DE102014104013A1 - Leistungshalbleiterbauteil - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauteil, welches einen Flachleiterrahmen, der einen ersten Chipträgerteil (2) und zumindest einen zweiten Chipträgerteil (3) aufweist, welche zueinander in einem Abstand angebracht und jeweils elektrisch leitend sind, zumindest ein erstes Leistungshalbleiterbauelement (6), das auf dem ersten Chipträgerteil (2) aufgebracht ist, zumindest ein zweites Leistungshalbleiterbauelement (7), das auf dem zweiten Chipträgerteil (3) aufgebracht ist, Außenkontakte in Form von Außenflachleitern (7, 20, 21, 22, 23, 24, 34, 35, 36, 37, 38) sowie einen Kondensator (8, 31) aufweist, wobei der Kondensator (8, 31) auf zwei benachbarten Außenflachleitern montiert ist.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleiterbauteil. Unter Leistungshalbleiterbauteil wird hierbei eine Anordnung mit elektronischen Komponenten verstanden, wie sie zum platz- und kostensparenden Aufbau von hochintegrierten elektronischen Komponenten zunehmend Anwendung findet. In einer solchen Anordnung sind mehrere Halbleiterchips in einem Gehäuse untergebracht und werden unterschiedliche elektronische Komponenten, zusammen mit passiven Bauelementen auf einem Träger angeordnet. Die elektronischen Komponenten sind fest mit dem Träger verbunden und entsprechend der vorgesehenen Anwendung untereinander elektrisch verbunden.
- Für analoge integrierte Schaltungen und zur Entkopplung von digitalen integrierten Schaltungen von Störungen auf Versorgungsleitungen werden Kondensatoren mit Kapazitäten im Bereich von einem nF bis 10 μF benötigt. Diese werden in bekannten Multi-Chip-Modul-Konzepten als diskrete Kondensatorbauelemente auf dem Träger angeordnet. Die Kondensatorbauelemente werden dabei meist in SMD(surface-mounted device)-Bauform verwendet. Diese Lösung ist kosten- und platzaufwendig und führt außerdem dazu, dass die Kondensatoren nicht beliebig nahe an die integrierten Schaltungen montiert werden können.
- Aus der Druckschrift
DE 10 2006 008 632 A1 ist ein Leistungshalbleiterbauteil bekannt, welches einen Flachleiterrahmen, mindestens ein vertikales Leistungshalbleiterbauelement und mindestens ein weiteres elektronisches Bauelement, insbesondere einen Kondensator aufweist, wobei das elektronische Bauteil auf dem Leistungshalbleiterbauelement angeordnet ist. - Demnach besteht ein Bedürfnis, ein Leistungshalbleiterbauteil anzugeben, das einen Kondensator umfasst und platzsparend realisierbar ist.
- Gelöst wird diese Aufgabe durch den Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Weitere vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
- Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wird diese Aufgabe gelöst durch ein Leistungshalbleiterbauteil, welches einen Flachleiterrahmen, der einen ersten Chipträgerteil und zumindest einen zweiten Chipträgerteil aufweist, welche zueinander in einem Abstand angebracht und jeweils elektrisch leitend sind, sowie Außenkontakten in Form von Außenflachleitern, zumindest ein erstes Leistungshalbleiterbauelement, das auf den ersten Chipträgerteil aufgebracht ist, zumindest ein zweites Leistungshalbleiterbauelement, das auf den zweiten Chipträgerteil aufgebracht ist, sowie einen Kondensator aufweist. Der Kondensator ist dabei auf zwei benachbarten Außenflachleitern montiert.
- Ein derartiges Leistungshalbleiterbauteil hat den Vorteil, dass dieses platzsparend realisierbar ist, da der Kondensator verglichen mit gewöhnlichen Leistungshalbleiterbauteilen sehr nahe an die integrierten Schaltungen montiert ist. Unter zwei benachbarten Außenflachleitern werden hierbei zwei unmittelbar benachbarte, das heißt direkt aufeinander folgende Außenflachleiter verstanden. Dass der Kondensator sehr nahe an den integrierten Schaltungen montiert ist hat weiter den Vorteil, dass auch die Effizienz und folglich der Wirkungsgrad des Kondensators erhöht werden kann. Weiter kann dadurch, dass Kondensator und integrierte Schaltungen sehr nahe beieinander montiert sind, ein Kühlkörper beziehungsweise eine Wärmesenke, welche auf einer Seite des Flachleiterrahmens montiert ist und welche der Ableitung von Verlustwärme aus dem Leistungshalbleiterbauteil dient, in seiner flächigen Erstreckung verkleinert werden. So werden Leistungstransistoren überwiegend in Gehäusen produziert, die eine Montage auf Kühlkörpern ermöglichen, da es anders nicht möglich ist, die bei manchen Typen und Anwendungen bis zu einigen Kilowatt betragende Verlustleistung abzuführen.
