CN103532498A - 一种低失调的传感器检测电路 - Google Patents
一种低失调的传感器检测电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103532498A CN103532498A CN201310501369.6A CN201310501369A CN103532498A CN 103532498 A CN103532498 A CN 103532498A CN 201310501369 A CN201310501369 A CN 201310501369A CN 103532498 A CN103532498 A CN 103532498A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- capacitor
- mos5
- mos2
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 100
- 102100030393 G-patch domain and KOW motifs-containing protein Human genes 0.000 claims abstract description 27
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 101100461812 Arabidopsis thaliana NUP96 gene Proteins 0.000 claims abstract description 13
- 101100262446 Arabidopsis thaliana UBA1 gene Proteins 0.000 claims description 26
- 101100508768 Arabidopsis thaliana IMPA3 gene Proteins 0.000 claims description 12
- 101100478187 Arabidopsis thaliana MOS4 gene Proteins 0.000 claims description 10
- 101150090280 MOS1 gene Proteins 0.000 claims description 10
- 101100401568 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) MIC10 gene Proteins 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种低失调的传感器检测电路，它包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5、场效应管MOS6、电容C1、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器。其优点是：可消除放大器两端的失调电压，检测精度高，而且电路结构简单。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路领域，更具体的说是涉及一种低失调的传感器检测电路。
背景技术
传感器检测电路有多种电路方式来实现。由于传感器所产生的信号极其微弱，一般都在PF量级，其电容变化量一般在10-15-10-18F，要检测如此微小的电容变化量，对检测电路中各部分电路的选取尤为重要。目前电路采用波形信号发生器、C-V转换电路、反相器、加法器、整流电路、低通滤波器等来构建电路，其最小差分量级只可达到10-16F，而且，其电路结构复杂。
发明内容
本发明提供一种低失调的传感器检测电路，其可消除放大器两端的失调电压，检测精度高，而且电路结构简单。
为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案：
一种低失调的传感器检测电路，它包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5、场效应管MOS6、电容C1、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器，所述的场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5和场效应管MOS6的栅极均连接在时钟控制电路上；所述的场效应管MOS2的漏极和场效应管MOS5的漏极均与电源相连；所述的电容C1的一端接地，另一端与场效应管MOS2的源极相连；所述的电容C2的一端接地，另一端与场效应管MOS5的源极相连；所述的放大器的两个输入端分别与场效应管MOS2的源极和场效应管MOS5的源极相连，输出端连接在DA转化器上；所述的电容C3的两端分别连接在放大器的两个输入端上；所述的场效应管MOS3的源极接地，漏极与场效应管MOS2的源极相连；所述的场效应管MOS6的源极接地，漏极与场效应管MOS5的源极相连。
更进一步的技术方案是:
作为优选，所述的场效应管MOS2、场效应管MOS5与电源之间还分别连接有场效应管MOS1和场效应管MOS4，所述的场效应管MOS1的源极、场效应管MOS4的源极分别与场效应管MOS2的漏极、场效应管MOS5的漏极相连，所述的场效应管MOS1的漏极和场效应管MOS4的漏极均连接在电源上。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明包含场效应管、电容、放大器、DA放大器和时钟控制芯片，其电路结构简单；且在放大器的两端连接有电容C3，可将放大器两输入端的失调电压消除，增大了检测精度。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1为实施例1的电路图。
图2为实施例2的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例1]
如图1所示的一种低失调的传感器检测电路，它包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5、场效应管MOS6、电容C1、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器，所述的场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5和场效应管MOS6的栅极均连接在时钟控制电路上；所述的场效应管MOS2的漏极和场效应管MOS5的漏极均与电源相连；所述的电容C1的一端接地，另一端与场效应管MOS2的源极相连；所述的电容C2的一端接地，另一端与场效应管MOS5的源极相连；所述的放大器的两个输入端分别与场效应管MOS2的源极和场效应管MOS5的源极相连，输出端连接在DA转化器上；所述的电容C3的两端分别连接在放大器的两个输入端上；所述的场效应管MOS3的源极接地，漏极与场效应管MOS2的源极相连；所述的场效应管MOS6的源极接地，漏极与场效应管MOS5的源极相连。
由时钟控制电路来控制场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5和场效应管MOS6的交替开关，场效应管MOS2和场效应管MOS3的开合同步，场效应管MOS5和场效应管MOS6的开合同步，实现对两个电容的交错充放电采用。对电容进行时间相同的充电，电容大小与充电后的电压高低相关，放大器检测两个电容的电压差值，放大后进行数模转换输出数字信号，便于后续设备计算加速度。场效应管MOS3、场效应管MOS6分别为电容C1、电容C2所处支路提供通路。放大器的两个输入端上连接电容C3，可将两端的失调电压消除，增大监测的精度。
[实施例2]
如图2所示的一种低失调的传感器检测电路，为了避免电源和地之间发生短路现象，本实施例在实施例1的基础上，在场效应管MOS2、场效应管MOS5与电源之间还分别连接有场效应管MOS1和场效应管MOS4，所述的场效应管MOS1的源极、场效应管MOS4的源极分别与场效应管MOS2的漏极、场效应管MOS5的漏极相连，所述的场效应管MOS1的漏极和场效应管MOS4的漏极均连接在电源上。场效应管MOS1和场效应管MOS4的栅极连接偏置电压，可由外部设备提供。
