[go: up one dir, main page]

DE102009028634A1 - Method for manufacturing glass ceramic layer for protecting resistor in e.g. temperature sensor against humidity, involves applying material of protection layer on resistance layer so that layer particles are connected to form porous layer - Google Patents

Method for manufacturing glass ceramic layer for protecting resistor in e.g. temperature sensor against humidity, involves applying material of protection layer on resistance layer so that layer particles are connected to form porous layer Download PDF

Info

Publication number
DE102009028634A1
DE102009028634A1 DE102009028634A DE102009028634A DE102009028634A1 DE 102009028634 A1 DE102009028634 A1 DE 102009028634A1 DE 102009028634 A DE102009028634 A DE 102009028634A DE 102009028634 A DE102009028634 A DE 102009028634A DE 102009028634 A1 DE102009028634 A1 DE 102009028634A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
protective layer
resistance
sensor
resistance sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102009028634A
Other languages
German (de)
Other versions
DE102009028634A8 (en
Inventor
Florian Dr. Krogmann
Olga Schmitz
Jiri Dr. Polak
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innovative Sensor Technology IST AG
Original Assignee
Innovative Sensor Technology IST AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innovative Sensor Technology IST AG filed Critical Innovative Sensor Technology IST AG
Priority to DE102009028634A priority Critical patent/DE102009028634A1/en
Publication of DE102009028634A1 publication Critical patent/DE102009028634A1/en
Publication of DE102009028634A8 publication Critical patent/DE102009028634A8/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/08Protective devices, e.g. casings
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/18Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a linear resistance, e.g. platinum resistance thermometer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/02Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
    • H01C1/028Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the resistive element being embedded in insulation with outer enclosing sheath
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/02Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
    • H01C1/034Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the housing or enclosure being formed as coating or mould without outer sheath
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/02Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistors with envelope or housing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

The method involves applying material of a protection layer (4) on a metallic resistance layer (3) i.e. platinum layer, such that particles of the protection layer are connected with each other to form a porous protection layer. The protection layer is applied in a form of a coating paste and powder. The protection layer is burnt below and/or in a proximity area above a transformation point of the material of the protection layer, and sintered, where the thickness of the protection layer ranges between 10 and 300 micrometer.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Schutzschicht für einen Widerstandssensor, welcher eine auf einem Substrat aufgebrachte metallische Widerstandsschicht enthält. Weiterhin betrifft die Erfindung einen Widerstandssensor mit einer nach diesem Verfahren hergestellten Schutzschicht, welche über einer auf einem Substrat aufgebrachten metallischen Widerstandsschicht aufgebracht ist. Ein derartiger Widerstandssensor dient beispielsweise der Bestimmung der Temperatur oder der Strömungsgeschwindigkeit eines Mediums oder dient als Gassensor.The present invention relates to a method for producing a protective layer for a resistance sensor which includes a metallic resistance layer deposited on a substrate. Furthermore, the invention relates to a resistance sensor with a protective layer produced by this method, which is applied over a metallic resistance layer applied to a substrate. Such a resistance sensor serves, for example, to determine the temperature or the flow rate of a medium or serves as a gas sensor.

Es ist aus dem Stand der Technik bekannt, einen Widerstand aus Metall, insbesondere aus Platin, zur Temperaturmessung zu verwenden. Dieser wird meist mäanderförmig in einer Dünnschicht- oder Dickschichttechnik auf einem Träger aufgebracht. Zur Abschirmung des Widerstands gegen äußere Einflüsse, wie zum Beispiel Feuchtigkeit oder Korrosion, wird dieser mit einer Glas- oder Glaskeramikschicht versehen. Dies ist beispielsweise in der Schrift DE 199 32 411 A1 beschrieben.It is known from the prior art to use a resistor made of metal, in particular of platinum, for temperature measurement. This is usually applied meander-shaped in a thin-film or thick-film technique on a support. To shield the resistor against external influences, such as moisture or corrosion, this is provided with a glass or glass ceramic layer. This is for example in the Scriptures DE 199 32 411 A1 described.