- Die zwei benachbarten Außenflachleiter können dabei Lötanschlüsse zum Anschließen des Kondensators aufweisen, der Kondensator folglich in SMD-Bauform montiert werden. Während die Anschlussdrähte konventioneller Bauelemente durch Bestückungslöcher geführt werden und auf der Rückseite eine Leiterplatte gelötet werden müssen, entfällt dies bei SMD-Bauformen. Hierdurch können sehr dichte Bestückungen und vor allem eine beidseitige Bestückung der Leiterplatte realisiert werden, was die elektrischen Eigenschaften der Schaltungen speziell bei höheren Frequenzen positiv beeinflusst und den Platzbedarf der Bauelemente verringert. Dies wiederum gewährleistet, dass kleinere und zugleich wesentlich kostengünstigere Module realisiert werden können.
- Weiter kann das Leistungshalbleiterbauteil Bonddrähte zum elektrischen Verbinden von Kontaktflächen auf aktiven Oberseiten des ersten und des zweiten Leistungshalbleiterbauelements sowie Kontaktflächen auf den Außenflachleitern aufweisen. So müssen Bauelemente mit einer hohen mechanischen Belastungen, beispielsweise Leistungshalbleiterbauelemente, für gewöhnlich weiterhin mittels Durchsteckmontage auf der Leiterplatte befestigt werden, zumal für rein oberflächenmontierte Bauelemente bei hoher mechanischer Belastung oder hoher Strombelastung die Gefahr besteht, dass Lötstellen oder die Leiterbahnen zu stark beansprucht oder gar beschädigt werden würden.
- Dabei können die Lötanschlüsse von den Klontaktflächen auf den Außenflachleitern verschieden sein, wodurch die Montage des Kondensators sowie der Bonddrähte weiter vereinfacht werden kann.
- Die Außenflachleiter können dabei jeweils einen ersten Teil, auf welchem die Kontaktflächen angeordnet sind und welcher in einer selben horizontalen Ebene wie der erste und der zweite Chipträgerteil liegt, einen Signalflachleiter, welcher parallel zu dem ersten Teil ausgerichtet ist, und eine zwischen dem ersten Teil und dem Signalflachleiter, orthogonal zu dem ersten Teil und dem Signalflachleiter angeordnete Abwinklung aufweisen. Hierdurch kann weiter gewährleistet werden, dass verglichen mit gewöhnlichen Außenflachleitern, welche eine 40° Abwinklung aufweisen, der Kondensator deutlich näher an den integrierten Schaltungen montiert werden kann, wodurch der benötigte Platzbedarf bei der Realisierung des Leistungshalbleiterbauteils weiter optimiert werden kann.
- Gemäß einer Ausführungsform weist das Leistungshalbleiterbauteil dabei weiter ein Gehäuse aus einer Kunststoffmasse auf, welches zumindest die Chipträgerteile, das erste und das zweite Leistungshalbleiterbauelement sowie den Kondensator umschließt. Die Kunststoffmasse dient dabei nicht nur zum mechanischen Schutz des ersten und des zweiten Leistungshalbleiterbauelements, sondern bildet auch eine elektrische Isolierung in den Zwischenräumen zwischen ersten und zweiten Chipträgerteil, die für gewöhnlich auf unterschiedlichen Potenzialen der Versorgungsspannung liegen. Da der Kondensator nunmehr ebenfalls in die Kunststoffmasse eingebettet ist, kann dieser ebenfalls mechanisch geschützt werden.
- Hierbei kann die Kunststoffmasse zumindest eine obere Oberfläche des ersten und des zweiten Chipträgerteils einbetten und zumindest eine untere Oberfläche des ersten und des zweiten Chipträgerteils frei lassen, derart, dass die Kunststoffmasse eine untere äußere Oberfläche aufweist, die mit den unteren Oberflächen des ersten und des zweiten Chipträgerteils eine gemeinsame äußere Oberfläche des Leistungshalbleiterbauteils bildet. Die unteren Oberflächen des ersten und des zweiten Chipträgerteils können somit eine Massekontaktfläche des Leistungshalbleiterbauteils vorsehen. Auch kann die Verwendung eines Bauteilgehäuses mit einem voll verkapselten Chipträger vermieden werden, wodurch der Wärmeabfuhrpfad des Leistungshalbleiterbauteils reduziert, der thermische Widerstand verkleinert und folglich die Zuverlässigkeit des Leistungshalbleiterbauteils verbessert werden kann.
