CN101367842B - 一种木糖二次结晶工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种木糖二次结晶工艺，属于功能糖生产技术领域，该工艺过程如下：将木糖糖膏注入结晶罐中，当注入体积达到结晶罐容积的80％—85％时，停止进料，自然降温至80℃时，保温搅拌两小时；之后，对上述糖膏按1℃/h的速率进行降温，至75℃时，糖膏已有微小晶粒形成，此时将剩余达到结晶罐容积的20％—15％的木糖糖膏注入结晶罐中，混合均匀，使新加入的糖膏与已经形成微小晶粒的糖膏充分混合，然后自然降温至75℃时保温搅拌三小时，继续按1℃/h的速率进行降温，至温度达到3040℃时，结晶结束，进行离心操作。本发明的木糖二次结晶工艺与现有技术相比具有操作简单、结晶收率高、生产成本低等特点。
Description
技术领域
本发明涉及功能糖生产技术领域，具体地说是一种木糖二次结晶工艺。
背景技术
木糖主要是以玉米芯、甘蔗渣等农副产品为原料，经水解、净化、蒸发、结晶、离心、烘干等工序制备的功能糖产品，广泛应用在轻工、食品、化工等行业中。结晶工序是生产木糖的一个重要环节，传统结晶工艺是将糖膏打入结晶罐后，通过逐步降温的方式，当糖膏出现浑浊晶粒时，加入适量晶种，再继续降温，使大部分晶粒析出，此工艺繁琐，加入晶种时要把握好时机，如错过时机就会造成结晶不好，晶粒细小，加入的晶种起不到应有的作用。
发明内容
本发明的技术任务是提供工艺操作简单、结晶收率高的一种木糖二次结晶工艺。
本发明的木糖二次结晶工艺过程如下：将木糖糖膏注入结晶罐中，当注入体积达到结晶罐容积的80％—85％时，停止进料，自然降温至80℃时，保温搅拌两小时；之后，对上述糖膏按1℃/h的速率进行降温，至75℃时，糖膏已有微小晶粒形成，此时将剩余达到结晶罐容积的20％15％的木糖糖膏注入结晶罐中，混合均匀，使新加入的糖膏与已经形成微小晶粒的糖膏充分混合，然后自然降温至75℃时保温搅拌三小时，继续按1℃/h的速率进行降温，至温度达到30—40℃时，结晶结束，进行离心操作。
所述的木糖糖膏为温度为80℃—90℃、重量百分比浓度为78％—85％的木糖糖膏。
由于结晶罐中原木糖糖膏已形成均匀的细小晶核，且分布均匀，当打入另一部分糖膏后，这一部分糖膏很容易向结晶方向趋近，这样能带动整罐料液整体向结晶方向趋近，使木糖最大限度地结晶，提高结晶收率。
本发明的木糖二次结晶工艺与现有技术相比具有以下优点：
(1)工艺简单，不需增加设备；
(2)容易操作，只靠看准温度75℃，注入最后一部分料液即可，无需把握物料加晶种时机；
(3)可以有效提高结晶收率。
具体实施方式
实施例1：
在10m3的结晶罐中，注入温度为85℃、重量百分比浓度为82％的木糖糖膏8m3，自然降温至80℃时，保温搅拌两小时，然后按1℃/h的速率进行降温，至75℃时，糖膏已有微小晶粒形成，再加入温度为85℃、重量百分比浓度为82％的木糖糖膏2m3，混合均匀，自然降温至75℃时保温三小时，然后继续按1℃/h的速率进行降温，至温度达到35℃时，结晶结束，通过离心操作可得到结晶木糖7.4吨，比原工艺得到7吨木糖增长了5.7％，具有很好的经济效益。
实施例2：
在10m3的结晶罐中，注入温度为80℃、重量百分比浓度为78％的木糖糖膏8.3m3，自然降温至80℃时，保温搅拌两小时，然后按1℃/h的速率进行降温，至75℃时，糖膏已有微小晶粒形成，再加入温度为80℃、重量百分比浓度为78％的木糖糖膏1.7m3，混合均匀，自然降温至75℃时保温三小时，然后继续按1℃/h的速率进行降温，至温度达到30℃时，结晶结束，通过离心操作可得到结晶木糖7.3吨，比原工艺得到7吨木糖增长了4.2％，具有很好的经济效益。
实施例3：
在10m3的结晶罐中，注入温度为90℃、重量百分比浓度为85％的木糖糖膏8.5m3，自然降温至80℃时，保温搅拌两小时，然后按1℃/h的速率进行降温，至75℃时，糖膏已有微小晶粒形成，再加入温度为90℃、重量百分比浓度为85％的木糖糖膏1.5m3，混合均匀，自然降温至75℃时保温三小时，然后继续按1℃/h的速率进行降温，至温度达到40℃时，结晶结束，通过离心操作可得到结晶木糖7.35吨，比原工艺得到7吨木糖增长了5％，具有很好的经济效益。
Claims (1)
1.一种木糖二次结晶工艺，其特征在于该工艺过程如下：将温度为80℃-90℃、重量百分比浓度为78％-85％的木糖糖膏注入结晶罐中，当注入体积达到结晶罐容积的80％-85％时，停止进料，自然降温至80℃时，保温搅拌两小时；之后，对上述糖膏按1℃/h的速率进行降温，至75℃时，糖膏已有微小晶粒形成，此时将剩余达到结晶罐容积的20％-15％的木糖糖膏注入结晶罐中，混合均匀，使新加入的糖膏与已经形成微小晶粒的糖膏充分混合，然后自然降温至75℃时保温搅拌三小时，继续按1℃/h的速率进行降温，至温度达到30-40℃时，结晶结束，进行离心操作。
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