Ein Nachteil der Aufbringung einer solchen Glaspassivierung ist, dass fast alle Gläser Silizium enthalten, welches bei hohen Temperaturen aus dem Glas heraus diffundieren kann und den Platinwiderstand vergiftet. Die Folge ist eine geringere Empfindlichkeit des Platinsensors und somit ein falsches Messsignal.A disadvantage of applying such a glass passivation is that almost all glasses contain silicon, which can diffuse out of the glass at high temperatures and poison the platinum resistance. The result is a lower sensitivity of the platinum sensor and thus a false measurement signal.

Ein Lösungsansatz ist in DE 19901184 C1 beschrieben. Dort wird ein System gezeigt, bei welchem die gläserne Schutzschicht durch eine Keramikabdeckschicht ersetzt ist, welche mittels einer Verbindungsschicht verklebt wird. Nachteilig bei dieser Lösung ist, dass im Allgemeinen auch die Verbindungsschichten Stoffinhalte aufweisen, welche die Platinschicht in ihren elektrischen Eigenschaften verändern.One approach is in DE 19901184 C1 described. There, a system is shown in which the glass protective layer is replaced by a Keramikabdeckschicht, which is bonded by means of a bonding layer. A disadvantage of this solution is that, in general, the connecting layers also have substance contents which change the platinum layer in terms of its electrical properties.

Ein anderer Lösungsansatz aus dem Stand der Technik ist aus der Schrift EP 0973020 A1 bekannt. Dort wird ein Sensor beschrieben, bei welchem eine zusätzliche Elektrode auf der der Substratoberfläche abgewandten Seite der Widerstandsschicht im Abstand dazu aufgebracht ist, um die Platinschicht vor vagabundierenden Siliziumatomen zu schützen. Dieser Aufbau zeigt aber den Nachteil, dass der Sensor Polarisationsabhängig ist, d. h. der Sensor in der richtigen Art und Weise kontaktiert werden muss.Another approach from the prior art is from the document EP 0973020 A1 known. There, a sensor is described in which an additional electrode on the side facing away from the substrate surface of the resistive layer is applied at a distance to protect the platinum layer from stray silicon atoms. However, this structure has the disadvantage that the sensor is polarization-dependent, ie the sensor must be contacted in the correct manner.

Ein weiteres Problem entsteht, wenn ein Sensor in ein geschlossenes Gehäuse eingebaut wird, wie es in vielen Anwendungen als zusätzlicher Schutz des Sensors vor der Umgebung zum Tragen kommt. Dort kann sich auf Grund hoher Temperaturen eine reduzierende Atmosphäre bilden, sobald Materialien eingeschlossen sind, die oxidiert werden können. Dies können zum Beispiel organische oder metallische Oberflächen sein. Im Fall von organischen Flächen genügen bereits Temperaturen von etwa 400°C, um zur Bildung einer reduzierenden Atmosphäre zu führen.Another problem arises when a sensor is installed in a closed housing, as it is used in many applications as additional protection of the sensor from the environment. There may be a reducing atmosphere due to high temperatures once materials are included that can be oxidized. These may be, for example, organic or metallic surfaces. In the case of organic surfaces temperatures of about 400 ° C are sufficient to lead to the formation of a reducing atmosphere.

Die Folge einer reduzierenden Atmosphäre kann ebenfalls eine Vergiftung des Platinwiderstands sein.The consequence of a reducing atmosphere may also be poisoning of the platinum resistor.

In EP 0 327 535 B1 wird ein Verfahren beschrieben, um eine Vergiftung des Platins durch Aufbringen einer dielektrischen Zwischenschicht und einer Sperrschicht zu vermeiden. Hierbei soll die Zwischenschicht, welche bevorzugt aus SiO2 besteht, eine Isolationsschicht bereitstellen und die Sperrschicht, welche bevorzugt aus TiO2 besteht, die Diffusion von verunreinigenden Materialien zum Platinsensorelement aufhalten und die Diffusion von Sauerstoff ermöglichen. Ein Nachteil bei dieser Ausgestaltung ist, dass zwei relativ dicke Schichten aufgebracht werden müssen und die Aufbringung der dielektrischen Schicht nur in einem aufwändigen Verfahren der chemischen Dampfdeposition erfolgen kann.In EP 0 327 535 B1 A method is described for avoiding poisoning of the platinum by applying a dielectric interlayer and a barrier layer. Here, the intermediate layer, which preferably consists of SiO 2 , to provide an insulating layer and the barrier layer, which preferably consists of TiO 2 , stop the diffusion of contaminating materials to the platinum sensor element and allow the diffusion of oxygen. A disadvantage of this embodiment is that two relatively thick layers must be applied and the application of the dielectric layer can be carried out only in a complex process of chemical vapor deposition.

