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DE102008004682A1 - Integrated switching arrangement, has protection structure, whose one of semiconductor zones of conducting type is arranged in semiconductor substrate and attached at connecting zone in electrical conducting manner - Google Patents

Integrated switching arrangement, has protection structure, whose one of semiconductor zones of conducting type is arranged in semiconductor substrate and attached at connecting zone in electrical conducting manner Download PDF

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DE102008004682A1
DE102008004682A1 DE102008004682A DE102008004682A DE102008004682A1 DE 102008004682 A1 DE102008004682 A1 DE 102008004682A1 DE 102008004682 A DE102008004682 A DE 102008004682A DE 102008004682 A DE102008004682 A DE 102008004682A DE 102008004682 A1 DE102008004682 A1 DE 102008004682A1
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DE
Germany
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zone
semiconductor
semiconductor layer
circuit arrangement
integrated circuit
Prior art date
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Ceased
Application number
DE102008004682A
Other languages
German (de)
Inventor
Achim Dr. Weyers
Peter Dr. Nelle
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
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Abstract

Beschrieben ist eine integrierte Schaltungsanordnung mit einem Halbleiterkörper (100), der eine erste Seite (101) und eine zweite Seite (102) und eine sich an die erste Seite anschließende erste Halbleiterschicht (103) mit einer Grunddotierung eines ersten Leitungstyps aufweist, einer ersten und einer zweiten Bauelementzone (11, 12) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps, die in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zueinander in der ersten Halbleiterschicht (103) angeordnet sind, und mit einer Schutzstruktur (20), die aufweist:
wenigstens eine höher als die Grunddotierung der ersten Halbleiterschicht (20) dotierte erste Halbleiterzone (21) des ersten Leitungstyps, die in einer vertikalen Richtung beabstandet zu der ersten Seite (101) und zu der ersten Bauelementzone (11) in der ersten Halbleiterschicht (103) und angrenzend an die erste Halbleiterschicht (103) angeordnet ist und die sich in einer lateralen Richtung bis unter die erste Bauelementzone (11) erstreckt,
wenigstens eine sich, ausgehend von der ersten Seite bis an die wenigstens eine erste Halbleiterzone (21) erstreckende Verbindungszone (22),
eine zweite Halbleiterzone (24) des zweiten Leitungstyps, die in der ersten Halbleiterschicht (103) angeordnet ist und die elektrisch leitend an die wenigstens eine Verbindungszone (22) angeschlossen ist.Disclosed is an integrated circuit arrangement with a semiconductor body (100), which has a first side (101) and a second side (102) and a first semiconductor layer (103) adjoining the first side with a basic doping of a first conductivity type, a first and a second device region (11, 12) of a second conductivity type complementary to the first conductivity type arranged in a lateral direction of the semiconductor body (100) spaced from each other in the first semiconductor layer (103), and having a protection structure (20) comprising
at least one first semiconductor zone (21) of the first conductivity type doped higher than the basic doping of the first semiconductor layer (20) and spaced in a vertical direction from the first side (101) and the first device zone (11) in the first semiconductor layer (103) and disposed adjacent to the first semiconductor layer (103) and extending in a lateral direction to below the first device region (11),
at least one connecting zone (22) extending from the first side to the at least one first semiconductor zone (21),
a second semiconductor region (24) of the second conductivity type disposed in the first semiconductor layer (103) and electrically connected to the at least one junction region (22).

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltungsanordnung mit einer Schutzstruktur zur Reduktion eines Minoritätsladungsträgerstromes.The The invention relates to an integrated circuit arrangement with a Protective structure for reducing a minority carrier current.

Integrierte Schaltungsanordnungen weisen mehrere in einem Halbleiterkörper integrierte Halbleiterbauelemente, wie beispielsweise Transistoren oder Dioden, auf, die miteinander verschaltet sind. Die Verschaltung erfolgt beispielweise durch Leiterbahnen, die oberhalb einer Seite des Halbleiterkörpers angeordnet sind. Innerhalb des Halbleiterkörpers, d. h. innerhalb einer Halbleiterschicht oder eines Halbleitersubstrats, in dem die einzelnen Bauelemente integriert sind, soll dabei ein Stromfluss zwischen den einzelnen Bauelementen vermieden werden. Hierzu ist es bekannt, sogenannte Sperrschichtisolationen vorzusehen. Diese Sperrschichtisolationen umfassen jeweils wenigstens einen pn-Übergang zwischen Bauelementzonen der einzelnen Bauelemente und einem eine Grunddotierung aufweisenden Abschnitt der Halbleiterschicht bzw. des Halbleitersubstrats. Diese pn-Übergänge sind so realisiert, dass sie während ”normaler” Betriebszustände der Schaltungsanordnung in Sperrrichtung gepolt sind, so dass ein Stromfluss innerhalb des Halbleitersubstrats verhindert wird.integrated Circuit arrangements have several in a semiconductor body integrated semiconductor devices, such as transistors or Diodes on, which are interconnected. The interconnection takes place, for example, by conductor tracks that are above one side of the semiconductor body are arranged. Within the semiconductor body, d. H. within a semiconductor layer or a semiconductor substrate, in which the individual components are integrated, it should be a Current flow between the individual components are avoided. For this purpose it is known to provide so-called barrier-layer insulation. These barrier insulation each comprise at least one pn junction between device zones of the individual components and a base doped portion of the semiconductor layer or the semiconductor substrate. These pn junctions are realized so that during "normal" operating conditions of the Circuit arrangement are poled in the reverse direction, so that a current flow is prevented within the semiconductor substrate.

Allerdings können Betriebszustände auftreten, die durch eine äußere Beschaltung bzw. durch eine Verschaltung der Bauelemente untereinander bestimmt sind, bei denen Minoritätsladungsträger aus einer oder aus mehreren Bauelementzonen in das Halbleitersubstrat injiziert werden. Um zu verhindern, dass sich diese Minoritätsladungsträger innerhalb des Substrats ausbreiten und die Funktionalität weiterer in dem Substrat integrierter Bauelemente negativ beeinflussen, sind verschiedene Schutzstrukturen bekannt.Indeed operating conditions can occur that are caused by an external Wiring or determined by interconnecting the components with each other are minority carriers of one or injected from multiple device zones into the semiconductor substrate become. To prevent these minority carriers spread within the substrate and the functionality of others in the substrate to adversely affect integrated components are various protective structures known.

Die DE 42 09 523 C1 (Feldtkeller) und die DE 102 02 479 A1 (Rossmeier et al.) beschreiben jeweils Schutzstrukturen, die zwei komplementär zueinander dotierte Halbleiterzonen aufweisen, die im Bereich einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats angeordnet sind und die kurzgeschlossen sind. Minoritätsladungsträger werden bei dieser Schutzstruktur durch eine der beiden Halbleiterzonen ”aufgenommen” und werden in Majoritätsladungsträger umgewandelt.The DE 42 09 523 C1 (Feldtkeller) and the DE 102 02 479 A1 (Rossmeier et al.) Each describe protective structures which have two complementary semiconductor regions doped to one another, which are arranged in the region of a surface of a semiconductor substrate and which are short-circuited. Minority carriers are "picked up" by one of the two semiconductor zones in this protective structure and are converted into majority carriers.

Weitere Schutzstrukturen zur Verringerung einer Minoritätsladungsträgerinjektion bzw. zur Verhinderung einer Ausbreitung solcher Minoritätsladungsträger innerhalb eines Halbleitersubstrats sind in der US 5,719,431 (Werner), der US 5,907,163 (Skebe et al.), der DE 199 53 333 A1 (Nelle et al.) oder der DE 198 40 031 (Vietzke et al.) beschrieben.Further protective structures for reducing a minority carrier injection or for preventing a propagation of such minority carriers within a semiconductor substrate are disclosed in US Pat US 5,719,431 (Werner), the US 5,907,163 (Skebe et al.), The DE 199 53 333 A1 (Nelle et al.) Or the DE 198 40 031 (Vietzke et al.).

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine integrierte Schaltungsanordnung mit einer Schutzstruktur zur Reduktion eines Minoritätsladungsträgerstromes zur Verfügung zu stellen, bei der die Schutzstruktur platzsparend realisierbar ist und wirksam einen Minoritätsladungsträgerstrom innerhalb des Substrats reduziert.task It is the object of the present invention to provide an integrated circuit arrangement with a protective structure for reducing a minority carrier current to provide, in which the protective structure saves space can be realized and effectively a minority carrier current reduced within the substrate.

Diese Aufgabe wird durch eine integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen dieser Schaltungsanordnung sind Gegenstand von Unteransprüchen.These The object is achieved by an integrated circuit arrangement according to claim 1 solved. Embodiments and developments of this circuit arrangement are the subject of dependent claims.

