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CN102449754A - 具有聚合物突出物的静电吸盘 - Google Patents

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CN102449754A CN2010800199392A CN201080019939A CN102449754A CN 102449754 A CN102449754 A CN 102449754A CN 2010800199392 A CN2010800199392 A CN 2010800199392A CN 201080019939 A CN201080019939 A CN 201080019939A CN 102449754 A CN102449754 A CN 102449754A
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silicon
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Abstract

根据本发明的一具体实例，提供一种静电吸盘。该静电吸盘包含一表面层，该表面层由一电极中的一电压激活以形成一电荷，从而将一基板静电夹持于该静电吸盘。该表面层包括多个聚合物突出物及该多个聚合物突出物所黏着的一电荷控制层，该多个聚合物突出物延伸至高于围绕该多个聚合物突出物的该电荷控制层的部分的一高度以在静电夹持该基板期间将该基板支撑于该多个聚合物突出物上。

Description

具有聚合物突出物的静电吸盘
相关申请案
本申请案主张2009年5月15日申请的美国临时申请案第61/216,305号的权益。上述申请案的全部教示内容以引用的方式并入本文中。
背景技术
静电吸盘在制造制程中固持且支撑基板，且亦在不机械夹持该基板下自该基板移除热。在使用静电吸盘期间，基板(诸如半导体晶圆)背面由静电力固持于静电吸盘的表面上。该基板与该静电吸盘表面中的一或多个电极由覆盖电极的表面材料层隔开。在库仑吸盘(Coulombic chuck)中，表面层为电绝缘的；而在琼森-雷贝克静电吸盘(Johnsen-Rahbek electrostatic chuck)中，表面层为弱导电的。静电吸盘的表面层可为平坦的，或可具有一或多个将基板背面与经覆盖的电极进一步隔开的突出物、凸起或其它表面特征。加工期间传递至基板之热可藉由与突出物进行接触热传导及/或藉由与冷却气体进行气体热传导而自该基板转移走且转移至静电吸盘。在自基板移除热方面，接触热传导一般比气体热传导有效。然而，控制基板与突出物之间的接触量可为困难的。
在微电子生产中，由于半导体及内存装置的几何尺寸日益变小且晶圆、平面屏幕显示器、主光罩及其它加工基板的尺寸日益变大，所以可容许的微粒污染制程规格变得更具限制性。粒子对静电吸盘的影响尤其受关注，因为晶圆实体接触或安装于吸盘夹持表面。若静电吸盘的安装表面容许任何微粒截留于安装表面与基板之间，则基板可能因所截留的粒子而变形。举例而言，若晶圆背面与平坦参考表面相抵静电夹持，则所截留的粒子可能引起晶圆正面变形，从而其将不处于平坦平面中。根据美国专利第6,835,415号，已有研究显示，平坦静电吸盘上的10微米粒子可使主光罩(亦即测试晶圆)的表面位移1吋或1吋以上的径向距离。粒子诱导的位移的实际高度及直径取决于多个参数，诸如粒度、粒子硬度、夹持力及主光罩厚度。
在基板加工期间，重要的是能够控制基板的温度，限制基板的最大温度上升，维持基板表面上的温度均匀性，或这些方面的任何组合。若由于不良及/或不均匀热转移而使得整个基板表面上存在过度温度变化，则该基板可变形且制程化学可受影响。与静电吸盘直接接触的区域愈大，接触热传导所转移的热则愈多。直接接触的区域的尺寸随基板与静电吸盘的接触表面的粗糙度、平坦度及硬度以及在接触表面之间施加的压力而变。由于接触表面的特征在基板间有所变化，且由于接触表面的特征可随时间而变，所以精确控制静电吸盘与基板之间的接触热传导有困难。
控制基板温度及基板背面上的粒子数目对于减少或消除对微电子装置、主光罩及其它此类结构的损坏以及减少制造产率损失或使该损失降至最低而言为重要的。静电吸盘突出物的磨蚀特性、粗糙化突出物的高接触面积以及制造静电吸盘期间研磨与抛光操作的作用皆可能促使在基板与静电吸盘一起使用期间粒子进入基板背面。
发明内容
根据本发明的一具体实例，提供一种静电吸盘。该静电吸盘包含一表面层，该表面层由一电极中的一电压激活以形成一电荷，从而将一基板静电夹持于该静电吸盘。该表面层包括多个聚合物突出物及该多个聚合物突出物所黏着的一电荷控制层，该多个聚合物突出物延伸至高于围绕该多个聚合物突出物的该电荷控制层的部分的一高度以在静电夹持该基板期间将该基板支撑于该多个聚合物突出物上。
在其它相关具体实例中，形成该多个聚合物突出物的聚合物可包含聚醚酰亚胺(PEI)、聚酰亚胺或聚醚醚酮(PEEK)。电荷控制层可由诸如聚醚酰亚胺(PEI)、聚酰亚胺或聚醚醚酮(PEEK)的聚合物形成。一黏着层可位于该电荷控制层下方，且可包含聚醚酰亚胺(PEI)。该静电吸盘可包含一黏着涂层。该黏着涂层可包含含硅氮化物、含硅氧化物、含硅碳化物及此类物质的非化学计量型式中的至少一个，例如(但不限于)SiOxNy、氮化硅、氧化硅或碳化硅。黏着涂层亦可包含碳或碳氮化合物，且可包含类钻石碳。黏着涂层可延伸以包含一围绕该静电吸盘的一边缘的至少一部分的金属减少层。该静电吸盘可包含一将该静电吸盘的一介电层黏结至该静电吸盘的一绝缘体层的陶瓷-陶瓷黏结层，该陶瓷-陶瓷黏结层包含聚合物，诸如聚四氟乙烯(PTFE)及改良的聚四氟乙烯(PTFE)中的至少一个，及/或全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯-丙烯(FEP)及聚醚醚酮(PEEK)中的至少一个。改良的聚四氟乙烯(PTFE)可包含全氟烷氧基(PFA)及氟化乙烯-丙烯(FEP)中的至少一个。如相邻聚合物突出物对之间的中心-中心距离所量测，该多个聚合物突出物可实质上等间隔横越该表面层。这些聚合物突出物可呈三角形图案排列。聚合物突出物的中心-中心距离可介于约6mm与约8mm之间，且高度可介于约3微米与约12微米之间；且直径可为约900微米。电荷控制层的表面电阻率可介于约108奥姆/平方(ohm per square)至约1011奥姆/平方之间。静电吸盘可另外包含一气封环，该气封环包含诸如聚醚酰亚胺(PEI)、聚酰亚胺或聚醚醚酮(PEEK)的聚合物。该多个聚合物突出物的表面粗糙度可介于约0.02μm与约0.05μm之间。
在本发明的另一具体实例中，提供一种制造一静电吸盘的方法。该方法包含：使用包含聚四氟乙烯(PTFE)、改良的聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯-丙烯(FEP)及聚醚醚酮(PEEK)中的至少一个的黏结聚合物将该静电吸盘的一介电层黏结至该静电吸盘的一绝缘体层；用包含含硅氮化物、含硅氧化物、含硅碳化物、非化学计量的含硅氮化物、非化学计量的含硅氧化物、非化学计量的含硅碳化物、碳及碳氮化合物中的至少一个的黏着涂层涂布该静电吸盘的该介电层；将一包含电荷控制层聚合物的电荷控制层黏结至该静电吸盘的该表面，该电荷控制层聚合物包含聚醚酰亚胺(PEI)、聚酰亚胺及聚醚醚酮(PEEK)中的至少一个；将一光阻剂沈积至该电荷控制层上；对该电荷控制层进行反应性离子蚀刻以移除将围绕多个于该电荷控制层中形成的聚合物突出物的该电荷控制层的部分；及将该光阻剂自该静电吸盘剥离，从而露出由与该电荷控制层相同的该电荷控制层聚合物形成的该多个聚合物突出物。
附图说明
图1为根据本发明具体实例的静电吸盘的顶层的横截面图。
图2为展示根据本发明具体实例的静电吸盘的其它层的横截面图。
图3说明根据本发明具体实例的静电吸盘的表面上突出物的图案。
图4为根据本发明具体实例的静电吸盘的表面外观的图。
图5为根据本发明具体实例的静电吸盘上突出物的特征图。
具体实施方式
前述内容将自以下对本发明的例示性具体实例的更具体描述显而易见，如附图中所说明，其中贯穿不同视图，相同参考数字是指相同部件。图式不需要按比例绘制，而是着重于说明本发明的具体实例。
对本发明的例示性具体实例的描述如下。
根据本发明的一具体实例，提供一种静电吸盘，其在表面上包括突出物以供安装基板。这些突出物由诸如聚醚酰亚胺(PEI)、聚酰亚胺或聚醚醚酮(PEEK)的聚合物质形成。另外，该静电吸盘的特征为这些聚合物突出物所黏着的电荷控制表面层。该电荷控制表面层可由与突出物相同的诸如聚醚酰亚胺(PEI)、聚酰亚胺或聚醚醚酮(PEEK)的聚合物质形成。这些突出物及该电荷控制表面层可帮助促使静电吸盘与基板接触以促进接触冷却，同时亦减少不合需要的粒子产生。
