[go: up one dir, main page]

DE102008014094A1 - Radiation emitting device for use in reflector bowl, has frame like contacts provided between semiconductor layer sequences and electrically connecting sequences, where sequences include active zone to produce electromagnetic radiation - Google Patents

Radiation emitting device for use in reflector bowl, has frame like contacts provided between semiconductor layer sequences and electrically connecting sequences, where sequences include active zone to produce electromagnetic radiation Download PDF

Info

Publication number
DE102008014094A1
DE102008014094A1 DE102008014094A DE102008014094A DE102008014094A1 DE 102008014094 A1 DE102008014094 A1 DE 102008014094A1 DE 102008014094 A DE102008014094 A DE 102008014094A DE 102008014094 A DE102008014094 A DE 102008014094A DE 102008014094 A1 DE102008014094 A1 DE 102008014094A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
radiation
semiconductor layer
emitting device
frame
sequences
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102008014094A
Other languages
German (de)
Inventor
Siegfried Herrmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102008014094A priority Critical patent/DE102008014094A1/en
Publication of DE102008014094A1 publication Critical patent/DE102008014094A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/82—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

The device (1) has a stack of semiconductor layer sequences (2) including an active zone (21) for producing electromagnetic radiation. Frame like contacts (4) are provided between the semiconductor layer sequences and are electrically and mechanically connect the layer sequences. The contacts are congruently arranged above each other. A frame section of the contacts includes a breadth of about 10 micrometers to 30 micrometers in a region. Gaps are provided in the contacts. A current spreading layer adjoins at the sequences. An independent claim is also included for a method for manufacturing a radiation emitting device.

Description

Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung angegeben, die einen Stapel aus Halbleiterschichtenfolgen aufweist. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung angegeben.It a radiation-emitting device is given, which has a Has stack of semiconductor layer sequences. About that In addition, a method for producing a radiation-emitting Device specified.

In den Druckschriften DE 102006039369 A1 und DE 102004026125 A1 werden strahlungsemittierende Vorrichtungen beschrieben.In the pamphlets DE 102006039369 A1 and DE 102004026125 A1 Radiation-emitting devices are described.

Es ist eine zu lösende Aufgabe, eine strahlungsemittierende Vorrichtung mit einer hohen Lichtausbeute zu erzeugen. Zudem soll ein Verfahren zu einer technisch einfachen Herstellung einer derartigen Vorrichtung angegeben werden.It is a problem to be solved, a radiation-emitting To produce device with a high luminous efficacy. In addition, should a method for a technically simple production of such Device can be specified.

Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung angegeben, die mindestens zwei Halbleiterschichtenfolgen aufweist. Jede dieser Halbleiterschichtenfolgen umfasst eine aktive Zone zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung.It is a radiation-emitting device specified that at least has two semiconductor layer sequences. Each of these semiconductor layers follows includes an active zone for generating electromagnetic radiation.

In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Halbleiterschichtenfolgen übereinander gestapelt angeordnet. Zwischen zwei Halbleiterschichtenfolgen befindet sich jeweils eine Kontaktierung, die die Halbleiterschichtenfolgen elektrisch verbindet.In In a preferred embodiment, the semiconductor layer sequences are one above the other arranged stacked. Located between two semiconductor layer sequences in each case a contact, which follow the semiconductor layers connects electrically.

Zur Erzielung einer hohen Auskoppeleffizienz sollten die Halbleiterschichtenfolgen und weitere Bestandteile der strahlungsemittierenden Vorrichtung derart ausgebildet sein, dass sie möglichst wenig Strahlung absorbieren. Dies ist besonders dann wichtig, wenn die erzeugte Strahlung einen längeren Weg in der strahlungsemittierenden Vorrichtung zurücklegen muss, bevor sie in die Umgebung ausgekoppelt wird. Bei der stapelförmigen Anordnung der Halbleiterschichtenfolgen wird in einer Ausführungsform die erzeugte Strahlung durch einen oberen Auskoppelbereich emittiert. Wird die Strahlung in einer Halbleiterschichtenfolge erzeugt, die von diesem Auskoppelbereich weit entfernt ist, so muss sie weitere Halbleiterschichtenfolgen möglichst verlustfrei passieren, bevor sie in die Umgebung emittiert werden kann.to Achieving a high coupling-out efficiency should follow the semiconductor layers and other components of the radiation-emitting device be designed so that they have as little radiation absorb. This is especially important when the generated Radiation a longer way in the radiation-emitting Device must travel before entering the environment is decoupled. In the stacked arrangement of the semiconductor layer sequences In one embodiment, the generated radiation is transmitted emits an upper outcoupling. If the radiation in a semiconductor layer sequence generated, which is far away from this decoupling, so must they pass on further semiconductor layer sequences as lossless as possible, before it can be emitted into the environment.

In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Kontaktierungen zwischen den Halbleiterschichtenfolgen rahmenförmig ausgebildet.In a preferred embodiment, the contacts formed frame-shaped between the semiconductor layer sequences.

Im Unterschied zu einer vollflächigen Kontaktierung weist eine rahmenförmige Kontaktierung Freibereiche auf, in denen die Halbleiterschichtenfolge nicht bedeckt wird. Dies führt dazu, dass ein geringerer Anteil der in der Vorrichtung erzeugten Strahlung von der Kontaktierung absorbiert wird. Vorzugsweise befinden sich innerhalb der Kontaktierung Freibereiche, die von Rahmenabschnitten der rahmenförmigen Kontaktierung umschlossen sind. Im Folgenden werden diese als innere Freibereiche bezeichnet. Zudem können auch im Außenraum der Kontaktierung Freibereiche vorgesehen sein, die nicht von Rahmenabschnitten umschlossen sind. Im Folgenden werden diese als äußere Freibereiche bezeichnet. Weiterhin können auch Freibereiche ausgebildet sein, die nur teilweise von Rahmenabschnitten umgeben sind. Es ist dabei jede beliebige Kombination von Freibereichen vorstellbar.in the Difference to a full-surface contact points a frame-shaped contacting outdoor areas in which the semiconductor layer sequence is not covered. this leads to that a lesser proportion of the generated in the device Radiation is absorbed by the contact. Preferably located within the contacting free areas, that of frame sections the frame-shaped contact are enclosed. Hereinafter these are referred to as inner free areas. In addition, you can Also provided in the outer space contacting contact areas which are not enclosed by frame sections. Hereinafter these are referred to as outer free areas. Furthermore, free areas can be formed, the are only partially surrounded by frame sections. It is every Any combination of free areas imaginable.

In weiteren Ausführungsformen können in einen Rahmenabschnitt einer rahmenförmigen Kontaktierung Unterbrechungen oder Ausnehmungen eingebracht sein. Dadurch wird ein geringerer Flächenanteil der Halbleiterschichtenfolge von der Kontaktierung bedeckt und die Absorption der Strahlung verringert.In Further embodiments may be in a frame section a frame-shaped contacting interruptions or Recesses be introduced. This results in a smaller proportion of area the semiconductor layer sequence covered by the contact and the Absorption of radiation reduced.

In einer bevorzugten Ausführungsform bildet die rahmenförmige Kontaktierung ein einfach zusammenhängendes Gebiet. Dies bringt es beispielsweise mit sich, dass, wenn zwischen zwei beliebigen Punkten der rahmenförmigen Kontaktierung ein elektrisches Potential angelegt wird, an der gesamten rahmenförmigen Kontaktierung ein Potential anliegt.In a preferred embodiment forms the frame-shaped Contacting a simply connected area. This For example, it brings with it that, if between any two Points of the frame-shaped contacting an electrical Potential is applied to the entire frame-shaped Contacting a potential is applied.

Die rahmenförmige Kontaktierung ist so ausgebildet und zwischen den Halbleiterschichtenfolgen angeordnet, dass sie eine gute elektrische Anbindung der Halbleiterschichtenfolgen gewährleistet. In einer bevorzugten Ausführungsform ist sie derart optimiert ausgestaltet, dass ein möglichst großer Flächenanteil der benachbarten Halbleiterschicht einen möglichst geringen lateralen Abstand zur rahmenförmigen Kontaktierung aufweist. Vorzugsweise kann die rahmenförmige Kontaktierung über die gesamte Fläche der benachbarten Halbleiterschicht einen gleichmäßigen Stromfluss erzeugen. Dazu kann beispielsweise die Form der rahmenförmigen Kontaktierung auf die Fläche der benachbarten Halbleiterschicht abgestimmt sein. Insbesondere sollte dabei der Bereich der Halbleiterschicht, der unterhalb oder oberhalb eines inneren Freibereichs der rahmenförmigen Kontaktierung angeordnet ist, ebenso gut kontaktiert werden können, wie der Bereich, der unterhalb oder oberhalb eines äußeres Freibereichs angeordnet ist. Insbesondere ist es günstig, die rahmenförmige Kontaktierung mittig auf der Halbleiterschicht anzuordnen.The Frame-shaped contact is formed and between the semiconductor layer sequences arranged so that they have a good electrical Ensures connection of the semiconductor layer sequences. In a preferred embodiment, it is optimized in this way designed that the largest possible proportion of area the adjacent semiconductor layer as small as possible Having lateral distance to the frame-shaped contact. Preferably, the frame-shaped contact via the entire area of the adjacent semiconductor layer is uniform Generate current flow. This can, for example, the shape of the frame-shaped Contacting the surface of the adjacent semiconductor layer be coordinated. In particular, the region of the semiconductor layer, the below or above an inner free area of the frame-shaped Contacting is arranged, can be contacted as well like the area below or above an outside Outdoor area is arranged. In particular, it is favorable to arrange the frame-shaped contact centered on the semiconductor layer.

Vorzugsweise stellen die rahmenförmigen Kontaktierungen nicht nur eine elektrische Verbindung der Halbleiterschichtenfolgen her, sondern verbinden diese auch mechanisch. Für die Stabilität der Vorrichtung ist es auch hier von Vorteil, wenn ein möglichst großer Flächenanteil der benachbarten Halbleiterschicht einen möglichst geringen Abstand zur rahmenförmigen Kontaktierung aufweist. Dabei ist wiederum eine mittige Anordnung günstig.Preferably do not make the frame-shaped contacts not only one electrical connection of the semiconductor layer sequences ago, but connect these also mechanically. For stability The device, it is also advantageous if a possible large area fraction of the adjacent semiconductor layer the smallest possible distance to the frame-shaped Having contact. Here again is a central arrangement Cheap.

In einer bevorzugten Ausführungsform sind die rahmenförmigen Kontaktierungen so ausgebildet, dass sie einen möglichst geringen Raumwinkelbereich abschatten. Auf diese Weise wird die Absorption der Strahlung an den Kontaktierungen vermindert und die Auskoppeleffizienz erhöht.In In a preferred embodiment, the frame-shaped Contacts are designed so that they are as possible Shadow on small solid angle range. In this way, the Absorption of radiation at the contacts diminished and the Decoupling efficiency increased.

Dazu sind die Kontaktierungen vorzugsweise übereinander angeordnet. Weisen die rahmenförmigen Kontaktierungen die gleiche Form auf, so lassen sie sich zudem technisch einfach und kostengünstig herstellen. In einer bevorzugten Ausführungsform sind rahmenförmige Kontaktierungen deckungsgleich übereinander angeordnet.To the contacts are preferably arranged one above the other. Do the frame-shaped contacts the same shape They can also be technically simple and cost-effective produce. In a preferred embodiment are frame-shaped Contacts arranged congruently one above the other.

Die rahmenförmigen Kontaktierungen weisen vorzugsweise eine gute elektrische Leitfähigkeit auf. Durch die elektrische Verbindung mittels einer derartigen Kontaktierung können die Halbleiterschichtenfolgen gemeinsam elektrisch kontaktiert werden, ohne dass ein Tunnelübergang zwischen den Halbleiterschichtenfolgen benötigt wird, wie es z. B. bei einem direkten mechanischen und elektrischen Kontakt der Halbleiterschichtenfolgen der Fall wäre. Somit kann die strahlungsemittierende Vorrichtung auch aus Materialien hergestellt werden, mit denen ein Tunnelübergang epitaktisch relativ schwer realisierbar ist.The frame-shaped contacts preferably have a good electrical conductivity. By the electric Connection by means of such contact can the semiconductor layer sequences are contacted electrically together, without a tunnel junction between the semiconductor layers is needed, as it is z. B. in a direct mechanical and electrical contact of the semiconductor layer sequences would be the case. Thus, the radiation-emitting device may also be made of materials be prepared, with which a tunnel junction epitaxially is relatively difficult to implement.