- Auch kann das Leistungshalbleiterbauteil mindestens eine Brückenschaltung mit einem Highside-Schalter und einem Lowside-Schalter aufweisen, wobei in das erste Leistungshalbleiterbauelement der Lowside-Schalter und in das zweite Leistungshalbleiterbauelement der Highside-Schalter integriert ist. So ist es beispielsweise bekannt, einen Gleichstrommotor mit einer sogenannten Brückenschaltung zu steuern, die einen Betrieb des Gleichstrommotors in beiden Drehrichtungen ermöglicht. Der Highside-Schalter und der Lowside-Schalter liegen dabei auf unterschiedlichen Chipträgerteilen und werden direkt über die unter ihnen liegenden Chipträgerteile mit den Potenzialen der Versorgungsspannung versorgt.
- Weiter kann das Leistungshalbleiterbauteil auch eine Kaskadenschaltung aufweisen. So ist es bei Halbleiter-Hochspannungsschaltern bekannt, eine Kaskadenschaltung (Reihenschaltung) von Leistungshalbleiterbauelementen vorzunehmen, damit eine gewünschte Spannungsfestigkeit gewährleistet ist.
- Bei den Leistungshalbleiterbauelementen kann es sich um MOS-FETs oder IGBTs, handeln. Allgemein werden unter Leistungshalbleitern Transistoren zum Schalten oder Steuern großer Spannungen, Ströme beziehungsweise Leistungen bezeichnet.
- Vorzugsweise wird das Leistungshalbleiterbauteil in einem TO-Gehäuse untergebracht. Unter TO(Transistor Outline)-Gehäuse werden Gehäuse mit meist zwei beziehungsweise drei Außenkontakten in Form von Außenflachleitern für Kleinleistungs- und Leistungshalbleiter verstanden. Dieser Standardgehäuse sind besonders kostengünstig herzustellen. Zudem kann ein solches Leistungshalbleiterbauteil einfach und ohne großen Aufwand in bestehende Anwendungen integriert werden, zumal sich die Abmessungen des Gehäuses nicht von denen herkömmlicher Leistung Halbleiterbauelemente unterscheiden.
- Mit einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird auch ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauteils angegeben. Das Verfahren weist dabei folgende Schritte auf: So werden ein erstes elektrisch leitender Chipträgerteil, ein zweiter elektrisch leitender Chipträgerteil sowie Außenkontakte in Form von Außenflachleitern bereitgestellt. Weiter wird zumindest ein erstes Leistungshalbleiterbauelement auf den ersten Chipträgerteil und zumindest ein zweites Leistungshalbleiterbauelement auf den zweiten Chipträgerteil aufgebracht. Anschließend werden Kontaktflächen auf aktiven Oberseiten des ersten und des zweiten Leistungshalbleiterbauelements mit Kontaktflächen auf den Außenflachleitern elektrisch verbunden. Weiter wird ein Kondensator auf zwei benachbarte Außenflachleiter montiert.
- Ein derartiges Verfahren hat den Vorteil, dass mit diesem ein platzsparendes Leistungshalbleiterbauteil hergestellt werden kann, da der Kondensator verglichen mit gewöhnlichen Leistungshalbleiterbauteilen sehr nahe an die integrierten Schaltungen montiert wird. Unter zwei benachbarten Außenflachleitern werden hierbei zwei unmittelbar benachbarte, das heißt direkt aufeinander folgende Außenflachleiter verstanden. Dass der Kondensator sehr nahe an den integrierten Schaltungen montiert wird hat weiter den Vorteil, dass auch die Effizienz und folglich der Wirkungsgrad des Kondensators erhöht werden kann. Weiter kann dadurch, dass Kondensator und integrierte Schaltungen sehr nahe beieinander montiert werden, ein Kühlkörper beziehungsweise eine Wärmesenke, welche auf einer Seite des Flachleiterrahmens montiert ist und welche der Ableitung von Verlustwärme aus dem Leistungshalbleiterbauteil dient, in seiner flächigen Erstreckung verkleinert werden. So werden Leistungstransistoren überwiegend in Gehäusen produziert, die eine Montage auf Kühlkörpern ermöglichen, da es anders nicht möglich ist, die bei manchen Typen und Anwendungen bis zu einigen Kilowatt betragende Verlustleistung abzuführen.