Die integrierte Schaltungsanordnung umfasst gemäß einem Ausführungsbeispiel einen Halbleiterkörper, der eine erste Seite und eine zweite Seite und eine sich an die erste Seite anschließende erste Halbleiterschicht mit einer Grunddotierung eines ersten Leitungstyps aufweist, eine erste und eine zweite Bauelementzone eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps, die in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers beabstandet zueinander in der ersten Halbleiterschicht angeordnet sind, und eine Schutzstruktur. Die Schutzstruktur umfasst wenigstens eine höher als die Grunddotierung der ersten Halbleiterschicht dotierte erste Halbleiterzone des ersten Leitungstyps, die in der lateralen Richtung zwischen der ersten und der zweiten Bauelementzone und in einer vertikalen Richtung beabstandet zu der ersten Seite in der ersten Halbleiterschicht oder angrenzend an die erste Halbleiterschicht angeordnet ist, wenigstens eine sich ausgehend von der ersten Seite bis an die wenigstens eine erste Halbleiterzone erstreckende Verbindungszone und eine zweite Halbleiterzone des zweiten Leitungstyps, die in der ersten Halbleiterschicht in der lateralen Richtung ausgehend von der Verbindungszone auf der Seite der ersten Bauelementzone angeordnet ist, und die elektrisch leitend an die wenigstens eine Verbindungszone angeschlossen ist.The integrated circuit arrangement comprises according to a Embodiment, a semiconductor body, the a first page and a second page and one to the first Side subsequent first semiconductor layer with a basic doping a first conductivity type, a first and a second device zone a second complementary to the first conductivity type Conduction type, in a lateral direction of the semiconductor body spaced from one another in the first semiconductor layer are, and a protective structure. The protective structure comprises at least one higher than the basic doping of the first semiconductor layer doped first semiconductor region of the first conductivity type, which in the lateral direction between the first and the second component zone and in a vertical direction spaced from the first side in the first semiconductor layer or adjacent to the first semiconductor layer is arranged, at least one starting from the first side up to the at least one first semiconductor zone extending connecting zone and a second semiconductor region of the second conductivity type, which in starting from the first semiconductor layer in the lateral direction from the connection zone on the side of the first device zone is arranged, and the electrically conductive to the at least one Connection zone is connected.

Die vergrabene Anordnung der ersten Halbleiterzone, d. h. deren Anordnung beabstandet zu der ersten Seite des Halbleiterkörpers ermöglicht eine besonders platzsparende Realisierung der Schutzstruktur. Zur Kontaktierung dieser vergrabenen Halbleiterzone genügt eine Verbindungszone, deren Abmessungen in lateraler Richtung klein sein können. Diese Verbindungszone kann aus einem elektrisch leitenden Material, wie beispielsweise einem hochdotiertem Polysilizium oder einem Metall, bestehen und kann durch eine Isolationsschicht gegenüber dem die Grunddotierung aufweisenden Abschnitt der Halbleiterschicht isoliert sein.The buried arrangement of the first semiconductor zone, d. H. their arrangement spaced apart from the first side of the semiconductor body a particularly space-saving realization of the protective structure. to Contacting this buried semiconductor zone is sufficient a connection zone whose dimensions are small in the lateral direction could be. This connection zone can be made of an electrically conductive Material, such as a highly doped polysilicon or a metal, and can be protected by an insulating layer the basic doped portion of the semiconductor layer be isolated.

Die vergrabene erste Halbleiterzone verhindert sehr effektiv eine Ausbreitung von Minoritätsladungsträgern tief im Innern des Halbleiterkörpers sowohl in einer lateralen als auch in einer vertikalen Richtung. Im Vergleich zu SOI-Bauelementanordnungen, bei denen eine Ausbreitung von Ladungsträgern aus einer Halbleiterschicht mit aktiven Bauelementzonen in ein Substrat durch eine zwischen der Halbleiterschicht und dem Substrat angeordnete Isolationsschicht verhindert wird, ist die erläuterte Bauelementanordnung kosten günstiger realisierbar und weist außerdem einen geringeren thermischen Widerstand für die Ableitung von Verlustwärme aus dem Halbleiterkörper auf.The buried first semiconductor zone very effectively prevents a propagation of minority carriers deep inside the semiconductor body probably in a lateral as well as in a vertical direction. In comparison with SOI device arrangements in which a propagation of charge carriers from a semiconductor layer with active device zones into a substrate is prevented by an insulating layer arranged between the semiconductor layer and the substrate, the described device arrangement is more cost-effective and also has a lower thermal resistance the dissipation of heat loss from the semiconductor body.

Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand von Figuren näher erläutert. Die Figuren dienen zur Veranschaulichung des Grundprinzips der vorliegenden Erfindung und sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu. Darüber hinaus sind in den Figuren lediglich die für die Erfindung wesentlichen Bauelementstrukturen dargestellt. In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleiche Bauelementstrukturen mit gleicher Bedeutung.embodiments The present invention will be described below with reference to FIGS explained in more detail. The figures are for illustration of the basic principle of the present invention and are not necessarily scale. In addition, in the figures only the component structures essential to the invention are shown. In the figures, unless stated otherwise, denote the same Reference numerals same component structures with the same meaning.

1 zeigt eine integrierte Schaltungsanordnung, die zwei in einer lateralen Richtung beabstandet zueinander angeordnete Bauelementzonen aufweist, zwischen denen eine Schutzstruktur angeordnet ist, anhand eines vertikalen Querschnitts (1A) und eines horizontalen Querschnitts (1B). 1 1 shows an integrated circuit arrangement which has two component zones which are arranged at a distance from each other in a lateral direction and between which a protective structure is arranged, by means of a vertical cross section (FIG. 1A ) and a horizontal cross section ( 1B ).

2 veranschaulicht ein Beispiel, bei dem eine der Bauelementzonen eine Drainzone eines lateralen MOS-Transistors ist. 2 illustrates an example in which one of the device zones is a drain zone of a lateral MOS transistor.

3 zeigt ein Beispiel, bei dem eine der Bauelementzonen eine aktive Bauelementzone einer Diode ist. 3 shows an example in which one of the device zones is an active device zone of a diode.

4 veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel einer integrierten Schaltungsanordnung, bei der die Schutzstruktur eine erste der zwei Bauelementzonen in einer lateralen Richtung vollständig umgibt, anhand eines vertikalen Querschnitts durch den Halbleiterkörper (4A) und eines lateralen Querschnitts durch den Halbleiterkörper (4B). 4 1 illustrates an exemplary embodiment of an integrated circuit arrangement in which the protective structure completely surrounds a first of the two component zones in a lateral direction, with reference to a vertical cross section through the semiconductor body (FIG. 4A ) and a lateral cross section through the semiconductor body ( 4B ).

5 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer integrierten Schaltungsanordnung, bei der eine erste der zwei Bauelementzonen in der Nähe eines Randes eines Halbleiterkörpers angeordnet ist, anhand eines lateralen Querschnitts des Halbleiterkörpers. 5 shows an embodiment of an integrated circuit arrangement in which a first of the two component zones is arranged in the vicinity of an edge of a semiconductor body, based on a lateral cross section of the semiconductor body.

6 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer integrierten Schaltungsanordnung, bei der eine Verbindungszone der Schutzstruktur als Halbleiterzone realisiert ist. 6 shows an embodiment of an integrated circuit arrangement in which a connection zone of the protective structure is realized as a semiconductor zone.

7 zeigt eine integrierte Schaltungsanordnung, bei der eine sich an die Verbindungszone anschließende Halbleiterzone als durchgehende Halbleiterschicht ausgebildet ist. 7 shows an integrated circuit arrangement in which a subsequent to the connection zone semiconductor zone is formed as a continuous semiconductor layer.

8 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer integrierten Schaltungsanordnung, bei der die Schutzstruktur mehrere erste Halbleiterzonen zwischen der ersten und zweiten Bauelementzone aufweist. 8th shows an embodiment of an integrated circuit arrangement in which the protective structure comprises a plurality of first semiconductor zones between the first and second device zone.

1A zeigt schematisch ein erstes Beispiel einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung anhand eines vertikalen Querschnittes durch einen Halbleiterkörper 100 der Schaltungsanordnung. Der Halbleiterkörper weist eine erste Seite 101 und eine der ersten Seite 101 gegenüberliegende zweite Seite 102 auf, die nachfolgend als Vorder- und Rückseite 101, 102 bezeichnet werden. Der Halbleiterkörper 100 weist außerdem eine Halbleiterschicht 103 mit einer Grunddotierung eines ersten Leitungstyps auf, die in dem in 1 dargestellten Beispiel von der Vorderseite 101 bis an die Rückseite 102 reicht und die nachfolgend als Halbleitersubstrat bezeichnet wird. 1A schematically shows a first example of a circuit arrangement according to the invention with reference to a vertical cross-section through a semiconductor body 100 the circuit arrangement. The semiconductor body has a first side 101 and one of the first page 101 opposite second side 102 on, the following as the front and back 101 . 102 be designated. The semiconductor body 100 also has a semiconductor layer 103 with a basic doping of a first conductivity type, which in the in 1 shown example from the front 101 to the back 102 ranges and which is referred to below as a semiconductor substrate.

Die integrierte Schaltungsanordnung umfasst mehrere Halbleiterbauelemente, die dotierte Halbleiterzonen umfassen, die sich ausgehend von der Vorderseite 101 in den Halbleiterkör per hineinerstrecken. Diese Bauelemente sind beispielsweise MOS-Transistoren, Bipolartransistoren oder Dioden. Dotierte Halbleiterzonen von MOS-Transistoren sind Sourcezonen, Drainzonen und Bodyzonen. Dotierte Halbleiterzonen von Bipolartransistoren sind Emitterzonen, Kollektorzonen und Basiszonen. Dotierte Halbleiterzonen von Dioden sind p-Emitterzonen und n-Emitterzonen bzw. Anoden- und Kathodenzonen.The integrated circuit arrangement comprises a plurality of semiconductor devices comprising doped semiconductor zones extending from the front side 101 into the semiconductor body. These components are, for example, MOS transistors, bipolar transistors or diodes. Doped semiconductor zones of MOS transistors are source zones, drain zones and body zones. Doped semiconductor zones of bipolar transistors are emitter zones, collector zones and base zones. Doped semiconductor zones of diodes are p-emitter zones and n-emitter zones or anode and cathode zones.

