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CN101017286B - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液晶显示装置，能减低VA方式的液晶显示装置的黑显示时的漏光、且防止开口率的下降。该液晶显示装置具有液晶显示面板，该液晶显示面板在具有像素电极的第一电极和具有对置电极的第二基板之间夹持有液晶材料，其中，前述第二基板具有：取向控制突起，将导体膜成膜后，在前述导体膜上将绝缘膜成膜，并图形化前述绝缘膜而成；遮光层，将前述取向控制突起作为掩膜来图形化前述导体膜而成。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置，尤其是涉及适用于VA(VerticalAlignment)方式的液晶显示装置有效的技术。
背景技术
目前，在液晶显示装置中，有被称作VA方式的装置。VA方式的液晶显示装置，当电压关闭、即像素电极和对置电极(也称作公共电极)之间的电位差是0时，液晶分子相对于基板平面垂直地取向，当电压最大时，相对于基板平面平行地取向。另外，在VA方式的液晶显示装置中，电压关闭时为黑显示，电压最大时为白显示。
另外，在VA方式的液晶显示装置中，为了改善视角特性，大多组合了液晶分子的取向分割技术(多畴)。该取向分割技术，是指将液晶层分割为小区域，在每个小区域中改变液晶分子按照电压取向时的倾斜方向的技术。即通过控制使得在某区域中液晶分子向右倾斜，在其他区域中向左倾斜。由此能够使画面整体的光量平均，能够大幅抑制基于视角的颜色变化。
前述取向分割技术的原理，是例如当电压关闭时，各小区域边界的液晶分子取向不垂直于基板平面，而是处于向某方向倾斜的状态。作为控制前述液晶分子倾斜方向的具体方法，例如有对取向膜施以线偏振光照射处理的方法(例如参照专利文献1)、和设置取向控制突起的方法(例如参照专利文献2)。
但是，当应用前述取向分割技术时，例如在配置了取向控制突起的区域，存在当电压关闭时处于向不垂直于基板平面的方向倾斜的状态的液晶分子。因此，有如下问题，即，在黑显示时，在配置了取向控制突起的区域发生漏光，黑对比度下降。
对于这种问题，在前述专利文献1中，通过用遮光图案将具有多种倾角(倾斜角)的地方遮光，来减低漏光。另外在前述专利文献2中，通过在与取向控制单元(取向控制突起)对应的位置上形成遮光膜，来减低漏光。
[专利文献1]  日本特开平11-202338号公报
[专利文献2]  日本特开2005-173105号公报
发明内容
但是在利用前述遮光图案减低黑显示时的漏光的情况下，考虑在电压关闭时液晶分子倾斜的区域和遮光图案的位置对合精度，必须加大遮光图案。因此，存在透射开口率下降，液晶显示装置亮度变低的问题。
本发明的优点在于，例如，能够提供可减低VA方式液晶显示装置的黑显示时的漏光、且防止透射开口率下降的技术。
本发明的前述以及其他优点和新特征，通过本说明书的记述以及附图可明确。
如果说明在本申请中公开的发明中的有代表性的发明的概要，则如下。
(1)一种液晶显示装置，具有液晶显示面板，该液晶显示面板在具有像素电极的第一基板和具有对置电极的第二基板之间夹持有液晶材料，其中，前述第二基板具有：取向控制突起，将导体膜成膜后，在前述导体膜上将绝缘膜成膜，并图形化前述绝缘膜而成；遮光层，将前述取向控制突起作为掩膜来图形化前述导体膜而成。
(2)在前述(1)的液晶显示装置中，前述取向控制突起以及前述遮光层设置在前述对置电极和前述像素电极之间。
(3)在前述(1)的液晶显示装置中，前述对置电极由在前述遮光层的图形化之后成膜的导体膜构成。
(4)在前述(2)或者(3)中的液晶显示装置中，前述遮光层，其从基板俯视面上看时的外周在前述取向控制突起的外周的内侧，且前述遮光层的前述外周的侧面的整个面没有被前述取向控制突起覆盖。
(5)在前述(2)或者(3)中的液晶显示装置中，前述遮光层，其从基板俯视面上看时的外周与前述取向控制突起的外周一致、或者在前述取向控制突起的外周的外侧。
(6)在前述(4)或者(5)的液晶显示装置中，前述遮光层的外周，在前述遮光层的前述外周的各点距前述取向控制突起的外周的距离几乎恒定。
(7)在从前述(1)至(6)任意一项的液晶显示装置中，前述第二基板具有使前述对置电极和前述像素电极之间的前述液晶材料的层的厚度为2种的台阶形成层，前述取向控制突起以及前述遮光层，通过前述台阶形成层的端部，并在前述液晶材料的层的厚度不同的两个区域延伸。
(8)在前述(1)至(7)任意一项的液晶显示装置中，前述液晶显示面板，在前述像素电极和前述对置电极之间的电位差是0(零)时，前述液晶材料中的液晶分子取向为垂直于基板平面的方向。
(9)一种液晶显示装置，具有液晶显示面板，该液晶显示面板在具有像素电极的第一基板和具有对置电极的第二基板之间夹持有液晶材料，其中，前述第一基板具有：取向控制突起，将导体膜成膜后，在前述导体膜上将绝缘膜成膜，并图形化前述绝缘膜而成；遮光层，将前述取向控制突起作为掩膜来图形化前述导体膜而成。
(10)在前述(9)的液晶显示装置中，前述取向控制突起以及前述遮光层设置在前述像素电极和前述对置电极之间。
(11)在前述(9)的液晶显示装置中，前述像素电极由在前述遮光层的图形化之后成膜的导体膜构成。
(12)在前述(10)或者(11)的液晶显示装置中，前述遮光层，其从基板俯视面上看时的外周在前述取向控制突起的外周的内侧，且前述遮光层的前述外周的侧面的整个面没有被前述取向控制突起覆盖。
(13)在前述(10)或者(11)的液晶显示装置中，前述遮光层，其从基板俯视面上看时的外周与前述取向控制突起的外周一致、或者在前述取向控制突起的外周的外侧。
(14)在前述(12)或者(13)的液晶显示装置中，前述遮光层的外周，在前述遮光层的前述外周的各点距前述取向控制突起的外周的距离几乎恒定。
(15)在前述(9)至(14)任意一项的液晶显示装置中，前述液晶显示面板，在前述像素电极和前述对置电极之间的电位差是0(零)时，前述液晶材料中的液晶分子取向为垂直于基板平面的方向。
(16)一种液晶显示装置，具有液晶显示面板，该液晶显示面板在具有像素电极的第一基板和具有对置电极的第二基板之间夹持有液晶材料，前述第一基板具有使前述对置电极和前述像素电极之间的前述液晶材料的层的厚度为2种的台阶形成层、以及配置在与前述台阶形成层重叠的区域的反射层，其中，前述第一基板具有：前述台阶形成层，将导体膜成膜后，在前述导体膜上将绝缘膜成膜，并图形化前述绝缘膜而成；遮光层，将前述台阶形成层作为掩膜来图形化前述导体膜而成。
(17)在前述(16)的液晶显示装置中，前述遮光层延伸至与前述台阶形成层重叠的区域外侧。
(18)在前述(16)或者(17)的液晶显示装置中，前述液晶显示面板，在前述像素电极和前述对置电极之间的电位差是0(零)时，前述液晶材料中的液晶分子取向为垂直于基板平面的方向。