- Dabei kann der Kondensator auf die zwei benachbarten Außenflachleiter aufgelötet und folglich in SMD-Bauform montiert werden. Während die Anschlussdrähte konventioneller Bauelemente durch Bestückungslöcher geführt werden und auf der Rückseite eine Leiterplatte gelötet werden müssen, entfällt dies bei SMD-Bauformen. Hierdurch können sehr dichte Bestückungen und vor allem eine beidseitige Bestückung der Leiterplatte realisiert werden, was die elektrischen Eigenschaften der Schaltungen speziell bei höheren Frequenzen positiv beeinflusst und den Platzbedarf der Bauelemente verringert. Dies wiederum gewährleistet, dass kleinere und zugleich wesentlich kostengünstigere Module hergestellt werden können.
- Auch können Kontaktflächen auf den aktiven Oberseiten des ersten und des zweiten Leistungshalbleiterbauelements jeweils über Bonddrähte mit Kontaktflächen auf den Außenflachleitern elektrisch verbunden werden. So müssen Bauelemente mit einer hohen mechanischen Belastungen, beispielsweise Leistungshalbleiter, für gewöhnlich weiterhin mittels der sogenannten Durchsteckmontage auf der Leiterplatte befestigt werden, zumal für rein oberflächenmontierte Bauelemente bei hoher mechanischer Belastung oder hoher Strombelastung die Gefahr besteht, dass Lötstellen oder die Leiterbahnen zu stark beansprucht oder gar beschädigt werden würden.
- Gemäß einer Ausführungsform kann das Verfahren weiter folgenden Schritt aufweisen: So werden wenigstens der erste Chipträgerteil, der zweiten Chipträgerteil, das erste und das zweite Leistungshalbleiterbauelement sowie der Kondensator in eine Kunststoffmasse eingebettet. Die eingebrachte Kunststoffmasse dient dabei nicht nur zum mechanischen Schutz des ersten und des zweiten Leistungshalbleiterbauelements, sondern bildet auch eine elektrische Isolierung in den Zwischenräumen zwischen dem ersten und dem zweiten Chipträgerteil, die für gewöhnlich auf unterschiedlichen Potenzialen der Versorgungsspannung liegen. Da der Kondensator nunmehr ebenfalls in die Kunststoffmasse eingebettet ist, wird dieser ebenfalls mechanisch geschützt.
- Zusammenfassend ist festzustellen, dass mit der vorliegenden Erfindung ein Leistungshalbleiterbauteil angegeben wird, das einen Kondensator umfasst und platzsparend realisierbar ist.
- So ist das Leistungshalbleiterbauteil platzsparend realisierbar, da der Kondensator verglichen mit gewöhnlichen Leistungshalbleiterbauteilen sehr nahe an die integrierten Schaltungen montiert ist und weiter auch ein Kühlkörper, welcher auf einer Seite des Flachleiterrahmens montiert ist und welcher der Ableitung von Verlustwärme aus dem Leistungshalbleiterbauteil dient, in seiner flächigen Erstreckung verkleinert werden kann.
- Weiter kann dadurch, dass der Kondensator sehr nahe an den integrierten Schaltungen montiert ist, die Effizienz und folglich der Wirkungsgrad des Kondensators erhöht werden.
- Zudem kann ein derartiges Leistungshalbleiterbauteil in einem kostengünstigen TO-Gehäuse untergebracht werden.
- Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
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1 zeigt eine schematische Ansicht eines Leistungshalbleiterbauteils gemäß Ausführungsformen der Erfindung; -
2 zeigt eine schematische Ansicht eines Außenflachleiters eines Leistungshalbleiterbauteils gemäß Ausführungsformen der Erfindung; -
3 zeigt eine Draufsicht auf ein Leistungshalbleiterbauteil gemäß Ausführungsformen der Erfindung; -
4 zeigt eine schematische Ansicht eines Teils eines weiteren Leistungshalbleiterbauteils gemäß Ausführungsformen der Erfindung. -
5 zeigt eine Draufsicht auf ein Leistungshalbleiterbauteil gemäß Ausführungsformen der Erfindung. -
1 zeigt eine schematische Ansicht eines Leistungshalbleiterbauteils1 gemäß Ausführungsformen der Erfindung. -
1 zeigt das Leistungshalbleiterbauteil1 dabei im Querschnitt. In diesem Leistungshalbleiterbauteil1 ist ein erster Chipträgerteil2 und ein zweiter Chipträgerteil3 angebracht. Die Chipträgerteile2 ,3 sind Teile eines Flachleiterrahmens4 der zusätzlich noch Außenflachleiter5 enthält. Auf dem ersten Chipträgerteil2 ist dabei ein erste Leistungshalbleiterbauelement6 und auf den zweiten Chipträgerteil3 ein zweites Leistungshalbleiterbauelement7 aufgebracht. - Wie
1 weiter zeigt, weist das Leistungshalbleiterbauteil1 weiter ein Kondensator8 auf, wobei der Kondensator8 auf zwei benachbarten Außenflachleitern montiert ist. -
1 zeigt folglich ein Leistungshalbleiterbauteil1 , das einen Kondensator8 umfasst und platzsparend realisierbar ist, da der Kondensator8 sehr nahe an den integrierten Schaltungen montiert werden kann. - Gemäß den Ausführungsformen der
1 ist der Kondensator8 dabei in SMD-Bautechnik auf die zwei benachbarten Außenflachleiter aufgebracht.1 zeigt dabei einen Lötanschluss9 zum Verlöten, das heißt zum Anschließen des Kondensators8 . - Gemäß den Ausführungsformen der
1 sind die Leistungshalbleiterbauelemente6 ,7 dabei jeweils mit den Außenflachleitern5 in THT(through-hole technology)-Bauform elektrisch verbunden.1 zeigt dabei Bonddrähte10 über welche Kontaktflächen11 auf aktiven Oberseiten12 des ersten und des zweiten Leistungshalbleiterbauelements6 ,7 mit Kontaktflächen13 auf den Außenflachleitern5 elektrisch verbunden sind. - Bei den Leistungshalbleiterbauelementen
6 ,7 der1 handelt es sich dabei um IGBT-Bauelemente14 . Ferner kann es sich bei den Halbleiterbauelementen aber auch um weitere Leistungshalbleiterbauelemente, beispielsweise MOSFETs handeln. - Dabei können die beiden Leistungshalbleiterbauelemente
6 ,7 als Teil einer Brückenschaltung oder auch einer Kaskadenschaltung ausgebildet sein. -
2 zeigt eine schematische Ansicht eines Außenfachleiters5 eines Leistungshalbleiterbauteils1 gemäß Ausführungsformen der Erfindung. Komponenten und Bauteile mit gleicher Konstruktion oder Funktion wie in1 tragen dieselben Bezugszeichen und werden nicht extra erörtert. -
2 zeigt dabei einen Außenflachleiter5 , der einen Signalflachleiter15 aufweist, welcher aus einem Gehäuse16 des Leistungshalbleiterbauteils1 , insbesondere einem TO-Gehäuse17 , herausragen. - Der dargestellte Außenflachleiter
7 weist dabei einen ersten Teil18a , auf welchem die Kontaktflächen13 angeordnet sind und welcher in derselben horizontalen Ebene wie der erste2 und der zweite Chipträgerteil3 liegt, den Signalflachleiter15 , welcher parallel zu dem ersten Teil18 ausgerichtet ist sowie eine Abwicklung19 zwischen dem ersten Teil18 und dem Signalflachleiter15 , welche orthogonal zu dem ersten Teil18 und dem Signalflachleiter15 angeordnet ist, auf. Hierdurch kann weiter gewährleistet werden, dass verglichen mit gewöhnlichen Außenflachleitern, welche eine 40° Abwinklung aufweisen, der Kondensator deutlich näher an den integrierten Schaltungen montiert werden kann, wodurch der benötigte Platzbedarf bei der Realisierung des Leistungshalbleiterbauteils weiter optimiert werden kann. -
