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CN114424335B - 电子装置 - Google Patents

电子装置

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CN114424335B
CN114424335B CN202080066343.1A CN202080066343A CN114424335B CN 114424335 B CN114424335 B CN 114424335B CN 202080066343 A CN202080066343 A CN 202080066343A CN 114424335 B CN114424335 B CN 114424335B
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CN
China
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semiconductor device
heat dissipation
electronic device
case
resin mold
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宫地修平
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Denso Corp
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Abstract

本发明提供电子装置。一种电子装置(10)具备：半导体装置(100)，具备半导体元件(101)、与半导体元件电连接的导电部件(102、103)、以及密封上述半导体元件的树脂模型(105)；布线基板(110)，包含设置有上述半导体装置的布线部(112)和设置在上述布线部周围的抗蚀剂部(113)；散热部件(130)，与上述半导体装置的至少一个面接触；以及外壳(140)，经由上述散热部件与上述半导体装置接触，上述树脂模型和上述散热部件的热传导率高于上述抗蚀剂部的热传导率。

Description

电子装置
相关申请的交叉引用
本申请基于在2019年9月27日申请的日本申请号2019－176914号，在此引用其记载内容。
技术领域
本公开涉及包含半导体装置、布线基板以及外壳的电子装置，在半导体装置中，通过树脂模型密封半导体元件。
背景技术
如专利文献1那样，已知有包含半导体装置、布线基板以及外壳的电子装置，在半导体装置中，通过树脂模型密封半导体元件。在专利文献1的电子装置中，配置在布线基板上的半导体装置被热传导部件覆盖，外壳与散热部件的上表面(与布线基板对置的一侧的面)接触。
专利文献1：日本专利第6201966号公报
在专利文献1中，在半导体元件中产生的热量向外壳侧或布线基板侧散热。在外壳侧，经由覆盖半导体元件的树脂模型和散热部件散热，但向外壳侧的散热量不充分，而需要充分地确保向布线基板侧的散热量。
发明内容
鉴于上述，本公开的目的在于提供一种提高了向外壳侧的散热量的散热性较高的电子装置。
本公开所涉及的第一电子装置具备：半导体装置，具备半导体元件和密封上述半导体元件的树脂模型；布线基板，包含设置有上述半导体装置的布线部和设置在上述布线部周围的抗蚀剂部；散热部件，与上述半导体装置的至少一个面接触；以及外壳，经由上述散热部件与上述半导体装置接触，上述树脂模型和上述散热部件的热传导率高于上述抗蚀剂部的热传导率。
根据本公开所涉及的第一电子装置，由于树脂模型和散热部件的热传导率高于抗蚀剂部的热传导率，所以从半导体元件经由树脂模型、散热部件到外壳的散热路径上的热传导率高于从半导体元件经由抗蚀剂部到布线基板侧的散热路径上的热传导率。因此，能够提供提高了朝向外壳侧的散热量的散热性较高的电子装置。
本公开所涉及的第二电子装置具备：半导体装置，具备半导体元件、与半导体元件电连接的导电部件、以及密封上述半导体元件的树脂模型；布线基板，包含基体材料部、贯通上述基体材料部的贯通部、设置在上述贯通部的上表面并设置有上述半导体装置的布线部、以及设置在上述布线部周围的抗蚀剂部；散热部件，在上述贯通部的与上述布线部对置的一侧与上述布线基板接触；以及外壳，经由上述散热部件与上述半导体装置接触，上述贯通部和上述散热部件的热传导率高于上述抗蚀剂部的热传导率。
