CN102280428A - Packaging piece and manufacture method thereof - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种封装件及其制造方法。所述封装件包括:基板;布线图案,形成在基板上;多个半导体芯片,堆叠在基板的上表面上,并电连接到布线图案;包封材料层,形成在基板的上表面上,以包封所述多个半导体芯片,其中,基板包括至少一个主体部分和至少一个台阶状部分,所述多个半导体芯片中的至少一个半导体芯片的至少一部分设置在所述至少一个台阶状部分上并电连接到布线图案的设置在所述至少一个台阶状部分上的至少一部分。因为采用半导体材料来形成作为用于安装芯片的基板,以代替现有技术中的印刷电路板,所以简化了封装件的制造工艺,降低了封装件的制造成本,提高了封装件的电性能,并能够以晶片级别来实现堆叠芯片式封装件。
The invention provides a package and a manufacturing method thereof. The package includes: a substrate; a wiring pattern formed on the substrate; a plurality of semiconductor chips stacked on an upper surface of the substrate and electrically connected to the wiring pattern; an encapsulation material layer formed on the upper surface of the substrate to Encapsulating the plurality of semiconductor chips, wherein the substrate includes at least one body portion and at least one stepped portion, at least a portion of at least one semiconductor chip of the plurality of semiconductor chips is disposed on the at least one stepped portion and Electrically connected to at least a portion of the wiring pattern disposed on the at least one stepped portion. Because the semiconductor material is used to form a substrate for mounting chips to replace the printed circuit board in the prior art, the manufacturing process of the package is simplified, the manufacturing cost of the package is reduced, and the electrical performance of the package is improved. And it is possible to implement a stacked chip package at the wafer level.
Description
技术领域 technical field
本发明涉及半导体封装领域,更具体地讲,涉及一种封装件及其制造方法。The present invention relates to the field of semiconductor packaging, and more specifically, to a packaging component and a manufacturing method thereof.
背景技术 Background technique
随着半导体技术的不断发展,对于多功能的半导体芯片封装件的需求在不断增加。考虑到装置小型化的需要,需要将多个分别执行不同的功能的半导体芯片被设置在单个封装件中,以减少所需封装件的数量和所占空间。因此,已经开发出了堆叠芯片式封装件。在堆叠芯片式封装件中,例如,通过引线键合或倒装芯片等工艺,将彼此堆叠设置的多个半导体芯片安装在作为基板的印刷电路板(PCB)上,并通过设置在印刷电路板(PCB)的与安装有半导体芯片的表面相对的表面上的连接件将半导体芯片电连接到外部。With the continuous development of semiconductor technology, the demand for multifunctional semiconductor chip packages is increasing. Considering the need for device miniaturization, it is necessary to arrange a plurality of semiconductor chips respectively performing different functions in a single package, so as to reduce the number and occupied space of required packages. Therefore, stacked chip packages have been developed. In a stacked chip package, for example, a plurality of semiconductor chips arranged on top of each other are mounted on a printed circuit board (PCB) as a substrate by processes such as wire bonding or flip chip, and are The connectors on the surface of the (PCB) opposite to the surface on which the semiconductor chip is mounted electrically connect the semiconductor chip to the outside.
如上所述,在现有技术中,需要在制造堆叠芯片式封装件的过程中使用具有预定图案的印刷电路板(PCB)。因此,制造工艺较复杂,难以降低堆叠芯片式封装件的制造成本,且在制造出的堆叠芯片式封装件中的金属连接引线较长,信号完整性较差。此外,限于印刷电路板(PCB)的尺寸而难以减小堆叠芯片式封装件的尺寸和所占空间。因此,现有的堆叠芯片式封装件及其制造方法无法满足不断加深的产品多样化需求以及高速度、低成本、小尺寸、电性能优秀的发展趋势。As described above, in the related art, it is necessary to use a printed circuit board (PCB) having a predetermined pattern in the process of manufacturing the stacked die package. Therefore, the manufacturing process is relatively complicated, and it is difficult to reduce the manufacturing cost of the stacked chip package, and the metal connection leads in the manufactured stacked chip package are relatively long, and the signal integrity is poor. In addition, it is difficult to reduce the size and space occupied by the stacked die package due to the limited size of the printed circuit board (PCB). Therefore, the existing stacked chip package and its manufacturing method cannot meet the ever-increasing demand for product diversification and the development trend of high speed, low cost, small size, and excellent electrical performance.
发明内容 Contents of the invention
本发明的示例性实施例的目的在于克服在现有技术中的上述和其他缺点。为此,本发明的示例性实施例提供一种封装件及其制造方法,其中,采用半导体材料来形成作为用于安装芯片的基板,以代替现有技术中的印刷电路板(PCB),从而简化了封装件的制造工艺,降低了封装件的制造成本,提高了封装件的电性能,并能够以晶片级别来实现堆叠芯片式封装件。It is an object of exemplary embodiments of the present invention to overcome the above and other disadvantages in the prior art. To this end, exemplary embodiments of the present invention provide a package and a manufacturing method thereof, in which a semiconductor material is used to form a substrate for mounting a chip instead of a printed circuit board (PCB) in the prior art, thereby The manufacturing process of the package is simplified, the manufacturing cost of the package is reduced, the electrical performance of the package is improved, and the stacked chip package can be realized at the wafer level.
本发明的示例性实施例还提供一种封装件及其制造方法,其中,将形成在基板上的布线图案的至少一部分暴露到所述封装件的外部,并在布线图案的暴露的至少一部分上设置连接件,从而简化了封装件的结构,降低了封装件的制造成本,提高了封装件的电性能。Exemplary embodiments of the present invention also provide a package and a method of manufacturing the same, in which at least a part of a wiring pattern formed on a substrate is exposed to the outside of the package, and at least a part of the wiring pattern is exposed. The connector is provided, thereby simplifying the structure of the package, reducing the manufacturing cost of the package, and improving the electrical performance of the package.
本发明的示例性实施例还提供一种封装件及其制造方法,其中,在包封材料层上设置电连接到布线图案的暴露的至少一部分的另一布线图案,并在所述另一布线图案上设置连接件,从而提高了连接件(例如,焊球)的设置空间,简化了制造工艺(例如,降低了植球工艺的难度)。Exemplary embodiments of the present invention also provide a package and a manufacturing method thereof, wherein another wiring pattern electrically connected to at least a portion of the wiring pattern exposed is provided on the encapsulation material layer, and The connecting parts are arranged on the pattern, so as to increase the installation space of the connecting parts (for example, solder balls), and simplify the manufacturing process (for example, reduce the difficulty of the ball planting process).
