CN106783809B - 一种同轴自旋电容及制备方法 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000009987 spinning Methods 0.000 title description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 20
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 8
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 15
- -1 quaternary ammonium salt cation Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical class CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims 4
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000748 Gd alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229920000131 polyvinylidene Polymers 0.000 claims 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 7
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 3
- OVARTBFNCCXQKS-UHFFFAOYSA-N propan-2-one;hydrate Chemical compound O.CC(C)=O OVARTBFNCCXQKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005690 magnetoelectric effect Effects 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- RZYKUPXRYIOEME-UHFFFAOYSA-N CCCCCCCCCCCC[S] Chemical compound CCCCCCCCCCCC[S] RZYKUPXRYIOEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical group 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- RRIWRJBSCGCBID-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O RRIWRJBSCGCBID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940116202 nickel sulfate hexahydrate Drugs 0.000 description 1
- SPIFDSWFDKNERT-UHFFFAOYSA-N nickel;hydrate Chemical compound O.[Ni] SPIFDSWFDKNERT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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-
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Abstract
本发明公开了一种同轴自旋电容及制备方法，其制备方法是在非磁性导体上沉积一层磁性材料，然后插入导电离子溶胶中；所述非磁性导体为铜、铝等导电金属及合金或氟掺杂的氧化锡、氧化铟锡等导电氧化物；磁性材料为镍、钴、铁等铁磁金属及其合金或分子磁性材料；所述导电离子溶胶为导电离子液制成的离子胶。本发明所制备的自旋电容中所存储的电子自旋方向一致，具有存储电子自旋信息的功能。其制备方法操作步骤简单，成本低，易于实施，并且安全、环保。
Description
技术领域
本发明涉及自旋电子器件制备技术领域，特别是一种同轴圆柱形自旋电容及制备方法。
背景技术