本发明的液晶显示装置，是在前述液晶显示面板的一边基板上具有取向控制突起以及遮光层的装置。前述取向控制突起，是用于控制液晶材料中的液晶分子倾斜方向的突起。另外，前述遮光层，用于减低在配置有取向控制突起的位置发生的漏光。而且，在本发明的液晶显示装置中，在导体膜上形成了取向控制突起后，将前述取向控制突起作为掩膜，图形化前述导体膜，形成遮光层。
当以这样的过程形成取向控制突起以及遮光层时，例如能够取为从基板俯视面上看时的遮光层的外周在取向控制突起的外周的内侧、且前述遮光层的外周侧面的整个面没有被前述取向控制突起覆盖的状态。另外，形成前述遮光层后，例如，通过灰化等局部地除去前述取向控制突起，还能够使从基板俯视面看时的上述遮光层的外周与前述取向控制突起的外周一致、或者在前述取向控制突起的外周的外侧。并且此时，前述遮光层的图形化一般由蚀刻进行，因此前述遮光层的外周，其各点的离前述取向控制突起的外周的距离几乎恒定。因此，在本发明的液晶显示装置中，基本不产生取向控制突起和遮光层的位置偏移。
此外，防止在配置有取向控制突起的区域发生漏光所需的遮光层的外周尺寸，一般取决于取向控制突起的倾斜面角度。因此，取向控制突起的外周和遮光层的外周的位置关系，根据形成的取向控制突起的倾斜面角度来确定即可。
前述液晶显示装置(液晶显示面板)，例如在VA方式的情况下像素电极和对置电极之间的电位差是0(零)时，前述液晶材料中的液晶分子垂直于基板平面地取向，但是在配置有前述取向控制突起的区域中不垂直，而是成为向某方向倾斜的状态。而且，如果像本发明的液晶显示装置那样没有产生取向控制突起和遮光层的位置偏移，则能够使前述遮光层的外周尺寸尽可能小。因此，能够减低黑显示时的漏光、且防止透过开口率的下降。
此外，在本发明的液晶显示装置中，前述取向控制突起以及遮光层，可以设置在具有前述对置电极的基板(第二基板)、具有前述像素电极的基板(第一基板)的任一个上。
另外，在具有前述对置电极的基板上设置前述取向控制突起以及遮光层的情况下，前述取向控制突起以及遮光层，可以形成在前述对置电极和像素电极之间、即对置电极之后，也可以形成在对置电极之前。同样地，在具有前述像素电极的基板上设置前述取向控制突起以及遮光层的情况下，前述取向控制突起以及遮光层，可以形成在前述像素电极和对置电极之间、即像素电极之后，也可以形成在像素电极之前。
另外，本发明的液晶显示装置，可以是透射型，也可以是半透射型。在半透射型的情况下，使透射区域和反射区域的液晶材料层厚度不同的台阶形成层，可以设置在具有前述对置电极的基板、具有前述像素电极的基板的任一个基板上。另外此时，前述取向控制突起以及遮光层，也可以设置在任一个基板上。此外，在将前述取向控制突起以及遮光层设置在具有前述像素电极的基板上的情况下，例如预先形成从反射区域到透射区域进行延伸的取向控制突起，将该取向控制突起用作形成设置在反射区域的反射层时的掩膜，就能够形成兼作遮光层的反射层。
另外，本发明不限于VA方式，例如，也能够应用于在平行(homogeneous)取向ECB(Electrically Controlled Birefringence：电控双折射)方式的液晶显示装置(液晶显示面板)上形成取向控制突起的情况等。
附图说明
图1是表示液晶显示面板概要结构的俯视图。
图2是在图1的A-A’线的剖视图。
图3是表示实施例1的液晶显示面板的1个像素的结构例的俯视图。
图4是在图3的B-B’线的剖视图。
图5是在图3的C-C’线的剖视图。
图6A～图6D是用于说明对置基板制作方法的示意剖视图。
图7是用于说明实施例1的液晶显示面板作用效果的示意剖视图。
图8是表示实施例2的液晶显示面板的1个像素的结构例的俯视图。
图9是在图8的D-D’线的剖视图。
图10A～图10B是用于说明实施例2的液晶显示面板制造方法的示意图。
图11是用于说明实施例2的液晶显示面板的变形例的示意剖视图。
图12是用于说明实施例2的液晶显示面板的应用例的示意剖视图。
图13是表示实施例3的液晶显示面板的1个像素的结构例的俯视图。
图14是在图13的E-E’线的剖视图。
图15是在图13的F-F’线的剖视图。
图16是表示实施例4的液晶显示面板的1个像素的结构例的俯视图。
图17是在图16的G-G’线的剖视图。
图18是表示实施例5的液晶显示面板的1个像素的结构例的俯视图。
图19是在图18的H-H’线的剖视图。
图20是在图18的J-J’线的剖视图。
图21是在图18的K-K’线的剖视图。
图22是表示实施例6的液晶显示面板的1个像素的结构例的俯视图。
图23是在图22的L-L’线的剖视图。
图24是表示实施例7的液晶显示面板的1个像素结构例的俯视图。
图25是在图24的M-M’线的剖视图，是表示电压关闭时的液晶分子取向的图。
图26是在图24的M-M’线的剖视图，是表示在像素电极和对置电极之间产生了电位差时的液晶分子取向的图。
具体实施方式
以下，参照附图与实施方式(实施例)一起详细说明本发明。
此外，在用于说明实施例的全部附图中，具有相同功能的部分标记相同符号，省略其重复说明。
[实施例1]
图1至图5是表示本发明的实施例1的液晶显示装置概要结构的示意图。图1是表示液晶显示面板概要结构的俯视图。图2是在图1的A-A’线的剖视图。图3是表示实施例1的液晶显示面板的1个像素的结构例的俯视图。图4是在图3的B-B’线的剖视图。图5是在图3的C-C’线的剖视图。
实施例1的液晶显示装置，如图1以及图2所示，具有在一对基板1、2之间夹持有液晶材料(液晶层)3的液晶显示面板。此时，一对基板1、2由环状板材4粘接，液晶层3被封入到由各基板1、2和板材4包围的空间中。
另外，一对基板1、2中的一个基板1，例如在玻璃基板表面上形成有扫描信号线(也称作栅极信号线)、视频信号线(也称作漏极信号线)、TFT元件、像素电极、取向膜等，被称作TFT基板。
另一个基板2，例如在玻璃基板的表面上形成有对置电极(也称作公共电极)、滤色器、取向膜等，称作对置基板。
另外，在TFT基板1的与对置基板2相对的面的背面，例如配置有相位差板5A以及偏振片6A。而且，在对置基板2的与TFT基板1相对的面的背面，配置有与TFT基板1侧的相位差板5A以及偏振片6A成对的相位差板5B以及偏振片6B。以下，配置在TFT1基板1侧的相位差板5A、偏振片6A分别称为下相位差板、下偏振片，配置在对置基板2侧的相位差板5B、偏振片6B分别称为上相位差板、上偏振片。
以下，说明这种结构的液晶显示面板中的1个像素的结构例。此外，在实施例1中将VA方式的透射型彩色液晶显示面板的情况举为例子。
在实施例1中，液晶显示面板的1个像素的结构，例如为如图3至图5所示的结构。图3表示TFT基板1的1个像素的结构。图4表示在图3的B-B’线的TFT基板1的剖面结构。图5表示在图3的C-C’线的TFT基板1、对置基板2以及液晶层3的剖面结构。
在实施例1的液晶显示面板中，TFT1基板1，例如在玻璃基板101的表面间隔第一绝缘层102以及第二绝缘层103设置有半导体层104。该半导体层104，例如将多晶硅(Poly-Si)成膜，并图形化而形成。另外，在半导体层104上，间隔第三绝缘层105设置有扫描信号线106A以及保持电容线106B。此时，扫描信号线106A被图形化使得其一部分与半导体层104重叠，该重叠的区域作为TFT元件的栅极发挥作用。
