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CN116368956A - 有机电致发光器件 - Google Patents

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CN116368956A
CN116368956A CN202180063466.4A CN202180063466A CN116368956A CN 116368956 A CN116368956 A CN 116368956A CN 202180063466 A CN202180063466 A CN 202180063466A CN 116368956 A CN116368956 A CN 116368956A
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CN
China
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dabna
bne
rbne
substituents
optionally substituted
Prior art date
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Pending
Application number
CN202180063466.4A
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English (en)
Inventor
H·沙里菲德萨里
G·李派斯
D·A·德萨佩雷拉
J·L·卡巴罗
D·乔利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件包括一个或更多个发光层B，一个或更多个发光层B中的每个由一个或更多个子层构成，一个或更多个子层作为整体包括以下组分：一个或更多个激发能量转移组分EET‑1；一个或更多个空穴清除剂Hscav；以及一个或更多个小半峰全宽(FWHM)发射体SB，发射具有小于或等于0.25eV的FWHM的光。此外，本发明涉及一种用于借助于根据本发明的有机电致发光器件来产生光的方法。

Description

有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及包括一个或更多个发光层B的有机电致发光器件，一个或更多个发光层B中的每个由一个或更多个子层构成，其中，每个发光层B的一个或更多个子层作为整体包括：一个或更多个激发能量转移组分EET-1；一个或更多个空穴清除剂Hscav；一个或更多个小半峰全宽(FWHM)发射体SB，发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的光；以及可选地一个或更多个主体材料HB。此外，本发明涉及一种用于借助于根据本发明的有机电致发光器件来产生光的方法。
背景技术
包含一个或更多个基于有机物的发光层的有机电致发光器件(诸如以有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池(LEC)和发光晶体管为例)赢得了越来越多的重要性。具体地，OLED是用于电子产品(诸如以屏幕、显示器和照明装置为例)的有前途的器件。与基本上基于无机物的大多数电致发光器件相反，基于有机物的有机电致发光器件通常相当柔性并且可制造为特别薄的层。目前已经可获得的OLED类屏幕和显示器具有良好的效率和长寿命或者良好的色纯度和长寿命，但是没有组合全部三种性质(即，良好的效率、长寿命和良好的色纯度)。
OLED的色纯度或颜色点典型地由CIEx和CIEy坐标提供，而用于下一代显示器的色域由所谓的BT-2020和DCPI3值提供。典型地，为了实现这些色坐标，需要顶部发射器件以通过改变腔来调节色坐标。为了在以这些色域为目标的同时在顶部发射器件中实现高效率，需要底部发射器件中的窄发射光谱。
现有技术的磷光发射体表现出相当宽的发射且典型地大于0.25eV的发射光谱的半峰全宽(FWHM)，相当宽的发射以磷光类OLED(PHOLED)的宽发射来反映。底部发射器件中的PHOLED的宽发射光谱在以BT-2020和DCPI3色域为目标的同时导致针对顶部发射器件结构的外耦合效率的高损失。
另外，磷光材料典型地基于例如铱的过渡金属，由于过渡金属典型的低丰度，过渡金属在OLED堆叠体内是相当昂贵的材料。因此，过渡金属类材料具有用于降低OLED成本的最大潜力。因此，OLED堆叠体内的过渡金属的含量的降低是用于OLED应用定价的关键性能指标。
最近，已经开发了显示相当窄的发射光谱的一些荧光或热激活延迟荧光(TADF)发射体，其表现出典型地小于或等于0.25eV的发射光谱的FWHM，并且因此更适合于实现BT-2020和DCPI3色域。然而，这种荧光和TADF发射体典型地由于在较高的亮度下降低的效率(即，OLED的滚降行为)而具有低效率以及由于例如激子-极化子湮灭或激子-激子湮灭而引起的低寿命。
这些缺点可以通过应用所谓的超方法在一定程度上克服。后者依赖于使用将能量转移到优选地显示如上所述的窄发射光谱的荧光发射体的能量泵。能量泵可以是例如显示反向系间窜越(RISC)的TADF材料或者显示有效系间窜越(ISC)的过渡金属配合物。然而，这些方法仍然没有提供结合全部上述期望特征(即：良好的效率、长寿命和良好的色纯度)的有机电致发光器件。
用于产生光的有机电致发光器件的中心元件典型地是放置在阳极与阴极之间的至少一个发光层。当电压(和电流)被施加到有机电致发光器件时，空穴和电子分别从阳极和阴极注入。空穴传输层典型地位于发光层与阳极之间，并且电子传输层典型地位于发光层与阴极之间。顺序地设置不同层。然后通过空穴和电子在发光层中的复合产生高能量的激子。这种激发态(例如，诸如S1的单重态和/或诸如T1的三重态)到基态(S0)的衰减期望地导致光的发射。
发明内容
令人惊讶的是，已经发现，由一个或更多个(子)层组成且作为整体包括一个或更多个激发能量转移组分EET-1、一个或更多个空穴清除剂Hscav、发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的光的一个或更多个小半峰全宽(FWHM)发射体SB以及可选地一个或更多个主体材料HB的有机电致发光器件的发光层提供了理想地适合于实现BT-2020和DCPI3色域的具有长寿命、高量子产率并且表现出窄发射的有机电致发光器件。
在此，EET-1和也在一些实施例中的Hscav可以将激发能量转移到发射光的一个或更多个小半峰全宽(FWHM)发射体SB。
本发明涉及一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件包括一个或更多个发光层B，每个发光层B由一个或更多个子层构成，其中，一个或更多个子层彼此相邻并且作为整体包括：
(i)一个或更多个激发能量转移组分EET-1，均具有具备能量EHOMO(EET-1)的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)和具备能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)；和
(ii)一个或更多个空穴清除剂Hscav，均具有具备能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)和具备能量ELUMO(Hscav)的最低未占分子轨道LUMO(Hscav)；和
(iii)一个或更多个小半峰全宽(FWHM)发射体SB，均具有具备能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)和具备能量ELUMO(SB)的最低未占分子轨道LUMO(SB)，其中，每个SB发射具有小于或等于0.25eV的FWHM的光；以及可选地
(iv)一个或更多个主体材料HB，均具有具备能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)和具备能量ELUMO(HB)的最低未占分子轨道LUMO(HB)，
其中，位于每个发光层B的外表面处的一个或更多个子层包含选自于由EET-1、Hscav和小FWHM发射体SB组成的组中的至少一个材料，并且
其中，只要各组分包括在同一发光层B中，由下面的式(1)至式(6)表示的关系就适用：
ELUMO(EET-1) < ELUMO(HB) (1)
ELUMO(EET-1) < ELUMO(Hscav) (2)
ELUMO(EET-1) < ELUMO(SB) (3)
EHOMO(Hscav) ≥ EHOMO(HB) (4)
EHOMO(Hscav) ≥ EHOMO(EET-1) (5)
EHOMO(Hscav) ≥ EHOMO(SB) (6)。
换句话说，由式(2)、式(3)、式(5)和式(6)表示的关系适用于包括在同一发光层B中的材料；并且
如果所述发光层B包括一个或更多个主体材料HB，则由式(1)至式(6)表示的关系适用于包括在同一发光层B中的材料。
具体实施方式
将注意的是，在整个此上下文中，将参考根据本发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B内的组分的激发态的能量、轨道、发射最大值之间的关系等。理解的是，包括两个特定组分的能量的关系将仅适用于包括这两个特定组分两者的发光层B。另外，关系适用于根据本发明的器件的事实并不意味着发明的全部器件必须包括在所述关系中提到的全部组分。具体地，发光层B仅可选地包括一个或更多个主体材料HB，但是仍然参考表示涉及HB的激发态(S1、T1)或轨道(HOMO、LUMO)能量的关系的公式。将理解的是，这样的公式(以及它们所表达的关系)将仅适用于包括至少一个主体材料HB的发光层B。另一方面，事实是诸如该大体上的说明的关系适用于本发明的全部实施例。
式(1)至式(6)可以具有下述含义：
式(1)：优选地，在包括一个或更多个主体材料HB的每个发光层B中，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)的能量ELUMO(EET-1)低于至少一个(优选地每个)主体材料HB的最低未占分子轨道LUMO(HB)的能量ELUMO(HB)。
式(2)：优选地，在每个发光层B中，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)的能量ELUMO(EET-1)低于至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低未占分子轨道LUMO(Hscav)的能量ELUMO(Hscav)。
式(3)：优选地，在每个发光层B中，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)的能量ELUMO(EET-1)低于至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的最低未占分子轨道LUMO(SB)的能量ELUMO(SB)。
式(4)：优选地，在包括一个或更多个主体材料HB的每个发光层B中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)的能量EHOMO(Hscav)等于或高于至少一个(优选地每个)主体材料HB的最高占据分子轨道HOMO(HB)的能量EHOMO(HB)。
式(5)：优选地，在每个发光层B中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)的能量EHOMO(Hscav)等于或高于至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)的能量EHOMO(EET-1)。
式(6)：优选地，在每个发光层B中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)的能量EHOMO(Hscav)等于或高于至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的最高占据分子轨道HOMO(SB)的能量EHOMO(SB)。
发明人已经发现，如果一个或更多个发光层B中的每个内的材料优选地选择为使得满足由上述式(1)至式(6)给出的要求(只要相应的组分包括在同一发光层B中)，则可以特别实现上述对器件性能的令人惊讶的有益效果。假设关于包括在根据本发明的发光层B中的一个或更多个激发能量转移组分EET-1、一个或更多个空穴清除剂Hscav、一个或更多个小FWHM发射体SB以及可选地一个或更多个主体材料HB的HOMO能量和LUMO能量的要求可以部分地由于它们对复合区(即，其中由电子-空穴复合产生激子的区域)的影响而对器件性能提供有益的效果，这在本文后面的子章节中更详细地描述。
此外，根据本发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B中的每个内的材料优选地选择为使得至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1以及也在某些实施例中的至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav将激发能量转移到至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB，该发射体SB随后发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的光。这也在本文后面的子章节中更详细地阐述。
满足上述(优选的)要求可以导致理想地适合于实现BT-2020和DCPI3色域的具有长寿命、高量子产率并且表现出窄发射的有机电致发光器件。
在优选的实施例中，至少一个(优选地每个)发光层B包括一个或更多个主体材料HB。
在发明的一个实施例中，有机电致发光器件包括由恰好一个(子)层构成的发光层B，该恰好一个(子)层包括：
(i)一个或更多个激发能量转移组分EET-1；和
(ii)一个或更多个空穴清除剂Hscav；和
(iii)一个或更多个小FWHM发射体SB；以及
(iv)一个或更多个主体材料HB。
在发明的一个实施例中，有机电致发光器件包括恰好一个发光层B，并且该发光层B由恰好一个(子)层构成，该恰好一个(子)层包括：
(i)一个或更多个激发能量转移组分EET-1；和
(ii)一个或更多个空穴清除剂Hscav；和
(iii)一个或更多个小FWHM发射体SB；以及
(iv)一个或更多个主体材料HB。
子层的组合
在发明的优选实施例中，根据发明的电致发光器件包括由恰好一个(子)层组成的至少一个发光层B。在发明的甚至更优选的实施例中，包括在根据发明的电致发光器件中的每个发光层B由恰好一个(子)层组成。在发明的甚至还更优选的实施例中，根据发明的电致发光器件包括恰好一个发光层B，并且该发光层B由恰好一个(子)层组成。
在发明的另一实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B。在发明的另一实施例中，包括在根据发明的电致发光器件中的每个发光层B包括大于一个子层。在发明的另一实施例中，根据发明的电致发光器件包括恰好一个发光层B，并且该发光层B由大于一个子层构成。
在发明的另一实施例中，根据发明的电致发光器件包括由恰好两个子层构成的至少一个发光层B。在发明的另一实施例中，包括在根据发明的电致发光器件中的每个发光层B由恰好两个子层构成。在发明的另一实施例中，根据发明的电致发光器件包括恰好一个发光层B，并且该发光层B由恰好两个子层构成。
在发明的另一实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于两个子层构成的至少一个发光层B。在发明的另一实施例中，包括在根据发明的电致发光器件中的每个发光层B由大于两个子层构成。在发明的另一实施例中，根据发明的电致发光器件包括恰好一个发光层B，并且该发光层B由大于两个子层构成。
在发明的一个实施例中，根据发明的有机电致发光器件的每个发光层B包括恰好一个、恰好两个或恰好三个子层。
理解的是，发光层B的不同子层不必都包括相同的材料，或者甚至以相同的比例包括相同的材料。
理解的是，发光层B的不同子层彼此相邻。
在发明的一个实施例中，至少一个子层包括恰好一个激发能量转移组分EET-1和恰好一个空穴清除剂Hscav。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层不包括激发能量转移组分EET-1。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层不包括空穴清除剂Hscav。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层不包括小FWHM发射体SB。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括小FWHM发射体SB和激发能量转移组分EET-1。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括小FWHM发射体SB和空穴清除剂Hscav。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括激发能量转移组分EET-1和空穴清除剂Hscav。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中：
(i)至少一个子层包括小FWHM发射体SB和激发能量转移组分EET-1；并且
(ii)至少一个子层包括小FWHM发射体SB和空穴清除剂Hscav。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中：
(i)至少一个子层包括激发能量转移组分EET-1；
(ii)至少一个子层包括小FWHM发射体SB；并且
(iii)至少一个子层包括空穴清除剂Hscav，
其中，优选地，包括小FWHM发射体SB的子层位于包括EET-1的子层与包括Hscav的子层之间。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括包含至少一个子层的至少一个发光层B，至少一个子层包括至少一个激发能量转移组分EET-1、至少一个空穴清除剂Hscav和至少一个小FWHM发射体SB以及可选地至少一个主体材料HB。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中：
(i)至少两个子层包括激发能量转移组分EET-1和空穴清除剂Hscav；并且
(ii)至少一个子层包括小FWHM发射体SB，
其中，优选地，包括小FWHM发射体SB的子层位于包括EET-1和Hscav的两个子层之间。
可选地，在发光层B中可以包括(即，堆叠)更高数量的(例如3个、4个、5个、6个、7个、8个、9个、10个、11个、12个或大于12个)子层。优选地，EET-1与SB之间以及也在某些实施例中的Hscav与SB之间的空间距离保持较短，以实现足够的能量转移。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，
(i)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB、一个或更多个激发能量转移组分EET-1以及一个或更多个小FWHM发射体SB；并且
(ii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB、一个或更多个空穴清除剂Hscav以及一个或更多个小FWHM发射体SB。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，
(i)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB、恰好一个激发能量转移组分EET-1以及恰好一个小FWHM发射体SB；并且
(ii)至少一个子层包括至少一个主体材料HB、恰好一个空穴清除剂Hscav和恰好一个小FWHM发射体SB。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，
(i)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB、一个或更多个激发能量转移组分EET-1以及一个或更多个小FWHM发射体SB，但不包括空穴清除剂Hscav；并且
(ii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB、一个或更多个空穴清除剂Hscav以及一个或更多个小FWHM发射体SB，但不包括激发能量转移组分EET-1。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，
(i)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB、恰好一个激发能量转移组分EET-1以及恰好一个小FWHM发射体SB，但不包括空穴清除剂Hscav；并且
(ii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB、恰好一个空穴清除剂Hscav以及恰好一个小FWHM发射体SB，但不包括激发能量转移组分EET-1。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，
(i)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及一个或更多个激发能量转移组分EET-1；并且
(ii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及一个或更多个小FWHM发射体SB；并且
(iii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及一个或更多个空穴清除剂Hscav。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，
(i)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及恰好一个激发能量转移组分EET-1；并且
(ii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及恰好一个小FWHM发射体SB；并且
(iii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及恰好一个空穴清除剂Hscav。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，
(i)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及一个或更多个激发能量转移组分EET-1，但不包括空穴清除剂Hscav且不包括小FWHM发射体SB；并且
(ii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及一个或更多个小FWHM发射体SB，但不包括激发能量转移组分EET-1且不包括空穴清除剂Hscav；并且
(iii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及一个或更多个空穴清除剂Hscav，但不包括激发能量转移组分EET-1且不包括小FWHM发射体SB。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，
(i)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及恰好一个激发能量转移组分EET-1，但不包括空穴清除剂Hscav且不包括小FWHM发射体SB；并且
(ii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及恰好一个小FWHM发射体SB，但不包括激发能量转移组分EET-1且不包括空穴清除剂Hscav；并且
(iii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及恰好一个空穴清除剂Hscav，但不包括激发能量转移组分EET-1且不包括小FWHM发射体SB。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，
(i)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB、一个或更多个激发能量转移组分EET-1以及一个或更多个空穴清除剂Hscav；并且
(ii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及一个或更多个小FWHM发射体SB。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，
(i)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB、恰好一个激发能量转移组分EET-1以及恰好一个空穴清除剂Hscav；并且
(ii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及恰好一个小FWHM发射体SB。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，
(i)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB、一个或更多个激发能量转移组分EET-1以及一个或更多个空穴清除剂Hscav，但不包括小FWHM发射体SB；并且
(ii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及一个或更多个小FWHM发射体SB，但不包括激发能量转移组分EET-1且不包括空穴清除剂Hscav。
在一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，
(i)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB、恰好一个激发能量转移组分EET-1以及恰好一个空穴清除剂Hscav，但不包括小FWHM发射体SB；并且
(ii)至少一个子层包括一个或更多个主体材料HB以及恰好一个小FWHM发射体SB，但不包括激发能量转移组分EET-1且不包括空穴清除剂Hscav。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括至少一个主体材料HB、恰好一个激发能量转移组分EET-1、恰好一个空穴清除剂Hscav和恰好一个小FWHM发射体SB。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个主体材料HB、恰好一个激发能量转移组分EET-1、恰好一个空穴清除剂Hscav和恰好一个小FWHM发射体SB。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个主体材料HB、恰好一个空穴清除剂Hscav和恰好一个小FWHM发射体SB。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个主体材料HB。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个激发能量转移组分EET-1。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个空穴清除剂Hscav。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个小FWHM发射体SB。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个主体材料HB和恰好一个激发能量转移组分EET-1。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个主体材料HB和恰好一个空穴清除剂Hscav。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个主体材料HB和恰好一个小FWHM发射体SB。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个激发能量转移组分EET-1和恰好一个小FWHM发射体SB。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个激发能量转移组分EET-1和恰好一个空穴清除剂Hscav。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个空穴清除剂Hscav和恰好一个小FWHM发射体SB。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个主体材料HB、恰好一个激发能量转移组分EET-1和恰好一个小FWHM发射体SB。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个主体材料HB、恰好一个激发能量转移组分EET-1和恰好一个空穴清除剂Hscav。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个主体材料HB、恰好一个空穴清除剂Hscav和恰好一个小FWHM发射体SB。
在发明的一个实施例中，根据发明的有机电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个空穴清除剂Hscav、恰好一个激发能量转移组分EET-1和恰好一个小FWHM发射体SB。
在发明的优选实施例中，根据发明的有机电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，至少一个子层包括恰好一个主体材料HB、恰好一个激发能量转移组分EET-1、恰好一个空穴清除剂Hscav和恰好一个小FWHM发射体SB。
在发明的一个实施例中，子层包括恰好一个激发能量转移组分EET-1，并且另一子层包括恰好一个空穴清除剂Hscav和恰好一个小FWHM发射体SB。在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括至少一个发光层B，至少一个发光层B包括三个或大于三个子层(B1、B2、B3、……)(或者由三个或大于三个子层(B1、B2、B3、……)组成)，其中，第一子层B1包括恰好一个激发能量转移组分EET-1，第二子层B2包括恰好一个空穴清除剂Hscav，第三子层B3包括恰好一个小FWHM发射体SB。理解的是，发光层B的子层可以以不同的顺序(例如，B1-B2-B3、B1-B3-B2、B2-B1-B3、B2-B3-B1、B3-B2-B1、B3-B1-B2)制造，且一个或更多个不同的子层在它们之间。优选的是，子层B1、B2和B3彼此(直接)相邻，换句话说，彼此(直接)接触。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括至少一个发光层B，至少一个发光层B包括两个或大于两个子层(B1、B2、……)(或者由两个或大于两个子层(B1、B2、……)组成)，其中，第一子层B1包括恰好一个激发能量转移组分EET-1和恰好一个空穴清除剂Hscav，第二子层B2包括恰好一个小FWHM发射体SB。理解的是，发光层B的子层可以以不同的顺序(例如，B2-B1或B1-B2)制造，且一个或更多个不同的子层在它们之间。优选的是，子层B1和B2彼此(直接)相邻，换句话说，彼此(直接)接触。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括至少一个发光层B，至少一个发光层B包括两个或大于两个子层(B1、B2、……)(或者由两个或大于两个子层(B1、B2、……)组成)，其中，第一子层B1包括恰好一个激发能量转移组分EET-1，并且第二子层B2包括恰好一个空穴清除剂Hscav和恰好一个小FWHM发射体SB。理解的是，发光层B的子层可以以不同的顺序(例如，B2-B1或B1-B2)制造，且一个或更多个不同的子层在它们之间。优选的是，子层B1和B2彼此(直接)相邻，换句话说，彼此(直接)接触。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括至少一个发光层B，至少一个发光层B包括两个或大于两个子层(B1、B2、……)(或者由两个或大于两个子层(B1、B2、……)组成)，其中，第一子层B1包括恰好一个空穴清除剂Hscav，并且第二子层B2包括恰好一个激发能量转移组分EET-1和恰好一个小FWHM发射体SB。理解的是，发光层B的子层可以以不同的顺序(例如，B2-B1或B1-B2)制造，且一个或更多个不同的子层在它们之间。优选的是，子层B1和B2彼此(直接)相邻，换句话说，彼此(直接)接触。
在发明的一个实施例中，根据发明的电致发光器件包括至少一个发光层B，至少一个发光层B包括两个或大于两个子层(B1、B2、……)(或者由两个或大于两个子层(B1、B2、……)组成)，其中，第一子层B1包括恰好一个小FWHM发射体SB，并且第二子层B2包括恰好一个激发能量转移组分EET-1和恰好一个空穴清除剂Hscav。理解的是，发光层B的子层可以以不同的顺序(例如，B2-B1或B1-B2)制造，且一个或更多个不同的子层在它们之间。优选的是，子层B1和B2彼此(直接)相邻，换句话说，彼此(直接)接触。
在发明的优选实施例中，当发光层B包括大于一个子层时，最靠近阳极的子层包括至少一个激发能量转移组分EET-1，并且最靠近阴极的子层包括至少一个空穴清除剂Hscav。
理解的是，根据发明的有机电致发光器件还可以可选地包括不满足在本发明的上下文中对发光层B给出的要求的一个或更多个发光层。换句话说：根据本发明的有机电致发光器件包括如在此限定的至少一个发光层B，并且可以可选地包括一个或更多个附加发光层，这里给出的对于发光层B的要求不必适用于一个或更多个附加发光层。在发明的一个实施例中，包括在根据发明的有机电致发光器件中的至少一个但不是全部发光层是如在发明的特定实施例内限定的发光层B。
在发明的优选实施例中，包括在根据发明的有机电致发光器件中的每个发光层是如在本发明的特定实施例内限定的发光层B。
(多个)发光层(EML)B的组成
以下，当更详细地描述根据本发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B的组成时，在一些情况下以百分比的形式参考某些材料的含量。将注意的是，除非针对特定实施例另有说明，否则全部百分比都是指重量百分比，其具有与重量百分比或重量％((重量/重量)，(w/w)，wt％)相同的含义。理解的是，当例如说明一个或更多个小FWHM发射体SB在特定组合物中的含量为示例性1％时，这将意味着一个或更多个小FWHM发射体SB的总重量(即，全部SB分子组合的总重量)为1重量％，即，占相应的发光层B的总重量的1％。理解的是，每当通过以重量％计提供其组分的优选含量来指定发光层B的组成时，全部组分的总含量相加达100重量％(即，相应的发光层B的总重量)。
(可选地包括的)一个或更多个主体材料HB、一个或更多个激发能量转移组分EET-1、一个或更多个空穴清除剂Hscav以及一个或更多个小FWHM发射体SB可以以任何量和任何比例包括在根据本发明的有机电致发光器件中。
在发明的优选实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，根据重量，至少一个子层中的每个包括比一个或更多个小FWHM发射体SB多的一个或更多个主体材料HB(更具体地：HP和/或HN和/或HBP)。
在发明的优选实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，根据重量，至少一个子层中的每个包括比一个或更多个空穴清除剂Hscav多的一个或更多个主体材料HB(更具体地：HP和/或HN和/或HBP)。
在发明的优选实施例中，根据发明的电致发光器件包括由一个或大于一个子层构成的至少一个发光层B，其中，根据重量，至少一个子层中的每个包括比一个或更多个激发能量转移组分EET-1多的一个或更多个主体材料HB(更具体地：HP和/或HN和/或HBP)。
在发明的优选实施例中，根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层B中的每个根据重量包括比一个或更多个小FWHM发射体SB多的一个或更多个激发能量转移组分EET-1。
在发明的优选实施例中，根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层B中的每个根据重量包括比一个或更多个空穴清除剂Hscav多的一个或更多个激发能量转移组分EET-1。
在一个实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，(由一个(子)层组成或包括大于一个子层的)至少一个(优选地每个)发光层B作为整体包括以下组分或由以下组分组成：
(i)12重量％至60重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1；和
(ii)0.1重量％至30重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav；和
(iii)0.1重量％至10重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB；和
(iv)30重量％至87.8重量％的一个或更多个主体材料HB；以及可选地(v)0重量％至57.8重量％的一个或更多个溶剂。
在一个实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，(由一个(子)层组成或包括大于一个子层的)至少一个(优选地每个)发光层B作为整体包括以下组分或由以下组分组成：
(i)12重量％至60重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1；和
(ii)0.1重量％至30重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav；和
(iii)0.1重量％至10重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB；和
(iv)30重量％至87.8重量％的一个或更多个主体材料HB；以及可选地(v)0重量％至3重量％的一个或更多个溶剂。
在优选的实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，(由一个(子)层组成或包括大于一个子层的)至少一个(优选地每个)发光层B作为整体包括以下组分或由以下组分组成：
(i)15重量％至50重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1；和
(ii)0.1重量％至15重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav；和
(iii)0.1重量％至5重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB；和
(iv)30重量％至84.8重量％的一个或更多个主体材料HB；以及可选地(v)0重量％至54.8重量％的一个或更多个溶剂。
在优选的实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，(由一个(子)层组成或包括大于一个子层的)至少一个(优选地每个)发光层B作为整体包括以下组分或由以下组分组成：
(i)15重量％至50重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1；和
(ii)0.1重量％至15重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav；和
(iii)0.1重量％至5重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB；和
(iv)30重量％至84.8重量％的一个或更多个主体材料HB；以及可选地(v)0重量％至3重量％的一个或更多个溶剂。
在甚至更优选的实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，(由一个(子)层组成或包括大于一个子层的)至少一个(优选地每个)发光层B作为整体包括以下组分或由以下组分组成：
(i)20重量％至50重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1；和
(ii)0.1重量％至10重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav；和
(iii)0.1重量％至3重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB；和
(iv)40重量％至79.8重量％的一个或更多个主体材料HB；以及可选地(v)0重量％至39.8重量％的一个或更多个溶剂。
在甚至更优选的实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，(由一个(子)层组成或包括大于一个子层的)至少一个(优选地每个)发光层B作为整体包括以下组分或由以下组分组成：
(i)20重量％至50重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1；和
(ii)0.1重量％至10重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav；和
(iii)0.1重量％至3重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB；和
(iv)40重量％至79.8重量％的一个或更多个主体材料HB；以及可选地(v)0重量％至3重量％的一个或更多个溶剂。
在甚至还更优选的实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，(由一个(子)层组成或包括大于一个子层的)至少一个(优选地每个)发光层B作为整体包括以下组分或由以下组分组成：
(i)20重量％至45重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1；和
(ii)0.1重量％至5重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav；和
(iii)0.1重量％至3重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB；和
(iv)40重量％至79.8重量％的一个或更多个主体材料HB；以及可选地(v)0重量％至39.8重量％的一个或更多个溶剂。
在甚至还更优选的实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，(由一个(子)层组成或包括大于一个子层的)至少一个(优选地每个)发光层B作为整体包括以下组分或由以下组分组成：
(i)20重量％至45重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1；和
(ii)0.1重量％至5重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav；和
(iii)0.1重量％至3重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB；和
(iv)40重量％至79.8重量％的一个或更多个主体材料HB；以及可选地(v)0重量％至3重量％的一个或更多个溶剂。
在特别优选的实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，(由一个(子)层组成或包括大于一个子层的)至少一个(优选地每个)发光层B作为整体包括以下组分或由以下组分组成：
(i)20重量％至45重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1；和
(ii)0.1重量％至3重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav；和
(iii)0.1重量％至3重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB；和
(iv)40重量％至79.8重量％的一个或更多个主体材料HB；以及可选地(v)0重量％至39.8重量％的一个或更多个溶剂。
在特别优选的实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，(由一个(子)层组成或包括大于一个子层的)至少一个(优选地每个)发光层B作为整体包括以下组分或由以下组分组成：
(i)20重量％至45重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1；和
(ii)0.1重量％至3重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav；和
(iii)0.1重量％至3重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB；和
(iv)40重量％至79.8重量％的一个或更多个主体材料HB；以及可选地(v)0重量％至3重量％的一个或更多个溶剂。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)发光层B包括相对于发光层B的总重量小于或等于5重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav(意味着相应的发光层B中的Hscav的总含量等于或小于5重量％)。
在发明的甚至更优选的实施例中，至少一个(优选地每个)发光层B包括相对于发光层B的总重量小于或等于3重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav(意味着相应的发光层B中的Hscav的总含量等于或小于3重量％)。
在发明的一个实施例中，至少一个(优选地每个)发光层B包括相对于发光层B的总重量小于或等于1重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav(意味着相应的发光层B中的Hscav的总含量等于或小于1重量％)。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)发光层B包括相对于发光层B的总重量小于或等于5重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB(意味着相应的发光层B中的SB的总含量等于或小于5重量％)。
在发明的甚至更优选的实施例中，至少一个(优选地每个)发光层B包括相对于发光层B的总重量小于或等于3重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB(意味着相应的发光层B中的SB的总含量等于或小于3重量％)。
在发明的一个实施例中，至少一个(优选地每个)发光层B包括相对于发光层B的总重量小于或等于1重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB(意味着相应的发光层B中的SB的总含量等于或小于1重量％)。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)发光层B包括相对于发光层B的总重量15重量％至50重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1(意味着相应的发光层B中的EET-1的总含量在15重量％至50重量％的范围内)。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)发光层B包括相对于发光层B的总重量20重量％至50重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1(意味着相应的发光层B中的EET-1的总含量在20重量％至50重量％的范围内)。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)发光层B包括相对于发光层B的总重量20重量％至45重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1(意味着相应的发光层B中的EET-1的总含量在20重量％至45重量％的范围内)。
如前所述，理解的是，发光层B的不同子层不必都包括相同的材料或者甚至以相同比例包括相同的材料。还理解的是，可选地包括在根据本发明的有机电致发光器件中的不同发光层B不必都包括相同的材料或者甚至以相同比例包括相同的材料。
(多个)空穴清除剂Hscav
只要本发明的上下文中的空穴清除剂Hscav满足由上述式(4)、式(5)和式(6)表示的基本要求，本发明的上下文中的空穴清除剂Hscav就可以具有任何化学结构。也就是说，包括在与相应的空穴清除剂Hscav相同的发光层B中的物质EET-1、SB和HB中没有一个具有比相应的空穴清除剂Hscav的HOMO能量EHOMO(Hscav)高的HOMO能量。因此，所谓的空穴清除剂Hscav可以起到可以被称为空穴陷阱的作用并且吸引(多个)发光层B内的正电荷。
本领域技术人员知道，复合区(RZ，即，其中通过电子-空穴复合产生激子的区域，参见下文)通常与有机电致发光器件的(多个)发光层内的电子与空穴之间的电荷平衡相关。如本领域技术人员还已知的并且如将在后面的子章节中更详细地阐述的，加宽的和/或更均匀地分布的复合区可以通过减少每分子的激子应力而导致延长的器件寿命。不受该理论的束缚，假设在一个或更多个发光层B中的每个中一个或更多个空穴清除剂Hscav(具体地，与具有低能量LUMO的一个或更多个激发能量转移组分EET-1一起)的存在可以通过影响复合区而有助于观察到的对器件性能的有益效果。这将在本文后面的子章节中更详细地解释。
在根据本发明的有机电致发光器件中，每个空穴清除剂Hscav可以例如独立于可选的一个或更多个又一空穴清除剂Hscav，又一空穴清除剂Hscav选自于由以下组成的组：
-激发能量转移组分EET-2；
-荧光发射体F；
-主体材料hostscav，
其中，这些物质如在此所描述的来定义(参见下文)，并且其中，这不暗指仅所提及的物质可以充当本发明的器件中的空穴清除剂Hscav。
因此，在一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav独立地选自于由以下组成的组：
-激发能量转移组分EET-2；
-荧光发射体F；
-主体材料hostscav，
其中，这些物质如在此所描述的来定义(参见下文)。
理解的是，表述“这些物质如在此所描述的来定义”是说与所提及的物质(在这种情况下是EET-2、F和hostscav)相关的全部定义和实施例也可以涉及相应的空穴清除剂Hscav，前提条件是所述Hscav组成这种物质。还理解的是，沿着相同的思路，涉及空穴清除剂Hscav的每个实施例通常也适用于物质EET-2、F和hostscav，前提条件是它们用作空穴清除剂Hscav。
在一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav独立地选自于由以下组成的组：
-激发能量转移组分EET-2；
-荧光发射体F；
其中，这些物质如在此所描述的来定义(参见下文)。
在一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav独立地选自于由以下组成的组：
-激发能量转移组分EET-2；
-主体材料hostscav，
其中，这些物质如在此所描述的来定义(参见下文)。
在一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav独立地选自于由以下组成的组：
-荧光发射体F；
-主体材料hostscav，
其中，这些物质如在此所描述的来定义(参见下文)。
在优选的实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav是如在此所定义的激发能量转移组分EET-2(参见下文)。
在一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav是如在此所定义的荧光发射体F(参见下文)。
在一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav是如在此所定义的主体材料hostscav(参见下文)。
在每个发光层B内的优选的实施例中，一个或更多个空穴清除剂Hscav中的全部是如在此所定义的全部激发能量转移组分EET-2或如在此所定义的全部荧光发射体F或如在此所定义的全部主体材料Hscav。
在优选的实施例中，每个发光层B包括恰好一个空穴清除剂Hscav，空穴清除剂Hscav对于一个或更多个发光层B中的每个独立地选自于由以下组成的组：
-激发能量转移组分EET-2；
-荧光发射体F；
-主体材料hostscav，
其中，这些物质如在此所描述的来定义(参见下文)。
在优选的实施例中，每个发光层B包括恰好一个空穴清除剂Hscav，空穴清除剂Hscav对于一个或更多个发光层B中的每个独立地选自于由以下组成的组：
-激发能量转移组分EET-2；
-荧光发射体F，
其中，这些物质如在此所描述的来定义(参见下文)。
在优选的实施例中，每个发光层B包括恰好一个空穴清除剂Hscav，空穴清除剂Hscav对于一个或更多个发光层B中的每个独立地选自于由以下组成的组：
-激发能量转移组分EET-2；
-主体材料hostscav，
其中，这些物质如在此所描述的来定义(参见下文)。
在优选的实施例中，每个发光层B包括恰好一个空穴清除剂Hscav，空穴清除剂Hscav对于一个或更多个发光层B中的每个独立地选自于由以下组成的组：
-荧光发射体F；
-主体材料hostscav，
其中，这些物质如在此所描述的来定义(参见下文)。
在发明的优选实施例中，每个发光层B包括恰好一个空穴清除剂Hscav，并且该Hscav是如在此所定义的激发能量转移组分EET-2。
在发明的优选实施例中，每个发光层B包括恰好一个空穴清除剂Hscav，并且该Hscav是如在此所定义的荧光发射体F。
在发明的优选实施例中，每个发光层B包括恰好一个空穴清除剂Hscav，并且该Hscav是如在此所定义的主体材料hostscav。
(多个)激发能量转移组分EET-2将在以下子章节“激发能量转移组分EET-1和EET-2”中详细描述。
在本发明的上下文中，荧光发射体F是能够在电子激发时(例如，在有机电致发光器件中)在室温(即，(近似)20℃)下发射光的任何材料，其中，发射激发态是单重态(典型地最低激发单重态S1)。荧光光谱通常可以在室温(即，(近似)20℃)下通过在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的浓度的相应的发射体的相应的发射体(假设的荧光发射体F)的旋涂膜来记录。
当初始电子激发(例如，通过电子空穴复合)提供发射体的激发单重态时，荧光发射体典型地在纳秒的时间尺度上显示即时(即，直接)荧光。如将在本文后面的子章节中阐述的，荧光发射体(例如，荧光发射体F)可以或可以不附加地表现出热激活延迟荧光(TADF)。
在本发明的上下文中选择作为荧光发射体F的材料是基于本领域技术人员的公知常识并且在不付出创造性的情况下容易地实现的。以下子章节“(多个)小FWHM发射体SB”提供了针对荧光材料的设计的详细准则，所述荧光材料可以用作荧光发射体F并且可以具有由小于或等于0.25eV(≤0.25eV)的半峰全宽(FWHM)表示的有利的窄发射。也就是说，事实上，可以用作本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的任何材料(参见下文)也可以用作荧光发射体F，并且因此用作本发明的上下文中的空穴清除剂Hscav，当然前提条件是其满足由上述式(4)、式(5)和式(6)的关系给出的基本要求。
因此，在优选的实施例中，包括在发光层B中的至少一个(优选地每个)荧光发射体F是如在此所定义的小FWHM发射体SB(参见下文)。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F发射具有在400nm至470nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的荧光发射体F)测量的。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F发射具有在500nm至560nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的荧光发射体F)测量的。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F发射具有在610nm至665nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的荧光发射体F)测量的。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F发射具有在400nm至470nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的荧光发射体F测量的。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F发射具有在500nm至560nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的荧光发射体F测量的。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F发射具有在610nm至665nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的荧光发射体F测量的。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F表现出等于或高于50％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的荧光发射体F)测量的。
在发明的优选实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F表现出等于或高于60％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的荧光发射体F)测量的。
在发明的甚至更优选的实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F表现出等于或高于70％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的荧光发射体F)测量的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F表现出等于或高于80％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的荧光发射体F)测量的。
在发明的特别优选的实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F表现出等于或高于90％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的荧光发射体F)测量的。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F表现出等于或高于50％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的荧光发射体F测量的。
在发明的优选实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F表现出等于或高于60％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的荧光发射体F测量的。
在发明的甚至更优选的实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F表现出等于或高于70％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的荧光发射体F测量的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F表现出等于或高于80％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的荧光发射体F测量的。
在发明的特别优选的实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F表现出等于或高于90％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的荧光发射体F测量的。