Vorzugsweise sind die Bestandteile der strahlungsemittierenden Vorrichtung so ausgebildet, dass von ihnen möglichst wenig Strahlung absorbiert wird.Preferably are the components of the radiation-emitting device so designed so that as little radiation is absorbed by them.

Dies kann zum Einen dadurch erreicht werden, dass die Halbleiterschichtenfolgen eine geringe Dicke aufweisen. Beispielsweise umfasst eine Halbleiterschichtenfolge eine p-dotierte Schicht, eine aktive Zone und eine n-dotierte Schicht. Die Schichtenfolgen können epitaktisch aufgewachsen sein und weisen vorzugsweise eine Dicke von weniger als 20 μm, insbesondere von weniger als 10 μm auf.This On the one hand, this can be achieved by the semiconductor layer sequences have a small thickness. By way of example, a semiconductor layer sequence comprises a p-doped layer, an active region and an n-doped layer. The layer sequences can be grown epitaxially and preferably have a thickness of less than 20 μm, especially less than 10 microns.

In einer Ausführungsform ist die strahlungsemittierende Vorrichtung auf einem Träger angeordnet. Beispielsweise ist dazu eine Halbleiterschichtenfolge, die den Stapel in einer Richtung abschließt, endständig mit dem Träger verbunden.In One embodiment is the radiation-emitting device arranged on a support. For example, this is one Semiconductor layer sequence, which terminates the stack in one direction, terminal connected to the carrier.

Der Kontakt mit einem Träger ermöglicht eine gute Abfuhr der in der Halbleiterschichtenfolge erzeugten Wärme. Zudem kann die Vorrichtung mittels des Trägers technisch einfach an ein weiteres Bauteil montiert werden.Of the Contact with a vehicle allows a good one Removal of the heat generated in the semiconductor layer sequence. In addition, the device by means of the carrier technically simply be mounted on another component.

In einer Ausführungsform werden absorbierende Materialien dadurch verringert, dass die strahlungsemittierende Vorrichtung frei von einem Träger ist. Dies hat den weiteren Vorteil, dass sich so an beiden Enden des Stapels Auskoppelbereiche ausbilden lassen und eine doppelseitige Emission ermöglicht wird. Dadurch kann die Strahlung auf mehreren Wegen die strahlungsemittierende Vorrichtung verlassen und wird zu einem geringeren Teil im Inneren absorbiert.In In one embodiment, absorbent materials are used thereby reducing the radiation-emitting device is free from a carrier. This has the further advantage that form coupling-out at both ends of the stack allow double-sided emission. As a result, the radiation can emit radiation in several ways Leave device and is absorbed to a lesser extent inside.

In einer bevorzugten Ausführungsform ist eine Stromaufweitungsschicht, beispielsweise ein transparentes leitfähiges Oxid (TCO), auf eine Halbleiterschichtenfolge aufgebracht.In a preferred embodiment is a current spreading layer, for example, a transparent conductive oxide (TCO), applied to a semiconductor layer sequence.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Stromaufweitungsschicht an eine p-dotierte Halbleiterschicht angrenzt, da diese meist eine geringe Querleitfähigkeit aufweist. Die Stromaufweitungsschicht steht vorzugsweise mit der rahmenförmigen Kontaktierung in direktem elektrischen Kontakt. Die Ladungsträger werden mittels der rahmenförmigen Kontaktierung in die Stromaufweitungsschicht injiziert. Dort werden die Ladungsträger aufgrund der großen Querleitfähigkeit der Stromaufweitungsschicht weitgehend gleichmäßig über die Fläche verteilt und in die Halbleiterschicht injiziert. Durch den Einsatz einer Stromaufweitungsschicht kann die Breite eines Rahmenabschnitts der rahmenförmigen Kontaktierung reduziert werden. Dies führt zu einer Verminderung der Absorption.Especially It is advantageous if the current spreading layer is p-doped Semiconductor layer adjacent, since these usually have a low transverse conductivity having. The current spreading layer is preferably connected to the frame-shaped contacting in direct electrical contact. The charge carriers are by means of the frame-shaped contact injected into the current spreading layer. There are the charge carriers due to the large transverse conductivity of the current spreading layer largely evenly over the area distributed and injected into the semiconductor layer. Because of the engagement A current spreading layer may be the width of a frame portion the frame-shaped contact can be reduced. This leads to a reduction of absorption.

In einer Ausführungsform liegt die rahmenförmige Kontaktierung auf der Stromaufweitungsschicht auf.In In one embodiment, the frame-shaped Contacting on the current spreading layer on.

Dabei befindet sich die rahmenförmige Kontaktierung auf der Seite der Stromaufweitungsschicht, die der Halbleiterschichtenfolge abgewandt ist.there is the frame-shaped contact on the side the current spreading layer facing away from the semiconductor layer sequence.

In einer weiteren Ausführungsform ragt die rahmenförmige Kontaktierung in die Stromaufweitungsschicht hinein.In In another embodiment, the frame-shaped protrudes Contacting into the current spreading layer.

Dazu sind auf der Seite der Stromaufweitungsschicht, die von der Halbleiterschichtenfolge abgewandt ist, Ausnehmungen eingebracht. Diese Ausnehmungen können durch die Stromaufweitungsschicht bis zur Halbleiterschichtenfolge führen. Die rahmenförmige Kontaktierung ragt in die Ausnehmungen hinein. Dadurch kann die Injektion von Ladungsträgern in die Stromaufweitungsschicht verbessert werden, da eine größere Kontaktfläche zwischen der Kontaktierung und der Stromaufweitungsschicht zur Verfügung steht. Reicht die rahmenförmige Kontaktierung durch die Stromaufweitungsschicht hindurch und befindet sich mit der Halbleiterschichtenfolge in direktem elektrischen Kontakt, so wird der Gesamtwiderstand der Anordnung reduziert. Dies ist insbesondere bei niedrigen Strömen vorteilhaft. Zudem ergibt sich bei einer Einbettung der Kontaktierung in die Stromaufweitungsschicht eine erhöhte Stabilität der Anordnung.To are on the side of the current spreading layer facing away from the semiconductor layer sequence is, recesses introduced. These recesses can through the current spreading layer up to the semiconductor layer sequence to lead. The frame-shaped contact protrudes into the recesses into it. This may cause the injection of charge carriers be improved in the current spreading layer, as a larger Contact surface between the contact and the current spreading layer is available. Reached the frame-shaped Contacting through the current spreading layer and is located is in direct electrical contact with the semiconductor layer sequence, this reduces the total resistance of the assembly. This is special advantageous at low currents. In addition, results at an embedding of the contact in the current spreading layer an increased stability of the arrangement.

In einer Ausführungsform befinden sich an einem oberen und einem unteren Ende des Stapels aus Halbleiterschichtenfolgen elektrische Kontakte. Diese elektrischen Kontakte können mittels Zuleitungen elektrisch angeschlossen werden.In an embodiment are located at an upper and a lower end of the stack of semiconductor layer sequences electrical Contacts. These electrical contacts can by means of leads be electrically connected.

Die elektrischen Kontakte können ebenfalls eine Rahmenform aufweisen. Dies ist besonders dann von Vorteil, wenn sich der Kontakt an einem Ende des Stapels befindet, an dem die Strahlung in die Umgebung ausgekoppelt wird. Ist die strahlungsemittierende Vorrichtung auf einem Träger angeordnet, durch den keine Auskopplung der Strahlung möglich ist, so kann hier auch ein flächiger Kontakt verwendet werden.The electrical contacts can also be a frame shape exhibit. This is especially beneficial when the contact located at one end of the stack where the radiation in the Environment is decoupled. Is the radiation-emitting device arranged on a support, through which no coupling The radiation is possible, so here can also be a surface Contact to be used.

In einer Ausführungsform sind die Halbleiterschichtenfolgen in Reihe geschaltet. Dadurch können alle Halbleiterschichtenfolgen gleichzeitig elektrisch kontaktiert werden. Dies erlaubt eine technisch einfache und kostengünstige elektrische Ansteuerung der Halbleiterschichtenfolgen.In In one embodiment, the semiconductor layers are sequences connected in series. As a result, all semiconductor layers can follow be contacted simultaneously electrically. This allows a technically simple and cost-effective electrical control of the semiconductor layer sequences.

In einer weiteren Ausführungsform sind die rahmenförmigen Kontaktierungen jeweils separat mit weiteren Zuleitungen elektrisch verbunden. Dies ermöglicht es, eine Halbleiterschichtenfolge unabhängig von den weiteren Halbleiterschichtenfolgen anzusteuern.In In another embodiment, the frame-shaped Contacting each separately with other leads electrically connected. This enables a semiconductor layer sequence independently of the further semiconductor layer sequences.

Dadurch kann in den verschiedenen Halbleiterschichtenfolgen ein unterschiedlicher Stromfluss erzeugt werden. Dies kann beispielsweise erwünscht sein, wenn die Halbleiterschichtenfolgen Strahlung unterschiedlicher Wellenlängen emittieren. Durch eine unabhängige Ansteuerung der Halbleiterschichtenfolgen können die jeweiligen Anteile der unterschiedlichen Strahlungsarten in der nach außen abgestrahlten Mischstrahlung flexibel eingestellt werden.Thereby can be a different in the different semiconductor layer sequences Electricity flow are generated. For example, this may be desirable if the semiconductor layer sequences radiation of different wavelengths emit. By an independent control of the semiconductor layer sequences can the respective proportions of different types of radiation Flexible in the outwardly emitted mixed radiation be set.

Zudem können durch eine unabhängige Kontaktierung die Halbleiterschichtenfolgen zeitlich versetzt angesteuert werden. Dies kann von Vorteil sein, wenn die spektrale Zusammensetzung einer von der Vorrichtung abgegebenen Mischstrahlung über die Zeit variiert werden soll.moreover can through an independent contacting the Semiconductor layer sequences are driven offset in time. This may be advantageous if the spectral composition is one of the device emitted mixed radiation over time should be varied.

Falls die strahlungsemittierende Vorrichtung über mehrere Auskoppelbereiche verfügt, kann durch eine unabhängige Ansteuerung der Halbleiterschichtenfolgen die Leuchtdichte auch räumlich variiert werden.If the radiation-emitting device over a plurality of decoupling areas can, by an independent control The semiconductor layers also follow the luminance spatially be varied.

In einer Ausführungsform der strahlungsemittierenden Vorrichtung befindet sich ein Auskoppelbereich an einem Ende des Schichtenstapels. In einer weiteren Ausführungsform befinden sich an beiden Enden des Schichtenstapels Auskoppelbereiche. Zudem können seitliche Auskoppelbereiche zwischen den Halbleiterschichtenfolgen vorgesehen sein.In an embodiment of the radiation-emitting device There is a decoupling area at one end of the layer stack. In a further embodiment are located at both Ends of the layer stack decoupling areas. In addition, you can lateral decoupling areas between the semiconductor layer sequences be provided.

Durch eine Vielzahl von Auskoppelbereichen wird ein geringerer Teil der Strahlung in der Vorrichtung absorbiert und es wird dadurch die Auskoppeleffizienz erhöht.By a large number of decoupling areas becomes a lesser part of Radiation absorbed in the device and it is characterized the Decoupling efficiency increased.

In einer vorteilhaften Ausführungsform sind die Oberseiten der Halbleiterschichtenfolgen zumindest teilweise aufgeraut oder weisen eine Nanostrukturierung auf.In an advantageous embodiment, the tops are the semiconductor layer sequences at least partially roughened or have a nanostructuring on.