Die der Erfindung zu Grunde liegende Aufgabe ist daher, ein Verfahren zur Herstellung einer Schutzschicht für einen eine metallische Widerstandsschicht enthaltenden Widerstandssensor bereitzustellen, welche die metallische Widerstandsschicht vor Vergiftung schützt. Des Weiteren soll ein Widerstandssensor mit einer nach diesem Verfahren hergestellten Schutzschicht bereitgestellt werden.The object underlying the invention is therefore to provide a method for producing a protective layer for a resistance sensor containing a metallic resistance layer, which protects the metallic resistance layer against poisoning. Furthermore, a resistance sensor with a protective layer produced by this method is to be provided.

Die Aufgabe wird bezüglich des Verfahrens dadurch gelöst, dass das Material der Schutzschicht derart auf die Widerstandsschicht aufgebracht wird, dass die Partikel der Schutzschicht so miteinander verbunden werden, dass sich eine poröse Schutzschicht ausbildet. Unter einer porösen Schutzschicht ist zu verstehen, dass Lufteinschlüsse in der Schicht enthalten sind und dass aber gleichermaßen sichergestellt ist, dass die unter der Schutzschicht liegende Schicht an keiner Stelle in Kontakt mit der Atmosphäre außerhalb der Schutzschicht steht. Es befinden sich also Hohlräume in der Schutzschicht, die jedoch nicht durchgängig von der Unterseite der Schutzschicht, welche in Kontakt mit der Widerstandsschicht ist, zur Oberseite der Schutzschicht reichen.The object is achieved with respect to the method in that the material of the protective layer is applied to the resistive layer in such a way that the particles of the protective layer are joined together in such a way that a porous protective layer is formed. A porous protective layer is to be understood as meaning that air pockets are contained in the layer, but equally it is ensured that the layer under the protective layer is not in contact with the atmosphere outside the protective layer at any point. There are thus cavities in the protective layer, which however do not extend continuously from the underside of the protective layer, which is in contact with the resistance layer, to the upper side of the protective layer.

Die poröse Ausgestaltung der Schutzschicht mit nur leicht verbundenen Partikeln ermöglicht es, die Widerstandsschicht gleichermaßen vor Korrosion und vor Vergiftung bei hohen Temperaturen zu schützen. Das Verfahren ist einfach umzusetzen und ermöglicht dadurch eine einfache und kostengünstige Methode zum Schutz metallischer Widerstandsschichten.The porous design of the protective layer with only slightly connected particles makes it possible to protect the resistance layer equally against corrosion and against poisoning at high temperatures. The procedure is easy to implement and This enables a simple and cost-effective method for protecting metallic resistance layers.

In einer ersten Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Lösung wird die Schutzschicht in Form einer Beschichtungspaste aufgebracht. Das Aufbringen kann hierbei mit einer beliebigen Methode erfolgen, beispielsweise in einem Siebdruck-, Tauch- oder Dosierverfahren.In a first embodiment of the solution according to the invention, the protective layer is applied in the form of a coating paste. The application can be carried out by any method, for example in a screen printing, dipping or dosing.

Gemäß einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Schutzschicht in Form eines Pulvers aufgebracht.According to a development of the method according to the invention, the protective layer is applied in the form of a powder.

Bei einer weiteren Weiterbildung der Erfindung wird die Schutzschicht unterhalb und/oder im Nahbereich oberhalb des Transformationspunktes des Materials/der Materialien der Schutzschicht eingebrannt. Im Nahbereich oberhalb des Transformationspunktes des Materials bedeutet, dass das Material nicht so weit erhitzt wird, bis es vollständig schmilzt. Das Material wird für eine kurze Zeit auf eine Temperatur knapp oberhalb des Transformationspunktes erhitzt, sodass sich die Partikel des Materials zu einer Schicht verbinden ohne vollständig zu schmelzen.In a further development of the invention, the protective layer is baked below and / or in the vicinity above the transformation point of the material / materials of the protective layer. In the near range above the transformation point of the material means that the material is not heated until it melts completely. The material is heated for a short time to a temperature just above the transformation point so that the particles of the material combine to form a layer without completely melting.