根据本发明的示例性实施例,一种封装件包括:基板;布线图案,形成在基板上;多个半导体芯片,堆叠在基板的上表面上,并电连接到布线图案;包封材料层,形成在基板的上表面上,以包封所述多个半导体芯片,其中,基板包括至少一个主体部分和至少一个台阶状部分,所述多个半导体芯片中的至少一个半导体芯片的至少一部分设置在所述至少一个台阶状部分上并电连接到布线图案的设置在所述至少一个台阶状部分上的至少一部分。According to an exemplary embodiment of the present invention, a package includes: a substrate; a wiring pattern formed on the substrate; a plurality of semiconductor chips stacked on an upper surface of the substrate and electrically connected to the wiring pattern; an encapsulation material layer, formed on an upper surface of a substrate to encapsulate the plurality of semiconductor chips, wherein the substrate includes at least one body portion and at least one stepped portion, at least a portion of at least one of the plurality of semiconductor chips is disposed on The at least one stepped portion is on and electrically connected to at least a portion of the wiring pattern disposed on the at least one stepped portion.
基板由半导体材料形成。The substrate is formed of semiconductor material.
所述至少一个主体部分和所述至少一个台阶状部分通过蚀刻工艺而一体地形成。The at least one body portion and the at least one stepped portion are integrally formed through an etching process.
布线图案通过镀覆工艺形成在基板上。A wiring pattern is formed on the substrate through a plating process.
所述多个半导体芯片以倒装芯片的方式堆叠地安装在基板的上表面上并电连接到布线图案。The plurality of semiconductor chips are stack-mounted on the upper surface of the substrate in a flip-chip manner and are electrically connected to the wiring patterns.
所述封装件还包括:通孔,形成在基板中,并电连接到布线图案。The package also includes a via hole formed in the substrate and electrically connected to the wiring pattern.
所述封装件还包括:连接件,设置在基板的下表面上,连接件被通孔电连接到布线图案,从而将所述多个半导体芯片电连接到外部。The package further includes: a connector provided on the lower surface of the substrate, the connector being electrically connected to the wiring pattern by the via hole, thereby electrically connecting the plurality of semiconductor chips to the outside.
布线图案的至少另一部分暴露到所述封装件的外部。At least another part of the wiring pattern is exposed to the outside of the package.
所述封装件还包括:连接件,设置在布线图案的暴露的所述至少另一部分上,连接件电连接到布线图案的暴露的所述至少另一部分,以将所述多个半导体芯片电连接到外部。The package further includes: a connection member disposed on the at least another exposed portion of the wiring pattern, the connection member being electrically connected to the at least another exposed portion of the wiring pattern to electrically connect the plurality of semiconductor chips to the outside.
所述多个半导体芯片中的至少另一半导体芯片设置在所述至少一个主体部分上并电连接到布线图案的设置在所述至少一个主体部分上的至少又一部分,包括设置在所述至少一个台阶状部分上的至少一部分的所述至少一个半导体芯片的至少另一部分堆叠在所述至少另一半导体芯片上。At least another semiconductor chip of the plurality of semiconductor chips is disposed on the at least one main body portion and is electrically connected to at least a further part of the wiring pattern disposed on the at least one main body portion, including a portion disposed on the at least one main body portion. At least another part of at least a part of the at least one semiconductor chip on the stepped portion is stacked on the at least another semiconductor chip.
根据本发明的另一示例性实施例,一种制造封装件的方法包括如下步骤:形成基板,其中,基板包括至少一个主体部分和至少一个台阶状部分;在基板上形成布线图案;将多个半导体芯片堆叠在基板的上表面上并电连接到布线图案,其中,将所述多个半导体芯片中的至少一个半导体芯片的至少一部分设置在所述至少一个台阶状部分上并电连接到布线图案的设置在所述至少一个台阶状部分上的至少一部分;在基板的上表面上形成包封材料层,以包封所述多个半导体芯片。According to another exemplary embodiment of the present invention, a method of manufacturing a package includes the steps of: forming a substrate, wherein the substrate includes at least one body portion and at least one stepped portion; forming a wiring pattern on the substrate; semiconductor chips are stacked on the upper surface of the substrate and electrically connected to the wiring pattern, wherein at least a part of at least one semiconductor chip of the plurality of semiconductor chips is disposed on the at least one stepped portion and electrically connected to the wiring pattern at least a part of which is disposed on the at least one stepped portion; forming an encapsulation material layer on the upper surface of the substrate to encapsulate the plurality of semiconductor chips.
基板由半导体材料形成。The substrate is formed of semiconductor material.
在形成基板的步骤中,通过蚀刻工艺来一体地形成所述至少一个主体部分和所述至少一个台阶状部分。In the forming of the substrate, the at least one body portion and the at least one stepped portion are integrally formed through an etching process.
通过镀覆工艺来在基板上形成布线图案。Wiring patterns are formed on the substrate through a plating process.
以倒装芯片的方式将所述多个半导体芯片安装在基板的上表面上并电连接到布线图案。The plurality of semiconductor chips are flip-chip mounted on the upper surface of the substrate and electrically connected to the wiring patterns.
所述方法还包括:在基板中形成电连接到布线图案的通孔。The method further includes forming a via hole electrically connected to the wiring pattern in the substrate.
所述方法还包括:在基板的下表面上设置连接件,使得连接件被通孔电连接到布线图案,从而将所述多个半导体芯片电连接到外部。The method further includes providing a connection on a lower surface of the substrate such that the connection is electrically connected to the wiring pattern by a via hole, thereby electrically connecting the plurality of semiconductor chips to the outside.
在形成包封材料层的步骤中,将布线图案的至少另一部分暴露到所述封装件的外部。In the step of forming the encapsulation material layer, at least another part of the wiring pattern is exposed to the outside of the package.
所述方法还包括:在布线图案的暴露的所述至少另一部分上形成连接件,使得连接件电连接到布线图案的暴露的所述至少另一部分,以将所述多个半导体芯片电连接到外部。The method further includes forming a connection on the at least another exposed portion of the wiring pattern such that the connection is electrically connected to the at least another exposed portion of the wiring pattern to electrically connect the plurality of semiconductor chips to external.
在堆叠所述多个半导体芯片的步骤中,将所述多个半导体芯片中的至少另一半导体芯片设置在所述至少一个主体部分上并电连接到布线图案的设置在所述至少一个主体部分上的至少又一部分,并将包括设置在所述至少一个台阶状部分上的至少一部分的所述至少一个半导体芯片的至少另一部分堆叠在所述至少另一半导体芯片上。In the step of stacking the plurality of semiconductor chips, at least another semiconductor chip of the plurality of semiconductor chips is disposed on the at least one main body portion and is electrically connected to the wiring pattern disposed on the at least one main body portion. and stacking at least another portion of the at least one semiconductor chip including at least a portion disposed on the at least one stepped portion on the at least another semiconductor chip.
