | 一种单晶硅晶圆单切腐蚀片的加工方法 | |
| CN105355566A (zh) | 焊盘的表面处理方法及焊盘的制作方法 | |
| CN114411151A (zh) | 一种铜钼金属膜蚀刻液及其应用方法和显示面板 | |
| CN103021817B (zh) | 湿法刻蚀后的清洗方法 | |
| TWI684214B (zh) | 基板底面處理方法及設備 | |
| CN104425301B (zh) | 一种监测光刻胶粘结层hmds异常的方法 | |
| CN106087066A (zh) | 一种改善石英晶体片表面粗糙度的方法 | |
| KR20040077043A (ko) | 세정액 및 이를 이용한 기판의 세정방법 | |
| CN113186540B (zh) | 一种化学机械抛光后清洗液 | |
| CN116230493A (zh) | 一种降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法 | |
| KR0165730B1 (ko) | 산함유 유체로 반도체를 처리하는 방법 | |
| CN103021831A (zh) | 一种高少数载流子寿命单晶硅腐蚀片的加工方法 | |
| CN110223913A (zh) | 一种去除InP半导体材料衬底的方法 | |
| CN112750698B (zh) | 一种降低锗衬底晶片背面缺陷的腐蚀方法 | |
| CN205335240U (zh) | 一种避免硅片引线孔发白的结构 | |
| CN103839885A (zh) | 去除缺陷的方法 | |
| CN108179012A (zh) | 用于硅晶圆片减薄后的低应力背面腐蚀溶液和腐蚀工艺 | |
| CN104078352A (zh) | 晶圆清洗方法及晶圆清洗装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |