CN107077618A

CN107077618A - 指纹辨识系统

Info

Publication number: CN107077618A
Application number: CN201780000062.4A
Authority: CN
Inventors: 方信文; 梁佑安; 杨孟达
Original assignee: Shenzhen Huiding Technology Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd
Priority date: 2017-01-24
Filing date: 2017-01-24
Publication date: 2017-08-18
Anticipated expiration: 2037-01-24
Also published as: EP3416093A1; CN107077618B; US10650216B2; WO2018137164A1; EP3416093A4; US20190019001A1; EP3416093B1

Abstract

本申请提供了一种指纹辨识系统，包括一指纹感测电路，具有一电源供应端以及一浮动接地端，用来产生一第一信号；以及一信号产生电路，具有一第一输出端以及一第二输出端，所述第一输出端耦接于所述电源供应端，所述第二输出端耦接于所述浮动接地端，所述信号产生电路用来根据所述第一信号产生一浮动电源信号至所述电源供应端，并根据所述第一信号产生一浮动接地信号至所述浮动接地端，其中所述浮动电源信号具有一浮源振幅，所述浮动接地信号具有一浮地振幅；其中，所述信号产生电路具有一耐压，所述浮源振幅及所述浮地振幅大于所述耐压。

Description

指纹辨识系统

技术领域

本申请涉及一种指纹辨识系统，尤其涉及一种可产生高压信号的指纹辨识系统。

背景技术

随着科技日新月异，移动电话、数字相机、平板计算机、笔记本电脑等越来越多携带型电子装置已经成为了人们生活中必备的工具。由于携带型电子装置一般为个人使用，而具有一定的隐私性，因此其内部储存的数据，例如电话簿、相片、个人信息等等为私人所有。若电子装置一旦丢失，则这些数据可能会被他人所利用，而造成不必要的损失。虽然目前已有利用密码保护的方式来避免电子装置为他人所使用，但密码容易泄露或遭到破解，具有较低的安全性。并且，用户需记住密码才能使用电子装置，若忘记密码，则会带给使用者许多不便。因此，目前发展出利用个人指纹识别系统的方式来达到身份认证的目的，以提升数据安全性。

对于指纹辨识系统来说，需要利用具有高压振幅的方波信号来增强指纹信号。然而，为了产生高压振幅的方波信号，需利用一高压半导体制程来生产具有高耐压的半导体组件，并利用具有高耐压的半导体组件形成其信号产生电路。然而，高压半导体制程的生产成本较高，而导致应用指纹辨识电路系统的电子产品所需的生产成本增加。

因此，如何利用低压制程生产制造的半导体组件来产生高压振幅方波，即为业界所努力的目标之一。

发明内容

因此，本发明部分实施例主要目的即在于提供一种可包含有以低压组件制程且可产生高压信号的指纹辨识系统。

为了解决上述技术问题，本申请提供了一种指纹辨识系统，包括一指纹感测电路，具有一电源供应端以及一浮动接地端，用来产生一指纹信号以及一第一信号，其中所述指纹辨识系统根据所述指纹信号判断一指纹；以及一信号产生电路，具有一第一输出端以及一第二输出端，所述第一输出端耦接于所述电源供应端，所述第二输出端耦接于所述浮动接地端，所述信号产生电路用来根据所述第一信号产生一浮动电源信号至所述电源供应端，并根据所述第一信号产生一浮动接地信号至所述浮动接地端，其中所述浮动电源信号具有一浮源振幅，所述浮动接地信号具有一浮地振幅；其中，所述信号产生电路具有一耐压，所述浮源振幅及所述浮地振幅皆大于所述耐压。

例如，所述信号产生电路包含一振幅缩小电路，耦接于所述指纹感测电路，用来根据所述第一信号产生一第二信号，其中所述第一信号具有一第一振幅，所述第二信号具有一第二振幅，所述第二振幅小于所述第一振幅，所述第二振幅小于或等于所述耐压。

例如，一第一位准移位电路，耦接于所述振幅缩小电路，用来将所述第二信号平移一第一平移量，以产生一第一控制信号；一第二位准移位电路，耦接于所述振幅缩小电路，用来将所述第二信号平移一第二平移量，以产生一第二控制信号；一第一开关模块，其一端接收一第一电压，另一端耦接于所述第一输出端，所述第一开关模块受控于所述第一控制信号；一第二开关模块，其一端接收一第二电压，另一端耦接于所述第二输出端，所述第二开关模块受控于所述第二控制信号；一第三开关模块，其一端接收一第三电压，另一端耦接于所述第二输出端，所述第三开关模块受控于一第三控制信号；以及一电容，耦接于所述第一输出端与所述第二输出端之间；其中，所述第三控制信号相关于所述第二信号。

例如，所述信号产生电路包含一第三位准移位电路，耦接于所述振幅缩小电路，用来根据所述第二信号产生所述第三控制信号。

例如，所述第二信号的一低电位与所述第一信号的一低电位相同。

例如，所述第一控制信号、所述第二控制信号及所述第三控制信号的振幅与所述第二振幅相同。

例如，于一第一时间，所述第一开关模块及所述第二开关模块为导通，所述第一输出端输出所述浮动电源信号为所述第一电压，所述第二输出端输出所述浮动接地信号为所述第二电压，于一第二时间，所述第三开关模块导通，所述第二输出端输出所述浮动接地信号为所述第三电压。

例如，所述第三电压为所述第一电压的负2倍，所述第二电压为一接地电压。

例如，所述振幅缩小电路包含有复数个晶体管，串接成一晶体管序列，所述晶体管序列的一第一端接收所述第一信号，所述晶体管序列的一第二端输出所述第二信号；以及一电阻，耦接于所述晶体管序列的所述第二端。

例如，所述第一位准移位电路包含一第一电压位准移位单元以及一第二电压位准移位单元，所述第一电压位准移位单元用来将所述第二信号向上平移一第三平移量，以产生一第三信号，所述第二电压位准移位单元用来将所述第三信号向上平移所述第三平移量，所述第三平移量与所述第二振幅相同。

例如，所述第二位准移位电路包含一第三电压位准移位单元，所述第三电压位准移位单元用来将所述第二信号向上平移所述第二平移量，所述第二平移量与所述第二振幅相同。

例如，所述第二位准移位电路另包含一第一虚设位准移位单元，耦接于所述第三电压位准移位单元。

例如，所述第三位准移位电路包含一第二虚设位准移位单元以及一第三虚设位准移位单元，所述第二虚设位准移位单元接收所述第二信号，所述第三虚设位准移位单元输出所述第三控制信号，所述第二信号与所述第三控制信号具有相同的高电位，所述第二信号与所述第三控制信号具有相同的低电位。

例如，在一第一时间，所述第一信号为所述浮动电源信号，在一第二时间，所述第一信号为所述浮动接地信号。

例如，所述浮动电源信号与所述浮动接地信号之间具有一固定电压差。

本申请的信号产生电路可利用以低压制程所生产的信号产生电路来产生具有高压振幅的浮动电源信号及浮动接地信号，以增加指纹信号的强度。相较于现有技术，本申请具有降低生产成本的优点。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1为本申请实施例一指纹辨识系统的示意图。