附图说明 Description of drawings
图1是示出根据一个本发明的示例性实施例的封装件的剖视图;1 is a cross-sectional view illustrating a package according to an exemplary embodiment of the present invention;
图2是示出根据另一个本发明的示例性实施例的封装件的剖视图;2 is a cross-sectional view illustrating a package according to another exemplary embodiment of the present invention;
图3A至图3F是示出根据本发明的示例性实施例的制造封装件的方法的剖视图;3A to 3F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a package according to an exemplary embodiment of the present invention;
图4A至图4G是示出根据本发明的示例性实施例的制造封装件的方法的剖视图。4A to 4G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a package according to an exemplary embodiment of the present invention.
具体实施方式 Detailed ways
下文中,将参照附图来详细描述本发明的示例性实施例。然而,本发明可以以许多不同的形式来实施,且不应该限于这里阐述的示例性实施例。相反,提供这些示例性实施例使得本公开将是彻底和完整的,并可以把示例性实施例的范围充分地传达给本领域技术人员。为了清楚起见,可能在附图中夸大了层和区域的尺寸和相对尺寸。此外,在附图中,相同或相似的标号可以表示相同或相似的元件。Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. This invention may, however, be embodied in many different forms and should not be limited to the exemplary embodiments set forth herein. Rather, these exemplary embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the exemplary embodiments to those skilled in the art. The size and relative sizes of layers and regions may be exaggerated in the drawings for clarity. Also, in the drawings, the same or similar reference numerals may denote the same or similar elements.
图1是示出根据本发明的示例性实施例的封装件10的剖视图。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a package 10 according to an exemplary embodiment of the present invention.
如图1中所示,根据本发明的示例性实施例的封装件10可以包括基板11、布线图案12、半导体芯片13和包封材料层14。As shown in FIG. 1 , a package 10 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a
基板11可以由半导体材料形成,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而由其他的半导体材料、绝缘材料和/或导电材料来形成基板11。例如,如果由导电材料(例如,金属)形成基板11,则可以根据需要而在由金属形成的基板11的整个表面或一部分表面上形成介电层,以提供良好的绝缘特性。The
基板11可以包括至少一个主体部分11a和至少一个台阶状部分11b、11c。虽然在图1中仅示出了基板11包括一个主体部分11a和两个台阶状部分11b、11c,但是本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而形成包括多个主体部分和一个或两个以上的台阶状部分的基板11。The
如图1中所示,至少一个主体部分11a和至少一个台阶状部分11b、11c可以具有不同的高度。例如,主体部分11a可以具有最小的高度,台阶状部分11c可以具有最大的高度,台阶状部分11b可以具有大于主体部分11a的高度并小于台阶状部分11c的高度的高度。如此,可以在基板11的上表面上形成具有不同高度的台阶形状。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,至少一个主体部分和至少一个台阶状部分中相邻的两个部分的高度差根据将要安装的半导体芯片的厚度来确定。As shown in Fig. 1, at least one
例如,当基板11由半导体材料形成时,至少一个主体部分11a和至少一个台阶状部分11b、11c可以通过蚀刻工艺而一体地形成,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以通过其他工艺来形成至少一个主体部分11a和至少一个台阶状部分11b、11c。例如,当基板11由诸如金属的导电材料形成时,可以通过诸如冲压工艺来形成至少一个主体部分11a和至少一个台阶状部分11b、11c;当基板11由诸如树脂的绝缘材料形成时,可以通过诸如注入成型工艺来形成包括至少一个主体部分11a和至少一个台阶状部分11b、11c的基板11。For example, when the
布线图案12可以形成在基板11(例如,基板11的上表面和/或下表面)上。例如,布线图案12可以形成在基板11的至少一个主体部分11a和至少一个台阶状部分11b、11c上。如图1中所示,布线图案12可以包括形成在至少一个主体部分11a上的至少一部分12a和形成在至少一个台阶状部分11b、11c上的至少一部分12b、12c。可以由诸如金属的导电材料通过各种工艺在基板11上形成布线图案12。例如,可以由诸如金属的导电材料通过沉积工艺和/或镀覆工艺形成布线图案12,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而采用其他的导电材料和/或其他的工艺来形成布线图案12。例如,当基板11由半导体材料形成时,可以诸如通过掺杂工艺来形成布线图案12。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,当基板11由诸如金属的导电材料形成时,可以在如上所述的形成在基板11上的介电层上形成布线图案12。The wiring pattern 12 may be formed on the substrate 11 (eg, an upper surface and/or a lower surface of the substrate 11 ). For example, the wiring pattern 12 may be formed on at least one
多个半导体芯片13可以堆叠并附着在基板11上(例如,堆叠并附着在基板11的上表面上),并分别电连接到布线图案12。例如,多个半导体芯片13可以堆叠在基板11的至少一个主体部分11a和至少一个台阶状部分11b上。如图1中所示,多个半导体图案13可以包括:至少一个半导体芯片13a,设置在至少一个主体部分11a上并电连接到布线图案12的设置在至少一个主体部分11a上的至少一部分12a;至少一个半导体芯片13b、13c,其中,半导体芯片13b的至少一部分可以设置在至少一个台阶状部分11b上并电连接到布线图案12的设置在至少一个台阶状部分11b上的至少一部分12b,半导体芯片13c的至少一部分可以设置在至少一个台阶状部分11c上并电连接到布线图案12的设置在至少一个台阶状部分11c上的至少一部分12c。此外,半导体芯片13b的至少另一部分可以堆叠地设置在半导体芯片13a上,半导体芯片13c的至少另一部分可以堆叠地设置在半导体芯片13b上。虽然在图1中仅示出了一个设置在至少一个主体部分11a上的半导体芯片13a和两个堆叠在半导体芯片13a上的半导体芯片13b和13c,但是本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,封装件10可以包括多个设置在至少一个主体部分11a上的半导体芯片13a和一个或两个以上的堆叠在所述多个半导体芯片13a中的至少一个半导体芯片13a上的半导体芯片,其中,所述一个或两个以上的堆叠在半导体芯片13a上的半导体芯片中的至少一个半导体芯片可以包括设置在至少一个台阶状部分上并电连接到布线图案12的设置在至少一个台阶状部分上的至少一部分的至少一部分。A plurality of
如图1中所示,多个半导体芯片13可以以倒装芯片的方式堆叠地安装在基板11上并电连接到布线图案12,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而采用诸如引线键合等各种安装方式来堆叠地安装多个半导体芯片13。As shown in FIG. 1 , a plurality of
包封材料层14可以形成在基板11(例如,基板11的上表面)上,以包封多个半导体芯片13。可以由诸如环氧树脂的包封材料通过注入成型工艺形成包封材料层14。An
根据本发明的一个示例性实施例,封装件10还可以包括通孔15。通孔15可以形成在基板11中,并电连接到布线图案12。在这样的情况下,通孔15可以为导电通孔。例如,可以诸如通过蚀刻工艺来在基板11中形成过孔并在过孔中镀覆或填充导电材料,以形成导电的通孔15。According to an exemplary embodiment of the present invention, the package 10 may further include a through hole 15 . Via holes 15 may be formed in the
如图1中所示,封装件10还可以包括连接件16。连接件16可以设置在基板11的下表面上。例如,连接件16可以设置在形成在基板11的下表面上的布线图案12上,和/或连接件16可以设置为与通孔16对应(例如,设置在通孔16上或周围)。连接件16可以被通孔15电连接到布线图案12,从而将多个半导体芯片13中的至少一个半导体芯片电连接到外部(例如,印刷电路板(PCB))。连接件16可以为焊球,如图1中所示。在这样的情况下,封装件10还可以包括用于设置焊球16的焊盘。焊盘可以形成在基板11的下表面上的布线图案12和/或通孔16上或周围,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而将连接件16设置为连接凸起(bump)、引脚(pin)等。As shown in FIG. 1 , package 10 may also include connectors 16 . The connector 16 may be disposed on the lower surface of the
在参照图1描述的根据本发明示例性实施例的封装件10中,可以采用半导体材料来形成作为用于安装芯片的基板,以代替现有技术中的印刷电路板(PCB)。可以采用镀覆导电材料或掺杂等工艺来在由半导体材料形成的基板上形成布线图案,并可以采用诸如蚀刻的方式在基板中形成用于电连接的通孔。因此,简化了封装件的制造工艺,降低了封装件的制造成本,提高了封装件的电性能,并能够以晶片级别来实现堆叠芯片式封装件。In the package 10 according to the exemplary embodiment of the present invention described with reference to FIG. 1 , a semiconductor material may be used to form a substrate for mounting chips instead of a printed circuit board (PCB) in the related art. A process such as plating a conductive material or doping may be used to form a wiring pattern on a substrate formed of a semiconductor material, and a method such as etching may be used to form a through hole for electrical connection in the substrate. Therefore, the manufacturing process of the package is simplified, the manufacturing cost of the package is reduced, the electrical performance of the package is improved, and the stacked chip package can be realized at the wafer level.
