CN110517838A - 一种钕铁硼永磁材料及其原料组合物、制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种钕铁硼永磁材料及其原料组合物、制备方法和应用。该钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd 24.0~29.0%、RH 3.0~6.0%、Cu 0.1~0.3%、Co 1.0~4.0%、Ga 0.1~0.6%、Nb 0.3~0.5%、Ti 0.0~0.3%和B 0.90~1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在钕铁硼永磁材料中的重量百分比;RH为重稀土元素。本发明的钕铁硼永磁材料在Br≥1.29T、Hcj≥1933kA/m的条件下,实现了在20℃~100℃温度区间磁通温度系数α的绝对值≤0.085%/℃,性能优异,能够满足动力电机、计算机及电子产品等精密仪器的性能要求。
Description
技术领域
本发明涉及一种钕铁硼永磁材料及其原料组合物、制备方法和应用。
背景技术
烧结钕铁硼以其优异的磁性能,广泛用于动力电机、计算机及电子产品等领域,随着产品的迭代,这些领域对磁体的温度系数提出更高的要求。
目前烧结钕铁硼磁通温度系数α约为-0.11%/℃至-0.14%/℃,而烧结钐钴产品磁通温度系数α可达-0.04%/℃,可见烧结钕铁硼磁通温度系数绝对值远高于烧结钐钴磁通温度系数的绝对值,这一性能上的缺陷限制了烧结钕铁硼产品的应用范围。
为了降低烧结钕铁硼磁体的磁通温度系数的绝对值,大部分钕铁硼生产厂家一般采用:a.添加大量的Co提高磁体的居里温度,但是Co在钕铁硼中的添加量>8%时,才能获得钕铁硼磁通温度系数α为-0.06%/℃的效果,成本较高,且Co在该种添加量下会导致钕铁硼内禀矫顽力的下降;b.添加大量Pr/Nd/Dy/Tb等稀土元素提高磁体的内禀矫顽力,在Dy、Tb添加量大于5wt%时能够获得钕铁硼磁通温度系数α为-0.09%/℃的效果,但是显著增加了生产成本,且会导致钕铁硼剩磁的下降。
因此,如何在保持钕铁硼永磁材料内禀矫顽力和剩磁的基础上,提供一种低磁通温度系数的钕铁硼永磁材料是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中钕铁硼的磁通温度系数绝对值过高,难以满足动力电机、计算机及电子产品等精密仪器的性能要求的缺陷,而提供了一种钕铁硼永磁材料及其原料组合物、制备方法和应用。本发明通过精确的配方设计,钕铁硼永磁材料的原料中Nb含量≥0.3%wt,Ga含量≥0.1%,制得了一种低温度系数的钕铁硼永磁材料,该钕铁硼永磁材料在20℃~100℃温度区间磁通温度系数α的绝对值≤0.085%/℃。
本发明提供了一种钕铁硼永磁材料,其包含下述组分:Nd 24.0~29.0%、RH 3.0~6.0%、Cu 0.1~0.3%、Co 1.0~4.0%、Ga 0.1~0.6%、Nb 0.3~0.5%、Ti0.0~0.3%和B 0.90~1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比;所述RH为重稀土元素。
本发明中,所述Nd的含量优选为25.5~28.5%或25.5~27.5%,例如25.5%、26.0%、27.5%或28.5%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
本发明中,所述RH可为本领域常规的重稀土元素,例如Dy和/或Tb,优选为Dy。
本发明中,所述RH的含量优选为4.0~6.0%或4.0~5.5%,例如4.0%、5.5%或6.0%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
本发明中,所述Cu的含量优选为0.1~0.2%,例如0.1%、0.15%或0.2%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
本发明中,所述Co的含量优选为1.0~3.0%或1.0~2.0%,例如1.0%、2.0%或2.5%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
本发明中,所述Ga的含量优选为0.15~0.6%或0.15~0.5%,例如0.15%、0.2%、0.3%、0.35%、0.45%、0.5%或0.6%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
本发明中,所述Nb的含量优选为0.3~0.4%或0.3~0.35%,例如0.3%、0.35或0.4%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
本发明中,所述Ti的含量优选为0.1~0.3%或0.1~0.2%,例如0.15%、0.2或0.3%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
本发明中,所述B的含量优选为0.92~1.02%,例如0.95%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
