DE102008021833A1

DE102008021833A1 - Illumination angle distribution and intensity distribution adjusting method for lithography projection illumination system, involves varying expansion coefficient and air-gap distance, so that difference of phase deviations is minimized

Info

Publication number: DE102008021833A1
Application number: DE200810021833
Authority: DE
Inventors: Artur Dr. Högele; Heiko Dr. Feldmann
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2007-12-19
Filing date: 2008-04-30
Publication date: 2009-07-02
Anticipated expiration: 2028-05-01
Also published as: DE102008021833B4

Abstract

The method involves presetting a reference phase deviation of a perfect spherical wave front of utilization light, which arrives at an edge-sided mass field point (36) of an object field after passing through an illumination optics. An expansion coefficient and an air-gap distance between lenses (16-21, 24-28, 30-34) are varied such that a difference of an actual phase deviation produced by the optics at the mass field point and the preset reference phase deviation is minimized. The coefficient represents a rotation symmetric rise of an optical surface of the lenses of the optics. Independent claims are also included for the following: (1) an illumination optics for illuminating an object field of a lithography projection illumination system (2) a method for manufacturing a structured component.

Description

Die Erfindung betrifft einer Verfahren zur Einstellung einer Beleuchtungswinkelverteilung und gleichzeitig einer Intensitätsverteilung über ein in ein Bildfeld abzubildendes Objektfeld. Ferner betrifft die Erfindung eine Beleuchtungsoptik mit einer so eingestellten Beleuchtungswinkel- und Intensitätsverteilung, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, ein Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauelements mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein so hergestelltes strukturiertes Bauelement.The The invention relates to a method for adjusting an illumination angle distribution and at the same time an intensity distribution over a Object field to be imaged in an image field. Furthermore, the invention relates an illumination optics with an illumination angle set in this way and intensity distribution, a projection exposure apparatus with such an illumination optics, a method for producing a structured component with Such a projection exposure system and a so produced structured component.

Insbesondere für Abbildungsanforderungen bei der Herstellung von mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelementen ist es erforderlich, ein abzubildendes Objektfeld hinsichtlich seiner Beleuchtungswinkel- und Intensitätsverteilung exakt definiert auszuleuchten. Bei bekannten Beleuchtungssystemen gibt es oftmals das Problem, dass am Rand des auszuleuchtenden Objektfeldes andere Beleuchtungsbedingungen hinsichtlich der Beleuchtungswinkel und/oder hinsichtlich der Beleuchtungsintensitäten vorliegen als in der Feldmitte.Especially for imaging requirements in the production of micro- or nanostructured devices it is necessary to be imaged Object field with respect to its illumination angle and intensity distribution to illuminate exactly defined. In known lighting systems There is often the problem that at the edge of the object field to be illuminated other lighting conditions with respect to the illumination angle and / or in terms of illumination intensities than in the field center.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine Kompensationsmöglichkeit für derartige Feldrandeffekte geschaffen ist.It It is an object of the present invention to provide a method of the beginning so-called type such that a compensation option for such Field edge effects is created.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.These The object is achieved by a method having the features specified in claim 1.

Es hat sich überraschend herausgestellt, dass die Vorgabe einer Soll-Phasenabweichung mit dreizähliger Symmetrie und nachfolgender Optimierung der Beleuchtungsoptik zur Erfüllung dieser Vorgabe eine Feldabhängigkeit von die Beleuchtungswinkel und/oder die Beleuchtungsintensitäten beschreibenden Beleuchtungsparametern zur Folge hat. Mit vorgegebener Soll-Phasenabweichung ändern sich diese Beleuchtungsparameter, ausgehend von der Feldmitte, zum Rand hin definiert. Die Art der Änderung der Beleuchtungsparameter, beispielsweise der Elliptizität oder der Uniformität, über das ausgeleuchtete Feld kann über die absolute Größe und den Feldverlauf der vorgegebenen Soll-Phasenabweichung fein beeinflusst werden. Auf diese Weise ist es möglich, Beleuchtungs-Feldrandeffekte, die beispielsweise durch Beschichtungen der optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik erzeugt werden, zu kompensieren. Eine derartige Kompensation ist besonders dann von Vorteil, wenn es auf höchste Abbildungspräzision ankommt und/oder wenn derartige feldrandseitige Schichteffekte unvermeidlich sind. Anwendungsbeispiele für das erfindungsgemäße Einstellungsverfahren sind Optiken für die Mikrolithographie mit einer Nutzlichtwellenlänge im DUV oder im EUV. Für bestimmte Anwendungen reicht es aus, die Form einer einzigen optischen Fläche der Beleuchtungsoptik zu variieren, um innerhalb vorgegebener Grenzen die Soll-Phasenabweichung zu erreichen. Je nach dem Design der Beleuchtungsoptik und je nach der geforderten Genauigkeit, mit der die Soll-Phasenabweichung erreicht werden soll, können auch mehrere optische Flächen oder sogar alle optischen Flächen hinsichtlich ihrer Form und hinsichtlich ihres Abstandes zueinander variiert werden. Dabei kann eine Auswahl der optischen Flächen hinsichtlich der Wirkung einer Formänderung von diesen auf die Phase der Wellenfront erfolgen. Die erfindungsgemäße dreizählige Soll-Phasenabweichung kann insbesondere zur Kompensation der Beleuchtungsparameter Elliptizität und Uniformität bei be stimmten Beleuchtungssettings verwendet werden. Beispiele derartiger Beleuchtungssettings sind ein annulares Beleuchtungssetting, ein X-Dipol-Beleuchtungssetting, ein Y-Dipol-Beleuchtungssetting sowie ein C-Quad-Setting. Ein C-Quad-Setting ist eine Beleuchtung aus Richtung von vier Teilring-Bereichen, die in Umfangsrichtung um ein Zentrum einer Pupille jeweils mit einer Umfangserstreckung von 30° gleich verteilt im gleichen Abstand um dieses Zentrum angeordnet sind. Ein C-Quad-Setting ist mit einer Überlagerung eines X-Dipol-Beleuchtungssettings und eines Y-Dipol-Beleuchtungssettings vergleichbar. Das X-Dipol-Beleuchtungssetting, das Y-Dipol-Beleuchtungssetting sowie das C-Quad-Setting stellen Beispiele einer mehrpoligen Beleuchtung des Objektfeldes dar. Die erfindungsgemäß dreizählige Soll-Phasenabweichung kann so vorgegeben werden, dass die Beleuchtungsparameter Telezentrie oder auch, bei mehrpoliger Beleuchtung, das Intensitätsverhältnis zwischen den einzelnen Polen, unbeeinflusst bleiben. Da auch eine einem Objektfeld nachfolgende Optik, beispielsweise ein Projektionsoptik, Beleuchtungsparameter wie beispielsweise die Elliptizität oder die Telezentrie beeinflussen kann, kann die Beleuchtungswinkelverteilung auch so eingestellt werden, dass über die vorgegebene Phasenabweichung ein Vorhalt für das Gesamtsystem aus der Beleuchtungsoptik vor dem Objektfeld und einer nachgeschalteten Optik, beispielsweise einer Projektionsoptik, geschaffen ist.It has been surprising found that the specification of a nominal phase deviation with threefold symmetry and subsequent optimization of the illumination optics to fulfill this Specification a field dependency of the illumination angles and / or the illumination intensities descriptive Lighting parameters result. With a given target phase deviation change these lighting parameters, starting from the center of the field, to the edge down defined. The nature of the change the illumination parameter, for example the ellipticity or the Uniformity, about that lit field can over the absolute size and the Field course of the predetermined target phase deviation finely influenced become. In this way it is possible Illumination field edge effects caused by coatings, for example the optical components of the illumination optics are generated, to compensate. Such compensation is especially then beneficial if it is at highest Figure precision arrives and / or if such field edge side layer effects inevitable are. Application examples for the adjustment method according to the invention are optics for Microlithography with a useful light wavelength in DUV or in EUV. For certain Applications, it is sufficient to take the form of a single optical surface of the Illumination optics vary within given limits to achieve the desired phase deviation. Depending on the design of the illumination optics and depending on the required accuracy with which the desired phase deviation can be achieved also several optical surfaces or even all optical surfaces in terms of their shape and their distance from each other be varied. In this case, a selection of the optical surfaces in terms the effect of a change in shape from these to the phase of the wavefront. The threefold desired phase deviation according to the invention can in particular to compensate for the lighting parameters ellipticity and uniformity in certain Be Lighting settings are used. Examples of such lighting settings are an annular lighting setting, an x-dipole lighting setting, a Y-dipole illumination setting and a C-quad setting. A C-quad setting is one Illumination from the direction of four partial ring areas, which are in the circumferential direction around a center of a pupil, each with a circumferential extent equal to 30 ° distributed equidistantly around this center. A C-quad setting is with an overlay of an X-dipole illumination setting and a Y-dipole illumination setting comparable. The X-dipole illumination setting, the Y-dipole illumination setting as well as the C-quad setting provide examples of a multipolar Illumination of the object field. The invention threefold target phase deviation can be specified so that the lighting parameters telecentric or also, with multi-pole lighting, the intensity ratio between the individual Poles, unaffected. As well as an object field Subsequent optics, such as a projection optics, lighting parameters such as for example, the ellipticity or the telecentricity can affect the illumination angle distribution also be set so that over the predetermined phase deviation a lead for the whole system from the illumination optics in front of the object field and a downstream optics, such as a projection optics, is created.