图1为根据本发明具体实例的静电吸盘的顶层的横截面图。该静电吸盘的特征为突出物101，其是由诸如聚醚酰亚胺(PEI)、聚酰亚胺或聚醚醚酮(PEEK)的聚合物形成。静电吸盘的气封环(图中未示)可由聚合物形成，诸如与突出物101相同的聚合物。突出物101黏着于亦可由聚合物形成的电荷控制层102。电荷控制层102的目的在于提供导电层以导走表面电荷。电荷控制层102降低在移除吸盘电源后晶圆或其它基板静电黏着于吸盘表面时发生“晶圆附着(wafer sticking)”的可能性。表面电阻率在适当范围内，诸如约1×108奥姆/平方至约1×1011奥姆/平方的范围内的电荷控制层102显示减少表面电荷滞留，此表面电荷滞留可产生不合需要的静电力且最终导致晶圆附着。微导电表面层将电荷导向地面(图中未示)，而不干扰静电吸盘与基板之间的静电吸引。在一具体实例中，突出物101与电荷控制层102均由单一聚合物形成，诸如聚醚酰亚胺(PEI)、聚酰亚胺或聚醚醚酮(PEEK)。黏着层103可在电荷控制层102下方，且可包含不同于电荷控制层的聚合物。详言之，若电荷控制层由聚醚醚酮(PEEK)形成，则黏着层103可包含聚醚酰亚胺(PEI)。或者，黏着层103无需存在。在黏着层103下方(或直接在电荷控制层102下方)，静电吸盘包括黏着涂层104，其促使其上方的聚合物层黏着于介电层105。黏着涂层104保持埋于处于其上方的聚合物层之下，且掩盖聚合物中的外观瑕疵。黏着涂层104可包括例如含硅氮化物、含硅氧化物、含硅碳化物及这些物质的非化学计量型式，例如(但不限于)SiOxNy、氮化硅、氧化硅或碳化硅。黏着涂层亦可包含碳或碳氮化合物；且可包含类钻石碳；及/或前述物质的组合。黏着涂层104下方为介电层105，诸如氧化铝介电质。
图2为展示根据本发明具体实例的静电吸盘的其它层的横截面图。除突出物201、电荷控制层202、黏着层203、黏着涂层204及介电层205以外，该静电吸盘亦包括金属电极206。金属电极206经由导电环氧树脂黏结体208黏结至电极针脚207。介电层205经由陶瓷-陶瓷黏结体210黏结至绝缘体层209，诸如氧化铝绝缘体。陶瓷-陶瓷黏结体210可由诸如聚四氟乙烯(PTFE)或改良的PTFE(除PTFE以外，其亦包括PFA及/或FEP)的聚合物形成。另外，陶瓷-陶瓷黏结体210可由诸如全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯-丙烯(FEP)及聚醚醚酮(PEEK)的聚合物形成。在绝缘体209下方，存在导热黏结体211(其可例如使用由TRA-CON公司(Bedford，MA，U.S.A.)出售的TRA-CON导热环氧树脂形成)及水冷基座212。黏着涂层204可沿静电吸盘的一边缘向下(包括沿气封环的边缘向下)延伸以形成金属减少层213，其防止光束撞击在静电吸盘的边缘上，引起铝粒子撞击基板。
根据本发明的一具体实例，用于静电吸盘的突出物201、电荷控制层202或其它组件的聚醚酰亚胺(PEI)可由厚度介于约12微米与约25微米之间的未填充无晶型聚醚酰亚胺(PEI)形成。举例而言，可使用由Sabic InnovativePlastics Holdings BV以商标名ULTEM 1000出售的PEI。若突出物201及/或电荷控制层202或其它组件由聚醚醚酮(PEEK)形成，则其可由厚度介于约12微米与约25微米之间的未填充PEEK制成。举例而言，可使用由Victrex U.S.A.公司(West Conshohocken，PA，U.S.A.)以商标名Victrex
Figure BPA00001461918000061
APTIV PEEKTMFILM 2000-006(未填充无晶型等级)出售的PEEK。
根据本发明的一具体实例，特征为聚合物突出物及聚合物电荷控制层的静电吸盘可包括2009年5月15日申请、以美国专利申请公开案第2009/0284894号公开的美国专利申请案第12/454,336号的静电吸盘的特征，该案的教示内容以全文引用的方式并入本文中。详言之，可包括与等间隔的突出物、三角形图案的突出物及低粒子产生相关的特征，且亦可包括其它特征。
图3说明根据本发明具体实例的静电吸盘的表面上的突出物314的图案，其中该突出物图案用以减小基板与突出物314之间的力。可使用使这些力均等分布的突出物图案，例如突出物的三角形或一般六角形图案。应了解，如本文中所用的“三角形(trigonal)”图案欲意谓突出物的等边三角形的规则重复图案，使得这些突出物实质上均等隔开。(此类图案的形状亦可视为一般六角形，其中中心突出物在形成正六角形顶点的六个突出物的数组的中心)。亦可藉由增大突出物的直径315或藉由减小突出物314的中心-中心间隔316来减小力。如图3的具体实例所示，突出物可以等间隔的排列形式安置，其中各突出物与相邻突出物以中心-中心间隔尺寸316实质上均等隔开。藉助于该间隔，基板背面的实质部分接触突出物的顶部部分，在突出物之间留下供氦气或其它气体进行背面冷却的间隙。相比之下，若无该突出物间隔，则仅一小部分(10％或低于10％)突出物可接触基板。根据本发明的一具体实例，基板可接触25％以上的突出物顶部表面区域。
在一实施例中，静电吸盘可呈300mm如下组态：其包括铝基座、约0.120吋厚的氧化铝绝缘体209、约0.004吋厚的氧化铝介电质205，且具有旋转滚筒设计以允许安装至静电吸盘的基板旋转及倾斜。静电吸盘的直径可为例如300mm、200mm或450mm。突出物314可呈三角形图案，其中中心-中心间隔尺寸316为例如约6mm至约8mm。突出物的直径315可为例如约900微米。突出物314的高度可为例如约3微米至约12微米，诸如约6微米。突出物314可完全由可与电荷控制层202(见图2)相同的聚合物形成。
图4为根据本发明具体实例的静电吸盘的表面外观图。该静电吸盘表面包括气体入口417、地针通道418、气封环419、包括自身气封环(图4中顶针信道420的外部淡色结构)的顶针信道420、及在吸盘中心的小气体入口421(入口在图4中不可见)。地针通道418可包括其自身的气封环(图4中地针通道的外环419)。详图(图4中的插图422)展示突出物414。气封环419(及顶针信道420与地针信道418的气封环)的宽度可为约0.1吋，且高度可与突出物414的高度相等，诸如约3微米至约12微米，例如约6微米，不过亦可能使用其它宽度及高度。
根据本发明的一具体实例，静电吸盘可由如下制程来制造：首先，使用陶瓷-陶瓷黏结体制备陶瓷总成。举例而言，可使用上文关于图2的具体实例所描述的黏结物质将介电层205黏结至绝缘体层209。接着用黏着涂层204，诸如上文关于图1的具体实例所论述的物质涂布该陶瓷总成，达到约1或2微米的厚度。接着将构成电荷控制层202及突出物201的聚合物质黏结至黏着涂层204的表面。接着可对聚合物质的顶部进行电浆处理以有助于光阻剂(随后涂覆)附着。接着使光阻剂沈积于聚合物质上，且曝光并显影。继而使用反应性离子蚀刻制程以移除聚合物质的厚度(诸如介于约3微米与约12微米之间，尤其为约6微米)，从而在突出物201之间形成区域。可针对将用于静电吸盘的背面气压来优化蚀刻去除量(产生突出物的高度)。突出物的高度较佳近似等同于或实质上等于背面冷却中所用的气体的平均自由路径。蚀刻之后，接着剥离光阻剂，且制程进行至最终静电吸盘总成。
图5为根据本发明具体实例的静电吸盘上突出物的特征图。宽度及高度以微米展示。突出物的高度为约6微米，且具有极平滑的晶圆接触表面523。举例而言，突出物的晶圆接触表面523上的表面粗糙度可为约0.02μm至约0.05μm。同样，气封环可具有类似平滑的表面，以良好密封基板。下表1展示根据本发明的一具体实例的气体泄漏速率实验的结果。左栏展示所施加的背面气压；右栏展示背面气体流速，其是因气体自静电吸盘边缘下方泄漏出而产生；且中间栏展示腔室压力，其将随着更多气体自静电吸盘边缘泄漏出而升高。背面气体流速(此处)小于1sccm的结果视为理想的。
表1：气体泄漏速率测试
  BSG压力   腔室压力   BSG流速
  (托(Torr))   (托)   (sccm)
  0   2.44E-06   不可用
  4   5.17E-06   0.09
  10   9.04E-06   0.34
  15   1.24E-05   0.56
  25   2.02E-065   1.1
根据本发明的一具体实例，静电吸盘的气封环的表面粗糙度可小于约8微吋，或小于约4微吋，或小于约2微吋，或小于约1微吋。
根据本发明的一具体实例，静电吸盘为库仑吸盘。介电质可包括铝，例如氧化铝或氮化铝。在本发明的另一具体实例中，静电吸盘为琼森-雷贝克静电吸盘。或者，静电吸盘可并非为琼森-雷贝克静电吸盘，且可选择使琼森-雷贝克(JR)力或部分混合琼森-雷贝克力不作用于晶圆或基板的介电质。
本文中所引用的所有专利、公开申请案及参考文献的教示内容皆以全文引用的方式并入。
尽管本发明已参考其例示性具体实例特定展示及描述，但熟习此项技术者应了解，可在不脱离随附申请专利范围所涵盖的本发明范畴的情况下对其进行形式及细节方面的各种变化。

Claims (34)

1.一种静电吸盘，其包含：
一表面层，其由一电极中的一电压激活以形成一电荷，从而将一基板静电夹持于该静电吸盘，该表面层包括多个聚合物突出物及该多个聚合物突出物所黏着的一电荷控制层，该多个聚合物突出物延伸至高于围绕该多个聚合物突出物的该电荷控制层的部分的一高度以在静电夹持该基板期间将该基板支撑于该多个聚合物突出物上。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中形成该多个聚合物突出物的该聚合物包含聚醚酰亚胺PEI。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其中该电荷控制层由聚醚酰亚胺PEI形成。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中形成该多个聚合物突出物的该聚合物包含聚醚醚酮PEEK。
5.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中形成该多个聚合物突出物的该聚合物包含聚酰亚胺。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中该电荷控制层由第二种聚合物形成。
7.根据权利要求6所述的静电吸盘，其中该电荷控制层由聚醚酰亚胺PEI形成。
8.根据权利要求6所述的静电吸盘，其中该电荷控制层由聚醚醚酮PEEK形成。
