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CN110504281A - 显示阵列的制造方法 - Google Patents

显示阵列的制造方法 Download PDF

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CN110504281A
CN110504281A CN201811601298.6A CN201811601298A CN110504281A CN 110504281 A CN110504281 A CN 110504281A CN 201811601298 A CN201811601298 A CN 201811601298A CN 110504281 A CN110504281 A CN 110504281A
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CN
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semiconductor stack
insulating layer
those
manufacturing
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CN201811601298.6A
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吴明宪
赵嘉信
方彦翔
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Industrial Technology Research Institute ITRI
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Abstract

本发明公开一种显示阵列的制造方法，其包括下列步骤：提供一基板，且在基板上形成一半导体堆叠层；形成一绝缘层以及多个电极垫于半导体堆叠层的一外表面并与该半导体堆叠层接触，其中绝缘层具有多个开口，且电极垫位于绝缘层的开口中且被绝缘层隔开；以及将半导体堆叠层、绝缘层及电极垫由基板转移配置在一驱动背板上，其中电极垫分别经过绝缘层的开口与部分的半导体堆叠层及该驱动背板电连接以在半导体堆叠层形成多个发光区域。

Description

显示阵列的制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体结构的制造方法，且特别是涉及一种显示阵列的制造方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，在目前也已被应用于平板及小型尺寸的显示器。近年来，微型发光二极管已朝多色彩及高亮度发展，因此，在未来的科技应用上，将会有更多的应用领域及层面，甚至能取代目前一般常见的发光二极管。
然而在目前的技术中，缩小管芯尺寸将面临两个主要的困难点。其中一者为在发光的效率上，由于微型发光二极管的尺寸为微米级，故相较于一般尺寸的发光二极管而言，管芯边缘所带来的发光效率衰退将占整体发光效率的大半比例以上。此外，其中另一者为，在上述微型发光二极管阵列的制作工艺中，除了需事先对管芯切割或图案化以定义出不同的发光平台之外，还需进行共电极、平坦化及巨量转移等制作工艺，使得制作工艺不但复杂且成本居高不下。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示阵列的制造方法，可增加发光效率并降低制作工艺难度。
本发明提供一种显示阵列的制造方法，包括下列步骤：提供一基板，且在基板上形成一半导体堆叠层；形成一绝缘层以及多个电极垫于半导体堆叠层的一外表面并与半导体堆叠层接触，其中绝缘层具有多个开口，且电极垫位于绝缘层的开口中且被绝缘层隔开；以及将半导体堆叠层、绝缘层及电极垫由基板转移配置在一驱动背板上，其中电极垫分别经过绝缘层的开口与部分的半导体堆叠层及驱动背板电连接以在半导体堆叠层形成多个发光区域，且在半导体堆叠层中相邻的发光区域间未经图案化。
基于上述，在本发明的显示阵列的制造方法中，在基板上形成半导体堆叠层、绝缘层以及多个电极垫，且绝缘层具有多个开口，以使电极垫位于绝缘层的开口中被绝缘层隔开，进而使电极垫分别经过绝缘层的开口与部分的半导体堆叠层电连接以在半导体堆叠层形成彼此电性隔离的多个发光区域。因此，相较于传统的作法，可简化制作工艺程序及制作难度，并解决传统管芯经蚀刻而产生边界发光效率衰退的问题。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1G依序为本发明一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图；