Eine Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, dass die Schutzschicht gesintert wird.A development of the method according to the invention provides that the protective layer is sintered.

Die Aufgabe wird weiterhin bezüglich eines Widerstandssensors dadurch gelöst, dass es sich bei dem Material bzw. den Materialien der Schutzschicht um für die metallische Widerstandsschicht ungiftiges Material bzw. ungiftige Materialien handelt, und dass die Schutzschicht des Widerstandssensors in einem Verfahren hergestellt ist, durch welches das Material der Schutzschicht derart auf die metallische Widerstandsschicht aufgebracht ist, dass eine poröse Schutzschicht ausbildet ist.The object is further achieved with respect to a resistance sensor in that the material or materials of the protective layer is non-toxic material or non-toxic materials for the metallic resistance layer, and in that the protective layer of the resistance sensor is produced in a process by which the Material of the protective layer is applied to the metallic resistive layer such that a porous protective layer is formed.

Gemäß einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen Lösung bleibt die Korngröße des Ausgangsmaterials bzw. der Ausgangsmaterialien der Schutzschicht bei deren Herstellungsprozess im Wesentlichen erhalten.According to a development of the solution according to the invention, the grain size of the starting material or of the starting materials of the protective layer essentially remains intact during its production process.

Gemäß einer Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Widerstandssensors beträgt die Dicke der Schutzschicht zwischen 30 und 120 μm.According to one embodiment of the resistance sensor according to the invention, the thickness of the protective layer is between 30 and 120 microns.

Eine Weiterbildung der erfindungsgemäßen Lösung besteht darin, dass es sich bei der Schutzschicht um eine Glaskeramik handelt.A further development of the solution according to the invention is that the protective layer is a glass ceramic.

In einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen Lösung handelt es sich bei dem Material der Schutzschicht um Al2O3-CaO-SrO oder Al2O3-CaO-BaO.In a development of the solution according to the invention, the material of the protective layer is Al 2 O 3 -CaO-SrO or Al 2 O 3 -CaO-BaO.

In einer alternativen Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Lösung handelt es sich bei dem Material der Schutzschicht um SrO, CaO, BaO, Al2O3 oder MgO. Es ist gleichermaßen Teil der erfindungsgemäßen Lösung, dass zumindest eines dieser Materialien anteilig in der Schutzschicht enthalten ist.In an alternative embodiment of the solution according to the invention, the material of the protective layer is SrO, CaO, BaO, Al 2 O 3 or MgO. It is equally part of the solution according to the invention that at least one of these materials is proportionally contained in the protective layer.

Eine Weiterbildung des erfindungsgemäßen Widerstandssensors sieht vor, dass es sich bei der Widerstandsschicht um eine Platinschicht handelt. Das Platin kann hierbei in hochreiner Form vorliegen, oder gezielt mit Anteilen eines anderen Materials versehen sein.A development of the resistance sensor according to the invention provides that the resistance layer is a platinum layer. The platinum can be present in highly pure form, or be provided specifically with shares of another material.

In einer weiteren Weiterbildung der Lösung handelt es sich bei dem Widerstandssensor um einen Temperatursensor, Strömungssensor oder Gassensor.In a further development of the solution, the resistance sensor is a temperature sensor, flow sensor or gas sensor.

Die Erfindung wird anhand der nachfolgenden Figur näher erläutert.The invention will be explained in more detail with reference to the following figure.

1 zeigt den schematischen Aufbau eines Widerstandssensors mit poröser Schutzschicht. 1 shows the schematic structure of a resistance sensor with a porous protective layer.