另外，在扫描信号线106A以及保持电容线106B上，间隔第四绝缘层107设置有视频信号线108A以及源极电极108B。视频信号线108A，由通孔与半导体层104电连接，作为TFT元件的漏极发挥作用。另外，源极电极108B，也由通孔与半导体层104电连接，作为TFT元件的源极发挥作用。
另外，在视频信号线108A以及源极电极108B上，间隔第五绝缘层109以及第六绝缘层110设置有像素电极111。像素电极111，由通孔与源电极108B电连接。另外，像素电极111上设置有取向膜112。
另外，在TFT基板1中的1个像素，是由相邻的2根扫描信号线106A和相邻的2根视频信号线108A包围的区域，在TFT基板1上，该1个像素的结构呈二维周期性配置。
此外，图3至图5所示的TFT基板1的1个像素的结构是一个例子，不限于此，当然也可以是其他结构。
另一方面，对置基板2，例如在玻璃基板201表面设置有滤色器202。在彩色液晶显示面板的情况下，图3所示的1个像素被称为子像素，由多个子像素构成视频(图像)的1点。此时，对置基板2的滤色器202，例如红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的滤光片以子像素为单位周期性地配置着。而且，由配置了红色滤色器的子像素、配置了绿色滤色器的子像素、以及配置了蓝色滤色器的子像素这三个子像素构成1点。另外此时，各颜色的滤色器202，例如也可以由黑矩阵分离。
另外，在滤色器202上，间隔保护层203设置有对置电极(公共电极)204。另外，在对置电极204上，在每个子像素上间隔遮光层205设置有取向控制突起206。而且，在对置电极204以及取向控制突起206上设置有取向膜207。
此外，在实施例1的液晶显示面板中，例如，如图3以及图5所示，从基板俯视面上看的遮光层205的外周位于取向控制突起206的外周的内侧。而且，取向控制突起206，其外周和遮光层205的外周之间的区域不与对置电极204相接，而是夹设有取向膜207。即遮光层205的外周侧面不是被取向控制突起206覆盖，而是被取向膜207覆盖。
另外，在VA方式的液晶显示面板的情况下，夹持在TFT基板1和对置基板2之间的液晶层3，当电压关闭即像素电极和对置电极之间的电位差是0时，如图5所示，液晶分子301与基板平面垂直地取向。此外，即使电压关闭，设置了取向控制突起206的区域，液晶分子301的取向也不与基板平面垂直，而是取向为与取向控制突起206(取向膜207)的倾斜面大致垂直的方向。
此时，在由于取向控制突起206的影响而液晶分子301倾斜地取向的区域，在液晶层3产生延迟(retardation)。在电压关闭的状态即黑显示时产生的该延迟，成为漏光的原因，其结果，用白显示时的透射率除以黑显示时的透射率的值(白透射率/黑透射率)表示的透射对比度下降。因此，通过在配置了取向控制突起206的区域设置遮光层205，防止了由黑显示时的延迟引起的漏光，防止了透射对比度的下降。
但是，当加大遮光层205的尺寸时，能防止由黑显示时的延迟造成的漏光，但另一方面将使白显示时的透射率显著下降。因此，遮光层205的大小，最好是能充分防止黑显示时的漏光、且尽可能小。
下面说明实施例1的液晶显示面板的制造方法。当制造实施例1的液晶显示面板时，首先制作TFT基板1以及对置基板2。此外，TFT基板1，使用与现有基板相同的材料、以相同过程制作即可，因此省略详细说明。
图6A～图6D是用于说明对置基板制作方法的示意剖视图。在图6A～图6D中表示了在实施例1的液晶显示面板中使用的对置基板制作方法中重要的、从工序图6A到工序图6D为止的四个工序的剖视图。
在实施例1的液晶显示面板中使用的对置基板2，首先在玻璃基板201的表面上，例如用光刻法形成滤色器202。具体地说，例如将红色(R)滤色器用的感光性抗蚀剂涂敷或者成膜后，进行图形化来形成红色滤光片。之后，以相同的过程依次形成绿色滤光片、蓝色滤光片。
接着，在滤色器202上形成保护层203，使表面平坦化。
接着，如图6A所示，在保护层203上形成对置电极(公共电极)204。对置电极204，例如用溅射将厚度140nm的p-ITO膜成膜来形成。
接着，如图6B所示，在对置电极204上形成用于形成遮光层205的导体膜205’。该导体膜205’例如用溅射将厚度50nm的Mo膜成膜而形成。
接着，如图6C所示，在导体膜205’上形成取向控制突起206。该取向控制突起206，例如在导体膜205’上涂敷感光性树脂，使用描绘了期望图案的光刻掩膜将前述感光性树脂曝光后，用碱性显影液局部地除去前述感光性树脂而形成。此时，取向控制突起206的厚度(高度)和倾斜角度，能够通过前述感光性树脂的焙烧条件控制。在实施例1中，形成厚度为1.0μm、具有角度为20度的倾斜部的宽度15μm的条状图案的取向控制突起206。
接着，如图6D所示，将先前形成的取向控制突起206作为掩膜，将导体膜205’图形化来形成遮光层205。在导体膜205’是Mo膜的情况下，导体膜205’的图形化，以使用磷酸类溶液的蚀刻进行。此时，遮光层205的外周侧面的、自取向控制突起206外周的后退量，能够通过蚀刻温度、蚀刻时间、蚀刻液的组成等蚀刻条件来控制。在实施例1中，调整蚀刻条件进行图形化，使得遮光层205的外周侧面的、自取向控制突起206外周的后退量为0.1μm。
之后，例如将描绘了期望图案的树脂板作为掩膜，在形成了遮光层205以及取向控制突起206的对置电极204上印刷、焙烧VA方式用的取向膜207。取向膜207的焙烧，例如在温度230℃的氛围中加热10分钟来进行。
当使用这样得到的TFT基板1以及对置基板2制作液晶显示面板时，首先在TFT基板1和对置基板2之间真空封入液晶材料3。当真空封入液晶材料3时，例如由板材4以及间隔物(SOC)使TFT基板1和对置基板2之间(单元间隔)成为4.0μm，在其间真空封入折射率异向性Δn是0.10的负型液晶。此时，液晶分子301由于VA用取向膜112、207的取向控制力而与对置基板平面方向垂直地取向。此外，在设置了取向控制突起206的区域，例如如图5所示，与取向控制突起206(取向膜207)的倾斜面大致垂直地取向。
接着，在对置基板2上粘贴上相位差板5B以及上偏振片6B，在TFT基板1上粘贴下相位差板5A以及下偏振片6A。此时，对置基板2侧，通过组合上偏振片6B和上相位差板5B构成上圆偏振片，TFT基板1侧，通过组合下偏振片6A和下相位差板5A构成下圆偏振片。此时的上圆偏振片和下圆偏振片的配置为上圆偏振片/液晶层/下圆偏振片，配置成(上偏振片角度)⊥(下圆偏振片角度)的关系。
更具体地说，上相位差板5B，从对置基板2的玻璃基板201侧按顺序粘贴例如延迟Δn·d＝110nm(相对于基板主面倾斜45度时)的Z轴相位差板、Δn·d＝140nm的单轴延伸的相位差板(λ/4相位差板)、Δn·d＝270nm的单轴延伸的相位差板(λ/2相位差板)。此时，λ/4相位差板以滞相轴角度为175度的方式粘贴，λ/2相位差板以滞相轴角度为55度的方式粘贴。另外，上偏振片6B以透射轴角度为160度的方式粘贴。