3 zeigt eine Draufsicht auf ein Leistungshalbleiterbauteil gemäß Ausführungsformen der Erfindung. Komponenten und Bauteile mit gleicher Konstruktion oder Funktion wie in1 oder2 tragen dieselben Bezugszeichen und werden nicht extra erörtert. -
3 zeigt dabei fünf Außenflachleiter20 ,21 ,22 ,23 ,24 . Dabei sind die Breiten der Lötanschlüsse25 ,26 ,27 ,28 ,29 der fünf Außenflachleiter20 ,21 ,22 ,23 ,24 gegenüber gewöhnlichen Außenflachleitern derart angepasst, insbesondere erweitert worden, um eine sichere und zuverlässige Montage der Elektroden eines Kondensators zu gewährleisten. Insbesondere sind die Außenflachleiter20 ,21 ,22 ,23 ,24 der3 dabei ausgebildet, eine sichere Montage eines Kondensators zwischen einem ersten20 und einen zweiten21 sowie einem vierten23 und einem fünften24 der fünf Außenflachleiter20 ,21 ,22 ,23 ,24 zu gewährleisten. Hierbei ist es auch möglich, dass das Design des einen der beiden benachbarten Außenflachleiter dabei spiegelverkehrt zu dem design des anderen Außenflachleiters der beiden benachbarten Außenflachleiter ist, um eine zuverlässige und sichere Montage des Kondensators zu gewährleisten. -
4 zeigt eine schematische Ansicht eines Teils eines weiteren Leistungshalbleiterbauteils30 gemäß Ausführungsformen der Erfindung. - Das Leistungshalbleiterbauteil
30 der4 unterscheidet sich dabei von dem Leistungshalbleiterbauteil1 gemäß den Ausführungsformen der1 bis3 dadurch, dass, insbesondere durch entsprechende Wahl und Dimensionierung des Kondensators31 , dieser ebenfalls in das Gehäuse32 des Leistungshalbleiterbauteils30 , das heißt zusammen mit wenigstens dem ersten und den zweiten Chipträgerteil und den ersten und den zweiten Leistungshalbleiterbauelementen in eine Kunststoffmasse33 eingebettet ist. Da der Kondensator31 nunmehr ebenfalls in die Kunststoffmasse33 eingebettet ist, kann dieser nun genau wie die weiteren Komponenten des Leistungshalbleiterbauteils30 ebenfalls mechanisch geschützt werden. - Die Kunststoffmasse kann dabei ferner derart ausgebildet sein, dass zumindest eine obere Oberfläche des ersten und des zweiten Chipträgerteils in die Kunststoffmasse eingebettet sind sowie eine untere Oberfläche des ersten und des zweiten Chipträgerteils von der Kunststoffmasse freigelassen ist, so dass die Kunststoffmasse eine untere äußere Oberfläche aufweist, die mit den unteren Oberflächen des ersten und des zweiten Chipträgerteils eine gemeinsame äußere Oberfläche des Leistungshalbleiterbauteils bildet.
-
5 zeigt eine Draufsicht auf ein Leistungshalbleiterbauteil gemäß Ausführungsformen der Erfindung. Komponenten und Bauteile mit gleicher Konstruktion oder Funktion wie in1 oder2 tragen dieselben Bezugszeichen und werden nicht extra erörtert. -
5 zeigt dabei wiederum fünf Außenflachleiter34 ,35 ,36 ,37 ,38 , welche Lötanschlüsse39 ,40 ,41 ,42 ,43 zum Anschließen des Kondensators sowie Kontaktflächen44 ,45 ,46 zum Anschluss von Bonddrähten10 zum elektrischen Verbinden von Kontaktflächen11 auf aktiven Oberseiten12 des ersten6 und des zweiten Leistungshalbleiterbauelements7 sowie den Kontaktflächen44 ,45 ,46 aufweisen. Wie zu erkennen ist, sind die Kontaktflächen44 ,45 ,46 dabei von den Lötanschlüssen verschieden, wodurch die Montage der Bonddrähte10 sowie des Kondensators erheblich vereinfacht werden kann. - Obwohl zumindest eine beispielhafte Ausführungsform in der vorhergehenden Beschreibung gezeigt wurde, können verschiedene Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden. Die genannten Ausführungsformen sind lediglich Beispiele und nicht dazu vorgesehen, den Gültigkeitsbereich, die Anwendbarkeit oder die Konfiguration in irgendeiner Weise zu beschränken. Vielmehr stellt die vorhergehende Beschreibung dem Fachmann einen Plan zur Umsetzung zumindest einer beispielhaften Ausführungsform zur Verfügung, wobei zahlreiche Änderungen in der Funktion und der Anordnung von in einer beispielhaften Ausführungsform beschriebenen Elementen gemacht werden können, ohne den Schutzbereich der angefügten Ansprüche und ihrer rechtlichen Äquivalente zu verlassen.