Eine Vorgabe nach Anspruch 2 erlaubt eine exakte Kontrolle der Soll-Phasenabweichung über das gesamte Feld. Die Feldhöhe ist dabei diejenige Feldkoordinate, längs der keine Verlagerung eines abzubildenden Objektes im Zuge der Abbildung von diesem stattfindet.A Default according to claim 2 allows an exact control of the desired phase deviation over the entire field. The field height is the field coordinate along which no displacement of a to be imaged object in the course of the picture of this takes place.

Eine Vorgabe nach Anspruch 3 reduziert den mit dem Einstellverfahren verbundenen Rechenaufwand. Es reicht oftmals aus, die Wellenfront an drei Punkten vorzugeben. Der Rest der Wellenfront ergibt sich zwischen diesen vorgegebenen Punkten je nach der Beschreibung der Wellenfrontfunktion. Die mindestens drei Einzelstrahlen müssen natürlich so vorgegeben werden, dass eine eindeutige Beschreibung der gesamten Wellenfront durch die Vorgabe der Phasenwerte der drei Einzelstrahlen gegeben ist.A Default according to claim 3 reduces the with the adjustment associated computational effort. It is often enough, the wave front pretend at three points. The rest of the wavefront emerges between these given points depending on the description of the Wavefront function. The at least three individual beams must of course like that be given that a unique description of the entire wavefront given by the specification of the phase values of the three individual beams is.

Eine Z11-Vorgabe nach Anspruch 4 erlaubt eine Einbindung des Einstellverfahrens in kommerziell verfügbare optische Designverfahren, in denen eine Zernike-Entwicklung der Nutzlicht-Wellenfront stattfindet.A Z11 specification according to claim 4 allows an integration of the setting method in commercially available optical design processes in which a Zernike development of Nutzlicht wavefront takes place.

Die Größenordnung der Z11-Vorgabe nach Anspruch 5 hat sich zur Erreichung eines zur Kompensation beispielsweise von Schichteffekten ausreichenden Beleuchtungsparameter-Vorhaltes als besonders geeignet herausgestellt. Es kann am Feldrand beispielsweise ein Z11-Sollwert vorgegeben werden, der von der ideal sphärischen Wellenfront um 1 bis 200 Nutzlicht-Wellenlängen, insbesondere um 40 bis 120 Nutzlicht-Wellenlängen abweicht.The Magnitude The Z11 requirement according to claim 5 has to achieve a Compensation, for example, of layer effects of sufficient lighting parameters-Vorhaltes proved to be particularly suitable. It can be at the edge of the field, for example set a Z11 setpoint, that of the ideal spherical Wavefront by 1 to 200 useful light wavelengths, in particular by 40 to 120 useful light wavelengths differs.

Vorgaben nach den Ansprüchen 6 und 7 haben sich zur Kompensation insbesondere von Schichteffekten auf den optischen Flächen der optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik als besonders herausgestellt.Requirements according to the claims 6 and 7 have to compensate especially for shift effects on the optical surfaces the optical components of the illumination optics as highlighted.

Die Vorteile einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 8, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 9, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 10 sowie eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements nach Anspruch 11 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das erfindungsgemäße Einstellverfahren bereits erläutert wurden.The Advantages of a lighting optical system according to claim 8, a projection exposure apparatus according to claim 9, a manufacturing method according to claim 10 and of a microstructured or nanostructured component according to Claim 11 correspond to those described above with reference to the adjustment method according to the invention already explained were.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:embodiments The invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In this demonstrate:

1 stark schematisch im Meridionalschnitt optische Hauptgruppen einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie; 1 strongly schematic in the meridional section optical main groups of a projection exposure apparatus for microlithography;

2 stärker im Detail zwei der optischen Hauptgruppen der Projektionsbelichtungsanlage nach 1; 2 more detail in detail two of the main optical groups of the projection exposure system 1 ;

3 schematisch einen annular beleuchteten Maß-Feldpunkt einer Objektebene der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 in einem Meridionalschnitt; 3 schematically an annular illuminated measure field point of an object plane of the projection exposure system according to 1 in a meridional section;

4 einen Schnitt gemäß Linie IV-IV in 3; 4 a section along line IV-IV in 3 ;

5 in einer zu 4 ähnlichen Darstellung eine alternative Beleuchtung des Maß-Feldpunkts; 5 in one too 4 similar representation an alternative illumination of the Maßfeldpunkts;

6 ein Diagramm, welches eine Soll-Phasenabweichung einer Nutzlicht-Wellenfront eines auf ein Bildfeld auftreffenden Beleuchtungsbündels in Einheiten eines Zernike-Koeffizienten Z11 einer Wellenfrontentwicklung abhängig von einer Bildfeldhöhe eines Bildfeldes der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 darstellt; 6 a diagram which shows a nominal phase deviation of a useful light wavefront of an illumination beam impinging on an image field in units of a Zernike coefficient Z11 of a wavefront development as a function of an image field height of an image field of the projection exposure apparatus 1 represents;

7 in einem Diagramm die Abhängigkeit eines Elliptizitätswertes E090 von der Feldhöhe für zwei verschiedene annulare Beleuchtungssettings der Projektionsbelichtungsanlage; 7 in a diagram the dependence of an ellipticity value E090 on the field height for two different annular illumination settings of the projection exposure apparatus;

8 eine Oktantenunterteilung einer Pupillenebene zur Definition von Elliptizitäts-Beleuchtungsparametern; 8th an octant subdivision of a pupil plane for defining ellipticity illumination parameters;

9 in einem Diagramm die Abhängigkeit einer Uniformität (uniformity) von der Bildfeldhöhe für die beiden Beleuchtungssettings nach 7; 9 in a diagram the dependence of a uniformity on the field height for the two lighting settings 7 ;

10 in einer zu 7 ähnlichen Darstellung die Abhängigkeit der Uniformität von der Bildfeldhöhe für zwei verschiedene X-Dipol-Beleuchtungssettings; 10 in one too 7 similar depiction of the dependence of uniformity on the field height for two different X-dipole illumination settings;

11 schematische Darstellung einer Intensitätsverteilung in einer Pupillenebene der Projektionsbelichtungsanlage für die beiden X-Dipol-Beleuchtungssettings nach 10; und 11 schematic representation of an intensity distribution in a pupil plane of the projection exposure apparatus for the two X-dipole illumination settings according to 10 ; and

12 in einer zu 7 ähnlichen Darstellung die Abhängigkeit der Uniformität von der Bildfeldhöhe für zwei verschiedene Y-Dipol-Beleuchtungssettings. 12 in one too 7 similar representation of the dependence of the uniformity of the field height for two different Y-dipole illumination settings.

Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 ist, was ihre optischen Hauptgruppen angeht, schematisch in der 1 im Meridionalschnitt dargestellt. Diese schematische Darstellung zeigt die optischen Hauptgruppen als refraktive optische Elemente. Genauso gut können die optischen Hauptgruppen auch als diffraktive oder reflektive Komponenten oder als Kombinationen oder Unterkombinationen von refraktiven/diffraktiven/reflektiven Zusammenstellungen optischer Elemente ausgebildet sein.A projection exposure machine 1 is, in terms of their main optical groups, schematically in the 1 shown in meridional section. This schematic diagram shows the main optical groups as refractive optical elements. The optical main groups can just as well be designed as diffractive or reflective components or as combinations or subcombinations of refractive / diffractive / reflective combinations of optical elements.

Zur Erleichterung der Darstellung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein x-y-z-Koordinatensystem verwendet. In der 1 verläuft die x-Achse senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Achse verläuft in der 1 nach oben. Die z-Achse verläuft in der 1 nach rechts und parallel zu einer optischen Achse 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Diese optische Achse 2 kann auch gegebenenfalls mehrfach gefaltet sein.To facilitate the representation of positional relationships, an xyz coordinate system is used below. In the 1 the x-axis runs perpendicular to the plane of the drawing. The y-axis runs in the 1 up. The z-axis runs in the 1 to the right and parallel to an optical axis 2 the projection exposure system 1 , This optical axis 2 can also be folded several times if necessary.

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 hat eine Strahlungsquelle 3, die Nutzlicht in Form eines Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündels 4 erzeugt. Das Nutzlicht 4 hat eine Wellenlänge im DUV, beispielsweise im Bereich zwischen 100 und 200 nm. Alternativ kann das Nutzlicht 4 auch eine Wellenlänge im EUV, insbesondere im Bereich zwischen 5 und 30 nm, haben.The projection exposure machine 1 has a radiation source 3 , The useful light in the form of a illumination or imaging beam 4 generated. The useful light 4 has a wavelength in the DUV, for example in the range between 100 and 200 nm. Alternatively, the useful light 4 also have a wavelength in the EUV, in particular in the range between 5 and 30 nm.

Eine Beleuchtungsoptik 5 der Projektionsbelichtungsanlage 1 führt das Nutzlicht 4 von der Strahlungsquelle 3 hin zu einer Objektebene 6 der Projektionsbelichtungsanlage 1. In der Objektebene 6 ist ein durch die Projektionsbelichtungsanlage 1 abzubildendes Objekt in Form eines Retikels 6a angeordnet. Das Retikel 6a ist in der 1 gestrichelt angedeutet.An illumination optics 5 the projection exposure system 1 leads the useful light 4 from the radiation source 3 towards an object plane 6 the projection exposure system 1 , In the object plane 6 is a through the projection exposure system 1 imaged object in the form of a reticle 6a arranged. The reticle 6a is in the 1 indicated by dashed lines.