另外此时，下相位差板5A，从TFT基板1的玻璃基板101侧按顺序粘贴例如Δn·d＝110nm(相对于基板主面倾斜45度时)的Z轴相位差板、Δn·d＝140nm的单轴延伸的相位差板(λ/4相位差板)、Δn·d＝270nm的单轴延伸的相位差板(λ/2相位差板)。此时，λ/4相位差板以滞相轴角度为85度的方式粘贴，λ/2相位差板以滞相轴角度为145度的方式粘贴。另外，下偏振片6A以透射轴角度为70度的方式粘贴。
此外，前述各相位差板5A、5B的滞相轴以及各偏振片6A、6B的透射轴，用以预定方向例如画面的水平方向为基准逆时针旋转测量的角度表示。
另外，上相位差板5B以及下相位差板5A，也可以不设置Z轴相位差板，但是为了加宽视角，最好设置Z轴相位差板。
另外，当使用实施例1的液晶显示面板制造透射型液晶显示装置时，只要以与现有透射型液晶显示装置相同的过程组装即可，因此省略详细说明。
图7是用于说明实施例1的液晶显示面板作用效果的示意剖视图。此外，图7是放大表示了图5的剖视图中的设置有取向控制突起部分的图。
在实施例1的液晶显示装置中，如前所述，先将取向控制突起205图形化，将该取向控制突起206作为掩膜来使导体膜205’图形化，形成遮光层205。因此，当在某剖面看时，例如，如图7所示，遮光层205的一端(外周)的、自取向控制突起206的一端(外周)的后退量ΔL1、和遮光层205的另一端(外周)的、自取向控制突起206的另一端(外周)的后退量ΔL2几乎相等。进一步说，遮光层205的外周整个区域的、自取向控制突起206外周的后退量几乎恒定。
另外，取向控制突起206，一般以图7所示的中心线AX为对称轴成为几乎左右对称(线对称)的形状，液晶分子301的取向由于取向控制突起206倾斜面而变化的区域也相对于中心线AX成为几乎左右对称。因此，只要如实施例1的液晶显示面板那样，遮光层205的外周整个区域的、自取向控制突起206外周的后退量几乎恒定，就能够使遮光层205的外周尺寸尽可能小。即能够取为可将通过如下区域的光遮光的最小尺寸，该区域是液晶分子301的取向由于取向控制突起206的倾斜面而变化，成为漏光的原因的区域。另外，将取向控制突起206作为掩膜来将遮光层205图形化，因此基本不产生取向控制突起206和遮光层205的位置偏移。因此，能够减少VA方式的透射型彩色液晶显示装置的黑显示时的漏光、且防止透射开口率的下降。
即、在实施例1的液晶显示面板中，能够通过减少黑显示时的漏光来降低黑透射率，并且能够通过防止透射开口率的下降来使白透射率的下降减缩到最小限度。其结果，能够提高透射对比度(白透射率/黑透射率)。
[实施例2]
图8以及图9是表示本发明的实施例2的液晶显示面板概要结构的示意图。图8是表示实施例2的液晶显示面板的1个像素的结构例的俯视图。图9是在图8的D-D’线的剖视图。
在前述实施例1中，说明了遮光层205的外周后退到取向控制突起206的外周内侧的液晶显示面板，但是遮光层205的外周尺寸，由取向控制突起206的倾斜角决定。因此，遮光层205的外周，也可以与取向控制突起206的外周一致，或者在取向控制突起206的外周的外侧。因此，在实施例2中，作为前述实施例1的应用例，说明遮光层205的外周位于取向控制突起206的外周外侧的情况的结构例以及制造方法的一个例子。
此外，实施例2的液晶显示面板的基本结构，与前述实施例1的液晶显示面板相同，因此省略详细说明。
在实施例2的液晶显示面板中，取向控制突起206以及遮光层205，如图8以及图9所示，也设置在对置基板2上、且配置在对置电极204和像素电极111之间。但是，在实施例2的液晶显示面板中，遮光层205的外周在取向控制突起206的外周的外侧。
图10A～图10B是用于说明实施例2的液晶显示面板制造方法的示意图。在图10A～图10B中，示出了在实施例2的液晶显示面板中使用的对置基板的制作方法中重要的工序图10A以及工序图10B这两个工序的剖视图。
当制造实施例2的液晶显示面板时，也首先制作TFT基板1以及对置基板2。此外，TFT基板1使用与现有基板相同的材料、以相同过程制作即可，因此省略详细说明。
另外，当制作对置基板2时，首先如前述实施例1中说明的那样，在玻璃基板201上形成滤色器202、保护层203以及对置电极(公共电极)204。之后，以图6B至图6D所示的那样的过程，在导体膜205’上图形化取向控制突起206后，用将该取向控制突起206作为掩膜的蚀刻，将导体膜205’图形化，形成遮光层205。
此外，在以该过程形成了取向控制突起206以及遮光层205的情况下，一般如图10A所示，呈遮光层205的外周后退到取向控制突起206的外周内侧的状态。因此，如图10B所示，将遮光层205图形化后，除去取向控制突起206的表面部分，使取向控制突起206的外周在遮光层205的外周的内侧。该表面部分的除去，例如由O2灰化进行。通过进行O2灰化，能够均匀地除去取向控制突起206的露出的面，因此遮光层205的外周整个区域的、距取向控制突起206外周的距离几乎恒定。另外，将取向控制突起206作为掩膜来图形化遮光层205，因此基本不产生取向控制突起206和遮光层205的位置偏移。因此，在实施例2的液晶显示装置中，能够将遮光层205的外周尺寸取为能够将通过如下区域的光遮光的最小尺寸，该区域，液晶分子301的取向由于取向控制突起206(取向膜207)的倾斜面而变化，成为漏光的原因。因此，能够减少VA方式的透射型彩色液晶显示装置的黑显示时的漏光、且防止透射开口率的下降。
即，在实施例2的液晶显示面板中，也能够通过减少黑显示时的漏光来降低黑透射率，并且能够通过防止透射开口率的下降来使白透射率的下降减缩到最小限度。其结果，能够提高透射对比度(白透射率/黑透射率)。
图11是用于说明实施例2的液晶显示面板变形例的示意剖视图。
在实施例2中，例如，如图8以及图9所示，以遮光层205的外周在取向控制突起206的外周外侧的情况为例，但是不限于此，当然也可以是遮光层205的外周和取向控制突起206的外周一致。此时，将取向控制突起206作为掩膜来图形化遮光层205后，例如在对取向控制突起206进行O2灰化时，如图11所示，调整条件使得在取向控制突起206的外周与遮光层205的外周一致的时刻结束灰化即可。
图12是用于说明实施例2的液晶显示面板应用例的示意剖视图。
在实施例2中，以形成对置电极204后形成取向控制突起206以及遮光层205的液晶显示面板为例，但是不限于此，也可以是形成取向控制突起206以及遮光层205后形成对置电极204。即，例如，也可以如图12所示，在保护层203和对置电极204之间配置取向控制突起206以及遮光层205。
当形成如图12所示的结构的对置基板2时，形成保护层203后，进行导体膜205’的成膜、取向控制突起206的图形化、将取向控制突起206作为掩膜的遮光层205的图形化、取向控制突起206的O2灰化。而且，之后覆盖取向控制突起206以及遮光层205地形成对置电极204。
[实施例3]
图13至图15是表示根据本发明的实施例3的液晶显示面板概要结构的示意图。图13是表示实施例3的液晶显示面板的1个像素的结构例的俯视图。图14是在图13的E-E’线的剖视图。图15是在图13的F-F’线的剖视图。
