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CN103928628A - 一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法和有机电致发光器件 - Google Patents

一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法和有机电致发光器件 Download PDF

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CN103928628A
CN103928628A CN201310010848.8A CN201310010848A CN103928628A CN 103928628 A CN103928628 A CN 103928628A CN 201310010848 A CN201310010848 A CN 201310010848A CN 103928628 A CN103928628 A CN 103928628A
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Abstract

本发明实施例公开了一种修饰氧化铟锡阳极，包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层，所述含氟偶极层的氟元素的质量百分含量为11~20%，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.004~0.017。含氟偶极层的存在使阳极表面功函得到了提高。另，本发明实施例还公开了该修饰氧化铟锡阳极的制备方法，以及使用上述修饰氧化铟锡阳极的有机电致发光器件。

Description

一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法和有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法和有机电致发光器件。
背景技术
目前，在有机半导体行业中，有机电致发光器件（OLED）具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
在有机电致发光器件的结构中，阳极作为器件结构的一个重要部分，承担着载流子注入和电路连接的作用，而同时载流子的注入又与电极同有机材料之间的界面势垒有关。阳极一般都是承担空穴注入的作用，通常采用的导电氧化物薄膜如氧化铟锡（ITO）等，其功函只有4.7eV，而采用的有机空穴传输材料，其HOMO能级通常在5.1V左右，这样导致空穴注入需要克服较大的势垒，从而导致空穴注入效率不高。提高ITO的功函，将大大有利于提高空穴的注入效率。目前一般通过降低ITO表面元素的Sn/In比或者提高表面氧原子的含量来实现提高功函的目的，此外，在阳极表面形成偶极层也能达到这一效果。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明旨在提供一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法，该方法通过将氧化铟锡阳极表面进行修饰处理，使氧化铟锡薄膜表面形成了含氟偶极层，提高了阳极表面功函，从而使该阳极在应用中可大大提高空穴的注入效率，提高器件发光效率。本发明还提供了包含上述修饰氧化铟锡阳极的有机电致发光器件。
第一方面，本发明提供了一种修饰氧化铟锡阳极，包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层，所述含氟偶极层的氟元素的质量百分含量为11~20%，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.004~0.017。
优选地，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。
第二方面，本发明提供了一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法，包括以下步骤：
所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜；
将所述氧化铟锡阳极浸入浓度为0.2~2mol/L的含氟有机酸水溶液中，于5~20℃下浸泡0.5~2分钟后，取出，干燥；
将干燥后的所述氧化铟锡阳极置于等离子体设备中，通入含氟气体，使等离子体设备内的气体压力为10Pa~60Pa，调整射频功率为40w~100w，进行等离子体处理5~10分钟，得到修饰氧化铟锡阳极，所述修饰氧化铟锡阳极的表面具有修饰层，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层。
所述含氟偶极层的氟元素的百分含量为11~20%，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.004~0.017。
所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜。采用如下方式制备：提供洁净的玻璃基板，采用磁控溅射法在所述玻璃基板上溅射制备氧化铟锡薄膜。
所述玻璃基板为市售普通玻璃。
优选地，所述玻璃基板的清洗操作具体为：依次采用洗洁精、去离子水、异丙醇和丙酮分别进行超声清洗20分钟，然后氮气吹干。
优选地，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。
将所述氧化铟锡阳极浸入浓度为0.2~2mol/L的含氟有机酸水溶液中，于5~20℃下浸泡0.5~2分钟后，取出，干燥。
优选地，所述含氟有机酸为二氟乙酸、三氟乙酸或2,2-二氟丙酸。
优选地，所述含氟有机酸水溶液的浓度为0.5~1mol/L。
所述干燥的具体方式不做特殊限制。优选地，所述干燥操作为：在50~80℃真空干燥12~24小时。
