CN112885932B

CN112885932B - 一种微型led显示芯片制作方法

Info

Publication number: CN112885932B
Application number: CN202110071026.5A
Authority: CN
Inventors: 万金平; 王立; 于天宝; 朱志甫; 李东; 万志群
Original assignee: Jiangxi Ruixin Microelectronics Technology Co ltd
Current assignee: Jiangxi Ruixin Microelectronics Technology Co ltd
Priority date: 2021-01-19
Filing date: 2021-01-19
Publication date: 2023-07-04
Anticipated expiration: 2041-01-19
Also published as: CN112885932A

Abstract

本发明属于芯片制造的技术领域，具体涉及一种微型LED显示芯片制作方法，包括在所需的外延片的表面制作P欧姆接触电极，刻蚀形成P发光区并裸露出N型区外延，在裸露的N型区表面制作n型欧姆接触电极，使外延片形成行与行的电性隔离，制作电极柱，在外延片的表面平整涂布液态的环氧树脂，使电极柱稳定地固化在环氧树脂层，在研磨后的环氧树脂层的表面沉淀金属，并利用光刻技术形成所需的电路通路，制作芯片成品。本发明的制作方法能够获得具有多个发光单元的电性稳定的微型LED显示芯片，其不仅加工效率高，还有效地克服了发光单元之间出现线路短路、断开的现象，并且，发光单元的位置精度高，生产成本低，产品的品质和稳定可靠性高。

Description

一种微型LED显示芯片制作方法

技术领域

本发明属于芯片制造的技术领域，具体涉及一种微型LED显示芯片制作方法。

背景技术

微型LED是指LED显示技术中的一种微型化技术，其每一个发光单元均可通过控制电路利用点阵寻址原理实现显示器内单个LED发光单元的独立驱动，一般称此种每一个可单独控制的LED发光单元为像素点。在现有技术中，常用的LED显示中的发光单元是独个固定在PCB路板上的发光二极管，在电路板上具有为每一像素提供电力驱动与控制的电路，但是，电路分布所需占用的空间使得显示屏在提高点距方面受到限制，故常规的LED显示芯片其发光单元距在毫米级，主要应用于中远距离的显示，如红绿灯、户外显示屏等，不能满足穿戴式智能手表、智能手机、AR显示等高信息密度的显示要求。

同时，发明人还发现了现有的LED显示芯片依靠巨量转移技术制作，该制作方法至少存在以下缺陷：1)要把数百万、数千万颗微米级的LED晶粒移动到电路基板上，其放置精度低、正确率低、加工效率低；2)机械手臂运动过程中吸取、转移、放置LED微型颗粒容易导致LED微型颗粒残余或脱落；3)在巨量转移过程中，容易导致芯片在抓取和放置过程中出现开裂，不能保障芯片的品质。

因此，亟需一种新型的微型LED显示芯片制作工艺以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于：针对现有技术的不足，提供一种微型LED显示芯片制作方法，其加工效率高，能够有效克服芯片出现线路短路、断开的现象，并且，其发光单元的位置精度高，生产成本低，有效地保障了产品的高品质和高稳定可靠性。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种微型LED显示芯片制作方法，包括：

S1、选取所需的外延片，预处理所述外延片，采用电子束真空镀膜、光刻和退火的方法在所述外延片的表面制作P欧姆接触电极，其中，所述外延片具有四元外延结构；

S2、利用光刻胶或二氧化硅作为掩膜，通过ICP的方法去除四元外延结构表面的p型层及发光量子阱，裸露出n型外延层，通过光刻和ICP操作，可将有掩膜的区域保留下来，作为LED微型显示芯片发光单元的发光区，每一个发光区均具有一个p型电极，此p型电极与p区形成欧姆接触；

S3、利用光刻、镀膜、退火工艺在所述n型外延层的两端制作N欧姆接触电极；

S4、在所述外延片的表面旋涂光刻胶，通过蚀刻或切割所述外延片使所述外延片形成行与行的电性隔离；

S5、使所述P欧姆接触电极和所述N欧姆接触电极形成电极柱，在所述外延片的表面平整涂布液态的环氧树脂，使所述电极柱稳定地固化在环氧树脂层；

S6、研磨固化后的所述环氧树脂层，利用光刻技术在研磨后的所述环氧树脂层的表面形成所需的电路通路，制作微型LED显示芯片成品。

进一步地，所述S1中包括：

S1-1、取一片厚度在预设范围的基于GaAs衬底生长的具有双层反向PN结的LED外延片，采用硫酸、水、双氧水按3:1:1的比例配制混合溶液清洗所述LED外延片的表面，然后对所述LED外延片的表面冲去离子水，并运用氮气吹扫所述外延片的表面；