9.根据权利要求8所述的静电吸盘，其中形成该多个聚合物突出物的该聚合物包含聚醚醚酮PEEK。
10.根据权利要求6所述的静电吸盘，其中该电荷控制层由聚酰亚胺形成。
11.根据权利要求10所述的静电吸盘，其中形成该多个聚合物突出物的该聚合物包含聚酰亚胺。
12.根据权利要求1所述的静电吸盘，其另外包含一在该电荷控制层下方的黏着层。
13.根据权利要求12所述的静电吸盘，其中该黏着层包含聚醚酰亚胺PEI。
14.根据权利要求1所述的静电吸盘，其另外包含一黏着涂层。
15.根据权利要求14所述的静电吸盘，其中该黏着涂层包含含硅氮化物、含硅氧化物、含硅碳化物、非化学计量的含硅氮化物、非化学计量的含硅氧化物、非化学计量的含硅碳化物、碳及碳氮化合物中的至少一个。
16.根据权利要求15所述的静电吸盘，其中该黏着涂层包含SiOxNy、氮化硅、氧化硅、碳化硅及类钻石碳中的至少一个。
17.根据权利要求14所述的静电吸盘，其中该黏着涂层延伸以包含一围绕该静电吸盘的一边缘的至少一部分的金属减少层。
18.根据权利要求1所述的静电吸盘，其另外包含一将该静电吸盘的一介电层黏结至该静电吸盘的一绝缘体层的陶瓷-陶瓷黏结层，该陶瓷-陶瓷黏结层包含第三种聚合物。
19.根据权利要求18所述的静电吸盘，其中该第三种聚合物包含聚四氟乙烯PTFE及改良的聚四氟乙烯(PTFE)中的至少一个。
20.根据权利要求19所述的静电吸盘，其中该改良的聚四氟乙烯PTFE包含全氟烷氧基PFA及氟化乙烯-丙烯FEP中的至少一个。
21.根据权利要求18所述的静电吸盘，其中该第三种聚合物包含全氟烷氧基PFA、氟化乙烯-丙烯FEP及聚醚醚酮PEEK中的至少一个。
22.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中如相邻聚合物突出物对之间的中心-中心距离所量测，该多个聚合物突出物实质上等间隔横越该表面层。
23.根据权利要求22所述的静电吸盘，其中这些突出物呈三角形图案排列。
24.根据权利要求23所述的静电吸盘，其中这些聚合物突出物的中心-中心距离介于约6mm与约8mm之间。
25.根据权利要求23所述的静电吸盘，其中这些聚合物突出物的高度介于约3微米与约12微米之间。
26.根据权利要求23所述的静电吸盘，其中这些聚合物突出物的直径为约900微米。
27.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中该电荷控制层的表面电阻率介于约108奥姆/平方ohm per square至约1011奥姆/平方之间。
28.根据权利要求1所述的静电吸盘，其另外包含一包含聚合物的气封环。
29.根据权利要求28所述的静电吸盘，其中该气封环包含聚醚酰亚胺PEI、聚酰亚胺及聚醚醚酮PEEK中的至少一个。
30.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中该多个聚合物突出物的表面粗糙度介于约0.02μm与约0.05μm之间。
31.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中形成该多个聚合物突出物的该聚合物包含聚醚酰亚胺PEI，其中该电荷控制层由聚醚酰亚胺PEI形成，且其中该静电吸盘包含一黏着涂层，该黏着涂层包含含硅氮化物、含硅氧化物、含硅碳化物、非化学计量的含硅氮化物、非化学计量的含硅氧化物、非化学计量的含硅碳化物、碳及碳氮化合物中的至少一个。
32.根据权利要求31所述的静电吸盘，其另外包含一将该静电吸盘的一介电层黏结至该静电吸盘的一绝缘体层的陶瓷-陶瓷黏结层，该陶瓷-陶瓷黏结层包含聚四氟乙烯PTFE及改良的聚四氟乙烯PTFE中的至少一个。
33.根据权利要求31所述的静电吸盘，其中该电荷控制层的表面电阻率介于约108奥姆/平方至约1011奥姆/平方之间。
34.一种制造一静电吸盘的方法，该方法包含：
使用包含聚四氟乙烯PTFE、改良的聚四氟乙烯PTFE、全氟烷氧基PFA、氟化乙烯-丙烯FEP及聚醚醚酮PEEK中的至少一个的黏结聚合物将该静电吸盘的一介电层黏结至该静电吸盘的一绝缘体层；
用一包含含硅氮化物、含硅氧化物、含硅碳化物、非化学计量的含硅氮化物、非化学计量的含硅氧化物、非化学计量的含硅碳化物、碳及碳氮化合物中的至少一个的黏着涂层涂布该静电吸盘的该介电层；
将一包含电荷控制层聚合物的电荷控制层黏结至该静电吸盘的该表面，该电荷控制层聚合物包含聚醚酰亚胺PEI、聚酰亚胺及聚醚醚酮PEEK中的至少一个；
将一光阻剂沈积至该电荷控制层上；
对该电荷控制层进行反应性离子蚀刻以移除将围绕多个于该电荷控制层中形成的聚合物突出物的该电荷控制层的部分；及
将该光阻剂自该静电吸盘剥离，从而露出由与该电荷控制层相同的该电荷控制层聚合物形成的该多个聚合物突出物。
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TW (2) TWI534945B (zh)
WO (1) WO2010132640A2 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103794539A (zh) * 2013-09-12 2014-05-14 北京中科信电子装备有限公司 一种静电吸盘加工的工艺方法
CN103811332A (zh) * 2014-02-14 2014-05-21 北京京东方显示技术有限公司 一种干法刻蚀设备的下部电极基台和干法刻蚀设备
CN104797979A (zh) * 2013-01-22 2015-07-22 Asml荷兰有限公司 静电夹具
CN105308735A (zh) * 2013-04-26 2016-02-03 瓦里安半导体设备公司 低放射率静电卡盘
CN106796915A (zh) * 2015-04-02 2017-05-31 株式会社爱发科 吸附装置和真空处理装置
CN106796909A (zh) * 2014-06-17 2017-05-31 瑞士艾发科技 具有射频分路的静电卡盘
CN111564405A (zh) * 2014-08-26 2020-08-21 应用材料公司 用于处理基板的方法
CN114567957A (zh) * 2022-03-30 2022-05-31 上海众鸿半导体设备有限公司 一种晶圆夹具及晶圆夹具的抗静电处理方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI475594B (zh) * 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
US8861170B2 (en) 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
CN102449754B (zh) 2009-05-15 2015-10-21 恩特格林斯公司 具有聚合物突出物的静电吸盘
JP6014587B2 (ja) 2010-05-28 2016-10-25 インテグリス・インコーポレーテッド 高表面抵抗率の静電チャック
SG188434A1 (en) 2010-09-08 2013-05-31 Entegris Inc High conductivity electrostatic chuck
CN103493194B (zh) * 2011-06-02 2016-05-18 应用材料公司 静电夹盘的氮化铝电介质修复
CN109298602B (zh) 2012-02-03 2021-10-15 Asml荷兰有限公司 衬底保持器和光刻装置
CN104685607B (zh) 2012-09-19 2017-09-15 应用材料公司 接合基板的方法
JP6238996B2 (ja) * 2012-11-02 2017-11-29 インテグリス・インコーポレーテッド 光パターン化可能な軟質突出部接触面を有する静電チャック
WO2014122151A2 (en) 2013-02-07 2014-08-14 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and method
EP2956960B1 (en) * 2013-02-13 2023-03-29 Entegris, Inc. Vacuum chuck with polymeric embossments
KR20140144316A (ko) * 2013-06-07 2014-12-18 삼성디스플레이 주식회사 기판 합착용 스테이지, 이를 포함하는 기판 합착 장치, 및 표시 장치의 제조 방법
JP5538613B1 (ja) * 2013-11-13 2014-07-02 東京エレクトロン株式会社 接合装置及び接合システム
TWI663681B (zh) 2014-02-07 2019-06-21 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 靜電夾具以及製造其之方法
TWI656596B (zh) 2014-08-26 2019-04-11 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 靜電夾具及其製造方法
US20170250103A1 (en) * 2014-10-06 2017-08-31 Applied Materials, Inc. Fluoro polymer contact layer to carbon nanotube chuck