In 1 ist eine erste Bauelementzone 11 eines ersten Halbleiterbauelements und eine zweite Bauelementzone eines zweiten Halbleiterbauelements dargestellt. Diese ersten und zweiten Bauelementzonen 11, 12 sind von einem zur Grunddotierung des Halbleitersubstrats 103 komplementären zweiten Leitungstyps und sind in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers 100 bzw. des Halbleitersubstrats 103 beabstandet zueinander angeordnet.In 1 is a first device zone 11 a first semiconductor device and a second device zone of a second semiconductor device shown. These first and second component zones 11 . 12 are from one to the basic doping of the semiconductor substrate 103 complementary second conductivity type and are in a lateral direction of the semiconductor body 100 or the semiconductor substrate 103 spaced apart from each other.

Eine oder beide dieser Bauelementzonen 11, 12 sind beispielsweise Drainzonen eines MOS-Transistors, insbesondere eines lateralen MOS-Transistors. 2 zeigt im Querschnitt einen lateralen MOS-Transistor, der eine Drainzone aufweist, die erste Bauelementzone 11 bildet. In einer lateralen Richtung beabstandet zu der Drainzone 11 weist dieser MOS-Transistor eine Sourcezone 17 des gleichen Leitungstyps wie die Drainzone 11 auf. Diese Sourcezone 17 ist von einer Bodyzone 16 umgeben, die komplementär zu der Sourcezone 17 dotiert ist. Zwischen der Bodyzone 16 und der Drainzone 11 ist bei diesem Bauelement eine Driftzone 13 vom gleichen Leitungstyp wie die Drainzone 11 vorhanden, die niedriger als die Drainzone 11 dotiert ist und deren Abmessungen und Dotierung maßgeblich die Spannungsfestigkeit des Bauelements beeinflussen. Zur Steuerung eines leitenden Kanals in der Bodyzone 16 zwischen der Sourcezone 17 und der Drainzone 11 ist eine Gateelektrode 14 vorhanden, die durch eine Gatedielektrikumsschicht 15 gegenüber der Bodyzone 16 isoliert ist. Die Sourcezone 17 und die Bodyzone 16 sind durch eine Sourceelektrode 18 beispielsweise kurzgeschlossen.One or both of these component zones 11 . 12 are, for example, drain zones of a MOS transistor, in particular a lateral MOS transistor. 2 shows in cross-section a lateral MOS transistor having a drain zone, the first device zone 11 forms. Spaced in a lateral direction to the drain zone 11 this MOS transistor has a source zone 17 of the same conductivity type as the drain zone 11 on. This source zone 17 is from a bodyzone 16 surrounded, which is complementary to the source zone 17 is doped. Between the bodyzone 16 and the drainage zone 11 is a drift zone in this device 13 of the same conductivity type as the drain zone 11 available, the lower than the drain zone 11 is doped and whose dimensions and doping significantly affect the dielectric strength of the device. To control a conductive channel in the body zone 16 between the source zone 17 and the drainage zone 11 is a gate electrode 14 present through a gate dielectric layer 15 opposite the bodyzone 16 is isolated. The source zone 17 and the bodyzone 16 are through a source electrode 18 for example, shorted.

Die Drainzone 11 und/oder die Driftzone 13 grenzen bei diesem Bauelement unmittelbar an einen Bereich des Halbleitersubstrats 103 an, der die Grunddotierung des Halbleitersubstrats 103 aufweist. Die Drainzone 11 und die Driftzone 13, die komplementär zu dem Halbleitersubstrat 103 dotiert sind, sind bei einem n-leitenden MOS-Transistor n-dotiert. Das Substrat 103 ist in diesem Fall p-dotiert.The drain zone 11 and / or the drift zone 13 borders in this component directly to a region of the semiconductor substrate 103 indicating the basic doping of the semiconductor substrate 103 having. The drain zone 11 and the drift zone 13 that is complementary to the semiconductor substrate 103 are doped n-doped in an n-type MOS transistor. The substrate 103 is p-doped in this case.

Eine oder beide der ersten und zweiten Bauelementzonen 11, 12 können auch aktive Bauelementzonen einer Diode sein, wie dies in 3 für die erste Bauelementzone 11 dargestellt ist. Innerhalb dieser Bauelementzone 11 ist hierbei eine komplementär zu dieser Bauelementzone 11 dotierte Halbleiterzone 16 vorgesehen. Bei einer n-dotierten ersten Bauelementzone 11 bildet diese erste Bauelementzone 11 eine Kathodenzone der Diode, während die weitere Bauelementzone 16 p-dotiert ist und eine Anodenzone bildet. In diesem Zusammenhang sei darauf hingewiesen, dass die 2 und 3 lediglich als Beispiel zu verstehen sind und dass die erste Bauelementzone 11 – und entsprechend die zweite Bauelementzone 12 – nicht darauf beschränkt sind, die Drainzone eines MOS-Transistors oder eine der aktiven Bauelementzonen einer Diode zu bilden.One or both of the first and second device zones 11 . 12 may also be active device regions of a diode, as shown in FIG 3 for the first component zone 11 is shown. Within this component zone 11 is here a complementary to this device zone 11 doped semiconductor zone 16 intended. In an n-doped first device zone 11 forms this first component zone 11 a cathode zone of the diode, while the further device zone 16 p-doped and forms an anode zone. In this context, it should be noted that the 2 and 3 merely as an example and that the first component zone 11 - And according to the second component zone 12 Are not limited to form the drain zone of a MOS transistor or one of the active device zones of a diode.

Durch äußere Beschaltung der die ersten und zweiten Bauelementzonen 11, 12 aufweisenden Halbleiterbauelemente ist bei der integrierten Schaltungsanordnung während eines ”normalen” Betriebszustandes sichergestellt, dass pn-Übergänge zwischen den ersten Bauelementzonen 11, 12 und den die Grunddotierung aufweisenden Abschnitten des Halbleitersubstrats 103 in Sperrrichtung gepolt sind. Bei einem p-dotierten Halbleitersubstrat 103 kann dies dadurch erreicht werden, dass diese Bauelementzonen 11, 12 stets auf einem elektrischen Potential liegen, das höher ist als das elektrische Potential des Halbleitersubstrats 103. Bei einem n-dotierten Halbleitersubstrat 103 kann dies dadurch erreicht werden, dass die Bauelementzonen 11, 12 stets auf einem elektrischen Potential liegen, das niedriger ist als das elektrische Potential des Halbleitersubstrats 103.By external wiring of the first and second component zones 11 . 12 having semiconductor devices in the integrated circuit arrangement during a "normal" operating state ensures that pn junctions between the first device zones 11 . 12 and the base doped portions of the semiconductor substrate 103 are poled in the reverse direction. In a p-doped semiconductor substrate 103 This can be achieved by having these component zones 11 . 12 always be at an electrical potential that is higher than the electrical potential of the semiconductor substrate 103 , In an n-doped semiconductor substrate 103 This can be achieved by the component zones 11 . 12 always be at an electrical potential that is lower than the electrical potential of the semiconductor substrate 103 ,

Während des Betriebs einer integrierten Schaltungsanordnung, können allerdings Betriebszustände auftreten, bei denen Ladungsträger aus den Bauelementzonen 11, 12, die durch Sperrschichtisolationen bzw. pn-Übergänge gegenüber dem Halbleitersubstrat 103 isoliert sind, in das Halbleitersubstrat 103 injiziert werden. Innerhalb des Halbleitersubstrats 103 sind diese Ladungsträger dann Minoritätsladungsträger, d. h. Elektronen bei einem p-dotierten Halbleitersubstrat 103 und Löcher bei einem n-dotierten Halbleitersubstrat 103. Die Injektion solcher Minoritätsladungsträger in das Substrat 103 und die Ausbreitung der Minoritätsladungsträger innerhalb des Substrats gilt es zu verhindern, da Minoritätsladungsträger, die beispielsweise aus der ersten Bauelementzone 11 in das Halbleitersubstrat 103 injiziert werden und sich dort ausbreiten, Fehlfunktionen weiterer in dem Halbleitersubstrat integrierter Halbleiterbauelemente verursachen können, beispielsweise des Halbleiterbauelements mit der zweiten Bauelementzone 12.During operation of an integrated circuit arrangement, however, operating states can occur in which charge carriers from the component zones 11 . 12 caused by junction isolation or pn-junctions with respect to the semiconductor substrate 103 are isolated in the semiconductor substrate 103 be injected. Within the semiconductor substrate 103 these charge carriers are then minority carriers, ie electrons in a p-doped semiconductor substrate 103 and holes in an n-doped semiconductor substrate 103 , The injection of such minority carriers into the substrate 103 and to prevent the propagation of the minority charge carriers within the substrate, since minority carriers, for example, from the first device zone 11 in the semiconductor substrate 103 be injected and spread there, may cause malfunction of further integrated semiconductor devices in the semiconductor device, for example, the semiconductor device with the second device zone 12 ,