在实施例1以及实施例2中，以VA方式的透射型彩色液晶显示面板为例，但是本发明不限于此，也可以应用于半透射型液晶显示面板。因此，在实施例3中，说明应用了本发明的VA方式的半透射型彩色液晶显示面板的结构例。
在实施例3的液晶显示面板中，如图13至图15所示，取向控制突起206以及遮光层205，也设置在对置基板2上、且配置在对置电极204和像素电极111之间。此外，在图13以及图15所示的例子中，遮光层205的外周在取向控制突起206的外周的外侧，但是并非限定于此。
另外，实施例3的液晶显示面板是半透射型，一个像素(子像素)由透射背光源的光进行显示的透射显示区域、和反射外来光进行显示的反射显示区域这两个区域构成。此时，透射显示区域从TFT基板1侧向液晶层3入射光，直接从对置基板2侧出射。另一方面，反射显示区域，从对置基板2侧入射到液晶层3的光由TFT基板1反射，再次通过液晶层3从对置基板2侧出射。因此，在半透射型液晶显示面板中，例如，如图14以及图15所示，在对置基板2的反射显示区域设置台阶形成层208，使反射显示区域的液晶层厚度比透射显示区域的液晶层厚度薄。此时，反射显示区域的液晶层厚度，最好设为透射显示区域的液晶层厚度的一半左右。由此，例如当白显示时的反射显示区域的液晶层延迟是200nm时，透射显示区域的液晶层延迟约为400nm，能够使电压-反射率特性、和电压-透射率特性基本一致。因此，能够实现在驱动电压范围内没有不自然感的反射显示和透射显示。
另外，在实施例3的液晶显示面板中，TFT基板1的基本结构与前述实施例1的液晶显示面板相同，因此省略详细说明，但是在半透射型液晶显示面板的情况下，例如如图13至图15所示，在像素电极111的、与对置基板2的台阶形成层208重叠的区域设置反射层113。
下面简单说明实施例3的液晶显示面板的制造方法。在如图13至图15所示那样结构的液晶显示面板的情况下，TFT基板1使用与现有基板相同的材料、以相同过程制作即可，因此省略详细说明。此外，TFT基板1的反射层113，形成像素电极111后，例如用溅射将厚度约50nm的Mo膜以及厚度约100nm的Al膜连续成膜，将该Mc膜以及Al膜图形化而形成。Mo膜以及Al膜的图形化，例如首先在Al膜上涂敷感光性抗蚀剂后，使用描绘了期望图案的光刻掩膜进行曝光，用碱性显影液局部地除去感光性抗蚀剂。而且，将剩余的感光性抗蚀剂作为掩膜，例如使用磷酸类蚀刻液一并蚀刻Al膜以及Mo膜。而且，蚀刻后，例如使用有机类碱性液除去感光性抗蚀剂。在除去感光性树脂后，清洗表面，形成取向膜112即可。
另外，当制作对置基板2时，基本上以实施例2中所说明的那样的材料、过程制作即可，因此省略详细说明。此外，台阶形成层208，例如，形成保护层203后，涂敷感光性树脂，将该感光性树脂图形化而形成。感光性树脂的图形化，例如使用描绘了期望图案的光刻掩膜将感光性树脂曝光后，用碱性显影液局部地除去感光性树脂。另外此时，感光性树脂例如在温度230℃的氛围中加热60分钟进行焙烧。形成台阶形成层208后，以实施例1以及实施例2中所说明的那样的过程形成对置电极204、取向控制突起206、遮光层205、取向膜207即可。
在这样的VA方式的半反射型液晶显示面板的情况下，例如在电压关闭的黑显示时，位于取向控制突起206外周附近的液晶分子301的取向不垂直于基板平面，将产生延迟。因此，在没有遮光层205的情况下，在黑显示时发生漏光，反射显示区域的反射对比度(白显示时的反射率/黑显示时的反射率)、透射显示区域的透射对比度(白显示时的透射率/黑显示时的透射率)同时下降。另外，在设置遮光层205的情况下，对于现有遮光层205以及取向控制突起206的形成方法，遮光层205过大，因而反射开口率以及透射开口率下降，白显示时的反射率、透射率下降。
另一方面，如实施例3，只要是在导体膜205’上图形化取向控制突起206之后用以该取向控制突起206为掩膜的蚀刻将导体膜205’图形化来形成遮光层205的液晶显示面板，就基本不产生取向控制突起206和遮光层205的位置偏移，因此能够将遮光层205的外周尺寸取为能够将通过如下区域的光遮光的最小尺寸，该区域，液晶分子301的取向由于取向控制突起206(取向膜207)的倾斜面而变化，成为漏光的原因。因此，能够减少VA方式的半透射型彩色液晶显示装置的黑显示时的漏光，并且防止反射开口率以及透射开口率的下降。
即，在实施例3的半透射型液晶显示面板中，也能够通过减少黑显示时的漏光来降低黑反射率以及黑透射率，并且通过防止反射开口率以及透射开口率的下降来使白反射率以及白透射率的下降减缩到最小限度。其结果，能够提高反射显示区域的反射对比度(白反射率/黑反射率)以及透射显示区域的透射对比度(白透射率/黑透射率)。
[实施例4]
图16以及图17是表示本发明的实施例4的液晶显示面板概要结构的示意图。图16是表示实施例4的液晶显示面板的1个像素的结构例的俯视图。图17是在图16的G-G’线的剖视图。
在实施例1至实施例3中，作为VA方式的液晶显示面板的一个结构例，举出了在对置基板2上设置了取向控制突起206和遮光层205的液晶显示面板，但是不限于此，取向控制突起206以及遮光层205也可以设置在TFT基板1上。因此，在实施例4中，说明在TFT基板1上设置取向控制突起206以及遮光层205的液晶显示面板的结构例。在实施例4中，将VA方式的透射型彩色液晶显示面板举为例子。
在VA方式的透射型彩色液晶显示面板中，在TFT基板1上设置取向控制突起206以及遮光层205的情况下，例如如图16以及图17所示，在像素电极111上配置取向控制突起206以及遮光层205。此外，在图16以及图17所示的例子中，遮光层205的外周位于取向控制突起206的外周的外侧，但是不限于此，遮光层205的外周和取向控制突起206的外周也可以一致，遮光层205的外周也可以位于取向控制突起206的外周的内侧。
下面简单说明实施例4的液晶显示面板的制造方法。首先，说明TFT基板1的制作方法，到在玻璃基板101上形成像素电极111的工序为止，只要使用与以往相同的材料以相同过程进行即可，因此省略详细说明。在实施例4的液晶显示面板的制造方法中，在TFT基板1的制作中形成像素电极111后，例如用溅射将厚度约50nm的Mo膜以及厚度约100nm的Al膜连续成膜，形成遮光层形成用的导体膜。
接着，在遮光层形成用的导体膜上例如涂敷感光性树脂，将该感光性树脂图形化来形成取向控制突起206。感光性树脂的图形化，例如使用描绘了期望图案的光刻掩膜将感光性树脂曝光后，由碱性显影液局部地除去感光性树脂。另外此时，取向控制突起206的倾斜角度和高度，由感光性树脂的焙烧条件控制，例如形成倾斜角度是20度、高度(厚度)是1.0μm、宽度是15μm的线状图案的取向控制突起206。
接着，将取向控制突起206作为掩膜来图形化遮光层形成用导体膜(Mo膜以及Al膜)而形成遮光层205。Mo膜以及Al膜的图形化，例如使用磷酸类蚀刻液一并蚀刻Al膜以及Mo膜。
另外，如图16以及图17所示，在使遮光层205的外周在取向控制突起206外周的外侧的情况下，将遮光层205图形化后，例如通过O2灰化使取向控制突起206的表面(倾斜面)均匀后退即可。