图2是示出根据本发明的示例性实施例的封装件20的剖视图,为了简明起见,采用相似的标号指示与图1中的元件相同或相似的元件,并将省略对它们的详细描述。2 is a cross-sectional view illustrating a
如图2中所示,根据本发明的示例性实施例的封装件20可以包括基板21、布线图案22、半导体芯片23和包封材料层24。As shown in FIG. 2 , a
基板21可以由半导体材料形成,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而由其他的半导体材料、绝缘材料和/或导电材料来形成基板21。例如,如果由导电材料(例如,金属)形成基板21,则可以根据需要而在由金属形成的基板21的整个表面或一部分表面上形成介电层,以提供良好的绝缘特性。The
基板21可以包括至少一个主体部分21a和至少一个台阶状部分21b、21c。虽然在图2中仅示出了基板21包括一个主体部分21a和两个台阶状部分21b、21c,但是本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而形成包括多个主体部分和一个或两个以上的台阶状部分的基板21。The
如图2中所示,至少一个主体部分21a和至少一个台阶状部分21b、21c可以具有不同的高度。例如,主体部分21a可以具有最小的高度,台阶状部分11c可以具有最大的高度,台阶状部分21b可以具有大于主体部分21a的高度并小于台阶状部分21c的高度的高度。如此,可以在基板21的上表面上形成具有不同高度的台阶形状。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,至少一个主体部分和至少一个台阶状部分中相邻的两个部分的高度差根据将要安装的半导体芯片的厚度来确定。As shown in Fig. 2, at least one
例如,当基板21由半导体材料形成时,至少一个主体部分21a和至少一个台阶状部分21b、21c可以通过蚀刻工艺而一体地形成,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以通过其他工艺来形成至少一个主体部分21a和至少一个台阶状部分21b、21c。例如,当基板21由诸如金属的导电材料形成时,可以通过诸如冲压工艺来形成至少一个主体部分21a和至少一个台阶状部分21b、21c;当基板21由诸如树脂的绝缘材料形成时,可以通过诸如注入成型工艺来形成包括至少一个主体部分21a和至少一个台阶状部分21b、21c的基板21。For example, when the
布线图案22可以形成在基板21(例如,基板21的上表面和/或下表面)上。例如,布线图案22可以形成在基板21的至少一个主体部分21a和至少一个台阶状部分21b、21c上。如图2中所示,布线图案22可以包括形成在至少一个主体部分21a上的至少一部分22a和形成在至少一个台阶状部分21b、21c上的至少一部分22b、22c。可以由诸如金属的导电材料通过各种工艺在基板21上形成布线图案22。例如,可以由诸如金属的导电材料通过沉积工艺和/或镀覆工艺形成布线图案22,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而采用其他的导电材料和/或其他的工艺来形成布线图案22。例如,当基板21由半导体材料形成时,可以诸如通过掺杂工艺来形成布线图案22。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,当基板21由诸如金属的导电材料形成时,可以在如上所述的形成在基板21上的介电层上形成布线图案22。The
多个半导体芯片23可以堆叠并附着在基板21上(例如,堆叠并附着在基板21的上表面上),并分别电连接到布线图案22。例如,多个半导体芯片23可以堆叠在基板21的至少一个主体部分21a和至少一个台阶状部分21b上。如图2中所示,多个半导体图案23可以包括:至少一个半导体芯片13a,设置在至少一个主体部分21a上并电连接到布线图案22的设置在至少一个主体部分21a上的至少一部分12a;至少一个半导体芯片13b,所述至少一个半导体芯片13b的至少一部分可以设置在至少一个台阶状部分21b上并电连接到布线图案22的设置在至少一个台阶状部分21b上的至少一部分22b。此外,所述至少一个半导体芯片23b的至少另一部分可以堆叠地设置在半导体芯片23a上。虽然在图1中仅示出了一个设置在至少一个主体部分21a上的半导体芯片23a和一个堆叠在半导体芯片23a上的半导体芯片23b,但是本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,封装件20可以包括多个设置在至少一个主体部分21a上的半导体芯片23a和多个堆叠在所述多个半导体芯片23a中的至少一个半导体芯片23a上的半导体芯片,其中,所述多个堆叠在半导体芯片23a上的半导体芯片中的至少一个半导体芯片可以包括设置在至少一个台阶状部分上并电连接到布线图案22的设置在至少一个台阶状部分21b上的至少一部分22b的至少一部分。A plurality of
如图2中所示,多个半导体芯片23可以以倒装芯片的方式堆叠地安装在基板21上并电连接到布线图案22,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而采用诸如引线键合等各种安装方式来堆叠地安装多个半导体芯片23。As shown in FIG. 2 , a plurality of
包封材料层24可以形成在基板21(例如,基板21的上表面)上,以包封多个半导体芯片23。可以由诸如环氧树脂的包封材料通过注入成型工艺形成包封材料层24。An
根据本发明的一个示例性实施例,布线图案22的至少一部分22c可以暴露到封装件20的外部。图2中示出了布线图案22的形成在基板21的具有最大的高度的台阶状部分21c上的至少一部分22c暴露到封装件20的外部,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而暴露布线图案22的形成在基板21的其他部分上的至少一部分,例如,可以暴露布线图案22的形成在基板21的至少一个主体部分21a上的至少一部分。在这样的情况下,可以通过注入成型等工艺来在基板21上选择性地形成包封材料层24,以包封多个半导体芯片23并暴露布线图案22的至少一部分。According to an exemplary embodiment of the present invention, at least a