Als erste optische Hauptgruppe umfasst die Beleuchtungsoptik 5 zunächst eine Pupillenformungsoptik 7. Diese dient dazu, in einer nachgelagerten Pupillenebene 8 eine definierte Intensitätsverteilung des Nutzlichts 4 zu erzeugen. Die Pupillenformungsoptik 7 bildet die Strahlungsquelle 3 in eine Mehrzahl sekundärer Lichtquellen ab. Die Pupillenformungsoptik 7 kann zusätzlich auch eine feldformende Funktion haben. In der Pupillenformungsoptik 7 können Facettenelemente, Wabenelemente und/oder diffraktive optische Elemente zum Einsatz kommen. Die Pupillenebene 8 ist optisch konjugiert zu einer weiteren Pupillenebene 9 eines Projektions objektivs 10 der Projektionsbelichtungsanlage 1, das der Beleuchtungsoptik 5 zwischen der Objektebene 6 und einer Bildebene 11 nachgelagert ist. In der Bildebene 11 ist ein Wafer 11a angeordnet und in der 1 gestrichelt angedeutet. Das Objektfeld in der Objektebene 6 wird von dem Projektionsobjektiv 10 in ein Bildfeld auf dem Wafer 11a in der Bildebene 11 abgebildet.The first optical main group comprises the illumination optics 5 first a pupil shaping optics 7 , This serves to, in a downstream pupil level 8th a defined intensity distribution of the useful light 4 to create. The pupil shaping optics 7 forms the radiation source 3 into a plurality of secondary light sources. The pupil shaping optics 7 can also have a field-shaping function. In the pupil shaping optics 7 For example, facet elements, honeycomb elements and / or diffractive optical elements can be used. The pupil level 8th is optically conjugated to another pupil plane 9 of a projection lens 10 the projection exposure system 1 , that of the illumination optics 5 between the object plane 6 and an image plane 11 is downstream. In the picture plane 11 is a wafer 11a arranged and in the 1 indicated by dashed lines. The object field in the object plane 6 is from the projection lens 10 in an image field on the wafer 11a in the picture plane 11 displayed.

Der hinter der Pupillenformungsoptik 7 angeordneten Pupillenebene 8 nachgeordnet ist eine Feldlinsengruppe 12 als weitere optische Hauptgruppe der Beleuchtungsoptik 5.The behind the pupil shaping optics 7 arranged pupil plane 8th subordinate is a field lens group 12 as another main optical group of the illumination optics 5 ,

Hinter der Feldlinsengruppe 12 ist eine Zwischenbildebene 13 angeordnet, die zur Objektebene 6 konjugiert ist. In der Zwischenbildebene 13 liegt eine Blende 14 zur Vorgabe einer randseitigen Begrenzung eines auszuleuchtenden Objektfeldes in der Objektebene 6. Die Blende 14 wird auch als REMA-(Reticle Masking-, System zum Abblenden des Retikels 6a)Blende bezeichnet.Behind the field lens group 12 is an intermediate image plane 13 arranged to the object level 6 is conjugated. In the intermediate image plane 13 there is an aperture 14 for specifying an edge boundary of an object field to be illuminated in the object plane 6 , The aperture 14 is also called REMA (reticle masking, system for dimming the reticle 6a ) Aperture.

Die Zwischenbildebene 13 wird durch eine Objektivgruppe 15, die auch als REMA-Linsengruppe bezeichnet wird, in die Objektebene 6 abgebildet. Die Objektivgruppe 15 stellt eine weitere optische Hauptgruppe der Beleuchtungsoptik 5 dar.The intermediate image plane 13 is through a lens group 15 , also referred to as REMA lens group, into the object plane 6 displayed. The lens group 15 represents another main optical group of the illumination optics 5 represents.

2 zeigt die Feldlinsengruppe 12 und die REMA-Linsengruppe 15 stärker im Detail. Die Feldlinsengruppe 12 hat insgesamt 6 hintereinander angeordnete Linsen 16 bis 21. Die REMA-Linsengruppe 15 hat nach der Zwischenbildebene 13 zwei Teil-Linsengruppen 22, 23. Die erste Teil-Linsengruppe 22 umfasst insgesamt fünf Linsen 24 bis 28. Zwischen den beiden Teil-Linsengruppen 22, 23 der REMA-Linsengruppe 15 liegt eine weitere Pupillenebene 29. Die zweite Teil-Linsengruppe 23 der REMA-Linsengruppe 15 umfasst nochmals fünf Linsen 30 bis 34. Der in Strahlrichtung letzten Linse der zweiten Teil-Linsengruppe 23 ist die Objektebene 6 mit dem Retikel 6a nachgeordnet. 2 shows the field lens group 12 and the REMA lens group 15 stronger in detail. The field lens group 12 has a total of 6 consecutively arranged lenses 16 to 21 , The REMA lens group 15 has after the intermediate image plane 13 two partial lens groups 22 . 23 , The first part-lens group 22 comprises a total of five lenses 24 to 28 , Between the two sub-lens groups 22 . 23 the REMA lens group 15 is another pupil level 29 , The second part lens group 23 the REMA lens group 15 includes another five lenses 30 to 34 , The last in the beam direction lens of the second sub-lens group 23 is the object plane 6 with the reticle 6a downstream.

In der 2 sind die abbildenden Strahlengänge zu zwei Feldpunkten, nämlich einem mittigen Objektfeldpunkt 35 und einem Maß-Feldpunkt 36 am Rand des Objektfeldes dargestellt. Der mittige Objektfeldpunkt 35 ist am Ort des Durchstoßpunktes der optischen Achse 2 durch die Objektebene 6 angeordnet. Der Maß-Feldpunkt 36 ist am in negativer y-Richtung gelegenen Feldrand des Objektfeldes angeordnet. Die y-Richtung ist gleichzeitig eine Verfahrrichtung des Retikels 6a und des Wafers 11a im Zuge des Projektionsbetriebs der Projektionsbelichtungsanlage 1. Neben der optischen Achse 2 charakterisieren den Beleuchtungsstrahlengang des mittigen Objektfeldpunktes 35 zwei Randstrahlen 37, 38, die gleichzeitig die maximalen Beleuchtungswinkel des mittigen Objektfeldpunktes 35 darstellen. Der Beleuchtungsstrahlengang des Maß-Feldpunktes 36 ist charakterisiert durch einen Hauptstrahl 39, der die Pupillenebenen 8, 29 zentrisch durchtritt, sowie durch zwei Randstrahlen 40, 41, die ebenfalls die maximalen Beleuchtungswinkel des Maß-Feldpunktes 36 wiedergeben.In the 2 are the imaging beam paths to two field points, namely a central object field point 35 and a measure field point 36 shown at the edge of the object field. The central object field point 35 is at the point of penetration of the optical axis 2 through the object plane 6 arranged. The measure field point 36 is arranged on the field edge of the object field in the negative y-direction. The y-direction is at the same time a direction of travel of the reticle 6a and the wafer 11a in the course of the projection operation of the projection exposure apparatus 1 , Next to the optical axis 2 characterize the illumination beam path of the central object field point 35 two marginal rays 37 . 38 , which simultaneously the maximum illumination angle of the central object field point 35 represent. The illumination beam path of the measurement field point 36 is characterized by a main ray 39 that the pupil levels 8th . 29 passes centrally, as well as by two marginal rays 40 . 41 , which are also the maximum illumination angles of the measure field point 36 play.

Je nach einem eingestellten Beleuchtungssetting der Beleuchtungsoptik 5, also je nach über die Pupillenformungsoptik 7 eingestellter Intensitätsverteilung in der Pupillenebene 8, resultiert eine entsprechende Verteilung der Beleuchtungswinkel für die Feldpunkte des Objektfeldes.Depending on a set illumination setting of the illumination optics 5 , so depending on the pupil shaping optics 7 adjusted intensity distribution in the pupil plane 8th , results in a corresponding distribution of the illumination angle for the field points of the object field.

3 zeigt eine annulare, also ringförmige Beleuchtungswinkelverteilung für den Maß-Feldpunkt 36. Eine derartige Beleuchtungswinkelverteilung wird auch als annulares Beleuchtungssetting bezeichnet. Der Maß- Feldpunkt 36 wird dabei aus Richtung eines in der Pupillenebene 29 ausgeleuchteten Rings beleuchtet, der bei der Beleuchtung des Maß-Feldpunkts 36 durch die Randstrahlen 40, 41 und zusätzlich durch innere Randstrahlen 42, 43 begrenzt ist. Die beiden äußeren Randstrahlen 40, 41 repräsentieren einen maximalen Beleuchtungswinkel und die beiden inneren Randstrahlen 42, 43 einen minimalen Beleuchtungswinkel für den Maß-Feldpunkt 36 für dieses annulare Beleuchtungssetting. 3 shows an annular, ie annular illumination angle distribution for the measure field point 36 , Such an illumination angle distribution is also referred to as an annular illumination setting. The measure field point 36 becomes from the direction of one in the pupil plane 29 Illuminated ring lit at the illumination of the measurement field point 36 through the margins 40 . 41 and additionally by inner marginal rays 42 . 43 is limited. The two outer marginal rays 40 . 41 represent a maximum illumination angle and the two inner marginal rays 42 . 43 a minimum illumination angle for the measure field point 36 for this annular lighting setting.