本发明中,优选地,所述Ga的含量为0.15~0.6%,所述Nb的含量为0.3~0.4%;更优选地,所述Ga的含量为0.15~0.5%,所述Nb的含量为0.3~0.35%;例如,Ga 0.20%、Nb0.3%,Ga 0.35%、Nb 0.4%,Ga 0.45%、Nb 0.5%,Ga 0.5%、Nb 0.5%,Ga 0.6%、Nb0.3%,Ga 0.5%、Nb 0.35%、Ga 0.3%、Nb 0.4%,或者,Ga 0.15%、Nb 0.5%;百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd25.5~28.5%、Dy 4.0~6.0%、Cu 0.1~0.2%、Co 1.0~3.0%、Ga 0.15~0.6%、Nb0.3~0.4%、Ti 0.1~0.3%和B 0.92~1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd25.5~27.5%、Dy 4.0~5.5%、Cu 0.1~0.2%、Co 1.0~2.0%、Ga 0.15~0.5%、Nb0.3~0.35%、Ti 0.1~0.2%和B 0.92~1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd27.5%、Dy4.0%、Cu 0.2%、Co 2.5%、Ga 0.20%、Nb 0.3%、Ti 0.15%和B 0.95%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd27.5%、Dy4.0%、Cu 0.2%、Co 2.5%、Ga 0.35%、Nb 0.4%、Ti 0.15%和B 0.95%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd27.5%、Dy4.0%、Cu 0.2%、Co 2.5%、Ga 0.45%、Nb 0.5%、Ti 0.15%和B 0.95%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd27.5%、Dy4.0%、Cu 0.2%、Co 2.5%、Ga 0.5%、Nb 0.5%、Ti 0.15%和B 0.95%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd28.5%、Dy3.0%、Cu 0.1%、Co 1.0%、Ga 0.6%、Nb 0.3%和B 0.90%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd27.5%、Dy4.0%、Cu 0.15%、Co 1.0%、Ga 0.5%、Nb 0.35%、Ti 0.15%和B 0.90%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd26.0%、Dy5.5%、Cu 0.2%、Co 2.0%、Ga 0.3%、Nb 0.4%、Ti 0.2%和B 0.95%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd25.5%、Dy6.0%、Cu 0.3%、Co 4.0%、Ga 0.15%、Nb 0.5%、Ti 0.3%和B 1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
本发明提供了一种钕铁硼永磁材料的原料组合物,其包含下述组分:Nd24.0~29.0%、RH 3.0~6.0%、Cu 0.1~0.3%、Co 1.0~4.0%、Ga 0.1~0.6%、Nb0.3~0.5%、Ti 0.0~0.3%和B 0.90~1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比;所述RH为重稀土元素。
本发明中,所述Nd的含量优选为25.5~28.5%或25.5~27.5%,例如25.5%、26.0%、27.5%或28.5%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中,所述RH可为本领域常规的重稀土元素,例如Dy和/或Tb,优选为Dy。
本发明中,所述RH的含量优选为4.0~6.0%或4.0~5.5%,例如4.0%、5.5%或6.0%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中,所述Cu的含量优选为0.1~0.2%,例如0.1%、0.15%或0.2%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中,所述Co的含量优选为1.0~3.0%或1.0~2.0%,例如1.0%、2.0%或2.5%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中,所述Ga的含量优选为0.15~0.6%或0.15~0.5%,例如0.15%、0.2%、0.3%、0.35%、0.45%、0.5%或0.6%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中,所述Nb的含量优选为0.3~0.4%或0.3~0.35%,例如0.3%、0.35或0.4%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中,所述Ti的含量优选为0.1~0.3%或0.1~0.2%,例如0.15%、0.2或0.3%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中,所述B的含量优选为0.92~1.02%,例如0.95%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中,优选地,所述Ga的含量为0.15~0.6%,所述Nb的含量为0.3~0.4%;更优选地,所述Ga的含量为0.15~0.5%,所述Nb的含量为0.3~0.35%;例如,Ga 