在优选的实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F是有机发射体，在本发明的上下文中，这意味着其不包含任何过渡金属。优选地，根据发明的每个荧光发射体F主要由元素氢(H)、碳(C)、氮(N)和硼(B)组成，但是可以例如还包括氧(O)、硅(Si)、氟(F)和溴(Br)。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F是含硼(B)发射体，这意味着每个荧光发射体F内的至少一个原子是硼(B)。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F包括多环芳香族或杂芳香族核结构，其中，至少两个芳香环稠合在一起(例如，蒽、芘或其氮杂衍生物)。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F满足以下要求中的至少一个(或两个)：
(i)其是含硼(B)发射体，这意味着相应的荧光发射体F内的至少一个原子是硼(B)；并且/或者
(ii)其包括多环芳香族或杂芳香族核结构，其中，至少两个芳香环稠合在一起(例如，蒽、芘或其氮杂衍生物)。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F满足以下要求中的至少一个(或两个)：
(i)其是含硼(B)发射体，这意味着相应的荧光发射体F内的至少一个原子是硼(B)；并且/或者
(ii)其包括芘核结构。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F包括芘核结构。
在发明的优选实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F是含硼(B)和氮(N)发射体，这意味着相应的荧光发射体F内的至少一个原子是硼(B)并且相应的荧光发射体F内的至少一个原子是氮(N)。
在发明的优选实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F包括(直接)共价结合到至少一个氮原子(N)的至少一个硼原子(B)。
在发明的优选实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F包括三价(即，经由三个单键结合)的硼原子(B)。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F包括下面所描绘的BODIPY核结构：
Figure BDA0004128479320000261
其中，核结构可以可选地被取代，并且其中，氟取代基中的一个或两个可以独立地被经由氧原子附着的烷氧基或芳氧基代替，并且可以可选地被取代，优选地，取代有吸电子取代基(诸如氟(F)或三氟甲基(CF3))。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F包括根据式DABNA-I的结构(参见下文)。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F由根据式DABNA-I的结构组成(参见下文)。
在发明的优选实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，A′、B′和C′全部是均具有6个环原子的芳香环(即，它们全部是苯环)(参见下文)。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F是如上所述的式DABNA-I的二聚体，这意味着发射体包括均具有根据式DABNA-I的结构的两个子单元(参见下文)。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F包括根据式BNE-1的结构(参见下文)。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F由根据式BNE-1的结构组成(参见下文)。
在发明的一个实施例中，其中，至少一个发光层B包括荧光发射体F，至少一个(优选地每个)荧光发射体F是如上所述的式BNE-1的二聚体，这意味着发射体包括均具有根据式BNE-1的结构的两个子单元。
本领域技术人员理解的是，只要其满足由上述式(4)、式(5)和式(6)表示的基本要求，可选地用作空穴清除剂Hscav的主体材料hostscav就可以是现有技术中已知的任何主体材料。具体地，在此被称为p主体HP的材料可以用作本发明的上下文中的(多个)空穴清除剂Hscav，前提条件是满足由上述式(4)、式(5)和式(6)表示的基本要求。
在发明的优选实施例中，可选地包括在(由一个(子)层组成或包括大于一个子层的)作为整体的一个或更多个发光层B中的任一个中的hostscav包括以下部分或由以下部分组成：
一个第一化学部分，包括根据式HP-I、式HP-II、式HP-III、式HP-IV、式HP-V、式HP-VI、式HP-VII、式HP-VIII、式HP-IX和式HP-X中的任一个的结构，或者由根据式HP-I、式HP-II、式HP-III、式HP-IV、式HP-V、式HP-VI、式HP-VII、式HP-VIII、式HP-IX和式HP-X中的任一个的结构组成：
Figure BDA0004128479320000281
以及
一个或更多个第二化学部分，均包括根据式HP-XI、式HP-XII、式HP-XIII、式HP-XIV、式HP-XV、式HP-XVI、式HP-XVII、式HP-XVIII和式HP-XIX中的任一个的结构，或者由根据式HP-XI、式HP-XII、式HP-XIII、式HP-XIV、式HP-XV、式HP-XVI、式HP-XVII、式HP-XVIII和式HP-XIX中的任一个的结构组成：
Figure BDA0004128479320000282
Figure BDA0004128479320000291
其中，存在于hostscav中的一个或更多个第二化学部分中的每个经由在上面的式中由虚线表示的单键连接到第一化学部分；
其中，
Z1在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、C(RII)2、C＝C(RII)2、C＝O、C＝NRII、NRII、O、Si(RII)2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
RI在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分连接到第二化学部分的单键的结合位，或者选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：Me；iPr；tBu；以及Ph；
其中，至少一个RI是将第一化学部分连接到第二化学部分的单键的结合位；
RII在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：Me；iPr；tBu；以及Ph；
其中，两个或更多个相邻的取代基RII可以可选地形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，使得由根据式HP-XI、式HP-XII、式HP-XIII、式HP-XIV、式HP-XV、式HP-XVI、式HP-XVII、式HP-XVIII和式HP-XIX中的任一个的结构以及可选地由相邻的取代基RII形成的附加环组成的稠合环体系总共包括8个至60个碳原子，优选地，12个至40个碳原子，更优选地，14个至32个碳原子。
在发明的甚至更优选的实施例中，Z1在每次出现时是直连键，并且相邻的取代基RII不结合以形成附加环体系。
激发能量转移组分EET-1和EET-2
对于每个发光层B，优选地选择一个或更多个激发能量转移组分EET-1以及可选地包括的一个或更多个激发能量转移组分EET-2，使得它们能够将激发能量转移到包括在根据本发明的有机电致发光器件的同一发光层B中的一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)。
在发明的优选实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1将激发能量转移到至少一个小FWHM发射体SB(优选地，转移到每个小FWHM发射体SB)。
为了实现这种能量转移，优选地，在至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1在室温(即，(近似)20℃)下的发射光谱(例如，如果EET-1是TADF材料EB则为荧光光谱，并且如果EET-1是磷光材料PB则为磷光光谱，参见下文)与EET-1应该向其转移能量的至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB在室温(即，(近似)20℃)下的吸收光谱之间存在光谱重叠。因此，在优选的实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，在至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1在室温(即，(近似)20℃)下的发射光谱与至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB在室温(即，(近似)20℃)下的吸收光谱之间存在光谱重叠。吸收光谱和发射光谱如在本文后面的子章节中所描述的记载。
在发明的优选实施例中，在包括激发能量转移组分EET-2的至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)EET-2将激发能量转移到至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB。
为了实现这种能量转移，优选地，在可选地包括的至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2在室温(即，(近似)20℃)下的发射光谱(例如，如果EET-2是TADF材料EB则为荧光光谱，并且如果EET-2是磷光材料PB则为磷光光谱，参见下文)与EET-2应该向其转移能量的至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB在室温(即，(近似)20℃)下的吸收光谱之间存在光谱重叠。因此，在优选的实施例中，在包括激发能量转移组分EET-2的至少一个(优选地每个)发光层B内，在至少一个(优选地每个)EET-2在室温(即，(近似)20℃)下的发射光谱与至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB在室温(即，(近似)20℃)下的吸收光谱之间存在光谱重叠。吸收光谱和发射光谱如在本文后面的子章节中所描述的记载。
在发明的甚至更优选的实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1以及可选地包括的至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2将能量转移到至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB。
为了实现这种能量转移，优选地，如果EET-2包括在相应的发光层B中，则在至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1以及至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2在室温(即，(近似)20℃)下的发射光谱(例如，如果相应的EET-1或EET-2是TADF材料EB则为荧光光谱，并且如果相应的EET-1或EET-2是磷光材料PB则为磷光光谱，参见下文)与EET-1和EET-2应该向其转移能量的至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB在室温(即，(近似)20℃)下的吸收光谱之间存在光谱重叠。
因此，在发明的优选实施例中，在包括激发能量转移组分EET-2的至少一个(优选地每个)发光层B内，满足以下两个条件两者：
(i)在至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1在室温(即，(近似)20℃)下的发射光谱与至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB在室温(即，(近似)20℃)下的吸收光谱之间存在光谱重叠；并且
(ii)在至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2在室温(即，(近似)20℃)下的发射光谱与至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB在室温(即，(近似)20℃)下的吸收光谱之间存在光谱重叠；
其中，吸收光谱和发射光谱如在本文后面的子章节中所描述的记录。
另外，与上述式(10)、式(11)、式(14)、式(15)和式(16)相关的本发明的具体实施例提供了关于如何选择EET-1和EET-2的准则，使得它们可以将激发能量转移到(包括在同一发光层B中的)至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB。因此，在发明的优选实施例中，由式(10)、式(11)、式(14)、式(15)和式(16)表示的关系适用于包括在根据本发明的有机电致发光器件的同一发光层B中的材料，具体地，如果在相应的发光层B内，则至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav是激发能量转移组分EET-2。
优选的是，激发能量转移组分EET-1和EET-2能够从单重态捕获用于光发射的三重态激子。本领域技术人员理解这意味着激发能量转移组分EET-1和EET-2可以例如显示强自旋轨道耦合以允许激发能量从激发三重态有效转移到激发单重态。可选地，通过激发能量转移组分EET-1和EET-2的三重态捕获可以例如通过反向系间窜越(RISC)的方式实现，以将激发三重态转换成激发单重态(参见下文)。在两种情况下，激发能量可以被转移到至少一个小FWHM发射体SB，然后从激发单重态(优选地从S1S)发射光。
在优选的实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)具有小于-2.3eV的能量ELUMO(EET-1)：ELUMO(EET-1)<-2.3eV。
在另一优选的实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)具有小于-2.6eV的能量ELUMO(EET-1)：ELUMO(EET-1)<-2.6eV。
在优选的实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)具有高于-6.3eV的能量EHOMO(EET-1)：EHOMO(EET-1)>-6.3eV。
在优选的实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，满足以下两个条件：
(i)至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)具有小于-2.6eV的能量ELUMO(EET-1)：ELUMO(EET-1)<-2.6eV；并且
(ii)至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)具有高于-6.3eV的能量EHOMO(EET-1)：EHOMO(EET-1)>-6.3eV。
在发明的一个实施例中，在每个发光层B内，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1满足以下两个条件中的至少一个(优选地恰好一个)：
(i)其表现出小于0.4eV(优选地小于0.3eV，更优选地小于0.2eV，甚至更优选地小于0.1eV，或者甚至小于0.05eV)的ΔEST值，ΔEST值对应于E(S1EET-1)与E(T1EET-1)之间的能量差；并且/或者
(ii)其包括具有大于40的标准原子量的至少一个(优选地恰好一个)过渡金属(意味着相应的EET-1内的至少一个原子是具有大于40的原子量的金属(优选地，过渡金属)，其中，过渡金属可以处于任何氧化态)。
在发明的一个实施例中，在每个发光层B内，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav是满足以下两个条件中的至少一个(优选地恰好一个)的激发能量转移组分EET-2：
(i)其表现出小于0.4eV(优选地小于0.3eV，更优选地小于0.2eV，甚至更优选地小于0.1eV，或者甚至小于0.05eV)的ΔEST值，ΔEST值对应于E(S1EET-2)与E(T1EET-2)之间的能量差；并且/或者
(ii)其包括具有大于40的标准原子量的至少一个(优选地恰好一个)过渡金属(意味着相应的EET-2内的至少一个原子是具有大于40的原子量的金属(优选地，过渡金属)，其中，过渡金属可以处于任何氧化态)。
在发明的一个实施例中，在每个发光层B内，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1以及如果包括在相应的(多个)发光层B中的至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2满足以下两个条件中的至少一个(优选地恰好一个)：
(i)其表现出小于0.4eV(优选地小于0.3eV，更优选地小于0.2eV，甚至更优选地小于0.1eV，或者甚至小于0.05eV)的ΔEST值，ΔEST值对应于E(S1EET-1)与E(T1EET-1)之间的能量差和/或E(S1EET-2)与E(T1EET-2)之间的能量差；并且/或者
(ii)其包括具有大于40的标准原子量的至少一个(优选地恰好一个)过渡金属(意味着相应的EET-1和/或EET-2内的至少一个原子是具有大于40的原子量的金属(优选地，过渡金属)，其中，过渡金属可以处于任何氧化态)。
在优选的实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1表现出小于0.4eV(优选地小于0.3eV、更优选地小于0.2eV、甚至更优选地小于0.1eV或者甚至小于0.05eV的)ΔEST值，ΔEST值对应于最低激发单重态能级E(S1EET-1)与最低激发三重态能级E(T1EET-1)之间的能量差。
在优选的实施例中，在包括激发能量转移组分EET-2的至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)EET-2包括具有大于40的标准原子量的至少一个(优选地恰好一个)过渡金属(意味着相应的EET-2内的至少一个原子是具有大于40的原子量的金属(优选地，过渡金属)，其中，过渡金属可以处于任何氧化态)。
在优选的实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav是激发能量转移组分EET-2，激发能量转移组分EET-2包括具有大于40的标准原子量的至少一个(优选地恰好一个)金属(优选地，过渡金属)(意味着相应的EET-2内的至少一个原子是具有大于40的原子量的金属(优选地，过渡金属)，其中，过渡金属可以处于任何氧化态)。
在发明的优选实施例中，在每个发光层B内，满足以下两个条件两者：
(i)至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1表现出小于0.4eV(优选地小于0.3eV，更优选地小于0.2eV，甚至更优选地小于0.1eV，或者甚至小于0.05eV)的ΔEST值，ΔEST值对应于最低激发单重态能级E(S1EET-1)与最低激发三重态能级E(T1EET-1)之间的能量差；并且
(ii)如果包括在相应的(多个)发光层B中，则至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2包括具有大于40的标准原子量的至少一个(优选地恰好一个)过渡金属(意味着相应的EET-2内的至少一个原子是具有大于40的原子量的金属(优选地，过渡金属)，其中，过渡金属可以处于任何氧化态)。
在发明的一个实施例中，在每个发光层B中，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1满足以下两个条件中的至少一个(优选地恰好一个)：
(i)其表现出小于0.4eV(优选地小于0.3eV，更优选地小于0.2eV，甚至更优选地小于0.1eV，或者甚至小于0.05eV)的ΔEST值，ΔEST值对应于E(S1EET-1)与E(T1EET-1)之间的能量差；并且/或者
(ii)其包括铱(Ir)或铂(Pt)(意味着相应的EET-1内的至少一个原子是铱(Ir)或铂(Pt)，其中，Ir和Pt可以处于任何氧化态，参见下文)。
在发明的一个实施例中，在每个发光层B中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav是满足以下两个条件中的至少一个(优选地恰好一个)的激发能量转移组分EET-2：
(i)其表现出小于0.4eV(优选地小于0.3eV，更优选地小于0.2eV，甚至更优选地小于0.1eV，或者甚至小于0.05eV)的ΔEST值，ΔEST值对应于E(S1EET-2)与E(T1EET-2)之间的能量差；并且/或者
(ii)其包括铱(Ir)或铂(Pt)(意味着相应的EET-2内的至少一个原子是铱(Ir)或铂(Pt)，其中，Ir和Pt可以处于任何氧化态，参见下文)。
在发明的优选实施例中，在每个发光层B中，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1以及如果包括在相应的(多个)发光层B中的至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2满足以下两个条件中的至少一个(优选地恰好一个)：
(i)其表现出小于0.4eV(优选地小于0.3eV，更优选地小于0.2eV，甚至更优选地小于0.1eV，或者甚至小于0.05eV)的ΔEST值，ΔEST值对应于最低激发单重态能级E(S1E)(分别等于E(S1EET-1)或E(S1EET-2))与相应的最低激发三重态能级E(T1E)(分别等于E(T1EET-1)或E(T1EET-2))之间的能量差(参见下文)；并且/或者
(ii)其包括铱(Ir)或铂(Pt)(意味着相应的EET-1或EET-2内的至少一个原子是铱(Ir)或铂(Pt)，其中，Ir和Pt可以处于任何氧化态，参见下文)。
在优选的实施例中，在包括激发能量转移组分EET-2的至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2包括铱(Ir)或铂(Pt)(意味着相应的EET-2内的至少一个原子是铱(Ir)或铂(Pt)，其中，Ir和Pt可以处于任何氧化态，参见下文)。
在特别优选的实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav是激发能量转移组分EET-2，其中，在包括激发能量转移组分EET-2的至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2包括铱(Ir)或铂(Pt)。
在发明的优选实施例中，在每个发光层B内，满足以下两个条件两者：
(i)至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1表现出小于0.4eV(优选地小于0.3eV，更优选地小于0.2eV，甚至更优选地小于0.1eV，或者甚至小于0.05eV)的ΔEST值，ΔEST值对应于最低激发单重态能级E(S1EET-1)与最低激发三重态能级E(T1EET-1)之间的能量差；并且
(ii)如果包括在相应的(多个)发光层B中，则至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2包括铱(Ir)或铂(Pt)(意味着相应的EET-2内的至少一个原子是铱(Ir)或铂(Pt)，其中，Ir和Pt可以处于任何氧化态，参见下文)。
优选地，一个或更多个激发能量转移组分EET-1以及可选的一个或更多个激发能量转移组分EET-2彼此独立地选自于由TADF材料EB、磷光材料PB和激基复合物(参见下文)组成的组。
更优选地，一个或更多个激发能量转移组分EET-1以及可选的一个或更多个激发能量转移组分EET-2彼此独立地选自于由TADF材料EB和磷光材料PB(参见下文)组成的组。
如前所述，在本发明的上下文中，发光层B包括一个或更多个激发能量转移组分EET-1以及可选地一个或更多个激发能量转移组分EET-2，其中，这两种物质在结构上不相同(即，它们不具有相同的化学式)。这意味着，在根据本发明的有机电致发光器件的每个发光层B内，一个或更多个激发能量转移组分EET-1以及可选地包括的一个或更多个激发能量转移组分EET-2可以例如彼此独立地选自于由TADF材料EB、磷光材料PB和激基复合物组成的组，但是在任何情况下，它们的化学结构可以不相同。也就是说，在发光层B内，没有EET-1具有与EET-2相同的化学式(或结构)。
在发明的优选实施例中，在每个发光层B中，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1以及可选地包括的至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2彼此独立地选自于以下：
(i)如在此所定义的热激活延迟荧光(TADF)材料EB；和
(ii)如在此所定义的磷光材料PB；以及
(iii)如在此所定义的激基复合物。
在根据本发明的有机电致发光器件的优选实施例中，每个激发能量转移组分EET-1以及可选地包括的每个激发能量转移组分EET-2彼此独立地选自于以下：
(i)如在此所定义的热激活延迟荧光(TADF)材料EB；和
(ii)如在此所定义的磷光材料PB；以及
(iii)如在此所定义的激基复合物。
在根据本发明的有机电致发光器件的甚至更优选的实施例中，在每个发光层B中，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1以及可选地包括的至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2彼此独立地选自于以下：
(i)如在此所定义的热激活延迟荧光(TADF)材料EB；以及
(ii)如在此所定义的磷光材料PB。
在根据本发明的有机电致发光器件的优选实施例中，每个激发能量转移组分EET-1以及可选地包括的每个激发能量转移组分EET-2彼此独立地选自于以下：
(i)如在此所定义的热激活延迟荧光(TADF)材料EB；以及
(ii)如在此所定义的磷光材料PB。
在特别优选的实施例中，包括在根据本发明的有机电致发光器件中的每个激发能量转移组分EET-1是如在此所定义的TADF材料EB。
在特别优选的实施例中，可选地包括在根据本发明的有机电致发光器件中的每个激发能量转移组分EET-2是如在此所定义的磷光材料PB。
在特别优选的实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav是激发能量转移组分EET-2，并且至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2是如在此所定义的磷光材料PB。
在一个实施例中，包括在根据本发明的有机电致发光器件中的每个激发能量转移组分EET-1是如在此所定义的磷光材料PB。
在一个实施例中，可选地包括在根据本发明的有机电致发光器件中的每个激发能量转移组分EET-2是如在此所定义的TADF材料EB。
在一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav是激发能量转移组分EET-2，并且至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2是如在此所定义的磷光材料PB。
在一个实施例中，包括在根据本发明的有机电致发光器件中的每个激发能量转移组分EET-1是如在此所定义的TADF材料EB。
在一个实施例中，可选地包括在根据本发明的有机电致发光器件中的每个激发能量转移组分EET-2是如在此所定义的激基复合物。
在一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav是激发能量转移组分EET-2，并且至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2是如在此所定义的激基复合物。
在发明的特别优选的实施例中，在至少一个发光层B中(优选地在每个发光层B中)，满足以下条件两者：
(i)至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1是如在此所定义的TADF材料EB；并且
(ii)如果包括在相应的(多个)发光层B中，则至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2是如在此所定义的磷光材料PB。
在特别优选的实施例中，包括在根据本发明的有机电致发光器件中的每个激发能量转移组分EET-1是如在此所定义的TADF材料EB，并且可选地包括在根据本发明的有机电致发光器件中的每个激发能量转移组分EET-2是如在此所定义的磷光材料PB。
在特别优选的实施例中，包括在根据本发明的有机电致发光器件中的每个激发能量转移组分EET-1是如在此所定义的TADF材料EB，并且包括在根据本发明的有机电致发光器件中的每个空穴清除剂Hscav是作为如在此所定义的磷光材料PB的激发能量转移组分EET-2。
在发明的替代实施例中，在至少一个发光层B中(优选地在每个发光层B中)，满足以下条件两者：
(i)至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1是如在此所定义的TADF材料EB；并且
(ii)如果包括在相应的(多个)发光层B中，则至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2是如在此所定义的TADF材料EB。
在发明的替代实施例中，在至少一个发光层B中(优选地在每个发光层B中)，满足以下条件两者：
(i)至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1是如在此所定义的磷光材料PB；并且
(ii)如果包括在相应的(多个)发光层B中，则至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2是如在此所定义的磷光材料PB。
以下，将更详细地公开本发明的上下文中的TADF材料EB、磷光材料PB和激基复合物。
理解的是，在没有针对涉及TADF材料EB的每个具体实施例指示这一点的情况下，如果相应的激发能量转移组分被选择为TADF材料EB，则下文中针对TADF材料EB描述的任何优选的特征、性质和实施例也可以适用于任何激发能量转移组分EET-1或EET-2。
还理解的是，在没有针对涉及磷光材料PB的每个具体实施例指示这一点的情况下，如果相应的激发能量转移组分被选择为磷光材料PB，则下文中针对磷光材料PB描述的任何优选的特征、性质和实施例也可以适用于任何激发能量转移组分EET-1或EET-2。
理解的是，在没有针对涉及激基复合物的每个具体实施例指示这一点的情况下，如果相应的激发能量转移组分被选择为激基复合物，则下文中针对激基复合物描述的任何优选的特征、性质和实施例也可以适用于任何激发能量转移组分EET-1或EET-2。
(多个)TADF材料EB
如本领域技术人员已知的，来自例如有机发光二极管(OLED)中的发射体材料(即，发射掺杂剂)的光发射可以包括来自激发单重态(典型地最低激发单重态S1)的荧光和来自激发三重态(典型地最低激发三重态T1)的磷光。
在本发明的上下文中，荧光发射体能够在电子激发时(例如，在有机电致发光器件中)在室温(即，(近似)20℃)下发射光，其中，发射激发态是单重态(典型地最低激发单重态S1)。当初始电子激发(例如，通过电子空穴复合)提供发射体的激发单重态时，荧光发射体典型地在纳秒的时间尺度上显示即时(即，直接)荧光。
在本发明的上下文中，延迟荧光材料是能够通过反向系间窜越(RISC，换句话说：向上系间窜越或反向系间窜越)的方式从激发三重态(典型地从最低激发三重态T1)达到激发单重态(典型地最低激发单重态S1)并且还能够在从如此达到的激发单重态(典型地S1)返回到其电子基态时发射光的材料。在RISC之后从激发三重态(典型地T1)到发射激发单重态(典型地S1)观察到的荧光发射在时间尺度(典型地在微秒的范围内)上发生，该时间尺度慢于直接(即，即时)荧光发生的时间尺度(典型地在纳秒的范围内)，因此被称为延迟荧光(DF)。当通过热激活发生从激发三重态(典型地从T1)到激发单重态(典型地到S1)的RISC时，并且如果如此填充的激发单重态发射光(延迟荧光发射)，则该过程被称为热激活延迟荧光(TADF)。因此，如上所述，TADF材料是能够发射热激活延迟荧光(TADF)的材料。本领域技术人员已知的是，当荧光发射体的最低激发单重态能级E(S1)与最低激发三重态能级E(T1)之间的能量差ΔEST减小时，可以通过RISC的方式以高效率从最低激发三重态产生最低激发单重态的群。因此，TADF材料典型地将具有小的ΔEST值(参见下文)，这形成本领域技术人员的公知常识的一部分。
(热激活)延迟荧光的发生可以例如基于从时间分辨(即，瞬态)光致发光(PL)测量获得的衰减曲线来分析。来自TADF材料的PL发射被分成来自通过初始激发产生的激发单重态(典型地S1)的发射分量和来自通过RISC的方式经由激发三重态(典型地T1)产生的激发单重态(典型地S1)的发射分量。在来自由初始激发形成的激发单重态(典型地S1)的发射与来自经由RISC从激发三重态(典型地T1)到达的激发单重态(典型地S1)的发射之间典型地存在显著的时间差。
TADF材料优选地满足关于全衰减动力学的以下两个条件：
(i)衰减动力学表现出两个时间区，一个典型地在纳秒(ns)范围内，另一个典型地在微秒(μs)范围内；并且
(ii)两个时间区中的发射光谱的形状一致；
其中，在第一衰减区中发射的部分光被视为即时荧光，并且在第二衰减区中发射的部分光被视为延迟荧光。可以使用相应的发射体(即，假定的TADF材料)在聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)中采用1重量％至10重量％(具体地，10重量％)的相应的发射体的旋涂膜来进行PL测量。
为了评价是否满足优选标准(i)(即，衰减动力学表现出两个时间区，一个典型地在纳秒(ns)范围内，另一个典型地在微秒(μs)范围内)，典型地可以使用TCSPC(时间相关单光子计数)(参见下文)，并且典型地可以如下所述分析全衰减动力学。可选地，可以进行具有光谱分辨率的瞬态光致发光测量(参见下文)。
为了评价是否满足优选标准(ii)(即，两个时间区中的发射光谱的形状一致)，典型地可以进行具有光谱分辨率的瞬态光致发光测量(参见下文)。
对于这些测量的实验细节在本文后面的子章节中提供。
延迟荧光和即时荧光的比(n值)可以通过如本文后面的子章节中所示的相应的光致发光衰减在时间上的积分来计算。
在本发明的上下文中，TADF材料优选地表现出大于0.05的n值(延迟荧光与即时荧光的比)(n>0.05)(更优选地大于0.15(n>0.15)、更优选地大于0.25(n>0.25)、更优选地大于0.35(n>0.35)、更优选地大于0.45(n>0.45)、更优选地大于0.55(n>0.55)、更优选地大于0.65(n>0.65)、更优选地大于0.75(n>0.75)、更优选地大于0.85(n>0.85)或者甚至大于0.95(n>0.95))。
根据发明，热激活延迟荧光(TADF)材料EB的特征在于表现出小于0.4eV、优选地小于0.3eV、更优选地小于0.2eV、甚至更优选地小于0.1eV或者甚至小于0.05eV的ΔEST值，ΔEST值对应于最低激发单重态能级E(S1E)与最低激发三重态能级E(T1E)之间的能量差。因此，根据发明的TADF材料EB的ΔEST可以足够小，以允许在室温(RT，即，(近似)20℃)下最低激发单重态S1E从最低激发三重态T1E热再填充(thermal repopulation)(也称为向上系间窜越或反向系间窜越，RISC)。
优选地，在本发明的上下文中，TADF材料EB显示出即时荧光和延迟荧光两者(当经由热激活RISC从T1E状态达到发射S1E状态时)。
理解的是，包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的小FWHM发射体SB还可以可选地具有小于0.4eV的ΔEST值，并且表现出热激活延迟荧光(TADF)。然而，对于发明的上下文中的任何小FWHM发射体SB，这仅是可选特征。
在发明的优选实施例中，在至少一个TADF材料EB的发射光谱与至少一个小FWHM发射体SB的吸收光谱之间(当在相当的条件下测量两个光谱时)存在光谱重叠。在这种情况下，至少一个TADF材料EB可以将能量转移到至少一个小FWHM发射体SB。
根据发明，TADF材料EB在380nm至800nm的可见波长范围内具有发射最大值，其是通常通过在室温(即，(近似)20℃)下在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用10重量％的相应的TADF材料EB的旋涂膜测量的。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB在380nm至470nm(优选地400nm至470nm)的深蓝色波长范围内具有发射最大值，其是通常通过在室温(即，(近似)20℃)下在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用10重量％的TADF材料EB的旋涂膜测量的。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB在480nm至560nm(优选地500nm至560nm)的绿色波长范围内具有发射最大值，其是通常通过在室温(即，(近似)20℃)下在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用10重量％的TADF材料EB的旋涂膜测量的。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB在600nm至665nm(优选地610nm至665nm)的红色波长范围内具有发射最大值，其是通常通过在室温(即，(近似)20℃)下在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用10重量％的TADF材料EB的旋涂膜测量的。
在发明的优选实施例中，在本发明的上下文中，TADF材料EB的发射最大值(峰值发射)在比小FWHM发射体SB的发射最大值(峰值发射)短的波长处。
在发明的优选实施例中，每个TADF材料EB是有机TADF材料，在发明的上下文中，这意味着其不包含任何过渡金属。优选地，根据发明的每个TADF材料EB主要由元素氢(H)、碳(C)和氮(N)组成，但是例如还可以包括氧(O)、硼(B)、硅(Si)、氟(F)和溴(Br)。
在发明的优选实施例中，每个TADF材料EB具有等于或小于800g/mol的分子量。
在发明的一个实施例中，TADF材料EB表现出等于或高于30％的光致发光量子产率(PLQY)，其是通常通过在室温(即，(近似)20℃)下在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用10重量％的TADF材料EB的旋涂膜测量的。
在发明的优选实施例中，TADF材料EB表现出等于或高于50％的光致发光量子产率(PLQY)，其是通常通过在室温(即，(近似)20℃)下在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用10重量％的TADF材料EB的旋涂膜测量的。
在发明的甚至更优选的实施例中，TADF材料EB表现出等于或高于70％的光致发光量子产率(PLQY)，其是通常通过在室温(即，(近似)20℃)下在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用10重量％的TADF材料EB的旋涂膜测量的。
在发明的一个实施例中，TADF材料EB：
(i)特征在于表现出小于0.4eV的ΔEST值，ΔEST值对应于最低激发单重态能级E(S1E)与最低激发三重态能级E(T1E)之间的能量差；并且
(ii)显示出大于30％的光致发光量子产率(PLQY)。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB的最低未占分子轨道LUMO(EB)的能量ELUMO(EB)小于-2.6eV。
将注意的是，尽管典型地能够发射荧光和(热激活)延迟荧光，但是可选地包括在发明的有机电致发光器件中作为激发能量转移组分EET-1和/或EET-2的TADF材料EB优选地主要用作“能量泵”而不是用作发射体材料。也就是说，包括在发光层B中的磷光材料PB优选地主要将激发能量转移到一个或更多个小FWHM发射体SB，一个或更多个小FWHM发射体SB依次用作(多个)主发射体材料。发光层B中的磷光材料PB的主要功能优选地不是发射光。然而，其可能会在某种程度上发射光。
本领域技术人员知道如何设计根据发明的TADF材料(分子)EB和这种分子通常显示的结构特征。简言之，为了促进反向系间窜越(RISC)，通常减小ΔEST，在本发明的上下文中，如上所述，ΔEST小于0.4eV。这通常通过设计TADF分子EB来实现，使得HOMO和LUMO分别在(电子)供体和(电子)受体基团上大空间地分离。这些基团通常是大体积的或经由螺接连接，使得它们扭曲并且HOMO和LUMO的空间重叠减少。然而，使HOMO和LUMO的空间重叠最小化也导致TADF材料的光致发光量子产率(PLQY)降低，这是不利的。因此，在实践中，这两个效应都被考虑以实现ΔEST的减小以及高PLQY。
用于设计TADF材料的一种常见方法是将其上分布有HOMO的一个或更多个(电子)供体部分以及其上分布有LUMO的一个或更多个(电子)受体部分共价附着到同一桥，在此称为连接基团。TADF材料EB可以例如还包括结合到同一受体部分的两个或三个连接基团，并且附加的供体和受体部分可以结合到这两个或三个连接基团中的每个。
一个或更多个供体部分以及一个或更多个受体部分也可以(在不存在连接基团的情况下)彼此直接结合。
典型的供体部分是二苯基胺、咔唑、吖啶、吩噁嗪和相关结构的衍生物。
苯衍生物、联苯衍生物以及在某种程度上还有三联苯衍生物是常见的连接基团。
腈基是TADF分子中非常常见的受体部分，其已知示例包括：
(i)咔唑基二氰基苯化合物
诸如2CzPN(4,5-二(9H-咔唑-9-基)邻苯二甲腈)、DCzIPN(4,6-二(9H-咔唑-9-基)间苯二甲腈)、4CzPN(3,4,5,6-四(9H-咔唑-9-基)邻苯二甲腈)、4CzIPN(2,4,5,6-四(9H-咔唑-9-基)间苯二甲腈)、4CzTPN(2,4,5,6-四(9H-咔唑-9-基)对苯二甲腈)和它们的衍生物；
(ii)咔唑基氰基吡啶化合物
诸如4CzCNPy(2,3,5,6-四(9H-咔唑-9-基)-4-氰基吡啶)及其衍生物；
(iii)咔唑基氰基联苯化合物
诸如CNBPCz(4,4′,5,5′-四(9H-咔唑-9-基)-[1,1′-联苯]-2,2′-二甲腈)、CzBPCN(4,4′,6,6′-四(9H-咔唑-9-基)-[1,1′-联苯]-3,3′-二甲腈)、DDCzIPN(3,3′,5,5′-四(9H-咔唑-9-基)-[1,1′-联苯]-2,2′,6,6′-四甲腈)及其衍生物；
其中，在这些材料中，腈基中的一个或更多个可以被作为受体部分的氟(F)或三氟甲基(CF3)代替。
诸如三嗪衍生物、嘧啶衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、庚嗪衍生物、1,4-二氮杂苯并[9,10]菲衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并噁唑衍生物、喹喔啉衍生物和二氮杂芴衍生物的氮杂环也是用于构建TADF分子的公知的受体部分。包括例如三嗪受体的TADF分子的已知示例包括PIC-TRZ(7,7′-(6-([1,1′-联苯]-4-基)-1,3,5-三嗪-2,4-二基)双(5-苯基-5,7-二氢吲哚并[2,3-b]咔唑))、mBFCzTrz(5-(3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-5H-苯并呋喃并[3,2-c]咔唑)和DCzTrz(9,9′-(5-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-1,3-亚苯基)双(9H-咔唑))。
另一组TADF材料包括诸如二苯甲酮的二芳基酮或者诸如4-苯甲酰基吡啶、9,10-蒽醌、9H-呫吨-9-酮及其衍生物的(杂芳基)芳基酮作为受体部分，(通常是咔唑基取代基的)供体部分结合到受体部分。这种TADF分子的示例分别包括BPBCz(双(4-(9′-苯基-9H,9′H-[3,3′-二咔唑]-9-基)苯基)甲酮)、mDCBP((3,5-二(9H-咔唑-9-基)苯基)(吡啶-4-基)甲酮)、AQ-DTBu-Cz(2,6-双(4-(3,6-二叔丁基-9H-咔唑-9-基)苯基)蒽-9,10-二酮)和MCz-XT(3-(1,3,6,8-四甲基-9H-咔唑-9-基)-9H-呫吨-9-酮)。
亚砜(具体地，二苯基亚砜)通常也用作用于构建TADF材料的受体部分，并且已知的示例包括4-PC-DPS(9-苯基-3-(4-(苯基磺酰基)苯基)-9H-咔唑)、DitBu-DPS(9,9′-(磺酰基双(4,1-亚苯基))双(9H-咔唑))和TXO-PhCz(2-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-噻吨-9-酮10,10-二氧化物)。
示例性地，上述TADF分子中的全部组可以提供用于根据本发明的合适的TADF材料EB，假设特定材料满足上述基本要求，即，ΔEST值小于0.4eV。
本领域技术人员知道的是，不仅上述结构，而且更多的材料可以是本发明的上下文中的合适的TADF材料EB。本领域技术人员熟悉这种分子的设计原理，并且还知道如何设计具有一定发射颜色(例如，蓝色、绿色或红色发射)的这种分子。
见例如：H.Tanaka,K.Shizu,H.Nakanotani,C.Adachi,Chemistry of Materials2013,25(18),3766,DOI:10.1021/cm402428a；J.Li,T.Nakagawa,J.MacDonald,Q.Zhang,H.Nomura,H.Miyazaki,C.Adachi,Advanced Materials2013,25(24),3319,DOI:10.1002/adma.201300575；K.Nasu,T.Nakagawa,H.Nomura,C.-J.Lin,C.-H.Cheng,M.-R.Tseng,T.Yasudaad,C.Adachi,Chemical Communications 2013,49(88),10385,DOI:10.1039/c3cc44179b；Q.Zhang,B.Li1,S.Huang,H.Nomura,H.Tanaka,C.Adachi,Nature Photonics2014,8(4),326,DOI:10.1038/nphoton.2014.12；B.Wex,B.R.Kaafarani,Journal ofMaterials Chemistry C 2017,5,8622,DOI:10.1039/c7tc02156a；Y.Im,M.Kim,Y.J.Cho,J.-A.Seo,K.S.Yook,J.Y.Lee,Chemistry of Materials 2017,29(5),1946,DOI:10.1021/acs.chemmater.6b05324；T.-T.Bui,F.Goubard,M.Ibrahim-Ouali,D.Gigmes,F.Dumur,Beilstein Journal of Organic Chemistry 2018,14,282,DOI:10.3762/bjoc.14.18；X.Liang,Z.-L.Tu,Y.-X.Zheng,Chemistry–A European Journal 2019,25(22),5623,DOI:10.1002/chem.201805952。
此外，例如，US2015105564(A1)、US2015048338(A1)、US2015141642(A1)、US2014336379(A1)、US2014138670(A1)、US2012241732(A1)、EP3315581(A1)、EP3483156(A1)和US2018053901(A1)公开了可以用于根据本发明的有机电致发光器件中的TADF材料EB。理解的是，这不暗指本发明限于引用的参考文献中公开的包括TADF材料的有机电致发光器件。还理解的是，用在现有技术中的任何TADF材料也可以是本发明的上下文中的合适的TADF材料EB。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB包括彼此独立地选自于由CN、CF3和可选地取代的1,3,5-三嗪基组成的组中的一个或更多个化学部分。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB包括彼此独立地选自于由CN和可选地取代的1,3,5-三嗪基组成的组中的一个或更多个化学部分。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB包括一个或更多个可选地取代的1,3,5-三嗪基。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB包括彼此独立地选自于其全部可以可选地被取代的氨基、吲哚基、咔唑基及其衍生物中的一个或更多个化学部分，其中，这些基团可以经由氮(N)或经由碳(C)原子结合到相应的TADF分子的核结构，并且其中，结合到这些基团的取代基可以形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)TADF材料EB包括以下部分：
一个或更多个第一化学部分，彼此独立地选自于其全部可以可选地被取代的氨基、吲哚基、咔唑基及其衍生物，其中，这些基团可以经由氮(N)或经由碳(C)原子结合到相应的TADF分子的核结构，并且其中，结合到这些基团的取代基可以形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；以及
一个或更多个第二化学部分，彼此独立地选自于由CN、CF3和可选地取代的1,3,5-三嗪基组成的组。
在发明的甚至更优选的实施例中，至少一个(优选地每个)TADF材料EB包括以下部分：
一个或更多个第一化学部分，彼此独立地选自于其全部可以可选地被取代的氨基、吲哚基、咔唑基及其衍生物，其中，这些基团可以经由氮(N)或经由碳(C)原子结合到相应的TADF分子的核结构，并且其中，结合到这些基团的取代基可以形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；以及
一个或更多个第二化学部分，彼此独立地选自于由CN和可选地取代的1,3,5-三嗪基组成的组。
在发明的甚至还更优选的实施例中，至少一个(优选地每个)TADF材料EB包括以下部分：
一个或更多个第一化学部分，彼此独立地选自于其全部可以可选地被取代的氨基、吲哚基、咔唑基及其衍生物，其中，这些基团可以经由氮(N)或经由碳(C)原子结合到相应的TADF分子的核结构，并且其中，结合到这些基团的取代基可以形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；以及
一个或更多个可选地取代的1,3,5-三嗪基。
本领域技术人员知道的是，表述“其衍生物”意味着相应的母体结构可以可选地被取代，或者相应的母体结构内的任何原子可以被例如另一元素的原子代替。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB包括以下部分：
一个或更多个第一化学部分，均包括根据式D-I的结构或由根据式D-I的结构组成：
Figure BDA0004128479320000461
和
可选地，一个或更多个第二化学部分，均彼此独立地选自于CN、CF3以及根据式A-I、式A-II、式A-III和式A-IV中的任一个的结构：
Figure BDA0004128479320000471
以及
一个第三化学部分，包括根据式L-I、式L-II、式L-III、式L-IV、式L-V、式L-VI、式L-VII和式L-VIII中的任一个的结构，或者由根据式L-I、式L-II、式L-III、式L-IV、式L-V、式L-VI、式L-VII和式L-VIII中的任一个的结构组成：
Figure BDA0004128479320000472
Figure BDA0004128479320000481
其中，
一个或更多个第一化学部分以及可选地一个或更多个第二化学部分经由单键共价结合到第三化学部分；
其中，在式D-I中：
#表示将根据式D-I的相应的第一化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位；
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝CR1R2、C＝O、C＝NR1、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb、Rd、R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；B(OR3)2；OSO2R3；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R3，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R3，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R3，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基R3，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基R3，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R3C＝CR3、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；以及C3-C60杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；
R3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R4)2；OR4；Si(R4)3；B(OR4)2；OSO2R4；CF3；CN；F；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基R4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基R4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R4C＝CR4、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；以及C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；
其中，可选地，任一取代基Ra、Rb、Rd、R1、R2、R3和R4彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1、R2、R3和R4中的一个或更多个相邻的取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
R4在每次出现时选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基、Ph或CN取代；C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Ph或C1-C5烷基取代；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
其中，在式A-I、式A-II、式A-III和式A-IV中：
虚线表示将根据式A-I、式A-II、式A-III或式A-IV的相应的第二化学部分连接到第三化学部分的单键；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R9)2；OR9；Si(R9)3；B(OR9)2；OSO2R9；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R9，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R9C＝CR9、C≡C、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR9、P(＝O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、S或CONR9取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R9，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R9C＝CR9、C≡C、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR9、P(＝O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、S或CONR9取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R9，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R9C＝CR9、C≡C、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR9、P(＝O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、S或CONR9取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基R9，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R9C＝CR9、C≡C、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR9、P(＝O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、S或CONR9取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基R9，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R9C＝CR9、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR9、P(＝O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、S或CONR9取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；以及C3-C60杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；
R9在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R10)2；OR10；Si(R10)3；B(OR10)2；OSO2R10；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R10，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R10C＝CR10、C≡C、Si(R10)2、Ge(R10)2、Sn(R10)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR10、P(＝O)(R10)、SO、SO2、NR10、O、S或CONR10取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R10，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R10C＝CR10、C≡C、Si(R10)2、Ge(R10)2、Sn(R10)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR10、P(＝O)(R10)、SO、SO2、NR10、O、S或CONR10取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R10，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R10C＝CR10、C≡C、Si(R10)2、Ge(R10)2、Sn(R10)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR10、P(＝O)(R10)、SO、SO2、NR10、O、S或CONR10取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基R10，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R10C＝CR10、C≡C、Si(R10)2、Ge(R10)2、Sn(R10)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR10、P(＝O)(R10)、SO、SO2、NR10、O、S或CONR10取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基R10，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R10C＝CR10、Si(R10)2、Ge(R10)2、Sn(R10)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR10、P(＝O)(R10)、SO、SO2、NR10、O、S或CONR10取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；以及C3-C60杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；