根据本公开所涉及的第二电子装置，由于贯通部和散热部件的热传导率高于抗蚀剂部的热传导率，所以从半导体元件经由贯通部和散热部件到外壳的散热路径上的热传导率高于从半导体元件经由抗蚀剂部到基体材料部的散热路径上的热传导率。因此，能够提供提高了朝向外壳侧的散热量的散热性较高的电子装置。
附图说明
通过参照附图进行下述的详细描述，有关本公开的上述目的以及其他目的、特征、优点变得更加明确。
图1是俯视第一实施方式所涉及的电子装置的俯视图。
图2是图1的II－II线剖视图。
图3是第二实施方式所涉及的电子装置的剖视图。
图4是第三实施方式所涉及的电子装置的剖视图。
图5是第四实施方式所涉及的电子装置的剖视图。
图6是变形例所涉及的电子装置的剖视图。
图7是变形例所涉及的电子装置的剖视图。
图8是第五实施方式所涉及的电子装置的剖视图。
图9是变形例所涉及的电子装置的剖视图。
图10是变形例所涉及的电子装置的剖视图。
具体实施方式
(第一实施方式)
如图1和图2所示，第一实施方式所涉及的电子装置10具备半导体装置100、布线基板110、散热部件130以及外壳140。如图1、图2所示的x轴方向以及y轴方向是电子装置10以及电子装置10所包含的半导体装置100等各结构的侧方(横向)。xy平面方向是电子装置10以及电子装置10所包含的半导体装置100等各结构的平面方向。z轴方向是与平面方向正交的上下方向。
半导体装置100具备半导体元件101、与半导体元件101的上表面接触的第一导电部件102、与半导体元件101的下表面接触的第二导电部件103、连接部件104以及密封半导体元件101的树脂模型105。
如图1所示，半导体装置100具有从俯视时的形状为大致长方形的树脂模型105在y方向上对置地各突出四个外部端子的外观。在半导体元件101形成有纵型的沟槽栅极型的功率MOSFET(Metal－Oxide－Semiconductor Field－Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。
半导体元件101的上表面侧的第一导电部件102与半导体元件101的源电极和外部端子电连接。下表面侧的第二导电部件103与半导体元件101的漏电极电连接，并且经由连接部件104与布线基板110电连接。第一导电部件102是与外部端子连接的夹子，但除了夹子以外，也可以使用引线接合、引线带等与外部端子连接。此外，作为半导体基板的材料，并不特别限定，但能够例示硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等。
布线基板110包含基体材料部111、设置有半导体装置100的布线部112、以及设置在布线部112的周围的抗蚀剂部113。在基体材料部111的上表面，设置有布线部112和抗蚀剂部113，形成有布线图案。与导电性的布线部112的上表面接触地设置有连接部件104，并在连接部件104的表面设置有第二导电部件103。连接部件104例如由焊接材料构成，半导体装置100经由连接部件104固定在布线部112的上表面。抗蚀剂部113例如由环氧树脂等抗蚀剂用树脂材料构成。
散热部件130是设置在布线基板110以及配置于布线基板110的半导体装置100与外壳140之间的凝胶状的绝缘性材料。散热部件130在平面部134与半导体装置100的上表面100a接触，在侧面部133与半导体装置100的侧面100b接触。侧面部133的下端到达布线基板110的上表面。散热部件130的高度高于半导体装置100的高度，覆盖半导体装置100的上表面100a、整个侧面以及下表面的一部分，并且覆盖连接部件104的侧面以及布线基板110的上表面的一部分。应予说明，所谓的半导体装置100的高度是上表面100a与和上表面100a对置的下表面100c的距离，是上表面100a相对于下表面的高度。另外，所谓的散热部件130的高度是平面部134的上表面131与侧面部133的下端面的距离，是上表面131相对于侧面部133的下端面的高度。