图2为图1G的显示阵列的俯视示意图；
图3为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；
图4为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；
图5为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；
图6为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；
图7A至图7F依序为本发明另一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图；
图8为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；
图9为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；
图10为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；
图11A至图11C依序为本发明另一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图；
图12为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；
图13A至图13D依序为本发明另一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图；
图14为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；
图15为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；
图16为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；
图17为本发明一实施例的显示阵列的制造方法的步骤流程图。
符号说明
10：基板
100、100A、100B、100C、100D、100E、100F、100G、100H、100I、100J、100K、100L、100M、100N：显示阵列
110、110A：半导体堆叠层
112：第一半导体材料层
114：发光材料层
116：第二半导体材料层
120、120A、120B：绝缘层
122：第一绝缘层
124：第二绝缘层
130、130A、130B、130C：电极垫
140：驱动背板
150：色彩转换件
152：红光转换件
154：绿光转换件
160、160A：电极层
170：吸光层
180：有源元件
190：粘着层
A：发光区域
B：电性隔离部
I：电流
O1、O11、O12、O2、O3：开口
S200、S210、S220：步骤
具体实施方式
随着科技的发展，显示器的尺寸逐年缩小，故其内部元件及结构也需缩小。因此，本发明一实施例所提供的显示阵列可提供作为微型发光二极管显示器中的显示阵列，并具有良好的发光效果。换句话说，即为由微型发光二极管所形成的微型显示阵列。
图1A至图1G依序为本发明一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图。请先参考图1A及图1B。在本实施例的晶体封装制作工艺中，首先，提供一基板10，且在基板10上形成一半导体堆叠层110。在本实施例中，基板10可以为砷化镓(GaAs)基板、磷化镓(GaP)基板、磷化铟(InP)基板、蓝宝石(Sapphire)基板、碳化硅(SiC)基板、硅(Si)基板或氮化镓(GaN)基板，以适于将多个半导体材料层、多个导电材料层及/或多个绝缘材料层镀覆于其表面上。
在本实施例中，半导体堆叠层110包括第一半导体材料层112、发光材料层114以及第二半导体材料层116。第一半导体材料层112为P型(P-type)半导体层，且第二半导体材料层116为N型(N-type)半导体层，但本发明不限于此。在其他实施例中，第一半导体材料层112为N型半导体层，且第二半导体材料层116可以为P型半导体层。N型(N-type)半导体层的材料例如是具有IVA族元素掺杂的N型氮化镓(n-GaN)，P型半导体层的材料例如是具有IIA族元素掺杂的P型氮化镓(p-GaN)，发光材料层114例如具有多重量子阱(Multiple QuantumWell；MQW)结构。多重量子阱结构包括以重复的方式交替设置的多个量子阱层(Well)和多个量子阻障层(Barrier)。