Für die nachfolgende Erläuterung sei davon ausgegangen, dass Minoritätsladungsträger potentiell aus der ersten Bauelementzone 11, die nachfolgend auch als Injektorzone bezeichnet wird, in das Halbleitersubstrat 103 injiziert werden können. Um die Ausbreitung solcher Minoritätsladungsträger in einer lateralen Richtung innerhalb des Halbleitersubstrats 103 zu verhindern bzw. zumindest zu reduzieren, ist eine Schutzstruktur 20 vorhanden, die in dem dargestellten Beispiel zumindest teilweise in lateraler Richtung zwischen der ersten und zweiten Bauelementzone 11, 12 angeordnet ist. Diese Schutzstruktur 20 weist eine erste Halbleiterzone 21 auf, die vom gleichen Leitungstyp wie die Grunddotierung des Halbleitersubstrats 103 ist, die jedoch stärker als das Halbleitersubstrat 103 dotiert ist. Diese erste Halbleiterzone 21 ist in einer vertikalen Richtung des Halbleitersubstrats 103 beabstandet zu der Vorderseite 101 und der ersten Bauelementzone 11 angeordnet und erstreckt sich in einer lateralen Richtung des Substrats 103 bis unter die erste Bauelementzone 11.For the following explanation, it has been assumed that minority carriers are potentially from the first device zone 11 , which is also referred to as injector zone below, in the semiconductor substrate 103 can be injected. To the propagation of such minority carriers in a lateral direction within the semiconductor substrate 103 to prevent or at least reduce, is a protective structure 20 present, in the illustrated example, at least partially in the lateral direction between the first and second component zone 11 . 12 is arranged. This protective structure 20 has a first semiconductor zone 21 on, of the same conductivity type as the basic doping of the semiconductor substrate 103 is, but stronger than the semiconductor substrate 103 is doped. This first semiconductor zone 21 is in a vertical direction of the semiconductor substrate 103 spaced to the front 101 and the first device zone 11 arranged and extends in a lateral direction of the substrate 103 to below the first component zone 11 ,

Die erste Halbleiterzone 21 der Schutzstruktur 20 ist über eine Verbindungszone 22 kontaktierbar, die sich ausgehend von der Vorderseite 101 in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers 100 bis an die erste Halbleiterzone 21 erstreckt. Diese Verbindungszone 22 besteht aus einem elektrisch leitenden Material, wie beispielsweise einem hochdotierten polykristallinen Halbleitermaterial oder aus einem Metall, und ist in der lateralen Richtung des Halbleitersubstrats beabstandet zu der ersten und zweiten Bauelementzone 11, 12 und zwischen diesen beiden Bauelementzonen 11, 12 angeordnet. In einer lateralen Richtung ist diese Verbindungszone 22 durch eine Isolationsschicht 23, beispielsweise ein Halbleiteroxid, gegenüber den die Grunddotierung aufweisenden Abschnitten des Halbleitersubstrats 103 isoliert. Um einen niederohmigen Anschluss dieser ausgedehnten ersten Halbleiterzone 21 an die Verbindungszone 22 zu erreichen, kann eine höher als die erste Halbleiterzone 21 dotierte Anschlusszone 27 vorgesehen sein, die zwischen der Verbindungszone 22 und der ersten Halbleiterzone 21 angeordnet ist.The first semiconductor zone 21 the protective structure 20 is over a connection zone 22 Contactable, starting from the front 101 in a vertical direction of the semiconductor body 100 to the first semiconductor zone 21 extends. This connection zone 22 is made of an electrically conductive material, such as a heavily doped polycrystalline semiconductor material or a metal, and is spaced apart in the lateral direction of the semiconductor substrate from the first and second device regions 11 . 12 and between these two component zones 11 . 12 arranged. In a lateral direction is this connection zone 22 through an insulation layer 23 , For example, a semiconductor oxide, with respect to the basic doped portions of the semiconductor substrate 103 isolated. To a low-impedance connection this extended first semiconductor zone 21 to the connection zone 22 Achieve one higher than the first semiconductor zone 21 doped connection zone 27 be provided between the connection zone 22 and the first semiconductor zone 21 is arranged.

Die Schutzstruktur 20 weist außerdem eine zweite Halbleiterzone 24 auf, die komplementär zur Grunddotierung des Halbleitersubstrats 103 dotiert ist und die über die Verbindungszone 22 elektrisch leitend an die erste Halbleiterzone 21 angeschlossen ist. Die zweite Halbleiterzone 24 ist hierzu über eine elektrische Leitungsverbindung 26, die in 1 nur schematisch dargestellt ist, im Bereich der Vorderseite 101 elektrisch leitend an die Verbindungszone 22 angeschlossen. Um einen niederohmigen Anschluss der Leitungsverbindung 26 an die zweite Halbleiterzone 24 zu erreichen, kann eine hochdotierte Anschlusszone 25 des zweiten Leitungstyps innerhalb der zweiten Halbleiterzone 24 vorgesehen sein, an welches die Leitungsverbindung 26 angeschlossen ist. Die zweite Halbleiterzone 24 der Schutzstruktur grenzt beispielsweise unmittelbar an die Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers an und ist in lateraler Richtung beispielsweise zwischen der ersten Bauelementzone 11 und der Verbindungszone 22 angeordnet.The protective structure 20 also has a second semiconductor zone 24 on, which is complementary to the basic doping of the semiconductor substrate 103 is doped and the over the connection zone 22 electrically conductive to the first semiconductor zone 21 connected. The second semiconductor zone 24 is this via an electrical line connection 26 , in the 1 is shown only schematically, in the area of the front 101 electrically conductive to the connection zone 22 connected. To a low-impedance connection of the line connection 26 to the second semiconductor zone 24 can reach a highly doped connection zone 25 of the second conductivity type within the second semiconductor region 24 be provided, to which the line connection 26 connected. The second semiconductor zone 24 For example, the protective structure immediately adjoins the front 101 of the semiconductor body and is in the lateral direction, for example, between the first component zone 11 and the connection zone 22 arranged.

Die Funktionsweise der in 1 dargestellten Schutzstruktur wird nachfolgend erläutert. Hierzu sei angenommen, dass Minoritätsladungsträger aus der ersten Bauelementzone 11 in das Halbleitersubstrat 103 injiziert werden. Die komplementär zur Grunddotierung des Halbleitersubstrats 103 dotierte zweite Halbleiterzone 24 wirkt hierbei als Senke für einen Teil der in das Substrat injizierten Minoritätsladungsträger. Die durch diese zweite Halbleiterzone 24 ”aufgenommenen” Minoritätsladungsträger beeinflussen das elektrische Potential der zweiten Halbleiterzone 24. Sind die Minoritätsladungsträger Elektronen, so verschiebt sich das elektrische Potential der zweiten Halbleiterzone 24 bei Injektion von Minoritätsladungsträgern in das Substrat 103 zu negativen Werten hin. Sind die Minoritätsladungsträger bei einem n-dotierten Halbleitersubstrat Löcher, so verschiebt sich das elektrische Potential der zweiten Halbleiterzone 24 zu positiven Potentialwerten hin. Bedingt durch die elektrisch leitende Verbindung zwischen der zweiten Halbleiterzone 24 und der vergraben angeordneten ersten Halbleiterzone 21 nimmt die erste Halbleiterzone 21 ein elektrisches Potential an, das wenigstens annäherungsweise dem elektrischen Potential der zweiten Halbleiterzone 24 entspricht. Dieses elektrische Potential bewirkt, dass sich ein elektrisches Feld innerhalb des Halbleitersubstrats 103 um die erste Halbleiterzone 21 herum ausbildet, das einer Injektion von Minoritätsladungsträgern entgegenwirkt. Das von der ersten Halbleiterzone 21 bei einer Injektion von Minoritätsladungsträgern erzeugte elektrische Potential, baut sich dabei in unmittelbarer Nähe der ersten Bauelementzone 11 auf, und wirkt so effektiv der Injektion von Ladungsträgern entgegen. Bedingt durch unterschiedliche Dotierungskonzentrationen der ersten Halbleiterzone 21 und der Halbleiterschicht 103, ist im Grenzbereich zwischen der ersten Halbleiterzone 21 und Bereichen der ersten Halbleiterschicht 103 zudem ein intrinsisches elektrisches Feld vorhanden, das das ”Einfangen” der Minoritätsladungsträger durch die zweite Halbleiterzone 24 unterstützt.The functioning of in 1 shown protection structure is explained below. For this purpose, it is assumed that minority carriers from the first device zone 11 in the semiconductor substrate 103 be injected. The complementary to the basic doping of the semiconductor substrate 103 doped second semiconductor zone 24 acts as a sink for a portion of the injected into the substrate minority carrier. The through this second semiconductor zone 24 "Received" minority carriers affect the electrical potential of the second semiconductor zone 24 , If the minority carriers are electrons, the electrical potential of the second semiconductor zone shifts 24 upon injection of minority carriers into the substrate 103 to negative values. If the minority carriers are holes in an n-doped semiconductor substrate, the electrical potential of the second semiconductor zone shifts 24 to positive potential values. Due to the electrically conductive connection between the second semiconductor zone 24 and the buried first semiconductor region 21 takes the first semiconductor zone 21 an electric potential that is at least approximately the electric potential of the second semiconductor region 24 equivalent. This electrical potential causes an electric field within the semiconductor substrate 103 around the first semiconductor zone 21 which counteracts an injection of minority carriers. That of the first semiconductor zone 21 generated in an injection of minority charge carriers electrical potential, it builds up in the immediate vicinity of the first device zone 11 and thus effectively counteracts the injection of charge carriers. Due to different doping concentrations of the first semiconductor zone 21 and the semiconductor layer 103 , is in the boundary region between the first semiconductor zone 21 and regions of the first semiconductor layer 103 In addition, an intrinsic electric field is present, which is the "capture" of the minority carriers by the second semiconductor zone 24 supported.