0.20%、Nb0.3%,Ga 0.35%、Nb 0.4%,Ga 0.45%、Nb 0.5%,Ga 0.5%、Nb 0.5%,Ga 0.6%、Nb0.3%,Ga 0.5%、Nb 0.35%、Ga 0.3%、Nb 0.4%,或者,Ga 0.15%、Nb 0.5%;百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中包含下述组分:Nd 25.5~28.5%、Dy 4.0~6.0%、Cu 0.1~0.2%、Co 1.0~3.0%、Ga0.15~0.6%、Nb0.3~0.4%、Ti 0.1~0.3%和B 0.92~1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中包含下述组分:Nd 25.5~27.5%、Dy 4.0~5.5%、Cu 0.1~0.2%、Co 1.0~2.0%、Ga0.15~0.5%、Nb0.3~0.35%、Ti 0.1~0.2%和B 0.92~1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd27.5%、Dy4.0%、Cu 0.2%、Co 2.5%、Ga 0.20%、Nb 0.3%、Ti 0.15%和B 0.95%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd27.5%、Dy4.0%、Cu 0.2%、Co 2.5%、Ga 0.35%、Nb 0.4%、Ti 0.15%和B 0.95%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd27.5%、Dy4.0%、Cu 0.2%、Co 2.5%、Ga 0.45%、Nb 0.5%、Ti 0.15%和B 0.95%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd27.5%、Dy4.0%、Cu 0.2%、Co 2.5%、Ga 0.5%、Nb 0.5%、Ti 0.15%和B 0.95%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd28.5%、Dy3.0%、Cu 0.1%、Co 1.0%、Ga 0.6%、Nb 0.3%和B 0.90%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd27.5%、Dy4.0%、Cu 0.15%、Co 1.0%、Ga 0.5%、Nb 0.35%、Ti 0.15%和B 0.90%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd26.0%、Dy5.5%、Cu 0.2%、Co 2.0%、Ga 0.3%、Nb 0.4%、Ti 0.2%和B 0.95%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd25.5%、Dy6.0%、Cu 0.3%、Co 4.0%、Ga 0.15%、Nb 0.5%、Ti 0.3%和B 1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明还提供了一种钕铁硼永磁材料的制备方法,其包括下述步骤:将所述的钕铁硼永磁材料的原料组合物经熔炼浇铸、破碎、成型和烧结处理,即可。
本发明中,所述熔炼浇铸的工艺可为本领域常规的熔炼浇铸工艺,例如在中频真空熔炼炉中进行熔炼浇铸。
其中,所述中频真空熔炼炉可为中频真空感应速凝甩带炉。在所述中频真空感应速凝甩带炉经熔炼浇铸工艺制得的甩片厚度一般为0.2~0.4mm,优选为0.26~0.29mm。所述中频的频率可为1500~2500Hz。
本发明中,所述破碎的工艺可为本领域常规的破碎工艺,例如经吸氢处理、脱氢处理,即可。
其中,所述吸氢处理和/或所述脱氢处理可在氢破炉中进行。
其中,所述吸氢处理可在氢气压力0.1~0.15MPa的条件下进行。当氢破压力变化范围小于0.04MPa/10min时,可认为吸氢处理完成。
其中,所述脱氢处理可在500~600℃保温条件下进行,例如550℃。所述保温的时间可为2~4h,例如4h。
其中,所述脱氢处理后,粉体的氢含量一般可为500~2000ppm。
本发明中,所述破碎后,还可按本领域常规手段进行粉碎处理,例如经气流磨粉碎。
其中,所述气流磨粉碎之前,还可添加抗氧化剂和/或润滑剂。所述抗氧化剂和所述润滑剂一般不应与所述钕铁硼永磁材料中的原料发生化学反应。