4 zeigt einen Schnitt durch das Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündel 4 zwischen der letzten Linse 34 der zweiten Teil-Linsengruppe 23 der REMA-Linsengruppe 15 und der Objektebene 6. In der 4 ist schematisch der Verlauf einer Wellenfront des ringförmig auf den Maß-Feldpunkt 36 einfallenden Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündels 4 dargestellt. Auf dem ringförmigen Bündel 4 sind die Phasenabweichungen von einer ideal sphärischen Wellenfront dargestellt. In der 4 in 12-Uhr-, in 4-Uhr- und in 8-Uhr-Position eilt die Wellenfront der ideal sphärischen Wellenfront maximal voraus, was durch den Hinweis „MAX" verdeutlicht wird. In diesen Bereichen eilt die auf den Maß-Feldpunkt 36 zulaufende Nutzlicht-Wellenfront der ideal sphärischen Wellenfront um 40 Wellenlängen voraus. In 1-Uhr-, 3-Uhr-, 5-Uhr-, 7-Uhr-, 9-Uhr- und 11-Uhr-Position ist die Phasenabweichung der Wellenfront des Bündels 4 von einer ideal sphärischen Wellenfront 0. In 2-Uhr, 6-Uhr- und 10-Uhr-Position ist die Wellenfront des Bündels 4 gegenüber der ideal sphärischen Wellenfront um 40 Wellenlängen am stärksten verzögert, was durch den Hinweis „MIN" verdeutlicht wird. Auf den Maß-Feldpunkt 36 treffen Bereiche konstanter Phase der Nutzlicht-Wellenfront des Bündels 4 also zunächst, gesehen in der Orientierung nach 4, aus den Richtungen 12-Uhr, 4-Uhr und 8-Uhr ein. Um diese drei Richtungen teilt sich die Wellenfront dann jeweils auf, wobei die Wellenfront abschließend aus den Rich tungen 2-Uhr, 6-Uhr und 10-Uhr auf den Maß-Feldpunkt 36 trifft. An den Positionen MAX liegt also ein Phasenmaximum der Wellenfront des Strahlenbündels 4 vor. An den Positionen MIN liegt ein Phasenminimum des Strahlenbündels 4 vor. 4 shows a section through the illumination or imaging beam 4 between the last lens 34 the second part lens group 23 the REMA lens group 15 and the object plane 6 , In the 4 is schematically the course of a wavefront of the ring on the Maß-field point 36 incident illumination or imaging beam 4 shown. On the annular bundle 4 the phase deviations of an ideal spherical wavefront are shown. In the 4 at 12 o'clock, 4 o'clock and 8 o'clock, the wavefront of the ideal spherical wavefront is ahead of the rest, as indicated by the indication "MAX." In these ranges, it leads to the measure field point 36 tapered useful light wavefront of the ideal spherical wavefront by 40 wavelengths ahead. In 1 o'clock, 3 o'clock, 5 o'clock, 7 o'clock, 9 o'clock and 11 o'clock position is the phase deviation of the wavefront of the bundle 4 from an ideal spherical wavefront 0. In 2 o'clock, 6 o'clock and 10 o'clock position is the wavefront of the bundle 4 This is most delayed by 40 wavelengths compared to the ideal spherical wavefront, which is illustrated by the reference "MIN." On the measurement field point 36 Meet constant wave areas of the payload light wavefront 4 So first, seen in the orientation after 4 , from the directions 12 o'clock, 4 o'clock and 8 o'clock. The wavefront then divides around these three directions, with the wavefront finally ending in the 2-o'clock, 6-o'clock and 10-o'clock directions to the measure field point 36 meets. At the positions MAX is thus a phase maximum of the wavefront of the beam 4 in front. At the positions MIN is a phase minimum of the beam 4 in front.

Bei einer Zernike-Entwicklung der Wellenfront wird ein Wellenfrontverlauf wie in der 4 dargestellt, durch den Zernike-Koeffizienten Z11 wiedergegeben.In a Zernike evolution of the wavefront, a wavefront progression becomes as in the 4 represented by the Zernike coefficient Z11.

Die Wellenfrontgestalt nach 4 wird auch als Dreiwelligkeit bezeichnet, da sie eine dreizählige Rotationssymmetrie um die z-Achse aufweist. Durch Drehung der dem Maß-Feldpunkt 36 zugeordneten Wellenfront um die z-Achse um 120° wird diese in sich übergeführt.The wavefront shape after 4 is also referred to as a three-wave because it has a threefold rotational symmetry about the z-axis. By turning the measure field point 36 associated wavefront about the z-axis by 120 °, this is converted into itself.

5 zeigt eine weitere Variante einer dreiwelligen Wellenfront, die dem Maß-Feldpunkt 36 zugeordnet ist. Maximal voraus (Position MAX) eilt die Wellenfront des Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündels 4 bei der Ausführung nach 5 in 3-Uhr-, 7-Uhr- und 11-Uhr-Position. Maximal nacheilend (Position MIN) sind die Wellenfrontbereiche in 1-Uhr-, 5-Uhr- und 9-Uhr-Position. Dazwischen, also in 12-Uhr-, 2-Uhr-, 4-Uhr-, 6-Uhr-, 8-Uhr und 10-Uhr-Position entspricht die Wellenfront des Beleuchtungs- bzw. Abbildungsstrahlenbündels 4 nach 5 einer ideal sphärischen Wellenfront. Die maximalen Phasenabweichungen betragen auch hier wiederum 40 Nutzlicht-Wellenlängen. 5 shows a further variant of a three-wave wavefront, the measure field point 36 assigned. Maximum ahead (MAX position) is the wavefront of the illumination or imaging beam 4 in the execution after 5 at 3 o'clock, 7 o'clock and 11 o'clock. Maximum trailing (MIN position) are the wavefront ranges in 1 o'clock, 5 o'clock and 9 o'clock positions. In between, ie at 12 o'clock, 2 o'clock, 4 o'clock, 6 o'clock, 8 o'clock and 10 o'clock position corresponds the wavefront of the illumination or imaging beam 4 to 5 an ideal spherical wavefront. Again, the maximum phase deviations are again 40 useful light wavelengths.

Auch andere maximale Phasenabweichungen in einem Bereich beispielsweise zwischen 1 und 200 Nutzlicht-Wellenlängen sind möglich.Also other maximum phase deviations in a range, for example between 1 and 200 useful light wavelengths are possible.

Die optischen Flächen der Linsen 16 bis 21 der Feldlinsen-Gruppe 12 sowie der Linsen 24 bis 28 und 30 bis 34 der REMA-Linsengruppe 15 sowie die Luftabstände zwischen diesen Linsen sind so variiert, dass der Verlauf der Wellenfront nach 4 resultiert.The optical surfaces of the lenses 16 to 21 the field lens group 12 as well as the lenses 24 to 28 and 30 to 34 the REMA lens group 15 as well as the air gaps between these lenses are varied so that the course of the wavefront after 4 results.

Die nachfolgenden Tabellen zeigen die Pfeilhöhenkoeffizienten sowie die Luftabstände der optischen Flächen der Linsen 16 bis 21, 24 bis 28 sowie 30 bis 34.The following tables show the arrow height coefficients as well as the air spacings of the optical surfaces of the lenses 16 to 21 . 24 to 28 such as 30 to 34 ,

Die nachfolgenden Tabellen geben die optischen Designdaten der Feldlinsen-Gruppe 12 und der REMA-Linsengruppe 15 wieder. Die erste Tabelle zeigt in der ersten Spalte die von links nach rechts durchnummerierten optischen Flächen zuerst der Feldlinsengruppe 12 und nachfolgend der REMA-Linsengruppe 15. Dies wird nachfolgend anhand ausgewählter Flächennummern näher verdeutlicht. Die „Fläche 1" ist die Pupillenebene 8. Die „Flächen 2 und 3" sind die Ein- und die Austrittsfläche der Linse 16. Die „Flächen 14 und 15" stellen die Ebene der Blende 14 dar. Die „Flächen 26, 27 und 28" stellen die Pupillenebene 29 dar. Die „Fläche 39" ist die Austrittsfläche der Linse 34. Die „Flächen 40 bis 42" stellen die Objektebene 6 dar. Die Spalte „Radien" gibt den Krümmungsradius der jeweiligen optischen Fläche wieder. Der Zusatz „AS" bei den Radiuswerten weist darauf hin, dass es sich bei der zugehörigen optischen Fläche um eine Asphärenfläche handelt. Die Spalte „Dicken" gibt den Abstand der jeweiligen optischen Fläche zur nachfolgenden optischen Fläche wieder.The following tables give the optical design data of the field lens group 12 and the REMA lens group 15 again. The first table in the first column shows the optical surfaces numbered from left to right first of the field lens group 12 and subsequently the REMA lens group 15 , This will be clarified below on the basis of selected area numbers. The "area 1" is the pupil level 8th , The "areas 2 and 3" are the entrance and the exit surface of the lens 16 , The "areas 14 and 15" represent the plane of the aperture 14 The "surfaces 26, 27 and 28" represent the pupil plane 29 The "area 39" is the exit area of the lens 34 , The "areas 40 to 42" represent the object plane 6 The column "Radii" shows the radius of curvature of the respective optical surface.The addition "AS" for the radius values indicates that the associated optical surface is an aspheric surface. The column "thicknesses" represents the distance between the respective optical surface and the subsequent optical surface.