Darüber hinaus erschwert die erste Halbleiterzone 21, dass Minoritätsladungsträger in den Bereich des Halbleitersubstrats 103 unterhalb der ersten Halbleiterzone 21 gelangen können, wodurch eine Ausbreitung der Minoritätsladungsträger in lateraler Richtung des Halbleitersubstrats 103 reduziert wird.In addition, the first semiconductor zone complicates 21 in that minority carriers are in the region of the semiconductor substrate 103 below the first semiconductor zone 21 whereby a spreading of the minority charge carriers in the lateral direction of the semiconductor substrate 103 is reduced.

Die Wirkung der Schutzstruktur 20 kann verstärkt werden, indem eine Metallisierung auf die Rückseite 102 aufgebracht wird. An einer Grenzschicht zwischen dieser Metallisierung 41 und dem Halbleitersubstrat 103 können solche Minoritätsladungsträger, die die erste Halbleiterzone 21 durchdringen, auf besonders effektive Weise rekombinieren. Das Halbleitersubstrat 103 kann dabei floatend angeordnet sein, d. h. die Metallisierung 41 muss nicht auf einem vorgegebenen elektrischen Potential liegen. Darüber hinaus besteht auch die Möglichkeit, das Halbleitersubstrat 103 über die Metallisierung 41 auf ein vorgegebenes elektrisches Potential, beispielsweise Masse, zu legen. Bei einer floatenden Anordnung des Halbleitersubstrats 103 sollte ein ohmscher Übergang zwischen der Metallisierung 41 und dem Halbleitersubstrat 103 vorhanden sein. Bei einer auf einem vorgegebenen elektrischen Potential liegenden Metallisierung 41 kann anstelle eines solchen ohmschen Übergangs auch ein Schottky-Übergang zwischen der Metallisierung 41 und dem Halbleitersubstrat 103 vorgesehen sein.The effect of the protective structure 20 can be reinforced by a metallization on the back 102 is applied. At a boundary layer between this metallization 41 and the semiconductor substrate 103 such minority carriers may be the first semiconductor zone 21 penetrate, recombine in a particularly effective way. The semiconductor substrate 103 can be arranged floating, ie the metallization 41 does not have to be at a given electrical potential. In addition, there is also the possibility of the semiconductor substrate 103 about the metallization 41 to put on a predetermined electrical potential, such as mass. In a floating arrangement of the semiconductor substrate 103 should be an ohmic transition between the metallization 41 and the semiconductor substrate 103 to be available. At a lying at a predetermined electrical potential metallization 41 For example, instead of such an ohmic junction, a Schottky junction may also be present between the metallization 41 and the semiconductor substrate 103 be provided.

Es kann vorteilhaft sein, die erste Halbleiterzone ausgehend von der Vorderseite 101 möglichst tief in dem Halbleiterkörper 100 anzuordnen. Eine Ausbreitung von Minoritätsladungsträgern in dem Bereich zwischen der Vorderseite 101 und dem unterhalb der ersten Halbleiterzone 21 liegenden Substrat 103 wird dabei durch die Verbindungszone 22 mit der die Verbindungszone 22 umgebenden Isolationsschicht verhindert. Eine Tiefe d1 der Gesamtanordnung mit der ersten Halbleiterzone 21 und der Verbindungszone 22 ausgehend von der Vorderseite 101 liegt dabei beispielsweise zwischen 1% und 90%, insbesondere zwischen 50% und 80% der Gesamtdicke d2 des Halbleitersubstrats 103, es gilt also: d1/d2 = 0,01 ... 0,9, bzw. d1/d2 = 0,5 ... 0,8, wobei d1 die Gesamttiefe der Anordnung mit der ersten Halbleiterzone 21 und der Verbindungszone 22 und d2 die Dicke des Halbleitersubstrats 103 bezeichnet. Absolut liegt die Dicke d2 des Halbleitersubstrats beispielsweise zwischen 15 μm und 750 μm und die Abmessung der Schutzstruktur in vertikaler Richtung beispielsweise zwischen 5 μm und 200 μm. Die Abmessungen der ersten Halbleiterzone 21 in vertikaler Richtung liegen beispielsweise zwischen 2 μm und 60 μm, insbesondere zwischen 10 μm und 15 μm.It may be advantageous to use the first semiconductor zone starting from the front side 101 as deep as possible in the semiconductor body 100 to arrange. A spread of minority carriers in the area between the front 101 and below the first semiconductor zone 21 lying substrate 103 is doing through the connection zone 22 with the the connection zone 22 surrounding insulating layer prevented. A depth d1 of the overall arrangement with the first semiconductor zone 21 and the connection zone 22 starting from the front 101 is for example between 1% and 90%, in particular between 50% and 80% of the total thickness d2 of the semiconductor substrate 103 , d1 / d2 = 0.01 ... 0.9, or d1 / d2 = 0.5 ... 0.8, where d1 is the total depth of the arrangement with the first semiconductor zone 21 and the connection zone 22 and d2, the thickness of the semiconductor substrate 103 designated. In absolute terms, the thickness d2 of the semiconductor substrate is between 15 μm and 750 μm, for example, and the dimension of the protective structure in the vertical direction is between 5 μm and 200 μm, for example. The dimensions of the first semiconductor zone 21 in the vertical direction are for example between 2 .mu.m and 60 .mu.m, in particular between 10 .mu.m and 15 .mu.m.

Die Verbindungszone 22 kann so realisiert sein, dass sie die Injektorzone 11 in lateraler Richtung ringförmig umschließt, wie dies schematisch in 1B dargestellt ist, die einen lateralen Querschnitt durch den Halbleiterkörper 100 gemäß 1A in einer Schnittebene A-A zeigt. Die zweite Halbleiterzone 24 kann dabei so realisiert sein, dass sie – entsprechend der Verbindungszone 22 – die erste Bauelementzone 11 ringförmig umgibt. Die Injektorzone 11 ist bei dieser Anordnung vollständig von der Schutzstruktur 20 umgeben, nämlich von der Verbindungszone 22 und der diese umgebenden Isolationsschicht 23 in lateraler Richtung und von der ersten Halbleiterzone 21 (in 1B nicht dargestellt) in vertikaler Richtung. Die Verbindungszone 22 bildet dabei Seitenwände, die erste Halbleiterzone 21 bildet einen Boden einer die erste Bauelementzone 21 umgebenden wannenartigen Abschirmstruktur.The connection zone 22 can be realized so that they are the injector zone 11 encloses annularly in a lateral direction, as shown schematically in FIG 1B is shown, which has a lateral cross-section through the semiconductor body 100 according to 1A in a sectional plane AA shows. The second semiconductor zone 24 can be realized so that they - according to the connection zone 22 - the first component zone 11 surrounds annularly. The injector zone 11 in this arrangement is completely off the protection structure 20 surrounded, namely by the connection zone 22 and the surrounding insulation layer 23 in the lateral direction and from the first semiconductor zone 21 (in 1B not shown) in the vertical direction. The connection zone 22 forms sidewalls, the first semiconductor zone 21 forms a bottom of the first component zone 21 surrounding trough-like shielding structure.

Zusätzlich zu der Schutzstruktur 20 kann bezugnehmend auf 1A ein sogenannter Guardring 31 (gestrichelt dargestellt) vorgesehen sein, der komplementär zu dem Halbleitersubstrat 103 dotiert ist und der in lateraler Richtung zwischen der Schutzstruktur 20 und der zweiten Bauelementzone 12 angeordnet ist. Dieser Guardring kann die injizierende erste Bauelementzone 11 oder die zu schützende zweite Bauelementzone 12 in lateraler Richtung ringförmig umgeben und ist komplementär zu dem Halbleitersubstrat 103 dotiert. Dieser Guardring 31 dient als Senke für solche Minoritätsladungsträger, denen es gelingt, die Schutzstruktur 20 in lateraler Richtung zu passieren und verhindert so, dass diese Minoritätsladungsträger die zweite Bauelementzone 12 erreichen. Dieser Guardring 31 liegt beispielsweise auf einem vorgegebenen elektrischen Potential, das so gewählt ist, dass Minoritätsladungsträger durch den Guardring ”angezogen” werden. Bei Elektronen als Minoritätsladungsträgern ist dieses elektrische Potential ein gegenüber dem Halbleitersubstrat 103 positives Potential oder ein dem Potential des Halbleitersubstrats entsprechendes Potential. Bei Löchern als Minoritätsladungsträgern ist dieses elektrische Potential ein gegenüber dem Halbleitersubstrat 103 negatives Potential. Der Guardring 31 kann insbesondere eine dotierte Halbleiterzone einer in dem Substrat 103 integrierten Logikstruktur sein.In addition to the protective structure 20 can refer to 1A a so-called guard ring 31 (shown in dashed lines), which is complementary to the semiconductor substrate 103 is doped and the laterally between the protective structure 20 and the second device zone 12 is arranged. This guard ring may be the injecting first device zone 11 or the second device zone to be protected 12 Surrounded annularly in the lateral direction and is complementary to the semiconductor substrate 103 doped. This guardring 31 serves as a sink for such minority carriers that manage the protective structure 20 to pass in a lateral direction, thus preventing these minority carriers from entering the second device zone 12 to reach. This guardring 31 is for example at a predetermined electrical potential, which is chosen so that minority charge carriers are "attracted" by the guard ring. For electrons as minority carriers, this electrical potential is opposite to the semiconductor substrate 103 positive potential or potential corresponding to the potential of the semiconductor substrate. For holes as minority carriers this electrical potential is opposite to the semiconductor substrate 103 negative potential. The guardring 31 For example, a doped semiconductor zone may be one in the substrate 103 be integrated logic structure.