所述氧化铟锡阳极通过含氟有机酸的预处理后，其表面吸附有大量含氟功能基团，由于氟具有强吸电子能力，因此这些含氟功能基团将在氧化铟锡（ITO）表面与铟In形成部分In-F键，从而氧化铟锡（ITO）表面的部分Sn被F取代，但此时形成的In-F键不是很稳定，需做进一步处理。
将干燥后的所述氧化铟锡阳极置于等离子体设备中，通入含氟气体进行等离子体处理，得到修饰氧化铟锡阳极。该修饰氧化铟锡阳极的表面具有修饰层，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的In与F成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层。
优选地，所述含氟气体为四氟化碳或三氟化碳。
等离子体处理过程中，等离子体设备内的气体压力为10~60Pa，射频功率为40~100w，等离子体处理的时间为5~10分钟。
氧化铟锡阳极经含氟气体等离子体处理后，将使不稳定的In-F键变得更加稳定；同时，含氟气体中的氟也会与ITO表面的铟（In）形成In-F键，使ITO表面的锡（Sn）进一步被氟（F）取代；另外，经过含氟有机酸预处理后吸附在表面的未与ITO成键的含氟功能基团也将与In形成In-F键，从而进一步提高了ITO表面的In-F键比例，提高了阳极表面元素F的百分含量，减少了阳极表面的Sn/In元素含量比。这样一来，在阳极ITO表面将形成了一层以In-F形式存在的含氟偶极层，该含氟偶极层的氟元素的百分含量为11~20％，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.004~0.017，因此，相对于普通未修饰的ITO阳极，该含氟偶极层作为修饰层存在可提高ITO阳极表面功函，从而降低空穴注入需要克服的势垒，提高空穴注入效率。这是由于偶极层的存在将提高ITO表面的真空能级Evac，提高一个数值δ，这样使阳极的费米能级EF与真空能级Evac的差值ΔE相比原有的差值多了δ。根据功函的定义，功函是材料费米能级与真空能级的差值，这样就意味着功函提高了δ数值。即含氟偶极层的存在提高了阳极表面功函。
所述修饰氧化铟锡阳极应当进行妥善保存，保存环境为真空环境<10-3Pa或者保存在N2手套箱中。
第三方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括阳极、功能层、发光层和阴极，所述阳极为修饰氧化铟锡阳极，所述修饰氧化铟锡阳极包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层，所述含氟偶极层的氟元素的质量百分含量为11~20%，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.004~0.017。
优选地，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。
其中，所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。
当所述功能层为多层时，所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极按顺序依次设置在修饰氧化铟锡阳极的ITO薄膜表面。
所述空穴注入层的材质可以为酞菁锌(ZnPc)，酞菁铜（CuPc），酞菁氧钒(VOPc)，酞菁氧钛(TiOPc)，酞菁铂（PtPc）或4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)。空穴注入层的厚度为10~40nm。
所述空穴传输层的空穴传输材料可以为N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)；N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)；2,7-双（N,N-二（4-甲氧基苯基）氨基）-9,9-螺二芴（MeO-Sprio-TPD），N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，1，1-二(4-(N，N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC）或2，2'，7，7′-四（N,N-二苯胺基）-9，9′-螺二芴（S-TAD），空穴传输层的厚度为20~50nm。
所述发光层的材质为发光材料掺杂空穴传输材料或电子传输材料形成的混合材料。
所述发光材料可以为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB），2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,1GH]香豆素(C545T)，二（2-甲基-8-羟基喹啉）-（4-联苯酚）铝（BALQ），4-（二腈甲烯基）-2-异丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTI），二甲基喹吖啶酮（DMQA）、8-羟基喹啉铝（Alq3），5,6,11,12-四苯基萘并萘（Rubrene），4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯（DPVBi），双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic），双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6），双(4,6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酸合铱(FCNIrpic)，二(2′,4′-二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱（FIrN4），二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)），二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)2(acac)），乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)2(acac)），三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）或三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)中的一种或几种。发光层的厚度为10~20nm。