这样形成取向控制突起206以及遮光层205后，形成取向膜112。
另一方面，当制作对置基板2时，只要用与现有的没有取向控制突起206以及遮光层205的对置基板的制作方法相同的材料、以相同过程制作即可，因此省略详细说明。
实施例4的透射型液晶显示面板，是将图8以及图9所示的设置在透射型液晶显示面板的对置基板2上的取向控制突起206以及遮光层205移动到TFT基板1上的液晶显示面板。即，实施例4的透射型液晶显示面板，与实施例2的透射型液晶显示面板相同，也能够降低黑显示时的透射率，并且能够使白显示时的透射率的下降减缩到最小限度。其结果，能够提高透射对比度(白透射率/黑透射率)。
[实施例5]
图18至图21是表示本发明的实施例5的液晶显示面板概要结构的示意图。图18是表示实施例5的液晶显示面板的1个像素的结构例的俯视图。图19是在图18的H-H’线的剖视图。图20是在图18的J-J’线的剖视图。图21是在图18的K-K’线的剖视图。
在实施例4中，作为在TFT基板1上设置了取向控制突起206以及遮光层205的液晶显示面板的结构例，举出了VA方式的透射型彩色液晶显示面板，但是不限于此，也可以是半透射型液晶显示面板。因此，在实施例5中，说明在TFT基板1上设置了取向控制突起206以及遮光层205的半透射型液晶显示面板的结构例。在实施例5中，将VA方式的半透射型彩色液晶显示面板举为例子。
在实施例5的液晶显示面板中，取向控制突起206以及遮光层205，如图18至图21所示，配置在TFT基板1的像素电极111上。此外，在图18以及图21所示的例子中，遮光层205的外周位于取向控制突起206的外周的外侧，但是不限于此，遮光层205的外周和取向控制突起206的外周也可以一致，遮光层205的外周也可以位于取向控制突起206的外周的内侧。
另外，实施例5的液晶显示面板是半透射型，一个像素由透射背光源的光进行显示的透射显示区域、和反射外来光进行显示的反射显示区域这两个区域构成。此时，透射显示区域从TFT基板1侧向液晶层3入射光，直接从对置基板2侧出射。另一方面，反射显示区域，从对置基板2侧入射到液晶层3的光由TFT基板1反射，再次通过液晶层3从对置基板2侧出射。因此，在半透射型液晶显示面板中，例如，如图18和图20所示，在对置基板2的反射显示区域上设置台阶形成层208，使反射显示区域的液晶层厚度比透射显示区域的液晶层厚度薄。此时，反射显示区域的液晶层厚度，最好取为透射显示区域的液晶层厚度的一半左右。由此，能够实现在驱动电压范围内没有不自然感的反射显示和透射显示。
另外，在实施例5的液晶显示面板中，TFT基板1的基本结构与前述实施例3的液晶显示面板相同，因此省略详细说明，但是在半透射型液晶显示面板的情况下，例如，如图19至图21所示，在像素电极111的、与对置基板2的台阶形成层208重叠的区域上设置反射层113。另外此时，反射层113和遮光层205，最好使用相同材料一并形成。
下面简单说明实施例5的液晶显示面板的制造方法。首先说明TFT基板的制作方法，但到在玻璃基板101上形成像素电极111的工序为止，只要使用与以往相同的材料、以相同过程制作即可，因此省略详细说明。在实施例5的液晶显示面板的制造方法中，在TFT基板1的制作中，形成像素电极111后，例如用溅射将厚度约50nm的Mo膜以及厚度约100nm的Al膜连续成膜，形成遮光兼反射层形成用的导体膜。
接着在遮光兼反射层形成用的导体膜上，例如涂敷感光性树脂，将该感光性树脂图形化来形成取向控制突起206。感光性树脂的图形化，例如使用描绘了期望图案的光刻掩膜将感光性树脂曝光后，用碱性显影液局部地除去感光性树脂。另外此时，取向控制突起206的倾斜角度和高度，由感光性树脂的焙烧条件控制，例如形成倾斜角度是20度、高度(厚度)是1.0μm、宽度是15μm的线状图案的取向控制突起206。
接着将遮光兼反射层形成用的导体膜(Mo膜以及Al膜)图形化来形成遮光兼反射层113(205)。Mo膜以及Al膜的图形化，例如首先在形成取向控制突起206的Al膜上涂敷感光性抗蚀剂后，使用描绘了期望图案的光刻掩膜进行曝光，用碱性显影液局部地除去感光性抗蚀剂。而且，将剩余的感光性抗蚀剂作为掩膜，例如使用磷酸类蚀刻液一并蚀刻Al膜以及Mo膜。而且，蚀刻后，例如使用有机类碱性液除去感光性抗蚀剂。
并且，用该有机类碱性液，感光性抗蚀剂会被除去，但是取向控制突起206不会被除去，而是还残留着。
另外，在如图18至图21所示使遮光层205的外周在取向控制突起206外周的外侧的情况下，将遮光兼反射层113(205)图形化后，例如通过O2灰化使取向控制突起206的表面(倾斜面)均匀后退即可。
这样形成取向控制突起206以及遮光兼反射层113(205)后，形成取向膜。
另一方面，当制作对置基板2时，在玻璃基板201上形成滤色器202以及保护层203后，以实施例3中所说明的那样的方法形成台阶形成层208。而且形成台阶形成层208后，形成对置电极204以及取向膜207。
实施例5的透射型液晶显示面板，是将图13至图15所示的设置在半透射型液晶显示面板的对置基板2上的取向控制突起206以及遮光层205移动到TFT基板1的液晶显示面板。即在实施例5的半透射型液晶显示面板中，也与实施例3的半透射型液晶显示面板相同，能够降低黑显示时的反射显示区域的反射率以及透射显示区域的透射率，并且能够使白显示时的反射显示区域的反射率以及透射显示区域的透射率的下降减缩到最小限度。其结果，能够提高反射显示区域的反射对比度(白反射率/黑反射率)以及透射显示区域的透射对比度(白透射率/黑透射率)。
[实施例6]
图22以及图23是表示本发明的实施例6的液晶显示面板概要结构的示意图。图22是表示实施例6的液晶显示面板的1个像素的结构例的俯视图。图23是在图22的L-L’线的剖视图。
在实施例3以及实施例5中，将具有台阶形成层208的半透射型液晶显示面板举为例子。在这样的具有台阶形成层208的半透射型液晶显示面板的情况下，在台阶形成层208的端部有倾斜面，在该部分液晶分子301的取向倾斜，发生漏光。因此，在实施例6中，说明防止在台阶形成层208的端部的漏光的液晶显示面板的结构例。此外，在实施例6中，将VA方式的半透射型彩色液晶显示面板举为例子。
在VA方式的半透射型液晶显示面板中，例如，如图22以及图23所示，在TFT基板1上设置有台阶形成层208。此时，在反射显示区域的台阶形成层208上，如图23所示，设置有兼作反射层的像素电极111B。另外，在VA方式的情况下，当电压关闭的黑显示时，液晶分子301相对于基板平面垂直取向，但是在台阶形成层208的侧面(倾斜面)附近，液晶分子301取向为与倾斜面大致垂直的方向。因此，在倾斜面附近的液晶层产生延迟，发生黑显示时的漏光。因此，在实施例6的液晶显示面板中，如图22以及图23所示，在从透射显示区域经过反射显示区域延伸的像素电极(透明电极)111A和台阶形成层208之间设置遮光层205。此时，使遮光层205，突出到台阶形成层208的外侧、即透射显示区域侧。由此，能够由遮光层205将来自背光源的光中的入射到台阶形成层208端部(倾斜面)附近的光遮光，能够减低黑显示时的漏光。