In 1 ist der Schichtaufbau eines Widerstandssensors 1 schematisch dargestellt. Zuleitungen bzw. Kontaktierungsflächen sind nicht dargestellt. Auf einem Substrat 2 aufgebracht ist eine metallische Widerstandsschicht 3. Bevorzugt handelt es sich bei der Widerstandsschicht 3 um eine Platinschicht, welche mäanderförmig auf dem Substrat 2 aufgebracht ist. Zum Schutz vor Korrosion und Feuchte ist auf der Widerstandsschicht 3 eine Schutzschicht 4 aufgebracht. Das Material der Schutzschicht 4 ist bevorzugt eine Glaskeramik, welche kein Silizium enthält. Beispielsweise handelt es sich um SrO, MgO, CaO, BaO, Al2O3, Al2O3-CaO-SrO oder Al2O3-CaO-BaO. Siliziumatome würden bei hohen Temperaturen aus der Schutzschicht 4 heraus diffundieren und sich auf der Widerstandsschicht 3 absetzen, was zu einer Verringerung der Genauigkeit des Widerstandssensors 1 führen würde. Dies wird durch die genannte Auswahl an Materialien für die Schutzschicht 4 vermieden. Die Partikel der Schutzschicht 4 sind nicht vollständig miteinander verschmolzen, sondern nur lose verbunden. Das bedeutet, dass Einschlüsse von Luft, insbesondere von Sauerstoff, vorhanden sind, sich allerdings trotzdem eine durchgängige Schutzschicht 4 auf der Widerstandsschicht 3 befindet, sodass keine Fremdatome auf direktem Weg durch die Poren der Schutzschicht 4 zur Widerstandsschicht 3 gelangen können.In 1 is the layer structure of a resistance sensor 1 shown schematically. Supply lines or contacting surfaces are not shown. On a substrate 2 applied is a metallic resistance layer 3 , The resistive layer is preferably used 3 around a platinum layer, which meanders on the substrate 2 is applied. To protect against corrosion and moisture is on the resistance layer 3 a protective layer 4 applied. The material of the protective layer 4 is preferably a glass ceramic which does not contain silicon. For example, it is SrO, MgO, CaO, BaO, Al 2 O 3 , Al 2 O 3 -CaO-SrO or Al 2 O 3 -CaO-BaO. Silicon atoms would be removed from the protective layer at high temperatures 4 diffuse out and settle on the resistive layer 3 settle, resulting in a reduction in the accuracy of the resistance sensor 1 would lead. This is due to the aforementioned choice of materials for the protective layer 4 avoided. The particles of the protective layer 4 are not completely fused together, but only loosely connected. This means that inclusions of air, especially of oxygen, are present, but nevertheless a continuous protective layer 4 on the resistance layer 3 is located so that no foreign atoms pass directly through the pores of the protective layer 4 to the resistance layer 3 can reach.

Durch den Einschluss des Sauerstoffs wird erreicht, dass etwaig auftretende reduzierende Atmosphäre keine Vergiftung des Sensors nach sich zieht. Ein weiterer Vorteil der porös ausgestalteten Schutzschicht 4 ist, dass durch die große aktive Oberfläche Fremdatome gebunden werden. Die Dicke der Schutzschicht 4 liegt hierbei vorteilhaft im Bereich zwischen 10 μm und 300 μm.The inclusion of the oxygen ensures that any occurring reducing atmosphere does not cause poisoning of the sensor. Another advantage of the porous designed protective layer 4 is that foreign atoms are bound by the large active surface. The thickness of the protective layer 4 This is advantageously in the range between 10 .mu.m and 300 .mu.m.

Die Schutzschicht 4 ist nach dem erfindungsgemäßen Verfahren auf der Widerstandsschicht 3 aufgebracht. Das Verfahren umfasst das Aufbringen des Materials der Schutzschicht 4 auf der Widerstandsschicht 3 und dem die Widerstandsschicht 3 tragenden Substrat 2 und das Einbrennen der Schutzschicht 4. Das Aufbringen der Schutzschicht 4 erfolgt bevorzugt entweder in Pulverform oder in Pastenform beispielsweise mittels eines Siebdruckverfahrens. Das aufgebrachte Material der Schutzschicht 4 wird dann beispielsweise gesintert. In einer alternativen Ausgestaltung des Verfahrens wird das Material der Schutzschicht 4 unterhalb und/oder im Nahbereich oberhalb dessen Transformationspunktes eingebrannt. Der Nahbereich oberhalb des Transformationspunktes umfasst hierbei einige bis einige zehn Grad Celsius. Die Korngröße des Ausgangsmaterials der Schutzschicht 4 bleibt hierbei während und nach dem Einbrennen der Schutzschicht 4 im Wesentlichen erhalten, so dass eine geschlossene Schutzschicht 4 entsteht, welche trotzdem porös ist.The protective layer 4 is on the resistance layer according to the inventive method 3 applied. The method comprises applying the material of the protective layer 4 on the resistance layer 3 and the resistance layer 3 carrying substrate 2 and the baking of the protective layer 4 , The application of the protective layer 4 is preferably carried out either in powder form or in paste form, for example by means of a screen printing process. The applied material of the protective layer 4 is then sintered, for example. In an alternative embodiment of the method, the material of the protective layer 4 burned below and / or in the vicinity above its transformation point. The near range above the transformation point in this case comprises several to a few tens of degrees Celsius. The grain size of the starting material of the protective layer 4 Remains here during and after the stoving of the protective layer 4 essentially preserved, leaving a closed protective layer 4 arises, which is still porous.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Widerstandssensorresistance sensor
22
Substratsubstratum
33
Metallische WiderstandsschichtMetallic resistance layer
44
Schutzschichtprotective layer