所述电子传输层的电子传输材料可以为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD），(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)，4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)，1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)，1,2,4-三唑衍生物（如TAZ）或双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)。电子传输层的厚度为30~60nm。
所述电子注入层的材质可以为LiF，CsF或NaF，厚度为1nm；
所述阴极可采用Ag，Al，Sm，Yb，Mg-Ag合金或Mg-Al合金，厚度为70~200nm。
上述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极均可采用真空蒸镀的方式依次制备在修饰氧化铟锡阳极上。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
（1）本发明提供的修饰氧化铟锡阳极的制备方法，通过将氧化铟锡阳极进行含氟有机酸预处理和含氟气体等离子体处理，减少了阳极表面的Sn/In元素含量比，同时使氧化铟锡阳极表面形成了修饰层，即以In-F的形式存在的含氟偶极层，从而提高了阳极表面功函；
（2）本发明提供的修饰氧化铟锡阳极的制备方法，工艺简单，成本低；
（3）本发明提供的修饰氧化铟锡阳极，可广泛应用于有机电致发光器件和有机太阳能电池中，提高器件的效率。
附图说明
图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构图；
图2是本发明实施例4提供的有机电致发光器件与现有有机电致发光器件的电流密度与电压的关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法，包括以下步骤：
（1）取玻璃基板，依次采用洗洁精、去离子水、异丙醇和丙酮分别进行超声清洗20分钟，然后氮气吹干；在玻璃基板上采用磁控溅射法制备厚度为100nm的氧化铟锡薄膜，得到氧化铟锡阳极；
（2）将所述氧化铟锡阳极浸入浓度为2mol/L的二氟乙酸水溶液中，于10℃下浸泡0.5分钟后，取出，50℃真空干燥12小时；
（3）将干燥后的氧化铟锡阳极置于等离子体设备中，通入四氟化碳（CF4）气体进行等离子体处理，得到修饰氧化铟锡阳极，修饰氧化铟锡阳极的表面具有修饰层，修饰层为氧化铟锡薄膜表面的In与F成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层。
等离子体处理过程中，等离子体设备内的气体压力为10Pa，射频功率为50w，等离子体处理的时间为6分钟。
本实施例制得的修饰氧化铟锡阳极，其表面修饰层为以In-F的形式存在的含氟偶极层，该偶极层将提高ITO表面的真空能级Evac，提高一个数值δ，这样使阳极的费米能级EF与真空能级Evac的差值ΔE相比原有的差值多了δ。根据功函的定义，功函是材料费米能级与真空能级的差值，这样就意味着功函提高了δ数值。未经修饰的氧化铟锡阳极的表面功函一般为4.7eV，本实施例制备得到的修饰氧化铟锡阳极的表面功函为5.7eV。
实施例2
一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法，包括以下步骤：
（1）取玻璃基板，依次采用洗洁精、去离子水、异丙醇和丙酮分别进行超声清洗20分钟，然后氮气吹干；在玻璃基板上采用磁控溅射法制备厚度为70nm的氧化铟锡薄膜，得到氧化铟锡阳极；
（2）将氧化铟锡阳极浸入浓度为0.2mol/L的三氟乙酸水溶液中，于20℃下浸泡2分钟后，取出，80℃真空干燥12小时；
（3）将干燥后的氧化铟锡阳极置于等离子体设备中，通入三氟化碳（CHF3）气体进行等离子体处理，得到修饰氧化铟锡阳极，修饰氧化铟锡阳极的表面具有修饰层，修饰层为氧化铟锡薄膜表面的In与F成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层。
等离子体处理过程中，等离子体设备内的气体压力为30Pa，射频功率为40w，等离子体处理的时间为10分钟。
本实施例制备得到的修饰氧化铟锡阳极的表面功函为5.8eV。
实施例3
一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法，包括以下步骤：
（1）取玻璃基板，依次采用洗洁精、去离子水、异丙醇和丙酮分别进行超声清洗20分钟，然后氮气吹干；在玻璃基板上采用磁控溅射法制备厚度为200nm的氧化铟锡薄膜，得到氧化铟锡阳极；
（2）将氧化铟锡阳极浸入浓度为1mol/L的2,2-二氟丙酸水溶液中，于5℃下浸泡1分钟后，取出，60℃真空干燥24小时；
（3）将干燥后的氧化铟锡阳极置于等离子体设备中，通入四氟化碳（CF4）气体进行等离子体处理，得到修饰氧化铟锡阳极，修饰氧化铟锡阳极的表面具有修饰层，修饰层为氧化铟锡薄膜表面的In与F成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层。
等离子体处理过程中，等离子体处理室内的气体压力为60Pa，射频功率为100w，等离子体处理的时间为5分钟。