外壳140经由散热部件130与半导体装置100接触。外壳140以铝等金属为材料而形成。外壳140具备平面部141和侧面部142。侧面部142从平面部141向下方(布线基板侧)突出，侧面部142的高度高于半导体装置100的上表面100a相对于下表面的高度。平面部141设置在与半导体装置100的上表面100a对置的位置。侧面部142设置在与和半导体装置100的上表面100a以及下表面不平行的侧面100b对置的位置。平面部141与散热部件130的平面部134的上表面131接触，侧面部142与散热部件130的侧面部133的外侧面(图2所示的x轴的负方向的面)接触。侧面部133延伸到侧面部142的下表面侧，侧面部142经由侧面部133与布线基板110的上表面(更具体而言，为抗蚀剂部113的上表面)接触。
树脂模型105由向环氧树脂等树脂材料混合了用于提高散热性的填料等的高散热树脂材料构成。散热部件130由向树脂材料、硅材料等混合了用于提高散热性的填料等的凝胶状的高散热材料构成。作为用于高散热树脂材料、凝胶状高散热材料的填料，例如选定氧化铝等热传导率较高的复合氧化物材料。通过调整填料的种类、填充率，能够调整树脂模型105和散热部件130的热传导率。选定高散热树脂材料、凝胶状高散热材料，以使得树脂模型105和散热部件130的热传导率高于抗蚀剂部113的热传导率。若将树脂模型105的热传导率设为km、将散热部件130的热传导率设为kg、将抗蚀剂部113的热传导率设为kr，则在本实施方式中，kr≤1W/(m·K)，相对于此km＞1W/(m·K)，kg≥3W/(m·K)。此外，铝制的外壳140的热传导率为100～300W/(m·K)左右，相对于km、kg、kr明显较高。
如上所述，根据第一实施方式所涉及的电子装置10，kr≤1W/(m·K)，km＞1W/(m·K)，kg≥3W/(m·K)，树脂模型105以及散热部件130的热传导率高于抗蚀剂部113的热传导率。因此，从半导体元件101经由树脂模型105、散热部件130到外壳140的散热路径上的热传导率高于从半导体元件101经由抗蚀剂部113到布线基板110侧的散热路径上的热传导率。因此，能够提供提高了朝向外壳140侧的散热量的散热性较高的电子装置10。
此外，在第一实施方式中，例示出kr≤1W/(m·K)，相对于此km＞1W/(m·K)，kg≥3W/(m·K)的情况进行了说明，但并不限定于此。例如，也可以为kr≤1W/(m·K)，相对于此km≥3W/(m·K)并且kg＞1W/(m·K)。或者，也可以为kr≤1W/(m·K)，相对于此km≥3W/(m·K)并且kg≥3W/(m·K)。另外，也可以为kr≤1W/(m·K)，相对于此km＞1W/(m·K)并且kg＞1W/(m·K)。为了提高朝向外壳侧的散热量，得到散热性较高的电子装置，km＞kr并且kg＞kr即可，优选km和kg中的至少任意一方为kr的3倍以上。即，优选满足km≥3kr和kg≥3kr中的一方或双方。
另外，外壳140经由散热部件130与半导体装置100接触。更具体而言，外壳140在与半导体装置100的上表面100a对置的平面部141经由散热部件130的平面部134与半导体装置100的上表面100a接触。因此，从半导体装置100的上表面100a经由热传导率比抗蚀剂部113高的散热部件130的平面部134向外壳140的平面部141有效地散热。
另外，外壳140在与半导体装置100的侧面100b对置的侧面部142经由散热部件130的侧面部133与半导体装置100的侧面100b接触。因此，从半导体装置100的侧面100b经由热传导率比抗蚀剂部113高的散热部件130的侧面部133向外壳140的侧面部142有效地散热。由于除了经由平面部141和平面部134的散热路径以外，还具备经由侧面部142以及侧面部133的散热路径，所以能够进一步提高朝向外壳140侧的散热量。
另外，由于具备侧面部142，从而能够在横向(更具体而言，x方向)上限制散热部件130的位置，也能够获得抑制散热部件130的横向的位置偏移的效果。
另外，散热部件130的侧面部133也设置在外壳140的侧面部142与布线基板110之间。因此，即使在半导体装置100的接近布线基板110侧的区域，也能够改善朝向外壳140侧的散热路径上的热传导率，能够有助于电子装置10的散热性的提高。
(第二实施方式)