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 19932411 A1 [0002] DE 19932411 A1 [0002]
  • DE 19901184 C1 [0004] DE 19901184 C1 [0004]
  • EP 0973020 A1 [0005] EP 0973020 A1 [0005]
  • EP 0327535 B1 [0008] EP 0327535 B1 [0008]

Claims (13)

Verfahren zur Herstellung einer Schutzschicht (4), insbesondere für einen Widerstandssensor (1), welcher eine metallische Widerstandsschicht (3) aufweist, die auf einem Substrat (2) aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Schutzschicht (4) derart auf die metallische Widerstandsschicht (3) aufgebracht wird, dass die Partikel der Schutzschicht (4) so miteinander verbunden werden, dass sich eine poröse Schutzschicht (4) ausbildet.Process for the preparation of a protective layer ( 4 ), in particular for a resistance sensor ( 1 ), which has a metallic resistance layer ( 3 ) mounted on a substrate ( 2 ), characterized in that the material of the protective layer ( 4 ) in such a way on the metallic resistance layer ( 3 ) is applied, that the particles of the protective layer ( 4 ) are joined together so that a porous protective layer ( 4 ) trains. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (4) in Form einer Beschichtungspaste aufgebracht wird.Method according to claim 1, characterized in that the protective layer ( 4 ) is applied in the form of a coating paste. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (4) in Form eines Pulvers aufgebracht wird.Method according to claim 1, characterized in that the protective layer ( 4 ) is applied in the form of a powder. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1–3, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (4) unterhalb und/oder im Nahbereich oberhalb des Transformationspunkts des Materials/der Materialien der Schutzschicht (4) eingebrannt wird.Method according to at least one of claims 1-3, characterized in that the protective layer ( 4 ) below and / or in the vicinity above the transformation point of the material (s) of the protective layer ( 4 ) is burned. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1–3, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (4) gesintert wird.Method according to at least one of claims 1-3, characterized in that the protective layer ( 4 ) is sintered. Widerstandssensor (1), welcher eine metallische Widerstandsschicht (3) aufweist, die auf einem Substrat (2) aufgebracht ist, und welche mit einer Schutzschicht (4) versehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Material bzw. den Materialien der Schutzschicht (4) um für die metallische Widerstandsschicht (3) ungiftiges Material bzw. ungiftige Materialien handelt, und dass die Schutzschicht (4) des Widerstandssensors (1) in einem Verfahren hergestellt ist, durch welches das Material der Schutzschicht (4) derart auf die metallische Widerstandsschicht (3) aufgebracht ist, dass eine poröse Schutzschicht (4) ausbildet ist.Resistance sensor ( 1 ), which has a metallic resistance layer ( 3 ) mounted on a substrate ( 2 ), and which with a protective layer ( 4 ), characterized in that the material or materials of the protective layer ( 4 ) for the metallic resistive layer ( 3 ) non-toxic material or non-toxic materials, and that the protective layer ( 4 ) of the resistance sensor ( 1 ) is produced in a process by which the material of the protective layer ( 4 ) in such a way on the metallic resistance layer ( 3 ) is applied, that a porous protective layer ( 4 ) is formed. Widerstandssensor (1) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Korngröße des Ausgangsmaterials bzw. der Ausgangsmaterialien der Schutzschicht (4) bei deren