S1-2、采用电子束真空镀膜机在所述LED外延片的表面蒸镀Au/AuBe/Au的金属复合结构，再通过光刻和退火的方法在所述LED外延片的表面制作P欧姆接触电极。

进一步地，所述S1-1中还包括：

若所述LED外延片的整片厚度的偏差值大于3um，则对所述LED外延片的GaAs衬底表面进行研磨、抛光，使所述LED外延片厚度偏差保持在3um以内，再清洗所述LED外延片的表面。

其中，所述LED外延片可以为基于在GaAs衬底上生长有平面式GaAlInP发光层的LED外延片。

进一步地，所述S3包括：

S3-1、采用磷酸、双氧水按3:1的比例浸泡所述LED外延片后冲水，然后用去胶液去除所述S2中的ICP表面的光刻胶，所述去胶液为丙酮、NMP或光刻胶去胶剂，完成清洗、去胶后，使用丙酮+酒精进行超声清洗，取出并冲去离子水，采用氮气吹干备用；

S3-2、利用光刻对版、显影技术在所述LED外延片的表面形成一层光刻胶，并在所述n型外延层的两端形成孔洞；

S3-3、利用电子束镀膜技术在已制作好光刻掩膜层的外延表面沉淀N型欧姆接触金属，所述N型欧姆接触金属为Au/AuGeNi/Au复合结构，之后，去除光刻胶，再经退火，在光刻胶孔洞位置形成N型欧姆接触电极。

进一步地，所述S4中还包括：采用砂轮切割刀、ICP刻蚀或湿法蚀刻实现行与行之间的切割，切割深度为10-15um，并且，完成切割后，对形成的切割槽进行酸蚀清洗，以去除切割残留物。

其中，切割槽经过清洗后能够达到防止侧壁漏电的目的，并且，其不仅可以快速地形成光洁的n-n隔离沟道，有效地提升了工作效率，还降低了ICP刻蚀过程中的Cl₂、BCl₃等有毒气体的使用，有利于保护环境及员工安全，此外，切割槽的形状可以为V型切口，而其他区域由于光刻胶的保护，将免受酸的损伤。

进一步地，所述S5中包括：

S5-1、利用光刻、镀膜、蚀刻工艺在P区及N区的欧姆接触电极上制作加厚电极，电极的材料为Cr/Al或Ti/Al复合结构，电极的厚度为5-10um，形成向上延伸、高5-10um的电极柱；

S5-2、将所述外延片平整放置于一平整的工作台面，在所述外延片的表面平整涂布液态的环氧树脂，使切割后具有切割槽的和刻蚀后具有ICP刻蚀台阶的所述外延片的表面形成平坦表面；

S5-3、调整环氧树脂胶层的厚度，使其胶层表面与所述电极柱顶部接近，通过烘箱加热，对所述环氧树脂层进行固化，使得所述电极柱稳定地固化在环氧树脂层中。

其中，采用分制作电极柱后涂布局环氧树脂的方法制作通孔导电材料，既可以有效防止二氧化硅或氮化硅绝缘膜RIE开孔过程中带来的光刻胶污染，也有效地防止了出现污染导致的通孔处铝柱与欧姆接触电极的隐型开路现象。

进一步地，所述S6中包括：

S6-1、利用研磨或抛光平整磨削的方式对固化后的所述环氧树脂层的表面进行减薄，研磨或抛光时不损伤外延结构且裸露出预埋在所述环氧树脂层中的所述电极柱；

S6-2、通过清洗、蒸镀方法在已裸露出所述电极柱的所述环氧树脂层的表面蒸镀金、铝、或铜层，并利用光刻技术在研磨后的所述环氧树脂层的表面形成电路通路；

S6-3、设计所需的外形尺寸，切割去除不需要的区域。

其中，LED单元的PN结隔离后衬底层、反向NP结、发光层、GaP电流扩展层等仍为一个整体，而不需要任何附加的基板、粘合材料，导电的电极柱稳定于环氧树脂层中，能够显著提升微型LED显示器的可靠性。