在以下的各实施方式中，对于与已经说明的实施方式不同的事项进行说明。如图3所示，第二实施方式所涉及的电子装置20具备半导体装置200、布线基板110、散热部件230以及外壳240。由于布线基板110以及半导体装置200中的半导体元件101、第一导电部件102、第二导电部件103、连接部件104与第一实施方式相同，所以省略说明。各结构的材料与第一实施方式相同。
半导体装置200具备树脂模型205来代替树脂模型105。在树脂模型205的上表面的一部分形成有凹部206。此外，凹部206也可以通过激光印刷等来形成。
散热部件230具备侧面部233、235以及嵌入部236。散热部件230不设置在除了凹部206以外的成为半导体装置200的上表面的位置。嵌入部236嵌入至树脂模型205的凹部206。
外壳240具备平面部241以及侧面部242、243。侧面部242、243在x轴方向上对置，以从x轴的正方向以及负方向夹持半导体装置200和散热部件230的方式延伸。散热部件230的外侧面232与侧面部242接触。侧面部243侧的散热部件230的外侧面也同样地与侧面部243接触。
外壳240的平面部241与半导体装置200的上表面，即，树脂模型205的上表面接触。平面部241与侧面部233、235的上端面以及嵌入部236的上表面接触。侧面部233、235分别延伸到侧面部242、243的下表面侧。外壳240的侧面部242、243分别经由散热部件230的侧面部233、235与半导体装置200的侧面以及布线基板110的一部分接触。
如上所述，根据第二实施方式，由于外壳240的平面部241与树脂模型205的上表面的一部分直接接触，所以能够经由树脂模型205进一步促进从半导体装置200的上表面向外壳240的平面部241的散热。
另外，外壳240具备在x轴方向上对置的侧面部242、243，散热部件230具备在x轴方向上对置的侧面部233、235。除了从半导体装置200的x轴负方向的侧面经由散热部件230的侧面部233到外壳240的侧面部242的散热路径以外，半导体装置200也通过从半导体装置200的x轴正方向的侧面经由散热部件230的侧面部235到外壳240的侧面部243的散热路径散热。因此，能够进一步提高朝向外壳240侧的散热量。另外，通过在x轴方向上对置的侧面部242、243更加适当地限制散热部件230的位置，能够抑制位置偏移。此外，外壳的侧面部除了如侧面部242、243那样在x轴方向上对置的侧面部，也可以在y轴方向上包含一个或两个侧面部，也可以构成为包围半导体装置200以及散热部件230的外侧面侧的一系列的侧面部。
另外，根据第二实施方式所涉及的电子装置20，与第一实施方式相同，树脂模型205和散热部件230的热传导率高于抗蚀剂部113的热传导率。因此，能够使从半导体元件101经由树脂模型205、散热部件230到外壳240的散热路径上的热传导率高于从半导体元件101经由抗蚀剂部113到布线基板侧的散热路径上的热传导率。因此，能够提供提高了朝向外壳240侧的散热量的散热性较高的电子装置20。
(第三实施方式)
如图4所示，第三实施方式所涉及的电子装置30具备半导体装置300、布线基板110、散热部件330以及外壳340。由于布线基板110以及半导体装置300中的半导体元件101、第一导电部件102、第二导电部件103、连接部件104与第一实施方式相同，所以省略说明。各结构的材料与第一实施方式相同。
半导体装置300具备树脂模型305来代替树脂模型105。在树脂模型305的上表面的一部分形成有到达第一导电部件102的上表面的凹部306。第一导电部件102的上表面的一部分从树脂模型305露出。
散热部件330具备平面部334、侧面部333、335以及嵌入部336。平面部334为与第一实施方式所涉及的平面部134相同的厚度，在平面部334的下表面的一部分，嵌入部336向下方突出。嵌入部336嵌入到树脂模型305的凹部306，并与半导体装置300的第一导电部件102的上表面接触。由于侧面部333、335的结构与第二实施方式所涉及的侧面部233、235相同，所以省略说明。
外壳340具备平面部341以及侧面部342、343。由于外壳340的结构与第二实施方式所涉及的外壳240相同，所以省略说明。散热部件330的上表面331与外壳340的平面部341接触，外侧面332与侧面部342接触。侧面部343侧的外侧面也同样地与侧面部343接触。外壳340的平面部341经由散热部件330的平面部334与半导体装置300的上表面接触。外壳340的侧面部342、343分别经由散热部件330的侧面部333、335与半导体装置300的侧面以及布线基板110的一部分接触。