进一步来说，发光材料层114的材料例如是包括交替堆叠的多层氮化铟镓(InGaN)以及多层氮化镓(GaN)，通过设计发光材料层114中铟(In)或镓(Ga)的比例，可使发光材料层114发出特定的颜色光线，在本实施例中，例如是蓝光或紫外光。第一半导体材料层112、发光材料层114及第二半导体材料层116例如可以通过有机金属化学气相沉积法(Metal-organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD)形成。关于上述的第一半导体材料层112、发光材料层114或第二半导体材料层116的材料或形成方式仅为举例，本发明并不以此为限。
值得一提的是，半导体堆叠层110不具有图案化或经切割的步骤。意即，半导体堆叠层110并未经过光刻成像过程或进行蚀刻制作工艺，或者半导体堆叠层110未经过切割制作工艺而进一步分割区域。因此，半导体堆叠层110在平行基板10的延伸方向上为连续延伸的结构，故可降低显示阵列的制作工艺难度。
请参考图1C至图1E。在上述的步骤之后，形成一绝缘层120以及多个电极垫130于半导体堆叠层110上，其中绝缘层120具有多个开口O1，且这些电极垫130位于绝缘层120的开口O1中且被绝缘层120隔开，且绝缘层120直接连接于半导体堆叠层110的表面外，如图1E所绘示。详细而言，在本实施例中，绝缘层120包括一第一绝缘层122以及一第二绝缘层124。第一绝缘层122例如是由绝缘材料制成且具有阵列排列图案化的介电保护层，形成于半导体堆叠层110上，且第一绝缘层122具有多个开口O11。所述绝缘材料可使用具吸光性质的绝缘材料或具反射性质的绝缘材料，其中具吸光性质的绝缘材料可以具吸光性质的材料直接制作而成，而具反射性质的绝缘材料可利用具有不同折射率的多层镀膜所产生反射效果制作而成，但本发明并不限于此。电极垫130配置于第一绝缘层122的这些开口O11中。而第二绝缘层124例如是封装绝缘胶体，填充于电极垫130之间的空间并固定电极垫130与第一绝缘层122。可使每个电极垫130位于第一绝缘层122的开口O11及第二绝缘层124的开口O12所共同形成的开口O1中，且第一绝缘层122位于第二绝缘层124与半导体堆叠层110之间。换句话说，在绝缘层120的这些开口O1中，这些电极垫130完全地接触绝缘层。因此，这些电极垫130分别经过绝缘层120的这些开口O1与部分的半导体堆叠层110电连接，进而在半导体堆叠层110中形成多个发光区域(见图1G的发光区域A)。具体而言，在制造过程中，可规划每个电极垫130与半导体堆叠层110接触的面积及相邻电极垫130的间距，而使这些发光区域彼此电性隔离，并且，相邻电极垫130的周期相同于显示面板相邻子像素的周期。更详细而言，上述发光区域彼此电性隔离可以是指部分电性隔离的多个发光区域，或者是完全电性隔离的多个发光区域，本发明并不限于此。
图2为图1G的显示阵列的俯视示意图。请参考图1F、图1G及图2。在上述的步骤之后，将半导体堆叠层110、绝缘层120及电极垫130由基板10转移配置在一驱动背板140上，以形成显示阵列100。驱动背板140的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、硅质晶片或是其他适宜的材料，适用于与半导体堆叠层110或电极垫130电连接，但本发明并不限于此。在本实施例中，先将半导体堆叠层110背向基板10的一侧与驱动背板140进行接合制作工艺。在进行上述接合制作工艺之后，移除基板10。详细而言，可以将结构上下翻转(如图1F所绘示)之后，通过激光剥离(laser lift-off；LLO)或其他适宜的方法将基板10自半导体堆叠层110分离。
此外，在一些实施例中，将半导体堆叠层110、绝缘层120及电极垫130由基板10转移配置在驱动背板140上的方式也可采用先移除后接合或先转移至暂时基板后进行移除及接合制作工艺，以使电极垫130位于半导体堆叠层110与驱动背板140之间，本发明并不限于此。而又在类似上述的其他实施例中，可在移除基板10之后先将半导体堆叠层110、绝缘层120及电极垫130配置在一粘着层，例如是粘着胶，再将粘着层配置于驱动背板140上，使粘着层位于电极垫130与驱动背板140之间以完成显示阵列，但本发明也不限于此。