如图2中所示,封装件20还可以包括连接件26。连接件26可以设置在布线图案22的暴露的至少一部分22c上,并电连接到布线图案22的暴露的至少一部分22c上,以将多个半导体芯片23中的至少一个半导体芯片电连接到外部(例如,印刷电路板(PCB))。连接件26可以为焊球,如图2中所示。在这样的情况下,封装件20还可以包括形成在布线图案22的暴露的至少一部分22c上的用于设置焊球26的焊盘,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而将连接件26设置为连接凸起(bump)、引脚(pin)等。As shown in FIG. 2 ,
根据本发明的一个示例性实施例,封装件20还可以包括形成在包封材料层24的上表面上的另一布线图案27。与布线图案22相同,布线图案27可以由诸如金属的导电材料通过各种工艺形成在包封材料层24上。例如,可以由金属通过沉积和/或镀覆工艺形成布线图案22,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而采用其他的导电材料和/或其他的工艺形成布线图案27。虽然在图中没有示出,但是布线图案27可以诸如通过电连接到布线图案22的暴露的至少一部分22c而电连接到多个芯片23中的至少一个芯片23。According to an exemplary embodiment of the present invention, the
在封装件20包括形成在包封材料层24的上表面(即,封装件20的上表面)上的布线图案27的情况下,也可以将连接件26设置在布线图案27上,以将多个半导体芯片23中的至少一个半导体芯片电连接到外部(例如,印刷电路板(PCB))。如上所述,当连接件26为焊球时,封装件20可以包括形成在布线图案27上的用于设置焊球26的焊盘。In the case that the
虽然没有示出,但是根据本发明的一个示例性实施例,封装件20还可以包括如上面参照图1示出的本发明的示例性实施的通孔(未示出)。与上面描述的通孔15相同,根据本发明的一个示例性实施例的通孔可以形成在基板21中,并电连接到布线图案22。在这样的情况下,通孔可以为导电通孔。例如,可以诸如通过蚀刻工艺来在基板21中形成过孔并在过孔中镀覆或填充导电材料,以形成导电的通孔。Although not shown, according to an exemplary embodiment of the present invention, the
在封装件20进一步包括形成在基板21中的通孔的情况下,封装件20还可以包括设置在基板21的下表面上的连接件(未示出)。例如,可以将连接件设置在形成在基板21的下表面上的布线图案22上,和/或可以将连接件设置为与通孔对应(例如,设置在通孔上或周围)。连接件26可以被通孔电连接到布线图案22,从而将多个半导体芯片23中的至少一个半导体芯片电连接到外部(例如,印刷电路板(PCB))。如上所述,当连接件26为焊球时,封装件20还可以包括形成在基板21的下表面上的布线图案22和/或通孔上或周围的用于设置焊球26的焊盘,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而将连接件设置为连接凸起(bump)、引脚(pin)等。In case the
即,根据本发明的示例性实施例,可以根据需要而将布线图案的一部分暴露到封装件的外部和/或在基板中形成的通孔。在这样的情况下,可以在封装件的下表面(即,基板的下表面)和/或封装件的上表面(即,包封材料层的上表面)上设置连接件26。That is, according to exemplary embodiments of the present invention, a part of the wiring pattern may be exposed to the outside of the package and/or the through hole formed in the substrate as needed. In such cases,
在参照图2描述的根据本发明示例性实施例的封装件20中,可以采用半导体材料来形成作为用于安装芯片的基板,以代替现有技术中的印刷电路板(PCB)。可以采用镀覆导电材料或掺杂等工艺来在由半导体材料形成的基板上形成布线图案。因此,简化了封装件的制造工艺,降低了封装件的制造成本,提高了封装件的电性能,并能够以晶片级别来实现堆叠芯片式封装件。In the
在参照图2描述的根据本发明示例性实施例的封装件20中,可以将形成在基板上的布线图案的至少一部分暴露到所述封装件的外部,并可以在布线图案的暴露的至少一部分上设置连接件,从而简化了封装件的结构,降低了封装件的制造成本,提高了封装件的电性能。In the
在参照图2描述的根据本发明示例性实施例的封装件20中,可以在包封材料层上设置电连接到布线图案的暴露的至少一部分的另一布线图案,并在所述另一布线图案上设置连接件,从而提高了连接件(例如,焊球)的设置空间,简化了制造工艺,例如,降低了植球工艺的难度。In the
在参照图2描述的根据本发明示例性实施例的封装件20中,还可以采用诸如蚀刻的方式在基板中形成用于电连接的通孔,因此,与制造印刷电路板(PCB)的工艺相比,进一步降低了制造成本,且能够以晶片级别来实现堆叠芯片式封装件。In the
下面将参照图3A至图3F来详细描述根据本发明的示例性实施例的制造封装件的方法。图3A至图3F是示出了根据本发明的示例性实施例的制造如图1中所示的封装件10的方法的剖视图,为了简明起见,采用相同的标号指示与图1中的元件相同的元件,并将省略对它们的详细描述。A method of manufacturing a package according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. 3A to 3F . 3A to 3F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the package 10 shown in FIG. 1 according to an exemplary embodiment of the present invention. For the sake of simplicity, the same reference numerals are used to indicate the same elements as those in FIG. 1 components, and their detailed descriptions will be omitted.