进一步地，所述S6-3还包括：通过对准、焊线技术使微型LED显示芯片的行、列与外部驱动电路电性联接，使显示芯片周边的金属接触点与外部控制电路端点进行精密对准和实现良好的电性接触。

进一步地，所述S5中还包括：在所述环氧树脂中加入色素，所述环氧树脂和所述色素的含量比为50:1～250:1，并且，所述S5中还可以通过在环氧树脂中增加吸光材料，使环氧树脂可以很方便地调色成全透明、半透明的色泽，从而有效地调整了微型LED显示芯片的串光、侧面光，达到调整微型LED显示芯片的显示对比度的效果。

进一步地，所述S6中还包括：通过观察所述电极柱的表面是否存在色素判断所述电极柱的表面的环氧树脂是否充分去除。

本发明的有益效果在于：1)本发明能够实现微型LED显示芯片所需要的单点LED像素独立发光及其独立的电性控制，而不需要现有技术的多次拾取、安装等的机械动作，从而有效地提高了芯片的加工效率；2)本发明的微型LED显示芯片内所有发光单元的位置是基于外延片本身，其位置精度可通过光刻、ICP等技术一次性地、按原位置成形地构造，因此，其位置具有极高的精度，从而有效地保障了芯片的高品质和稳定可靠；3)本发明所揭示的微型LED芯片制作方法中的驱动电路可通过光刻、镀膜、蚀刻等方法制作的，而不需要复杂的CMOS及寄存电容集成电路工艺，因此，其产线的建设成本、生产成本、品质控制成本均得到了极大的降低；4)本发明采用环氧树脂涂布填充微型LED显示芯片的沟道和ICP台阶，采用环氧树脂层作为绝缘层使用，与PECVD方法制作二氧化硅或氮化膜绝缘膜相比，环氧树脂与LED材料具有极好的粘合力、热学应力、稳定性，其加工效率高，成本极低；5)环氧树脂在固化前为液状，其通过旋转涂布或刮涂的方法可以很好地使液状的环氧填充沟道并形成平坦表面，当制作P导电通路时，光刻胶均匀分布于平坦表面，有利于提供光刻胶显影效果，从而实现P电极通过的图形整洁，线条清晰，减少线条之间的短路现象；6)环氧填充沟道并形成平坦表面，有利于形成细致、清晰的光刻图形，而细致、清晰的光刻图形是降低半导体器件尺寸的重要前提，该步骤能够为进一步降低微型LED显示芯片的尺寸提供重要的条件。

附图说明

图1为本发明的流程简图。

图2为本发明的一个实施例中的LED外延片的结构示意图。

图3为本发明的具体流程图。

具体实施方式

如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件，本领域技术人员应可理解，制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决技术问题，基本达到技术效果。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

其中，本发明属于微型LED显示芯片制造的技术领域，具体涉及一种基于砷化镓衬底的平面式LED外延结构的微型LED显示芯片制作方法，包括选取所需的外延片，在外延片的表面制作P欧姆接触电极，刻蚀形成P发光区并裸露出N型区外延，在裸露的N型区表面制作n型欧姆接触电极，通过蚀刻或切割的方法使外延片形成行与行的电性隔离，在P欧姆接触电极表面制作电极柱，然后在外延片的表面平整涂布液态的环氧树脂，使电极柱稳定地固化在环氧树脂层，通过固化使环氧树脂固化形成结实的绝缘层，通过研磨、抛光平整磨削去除环氧树脂表面，裸露出电极柱，在研磨后的环氧树脂层的表面沉淀金属，并利用光刻技术形成所需的电路通路，最后按规划去除不需要的区域，制作微型LED显示芯片成品。

以下结合附图1～3和具体实施例对本发明作进一步详细说明，但不作为对本发明的限定。

实施例1

一种微型LED显示芯片制作方法，如图1～3所示，包括如下步骤：

S1、选取所需的外延片，预处理外延片，采用电子束真空镀膜、光刻和退火的方法在外延片的表面制作P欧姆接触电极，其中，外延片为基于在GaAs衬底生长有反向结构的平面式GaAlInP四元系LED外延片，其可以为红光LED外延片或绿光LED外延片，步骤S1具体包括以下步骤：