R10在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基、Ph或CN取代；C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Ph或C1-C5烷基取代；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004128479320000521
其中，RX如R6所定义的，且前提条件是式EWG-I中的至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
其中，在式L-I、式L-II、式L-III、式L-IV、式L-V、式L-VI、式L-VII和式L-VIII中：
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；F；Cl；Br；I；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地被氘取代；以及C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基、C6-C18芳基、F、Cl、Br和I取代；
R12如R6所定义的。
在发明的优选实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝CR1R2、C＝O、C＝NR1、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb、Rd、R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R3，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；以及C3-C60杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；
R3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R4)2；OR4；Si(R4)3；CF3；CN；F；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；以及C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1、R2、R3和R4中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1、R2、R3和R4中的一个或更多个相邻的取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
R4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基、Ph或CN取代；C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基或Ph取代；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R9)2；OR9；Si(R9)3；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R9，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R9C＝CR9、C≡C、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR9、P(＝O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、S或CONR9取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；以及C3-C60杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；
R9在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R10)2；OR10；Si(R10)3；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R10，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R10C＝CR10、C≡C、Si(R10)2、Ge(R10)2、Sn(R10)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR10、P(＝O)(R10)、SO、SO2、NR10、O、S或CONR10取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；以及C3-C60杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；
R10在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基、Ph或CN取代；C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基或Ph取代；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004128479320000541
其中，RX如R6所定义的，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构并且可选地取代有一个或更多个取代基R10的芳香环；其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地被氘取代；以及C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基和C6-C18芳基取代；
R12如R6所定义的；
其中，附着到第三化学部分的第一化学部分和第二化学部分的最大数量仅受第三化学部分上的可用结合位的数量(换句话说：取代基R11的数量)限制(在上述条件下，每个TADF材料EB包括至少一个第一化学部分、至少一个第二化学部分和恰好一个第三化学部分)。
在发明的甚至更优选的实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝CR1R2、C＝O、C＝NR1、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb、Rd、R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；
R3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R4)2；Si(R4)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1、R2和R3中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1、R2和R3中的一个或更多个相邻的取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族的碳环或杂环环体系；其中，可选地如此形成的环体系可以可选地取代有一个或更多个取代基R5；
R4和R5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；Me；iPr；tBu；N(Ph)2；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R9)2；OR9；Si(R9)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；
R9在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R10)2；OR10；Si(R10)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；
R10在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；CF3；CN；F；N(Ph)2；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph、CN、CF3或F取代；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004128479320000561
其中，RX如R6所定义的，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地被氘取代；以及C6-C18芳基，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：氘；Me；iPr；tBu；以及Ph；
R12如R6所定义的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝O、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb、Rd、R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；CF3；CN；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；
R3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；Me；iPr；tBu；N(Ph)2；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1和R2中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1和R2中的一个或更多个相邻的取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，由根据式D-I的结构和由相邻的取代基形成的附着环构建的可选地如此形成的稠合环体系总共包括13个至40个环原子，优选地，13个至30个环原子，更优选地，16个至30个环原子；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R9)2；OR9；Si(R9)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；
R9在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；CF3；CN；F；N(Ph)2；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph、CN、CF3或F取代。
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004128479320000581
其中，RX如R6所定义的，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：氘；Me；iPr；tBu；以及Ph；
R12如R6所定义的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝O、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb和Rd在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；CF3；CN；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；三嗪基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；嘧啶基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；以及吡啶基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；CF3；CN；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；
R3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1和R2中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1和R2中的一个或更多个相邻的取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，由根据式D-I的结构和由相邻的取代基形成的附着环构建的可选地如此形成的稠合环体系总共包括13个至40个环原子，优选地，13个至30个环原子，更优选地，16个至30个环原子；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R9)2；OR9；Si(R9)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；
R9在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；CF3；CN；F；N(Ph)2；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph、CN、CF3或F取代；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004128479320000601
其中，RX如R6所定义的，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：氘；Me；iPr；tBu；以及Ph；
R12如R6所定义的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝O、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb和Rd在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；CF3；CN；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；以及咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OR3；Si(R3)3；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；以及C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；并且
R3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1和R2中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1和R2中的一个或更多个取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族的碳环或杂环环体系，其中，由根据式D-I的结构和由相邻的取代基形成的附着环构建的可选地如此形成的稠合环体系总共包括13个至40个环原子，优选地，13个至30个环原子，更优选地，16个至30个环原子；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；N(Ph)2；Si(Me)3；Si(Ph)3；CF3；CN；F；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；以及咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004128479320000611
其中，RX如R6所定义的，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：氘；Me；iPr；tBu；以及Ph；
R12如R6所定义的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝O、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb和Rd在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；Si(Me)3；Si(Ph)3；CF3；CN；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；以及咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1和R2中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1和R2中的一个或更多个取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；其中，由根据式D-I的结构和由相邻的取代基形成的附着环构建的可选地如此形成的稠合环体系总共包括13个至40个环原子，优选地，13个至30个环原子，更优选地，16个至30个环原子；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；Si(Me)3；Si(Ph)3；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；以及咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004128479320000631
其中，RX如R6所定义的，但是也可以是CN或CF3，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：氘；Me；iPr；tBu；以及Ph；
R12如R6所定义的。
在发明的特别优选的实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝O、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb和Rd在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1和R2中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1和R2中的一个或更多个取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，由根据式D-I的结构和由相邻的取代基形成的附着环构建的可选地如此形成的稠合环体系总共包括13个至40个环原子，优选地，13个至30个环原子，更优选地，16个至30个环原子；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；以及咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004128479320000641
其中，RX如R6所定义的，但是也可以是CN或CF3，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：氘；Me；iPr；tBu；以及Ph；
R12如R6所定义的。
在发明的优选实施例中，a总是1并且b总是0。
在发明的优选实施例中，Z2在每次出现时是直连键。
在发明的优选实施例中，Ra在每次出现时是氢。
在发明的优选实施例中，Ra和Rd在每次出现时是氢。
在发明的优选实施例中，Q3在每次出现时是氮(N)。
在发明的一个实施例中，式EWG-I中的至少一个基团RX是CN。
在发明的优选实施例中，式EWG-I中的恰好一个基团RX是CN。
在发明的优选实施例中，式EWG-I中的恰好一个基团RX是CN，并且式EWG-I中没有基团RX是CF3。
在下面示出了根据本发明的第一化学部分的示例，这当然不暗指本发明限于这些示例：
Figure BDA0004128479320000651
Figure BDA0004128479320000661
Figure BDA0004128479320000671
其中，适用上述定义。
在下面示出了根据本发明的第二化学部分的示例，这当然不暗指本发明限于这些示例：
Figure BDA0004128479320000672
Figure BDA0004128479320000681
其中，适用上述定义。
在发明的优选实施例中，每个TADF材料EB具有由式EB-I、式EB-II、式EB-III、式EB-IV、式EB-V、式EB-VI、式EB-VII、式EB-VIII、式EB-IX、式EB-X和式EB-XI中的任一个表示的结构：
Figure BDA0004128479320000682
Figure BDA0004128479320000691
Figure BDA0004128479320000701
Figure BDA0004128479320000711
Figure BDA0004128479320000721
其中，
R13如R11所定义的，且前提条件是R13不能是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位；
RY选自于CN和CF3，或者RY包括根据式BN-I的结构或由根据式BN-I的结构组成：
Figure BDA0004128479320000722
所述式BN-I经由通过虚线表示的单键结合到式EB-I、式EB-II、式EB-III、式EB-IV、式EB-V、式EB-VI、式EB-VII、式EB-VIII或式EB-IX的结构，并且其中，恰好一个RBN基团是CN，而其它两个RBN基团都是氢(H)；
并且其中，除此之外，适用上述定义。
在发明的优选实施例中，R13在每次出现时是氢。
在发明的一个实施例中，RY在每次出现时是CN。
在发明的一个实施例中，RY在每次出现时是CF3。
在发明的一个实施例中，RY在每次出现时是由式BN-I表示的结构。
在发明的优选实施例中，RY在每次出现时彼此独立地选自于CN和由式BN-I表示的结构。
在发明的优选实施例中，每个TADF材料EB具有由式EB-I、式EB-II、式EB-III、式EB-IV、式EB-V、式EB-VI、式EB-VII和式EB-X中的任一个表示的结构，其中，适用上述定义。
在发明的优选实施例中，每个TADF材料EB具有由式EB-I、式EB-II、式EB-III、式EB-V和式EB-X中的任一个表示的结构，其中，适用上述定义。
以下列出了用于根据发明的有机电致发光器件中的TADF材料EB的示例，然而，这不暗指仅所示的示例是本发明的上下文中的合适的TADF材料EB。
在下面示出了根据式EB-I的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004128479320000731
Figure BDA0004128479320000741
Figure BDA0004128479320000751
Figure BDA0004128479320000761
Figure BDA0004128479320000771
在下面示出了根据式EB-II的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004128479320000772
Figure BDA0004128479320000781
Figure BDA0004128479320000791
Figure BDA0004128479320000801
在下面示出了根据式EB-III的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004128479320000802
Figure BDA0004128479320000811
Figure BDA0004128479320000821
在下面示出了根据式EB-IV的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004128479320000831
在下面示出了根据式EB-V的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004128479320000841
在下面示出了根据式EB-VI的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004128479320000851
在下面示出了根据式EB-VII的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004128479320000861
在下面示出了根据式EB-VIII的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004128479320000871
在下面示出了根据式EB-IX的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004128479320000872
Figure BDA0004128479320000881
在下面示出了根据式EB-X的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004128479320000882
Figure BDA0004128479320000891
在下面示出了根据式EB-XI的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004128479320000892
TADF材料EB的合成可以经由本领域技术人员已知的标准反应和反应条件来完成。典型地，在第一步骤中，可以进行在下面示例性地示出的用于合成根据式EB-III、式EB-IV和式EB-V中的任一个的TADF材料EB的偶联反应(优选地，钯催化的偶联反应)：
Figure BDA0004128479320000893
E1可以是任何硼酸(RB＝H)或等同的硼酸酯(RB＝烷基或芳基)，具体地，两个RB可以形成环以得到例如硼酸频哪醇酯。使用E2作为第二反应物，其中，Hal指卤素并且可以是I、Br或Cl，但是优选地是Br。这种钯催化的偶联反应的反应条件是本领域技术人员(例如，通过WO2017/005699)已知的，并且已知E1和E2的反应基团可以如下所示互换以优化反应产率：
Figure BDA0004128479320000901
在第二步骤中，TADF分子在亲核芳香族取代中经由氮杂环与芳基卤化物(优选地，芳基氟化物E3)的反应来获得。典型的条件包括在例如非质子极性溶剂(诸如二甲基亚砜(DMSO)或N,N-二甲基甲酰胺(DMF))中使用例如碱(诸如磷酸三钾或氢化钠)。
Figure BDA0004128479320000902
具体地，供体分子E4是3,6-取代的咔唑(例如，3,6-二甲基咔唑、3,6-二苯基咔唑、3,6-二叔丁基咔唑)、2,7-取代的咔唑(例如，2,7-二甲基咔唑、2,7-二苯基咔唑、2,7-二叔丁基咔唑)、1,8-取代的咔唑(例如，1,8-二甲基咔唑、1,8-二苯基咔唑、1,8-二叔丁基咔唑)、1-取代的咔唑(例如，1-甲基咔唑、1-苯基咔唑、1-叔丁基咔唑)、2-取代的咔唑(例如，2-甲基咔唑、2-苯基咔唑、2-叔丁基咔唑)或3-取代的咔唑(例如，3-甲基咔唑、3-苯基咔唑、3-叔丁基咔唑)。
可选地，卤素取代的咔唑(具体地，3-溴咔唑)可以用作E4。
在随后的反应中，可以在经由E4引入的一个或更多个卤素取代基的位置处(例如，经由与双(频哪醇合)二硼(CAS No.73183-34-3)的反应)示例性地引入硼酸酯官能团或硼酸官能团，以产生例如对应的咔唑基硼酸或咔唑基硼酸酯(诸如咔唑-3-基-硼酸酯或咔唑-3-基-硼酸)。随后，可以经由与对应的卤化反应物(例如，Ra-Hal，优选地Ra-Cl和Ra-Br)的偶联反应引入一个或更多个取代基Ra、Rb或Rd代替硼酸酯基团或硼酸基团。
可选地，可以在经由D-H引入的一个或更多个卤素取代基的位置处经由与取代基Ra[Ra-B(OH)2]、Rb[Rb-B(OH)2]或Rd[Rd-B(OH)2]的硼酸或者对应的硼酸酯反应引入一个或更多个取代基Ra、Rb或Rd。
可以类似地获得其它TADF材料EB。TADF材料EB也可以通过适用于该目的的任何替代合成途径来获得。
替代的合成途径可以包括经由铜或钯催化的偶联将氮杂环引入到芳基卤化物或芳基拟卤化物，优选地，芳基溴化物、芳基碘化物、三氟甲磺酸芳基酯或甲苯磺酸芳基酯。
(多个)磷光材料PB
在本发明的上下文中，磷光材料PB利用由金属原子引起的分子内自旋-轨道相互作用(重原子效应)来获得来自三重态(即，激发三重态，典型地最低激发三重态T1)的光发射。也就是说，磷光材料PB能够在室温(即，(近似20℃)下发射磷光，其是通常通过相应的PB在聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)中采用10重量％的浓度的PB的旋涂膜测量的。
将注意的是，尽管根据定义能够发射磷光，但是可选地包括在发明的有机电致发光器件中作为激发能量转移组分EET-1或EET-2的磷光材料PB优选地主要用作“能量泵”而不是用作发射体材料。也就是说，包括在发光层B中的磷光材料PB优选地主要将激发能量转移到一个或更多个小FWHM发射体SB，一个或更多个小FWHM发射体SB依次用作(多个)主发射体材料。发光层B中的磷光材料PB的主要功能优选地不是发射光。然而，其可能会在某种程度上发射光。
通常，理解的是，在现有技术中用在有机电致发光器件中的全部磷光配合物也可以用在根据本发明的有机电致发光器件中。
本领域技术人员的公知的是，用在有机电致发光器件中的磷光材料PB通常是Ir、Pt、Pd、Au、Os、Eu、Ru、Re、Ag和Cu的配合物，在本发明的上下文中，优选地是Ir、Pt和Pd的配合物，更优选地是Ir和Pt的配合物。本领域技术人员知道哪些材料适合作为有机电致发光器件中的磷光材料并且知道如何合成它们。此外，本领域技术人员熟悉用在有机电致发光器件中的磷光配合物的设计原理，并且知道如何借助于结构变化来调节配合物的发射。
见例如：C.-L.Ho,H.Li,W.-Y.Wong,Journal of OrganometallicChemistry2014,751,261,DOI:10.1016/j.jorganchem.2013.09.035；T.Fleetham,G.Li,J.Li,Advanced Science News 2017,29,1601861,DOI:10.1002/adma.201601861；A.R.B.M.Yusoff,A.J.Huckaba,M.K.Nazeeruddin,Topics in Current Chemistry(Z)2017,375:39,1,DOI:10.1007/s41061-017-0126-7；T.-Y.Li,J.Wuc,Z.-G.Wua,Y.-X.Zheng,J.-L.Zuo,Y.Pan,Coordination Chemistry Reviews 2018,374,55,DOI:10.1016/j.ccr.2018.06.014。
例如，US2020274081(A1)、US20010019782(A1)、US20020034656(A1)、US20030138657(A1)、US2005123791(A1)、US20060065890(A1)、US20060134462(A1)、US20070034863(A1)、US20070111026(A1)、US2007034863(A1)、US2007138437(A1)、US20080020237(A1)、US20080297033(A1)、US2008210930(A1)、US20090115322(A1)、US2009104472(A1)、US20100244004(A1)、US2010105902(A1)、US20110057559(A1)、US2011215710(A1)、US2012292601(A1)、US2013165653(A1)、US20140246656(A1)、US20030068526(A1)、US20050123788(A1)、US2005260449(A1)、US20060127696(A1)、US20060202194(A1)、US20070087321(A1)、US20070190359(A1)、US2007104979(A1)、US2007224450(A1)、US20080233410(A1)、US200805851(A1)、US20090039776(A1)、US20090179555(A1)、US20100090591(A1)、US20100295032(A1)、US20030072964(A1)、US20050244673(A1)、US20060008670(A1)、US20060134459(A1)、US20060251923(A1)、US20070103060(A1)、US20070231600(A1)、US2007104980(A1)、US2007278936(A1)、US20080261076(A1)、US2008161567(A1)、US20090108737(A1)、US2009085476(A1)、US20100148663(A1)、US2010102716(A1)、US2010270916(A1)、US20110204333(A1)、US2011285275(A1)、US2013033172(A1)、US2013334521(A1)、US2014103305(A1)、US2003068536(A1)、US2003085646(A1)、US2006228581(A1)、US2006197077(A1)、US2011114922(A1)、US2003054198(A1)和EP2730583(A1)公开了可以用作本发明的上下文中的磷光材料PB的磷光材料。理解的是，这不暗指本发明限于包括在所述参考文献中的一个中描述的磷光材料的有机电致发光器件。
如US2020274081(A1)中所述的，用在诸如本发明的有机电致发光器件的有机电致发光器件中的磷光配合物的示例包括在下面所示的配合物。此外，理解的是，本发明不限于这些示例。
Figure BDA0004128479320000931
Figure BDA0004128479320000941
Figure BDA0004128479320000951
Figure BDA0004128479320000961
Figure BDA0004128479320000971
Figure BDA0004128479320000981
Figure BDA0004128479320000991
Figure BDA0004128479320001001
Figure BDA0004128479320001011
Figure BDA0004128479320001021
如上所述，本领域技术人员将认识到的是，用在现有技术中的任何磷光配合物可以适合作为本发明的上下文中的磷光材料PB。
在发明的一个实施例中，包括在发光层B中的每个磷光材料PB包括铱(Ir)。
在发明的一个实施例中，包括在发光层B中的至少一个磷光材料PB(优选地，每个磷光材料PB)是包括铱(Ir)或铂(Pt)的有机金属配合物。
在发明的一个实施例中，包括在发光层B中的至少一个磷光材料PB(优选地，每个磷光材料PB)是包括铱(Ir)的有机金属配合物。
在发明的一个实施例中，包括在发光层B中的至少一个磷光材料PB(优选地，每个磷光材料PB)是包括铂(Pt)的有机金属配合物。
磷光材料PB的非限制性示例还包括由下面的式PB-I表示的化合物，
Figure BDA0004128479320001031
在式PB-I中，M选自于由Ir、Pt、Au、Eu、Ru、Re、Ag和Cu组成的组；
n是1至3的整数；并且
X2和Y1在每次出现时彼此独立地一起形成双齿单阴离子配体。
在发明的一个实施例中，包括在发光层B中的每个磷光材料PB包括根据式PB-I的结构或由根据式PB-I的结构组成，
Figure BDA0004128479320001032
其中，M选自于由Ir、Pt、Au、Eu、Ru、Re、Ag和Cu组成的组；
n是1至3的整数；并且
X2和Y1在每次出现时彼此独立地一起形成双齿单阴离子配体。
由式PB-I表示的化合物的示例包括由下面的式PB-II或式PB-III表示的化合物：
Figure BDA0004128479320001041
在式PB-II和式PB-III中，X′是碳(C)结合到M的芳香环，并且Y′是氮(N)配位到M以形成环的环。
X′和Y′结合，并且X′和Y′可以形成新的环。在式PB-III中，Z3是具有两个氧(O)的二齿配体。在式PB-II和式PB-III中，从高效率和长寿命的观点来看，M优选是Ir。
在式PB-II和式PB-III中，芳香环X′例如是C6-C30芳基，优选地C6-C16芳基，甚至更优选地C6-C12芳基，特别优选地C6-C10芳基，其中，X′在每次出现时可选地取代有一个或更多个取代基RE。
在式PB-II和式PB-III中，Y′例如是C2-C30杂芳基，优选地C2-C25杂芳基，更优选地C2-C20杂芳基，甚至更优选地C2-C15杂芳基，特别优选地C2-C10杂芳基，其中，Y′在每次出现时可选地取代有一个或更多个取代基RE。此外，Y′可以是例如可选地取代有一个或更多个取代基RE的C1-C5杂芳基。
在式PB-II和式PB-III中，具有两个氧(O)的二齿配体Z3例如是具有两个氧的C2-C30二齿配体、具有两个氧的C2-C25二齿配体、更优选地具有两个氧的C2-C20二齿配体、甚至更优选地具有两个氧的C2-C15二齿配体、特别优选地具有两个氧的C2-C10二齿配体，其中，Z3在每次出现时可选地取代有一个或更多个取代基RE。此外，Z3可以例如是可选地取代有一个或更多个取代基RE的具有两个氧的C2-C5二齿配体。
RE在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R5E)2；OR5E；SR5E；Si(R5E)3；CF3；CN；卤素；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R5E，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5EC＝CR5E、C≡C、Si(R5E)2、Ge(R5E)2、Sn(R5E)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5E、P(＝O)(R5E)、SO、SO2、NR5E、O、S或CONR5E取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R5E，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5EC＝CR5E、C≡C、Si(R5E)2、Ge(R5E)2、Sn(R5E)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5E、P(＝O)(R5E)、SO、SO2、NR5E、O、S或CONR5E取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R5E；以及C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R5E。
R5E在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R6E)2；OR6E；SR6E；Si(R6E)3；CF3；CN；F；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R6E，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R6EC＝CR6E、C≡C、Si(R6E)2、Ge(R6E)2、Sn(R6E)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6E、P(＝O)(R6E)、SO、SO2、NR6E、O、S或CONR6E取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R6E；以及C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R6E。
R6E在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)。
取代基RE、R5E或R6E彼此独立地可选地可以与一个或更多个取代基RE、R5E、R6E和/或与X′、Y′和Z3形成单环或多环的脂肪族、芳香族、杂芳香族的环体系。
由式PB-II表示的化合物的非限制性示例包括Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mppy)3、Ir(PPy)2(m-bppy)、BtpIr(acac)、Ir(btp)2(acac)、Ir(2-phq)3、Hex-Ir(phq)3、Ir(fbi)2(acac)、面式-三(2-(3-对二甲苯基)苯基)吡啶铱(III)、Eu(dbm)3(Phen)、Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Ir(Fiq)2(acac)、Ir(Flq)2(acac)、Ru(dtb-bpy)3·2(PF6)、Ir(2-phq)3、Ir(BT)2(acac)、Ir(DMP)3、Ir(Mpq)3、Ir(phq)2tpy、面式-Ir(ppy)2Pc、Ir(dp)PQ2、Ir(Dpm)(Piq)2、Hex-Ir(piq)2(acac)、Hex-Ir(piq)3、Ir(dmpq)3、Ir(dmpq)2(acac)、FPQIrpic等。
由式PB-II表示的化合物的其它非限制性示例包括由下面的式PB-II-1至式PB-II-11表示的化合物。在结构式中，“Me”表示甲基。
Figure BDA0004128479320001061
由式PB-III表示的化合物的其它非限制性示例包括由下面的式PB-III-1至式PB-III-6表示的化合物。在结构式中，“Me”表示甲基。
Figure BDA0004128479320001071
此外，可以使用US2003017361(A1)、US2004262576(A1)、WO2010027583(A1)、US2019245153(A1)、US2013119354(A1)和US2019233451(A1)中所描述的铱配合物。从磷光材料的高效率的观点出发，Ir(ppy)3和Hex-Ir(ppy)3通常被用于绿光发射。
激基复合物
已经说明了TADF材料能够通过反向系间窜越(RISC)的方式将激发三重态(优选地T1)转换为激发单重态(优选地S1)。已经还说明了这典型地需要小的ΔEST值，根据定义，对于TADF材料EB，该ΔEST值小于0.4eV。
如还说明的，这通常通过设计TADF分子EB来实现，使得HOMO和LUMO分别在(电子)供体和(电子)受体基团上大空间地分离。然而，获得具有小ΔEST值的物质的另一策略是激基复合物的形成。如本领域技术人员已知的，激基复合物是在供体分子与受体分子之间形成的激发态电荷转移复合物(即，激发态供体-受体复合物)。本领域技术人员还理解的是，激基复合物中的HOMO(在供体分子上)与LUMO(在受体分子上)之间的空间分离通常导致它们具有相当小的ΔEST值，并且通常能够通过反向系间窜越(RISC)的方式将激发三重态(优选地T1)转换为激发单重态(优选地S1)。
实际上，如本领域技术人员已知的是，如上所述，TADF材料可以不仅仅是本身能够从激发三重态到激发单重态的RISC并且随后发射TADF的材料。本领域技术人员已知的是，TADF材料实际上也可以是由两个材料形成的激基复合物，优选地由两个主体材料HB形成，更优选地由p主体材料HP和n主体材料HN形成(参见下文)，然而理解的是，主体材料HB(典型地HP和HN)本身可以是TADF材料。
本领域技术人员理解的是，包括在同一层中(具体地，在同一EML中)的任何材料而且在相邻层中并且在这些相邻的层之间的界面处紧密接近的材料可以一起形成激基复合物。本领域技术人员知道如何选择形成激基复合物的材料对(具体地，p主体HP和n主体HN对)以及所述材料对的两个组分的选择标准(包括HOMO和/或LUMO能级要求)。也就是说，在可以期望激基复合物形成的情况下，一个组分(例如，p主体材料HP)的最高占据分子轨道(HOMO)在能量上可以比另一组分(例如，n主体材料HN)的HOMO高至少0.20eV，并且一个组分(例如，p主体材料HP)的最低未占分子轨道(LUMO)在能量上可以比另一组分(例如，n主体材料HN)的LUMO高至少0.20eV。
属于本领域技术人员的公知常识的是，如果激基复合物存在于有机电致发光器件(具体地，OLED)的EML中，则激基复合物可以具有发射体材料的功能并且当向所述器件施加电压和电流时发射光。如通过现有技术还典型地已知的，激基复合物也可以是非发射性的，并且如果包括在有机电致发光器件的EML中，则可以例如将激发能量转移到发射体材料。因此，能够通过RISC的方式将激发三重态转换为激发单重态的激基复合物也可以用作激发能量转移组分EET-1和/或EET-2。
下面列出了可以一起形成激基复合物的主体材料HB的非限制性示例，其中，供体分子(即，p主体HP)可以选自于以下结构：
Figure BDA0004128479320001091
并且其中，受体分子(即，n主体HN)可以选自于以下结构：
Figure BDA0004128479320001101
Figure BDA0004128479320001111
Figure BDA0004128479320001121
理解的是，在本发明的上下文中，激基复合物可以由包括在发光层B中的任何材料形成，例如，由不同的激发能量转移组分(EET-1和/或EET-2)形成，以及由激发能量转移组分(EET-1和/或EET-2)和小FWHM发射体SB形成，或者由主体材料HB和激发能量转移组分EET-1或EET-2或小FWHM发射体SB形成。然而，优选地，它们由如上所述的不同的主体材料HB形成。还理解的是，也可以形成激基复合物且激基复合物本身不用作激发能量转移组分(EET-1和/或EET-2)。
(多个)小FWHM发射体SB
在本发明的上下文中，小半峰全宽(FWHM)发射体SB是具有发射光谱的任何发射体，所述发射光谱表现出小于或等于0.25eV(≤0.25eV)的FWHM，其是通常通过在室温(即，(近似)20℃)下在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体的旋涂膜测量的。可选地，小FWHM发射体SB的发射光谱可以在室温(即，(近似)20℃)下在溶液(通常在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB)中测量。
在发明的优选实施例中，小FWHM发射体SB是具有发射光谱的任何发射体，所述发射光谱表现出≤0.24eV(更优选地≤0.23eV，甚至更优选地≤0.22eV、≤0.21eV或≤0.20eV)的FWHM，其是通过在室温(即，(近似)20℃)下在PMMA中采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB的旋涂膜测量的。可选地，小FWHM发射体SB的发射光谱可以在室温(即，(近似)20℃)下在溶液(通常在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB)中测量。在本发明的其它实施例中，每个小FWHM发射体SB表现出≤0.19eV、≤0.18eV、≤0.17eV、≤0.16eV、≤0.15eV、≤0.14eV、≤0.13eV、≤0.12eV或≤0.11eV的FWHM。
在发明的一个实施例中，每个小FWHM发射体SB发射具有在400nm至470nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的一个实施例中，每个小FWHM发射体SB发射具有在500nm至560nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的一个实施例中，每个小FWHM发射体SB发射具有在610nm至665nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的一个实施例中，每个小FWHM发射体SB发射具有在400nm至470nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
在发明的一个实施例中，每个小FWHM发射体SB发射具有在500nm至560nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
在发明的一个实施例中，每个小FWHM发射体SB发射具有在610nm至665nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
理解的是，包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的TADF材料EB也可以可选地是具有表现出小于或等于0.25eV(≤0.25eV)的FWHM的发射光谱的发射体。可选地，包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的TADF材料EB也可以在上述波长范围(即：400nm至470nm、500nm至560nm、610nm至665nm)内表现出发射最大值。
在发明的一个实施例中，适用由下面的式(29)至式(31)表示的关系中的一个：
440nm < λmax(SB) < 470nm (29)
510nm < λmax(SB) < 550nm (30)
610nm < λmax(SB) < 665nm (31)，
其中，λmax(SB)指在本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的发射最大值。
在一个实施例中，上述由式(29)至式(31)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B中的任一个中的材料。在一个实施例中，上述由式(29)至式(31)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的同一发光层B中的材料。
在发明的优选实施例中，每个小FWHM发射体SB是有机发射体，在发明的上下文中，这意味着其不包含任何过渡金属。优选地，根据发明的每个小FWHM发射体SB主要由元素氢(H)、碳(C)、氮(N)和硼(B)组成，但是可以例如还包括氧(O)、硅(Si)、氟(F)和溴(Br)。
在发明的优选实施例中，每个小FWHM发射体SB是荧光发射体，在本发明的上下文中，这意味着在电子激发时(例如，在根据发明的光电器件中)，发射体能够在室温下发射光，其中，发射激发态是单重态。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于50％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的优选实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于60％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的甚至更优选的实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于70％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于80％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的特别优选的实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于90％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于50％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
在发明的优选实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于60％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
在发明的甚至更优选的实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于70％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于80％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
在发明的特别优选的实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于90％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
本领域技术人员知道如何设计满足上述要求或优选特征的小FWHM发射体SB。
适合于提供本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的一类分子是公知的4,4-二氟-4-硼-3a,4a-二氮杂-s-引达省(BODIPY)类材料，所述材料的结构特征和在有机电致发光器件中的应用已经被详细综述并且是本领域技术人员的公知常识。现有技术还揭示了如何可以合成这种材料以及如何获得具有一定发射颜色的发射体。
见例如：J.Liao,Y.Wang,Y.Xu,H.Zhao,X.Xiao,X.Yang,Tetrahedron2015,71(31),5078,DOI:10.1016/j.tet.2015.05.054；B.M Squeo,M.Pasini,SupramolecularChemistry 2020,32(1),56–70,DOI:10.1080/10610278.2019.1691727；M.Poddar,R.Misra,Coordination Chemistry Reviews 2020,421,213462–213483；DOI:10.1016/j.ccr.2020.213462。
本领域技术人员还熟悉在下面示出的BODIPY类结构的事实：
Figure BDA0004128479320001161
例如，由于分子间π-π相互作用和相关的自猝灭，其不理想地适合作为有机电致发光器件中的发射体。
对于本领域技术人员而言是公知常识的是，通过将大体积基团作为取代基附着到上面所示的BODIPY核结构，可以得到用于有机电致发光器件的更合适的发射体分子。这些大体积基团可以例如是(多个其它)芳基、杂芳基、烷基或烷氧基取代基或者缩合多环芳香族化合物或杂芳香族化合物(之中的)，它们中的全部可以可选地被取代。在BODIPY核处的合适取代基的选择对于本领域技术人员而言是明显的，并且可以容易地通过现有技术得出。这同样适用于为合成和随后修饰这些分子已经建立的多个合成途径。
见例如：B.M Squeo,M.Pasini,Supramolecular Chemistry 2020,32(1),56–70,DOI:10.1080/10610278.2019.1691727；M.Poddar,R.Misra,Coordination ChemistryReviews 2020,421,213462–213483；DOI:10.1016/j.ccr.2020.213462。
在下面示出了可以适合作为本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的BODIPY类发射体的示例：
Figure BDA0004128479320001162
Figure BDA0004128479320001171
Figure BDA0004128479320001181
理解的是，这不暗指具有除了上面示出的结构特征之外的其它结构特征的BODIPY衍生物不适合作为本发明的上下文中的小FWHM发射体SB。
例如，US2020251663(A1)、EP3671884(A1)、US20160230960(A1)和US20150303378(A1)中公开的BODIPY衍生结构或它们的衍生物可以是用于根据本发明的合适的小FWHM发射体SB。
此外，本领域技术人员知道的是，还可以通过用烷氧基或芳氧基替代附着到BODIPY核结构的中心硼原子的氟取代基中的一个或两个来获得用于有机电致发光器件的发射体，所述烷氧基或芳氧基经由氧原子附着并且可以可选地被取代，优选地，取代有吸电子取代基(诸如氟(F)或三氟甲基(CF3))。这种分子例如公开在US2012037890(A1)中，并且本领域技术人员理解的是，这些BODIPY相关化合物也可以是本发明的上下文中的合适的小FWHM发射体SB。在下面示出了这种发射体分子的示例，这不暗指仅所示结构可以是本发明的上下文中的合适的小FWHM发射体SB：
Figure BDA0004128479320001191
另外，US20190288221(A1)中公开的BODIPY相关的含硼发射体组成可以提供用于根据本发明的合适的小FWHM发射体SB的一组发射体。
适合于提供发明的上下文中的小FWHM发射体SB的另一类分子是近距离电荷转移(NRCT)发射体。
在文献中描述了典型的NRCT发射体在时间分辨光致发光光谱中显示延迟分量并且表现出近范围HOMO-LUMO分离。见例如：T.Hatakeyama,K.Shiren,K.Nakajima,S.Nomura,S.Nakatsuka,K.Kinoshita,J.Ni,Y.Ono,and T.Ikuta,Advanced Materials 2016,28(14),2777,DOI:10.1002/adma.201505491。
典型的NRCT发射体在发射光谱中仅显示出一个发射带，其中，典型的荧光发射体由于振动进程而显示出几个不同的发射带。
本领域技术人员知道如何设计和合成可以适合作为本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的NRCT发射体。例如，EP3109253(A1)中公开的发射体可以用作本发明的上下文中的小FWHM发射体SB。
此外，例如，US2014058099(A1)、US2009295275(A1)、US2012319052(A1)、EP2182040(A2)、US2018069182(A1)、US2019393419(A1)、US2020006671(A1)、US2020098991(A1)、US2020176684(A1)、US2020161552(A1)、US2020227639(A1)、US2020185635(A1)、EP3686206(A1)、WO2020217229(A1)、WO2020208051(A1)和US2020328351(A1)公开了可以适合作为用于根据本发明的小FWHM发射体SB的发射体材料。
可以用作本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的一组发射体是包括根据下面的式DABNA-I的结构或由根据下面的式DABNA-I的结构组成的含硼(B)发射体：
Figure BDA0004128479320001201
其中，
环A′、环B′和环C′中的每个彼此独立地表示均包括5个至24个环原子的芳香环或杂芳香环，其中，在杂芳香环的情况下，1个至3个环原子是彼此独立地选自于N、O、S和Se中的杂原子；其中，
芳香环或杂芳香环A′、环B′和环C′中的每个中的一个或更多个氢原子可选地并且彼此独立地被取代基RDABNA-1取代，取代基RDABNA-1在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-2)2；ORDABNA-2；SRDABNA-2；Si(RDABNA-2)3；B(ORDABNA-2)2；OSO2RDABNA-2；CF3；CN；卤素(F、Cl、Br、I)；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、C≡C、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、C≡C、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、C≡C、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、C≡C、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