图2为本申请实施例复数个信号波形图。

图3为本申请实施例一信号产生电路的示意图。

图4为本申请实施例一振幅缩小电路的示意图。

图5为本申请实施例一振幅缩小电路的示意图。

图6为本申请实施例一电压位准移位单元的示意图。

图7为本申请实施例一虚设位准移位单元的示意图。

图8为本申请实施例复数个开关模块的示意图。

图9为本申请实施例复数个信号波形图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

请参考图1，图1为本申请实施例一指纹辨识系统10的示意图。指纹辨识系统10包含一指纹感测电路102以及一信号产生电路104，指纹感测电路102可产生一指纹信号，而指纹辨识系统10可根据指纹信号判断一指纹。为了增强指纹信号，指纹感测电路102可接收具有一浮源振幅的一浮动电源信号SVDD以及具有一浮地振幅的一浮动接地信号SGND，而指纹信号的强度与浮源振幅/浮地振幅相关，也就是说，当浮源振幅或浮地振幅越大时，指纹信号就越显著。信号产生电路104用来产生具有大浮源振幅的浮动电源信号SVDD以及具有大浮地振幅的浮动接地信号SGND，并提供至指纹感测电路102；具体来说，指纹感测电路102具有一电源供应端PWR以及一浮动接地端FGD，而信号产生电路104具有一输出端Out_A以及一输出端Out_B，输出端Out_A用来将信号产生电路104所产生的浮动电源信号SVDD输出至电源供应端PWR，输出端Out_B用来将信号产生电路104所产生的浮动接地信号SGND输出至浮动接地端FGD。

需注意的是，信号产生电路104为利用一低压制程所制造的电路，其具有一耐压(Breakdown Voltage)BV，换句话说，当信号产生电路104的跨压超过耐压BV时，将导致信号产生电路104内部的半导体组件击穿/崩溃(Breakdown)，而导致信号产生电路104损坏。在信号产生电路104具有耐压BV的前提之下，信号产生电路104可产生浮源振幅大于耐压BV的浮动电源信号SVDD以及浮地振幅大于耐压BV的浮动接地信号SGND。一般来说，信号产生电路104内部半导体组件的耐压BV略大于(或等于)一电压AVDD。

更进一步地，指纹感测电路102可产生一激励信号TX至信号产生电路104，而信号产生电路104可根据激励信号TX产生浮动电源信号SVDD以及浮动接地信号SGND。举例来说，请参考图2，图2为本申请实施例激励信号TX、浮动电源信号SVDD及浮动接地信号SGND的信号波形图。由图2可知，浮动电源信号SVDD及浮动接地信号SGND皆为方波，浮动电源信号SVDD的一高电位为电压AVDD，浮动电源信号SVDD的低电位为一负电压－AVDD，浮动接地信号SGND的一高电位为一接地电压GND，浮动接地信号SGND的低电位为一二倍负压－2AVDD(电压AVDD的负二倍)。在一第一时间区间中，指纹感测电路102可产生激励信号TX的一高电位为浮动电源信号SVDD的一高电位(即为电压AVDD)；在一第二时间区间中，指纹感测电路102可产生激励信号TX的一低电位为浮动接地信号SGND的一低电位(即为二倍负压－2AVDD)。另外，浮动接地信号SGND与浮动接地信号SGND之间具有一固定电压差，即为AVDD。

另一方面，由图2可知，浮动电源信号SVDD的浮源振幅为2AVDD(即电压AVDD的二倍)，浮动接地信号SGND的浮地振幅亦为2AVDD，即浮动电源信号SVDD的浮源振幅及浮动接地信号SGND的浮地振幅皆大于信号产生电路104内部半导体组件的耐压BV。换句话说，本申请可利用低压组件产生高压信号，更具体地，本申请可利用其组件耐压BV仅略大于(或等于)电压AVDD的信号产生电路104，产生具有振幅为2倍电压AVDD的浮动电源信号SVDD及浮动接地信号SGND。

请参考图3，图3为本申请实施例一信号产生电路304的示意图，信号产生电路304可用来实现信号产生电路104，其为以低压制程所制造的电路，具有略大于或等于电压AVDD的耐压BV。信号产生电路304包含一振幅缩小电路VLS、一第一位准移位(Level Shifter)电路VDS1、一第二位准移位电路VDS2、一第三位准移位电路VDS3、一第一开关模块S1、一第二开关模块S2、一第三开关模块S3以及一电容C。电容C耦接于信号产生电路304的输出端Out_A与输出端Out_B之间，振幅缩小电路VLS耦接于指纹感测电路102以接收激励信号TX，其用来将激励信号TX的振幅(其为3AVDD，即电压AVDD的3倍)缩小至电压AVDD，以产生一初始控制信号ctrl，其中初始控制信号ctrl的一振幅为电压AVDD，而初始控制信号ctrl的一低电位与激励信号TX的低电位相同(皆为－2AVDD)，即初始控制信号ctrl的一高电位为－AVDD。