如图3A中所示,可以预先制备准基板11’。准基板11’可以包含半导体材料。接下来,如图3B所示,可以通过蚀刻准基板11’而一体地形成包括至少一个主体部分11a和至少一个台阶状部分11b、11c的基板11。虽然在图3B中仅示出了将基板11形成为包括一个主体部分11a和两个台阶状部分11b、11c,但是本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而形成包括多个主体部分和一个或两个以上的台阶状部分的基板11。As shown in Fig. 3A, a quasi-substrate 11' may be prepared in advance. The quasi-substrate 11' may comprise a semiconductor material. Next, as shown in FIG. 3B , the
可以将至少一个主体部分11a和至少一个台阶状部分11b、11c形成为具有不同的高度。例如,可以将主体部分11a形成为具有最小的高度,可以将台阶状部分11c形成为具有最大的高度,可以将台阶状部分11b形成为具有大于主体部分11a的高度并小于台阶状部分11c的高度的高度。如此,可以在基板11的上表面上形成具有不同高度的台阶形状。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,至少一个主体部分和至少一个台阶状部分中相邻的两个部分的高度差根据将要安装的半导体芯片的厚度来确定。At least one
在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而由其他的半导体材料、绝缘材料和/或导电材料来形成基板11。例如,当由诸如金属的导电材料形成准基板11’时,可以通过诸如冲压工艺来形成包括至少一个主体部分11a和至少一个台阶状部分11b、11c的基板11。当由导电材料(例如,金属)形成基板11时,可以根据需要而在由金属形成的基板11的整个表面或一部分表面上形成介电层,以提供良好的绝缘特性。此外,可以由诸如树脂的绝缘材料通过诸如注入成型工艺来形成包括至少一个主体部分11a和至少一个台阶状部分11b、11c的基板11。In at least one other exemplary embodiment of the present invention, the
如图3C中所示,可以在基板11(例如,基板11的上表面和/或下表面)上形成布线图案12。例如,可以将布线图案12形成为包括形成在至少一个主体部分11a上的至少一部分12a和形成在至少一个台阶状部分11b、11c上的至少一部分12b、12c。可以在基板11上由诸如金属的导电材料通过各种工艺来形成布线图案12。例如,可以由金属通过沉积工艺和/或镀覆工艺形成布线图案12,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而采用其他的导电材料和/或其他的工艺来形成布线图案12。例如,当由半导体材料形成基板11时,可以通过掺杂工艺来形成布线图案12。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,当由诸如金属的导电材料形成基板11时,可以在如上所述的形成在基板11上的介电层上形成布线图案12。As shown in FIG. 3C , a wiring pattern 12 may be formed on a substrate 11 (eg, an upper surface and/or a lower surface of the substrate 11 ). For example, the wiring pattern 12 may be formed to include at least one portion 12a formed on at least one
根据本发明的一个示例性实施例,可以在基板11中形成电连接到布线图案12的通孔15,如图3C中所示。在这样的情况下,通孔15可以为导电通孔。例如,可以诸如通过蚀刻工艺来在基板11中形成过孔并在过孔中镀覆或填充导电材料,以形成导电的通孔15。According to an exemplary embodiment of the present invention, a via hole 15 electrically connected to the wiring pattern 12 may be formed in the
此时,还可以形成用于设置焊球的焊盘。例如,可以在形成在基板11的上表面和/或下表面上的布线图案12和/或通孔15上或周围,通过诸如镀覆工艺来形成焊盘。然而,实施例不限于此。可以在后面将要详细描述的形成包封材料层的包封工艺之后在形成在基板11的下表面和/或通孔15上或周围形成焊盘。At this time, pads for disposing solder balls may also be formed. For example, pads may be formed on or around the wiring pattern 12 and/or the through hole 15 formed on the upper surface and/or lower surface of the
然后,如图3D中所示,可以在基板11上(例如,基板11的上表面上)堆叠并附着多个半导体芯片13,并分别将堆叠的多个半导体芯片13电连接到布线图案12。例如,可以在基板11的至少一个主体部分11a和至少一个台阶状部分11b上堆叠半导体芯片13。如图3D中所示,可以将至少一个半导体芯片13a设置在至少一个主体部分11a上并电连接到布线图案12的设置在至少一个主体部分11a上的至少一部分12a,可以将至少一个半导体芯片13b、13c中的半导体芯片13b的至少一部分设置在至少一个台阶状部分11b上并电连接到布线图案12的设置在至少一个台阶状部分11b上的至少一部分12b,并可以将至少一个半导体芯片13b、13c中的半导体芯片13c的至少一部分设置在至少一个台阶状部分11c上并电连接到布线图案12的设置在至少一个台阶状部分11c上的至少一部分12c。此外,可以将半导体芯片13b的至少另一部分堆叠地设置在半导体芯片13a上,可以将半导体芯片13c的至少另一部分堆叠地设置在半导体芯片13b上。虽然在图3D中仅示出了一个设置在至少一个主体部分11a上的半导体芯片13a和两个堆叠在半导体芯片13a上的半导体芯片13b和13c,但是本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而在至少一个主体部分11a上设置多个半导体芯片13a并在所述多个半导体芯片13a中的至少一个半导体芯片上堆叠一个或两个以上的半导体芯片,其中,可以将所述一个或两个以上的堆叠在半导体芯片13a上的半导体芯片中的至少一个半导体芯片的至少一部分设置在至少一个台阶状部分上并电连接到布线图案12的设置在所述至少一个台阶状部分上的至少一部分。Then, as shown in FIG. 3D , a plurality of
在图3D中示出的本发明的示例性实施例中,可以以倒装芯片的方式将多个半导体芯片13堆叠地安装在基板11上并电连接到布线图案12,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而采用诸如引线键合等各种安装方式来堆叠地安装多个半导体芯片13。In the exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 3D, a plurality of
之后,如图3E中所示,可以在基板11(例如,基板11的上表面)上形成包封材料层14,以包封多个半导体芯片13。可以由诸如环氧树脂的包封材料通过注入成型工艺来形成包封材料层14。Afterwards, as shown in FIG. 3E , an
接下来,如图3F中所示,还可以在基板11的下表面上设置连接件16。例如,可以在形成在基板11的下表面上的布线图案12上设置连接件16。此外,还可以将连接件16设置为与通孔16对应(例如,设置在通孔16上或周围)。连接件16可以被通孔15电连接到布线图案12,从而将多个半导体芯片13中的至少一个半导体芯片电连接到外部(例如,印刷电路板(PCB))。连接件16可以为焊球,如图3F中所示。在这样的情况下,可以如上所述地在基板11的下表面上的布线图案12和/或通孔16上或周围形成焊盘,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而将连接凸起(bump)、引脚(pin)等作为连接件16。Next, as shown in FIG. 3F , connectors 16 may also be provided on the lower surface of the
在参照图3A-图3F描述的根据本发明示例性实施例的制造封装件的方法中,可以采用半导体材料来形成作为用于安装芯片的基板,以代替现有技术中的印刷电路板(PCB)。可以采用镀覆导电材料或掺杂等工艺来在由半导体材料形成的基板上形成布线图案,并可以采用诸如蚀刻的方式在基板中形成用于电连接的通孔。因此,简化了封装件的制造工艺,降低了封装件的制造成本,提高了封装件的电性能,并能够以晶片级别来实现堆叠芯片式封装件。In the method of manufacturing a package according to an exemplary embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 3A-3F , a semiconductor material can be used to form a substrate for mounting a chip instead of a printed circuit board (PCB) in the prior art. ). A process such as plating a conductive material or doping may be used to form a wiring pattern on a substrate formed of a semiconductor material, and a method such as etching may be used to form a through hole for electrical connection in the substrate. Therefore, the manufacturing process of the package is simplified, the manufacturing cost of the package is reduced, the electrical performance of the package is improved, and the stacked chip package can be realized at the wafer level.