下面简单说明实施例6的液晶显示面板的制造方法。首先说明TFT基板1的制作方法，到在玻璃基板101上形成像素电极(透明电极)111A的工序为止，只要使用与以往相同的材料、以相同过程制作即可，因此省略详细说明。在实施例6的液晶显示面板的制造方法中的TFT基板1的制作中，形成像素电极(透明电极)111A后，例如用溅射将厚度约50nm的Mo膜以及厚度约100nm的Al膜连续成膜，形成遮光层形成用的导体膜。
接着在遮光层形成用的导体膜上，涂敷感光性树脂，将该感光性树脂图形化来形成台阶形成层208。感光性树脂的图形化，例如使用描绘了期望图案的光刻掩膜将感光性树脂曝光后，用碱性显影液局部地除去感光性树脂。另外此时，感光性树脂，例如在温度230℃的氛围中加热60分钟进行焙烧。
接着将前述台阶形成层208作为掩膜将遮光层形成用的导体膜(Mo膜以及Al膜)图形化来形成遮光层205。Mo膜以及Al膜的图形化，例如使用磷酸类蚀刻液一并蚀刻Al膜以及Mo膜
将遮光层205图形化后，例如通过O2灰化使台阶形成层206的表面(倾斜面)均匀后退即可。
这样形成遮光层205以及台阶形成层208后，形成台阶形成层208上的像素电极(反射电极)111B以及取向膜112。
另一方面，当制作对置基板2时，只要用与现有的没有取向控制突起206以及遮光层205的对置基板的制作方法相同的材料、以相同的过程制作即可，因此省略详细说明。
实施例6的透射型液晶显示面板，与实施例1至实施例5中举出的液晶显示面板不同，没有取向控制突起206。但是设置有台阶形成层208，在台阶形成层208的端部有倾斜面。因此，台阶形成层208的端部发挥与取向控制突起206相同的作用，有黑显示时发生漏光的问题。因此，通过如实施例6那样将台阶形成层208作为掩膜形成遮光层205，能够减低黑显示时发生的漏光。另外，由于设置遮光层，透射显示区域的透射开口率变低，但是通过由将台阶形成层208作为掩膜的图形化来形成遮光层205，能够使遮光层205尽可能小。因此能够将透射显示区域的透射开口率的降低限制在最小限度。
即在实施例6的半透射型液晶显示面板中，能够降低黑显示时的漏光，并且能够使透射显示区域的白显示时的透射率降低减缩到最小限度。其结果，能够提高透射显示区域的透射对比度(白透射率/黑透射率)。
[实施例7]
图24至图26是表示根据本发明的实施例7的液晶显示面板概要结构的示意图。图24是表示实施例7的液晶显示面板的1个像素的结构例的俯视图。图25是在图24的M-M’线的剖视图，是表示电压关闭时的液晶分子取向的图。图26是在图24的M-M’线的剖视图，是表示在像素电极和对置电极之间产生了电位差时的液晶分子取向的图。
在实施例1至实施例6中，以VA方式的液晶显示面板、即电压关闭因而在像素电极111和对置电极112之间的电位差是0时液晶分子垂直于基板平面取向的液晶显示面板为例。但是，本发明不限于VA方式，例如还能够应用在具有取向控制突起206的平行取向ECB(ECB)方式的液晶显示面板中。因此，在实施例7中，说明在ECB方式的透射型彩色液晶显示面板上设置了取向控制突起的情况的结构例。
此外，ECB方式的透射型液晶显示面板的TFT基板1以及对置基板2的基本结构，几乎与VA方式的透射型液晶显示面板的TFT基板1以及对置基板2相同，因此省略TFT基板1以及对置基板2的详细说明。另外，在实施例7中，TFT基板1以及对置基板2的结构，例如，如图24以及图25所示，将与实施例2中举出的液晶显示面板的TFT基板1以及对置基板2相同结构的情况举为例子。
此时，取向控制突起206以及遮光层205，设置于对置基板2。另外，遮光层205的外周位于取向控制突起206的外周的外侧。这样的结构的对置基板2的制作方法，如在实施例2中所说明的，因此省略重复说明。
在ECB方式的液晶显示面板的情况下，取向膜112、207，首先例如将描绘了期望图案的树脂板作为掩膜印刷ECB用取向膜，并在温度230℃的氛围中加热10分钟进行焙烧。而且，在相对于取向控制突起206延伸的方向垂直的方向摩擦。此时，调整基板输送速度、摩擦布的切入量、摩擦旋转数等处理参数，使得对置基板2的取向膜207和TFT基板1的取向膜112的预倾角成为被认为是平行取向的小于1度。另外，对置基板2的取向膜207和TFT基板1的取向膜112的预倾方向设为反向平行。
另外，在ECB方式的液晶显示面板的情况下，对液晶层3例如使用双折射相位差Δn是0.0725的正型液晶。
另外，在ECB方式的情况下，上相位差板5B，从对置基板2的玻璃基板201侧按顺序粘贴例如延迟Δn·d＝110nm(相对于基板主面倾斜45度时)的Z轴相位差板、Δn·d＝166nm的单轴延伸的相位差板(λ/4相位差板)。此时，λ/4相位差板以滞相轴角度为90度的方式粘贴。另外，上偏振片6B以透射轴角度为225度的方式粘贴。
另外，下相位差板5A，从TFT基板1的玻璃基板101侧按顺序粘贴例如延迟Δn·d＝110nm(相对于基板主面倾斜45度时)的Z轴相位差板、Δn·d＝119nm的单轴延伸的相位差板(λ/4相位差板)。此时，λ/4相位差板以滞相轴角度为180度的方式粘贴。另外，下偏振片6A以透射轴角度为135度的方式粘贴。
此外，前述各相位差板5A、5B的滞相轴以及各偏振片6A、6B的透射轴，用以预定方向、例如画面的水平方向为基准逆时针旋转测量的角度表示。
在ECB方式的液晶显示面板的情况下，如图25所示，当电压关闭因而在像素电极111和对置电极204之间的电位差是0时，液晶分子301平行取向、即相对于基板平面平行地取向。但是，在设置了取向控制突起206的区域，液晶分子301相对于取向控制突起206(取向膜207)的倾斜面大致平行地取向。
另外此时，对液晶层3使用正型液晶，因此，当在像素电极111和对置电极204之间产生电位差时，例如，如图26所示，液晶分子301向平行于电场E方向的方向倾斜。该液晶分子301倾斜的方向，取决于取向控制突起206。而且，在设置了取向控制突起206的区域，相对于取向控制突起206(取向膜207)的倾斜面大致垂直地取向，因此在液晶层中产生延迟。
在实施例7的ECB方式的液晶显示面板的情况下，电压关闭时是白显示，像素电极和对置电极的电位差最大时是黑显示。因此，与前述各实施例中举出的VA方式的液晶显示面板相同，黑显示时发生液晶层延迟造成的漏光，其结果透射对比度(白透射率/黑透射率)下降。因此，如果如实施例7那样，用将取向控制突起206掩膜的图形化来形成遮光层205，则能够与实施例2的液晶显示面板同样地减低黑显示时的漏光。另外，能够使遮光层205的大小尽可能小，因此能够使由透射开口率下降造成的白显示时的透射率下降减缩到最小限度。
即在实施例7的ECB方式的液晶显示面板中，也能通过减低黑显示时的漏光来降低黑透射率，并且能够通过防止透射开口率的下降来使白透射率的下降取减缩到最小限度。其结果，能够提高透射对比度(白透射率/黑透射率)。
以上，根据前述实施例具体说明了本发明，但是本发明并不限定为前述实施例，在不超出其主旨的范围内，当然可以进行种种变更。