另外，振幅缩小电路VLS不限于利用特定电路结构来实现。举例来说，请参考图4，图4为本申请实施例一振幅缩小电路40的示意图。振幅缩小电路40可用来实现振幅缩小电路VLS，振幅缩小电路40包含晶体管41～4n以及一电阻R，晶体管41～4n的栅极(Gate)与其源极(Source)相接，晶体管41～4n串接成一晶体管序列，晶体管序列的一第一端用来接收激励信号TX，晶体管序列的一第二端用来输出初始控制信号ctrl，而电阻R的一端耦接于晶体管序列的第二端，另一端接收二倍负压－2AVDD。当激励信号TX为高电位(电压AVDD)时，晶体管41～4n为导通/ON，振幅缩小电路40输出的初始控制信号ctrl为负电压－AVDD。当激励信号TX为低电位(二倍负压－2AVDD)时，晶体管41～4n为断路/OFF，振幅缩小电路40输出的初始控制信号ctrl为二倍负压－2AVDD。

另外，请参考图5，图5为本申请实施例一振幅缩小电路50的示意图。振幅缩小电路50可用来实现振幅缩小电路VLS，振幅缩小电路50与振幅缩小电路40类似，与振幅缩小电路40不同的是，振幅缩小电路50包含二极管51～5n，二极管51～5n串接成一二极管序列，二极管序列的一第一端用来接收激励信号TX，二极管序列的一第二端用来输出初始控制信号ctrl。振幅缩小电路50的操作原理与振幅缩小电路40类似，故于此不再赘述。

另外，第一位准移位电路VDS1、第二位准移位电路VDS2及第三位准移位电路VDS3均耦接于振幅缩小电路VLS，其分别用来将初始控制信号ctrl向上平移一平移量ΔV1、一平移量ΔV2及一平移量ΔV3，以分别产生一第一控制信号ctrl_1、一第二控制信号ctrl_2以及一第三控制信号ctrl_3，其中，第一控制信号ctrl_1、第二控制信号ctrl_2以及第三控制信号ctrl_3的振幅皆与初始控制信号ctrl的振幅相同(皆为电压AVDD)。在一实施例中，平移量ΔV1可为二倍电压2AVDD(即为电压AVDD的2倍)，平移量ΔV2可为电压AVDD，而平移量ΔV3可为0(即第三位准移位电路VDS3不对初始控制信号ctrl的电压位准进行移位)。

请参考图9，图9为本申请实施例初始控制信号ctrl、第一控制信号ctrl_1、第二控制信号ctrl_2及第三控制信号ctrl_3的信号波形图。由图9可知，初始控制信号ctrl为低电位为－2AVDD且高电位为－AVDD的方波，第一控制信号ctrl_1为低电位为接地电压GND且高电位为电压AVDD的方波，第二控制信号ctrl_2为低电位为－AVDD且高电位为接地电压GND的方波，第三控制信号ctrl_3亦为低电位为－2AVDD且高电位为－AVDD的方波。

另外，第一开关模块S1、第二开关模块S2及第三开关模块S3可分别受控于第一控制信号ctrl_1、第二控制信号ctrl_2及第三控制信号ctrl_3；通过控制信号ctrl_1、ctrl_2、ctrl_3以及开关模块S1、S2、S3，信号产生电路304可产生浮动电源信号SVDD及浮动接地信号SGND。其中，第一开关模块S1的一端接收电压AVDD，另一端耦接于信号产生电路304的输出端Out_A；第二开关模块S2的一端接收接地电压GND，另一端耦接于信号产生电路304的输出端Out_B；第三开关模块S3的一端接收二倍负压－2AVDD，另一端耦接于信号产生电路304的输出端Out_B。