Herstellungsprozess im Wesentlichen erhalten bleibt.Resistance sensor ( 1 ) according to claim 6, characterized in that the grain size of the starting material (s) of the protective layer ( 4 ) is substantially retained in their manufacturing process. Widerstandssensor (1) nach den Ansprüchen 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Schutzschicht (4) zwischen 10 und 300 μm beträgt.Resistance sensor ( 1 ) according to claims 6 and 7, characterized in that the thickness of the protective layer ( 4 ) is between 10 and 300 μm. Widerstandssensor (1) nach mindestens einem der Ansprüche 6–8, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Schutzschicht (4) um eine Glaskeramik handelt.Resistance sensor ( 1 ) according to at least one of claims 6-8, characterized in that it is in the protective layer ( 4 ) is a glass ceramic. Widerstandssensor (1) nach mindestens einem der Ansprüche 6–8, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Material der Schutzschicht (4) um Al2O3-CaO-SrO oder Al2O3-CaO-BaO handelt.Resistance sensor ( 1 ) according to at least one of claims 6-8, characterized in that it is in the material of the protective layer ( 4 ) is Al 2 O 3 -CaO-SrO or Al 2 O 3 -CaO-BaO. Widerstandssensor (1) nach mindestens einem der Ansprüche 6–8, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Material der Schutzschicht (4) um SrO, CaO, BaO, Al2O3 oder MgO handelt oder zumindest eines dieser Materialien anteilig in der Schutzschicht (4) enthalten ist.Resistance sensor ( 1 ) according to at least one of claims 6-8, characterized in that it is in the material of the protective layer ( 4 ) is SrO, CaO, BaO, Al 2 O 3 or MgO or at least one of these materials is present in the protective layer ( 4 ) is included. Widerstandssensor (1) nach mindestens einem der Ansprüche 6–11, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der metallischen Widerstandsschicht (3) um eine Platinschicht handelt.Resistance sensor ( 1 ) according to at least one of claims 6-11, characterized in that it is in the metallic resistance layer ( 3 ) is a platinum layer. Widerstandssensor (1) nach mindestens einem der Ansprüche 6–12, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Widerstandssensor (1) um einen Temperatursensor, Strömungssensor oder Gassensor handelt.Resistance sensor ( 1 ) according to at least one of claims 6-12, characterized in that it is in the resistance sensor ( 1 ) is a temperature sensor, flow sensor or gas sensor.
DE102009028634A 2009-08-19 2009-08-19 Method for manufacturing glass ceramic layer for protecting resistor in e.g. temperature sensor against humidity, involves applying material of protection layer on resistance layer so that layer particles are connected to form porous layer Ceased DE102009028634A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009028634A DE102009028634A1 (en) 2009-08-19 2009-08-19 Method for manufacturing glass ceramic layer for protecting resistor in e.g. temperature sensor against humidity, involves applying material of protection layer on resistance layer so that layer particles are connected to form porous layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102009028634A DE102009028634A1 (en) 2009-08-19 2009-08-19 Method for manufacturing glass ceramic layer for protecting resistor in e.g. temperature sensor against humidity, involves applying material of protection layer on resistance layer so that layer particles are connected to form porous layer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102009028634A1 true DE102009028634A1 (en) 2011-03-03
DE102009028634A8 DE102009028634A8 (en) 2011-06-01