Die Spalte „Gläser" gibt Informationen zum verwendeten Linsenmaterial. Die Spalte „Brechzahl" gibt den Brechungsindex des Linsenmaterials bei einer Lichtwellenlänge von 193,38 nm wieder. Die Spalte „Halbmesser" gibt den halben freien Durchmesser der jeweiligen optischen Komponente wieder. FLÄCHE RADIEN DICKEN GLÄSER BRECHZAHL 193.38 nm HALBMESSER 1 0.000000000 92.233557345 1.00000000 62.540 2 –89.700000000 29.679922960 QUARZ 1.56034000 78.956 3 –272.462438385AS 0.955298052 1.00000000 112.725 4 –725.448369464 71.437326360 QUARZ 1.56034000 130.148 5 –167.694355505 1.008669622 1.00000000 136.991 6 –447.155660016 36.898792950 QUARZ 1.56034000 147.384 7 –242.866196020 1.001539643 1.00000000 150.045 8 163.849736489AS 67.433564155 QUARZ 1.56034000 150.332 9 1364.109862141 0.925331993 1.00000000 147.124 10 162.104756393 67.581031005 QUARZ 1.56034000 127.171 11 1887.620154608 3.604364887 1.00000000 120.981 12 610.048430997 11.846684677 QUARZ 1.56034000 108.968 13 96.163033983 96.671112000 1.00000000 78.634 14 0.000000000 0.000000000 1.00000000 54.968 15 0.000000000 75.872817197 1.00000000 54.968 16 –83.789542737 45.215799660 QUARZ 1.56034000 70.551 17 –310.036905041 0.824595207 1.00000000 115.298 18 –535.352671659 68.748254532 QUARZ 1.56034000 123.672 19 –151.907325684 0.835394959 1.00000000 130.004 20 –1231.483593390 55.558272275 QUARZ 1.56034000 147.744 21 –209.503913013AS 0.824610263 1.00000000 150.399 22 154.092521546AS 80.629744547 QUARZ 1.56034000 149.947 23 1065.917108338 2.516121503 1.00000000 145.285 24 265.109387135AS 22.236298536 QUARZ 1.56034000 126.141 25 114.547832859 165.533970841 1.00000000 101.140 26 0.000000000 0.000000000 1.00000000 71.313 27 0.000000000 0.000000000 QUARZ 1.56034000 71.313 28 0.000000000 128.127081945 1.00000000 71.313 29 –110.044717777 29.523581666 QUARZ 1.56034000 94.344 30 –174.150784378AS 0.894954340 1.00000000 118.334 31 –40322.435844235 73.195259688 QUARZ 1.56034000 144.594 32 –213.277507038 0.986210604 1.00000000 148.817 33 157.604075517AS 91.460239170 QUARZ 1.56034000 150.585 34 15274.245301417 3.242255885 1.00000000 146.299 35 274.455520510 44.999907025 QUARZ 1.56034000 125.871 36 1596.100674430 0.852705753 1.00000000 115.094 37 301.744850001AS 12.397146898 QUARZ 1.56034000 106.062 38 112.625107823 99.275036425 1.00000000 82.899 39 0.000000000 6.250000000 QUARZ 1.56034000 56.389 40 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55.423 41 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55.423 42 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55.423 The "Glasses" column provides information on the lens material used The "refractive index" column represents the refractive index of the lens material at a wavelength of 193.38 nm. The column "radius" represents half the free diameter of the respective optical component. AREA RADII THICK GLASSES BRECHZAHL 193.38 nm RADIUS 1 0.000000000 92.233557345 1.00000000 62540 2 -89.700000000 29.679922960 QUARTZ 1.56034000 78956 3 -272.462438385AS 0.955298052 1.00000000 112725 4 -725.448369464 71.437326360 QUARTZ 1.56034000 130148 5 -167.694355505 1.008669622 1.00000000 136991 6 -447.155660016 36.898792950 QUARTZ 1.56034000 147384 7 -242.866196020 1.001539643 1.00000000 150045 8th 163.849736489AS 67.433564155 QUARTZ 1.56034000 150332 9 1364.109862141 0.925331993 1.00000000 147124 10 162.104756393 67.581031005 QUARTZ 1.56034000 127171 11 1887.620154608 3.604364887 1.00000000 120981 12 610.048430997 11.846684677 QUARTZ 1.56034000 108968 13 96.163033983 96.671112000 1.00000000 78634 14 0.000000000 0.000000000 1.00000000 54968 15 0.000000000 75.872817197 1.00000000 54968 16 -83.789542737 45.215799660 QUARTZ 1.56034000 70551 17 -310.036905041 0.824595207 1.00000000 115298 18 -535.352671659 68.748254532 QUARTZ 1.56034000 123672 19 -151.907325684 0.835394959 1.00000000 130004 20 -1231.483593390 55.558272275 QUARTZ 1.56034000 147744 21 -209.503913013AS 0.824610263 1.00000000 150399 22 154.092521546AS 80.629744547 QUARTZ 1.56034000 149947 23 1065.917108338 2.516121503 1.00000000 145285 24 265.109387135AS 22.236298536 QUARTZ 1.56034000 126141 25 114.547832859 165.533970841 1.00000000 101140 26 0.000000000 0.000000000 1.00000000 71313 27 0.000000000 0.000000000 QUARTZ 1.56034000 71313 28 0.000000000 128.127081945 1.00000000 71313 29 -110.044717777 29.523581666 QUARTZ 1.56034000 94344 30 -174.150784378AS 0.894954340 1.00000000 118334 31 -40322.435844235 73.195259688 QUARTZ 1.56034000 144594 32 -213.277507038 0.986210604 1.00000000 148817 33 157.604075517AS 91.460239170 QUARTZ 1.56034000 150585 34 15274.245301417 3.242255885 1.00000000 146299 35 274.455520510 44.999907025 QUARTZ 1.56034000 125871 36 1596.100674430 0.852705753 1.00000000 115094 37 301.744850001AS 12.397146898 QUARTZ 1.56034000 106062 38 112.625107823 99.275036425 1.00000000 82899 39 0.000000000 6.250000000 QUARTZ 1.56034000 56389 40 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55423 41 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55423 42 0.000000000 0.000000000 1.00000000 55423

Die Austrittsfläche der Linse 16 („Fläche 3") , die Austrittsfläche der Linse 19 („Fläche Nr. 8"), die Austrittsfläche der Linse 26 („Fläche 21"), die Eintrittsfläche der Linse 27 („Fläche 22"), die Eintrittsfläche der Linse 28 („Fläche 24"), die Austrittsfläche der Linse 30 („Fläche Nr. 30"), die Eintrittsfläche der Linse 32 („Fläche 33") sowie die Eintrittsfläche der Linse 34 („Fläche 37") sind als asphärische Flächen nach der Asphärenformel p(h) = [((1/r)h2)/(+SQRT(1 – (1 + K)(1/r)2h2))] + C1·h4 + C2·h6 + ... ausgeführt. Hierbei ist 1/r die Krümmung der Oberfläche im Scheitelpunkt der Asphäre. h ist der Abstand eines Punktes auf der optischen Fläche der Asphäre von der in z-Richtung verlaufenden Rotationssymmetrieachse der optischen Fläche, die auch als optische Achse bezeichnet wird. p(h), die Pfeilhöhe, ist der z-Abstand zwischen einem betrachteten Punkt mit Abstand h (h² = x² + y²) von der Rotationssymmetrieachse zum Scheitelpunkt der optischen Asphärenfläche, also des Punkts auf der optischen Fläche mit h = 0. Die Koeffizienten C3 ff gehören zu weiteren geradzahligen Potenzen von h ab, einschließlich h⁸.The exit surface of the lens 16 ("Area 3"), the exit surface of the lens 19 ("Surface No. 8"), the exit surface of the lens 26 ("Area 21"), the entrance surface of the lens 27 ("Area 22"), the entrance surface of the lens 28 ("Area 24"), the exit surface of the lens 30 ("Area No. 30"), the entrance surface of the lens 32 ("Area 33") and the entrance surface of the lens 34 ("Area 37") are aspherical surfaces according to the asphere formula p (h) = [((1 / r) h 2 ) / (+ SQRT (1 - (1 + K) (1 / r) 2 H 2 ))] + C1 · h 4 + C2 · h 6 + ... executed. Here, 1 / r is the curvature of the surface at the apex of the asphere. h is the distance of a point on the optical surface of the asphere from the z-axis rotational symmetry axis of the optical surface, which is also referred to as the optical axis. p (h), the height of the arrow, is the z-distance between a considered point with distance h (h ² = x ² + y ² ) from the rotational symmetry axis to the vertex of the optical aspherical surface, ie the point on the optical surface with h = 0 The coefficients C3 ff belong to other even powers of h, including h ⁸ .