下面将参照图4A至图4G来详细描述根据本发明的另一示例性实施例的制造如封装件的方法。图4A至图4G是示出了根据本发明的另一示例性实施例的制造如图2中所示的封装件20的方法的剖视图,为了简明起见,采用相同的标号指示与图2中的元件相同的元件,并将省略对它们的详细描述。A method of manufacturing a package according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. 4A to 4G . 4A to 4G are cross-sectional views showing a method of manufacturing the
如图4A中所示,可以预先制备准基板21’。准基板21’可以包含半导体材料。接下来,如图4B所示,可以通过蚀刻准基板21’而一体地形成包括至少一个主体部分21a和至少一个台阶状部分21b、21c的基板21。虽然在图4B中仅示出了将基板21形成为包括一个主体部分21a和两个台阶状部分21b、21c,但是本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而形成包括多个主体部分和一个或两个以上的台阶状部分的基板21。As shown in Fig. 4A, a quasi-substrate 21' may be prepared in advance. The quasi-substrate 21' may comprise a semiconductor material. Next, as shown in FIG. 4B , the
可以将至少一个主体部分21a和至少一个台阶状部分21b、21c形成为具有不同的高度。例如,可以将主体部分21a形成为具有最小的高度,可以将台阶状部分21c形成为具有最大的高度,可以将台阶状部分21b形成为具有大于主体部分21a的高度并小于台阶状部分21c的高度的高度。如此,可以在基板21的上表面上形成具有不同高度的台阶形状。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,至少一个主体部分和至少一个台阶状部分中相邻的两个部分的高度差根据将要安装的半导体芯片的厚度来确定。At least one
在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而由其他的半导体材料、绝缘材料和/或导电材料来形成基板21。例如,当由诸如金属的导电材料形成准基板21’时,可以通过诸如冲压工艺来形成包括至少一个主体部分21a和至少一个台阶状部分21b、21c的基板21。当由导电材料(例如,金属)形成基板21时,可以根据需要而在由金属形成的基板21的整个表面或一部分表面上形成介电层,以提供良好的绝缘特性。此外,可以由诸如树脂的绝缘材料通过诸如注入成型工艺来形成包括至少一个主体部分21a和至少一个台阶状部分21b、21c的基板21。In at least one other exemplary embodiment of the present invention, the
如图4C中所示,可以在基板21(例如,基板21的上表面和/或下表面)上形成布线图案22。例如,可以将布线图案22形成为包括形成在至少一个主体部分21a上的至少一部分22a和形成在至少一个台阶状部分21b、21c上的至少一部分22b、22c。可以在基板21上由诸如金属的导电材料通过各种工艺来形成布线图案22。例如,可以由金属通过沉积工艺和/或镀覆工艺形成布线图案22,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而采用其他的导电材料和/或其他的工艺来形成布线图案22。例如,当由半导体材料形成基板21时,可以通过掺杂工艺来形成布线图案22。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,当由诸如金属的导电材料形成基板21时,可以在如上所述的形成在基板21上的介电层上形成布线图案22。As shown in FIG. 4C , a
虽然没有示出,但是根据本发明的一个示例性实施例,与在图3C中示出的本发明的示例性实施例相同,可以在基板21中形成电连接到布线图案22的通孔。在这样的情况下,通孔可以为导电通孔。例如,可以诸如通过蚀刻工艺来在基板21中形成过孔并在过孔中镀覆或填充导电材料,以形成导电的通孔。Although not shown, according to an exemplary embodiment of the present invention, like the exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 3C , a via hole electrically connected to the
此时,还可以形成用于设置焊球的焊盘。例如,可以在形成在基板21的上表面和/或下表面上的布线图案22和/或通孔上或周围,通过诸如镀覆工艺来形成焊盘。然而,实施例不限于此。可以在后面将要详细描述的包封工艺之后并在设置作为焊球的连接件26之前,在形成在基板21的下表面上的布线图案22和/或通孔25上或周围成焊盘。At this time, pads for disposing solder balls may also be formed. For example, pads may be formed on or around the
然后,如图4D中所示,可以在基板21上(例如,基板21的上表面上)堆叠并附着多个半导体芯片23,并分别将堆叠的多个半导体芯片23中的至少一个半导体芯片电连接到布线图案22。例如,可以在基板21的至少一个主体部分21a和至少一个台阶状部分21b上堆叠半导体芯片23。如图4D中所示,可以将至少一个半导体芯片23a设置在至少一个主体部分21a上并电连接到布线图案22的设置在至少一个主体部分21a上的至少一部分22a,并可以将至少一个半导体芯片23b的至少一部分设置在至少一个台阶状部分21b上并电连接到布线图案22的设置在至少一个台阶状部分21b上的至少一部分22b。此外,可以将半导体芯片23b的至少另一部分堆叠地设置在半导体芯片23a上。虽然在图4D中仅示出了一个设置在至少一个主体部分21a上的半导体芯片23a和一个堆叠在半导体芯片23a上的半导体芯片23b,但是本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而在至少一个主体部分21a上设置多个半导体芯片23a并在所述多个半导体芯片23a中的至少一个半导体芯片23a上堆叠多个半导体芯片,其中,可以将所述多个堆叠在半导体芯片13a上的半导体芯片中的至少一个半导体芯片的至少一部分设置在至少一个台阶状部分11b上并电连接到布线图案12的设置在至少一个台阶状部分11b上的至少一部分12b。Then, as shown in FIG. 4D, a plurality of
在图4D中示出的本发明的示例性实施例中,可以以倒装芯片的方式将多个半导体芯片23堆叠地安装在基板21上并电连接到布线图案22,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而采用诸如引线键合等各种安装方式来堆叠地安装多个半导体芯片23。In the exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 4D, a plurality of
之后,如图4E中所示,可以在基板21(例如,基板21的上表面)上形成包封材料层24,以包封多个半导体芯片23。可以由诸如环氧树脂的包封材料通过注入成型工艺来形成包封材料层24。Afterwards, as shown in FIG. 4E , an
根据本发明的一个示例性实施例,在形成包封材料层24的步骤中,可以将布线图案22的至少一部分22c暴露到封装件20的外部。图4E中示出了可以将布线图案22的形成在基板21的具有最大的高度的台阶状部分21c上的至少一部分22c暴露到封装件20的外部,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而暴露布线图案22的形成在基板21的其他部分上的至少一部分。例如,可以暴露布线图案22的形成在基板21的至少一个主体部分21a上的至少一部分。在这样的情况下,可以通过注入成型等工艺来在基板21上选择性地形成包封材料层24,以包封多个半导体芯片23并暴露布线图案22的至少一部分。According to an exemplary embodiment of the present invention, at least a
根据本发明的一个示例性实施例,还可以在包封材料层24的上表面上形成另一布线图案27,如图4F中所示。与布线图案22相同,可以由诸如金属的导电材料通过各种工艺在包封材料层24上形成布线图案27。例如,可以由金属通过沉积和/或镀覆工艺来形成布线图案27,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而采用其他的导电材料和/或其他的工艺来形成布线图案27。虽然在图中没有示出,但是可以诸如通过电连接到布线图案22的暴露到封装件20的外部的至少一部分22c而将布线图案27电连接到多个芯片23。According to an exemplary embodiment of the present invention, another
接下来,如图4G中所示,还可以在包封材料层24的上表面上设置连接件26。可以将连接件26设置在布线图案22的暴露到封装件20的外部的至少一部分22c上,并将其电连接到布线图案22的暴露到封装件20的外部的至少一部分22c上,以将多个半导体芯片23中的至少一个半导体芯片23电连接到外部(例如,印刷电路板(PCB))。连接件26可以为焊球,如图4G中所示。在这样的情况下,还可以在布线图案22的暴露到封装件20的外部的至少一部分22c上形成用于设置焊球26的焊盘,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而将连接件26设置为连接凸起(bump)、引脚(pin)等。Next, as shown in FIG. 4G ,
在如图4F所示地在包封材料层24的上表面(即,封装件20的上表面)上形成布线图案27的情况下,也可以将连接件26设置在布线图案27上,以将多个半导体芯片23中的至少一个半导体芯片电连接到外部(例如,印刷电路板(PCB))。如上所述,当连接件26为焊球时,也可以在布线图案27上形成用于设置焊球26的焊盘。In the case where the