本实施例制备得到的修饰氧化铟锡阳极的表面功函为5.9eV。
将本发明上述实施例1~3所得修饰氧化铟锡阳极以及未经修饰的普通氧化铟锡阳极进行表面元素分析，测试方法采用XPS（X射线光电子谱），仪器型号为ESCA2000（VG Microtech Inc.公司），测试条件为使用Al靶Kα射线源，射线能量为1486.6eV。分别测算ITO薄膜表面C元素的1s轨道，In元素的3d5/2轨道，Sn元素的3d5/2轨道O元素的1s轨道，F元素的1s轨道，测算出各元素百分含量，其检测结果如表1所示。
表1
从表1中可以看出，未经修饰的普通氧化铟锡阳极，其表面由C，O，In，Sn四种元素组成，经过本发明方法修饰处理后的修饰氧化铟锡阳极，表面多了F元素，说明经过修饰处理，F元素与In成键形成在ITO薄膜表面，从而在ITO薄膜表面形成了以In-F形式存在的含氟偶极层。从元素分析数据结果可以看出，本发明制备的修饰氧化铟锡阳极，其表面含氟偶极层的F元素的百分含量达到了11%以上，最高达到了19.46%。同时通过本发明的修饰处理，ITO表面的Sn/In比大幅降低，从0.188最低降到了0.004。说明F取代了部分Sn的键位，与In成键。
实施例4
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述阳极为本发明实施例1制备的修饰氧化铟锡阳极。
具体地，本实施例中，空穴注入层的材质为酞菁锌(ZnPc)，厚度为15nm；空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)，厚度为50nm；发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)掺杂8%质量分数的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)形成的混合材料，表示为Ir(ppy)3:TPBi（8%)，厚度为15nm；电子传输层的电子传输材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，厚度为50nm；电子注入层的材质为LiF，厚度为1nm；阴极为Ag，厚度为100nm。
本实施例有机电致发光器件的结构为：ITO阳极/修饰层/ZnPc(15nm)/TPD(50nm)/Ir(ppy)3:TPBi(8%,15nm)/TPBi(50nm)/LiF(1nm)/Ag(100nm)。
图1是本实施例的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发光器件的结构包括，修饰ITO阳极10，空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50、电子注入层60和阴极70。其中，修饰ITO阳极10包括ITO阳极101和修饰层102，所述修饰层102为以In-F的形式存在含氟偶极层。
与现有有机电致发光器件相比，本发明实施例有机电致发光器件由于采用了修饰氧化铟锡阳极，阳极表面功函提高了，空穴注入效率得到改善，从而使得器件的启动电压明显降低。现有有机电致发光器件的结构为：普通未修饰ITO阳极/ZnPc(15nm)/TPD(50nm)/Ir(ppy)3:TPBi(8%,15nm)/TPBi(50nm)/LiF(1nm)/Ag(100nm)。现有有机电致发光器件的启动电压为3.0eV，本实施例有机电致发光器件的启动电压为2.1eV。
图2是本实施例的有机电致发光器件与现有发光器件的电流密度与电压的关系图。其中，曲线1为本实施例有机电致发光器件的电流密度与电压的关系图；曲线2为现有有机电致发光器件的电流密度与电压的关系图。从图中可以看出，在相同的启动电压下，本实施例有机电致发光器件能获得更高的注入电流，从而使器件具有更高的发光效率。现有有机电致发光器件的发光效率为13.1lm/W，本实施例有机电致发光器件的发光效率为26.4lm/W。这是由于本实施例有机电致发光器件采用了修饰氧化铟锡阳极，提高了空穴的注入效率，因此能够获得更高的载流子注入效率，提高器件有机电致发光效率。
实施例5
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述阳极为本发明实施例2制备的修饰氧化铟锡阳极。所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极的材质与实施例4同。
本实施例有机电致发光器件的启动电压为2.1eV，发光效率为31.1lm/w。
实施例6
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述阳极为本发明实施例3制备的修饰氧化铟锡阳极。所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极的材质与实施例4同。
本实施例有机电致发光器件的启动电压为2.0eV，发光效率为35.2lm/w。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种修饰氧化铟锡阳极，包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，其特征在于，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层，所述含氟偶极层的氟元素的质量百分含量为11~20%，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.004~0.017。
2.如权利要求1所述的修饰氧化铟锡阳极，其特征在于，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。
3.一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供洁净的氧化铟锡阳极；所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜；