Durch eine Aufrauung der Oberseiten wird die Auskoppeleffizienz der Vorrichtung erhöht. Die Halbleiterschichtenfolgen weisen meist einen Brechungsindex auf, der größer ist, als der Brechungsindex ihrer Umgebung. Beispielsweise kann sich zwischen zwei Halbleiterschichtenfolgen oder in der Umgebung eines Auskoppelbereichs Luft befinden. Trifft Strahlung von einem optisch dichteren Medium auf ein optisch dünneres Medium, so kann Totalreflexion der Strahlung eintreten.By a roughening of the tops becomes the decoupling efficiency of the device elevated. The semiconductor layer sequences usually have one Refractive index, which is greater than the refractive index their environment. For example, between two semiconductor layers can follow or in the vicinity of a decoupling area air. Meets radiation from a visually denser medium to an optically thinner Medium, so total reflection of the radiation can occur.

Der Anteil der reflektierten Strahlung hängt dabei vom Winkel ab, unter dem die Strahlung auf die Grenzfläche auftrifft. Wird die Strahlung an einer Grenzfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge und ihrer Umgebung zurück in die Halbleiterschichtenfolge reflektiert, so kann es vorkommen, dass die Strahlung an einer zur ersten Grenzfläche parallelen Grenzfläche wieder reflektiert wird. Bei parallel angeordneten Grenzflächen trifft die Strahlung immer unter demselben Winkel auf eine Grenzfläche und kann deshalb unter Umständen die Halbleiterschichtenfolge nicht verlassen. Ist die Oberfläche der Grenzfläche aufgeraut oder mit einer Strukturierung versehen, so ist die Wahrscheinlichkeit, dass die Strahlung an einer Grenzfläche reflektiert wird und dann auf eine weitere Grenzfläche trifft, die zur ersten Grenzfläche parallel ist, wesentlich geringer. Dies führt dazu, dass die Strahlung mit höherer Wahrscheinlichkeit unter einem Winkel auf eine Grenzfläche trifft, der für die Auskopplung günstig ist.Of the Proportion of the reflected radiation depends on the angle from where the radiation impinges on the interface. If the radiation at an interface between the semiconductor layer sequence and their environment reflected back into the semiconductor layer sequence, so it may happen that the radiation at one to the first interface parallel interface is reflected again. At parallel arranged interfaces always hits the radiation the same angle on an interface and therefore can may not leave the semiconductor layer sequence. Is the surface of the interface roughened or provided with a structuring, so the probability that the radiation is reflected at an interface and then hit another interface, the first Interface is parallel, much lower. this leads to cause the radiation to be more likely meets at an angle to an interface that is responsible for the decoupling is favorable.

In einer Ausführungsform befinden sich an den Oberseiten der Halbleiterschichtenfolgen Füllstoffe, die beispielsweise Nanopartikel enthalten. Dies bewirkt eine Streuung der auftreffenden Strahlung und eine Erhöhung der Auskoppeleffizienz.In an embodiment are located on the tops of the Semiconductor layers employ fillers, for example Contain nanoparticles. This causes a dispersion of the impinging Radiation and an increase in the coupling-out efficiency.

In einer vorteilhaften Ausführungsform ist zwischen zwei Halbleiterschichtenfolgen eine dielektrische Schicht angeordnet. Die dielektrische Schicht weist vorzugsweise einen Brechungsindex auf, der zwischen dem Brechungsindex der Halbleiterschichtenfolge und der Umgebung liegt.In An advantageous embodiment is between two semiconductor layer sequences a dielectric layer is arranged. The dielectric layer has preferably a refractive index that is between the refractive index the semiconductor layer sequence and the environment is located.

Durch die dielektrische Schicht wird der Sprung im Brechungsindex zwischen der Halbleiterschichtenfolge und seiner Umgebung in zwei kleinere Sprünge aufgeteilt. Auf diese Weise kann ein größerer Anteil der Strahlung aus der Halbleiterschichtenfolge austreten und in die dielektrische Schicht eintreten. Dieser Teil der Strahlung kann entweder weitere Halbleiterschichtenfolgen passieren oder direkt durch einen Auskoppelbereich in die Umgebung emittiert werden. Auf Grund des geringeren Unterschiedes im Brechungsindex zwischen der dielektrischen Schicht und der Umgebung kann ein größerer Teil der Strahlung ausgekoppelt werden.Through the dielectric layer, the jump in the refractive index between the semiconductors layer sequence and its surroundings divided into two smaller jumps. In this way, a larger proportion of the radiation can emerge from the semiconductor layer sequence and enter the dielectric layer. This part of the radiation can either pass through further semiconductor layer sequences or be emitted directly through an outcoupling region into the environment. Due to the smaller difference in refractive index between the dielectric layer and the environment, a greater part of the radiation can be extracted.

Vorzugsweise ist die dielektrische Schicht als Antireflexschicht ausgebildet. Beispielsweise kann so erreicht werden, dass Strahlung, die in einer unteren Halbleiterschichtenfolge erzeugt wird, die Vorrichtung möglichst reflexionsfrei durchlaufen und durch einen oberen Auskoppelbereich ausgekoppelt werden kann. Dazu können die Dicke und der Brechungsindex der dielektrischen Schicht geeignet gewählt werden. Beispielsweise ist die dielektrische Schicht als λ/4-Schicht ausgeführt und der Brechungsindex nd der dielektrischen Schicht erfüllt die Beziehung

Figure 00110001
wobei nl und n2 die Brechungsindizes der angrenzenden Schichten sind.Preferably, the dielectric layer is formed as an antireflection layer. For example, it can be achieved that radiation generated in a lower semiconductor layer sequence can pass through the device as free of reflections as possible and can be coupled out through an upper outcoupling region. For this purpose, the thickness and the refractive index of the dielectric layer can be suitably selected. For example, the dielectric layer is implemented as a λ / 4-layer and the refractive index n d of the dielectric layer satisfies the relationship
Figure 00110001
where n l and n 2 are the refractive indices of the adjacent layers.

In einer Ausführungsform kann die gesamte Vorrichtung von einer transparenten Umhüllung umgeben sein.In According to one embodiment, the entire device of be surrounded by a transparent envelope.

Vorzugsweise weist die transparente Umhüllung einen Brechungsindex auf, der zwischen dem Brechungsindex der Halbleiterschichtenfolgen und dem Brechungsindex der Umgebung liegt. Dadurch erhöht sich die Auskoppeleffizienz der emittierten Strahlung. Zudem kann die transparente Umhüllung so ausgestaltet sein, dass sie die Vorrichtung mechanisch stabilisiert und zur Abfuhr der in der Vorrichtung entstehenden Wärme beiträgt.Preferably the transparent cladding has a refractive index, between the refractive index of the semiconductor layer sequences and the Refractive index of the environment is. This increases the coupling-out efficiency of the emitted radiation. In addition, the transparent envelope be designed so that they Device mechanically stabilized and for the removal of the resulting in the device Heat contributes.

In einer Ausführungsform sind an der Oberseite einer Halbleiterschichtenfolge Auskoppelprismen ausgebildet.In an embodiment are at the top of a semiconductor layer sequence Decoupling prisms formed.

In einer weiteren Ausführungsform sind zwischen zwei Halbleiterschichtenfolgen Auskoppelprismen ausgebildet.In a further embodiment are between two semiconductor layer sequences Decoupling prisms formed.

Beispielsweise befinden sich die Auskoppelprismen in einer dielektrischen Schicht oder in einer Stromaufweitungsschicht.For example the decoupling prisms are in a dielectric layer or in a current spreading layer.

Auskoppelprismen können zur Streuung der Strahlung eingesetzt werden und so dazu beitragen, dass ein geringerer Anteil der Strahlung an einer Grenzfläche reflektiert wird. Zudem können Auskoppelprismen auch gezielt zur seitlichen Lichtauskopplung eingesetzt werden. Die Auskoppelprismen sind dann so ausgebildet, dass sie einen möglichst großen Teil der Strahlung zur Seite ablenken.outcoupling prisms can be used to scatter the radiation and so help reduce the amount of radiation at an interface is reflected. In addition, decoupling prisms can also be targeted be used for lateral light extraction. The decoupling prisms are then designed so that they have the largest possible Divert part of the radiation to the side.

In einer Ausführungsform ist die strahlungsemittierende Vorrichtung von optischen Elementen umgeben.In One embodiment is the radiation-emitting device surrounded by optical elements.

Diese optischen Elemente lenken die ausgekoppelte Strahlung in eine gewünschte Richtung oder einen gewünschten Raumwinkelbereich um. Beispielsweise kann dadurch die Strahlung in einen bestimmten Raumwinkelbereich fokussiert werden. In einer alternativen Ausführungsform bewirken optische Elemente eine Strahlaufweitung. Somit kann eine Flächenlichtquelle erzeugt werden.These optical elements deflect the coupled radiation into a desired one Direction or a desired solid angle range. For example can thereby the radiation in a certain solid angle range be focused. In an alternative embodiment optical elements cause a beam widening. Thus, a Area light source can be generated.

Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung angegeben.Farther is a method for producing a radiation-emitting Device specified.

Hierzu werden mehrere Halbleiterschichtenfolgen bereitgestellt, die jeweils eine aktive Zone umfassen. Auf die Halbleiterschichtenfolgen werden rahmenförmige Kontaktierungen aufgebracht. Mittels der rahmenförmigen Kontaktierungen werden die Halbleiterschichtenfolgen mechanisch und elektrisch verbunden.For this a plurality of semiconductor layer sequences are provided, each one comprise an active zone. On the semiconductor layer sequences are frame-shaped Contacting applied. By means of the frame-shaped Contacting the semiconductor layer sequences become mechanical and electrically connected.

Dabei kann so vorgegangen werden, dass auf zwei zu verbindende Halbleiterschichtenfolgen rahmenförmige Kontaktierungen aufgebracht werden, die anschließend ihrerseits miteinander verbunden werden. Dadurch ergibt sich eine rahmenförmige Kontaktierung zweier Halbleiterschichtenfolgen, die aus zwei rahmenförmigen Kontaktierungen zusammengesetzt ist. In analoger Weise können weitere Halbleiterschichtenfolgen aufgebracht werden.there can be proceeded so that on two semiconductor layer sequences to be connected frame-shaped Contacting be applied, which in turn subsequently be connected to each other. This results in a frame-shaped contact two semiconductor layers consisting of two frame-shaped Contacts is composed. In an analogous way further semiconductor layer sequences are applied.

In einem alternativen Verfahren kann bei der Verbindung zweier Halbleiterschichtenfolgen nur auf eine Halbleiterschichtenfolge eine rahmenförmige Kontaktierung aufgebracht werden. Diese Kontaktierung kann dann direkt mit der weiteren Halbleiterschichtenfolge verbunden werden.In An alternative method can be used in the connection of two semiconductor layers only on a semiconductor layer sequence a frame-shaped contact be applied. This contact can then directly with the further semiconductor layer sequence can be connected.

Diese Vorgehensweise hat den Vorteil, dass die Halbleiterschichtenfolgen bei der gegenseitigen Verbindung nicht so exakt horizontal positioniert werden müssen, wie es beim Verbinden zweier rahmenförmiger Kontaktierungen der Fall ist.These The approach has the advantage that the semiconductor layer sequences not so exactly horizontally positioned at the mutual connection need to be, as when connecting two frame-shaped Contacting the case is.

Zur Verbesserung des Stromflusses kann eine Stromaufweitungsschicht auf eine Halbleiterschichtenfolge aufgebracht werden. Die Stromaufweitungsschicht wird bevorzugt auf eine gleitende Halbleiterschicht aufgebracht, da diese meist eine geringe Querleitfähigkeit aufweist.to Improvement of current flow can be a current spreading layer be applied to a semiconductor layer sequence. The current spreading layer is preferably applied to a sliding semiconductor layer, since this usually has a low transverse conductivity.