S1-1、取一片厚度在240um～300um的基于GaAs衬底生长的具有双层反向PN结的LED外延片，外延结构中设置了反向PN结，限制了电流向GaAs衬底的传导，并降低了GaP扩展层的厚度，相对增加了GaInP的厚度和载流子浓度，其不仅有利于实现电流分布局限于LED外延结构中的P-GaAs层以上的浅层外延结构内，还有利于LED芯片制程通过ICP方式形成浅层沟道而实现LED发光单元的电流隔离，在平整大理石平台上对LED外延片厚度数据进行测量、记录并分类，若LED外延片的整片厚度的偏差值大于3um，则对LED外延片的GaAs衬底表面进行研磨、抛光，使LED外延片厚度偏差保持在3um以内，再采用硫酸、水、双氧水按3:1:1的比例配制混合溶液清洗LED外延片的表面，其中，混合溶液的温度为40～45℃，混合溶液浸泡2分钟后取出LED外延片并对外延片的表面冲去离子水8～10分钟，运用氮气吹扫外延片的表面；

S1-2、采用电子束真空镀膜机在LED外延片的表面蒸镀Au/AuBe/Au的金属复合结构，再通过光刻和退火的方法在LED外延片的表面制作P欧姆接触电极。

S2、利用光刻胶或二氧化硅作为掩膜，通过ICP的方法去除四元外延结构表面的p型层及发光量子阱，裸露出n型外延层，通过光刻和ICP操作，可将有掩膜的区域保留下来，作为LED微型显示芯片发光单元的发光区，每一个发光区均具有一个p型电极，此p型电极与p区形成欧姆接触，p区可以为四元外延结构的正电荷区，而ICP干法刻蚀方法能够去除四元外延结构的p型层及发光量子阱，深度以去除p型层(含表面P-GaP电流扩展层、P-AlInP限制层及发光量子阱层)，并裸露出n型外延层，n型外延层的深度可以为2-3um。

S3、利用光刻、镀膜、退火工艺在n型外延层的两端制作N欧姆接触电极，其中，步骤S3具体包括以下步骤：

S3-1、完成ICP刻蚀后，采用磷酸、双氧水按3:1的比例浸泡LED外延片后冲水，其中，磷酸和双氧水的混合溶液的温度为50～55℃，浸泡30～35秒后冲水9～10分钟，上述过程对ICP刻蚀后的n型区进行轻微的蚀刻、清洗，能够在n型层上形成新鲜的n型表面，同时，由于光刻胶的保护作用，p型区将不受试剂影响，然后用去胶液去除S2步骤中的ICP表面的光刻胶，去胶液可以为丙酮、NMP或光刻胶去胶剂，完成清洗、去胶后，使用丙酮+酒精进行超声清洗，取出并冲去离子水，采用氮气吹干备用；

S3-2、利用光刻对版、显影技术在LED外延片的表面形成一层光刻胶，并在n型外延层的两端形成孔洞；

S3-3、利用电子束镀膜技术在已制作好光刻掩膜层的外延表面沉淀N型欧姆接触金属，N型欧姆接触金属为Au/AuGeNi/Au复合结构，并且，其可以与n-AlInP限制层形成良好欧姆接触的复合结构，之后，去除光刻胶，再经退火，可以在光刻胶孔洞位置形成N型欧姆接触电极。

S4、在LED外延片的表面旋涂一层光刻胶，通过蚀刻或切割外延片使外延片形成行与行的电性隔离，采用砂轮切割刀、ICP刻蚀或湿法蚀刻实现行与行之间的切割，切割深度为10-15um，切割深度以切透平面式GaAlInP发光层的LED外延结构中的n区并向下5-8um，并且，完成切割后，对形成的切割槽进行酸蚀清洗，以去除切割残留物。

S5、使P欧姆接触电极和N欧姆接触电极形成电极柱，在LED外延片的表面平整涂布液态的环氧树脂，使电极柱稳定地固化在环氧树脂层，其中，步骤S5具体包括以下步骤：

S5-1、利用光刻、镀膜、蚀刻工艺在P区及N区的欧姆接触电极上制作铝加厚电极，电极的材料为Cr/Al或Ti/Al复合结构，电极的厚度为5-10um，形成向上延伸、高5-10um的铝柱，并且，除了铝金属外，还可以采用铜、金、铟及其复合金属；