21世纪面临的巨大的挑战之一是能量存储，另一方面自旋电子器件由于可以对物质的磁性和介电等性质进行调控，在信息存储方面已经有很广泛的应用。将这两个方面结合起来就产生了一个新的概念—自旋电容。和普通电容相比，它不仅可以存储电荷，更重要的是可以储存自旋。目前，在金属(Science，2007，315，349-351)和半导体(Science，2003，301, 943-945 )中已经成功实现了电场对矫顽场调控。电场对居里温度的调控也在金属(Nature，2000，408, 944-946)和半导体(Nat.Mater，2011，10, 853-856)中实现了。但是电场对饱和磁矩调控的研究还是非常少。有报道在铁磁半导体(Ga,Mn)As中发现了电场对饱和磁矩调控的可行性(Nat. Phys，2010，6，22-25)，但是由于只能在低温下实现，不利于实际应用。另外同样的效应也在铁磁金属中发现了，然后制备这类器件需要先进的薄膜制备技术，比如磁控溅射，分子外延等，这导致其成本较高，制备过程比较烦琐，不适合大量生产。另外，自旋电容的物理原理是表面磁电效应，为了将表面磁电效应应用于实践，需要解决两大问题。当铁磁物质暴露在电场中时，其两个表面的效应会相互抵消，所以一个问题是怎么样避免这种抵消效应；第二个问题是为了表面磁电增强效应，必须极大地增加铁磁物质的比表面积。
发明内容
本发明目的是提供一种同轴自旋电容及制备方法，该自旋电容中所存储的电子自旋方向一致，可以存储电子自旋信息。且具有制备方法操作步骤简单，成本低，易于实施，安全，环保等优点。可应用于在自旋电子器件，信息存储和能量存储等领域。
实现本发明目的的具体技术方案是：
一种同轴自旋电容，特点是：在非磁性导体表面沉积一层磁性材料，形成磁性材料包裹的同轴电极，将该同轴电极插入导电离子溶胶中与相应的对电极组成同轴自旋电容，其中：所述非磁性导体为铜、铝、银、金、铂等导电金属及合金、氟掺杂的氧化锡或氧化铟锡导电氧化物；所述磁性材料为镍、钴、铁、钆等铁磁金属及其合金或单分子磁体(如锰或铁的多核)等分子磁性材料；所述导电离子溶胶为导电离子液制成的离子胶；所述对电极为铜、铝、银、金、铂等导电金属及其相应的合金、氟掺杂的氧化锡或氧化铟锡导电氧化物。
一种上述同轴自旋电容的制备方法，该方法包括以下步骤：
(1)先将非磁性导体在溶剂中超声5～30分钟，然后浸泡在0.005～0.05mol/L的酸溶液中1分钟；拿出后用去离子水洗净；
(2)配制磁性材料的电镀液，调节pH值到1.0～7.0；
(3)将电镀液加热到5～70℃后，将非磁性金属和碳棒分别作为正极和负极放入电解液中，通过电化学工作站的恒电流法对其施加电流，得到磁性材料包裹的同轴电极；
（4)将聚偏苯乙烯-六氟丙烯共聚物，导电离子液和去水丙酮溶在一起，放入真空干燥箱里干燥，得到导电离子溶胶，其中，三者的质量比为1:1～10:1～10；
(5)将磁性材料包裹的同轴电极插入步骤（4）所制备的导电离子溶胶中，然后插入铜、铝、银、金、铂及相应的合金、氟掺杂的氧化锡或氧化铟锡导电氧化物作为对电极，得到同轴自旋电容；其中：
所述溶剂为水、乙醇或丙酮；所述酸溶液为盐酸溶液或硫酸溶液；
所述非磁性导体为铜、铝、银、金、铂等导电金属及其相应的合金、氟掺杂的氧化锡或氧化铟锡等导电氧化物；
所述磁性材料为镍、钴、铁、钆等铁磁金属及其相应的合金或锰、铁、钴，镍的有机配合物分子磁体；所述施加电流的大小为-1×10-4 ～-1×10-3A；时间为0.1～2s；
所述导电离子液由季铵盐阳离子、季鏻盐阳离子、咪唑盐阳离子或吡咯盐阳离子与卤素阴离子、四氟硼酸根阴离子或六氟磷酸根阴离子组成；
所述对电极为铜、铝、银、金、铂等导电金属及其相应的合金、氟掺杂的氧化锡或氧化铟锡导电氧化物。
一种同轴自旋电容的应用在自旋电子器件、信息存储和电量存储中的应用。
与现有技术相比，本发明有益效果：
本发明的同轴自旋电容所存储的电子自旋方向一致，可以存储电子自旋信息，所存储电子自旋信息量可由同轴电极的数量调节，可应用于自旋电子器件，信息存储和能量存储等领域，其制备方法操作步骤简单，原料易得，成本低，耗能少，效率高，易于实施；所用试剂数量少，整个制备过程满足绿色化学的要求，安全、环保。
附图说明
图1为本发明实施例1制备得到的同轴自旋电容的示意图；
图2为图1的俯视图；
图3为本发明实施例1制备得到的自旋电容中铜/镍丝的透射电镜和原子力显微镜图像,其中(a)为铜/镍丝的透射电镜图；(b)为扫描透射显微镜图及相对应的能谱图；(c)为铜/镍丝的原子力显微镜图；(d)为选区电子衍射图案；(e)(f)为铜/镍丝的高分辨透射显微镜图像；(g)(h)分别显示了镍和铜的晶面间距；
图4为本发明实施例1制备得到的自旋电容加压前后饱和磁矩的变化示意图；