虽然没有示出,但是根据本发明的一个其他的示例性实施例,在如上所述地在基板21中形成通孔的情况下,可以在基板21的下表面上设置连接件(未示出)。例如,可以将连接件设置在形成在基板21的下表面上的布线图案22上,和/或可以将连接件设置为与通孔对应(例如,设置在通孔上或周围)。连接件26可以被通孔电连接到布线图案22,从而将多个半导体芯片23中的至少一个半导体芯片电连接到外部(例如,印刷电路板(PCB))。如上所述,当连接件26为焊球时,封装件20还可以包括形成在基板21的下表面上的布线图案22和/或通孔上或周围的用于设置焊球26的焊盘,然而,本发明的示例性实施例不限于此。在本发明的至少一个其他的示例性实施例中,可以根据需要而将连接件设置为连接凸起(bump)、引脚(pin)等。Although not shown, according to one other exemplary embodiment of the present invention, in the case of forming the through hole in the
即,根据本发明的示例性实施例,可以根据需要而在封装件中设置形成在基板中的通孔和/或将布线图案的一部分暴露到封装件的外部。在这样的情况下,可以在封装件的下表面(即,基板的下表面)和/或封装件的上表面(即,包封材料层的上表面)上设置连接件26。That is, according to an exemplary embodiment of the present invention, a via hole formed in a substrate and/or exposing a part of a wiring pattern to the outside of the package may be provided in the package as needed. In such cases,
在参照图4A-图4G描述的根据本发明示例性实施例的制造封装件的方法中,可以采用半导体材料来形成作为用于安装芯片的基板,以代替现有技术中的印刷电路板(PCB)。可以采用镀覆导电材料或掺杂等工艺来在由半导体材料形成的基板上形成布线图案。因此,简化了封装件的制造工艺,降低了封装件的制造成本,提高了封装件的电性能,并能够以晶片级别来实现堆叠芯片式封装件。In the method of manufacturing a package according to an exemplary embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 4A-4G , a semiconductor material can be used to form a substrate for mounting a chip instead of a printed circuit board (PCB) in the prior art. ). A process such as plating a conductive material or doping may be used to form a wiring pattern on a substrate formed of a semiconductor material. Therefore, the manufacturing process of the package is simplified, the manufacturing cost of the package is reduced, the electrical performance of the package is improved, and the stacked chip package can be realized at the wafer level.
在参照图4A-图4G描述的根据本发明示例性实施例的制造封装件的方法中,可以将形成在基板上的布线图案的至少一部分暴露到所述封装件的外部,并可以在布线图案的暴露的至少一部分上设置连接件,从而简化了封装件的结构,降低了封装件的制造成本,提高了封装件的电性能。In the method of manufacturing a package according to an exemplary embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 4A-4G , at least a part of a wiring pattern formed on a substrate may be exposed to the outside of the package, and may be formed in the wiring pattern. A connector is provided on at least a part of the exposed part, thereby simplifying the structure of the package, reducing the manufacturing cost of the package, and improving the electrical performance of the package.
在参照图4A-图4G描述的根据本发明示例性实施例的制造封装件的方法中,可以在包封材料层上设置电连接到布线图案的暴露的至少一部分的另一布线图案,并在所述另一布线图案上设置连接件,从而提高了连接件(例如,焊球)的设置空间,简化了制造工艺,例如,降低了植球工艺的难度。In the method of manufacturing a package according to an exemplary embodiment of the present invention described with reference to FIGS. The connection element is arranged on the other wiring pattern, thereby increasing the installation space of the connection element (for example, solder balls), and simplifying the manufacturing process, for example, reducing the difficulty of the ball planting process.
在参照图4A-图4G描述的根据本发明示例性实施例的制造封装件的方法中,还可以采用诸如蚀刻的方式在基板中形成用于电连接的通孔,因此,与制造印刷电路板(PCB)的工艺相比,进一步降低了制造成本,且能够以晶片级别来实现堆叠芯片式封装件。In the method of manufacturing a package according to an exemplary embodiment of the present invention described with reference to FIGS. Compared with the PCB (PCB) process, the manufacturing cost is further reduced, and the stacked chip package can be realized at the wafer level.
虽然已经示出并描述了本发明的示例性实施例的示例,但是本领域技术人员应该理解的是,本发明的示例性实施例不限于此,在不脱离如权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下,可以对本发明的示例性实施例进行各种修改。While examples of exemplary embodiments of the present invention have been shown and described, it should be understood by those skilled in the art that the exemplary embodiments of the present invention are not limited thereto without departing from the scope of the present invention as defined in the claims. Various modifications may be made to the exemplary embodiments of the invention within the spirit and scope of the invention.
Claims (20)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2011102100918A CN102280428A (en) | 2011-07-15 | 2011-07-15 | Packaging piece and manufacture method thereof |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN2011102100918A CN102280428A (en) | 2011-07-15 | 2011-07-15 | Packaging piece and manufacture method thereof |
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| CN102280428A true CN102280428A (en) | 2011-12-14 |
Family
ID=45105775
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| CN2011102100918A Pending CN102280428A (en) | 2011-07-15 | 2011-07-15 | Packaging piece and manufacture method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN102280428A (en) |
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