CN105304446B (zh) * 2015-09-18 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 干法刻蚀设备的下部电极基台及干法刻蚀设备
CN107768300B (zh) * 2016-08-16 2021-09-17 北京北方华创微电子装备有限公司 卡盘、反应腔室及半导体加工设备
WO2018157179A2 (en) * 2017-02-24 2018-08-30 Fabworx Solutions, Inc. Atmospheric robotic end effector
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
US11469084B2 (en) 2017-09-05 2022-10-11 Lam Research Corporation High temperature RF connection with integral thermal choke
WO2019152528A1 (en) 2018-01-31 2019-08-08 Lam Research Corporation Electrostatic chuck (esc) pedestal voltage isolation
US11086233B2 (en) * 2018-03-20 2021-08-10 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
US11183368B2 (en) 2018-08-02 2021-11-23 Lam Research Corporation RF tuning systems including tuning circuits having impedances for setting and adjusting parameters of electrodes in electrostatic chucks
DE102018008622B4 (de) 2018-10-31 2020-10-01 Sartorius Stedim Biotech Gmbh Bioprozessbehälter mit optischer Messvorrichtung
JP7128534B2 (ja) * 2020-05-26 2022-08-31 Ａｉメカテック株式会社 基板組立装置及び基板組立方法
JP2022060859A (ja) * 2020-10-05 2022-04-15 キオクシア株式会社 静電チャック装置及び半導体製造装置
JP7618034B2 (ja) * 2022-12-15 2025-01-20 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ及び成膜装置
WO2025004883A1 (ja) * 2023-06-29 2025-01-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6490145B1 (en) * 2001-07-18 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
JP2003282688A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Kyocera Corp 静電チャック
US20070128570A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Shigehiro Goto Substrate heat treatment apparatus
CN101043018A (zh) * 2006-03-23 2007-09-26 大日本网目版制造株式会社 基板支撑结构及其制造方法、第一片状物、热处理装置及基板吸附方法
WO2009013803A1 (ja) * 2007-07-23 2009-01-29 Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. 静電チャックの表面電位制御方法

Family Cites Families (166)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4184188A (en) 1978-01-16 1980-01-15 Veeco Instruments Inc. Substrate clamping technique in IC fabrication processes
JPH0227748A (ja) 1988-07-16 1990-01-30 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置及びその作成方法
JPH02304946A (ja) 1989-05-19 1990-12-18 Mitsui Petrochem Ind Ltd 静電チャック
US5179498A (en) 1990-05-17 1993-01-12 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck device
JPH0478133A (ja) 1990-07-20 1992-03-12 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US5539609A (en) 1992-12-02 1996-07-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck usable in high density plasma
KR0164618B1 (ko) 1992-02-13 1999-02-01 이노우에 쥰이치 플라즈마 처리방법
JP3064653B2 (ja) 1992-03-02 2000-07-12 東陶機器株式会社 静電チャック
US5413360A (en) * 1992-12-01 1995-05-09 Kyocera Corporation Electrostatic chuck
US5350479A (en) 1992-12-02 1994-09-27 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for high power plasma processing
US5382311A (en) 1992-12-17 1995-01-17 Tokyo Electron Limited Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same
US5557215A (en) 1993-05-12 1996-09-17 Tokyo Electron Limited Self-bias measuring method, apparatus thereof and electrostatic chucking apparatus
US5625526A (en) 1993-06-01 1997-04-29 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck
US5591269A (en) 1993-06-24 1997-01-07 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
TW357404B (en) 1993-12-24 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for processing of plasma
JPH08507196A (ja) * 1994-01-31 1996-07-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 共形な絶縁体フィルムを有する静電チャック
US5508368A (en) 1994-03-03 1996-04-16 Diamonex, Incorporated Ion beam process for deposition of highly abrasion-resistant coatings
US5583736A (en) 1994-11-17 1996-12-10 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Micromachined silicon electrostatic chuck
US5792562A (en) 1995-01-12 1998-08-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making
US5691876A (en) 1995-01-31 1997-11-25 Applied Materials, Inc. High temperature polyimide electrostatic chuck
US5701228A (en) 1995-03-17 1997-12-23 Tokyo Electron Limited Stage system or device