Dabei kann so vorgegangen werden, dass auf eine Halbleiterschichtenfolge eine Stromaufweitungsschicht und auf diese eine rahmenförmige Kontaktierung aufgebracht wird. Die rahmenförmige Kontaktierung kann dann analog zum oben beschriebenen Vorgehen mit einer weiteren rahmenförmigen Kontaktierung verbunden werden. Alternativ dazu kann die rahmenförmige Kontaktierung direkt mit einer weiteren Halbleiterschichtenfolge verbunden werden.In this case, it is possible to proceed in such a way that a current spreading layer is applied to a semiconductor layer sequence and to this a frame-shaped contacting. The frame-shaped contact can then be analogous to the above description NEN approach to be connected to another frame-shaped contact. Alternatively, the frame-shaped contact can be connected directly to a further semiconductor layer sequence.

In einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird eine Stromaufweitungsschicht auf eine Halbleiterschichtenfolge aufgebracht und es werden Ausnehmungen in die Stromaufweitungsschicht eingebracht. In die Ausnehmungen wird eine rahmenförmige Kontaktierung eingebracht. Die rahmenförmige Kontaktierung kann dann analog zum oben beschriebenen Vorgehen mit einer weiteren rahmenförmigen Kontaktierung verbunden werden. Alternativ dazu kann die rahmenförmige Kontaktierung direkt mit einer weiteren Halbleiterschichtenfolge verbunden werden.In Another embodiment of the method becomes a Current spreading layer applied to a semiconductor layer sequence and recesses are introduced into the current spreading layer. In the recesses is a frame-shaped contact brought in. The frame-shaped contact can then analogous to the procedure described above with a further frame-shaped contact get connected. Alternatively, the frame-shaped Contacting directly with another semiconductor layer sequence get connected.

Im Folgenden werden die strahlungsemittierende Vorrichtung, ihre vorteilhaften Ausgestaltungen und Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung anhand von schematischen und nicht maßstabsgetreuen Figuren erläutert. Es zeigen:in the Below are the radiation-emitting device, its advantageous Embodiments and methods for producing a radiation-emitting Device on the basis of schematic and not to scale Figures explained. Show it:

1A im Querschnitt eine Ausführungsform einer strahlungsemittierenden Vorrichtung, 1A in cross-section an embodiment of a radiation-emitting device,

1B in der Aufsicht eine Halbleiterschichtenfolge, auf der sich eine rahmenförmige Kontaktierung befindet, 1B in the plan view, a semiconductor layer sequence on which a frame-shaped contact is located,

2A im Querschnitt eine Halbleiterschichtenfolge mit einer Stromaufweitungsschicht und einer rahmenförmigen Kontaktierung, 2A a semiconductor layer sequence with a current spreading layer and a frame-shaped contacting in cross-section,

2B im Querschnitt eine Halbleiterschichtenfolge mit einer Stromaufweitungsschicht und einer rahmenförmigen Kontaktierung, 2 B a semiconductor layer sequence with a current spreading layer and a frame-shaped contacting in cross-section,

3 schematisch ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung nach 1A, 3 schematically a method for producing a radiation-emitting device according to 1A .

4 schematisch verschiedene Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung mit Stromaufweitungsschichten, 4 schematically different methods for producing a radiation-emitting device with current spreading layers,

5A eine Möglichkeit zur elektrischen Kontaktierung der strahlungsemittierenden Vorrichtung, 5A a possibility for electrical contacting of the radiation-emitting device,

5B eine weitere Möglichkeit zur elektrischen Kontaktierung der strahlungsemittierenden Vorrichtung, 5B a further possibility for electrical contacting of the radiation-emitting device,

6 im Querschnitt eine strahlungsemittierende Vorrichtung mit dielektrischen Schichten und Auskoppelprismen, 6 in cross-section, a radiation-emitting device with dielectric layers and coupling-out prisms,

7 im Querschnitt eine strahlungsemittierende Vorrichtung, die von optischen Elementen umgeben ist, 7 in cross-section a radiation-emitting device which is surrounded by optical elements,

8A in schräger Aufsicht eine strahlungsemittierende Vorrichtung mit einer zylinderförmigen, transparenten Umhüllung, 8A in oblique view a radiation-emitting device with a cylindrical, transparent envelope,

8B in schräger Aufsicht die strahlungsemittierende Vorrichtung nach 8A, die in eine Reflektorwanne eingebettet ist, 8B in oblique view the radiation-emitting device according to 8A embedded in a reflector pan,

8C im Querschnitt eine strahlungsemittierende Vorrichtung, die in eine Reflektorwanne eingebettet ist, 8C in cross-section a radiation-emitting device which is embedded in a reflector trough,

8D in schräger Aufsicht eine strahlungsemittierende Vorrichtung nach 8A, die von einem Kühlkörper umgeben ist. 8D in oblique view, a radiation-emitting device according to 8A which is surrounded by a heat sink.

1A zeigt eine strahlungsemittierende Vorrichtung 1, die einen Stapel aus Halbleiterschichtenfolgen 2 umfasst. Eine Halbleiterschichtenfolge 2 enthält eine n-dotierte Halbleiterschicht 22, eine aktive Zone 21 zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung und eine p-dotierte Halbleiterschicht 23. 1A shows a radiation-emitting device 1 which follow a stack of semiconductor layers 2 includes. A semiconductor layer sequence 2 contains an n-doped semiconductor layer 22 , an active zone 21 for generating electromagnetic radiation and a p-doped semiconductor layer 23 ,

Die Halbleiterschichten 21, 22, 23 sind vorzugsweise epitaktisch aufgewachsen. Eine Halbleiterschichtenfolge 2 hat beispielsweise eine Dicke von weniger als 20 μm, insbesondere von weniger als 10 μm. Die n- bzw. p-dotierten Halbleiterschichten 22, 23 basieren beispielsweise auf Galliumnitrid, die aktive Zone 21 auf Indiumgalliumnitrid.The semiconductor layers 21 . 22 . 23 are preferably grown epitaxially. A semiconductor layer sequence 2 For example, has a thickness of less than 20 microns, in particular less than 10 microns. The n- or p-doped semiconductor layers 22 . 23 For example, based on gallium nitride, the active zone 21 on indium gallium nitride.

Zwischen den Halbleiterschichtenfolgen 2 befinden sich rahmenförmige Kontaktierungen 4, die diese mechanisch und elektrisch verbinden. Die rahmenförmigen Kontaktierungen 4 enthalten beispielsweise eine Gold-Zinn-Legierung. Alternativ dazu kann auch ein TCO-Material oder ein transparentes, elektrisch leitfähiges Kunststoffmaterial verwendet werden.Between the semiconductor layer sequences 2 are frame-shaped contacts 4 that connect them mechanically and electrically. The frame-shaped contacts 4 contain, for example, a gold-tin alloy. Alternatively, a TCO material or a transparent, electrically conductive plastic material may be used.

In der hier gezeigten Ausführungsform weisen die rahmenförmigen Kontaktierungen 4 eine einheitliche, rechteckige Form auf und sind übereinander deckungsgleich angeordnet. In einer bevorzugten Ausführungsform sind die rahmenförmigen Kontaktierungen verspiegelt. Durch die Verspiegelung wird nur ein geringer Teil der Strahlung von den Kontaktierungen absorbiert. Dadurch erhöht sich die Auskoppeleffizienz der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1.In the embodiment shown here, the frame-shaped contacts 4 a uniform, rectangular shape and are arranged on top of each other congruent. In a preferred embodiment, the frame-shaped contacts are mirrored. Due to the mirroring only a small part of the radiation is absorbed by the contacts. This increases the coupling-out efficiency of the radiation-emitting device 1 ,

Die Halbleiterschichtenfolgen 2 weisen je zwei Oberseiten 81 auf. Die Oberseiten 81 sind vorzugsweise aufgeraut, um die Auskopplung der in der aktiven Zone 21 erzeugten Strahlung zu erhöhen.The semiconductor layers follow 2 each have two tops 81 on. The tops 81 are preferably roughened to decoupling in the active zone 21 increase radiation generated.

Die Halbleiterschichtenfolgen 2 sind seitlich von einer Passivierung 24 umgeben, die beispielsweise Siliziumdioxid enthält. Die Passivierung 24 dient dem mechanischen Schutz und der elektrischen Isolierung der Halbleiterschichtenfolgen 2.The semiconductor layers follow 2 are laterally of a passivation 24 surrounded, for example, containing silicon dioxide. The passivation 24 serves the mechanical protection and the electrical insulation of the semiconductor layer sequences 2 ,

In der hier dargestellten Ausführungsform wird die Strahlung über einen oberen Auskoppelbereich 8 in die Umgebung emittiert. Der Auskoppelbereich 8 entspricht hier der Oberseite 81 einer Halbleiterschichtenfolge 2. Auf diese Oberseite 81 ist ein elektrischer Kontakt 41 aufgebracht, über den die strahlungsemittierende Vorrichtung 1 elektrisch angeschlossen werden kann. Der elektrische Kontakt 41 kann zur Verbesserung der Lichtauskopplung ebenfalls rahmenförmig ausgeführt sein.In the embodiment illustrated here, the radiation is transmitted via an upper outcoupling region 8th emitted into the environment. The decoupling area 8th corresponds here to the top 81 a semiconductor layer sequence 2 , On this top 81 is an electrical contact 41 applied over which the radiation-emitting device 1 can be electrically connected. The electrical contact 41 can also be executed frame-shaped to improve the light extraction.

Der Stapel aus Halbleiterschichtenfolgen 2 befindet sich auf einem Träger 5. Zwischen dem Träger 5 und der direkt dazu benachbarten Halbleiterschichtenfolge 2 ist eine Spiegelschicht 51 angeordnet. Die Spiegelschicht 51 reflektiert aus dem Stapel kommende Strahlung in den Stapel aus Halbleiterschichtenfolgen 2 zurück und verhindert damit eine Absorption der Strahlung im Träger 5.The stack of semiconductor layers follow 2 is on a carrier 5 , Between the carrier 5 and the semiconductor layer sequence directly adjacent thereto 2 is a mirror layer 51 arranged. The mirror layer 51 reflects radiation coming from the stack into the stack of semiconductor layer sequences 2 back and thus prevents absorption of the radiation in the carrier 5 ,

In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst das Trägersubstrat Halbleitermaterialien wie Silizium, Siliziumkarbid, Galliumarsenid, Galliumnitrid oder Germanium.In a preferred embodiment comprises the carrier substrate Semiconductor materials such as silicon, silicon carbide, gallium arsenide, Gallium nitride or germanium.

Die Spiegelschicht 51 kann beispielsweise als metallische Spiegelschicht oder als dielektrische Spiegelschicht ausgeführt sein. Mittels eines dielektrischen Materials wird die Reflexion der auftreffenden Strahlung aufgrund eines Sprunges im Brechungsindex erreicht. Eine dielektrische Spiegelschicht kann auch als Bragg-Spiegel ausgeführt sein. Durch eine dielektrische Spiegelschicht sind vorzugsweise elektrische Kontaktierungen hindurchgeführt (nicht dargestellt).The mirror layer 51 For example, it can be embodied as a metallic mirror layer or as a dielectric mirror layer. By means of a dielectric material, the reflection of the incident radiation is achieved due to a jump in the refractive index. A dielectric mirror layer can also be designed as a Bragg mirror. By a dielectric mirror layer preferably electrical contacts are passed (not shown).

Der Träger 5 kann mit der Spiegelschicht 51 verlötet sein. Um eine Diffusion des Lötmaterials in die Spiegelschicht 51 zu verhindern, kann eine Diffusionssperre (nicht gezeigt) auf der Spiegelschicht 51 aufgebracht sein.The carrier 5 can with the mirror layer 51 be soldered. To a diffusion of the solder material in the mirror layer 51 To prevent, a diffusion barrier (not shown) on the mirror layer 51 be upset.

Auf dem Träger 5 befindet sich ein unterer Kontakt 42, über den die strahlungsemittierende Vorrichtung 1 elektrisch angeschlossen werden kann. Der untere Kontakt 42 kann mittels eines elektrisch leitenden Materials, beispielsweise eines Lotes oder eines elektrisch leitfähigen Klebers, auf dem Träger 5 befestigt oder auf ihn aufgesputtert oder aufgedampft sein.On the carrier 5 there is a lower contact 42 over which the radiation-emitting device 1 can be electrically connected. The lower contact 42 can by means of an electrically conductive material, such as a solder or an electrically conductive adhesive on the support 5 attached or sputtered onto it or vapor-deposited.