因此，在完成上述的步骤之后可形成上述彼此电性隔绝的多个发光区域A，并可以驱动背板140驱动电极垫130以驱动发光区域A，且通过将电极垫130配置于绝缘层120的开口(见如图1E的开口O1)中的配置方式而达到各别驱动。故可通过对出光面与配置电极垫130的一端之间施加电压，而让这些发光区域A通有电流I以各自发光而不与邻近的发光区域A的出光相干涉，如图2所绘示。在本实施例中，两相邻发光区域A的周期小于或等于20微米，也就是说，两相邻发光区域A的两发光中心点间隔小于或等于20微米。在另一实施例中，两相邻发光区域A的周期小于或等于10微米。详细而言，在光学行为上，其中一个发光区域A所发出的光若传递至邻近的发光区域A，也会因为与出光面所夹的角度过小而造成全反射现象，进而不使光线从邻近的发光区域A发出。本实施例显示阵列100的出光面侧可额外配置导电层，其详细配置方式将由后续说明，本发明也不限于此。如此一来，相较于传统的作法，可简化制作工艺程序及制作难度，并解决传统管芯经蚀刻而产生边界发光效率衰退的问题。
图3为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图。请参考图3。本实施例的显示阵列100A类似于图1G的显示阵列100，两者不同之处在于，在本实施例中，显示阵列100A还包括多个色彩转换件150，配置于半导体堆叠层110的出光侧上。举例而言，在本实施例中，半导体堆叠层110例如是发出蓝光，故可在发光区域所形成阵列中，有规划的配置红光转换件152及绿光转换件154，例如是量子点薄膜(Quantum Dot Film)。因此，将可使显示阵列100A所发出的光具有红、绿、蓝三色，以应用于不同种类的显示器中。
图4为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图。请参考图4。本实施例的显示阵列100B类似于图1G的显示阵列100，两者不同之处在于，在本实施例中，显示阵列100B还包括一电极层160以及一吸光层170。电极层160配置于半导体堆叠层110，吸光层170配置于电极层160，且电极层160位于吸光层170与半导体堆叠层110间。详细而言，在上述图1G的步骤之后，还可继续进行形成电极层160于半导体堆叠层110上以及形成吸光层170于电极层160上的步骤。
详细而言，在本实施例中，电极层160为透明导电材料，例如是氧化铟锡(indiumtin oxide，ITO)膜。吸光层170例如是黑色吸光材料，且具有多个开口O2。发光区域A位于吸光层170的开口O2与电极垫130之间。因此，半导体堆叠层110的发光区域A可通过电极垫130与电极层160之间的施加电压而发光，并且所发出的光通过吸光层170的开口O2而达到提高对比度的效果。从上视的视角观察下，显示阵列100B的显示面积可定义为吸光层170的开口O2的占有面积，而此占有面积可小于或等于发光区域A的发光面积以提高对比度。详细而言，发光区域A的发光面积大于或等于吸光层170的开口O2的占有面积。而吸光层170的开口O2的占有面积大于第一绝缘层122的开口O11的占有面积。意即，吸光层170的覆盖面积小于第一绝缘层122的覆盖面积。因此，发光区域A可通过第一绝缘层122的开口O11尺寸而与相邻的发光区域A电性隔离，且发光区域A所发出的光可通过吸光层170的开口O2限制出光面积。并且，相邻第一绝缘层122的开口O11周期相同于显示面板相邻子像素的周期。如此一来，可通过调配显示阵列100B的显示面积并提升显示阵列100B的发光品质。
图5为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图。请参考图5。本实施例的显示阵列100C类似于图4的显示阵列100B，两者不同之处在于，在本实施例中，显示阵列100C的电极层160A具有多个开口O3，且电极层160A的开口O3位于吸光层170的开口O2与发光区域A之间。在本实施例中，电极层160A例如是栅状金属电极。详细而言，在本实施例中，电极层160A是使用非透光导电材料制成。因此，本实施例的发光区域A所发出的光可通过电极层160A的开口O3及吸光层170的开口O2限制出光面积。在本实施例中，电极层160A的开口O3的尺寸与吸光层170的开口O2的尺寸可为相同或不同，本发明并不限于此。此外，值得一提的是，图4中显示阵列100B及图5中显示阵列100C中的第一绝缘层122的材料可选用如同图4的吸光层170的材料，以吸附半导体堆叠层110背向出光面的一侧的光线。
图6为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图。请参考图6。本实施例的显示阵列100D类似于图1G的显示阵列100，两者不同之处在于，在本实施例中，显示阵列100D的绝缘层120A仅由封装绝缘胶体所形成。具体而言，在本实施例中，可选用与半导体堆叠层110接触面积较小的电极垫130A，以使所产生的发光区域A彼此可以电性隔离。