Die nachfolgenden Tabellen zeigen die Koeffizienten K sowie C1 bis C9, die in diese Asphärengleichung jeweils einzusetzen sind, um die jeweilige asphärische optische Fläche zu erhalten. ASPHAERISCHE KONSTANTEN FLAECHE NR. 3 K –2.5748 C1 –1.19330892e–007 C2 7.04733253e–012 C3 –2.44589399e–016 C4 6.10706929e–021 C5 0.00000000e+000 C6 0.00000000e+000 C7 0.00000000e+000 C8 0.00000000e+000 C9 0.00000000e+000 FLAECHE NR. 8 K –1.5711 C1 –4.29326717e–009 C2 5.00511590e–013 C3 –9.78018564e–018 C4 3.49199291e–023 C5 0.00000000e+000 C6 0.00000000e+000 C7 0.00000000e+000 C8 0.00000000e+000 C9 0.00000000e+000 FLAECHE NR. 21 K –0.4568 C1 6.11367241e–009 C2 3.40726569e–013 C3 –7.68087411e–018 C4 1.96451358e–022 C5 0.00000000e+000 C6 0.00000000e+000 C7 0.00000000e+000 C8 0.00000000e+000 C9 0.00000000e+000 FLAECHE NR. 22 K –0.6323 C1 –2.86159265e–009 C2 –2.32170489e–013 C3 5.81359768e–018 C4 –1.57396672e–022 C5 0.00000000e+000 C6 0.00000000e+000 C7 0.00000000e+000 C8 0.00000000e+000 C9 0.00000000e+000 FLAECHE NR. 24 K 2.2865 C1 2.30807796e–008 C2 6.67847615e–013 C3 –4.62329172e–017 C4 1.53138935e–021 C5 0.00000000e+000 C6 0.00000000e+000 C7 0.00000000e+000 C8 0.00000000e+000 C9 0.00000000e+000 FLAECHE NR. 30 K 0.1943 C1 1.44760510e–009 C2 –2.48108477e–013 C3 4.48520578e–018 C4 2.22291441e–021 C5 0.00000000e+000 C6 0.00000000e+000 C7 0.00000000e+000 C8 0.00000000e+000 C9 0.00000000e+000 FLAECHE NR. 33 K –0.7663 C1 1.06212025e–008 C2 –4.12517030e–013 C3 2.68732020e–017 C4 –6.15676979e–022 C5 0.00000000e+000 C6 0.00000000e+000 C7 0.00000000e+000 C8 0.00000000e+000 C9 0.00000000e+000 FLAECHE NR. 37 K –13.8396 C1 –1.92231791e–008 C2 –1.31880966e–012 C3 1.19473760e–016 C4 –1.32105397e–021 C5 0.00000000e+000 C6 0.00000000e+000 C7 0.00000000e+000 C8 0.00000000e+000 C9 0.00000000e+000 The following tables show the coefficients K and C1 to C9 to be used in this aspheric equation, respectively, to obtain the respective aspheric optical surface. ASPHAERIC CONSTANTS FLAECHE NO. 3 K -2.5748 C1 -1.19330892e-007 C2 7.04733253e-012 C3 -2.44589399e-016 C4 6.10706929e-021 C5 0.00000000E + 000 C6 0.00000000E + 000 C7 0.00000000E + 000 C8 0.00000000E + 000 C9 0.00000000E + 000 FLAECHE NO. 8th K -1.5711 C1 -4.29326717e-009 C2 5.00511590e-013 C3 -9.78018564e-018 C4 3.49199291e-023 C5 0.00000000E + 000 C6 0.00000000E + 000 C7 0.00000000E + 000 C8 0.00000000E + 000 C9 0.00000000E + 000 FLAECHE NO. 21 K -0.4568 C1 6.11367241e-009 C2 3.40726569e-013 C3 -7.68087411e-018 C4 1.96451358e-022 C5 0.00000000E + 000 C6 0.00000000E + 000 C7 0.00000000E + 000 C8 0.00000000E + 000 C9 0.00000000E + 000 FLAECHE NO. 22 K -0.6323 C1 -2.86159265e-009 C2 -2.32170489e-013 C3 5.81359768e-018 C4 -1.57396672e-022 C5 0.00000000E + 000 C6 0.00000000E + 000 C7 0.00000000E + 000 C8 0.00000000E + 000 C9 0.00000000E + 000 FLAECHE NO. 24 K 2.2865 C1 2.30807796e-008 C2 6.67847615e-013 C3 -4.62329172e-017 C4 1.53138935e-021 C5 0.00000000E + 000 C6 0.00000000E + 000 C7 0.00000000E + 000 C8 0.00000000E + 000 C9 0.00000000E + 000 FLAECHE NO. 30 K 0.1943 C1 1.44760510e-009 C2 -2.48108477e-013 C3 4.48520578e-018 C4 2.22291441e-021 C5 0.00000000E + 000 C6 0.00000000E + 000 C7 0.00000000E + 000 C8 0.00000000E + 000 C9 0.00000000E + 000 FLAECHE NO. 33 K -0.7663 C1 1.06212025e-008 C2 -4.12517030e-013 C3 2.68732020e-017 C4 -6.15676979e-022 C5 0.00000000E + 000 C6 0.00000000E + 000 C7 0.00000000E + 000 C8 0.00000000E + 000 C9 0.00000000E + 000 FLAECHE NO. 37 K -13.8396 C1 -1.92231791e-008 C2 -1.31880966e-012 C3 1.19473760e-016 C4 -1.32105397e-021 C5 0.00000000E + 000 C6 0.00000000E + 000 C7 0.00000000E + 000 C8 0.00000000E + 000 C9 0.00000000E + 000

6 zeigt eine Soll-Phasenabweichung jeweils am Ort MIN abhängig von der Feldhöhe, also abhängig vom Abstand des jeweils betrachteten Feldpunktes vom mittigen Objektfeldpunkt 35. Am Feldrand, also beim Maß-Feldpunkt 36 bzw. beim in positiver y-Richtung gegenüberliegenden randseitigen Feldpunkt, liegt eine Soll-Phasenabweichung vor, die –100 Wellenlängen noch unterschreitet. Von dem randseitigen Maß-Feldpunkt 36 aus zum mittigen Objektfeldpunkt 35 hin verringert sich diese negative Phasenabweichung schnell, bis sie etwa auf halbem Wege zwischen dem Objektfeldrand und der Objektfeldmitte sogar positive Werte annimmt und sich dann zum mittigen Objektfeldpunkt 35 hin wieder einer Phasenabweichung von null annähert. 6 shows a desired phase deviation respectively at the location MIN depending on the field height, that is dependent on the distance of the respectively considered field point from the central object field point 35 , At the edge of the field, that is at the measure field point 36 or at the opposite edge field point in the positive y-direction, there is a desired phase deviation, which still falls short of -100 wavelengths. From the edge dimension field point 36 out to the central object field point 35 This negative phase deviation decreases rapidly until it even assumes positive values approximately midway between the object field edge and the center of the object field, and then becomes the central object field point 35 back to a phase deviation of zero approaches.

7 zeigt die Feldhöhenabhängigkeit eines Elliptizitätswertes E090 für die Beleuchtungsoptik 5 mit der Soll-Phasenabweichung nach 6. 7 shows the field height dependence of an ellipticity value E090 for the illumination optics 5 with the desired phase deviation after 6 ,

Zur Definition des Elliptizitätswerts E090 wird auf die Zerlegung einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 5 nach 8 verwiesen. Hierbei kann es sich beispielsweise um die Pupillenebene 29 handeln. Diese Pupillenebene 29 wird, wie dies mathematisch üblich ist, beginnend mit dem xy-Quadranten, in acht Oktanten O₁ bis O₈ zerlegt. Der Elliptizitätswert E090 entspricht dem Intensitätsverhältnis des Strahlenbündels 4 in der Pupillenebene über die Oktanten O₁ bis O₈ gemäß folgender Formel: E090 = (IO2 + IO3 + IO6 + IO7)/(IO1 + IO4 + IO5 + IO8) The definition of the ellipticity value E090 is based on the decomposition of a pupil plane of the illumination optics 5 to 8th directed. This may be, for example, the pupil plane 29 act. This pupil level 29 is, as is mathematically usual, starting with the xy quadrant, divided into eight octants O ₁ to O ₈ . The ellipticity E090 corresponds to the intensity ratio of the beam 4 in the pupil plane over the octants O ₁ to O ₈ according to the following formula: E090 = (I O2 + I O3 + I O6 + I O7 ) / (I O1 + I O4 + I O5 + I O8 )

Der Elliptizitätswert E090 entspricht also anschaulich dem Verhältnis der Intensität aus Bereichen von mit überwiegendem y-Richtungsanteil einfallenden Beleuchtungsrichtungen im Verhältnis zu der Intensität aus Berei chen von mit überwiegendem x-Richtungsanteil einfallenden Beleuchtungsrichtungen.Of the ellipticity E090 thus clearly corresponds to the ratio of the intensity of areas of predominant y-directional portion incident lighting directions in relation to the intensity from areas of predominant x-directional portion incident lighting directions.

Dargestellt ist in der 7 der Elliptizitätswert E090 als prozentuale Abweichung vom Elliptizitätswert 1. Der Elliptizitätswert E090 ist dargestellt für zwei verschiedene annulare Beleuchtungssettings. Strichpunktiert dargestellt ist eine annulare Beleuchtung, bei der Beleuchtungswinkel zwischen dem 0,75- und dem 0,95-fachen der maximalen bildseitigen numerischen Apertur der Beleuchtungsoptik genutzt werden. Dieses Beleuchtungssetting wird nachfolgend auch als großes annulares Setting bezeichnet. Gestrichelt dargestellt ist zudem eine annulare Beleuchtung, bei der Beleuchtungswinkel zwischen dem 0,65- und dem 0,85-fachen der maximalen bildseitigen numerischen Apertur der Beleuchtungsoptik genutzt werden. Dieses Beleuchtungssetting wird nachfolgend auch als kleines annulares Setting bezeichnet.Shown in the 7 the ellipticity value E090 as a percentage deviation from the ellipticity value 1 , The ellipticity value E090 is shown for two different annular illumination settings. An atomic illumination, in which illumination angles between the 0.75 and 0.95 times the maximum image-side numerical aperture of the illumination optics are used, is shown by dash-dotted lines. This illumination setting is also referred to below as a large annular setting. In addition, an annular illumination, in which illumination angles between 0.65 and 0.85 times the maximum image-side numerical aperture of the illumination optics are used, is shown by dashed lines. This illumination setting is also referred to below as a small annular setting.