所述抗氧化剂和/或所述润滑剂的添加,一则能够防止粉料在磨粉过程中发生氧化;二则减少粉体的摩擦系数,易于成型。
其中,所述气流磨粉碎过程中,粉碎气氛中的氧含量优选为40~60ppm。
当所述粉碎气氛中的氧含量<40ppm时,后续成型和烧结拆袋等工艺管控难度较大,钕铁硼永磁材料易发生不均匀的氧化。
当所述粉碎气氛中的氧含量>60ppm时,可能会降低钕铁硼永磁材料的剩磁和矫顽力,若在气流磨阶段发生部分氧化,有可能导致烧结难以成型。
其中,所述气流磨粉碎后,所述钕铁硼永磁材料的粒径可为D503.4~3.7μm,例如D50 3.5μm。
本发明中,所述成型的工艺可为本领域常规的成型工艺,例如磁场取向压制成型或热压热变型。
其中,所述磁场取向压制成型可在惰性气体气氛中进行。所述惰性气体可为本领域常规的惰性气体,例如氮气或氩气。
其中,所述磁场取向压制成型后,还可在压力>240MPa的条件下进行冷等静压处理。
本发明中,所述烧结处理优选在惰性气体气氛中进行;更优选地,所述烧结处理的工艺按下述步骤进行,在惰性气体气氛中,经烧结和冷却,即可。
其中,所述烧结过程中的惰性气体可为本领域常规的惰性气体,优选为氩气或氦气。所述惰性气体一般不应与所述钕铁硼永磁材料发生化学反应。
其中,优选地,所述烧结在-0.05MPa的惰性气体气氛中进行,例如-0.05MPa的氩气气氛中。
其中,所述烧结可在烧结炉中进行。一般而言,经所述成型处理后获得的压坯可置于真空烧结炉中。优选地,所述烧结炉在通入所述惰性气体之前,还经放气处理。所述放气处理可在800~900℃的条件下进行,例如860℃
当所述烧结处理在惰性气体气氛中进行时,相比于真空烧结,能够有效减少稀土元素的挥发,增加炉内加热传热速率和均温区。
其中,所述烧结的温度可为本领域常规的烧结温度,例如1050~1090℃,再例如1080℃。
其中,所述烧结的时间可为本领域常规的烧结时间,例如4~8h,再例如5h。
其中,所述冷却的工艺可为本领域常规的冷却工艺,例如开风机快速风冷至60℃以下,即可。
其中,所述冷却后还可按本领域常规的工艺进行时效处理。所述时效处理可分为一级时效处理和二级时效处理。所述一级时效处理可在900℃条件下进行。所述二级时效处理可在630℃条件下进行。
本发明还提供了一种采用前述方法制得的钕铁硼永磁材料。
其中,所述钕铁硼永磁材料中的氧含量优选为1000~1300ppm。
本发明还提供了一种所述的钕铁硼永磁材料在电机中作为电子元器件的应用。
其中,所述电机优选为用于交通运输领域的稀土永磁电机和/或用于电子产品的电机。
所述用于交通运输领域的稀土永磁电机可为电动车中的驱动器电机和/或电动汽车中的车辆牵引电机。
所述电子产品可为计算机、手机震动电机和电声扬声器中的一种或多种。
在符合本领域常识的基础上,上述各优选条件,可任意组合,即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于:
本发明通过在配方中添加含量≥0.3wt%的Nb,同时添加能够富集在晶界阻止晶粒的异常长大和增加晶界相的元素Ga,Nb和Ga和在晶界相中形成能阻碍晶粒长大的含Nb的化合物,Br≥1.29T、Hcj≥1933kA/m的条件下,获得了在20~100℃温度区间磁通温度系数α的绝对值≤0.085%/℃的钕铁硼永磁材料。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明,但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法,按照常规方法和条件,或按照商品说明书选择。
下述实施例及对比例中,防氧化剂及润滑剂购自天津悦圣新材料研究所生产的钕铁硼防氧化剂和润滑剂。
实施例及对比例中烧结钕铁硼磁铁的配方如表1所示。
表1
注:“/”表示未添加该元素。
烧结钕铁硼的制备方法:
(1)按照表1所示的原料比例进行配料,并将配方的原材料放入中频真空熔炼炉(中频真空感应速凝甩带炉)中进行熔炼、浇铸,制备的甩片平均厚度0.26~0.29mm之间并经自动选片机,剔除甩片厚度不在0.2~0.4mm之间的厚片和薄片;
(2)在氢破炉中饱和吸氢至氢气压力不再变化(通入氢气压力约0.1~0.15MPa,待氢破压力变化范围小于0.04MPa/10min时,认为完成吸氢阶段),并在550℃温度下保温4h脱氢,粉体处在半脱氢状态(脱氢后粉体的氢含量为500~2000ppm);在粉体中添加烧结钕铁硼专用的防氧化剂及润滑剂,在氧含量为40~60ppm的条件下,在气流磨中制备出粉体粒度D50=3.5μm;
(3)在压机磁场取向下压制成型,并经压力>240MPa的冷等静压处理;在氮气含量低于100ppm的环境下拆袋进入到真空烧结炉中,在860℃放气阶段结束后,通入烧结炉内压力为-0.05MPa的氩气,减少烧结炉内压力差,减少稀土元素的挥发,增加炉内加热传热速率和均温区,在1080℃烧结5个小时后,风冷至60℃以下出炉,并分别进行900℃一级时效和630℃二级时效;然后制备出D10*10mm的样品。
效果实施例1
取实施例1-8、对比例1-12制得的烧结钕铁硼磁铁,使用中国计量院的NIM-10000H型BH大块稀土永磁无损测量系统进行磁性能检测。下表2所示为磁性能检测结果。
氧含量采用氧氮氢分析仪进行检测方法进行检测。
表2
由表2可知:
(1)本申请中的钕铁硼永磁材料性能优异,Br≥1.29T、Hcj≥1933kA/m、磁通温度系数α的绝对值≤0.085%/℃,在保持钕铁硼永磁材料内禀矫顽力和剩磁的基础上,降低了磁通温度系数(实施例1-8);
(2)基于本申请的配方,原料Ga、Nb、Cu和Co的用量改变,钕铁硼永磁材料的性能明显下降(对比例1-9);
(3)基于本申请的配方,将Ga替换为性能相似的Al,或是将Nb替换为性能相似的Zr,或是将Co替换为性能相似的Mn,均无法获得本申请中的磁通温度系数的钕铁硼永磁材料(对比例10-13)。
Claims (10)
1.一种钕铁硼永磁材料,其特征在于,其包含下述组分:Nd 24.0~29.0%、RH 3.0~6.0%、Cu 0.1~0.3%、Co 1.0~4.0%、Ga 0.1~0.6%、Nb 0.3~0.5%、Ti 0.0~0.3%和B 0.90~1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比;所述RH为重稀土元素。
2.如权利要求1所述的钕铁硼永磁材料,其特征在于,所述Nd的含量为25.5~28.5%或25.5~27.5%,优选为25.5%、26.0%、27.5%或28.5%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比;
和/或,所述RH为Dy和/或Tb,优选为Dy;
和/或,所述RH的含量为4.0~6.0%或4.0~5.5%,优选为4.0%、5.5%或6.0%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比;
和/或,所述Cu的含量为0.1~0.2%,优选为0.1%、0.15%或0.2%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比;
和/或,所述Co的含量为1.0~3.0%或1.0~2.0%,优选为1.0%、2.0%或2.5%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比;
和/或,所述Ga的含量为0.15~0.6%或0.15~0.5%,优选为0.15%、0.2%、0.3%、0.35%、0.45%、0.5%或0.6%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比;
和/或,所述Nb的含量为0.3~0.4%或0.3~0.35%,优选为0.3%、0.35或0.4%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比;
和/或,所述Ti的含量为0.1~0.3%或0.1~0.2%,优选为0.15%、0.2或0.3%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比;
和/或,所述B的含量为0.92~1.02%,优选为0.95%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
3.如权利要求1或2所述的钕铁硼永磁材料,其特征在于,优选地,所述Ga的含量为0.15~0.6%,所述Nb的含量为0.3~0.4%;优选地,所述Ga的含量为0.15~0.5%,所述Nb的含量为0.3~0.35%;百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比;
或者,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd 25.5~28.5%、Dy 4.0~6.0%、Cu 0.1~0.2%、Co 1.0~3.0%、Ga 0.15~0.6%、Nb 0.3~0.4%、Ti 0.1~0.3%和B 0.92~1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质;优选地,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:Nd 25.5~27.5%、Dy 4.0~5.5%、Cu 0.1~0.2%、Co 1.0~2.0%、Ga 0.15~0.5%、Nb 0.3~0.35%、Ti 0.1~0.2%和B 0.92~1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质;百分比是指在所述钕铁硼永磁材料中的重量百分比。
4.一种钕铁硼永磁材料的原料组合物,其特征在于,其包含下述组分:Nd 24.0~29.0%、RH 3.0~6.0%、Cu 0.1~0.3%、Co 1.0~4.0%、Ga 0.1~0.6%、Nb 0.3~0.5%、Ti 0.0~0.3%和B 0.90~1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比;所述RH为重稀土元素。
5.如权利要求4所述的钕铁硼永磁材料的原料组合物,其特征在于,所述Nd的含量为25.5~28.5%或25.5~27.5%,优选为25.5%、26.0%、27.5%或28.5%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比;
和/或,所述RH为Dy和/或Tb,优选为Dy;