Alternativ oder zusätzlich zu dem Guardring kann das Halbleitersubstrat 103 im Bereich der Vorderseite 101 benachbart zu der zu schützenden Bauelementzone 12 auf ein vorgegebenes elektrisches Potential gelegt werden. Hierzu ist im Bereich der Vorderseite 101 ein Substratanschluss 32 vorhanden, der vom gleichen Leitungstyp wie das Halbleitersubstrat 103, der jedoch höher dotiert ist. Dieser Substratanschluss 32 kann auf ein fest vorgegebenes elektrisches Potential, beispielsweise Masse, gelegt sein oder kann an die zweite Halbleiterzone 24 bzw. die Verbindungszone 26 angeschlossen sein.Alternatively or in addition to the guard ring, the semiconductor substrate 103 in the area of the front 101 adjacent to the device zone to be protected 12 be set to a predetermined electrical potential. This is in the area of the front 101 a substrate connection 32 present, of the same conductivity type as the semiconductor substrate 103 which, however, is higher doped. This substrate connection 32 may be applied to a fixed electrical potential, such as ground, or may be applied to the second semiconductor region 24 or the connection zone 26 be connected.

Die 4A und 4B veranschaulichen eine gegenüber der bisher erläuterten integrierten Schaltungsanordnung abgewandelte Schaltungsanordnung anhand eines vertikalen Quer schnitts in einer Schnittebene A-A und anhand eines lateralen Querschnitts durch den Halbleiterkörper 100. Bei dieser Schaltungsanordnung ist die zweite Halbleiterzone 24 in lateraler Richtung nicht zwischen der ersten Bauelementzone 11 und der zweiten Bauelementzone 12 angeordnet, sondern die Injektorzone 11 ist zwischen der zweiten Halbleiterzone 24 der Schutzstruktur und der Verbindungszone 22 angeordnet. Auf eine explizite Darstellung der die Verbindungszone 22 in lateraler Richtung umgebenden Isolationsschicht 23 ist in 4B aus Gründen der Übersichtlichkeit verzichtet. Auch bei dieser Schaltungsanordnung ist die Injektorzone 11 vollständig von der Schutzstruktur 20 umgeben, nämlich von der Verbindungszone 22 und der diese umgebenden Isolationsschicht 23 in lateraler Richtung und von der ersten Halbleiterzone 21 (in 1B nicht dargestellt) in vertikaler Richtung.The 4A and 4B illustrate a comparison with the previously explained integrated circuit arrangement modified circuit arrangement based on a vertical cross-section in a sectional plane AA and based on a lateral cross section through the semiconductor body 100 , In this circuit arrangement, the second semiconductor zone 24 in the lateral direction not between the first component zone 11 and the second device zone 12 arranged but the injector zone 11 is between the second semiconductor zone 24 the protective structure and the connection zone 22 arranged. On an explicit representation of the connection zone 22 in the lateral direction surrounding insulating layer 23 is in 4B omitted for the sake of clarity. Also in this circuit arrangement is the injector zone 11 completely from the protective structure 20 surrounded, namely by the connection zone 22 and the surrounding insulation layer 23 in the lateral direction and from the first semiconductor zone 21 (in 1B not shown) in the vertical direction.

Zwischen der zweiten Halbleiterzone 24 der Schutzstruktur 20 und der Injektorzone 11 kann ein Substratanschluss 28 vorgesehen sein, durch den das Halbleitersubstrat 103 in dem Bereich zwischen der ersten Bauelementzone 11 und der zweiten Halbleiterzone 24 der Schutzstruktur 20 auf ein vorgegebenes elektrisches Potential, beispielsweise Masse, gelegt wird. Diese Schutzstruktur verhindert noch effektiver eine Ausbreitung von Minoritätsladungsträgern in dem Halbleitersubstrat 103.Between the second semiconductor zone 24 the protective structure 20 and the injector zone 11 can be a substrate connection 28 be provided, through which the semiconductor substrate 103 in the area between the first component zone 11 and the second semiconductor zone 24 the protective structure 20 to a predetermined electrical potential, such as ground, is placed. This protective structure more effectively prevents the spread of minority carriers in the semiconductor substrate 103 ,

5 veranschaulicht anhand eines lateralen Querschnitts durch den Halbleiterkörper 100 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer integrierten Schaltungsanordnung. Die Injektorzone ist in diesem Beispiel in der Nähe eines Randes 104 des Halbleiterkörpers bzw. Halbleiterchips 100 angeordnet. Die Verbindungszone 22 ist beabstandet zu der Injektorzone angeordnet und umgibt die Injektorzone 11 in lateraler Richtung an den Seiten, an denen die Injektorzone nicht dem Rand zugewandt ist. Die zweite Bauelementzone 24 ist zwischen der Injektorzone 11 und dem Rand angeordnet. Zwischen der Injektor zone 11 und der zweiten Bauelementzone 24 kann dabei der Substratanschluss 28 vorgesehen sein. 5 illustrated by a lateral cross section through the semiconductor body 100 another embodiment of an integrated circuit arrangement. The injector zone in this example is near an edge 104 the semiconductor body or semiconductor chip 100 arranged. The connection zone 22 is spaced from the injector zone and surrounds the injector zone 11 in the lateral direction on the sides where the injector zone does not face the edge. The second component zone 24 is between the injector zone 11 and the edge. Between the injector zone 11 and the second device zone 24 can be the substrate connection 28 be provided.

Die Injektorzone 11 ist in dem dargestellten Beispiel in einer Ecke des Halbleiterkörpers angeordnet, so dass die Injektorzone nach zwei Seiten benachbart zum Rand das Halbleiterkörpers angeordnet ist. Die Verbindungszone 22 ist an den beiden verbleibenden Seiten benachbart zu der Injektorzone angeordnet. In nicht näher dargestellter Weise besteht auch die Möglichkeit, die Injektorzone so anzuordnen, dass Sie nur zu einer Seite hin an den Rand angrenzt. Die Verbindungszone 22 ist dann so realisiert, dass sie die Injektorzone zu den verbleibenden drei Seiten hin umgibt.The injector zone 11 is angeord in the example shown in a corner of the semiconductor body net, so that the injector zone is arranged on two sides adjacent to the edge of the semiconductor body. The connection zone 22 is located on the two remaining sides adjacent to the injector zone. In a manner not shown, it is also possible to arrange the injector zone so that it is adjacent to the edge only to one side. The connection zone 22 is then implemented so that it surrounds the injector zone to the remaining three sides.

6 zeigt ein weiteres Beispiel einer erfindungsgemäßen integrierten Schaltungsanordnung. Bei dieser Schaltungsanordnung ist eine Verbindungszone zwischen der ersten Halbleiterzone 21 und der Vorderseite 101 durch eine Halbleiterzone 29 des ersten Leitungstyps gebildet. Die Dotierungskonzentration dieser Verbindungszone 29 kann dabei der Dotierungskonzentration der ersten Halbleiterzone 21 entsprechen. 6 shows another example of an integrated circuit arrangement according to the invention. In this circuit arrangement is a connection zone between the first semiconductor zone 21 and the front 101 through a semiconductor zone 29 formed of the first conductivity type. The doping concentration of this connection zone 29 may be the doping concentration of the first semiconductor zone 21 correspond.

7 zeigt eine gegenüber den bisher erläuterten Schaltungsanordnungen abgewandelte integrierte Schaltungsanordnung. Bei dieser Schaltungsanordnung ist die sich bis unterhalb der ersten Bauelementzone 11 erstreckende erste Halbleiterzone 21 der Schutzstruktur 20 Teil einer ursprünglich durchgehenden Halbleiterschicht 104 des Halbleiterkörpers 100. Der Halbleiterkörper 100 umfasst hierbei eine erste Halbleiterschicht 103, in der die Bauelementzonen 11, 12 sowie die zweite Bauelementzone 24 der Schutzstruktur 20 angeordnet sind, eine ausgehend von der Vorderseite 101 unterhalb der ersten Halbleiterschicht 103 angeordnete zweite Halbleiterschicht 104, die wie die erste Halbleiterschicht 103 vom ersten Leitungstyp ist, die jedoch höher als diese erste Halbleiterschicht 103 dotiert ist und die abschnittsweise die erste Halbleiterzone 21 der Schutzstruktur 20 bildet. In Richtung der Rückseite 102 schließt sich an diese zweite Halbleiterschicht 104 eine weitere Halbleiterschicht 105, die vom ersten oder zweiten Leitungstyp sein kann. Diese dritte Halbleiterschicht 105 ist beispielsweise ein Halbleitersubstrat, die erste und zweite Halbleiterschicht 103, 104 sind beispielsweise Epitaxieschichten, die auf das Halbleitersubstrat 105 aufgebracht sind. Die zweite Halbleiterschicht 104 kann allerdings auch ein durch Implantation von Dotierstoffatomen hergestelltes dotiertes Halbleitergebiet sein. 7 shows an over the previously explained circuit arrangements modified integrated circuit arrangement. In this circuit, which is below the first component zone 11 extending first semiconductor zone 21 the protective structure 20 Part of an initially continuous semiconductor layer 104 of the semiconductor body 100 , The semiconductor body 100 in this case comprises a first semiconductor layer 103 in which the component zones 11 . 12 as well as the second component zone 24 the protective structure 20 are arranged, one from the front 101 below the first semiconductor layer 103 arranged second semiconductor layer 104 that like the first semiconductor layer 103 of the first conductivity type but higher than this first semiconductor layer 103 is doped and the sections of the first semiconductor zone 21 the protective structure 20 forms. Towards the back 102 joins this second semiconductor layer 104 another semiconductor layer 105 , which may be of the first or second conductivity type. This third semiconductor layer 105 For example, a semiconductor substrate is the first and second semiconductor layers 103 . 104 For example, epitaxial layers are those on the semiconductor substrate 105 are applied. The second semiconductor layer 104 however, it may also be a doped semiconductor region produced by implantation of dopant atoms.