Beim großen annularen Setting nimmt der Elliptizitätsparameter E090 hin zu den beiden Feldrändern in etwa parabolisch ab, wobei an den Feldrändern die Abweichung des E090-Wertes von 1 mehr als 3% beträgt. Beim kleinen annularen Setting resultiert ein ähnlicher Verlauf des Elliptizitätsparameters E090, wobei am Feldrand eine geringere Reduzierung des E090-Wertes um etwa 2% resultiert. In der Feldmitte bleibt der Elliptizitätswert E090 konstant bei null.At the huge annular setting, the ellipticity parameter E090 increases towards the two field borders in approximately parabolic from, where at the field edges, the deviation of the E090 value of 1 is more than 3%. The small annular setting results in a similar course of the ellipticity parameter E090, with a smaller reduction of the E090 value at the edge of the field results by about 2%. In the middle of the field, the ellipticity value E090 remains constant at zero.

Die Abnahme des Elliptizitätswerts E090 zum Feldrand hin kann zum Ausgleich eines gegenläufigen Elliptizitätseffekts herangezogen werden, der durch optische Beschichtungen der optischen Flächen der einzelnen Komponenten der Beleuchtungsoptik 5 resultiert.The decrease of the ellipticity value E090 towards the edge of the field can be used to compensate for an opposite ellipticity effect caused by optical coatings of the optical surfaces of the individual components of the illumination optics 5 results.

9 zeigt die Uniformität (uniformity) der Beleuchtung des Objektfeldes über die Feldhöhe. Beleuchtet wird hier ebenfalls mit den Settings, die vorstehend im Zusammenhang mit der 7 erläutert wurden. 9 shows the uniformity of the illumination of the object field over the field height. Illuminated here also with the settings that were previously in connection with the 7 were explained.

Die Uniformität U ist definiert als die in y-Richtung integrierte Gesamtenergie SE an einem x-Wert, also bei einer Feldhöhe, in der Objektebene 6. Dieser Wert wird üblicherweise noch normiert, so dass gilt: Uniformität in % = 100(SE(x)max – SE(x)min)/(SE(x)max + SE(x)min)SE(x)_max stellt dabei die maximale und SE(x)_min die minimale scanintegrierte Gesamtenergie dar.The uniformity U is defined as the total energy SE integrated in the y direction at an x value, ie at a field height, in the object plane 6 , This value is usually normalized, so that the following applies: Uniformity in% = 100 (SE (x) Max - SE (x) min )/(Sex) Max + SE (x) min ) SE (x) _max is doing the maximum and SE (x) _{min is} the minimum scan-integrated total energy.

Die Uniformität nimmt, ausgehend von der Feldmitte (x = 0) sowohl beim kleinen als auch beim großen annularen Setting zunächst in etwa parabolisch zu. In der Nähe des Feldrandes steigt die Uniformität beim großen annularen Setting auf einen Wert von etwa 1,3% an. Beim kleinen annularen Setting steigt auch am Feldrand die Uniformität nicht über einen Wert, der größer ist als 1%.The uniformity takes, starting from the middle of the field (x = 0) in both the small and even when big annular Setting first roughly parabolic too. Near On the edge of the field, the uniformity of the large, annular setting increases to one Value of about 1.3%. The small annular setting also increases uniformity at the edge of the field no over a value that is larger than 1%.

10 zeigt die Uniformität über die Feldhöhe x für zwei X-Dipol-Beleuchtungssettings. 10 shows the uniformity over the field height x for two X-dipole illumination settings.

Gestrichelt ist der Uniformitätswert für ein großes X-Dipol-Setting dargestellt, das nachfolgend anhand von 11 erläutert wird. 11 zeigt ähnlich der 8 eine Ausleuchtung einer der Pupillenebenen der Beleuchtungsoptik 5 am Beispiel der Pupillenebene 29. Das große X-Dipol-Setting 44 ist als Gruppe zweier 90°-Abschnitte durchgezogen dargestellt. Die beiden Ringabschnitte des X-Dipol-Settings 44, also dessen beide Pole, über streichen die Oktanten O₁, O₈ einerseits und O₄, O₅ andererseits. Die beiden Ringabschnitte werden begrenzt durch zwei Teilkreise, die auf Radien laufen, die dem 0,75-fachen und dem 0,95-fachen eines maximalen Aperturradius R in der Pupillenebene 29 entsprechen.The dashed line shows the uniformity value for a large X-dipole setting, which is described below using 11 is explained. 11 shows similar to the 8th an illumination of one of the pupil planes of the illumination optics 5 using the example of the pupil plane 29 , The big X-dipole setting 44 is shown as a group of two 90 ° sections drawn through. The two ring sections of the X-dipole settings 44 , ie the two poles, over the octants O ₁ , O ₈ on the one hand and O ₄ , O ₅ on the other hand. The two ring sections are bounded by two pitch circles running on radii of 0.75 times and 0.95 times a maximum aperture radius R in the pupil plane 29 correspond.

In der 11 strichpunktiert dargestellt ist auch ein kleines X-Dipol-Setting 45, dessen Pole von Teilkreisen begrenzt sind, deren Radien dem 0,65-fachen und dem 0,85-fachen des maximalen Aperturradius R in der Pupillenebene 29 entsprechen.In the 11 dash-dotted is also a small X-dipole-setting 45 whose poles are delimited by partial circles whose radii are 0.65 and 0.85 times the maximum aperture radius R in the pupil plane 29 correspond.

Die Uniformität nimmt, wie in der 10 dargestellt, beim großen X-Dipol-Setting ausgehend von einem Wert 0 in der Feldmitte zum Rand hin bis auf einen Wert von 3% zu. Beim kleinen X-Dipol-Setting nimmt die Uniformität in ähnlicher Form, jedoch nicht in gleicher Stärke, bis zu einem Wert von 2% am Feldrand zu.The uniformity decreases, as in the 10 shown in the large X-dipole setting from a value of 0 in the middle of the field to the edge to a value of 3%. In the small X-dipole setting, the uniformity increases in a similar manner, but not in the same magnitude, up to a value of 2% at the edge of the field.

12 zeigt den Feldverlauf der Uniformität für ein großes und ein kleines Y-Dipol-Setting. Die Y-Dipol-Settings gehen aus den X-Dipol-Settings nach 11 durch Drehung um 90° um die z-Achse hervor. Die Uniformität nimmt für das große Y-Dipol-Setting ausgehend von einem Wert 0 in der Feldmitte bis zu einem Wert von etwa –1,4% am Feldrand ab. Beim kleinen Y-Dipol-Setting nimmt die Uniformität, ebenfalls ausgehend von einem Wert von 0 in der Feldmitte auf einen Wert von etwa –0,9% ab. 12 shows the uniformity of the field for a large and a small Y-dipole setting. The Y-dipole settings are derived from the X-dipole settings 11 by rotating 90 ° about the z-axis. The uniformity decreases for the large Y-dipole setting from a value of 0 in the middle of the field to a value of about -1.4% at the edge of the field. In the small Y-dipole setting, the uniformity also decreases from a value of 0 in the middle of the field to a value of about -0.9%.

Die Vorgabe einer Soll-Phasenabweichung insbesondere mit einer feldrandseitig großen Soll-Phasenabweichung, wie in der 6 dargestellt, ermöglicht die Einstellung einer Beleuchtungswinkelverteilung für die Objektfeldpunkte, bei der zusätzlich eine vorgegebene Intensitätsverteilung beispielsweise über das gesamte Objektfeld in der Objektebene 6 erreicht werden kann. Zu dieser Einstellung wird zunächst die Soll-Phasenabweichung von einer ideal sphärischen Wellenfront vorgegeben, beispielsweise ein Phasenabweichungsverlauf wie in der 6 dargestellt. Diese Soll-Phasenabweichung wird für diejenige Wellenfront angegeben, die nach dem Durchtreten der gesamten Beleuchtungsoptik 5, also nach Durchtreten der letzten Linse 34 der REMA-Linsengruppe 15, am randseitigen Maß-Feldpunkt 36 des Objektfeldes ankommt. Die vorgegebene Soll-Phasenabweichung hat eine dreizählige Symmetrie, wie vorstehend für den Maß-Feldpunkt 36 anhand der 4 erläutert. Die Soll-Phasenabweichung hat also in einer Umfangsrichtung um den Hauptstrahl 39 verteilt drei Phasenmaxima MAX und drei zwischen jeweils zweien der Phasenmaxima MAX liegende Phasenminima MIN. Nach dieser Vorgabe der Soll-Phasenabweichung wird die Pfeilhöhenfunktion der optischen Flächen der optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik 5, also insbesondere der Linsen 16 bis 21, 24 bis 28 sowie 30 bis 34 an die vorgegebene Soll-Phasenabweichung angepasst. Dies erfolgt durch Variation der Koeffizienten der Pfeilhöhenfunktion sowie der Luftabstände zwischen den optischen Komponenten. Die Variation wird so durchgeführt, dass eine Differenz einer Ist-Phasenabweichung, die von der Beleuchtungsoptik 5 am Maß-Feldpunkt 36 erzeugt wird, von der vorgegebenen Soll-Phasenabweichung minimiert ist. Entsprechend den so angepassten Pfeilhöhenfunktionen werden dann die optischen Flächen der Linsen 16 bis 21, 24 bis 28 sowie 30 bis 34 geformt.The specification of a desired phase deviation, in particular with a field edge side large desired phase deviation, as in 6 illustrated, allows the setting of an illumination angle distribution for the object field points, in addition, a predetermined intensity distribution, for example, over the entire Object field in the object plane 6 can be achieved. For this setting, the desired phase deviation is initially specified by an ideal spherical wavefront, for example a phase deviation profile as in FIG 6 shown. This desired phase deviation is specified for that wavefront which after passing through the entire illumination optics 5 So after passing through the last lens 34 the REMA lens group 15 , at the edge measurement field point 36 of the object field arrives. The predetermined target phase deviation has a threefold symmetry, as above for the measure field point 36 based on 4 explained. The desired phase deviation thus has in a circumferential direction around the main beam 39 distributes three phase maxima MAX and three phase minima MIN lying between each two of the phase maxima MAX. After this specification of the desired phase deviation, the arrow height function of the optical surfaces of the optical components of the illumination optics 5 , so in particular the lenses 16 to 21 . 24 to 28 such as 30 to 34 adapted to the predetermined target phase deviation. This is done by varying the coefficients of the arrow height function and the air gaps between the optical components. The variation is performed such that a difference of an actual phase deviation from that of the illumination optics 5 at the measurement field point 36 is minimized, is minimized by the predetermined target phase deviation. According to the thus adapted arrow height functions then the optical surfaces of the lenses 16 to 21 . 24 to 28 such as 30 to 34 shaped.