1B zeigt in der Aufsicht eine rahmenförmige Kontaktierung 4, die auf einer Halbleiterschichtenfolge 2 aufgebracht ist. Die rahmenförmige Kontaktierung 4 umschließt einen inneren Freibereich 44 und ist von einem äußeren Freibereich 45 umgeben, in denen sie die Halbleiterschichtenfolge 2 jeweils nicht bedeckt. Ein Rahmenabschnitt 43 der rahmenförmigen Kontaktierung 4 hat vorzugsweise eine Breite b im Bereich von 10 μm bis 30 μm. Die Breite b des Rahmenabschnitts 43 ist so gewählt, dass die rahmenförmige Kontaktierung 4 einen möglichst geringen Teil der Oberseite 81 einer Halbleiterschichtenfolge 2 bedeckt, aber dennoch eine gleichmäßige Stromverteilung sicherstellt. Vorzugsweise sind die übrigen Abmessungen der rahmenförmigen Kontaktierung so gewählt, dass ein möglichst großer Flächenanteil der Halbleiterschichtenfolge 2 einen möglichst geringen lateralen Abstand zur rahmenförmigen Kontaktierung 4 hat. Bei der hier gezeigten rechteckigen Form ist beispielsweise die Länge l eines Rahmenabschnitts 43 eine der zu wählenden Abmessungen. 1B shows in the supervision of a frame-shaped contact 4 on a semiconductor layer sequence 2 is applied. The frame-shaped contact 4 encloses an inner open area 44 and is from an outdoor outdoor area 45 in which they surround the semiconductor layer 2 each not covered. A frame section 43 the frame-shaped contact 4 preferably has a width b in the range of 10 microns to 30 microns. The width b of the frame section 43 is chosen so that the frame-shaped contacting 4 the smallest possible part of the top 81 a semiconductor layer sequence 2 covered, but still ensures a uniform power distribution. Preferably, the remaining dimensions of the frame-shaped contacting are selected such that the largest possible area proportion of the semiconductor layer sequence 2 the smallest possible lateral distance to the frame-shaped contacting 4 Has. In the rectangular shape shown here, for example, the length l of a frame section 43 one of the dimensions to choose.

Die 2A und 2B zeigen Halbleiterschichtenfolgen 2, die mit Stromaufweitungsschichten 6 verbunden sind. Eine Stromaufweitungsschicht 6 grenzt dabei vorzugsweise an eine p-dotierte Halbleiterschicht 23 an. Die Halbleiterschichtenfolgen 2 können wie in 1A in einer strahlungsemittierenden Vorrichtung 1 angeordnet sein.The 2A and 2 B show semiconductor layer sequences 2 that with current spreading layers 6 are connected. A current spreading layer 6 In this case, it preferably adjoins a p-doped semiconductor layer 23 at. The semiconductor layers follow 2 can like in 1A in a radiation-emitting device 1 be arranged.

Die Stromaufweitungsschicht 6 enthält vorzugsweise ein transparentes leitendes Oxid (TCO), wie z. B. Indiumzinnoxid. Beispielsweise kann die Stromaufweitungsschicht 6 auf die Halbleiterschicht 23 aufgesputtert werden.The current spreading layer 6 preferably contains a transparent conductive oxide (TCO), such as. B. indium tin oxide. For example, the current spreading layer 6 on the semiconductor layer 23 sputtered on.

In 2A liegt die rahmenförmige Kontaktierung 4 auf der Stromaufweitungsschicht 6 auf. Sie kann beispielsweise mittels Aufsputtern, Aufdampfen oder galvanischer Abscheidung auf die Stromaufweitungsschicht 6 aufgebracht werden.In 2A is the frame-shaped contact 4 on the current spreading layer 6 on. It can, for example, by means of sputtering, vapor deposition or galvanic deposition on the current spreading layer 6 be applied.

In 2B ragt die rahmenförmige Kontaktierung 4 in die Stromaufweitungsschicht 6 hinein. In der gezeigten Ausführungsform führt die rahmenförmige Kontaktierung 4 durch die Stromaufweitungsschicht 6 hindurch und grenzt an die p-dotierte Halbleiterschicht 23 an.In 2 B protrudes the frame-shaped contact 4 in the current spreading layer 6 into it. In the embodiment shown, the frame-shaped contact leads 4 through the current spreading layer 6 and adjoins the p-doped semiconductor layer 23 at.

Zum Einbringen der rahmenförmigen Kontaktierung 4 können in einem fotolithographischen Prozess Ausnehmungen in der Stromaufweitungsschicht 6 ausgebildet werden. Danach können die rahmenförmigen Kontaktierungen 4 in diese Ausnehmungen durch Aufsputtern, Aufdampfen oder mittels galvanischer Abscheidung eingebracht werden.For introducing the frame-shaped contact 4 can in a photolithographic process recesses in the current spreading layer 6 be formed. Thereafter, the frame-shaped contacts 4 be introduced into these recesses by sputtering, vapor deposition or by electrodeposition.

3 zeigt schematisch ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung. 3 shows schematically a method for producing a radiation-emitting device.

In einem ersten Schritt A werden mehrere Halbleiterschichtenfolgen 2 bereitgestellt. Dabei kann eine der Halbleiterschichtenfolgen 2 auf einem Träger 5 angeordnet sein. Die weiteren Halbleiterschichtenfolgen 2 weisen vorzugsweise kein Trägersubstrat auf.In a first step A several Semiconductor layer sequences 2 provided. In this case, one of the semiconductor layers can follow 2 on a carrier 5 be arranged. The further semiconductor layers follow 2 preferably have no carrier substrate.

In einem zweiten Schritt B werden rahmenförmige Kontaktierungen 4 auf Oberseiten 81 der Halbleiterschichtenfolgen 2 aufgebracht. Dies geschieht beispielsweise in einem fotolithographischen Prozess mittels Aufsputtern, Aufdampfen oder galvanischer Abscheidung.In a second step B frame-shaped contacts 4 on tops 81 the semiconductor layer sequences 2 applied. This is done for example in a photolithographic process by means of sputtering, vapor deposition or electrodeposition.

In einem dritten Schritt C werden die rahmenförmigen Kontaktierungen 4 beispielsweise mittels Verlöten oder Verkleben miteinander verbunden. Vorzugsweise sind die Halbleiterschichtenfolgen 2 dabei so angeordnet, dass sich p- 23 und n-dotierte 22 Halbleiterschichten entlang der Stapelrichtung abwechseln.In a third step C, the frame-shaped contacts 4 For example, connected by means of soldering or gluing together. Preferably, the semiconductor layers are sequences 2 arranged so that p- 23 and n-doped 22 Alternate semiconductor layers along the stacking direction.

In 4 sind verschiedene Verfahren 4A, 4B, 4C zur Verbindung zweier Halbleiterschichtenfolgen 2 dargestellt. Auf eine obere Halbleiterschichtenfolge 2 ist jeweils eine Stromaufweitungsschicht 6 aufgebracht. Vorzugsweise grenzt die Stromaufweitungsschicht 6 an die p-dotierte Halbleiterschicht 23 an.In 4 are different procedures 4A . 4B . 4C for connecting two semiconductor layer sequences 2 shown. On an upper semiconductor layer sequence 2 each is a current spreading layer 6 applied. Preferably, the current spreading layer is adjacent 6 to the p-doped semiconductor layer 23 at.

Auf eine untere Halbleiterschichtenfolge 2 ist eine rahmenförmige Kontaktierung 4 aufgebracht. Diese ist beispielsweise aufgesputtert oder aufgedampft. Die untere Halbleiterschichtenfolge 2 ist auf einem Träger 5 angeordnet. Das dargestellte Verfahren kann jedoch in analoger Weise durchgeführt werden, wenn die untere Halbleiterschichtenfolge 2 nicht auf einem Träger 5 angeordnet ist.On a lower semiconductor layer sequence 2 is a frame-shaped contact 4 applied. This is, for example sputtered or evaporated. The lower semiconductor layer sequence 2 is on a carrier 5 arranged. However, the illustrated method can be carried out in an analogous manner, if the lower semiconductor layer sequence 2 not on a carrier 5 is arranged.

Bei dem Verfahren 4A wird auf die Stromaufweitungsschicht 6 eine rahmenförmige Kontaktierung 4 aufgebracht. Dies geschieht beispielsweise durch Aufsputtern, Aufdampfen oder galvanische Abscheidung. In einem weiteren Schritt werden die rahmenförmigen Kontaktierungen 4 zweier Halbleiterschichtenfolgen 2 verlötet oder verklebt. Beim Hinzufügen weiterer Halbleiterschichtenfolgen 2 kann analog dazu vorgegangen werden.In the process 4A gets onto the current spreading layer 6 a frame-shaped contact 4 applied. This happens for example by sputtering, vapor deposition or electrodeposition. In a further step, the frame-shaped contacts 4 two semiconductor layers 2 soldered or glued. When adding further semiconductor layers 2 can be proceeded analogously.

Beim Verfahren 4B wird die Stromaufweitungsschicht 6 der oberen Halbleiterschichtenfolge direkt mit der rahmenförmigen Kontaktierung 4 der unteren Halbleiterschichtenfolge 2 verbunden, beispielsweise verklebt oder verlötet.In the process 4B becomes the current spreading layer 6 the upper semiconductor layer sequence directly with the frame-shaped contact 4 the lower semiconductor layer sequence 2 connected, for example, glued or soldered.

Beim Verfahren 4C reicht die rahmenförmige Kontaktierung 4 der oberen Halbleiterschichtenfolge 2 in die Stromaufweitungsschicht 6 hinein. Dazu können in einem fotolithographischen Prozess Ausnehmungen in die Stromaufweitungsschicht 6 eingebracht werden. Diese Ausnehmungen können mit einem elektrisch leitfähigen Material, beispielsweise einem Metall oder einem Kunststoff, aufgefüllt werden. In der gezeigten Ausführungsform reicht die rahmenförmige Kontaktierung 4 durch die Stromaufweitungsschicht 6 hindurch und grenzt an die p-dotierte Halbleiterschicht 23 an. In anderen Ausführungsformen kann die rahmenförmige Kontaktierung 4 in die Stromaufweitungsschicht 6 hinein reichen, ohne dass sie an die p-dotierte Halbleiterschicht 23 angrenzt. Die rahmenförmige Kontaktierung 4 wird mit der rahmenförmigen Kontaktierung 4 der unteren Halbleiterschichtenfolge 2 verbunden.In the process 4C extends the frame-shaped contact 4 the upper semiconductor layer sequence 2 in the current spreading layer 6 into it. For this purpose, in a photolithographic process recesses in the current spreading layer 6 be introduced. These recesses can be filled with an electrically conductive material, for example a metal or a plastic. In the embodiment shown, the frame-shaped contacting is sufficient 4 through the current spreading layer 6 and adjoins the p-doped semiconductor layer 23 at. In other embodiments, the frame-shaped contact 4 in the current spreading layer 6 into it, without them to the p-doped semiconductor layer 23 borders. The frame-shaped contact 4 is with the frame-shaped contact 4 the lower semiconductor layer sequence 2 connected.

In 5A ist eine Ausführungsform der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1 dargestellt, bei der die Halbleiterschichtenfolgen 2 in Reihe geschaltet sind.In 5A is an embodiment of the radiation-emitting device 1 shown in which the semiconductor layers follow 2 are connected in series.

Dazu ist der obere Kontakt 41 mittels einer oberen Zuleitung 91 und der untere Kontakt 42 mittels einer unteren Zuleitung 92 elektrisch angeschlossen.This is the upper contact 41 by means of an upper supply line 91 and the lower contact 42 by means of a lower supply line 92 electrically connected.