利用控制信号ctrl_1、ctrl_2、ctrl_3控制开关模块S1、S2、S3以产生浮动电源信号SVDD及浮动接地信号SGND的方式并未有所限。举例来说，当控制信号ctrl_1、ctrl_2、ctrl_3皆为低电位时，第一控制信号ctrl_1为接地电压GND，第二控制信号ctrl_2为负电压－AVDD，第三控制信号ctrl_3为二倍负压－2AVDD，第一开关模块S1及第二开关模块S2为导通/ON，第三开关模块S3为断路/OFF，信号产生电路304于输出端Out_A输出浮动电源信号SVDD为电压AVDD，其对应浮动电源信号SVDD的高电位，信号产生电路304于输出端Out_B输出浮动接地信号SGND为接地电压GND，其对应浮动接地信号SGND的高电位。另一方面，当控制信号ctrl_1、ctrl_2、ctrl_3皆为高电位时，第一控制信号ctrl_1为电压AVDD，第二控制信号ctrl_2为接地电压GND，第三控制信号ctrl_3为负电压－AVDD，第一开关模块S1及第二开关模块S2为断路/OFF，第三开关模块S3为导通/ON，信号产生电路304于输出端Out_B输出浮动接地信号SGND为二倍负压－2AVDD。另外，由于输出端Out_A与输出端Out_B之间电容C可维持输出端Out_A与输出端Out_B之间固定的电压差，当浮动接地信号SGND由其高电位(接地电压GND)瞬间下降至其低电位(二倍负压－2AVDD)时，即输出端Out_B的电位瞬间下降2AVDD，此时电容C亦将输出端Out_A拉下2AVDD，即浮动电源信号SVDD会由其高电位(电压AVDD)下降2AVDD而达到其低电位(负电压－AVDD)。如此一来，信号产生电路304即可产生如图2所示的浮动电源信号SVDD及浮动接地信号SGND。

另外，第一位准移位电路VDS1、第二位准移位电路VDS2及第三位准移位电路VDS3不限于利用特定电路结构来实现。举例来说，第一位准移位电路VDS1可包含电压位准移位单元311、312，第二位准移位电路VDS2可包含一电压位准移位单元321以及一虚设位准移位单元322，第三位准移位电路VDS3可包含虚设位准移位单元331、332。电压位准移位单元311、312、321可将其输入信号平移一平移量ΔV，而虚设位准移位单元322、331、332则维持其输入信号的位准，其中平移量ΔV可为电压AVDD。换句话说，电压位准移位单元311可将初始控制信号ctrl向上平移平移量ΔV(即电压AVDD)，以产生一信号ctrl’，而电压位准移位单元312可将信号ctrl’再次向上平移平移量ΔV，以产生第一控制信号ctrl_1(ΔV1＝2ΔV)，同样地，电压位准移位单元321可将初始控制信号ctrl向上平移平移量ΔV(ΔV2＝ΔV)，而第二位准移位电路VDS2即可输出第二控制信号ctrl_2。

电压位准移位单元311、312、321及虚设位准移位单元322、331、332不限于利用特定电路来实现。举例来说，请参考图6及图7，图6及图7分别为本申请实施例一电压位准移位单元60及一虚设位准移位单元70的示意图。电压位准移位单元60可用来实现电压位准移位单元311、312、321，虚设位准移位单元70可用来实现虚设位准移位单元322、331、332。当电压位准移位单元60的一输入信号input介于一低电压VL与一中间电压VM之间时，电压位准移位单元60可产生一输出信号out，而输出信号out介于中间电压VM与一高电压VH之间，另外，电压位准移位单元60可接收第一参考电压Vrefp、第二参考电压Vrefn来进行偏压，其中电压VL、VM、VH、Vrefp、Vrefn具有VL<Vrefn<VM<Vrefp<VH且VH－VM＝VM－VL＝Vrefp－Vrefn＝ΔV的关系。另外，当虚设位准移位单元70的输入信号input介于一低电压VL7与一高电压VH7之间时，虚设位准移位单元70可产生同样介于低电压VL7与高电压VH7之间的输出信号out。关于电压位准移位单元60及虚设位准移位单元70的操作细节，为本领域一般技术人员所熟知，故于此不再赘述。