Es ist nicht zwingend erforderlich, die Form der optischen Flächen aller optischen Komponenten zur Einstellung der Soll-Phasenabweichung zu variieren. Es reicht aus, ausgewählte optische Flächen zu variieren. Prinzipiell kann es genügen, die vorgegebene Soll-Phasenabweichung über die Variation der Form einer einzigen optischen Fläche innerhalb vorgegebener Grenzen zu erreichen.It is not mandatory, the shape of the optical surfaces of all optical components for setting the target phase deviation to vary. It suffices to select selected optical surfaces vary. In principle, it may be sufficient to set the predetermined desired phase deviation over the variation the shape of a single optical surface within predetermined To reach limits.

Bei der Auswahl der optischen Flächen zur Vorgabe einer bestimmten Phasenabweichung mit entsprechend dem Vorstehenden erläuterten dreizähligen Symmetrie, kann berücksichtigt werden, dass die Wirkung einer Änderung der Pfeilhöhe einer optischen Fläche auf die Phasenabweichung eines Feldpunktes gleichzeitig von der dritten Potenz einer Pupillenkoordinate und von der dritten Potenz einer Feldkoordinate abhängt.at the selection of optical surfaces to specify a certain phase deviation with according to the Explained above threefold Symmetry, can be considered be that effect of a change the arrow height an optical surface on the phase deviation of a field point simultaneously from the third power of a pupil coordinate and of the third power depends on a field coordinate.

Die Soll-Phasenabweichung mit den drei Phasenmaxima und den zwischenliegenden drei Phasenminima kann, wie vorstehen im Zusammenhang mit der 6 erläutert, durch Vorgabe eines Zernike-Koeffizienten Z11 bei der Beschreibung der Wellenfunktion am Maß-Feldpunkt 36 geschehen. Alternativ ist es möglich, für den Maß-Feldpunkt 36 den Phasenwert für drei im Maß-Feldpunkt ankommende Einzelstrahlen vorzugeben, die in Umfangsrichtung um den Hauptstrahl 39 zueinander versetzt angeordnet sind. Es muss sich dabei um Einzelstrahlen handeln, die im Rahmen der jeweils gewählten Wellenfrontbeschreibung eine eindeutige Phasencharakterisierung der Form der am Maß-Feldpunkt 36 ankommenden Wellenfront ermöglichen. Drei Durchstoßpunkte 46, 47, 48 derartiger Einzelstrahlen sind beispielhaft in der 4 angedeutet. Der Durchstoßpunkt 46 liegt im Bereich der 2-Uhr-Position, der Durchstoßpunkt 47 im Bereich der 4-Uhr-Position und der Durchstoßpunkt 48 im Bereich der 9-Uhr-Position der annularen Beleuchtung des Maß-Feldpunkts 36.The desired phase deviation with the three phase maxima and the intermediate three phase minima can, as in the context of the 6 by specifying a Zernike coefficient Z11 in describing the wave function at the measure field point 36 happen. Alternatively, it is possible for the measure field point 36 specify the phase value for three individual beams arriving at the measurement field point, which are circumferentially around the main beam 39 arranged offset from each other. These must be individual beams which, in the context of the respectively selected wavefront description, have a clear phase characterization of the form at the measure field point 36 enable incoming wave front. Three puncture points 46 . 47 . 48 Such individual beams are exemplary in the 4 indicated. The puncture point 46 is in the range of the 2 o'clock position, the puncture point 47 in the range of the 4 o'clock position and the puncture point 48 in the area of the 9 o'clock position of the annular illumination of the measurement field point 36 ,

Die durch die vorgegebene Soll-Phasenabweichung erzwungene Dreizähligkeit der auf die randseitigen Objektfeldpunkte auftreffenden Wellenfront erzwingt eine beispielsweise näherungsweise parabolische Abhängigkeit der Beleuchtungsparameter Elliptizität (E090) und Uniformität wie vorstehend insbesondere im Zusammenhang mit den 7, 10 und 12 erläutert. Diese parabolische Abhängigkeit wird als Vorhalt zur Kompensation gegenläufiger parabolischer Feldabhängigkeiten dieser Beleuchtungsparameter eingesetzt, die beispielsweise durch Schichteffekte auf den optischen Flächen der optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik 5 erzeugt werden.The three-foldness of the wavefront impinging on the edge-side object field points forced by the predetermined desired phase deviation forces an, for example, approximately parabolic dependence of the illumination parameters ellipticity (E090) and uniformity as above in particular in connection with FIGS 7 . 10 and 12 explained. This parabolic dependence is used as a precondition for compensation of opposing parabolic field dependencies of these illumination parameters, which are obtained, for example, by layer effects on the optical surfaces of the optical components of the illumination optics 5 be generated.

Typische Vorhaltwerte sind Verläufe des Elliptizitätswertes E090 derart, dass sich dieser am Rand des Objektfeldes um mehr als 1% ändert, und Verläufe des Uniformitätswertes derart, dass sich dieser am Rand des Objektfeldes um mehr als 1% ändert.typical Prevalues are gradients of the ellipticity value E090 such that this at the edge of the object field by more than 1% changes, and gradients of uniformity value such that it changes by more than 1% at the edge of the object field.

Mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird wenigstens ein Teil des Retikels 6a auf einen Bereich einer lichtempfindlichen Schicht auf dem Wafer bzw. dem Substrat 11a zur lithographischen Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements abgebildet. Je nach Ausführung der Projektionsbelichtungsanlage 1 als Scanner oder als Stepper werden das Retikel 6a und der Wafer 11a zeitlich synchronisiert in der y-Richtung kontinuierlich im Scannerbetrieb oder schrittweise im Stepperbetrieb verfahren.With the help of the projection exposure system 1 becomes at least a part of the reticle 6a to a region of a photosensitive layer on the wafer or the substrate 11a for the lithographic production of a microstructured or nanostructured component. Depending on the version of the projection exposure system 1 as a scanner or as a stepper become the reticle 6a and the wafer 11a synchronized in time in the y-direction continuously in scanner mode or stepwise in stepper mode.

Claims

Method for setting an illumination angle distribution over an image to be imaged into an image field Project field with simultaneously given intensity distribution of illumination over the object field with the following steps: Specification of a desired phase deviation of an ideal spherical wavefront of useful light, which after passing through an illumination optics 5 ) at a marginal measurement field point ( 36 ) of the object field arrives, the desired phase deviation having a threefold symmetry, that is to say the desired phase deviation in the circumferential direction by one on the measurement field point ( 36 ) incident main beam ( 39 ) has three phase maxima (MAX) and three phase minima (MIN) lying between in each case two of the phase maxima (MAX), - variation of - development coefficients which have a rotationally symmetrical arrow height of at least one optical surface of an optical component ( 16 to 21 . 24 to 28 . 30 to 34 ) of the illumination optics ( 5 ), - air gaps between the optical components ( 16 to 21 . 24 to 28 . 30 to 34 ) such that a difference of an actual phase deviation, which differs from the illumination optics ( 5 ) at the measure field point ( 36 ) is minimized by the predetermined target phase deviation.

Method according to claim 1, characterized in that that the desired phase deviation as a function of a field height of the object field or the image field is specified.

A method according to claim 1 or 2, characterized in that the specification of the desired phase deviation by specifying the phase value of at least three incoming in the measure field point individual beams ( 46 to 48 ), which is circumferentially around the main jet ( 39 ) are arranged offset from each other.

A method according to claim 1 or 2, characterized in that the specification of the desired phase deviation by - development of the wavefront, at the measurement field point ( 36 ) arrives, in a Zernike series and by - specification of the desired phase deviation by Vorhalt a non-zero Z11 setpoint occurs.

Method according to claim 4, characterized by Specification of a Z11 setpoint in the order of magnitude of several useful light wavelengths, in particular in the order of magnitude several 10 useful light wavelengths.

Method according to one of claims 1 to 5, characterized the specification is such that an ellipticity value E090 at the edge of the object field changes by more than 1%.

Method according to one of claims 1 to 6, characterized that the specification is made in such a way that a uniformity at the edge of the object field changes by more than 1%.

Illumination optics ( 5 ) for illuminating an object field of a lithographic projection exposure apparatus ( 1 ), characterized by an adjusted by a method according to one of claims 1 to 7 illumination angle and intensity distribution.

Projection exposure system with an illumination optics according to claim 8.

Process for producing structured components comprising the following steps: - providing a substrate ( 11a ), to which at least partially a layer is applied on a photosensitive material, - providing a reticle ( 6a ) having structures to be imaged, - providing a projection exposure apparatus ( 1 ) according to claim 9, - projecting at least a part of the reticle ( 6a ) to a region of the layer of the substrate ( 11a ) using the projection exposure apparatus ( 1 ).

Structured component manufactured according to one Method according to claim 10.