Der obere Kontakt 41 kann ebenfalls rahmenförmig oder als ein so genanntes Bondpad ausgeführt sein. Die obere Zuleitung 91 ist beispielsweise ein Bonddraht, der auf den oberen Kontakt 41 aufgelötet ist. An ihrem anderen Ende ist die obere Zuleitung 91 beispielsweise mit einem Anschlussbereich einer Leiterplatte elektrisch verbunden. Der untere Kontakt 42 ist hier flächig ausgeführt. Er wird mit einer unteren Zuleitung 92 verbunden, die beispielsweise eine Leiterbahnstruktur einer Leiterplatte sein kann.The upper contact 41 may also be designed frame-shaped or as a so-called bond pad. The upper supply line 91 For example, a bonding wire is on the top contact 41 is soldered. At the other end is the upper feed line 91 For example, electrically connected to a terminal region of a printed circuit board. The lower contact 42 is executed here flat. He is using a lower supply line 92 connected, which may be, for example, a wiring pattern of a printed circuit board.

Durch die Reihenschaltung der Halbleiterschichtenfolgen 2 wird der elektrische Anschluss kostengünstig und technisch einfach verwirklicht. Es werden nur zwei Zuleitungen 91, 92 benötigt. Dies verringert zudem den Platzbedarf der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1.By the series connection of the semiconductor layer sequences 2 the electrical connection is realized inexpensively and technically simple. There are only two leads 91 . 92 needed. This also reduces the space requirement of the radiation-emitting device 1 ,

5B zeigt eine weitere Ausführungsform der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1, bei der die Halbleiterschichtenfolgen 2 unabhängig voneinander kontaktiert werden können. 5B shows a further embodiment of the radiation-emitting device 1 in which the semiconductor layers follow 2 can be contacted independently.

Analog zu der in 5A gezeigten Ausführungsform weist die strahlungsemittierende Vorrichtung 1 eine obere 91 und eine untere 92 Zuleitung auf. Darüber hinaus ist jede rahmenförmige Kontaktierung 4 mit einer weiteren Zuleitung 93 verbunden. Somit kann jede Halbleiterschichtenfolge 2 mittels zweier Zuleitungen 91, 92, 93 elektrisch kontaktiert werden.Analogous to the in 5A embodiment shown, the radiation-emitting device 1 an upper one 91 and a lower one 92 Lead on. In addition, every frame-shaped contact 4 with another supply line 93 connected. Thus, each semiconductor layer sequence 2 by means of two supply lines 91 . 92 . 93 be contacted electrically.

Die Zuleitungen 93 sind beispielsweise als Nanodrähte ausgeführt und mit den rahmenförmigen Kontaktierungen 4 verlötet oder verklebt.The supply lines 93 are designed, for example, as nanowires and with the frame-shaped contacts 4 soldered or glued.

In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Zuleitungen 93 Kontaktbahnen, die auf ein transparentes Material aufgebracht sind.In a preferred embodiment, the leads are 93 Contact tracks that are applied to a transparent material.

Dazu kann die strahlungsemittierende Vorrichtung 1 schrittweise mit einem transparenten Vergussmaterial (nicht gezeigt) umgeben werden. Beispielsweise wird am unteren Ende des Stapels beginnend die strahlungsemittierende Vorrichtung 1 mit dem Vergussmaterial ummantelt. Es wird solange Vergussmaterial aufgefüllt, bis das Vergussmaterial die Höhe einer rahmenförmigen Kontaktierung 4 einer Halbleiterschichtenfolge 2 erreicht hat. Dann wird eine Kontaktbahn 93 auf das Vergussmaterial aufgebracht, so dass diese mit der rahmenförmigen Kontaktierung 4 elektrisch verbunden ist. Die Kontaktbahn 93 kann beispielsweise aufgesputtert oder aufgedampft werden. Danach wird die strahlungsemittierende Vorrichtung 1 weiter mit Vergussmaterial ummantelt, bis eine weitere rahmenförmige Kontaktierung 4 erreicht ist. Analog zum vorherigen Vorgehen wird wiederum eine Kontaktbahn 93 aufgebracht. Das Verfahren wird solange fortgesetzt, bis alle Kontaktbahnen 93 aufgebracht sind oder darüber hinaus die gesamte strahlungsemittierende Vorrichtung 1 von Vergussmaterial umgeben ist. Auch die obere 91 und die untere Zuleitung 92 können als Kontaktbahnen ausgeführt sein.For this purpose, the radiation-emitting device 1 be gradually surrounded with a transparent potting material (not shown). For example, starting at the lower end of the stack, the radiation-emitting device 1 encased with the potting material. It is filled as long as potting material until the potting material, the height of a frame-shaped contact 4 a semiconductor layer sequence 2 has reached. Then a contact track 93 applied to the potting material, so that this with the frame-shaped contact 4 electrically connected. The contact track 93 can be sputtered or vapor-deposited, for example. Thereafter, the radiation-emitting device 1 further sheathed with potting material until another frame-shaped contact 4 is reached. Analogous to the previous procedure, in turn, a contact track 93 applied. The process is continued until all contact paths 93 are applied or beyond the entire radiation-emitting device 1 surrounded by potting material. Also the upper one 91 and the lower supply line 92 can be designed as contact tracks.

In einer weiteren Ausführungsform können analog dazu auch die rahmenförmigen Kontaktierungen 4 als Kontaktbahnen ausgeführt sein. Hierzu wird eine Halbleiterschichtenfolge 2 vom Vergussmaterial umgeben, bis eine Oberseite 81 erreicht ist, auf die eine rahmenförmige Kontaktierung 4 aufgebracht werden soll. Dann werden die rahmenförmige Kontaktierung 4 auf die Oberseite 81 einer Halbleiterschichtenfolge 2 und die Zuleitungen 93 aufgebracht. Anschließend wird zur Ausbildung des Stapels aus Halbleiterschichtenfolgen 2 eine weitere Halbleiterschichtenfolge 2 mit der rahmenförmigen Kontaktierung 4 verbunden. Die weitere Halbleiterschichtenfolge 2 wird analog zum vorherigen Vorgehen mit Vergussmaterial ummantelt. Das Verfahren wird solange fortgesetzt, bis der Stapel aus Halbleiterschichtenfolgen 2 vollständig ausgebildet ist.In a further embodiment, the frame-shaped contacts can analogously thereto 4 be designed as contact tracks. For this purpose, a semiconductor layer sequence 2 surrounded by potting material until a top 81 is reached, on the one frame-shaped contact 4 should be applied. Then the frame-shaped contact 4 on top 81 a semiconductor layer sequence 2 and the supply lines 93 applied. Subsequently, to form the stack of semiconductor layers 2 a further semiconductor layer sequence 2 with the frame-shaped contact 4 connected. The further semiconductor layer sequence 2 is encased in the same way as in the previous procedure with potting material. The process continues until the stack of semiconductor layers follow 2 is completely formed.

Als Vergussmaterialien eignen sich beispielsweise Silikon, transparente Kunststoffe oder Glas.When Potting materials are, for example, silicone, transparent Plastics or glass.

Die Kontaktbahnen können aus einem Metall bestehen oder teilweise ein Metall aufweisen. Alternativ dazu kann auch ein TCO-Material oder eine transparente, elektrisch leitfähige Kunststoffschicht verwendet werden.The Contact tracks may consist of a metal or partially have a metal. Alternatively, a TCO material may also be used or a transparent, electrically conductive plastic layer used become.

6 zeigt eine strahlungsemittierende Vorrichtung 1, bei der zwischen zwei Halbleiterschichtenfolgen 2 eine dielektrische Schicht 7 angeordnet ist. 6 shows a radiation-emitting device 1 in which between two semiconductor layers 2 a dielectric layer 7 is arranged.

Die dielektrische Schicht 7 weist vorzugsweise einen Brechungsindex auf, der zwischen dem Brechungsindex der Halbleiterschichtenfolgen 2 und ihrer Umgebung liegt. Die dielektrische Schicht 7 ist für die erzeugte Strahlung 11 transparent. Ein geeignetes Material ist beispielsweise Siliziumdioxid.The dielectric layer 7 preferably has a refractive index that is between the refractive index of the semiconductor layers 2 and its surroundings. The dielectric layer 7 is for the generated radiation 11 transparent. A suitable material is, for example, silicon dioxide.

Die dielektrische Schicht 7 bewirkt zum Einen, dass Strahlung 11, die aus einer Halbleiterschichtenfolge 2 kommt, zu einem größeren Anteil diese Halbleiterschichtenfolge 2 verlassen kann und in die dielektrische Schicht 7 eindringen kann. Aus dieser dielektrischen Schicht 7 kann sie in eine weitere Halbleiterschichtenfolge 2 eintreten und später die strahlungsemittierende Vorrichtung 1 durch einen oberen Auskoppelbereich 8 verlassen. In einer Ausführungsform kann die strahlungsemittierende Vorrichtung 1 einen seitlichen Auskoppelbereich 82 aufweisen, durch den die Strahlung in die Umgebung abgestrahlt werden kann. Die Auskoppeleffizienz wird mittels der dielektrischen Schicht 7 erhöht.The dielectric layer 7 on the one hand causes radiation 11 consisting of a semiconductor layer sequence 2 comes to a greater extent this semiconductor layer sequence 2 can leave and into the dielectric layer 7 can penetrate. From this dielectric layer 7 can it in a further semiconductor layer sequence 2 enter and later the radiation-emitting device 1 through an upper decoupling area 8th leave. In one embodiment, the radiation-emitting device 1 a lateral decoupling area 82 have, by which the radiation can be radiated into the environment. The coupling-out efficiency is achieved by means of the dielectric layer 7 elevated.

In einer weiteren Ausführungsform kann die dielektrische Schicht 7 aus der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1 herausgeführt sein und die strahlungsemittierende Vorrichtung 1 teilweise umhüllen.In a further embodiment, the dielectric layer 7 from the radiation-emitting device 1 led out and the radiation-emitting device 1 partially envelop.

Dadurch wird die Auskoppeleffizienz der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1 erhöht. Weiterhin bewirkt die transparente Umhüllung 32 eine erhöhte Stabilität der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1.As a result, the decoupling efficiency of the radiation-emitting device 1 elevated. Furthermore, the transparent envelope causes 32 an increased stability of the radiation-emitting device 1 ,

Zur Ausbildung der rahmenförmigen Kontaktierungen 4 werden beispielsweise Ausnehmungen in die dielektrische Schicht 7 in einem fotolithographischen Verfahren eingebracht, die mit einem elektrisch leitenden Material aufgefüllt werden. In einer bevorzugten Ausführungsform wird die strahlungsemittierende Vorrichtung 1 schrittweise von einem transparenten Vergussmaterial umgeben. Die dielektrische Schicht 7 wird dabei vom Vergussmaterial gebildet. Beim Aufbringen des Vergussmaterials werden vorzugsweise neben der dielektrischen Schicht 7 auch die rahmenförmigen Kontaktierungen 4 und die weiteren Zuleitungen 93 eingebracht.For the formation of the frame-shaped contacts 4 become, for example, recesses in the dielectric layer 7 introduced in a photolithographic process, which are filled with an electrically conductive material. In a preferred embodiment, the radiation-emitting device 1 gradually surrounded by a transparent potting material. The dielectric layer 7 is formed by the potting material. When applying the potting material are preferably in addition to the dielectric layer 7 also the frame-shaped contacts 4 and the other leads 93 brought in.

Zwischen zwei Halbleiterschichtenfolgen 2 können Auskoppelprismen 3 angeordnet sein. Die Auskoppelprismen 3 können derart ausgebildet und angeordnet sein, dass sie die in der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1 erzeugte Strahlung 11 so umlenken, dass sie über einen seitlichen Auskoppelbereich 82 ausgekoppelt wird.Between two semiconductor layer sequences 2 can decoupling prisms 3 be arranged. The decoupling prisms 3 can be designed and arranged such that they are in the radiation-emitting device 1 generated radiation 11 so divert that they have a lateral decoupling area 82 is decoupled.