另外，第一开关模块S1、第二开关模块S2及第三开关模块S3不限于利用特定电路结构来实现。举例来说，请参考图8，图8为本申请实施例第一开关模块S1、第二开关模块S2及第三开关模块S3的示意图。第一开关模块S1包含晶体管PP0、PP1、NP2，其中晶体管PP0和PP1为PMOS晶体管，晶体管NP2为NMOS晶体管。晶体管PP0的一源极(Source)接收电压AVDD，晶体管PP0的一栅极(Gate)接收第一控制信号ctrl_1，晶体管PP0的一漏极(Drain)通过晶体管PP1耦接于输出端Out_A。当第一控制信号ctrl_1为低电位(接地电压GND)时，晶体管PP0、PP1为导通/ON，晶体管NP2为断路/OFF；当第一控制信号ctrl_1为高电位(电压AVDD)时，晶体管PP0、PP1为断路/OFF，晶体管NP2为导通/ON。第二开关模块S2包含晶体管P0、P1、N2，其中晶体管P0和P1为PMOS晶体管，晶体管N2为NMOS晶体管。晶体管P0的一源极接收接地电压GND，晶体管P0的一栅极接收第二控制信号ctrl_2，晶体管P0的一漏极(Drain)通过晶体管P1耦接于输出端Out_B。当第二控制信号ctrl_2为低电位(接地电压GND)时，晶体管P0、P1为导通/ON，晶体管N2为断路/OFF；当第二控制信号ctrl_2为高电位(电压AVDD)时，晶体管P0、P1为断路/OFF，晶体管N2为导通/ON。第三开关模块S3包含晶体管N0、N1、P2，其中晶体管N0和N1为NMOS晶体管，晶体管P2为PMOS晶体管。晶体管N0的一源极接收一二倍负压－2AVDD，晶体管N0的一栅极接收第三控制信号ctrl_3，晶体管N0的一漏极(Drain)通过晶体管N1耦接于输出端Out_B。当第三控制信号ctrl_3为高电位(负电压－AVDD)时，晶体管N0、N1为导通/ON，晶体管P2为断路/OFF；当第三控制信号ctrl_3为低电位(二倍负压－2AVDD)时，晶体管N0、N1为断路/OFF，晶体管P2为导通/ON。如此一来，信号产生电路304即可产生如图2所示的浮动电源信号SVDD及浮动接地信号SGND。

由上述可知，本申请利用其组件耐压BV仅略大于(或等于)电压AVDD的信号产生电路104、304，产生具有振幅为2倍电压AVDD的浮动电源信号SVDD及浮动接地信号SGND，而避免利用高压制程来制造(用来产生浮动电源信号及浮动接地信号)的信号产生电路，降低指纹辨识系统的生产成本。例如，指纹感测电路102与信号产生电路104可利用相同的半导体制程来制造，亦可形成于单一集成电路中。

综上所述，本申请可利用以低压制程所生产的信号产生电路来产生具有高压振幅的浮动电源信号及浮动接地信号，以增加指纹信号的强度。相较于现有技术，本申请具有降低生产成本的优点。

以上所述仅为本申请的部分实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种指纹辨识系统，包括：

一指纹感测电路，具有一电源供应端以及一浮动接地端，用来产生一指纹信号以及一第一信号，其中所述指纹辨识系统根据所述指纹信号判断一指纹；以及

一信号产生电路，具有一第一输出端以及一第二输出端，所述第一输出端耦接于所述电源供应端，所述第二输出端耦接于所述浮动接地端，所述信号产生电路用来根据所述第一信号产生一浮动电源信号至所述电源供应端，并根据所述第一信号产生一浮动接地信号至所述浮动接地端，其中所述浮动电源信号具有一浮源振幅，所述浮动接地信号具有一浮地振幅；

其中，所述信号产生电路具有一耐压，所述浮源振幅及所述浮地振幅皆大于所述耐压。

2.如权利要求1所述的指纹辨识系统，其中，所述信号产生电路包括：

一振幅缩小电路，耦接于所述指纹感测电路，用来根据所述第一信号产生一第二信号，其中所述第一信号具有一第一振幅，所述第二信号具有一第二振幅，所述第二振幅小于所述第一振幅，所述第二振幅小于或等于所述耐压。