RDABNA-2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-6)2；ORDABNA-6；SRDABNA-6；Si(RDABNA-6)3；B(ORDABNA-6)2；OSO2RDABNA-6；CF3；CN；卤素(F、Cl、Br、I)；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C1-C5烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C1-C5硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C2-C5烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C2-C5炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
其中，选自于RDABNA-1和RDABNA-2中的两个或更多个相邻的取代基可选地形成稠合到相邻的环A′、环B′或环C′的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系(即，相应的环A′、环B′或环C′以及可选地稠合到其的(多个)附加环)总共包括8个至30个环原子；
Ya和Yb彼此独立地选自于直连(单)键、NRDABNA-3、O、S、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2、BRDABNA-3和Se；
RDABNA-3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-4)2；ORDABNA-4；SRDABNA-4；Si(RDABNA-4)3；B(ORDABNA-4)2；OSO2RDABNA-4；CF3；CN；卤素(F、Cl、Br、I)；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、C≡C、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、C≡C、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、C≡C、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、C≡C、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
RDABNA-4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-5)2；ORDABNA-5；SRDABNA-5；Si(RDABNA-5)3；B(ORDABNA-5)2；OSO2RDABNA-5；CF3；CN；卤素(F、Cl、Br、I)；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、C≡C、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、C≡C、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、C≡C、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、C≡C、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5；C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
RDABNA-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-6)2；ORDABNA-6；SRDABNA-6；Si(RDABNA-6)3；B(ORDABNA-6)2；OSO2RDABNA-6；CF3；CN；卤素(F、Cl、Br、I)；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C1-C5烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C1-C5硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C2-C5烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C2-C5炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
其中，选自于RDABNA-3、RDABNA-4和RDABNA-5中的两个或更多个相邻的取代基可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的环体系总共包括8个至30个环原子；
RDABNA-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh(Ph＝苯基)；SPh；CF3；CN；F；Si(C1-C5烷基)3；Si(Ph)3；C1-C5烷基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、Ph、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、C1-C5烷基、SiMe3、SiPh3或C6-C18芳基取代基取代；C3-C17杂芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、C1-C5烷基、SiMe3、SiPh3或C6-C18芳基取代基取代；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，在Ya和Yb中的一个或者Ya和Yb两者是NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3的情况下，一个或两个取代基RDABNA-3可以可选地并且彼此独立地经由直连(单)键或者经由在每种情况下独立地选自于NRDABNA-1、O、S、C(RDABNA-1)2、Si(RDABNA-1)2、BRDABNA-1和Se中的连接原子或原子基团结合到相邻的环A′和环B′(针对Ya＝NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA -3)2或BRDABNA-3)或者环A′和环C′(针对Yb＝NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3)中的一个或两个；
并且其中，可选地，两个或更多个(优选地两个)式DABNA-I的结构彼此共轭(优选地，通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)；
其中，可选地，两个或更多个(优选地两个)式DABNA-I的结构存在于发射体中并且共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是两个式DABNA-I的结构的一部分)，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式DABNA-I的环A′、环B′和环C′中的任一个，但是也可以是选自于RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的任何芳香族或杂芳香族取代基(具体地，RDABNA-3)，或者由如上所述的两个或更多个相邻的取代基形成的任何芳香环或杂芳香环，其中，所共享的环可以构成共享环的两个或更多个式DABNA-I的结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的两个式DABNA-I的结构的环C′，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的一个式DABNA-I的结构的环B′和另一式DABNA-I的结构的环C′)；并且
其中，可选地，RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的至少一个被连接到式DABNA-I的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的任一个的至少一个氢原子被连接到式DABNA-I的又一化学实体的键代替。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个包括根据式DABNA-I的结构。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，每个小FWHM发射体SB包括根据式DABNA-I的结构。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个由根据式DABNA-I的结构组成。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，每个小FWHM发射体SB由根据式DABNA-I的结构组成。
在发明的优选实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，环A′、环B′和环C′全部是均具有6个环原子的芳香环(即，它们全部是苯环)。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，Ya和Yb彼此独立地选自于NRDABNA-3、O、S、C(RDABNA-3)2和Si(RDABNA-3)2。
在发明的优选实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，Ya和Yb彼此独立地选自于NRDABNA-3、O和S。
在发明的甚至更优选的实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，Ya和Yb彼此独立地选自于NRDABNA-3和O。
在发明的特别优选的实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，Ya和Yb两者是NRDABNA-3。
在发明的特别优选的实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，Ya和Yb相同并且两者是NRDABNA-3。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-1在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-2)2；ORDABNA-2；SRDABNA-2；Si(RDABNA-2)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；C1-C5烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；C1-C5硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；
RDABNA-2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-6)2；ORDABNA-6；SRDABNA-6；Si(RDABNA-6)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；
其中，选自于RDABNA-1和RDABNA-2中的两个或更多个相邻的取代基可选地形成稠合到相邻的环A′、环B′或环C′的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系(即，相应的环A′、环B′或环C′以及可选地稠合到其的(多个)附加环)总共包括8个至30个环原子。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-1在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-2)2；ORDABNA-2；SRDABNA-2；Si(RDABNA-2)3；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；
RDABNA-2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-6)2；ORDABNA-6；SRDABNA-6；Si(RDABNA-6)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；
其中，选自于RDABNA-1和RDABNA-2中的两个或更多个相邻的取代基可选地形成稠合到相邻的环A′、环B′或环C′的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系(即，相应的环A′、环B′或环C′以及可选地稠合到其的(多个)附加环)总共包括8个至30个环原子。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-1在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-2)2；ORDABNA-2；SRDABNA-2；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；
RDABNA-2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；OPh；CN；Me；iPr；tBu；Si(Me)3；Ph，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；
其中，两个或更多个相邻的RDABNA-1形成稠合到相邻的环A′、环B′或环C′的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系(即，相应的环A′、环B′或环C′以及可选地稠合到其的(多个)附加环)总共包括8个至30个环原子。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-1在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；OPh；Me；iPr；tBu；Si(Me)3；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；以及C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；
其中，两个或更多个相邻的RDABNA-1可选地形成稠合到相邻的环A′、环B′或环C′的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系(即，相应的环A′、环B′或环C′以及可选地稠合到其的(多个)附加环)总共包括8个至30个环原子。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-1在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；三嗪基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu或Ph取代；嘧啶基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu或Ph取代；以及吡啶基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu或Ph取代；
其中，两个或更多个相邻的RDABNA-1可选地形成稠合到相邻的环A′、环B′或环C′的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系(即，相应的环A′、环B′或环C′以及可选地稠合到其的(多个)附加环)总共包括8个至30个环原子。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，选自于RDABNA-1和RDABNA-2中的相邻的取代基不形成稠合到相邻的环A′、环B′或环C′的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C1-C4烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；
RDABNA-4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-5)2；ORDABNA-5；SRDABNA-5；Si(C1-C5烷基)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5；
RDABNA-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；OPh；Si(Me)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；以及C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；
其中，选自于RDABNA-3、RDABNA-4和RDABNA-5中的两个或更多个相邻的取代基可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括8个至30个环原子。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C1-C4烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；
RDABNA-4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；OPh；Si(Me)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；以及C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；
其中，选自于RDABNA-3和RDABNA-4中的两个或更多个相邻的取代基彼此不形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C1-C4烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；
RDABNA-4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；以及C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；
其中，选自于RDABNA-3和RDABNA-4中的两个或更多个相邻的取代基彼此不形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；
其中，选自于RDABNA-3中的两个或更多个相邻的取代基彼此不形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；
其中，选自于RDABNA-3中的两个或更多个相邻的取代基彼此不形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh(Ph＝苯基)；SPh；CF3；CN；F；Si(C1-C5烷基)3；Si(Ph)3；C1-C5烷基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、Ph、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、C1-C5烷基、SiMe3、SiPh3或C6-C18芳基取代基取代；C3-C17杂芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、C1-C5烷基、SiMe3、SiPh3或C6-C18芳基取代基取代；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；OPh(Ph＝苯基)；SPh；CF3；CN；F；Si(Me)3；Si(Ph)3；C1-C5烷基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、Ph、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、Me、iPr、tBu、SiMe3、SiPh3或Ph取代；以及C3-C17杂芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、Me、iPr、tBu、SiMe3、SiPh3或Ph取代。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；CN；F；Me；iPr；tBu；Ph，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、Me、iPr、tBu或Ph取代；以及C3-C17杂芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、Me、iPr、tBu或Ph取代。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、Me、iPr、tBu或Ph取代。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，当Ya和/或Yb是NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3时，一个或两个取代基RDABNA-3不结合到相邻的环A′和环B′(针对Ya＝NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3)或者环A′和环C′(针对Yb＝NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3)中的一个或两个。
在一个实施例中，本发明的上下文中的小FWHM发射体SB还可以可选地是上述式DABNA-I的多聚体(例如，二聚体)，这意味着它们的结构包括大于一个子单元，所述大于一个子单元中的每个具有根据式DABNA-I的结构。在这种情况下，本领域技术人员将理解的是，根据式DABNA-I的两个或更多个子单元可以例如彼此共轭(优选地彼此稠合)(即，共享至少一个键，其中，附着到形成所述键的原子的相应的取代基可以不再存在)。两个或更多个子单元还可以共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环。这意味着，例如，小FWHM发射体SB可以包括均具有式DABNA-I的结构的两个或更多个子单元，其中，这两个子单元共享一个芳香环或杂芳香环(即，相应的环是两个子单元的一部分)。因此，因为所共享的环仅存在一次，所以相应的多聚体(例如，二聚体)发射体SB可以不包含根据式DABNA-I的两个完整的子单元。然而，本领域技术人员将理解的是，在此，这种发射体仍然被认为是式DABNA-I的多聚体(例如，如果包括具有式DABNA-I的结构的两个子单元，则是二聚体)。这同样适用于共享大于一个环的多聚体。优选地，多聚体是包括均具有式DABNA-I的结构的两个子单元的二聚体。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB是如上所述的式DABNA-I的二聚体，这意味着发射体包括均具有根据式DABNA-I的结构的两个子单元。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括两个或更多个(优选地恰好两个)根据式DABNA-I的结构(即，子单元)，或者由两个或更多个(优选地恰好两个)根据式DABNA-I的结构(即，子单元)组成，
其中，这些子单元共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是两个式DABNA-I的结构的一部分)，并且其中，(多个)所共享的环可以是式DABNA-I的环A′、环B′和环C′中的任一个，但是也可以是选自于RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的任何芳香族或杂芳香族取代基(具体地，RDABNA-3)，或者由如上所述的两个或更多个相邻的取代基形成的任何芳香环或杂芳香环，其中，所共享的环可以构成共享环的两个或更多个式DABNA-I的结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的两个式DABNA-I的结构的环C′，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的一个式DABNA-I的结构的环B′和另一式DABNA-I的结构的环C′)。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括两个或更多个(优选地恰好两个)根据式DABNA-I的结构(即，子单元)，或者由两个或更多个(优选地恰好两个)根据式DABNA-I的结构(即，子单元)组成，
其中，RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的至少一个被连接到式DABNA-I的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的任一个的至少一个氢原子被连接到式DABNA-I的又一化学实体的键代替。
在下面列出了可以用作根据本发明的小FWHM发射体SB的包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成的发射体的非限制性示例。
Figure BDA0004128479320001341
Figure BDA0004128479320001351
Figure BDA0004128479320001361
Figure BDA0004128479320001371
Figure BDA0004128479320001381
Figure BDA0004128479320001391
Figure BDA0004128479320001401
Figure BDA0004128479320001411
Figure BDA0004128479320001421
Figure BDA0004128479320001431
Figure BDA0004128479320001441
Figure BDA0004128479320001451
Figure BDA0004128479320001461
Figure BDA0004128479320001471
Figure BDA0004128479320001481
Figure BDA0004128479320001491
Figure BDA0004128479320001501
Figure BDA0004128479320001511
Figure BDA0004128479320001521
可以用作本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的一组发射体是包括根据下面的式BNE-1的结构或者由根据下面的式BNE-1的结构组成的发射体：
Figure BDA0004128479320001522
其中，
c和d两者是整数并且彼此独立地选自于0和1；
e和f两者是整数并且选自于0和1，其中，e和f(总是)相同的(即，两者是0或两者是1)；
g和h两者是整数并且选自于0和1，其中，g和h(总是)相同的(即，两者是0或两者是1)；
如果d是0，则e和f两者是1，如果d是1，则e和f两者是0；
如果c是0，则g和h两者是1，如果c是1，则g和h两者是0；
V1选自于氮(N)和CRBNE-V；
V2选自于氮(N)和CRBNE-I；
X3选自于由直连键、CRBNE-3RBNE-4、C＝CRBNE-3RBNE-4、C＝O、C＝NRBNE-3、NRBNE-3、O、SiRBNE -3RBNE-4、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Y2选自于由直连键、CRBNE-3′RBNE-4′、C＝CRBNE-3′RBNE-4′、C＝O、C＝NRBNE-3′、NRBNE-3′、O、SiRBNE-3′RBNE-4′、S、S(O)和S(O)2组成的组；
RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V均彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(ORBNE -5)2；B(RBNE-5)2；OSO2RBNE-5；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE -5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5取代，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、Si(RBNE -5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-d、RBNE-d′和RBNE-e彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(ORBNE-5)2；B(RBNE-5)2；OSO2RBNE-5；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE -5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE -5、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；
RBNE-a在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(ORBNE-5)2；B(RBNE-5)2；OSO2RBNE-5；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE -5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE -5、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-6)2；ORBNE-6；Si(RBNE-6)3；B(ORBNE-6)2；B(RBNE-6)2；OSO2RBNE-6；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE -6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE -6、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6；
RBNE-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3、Ph或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；N(C6-C18芳基)2；N(C2-C17杂芳基)2；以及N(C2-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，RBNE-III和RBNE-e可选地结合以形成直连单键；并且
其中，取代基RBNE-a、RBNE-d、RBNE-d′、RBNE-e、RBNE-3′、RBNE-4′和RBNE-5中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，取代基RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构彼此共轭(优选地，通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构存在于发射体中并且共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是两个式BNE-1的结构的一部分)，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式BNE-1的环a、环b和环c′中的任一个，但是也可以是选自于RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-5、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任何芳香族或杂芳香族取代基，或者由如上所述的两个或更多个取代基形成的任何芳香环或杂芳香环，其中，所共享的环可以构成共享环的两个或更多个式BNE-1的结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的两个式BNE-1的结构的环c′，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的一个式BNE-1的结构的环b和另一式BNE-1的结构的环c′)；并且
其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的至少一个被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE -4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任一个的至少一个氢原子被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个包括根据式BNE-1的结构。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，每个小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个由根据式BNE-1的结构组成。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，每个小FWHM发射体SB由根据式BNE-1的结构组成。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，V1是CRBNE-V，并且V2是CRBNE-I。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，V1和V2两者是氮(N)。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，V1是氮(N)，并且V2是CRBNE-I。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，V1是CRBNE-V，并且V2是氮(N)。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，c和d两者是0。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，c是0，并且d是1。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，c是1，并且d是0。
在发明的优选实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，c和d两者是1。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
X3选自于由直连键、CRBNE-3RBNE-4、C＝O、NRBNE-3、O、S和SiRBNE-3RBNE-4组成的组；并且
Y2选自于由直连键、CRBNE-3′RBNE-4′、C＝O、NRBNE-3′、O、S和SiRBNE-3′RBNE-4′组成的组。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
X3选自于由直连键、CRBNE-3RBNE-4、NRBNE-3、O、S和SiRBNE-3RBNE-4组成的组；并且
Y2选自于由直连键、CRBNE-3′RBNE-4′、NRBNE-3′、O、S和SiRBNE-3′RBNE-4′组成的组。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
X3选自于由直连键、CRBNE-3RBNE-4、NRBNE-3、O、S和SiRBNE-3RBNE-4组成的组；并且
Y2是直连键。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
X3是直连键或NRBNE-3；并且
Y2是直连键。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
X3是NRBNE-3；并且
Y2是直连键。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V均彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(ORBNE -5)2；B(RBNE-5)2；OSO2RBNE-5；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE -5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-d、RBNE-d′和RBNE-e彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；
RBNE-a在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(ORBNE-5)2；B(RBNE-5)2；OSO2RBNE-5；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE -5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE -5、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-6)2；ORBNE-6；Si(RBNE-6)3；B(ORBNE-6)2；B(RBNE-6)2；OSO2RBNE-6；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE -6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE -6、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6；
RBNE-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3、Ph或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；N(C6-C18芳基)2；N(C2-C17杂芳基)2；以及N(C2-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，RBNE-III和RBNE-e可选地结合以形成直连单键；并且
其中，取代基RBNE-a、RBNE-d、RBNE-d′、RBNE-e、RBNE-3′、RBNE-4′和RBNE-5中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，取代基RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构彼此共轭(优选地，通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构存在于发射体中并且共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是两个式BNE-1的结构的一部分)，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式BNE-1的环a、环b和环c′中的任一个，但是也可以是选自于RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-5、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任何芳香族或杂芳香族取代基，或者由如上所述的两个或更多个取代基形成的任何芳香环或杂芳香环；其中，所共享的环可以构成共享环的两个或更多个式BNE-1的结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的两个式BNE-1的结构的环c′，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的一个式BNE-1的结构的环b和另一式BNE-1的结构的环c′)；并且
其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的至少一个被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE -4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任一个的至少一个氢原子被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V均彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(RBNE -5)2；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C18烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C30芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C29杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-d、RBNE-d′和RBNE-e彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C18烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C30芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；以及C2-C29杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；
RBNE-a在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(RBNE-5)2；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C18烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C30芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C29杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；N(C6-C18芳基)2；N(C2-C17杂芳基)2；以及N(C2-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，RBNE-III和RBNE-e可选地结合以形成直连单键；并且
其中，取代基RBNE-a、RBNE-d、RBNE-d′、RBNE-e、RBNE-3′、RBNE-4′和RBNE-5中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，取代基RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构彼此共轭(优选地，通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构存在于发射体中并且共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是两个式BNE-1的结构的一部分)，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式BNE-1的环a、环b和环c′中的任一个，但是也可以是选自于RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-5、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任何芳香族或杂芳香族取代基，或者由如上所述的两个或更多个取代基形成的任何芳香环或杂芳香环；其中，所共享的环可以构成共享环的两个或更多个式BNE-1的结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的两个式BNE-1的结构的环c′，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的一个式BNE-1的结构的环b和另一式BNE-1的结构的环c′)；并且
其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的至少一个被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE -4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任一个的至少一个氢原子被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V均彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(RBNE -5)2；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-d、RBNE-d′和RBNE-e彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；以及C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；
RBNE-a在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(RBNE-5)2；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；N(C6-C18芳基)2；N(C2-C17杂芳基)2；以及N(C2-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，RBNE-III和RBNE-e可选地结合以形成直连单键；并且
其中，取代基RBNE-a、RBNE-d、RBNE-d′、RBNE-e、RBNE-3′、RBNE-4′和RBNE-5中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，取代基RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构彼此共轭(优选地，通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构存在于发射体中并且共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是两个式BNE-1的结构的一部分)，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式BNE-1的环a、环b和环c′中的任一个，但是也可以是选自于RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-5、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任何芳香族或杂芳香族取代基，或者由如上所述的两个或更多个取代基形成的任何芳香环或杂芳香环；其中，所共享的环可以构成共享环的两个或更多个式BNE-1的结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的两个式BNE-1的结构的环c′，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的一个式BNE-1的结构的环b和另一式BNE-1的结构的环c′)；并且
其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的至少一个被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE -4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任一个的至少一个氢原子被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V均彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(RBNE -5)2；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-d、RBNE-d′和RBNE-e彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；以及C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；
RBNE-a在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(RBNE-5)2；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；N(C6-C18芳基)2；N(C2-C17杂芳基)2；以及N(C2-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，RBNE-III和RBNE-e可选地结合以形成直连单键；并且
其中，取代基RBNE-a、RBNE-d、RBNE-d′、RBNE-e、RBNE-3′、RBNE-4′和RBNE-5中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，取代基RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构彼此共轭(优选地，通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构存在于发射体中并且共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是两个式BNE-1的结构的一部分)，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式BNE-1的环a、环b和环c′中的任一个，但是也可以是选自于RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-5、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任何芳香族或杂芳香族取代基，或者由如上所述的两个或更多个取代基形成的任何芳香环或杂芳香环；其中，所共享的环可以构成共享环的两个或更多个式BNE-1的结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的两个式BNE-1的结构的环c′，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的一个式BNE-1的结构的环b和另一式BNE-1的结构的环c′)；并且
其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的至少一个被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE -4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任一个的至少一个氢原子被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，RBNE-III和RBNE-e结合以形成直连单键。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，RBNE-III和RBNE-e不结合以形成直连单键。
在一个实施例中，适合作为本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的荧光发射体也可以可选地是上述式BNE-1的多聚体(例如，二聚体)，这意味着它们的结构包括大于一个子单元，所述大于一个子单元中的每个具有根据式BNE-1的结构。在这种情况下，本领域技术人员将理解的是，根据式BNE-1的两个或更多个子单元可以例如彼此共轭(优选地，彼此稠合)(即，共享至少一个键，其中，附着到形成所述键的原子的相应的取代基可以不再存在)。两个或更多个子单元还可以共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环。这意味着，例如，小FWHM发射体SB可以包括均具有式BNE-1的结构的两个或更多个子单元，其中，这两个子单元共享一个芳香环或杂芳香环(即，相应的环是两个子单元的一部分)。因此，因为所共享的环仅存在一次，所以相应的多聚体(例如，二聚体)发射体SB可以不包含根据式BNE-1的两个完整的子单元。然而，本领域技术人员将理解的是，在此，这种发射体仍然被认为是式BNE-1的多聚体(例如，如果包括具有式BNE-1的结构的两个子单元，则是二聚体)。这同样适用于共享大于一个环的多聚体。优选地，多聚体是包括均具有式BNE-1的结构的两个子单元的二聚体。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个小FWHM发射体SB(优选地，每个小FWHM发射体SB)是如上所述的式BNE-1的二聚体，这意味着发射体包括均具有根据式BNE-1的结构的两个子单元。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括两个或更多个(优选地恰好两个)根据式BNE-1的结构(即，子单元)，或者由两个或更多个(优选地恰好两个)根据式BNE-1的结构(即，子单元)组成，
其中，这两个子单元彼此共轭(优选地，通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括两个或更多个(优选地恰好两个)根据式BNE-1的结构(即，子单元)，或者由两个或更多个(优选地恰好两个)根据式BNE-1的结构(即，子单元)组成，
其中，这两个子单元共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环是两个式BNE-1的结构的一部分)，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式BNE-1的环a、环b和环c′中的任一个，但是也可以是选自于RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE -2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-5、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任何芳香族或杂芳香族取代基，或者由如上所述的两个或更多个取代基形成的任何芳香环或杂芳香环；其中，所共享的环可以构成共享环的两个或更多个式BNE-1的结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的两个式BNE-1的结构的环c′，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的一个式BNE-1的结构的环b和另一式BNE-1结构的环c′)。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构(即，子单元)，或者由根据式BNE-1的结构(即，子单元)组成，
其中，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的至少一个被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE -5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任一个的至少一个氢原子被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替。
在下面示出了可以用作本发明的上下文中的小FWHM发射体的包括根据上述式BNE-1的结构或由根据上述式BNE-1的结构组成的荧光发射体的非限制性示例：
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包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成的小FWHM发射体SB的合成可以经由本领域技术人员已知的标准反应和反应条件来完成。
通常，合成包括过渡金属催化的交叉偶联反应和硼化反应，全部这些是本领域技术人员已知的。
例如，WO2020135953(A1)教导了如何合成包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成的小FWHM发射体SB。此外，US2018047912(A1)教导了如何合成包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成(具体地，c和d是0)的小FWHM发射体SB。
理解的是，US2018047912(A1)和WO2020135953(A1)中公开的发射体也可以用作本发明的上下文中的小FWHM发射体SB。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB包括根据式DABNA-I或式BNE-1的结构或者由根据式DABNA-I或式BNE-1的结构组成。本领域技术人员理解的是，这意味着：如果大于一个的小FWHM发射体SB存在于发光层B中，则它们可以全部包括根据式DABNA-I的结构或全部由根据式DABNA-I的结构组成，或者全部包括根据式BNE-1的结构或全部由根据式BNE-1的结构组成，或者它们中的一些可以包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，而它们中的另一些可以包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成。
设计荧光发射体的一种方法依赖于使用荧光多环芳香族或杂芳香族核结构。在本发明的上下文中，后者是包括大于一个芳香环或杂芳香环(优选地，大于两个这种环)的任何结构，所述大于一个芳香环或杂芳香环甚至更优选地经由大于一个直连键或连接原子彼此稠合或连接。换句话说，荧光核结构包括至少一个(优选地仅一个)刚性共轭π体系。
本领域技术人员例如通过US2017077418(A1)知道如何选择用于荧光发射体的核结构。在下面列出荧光发射体的常见核结构的示例，其中，这不暗指只有这些核可以提供适合于根据本发明的用途的小FWHM发射体SB：
Figure BDA0004128479320002421
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在此上下文中，术语荧光核结构表示包括核的任何分子可以潜在地用作荧光发射体。本领域技术人员知道的是，这种荧光发射体的核结构可以可选地被取代，并且这些取代基在这方面是合适的，例如，通过以下文献：US2017077418(A1),M.Zhu.C.Yang,ChemicalSociety Reviews 2013,42,4963,DOI:10.1039/c3cs35440g；S.Kima,B.Kimb,J.Leea,H.Shina,Y.-Il Parkb,J.Park,Materials Science and Engineering R:Reports 2016,99,1,DOI:10.1016/j.mser.2015.11.001；K.R.J.Thomas,N.Kapoor,M.N.K.P.Bolisetty,J.-H.Jou,Y.-L.Chen,Y.-C.Jou,The Journal of Organic Chemistry 2012,77(8),3921,DOI:10.1021/jo300285v；M.Vanga,R.A.Lalancette,F.