Die Auskoppelprismen 3 können auch an einer Oberseite 81 einer Halbleiterschichtenfolge angeordnet sein. Dadurch tragen sie zur Lichtstreuung bei und bewirken, dass ein größerer Teil der Strahlung 11 eine Halbleiterschichtenfolge 2 verlassen kann.The decoupling prisms 3 can also be on a top 81 a semiconductor layer sequence may be arranged. As a result, they contribute to light scattering and cause a greater part of the radiation 11 a semiconductor layer sequence 2 can leave.

Beispielsweise ist ein Auskoppelprisma 3 in die dielektrische Schicht 7 eingeätzt. Alternativ dazu ist ein Auskoppelprisma 3 in eine dielektrische Schicht 7 eingebracht.For example, a decoupling prism 3 in the dielectric layer 7 etched. Alternatively, a decoupling prism 3 in a dielectric layer 7 brought in.

7 zeigt eine strahlungsemittierende Vorrichtung 1, die von optischen Elementen 31 umgeben ist. Beispielsweise kann dadurch Strahlung 11, die durch einen seitlichen Auskoppelbereich 82 ausgekoppelt wird, in eine gewünschte Richtung, beispielsweise nach oben, umgelenkt werden. Die strahlungsemittierende Vorrichtung 1 ist in der gezeigten Ausführungsform auf einer Trägerplatte 52 angeordnet. Optische Elemente 31 können auf dieser Trägerplatte 52 aufliegen, oder auch verkippt dazu angeordnet sein. 7 shows a radiation-emitting device 1 made of optical elements 31 is surrounded. For example, this can cause radiation 11 passing through a lateral decoupling area 82 is decoupled, be deflected in a desired direction, for example, upwards. The radiation-emitting device 1 is in the embodiment shown on a support plate 52 arranged. Optical elements 31 can on this carrier plate 52 rest, or even tilted to be arranged.

In den 8A, 8B, 8C, 8D sind strahlungsemittierende Vorrichtungen 1 gezeigt, die keinen Träger 5 aufweisen. Dies ermöglicht eine Auskopplung der Strahlung sowohl am unteren als auch am oberen Ende der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1.In the 8A . 8B . 8C . 8D are radiation-emitting devices 1 shown that no carrier 5 exhibit. This enables a decoupling of the radiation both at the lower and at the upper end of the radiation-emitting device 1 ,

8A zeigt eine strahlungsemittierende Vorrichtung 1, die von einer transparenten Umhüllung 32 umgeben ist. Die Halbleiterschichtenfolgen 2 weisen einen kreisförmigen Querschnitt auf. Zwischen den Halbleiterschichtenfolgen 2 befinden sich Kontaktierungen 4 (nicht gezeigt), die beispielsweise rahmenförmig ausgebildet sind. In 8A sind diese rahmenförmigen Kontaktierungen nicht dargestellt, um eine bessere Übersichtlichkeit der Darstellung zu erreichten. Die Anordnung wird mittels elektrischer Zuleitungen 91 und 92 elektrisch angeschlossen. 8A shows a radiation-emitting device 1 that of a transparent cladding 32 is surrounded. The semiconductor layers follow 2 have a circular cross-section. Between the semiconductor layer sequences 2 there are contacts 4 (not shown), which are formed, for example, frame-shaped. In 8A These frame-shaped contacts are not shown in order to achieve a better clarity of the presentation. The arrangement is made by means of electrical leads 91 and 92 electrically connected.

Die transparente Umhüllung 32 weist eine Zylinderform auf. Sie reicht zwischen die Halbleiterschichtenfolgen 2 hinein und bildet vorzugsweise eine dielektrische Schicht 7. Die transparente Umhüllung 32 bewirkt eine erhöhte Auskoppeleffizienz der in den Halbleiterschichtenfolgen 2 erzeugten Strahlung. Zudem wird die mechanische Stabilität der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1 erhöht.The transparent cladding 32 has a cylindrical shape. It extends between the semiconductor layer sequences 2 and preferably forms a dielectric layer 7 , The transparent cladding 32 causes an increased coupling-out efficiency in the semiconductor layer sequences 2 generated radiation. In addition, the mechanical stability of the radiation-emitting device 1 elevated.

Die Abstände d zwischen den Halbleiterschichtenfolgen 2 können bis zu einigen Millimetern betragen. Dadurch kann die seitliche Lichtauskopplung erhöht werden.The distances d between the semiconductor layers 2 can be up to several millimeters. As a result, the lateral light extraction can be increased.

In 8B wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung 1 gemäß 8A gezeigt, die in eine Reflektorwanne 31 eingebettet ist. Mittels der Reflektorwanne 31 lässt sich die erzeugte Strahlung in eine gewünschte Richtung umlenken. Dadurch kann sowohl eine Vergrößerung als auch eine Verkleinerung des Abstrahlwinkelbereichs erreicht werden.In 8B becomes a radiation-emitting device 1 according to 8A shown in a reflector pan 31 is embedded. By means of the reflector pan 31 The generated radiation can be redirected in a desired direction. As a result, both an enlargement and a reduction of the emission angle range can be achieved.

In 8C ist eine strahlungsemittierende Vorrichtung analog zu 8B im Querschnitt gezeigt. In dieser Ausführungsform weisen die Halbleiterschichtenfolgen 2 jedoch keine kreisförmigen, sondern hexagonale Querschnitte auf. Bei einem hexagonalen Querschnitt können aus einem Wafer mehr Halbleiterschichtenfolgen 2 hergestellt werden, als bei einem kreisförmigen Querschnitt einer Halbleiterschichtenfolge 2 mit der gleichen Fläche. Dadurch ist die Herstellung der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1 kostengünstiger.In 8C is a radiation-emitting device analogous to 8B shown in cross section. In this embodiment, the semiconductor layer sequences 2 but not circular, but hexagonal cross sections. With a hexagonal cross section, more semiconductor layers can follow from one wafer 2 be prepared as in a circular cross-section of a semiconductor layer sequence 2 with the same area. This is the production of the radiation-emitting device 1 cost-effective.

In 8D ist eine strahlungsemittierende Vorrichtung 1 analog zu 8A gezeigt. Die Halbleiterschichtenfolgen 2 sind von einer transparenten Umhüllung 32 umgeben. Zur Verbesserung der Wärmeabfuhr ist die strahlungsemittierende Vorrichtung 1 in einem Kühlrohr 33 angeordnet. Das Kühlrohr 33 ist für die erzeugte Strahlung 11 vorzugsweise transparent und besteht beispielsweise aus Glas. Das Kühlrohr 33 ist als Hohlzylinder ausgeführt, der zu beiden Seiten geöffnet ist, so dass sich eine Strömung eines Mediums, beispielsweise von Luft oder einer transparenten Flüssigkeit, aufgrund der Erwärmung der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1 einstellen kann. Dabei strömt das kühle Medium von einem Ende in den Hohlzylinder und entlang des Stapels aus Halbleiterschichtenfolgen 2. Die im Betrieb der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1 erzeugte Wärme erwärmt das Medium, das schließlich durch das andere Ende des Kühlrohrs 33 hinausströmt. Dieser Kamineffekt führt zu einer kontinuierlichen Strömung des Mediums durch das Kühlrohr 33, wodurch eine effiziente Kühlung der strahlungsemittierenden Vorrichtung 1 gewährleistet wird.In 8D is a radiation-emitting device 1 analogous to 8A shown. The semiconductor layers follow 2 are from a transparent cladding 32 surround. To improve the heat dissipation is the radiation-emitting device 1 in a cooling tube 33 arranged. The cooling tube 33 is for the generated radiation 11 preferably transparent and consists for example of glass. The cooling tube 33 is designed as a hollow cylinder which is open on both sides, so that a flow of a medium, for example of air or a transparent liquid, due to the heating of the radiation-emitting device 1 can adjust. In this case, the cool medium flows from one end into the hollow cylinder and along the stack of semiconductor layer sequences 2 , The operation of the radiation-emitting device 1 generated heat heats the medium, which eventually passes through the other end of the cooling tube 33 flows out. This chimney effect leads to a continuous flow of the medium through the cooling tube 33 , whereby an efficient cooling of the radiation-emitting device 1 is guaranteed.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung an Hand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt, sondern umfasst jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen. Dies beinhaltet insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The Invention is not by the description with reference to the embodiments limited to this, but includes every new feature as well every combination of features. This includes in particular each Combination of features in the claims, also if this feature or combination itself is not explicitly stated in the claims or embodiments is specified.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - DE 102006039369 A1 [0002] - DE 102006039369 A1 [0002]
  • - DE 102004026125 A1 [0002] DE 102004026125 A1 [0002]

Claims (29)