图7A至图7F依序为本发明另一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图。请参考图1B及图7A至图7F，在本实施例中，在完成上述于基板10上形成半导体堆叠层110的步骤之后，可先以离子注入(ion implantation)的方式在半导体堆叠层110中形成至少一电性隔离部B以电性分隔发光区域A而形成半导体堆叠层110A。换句话说，在此步骤中，仅以离子注入的方式进一步提升相邻发光区域A之间的绝缘特性而不需额外以前述的图案化制作工艺图案化半导体堆叠层110。电性隔离部B的形状为栅状，且其阻抗值大于发光区域A的阻抗值的100倍。在本实施例中，电性隔离部B的深度分布可达半导体堆叠层110A的相对两面，即半导体堆叠层110A的厚度。然而在一些实施例中，电性隔离部B的深度分布可以小于半导体堆叠层110A的厚度，例如是分布于第二半导体材料层116或分布于第二半导体材料层116及发光材料层114中而未贯穿整个半导体堆叠层110A，本发明并不限于此。
因此，在对发光区域A施加电压时，可更加确保相邻发光区域A之间达到电性隔绝。如此一来，可加强相邻的发光区域A的电性隔绝效果，并且进一步提升发光效率。图7B至图7F的制造方法为依序形成第一绝缘层122、多个电极垫130、第二绝缘层124以及将半导体堆叠层110A、绝缘层120及电极垫130由基板10转移配置在驱动背板140上。其详细的制作过程的步骤可由上述的图1C至图1G的说明内容获取足够启示而进行制造，故不再赘述。
图8为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图。请参考图8。本实施例的显示阵列100F类似于图7F的显示阵列100E，两者不同之处在于，在本实施例中，显示阵列100F还包括类似于图4所绘示的电极层160及吸光层170。因此可使半导体堆叠层110A的发光区域A通过电极垫130与电极层160之间的施加电压而发光，并且所发出的光通过吸光层170的开口而达到提高对比度的效果。其详细的制作过程的步骤可由上述图4的说明内容获取足够启示而进行制造，故不再赘述。
图9为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图。请参考图9。本实施例的显示阵列100G类似于图8的显示阵列100F，两者不同之处在于，在本实施例中，显示阵列100G的电极层160A选用类似于图5所绘示的电极层160A，具有多个开口，且电极层160A的开口位于吸光层170的开口与发光区域A之间。其详细的制作过程的步骤可由上述图5的说明内容获取足够启示而进行制造，故不再赘述。
图10为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图。请参考图10。本实施例的显示阵列100H类似于图7F的显示阵列100E，两者不同之处在于，在本实施例中，显示阵列100H的绝缘层120A选用类似于图6所绘示的绝缘层120A，仅由封装绝缘胶体所形成。然而在本实施例中，由于半导体堆叠层110A中具有电性隔离部B，故电极垫130B可不需选用与半导体堆叠层110A接触面积较小者即可达到良好的相邻发光区域A彼此电性隔绝的效果。其详细的制作过程的步骤可由上述的图6的说明内容获取足够启示而进行制造，故不再赘述。
图11A至图11C依序为本发明另一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图。请先参考图1C及图11A，在本实施例中，在完成上述于半导体堆叠层110形成第一绝缘层122(即绝缘层120B)的步骤之后，在第一绝缘层122上配置电极垫130C以及有源元件180。在本实施例中，电极垫130C例如是氧化铟锡膜，而有源元件180例如是薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)。有源元件180与电极垫130C电连接，因此，半导体堆叠层110可通过有源元件180开启并且所发出的光线可穿透电极垫130C。