Figure BDA0004128479320002442
Chemistry–AEuropeanJournal 2019,25(43),10133,DOI:10.1002/chem.201901231。
用于根据本发明的小FWHM发射体SB可以通过上述荧光核结构(例如，通过将空间要求的取代基附着到核)获得，所述空间要求的取代基阻碍荧光核与有机电致发光器件的相应的层中的相邻的分子之间的接触。
在本发明的上下文中，当随后定义的屏蔽参数等于或低于也在本文后面的子章节中定义的一定限度时，化合物(例如，荧光发射体)被认为是空间屏蔽的。
优选的是，用于使荧光发射体空间屏蔽的取代基不仅是大体积的(即，空间要求的)，而且是电子惰性的，在本发明的上下文中，这意味着这些取代基不包括如本文后面的子章节中所定义的活泼原子。理解的是，这不暗指仅电子惰性(换句话说：非活泼)取代基可以附着到荧光核结构(诸如上面所示的荧光核结构)。活泼取代基也可以附着到核结构，并且可以被有意引入以调节荧光核结构的光物理性质。在这种情况下，优选的是，经由一个或更多个取代基引入的活泼原子再次被电子惰性(即，非活泼)取代基屏蔽。
基于上述信息和来自现有技术的公知常识，本领域技术人员理解如何选择用于荧光核结构的取代基，所述取代基可以诱导荧光核结构的空间屏蔽并且如上所述是电子惰性的。具体地，US2017077418(A1)公开了适合作为电子惰性(换句话说：非活泼)屏蔽取代基的取代基。这种取代基的示例包括具有3个至40个碳原子(优选地，3个至20个碳原子，更优选地，具有4个至10个碳原子)的直链、支链或环状烷基，其中，一个或更多个氢原子可以被取代基代替，优选地，被氘或氟代替。其它示例包括具有3个至40个碳原子(优选地，3个至20个碳原子，更优选地，具有4个至10个碳原子)的烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可以被取代基代替，优选地，被氘或氟代替。理解的是，这些烷基和烷氧基取代基可以被除了氘和氟之外的取代基取代，例如，被芳基取代。在这种情况下，优选的是，作为取代基的芳基包括6个至30个芳香环原子(更优选地，6个至18个芳香环原子，最优选地，6个芳香环原子)，并且优选地不是诸如蒽、芘等的稠合芳香族体系。其它示例包括具有6个至30个芳香环原子(更优选地，具有6个至24个芳香环原子)的芳基。这些芳基取代基中的一个或更多个氢原子可以被取代，并且优选的取代基是例如具有6个至30个碳原子的芳基以及具有1个至20个碳原子的直链、支链或环状烷基。全部取代基可以进一步被取代。理解的是，US2017077418(A1)中公开的全部空间要求的并且优选地也是电子惰性的(换句话说：非活泼)取代基可以用于使荧光核(诸如上述荧光核)空间屏蔽，以提供适合作为用于根据本发明的小FWHM发射体SB的空间屏蔽的荧光发射体。
在下面，示出了(US2017077418(A1)中公开的)可以用作本发明的上下文中的空间要求的(即，屏蔽的)和电子惰性的(即，非活泼)取代基的取代基的非限制性示例：
Figure BDA0004128479320002461
Figure BDA0004128479320002471
其中，每条虚线表示将相应的取代基连接到核结构(优选地，连接到荧光核结构)的单键。如本领域技术人员已知的，三烷基甲硅烷基也适合用作空间要求的且电子惰性的取代基。
还理解的是，荧光核不仅可以具有这种空间屏蔽的取代基，而且可以被又一非屏蔽取代基取代，所述非屏蔽取代基可以是或可以不是本发明的上下文中的活泼基团(见下面的定义)。
在下面，示出了可以用作本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的空间屏蔽的荧光发射体的示例。这不暗指本发明限于包括所示发射体的有机电致发光器件。
Figure BDA0004128479320002481
理解的是，空间屏蔽的取代基(如上所述可以是或可以不是电子惰性的)可以附着到任何荧光分子(例如，附着到上述多环芳香族或杂芳香族荧光核、BODIPY衍生的结构和在此所示的NRCT发射体)，并且附着到包括式BNE-1的结构的发射体。这可以产生可以适合作为根据发明的小FWHM发射体SB的空间屏蔽的荧光发射体。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB满足以下要求中的至少一个：
(i)其是含硼(B)发射体，这意味着每个小FWHM发射体SB内的至少一个原子是硼(B)；并且/或者
(ii)其包括多环芳香族或杂芳香族核结构，其中，至少两个芳香环稠合在一起(例如，蒽、芘或其氮杂衍生物)。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB满足以下要求中的至少一个：
(i)其是含硼(B)发射体，这意味着(相应的)小FWHM发射体SB内的至少一个原子是硼(B)；并且/或者
(ii)其包括多环芳香族或杂芳香族核结构，其中，至少两个芳香环稠合在一起(例如，蒽、芘或其氮杂衍生物)。
在发明的一个实施例中，每个小FWHM发射体SB是含硼(B)发射体，这意味着每个小FWHM发射体SB内的至少一个原子是硼(B)。
在发明的一个实施例中，每个小FWHM发射体SB包括多环芳香族或杂芳香族核结构，其中，至少两个芳香环稠合在一起(例如，蒽、芘或其氮杂衍生物)。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB满足以下要求中的至少一个(或两者)：
(i)其是含硼(B)发射体，这意味着每个小FWHM发射体SB内的至少一个原子是硼(B)；并且/或者
(ii)其包括芘核结构。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB满足以下要求中的至少一个(或两者)：
(i)其是含硼(B)发射体，这意味着(相应的)小FWHM发射体SB内的至少一个原子是硼(B)；并且
(ii)其包括芘核结构。
在发明的一个实施例中，每个小FWHM发射体SB包括芘核结构。
在发明的优选实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB是含硼(B)和氮(N)发射体，这意味着每个小FWHM发射体SB内的至少一个原子是硼(B)并且每个小FWHM发射体SB内的至少一个原子是氮(N)。
在发明的优选实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB包括(直接地)共价结合到至少一个氮原子(N)的至少一个硼原子(B)。
在发明的优选实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB包括三价的(即，经由三个单键结合的)硼原子(B)。
空间屏蔽
屏蔽参数A的确定
分子的屏蔽参数A可以如下面针对(荧光)发射体(诸如上面提到的(荧光)发射体)示例性地描述的那样确定。将理解的是，屏蔽参数A通常指单位埃
Figure BDA0004128479320002491
这不暗指仅这些化合物可以在本发明的上下文中被空间屏蔽，也不暗指仅可以确定针对这些化合物的屏蔽参数。
1、分子轨道的能级的确定
分子轨道的能级可以经由量子化学计算来确定。为此目的，在当前情况下，可以使用Turbomole软件包(Turbomole GmbH)，7.2版。首先，可以使用密度泛函理论(DFT)、采用def2-SV(P)基组和BP-86泛函来进行分子的基态的几何形状优化。随后，基于优化的几何形状，可以采用B3-LYP泛函来进行针对电子基态的单点能量计算。通过能量计算，例如，可以获得作为被两个电子占据的最高能量轨道的最高占据分子轨道(HOMO)，并且可以获得作为最低能量未占轨道的最低未占分子轨道(LUMO)。对于其它分子轨道(诸如HOMO-1、HOMO-2、...LUMO+1、LUMO+2等)，可以以类似的方式获得能级。
在此描述的方法独立于所使用的软件包。用于此目的的其它常用程序的示例可以是“Gaussian09”(Gaussian Inc.)和Q-Chem 4.1(Q-Chem,Inc.)。
2、(荧光)化合物的电荷交换分子轨道
(荧光)化合物的电荷交换分子轨道可以被认为是HOMO和LUMO以及可以在能量上与HOMO或LUMO分开75meV或更小的全部分子轨道。
3、分子轨道的活泼原子的确定
对于每个电荷交换分子轨道，可以确定哪些原子可以是活泼的。换句话说，对于每个分子轨道，可以发现通常不同的活泼原子组。下面描述可以如何确定HOMO的活泼原子。对于全部其它电荷交换分子轨道(例如，HOMO-1、LUMO、LUMO+1等)，可以类似地确定活泼原子。
可以如上所述计算HOMO。为了确定活泼原子，检查其上轨道具有0.035的绝对值的表面(“截止值是0.035的等值面”)。为此目的，在当前情况下，使用Jmol软件(http://jmol.sourceforge.net/)，14.6.4版。在其周围可以定位有具有等于或大于截止值的值的轨道叶的原子可以被认为是活泼的。在其周围可以未定位具有等于或大于截止值的值的轨道叶的原子可以被认为是不活泼的。
4、(荧光)化合物中的活泼原子的确定
如果一个原子在至少一个电荷交换分子轨道中是活泼的，则可以认为其对于(荧光)化合物是活泼的。仅在全部电荷交换分子轨道中可以是非活泼的(不活泼的)原子可以对于(荧光)化合物是非活泼的。
5、屏蔽参数A的确定
在第一步骤中，可以根据B.Lee,F.M.Richards,Journal of Molecular Biology1971,55(3),379,DOI:10.1016/0022-2836(71)90324-X中描述的方法来确定针对全部活泼原子的溶剂可及表面积SASA。为此目的，分子的原子的范德华表面可以被认为是不可穿透的。然后可以将整个分子的SASA定义为可以由具有半径r(所谓的探针半径)的硬球体(也称为探针)的中心跟踪的表面的面积，同时其可以在空间中遍及全部可接近点滚动，在所述空间处，其表面可以与分子的范德华表面直接接触。还可以针对分子的原子的子集确定SASA值。在这种情况下，可以仅考虑在探针的表面可以与可以是子集的一部分的原子的范德华表面接触的点处由探针的中心跟踪的表面。用于确定用于本目的的SASA的Lee-Richards算法可以是程序包Free SASA的一部分(S.Mitternacht,Free SASA:An open source Clibrary for solvent accessible surface area calculations.F1000Res.2016；5:189.Published 2016Feb 18.doi:10.12688/f1000research.7931.1)。相关元素的范德华半径rVDW可以汇编在以下参考文献中：M.Mantina,A.C.Chamberlin,R.Valero,C.J.Cramer,D.G.Truhlar,The Journal of Physical Chemistry A 2009,113(19),5806,DOI:10.1021/jp8111556。为了本目的，对于全部SASA确定，探针半径r可以被设定为
Figure BDA0004128479320002511
在本发明的上下文中，屏蔽参数A可以通过将活泼原子的子集的溶剂可及表面积(标记为S以与整个分子的SASA区别开)除以活泼原子的数量n来获得：
A＝S/n。
在本发明的上下文中，如果屏蔽参数A具有低于
Figure BDA0004128479320002512
的值
Figure BDA0004128479320002513
则化合物可以被定义为是良好的空间屏蔽的。
在本发明的上下文中，如果屏蔽参数A具有
Figure BDA0004128479320002514
至
Figure BDA0004128479320002515
的值
Figure BDA0004128479320002516
Figure BDA0004128479320002517
(优选地，
Figure BDA0004128479320002518
至
Figure BDA0004128479320002519
)，则化合物可以被定义为是空间屏蔽的。
在下面，示出了示例性(荧光)发射体以及如上所述确定的它们的屏蔽参数A。将理解的是，这不暗指本发明限于包括所示发射体中的一个的有机电致发光器件。所描绘的发射体化合物仅是表示发明的可选的实施例的非限制性示例。
Figure BDA0004128479320002521
在发明的一个实施例中，包括在根据发明的有机电致发光器件中的每个小FWHM发射体SB表现出等于或小于
Figure BDA0004128479320002522
的屏蔽参数A。
在一个实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB表现出等于或小于
Figure BDA0004128479320002523
的屏蔽参数A。
在发明的优选实施例中，包括在根据发明的有机电致发光器件中的每个小FWHM发射体SB表现出等于或小于
Figure BDA0004128479320002524
的屏蔽参数A。
在一个实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB表现出等于或小于
Figure BDA0004128479320002525
的屏蔽参数A。
本领域技术人员理解的是，不仅诸如根据本发明的小FWHM发射体SB的荧光发射体可以通过附着屏蔽取代基而被空间屏蔽。理解的是，例如，本发明的上下文中的TADF材料EB以及本发明的上下文中的磷光材料SB也可以被屏蔽。
(多个)主体材料HB
根据发明，包括在一个或更多个发光层B中的任一个中的一个或更多个主体材料HB中的任一个可以是表现出高空穴迁移率的p主体HP、表现出高电子迁移率的n主体HN或者表现出高空穴迁移率和高电子迁移率两者的双极主体材料HBP。
在本发明的上下文中，表现出高电子迁移率的n主体HN优选地具有等于或小于-2.50eV的LUMO能量ELUMO(HN)(ELUMO(HN)≤-2.50eV)，优选地，ELUMO(HN)≤-2.60eV，更优选地，ELUMO(HN)≤-2.65eV，甚至更优选地，ELUMO(HN)≤-2.70eV。LUMO是最低未占分子轨道。LUMO的能量如在本文后面的子章节中所描述的来确定。
在本发明的上下文中，表现出高空穴迁移率的p主体HP优选地具有等于或高于-6.30eV的HOMO能量EHOMO(HP)(EHOMO(HP)≥-6.30eV)，优选地，EHOMO(HP)≥-5.90eV，更优选地，EHOMO(HP)≥-5.70eV，甚至更优选地，EHOMO(HP)≥-5.40eV。HOMO是最高占据分子轨道。HOMO的能量如在本文后面的子章节中所描述的来确定。
在发明的优选实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件的每个发光层B中，至少一个(优选地每个)主体材料HB是p主体HP，p主体HP具有等于或高于-6.30eV的HOMO能量EHOMO(HP)(EHOMO(HP)≥-6.30eV)，优选地，EHOMO(HP)≥-5.90eV，更优选地，EHOMO(HP)≥-5.70eV，甚至更优选地，EHOMO(HP)≥-5.40eV。HOMO是最高占据分子轨道。
在发明的一个实施例中，在每个发光层B中，包括在发光层B中的至少一个(优选地每个)p主体HP具有小于-5.60eV的HOMO能量EHOMO(HP)。
在本发明的上下文中，表现出高电子迁移率的双极主体HBP优选地具有等于或小于-2.50eV的LUMO能量ELUMO(HBP)(ELUMO(HBP)≤-2.50eV)，优选地，ELUMO(HBP)≤-2.60eV，更优选地，ELUMO(HBP)≤-2.65eV，甚至更优选地，ELUMO(HBP)≤-2.70eV。LUMO是最低未占分子轨道。LUMO的能量如在本文后面的子章节中所描述的来确定。
在本发明的上下文中，表现出高空穴迁移率的双极主体HBP优选地具有等于或高于-6.30eV的HOMO能量EHOMO(HBP)(EHOMO(HBP)≥-6.30eV)，优选地，EHOMO(HBP)≥-5.90eV，更优选地，EHOMO(HBP)≥-5.70eV，甚至还更优选地，EHOMO(HBP)≥-5.40eV。HOMO是最高占据分子轨道。HOMO的能量如在本文后面的子章节中所描述的来确定。
在发明的一个实施例中，双极主体材料HBP(优选地每个双极主体材料HBP)满足以下要求两者：
(i)其具有等于或小于-2.50eV的LUMO能量ELUMO(HBP)(ELUMO(HBP)≤-2.50eV)，优选地，ELUMO(HBP)≤-2.60eV，更优选地，ELUMO(HBP)≤-2.65eV，甚至更优选地，ELUMO(HBP)≤-2.70eV；并且
(ii)其具有等于或高于-6.30eV的HOMO能量EHOMO(HBP)(EHOMO(HBP)≥-6.30eV，优选地，EHOMO(HBP)≥-5.90eV，更优选地，EHOMO(HBP)≥-5.70eV，甚至还更优选地，EHOMO(HBP)≥-5.40eV。
本领域技术人员知道哪些材料是用于诸如本发明的有机电致发光器件的有机电致发光器件中的合适的主体材料。见例如：Y.Tao,C.Yang,J.Quin,Chemical SocietyReviews 2011,40,2943,DOI:10.1039/C0CS00160K；K.S.Yook,J.Y.Lee,The ChemicalRecord 2015,16(1),159,DOI:10.1002/tcr.201500221；T.Chatterjee,K.-T.Wong,Advanced Optical Materials2018,7(1),1800565,DOI:10.1002/adom.201800565；Q.Wang,Q.-S.Tian,Y.-L.Zhang,X.Tang,L.-S.Liao,Journal of Materials Chemistry C2019,7,11329,DOI:10.1039/C9TC03092A。
此外，例如，US2006006365(A1)、US2006208221(A1)、US2005069729(A1)、EP1205527(A1)、US2009302752(A1)、US20090134784(A1)、US2009302742(A1)、US2010187977(A1)、US2012068170(A1)、US2012097899(A1)、US2006121308(A1)、US2009167166(A1)、US2007176147(A1)、US2015322091(A1)、US2011105778(A1)、US2011201778(A1)、US2011121274(A1)、US2009302742(A1)、US2010187977(A1)、US2010244009(A1)、US2009136779(A1)、EP2182040(A2)、US2012202997(A1)、US2019393424(A1)、US2019393425(A1)、US2020168819(A1)、US2020079762(A1)和US2012292576(A1)公开了可以用于根据本发明的有机电致发光器件中的主体材料。理解的是，这不暗指本发明仅指包括在引用的参考文献中公开的主体材料的有机电致发光器件。还理解的是，现有技术中使用的任何主体材料也可以是本发明的上下文中的合适的主体材料HB。
在发明的优选实施例中，根据发明的有机电致发光器件的每个发光层B包括一个或更多个p主体HP。在发明的一个实施例中，根据发明的有机电致发光器件的每个发光层B仅包括单个主体材料HB，并且所述主体材料是p主体HP。
在发明的一个实施例中，根据发明的有机电致发光器件的每个发光层B包括一个或更多个n主体HN。在发明的另一实施例中，根据发明的有机电致发光器件的每个发光层B仅包括单个主体材料HB，并且所述主体材料是n主体HN。
在发明的一个实施例中，根据发明的有机电致发光器件的每个发光层B包括一个或更多个双极主体HBP。在发明的一个实施例中，根据发明的有机电致发光器件的每个发光层B仅包括单个主体材料HB，并且所述主体材料是双极主体HBP。
在发明的另一实施例中，根据发明的有机电致发光器件的至少一个发光层B包括至少两个不同的主体材料HB。在这种情况下，存在于相应的发光层B中的大于一个主体材料HB可以全部是p主体HP或全部是n主体HN，或者全部是双极主体HBP，但是也可以是它们的组合。
理解的是，如果根据发明的有机电致发光器件包括大于一个发光层B，则它们中的任一个可以独立于一个或更多个其它发光层B包括适用上述定义的一个主体材料HB或大于一个主体材料HB。还理解的是，包括在根据发明的有机电致发光器件中的不同的发光层B不必全部包括相同的材料或者甚至以相同的浓度或比例包括相同的材料。
理解的是，如果根据发明的有机电致发光器件的发光层B由大于一个子层构成，则它们中的任一个可以独立于一个或更多个其它子层包括适用上述定义的一个主体材料HB或大于一个主体材料HB。还理解的是，包括在根据发明的有机电致发光器件中的发光层B的不同子层不必全部包括相同的材料或者甚至以相同的浓度或比例包括相同的材料。
如果包括在根据发明的有机电致发光器件的同一发光层B中，则至少一个p主体HP和至少一个n主体HN可以可选地形成激基复合物。本领域技术人员知道如何选择形成激基复合物的HP和HN对以及包括HP和HN的HOMO和/或LUMO能级要求的选择标准。也就是说，在可以期望激基复合物形成的情况下，p主体材料HP的最高占据分子轨道(HOMO)在能量上可以比n主体材料HN的HOMO高至少0.20eV，并且p主体材料HP的最低未占分子轨道(LUMO)在能量上可以比n主体材料HN的LUMO高至少0.20eV。
在发明的优选实施例中，至少一个主体材料HB(例如，HP、HN和/或HBP)是有机主体材料，在发明的上下文中，这意味着其不包含任何过渡金属。在发明的优选实施例中，本发明的电致发光器件中的全部主体材料HB(HP、HN和/或HBP)是有机主体材料，在发明的上下文中，这意味着它们不包含任何过渡金属。优选地，至少一个主体材料HB(更优选地，全部主体材料HB(HP、HN和/或HBP))主要由元素氢(H)、碳(C)和氮(N)组成，但是也可以例如包括氧(O)、硼(B)、硅(Si)、氟(F)和溴(Br)。
在发明的一个实施例中，每个主体材料HB是p主体HP。
在根据本发明的有机电致发光器件的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，每个主体材料HB是p主体HP。
在发明的优选实施例中，可选地包括在(由一个(子)层组成或包括大于一个子层的)作为整体的一个或更多个发光层B中的任一个中的p主体HP包括以下部分或由以下部分组成：
一个第一化学部分，包括根据式HP-I、式HP-II、式HP-III、式HP-IV、式HP-V、式HP-VI、式HP-VII、式HP-VIII、式HP-IX和式HP-X中的任一个的结构，或者由根据式HP-I、式HP-II、式HP-III、式HP-IV、式HP-V、式HP-VI、式HP-VII、式HP-VIII、式HP-IX和式HP-X中的任一个的结构组成：
Figure BDA0004128479320002561
Figure BDA0004128479320002571
以及
一个或更多个第二化学部分，均包括根据式HP-XI、式HP-XII、式HP-XIII、式HP-XIV、式HP-XV、式HP-XVI、式HP-XVII、式HP-XVIII和式HP-XIX中的任一个的结构，或者由根据式HP-XI、式HP-XII、式HP-XIII、式HP-XIV、式HP-XV、式HP-XVI、式HP-XVII、式HP-XVIII和式HP-XIX中的任一个的结构组成：
Figure BDA0004128479320002572
Figure BDA0004128479320002581
其中，存在于p主体材料HP中的一个或更多个第二化学部分中的每个经由在上面的式中由虚线表示的单键连接到第一化学部分；
其中，
Z1在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、C(RII)2、C＝C(RII)2、C＝O、C＝NRII、NRII、O、Si(RII)2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
RI在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分连接到第二化学部分的单键的结合位，或者选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：Me；iPr；tBu；以及Ph；
其中，至少一个RI是将第一化学部分连接到第二化学部分的单键的结合位；
RII在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：Me；iPr；tBu；以及Ph；
其中，两个或更多个相邻的取代基RII可以可选地形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，使得由根据式HP-XI、式HP-XII、式HP-XIII、式HP-XIV、式HP-XV、式HP-XVI、式HP-XVII、式HP-XVIII和式HP-XIX中的任一个的结构以及可选地由相邻的取代基RII形成的附加环组成的稠合环体系总共包括8个至60个碳原子，优选地，12个至40个碳原子，更优选地，14个至32个碳原子。
在发明的甚至更优选的实施例中，Z1在每次出现时是直连键，并且相邻的取代基RII不结合以形成附加环体系。
在发明的甚至还更优选的实施例中，可选地包括在根据发明的有机电致发光器件中的p主体HP选自于由以下结构组成的组：
Figure BDA0004128479320002591
Figure BDA0004128479320002601
Figure BDA0004128479320002611
在发明的优选实施例中，可选地包括在(由一个(子)层组成或包括大于一个子层的)作为整体的一个或更多个发光层B中的任一个中的n主体HN包括根据式HN-I、式HN-II和式HN-III中的任一个的结构，或者由根据式HN-I、式HN-II和式HN-III中的任一个的结构组成：
Figure BDA0004128479320002612
其中，RIII和RIV在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；CN；CF3；Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：Me；iPr；tBu；以及Ph；以及由式HN-IV、式HN-V、式HN-VI、式HN-VII、式HN-VIII、式HN-IX、式HN-X、式HN-XI、式HN-XII、式HN-XIII和式HN-XIV中的任一个表示的结构：
Figure BDA0004128479320002621
其中，
虚线表示将根据式HN-IV、式HN-V、式HN-VI、式HN-VII、式HN-VIII、式HN-IX、式HN-X、式HN-XI、式HN-XII、式HN-XIII和式HN-XIV中的任一个的结构连接到根据式HN-I、式HN-II和式HN-III中的任一个的结构的单键的结合位；
X1是氧(O)、硫(S)或C(RV)2；
RV在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：Me；iPr；tBu；以及Ph；
其中，两个或更多个相邻的取代基RV可以可选地形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，使得由根据式HN-IV、式HN-V、式HN-VI、式HN-VII、式HN-VIII、式HN-IX、式HN-X、式HN-XI、式HN-XII、式HN-XIII和式HN-XIV中的任一个的结构以及可选地由相邻的取代基RV形成的附加环组成的稠合环体系总共包括8个至60个碳原子，优选地12个至40个碳原子，更优选地14个至32个碳原子；并且
其中，在式HN-I和式HN-II中，至少一个取代基RIII是CN。
在发明的甚至更优选的实施例中，可选地包括在根据发明的有机电致发光器件中的n主体HN选自于由以下结构组成的组：
Figure BDA0004128479320002631
Figure BDA0004128479320002641
在发明的一个实施例中，包括在根据发明的有机电致发光器件的任何发光层B中的n主体HN不包含任何氧化膦基团，并且具体地，n主体HN不是双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)。
HOMO、LUMO能量关系
如前所述，本发明涉及包括均由一个或更多个子层构成的一个或更多个发光层B的有机电致发光器件，其中，一个或更多个子层彼此相邻并且作为整体包括以下组分：
(i)一个或更多个激发能量转移组分EET-1，均具有具备能量EHOMO(EET-1)的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)和具备能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)；和
(ii)一个或更多个空穴清除剂Hscav，均具有具备能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)和具备能量ELUMO(Hscav)的最低未占分子轨道LUMO(Hscav)；和
(iii)一个或更多个小半峰全宽(FWHM)发射体SB，均具有具备能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)和具备能量ELUMO(SB)的最低未占分子轨道LUMO(SB)，其中，每个SB发射具有小于或等于0.25eV的FWHM的光；以及可选地
(iv)一个或更多个主体材料HB，均具有具备能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)和具备能量ELUMO(HB)的最低未占分子轨道LUMO(HB)，
其中，位于每个发光层B的外表面处的一个或更多个子层包含选自于由EET-1、Hscav和小FWHM发射体SB组成的组中的至少一个材料，并且
其中，只要相应的组分包括在同一发光层B中，由下面的式(1)至式(6)表示的关系就适用：
ELUMO(EET-1) < ELUMO(HB) (1)
ELUMO(EET-1) < ELUMO(Hscav) (2)
ELUMO(EET-1) < ELUMO(SB) (3)
EHOMO(Hscav) ≥ EHOMO(HB) (4)
EHOMO(Hscav) ≥ EHOMO(EET-1) (5)
EHOMO(Hscav) ≥ EHOMO(SB) (6)。
在一个实施例中，只要相应的组分包括在同一发光层B中，上述由式(1)至式(6)表示的关系也就适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B中的任一个中的材料。
在发明的一个实施例中，至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)在能量上高于至少一个(优选地每个)主体材料HB的具有能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)：
EHOMO(SB)>EHOMO(HB)。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)在能量上高于至少一个(优选地每个)主体材料HB的具有能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)：
EHOMO(SB)>EHOMO(HB)。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)在能量上高于至少一个(优选地每个)主体材料HB的具有能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)：
EHOMO(SB)>EHOMO(HB)。
在发明的一个实施例中，至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)在能量上高于至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量EHOMO(EET-1)的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)：
EHOMO(SB)>EHOMO(EET-1)。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)在能量上高于至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量EHOMO(EET-1)的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)：
EHOMO(SB)>EHOMO(EET-1)。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)在能量上高于至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量EHOMO(EET-1)的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)：
EHOMO(SB)>EHOMO(EET-1)。
在发明的一个实施例中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)在能量上高于至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量EHOMO(EET-1)的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)：
EHOMO(Hscav)>EHOMO(EET-1)。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)在能量上高于至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量EHOMO(EET-1)的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)：
EHOMO(Hscav)>EHOMO(EET-1)。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)在能量上高于至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量EHOMO(EET-1)的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)：
EHOMO(Hscav)>EHOMO(EET-1)。
在发明的一个实施例中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)在能量上高于至少一个(优选地每个)主体材料HB的具有能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)：
EHOMO(Hscav)>EHOMO(HB)。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)在能量上高于至少一个(优选地每个)主体材料HB的具有能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)：
EHOMO(Hscav)>EHOMO(HB)。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)在能量上高于至少一个(优选地每个)主体材料HB的具有能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)：
EHOMO(Hscav)>EHOMO(HB)。
在发明的一个实施例中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)在能量上高于至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)：
EHOMO(Hscav)>EHOMO(SB)。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)在能量上高于至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)：
EHOMO(Hscav)>EHOMO(SB)。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)在能量上高于至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)：
EHOMO(Hscav)>EHOMO(SB)。
在发明的一个实施例中，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)在能量上等于或在能量上低于至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的最高占据分子轨道HOMO(SB)：
EHOMO(EET-1)≤EHOMO(SB)。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)在能量上等于或在能量上低于至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的最高占据分子轨道HOMO(SB)：
EHOMO(EET-1)≤EHOMO(SB)。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)在能量上等于或在能量上低于至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的最高占据分子轨道HOMO(SB)：
EHOMO(EET-1)≤EHOMO(SB)。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)之间的能量差大于0.0eV且小于0.3eV：
0.0eV<EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)<0.3eV。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)之间的能量差大于0.0eV且小于0.3eV：
0.0eV<EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)<0.3eV。
在发明的优选实施例中，在至少一个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)之间的能量差大于0.0eV且小于0.3eV：
0.0eV<EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)<0.3eV。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)之间的能量差大于0eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)>0eV)，优选地大于0.1eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)>0.2eV)或者甚至大于0.3eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)>0.3eV)。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)之间的能量差大于0eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)>0eV)，优选地大于0.1eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)>0.2eV)或者甚至大于0.3eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)>0.3eV)。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)之间的能量差大于0eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)>0eV)，优选地大于0.1eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)>0.2eV)或者甚至大于0.3eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(SB)>0.3eV)。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量EHOMO(EET-1)的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)之间的能量差大于0eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0eV)，优选地大于0.1eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.5eV)。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量EHOMO(EET-1)的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)之间的能量差大于0eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0eV)，优选地大于0.1eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.5eV)。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量EHOMO(EET-1)的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)之间的能量差大于0eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0eV)，优选地大于0.1eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(EET-1)>0.5eV)。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)主体材料HB的具有能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)之间的能量差大于0eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0eV)，优选地大于0.1eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.5eV)。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)主体材料HB的具有能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)之间的能量差大于0eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0eV)，优选地大于0.1eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.5eV)。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)主体材料HB的具有能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)之间的能量差大于0eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0eV)，优选地大于0.1eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(EHOMO(Hscav)-EHOMO(HB)>0.5eV)。
在发明的一个实施例中，至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量ELUMO(SB)的最低未占分子轨道LUMO(SB)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)之间的能量差大于0.0eV且小于0.3eV：
0.0eV<ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)<0.3eV。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量ELUMO(SB)的最低未占分子轨道LUMO(SB)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)之间的能量差大于0.0eV且小于0.3eV：
0.0eV<ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)<0.3eV。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的具有能量ELUMO(SB)的最低未占分子轨道LUMO(SB)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)之间的能量差大于0.0eV且小于0.3eV：
0.0eV<ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)<0.3eV。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的具有能量ELUMO(SB)的最低未占分子轨道LUMO(SB)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)之间的能量差大于0eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)>0eV)，优选地大于0.1eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)>0.2eV)，特别优选地大于0.3eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)>0.3eV)。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的具有能量ELUMO(SB)的最低未占分子轨道LUMO(SB)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)之间的能量差大于0eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)>0eV)，优选地大于0.1eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)>0.2eV)，特别优选地大于0.3eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)>0.3eV)。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的具有能量ELUMO(SB)的最低未占分子轨道LUMO(SB)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)之间的能量差大于0eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)>0eV)，优选地大于0.1eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)>0.2eV)，特别优选地大于0.3eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EET-1)>0.3eV)。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量ELUMO(Hscav)的最低未占分子轨道LUMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)之间的能量差大于0eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0eV)，优选地大于0.1eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.5eV)。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量ELUMO(Hscav)的最低未占分子轨道LUMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)之间的能量差大于0eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0eV)，优选地大于0.1eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.5eV)。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的具有能量ELUMO(Hscav)的最低未占分子轨道LUMO(Hscav)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)之间的能量差大于0eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0eV)，优选地大于0.1eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(ELUMO(Hscav)–ELUMO(EET-1)>0.5eV)。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)主体材料HB的具有能量ELUMO(HB)的最低未占分子轨道LUMO(HB)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)之间的能量差大于0eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0eV)，优选地大于0.1eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.5eV)。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)主体材料HB的具有能量ELUMO(HB)的最低未占分子轨道LUMO(HB)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)之间的能量差大于0eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0eV)，优选地大于0.1eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.5eV)。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)主体材料HB的具有能量ELUMO(HB)的最低未占分子轨道LUMO(HB)与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的具有能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)之间的能量差大于0eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0eV)，优选地大于0.1eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EET-1)>0.5eV)。