图5为本发明实施例1制备得到的自旋电容加压前后饱和磁矩的增量随插入铜/镍丝根数变化的曲线图；
图6为本发明实施例2制备得到的自旋电容加压前后饱和磁矩的变化示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图，对本发明作进一步详细说明。实施本发明的过程、条件、试剂、实验方法等，除以下专门提及的内容之外，均为本领域的普遍知识和公知常识，本发明没有特别限制内容。以下通过实施例对本发明做进一步的阐述，其目的是为了更透彻理解本发明的内容，凡所举之例不视为对本发明保护范围的限制。
实施例1
基于Cu/Ni的同轴圆柱形自旋电容的制备
本实施例以铜作为非磁性导体，镍作为磁性材料，具体步骤如下：
(1)先将铜丝在丙酮中超声15分钟，然后浸泡在0.01mol/L的盐酸溶液中1分钟。拿出后用去离子水洗净；
(2)将550g/L的六水硫酸镍，75g/L的六水氯化镍，40g/L的硼酸和60mg/L的十二烷基硫酸钠溶于水中配成溶液作为电镀液，然后将溶液的pH调到4；
(3)将电镀液加热到55℃后，将铜丝和碳棒分别作为正极和负极放入电解液中，通过电化学工作站的恒电流法对其施加-5×10-4 A的电流0.5秒，得到镀镍的铜丝，对其进行透射电镜和原子力显微镜的测试，结果如图3所示，证明镍的生长是外延的且结晶度很好；
(4)将聚偏苯乙烯-六氟丙烯共聚物，离子液和去水丙酮溶在一起，混合均匀；三者的质量比=1:4:7；然后将混合好的溶液注入塑料管中，放入70℃的真空干燥箱里24小时，得到导电离子溶胶；
(5)将步骤(3)得到的镀镍铜丝插入步骤(4)制成的导电离子溶胶中，根数可调；
（6）插入铂对电极，得到基于Cu/Ni的同轴圆柱形自旋电容，示意图如图1、图2。
对本实施例制备得到的自旋电容加压前后的磁性进行测量，结果如图4，饱和磁矩的增量高达20%，证明了器件的优秀性能。图5为饱和磁矩增量随着插入铜/镍丝根数变化而变化的规律，结果表明饱和磁矩的增量还可以通过增加铜/镍丝的根数而进一步增加。
实施例2
基于Cu/FePt的同轴圆柱形自旋电容的制备
本实施例以铜作为非磁性导体，铁铂合金作为磁性材料，具体步骤如下：
(1)先将铜丝在丙酮中超声15分钟，然后浸泡在0.01mol/L的盐酸溶液中1分钟。拿出后用去离子水洗净；
(2)将40g/L的氯化铁，12g/L的氯铂酸铵，15g/L的氯化钾和100mg/L的十二烷基硫酸钠溶于水中配成溶液作为电镀液，然后将溶液的pH调到4；
(3)将电镀液加热到58℃后，将铜丝和碳棒分别作为正极和负极放入电解液中，通过电化学工作站的恒电流法对其施加-5×10-4 A的电流0.5秒，得到镀上铁铂合金后的铜丝；
(4)将聚偏苯乙烯-六氟丙烯共聚物，离子液和去水丙酮溶在一起，混合均匀；三者的质量比=1:4:7；然后将混合好的溶液注入塑料管中，放入70℃的真空干燥箱里24小时，得到导电离子溶胶；
(5)将步骤(3)得到的镀镍铜丝插入步骤(4)制成的导电离子溶胶；根数可调；
（6）插入铂对电极，得到基于Cu/Ni的同轴圆柱形自旋电容。
对本实施例制备得到的自旋电容加压前后的磁性进行测量，结果如图6。
本发明的保护内容不局限于以上实施例。在不背离发明构思的精神和范围下，本领域技术人员能够想到的变化和优点都被包括在本发明中，并且以所附的权利要求书为保护范围。
Claims (3)
1.一种同轴自旋电容，其特征在于，在非磁性导体表面沉积一层磁性材料，形成磁性材料包裹的同轴电极，将该同轴电极插入导电离子溶胶中与相应的对电极组成同轴自旋电容，其中：所述非磁性导体为铜、铝、银、金、铂、铜合金、铝合金、银合金、金合金、铂合金、氟掺杂的氧化锡或氧化铟锡导电氧化物；所述磁性材料为镍、钴、铁、钆、镍合金、钴合金、铁合金、钆合金或锰、铁、钴、 镍的有机配合物分子磁体；所述导电离子溶胶为导电离子液制成的离子胶；所述对电极为铜、铝、银、金、铂、铜合金、铝合金、银合金、金合金、铂合金、氟掺杂的氧化锡或氧化铟锡导电氧化物。
2.一种权利要求1所述同轴自旋电容的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：
(1)先将非磁性导体在溶剂中超声5～30分钟，然后浸泡在0.005～0.05mol/L的酸溶液中1分钟；拿出后用去离子水洗净；
(2)配制磁性材料的电镀液，调节pH值到1.0～7.0；
(3)将电镀液加热到5～70℃后，将非磁性金属和碳棒分别作为正极和负极放入电解液中，通过电化学工作站的恒电流法对其施加电流，得到磁性材料包裹的同轴电极；