JP3208044B2 (ja) 1995-06-07 2001-09-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US5997962A (en) 1995-06-30 1999-12-07 Tokyo Electron Limited Plasma process utilizing an electrostatic chuck
JP3457477B2 (ja) 1995-09-06 2003-10-20 日本碍子株式会社 静電チャック
JPH09172055A (ja) 1995-12-19 1997-06-30 Fujitsu Ltd 静電チャック及びウエハの吸着方法
JPH09213777A (ja) * 1996-01-31 1997-08-15 Kyocera Corp 静電チャック
JPH09213781A (ja) 1996-02-01 1997-08-15 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及びそれを用いた処理装置
US5656093A (en) 1996-03-08 1997-08-12 Applied Materials, Inc. Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5761023A (en) 1996-04-25 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback
US6108189A (en) 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
US6055150A (en) 1996-05-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Multi-electrode electrostatic chuck having fuses in hollow cavities
US5825607A (en) 1996-05-08 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Insulated wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5764471A (en) 1996-05-08 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck
US5748434A (en) 1996-06-14 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Shield for an electrostatic chuck
US6175485B1 (en) 1996-07-19 2001-01-16 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck and method for fabricating the same
TW334609B (en) 1996-09-19 1998-06-21 Hitachi Ltd Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same
US5740009A (en) 1996-11-29 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for improving wafer and chuck edge protection
US6117246A (en) 1997-01-31 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck
US6217655B1 (en) 1997-01-31 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Stand-off pad for supporting a wafer on a substrate support chuck
US5870271A (en) 1997-02-19 1999-02-09 Applied Materials, Inc. Pressure actuated sealing diaphragm for chucks
JP3650248B2 (ja) 1997-03-19 2005-05-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
FR2763144B1 (fr) 1997-05-07 1999-07-23 Alsthom Cge Alcatel Dispositif et procede de regeneration pour train de solitons
US6088213A (en) 1997-07-11 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck and method of making same
US6051122A (en) 1997-08-21 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Deposition shield assembly for a semiconductor wafer processing system
US5903428A (en) 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
US5880924A (en) 1997-12-01 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate
JPH11214494A (ja) 1998-01-26 1999-08-06 Taiheiyo Cement Corp 静電チャック
US5886865A (en) 1998-03-17 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for predicting failure of an eletrostatic chuck
EP0945073A3 (en) 1998-03-26 2001-01-17 Shiseido Company Limited Process of production of natural flavor or fragrance
US6198616B1 (en) 1998-04-03 2001-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for supplying a chucking voltage to an electrostatic chuck within a semiconductor wafer processing system
US6304424B1 (en) 1998-04-03 2001-10-16 Applied Materials Inc. Method and apparatus for minimizing plasma destabilization within a semiconductor wafer processing system
US6104595A (en) 1998-04-06 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for discharging an electrostatic chuck
US6104596A (en) 1998-04-21 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a subtrate in a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating same
US6081414A (en) 1998-05-01 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system
WO1999060613A2 (en) 1998-05-21 1999-11-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for minimizing plasma destabilization within a semiconductor wafer processing system
US6072685A (en) 1998-05-22 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having an electrical connector with housing
US6641939B1 (en) 1998-07-01 2003-11-04 The Morgan Crucible Company Plc Transition metal oxide doped alumina and methods of making and using
US5886866A (en) 1998-07-06 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a combination electrode structure for substrate chucking, heating and biasing