如上所述，根据第三实施方式，半导体装置300的第一导电部件102从树脂模型305露出。而且，散热部件230的嵌入部336与半导体装置300的第一导电部件102的上表面接触。由于第一导电部件102的材料是金属制的电极材料，且热传导率高于树脂模型305，所以能够经由第一导电部件102向散热部件330侧高效地对半导体装置300散热，进而能够提高向外壳340侧的散热量。
另外，根据第三实施方式所涉及的电子装置30，与第一实施方式同样地，树脂模型305和散热部件330的热传导率高于抗蚀剂部113。因此，能够使从半导体元件101经由树脂模型305、散热部件330到外壳340的散热路径上的热传导率高于从半导体元件101经由抗蚀剂部113到布线基板侧的散热路径上的热传导率。因此，能够提供提高了朝向外壳340侧的散热量的散热性较高的电子装置30。
另外，根据第三实施方式所涉及的电子装置30，与第二实施方式同样地，外壳340具备侧面部342、343，散热部件330具备侧面部333、335。由于半导体装置300从x轴方向的正方向和负方向双方散热，所以能够进一步提高朝向外壳340侧的散热量。另外，从x轴方向的正方向和负方向双方更加适当地限制散热部件330的位置，能够限制位置偏移。
(第四实施方式)
如图5所示，第四实施方式所涉及的电子装置40具备半导体装置400、布线基板110、散热部件430以及外壳440。由于布线基板110以及半导体装置400中的半导体元件101、第一导电部件102、第二导电部件103、连接部件104与第一实施方式相同，所以省略说明。各结构的材料与第一实施方式相同。
半导体装置400具备树脂模型405来代替树脂模型105。在树脂模型405的上表面的一部分形成有凹部406，半导体装置400的第一导电部件102贯通树脂模型405的凹部406，从树脂模型405的上表面突出。在半导体装置400中，树脂模型405的上表面位于比第一导电部件102的上表面高的位置。
散热部件430具备平面部434、侧面部433、435以及凹部436。平面部434为与第一实施方式所涉及的平面部134相同的厚度，在平面部434的下表面的一部分，凹部436向上方凹陷而变薄。半导体装置400的第一导电部件102的上部嵌入到凹部436并接触。
外壳440具备平面部441以及侧面部442、443。侧面部442、443在x轴方向上对置，并以从x轴的正方向和负方向夹住半导体装置400和散热部件430的方式延伸。侧面部442、443的下端面延伸到与布线基板110的上表面接触。散热部件430的侧面部433、435不延伸到外壳440的侧面部442、443的下表面侧。
散热部件430的上表面431与外壳440的平面部441接触，外侧面432与侧面部442接触。侧面部443侧的外侧面也同样地与侧面部443接触。外壳440的平面部441经由散热部件430的平面部434与半导体装置400的上表面接触。外壳440的侧面部442、443分别经由散热部件430的侧面部433、435与半导体装置400的侧面接触，并与布线基板110的一部分直接接触。
如上所述，根据第四实施方式，半导体装置400的第一导电部件102从树脂模型405突出。而且，外壳440的平面部441经由相对较薄的散热部件430的凹部436与半导体装置400的第一导电部件102的上表面接触。由于第一导电部件102的材料是金属制的电极材料，且热传导率高于树脂模型405，所以能够经由第一导电部件102向散热部件430侧高效地对半导体装置400散热。另外，由于凹部436相对较薄，从半导体装置400的上表面向外壳440的平面部441的散热路径变短，所以能够进一步促进向外壳440侧的散热。
此外，在半导体装置400中，优选第一导电部件102的上表面通过绝缘镀层等而被绝缘。通过使第一导电部件102的上表面绝缘，能够使散热部件430的凹部436更薄。
另外，侧面部442、443的从外壳440的平面部441突出的高度(更具体而言，从平面部441的下表面到侧面部442、443的下端面的高度)比半导体装置400的上表面相对于下表面的高度高。而且，外壳440构成为直接接触到布线基板110上。因此，能够提供向抗蚀剂部113侧的散热也能够散热到外壳440侧，向外壳440侧的散热量进一步提高的散热性较高的电子装置40。