如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化，凡是与本发明具有相同或相近的技术方案，均落入本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种低失调的传感器检测电路，其特征在于：它包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5、场效应管MOS6、电容C1、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器，所述的场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5和场效应管MOS6的栅极均连接在时钟控制电路上；所述的场效应管MOS2的漏极和场效应管MOS5的漏极均与电源相连；所述的电容C1的一端接地，另一端与场效应管MOS2的源极相连；所述的电容C2的一端接地，另一端与场效应管MOS5的源极相连；所述的放大器的两个输入端分别与场效应管MOS2的源极和场效应管MOS5的源极相连，输出端连接在DA转化器上；所述的电容C3的两端分别连接在放大器的两个输入端上；所述的场效应管MOS3的源极接地，漏极与场效应管MOS2的源极相连；所述的场效应管MOS6的源极接地，漏极与场效应管MOS5的源极相连。
2.根据权利要求1所述的一种低失调的传感器检测电路，其特征在于：所述的场效应管MOS2、场效应管MOS5与电源之间还分别连接有场效应管MOS1和场效应管MOS4，所述的场效应管MOS1的源极、场效应管MOS4的源极分别与场效应管MOS2的漏极、场效应管MOS5的漏极相连，所述的场效应管MOS1的漏极和场效应管MOS4的漏极均连接在电源上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310501369.6A CN103532498A (zh) | 2013-10-23 | 2013-10-23 | 一种低失调的传感器检测电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310501369.6A CN103532498A (zh) | 2013-10-23 | 2013-10-23 | 一种低失调的传感器检测电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103532498A true CN103532498A (zh) | 2014-01-22 |
Family
ID=49934248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310501369.6A Pending CN103532498A (zh) | 2013-10-23 | 2013-10-23 | 一种低失调的传感器检测电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103532498A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1256757A (zh) * | 1998-02-19 | 2000-06-14 | 住友金属工业株式会社 | 电容检测系统及检测方法 |
| TWI235242B (en) * | 2000-01-13 | 2005-07-01 | Infineon Technologies Ag | Circuit-arrangement to measure capacitances of the structures in an integrated circuit |
| EP2104143A2 (fr) * | 2008-03-21 | 2009-09-23 | Commissariat A L'energie Atomique | Structure de test d'une capacité MOS et procédé de mésure d'une courbe de capacité en fonction de la tension associé |
| CN101742180A (zh) * | 2008-11-10 | 2010-06-16 | 康佳集团股份有限公司 | 在同一端口上实现双向声音传输的电路 |
| CN203522653U (zh) * | 2013-10-23 | 2014-04-02 | 成都市宏山科技有限公司 | 低失调传感器检测电路 |
-
2013
- 2013-10-23 CN CN201310501369.6A patent/CN103532498A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1256757A (zh) * | 1998-02-19 | 2000-06-14 | 住友金属工业株式会社 | 电容检测系统及检测方法 |
| TWI235242B (en) * | 2000-01-13 | 2005-07-01 | Infineon Technologies Ag | Circuit-arrangement to measure capacitances of the structures in an integrated circuit |
| EP2104143A2 (fr) * | 2008-03-21 | 2009-09-23 | Commissariat A L'energie Atomique | Structure de test d'une capacité MOS et procédé de mésure d'une courbe de capacité en fonction de la tension associé |
| CN101742180A (zh) * | 2008-11-10 | 2010-06-16 | 康佳集团股份有限公司 | 在同一端口上实现双向声音传输的电路 |
| CN203522653U (zh) * | 2013-10-23 | 2014-04-02 | 成都市宏山科技有限公司 | 低失调传感器检测电路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107741571B (zh) | 一种电池电压检测电路 | |
| CN103487662B (zh) | 电容检测电路 | |
| CN102830334B (zh) | 一种新型光伏并网逆变器绝缘检测电路及其检测方法 | |
| CN102981041A (zh) | 一种单体电池监控系统 | |
| CN208334493U (zh) | 一种用于电动汽车电池管理系统的电流采集电路 | |
| CN103163359B (zh) | 一种超级电容单体电压采样测量电路 | |
| CN103487630A (zh) | 高端采样电池电压电路 | |
| CN203535119U (zh) | 电容检测电路 | |
| CN203522653U (zh) | 低失调传感器检测电路 | |
| CN103383407A (zh) | 一种高共模抑制的电池组电压采样电路 | |
| CN202948026U (zh) | 差分式电容电压转换电路及加速度传感器检测系统 | |
| CN203519728U (zh) | 差分电容式传感器检测电路 | |
| CN102981021B (zh) | 差分式电容电压转换电路及加速度传感器检测系统 | |
| CN102749523B (zh) | 一种应用于光伏逆变系统的直流接地电阻检测电路 | |
| CN203465341U (zh) | 一种高共模抑制的电池组电压采样电路 | |
| CN103532498A (zh) | 一种低失调的传感器检测电路 | |
| CN202092805U (zh) | 一种力传感器的信号获取电路 | |
| CN207336607U (zh) | 一种直流充电桩的充电控制导引检测电路 | |
| CN102854367A (zh) | 一种用于检测太阳能电池组件电压的传感器 | |
| CN103513116A (zh) | 一种差分电容式传感器检测电路 | |
| CN203233395U (zh) | 一种用于电容式传感器的端口复用接口电路 | |
| CN203761351U (zh) | 方波信号提取电路 | |
| CN204789714U (zh) | 一种用于家用智能配电系统的电流检测系统 | |
| CN204705688U (zh) | 一种新型漏电检测系统 | |
| CN203590179U (zh) | 一种振荡器电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140122 |