Die erste Halbleiterzone 21 ist bei der in 7 dargestellten Schaltungsanordnung in grundsätzlich bereits erläuterter Weise durch die Verbindungszone 22 kontaktiert, wobei eine hochdotierte Anschlusszone 27 zwischen der Verbindungszone 22 und der ersten Halbleiterzone 21 angeordnet sein kann. Bei Injektion von Minoritätsladungsträgern aus der ersten Bauelementzone 11 in die erste Halbleiterschicht 103 verschiebt sich das elektrische Potential der zweiten Bauelementzone 24, und damit das elektrische Potential der ersten Bauelementzone 21 der Schutzstruktur 20. Die Wirkung dieser Potentialverschiebung soll dabei auf den Bereich der ersten Bauelementzone 11 begrenzt bleiben. Um dies zu erreichen, ist die zweite Halbleiterschicht 104 durch Gräben, die sich ausgehend von der Vorderseite 101 in den Halbleiterkörper 100 hineinerstrecken und die mit einem Isolationsmaterial 51 aufgefüllt sind, in einzelne Segmente unterteilt. Das Segment, das unterhalb der ersten Bauelementzone 11 angeordnet ist, bildet dabei die erste Bauelementzone 21 der Schutzstruktur 20. Der Graben zur Unterteilung der zweiten Halbleiterschicht 104 in einzelne Segmente ist dabei so realisiert, dass er die erste Bauelementzone 11 in lateraler Richtung ringförmig umgibt, wodurch der unterhalb der ersten Bauelementzone 11 angeordnete Abschnitt der zweiten Halbleiterschicht 104 vollständig von übrigen Abschnitten dieser Halbleiterschicht getrennt ist.The first semiconductor zone 21 is at the in 7 illustrated circuit arrangement in basically already explained way through the connection zone 22 contacted, with a highly doped junction zone 27 between the connection zone 22 and the first semiconductor zone 21 can be arranged. Upon injection of minority carriers from the first device zone 11 in the first semiconductor layer 103 shifts the electrical potential of the second component zone 24 , and thus the electrical potential of the first device zone 21 the protective structure 20 , The effect of this potential shift should be on the area of the first component zone 11 stay limited. To achieve this, the second semiconductor layer is 104 through trenches extending from the front 101 in the semiconductor body 100 in and with an insulation material 51 are filled, divided into individual segments. The segment that is below the first device zone 11 is arranged, forms the first component zone 21 the protective structure 20 , The trench for subdividing the second semiconductor layer 104 in individual segments is realized so that it is the first component zone 11 annularly surrounding in the lateral direction, whereby the below the first component zone 11 arranged portion of the second semiconductor layer 104 completely separated from other portions of this semiconductor layer.

Die in 7 dargestellte Schaltungs- bzw. Bauelementstruktur ist einfach zu realisieren, indem zunächst ein die drei Halbleiterschichten 102, 104, 105 aufweisender Halbleiterkörper 100 zur Verfügung gestellt wird. Die Unterteilung der zweiten Halbleiterschicht 104 in einzelne Abschnitte, kann dann dadurch erfolgen, dass ausgehend von der Vorderseite 101 Gräben geätzt werden, die in vertikaler Richtung bis in die dritte Halbleiterschicht 105 reichen, und die anschließend mit einem Isolationsmaterial aufgefüllt werden. Das Isolationsmaterial 51 ist beispielsweise ein Halbleiteroxid, bei Verwendung von Silizium als Halbleitermaterial beispielsweise Siliziumoxid. Das Auffüllen des Grabens mit diesem Halbleiteroxid kann beispielsweise durch eine thermische Oxidation oder durch Auffüllen des Grabens mit einem abscheidbaren Oxid erfolgen.In the 7 shown circuit or device structure is easy to implement, by first one of the three semiconductor layers 102 . 104 . 105 comprising semiconductor body 100 is made available. The subdivision of the second semiconductor layer 104 into individual sections, can then be done by starting from the front 101 Trenches are etched in the vertical direction to the third semiconductor layer 105 rich, and then filled with an insulating material. The insulation material 51 is, for example, a semiconductor oxide, when using silicon as the semiconductor material, for example, silicon oxide. The filling of the trench with this semiconductor oxide can take place, for example, by a thermal oxidation or by filling the trench with a depositable oxide.

Die vorliegende Erfindung ist nicht auf eine Schutzstruktur mit lediglich einer vergrabenen ersten Halbleiterzone des ersten Leitungstyps beschränkt. Bezug nehmend auf 8 können auch mehrere – in dem dargestellten Beispiel zwei – Verbindungszonen 22A, 22B in lateraler Richtung zwischen der ersten und zweiten Bauelementzone 11, 12 angeordnet sein, die über eine Leitungsverbindung 26 an die zweite Halbleiterzone 24 der Schutzstruktur 20 angeschlossen sind und die sich im Halbleiterkörper an die erste Halbleiterzone 21 anschließen. Die Verbindungszonen sind jeweils durch Isolationsschichten 23A, 23B gegenüber solchen Bereichen des Halbleitersubstrats 103 isoliert, die die Grunddotierung aufweisen.The present invention is not limited to a protection structure having only one buried first semiconductor region of the first conductivity type. Referring to 8th can also several - in the example shown two - connection zones 22A . 22B in the lateral direction between the first and second component zone 11 . 12 be arranged, via a line connection 26 to the second semiconductor zone 24 the protective structure 20 are connected and in the semiconductor body to the first semiconductor zone 21 connect. The connection zones are each through insulation layers 23A . 23B opposite such areas of the semiconductor substrate 103 isolated, which have the basic doping.

Bei den zuvor erläuterten Ausführungsbeispielen liegt die Dotierungskonzentration des Halbleitersubstrats/der Epitaxieschicht 103 und des Substrats 105 beispielsweise zwischen 2·1014 cm–3 und 9·1015 cm–3, die der ersten Halbleiterzone 21 der Schutzstruktur beispielsweise zwischen 2·1014 cm–3 und 1020 cm–3, die der optionalen Anschlusszonen 25 und 27 beispielsweise zwischen 1·1019 cm–3 und 1·1021 cm–3 und die der zweiten Halbleiterzone 24 beispielsweise zwischen 1·1016 cm–3 und 1·1020 cm–3.In the embodiments explained above, the doping concentration of the semiconductor substrate / epitaxial layer is 103 and the substrate 105 for example between 2 × 10 14 cm -3 and 9 × 10 15 cm -3 , that of the first semiconductor zone 21 the protective structure, for example, between 2 × 10 14 cm -3 and 10 20 cm -3 , those of the optional connection zones 25 and 27 for example, between 1 × 10 19 cm -3 and 1 × 10 21 cm -3 and that of the second semiconductor zone 24 for example, between 1 × 10 16 cm -3 and 1 × 10 20 cm -3 .

Eine Reduzierung der Ausbreitung von Minoritätsladungsträgern ist bei der erläuterten Schutzstruktur um so ausgeprägter, je höher die erste Halbleiterzone 21 im Vergleich zu der Halbleiterschicht 103 dotiert ist. Im Grenzfall kann die Dotierungskonzentration der ersten Halbleiterzone 21 dabei der Dotierungskonzentration der ersten Halbleiterschicht 103 entsprechen.A reduction of the propagation of minority carriers is the more pronounced in the illustrated protective structure, the higher the first semiconductor zone 21 in comparison to the semiconductor layer 103 is doped. In the limiting case, the doping concentration of the first semiconductor zone 21 while the doping concentration of the first semiconductor layer 103 correspond.