请参考图11B及图11C。在完成上述步骤后，将半导体堆叠层110、绝缘层120B、电极垫130C及有源元件180由基板10转移配置在驱动背板140上，以形成显示阵列100I。在本实施例中，采用上述说明中所提及先移除后接合或先转移至暂时基板后进行移除及接合制作工艺，以使半导体堆叠层110位于电极垫130C与驱动背板140之间。详细而言，在完成上述步骤后，移除基板10，如图11B所绘示。接着，将半导体堆叠层110原先配置在基板10的一侧配置于驱动背板140，以使半导体堆叠层110与驱动背板140电连接。因此，半导体堆叠层110可通过有源元件180开启或关闭电流导通，当有源元件180开启时，半导体堆叠层110可经由电极垫130C与驱动背板140之间的施加电压而发光，并且所发出的光通过透光的电极垫130C发出。如此一来，可简化制作工艺程序及制作难度，并解决传统管芯经蚀刻而产生边界发光效率衰退的问题。
图12为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图。请参考图12。本实施例的显示阵列100J类似于图11C的显示阵列100I，两者不同之处在于，在本实施例中，显示阵列100J的半导体堆叠层110A选用类似于图7F所绘示的半导体堆叠层110A，具有至少一电性隔离部B以分隔发光区域A。此外，相较于图11C的显示阵列100I，本实施例由于半导体堆叠层110A具有电性隔离部B，故可省略图11C显示阵列100I所配置的绝缘层120B，但本发明并不限于此。
图13A至图13D依序为本发明另一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图。请参考图11C、图13A至图13C，在本实施例中，图13A的结构类似于图11C的结构，两者不同之处在于，在本实施例中，电极垫130选用非透光导电材料制成，且在形成第一绝缘层122、电极垫130、第二绝缘层124以及有源元件180的步骤之后，将半导体堆叠层110、绝缘层120、电极垫130及有源元件180由基板10转移配置在一驱动背板140上，如图13C所绘示。其详细的制作过程的步骤可由上述的图1E至图1G的说明内容获取足够启示而进行制造，故不再赘述。
请参考图13D。在完成上述步骤之后，形成电极层160于半导体堆叠层110，使半导体堆叠层110位于电极层160与有源元件180之间以完成显示阵列100K。在本实施例中，电极层160为透明导电材料，例如是氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)膜。因此，半导体堆叠层110可经由电极垫130与电极层160之间的施加电压而发光，并且所发出的光通过透光的电极层160发出。其详细的制作过程的步骤可由上述的图4的说明内容获取足够启示而进行制造，故不再赘述。
图14为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图。请参考图14，本实施例的显示阵列100L类似于图13D的显示阵列100K，两者不同之处在于，在本实施例中，显示阵列100L还包括粘着层190，粘着层190位于电极垫130与驱动背板140之间，粘着层190例如是具有绝缘性质的粘着层或各向异性导电胶。详细而言，可在上述图13A的过程中，在移除基板10之后先将半导体堆叠层110、绝缘层120B及电极垫130配置在粘着层190，再将粘着层190配置于驱动背板140上，使粘着层190位于电极垫130与驱动背板140之间以完成显示阵列100L。
图15为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图。请参考图15，本实施例的显示阵列100M类似于图13D的显示阵列100K，两者不同之处在于，在本实施例中，显示阵列100M的半导体堆叠层110A选用类似于图7F所绘示的半导体堆叠层110A，具有至少一电性隔离部B以分隔发光区域A。此外，由于半导体堆叠层110A具有电性隔离部B，故可省略图13D显示阵列100K所配置的绝缘层120，进而选用由封装绝缘胶体所形成的绝缘层120A，但本发明并不限于此。
图16为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图。请参考图16，本实施例的显示阵列100N类似于图15的显示阵列100M，两者不同之处在于，在本实施例中，显示阵列100N还包括粘着层190，粘着层190位于电极垫130与驱动背板140之间，粘着层190例如是具有绝缘性质的粘着层或各向异性导电胶。其详细的制作过程的步骤可由上述的图14的说明内容获取足够启示而进行制造，故不再赘述。