(变形例)
在上述的各实施方式中，例示出仅具备一个半导体装置的电子装置来进行说明，但并不限定于此。电子装置所具备的半导体装置的个数可以如图6所示为两个，也可以为三个以上。另外，例示出具备仅包含一个半导体元件的半导体装置来进行说明，但并不限定于此。通过树脂模型一体化的一个半导体装置所包含的半导体元件的个数可以如图7所示为两个，也可以为三个以上。
在图6所示的电子装置50中，在布线基板510，在x方向上排列配置有两个具有相同的结构的两个半导体装置100。在布线基板510，设置有分别配置两个半导体装置100的两个布线部512，并在布线部512的周围设置有抗蚀剂部513。
散热部件530具备平面部534、侧面部533、535以及中间部537。平面部534遍及两个半导体装置100的上表面来设置。侧面部533、535以及中间部537从平面部534向下方延伸到布线基板510的表面，并与布线基板510的表面接触。中间部537被填充在两个半导体装置100之间。
外壳540具备平面部541以及侧面部542、543。侧面部542、543在x轴方向上对置，并以从x轴的正方向和负方向夹住两个半导体装置100以及散热部件530的方式延伸。
散热部件530的上表面531与外壳540的平面部541接触。外侧面532与侧面部542接触。侧面部543侧的散热部件530的外侧面也相同地与侧面部543接触。外壳540的平面部541经由散热部件530的平面部534与两个半导体装置100的上表面接触。侧面部533、535分别延伸到侧面部542、543的下表面侧。外壳540的侧面部542经由散热部件530的侧面部533与配置在图的左侧(x轴的负方向侧)的半导体装置100的左侧面以及布线基板110的一部分接触。外壳540的侧面部543经由散热部件530的侧面部535与配置在图的右侧(x轴的正方向侧)的半导体装置100的右侧面以及布线基板110的一部分接触。中间部537与配置在图的左侧的半导体装置100的右侧面和配置在右侧的半导体装置100的左侧面接触。
图7所示的电子装置60与图6所示的电子装置50不同之处在于：在布线基板610上，具备将与半导体装置100中的结构相同的半导体元件101、第一导电部件102、第二导电部件103、连接部件104作为一组，并在x方向上排列配置两组这样的组，并通过一个树脂模型605一体化的半导体装置600。
散热部件630具备平面部634以及侧面部633、635。平面部534遍及两个半导体装置100的上表面来设置。由于电子装置60中的其他结构与图6所示的电子装置50等同，所以通过将图6中的500号段的参照编号替换为600号段，而省略说明。
(第五实施方式)
在上述的各实施方式中，例示出外壳设置在相对于半导体装置与布线基板对置的位置的情况来进行说明，但如图8等所示，外壳也可以设置在相对于半导体装置与布线基板相同侧的位置。例如，也可以在相对于布线基板与半导体装置对置的位置设置外壳。
第五实施方式所涉及的电子装置70具备半导体装置100、布线基板710、散热部件750以及外壳740。半导体装置100由于与第一实施方式相同，所以省略说明。各结构的材料与第一实施方式相同。
布线基板710具备基体材料部711、布线部712、抗蚀剂部713以及贯通部714。贯通部714在上下方向贯通基体材料部711。布线部712设置在成为贯通部714的上表面的位置，并与贯通部714接触。作为贯通部714的材料，能够适当地使用热传导率高于基体材料部711和抗蚀剂部713的材料。在本实施方式中，贯通部714使用与布线部712相同的导电性的材料(例如，包含铜、铝的金属材料或复合金属材料)。
散热部件750与布线基板710的下表面接触。散热部件750设置在至少与贯通部714的下表面接触的位置。即，散热部件750在与半导体装置100以及布线部712对置的一侧与布线基板710接触。散热部件750与第一实施方式相同地，由混合有用于提高散热性的填料等的绝缘性的凝胶状高散热材料构成。若将树脂模型105的热传导率设为km、将散热部件750的热传导率设为kg、将抗蚀剂部713的热传导率设为kr，则在本实施方式中，kr≤1W/(m·K)，相对于此km＞1W/(m·K)，kg≥3W/(m·K)。此外，贯通部714和布线部712的热传导率为100～400W/(m·K)左右，相对于kr、kg明显较高。