和/或,所述RH的含量为4.0~6.0%或4.0~5.5%,优选为4.0%、5.5%或6.0%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比;
和/或,所述Cu的含量为0.1~0.2%,优选为0.1%、0.15%或0.2%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比;
和/或,所述Co的含量为1.0~3.0%或1.0~2.0%,优选为1.0%、2.0%或2.5%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比;
和/或,所述Ga的含量为0.15~0.6%或0.15~0.5%,优选为0.15%、0.2%、0.3%、0.35%、0.45%、0.5%或0.6%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比;
和/或,所述Nb的含量为0.3~0.4%或0.3~0.35%,优选为0.3%、0.35或0.4%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比;
和/或,所述Ti的含量为0.1~0.3%或0.1~0.2%,优选为0.15%、0.2或0.3%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比;
和/或,所述B的含量为0.92~1.02%,优选为0.95%,百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
6.如权利要求4或5所述的钕铁硼永磁材料的原料组合物,其特征在于,所述Ga的含量为0.15~0.6%,所述Nb的含量为0.3~0.4%;优选地,所述Ga的含量为0.15~0.5%,所述Nb的含量为0.3~0.35%;百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比;
或者,所述钕铁硼永磁材料包含下述组分:所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中包含下述组分:Nd 25.5~28.5%、Dy 4.0~6.0%、Cu 0.1~0.2%、Co 1.0~3.0%、Ga 0.15~0.6%、Nb 0.3~0.4%、Ti 0.1~0.3%和B 0.92~1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质;优选地,所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中包含下述组分:Nd 25.5~27.5%、Dy 4.0~5.5%、Cu 0.1~0.2%、Co 1.0~2.0%、Ga 0.15~0.5%、Nb 0.3~0.35%、Ti 0.1~0.2%和B 0.92~1.02%,余量为Fe及不可避免的杂质;百分比是指在所述钕铁硼永磁材料的原料组合物中的重量百分比。
7.一种钕铁硼永磁材料的制备方法,其特征在于,其包括下述步骤:将如权利要求4~6中任一项所述的钕铁硼永磁材料的原料组合物经熔炼浇铸、破碎、成型和烧结处理,即可。
8.如权利要求7所述的钕铁硼永磁材料的制备方法,其特征在于,所述熔炼浇铸在中频真空熔炼炉中进行,优选地,在中频真空感应速凝甩带炉中进行;
和/或,所述破碎的工艺按下述步骤进行:经吸氢处理、脱氢处理,即可;优选地,所述吸氢处理和/或所述脱氢处理在氢破炉中进行;优选地,所述脱氢处理在500~600℃保温条件下进行,所述保温的时间优选为2~4h;
和/或,所述破碎后,还进行粉碎处理,优选地,经气流磨粉碎;所述气流磨粉碎过程中,粉碎气氛中的氧含量优选为40~60ppm;所述气流磨粉碎后,所述钕铁硼永磁材料的粒径优选为D50 3.4~3.7μm,更优选为D50 3.5μm;
和/或,所述成型的方法为磁场取向压制成型或热压热变型;
和/或,所述烧结处理在惰性气体气氛中进行;优选地,所述烧结处理的工艺按下述步骤进行,在惰性气体气氛中,经烧结和冷却,即可;所述惰性气体优选为氩气或氦气;优选地,所述烧结在-0.05MPa的惰性气体气氛中进行;所述烧结的温度优选为1050~1090℃,更优选为1080℃;所述烧结的时间优选为4~8h,更优选为5h;优选地,所述冷却为开风机风冷至60℃以下,即可;优选地,所述冷却后还进行时效处理,所述时效处理分为一级时效处理和二级时效处理,所述一级时效处理优选在900℃条件下进行,所述二级时效处理优选在630℃条件下进行。
9.一种采用如权利要求7或8所述的钕铁硼永磁材料的制备方法制得的钕铁硼永磁材料;
优选地,所述钕铁硼永磁材料中的氧含量为1000~1300ppm。
10.一种如权利要求1~3和9中任一项所述的钕铁硼永磁材料在电机中作为电子元器件的应用;
所述电机优选为用于交通运输领域的稀土永磁电机和/或用于电子产品的电机;所述用于交通运输领域的稀土永磁电机优选为电动车中的驱动器电机和/或电动汽车中的车辆牵引电机;所述电子产品优选为计算机、手机震动电机和电声扬声器中的一种或多种。
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