（4)将聚偏苯乙烯-六氟丙烯共聚物，导电离子液和去水丙酮溶在一起，放入真空干燥箱里干燥，得到导电离子溶胶，其中，三者的质量比为1:1～10:1～10；
(5)将磁性材料包裹的同轴电极插入步骤（4）所制备的导电离子溶胶中，然后插入铜、铝、银、金、铂、铜合金、铝合金、银合金、金合金、铂合金、氟掺杂的氧化锡或氧化铟锡导电氧化物作为对电极，得到同轴自旋电容；其中：
所述溶剂为水、乙醇或丙酮；所述酸溶液为盐酸溶液或硫酸溶液；
所述非磁性导体为铜、铝、银、金、铂、铜合金、铝合金、银合金、金合金、铂合金、氟掺杂的氧化锡或氧化铟锡导电氧化物；
所述磁性材料为镍、钴、铁、钆、镍合金、钴合金、铁合金、钆合金或锰、铁、钴、 镍的有机配合物分子磁体；
所述导电离子液由季铵盐阳离子、季鏻盐阳离子、咪唑盐阳离子或吡咯盐阳离子与卤素阴离子、四氟硼酸根阴离子或六氟磷酸根阴离子组成。
3.一种权利要求1所述同轴自旋电容的应用，其特征在于该同轴自旋电容在自旋电子器件、信息存储和电量存储中的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611034674.9A CN106783809B (zh) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | 一种同轴自旋电容及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611034674.9A CN106783809B (zh) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | 一种同轴自旋电容及制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106783809A CN106783809A (zh) | 2017-05-31 |
| CN106783809B true CN106783809B (zh) | 2019-03-01 |
Family
ID=58971940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611034674.9A Expired - Fee Related CN106783809B (zh) | 2016-11-23 | 2016-11-23 | 一种同轴自旋电容及制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106783809B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI665690B (zh) | 2017-10-24 | 2019-07-11 | 財團法人工業技術研究院 | 磁性電容元件 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1550030A (zh) * | 2000-08-22 | 2004-11-24 | ����ѧԺ���»� | 搀杂的细长半导体,这类半导体的生长,包含这类半导体的器件以及这类器件的制造 |
| CN1961377A (zh) * | 2004-05-11 | 2007-05-09 | 弘世科技公司 | 自旋势垒增强的磁致电阻效应元件以及使用这种元件的磁性存储器 |
| CN101019190A (zh) * | 2004-05-11 | 2007-08-15 | 弘世科技公司 | 自旋势垒增强的双磁致电阻效应元件及使用该元件的磁性存储器 |
| CN102194848A (zh) * | 2010-03-19 | 2011-09-21 | 株式会社东芝 | 自旋存储器和自旋晶体管 |
-
2016
- 2016-11-23 CN CN201611034674.9A patent/CN106783809B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1550030A (zh) * | 2000-08-22 | 2004-11-24 | ����ѧԺ���»� | 搀杂的细长半导体,这类半导体的生长,包含这类半导体的器件以及这类器件的制造 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106783809A (zh) | 2017-05-31 |
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