S5-2、将LED外延片平整放置于一平整的工作台面，在LED外延片的表面平整涂布一层液态的环氧树脂，液态环氧树脂胶在涂布局过程对切割槽进行填充，使切割后具有切割槽的和刻蚀后具有ICP刻蚀台阶的外延片的表面形成平坦表面；

S5-3、调整环氧树脂胶层的厚度，使其胶层表面与铝电极柱顶部接近，通过烘箱加热，对环氧树脂层进行固化，使得铝电极柱稳定地固化在环氧树脂层中。

S6、研磨固化后的环氧树脂层，利用光刻技术在研磨后的环氧树脂层的表面形成所需的电路通路，制作微型LED显示芯片成品，其中，步骤S6具体包括以下步骤：

S6-1、利用砂轮研磨的方式对固化后的环氧树脂层的表面进行研磨，对比S1步骤所记录的LED外延片厚度测试数据，设定研磨终点值，研磨时不损伤外延结构且裸露出预埋在环氧树脂层中的铝柱；

S6-2、通过清洗、蒸镀方法在已裸露出铝柱的环氧树脂层的表面蒸镀金、铝、或铜层，即在研磨后的环氧树脂层的表面沉淀金属，并利用光刻技术在研磨后的环氧树脂层的表面形成电路通路，此电路使得微型LED显示芯片同一列中的铝柱串联起来，形成p电极的通路，但列与列之间是绝缘的，同时，在n电极的铝柱也通过本步骤形成N加厚焊线电极，此N焊线电极通过铝柱、N欧姆接触电极和N型外延材料形成发光单元的行的电路通路，而行与行之间由于存在步骤S4所形成的切割槽，因此行与行之间也是电性绝缘的。

S6-3、设计所需的外形尺寸，切割去除不需要的区域，通过对准、焊线技术使微型LED显示芯片的行、列与外部驱动电路电性联接，使显示芯片周边的金属接触点与外部控制电路端点进行精密对准和实现良好的电性接触，形成基于砷化镓衬底的平面式LED外延结构的微型LED显示芯片。

显然，该微型LED显示芯片具有主动发光、响应快、结构轻薄、性能稳定、低耗能等优点，可用于AR、VR、手机、智能手表、可穿戴显示、车载微型投影仪、军用移动显示终端等微型显示的领域。

优选地，S5步骤中还包括：在环氧树脂中加入色素，环氧树脂和色素的含量比为50:1～250:1，其中，采用透明的环氧树脂有利于提升出光效率，但其在抛光后裸露出铝柱时的透明环氧树脂因无色透明，不太容易判断研磨抛光是否到位，因此，在环氧中加入少量色素，可利于准确判断铝柱表面环氧是否充分去除。

优选地，S6步骤中还包括：通过观察电极柱的表面是否存在色素判断电极柱的表面的环氧树脂是否充分去除。

实施例2

本实施例与实施例1不同的是，在S5-2步骤中，将LED外延片放置于旋胶台，用旋转涂布的方式在其表面涂布一层平整的环氧树脂层，然后在环氧树脂胶表面贴加一平整不锈钢块，稍加压力，使得液态环氧树脂胶对切割沟槽进行填充的同时，多余环氧树脂向四周溢出，调整压力大小，使环氧树脂胶表面与铝电极柱顶部接近并稍高1.5～2um；在S5-3步骤中，通过烘箱加热，对环氧树脂进行固化，使得铝柱稳定地固化在环氧树脂层中，去除不锈钢块，原来有切割槽和ICP刻蚀台阶的外延表面形成平坦环氧树脂胶表面。

本实施例的其他步骤均与实施例1相同，这里不再赘述。

显然，本发明的制作方法能够有效保障了芯片的加工品质和稳定可靠，并且，其制作过程安全，加工效率高，从而有效地降低了生产的成本。

根据上述说明书的揭示和教导，本发明所属领域的技术人员还能够对上述实施方式进行变更和修改。因此，本发明并不局限于上述的具体实施方式，凡是本领域技术人员在本发明的基础上所作出的任何显而易见的改进、替换或变型均属于本发明的保护范围。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本发明构成任何限制。