- Beispielsweise ist es denkbar, anstelle des ersten und des zweiten Chipträgerteils sowie des ersten und des zweiten Leistungshalbleiterbauelementes, ein einziges Chipträgerteil mit einem darauf montierten Transistor vorzusehen, wobei, entsprechend obenstehender Beschreibung, ein Kondensator zwischen einem Source-Anschluss und einem Drain-Anschluss montiert werden kann.
- Bezugszeichenliste
-
- 1
- Leistungshalbleiterbauteil
- 2
- erster Chipträgerteil
- 3
- zweiter Chipträgerteil
- 4
- Flachleiterrahmen
- 5
- Außenflachleiter
- 6
- erstes Leistungshalbleiterbauelement
- 7
- zweites Leistungshalbleiterbauelement
- 8
- Kondensator
- 9
- Lötanschluss
- 10
- Bonddrähte
- 11
- Kontaktflächen
- 12
- aktive Oberseite
- 13
- Kontaktflächen
- 14
- IGBT-Bauelement
- 15
- Signalflachleiter
- 16
- Gehäuse
- 17
- TO-Gehäuse
- 18
- erster teil
- 19
- Abwinklung
- 20
- erster Außenflachleiter
- 21
- zweiter Außenflachleiter
- 22
- dritter Außenflachleiter
- 23
- vierter Außenflachleiter
- 24
- fünfter Außenflachleiter
- 25
- Lötanschluss
- 26
- Lötanschluss
- 27
- Lötanschluss
- 28
- Lötanschluss
- 29
- Lötanschluss
- 30
- Leistungshalbleiterbauteil
- 31
- Kondensator
- 32
- Gehäuse
- 33
- Kunststoffmasse
- 34
- Außenflachleiter
- 35
- Außenflachleiter
- 36
- Außenflachleiter
- 37
- Außenflachleiter
- 38
- Außenflachleiter
- 39
- Lötanschluss
- 40
- Lötanschluss
- 41
- Lötanschluss
- 42
- Lötanschluss
- 43
- Lötanschluss
- 44
- Kontaktfläche
- 45
- Kontaktfläche
- 46
- Kontaktfläche
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 102006008632 A1 [0003]
Claims (15)
- Leistungshalbleiterbauteil, welches einen Flachleiterrahmen (
4 ), der einen ersten Chipträgerteil (2 ) und zumindest einen zweiten Chipträgerteil (3 ) aufweist, welche zueinander in einem Abstand angebracht und jeweils elektrisch leitend sind, zumindest ein erstes Leistungshalbleiterbauelement (6 ), das auf dem ersten Chipträgerteil (2 ) aufgebracht ist, zumindest ein zweites Leistungshalbleiterbauelement (7 ), das auf dem zweiten Chipträgerteil (3 ) aufgebracht ist, Außenkontakte in Form von Außenflachleitern (5 ,20 ,21 ,22 ,23 ,24 ,34 ,35 ,36 ,37 ,38 ) sowie einen Kondensator (8 ,31 ) aufweist, wobei der Kondensator (8 ,31 ) auf zwei benachbarten Außenflachleitern montiert ist. - Leistungshalbleiterbauteil nach Anspruch 1, wobei die zwei benachbarten Außenflachleiter Lötanschlüsse (
9 ,25 ,26 ,27 ,28 ,29 ,39 ,40 ,41 ,42 ,43 ) zum Anschließen des Kondensators (8 ,31 ) aufweisen. - Leistungshalbleiterbauteil nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Leistungshalbleiterbauteil (
1 ) weiter Bonddrähte (10 ) zum elektrischen Verbinden von Kontaktflächen (11 ) auf aktiven Oberseiten (12 ) des ersten (6 ) und des zweiten Leistungshalbleiterbauelements (7 ) sowie Kontaktflächen (13 ,44 ,45 ,46 ) auf den Außenflachleitern (5 ,15 ,35 ,36 ,37 ) aufweist. - Leistungshalbleiterbauteil nach Anspruch 3, wobei die Lötanschlüsse (
39 ,40 ,41 ,42 ,43 ) von den Kontaktflächen (44 ,45 ,46 ) auf den Außenflachleitern (34 ,35 ,36 ,37 ,38 ) verschieden sind. - Leistungshalbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Außenflachleiter (
5 ) jeweils einen ersten Teil (18 , auf welchem die Kontaktflächen (13 ) angeordnet sind und welcher in derselben horizontalen Ebene wie der erste (2 ) und der zweite Chipträgerteil (3 ) liegt, einen Signalflachleiter (15 ), welcher parallel zu dem ersten Teil (18 ) ausgerichtet ist, und eine zwischen dem ersten Teil (18 ) und dem Signalflachleiter (15 ), orthogonal zu dem ersten Teil (18 ) und dem Signalflachleiter (15 ) angeordnete Abwinklung (19 ) aufweisen. - Leistungshalbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Leistungshalbleiterbauteil (