JP2000100917A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Jeol Ltd 静電チャック装置
JP3983387B2 (ja) 1998-09-29 2007-09-26 日本碍子株式会社 静電チャック
US6125025A (en) 1998-09-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Electrostatic dechucking method and apparatus for dielectric workpieces in vacuum processors
US6790375B1 (en) 1998-09-30 2004-09-14 Lam Research Corporation Dechucking method and apparatus for workpieces in vacuum processors
US6259592B1 (en) 1998-11-19 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a workpiece upon a workpiece support and method of manufacturing same
TW525256B (en) * 1998-11-25 2003-03-21 Applied Materials Inc Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck
US6215640B1 (en) 1998-12-10 2001-04-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for actively controlling surface potential of an electrostatic chuck
US6430022B2 (en) 1999-04-19 2002-08-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling chucking force in an electrostatic
JP2000323558A (ja) 1999-05-07 2000-11-24 Nikon Corp 静電吸着装置
US6320736B1 (en) * 1999-05-17 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Chuck having pressurized zones of heat transfer gas
JP3805134B2 (ja) 1999-05-25 2006-08-02 東陶機器株式会社 絶縁性基板吸着用静電チャック
EP1061639A2 (en) 1999-06-17 2000-12-20 Applied Materials, Inc. Chucking system amd method
JP3273773B2 (ja) 1999-08-12 2002-04-15 イビデン株式会社 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ、半導体製造・検査装置用静電チャックおよびウエハプローバ用チャックトップ
US6839217B1 (en) 1999-10-01 2005-01-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Surface structure and method of making, and electrostatic wafer clamp incorporating surface structure
JP2001118776A (ja) 1999-10-19 2001-04-27 Nikon Corp 転写型露光装置および該装置に使用されるマスク保持機構、および半導体素子の製造方法。
US6723274B1 (en) 1999-12-09 2004-04-20 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. High-purity low-resistivity electrostatic chucks
TW473792B (en) 2000-01-20 2002-01-21 Ngk Insulators Ltd Electrostatic chuck
JP5165817B2 (ja) 2000-03-31 2013-03-21 ラム リサーチ コーポレーション 静電チャック及びその製造方法
US6567257B2 (en) 2000-04-19 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for conditioning an electrostatic chuck
JP3851489B2 (ja) 2000-04-27 2006-11-29 日本発条株式会社 静電チャック
TWI254403B (en) 2000-05-19 2006-05-01 Ngk Insulators Ltd Electrostatic clamper, and electrostatic attracting structures
JP2001338970A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電吸着装置
JP3859937B2 (ja) 2000-06-02 2006-12-20 住友大阪セメント株式会社 静電チャック
JP4753460B2 (ja) 2000-08-16 2011-08-24 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック及びその製造方法
US6475336B1 (en) 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
JP4548928B2 (ja) 2000-10-31 2010-09-22 京セラ株式会社 電極内蔵体及びこれを用いたウエハ支持部材
KR20020046214A (ko) 2000-12-11 2002-06-20 어드밴스드 세라믹스 인터내셔날 코포레이션 정전척 및 그 제조방법
US6630201B2 (en) 2001-04-05 2003-10-07 Angstron Systems, Inc. Adsorption process for atomic layer deposition
JP4312394B2 (ja) 2001-01-29 2009-08-12 日本碍子株式会社 静電チャックおよび基板処理装置
JP2002270680A (ja) 2001-02-28 2002-09-20 Applied Materials Inc 基板支持方法及び基板支持装置
US6628503B2 (en) 2001-03-13 2003-09-30 Nikon Corporation Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications
US20050095410A1 (en) 2001-03-19 2005-05-05 Mazurkiewicz Paul H. Board-level conformal EMI shield having an electrically-conductive polymer coating over a thermally-conductive dielectric coating
JP4868649B2 (ja) * 2001-03-29 2012-02-01 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理装置
US20020144657A1 (en) 2001-04-05 2002-10-10 Chiang Tony P. ALD reactor employing electrostatic chuck
US20020144786A1 (en) 2001-04-05 2002-10-10 Angstron Systems, Inc. Substrate temperature control in an ALD reactor
JP2003060020A (ja) * 2001-06-07 2003-02-28 Komatsu Ltd 静電チャック装置
US6552892B2 (en) 2001-05-09 2003-04-22 Axcelis Technologies, Inc. Method and apparatus for the grounding of process wafers by the use of conductive regions created by ion implantation into the surface of an electrostatic clamp
WO2004061941A1 (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. 静電チャック
US6483690B1 (en) 2001-06-28 2002-11-19 Lam Research Corporation Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making