S1-T1能量关系
在本发明的上下文中：
(i)每个激发能量转移组分EET-1具有具备能级E(S1EET-1)的最低激发单重态S1EET -1和具备能级E(T1EET-1)的最低激发三重态T1EET-1；并且
(ii)每个空穴清除剂Hscav具有具备能级E(S1Hscav)的最低激发单重态S1Hscav和具备能级E(T1Hscav)的最低激发三重态T1Hscav；并且
(iii)每个小半峰全宽(FWHM)发射体SB具有具备能级E(S1S)的最低激发单重态S1S和具备能级E(T1S)的最低激发三重态T1S；并且
(iv)(可选地包括的)每个主体材料HB具有具备能级E(S1H)的最低激发单重态S1H和具备能级E(T1H)的最低激发三重态T1H。
在发明的一个实施例中，只要相应的组分包括在同一发光层B中，由下面的式(7)至式(9)表示的关系就适用：
E(S1H) > E(S1EET-1) (7)
E(S1H) > E(S1Hscav) (8)
E(S1H) > E(S1S) (9)。
因此，至少一个(优选地每个)主体材料HB的最低激发单重态S1H优选地在能量上高于至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发单重态S1EET-1(式7)，并且在能量上高于至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发单重态S1Hscav(式8)，并且在能量上高于至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S(式9)。
在一个实施例中，只要相应的组分包括在器件中，上述由式(7)至式(9)表示的关系就适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B中的任一个中的材料。
在发明的一个实施例中，由下面的式(10)和式(11)表示的关系中的一个或两个适用于包括在同一发光层B中的材料：
E(S1EET-1) > E(S1S) (10)
E(S1Hscav) > E(S1S) (11)。
因此，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发单重态S1EET-1可以优选地在能量上高于至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S(式10)和/或至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发单重态S1Hscav可以优选地在能量上高于至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S(式11)。
在一个实施例中，上述由式(10)和式(11)表示的关系中的一个或两个可以适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B中的任一个中的材料。
在发明的优选实施例中，由下面的式(7)至式(11)表示的关系适用于包括在同一发光层B中的材料：
E(S1H) > E(S1EET-1) (7)
E(S1H) > E(S1Hscav) (8)
E(S1H) > E(S1S) (9)
E(S1EET-1) > E(S1S) (10)
E(S1Hscav) > E(S1S) (11)。
在一个实施例中，上述由式(7)至式(11)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B中的任一个中的材料。
在发明的优选实施例中，由下面的式(13)和式(14)表示的关系适用于包括在同一发光层B中的材料：
E(T1H) > E(T1EET-1) (13)
E(T1EET-1) ≥ E(T1Hscav) (14)。
因此，至少一个(优选地每个)主体材料HB的最低激发三重态T1H优选地在能量上高于至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发三重态T1EET-1(式13)。另外，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发三重态T1EET-1优选地在能量上等于或在能量上高于至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav(式14)。
在一个实施例中，上述由式(13)和式(14)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的至少一个发光层B中的任一个中的材料。
在发明的优选实施例中，由下面的式(14)至式(16)表示的关系适用于包括在同一发光层B中的材料：
E(T1EET-1) ≥ E(T1Hscav) (14)
E(T1Hscav) > E(S1S) (15)
E(T1Hscav) > E(T1S) (16)。
因此，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发三重态T1EET-1优选地在能量上等于或在能量上高于至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav(式14)；至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav优选地在能量上高于至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S(式15)；至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav优选地在能量上高于至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的最低激发三重态T1S(式16)。
在一个实施例中，上述由式(14)至式(16)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的至少一个发光层B中的任一个中的材料。
在发明的优选实施例中，只要相应的组分包括在同一发光层B中，由下面的式(7)至式(10)和下面的式(15)表示的关系就适用：
E(S1H) > E(S1EET-1) (7)
E(S1H) > E(S1Hscav) (8)
E(S1H) > E(S1S) (9)
E(S1EET-1) > E(S1S) (10)
E(T1Hscav) > E(S1S) (15)。
在一个实施例中，上述由式(7)至式(10)和式(15)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的至少一个发光层B中的任一个中的材料。
在发明的替代实施例中，由下面的式(17)和式(10)表示的关系适用于包括在同一发光层B中的材料：
E(T1Hscav) > E(T1EET-1) (17)
E(S1EET-1) > E(S1S) (10)。
因此，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav可以在能量上高于至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发三重态T1EET-1(式17)；并且至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发单重态S1EET-1可以在能量上高于至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S(式10)。
在替代的实施例中，上述由式(17)和式(10)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的至少一个发光层B中的任一个中的材料。
在发明的优选实施例中，由下面的式(18)、式(15)、式(19)和式(20)表示的关系适用于包括在同一发光层B中的材料：
E(T1H) > E(T1Hscav) (18)
E(T1Hscav) > E(S1S) (15)
E(T1H) > E(S1EET-1) (19)
E(T1EET-1) > E(T1Hscav) (20)。
因此，至少一个(优选地每个)主体材料HB的最低激发三重态T1H优选地在能量上高于至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav(式18)；并且至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav优选地在能量上高于至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S(式15)；并且至少一个(优选地每个)主体材料HB的最低激发三重态T1H优选地在能量上高于至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发单重态S1EET-1(式19)；并且至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发三重态T1EET-1优选地在能量上高于至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav(式20)。
在一个实施例中，上述由式(18)、式(15)、式(19)和式(20)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的至少一个发光层B的任一个中的材料。
在发明的一个实施例中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发三重态T1EET-1之间的能量差各自小于0.3eV：E(T1Hscav)-E(T1EET-1)<0.3eV和E(T1EET-1)-E(T1Hscav)<0.3eV。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发三重态T1EET-1之间的能量差各自小于0.3eV：E(T1Hscav)-E(T1EET-1)<0.3eV和E(T1EET-1)-E(T1Hscav)<0.3eV。
在发明的一个实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav与至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发三重态T1EET-1之间的能量差各自小于0.3eV：E(T1Hscav)-E(T1EET-1)<0.3eV和E(T1EET-1)-E(T1Hscav)<0.3eV。
在发明的一个实施例中，由下面的式(20)表示的关系适用于包括在同一发光层B中的材料：
E(T1EET1) > E(T1Hscav) (20)。
在一个实施例中，上述由式(20)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B中的任一个中的材料。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发三重态T1EET-1与至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav之间的能量差各自小于0.2eV：E(T1EET-1)-E(T1Hscav)<0.2eV和E(T1Hscav)-E(T1EET-1)<0.2eV。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发三重态T1EET-1与至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav之间的能量差各自小于0.2eV：E(T1EET-1)-E(T1Hscav)<0.2eV和E(T1Hscav)-E(T1EET-1)<0.2eV。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低激发三重态T1EET-1与至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav之间的能量差各自小于0.2eV：E(T1EET-1)-E(T1Hscav)<0.2eV和E(T1Hscav)-E(T1EET-1)<0.2eV。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav与至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最低激发单重态S1S之间的能量差各自小于0.3eV：E(T1Hscav)-E(S1S)<0.3eV和E(S1S)-E(T1Hscav)<0.3eV。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav与至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最低激发单重态S1S之间的能量差各自小于0.3eV：E(T1Hscav)-E(S1S)<0.3eV和E(S1S)-E(T1Hscav)<0.3eV。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav与至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最低激发单重态S1S之间的能量差各自小于0.3eV：E(T1Hscav)-E(S1S)<0.3eV和E(S1S)-E(T1Hscav)<0.3eV。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav与至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最低激发单重态S1S之间的能量差各自小于0.2eV：E(T1Hscav)-E(S1S)<0.2eV和E(S1S)-E(T1Hscav)<0.2eV。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的至少一个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav与至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最低激发单重态S1S之间的能量差各自小于0.2eV：E(T1Hscav)-E(S1S)<0.2eV和E(S1S)-E(T1Hscav)<0.2eV。
在发明的优选实施例中，在一个或更多个发光层B中的每个中，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的最低激发三重态T1Hscav与至少一个(优选地每个)小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最低激发单重态S1S之间的能量差各自小于0.2eV：E(T1Hscav)-E(S1S)<0.2eV和E(S1S)-E(T1Hscav)<0.2eV。
发射最大值的关系
在发明的一个实施例中，由式(21)和式(22)表示的关系中的一个或两个适用于包括在同一发光层B中的材料：
|Eλmax(Hscav) - Eλmax(SB)| < 0.30eV (21)，
|Eλmax(EET-1) - Eλmax(SB)| < 0.30eV (22)，
这意味着：在每个发光层B内，以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的发射最大值的能量Eλmax(Hscav)与以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)之间的能量差小于0.30eV(式21)；并且/或者：以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的发射最大值的能量Eλmax(EET-1)与以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)之间的能量差小于0.30eV(式22)。
在一个实施例中，上述由式(21)和式(22)表示的关系中的一个或两个适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B中的任一个中的材料。
在发明的优选实施例中，由式(23)和式(24)表示的关系中的一个或两个适用于包括在同一发光层B中的材料：
|Eλmax(Hscav) - Eλmax(SB)| < 0.20eV (23)，
|Eλmax(EET-1) - Eλmax(SB)| < 0.20eV (24)，
这意味着：在每个发光层B内，以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的发射最大值的能量Eλmax(Hscav)与以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)之间的能量差小于0.20eV(式23)；并且/或者：以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的发射最大值的能量Eλmax(EET-1)与以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)之间的能量差小于0.20eV(式24)。
在一个实施例中，上述由式(23)和式(24)表示的关系中的一个或两个适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B中的任一个中的材料。
在发明的甚至更优选的实施例中，由式(25)和式(26)表示的关系中的一个或两个适用于包括在同一发光层B中的材料：
|Eλmax(Hscav) - Eλmax(SB)| < 0.10eV (25)，
|Eλmax(EET-1) - Eλmax(SB)| < 0.10eV (26)，
这意味着：在每个发光层B内，以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的发射最大值的能量Eλmax(Hscav)与以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)之间的能量差小于0.10eV(式25)；并且/或者：以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的发射最大值的能量Eλmax(EET-1)与以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)之间的能量差小于0.10eV(式26)。
在一个实施例中，上述由式(25)和式(26)表示的关系中的一个或两个适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B中的任一个中的材料。
在发明的一个实施例中，由式(27)表示的关系适用于包括在同一发光层B中的材料：
Eλmax(Hscav) > Eλmax(SB) (27)，
这意味着，在每个发光层B内，以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav的发射最大值的能量Eλmax(Hscav)大于以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)。
在一个实施例中，上述由式(27)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B中的任一个中的材料。
在发明的一个实施例中，由式(28)表示的关系适用于包括在同一发光层B中的材料：
Eλmax(EET-1) > Eλmax(SB) (28)，
这意味着，在每个发光层B内，以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的发射最大值的能量Eλmax(EET-1)大于以电子伏特(eV)给出的至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)。
在一个实施例中，上述由式(28)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B中的任一个中的材料。
器件颜色和性能
本发明的又一实施例涉及一种在不同的颜色点处发射光的电致发光器件(例如，OLED)。根据本发明，电致发光器件(例如，OLED)发射具有窄发射带(小半峰全宽(FWHM))的光。在优选的实施例中，根据发明的电致发光器件(例如，OLED)发射具有低于0.25eV(更优选地低于0.20eV，甚至更优选地低于0.15eV，或者甚至低于0.13eV)的主发射峰的FWHM的光。
本发明的又一实施例涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)在1000cd/m2下表现出大于10％(更优选地大于13％，更优选地大于15％，甚至更优选地大于18％，或者甚至大于20％)的外量子效率，并且表现出在500nm与560nm之间的发射最大值。
本发明的又一实施例涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)在1000cd/m2下表现出大于10％(更优选地大于13％，更优选地大于15％，甚至更优选地大于18％，或者甚至大于20％)的外量子效率，并且表现出在510nm与550nm之间的发射最大值。
本发明的又一实施例涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)在1000cd/m2下表现出大于10％(更优选地大于13％，更优选地大于15％，甚至更优选地大于18％，或者甚至大于20％)的外量子效率，并且表现出在515nm与540nm之间的发射最大值。
在优选的实施例中，电致发光器件(例如，OLED)在恒定电流密度J0＝15mA/cm2下表现出大于100小时(优选地大于200小时，更优选地大于300小时，甚至更优选地大于400小时，甚至还更优选地大于750小时，或者甚至大于1000小时)的LT95值。
本发明的又一实施例涉及一种在不同的颜色点处发射光的电致发光器件(例如，OLED)。根据本发明，电致发光器件(例如，OLED)发射具有窄发射带(小半峰全宽(FWHM))的光。在优选的实施例中，根据发明的电致发光器件(例如，OLED)发射具有低于0.25eV(更优选地低于0.20eV，甚至更优选地低于0.15eV，或者甚至低于0.13eV)的主发射峰的FWHM的光。本发明的又一实施例涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)发射具有接近CIEx(＝0.170)和CIEy(＝0.797)色坐标的CIEx和CIEy色坐标的光，CIEx(＝0.170)和CIEy(＝0.797)色坐标作为如由ITU-R Recommendation BT.2020(Rec.2020)所定义的基色绿色(CIEx＝0.170并且CIEy＝0.797)，并且因此电致发光器件(例如，OLED)可以适用于在超高清(UHD)显示器(例如，UHD-TV)中应用。在此上下文中，术语“接近”指本段的末尾处提供的CIEx和CIEy坐标的范围。在商业应用中，典型地使用顶部发射(顶电极是典型地透明的)器件，而如在整个本申请中所使用的测试器件代表底部发射器件(底电极和基底是透明的)。因此，本发明的又一方面涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)的发射表现出在0.15与0.45之间(优选地在0.15与0.35之间，更优选地在0.15与0.30之间，或者甚至更优选地在0.15与0.25之间，或者甚至在0.15与0.20之间)的CIEx色坐标以及/或者在0.60与0.92之间(优选地在0.65与0.90之间，更优选地在0.70与0.88之间，或者甚至更优选地在0.75与0.86之间，或者甚至在0.79与0.84之间)的CIEy色坐标。
本发明的又一实施例涉及一种OLED，所述OLED发射具有接近CIEx(＝0.265)和CIEy(＝0.65)色坐标的CIEx和CIEy色坐标的光，CIEx(＝0.265)和CIEy(＝0.65)色坐标作为如由DCIP3所定义的基色绿色(CIEx＝0.265并且CIEy＝0.65)。在此上下文中，术语“接近”指本段的末尾处提供的CIEx和CIEy坐标的范围。在商业应用中，典型地使用顶部发射(顶电极是典型地透明的)器件，而如在整个本申请中所使用的测试器件代表底部发射器件(底电极和基底是透明的)。因此，本发明的又一方面涉及一种OLED，该OLED的顶部发射表现出在0.2与0.45之间(优选地在0.2与0.35之间，或者更优选地在0.2与0.30之间，或者甚至更优选地在0.24与0.28之间，或者甚至在0.25与0.27之间)的CIEx色坐标以及/或者在0.60与0.9之间(优选地在0.6与0.8之间，更优选地在0.60与0.70之间，或者甚至更优选地在0.62与0.68之间，或者甚至在0.64与0.66之间)的CIEy色坐标。
本发明的又一实施例涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)在1000cd/m2下表现出大于10％(更优选地大于13％，更优选地大于15％，甚至更优选地大于18％，或者甚至大于20％)的外量子效率，并且表现出在420nm与500nm之间的发射最大值。
本发明的又一实施例涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)在1000cd/m2下表现出大于10％(更优选地大于13％，更优选地大于15％，甚至更优选地大于18％，或者甚至大于20％)的外量子效率，并且表现出在440nm与480nm之间的发射最大值。
本发明的又一实施例涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)在1000cd/m2下表现出大于10％(更优选地大于13％，更优选地大于15％，甚至更优选地大于18％，或者甚至大于20％)的外量子效率，并且表现出在450nm与470nm之间的发射最大值。
本发明的又一实施例涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)在1000cd/m2下表现出大于10％(更优选地大于13％，更优选地大于15％，甚至更优选地大于18％，或者甚至大于20％)的外量子效率，以及/或者表现出在420nm与500nm之间(优选地在430nm与490nm之间，更优选地在440nm与480nm之间，甚至更优选地在450nm与470nm之间)的发射最大值，以及/或者在500cd/m2下表现出大于100小时(优选地大于200小时，更优选地大于400小时，甚至更优选地大于750小时，或者甚至大于1000小时)的LT80值。
本发明的又一实施例涉及一种在不同的颜色点处发射光的电致发光器件(例如，OLED)。根据本发明，电致发光器件(例如，OLED)发射具有窄发射带(小半峰全宽(FWHM))的光。在优选的实施例中，根据发明的电致发光器件(例如，OLED)发射具有低于0.25eV(更优选地低于0.20eV，甚至更优选地低于0.15eV，或者甚至低于0.13eV)的主发射峰的FWHM的光。
本发明的又一方面涉及一种OLED，该OLED发射具有接近CIEx(＝0.131)和CIEy(＝0.046)色坐标的CIEx和CIEy色坐标的光，CIEx(＝0.131)和CIEy(＝0.046)色坐标作为如由ITU-R Recommendation BT.2020(Rec.2020)所定义的基色蓝色(CIEx＝0.131并且CIEy＝0.046)，并且因此该OLED适用于在超高清(UHD)显示器(例如，UHD-TV)中应用。在商业应用中，典型地使用顶部发射(顶电极是透明的)器件，而如在整个本申请中所使用的测试器件代表底部发射器件(底电极和基底是透明的)。当从底部发射器件改变为顶部发射器件时，蓝色器件的CIEy色坐标可以减小高达两倍，而CIEx保持几乎不变(Okinaka et al.,Society for Information Display International Symposium Digest of TechnicalPapers,2015,46(1):312-313,DOI:10.1002/sdtp.10480)。因此，本发明的又一方面涉及一种OLED，该OLED的发射表现出在0.02与0.30之间(优选地在0.03与0.25之间，更优选地在0.05与0.20之间，或者甚至更优选地在0.08与0.18之间，或者甚至在0.10与0.15之间)的CIEx色坐标以及/或者在0.00与0.45之间(优选地在0.01与0.30之间，更优选地在0.02与0.20之间，或者甚至更优选地在0.03与0.15之间，或者甚至在0.04与0.10之间)的CIEy色坐标。
本发明的又一方面涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)在1000cd/m2下表现出大于8％(更优选地大于10％，更优选地大于13％，甚至更优选地大于15％，或者甚至大于20％)的外量子效率，以及/或者表现出在590nm与690nm之间(优选地在610nm与665nm之间，甚至更优选地在620nm与640nm之间)的发射最大值，以及/或者在500cd/m2下表现出大于100小时(优选地大于200小时，更优选地大于400小时，甚至更优选地大于750小时，或者甚至大于1000小时)的LT80值。因此，本发明的又一方面涉及一种OLED，该OLED的发射表现出大于0.25(优选地大于0.27，更优选地大于0.29，或者甚至更优选大于0.30)的CIEy色坐标。
本发明的又一实施例涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)发射具有接近CIEx(＝0.708)和CIEy(＝0.292)色坐标的CIEx和CIEy色坐标的光，CIEx(＝0.708)和CIEy(＝0.292)色坐标作为如由ITU-R Recommendation BT.2020(Rec.2020)所定义的基色红色(CIEx＝0.708并且CIEy＝0.292)，并且因此电致发光器件(例如，OLED)适用于在超高清(UHD)显示器(例如，UHD-TV)中应用。在此上下文中，术语“接近”指本段的末尾处提供的CIEx和CIEy坐标的范围。在商业应用中，典型地使用顶部发射(顶电极是透明的)器件，而如在整个本申请中所使用的测试器件代表底部发射器件(底电极和基底是透明的)。因此，本发明的又一方面涉及一种OLED，该OLED的发射表现出在0.60与0.88之间(优选地在0.61与0.83之间，更优选地在0.63与0.78之间，或者甚至更优选地在0.66与0.76之间，或者甚至在0.68与0.73之间)的CIEx色坐标以及/或者在0.25与0.70之间(优选地在0.26与0.55之间，更优选地在0.27与0.45之间，或者甚至更优选地在0.28与0.40之间，或者甚至在0.29与0.35之间)的CIEy色坐标。
因此，本发明的又一方面涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)在14500cd/m2下表现出大于10％(更优选地大于13％，更优选地大于15％，甚至更优选地大于17％，或者甚至大于20％)的外量子效率，以及/或者表现出在590nm与690nm之间(优选地在610nm与665nm之间，甚至更优选地在620nm与640nm之间)的发射最大值。
有机电致发光器件的感兴趣的目的之一可以是光的产生。因此，本发明还涉及一种用于产生期望波长范围的光的方法，所述方法包括提供根据本发明的任一项的有机电致发光器件的步骤。
因此，本发明的又一方面涉及一种用于产生期望波长范围的光的方法，所述方法包括以下步骤：
(i)提供根据本发明的有机电致发光器件；以及
(ii)将电流施加到所述有机电致发光器件。
本发明的又一方面涉及一种通过组装上述元件来制造有机电致发光器件的工艺。本发明还涉及一种用于产生绿光的方法，具体地，用于通过使用所述有机电致发光器件来产生绿光的方法。
发明的又一方面涉及一种有机电致发光器件，其中，由下面的式(29)至式(31)表示的关系中的至少一个(优选地，恰好一个)适用于包括在同一发光层B中的材料：
440nm < λmax(SB) < 470nm (29)
510nm < λmax(SB) < 550nm (30)
610nm < λmax(SB) < 665nm (31)，
其中，λmax(SB)是至少一种(优选地每种)小FWHM发射体SB的发射最大值，并且以纳米(nm)给出。
在发明的一个实施例中，由式(29)至式(31)表示的关系中的至少一个(优选地，恰好一个)适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的一个或更多个发光层B中的任一个中的材料。
发明的又一方面涉及一种用于产生光的方法，所述方法包括以下步骤：
(i)提供根据本发明的有机电致发光器件；以及
(ii)将电流施加到所述有机电致发光器件。
发明的又一方面涉及一种用于产生光的方法，所述方法包括以下步骤：
(i)提供根据本发明的有机电致发光器件；以及
(ii)将电流施加到所述有机电致发光器件，
其中，所述方法用于产生选自于以下波长范围中的一个的波长范围下的光：
(i)510nm至550nm；或者
(ii)440nm至470nm；或者
(iii)610nm至665nm。
发明的又一方面涉及一种用于产生光的方法，所述方法包括以下步骤：
(i)提供根据本发明的有机电致发光器件；以及
(ii)将电流施加到所述有机电致发光器件，
其中，优选地，所述方法用于产生具有在选自于以下波长范围中的一个的波长范围内的主发射峰的发射最大值的光：
(i)510nm至550nm；或者
(ii)440nm至470nm；或者
(iii)610nm至665nm。
本领域技术人员理解的是，取决于其结构，一个或更多个激发能量转移组分EET-1(参见下文)以及可选地包括的一个或更多个激发能量转移组分EET-2(参见下文)可以用作有机电致发光器件中的发射体。然而，优选地，在根据本发明的有机电致发光器件中，一个或更多个激发能量转移组分EET-1以及可选地包括的一个或更多个激发能量转移组分EET-2的主要功能不是发射光。在优选的实施例中，在施加电压(和电流)时，根据发明的有机电致发光器件发射光，其中，该发射主要(即，在大于50％(优选地大于60％，更优选地大于70％，甚至更优选地大于80％，或者甚至大于90％)的程度上)归因于由一个或更多个小FWHM发射体SB发射的荧光。因此，根据本发明的有机电致发光器件优选地还显示由低于0.25eV(更优选地低于0.20eV，甚至更优选地低于0.15eV，或者甚至低于0.13eV)的主发射峰的小FWHM表示的窄发射。
在发明的优选实施例中，适用由下面的式(32)表示的关系：
Figure BDA0004128479320002871
其中，
FWHMD指根据本发明的有机电致发光器件的主发射峰的呈电子伏特(eV)的半峰全宽(FWHM)；并且
FWHMSB表示用在FWHM为FWHMD的有机电致发光器件的发光层(EML)中的一个或更多个主体材料HB中的一个或更多个小FWHM发射体SB的旋涂膜的光致发光光谱(荧光光谱，在室温(即，(近似)20℃)下测量)的呈电子伏特(eV)的FWHM。也就是说，用于确定FWHMSB的旋涂膜优选地以与有机电致发光器件的发光层B相同重量比包括相同的小FWHM发射体SB或多个小FWHM发射体SB。
例如，如果发光层B包括均具有1重量％的浓度的两个小FWHM发射体SB，则旋涂膜优选地还包括1重量％的两个小FWHM发射体SB中的每个。在该示例性情况下，旋涂膜的基质材料将占旋涂膜的98重量％。可以选择旋涂膜的所述基质材料以反映包括在有机电致发光器件的发光层B中的主体材料HB的重量比。在上述示例中，如果发光层B包括单个主体材料HB，则所述主体材料将优选地是旋涂膜的唯一基质材料。然而，如果在上述示例中，发光层B包括两个主体材料HB，一个具有60重量％的含量并且另一个具有20重量％的含量(即，呈3:1的比例)，则旋涂膜的上述基质材料(包括1重量％的两个小FWHM发射体SB中的每个)将优选地是如存在于EML中的两个主体材料HB的3:1混合物。
如果大于一个发光层B包含在根据本发明的有机电致发光器件中，则由上述式(32)表示的关系优选地适用于包括在器件中的全部发光层B。
在一个实施例中，对于根据本发明的有机电致发光器件的至少一个发光层B，上述比例FWHMD:FWHMSB等于或小于1.50、优选地1.40、甚至更优选地1.30、甚至还更优选地1.20或者甚至1.10。
在一个实施例中，对于根据本发明的有机电致发光器件的每个发光层B，上述比例FWHMD:FWHMSB等于或小于1.50、优选地1.40、甚至更优选地1.30、甚至还更优选地1.20或者甚至1.10。
应注意的是，对于用作本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的荧光发射体的选择，FWHM值可以如本文后面的子章节中所描述的(简言之：参见下文，优选地通过在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用浓度为1重量％至5重量％(具体地，2重量％)的相应的发射体的旋涂膜，或者通过溶液)来确定。也就是说，表1S中列出的示例性小FWHM发射体SB的FWHM值可以不被理解为式(32)和本发明的相关优选的实施例的上下文中的FWHMSB值。
示例和权利要求进一步示出了发明。
激发态寿命
关于如何测量激发态寿命的详细描述在本文后面的子章节中提供。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，本发明的上下文中的至少一个(优选地每个)TADF材料EB表现出等于或短于110μs(优选地，等于或短于100μs)的延迟荧光寿命
Figure BDA0004128479320002881
在发明的一个实施例中，本发明的上下文中的每个TADF材料EB表现出等于或短于110μs(优选地，等于或短于100μs)的延迟荧光寿命
Figure BDA0004128479320002882
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，本发明的上下文中的至少一个(优选地每个)TADF材料EB表现出等于或短于75μs的延迟荧光寿命
Figure BDA0004128479320002891
在发明的一个实施例中，本发明的上下文中的每个TADF材料EB表现出等于或短于75μs的延迟荧光寿命
Figure BDA0004128479320002892
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，本发明的上下文中的至少一个(优选地每个)TADF材料EB表现出等于或短于50μs的延迟荧光寿命
Figure BDA0004128479320002893
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB表现出等于或短于50μs的延迟荧光寿命
Figure BDA00041284793200028913
在发明的优选实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，本发明的上下文中的至少一个(优选地每个)TADF材料EB表现出等于或短于10μs的延迟荧光寿命
Figure BDA0004128479320002894
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB表现出等于或短于10μs的延迟荧光寿命
Figure BDA00041284793200028914
在发明的甚至更优选的实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，本发明的上下文中的至少一个(优选地每个)TADF材料EB表现出等于或短于5μs的延迟荧光寿命
Figure BDA0004128479320002895
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB表现出等于或短于5μs的延迟荧光寿命
Figure BDA0004128479320002896
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，本发明的上下文中的至少一个(优选地每个)磷光材料PB表现出等于或短于50μs的激发态寿命
Figure BDA0004128479320002897
在发明的一个实施例中，每个磷光材料PB表现出等于或短于50μs的激发态寿命
Figure BDA0004128479320002898
在发明的优选实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，本发明的上下文中的至少一个(优选地每个)磷光材料PB表现出等于或短于10μs的激发态寿命
Figure BDA0004128479320002899
在发明的一个实施例中，每个磷光材料PB表现出等于或短于10μs的激发态寿命
Figure BDA00041284793200028910
在发明的甚至更优选的实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，本发明的上下文中的至少一个(优选地每个)磷光材料PB表现出等于或短于5μs的激发态寿命
Figure BDA00041284793200028911
在发明的一个实施例中，每个磷光材料PB表现出等于或短于5μs的激发态寿命
Figure BDA00041284793200028912
在发明的一个实施例中，在根据发明的有机电致发光器件中，将一个或更多个TADF材料EB加入到包括一个或更多个磷光材料PB、一个或更多个小FWHM发射体SB以及可选地一个或更多个主体材料HB的发光层B的一个或更多个子层中导致有机电致发光器件的激发态寿命降低。在发明的优选实施例中，根据发明的TADF材料EB的上述添加使有机电致发光器件的激发态寿命降低至少50％。
复合区
在本发明的上下文中，在诸如在此所述的有机电致发光器件的有机电致发光器件中(具体地，在有机发光二极管(OLED)中)的发射区(EZ)表示由于激子引起的光应力在发光层(EML，例如，根据本发明的发光层B)中遍及其分布的区(即，区域)。
本领域技术人员已知的是，由于发射区(EZ)反映了包括在发射区(EZ)中的每个分子的激子应力，因此发射区(EZ)的形状和尺寸对相应的有机电致发光器件的寿命有影响。本领域技术人员理解的是，降低每个分子的激子应力可以引起延长的器件寿命。
在本发明的上下文中，在诸如在此所述的有机电致发光器件的有机电致发光器件中(具体地，在有机发光二极管(OLED))的复合区(RZ)表示通过电子-空穴复合在其中产生激子的区(即，区域)。
在此，在稍微简化的方法中(假设激子扩散长度足够短)，假设复合区(RZ)(几乎)与发射区(EZ)相同。复合区(RZ，并且在我们稍微简化的方法中也为发射区EZ)与相应的有机电致发光器件的发光层内的电子与空穴之间的电荷平衡相关。另外，复合区(RZ，在我们的简化方法中也为发射区EZ)受每分子的(电)流应力影响。
如前所述，发明人已经令人惊讶地发现，由一个或更多个(子)层组成而作为整体包括一个或更多个激发能量转移组分EET-1、一个或更多个空穴清除剂Hscav、发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的光的一个或更多个小半峰全宽(FWHM)发射体SB以及可选地一个或更多个主体材料HB的有机电致发光器件的发光层提供了理想地适合于实现BT-2020和DCPI3色域的具有长寿命、高量子产率并且表现出窄发射的有机电致发光器件。
此外，发明人已经发现，特别地实现了这种有益的效果，如果只要相应的组分包括在同一发光层B中，则包括在发光层B中的上述材料就满足上述式(1)至式(6)中给出的标准。假设了满足关于包括在根据本发明的发光层B中的一个或更多个激发能量转移组分EET-1、一个或更多个空穴清除剂Hscav、一个或更多个小FWHM发射体SB以及可选地一个或更多个主体材料HB的HOMO能量和LUMO能量的要求可以部分由于对复合区(RZ)的影响而对器件性能提供有益的效果。
在本发明的上下文中的发光层B中，复合区(RZ)可以比例如在不存在EET-1或Hscav的情况下(具体地，在不存在EET-1的情况下)更均匀地分布在发光层中。
在此，为了评价复合区(RZ)在相应的发光层B上的空间分布，所述发光层B想象地被边界表面SEML分成两半，其中，SEML平行于电子阻挡层(EBL)和空穴阻挡层(HBL)，并且恰好位于相应的发光层B的中间，使得恰好一半的发光层体积位于HBL与SEML之间，并且恰好一半的发光层体积位于EBL与SEML之间。图1中也显示了这一点(参见下文)。
如本领域技术人员所知的，诸如本发明的有机电致发光器件的有机电致发光器件(具体地，OLED)不必包括HBL和/或EBL。理解的是，在根据本发明的有机电致发光器件不具有HBL的情况下，相应的发光层B可以与电子传输层(ETL)直接相邻。同样，在根据本发明的有机电致发光器件不应该具有EBL的情况下，相应的发光层B可以与空穴传输层(HTL)直接相邻。在既不存在EBL也不存在HBL的示例性情况下，假想边界表面SEML将平行于电子阻挡层(EBL)和空穴阻挡层(HBL)，并且恰好位于相应的发光层B的中间，使得恰好一半的发光层的体积位于ETL与SEML之间，并且恰好一半的发光层的体积位于HTL与SEML之间。也就是说，与精确的器件架构无关，SEML都将EML分成等体积的两半。
为了评价位于发光层B的一半或另一半内的复合区的体积分数，可以确定复合区轮廓(RZ轮廓)。RZ(在简化方法中也为发射区EZ)轮廓可以通过基于针对多层体系的转移矩阵理论方法结合偶极发射模型将器件的光学模型拟合到器件发射光谱的角度相关测量来确定。可以使用Fluxim AG的角度相关EL和PL测量装置(Phelos)的gonio光谱仪进行测量。发射区轮廓的拟合和计算可以使用Fluxim AG的SETFOS完成。拟合算法的细节可以在B.Perucco,N.Reinke,D.Rezzonico,M.Moos,and B.Ruhstaller,"Analysis of theemission profile in organic light-emitting devices,"Opt.Express 18,A246-A260(2010)中描述。
为此目的，第一步骤可以是测量角电致发光分布。这允许确定来自OLED的发射模式。这些可能取决于：1)有机堆叠体中使用的材料的折射率；2)发光层B中的发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的光的(多个)发射体SB的水平取向；以及3)当在EML的不同位置处时导致来自发射体的不同光谱发射的RZ分布。因此，在已知的折射率和水平偶极取向下，可以使用适当的拟合软件来拟合RZ。
Gonio光谱仪可以用于确定电致发光(EL)光谱的角度依赖性。在底部发射器件中，可以通过OLED的玻璃侧发射光。这将导致光模式在有机堆叠体-玻璃界面处被捕获。因此，OLED必须放置在微距提取透镜上，所述微距提取透镜耦合全部发射模式。可以将器件置于偏置之下以使其以特定特性(例如，恒定电流或恒定电压)发射，从而产生期望的亮度。然后，基底以期望的步长从角度A旋转到角度B，并且可以通过分光光度计依赖于角度收集发射。收集EL光谱的光谱仪包含将总光输出过滤成90°或0°偏振的偏振器，允许分别确定s(垂直于基底平面)和p(平行于基底平面)偏振模式。这些s偏振分布和p偏振分布可以用作拟合RZ轮廓的目标。
在拟合软件(Fluxim AG的SETFOS)中，可以以对应的光学常数引入整个堆叠体(基底和全部层(诸如阳极、空穴注入层、空穴传输层……阴极))。关于EML，可以引入SB的发射特性(取向、PLQY、发射最大值)并且用目标数据拟合RZ，即，可以拟合RZ以再现测量的角度相关性。
示例性拟合算法的细节在B.Perucco,N.Reinke,D.Rezzonico,M.Moos,andB.Ruhstaller,"Analysis of the emission profile in organic light-emittingdevices,"Opt.Express 18,A246-A260(2010)中描述。
位于发光层B的一半或另一半内的复合区的体积分数VF可以根据以下计算：
Figure BDA0004128479320002921
其中，d是相应的EML的厚度(例如，50nm)，x是距相应的EML同与相应的EML的一半相邻的层(上述示例中对于左半的EBL)之间的边界表面SB的距离。
优选的是，复合区不仅位于相应的发光层B的一半中，而且在一定程度上分布在相应的发光层B的两半上(参见下文)。
在一个实施例中，对于根据本发明的有机电致发光器件的至少一个(优选地每个)发光层B，复合区(即，在相应的(多个)发光层B内的其中在将电流施加到器件时发生电子-空穴复合的区域)满足以下标准两者：
(i)其体积的10％至90％位于电子阻挡层(EBL)与假想边界表面SEML之间，其中，SEML平行于EBL并且恰好位于相应的发光层B的中间(即，复合区的体积分数VF是10％至90％)；并且
(ii)其体积的10％至90％位于空穴阻挡层(HBL)与假想边界表面SEML之间，其中，SEML平行于HBL并且恰好位于相应的发光层B的中间(即，复合区的体积分数VF是10％至90％)；