30 ) weiter ein Gehäuse (32 ) aus einer Kunststoffmasse (33 ), welches wenigstens den ersten (2 ) und den zweiten Chipträgerteil (3 ), das erste und das zweite Leistungshalbleiterbauelement sowie den Kondensator (31 ) umschließt, aufweist. - Leistungshalbleiterbauteil nach Anspruch 6, wobei die Kunststoffmasse zumindest obere Oberflächen des ersten (
2 ) und des zweiten Chipträgerteils (3 ) einbettet und zumindest eine untere Oberfläche des ersten (2 ) und des zweiten Chipträgerteils (3 ) frei lässt, derart, dass die Kunststoffmasse eine untere äußere Oberfläche aufweist, die mit den unteren Oberflächen des ersten (2 ) und des zweiten Chipträgerteils (3 ) eine gemeinsame äußere Oberfläche des Leistungshalbleiterbauteils bildet. - Leistungshalbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 7, welches mindestens eine Brückenschaltung mit einem Highside-Schalter und einem Lowside-Schalter aufweist, wobei in dem ersten Leistungshalbleiterbauelement der Lowside-Schalter integriert ist und in den zweiten Leistungshalbleiterbauelement der Highside-Schalter integriert ist.
- Leistungshalbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Leistungshalbleiterbauteil eine Kaskadenschaltung aufweist.
- Leistungshalbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Leistungshalbleiterbauelemente (
6 ,7 ) MOS-FETs oder IGBTs (14 ) sind. - Leistungshalbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Leistungshalbleiterbauteil (
1 ) ein TO-Gehäuse (17 ) enthält. - Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauteils, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: – Bereitstellen eines ersten elektrisch leitenden Chipträgerteils, eines zweiten elektrisch leitenden Chipträgerteils sowie von Außenkontakten in Form von Außenflachleitern; – Aufbringen zumindest eines ersten Leistungshalbleiterbauelements auf den ersten Chipträgerteil und zumindest eines zweiten Leistungshalbleiterbauelements auf den zweiten Chipträgerteil; – Elektrisches Verbinden von Kontaktflächen auf aktiven Oberseiten des ersten und des zweiten Leistungshalbleiterbauelements mit Kontaktanschlüssen auf den Außenflachleitern; – Montieren eines Kondensators auf zwei benachbarte Außenflachleiter.
- Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Kondensator auf die zwei benachbarten Außenflachleiter aufgelötet wird.
- Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, wobei die Kontaktflächen auf den aktiven Oberseiten des ersten und des zweiten Leistungshalbleiterbauelements über Bonddrähte mit Kontaktflächen auf den Außenflachleitern elektrisch verbunden werden.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei das Verfahren weiter folgenden Schritt aufweist: – Einbetten des ersten und des zweiten Chipträgerteils, des ersten und des zweiten Leistungshalbleiterbauelements sowie des Kondensators in eine Kunststoffmasse.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102014104013.9A DE102014104013A1 (de) | 2014-03-24 | 2014-03-24 | Leistungshalbleiterbauteil |
| US14/661,054 US9978671B2 (en) | 2014-03-24 | 2015-03-18 | Power semiconductor device |
| CN201510128787.4A CN104952860A (zh) | 2014-03-24 | 2015-03-23 | 功率半导体组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102014104013.9A DE102014104013A1 (de) | 2014-03-24 | 2014-03-24 | Leistungshalbleiterbauteil |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102014104013A1 true DE102014104013A1 (de) | 2015-09-24 |
Family
ID=54053486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102014104013.9A Ceased DE102014104013A1 (de) | 2014-03-24 | 2014-03-24 | Leistungshalbleiterbauteil |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9978671B2 (de) |
| CN (1) | CN104952860A (de) |
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| US20150270208A1 (en) | 2015-09-24 |
| CN104952860A (zh) | 2015-09-30 |
| US9978671B2 (en) | 2018-05-22 |
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