Claims (7)

1.一种液晶显示装置，具有液晶显示面板，该液晶显示面板在具有像素电极的第一基板和具有对置电极的第二基板之间夹持有液晶材料，其特征在于，
前述第二基板具有：
取向控制突起，将导体膜成膜后，在前述导体膜上将绝缘膜成膜，并图形化前述绝缘膜而成；
遮光层，将前述取向控制突起作为掩膜来图形化前述导体膜而成，
前述遮光层，其从基板俯视面上看时的外周在前述取向控制突起的外周的内侧，且前述遮光层的前述外周的侧面的整个面没有被前述取向控制突起覆盖，
前述取向控制突起以及前述遮光层设置在前述对置电极和前述像素电极之间。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，前述遮光层的外周，在前述遮光层的前述外周的各点距前述取向控制突起的外周的距离几乎恒定。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，
前述第二基板具有使前述对置电极和前述像素电极之间的前述液晶材料的层的厚度为2种的台阶形成层，
前述取向控制突起以及前述遮光层，通过前述台阶形成层的端部，并在前述液晶材料的层的厚度不同的两个区域延伸。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，前述液晶显示面板，在前述像素电极和前述对置电极之间的电位差是0时，前述液晶材料中的液晶分子取向为垂直于基板平面的方向。
5.一种液晶显示装置，具有液晶显示面板，该液晶显示面板在具有像素电极的第一基板和具有对置电极的第二基板之间夹持有液晶材料，其特征在于，
前述第一基板具有：
取向控制突起，将导体膜成膜后，在前述导体膜上将绝缘膜成膜，并图形化前述绝缘膜而成；
遮光层，将前述取向控制突起作为掩膜来图形化前述导体膜而成，
前述遮光层，其从基板俯视面上看时的外周在前述取向控制突起的外周的内侧，且前述遮光层的前述外周的侧面的整个面没有被前述取向控制突起覆盖，
前述取向控制突起以及前述遮光层设置在前述像素电极和前述对置电极之间。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于，前述遮光层的外周，在前述遮光层的前述外周的各点距前述取向控制突起的外周的距离几乎恒定。
7.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于，前述液晶显示面板，在前述像素电极和前述对置电极之间的电位差是0时，前述液晶材料中的液晶分子取向为垂直于基板平面的方向。
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Patentee before: Japan Display East Inc.

Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20070815

Assignee: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Assignor: JAPAN DISPLAY Inc.|Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

Contract record no.: 2013990000688

Denomination of invention: Liquid crystal display device

Granted publication date: 20101215

License type: Common License

Record date: 20131016

LICC Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231201

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: JAPAN DISPLAY Inc.

Patentee after: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY CORPORATION OF AMERICA

Address before: Tokyo port xixinqiao Japan three chome 7 No. 1

Patentee before: JAPAN DISPLAY Inc.

Patentee before: Panasonic Liquid Crystal Display Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
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Effective date of registration: 20250724

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Patentee after: MAGNO SEISHIN Co., Ltd.

Country or region after: Japan

Patentee after: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY CORPORATION OF AMERICA

Country or region after: U.S.A.

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Patentee before: JAPAN DISPLAY Inc.

Country or region before: Japan

Patentee before: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY CORPORATION OF AMERICA

Country or region before: U.S.A.