其中，EBL和HBL两者与发光层B相邻，且EBL靠近阳极而HBL靠近阴极；并且其中，复合区的总体积加起来达到100％(例如，发光层B的EBL侧(i)上的50％和HBL侧(ii)上的50％假象地被边界表面SEML均匀地分割(分成两半))。
在一个实施例中，对于根据本发明的有机电致发光器件的至少一个(优选地每个)发光层B，复合区(即，在相应的(多个)发光层B内的其中在将电流施加到器件时发生电子-空穴复合的区域)满足以下标准两者：
(i)其体积的20％至80％位于电子阻挡层(EBL)与假想边界表面SEML之间，其中，SEML平行于EBL并且恰好位于相应的发光层B的中间(即，复合区的体积分数VF是20％至80％)；并且
(ii)其体积的20％至80％位于空穴阻挡层(HBL)与假想边界表面SEML之间，其中，SEML平行于HBL并且恰好位于相应的发光层B的中间(即，复合区的体积分数VF是20％至80％)；
其中，EBL和HBL两者与发光层B相邻，且EBL靠近阳极而HBL靠近阴极；并且其中，复合区的总体积加起来达到100％(例如，发光层B的EBL侧(i)上的50％和HBL侧(ii)上的50％假象地被边界表面SEML均匀地分割(分成两半))。
在一个实施例中，对于根据本发明的有机电致发光器件的至少一个(优选地每个)发光层B，复合区(即，在相应的(多个)发光层B内的其中在将电流施加到器件时发生电子-空穴复合的区域)满足以下标准两者：
(i)其体积的30％至70％位于电子阻挡层(EBL)与假想边界表面SEML之间，其中，SEML平行于EBL并且恰好位于相应的发光层B的中间(即，复合区的体积分数VF是30％至70％)；并且
(ii)其体积的30％至70％位于空穴阻挡层(HBL)与假想边界表面SEML之间，其中，SEML平行于HBL并且恰好位于相应的发光层B的中间(即，复合区的体积分数VF是30％至70％)；
其中，EBL和HBL两者与发光层B相邻，且EBL靠近阳极而HBL靠近阴极；并且其中，复合区的总体积加起来达到100％(例如，发光层B的EBL侧(i)上的50％和HBL侧(ii)上的50％假象地被边界表面SEML均匀地分割(分成两半))。
在一个实施例中，对于根据本发明的有机电致发光器件的至少一个(优选地每个)发光层B，复合区(即，在相应的(多个)发光层B内的其中在将电流施加到器件时发生电子-空穴复合的区域)满足以下标准两者：
(i)其体积的40％至60％位于电子阻挡层(EBL)与假想边界表面SEML之间，其中，SEML平行于EBL并且恰好位于相应的发光层B的中间(即，复合区的体积分数VF是40％至60％)；并且
(ii)其体积的40％至60％位于空穴阻挡层(HBL)与假想边界表面SEML之间，其中，SEML平行于HBL并且恰好位于相应的发光层B的中间(即，复合区的体积分数VF是40％至60％)；
其中，EBL和HBL两者与发光层B相邻，且EBL靠近阳极而HBL靠近阴极；并且其中，复合区的总体积加起来达到100％(例如，发光层B的EBL侧(i)上的50％和HBL侧(ii)上的50％假象地被边界表面SEML均匀地分割(分成两半))。
器件架构
本领域技术人员将注意到的是，至少一个发光层B通常将被并入本发明的有机电致发光器件中。优选地，这种有机电致发光器件包括至少以下层：至少一个发光层B；至少一个阳极层A；以及至少一个阴极层C。
优选地，至少一个发光层B位于阳极层A与阴极层C之间。因此，一般设定优选地是A-B-C。这当然不排除存在一个或更多个可选地又一层。这些可以存在于A、B和/或C的每侧处。
优选地，阳极层A位于基底的表面上。基底可以由任何材料或材料的组合形成。最常见地，玻璃载片被用作基底。可选地，可以使用薄金属层(例如，铜、金、银或铝膜)或者塑料膜或载片。这可以允许较高程度的柔性。两个电极中的至少一个应(基本上)透明以允许从电致发光器件(例如，OLED)发射光。通常，阳极层A主要由允许获得(基本上)透明膜的材料组成。优选地，阳极层A包括大量的透明导电氧化物(TCO)，或者甚至由透明导电氧化物(TCO)组成。
这种阳极层A可以示例性地包括氧化铟锡、氧化铝锌、氧化氟锡、氧化铟锌、PbO、SnO、氧化锆、氧化钼、氧化钒、氧化钨、石墨、掺杂的Si、掺杂的Ge、掺杂的GaAs、掺杂的聚苯胺、掺杂的聚吡咯和/或掺杂的聚噻吩以及它们中的两种或更多种的混合物。
特别优选地，阳极层A(基本上)由氧化铟锡(ITO)(例如，(InO3)0.9(SnO2)0.1)组成。可以通过使用空穴注入层(HIL)来补偿由透明导电氧化物(TCO)引起的阳极层A的粗糙度。此外，因为准电荷载流子从TCO到空穴传输层(HTL)的传输被促进，所以HIL可以促进准电荷载流子(即，空穴)的注入。空穴注入层(HIL)可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸盐(PSS)、MoO2、V2O5、CuPC或CuI(具体地，PEDOT和PSS的混合物)。空穴注入层(HIL)也可以防止金属从阳极层A扩散到空穴传输层(HTL)中。HIL可以示例性地包括PEDOT:PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐)、PEDOT(聚(3,4-乙撑二氧噻吩))、mMTDATA(4,4′,4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺)、螺-TAD(2,2′,7,7′-四(n,n-二苯基氨基)-9,9′-螺二芴)、DNTPD(N1,N1′-(联苯-4,4′-二基)双(N1-苯基-N4,N4-二-间甲苯基苯-1,4-二胺))、NPB(N,N′-双(1-萘基)-N,N′-双-苯基(1,1′-联苯)-4,4′-二胺)、NPNPB(N,N′-二苯基-N,N′-二[4-(N,N-二苯基-氨基)苯基]联苯胺)、MeO-TPD(N,N,N′,N′-四(4-甲氧基苯基)联苯胺)、HAT-CN(1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯六甲腈)和/或螺-NPD(N,N′-二苯基-N,N′-双(1-萘基)-9,9′-螺二芴-2,7-二胺)。
与阳极层A或空穴注入层(HIL)相邻，典型地定位有空穴传输层(HTL)。在此，可以使用任何空穴传输化合物。示例性地，诸如三芳胺和/或咔唑的富电子杂芳香族化合物可以用作空穴传输化合物。HTL可以降低阳极层A与发光层B(用作发射层(EML))之间的能量势垒。空穴传输层(HTL)也可以是电子阻挡层(EBL)。优选地，空穴传输化合物具有相当高的其三重态T1的能级。示例性地，空穴传输层(HTL)可以包括诸如三(4-咔唑-9-基苯基)胺(TCTA)、聚-TPD(聚(4-丁基苯基-二苯基-胺))、α-NPD(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-2,2′-二甲基联苯胺)、TAPC(4,4′-环己基-双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺])、2-TNATA(4,4′,4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺)、螺-TAD、DNTPD、NPB、NPNPB、MeO-TPD、HAT-CN和/或Tris-Pcz(9,9′-二苯基-6-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H,9′H-3,3′-联咔唑)的星形杂环。另外，HTL可以包括可以由有机空穴传输基质中的无机掺杂剂或有机掺杂剂组成的p掺杂层。诸如氧化钒、氧化钼或氧化钨的过渡金属氧化物可以示例性地用作无机掺杂剂。四氟四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、五氟苯甲酸铜(Cu(I)pFBz)或过渡金属配合物可以示例性地用作有机掺杂剂。
电子阻挡层(EBL)可以示例性地包括mCP(1,3-双(咔唑-9-基)苯)、TCTA、2-TNATA、mCBP(3,3-二(9H-咔唑-9-基)联苯)、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并噻吩基)苯基]-9H-咔唑、Tris-Pcz、CzSi(9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑)和/或DCB(N,N′-二咔唑基-1,4-二甲基苯)。
上面已经描述了一个或更多个发光层B的组成。根据发明的一个或更多个发光层B中的任一个优选地具有不大于1mm(更优选地不大于0.1mm，甚至更优选地不大于10μm，甚至更优选地不大于1μm，特别优选地不大于0.1μm)的厚度。
在电子传输层(ETL)中，可以使用任何电子传输体。示例性地，可以使用诸如以苯并咪唑、吡啶、三唑、噁二唑(例如，1,3,4-噁二唑)、氧化膦和砜为例的贫电子化合物。示例性地，电子传输体ETM(即，电子传输材料)也可以是诸如1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)的星形杂环。ETM可以示例性地是NBphen(2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、TSPO1(二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-膦氧化物)、BPyTP2(2,7-二(2,2′-联吡啶-5-基)三亚苯基)、Sif87(二苯并[b,d]噻吩-2-基三苯基硅烷)、Sif88(二苯并[b,d]噻吩-2-基二苯基硅烷)、BmPyPhB(1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯)和/或BTB(4,4′-双[2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)]-1,1′-联苯)。可选地，电子传输层可以掺杂有诸如Liq(8-羟基喹啉锂)的材料。可选地，第二电子传输层可以位于电子传输层与阴极层C之间。电子传输层(ETL)也可以阻挡空穴，或者引入空穴阻挡层(HBL)。
HBL可以例如包括HBM1：
Figure BDA0004128479320002961
BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉＝浴铜灵)、BAlq(双(8-羟基-2-甲基喹啉)-(4-苯基苯氧基)铝)、NBphen(2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、TSPO1(二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-膦氧化物)、T2T(2,4,6-三(联苯-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T(2,4,6-三(三联苯-3-基)-1,3,5-三嗪)、TST(2,4,6-三(9,9′-螺二芴-2-基)-1,3,5-三嗪)、DTST(2,4-二苯基-6-(3′-三苯基甲硅烷基苯基)-1,3,5-三嗪)、DTDBF(2,8-双(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)二苯并呋喃)和/或TCB/TCP(1,3,5-三(N-咔唑基)苯/1,3,5-三(咔唑-9-基)苯)。
与电子传输层(ETL)相邻，可以定位阴极层C。示例性地，阴极层C可以包括金属(例如，Al、Au、Ag、Pt、Cu、Zn、Ni、Fe、Pb、Li、Ca、Ba、Mg、In、W或Pd)或金属合金，或者可以由金属(例如，Al、Au、Ag、Pt、Cu、Zn、Ni、Fe、Pb、Li、Ca、Ba、Mg、In、W或Pd)或金属合金组成。出于实际原因，阴极层C也可以由诸如Mg、Ca或Al的(基本上)不透明(非透明)的金属组成。可选地或附加地，阴极层C也可以包括石墨和/或碳纳米管(CNT)。可选地，阴极层C也可以由纳米级银线组成。
在优选的实施例中，有机电致发光器件包括至少以下层：
A)阳极层A，包含选自于由氧化铟锡、氧化铟锌、PbO、SnO、石墨、掺杂的硅、掺杂的锗、掺杂的GaAs、掺杂的聚苯胺、掺杂的聚吡咯、掺杂的聚噻吩以及它们中的两种或更多种的混合物组成的组中的至少一种组分；
B)如在此所描述的根据本发明的发光层B；以及
C)阴极层C，包含选自于由Al、Au、Ag、Pt、Cu、Zn、Ni、Fe、Pb、In、W、Pd、Li、Ca、Ba、Mg以及它们中的两种或更多种的混合物或合金组成的组中的至少一个组分，
其中，发光层B位于阳极层A与阴极层C之间。
在一个实施例中，当有机电致发光器件是OLED时，其可以可选地包括以下层结构：
A)阳极层A，示例性地包括氧化铟锡(ITO)；
HTL)空穴传输层HTL；
B)如在此所描述的根据本发明的发光层B；
ETL)电子传输层ETL；以及
C)阴极层C，示例性地包括Al、Ca和/或Mg。
优选地，在此层的顺序是A-HTL-B-ETL-C。
此外，有机电致发光器件可以可选地包括一个或更多个保护层，所述一个或更多个保护层保护器件免受暴露于环境中的有害物质(包括示例性地湿气、蒸汽和/或气体)的损坏。
电致发光器件(例如，OLED)可以进一步可选地包括在电子传输层(ETL)D与阴极层C之间的保护层(其可以被指定为电子注入层(EIL))。该层可以包括氟化锂、氟化铯、银、Liq(8-羟基喹啉锂)、Li2O、BaF2、MgO和/或NaF。
除非另有说明，否则各种实施例的任何层(包括任何子层)可以通过任何合适的方法沉积。本发明的上下文中的包括至少一个发光层B(其可以由单个(子)层组成或可以包括大于一个子层)以及/或者其一个或更多个子层的层可以可选地借助于液体加工(也称为“膜加工”、“流体加工”、“溶液加工”或“溶剂加工”)来制备。这意味着包括在相应的层中的组分以液体状态被施用到器件的一部分的表面。优选地，本发明的上下文中的包括至少一个发光层B以及/或者其一个或更多个子层的层可以借助于旋涂来制备。本领域技术人员公知的这个方法允许获得薄且(基本上)均匀的层和/或子层。
可选地，本发明的上下文中的包括至少一个发光层B以及/或者其一个或更多个子层的层可以通过基于液体加工的其它方法(诸如以浇铸(例如，滴铸)和辊压法为例)以及印刷法(例如，喷墨印刷、凹版印刷、刮涂)来制备。这可以可选地在惰性气氛中(例如，在氮气氛中)进行。
在另一优选的实施例中，本发明的上下文中的包括至少一个发光层B以及/或者其一个或更多个子层的层可以通过本领域已知的任何其它方法制备，包括但不限于本领域技术人员公知的真空处理法(诸如以热(共)蒸发、有机气相沉积(OVPD)和通过有机气相喷射印刷(OVJP)的沉积为例)。
当借助于液体加工来制备可选地包括其一个或更多个子层的层时，包括(子)层的组分(即，对于本发明的发光层B，一个或更多个激发能量转移组分EET-1、一个或更多个空穴清除剂Hscav、一个或更多个小FWHM发射体SB以及可选地一个或更多个主体材料HB)的溶液可以进一步包括挥发性有机溶剂。这种挥发性有机溶剂可以可选地是选自于由四氢呋喃、二噁烷、氯苯、二乙二醇二乙醚、2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇、γ-丁内酯、N-甲基吡咯烷酮、乙氧基乙醇、二甲苯、甲苯、苯甲醚、苯乙醚、乙腈、四氢噻吩、苄腈、吡啶、三氢呋喃、三芳基胺、环己酮、丙酮、碳酸亚丙酯、乙酸乙酯、苯和PGMEA(丙二醇单乙醚乙酸酯)组成的组中的一种。还可以使用两种或更多种溶剂的组合。在以液体状态施用之后，随后示例性地在环境条件下，在升高的温度(例如，约50℃或约60℃)下或在减小的压力下可以通过本领域的任何方式干燥和/或硬化该层。
有机电致发光器件作为整体也可以形成不大于5mm、不大于2mm、不大于1mm、不大于0.5mm、不大于0.25mm、不大于100μm或不大于10μm的厚度的薄层。
有机电致发光器件(例如，OLED)可以是小尺寸的(例如，具有不大于5mm2或甚至不大于1mm2的表面)、中等尺寸的(例如，具有0.5cm2至20cm2的范围内的表面)或大尺寸的(例如，具有大于20cm2的表面)。根据本发明的有机电致发光器件(例如，OLED)可以可选地作为大面积照明装置、作为发光壁纸、发光窗框或玻璃、发光标签、发光海报或柔性屏幕或显示器而用于产生画面。除了常见用途之外，有机电致发光器件(例如，OLED)也可以示例性地用作发光膜、“智能包装”标签或创新设计元件。此外，它们可用于细胞检测和检查(例如，作为生物标记)。
进一步的定义和信息
如全文所使用的，本发明的上下文中的术语“层”优选地指具有广泛平面几何形状的主体。理解的是，对于可以组成层的全部“子层”也是如此。
如在此所使用的，术语有机电致发光器件和光电器件和有机发光器件可以在最广泛的意义上被理解为包括一个或更多个发光层B的任何器件，所述一个或更多个发光层B均作为整体包括一个或更多个激发能量转移组分EET-1、一个或更多个空穴清除剂Hscav、一个或更多个小FWHM发射体SB以及可选地一个或更多个主体材料HB，上述定义和优选的实施例可以适用于全部这些。
有机电致发光器件可以在最广泛的意义上被理解为基于有机材料的任何器件，所述有机材料适用于发射在可见光或最接近紫外光(UV)范围内(即，在380nm至800nm的波长范围内)的光。
优选地，有机电致发光器件可以能够发射可见光范围(即，400nm至800nm)内的光。
优选地，有机电致发光器件具有在可见光范围(即，380nm至800nm，更优选地，400nm至800nm)内的主发射峰。
在发明的一个实施例中，有机电致发光器件发射500nm至560nm的绿光。在发明的一个实施例中，有机电致发光器件具有在500nm至560nm的范围内的主发射峰。在发明的一个实施例中，有机电致发光器件具有在500nm至560nm的范围内的主发射峰的发射最大值。
在发明的优选实施例中，有机电致发光器件发射510nm至550nm的绿光。在发明的优选实施例中，有机电致发光器件具有在510nm至550nm的范围内的主发射峰。在发明的优选实施例中，有机电致发光器件具有在510nm至550nm的范围内的主发射峰的发射最大值。
在发明的特别优选的实施例中，有机电致发光器件发射515nm至540nm的绿光。在发明的另一特别优选的实施例中，有机电致发光器件具有在515nm至540nm的范围内的主发射峰。在发明的特别优选的实施例中，有机电致发光器件具有在515nm至540nm的范围内的主发射峰的发射最大值。
在发明的一个实施例中，有机电致发光器件发射420nm至500nm的蓝光。在发明的一个实施例中，有机电致发光器件具有在420nm至500nm的范围内的主发射峰。在发明的一个实施例中，有机电致发光器件具有在420nm至500nm的范围内的主发射峰的发射最大值。
在发明的优选实施例中，有机电致发光器件发射440nm至480nm的蓝光。在发明的优选实施例中，有机电致发光器件具有在440nm至480nm的范围内的主发射峰。在发明的优选实施例中，有机电致发光器件具有在440nm至480nm的范围内的主发射峰的发射最大值。
在发明的特别优选的实施例中，有机电致发光器件发射450nm至470nm的蓝光。在发明的特别优选的实施例中，有机电致发光器件具有在450nm至470nm的范围内的主发射峰。在发明的特别优选的实施例中，有机电致发光器件具有在450nm至470nm的范围内的主发射峰的发射最大值。
在发明的一个实施例中，有机电致发光器件发射590nm至690nm的红光或橙光。在发明的一个实施例中，有机电致发光器件具有在590nm至690nm的范围内的主发射峰。在发明的一个实施例中，有机电致发光器件具有在590nm至690nm的范围内的主发射峰的发射最大值。
在发明的优选实施例中，有机电致发光器件发射610nm至665nm的红光或橙光。在发明的优选实施例中，有机电致发光器件具有在610nm至665nm的范围内的主发射峰。在发明的优选实施例中，有机电致发光器件具有在610nm至665nm的范围内的主发射峰的发射最大值。
在发明的特别优选的实施例中，有机电致发光器件发射620nm至640nm的红光。在发明的一个实施例中，有机电致发光器件具有在620nm至640nm的范围内的主发射峰。在发明的特别优选的实施例中，有机电致发光器件具有在620nm至640nm的范围内的主发射峰的发射最大值。
在发明的优选实施例中，有机电致发光器件是选自于由有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池(LEC)和发光晶体管组成的组中的器件。
特别优选地，有机电致发光器件是有机发光二极管(OLED)。可选地，有机电致发光器件作为整体可以是不透明的(非透明的)、半透明的或(基本上)透明的。
如在整个本申请中所使用的，术语“环基团”可以在最广泛的意义上被理解为任何单环、双环或多环部分。
如在整个本申请中所使用的，术语“环”和“环体系”可以在最广泛的意义上被理解为任何单环、双环或多环部分。
术语“环原子”指作为环或环结构的环核的一部分而不是可选地附着到其的取代基的一部分的任何原子。
如在整个本申请中所使用的，术语“碳环”可以在最广泛的意义上被理解为其中环核结构仅包括碳原子的任何环基团，所述碳原子当然可以取代有氢或发明的具体实施例中定义的任何其它取代基。理解的是，术语“碳环”作为形容词指其中环核结构仅包括碳原子的环基团，所述碳原子当然可以取代有氢或发明的具体实施例中定义的任何其它取代基。理解的是，术语“碳环”或“碳环环体系”可以指脂肪族和芳香族环基团或环体系两者。
如在整个本申请中所使用的，术语“杂环”可以在最广泛的意义上被理解为其中环核结构不仅包括碳原子而且包括至少一个杂原子的任何环基团。理解的是，术语“杂环”作为形容词指其中环核结构不仅包括碳原子而且包括至少一个杂原子的环基团。除非在具体实施例中另有说明，否则杂原子在每次出现时可以相同或不同，并且可以单独地选自于由N、O、S和Se组成的组。包括在发明的上下文中的杂环中的全部碳原子或杂原子当然可以取代有氢或在发明的具体实施例中定义的任何其它取代基。理解的是，术语“杂环”或“杂环环体系”可以指脂肪族和杂芳香族环基团或环体系两者。
如在整个本申请中所使用的，术语“芳香环体系”可以在最广泛的意义上被理解为任何双环或多环芳香族部分。
如在整个本申请中所使用的，术语“杂芳香环体系”可以在最广泛的意义上被理解为任何双环或多环杂芳香族部分。
如在整个本申请中所使用的，术语“稠合”当涉及芳香环体系或杂芳香环体系时意味着“稠合”的芳香环或杂芳香环共享至少一个键，所述至少一个键是两个环体系的一部分。例如，萘(或当被称为取代基时的萘基)或苯并噻吩(或当被称为取代基时的苯并噻吩基)在本发明的上下文中被认为是稠合芳香环体系，其中，两个苯环(对于萘)或者噻吩和苯(对于苯并噻吩)共享一个键。还理解的是，在该上下文中共享键包括共享构成相应的键的两个原子，并且稠合的芳香环体系或杂芳香环体系可以被理解为一个芳香族体系或杂芳香族体系。另外，理解的是，大于一个键可以被构成稠合的芳香环体系或杂芳香环体系的芳香环或杂芳香环共享(例如，在芘中)。此外，将理解的是，脂肪环体系也可以是稠合的，并且这具有与针对芳香环体系或杂芳香环体系相同的含义，当然除了稠合的脂肪环体系不是芳香的之外。
如在整个本申请中所使用的，术语“芳基”和“芳香族”可以在最广泛的意义上被理解为任何单环、双环或多环芳香族部分。在此，除非在具体实施例中不同地指出，否则芳基优选地包含6个至60个芳香环原子，杂芳基优选地包含其至少一个是杂原子的5个至60个芳香环原子。尽管如此，在整个申请中，芳香环原子的数量(具体地，芳香环原子的作为碳原子的数量)可以在某些取代基的定义中作为下标数字给出。具体地，杂芳香环包括一个至三个杂原子。同样，术语“杂芳基”和“杂芳香族”可以在最广泛的意义上被理解为包括至少一个杂原子的任何单环、双环或多环杂芳香族部分。杂原子在每次出现时可以相同或不同，并且可以单独地选自于由N、O、S和Se组成的组。因此，术语“亚芳基”指具有与其它分子结构的两个结合点并且因此用作连接基结构的二价取代基。在示例性实施例中的基团被定义为与这里所给出的定义不同(例如，芳香环原子的数量或杂原子的数量与给定的定义不同)的情况下，将应用示例性实施例中的定义。根据发明，缩合(环化)芳香多环或杂芳香多环由经由缩合反应形成多环的两个或更多个单芳香环或杂芳香环构成。
具体地，如在整个本申请中所使用的，术语“芳基”或“杂芳基”包括可以经由芳香族基团或杂芳香族基团的任何位置结合的基团，该基团衍生自苯、萘、蒽、菲、芘、二氢芘、
Figure BDA0004128479320003021
苝、荧蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、硒吩、苯并硒吩、异苯并硒吩、二苯并硒吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩噁嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、噁唑、苯并噁唑、萘并噁唑、蒽并噁唑、菲并噁唑、异噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、1,3,5-三嗪、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、咔啉、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,2,3,4-四嗪、嘌呤、蝶啶、中氮茚和苯并噻二唑或者上述基团的组合。
在发明的某些实施例中，结合到芳香环或杂芳香环的相邻的取代基可以一起形成稠合到取代基结合到其的芳香环或杂芳香环的附加单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。理解的是，可选地如此形成的稠合环体系将比与相邻的取代基结合到其的芳香环或杂芳香环大(意味着其包括更多的环原子)。在这些情况下，包括在稠合环体系中的环原子的“总”量将被理解为包括在相邻的取代基结合到其的芳香环或杂芳香环中的环原子与由相邻的取代基形成的附加环体系的环原子的总和，然而，其中，被稠合的环体系共享的碳原子计数一次而不是两次。例如，苯环可以具有两个相邻的取代基，所述两个相邻的取代基形成另一苯环使得构成萘核。因为两个碳原子被两个苯环共享并且因此仅计数一次而不是两次，所以所述萘核于是包括10个环原子。在此上下文中的术语“相邻的取代基”指附着到(例如，环体系的)相同或相邻的环原子的取代基。
如在整个本申请中所使用的，当提及环体系时，术语“脂肪族”可以在最广泛的意义上被理解，并且意味着构成环体系的环中没有一个是芳香环或杂芳香环。理解的是，这种脂肪环体系可以稠合到一个或更多个芳香环或杂芳香环，使得包括在脂肪环体系的核结构中的一些(但不是全部)碳原子或杂原子是附着的芳香环或杂芳香环的一部分。
如以上和在此所使用的，术语“烷基”可以在最广泛的意义上被理解为任何直链、支链或环状的烷基取代基。具体地，术语烷基包括这样的取代基：甲基(Me)、乙基(Et)、正丙基(nPr)、异丙基(iPr)、环丙基、正丁基(nBu)、异丁基(iBu)、仲丁基(sBu)、叔丁基(tBu)、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-双环[2,2,2]辛基、2-双环[2,2,2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1,1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)-环己-1-基、1-(正丁基)-环己-1-基、1-(正己基)-环己-1-基、1-(正辛基)-环己-1-基和1-(正癸基)-环己-1-基。
如以上和在此所使用的，术语“烯基”包括直链、支链和环状的烯基取代基。术语烯基示例性地包括这样的取代基：乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。
如以上和在此所使用的，术语“炔基”包括直链、支链和环状的炔基取代基。术语炔基示例性地包括乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。
如以上和在此所使用的，术语“烷氧基”包括直链、支链和环状的烷氧基取代基。术语烷氧基示例性地包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基和2-甲基丁氧基。
如以上和在此所使用的，术语“硫代烷氧基”包括其中示例性地烷氧基的O被S代替的直链、支链和环状的硫代烷氧基取代基。
如以上和在此所使用的，术语“卤素”和“卤代”可以在最广泛的意义上被理解为优选地氟、氯、溴或碘。
包括在在此提及的任何结构中的全部氢原子(H)在每次出现时可以彼此独立地被氘(D)代替，并且没有特别指出。用氘代替氢是惯例，并且对于本领域技术人员来说是明显的，本领域技术人员也知道如何实现这种合成。
理解的是，当分子片段被描述为取代基或以其它方式附着到另一部分时，其名称可以被写成好像其是一个片段(例如，萘基、二苯并呋喃基)或好像其是整个分子(例如，萘、二苯并呋喃)。如在此所使用的，指定取代基或附着片段的这些不同方式被认为是等同的。
当提及浓度或组成时，除非另有说明，否则百分比指具有与重量百分比或重量％((重量/重量)，(w/w)，wt％)相同的含义的重量百分比。
轨道和激发态能量可以通过实验方法的方式或通过采用量子化学方法的计算(具体地，密度泛函理论计算)来确定。在此，最高占据分子轨道的能量EHOMO通过本领域技术人员已知的方法以0.1eV的精度通过循环伏安法测量确定。
最低未占分子轨道的能量ELUMO可以通过本领域技术人员已知的方法以0.1eV的精度通过循环伏安法测量确定。如果ELUMO可以通过循环伏安法测量确定，则其在此将表示为
Figure BDA0004128479320003051
可选地，在此优选地，ELUMO被计算为EHOMO+Egap，其中，除非另有说明，否则对于主体材料HB、TADF材料EB和小FWHM发射体SB，第一激发单重态S1(参见下文)的能量用作Egap。也就是说，对于主体材料HB、TADF材料EB和小FWHM发射体SB，Egap通过在室温(即，近似20℃)下发射光谱的起始点确定(稳态光谱；对于TADF材料EB，通常使用在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中的10重量％的EB的旋涂膜；对于小FWHM发射体SB，通常使用在PMMA中的1重量％至5重量％(优选地，2重量％)的SB的旋涂膜；对于主体材料HB，通常使用相应的主体材料HB的旋涂纯膜)。对于磷光材料PB，Egap也通过在室温(即，近似20℃)下发射光谱的起始点确定(通常通过在PMMA中的10重量％的PB的旋涂膜测量)。
在室温(即，近似20℃)下记录吸收光谱。对于TADF材料EB，通常通过在聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)中10重量％的EB的旋涂膜来测量吸收光谱。对于小FWHM发射体SB，通常通过在PMMA中的1重量％至5重量％(优选地，2重量％)的SB的旋涂膜来测量吸收光谱。对于主体材料HB，通常通过主体材料HB的旋涂纯膜来测量吸收光谱。对于磷光材料PB，通常通过在PMMA中的10重量％的PB的旋涂膜来测量吸收光谱。可选地，也可以通过相应的分子的溶液(例如，在二氯甲烷或甲苯中)来记录吸收光谱，其中，通常选择溶液的浓度，使得最大吸光度优选地在0.1至0.5的范围内。
吸收光谱的起始点是通过计算吸收光谱的切线与x轴的交点所确定的。吸收光谱的切线被设定在吸收带的低能侧处且在吸收光谱的最大强度的半高度(half maximum)的点处。
除非另有说明，否则第一(即，最低)激发三重态T1的能量通过77K下的磷光光谱的起始点确定(对于TADF材料EB，通常使用在PMMA中的10重量％的EB的旋涂膜；对于小FWHM发射体SB，通常使用在PMMA中的1重量％至5重量％(优选地，2重量％)的SB的旋涂膜；对于主体材料HB，通常使用相应的主体材料HB的旋涂纯膜；对于磷光材料PB，通常使用在PMMA中的10重量％的PB的旋涂膜，并且通常在室温(即，近似20℃)下进行测量)。如在EP2690681A1中所述的，已知对于具有小ΔEST值的TADF材料EB，即使在低温下，也可以发生系间窜越和反向系间窜越两者。因此，77K下的发射光谱可以包括来自S1态和T1态两者的发射。然而，也如EP2690681A1中所描述的，三重态能量的贡献/值通常被认为是主要的。
除非另有说明，否则第一(即，最低)激发单重态S1的能量通过在室温((即，近似20℃))下的荧光光谱的起始点确定(稳态光谱；对于TADF材料EB，通常使用在PMMA中的10重量％的EB的旋涂膜；对于小FWHM发射体SB，通常使用在PMMA中的1重量％至5重量％(优选地，2重量％)的SB的旋涂膜；对于主体材料HB，通常使用相应的主体材料HB的旋涂纯膜；对于磷光材料PB，通常使用在PMMA中的10重量％的PB的旋涂膜)。然而，对于显示出有效的系间窜越的磷光材料PB，室温发射可以(主要)是磷光并且不是荧光。在这种情况下，在室温(即，近似20℃)下的发射光谱的起始点用于确定如上所述的第一(即，最低)激发三重态T1的能量。
发射光谱的起始点是通过计算发射光谱的切线与x轴的交点所确定的。发射光谱的切线被设定在发射带的高能侧处且在发射光谱的最大强度的半高度(half maximum)的点处。
对应于第一(即，最低)激发单重态(S1)与第一(即，最低)激发三重态(T1)之间的能量差的ΔEST值是基于如上所述确定的第一(即，最低)激发单重态能量和第一(即，最低)激发三重态能量确定的。
如本领域技术人员已知的，发射体(例如，小FWHM发射体SB)的半峰全宽(FWHM)是通过相应的发射光谱(对于荧光发射体的荧光光谱和对于磷光发射体的磷光光谱)来容易地确定。对于小FWHM发射体SB，通常使用荧光光谱。全部报告的FWHM值通常指主发射峰(即，具有最高强度的峰)。确定(在此优选地以电子伏特eV报告的)FWHM的方式是本领域技术人员的公知常识的一部分。例如，考虑到发射光谱的主发射峰在两个波长λ1和λ2处达到其半最大发射(即，最大发射强度的50％)(所述两个波长λ1和λ2两者通过发射光谱以纳米(nm)获得)，呈电子伏特(eV)的FWHM通常(并且在此)使用以下等式确定：
Figure BDA0004128479320003071
如在此所使用的，如果在具体上下文中没有更具体地定义，则发射和/或吸收光的颜色的指定如下：
紫色：>380nm至420nm的波长范围；
深蓝色：>420nm至475nm的波长范围；
天蓝色：>475nm至500nm的波长范围；
绿色：>500nm至560nm的波长范围；
黄色：>560nm至580nm的波长范围；
橙色：>580nm至620nm的波长范围；
红色：>620nm至800nm的波长范围。
通过以下示例和权利要求示出了发明。
附图的描述
图1给出了(根据表2中给出的设定1，参见下文)示例性有机电致发光器件的示意性层结构以及发光层(EML)的特写视图。在此，层具有以下含义：S：玻璃基底；1：阳极(层)；2：空穴注入层(HIL)；3：空穴传输层1(HTL-1)；4：空穴传输层2(HTL-2)；5：电子阻挡层(EBL)；6：发光层(EML)，可选地分成子层；7：空穴阻挡层(HBL)；8：电子传输层(ETL)；9：电子注入层(EIL)；以及10：阴极(层)。发光层(EML)可以包括将EML分成相等体积的两半的假想边界表面SEML。示出了EML如何可以被假想边界表面SEML假想地分成等体积的两半，以评价复合区在EML的假想地如此形成的两半上的分布(见上文)。
示例
循环伏安法
测量在二氯甲烷或合适的溶剂以及合适的支持电解质(例如，0.1mol/L的四丁基六氟磷酸铵)中具有浓度为10-3mol/L的有机分子的溶液的循环伏安图。在室温(即，(近似)20℃)下并且在氮气氛下使用三电极组件(工作电极和对电极：Pt线，参比电极：Pt线)进行测量，并且使用FeCp2/FeCp2 +作为内标进行校准。使用二茂铁作为内标对SCE校正HOMO数据和LUMO数据。
密度泛函理论计算
采用BP86泛函和一致性检验方法(RI，resolution of identity approach)优化分子结构。采用时间依赖DFT(TD-DFT)法使用(BP86)优化的结构计算激发能量。用B3LYP泛函计算轨道和激发态能量。使用Def2-SVP基组和用于数值积分法的m4网格。针对全部计算使用Turbomole程序包。然而，在此，轨道和激发态能量优选地如上所述实验地确定。已经实验地确定了在此所报告的全部轨道和激发态能量(见实验结果)。
光物理测量
样品预处理：真空蒸发。
如前所述，可以包括在根据本发明的有机电致发光器件的发光层B中的各个化合物(例如，有机分子或过渡金属配合物)(例如，主体材料HB、主体材料hostscav、TADF材料EB、磷光材料PB、小FWHM发射体SB或荧光发射体F)的光物理测量通常使用旋涂纯膜(在主体材料HB或hostscav的情况下)或在聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)中的相应的材料的旋涂膜(例如，对于TADF材料EB、磷光材料PB、小FWHM发射体SB和荧光发射体F)来进行。这些膜通常是旋涂膜，除非对于特定测量不同地陈述，否则对于TADF材料EB和对于磷光材料PB，材料在PMMA-膜中的浓度是10重量％，或者对于小FWHM发射体SB和荧光发射体F，材料在PMMA-膜中的浓度是1重量％至5重量％(优选地，2重量％)。可选地，如前所述，一些光物理测量也可以通过相应的分子的溶液(例如，在二氯甲烷或甲苯中)来进行，其中，通常选择溶液的浓度使得最大吸光度优选地在0.1至0.5的范围内。
设备：Spin150，SPS euro。
样品浓度是1.0mg/mL，通常溶解在作为合适的溶剂的甲苯/DCM中。
程序：在2000U/min下7秒至30秒。在涂覆之后，将膜在70℃下干燥1分钟。
为了进一步研究如存在于(根据本发明或对比示例的)有机电致发光器件的EML中的某些材料的组成的目的，通过在石英基底上真空沉积50nm的相应的发光层B，通过用于器件制造的相同材料来制作用于光物理测量的样品。样品的光物理表征在氮气氛下进行。
吸收测量
使用Thermo Scientific Evolution 201UV-可见分光光度计来确定样品在270nm以上的波长区域中的吸收最大值的波长。所述波长用作用于光致发光光谱和量子产率测量的激发波长。
光致发光光谱
使用配备有150W氙弧灯、激发和发射单色器的Horiba Scientific,ModellFluoroMax-4来记录稳态发射光谱。将样品放置在比色皿中并且在测量期间用氮冲洗。
光致发光量子产率测量
对于光致发光量子产率(PLQY)测量，使用积分球、绝对PL量子产率测量C9920-03G系统(Hamamatsu Photonics)。在整个测量中将样品保持在氮气氛下。使用软件U6039-05来确定量子产率并且以％给出。使用等式计算产率：
Figure BDA0004128479320003091
其中，n光子表示光子计数，Int.是强度。为了质量保证，使用乙醇中的蒽(已知浓度)作为参考。
TCSPC(时间相关单光子计数)
除非在某些实施例或分析的上下文中另有说明，否则采用配备有发射单色器、作为检测器单元的温度稳定的光电倍增管和作为激发源的脉冲LED(310nm中心波长，910ps脉冲宽度)的Edinburgh Instruments FS5荧光分光光度计来确定激发态粒子数动力学(excited state population dynamics)。将样品放置在比色皿中并且在测量期间用氮冲洗。
为了确定所测量的瞬态光致发光信号的平均衰减时间
Figure BDA0004128479320003094
用n个指数函数的总和拟合数据：
Figure BDA0004128479320003092
其中，n是在1与3之间的整数。通过将特定的衰减时间常数τi与对应的幅值Ai加权，确定激发态寿命
Figure BDA0004128479320003095
Figure BDA0004128479320003093
该方法可以用于荧光材料和磷光材料以确定激发态寿命。对于TADF材料，需要收集如下所述的全衰减动力学。
全衰减动力学
通过在4个时间窗：200ns、1μs和20μs以及跨越>80μs的更长测量中进行TCSPC测量来实现在时间和信号强度上在几个数量级上的全激发态粒子数衰减动力学。然后以以下方式处理所测量的时间曲线：
通过在激发和减去之前确定平均信号水平来应用背景校正。
通过将主信号的初始上升作为参考来对准时间轴。
使用重叠的测量时间区域将曲线缩放到彼此上。
将所处理的曲线合并为一条曲线。
分别使用即时荧光(PF)和延迟荧光(DF)衰减的单指数和双指数拟合进行数据分析。通过将拟合得到的特定衰减时间常数τi与对应的幅值Ai加权，可以如下分别确定即时(即，即时荧光寿命)和延迟荧光(即，延迟荧光寿命)的平均寿命
Figure BDA0004128479320003103
Figure BDA0004128479320003101
其中，n是1或2。
通过相应的光致发光随时间衰减的积分来计算延迟荧光和即时荧光的比(n值)。
Figure BDA0004128479320003102
具有光谱分辨率的瞬态光致发光测量
在具有光谱分辨率的瞬态光致发光(PL)测量中，记录在脉冲光激发之后在规定延迟时间处的PL光谱。
用于测量瞬态PL光谱的示例性装置包括：
具有355nm的中心波长和1ns的脉冲宽度的脉冲激光器(eMOPA，CryLas)，用于激发样品。
被构造为容纳可以用氮抽空或冲洗的样品的样品室。
光谱仪(SpectraPro HRS)，用于分散从样品发射的光。
具有与脉冲激光器同步的集成时序发生器的CCD照相机(Princeton InstrumentsPI-MAX4)，用于对分散的发射光进行波长分辨探测。
被构造为分析从CCD照相机输入到其中的信号的个人计算机。
在测量过程中，样品被放置在样品室中，并且用脉冲激光器照射。在相对于激光脉冲的照射方向90度的方向上获取从样品发射的光。其被光谱仪分散并且被引导到检测器(示例性装置中的CCD照相机)上，从而获得波长分辨发射光谱。激光照射与检测之间的时间延迟以及检测的持续时间(即，控制时间(gate time))由时序发生器控制。
应注意的是，瞬态光致发光可以由与示例性装置中描述的装置不同的装置来测量。
有机电致发光器件的制造和表征
可以经由真空沉积法来制造包括根据发明的有机分子的OLED器件。如果层包含大于一种的化合物，则一种或更多种化合物的重量百分比以％给出。总重量百分比值是100％，因此如果未给出值，则该化合物的分数等于给定值与100％之间的差。
使用标准方法并且测量电致发光光谱、依赖于强度的外量子效率(以％计)对未完全地优化的OLED进行表征，依赖于强度的外量子效率(以％计)是使用由光电二极管检测的光和电流计算的。器件的FWHM是通过如先前针对光致发光光谱(荧光或磷光)所陈述的电致发光光谱来确定的。报告的FWHM指主发射峰(即，具有最高发射强度的峰)。OLED器件寿命是从在恒定电流密度下操作期间的亮度的改变提取的。LT50值与测量的亮度降低至初始亮度的50％的时间点对应，类似地，LT80值与测量的亮度降低至初始亮度的80％的时间点对应，LT97值与测量的亮度降低至初始亮度的97％的时间点对应等。
(例如，应用增大的电流密度)进行加速寿命测量。示例性地，使用以下等式确定在500cd/m2下的LT80值：
Figure BDA0004128479320003111
其中，L0表示施加的电流密度下的初始亮度。该值与几个(典型地两个至八个)像素的平均值对应。
实验结果
堆叠材料
Figure BDA0004128479320003121
主体材料HB
Figure BDA0004128479320003131
Figure BDA0004128479320003141
表1H.主体材料的性质。
Figure BDA0004128479320003142
Figure BDA0004128479320003151
可以被选择为激发能量转移组分EET-1或空穴清除剂Hscav(当Hscav是EET-2时)的TADF材料EB
Figure BDA0004128479320003152
Figure BDA0004128479320003161
Figure BDA0004128479320003171
Figure BDA0004128479320003181
表1E.TADF材料EB的性质。
Figure BDA0004128479320003182
Figure BDA0004128479320003191
可以被选择为激发能量转移组分EET-1或空穴清除剂Hscav(当Hscav是EET-2时)的磷光材料PB
Figure BDA0004128479320003192
Figure BDA0004128479320003201
表1P.磷光材料的性质。
Figure BDA0004128479320003202
其中，
Figure BDA0004128479320003203
是通过循环伏安法确定的最低未占分子轨道的能量。a发射光谱从Ir(ppy)3在氯仿中的溶液记录。b发射光谱从0.001mg/mL PB-2在二氯甲烷中的溶液记录。c发射光谱从0.001mg/mL PB-3在甲苯中的溶液记录。
小FWHM发射体SB(也可以用作荧光发射体F并且/或者也可以用作空穴清除剂Hscav)
Figure BDA0004128479320003204
Figure BDA0004128479320003211
Figure BDA0004128479320003221
表1S.小FWHM发射体SB的性质。
Figure BDA0004128479320003222
Figure BDA0004128479320003231
*在DCM(0.01mg/mL；这种溶液用于光物理测量)中测量。
表2.示例性有机电致发光器件(OLED)的设定1。
Figure BDA0004128479320003232
Figure BDA0004128479320003241
为了评价发明的结果，进行了对比实验，其中，仅改变了发射层(6)的组成。另外，在对比实验中，EET-1与SB的比保持恒定。
结果I：发光层(发射层，6)中的空穴清除剂Hscav(这里示例性地是磷光材料PB)的含量的变化
器件D1至器件D4的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003242
使用来自表2的设定1，其中，HB-4用作主体材料HB(p主体HP；也用作用于电子阻挡层5的材料)，EB-10用作激发能量转移组分EET-1(这里示例性地是TADF材料EB)，Ir(ppy)3用作空穴清除剂Hscav(这里示例性地是作为EET-2的磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果I
Figure BDA0004128479320003243
比较器件D1和器件D2的器件结果，可以观察到类似的光学性质(FWHM、λmax、CIEx和CIEy)和效率(EQE)，而对于器件D2，可以观察到与器件D1相比，相对寿命延长147％(从1.00到2.47)。对于器件D3，可以观察到与器件D1相比，相对寿命延长21％(从1.00到1.21)，而与器件D1相比，器件D4的相对寿命减少1％(从1.00到0.99)。
结果II：组分的组成变化
器件D5至器件D10的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003251
Figure BDA0004128479320003252
使用来自表2的设定1，其中，HB-4用作主体材料HB(p主体HP；也用作用于电子阻挡层5的材料)，HB-5用作主体材料HN，EB-11用作激发能量转移组分EET-1(这里示例性地是TADF材料EB)，Ir(ppy)3用作空穴清除剂Hscav(这里示例性地是作为EET-2的磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件D5和器件D6是包括混合主体体系(即，HB和HN)和磷光材料PB的典型的磷光器件。
器件D7和器件D8是包括混合主体体系(即，HB和HN)、磷光材料PB和小FWHM发射体SB的器件。
器件D9是包括主体材料HB、TADF材料EB和小FWHM发射体SB的器件。
器件D10是包括主体材料HB、激发能量转移组分EET-1(这里示例性地是TADF材料EB)、空穴清除剂Hscav(这里示例性地是作为EET-2的磷光材料PB)和小FWHM发射体SB的器件。
器件结果II
Figure BDA0004128479320003261
比较器件D5和器件D6与器件D7和器件D8的发射层的组成，器件D7和器件D8附加地包含小FWHM发射体SB，在器件D5和器件D6中不存在小FWHM发射体SB。对于器件D7和器件D8，可以观察到更长的寿命、类似的效率和更小的发射的FWHM。
根据本发明的器件D10显示出优于缺少空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是Ir(ppy)3)的器件D9的整体性能。
器件D14至器件D21的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003262
Figure BDA0004128479320003271
使用来自表2的设定1，其中，HB-4用作主体材料HB(p主体HP；也用作用于电子阻挡层5的材料)，HB-5用作主体材料HN，EB-10用作激发能量转移组分EET-1(这里示例性地是TADF材料EB)，PB-2用作空穴清除剂Hscav(这里示例性地是作为EET-2的磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果III
Figure BDA0004128479320003272
如从器件结果III可以得出结论的，不存在小FWHM发射体SB(这里示例性地是SB-1)导致由FWHM值在全部情况(见器件D14、器件D15和器件D18)下显著地大于0.25eV所反映的不期望的宽发射。对于器件D15，22.7％的非常高的EQE伴随着显著地降低的寿命。当与EET-1(示例性地是TADF材料EB，具体地是EB-10)或空穴清除剂Hscav(这里示例性地是EET-2，具体地是诸如PB-2的磷光材料PB)伴随使用小FWHM发射体SB(这里示例性地是SB-1)时，可以实现然后通过FWHM值显著地小于0.25eV(见器件D16和器件D17)来反映的窄发射。同时，这些器件分别表现出20.4％和22.4％的高EQE值。然而，就寿命而言，这些器件中的全部明确地被根据本发明制备的器件D19胜过。器件D19还表现出非常好的效率(20.4％的EQE)和窄发射(0.17eV的FWHM)。总之，本领域技术人员将认识到的是，(根据本发明的)器件D19明确地显示出最佳的整体器件性能。器件D19的EML包括1％的空穴清除剂Hscav(这里是磷光材料PB)。将所述值增大至4％(在器件D20中)或甚至增大至7％(在器件D21中)导致由FWHM略微增大至0.20eV、EQE分别降低至16.3％或13.6％以及器件寿命的降低反映的稍差的器件性能。然而，器件D20和器件D21仍然显示出良好的整体性能，具体地，在器件寿命方面。
在不存在激发能量转移组分EET-1(这里示例性地是TADF材料EB-10)的情况下，n主体(这里示例性地是HB-5)通常用于增大EML内的电子迁移率。