图17为本发明一实施例的显示阵列的制造方法的步骤流程图。请参考图1A至图1G以及图17。本实施例所教示的显示阵列的制造方法至少可应用于上述的所有实施例中。为方便说明，下述说明将以图1A至图1G的实施例为例，但本发明并不限于此。在本实施例显示阵列的制造方法中，首先执行步骤S200，提供一基板10，且在基板10上形成一半导体堆叠层110，如图1B所绘示。接着，执行步骤S210，形成一绝缘层120以及多个电极垫130于半导体堆叠层110上，其中绝缘层120具有多个开口O1，且这些电极垫130位于绝缘层120的这些开口O1中且被绝缘层120隔开，如图1E所绘示。最后，执行步骤S220，将半导体堆叠层110、绝缘层120及这些电极垫130由基板10转移配置在一驱动背板140上，其中这些电极垫130分别经过绝缘层120的这些开口O1与部分的半导体堆叠层110及驱动背板140电连接以在半导体堆叠层110形成彼此电性隔离的多个发光区域A，如图1G所绘示。如此一来，相较于传统的作法，可简化制作工艺程序及制作难度，并解决传统管芯经蚀刻而产生边界发光效率衰退的问题。
综上所述，在本发明的显示阵列的制造方法中，在基板上形成半导体堆叠层、绝缘层以及多个电极垫，且绝缘层具有多个开口，以使电极垫位于绝缘层的开口中被绝缘层隔开，进而使电极垫分别经过绝缘层的开口与部分的半导体堆叠层电连接以在半导体堆叠层形成彼此电性隔离的多个发光区域。因此，相较于传统的作法，可简化制作工艺程序及制作难度，并解决传统管芯经蚀刻而产生边界发光效率衰退的问题。
虽然结合以上实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (15)

1.一种显示阵列的制造方法，包括：
提供基板，且在该基板上形成半导体堆叠层；
形成绝缘层以及多个电极垫于该半导体堆叠层的外表面并与该半导体堆叠层接触，其中该绝缘层具有多个开口，且该些电极垫位于该绝缘层的该些开口中且被该绝缘层隔开；以及
将该半导体堆叠层、该绝缘层及该些电极垫由该基板转移配置在一驱动背板上，其中该些电极垫分别经过该绝缘层的该些开口与部分的该半导体堆叠层及该驱动背板电连接以在该半导体堆叠层中形成多个发光区域，且在该半导体堆叠层中相邻的该些发光区域间未经图案化。
2.如权利要求1所述的显示阵列的制造方法，其中该些电极垫完全地接触该绝缘层。
3.如权利要求1所述的显示阵列的制造方法，还包括：
形成电极层于该半导体堆叠层上；以及
形成吸光层于该电极层上，该电极层位于该吸光层该半导体堆叠层之间，其中该吸光层具有多个开口，且该些发光区域位于该吸光层的该些开口与该些电极垫之间。
4.如权利要求3所述的显示阵列的制造方法，其中该电极层具有多个开口，且该电极层的该些开口位于该吸光层的该些开口与该些发光区域之间。
5.如权利要求3所述的显示阵列的制造方法，其中该半导体堆叠层中的该些发光区域的发光面积大于或等于该吸光层的该些开口的占有面积。
6.如权利要求3所述的显示阵列的制造方法，其中该吸光层的该些开口的占有面积大于该绝缘层的该些开口的占有面积。
7.如权利要求3所述的显示阵列的制造方法，其中该吸光层在该半导体堆叠层上的覆盖面积小于该绝缘层在该半导体堆叠层上的覆盖面积。
8.如权利要求1所述的显示阵列的制造方法，其中该绝缘层包括第一绝缘层以及第二绝缘层，且形成该绝缘层以及该些电极垫于该半导体堆叠层上的方法还包括：
形成该第一绝缘层于该半导体堆叠层上，该第一绝缘层具有多个开口；
配置该些电极垫于该第一绝缘层的该些开口中；以及
填充该第二绝缘层于该些电极垫之间，其中该第一绝缘层位于该第二绝缘层与该半导体堆叠层之间。
9.如权利要求1所述的显示阵列的制造方法，还包括：
以离子注入方式在该半导体堆叠层中形成至少一电性隔离部以电性分隔该些发光区域，其中该至少一电性隔离部的阻抗值大于该些发光区域的阻抗值的100倍。
10.如权利要求9所述的显示阵列的制造方法，其中该至少一电性隔离部的分布深度小于或等于该半导体堆叠层的厚度。
11.如权利要求1所述的显示阵列的制造方法，其中将该半导体堆叠层、该绝缘层及该些电极垫由该基板转移配置在该驱动背板上的方法包括：
将该半导体堆叠层配置在该驱动背板上；以及
移除该基板，其中该绝缘层位于该半导体堆叠层与该驱动背板之间。
12.如权利要求1所述的显示阵列的制造方法，其中将该半导体堆叠层、该绝缘层及该些电极垫由该基板转移配置在该驱动背板上的方法包括：
移除该基板以配置在该驱动背板上，其中该半导体堆叠层位于该绝缘层与该驱动背板之间。
13.如权利要求1所述的显示阵列的制造方法，其中将该半导体堆叠层、该绝缘层及该些电极垫由该基板转移配置在该驱动背板上的方法包括：
形成粘着层于该些电极垫；以及
将该粘着层配置于该驱动背板。
14.如权利要求1所述的显示阵列的制造方法，还包括：
提供多个色彩转换件并配置于该半导体堆叠层上。
15.如权利要求1所述的显示阵列的制造方法，其中相邻的两该些发光区域的周期小于或等于20微米。
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