US20030010292A1 (en) 2001-07-16 2003-01-16 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with dielectric coating
US6853953B2 (en) 2001-08-07 2005-02-08 Tokyo Electron Limited Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck
JP4008230B2 (ja) 2001-11-14 2007-11-14 住友大阪セメント株式会社 静電チャックの製造方法
US6634177B2 (en) 2002-02-15 2003-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for the real-time monitoring and control of a wafer temperature
US6754062B2 (en) 2002-02-27 2004-06-22 Praxair S.T. Technology, Inc. Hybrid ceramic electrostatic clamp
US6646233B2 (en) 2002-03-05 2003-11-11 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method
JP4082924B2 (ja) 2002-04-16 2008-04-30 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着ホルダー及び基板処理装置
TWI228786B (en) 2002-04-16 2005-03-01 Anelva Corp Electrostatic chucking stage and substrate processing apparatus
KR100603169B1 (ko) 2002-06-17 2006-07-24 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤 웨이퍼 전위 또는 온도의 측정방법 및 장치
KR100511854B1 (ko) 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
JP4061131B2 (ja) 2002-06-18 2008-03-12 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着装置
WO2004027839A2 (en) * 2002-09-19 2004-04-01 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
US20040055709A1 (en) 2002-09-19 2004-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
JP2004200462A (ja) 2002-12-19 2004-07-15 Nhk Spring Co Ltd 静電チャックおよびその製造方法
US6982125B2 (en) 2002-12-23 2006-01-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. ALN material and electrostatic chuck incorporating same
WO2004059714A1 (ja) 2002-12-26 2004-07-15 Nikon Corporation 研磨装置及び半導体デバイスの製造方法
US6835415B2 (en) 2003-01-07 2004-12-28 Euv Llc Compliant layer chucking surface
TWI327336B (en) 2003-01-13 2010-07-11 Oc Oerlikon Balzers Ag Arrangement for processing a substrate
US20040173469A1 (en) 2003-03-04 2004-09-09 Ryujiro Udo Plasma processing apparatus and method for manufacturing electrostatic chuck
US7075771B2 (en) 2003-05-21 2006-07-11 Tokyo Electron Limited Apparatus and methods for compensating plasma sheath non-uniformities at the substrate in a plasma processing system
JP4407793B2 (ja) 2003-07-11 2010-02-03 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャックおよび静電チャックを搭載した装置
KR100512745B1 (ko) 2003-07-24 2005-09-07 삼성전자주식회사 정전기 척
US20050069726A1 (en) 2003-09-30 2005-03-31 Douglas Elliot Paul Light emitting composite material and devices thereof
US6905984B2 (en) 2003-10-10 2005-06-14 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based contact conductivity electrostatic chuck
US7198276B2 (en) 2003-10-24 2007-04-03 International Business Machines Corporation Adaptive electrostatic pin chuck
US7261919B2 (en) 2003-11-18 2007-08-28 Flx Micro, Inc. Silicon carbide and other films and method of deposition
US6897945B1 (en) 2003-12-15 2005-05-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7088431B2 (en) 2003-12-17 2006-08-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100546808B1 (ko) * 2003-12-24 2006-01-26 재단법인 포항산업과학연구원 세라믹 용사 코팅을 이용한 반도체 공정용 정전척
US7824498B2 (en) 2004-02-24 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Coating for reducing contamination of substrates during processing
JP4684222B2 (ja) 2004-03-19 2011-05-18 株式会社クリエイティブ テクノロジー 双極型静電チャック
US7504268B2 (en) 2004-05-28 2009-03-17 Board Of Regents, The University Of Texas System Adaptive shape substrate support method
US7052553B1 (en) 2004-12-01 2006-05-30 Lam Research Corporation Wet cleaning of electrostatic chucks
KR20060081562A (ko) * 2005-01-10 2006-07-13 (주)엔트로피 정전척의 제조방법
US7672110B2 (en) 2005-08-29 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having textured contact surface
WO2007043519A1 (ja) 2005-10-12 2007-04-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置
KR100709589B1 (ko) 2005-11-14 2007-04-20 (주)소슬 웨이퍼를 용이하게 탈착시킬 수 있는 엠보싱 척
KR100755874B1 (ko) 2005-11-30 2007-09-05 주식회사 아이피에스 진공처리장치의 정전척, 그를 가지는 진공처리장치 및정전척의 제조방법
US7869184B2 (en) 2005-11-30 2011-01-11 Lam Research Corporation Method of determining a target mesa configuration of an electrostatic chuck
JP4718314B2 (ja) 2005-12-07 2011-07-06 日本特殊陶業株式会社 誘電体積層構造体、その製造方法、及び配線基板