器件D22至器件D29的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003281
使用来自表2的设定1，其中，HB-4用作主体材料HB(p主体HP；也用作用于电子阻挡层5的材料)，HB-5用作主体材料HN，EB-11用作激发能量转移组分EET-1(这里示例性地是TADF材料EB)，Ir(ppy)3用作空穴清除剂Hscav(这里示例性地是作为EET-2的磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果IV
Figure BDA0004128479320003291
如从器件结果IV可以得出结论的，在不存在小FWHM发射体SB的情况下使用TADF材料EB(这里示例性地是EB-11)或磷光材料PB(这里示例性地是Ir(ppy)3)作为主发射体导致有机电致发光器件的由明确地大于0.25eV(这里分别是0.41eV和0.31eV，见器件D22和器件D23)的主发射峰的FWHM值反映的相对宽的发射。器件D22和器件D23两者表现出高效率(分别是22.5％和19.5％的EQE)。将小FWHM发射体SB(这里示例性地是SB-1)加入到例如磷光器件D23导致主发射峰的FWHM显著地降低(然后0.17eV)，同时略微地改善EQE和寿命(见器件D24)。然而，器件D24以及器件D22和器件D23被根据本发明制备的器件D25明显超过。与器件D22、器件D23和器件D24相比，器件D25表现出显著地延长的寿命，同时仍然显示出同样高的效率和窄的FWHM。本领域技术人员将认识到的是，根据本发明的器件D25的整体性能明确地优于器件D22、器件D23和器件D24的性能。通过将小FWHM发射体SB(这里示例性地是SB-1)的含量从1％(在器件D25的EML中)减小到0.5％(在器件D26的EML中)，甚至可以进一步改善整体器件性能。再次，不满足本发明的条件的对比示例D27(示例性地缺少空穴清除剂Hscav，在EET-2的这种情况下，这里是磷光材料PB)显示出显著地减小的寿命和稍微减小的效率(EQE)。将空穴清除剂Hscav(这里示例性地是磷光材料PB，Ir(ppy)3)的含量从根据本发明的器件D25和器件D26中的1％增大到(根据本发明的器件D28和器件D29中的)4％导致器件寿命和效率的减小。然而，这些器件(器件D28和器件D29)仍然明确地优于根据现有技术而不是根据本发明制造的上述对比器件。在不存在激发能量转移组分EET-1(这里示例性地是TADF材料EB-11)的情况下，n主体(这里示例性地是HB-5)通常用于增大EML内的电子迁移率。
表3.示例性有机电致发光器件(OLED)的设定2。
Figure BDA0004128479320003301
器件D30至器件D32的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003302
使用来自表3的设定2，其中，HB-1(mCBP)用作主体材料HB(p主体HP；也用作用于电子阻挡层5的材料)，EB-14用作激发能量转移组分EET-1(这里示例性地是TADF材料EB)，PB-3用作空穴清除剂Hscav(这里示例性地是作为EET-2的磷光材料PB)，并且SB-14用作小FWHM发射体SB。
器件结果V
Figure BDA0004128479320003311
在有机电致发光器件D30至有机电致发光器件D32之中，当考虑窄发射(小FWHM)、高EQE和相对寿命时，根据本发明的器件D32显示出最佳的整体性能。
器件D33至器件D35的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003312
使用来自表3的设定2，其中，HB-14用作主体材料HB(p主体HP；也用作用于电子阻挡层5的材料)，EB-14用作激发能量转移组分EET-1(这里示例性地是TADF材料EB)，PB-3用作空穴清除剂Hscav(这里示例性地是作为EET-2的磷光材料PB)，并且SB-14用作小FWHM发射体SB。
器件结果VI
Figure BDA0004128479320003313
Figure BDA0004128479320003321
在有机电致发光器件D33至有机电致发光器件D35之中，当考虑窄发射(小FWHM)、高EQE和相对寿命时，根据本发明的器件D35明确地显示出最佳的整体性能。
如前所述，根据本发明的每个发光层B可以是单个层或者可以由两个或更多个子层构成。具有包括两个或更多个子层的发光层B的示例性有机电致发光器件如下所示(见器件结果VII和器件结果VIII)。
表4.示例性有机电致发光器件(OLED)的设定3。
Figure BDA0004128479320003322
器件D36至器件D38的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003323
Figure BDA0004128479320003331
Figure BDA0004128479320003341
使用来自表4的设定3，其中，HB-4用作主体材料HB(p主体HP；也用作用于电子阻挡层5的材料)，HB-5用作主体材料HN，EB-10用作激发能量转移组分EET-1(这里示例性地是TADF材料EB)，Ir(ppy)3用作空穴清除剂Hscav(这里示例性地是作为EET-2的磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。
器件结果VII
Figure BDA0004128479320003351
如从器件结果VII可以得出结论的，与器件D36和器件D37相比，根据本发明的器件D38显示出显著地延长的寿命。这伴随着稍微减小但仍然高的效率(EQE)。全部三个器件显示出在全部情况下由低于0.25eV的FWHM值表示的窄发射。当考虑到窄发射、仍然高的EQE和非常长的寿命时，器件D38显示出最佳的整体器件性能。
表5.示例性有机电致发光器件(OLED)的设定4。
Figure BDA0004128479320003352
Figure BDA0004128479320003361
器件D39的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003362
Figure BDA0004128479320003371
使用来自表5的设定4，其中，HB-4用作主体材料HB(p主体HP；也用作用于电子阻挡层5的材料)，HB-5用作主体材料HN，EB-10用作激发能量转移组分EET-1(这里示例性地是TADF材料EB)，Ir(ppy)3用作空穴清除剂Hscav(这里示例性地是作为EET-2的磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。
器件结果VIII
Figure BDA0004128479320003372
*寿命相对于器件D38给出。
如从器件结果VIII可以得出结论的，将HB:EB:Hscav子层的厚度从8nm(器件D38)减小到5nm(器件D39)，同时使用很大程度上类似的堆叠架构，不会导致改善的器件性能。然而，器件D39仍然显示出窄发射、高EQE和良好的寿命。
器件D40和器件D41的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003381
使用来自表2的设定1，其中，HB-15用作主体材料HB(p主体HP；也用作用于电子阻挡层5的材料)，EB-10用作激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB)，Ir(ppy)3用作空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果IX
Figure BDA0004128479320003382
如从器件结果IX可以得出结论的，当考虑窄发射(FWHM)、效率(EQE)和器件寿命(LT95)时，与缺少空穴清除剂Hscav(这里是磷光材料PB，更具体地是Ir(ppy)3)的器件D40相比，根据本发明的器件D41显示出优异的整体性能。
表6.示例性有机电致发光器件(OLED)的设定5。
Figure BDA0004128479320003383
Figure BDA0004128479320003391
器件D42至器件D44的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003392
使用来自表6的设定5，其中，HB-15用作主体材料HB(p主体HP)，HB-5用作主体材料HN，EB-10用作激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB)，PB-2用作空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果X
Figure BDA0004128479320003393
如从器件结果X可以得出结论的，当考虑窄发射(FWHM)、效率(EQE)和器件寿命(LT95)时，与缺少激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB，更具体地是EB-10)的器件D43和缺少空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是PB-2)的器件D42相比，根据本发明的器件D44显示出优异的整体性能。在不存在TADF材料EB-10的情况下，n主体(这里示例性地是HB-5)用于增大EML内的电子迁移率。
器件D45至器件D49的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003401
使用来自表2的设定1，其中，HB-4用作主体材料HB(p主体HP；也用作用于电子阻挡层5的材料)，HB-5用作主体材料HN，EB-10用作激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB)，PB-4用作空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果XI
Figure BDA0004128479320003402
如从器件结果XI可以得出结论的，当考虑窄发射(FWHM)、效率(EQE)和器件寿命(LT95)时，与缺少激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB，更具体地是EB-10)的器件D48和缺少空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是PB-4)的器件D47以及采用PB-4作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D46和采用EB-10作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D45相比，根据本发明的器件D49显示出优异的整体性能。在不存在TADF材料EB-10的情况下，n主体(这里示例性地是HB-5)用于增大EML内的电子迁移率。
器件D50至器件D61的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003411
使用来自表6的设定5，其中，HB-15用作主体材料HB(p主体HP)，HB-5用作主体材料HN，EB-11用作激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB)，Ir(ppy)3用作空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分，更具体地是磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果XII
Figure BDA0004128479320003421
如从器件结果XII可以得出结论的，当考虑窄发射(FWHM)、效率(EQE)和器件寿命(LT95)时，与缺少激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB，更具体地是EB-11)的器件D53和缺少空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是Ir(ppy)3)的器件D52以及采用Ir(ppy)3作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D51和采用EB-11作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D50相比，根据本发明的器件D54显示出优异的整体性能。当比较器件D55至器件D58的性能时，可以得出结论的是，EML中的小FWHM发射体(这里示例性地是SB-1)的浓度从1％减小到0.5％可以引起延长的器件寿命。器件D59至器件D61也是根据本发明制备的，具体地，与根据本发明的器件D55相比，表明的是，将激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB，更具体地是EB-11)的浓度从20％增大到30％或甚至增大到40％可以引起改善的整体器件性能。器件D55至器件D58之间以及器件D60与器件D61之间的比较表明，相反，低浓度的空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是Ir(ppy)3)对于器件性能是有益的。在不存在TADF材料EB-11的情况下，n主体(这里示例性地是HB-5)用于增大EML内的电子迁移率。
器件D62至器件D71的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003422
Figure BDA0004128479320003431
使用来自表6的设定5，其中，HB-15用作主体材料HB(p主体HP)，HB-5用作主体材料HN，EB-11用作激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB)，PB-2用作空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果XIII
Figure BDA0004128479320003432
Figure BDA0004128479320003441
如从器件结果XIII可以得出结论的，当考虑窄发射(FWHM)、效率(EQE)和器件寿命(LT95)时，与缺少小FWHM发射体SB(这里示例性地是SB-1)的器件D66和缺少激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB，更具体地是EB-11)的器件D65和缺少空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是PB-2)的器件D64以及采用PB-2作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D63和采用EB-11作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D62相比，根据本发明的器件D67显示出优异的整体性能。当比较器件D67至器件D71的性能时，可以得出结论的是，对于给定的一组材料，30％的EET-1(这里是EB-11)和2.5％的Hscav(这里是EET-2，更具体地是PB-2)以及0.5％的SB-1的浓度提供了最佳性能的器件(器件D69)。
器件D72至器件D79的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003442
使用来自表6的设定5，其中，HB-15用作主体材料HB(p主体HP)，HB-5用作主体材料HN，EB-11用作激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB)，PB-4用作空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果XIV
Figure BDA0004128479320003451
如从器件结果XIV可以得出结论的，当考虑窄发射(FWHM)、效率(EQE)和器件寿命(LT95)时，与缺少激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB，更具体地是EB-11)的器件D75和缺少空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是PB-4)的器件D74以及采用PB-4作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D73和采用EB-11作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D72相比，根据本发明的器件D76显示出优异的整体性能。当比较器件D76至器件D79的性能时，可以得出结论的是，小FWHM发射体SB(这里示例性地SB-1)从1％到0.5％的浓度的减小可以改善整体器件性能。
器件D80至器件D85的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003452
Figure BDA0004128479320003461
使用来自表6的设定5，其中，HB-15用作主体材料HB(p主体HP)，EB-15用作激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB)，Ir(ppy)3用作空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果XV
Figure BDA0004128479320003462
如从器件结果XV可以得出结论的，与缺少空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是Ir(ppy)3)的器件D81相比，根据本发明的器件D84显示出优异的整体性能。此外，当考虑窄发射(FWHM)、效率(EQE)和器件寿命(LT95)时，与缺少小FWHM发射体SB(这里示例性地是SB-1)的器件D83和采用EB-15作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D80相比，根据本发明的器件D85显示出优异的整体性能。
器件D86至器件D90的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003463
Figure BDA0004128479320003471
使用来自表6的设定5，其中，HB-15用作主体材料HB(p主体HP)，EB-15用作激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB)，PB-2用作空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果XVI
Figure BDA0004128479320003472
如从器件结果XVI可以得出结论的，当考虑窄发射(FWHM)、效率(EQE)和器件寿命(LT95)时，与缺少空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是PB-2)的器件D87和器件D88以及采用EB-15作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D86相比，根据本发明的器件D89和器件D90显示出优异的整体性能。
器件D91至器件D94的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003473
Figure BDA0004128479320003481
使用来自表6的设定5，其中，HB-15用作主体材料HB(p主体HP)，EB-16用作激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB)，Ir(ppy)3用作空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果XVII
Figure BDA0004128479320003482
如从器件结果XVII可以得出结论的，当考虑窄发射(FWHM)、效率(EQE)和器件寿命(LT95)时，与缺少小FWHM发射体SB(这里示例性地是SB-1)的器件D93和缺少空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是Ir(ppy)3)的器件D92以及采用EB-16作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D91相比，根据本发明的器件D94显示出优异的整体性能。
器件D95至器件D97的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003483
使用来自表6的设定5，其中，HB-15用作主体材料HB(p主体HP)，EB-17用作激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB)，Ir(ppy)3用作空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果XVIII
Figure BDA0004128479320003491
如从器件结果XVIII可以得出结论的，当考虑窄发射(FWHM)、效率(EQE)和器件寿命(LT95)时，与缺少小FWHM发射体SB(这里示例性地是SB-1)的器件D96和缺少空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是Ir(ppy)3)的器件D95相比，根据本发明的器件D97显示出优异的整体性能。
器件D98至器件D101的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003492
使用来自表6的设定5，其中，HB-15用作主体材料HB(p主体HP)，EB-18用作激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB)，Ir(ppy)3用作空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果XIX
Figure BDA0004128479320003501
如从器件结果XIX可以得出结论的，当考虑窄发射(FWHM)、效率(EQE)和器件寿命(LT95)时，与缺少小FWHM发射体SB(这里示例性地是SB-1)的器件D100和缺少空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是Ir(ppy)3)的器件D99以及采用EB-18作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D98相比，根据本发明的器件D101显示出优异的整体性能。
器件D102至器件D105的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003502
使用来自表6的设定5，其中，HB-15用作主体材料HB(p主体HP)，EB-19用作激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB)，Ir(ppy)3用作空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果XX
Figure BDA0004128479320003503
Figure BDA0004128479320003511
如从器件结果XX可以得出结论的，当考虑窄发射(FWHM)、效率(EQE)和器件寿命(LT95)时，与缺少小FWHM发射体SB(这里示例性地是SB-1)的器件D104和缺少空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是Ir(ppy)3)的器件D103以及采用EB-19作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D102相比，根据本发明的器件D105显示出优异的整体性能。
器件D106至器件D108的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004128479320003512
使用来自表6的设定5，其中，HB-15用作主体材料HB(p主体HP)，EB-21用作激发能量转移组分EET-1(这里是TADF材料EB)，Ir(ppy)3用作空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB)，并且SB-1用作小FWHM发射体SB。重量百分比是0％意味着发光层B中不存在所述材料。
器件结果XXI
Figure BDA0004128479320003513
如从器件结果XXI可以得出结论的，当考虑窄发射(FWHM)、效率(EQE)和器件寿命(LT95)时，与缺少空穴清除剂Hscav(这里是激发能量转移组分EET-2，更具体地是磷光材料PB，更具体地是Ir(ppy)3)的器件D107和采用
EB-21作为发射体材料而不考虑SB-1的器件D106相比，根据本发明的器件
D108显示出优异的整体性能。

Claims (15)

1.一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括均由一个或更多个子层构成的一个或更多个发光层B，其中，所述一个或更多个子层彼此相邻并且作为整体包括以下组分：
(i)一个或更多个激发能量转移组分EET-1，均具有具备能量EHOMO(EET-1)的最高占据分子轨道HOMO(EET-1)和具备能量ELUMO(EET-1)的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)；和
(ii)一个或更多个空穴清除剂Hscav，均具有具备能量EHOMO(Hscav)的最高占据分子轨道HOMO(Hscav)和具备能量ELUMO(Hscav)的最低未占分子轨道LUMO(Hscav)；和
(iii)一个或更多个小半峰全宽(FWHM)发射体SB，均具有具备能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)和具备能量ELUMO(SB)的最低未占分子轨道LUMO(SB)，其中，每个SB发射具有小于或等于0.25eV的FWHM的光；以及可选地
(iv)一个或更多个主体材料HB，均具有具备能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)和具备能量ELUMO(HB)的最低未占分子轨道LUMO(HB)，
其中，位于每个发光层B的外表面处的所述一个或更多个子层包含选自于由EET-1、Hscav和小FWHM发射体SB组成的组中的至少一个材料，并且
其中，只要相应的组分包括在同一发光层B中，由下面的式(1)至式(6)表示的关系就适用：
ELUMO(EET-1) < ELUMO(HB) (1)
ELUMO(EET-1) < ELUMO(Hscav) (2)
ELUMO(EET-1) < ELUMO(SB) (3)
EHOMO(Hscav) ≥ EHOMO(HB) (4)
EHOMO(Hscav) ≥ EHOMO(EET-1) (5)
EHOMO(Hscav) ≥ EHOMO(SB) (6)。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1的最低未占分子轨道LUMO(EET-1)具有小于-2.3eV的能量ELUMO(EET-1)。
3.根据权利要求1和2中一项或两项所述的有机电致发光器件，其中，至少一个(优选地每个)发光层B相对于发光层B的总重量包括小于或等于5重量％的一个或更多个小FWHM发射体SB。
4.根据权利要求1至3中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，至少一个(优选地每个)发光层B相对于发光层B的总重量包括15重量％至50重量％的一个或更多个激发能量转移组分EET-1。
5.根据权利要求1至4中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，至少一个(优选地每个)发光层B相对于发光层B的总重量包括小于或等于5重量％的一个或更多个空穴清除剂Hscav。
6.根据权利要求1至5中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中：
(i)每个激发能量转移组分EET-1具有具备能级E(S1EET-1)的最低激发单重态S1EET-1和具备能级E(T1EET-1)的最低激发三重态T1EET-1；并且
(ii)每个空穴清除剂Hscav具有具备能级E(S1Hscav)的最低激发单重态S1Hscav和具备能级E(T1Hscav)的最低激发三重态T1Hscav；并且
(iii)每个小半峰全宽(FWHM)发射体SB具有具备能级E(S1S)的最低激发单重态S1S和具备能级E(T1S)的最低激发三重态T1S；并且
(iv)可选地包括的每个主体材料HB具有具备能级E(S1H)的最低激发单重态S1H和具备能级E(T1H)的最低激发三重态T1H；
其中，只要相应的组分包括在同一发光层B中，由下面的式(7)至式(9)表示的关系就适用：
E(S1H) > E(S1EET-1) (7)
E(S1H) > E(S1Hscav) (8)
E(S1H) > E(S1S) (9)。
7.根据权利要求1至6中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述器件发射具有低于0.25eV、更优选地低于0.20eV、甚至更优选地低于0.15eV或者甚至低于0.13eV的主发射峰的FWHM的光。
8.根据权利要求1至7中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，包括在根据本发明的所述电致发光器件中的每个发光层B由恰好一个(子)层组成。
9.根据权利要求1至8中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，在每个发光层B内，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-1以及如果包括在相应的发光层B中的至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2满足以下两个条件中的至少一个(优选地恰好一个)：
(i)其表现出小于0.4eV、优选地小于0.3eV、更优选地小于0.2eV、甚至更优选地小于0.1eV或者甚至小于0.05eV的ΔEST值，所述ΔEST值对应于E(S1EET-1)与E(T1EET-1)之间的能量差和/或E(S1EET-2)与E(T1EET-2)之间的能量差；并且/或者
(ii)其包括至少一个(优选地恰好一个)具有大于40的标准原子量的过渡金属。
10.根据权利要求1至9中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)空穴清除剂Hscav是激发能量转移组分EET-2，其中，在包括激发能量转移组分EET-2的至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)激发能量转移组分EET-2包括铱(Ir)或铂(Pt)。
11.根据权利要求1至10中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB满足以下要求中的至少一个或两个：
(i)其是含硼(B)发射体，这意味着(相应的)小FWHM发射体SB内的至少一个原子是硼(B)；并且
(ii)其包括芘核结构。
12.根据权利要求1至11中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB包括根据下面的式DABNA-I或下面的式BNE-1的结构，或者由根据下面的式DABNA-I或下面的式BNE-1的结构组成：
Figure FDA0004128479310000031
其中，
环A′、环B′和环C′中的每个彼此独立地表示均包括5个至24个环原子的芳香环或杂芳香环，其中，在杂芳香环的情况下，1个至3个环原子是彼此独立地选自于N、O、S和Se中的杂原子，其中，
芳香环或杂芳香环A′、环B′和环C′中的每个中的一个或更多个氢原子可选地并且彼此独立地被取代基RDABNA-1取代，所述取代基RDABNA-1在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氘；N(RDABNA-2)2；ORDABNA-2；SRDABNA-2；Si(RDABNA-2)3；B(ORDABNA-2)2；OSO2RDABNA-2；CF3；CN；卤素；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、C≡C、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、C≡C、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、C≡C、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、C≡C、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2取代；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
RDABNA-2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-6)2；ORDABNA-6；SRDABNA-6；Si(RDABNA-6)3；B(ORDABNA-6)2；OSO2RDABNA-6；CF3；CN；卤素；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C1-C5烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA -6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C1-C5硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C2-C5烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA -6取代，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C2-C5炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
其中，选自于RDABNA-1和RDABNA-2中的两个或更多个相邻的取代基可选地形成稠合到相邻的环A′、环B′或环C′的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括8个至30个环原子；
Ya和Yb彼此独立地选自于直连单键、NRDABNA-3、O、S、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2、BRDABNA-3和Se；
RDABNA-3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-4)2；ORDABNA-4；SRDABNA-4；Si(RDABNA-4)3；B(ORDABNA-4)2；OSO2RDABNA-4；CF3；CN；卤素；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、C≡C、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、C≡C、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA -4、C≡C、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、C≡C、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
RDABNA-4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-5)2；ORDABNA-5；SRDABNA-5；Si(RDABNA-5)3；B(ORDABNA-5)2；OSO2RDABNA-5；CF3；CN；卤素，C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、C≡C、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、C≡C、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA -5、C≡C、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、C≡C、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5；C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
RDABNA-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-6)2；ORDABNA-6；SRDABNA-6；Si(RDABNA-6)3；B(ORDABNA-6)2；OSO2RDABNA-6；CF3；CN；卤素；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C1-C5烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA -6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C1-C5硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C2-C5烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA -6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA -6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C2-C5炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA -6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
其中，选自于RDABNA-3、RDABNA-4和RDABNA-5中的两个或更多个相邻的取代基可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的环体系总共包括8个至30个环原子；
RDABNA-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh(Ph＝苯基)；SPh；CF3；CN；F；Si(C1-C5烷基)3；Si(Ph)3；C1-C5烷基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、Ph、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、C1-C5烷基、SiMe3、SiPh3或C6-C18芳基取代基取代；C3-C17杂芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、C1-C5烷基、SiMe3、SiPh3或C6-C18芳基取代基取代；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，在Ya和Yb中的一个或者Ya和Yb两者是NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3的情况下，针对Ya＝NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3，一个或两个取代基RDABNA-3可以可选地并且彼此独立地经由直连单键或者经由连接原子或原子基团结合到相邻的环A′和环B′中的一个或两个，或者针对Yb＝NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3，一个或两个取代基RDABNA-3可以可选地并且彼此独立地经由直连单键或者经由连接原子或原子基团结合到相邻的环A′和环C′中的一个或两个，所述连接原子或所述原子基团在每种情况下独立地选自于NRDABNA-1、O、S、C(RDABNA-1)2、Si(RDABNA-1)2、BRDABNA-1和Se；
并且其中，可选地，两个或更多个(优选地两个)式DABNA-I的结构彼此共轭(优选地通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式DABNA-I的结构存在于所述发射体中并且共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式DABNA-I的环A′、环B′和环C′中的任一个，而且也可以是选自于RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的任何芳香族或杂芳香族取代基(具体地，RDABNA-3)，或者由如上所述的两个或更多个相邻取代基形成的任何芳香环或杂芳香环，其中，所共享的环能够构成共享所述环的所述两个或更多个式DABNA-I的结构的相同或不同部分；并且
其中，可选地，RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的至少一个被连接到式DABNA-I的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的任一个的至少一个氢原子被连接到式DABNA-I的又一化学实体的键代替；
Figure FDA0004128479310000091
其中，
c和d两者是整数并且彼此独立地选自于0和1；
e和f两者是整数并且选自于0和1，其中，e和f是相同的；
g和h两者是整数并且选自于0和1，其中，g和h是相同的；
如果d是0，则e和f两者是1，并且如果d是1，则e和f两者是0；
如果c是0，则g和h两者是1，并且如果c是1，则g和h两者是0；
V1选自于氮(N)和CRBNE-V；
V2选自于氮(N)和CRBNE-I；
X3选自于由直连键、CRBNE-3RBNE-4、C＝CRBNE-3RBNE-4、C＝O、C＝NRBNE-3、NRBNE-3、O、SiRBNE-3RBNE -4、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Y2选自于由直连键、CRBNE-3′RBNE-4′、C＝CRBNE-3′RBNE-4′、C＝O、C＝NRBNE-3′、NRBNE-3′、O、SiRBNE -3′RBNE-4′、S、S(O)和S(O)2组成的组；
RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V均彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(ORBNE -5)2；B(RBNE-5)2；OSO2RBNE-5；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE -5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5取代，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、Si(RBNE -5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-d、RBNE-d′和RBNE-e彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(ORBNE-5)2；B(RBNE-5)2；OSO2RBNE-5；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE -5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE -a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE -5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE -5、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；
RBNE-a在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(ORBNE-5)2；B(RBNE-5)2；OSO2RBNE-5；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE -5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE -5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE -5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE -5、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-6)2；ORBNE-6；Si(RBNE-6)3；B(ORBNE-6)2；B(RBNE-6)2；OSO2RBNE-6；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE -6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE -6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE -6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE -6、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6；
RBNE-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3、Ph或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；N(C6-C18芳基)2；N(C2-C17杂芳基)2；以及N(C2-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，RBNE-III和RBNE-e可选地结合以形成直连单键；并且
其中，取代基RBNE-a、RBNE-d、RBNE-d′、RBNE-e、RBNE-3′、RBNE-4′和RBNE-5中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，取代基RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，可选地，两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构彼此共轭(优选地通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)；
其中，可选地，两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构存在于所述发射体中并且共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式BNE-1的环a、环b和环c′中的任一个，而且也可以是选自于RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-5、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任何芳香族或杂芳香族取代基，或者由如上所述的两个或更多个取代基形成的任何芳香环或杂芳香环，其中，所共享的环能够构成共享所述环的所述两个或更多个式BNE-1的结构的相同或不同部分；并且
其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的至少一个被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE -5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任一个的至少一个氢原子被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替。
13.根据权利要求1至12中的一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，对于根据本发明的所述有机电致发光器件的至少一个(优选地每个)发光层B，在将电流施加到所述器件时发生电子-空穴复合的复合区满足以下标准两者：
(i)其体积的20％至80％位于电子阻挡层(EBL)与假想边界表面SEML之间，其中，SEML平行于所述EBL并且恰好位于相应的发光层B的中间；并且
(ii)其体积的20％至80％位于空穴阻挡层(HBL)与假想边界表面SEML之间，其中，SEML平行于所述HBL并且恰好位于相应的发光层B的中间；
其中，所述EBL和所述HBL两者与所述发光层B相邻，且所述EBL靠近阳极并且所述HBL靠近阴极；并且其中，所述复合区的总体积相加达100％。
14.一种用于产生光的方法，所述方法包括以下步骤：
(i)提供根据权利要求1至13中任一项所述的有机电致发光器件；以及
(ii)将电流施加到所述有机电致发光器件。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述方法用于产生具有在选自于以下波长范围中的一个的波长范围内的主发射峰的发射最大值的光：
(i)510nm至550nm；或者
(ii)440nm至470nm；或者
(iii)610nm至665nm。
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