将所述氧化铟锡阳极浸入浓度为0.2~2mol/L的含氟有机酸水溶液中，于5~20℃下浸泡0.5~2分钟后，取出，干燥；
将干燥后的所述氧化铟锡阳极置于等离子体设备中，通入含氟气体，使等离子体设备内的气体压力为10Pa~60Pa，调整射频功率为40w~100w，进行等离子体处理5~10分钟，得到修饰氧化铟锡阳极，所述修饰氧化铟锡阳极的表面具有修饰层，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层。
4.如权利要求3所述的修饰氧化铟锡阳极的制备方法，其特征在于，所述含氟偶极层的氟元素的百分含量为11~20%，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.004~0.017。
5.如权利要求3所述的修饰氧化铟锡阳极的制备方法，其特征在于，所述含氟有机酸为二氟乙酸、三氟乙酸或2,2-二氟丙酸。
6.如权利要求3所述的修饰氧化铟锡阳极的制备方法，其特征在于，所述含氟气体为四氟化碳或三氟化碳。
7.如权利要求3所述的修饰氧化铟锡阳极的制备方法，其特征在于，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。
8.一种有机电致发光器件，包括阳极、功能层、发光层和阴极，其特征在于，所述阳极为修饰氧化铟锡阳极，所述修饰氧化铟锡阳极包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层，所述含氟偶极层的氟元素的质量百分含量为11~20%，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.004~0.017。
9.如权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019085045A1 (zh) * 2017-10-30 2019-05-09 武汉华星光电技术有限公司 一种oled阳极的制备方法及oled显示装置的制备方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106601924A (zh) * 2016-12-21 2017-04-26 浙江大学 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN111384271B (zh) * 2018-12-29 2021-05-28 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999039393A1 (en) * 1998-02-02 1999-08-05 International Business Machines Corporation Anode modification for organic light emitting diodes
US6208075B1 (en) * 1998-11-05 2001-03-27 Eastman Kodak Company Conductive fluorocarbon polymer and method of making same
CN1983664A (zh) * 2005-12-14 2007-06-20 中国科学院化学研究所 基于阳极修饰的有机发光二极管
CN101123299A (zh) * 2007-08-31 2008-02-13 吉林大学 一种蓝光顶发射有机电致发光器件
CN101179114A (zh) * 2007-12-10 2008-05-14 天津理工大学 一种柔性有机电致发光器件及其制备方法
CN102610725A (zh) * 2012-03-29 2012-07-25 华北电力大学 一种半导体量子点发光二极管及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100289649B1 (ko) * 1998-06-25 2001-05-02 박종섭 박막트랜지스터액정표시소자의제조방법
CN202308074U (zh) * 2011-09-08 2012-07-04 深圳市创益科技发展有限公司 一种有机太阳能电池

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999039393A1 (en) * 1998-02-02 1999-08-05 International Business Machines Corporation Anode modification for organic light emitting diodes
US6208075B1 (en) * 1998-11-05 2001-03-27 Eastman Kodak Company Conductive fluorocarbon polymer and method of making same
CN1983664A (zh) * 2005-12-14 2007-06-20 中国科学院化学研究所 基于阳极修饰的有机发光二极管
CN101123299A (zh) * 2007-08-31 2008-02-13 吉林大学 一种蓝光顶发射有机电致发光器件
CN101179114A (zh) * 2007-12-10 2008-05-14 天津理工大学 一种柔性有机电致发光器件及其制备方法
CN102610725A (zh) * 2012-03-29 2012-07-25 华北电力大学 一种半导体量子点发光二极管及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019085045A1 (zh) * 2017-10-30 2019-05-09 武汉华星光电技术有限公司 一种oled阳极的制备方法及oled显示装置的制备方法

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