Family

ID=43524742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102009028634A Ceased DE102009028634A1 (en) 2009-08-19 2009-08-19 Method for manufacturing glass ceramic layer for protecting resistor in e.g. temperature sensor against humidity, involves applying material of protection layer on resistance layer so that layer particles are connected to form porous layer

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102009028634A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011015942B3 (en) * 2011-04-02 2012-02-16 Karlsruher Institut für Technologie Pressure probe for detection of natural methane hydrate in sediments at bottom of sea water, has temperature sensor and permittivity sensor provided in thermal contact with each other, and provided with insulation layer at surface
DE102023126209A1 (en) * 2023-09-27 2025-03-27 Innovative Sensor Technology Ist Ag Device for detecting the temperature of a medium or for heating the medium and manufacturing method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0327535B1 (en) 1986-02-13 1991-09-18 Rosemount Inc. Thin film platinum resistance thermometer with high temperature diffusion barrier
EP0973020A1 (en) 1998-07-16 2000-01-19 Heraeus Electro-Nite International N.V. Electrical temperature sensor with a multilayer
DE19932411A1 (en) 1998-07-16 2000-01-27 Heraeus Electro Nite Int Precision electrical temperature sensor
DE19834276A1 (en) * 1998-07-30 2000-02-10 Bosch Gmbh Robert Flue gas probe
DE19901184C1 (en) 1999-01-14 2000-10-26 Sensotherm Temperatursensorik Platinum temperature sensor and method of manufacturing the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0327535B1 (en) 1986-02-13 1991-09-18 Rosemount Inc. Thin film platinum resistance thermometer with high temperature diffusion barrier
EP0973020A1 (en) 1998-07-16 2000-01-19 Heraeus Electro-Nite International N.V. Electrical temperature sensor with a multilayer
DE19932411A1 (en) 1998-07-16 2000-01-27 Heraeus Electro Nite Int Precision electrical temperature sensor
DE19834276A1 (en) * 1998-07-30 2000-02-10 Bosch Gmbh Robert Flue gas probe
DE19901184C1 (en) 1999-01-14 2000-10-26 Sensotherm Temperatursensorik Platinum temperature sensor and method of manufacturing the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011015942B3 (en) * 2011-04-02 2012-02-16 Karlsruher Institut für Technologie Pressure probe for detection of natural methane hydrate in sediments at bottom of sea water, has temperature sensor and permittivity sensor provided in thermal contact with each other, and provided with insulation layer at surface
WO2012136304A1 (en) 2011-04-02 2012-10-11 Karlsruher Institut für Technologie Pressure probe for detecting clathrates and the use thereof
US9606097B2 (en) 2011-04-02 2017-03-28 Karlsruher Institut Fuer Technologie Pressure probe for detecting clathrates and the use thereof
DE102023126209A1 (en) * 2023-09-27 2025-03-27 Innovative Sensor Technology Ist Ag Device for detecting the temperature of a medium or for heating the medium and manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
DE102009028634A8 (en) 2011-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007046900C5 (en) High-temperature sensor and a method for its production
EP1271117B1 (en) Platinum temperature sensor
EP1623217B1 (en) Sensor for detecting particles
DE3780560T2 (en) PROBE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF.
DE19901183C2 (en) Platinum temperature sensor and manufacturing method for the same
WO2000004356A1 (en) Method for producing a temperature-dependent resistor, and electric temperature sensor
DE102012013036B4 (en) Resistance, in particular low-impedance current measuring resistor, and coating method for this purpose
DE4036109C2 (en) Resistance temperature sensor
DE102007013522A1 (en) Sensor element of a gas sensor
DE102009000820A1 (en) Sensor element of a gas sensor and method for operating the same
DE2908916C2 (en) Resistance sensor for detecting the oxygen content in gases, in particular in exhaust gases from internal combustion engines, and a method for producing the same
EP2435797A2 (en) Sensor element
DE102015204059A1 (en) Temperature sensitive element and temperature sensor
DE102015204023A1 (en) temperature-sensitive element and temperature sensor
DE102009028634A1 (en) Method for manufacturing glass ceramic layer for protecting resistor in e.g. temperature sensor against humidity, involves applying material of protection layer on resistance layer so that layer particles are connected to form porous layer
EP2183561B1 (en) Device for determining and/or monitoring a process parameter
DE19932411A1 (en) Precision electrical temperature sensor
DE102007046907B4 (en) Sheet resistance and method for its production
DE2615473A1 (en) MEASURING RESISTANCE FOR A RESISTANCE THERMOMETER
DE102008043858A1 (en) Method for passivating a field effect transistor
EP1774543B1 (en) Electric component and method for the production of an electric component
DE102022108157A1 (en) Thick-film element and method for producing a thick-film element
DE9006967U1 (en) Resistance element
DE102014105483A1 (en) Sensor element, sensor module, measuring arrangement and exhaust gas recirculation system with such a sensor element and manufacturing method
DE102012207761A1 (en) sensor element

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8196 Reprint of faulty title page (publication) german patentblatt: part 1a6
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: INNOVATIVE SENSOR TECHNOLOGY IST AG, CH

Free format text: FORMER OWNER: INNOVATIVE SENSOR TECHNOLOGY IST AG, WATTWIL, CH

R082 Change of representative

Representative=s name: ANDRES, ANGELIKA, DIPL.-PHYS., DE

R016 Response to examination communication
R082 Change of representative

Representative=s name: KRATT-STUBENRAUCH, KAI, DR., DE

R082 Change of representative

Representative=s name: KRATT-STUBENRAUCH, KAI, DR., DE

R016 Response to examination communication
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final