JP2007173596A (ja) 2005-12-22 2007-07-05 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
KR100717694B1 (ko) 2005-12-29 2007-05-11 코리아세미텍 주식회사 분리층을 갖는 정전척
JP4727434B2 (ja) * 2006-01-18 2011-07-20 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US7646581B2 (en) 2006-01-31 2010-01-12 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck
US20070195482A1 (en) 2006-02-23 2007-08-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Johnsen-Rahbek electrostatic chuck driven with AC voltage
JP4657949B2 (ja) 2006-03-01 2011-03-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法
US20070283891A1 (en) 2006-03-29 2007-12-13 Nobuyuki Okayama Table for supporting substrate, and vacuum-processing equipment
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
JP4381393B2 (ja) 2006-04-28 2009-12-09 信越化学工業株式会社 静電チャック
KR100842739B1 (ko) 2006-05-02 2008-07-01 주식회사 하이닉스반도체 고밀도 플라즈마 증착 장치의 정전척
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
JP2008041993A (ja) 2006-08-08 2008-02-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック
US8284538B2 (en) 2006-08-10 2012-10-09 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck device
US20080041312A1 (en) 2006-08-10 2008-02-21 Shoichiro Matsuyama Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus
US20080062609A1 (en) 2006-08-10 2008-03-13 Shinji Himori Electrostatic chuck device
US20080062610A1 (en) 2006-08-10 2008-03-13 Shinji Himori Electrostatic chuck device
US20080073032A1 (en) 2006-08-10 2008-03-27 Akira Koshiishi Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus
US7619870B2 (en) 2006-08-10 2009-11-17 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck
JP2008091353A (ja) 2006-09-07 2008-04-17 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
US20080083700A1 (en) 2006-10-10 2008-04-10 Lexmark International, Inc. Method and Apparatus for Maximizing Cooling for Wafer Processing
US7751172B2 (en) 2006-10-18 2010-07-06 Axcelis Technologies, Inc. Sliding wafer release gripper/wafer peeling gripper
US20080106842A1 (en) 2006-11-06 2008-05-08 Tokyo Electron Limited Mounting device, plasma processing apparatus and plasma processing method
US8422193B2 (en) 2006-12-19 2013-04-16 Axcelis Technologies, Inc. Annulus clamping and backside gas cooled electrostatic chuck
US7715170B2 (en) 2007-03-26 2010-05-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Electrostatic chuck with separated electrodes
TWI475594B (zh) 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
CN102449754B (zh) 2009-05-15 2015-10-21 恩特格林斯公司 具有聚合物突出物的静电吸盘
US8861170B2 (en) 2009-05-15 2014-10-14 Entegris, Inc. Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface
JP6014587B2 (ja) 2010-05-28 2016-10-25 インテグリス・インコーポレーテッド 高表面抵抗率の静電チャック
SG188434A1 (en) 2010-09-08 2013-05-31 Entegris Inc High conductivity electrostatic chuck

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6490145B1 (en) * 2001-07-18 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
JP2003282688A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Kyocera Corp 静電チャック
US20070128570A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Shigehiro Goto Substrate heat treatment apparatus
CN101043018A (zh) * 2006-03-23 2007-09-26 大日本网目版制造株式会社 基板支撑结构及其制造方法、第一片状物、热处理装置及基板吸附方法
WO2009013803A1 (ja) * 2007-07-23 2009-01-29 Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. 静電チャックの表面電位制御方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104797979A (zh) * 2013-01-22 2015-07-22 Asml荷兰有限公司 静电夹具
CN105308735A (zh) * 2013-04-26 2016-02-03 瓦里安半导体设备公司 低放射率静电卡盘
CN103794539A (zh) * 2013-09-12 2014-05-14 北京中科信电子装备有限公司 一种静电吸盘加工的工艺方法
CN103811332A (zh) * 2014-02-14 2014-05-21 北京京东方显示技术有限公司 一种干法刻蚀设备的下部电极基台和干法刻蚀设备
CN106796909A (zh) * 2014-06-17 2017-05-31 瑞士艾发科技 具有射频分路的静电卡盘
CN111564405A (zh) * 2014-08-26 2020-08-21 应用材料公司 用于处理基板的方法
CN111564405B (zh) * 2014-08-26 2023-10-03 应用材料公司 用于处理基板的方法
CN106796915A (zh) * 2015-04-02 2017-05-31 株式会社爱发科 吸附装置和真空处理装置
CN114567957A (zh) * 2022-03-30 2022-05-31 上海众鸿半导体设备有限公司 一种晶圆夹具及晶圆夹具的抗静电处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010132640A2 (en) 2010-11-18
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