外壳740设置在与散热部件750的下表面接触的位置。外壳740为与半导体装置100的下表面以及布线基板710的下表面大致平行的平板状。外壳740经由散热部件750、贯通部714、布线部712与半导体装置100的下表面接触。此外，铝制的外壳140的热传导率为100～300W/(m·K)作为，相对于kg、kr明显较高。
如上所述，根据第五实施方式所涉及的电子装置70，半导体装置100经由在半导体装置100的下方(z轴的负方向)依次配置的布线部712、贯通部714、散热部件750向外壳740侧散热。在该散热路径上，由于经由热传导率与外壳740同等程度高的布线部712和贯通部714、以及热传导率高于抗蚀剂部713的散热部件750向外壳740散热，所以与从半导体元件101经由抗蚀剂部713到布线基板710的基体材料部711侧的散热路径相比，热传导率升高。因此，能够提供提高了向外壳740侧的散热量的散热性较高的电子装置70。此外，在电子装置70中，由于与第一实施方式相同地将高散热树脂材料使用于树脂模型105，所以经由树脂模型105的半导体装置100的散热也得到促进。
(变形例)
如图9所示的电子装置80那样，贯通部814也可以相对于布线部812增大。通过在平面方向(x方向或y方向)增大贯通部814，从而散热路径的导热面积增大，所以能够更高效地散热。由于电子装置80中的其他结构与图8所示的电子装置70等同，所以通过将图8中的700号段的参照编号替换为800号段，来省略说明。
在图8、图9中，例示出具备仅包含一个半导体元件的半导体装置来进行说明，但并不限定于此。通过树脂模型一体化的一个半导体装置所包含的半导体元件的个数既可以如图10所示为两个，也可以为三个以上。另外，电子装置所具备的半导体装置的个数也可以为两个以上。
在图10所示的电子装置90中，在布线基板910上，具备将与半导体装置100中的结构相同的半导体元件101、第一导电部件102、第二导电部件103、连接部件104设为一组，并在x方向上排列配置两组这样的组，并通过一个树脂模型905一体化的半导体装置900。在布线基板910，设置有分别配置两组半导体元件等的两个布线部912、以及分别与两个布线部912的下表面接触的两个贯通部914。在布线部912的周围设置有抗蚀剂部913。由于电子装置90的其他结构与图8所示的电子装置70等同，所以通过将图8中的700号段的参照编号替换为900号段，来省略说明。
根据上述的各实施方式，能够得到下述的效果。
第一电子装置10、20、30、40、50、60分别具备半导体装置(例如，半导体装置100)、布线基板(例如，布线基板110)、散热部件(例如，散热部件130)以及外壳(例如，外壳140)。半导体装置100具备半导体元件101、与半导体元件101电连接的导电部件(第一导电部件102)、以及密封半导体元件101的树脂模型105。布线基板110包含基体材料部111、设置有半导体装置100的布线部112以及设置在布线部112的周围的抗蚀剂部113。散热部件130与半导体装置100的至少一个面接触。外壳140经由散热部件130与半导体装置100接触。树脂模型105的热传导率km和散热部件130的热传导率kg高于抗蚀剂部113的热传导率kr(km＞kr且kg＞kr)。
根据第一电子装置，由于树脂模型105和散热部件130的热传导率高于抗蚀剂部113的热传导率，所以从半导体元件101经由树脂模型105、散热部件130到外壳140的散热路径上的热传导率高于从半导体元件101经由抗蚀剂部113到布线基板110侧的散热路径上的热传导率。因此，能够提供提高了向外壳140侧的散热量的散热性较高的电子装置。
如第一电子装置20那样，树脂模型205的至少一部分也可以与外壳240接触。通过从树脂模型205直接向外壳240散热，来促进半导体装置200的散热。
如第一电子装置10、20、30、40、50、60那样，外壳也可以包含设置在与半导体装置的上表面或者下表面对置的位置的平面部、以及设置在与第一面不平行的侧面中的至少一个侧面对置的位置的侧面部。通过侧面部，从半导体装置向外壳的散热路径扩大，进一步促进散热。另外，通过侧面部，能够抑制散热部件的位置偏移。