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Claims (17)

Integrierte Schaltungsanordnung mit einem Halbleiterkörper (100), der eine erste Seite (101) und eine zweite Seite (102) und eine sich an die erste Seite anschließende erste Halbleiterschicht (103) mit einer Grunddotierung eines ersten Leitungstyps aufweist, einer ersten und einer zweiten Bauelementzone (11, 12) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps, die in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zueinander in der ersten Halbleiterschicht (103) angeordnet sind, und mit einer Schutzstruktur (20), die aufweist: wenigstens eine höher als die Grunddotierung der ersten Halbleiterschicht (20) dotierte erste Halbleiterzone (21) des ersten Leitungstyps, die in einer vertikalen Richtung beabstandet zu der ersten Seite (101) und zu der ersten Bauelementzone (11) in der ersten Halbleiterschicht (103) und angrenzend an die erste Halbleiterschicht (103) angeordnet ist, und die sich in einer lateralen Richtung bis unter die erste Bauelementzone (11) erstreckt, wenigstens eine sich ausgehend von der ersten Seite bis an die wenigstens eine erste Halbleiterzone (21) erstreckende Verbindungszone (22), eine zweite Halbleiterzone (24) des zweiten Leitungstyps, die in der ersten Halbleiterschicht (103) angeordnet ist und die elektrisch leitend an die wenigstens eine Verbindungszone (22) angeschlossen ist.Integrated circuit arrangement with a semiconductor body ( 100 ), which is a first page ( 101 ) and a second page ( 102 ) and a first semiconductor layer adjoining the first side ( 103 ) with a basic doping of a first conductivity type, a first and a second component zone ( 11 . 12 ) of a second conductivity type which is complementary to the first conductivity type and which is arranged in a lateral direction of the semiconductor body ( 100 ) spaced from one another in the first semiconductor layer ( 103 ) and with a protective structure ( 20 ), which comprises: at least one higher than the basic doping of the first semiconductor layer ( 20 ) doped first semiconductor zone ( 21 ) of the first conductivity type spaced in a vertical direction from the first side ( 101 ) and to the first component zone ( 11 ) in the first semiconductor layer ( 103 ) and adjacent to the first semiconductor layer ( 103 ) and extending in a lateral direction to below the first component zone (FIG. 11 ) extends, at least one starting from the first side to the at least one first semiconductor zone ( 21 ) extending connection zone ( 22 ), a second semiconductor zone ( 24 ) of the second conductivity type, which in the first semiconductor layer ( 103 ) is arranged and the electrically conductive to the at least one connection zone ( 22 ) connected. Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei dem die zweite Halbleiterzone (24) in lateraler Richtung benach bart zu einer der ersten Bauelementzone (11) zugewandten Seite der Verbindungszone (22) angeordnet ist.Integrated circuit arrangement according to Claim 1, in which the second semiconductor zone ( 24 ) in the lateral direction adjacent to one of the first component zone ( 11 ) facing side of the connection zone ( 22 ) is arranged. Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Verbindungszone (22) die erste Bauelementzone (11) in einer lateralen Richtung ringförmig umgibt.Integrated circuit arrangement according to Claim 1 or 2, in which the connection zone ( 22 ) the first component zone ( 11 ) annularly surrounds in a lateral direction. Integrierte Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die zweite Halbleiterzone (24) die erste Bauelementzone (11) in einer lateralen Richtung ringförmig umgibt.Integrated circuit arrangement according to one of Claims 1 to 3, in which the second semiconductor zone ( 24 ) the first component zone ( 11 ) annularly surrounds in a lateral direction. Integrierte Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die erste Bauelementzone (11) die zweite Halbleiterzone (24) in einer lateralen Richtung ringförmig umgibt.Integrated circuit arrangement according to one of Claims 1 to 3, in which the first component zone ( 11 ) the second semiconductor zone ( 24 ) annularly surrounds in a lateral direction. Integrierte Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die erste Bauelementzone (11) benachbart zu einem Rand des Halbleiterkörpers angeordnet ist, bei dem die Verbindungszone (22) an nicht dem Rand (105) zugewandten Seiten der ersten Bauelementzone (11) angeordnet ist, und bei dem die zweite Halbleiterzone (24) der Schutzstruktur zwischen der ersten Bauelementzone (11) und dem Rand (105) angeordnet ist.Integrated circuit arrangement according to one of Claims 1 to 3, in which the first component zone ( 11 ) is arranged adjacent to an edge of the semiconductor body, wherein the connection zone ( 22 ) at not the edge ( 105 ) facing sides of the first component zone ( 11 ), and in which the second semiconductor zone ( 24 ) of the protective structure between the first component zone ( 11 ) and the edge ( 105 ) is arranged. Integrierte Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die wenigstens eine Verbindungszone (22) in der lateralen Richtung wenigstens abschnittsweise durch eine Isolationsschicht (23) elektrisch gegenüber der ersten Halbleiterschicht (103) isoliert ist.Integrated circuit arrangement according to one of the preceding claims, in which the at least one connection zone ( 22 ) in the lateral direction at least in sections by an insulating layer ( 23 ) electrically opposite the first semiconductor layer ( 103 ) is isolated. Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, bei dem die Verbindungszone (22) aus einem Metall oder aus einem dotierten polykristallinen Halbleitermaterial besteht.Integrated circuit arrangement according to Claim 7, in which the connection zone ( 22 ) consists of a metal or a doped polycrystalline semiconductor material. Integrierte Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Verbindungszone (22) eine dotierte Halbleiterzone des ersten Leitungstyps ist.Integrated circuit arrangement according to one of the preceding claims, in which the connection zone ( 22 ) is a doped semiconductor region of the first conductivity type. Integrierte Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Schutzstruktur eine dritte Halbleiterzone (28) des ersten Leitungstyps aufweist, die stärker als die erste Halbleiterschicht (103) dotiert ist, die in der lateralen Richtung zwischen der ersten Bauelementzone (11) und der zweiten Halbleiterzone (24) der Schutzstruktur (20) angeordnet ist und die an einen Anschluss für ein erstes Vorspannungspotential angeschlossen ist.Integrated circuit arrangement according to one of the preceding claims, in which the protective structure comprises a third semiconductor zone ( 28 ) of the first conductivity type, which is stronger than the first semiconductor layer ( 103 doped in the lateral direction between the first device zone (FIG. 11 ) and the second semiconductor zone ( 24 ) of the protective structure ( 20 ) and which is connected to a terminal for a first bias potential. Integrierte Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche, 1 bis 10 bei der die Schutzstruktur eine weitere Halbleiterzone (32) des ersten Leitungstyps aufweist, die stärker als die erste Halbleiterschicht (103) dotiert ist, die in der lateralen Richtung zwischen der Schutzstruktur und der zweiten Halbleiterzone (12) angeordnet ist und die an die zweite Halbleiterzone (24) und/oder die Verbindungszone (22) angeschlossen ist.Integrated circuit arrangement according to one of Claims 1 to 10, in which the protective structure comprises a further semiconductor zone ( 32 ) of the first conductivity type, which is stronger than the first semiconductor layer ( 103 doped in the lateral direction between the protective structure and the second semiconductor zone (FIG. 12 ) and to the second semiconductor zone ( 24 ) and / or the connection zone ( 22 ) connected. Integrierte Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der eine vierte Halbleiterzone (32) des zweiten Leitungstyps vorhanden ist, die in der lateralen Richtung zwischen der Verbindungszone (22) und der zweiten Bauelementzone (12) angeordnet ist und die an einen Anschluss für ein zweites Vorspannungspotential angeschlossen ist.Integrated circuit arrangement according to one of the preceding claims, in which a fourth semiconductor zone ( 32 ) of the second conductivity type, which in the lateral direction between the connection zone ( 22 ) and the second component zone ( 12 ) and which is connected to a terminal for a second bias potential. Integrierte Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der sich die erste Halbleiterschicht (103) in der vertikalen Richtung bis an die zweite Seite des Halbleiterkörpers (100) erstreckt.Integrated circuit arrangement according to one of the preceding claims, in which the first semiconductor layer ( 103 ) in the vertical direction to the second side of the semiconductor body ( 100 ). Integrierte Schaltungsanordnung nach einem Ansprüche 1 bis 12, bei der der Halbleiterkörper weiterhin aufweist: eine zweite Halbleiterschicht (104) des ersten Leitungstyps, die höher als die erste Halbleiterschicht (103) dotiert ist und die sich in der vertikalen Richtung in Richtung der zweiten Seite (102) an die erste Halbleiterschicht (103) anschließt, bei der die erste Halbleiterzone (21) der Schutzstruktur (20) Teil der zweiten Halbleiterschicht (104) ist.Integrated circuit arrangement according to one of Claims 1 to 12, in which the semiconductor body further comprises: a second semiconductor layer ( 104 ) of the first conductivity type higher than the first semiconductor layer ( 103 ) is doped and extending in the vertical direction in the direction of the second side ( 102 ) to the first semiconductor layer ( 103 ), in which the first semiconductor zone ( 21 ) of the protective structure ( 20 ) Part of the second semiconductor layer ( 104 ). Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 14, bei der der Halbleiterkörper (100) ein Halbleitersubstrat (105) aufweist, an das die zweite Halbleiterschicht (104) an einer der ersten Halbleiterschicht (103) abgewandten Seite angrenzt.Integrated circuit arrangement according to Claim 14, in which the semiconductor body ( 100 ) a semiconductor substrate ( 105 ), to which the second semiconductor layer ( 104 ) on one of the first semiconductor layer ( 103 ) facing away from the side. Integrierte Schaltungsanordnung nach Anspruch 14 oder 15, bei dem die erste und zweite Halbleiterschicht Epitaxieschichten sind.Integrated circuit arrangement according to claim 14 or 15, wherein the first and second semiconductor layers are epitaxial layers are. Integrierte Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 14 bis 16, die wenigstens eine sich ausgehend von der ersten Seite (101) in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper (100) hinein und durch die zweite Halbleiterschicht (104) hindurch erstreckende Isolationszone (51) aufweist, die die erste Halbleiterzone (21) von übrigen Bereichen der zweiten Halbleiterschicht (104) isoliert.Integrated circuit arrangement according to one of claims 14 to 16, which at least one starting from the first side ( 101 ) in the vertical direction in the semiconductor body ( 100 ) and through the second semiconductor layer ( 104 ) extending through isolation zone ( 51 ), the first semiconductor zone ( 21 ) of remaining regions of the second semiconductor layer ( 104 ) isolated.
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