3.如权利要求2所述的指纹辨识系统，其中，所述信号产生电路还包括：

一第一位准移位电路，耦接于所述振幅缩小电路，用来将所述第二信号平移一第一平移量，以产生一第一控制信号；

一第二位准移位电路，耦接于所述振幅缩小电路，用来将所述第二信号平移一第二平移量，以产生一第二控制信号；

一第一开关模块，其一端接收一第一电压，另一端耦接于所述第一输出端，所述第一开关模块受控于所述第一控制信号；

一第二开关模块，其一端接收一第二电压，另一端耦接于所述第二输出端，所述第二开关模块受控于所述第二控制信号；

一第三开关模块，其一端接收一第三电压，另一端耦接于所述第二输出端，所述第三开关模块受控于一第三控制信号；以及

一电容，耦接于所述第一输出端与所述第二输出端之间；

其中，所述第三控制信号相关于所述第二信号。

4.如权利要求3所述的指纹辨识系统，其中，所述信号产生电路还包括：

一第三位准移位电路，耦接于所述振幅缩小电路，用来根据所述第二信号产生所述第三控制信号。

5.如权利要求3所述的指纹辨识系统，其中，所述第二信号的一低电位与所述第一信号的一低电位相同。

6.如权利要求3所述的指纹辨识系统，其中，所述第一控制信号、所述第二控制信号及所述第三控制信号的振幅与所述第二振幅相同。

7.如权利要求3所述的指纹辨识系统，其中，在一第一时间，所述第一开关模块及所述第二开关模块为导通，所述第一输出端输出所述浮动电源信号为所述第一电压，所述第二输出端输出所述浮动接地信号为所述第二电压；在一第二时间，所述第三开关模块导通，所述第二输出端输出所述浮动接地信号为所述第三电压。

8.如权利要求3所述的指纹辨识系统，其中，所述第三电压为所述第一电压的负2倍，所述第二电压为一接地电压。

9.如权利要求2至8中任一项所述的指纹辨识系统，其中，所述振幅缩小电路包括：

复数个晶体管，串接成一晶体管序列，所述晶体管序列的一第一端接收所述第一信号，所述晶体管序列的一第二端输出所述第二信号；以及

一电阻，耦接于所述晶体管序列的所述第二端。

10.如权利要求2至8中任一项所述的指纹辨识系统，其中，所述振幅缩小电路包含有：

复数个二极管，串接成一二极管序列，所述二极管序列的一第一端接收所述第一信号，所述二极管序列的一第二端输出所述第二信号；以及

一电阻，耦接于所述晶体管序列的所述第二端。

11.如权利要求3至8中任一项所述的指纹辨识系统，其中，所述第一位准移位电路包含一第一电压位准移位单元以及一第二电压位准移位单元，所述第一电压位准移位单元用来将所述第二信号向上平移一第三平移量，以产生一第三信号，所述第二电压位准移位单元用来将所述第三信号向上平移所述第三平移量，所述第三平移量与所述第二振幅相同。

12.如权利要求3至8中任一项所述的指纹辨识系统，其中，所述第二位准移位电路包含一第三电压位准移位单元，所述第三电压位准移位单元用来将所述第二信号向上平移所述第二平移量，所述第二平移量与所述第二振幅相同。

13.如权利要求12所述的指纹辨识系统，其中，所述第二位准移位电路另包含一第一虚设位准移位单元，耦接于所述第三电压位准移位单元。

14.如权利要求4所述的指纹辨识系统，其中，所述第三位准移位电路包括一第二虚设位准移位单元以及一第三虚设位准移位单元，所述第二虚设位准移位单元接收所述第二信号，所述第三虚设位准移位单元输出所述第三控制信号，所述第二信号与所述第三控制信号具有相同的高电位，所述第二信号与所述第三控制信号具有相同的低电位。

15.如权利要求1所述的指纹辨识系统，其中，在一第一时间，所述第一信号为所述浮动电源信号，在一第二时间，所述第一信号为所述浮动接地信号。

16.如权利要求1所述的指纹辨识系统，其中，所述浮动电源信号与所述浮动接地信号之间具有一固定电压差。