如第一电子装置40那样，优选侧面部的从外壳的平面部突出的高度高于半导体装置的上表面相对于下表面的高度，且更为优选侧面部的下端面与布线基板接触。能够提供向抗蚀剂部侧的散热也能够向外壳侧散热，向外壳侧的散热量进一步提高的散热性较高的电子装置。
如第一电子装置10、20、30、50、60那样，散热部件也可以设置在外壳的侧面部与布线基板之间。即使在半导体装置的接近布线基板侧的区域，也能够改善向外壳侧的散热路径上的热传导率，能够有助于电子装置的散热性的提高。
如第一电子装置30、40那样，导电部件的至少一部分也可以从树脂模型露出。由于导电部件的材料是金属制的电极材料，且热传导率高于树脂模型，所以能够经由导电部件向散热部件侧高效地对半导体装置散热，进而，能够提高向外壳侧的散热量。进一步，优选导电部件的从树脂模型露出的面通过绝缘镀层而绝缘。能够使存在于导电部件的露出的面与外壳之间的散热部件变薄，能够有助于电子装置的散热性的提高。
另外，如第二电子装置70、80、90那样，具备：半导体装置100；布线基板710、810、910，包含基体材料部711、811、911、贯通基体材料部的贯通部714、814、914、设置于贯通部的上表面且设置有半导体装置100的布线部712、812、912、以及设置在布线部周围的抗蚀剂部713、813、913；散热部件750、850、950，在贯通部的与布线部对置的一侧与布线基板接触；以及外壳740、840、940，经由散热部件与上述半导体装置接触，在该电子装置中，通过使贯通部和散热部件的热传导率高于抗蚀剂部的热传导率，能够提高电子装置的散热性。具体而言，从半导体元件经由贯通部和散热部件到外壳的散热路径上的热传导率高于从半导体元件经由抗蚀剂部到基体材料部的散热路径上的热传导率。因此，能够提供提高了向外壳侧的散热量的散热性较高的电子装置。
本公开依据实施例进行了描述，但应理解为本公开并不限定于本实施例、构造。本公开也包含各种变形例、等同范围内的变形。此外，各种组合、形态、进一步仅包含他们中一个要素、一个以上或一个以下的其他组合、方式也纳入到本公开的范畴、思想范围。

Claims (7)

1.一种电子装置，具备：
半导体装置，具备半导体元件、第一导电部件、第二导电部件、以及密封上述半导体元件的树脂模型，其中，上述第一导电部件与上述半导体元件的上表面接触并与上述半导体元件电连接，上述第二导电部件与半导体元件的下表面接触并与上述半导体元件电连接；
布线基板，包含设置有上述半导体装置的布线部和设置在上述布线部周围的抗蚀剂部；
散热部件，与上述半导体装置的至少一个面接触；以及
外壳，经由上述散热部件与上述半导体装置接触，
上述树脂模型与上述半导体元件的侧面以及至少一部分的上述上表面、上述第一导电部件的侧面、至少一部分的上述第一导电部件的上表面、以及上述第二导电部件的侧面和一部分的上述第二导电部件的上表面接触，
上述树脂模型和上述散热部件的热传导率高于上述抗蚀剂部的热传导率。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
上述树脂模型的至少一部分与上述外壳接触。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
上述外壳包含：平面部，设置在与上述半导体装置的上表面或下表面对置的位置；和侧面部，设置在与和上述上表面以及下表面不平行的侧面中的至少一个侧面对置的位置。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中，
上述侧面部的从上述外壳的上述平面部突出的高度高于上述半导体装置的上表面相对于下表面的高度。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
上述散热部件设置在上述外壳的侧面部与上述布线基板之间。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的电子装置，其中，
上述导电部件的至少一部分从上述树脂模型露出。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其中，
上述导电部件的从上述树脂模型露出的面通过绝缘镀层而绝缘。
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