Claims

1.一种微型LED显示芯片制作方法，其特征在于，包括：

S1、选取所需的外延片，预处理所述外延片，采用电子束真空镀膜、光刻和退火的方法在所述外延片的表面制作P欧姆接触电极，其中，所述外延片具有四元外延结构；具体包括以下步骤：

取一片厚度在240um-300um的基于GaAs衬底生长的具有双层反向PN结的LED外延片，在平整大理石平台上对LED外延片厚度数据进行测量、记录并分类，若LED外延片的整片厚度的偏差值大于3um，则对LED外延片的GaAs衬底表面进行研磨、抛光，使LED外延片厚度偏差保持在3um以内，再采用硫酸、水、双氧水按3:1:1的比例配制混合溶液清洗LED外延片的表面，其中，混合溶液的温度为40~45°C，混合溶液浸泡2分钟后取出LED外延片并对外延片的表面冲去离子水8-10分钟，运用氮气吹扫外延片的表面；

S5、使所述P欧姆接触电极和所述N欧姆接触电极形成电极柱，在所述外延片的表面平整涂布液态的环氧树脂，使所述电极柱稳定地固化在环氧树脂层；具体包括以下步骤：

将LED外延片放置于旋胶台，用旋转涂布的方式在其表面涂布一层平整的环氧树脂层，然后在环氧树脂表面贴加一平整不锈钢块，稍加压力，使得液态环氧树脂对切割沟槽进行填充的同时，多余环氧树脂向四周溢出，调整压力大小，使环氧树脂表面与所述电极柱顶部接近并稍高1.5-2um；通过烘箱加热，对环氧树脂进行固化，使得所述电极柱稳定地固化在环氧树脂层中，去除不锈钢块，原来有切割槽和ICP刻蚀台阶的外延表面形成平坦环氧树脂表面；

2.如权利要求1所述的微型LED显示芯片制作方法，其特征在于，所述S1中还包括：

采用电子束真空镀膜机在所述LED外延片的表面蒸镀Au/AuBe/Au的金属复合结构，再通过光刻和退火的方法在所述LED外延片的表面制作P欧姆接触电极。

3.如权利要求2所述的微型LED显示芯片制作方法，其特征在于，所述S3中包括：

4.如权利要求1所述的微型LED显示芯片制作方法，其特征在于，所述S4中还包括：

采用砂轮切割刀、ICP刻蚀或湿法蚀刻实现行与行之间的切割，切割深度为10-15um，并且，完成切割后，对形成的切割槽进行酸蚀清洗，以去除切割残留物。

5.如权利要求1所述的微型LED显示芯片制作方法，其特征在于，所述S5中还包括：

利用光刻、镀膜、蚀刻工艺在P区及N区的欧姆接触电极上制作加厚电极，电极的材料为Cr/Al或Ti/Al复合结构，电极的厚度为5-10um，形成向上延伸、高5-10um的电极柱；调整环氧树脂层的厚度，使环氧树脂层表面与所述电极柱顶部接近，通过烘箱加热，对所述环氧树脂层进行固化，使得所述电极柱稳定地固化在环氧树脂层中。

6.如权利要求1所述的微型LED显示芯片制作方法，其特征在于，所述S6中包括：

S6-1、利用研磨或抛光的方式对固化后的所述环氧树脂层的表面进行减薄，研磨或抛光时不损伤外延结构且裸露出预埋在所述环氧树脂层中的所述电极柱；

S6-3、设计所需的外形尺寸，切割去除不需要的区域。

7.如权利要求6所述的微型LED显示芯片制作方法，其特征在于，所述S6-3还包括：

通过对准、焊线技术使微型LED显示芯片的行、列与外部驱动电路电性联接，使显示芯片周边的金属接触点与外部控制电路端点进行精密对准和实现良好的电性接触。

8.如权利要求1所述的微型LED显示芯片制作方法，其特征在于，所述S5中还包括：在环氧树脂中加入色素，环氧树脂和色素的含量比为50:1~250:1。

9.如权利要求8所述的微型LED显示芯片制作方法，其特征在于，所述S6中还包括：通过观察所述电极柱的表面是否存在色素判断所述电极柱的表面的环氧树脂是否充分去除。