Strahlungsemittierende Vorrichtung mit – mindestens zwei Halbleiterschichtenfolgen (2), die jeweils eine aktive Zone (21) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (11) aufweisen, – wobei die Halbleiterschichtenfolgen (2) als Stapel angeordnet sind, – wobei sich zwischen den Halbleiterschichtenfolgen (2) rahmenförmige Kontaktierungen (4) befinden, die die Halbleiterschichtenfolgen (2) elektrisch verbinden.Radiation-emitting device with - at least two semiconductor layer sequences ( 2 ), each one active zone ( 21 ) for generating electromagnetic radiation ( 11 ), wherein the semiconductor layer sequences ( 2 ) are arranged as stacks, - wherein between the semiconductor layer sequences ( 2 ) frame-shaped contacts ( 4 ), which follow the semiconductor layers ( 2 ) electrically connect. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die rahmenförmigen Kontaktierungen (4) übereinander angeordnet sind.Radiation-emitting device according to Claim 1, in which the frame-shaped contacts ( 4 ) are arranged one above the other. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 2, bei der die rahmenförmigen Kontaktierungen (4) eine einheitliche Form aufweisen.Radiation-emitting device according to one of Claims 1 to 2, in which the frame-shaped contacts ( 4 ) have a uniform shape. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 2 oder 3, bei der die rahmenförmigen Kontaktierungen (4) deckungsgleich übereinander angeordnet sind.Radiation-emitting device according to one of claims 2 or 3, in which the frame-shaped contacts ( 4 ) are arranged congruently one above the other. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der ein Rahmenabschnitt (43) einer rahmenförmigen Kontaktierung (4) eine Breite (b) im Bereich von 10 μm bis 30 μm hat.A radiation emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein a frame portion (FIG. 43 ) a frame-shaped contact ( 4 ) has a width (b) in the range of 10 microns to 30 microns. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der sich in einer rahmenförmigen Kontaktierung (4) Unterbrechungen befinden.Radiation-emitting device according to one of claims 1 to 5, in which in a frame-shaped contacting ( 4 ) Interruptions are. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, mit einer Stromaufweitungsschicht (6), die an eine Halbleiterschichtenfolge (2) angrenzt.A radiation-emitting device according to any one of claims 1 to 6, comprising a current spreading layer ( 6 ) connected to a semiconductor layer sequence ( 2 ) adjoins. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach Anspruch 7, bei der eine rahmenförmige Kontaktierung (4) auf der Stromaufweitungsschicht (6) aufliegt.A radiation-emitting device according to claim 7, wherein a frame-shaped contacting ( 4 ) on the current spreading layer ( 6 ) rests. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach Anspruch 7, bei der eine rahmenförmige Kontaktierung (4) in die Stromaufweitungsschicht (6) hineinragt.A radiation-emitting device according to claim 7, wherein a frame-shaped contacting ( 4 ) into the current spreading layer ( 6 ) protrudes. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei der sich an einem oberen und einem unteren Ende des Stapels aus Halbleiterschichtenfolgen (2) elektrische Kontakte (41, 42) befinden, die mittels Zuleitungen (91, 92) elektrisch angeschlossen sind.A radiation-emitting device according to any one of claims 1 to 9, wherein semiconductor layers occur at upper and lower ends of the stack ( 2 ) electrical contacts ( 41 . 42 ), which by means of supply lines ( 91 . 92 ) are electrically connected. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, bei der die Halbleiterschichtenfolgen (2) mittels der Zuleitungen (91, 92) elektrisch in Reihe geschaltet sind.A radiation-emitting device according to claim 10, wherein the semiconductor layers follow ( 2 ) by means of the supply lines ( 91 . 92 ) are electrically connected in series. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach Anspruch 10, bei der eine rahmenförmige Kontaktierung (4) mit einer weiteren Zuleitung (93) elektrisch angeschlossen ist.A radiation-emitting device according to claim 10, wherein a frame-shaped contacting ( 4 ) with another supply line ( 93 ) is electrically connected. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach Anspruch 12, bei der jede Halbleiterschichtenfolge (2) mittels zweier Zuleitungen (91, 92, 93) unabhängig von den weiteren Halbleiterschichtenfolgen (2) elektrisch kontaktiert werden kann.A radiation-emitting device according to claim 12, wherein each semiconductor layer sequence ( 2 ) by means of two supply lines ( 91 . 92 . 93 ) independently of the further semiconductor layer sequences ( 2 ) can be contacted electrically. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, bei der eine Halbleiterschichtenfolge (2) mittels Nanodrähten elektrisch angeschlossen ist.Radiation-emitting device according to one of Claims 10 to 13, in which a semiconductor layer sequence ( 2 ) is electrically connected by means of nanowires. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, bei der eine Halbleiterschichtenfolge (2) mittels Kontaktbahnen elektrisch angeschlossen ist, die auf ein transparentes Material aufgebracht sind.Radiation-emitting device according to one of Claims 10 to 13, in which a semiconductor layer sequence ( 2 ) is electrically connected by means of contact paths, which are applied to a transparent material. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, bei der der Stapel aus Halbleiterschichtenfolgen (2) auf einem Träger (5) angeordnet ist.A radiation-emitting device according to any one of claims 1 to 15, wherein the stack of semiconductor layers ( 2 ) on a support ( 5 ) is arranged. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, bei der die im Stapel erzeugte Strahlung (11) seitlich ausgekoppelt werden kann.A radiation-emitting device according to any one of claims 1 to 16, wherein the radiation generated in the stack ( 11 ) can be coupled out laterally. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, bei der eine Oberseite (8, 81) einer Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest teilweise aufgeraut ist.A radiation emitting device according to any one of claims 1 to 17, wherein an upper surface ( 8th . 81 ) of a semiconductor layer sequence ( 2 ) is at least partially roughened. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 18, bei der zwischen zwei Halbleiterschichtenfolgen (2) eine dielektrische Schicht (7) angeordnet ist.A radiation emitting device according to any one of claims 1 to 18, wherein between two semiconductor layers ( 2 ) a dielectric layer ( 7 ) is arranged. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 19, die zumindest teilweise von einer transparenten Umhüllung (32) umgeben ist.Radiation-emitting device according to one of claims 1 to 19, which is at least partially covered by a transparent envelope ( 32 ) is surrounded. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 20, bei der an einer Oberseite (8, 81) einer Halbleiterschichtenfolge (2) Auskoppelprismen (3) angeordnet sind.Radiation-emitting device according to one of Claims 1 to 20, in which, on an upper side ( 8th . 81 ) of a semiconductor layer sequence ( 2 ) Decoupling prisms ( 3 ) are arranged. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 21, bei der zwischen zwei Halbleiterschichtenfolgen (2) Auskoppelprismen (3) angeordnet sind.Radiation-emitting device according to one of Claims 1 to 21, in which two semiconductor layers ( 2 ) Decoupling prisms ( 3 ) are arranged. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 22, die von optischen Elementen (31) umgeben ist, die die aus dem Stapel der Halbleiterschichtenfolgen (2) ausgekoppelte Strahlung (11) umlenken.Radiation-emitting device after egg Nem of claims 1 to 22, of optical elements ( 31 ), which follow from the stack of semiconductor layers ( 2 ) decoupled radiation ( 11 ) redirect. Strahlungsemittierende Vorrichtung nach Anspruch 23, die in eine Reflektorwanne eingebettet ist.A radiation-emitting device according to claim 23, which is embedded in a reflector pan. Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 24 mit den Schritten: A) Bereitstellen von Halbleiterschichtenfolgen (2), B) Aufbringen von rahmenförmigen Kontaktierungen (4) auf die Halbleiterschichtenfolgen (2), C) Verbinden der Halbleiterschichtenfolgen (2) mittels der rahmenförmigen Kontaktierungen (4) und Ausbilden des Stapels aus Halbleiterschichtenfolgen (2).Method for producing a radiation-emitting device according to one of Claims 1 to 24, comprising the steps of: A) providing semiconductor layer sequences ( 2 ), B) application of frame-shaped contacts ( 4 ) on the semiconductor layer sequences ( 2 ), C) connecting the semiconductor layer sequences ( 2 ) by means of the frame-shaped contacts ( 4 ) and forming the stack of semiconductor layer sequences ( 2 ). Verfahren nach Anspruch 25, wobei zur Ausbildung des Stapels aus Halbleiterschichtenfolgen (2) in Schritt C) zwei rahmenförmige Kontaktierungen (4), die sich jeweils auf einer Halbleiterschichtenfolge (2) befinden, miteinander verbunden werden.The method of claim 25, wherein for forming the stack of semiconductor layer sequences ( 2 ) in step C) two frame-shaped contacts ( 4 ), each on a semiconductor layer sequence ( 2 ) are interconnected. Verfahren nach Anspruch 25, wobei zur Ausbildung des Stapels aus Halbleiterschichtenfolgen (2) in Schritt C) eine rahmenförmige Kontaktierung (4), die sich auf einer Halbleiterschichtenfolge (2) befindet, mit einer weiteren Halbleiterschichtenfolge (2) verbunden wird.The method of claim 25, wherein for forming the stack of semiconductor layer sequences ( 2 ) in step C) a frame-shaped contacting ( 4 ), which are located on a semiconductor layer sequence ( 2 ), with a further semiconductor layer sequence ( 2 ) is connected. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 bis 27, wobei nach Schritt A) eine Stromaufweitungsschicht (6) auf eine Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht wird und auf diese eine rahmenförmige Kontaktierung (4) aufgebracht wird.Method according to one of claims 25 to 27, wherein after step A) a current spreading layer ( 6 ) to a semiconductor layer sequence ( 2 ) is applied and on this a frame-shaped contact ( 4 ) is applied. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 bis 27, wobei nach Schritt A) eine Stromaufweitungsschicht (6) auf eine Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht wird, in die Stromaufweitungsschicht (6) Ausnehmungen eingebracht werden und in Schritt B) in die Ausnehmungen rahmenförmige Kontaktierungen (6) eingebracht werden.Method according to one of claims 25 to 27, wherein after step A) a current spreading layer ( 6 ) to a semiconductor layer sequence ( 2 ) is applied to the current spreading layer ( 6 ) Recesses are introduced and in step B) in the recesses frame-shaped contacts ( 6 ) are introduced.
DE102008014094A 2008-03-13 2008-03-13 Radiation emitting device for use in reflector bowl, has frame like contacts provided between semiconductor layer sequences and electrically connecting sequences, where sequences include active zone to produce electromagnetic radiation Withdrawn DE102008014094A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008014094A DE102008014094A1 (en) 2008-03-13 2008-03-13 Radiation emitting device for use in reflector bowl, has frame like contacts provided between semiconductor layer sequences and electrically connecting sequences, where sequences include active zone to produce electromagnetic radiation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008014094A DE102008014094A1 (en) 2008-03-13 2008-03-13 Radiation emitting device for use in reflector bowl, has frame like contacts provided between semiconductor layer sequences and electrically connecting sequences, where sequences include active zone to produce electromagnetic radiation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102008014094A1 true DE102008014094A1 (en) 2009-09-17

Family

ID=40953046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008014094A Withdrawn DE102008014094A1 (en) 2008-03-13 2008-03-13 Radiation emitting device for use in reflector bowl, has frame like contacts provided between semiconductor layer sequences and electrically connecting sequences, where sequences include active zone to produce electromagnetic radiation

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102008014094A1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010028637A1 (en) 2008-09-11 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Led projector
WO2012010519A1 (en) * 2010-07-23 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting component and method for producing radiation-emitting components
US8431422B2 (en) 2008-06-30 2013-04-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a multiplicity of optoelectronic components
US8562142B2 (en) 2008-05-26 2013-10-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Projector for micro projection surfaces and use of a multicolour LED in a projector
EP3724930A4 (en) * 2017-12-14 2021-09-08 Seoul Viosys Co., Ltd LIGHT EMITTING STACKED STRUCTURE AND DISPLAY DEVICE WITH IT

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004026125A1 (en) 2004-05-28 2005-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for its production
DE102006039369A1 (en) 2005-12-30 2007-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED semiconductor for e.g. multiple coach lighting, has two radiation-generating active layers, arranged one above another in vertical direction

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004026125A1 (en) 2004-05-28 2005-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for its production
DE102006039369A1 (en) 2005-12-30 2007-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED semiconductor for e.g. multiple coach lighting, has two radiation-generating active layers, arranged one above another in vertical direction

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8562142B2 (en) 2008-05-26 2013-10-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Projector for micro projection surfaces and use of a multicolour LED in a projector
US8431422B2 (en) 2008-06-30 2013-04-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a multiplicity of optoelectronic components
WO2010028637A1 (en) 2008-09-11 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Led projector
DE102008046762A1 (en) 2008-09-11 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED projector
US8733950B2 (en) 2008-09-11 2014-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED projector
WO2012010519A1 (en) * 2010-07-23 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting component and method for producing radiation-emitting components
US9159889B2 (en) 2010-07-23 2015-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting component and method for producing radiation-emitting components
EP3724930A4 (en) * 2017-12-14 2021-09-08 Seoul Viosys Co., Ltd LIGHT EMITTING STACKED STRUCTURE AND DISPLAY DEVICE WITH IT
US12274106B2 (en) 2017-12-14 2025-04-08 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure including epitaxial layers connecting with electrodes and display device having the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2047526B1 (en) Lighting assembly
DE102006051745B4 (en) LED semiconductor body and use of an LED semiconductor body
EP2596534B1 (en) Radiation-emitting component and method for producing radiation-emitting components
DE10006738C2 (en) Light-emitting component with improved light decoupling and method for its production
EP2583319B1 (en) Optoelectronic component
DE102007022947A1 (en) Optoelectronic semiconductor body and method for producing such
DE102007019775A1 (en) Optoelectronic component
EP2415077B1 (en) Optoelectronic component
DE102009030243A1 (en) Semiconductor light emitting device
DE102007008524A1 (en) Radiation emitting chip with at least one semiconductor body
EP1966836A1 (en) Led semiconductor body and use of an led semiconductor body
WO2009132618A1 (en) Surface-mounted led module and method for producing a surface-mounted led module
EP2191520B1 (en) Light emitting thin-film diode having a mirror layer and method for the production thereof
DE102017111706A1 (en) Light emitting device
DE102008014094A1 (en) Radiation emitting device for use in reflector bowl, has frame like contacts provided between semiconductor layer sequences and electrically connecting sequences, where sequences include active zone to produce electromagnetic radiation
WO2008040274A1 (en) Led semiconductor body and use of an led semiconductor body
DE102017117504A1 (en) Light emitting semiconductor chip and optoelectronic component
WO2004032248A2 (en) Radiation-emitting semiconductor component and method for the production thereof
DE102005019832A1 (en) Illumination device for LCD-display device, has auxiliary component designed as optical component and inserted into recess in optical unit, where component is connected with optical unit in connection region in mechanically stable manner
DE10253911A1 (en) Radiation-emitting semiconductor component and method for its production
DE10162914A1 (en) Light-emitting semiconductor component
DE102008015551A1 (en) Optoelectronic component has support body, which has conductive paths structured for electrically contacting semiconductor chip, where semiconductor chip has active layer suitable for generating electromagnetic radiation
DE102007015893A1 (en) Opto-electronic arrangement, has radiation emitting component with radiation emission side and lower side that is opposite to radiation emission side, and heat conductive strip connecting radiation emission side and housing
DE20202493U1 (en) Light emitting diode with improved brightness
WO2020025457A1 (en) Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor component

Legal Events

Date Code Title Description
OR8 Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8105 Search report available
R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination
R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination

Effective date: 20150314