[go: up one dir, main page]

DE102014102029A1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement Download PDF

Info

Publication number
DE102014102029A1
DE102014102029A1 DE102014102029.4A DE102014102029A DE102014102029A1 DE 102014102029 A1 DE102014102029 A1 DE 102014102029A1 DE 102014102029 A DE102014102029 A DE 102014102029A DE 102014102029 A1 DE102014102029 A1 DE 102014102029A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
semiconductor
semiconductor layer
recesses
sequence
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102014102029.4A
Other languages
English (en)
Inventor
Norwin von Malm
Alexander F. Pfeuffer
Tansen Varghese
Philipp Kreuter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102014102029.4A priority Critical patent/DE102014102029A1/de
Priority to JP2016553005A priority patent/JP2017512380A/ja
Priority to DE112015000850.0T priority patent/DE112015000850B4/de
Priority to PCT/EP2015/053278 priority patent/WO2015124551A1/de
Priority to US15/119,376 priority patent/US10074766B2/en
Priority to CN201580009283.9A priority patent/CN106062976B/zh
Publication of DE102014102029A1 publication Critical patent/DE102014102029A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/139—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
    • H10F10/144—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs,AlGaAs, or InP photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/163—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs/AlGaAs or InP/GaInAs photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H10F77/124—Active materials comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs
    • H10F77/1248—Active materials comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs having three or more elements, e.g. GaAlAs, InGaAs or InGaAsP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H10F77/124—Active materials comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs
    • H10F77/1248—Active materials comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs having three or more elements, e.g. GaAlAs, InGaAs or InGaAsP
    • H10F77/12485—Active materials comprising only Group III-V materials, e.g. GaAs having three or more elements, e.g. GaAlAs, InGaAs or InGaAsP comprising nitride compounds, e.g. InGaN
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/146—Superlattices; Multiple quantum well structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/147—Shapes of bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
    • H10F77/223—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells for metallisation wrap-through [MWT] photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/42—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H10F77/48—Back surface reflectors [BSR]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/018—Bonding of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H10H20/8312—Electrodes characterised by their shape extending at least partially through the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/832—Electrodes characterised by their material
    • H10H20/833—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H01L2223/5446—Located in scribe lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/032—Manufacture or treatment of electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (1) mit folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten, zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (25); b) Ausbilden einer ersten Anschlussschicht (31) auf der der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht; c) Ausbilden einer Mehrzahl von Aussparungen (29) durch die Halbleiterschichtenfolge hindurch; d) Ausbilden einer Leitungsschicht (4) in den Aussparungen zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht und der ersten Anschlussschicht; und e) Vereinzeln in die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen, wobei aus der Halbleiterschichtenfolge für jedes Halbleiterbauelement ein Halbleiterkörper (20) mit zumindest einer der Mehrzahl von Aussparungen hervorgeht und die zumindest eine Aussparung in Draufsicht auf den Halbleiterkörper vollständig von dem Halbleiterkörper umgeben ist. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement angegeben.

Description

  • Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und ein Halbleiterbauelement.
  • Bei optoelektronischen Halbleiterbauelementen wie beispielsweise Leuchtdioden auf der Basis von Galliumarsenid oder Indiumphosphid finden oftmals auf der Strahlungsaustrittsseite Metallgitter zur Stromaufweitung, elektrischen Kontaktierung und Stromeinprägung Anwendung. Diese bewirken jedoch eine bereichsweise Abschattung sowie Inhomogenitäten in der Stromeinprägung und der Lichtemission, wodurch sich die Effizienz verringert.
  • Eine Aufgabe ist es, ein Verfahren anzugeben, mit dem auf einfache und zuverlässige Weise Halbleiterbauelemente hergestellt werden können, die sich durch eine erhöhte Effizienz auszeichnen. Weiterhin soll ein Halbleiterbauelement mit einer erhöhten Effizienz angegeben werden.
  • Diese Aufgabe wird unter anderem durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.
  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von insbesondere optoelektronischen Halbleiterbauelementen angegeben.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem eine Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt wird. Die Halbleiterschichtenfolge weist insbesondere einen zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich auf. Bei einem zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Halbleiterchip weist der aktive Bereich vorzugsweise eine Quantenstruktur auf. Die Bezeichnung Quantenstruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung insbesondere jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss (”confinement”) eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren können. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantenstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentöpfe, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen. Beispielsweise kann der aktive Bereich eine Mehrfachquantenstruktur mit einer Mehrzahl von Quantenschichten aufweisen, wobei zwischen benachbarten Quantenschichten jeweils eine Barriereschicht angeordnet ist.
  • Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge beispielsweise eine erste Halbleiterschicht und eine zweite Halbleiterschicht, wobei der aktive Bereich zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist. Zweckmäßigerweise sind die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht bezüglich des Leitungstyps zumindest bereichsweise voneinander verschieden. Beispielsweise ist die erste Halbleiterschicht n-leitend und die zweite Halbleiterschicht p-leitend oder umgekehrt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem eine erste Anschlussschicht auf der der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht ausgebildet wird. Die erste Anschlussschicht wird insbesondere nach Abschluss der beispielsweise epitaktischen Abscheidung der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet, etwa mittels Sputterns oder Aufdampfens. Die erste Anschlussschicht ist also außerhalb der Halbleiterschichtenfolge angeordnet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem eine Mehrzahl von Aussparungen durch die Halbleiterschichtenfolge hindurch ausgebildet wird. In einer senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge verlaufenden vertikalen Richtung erstrecken sich die Aussparungen vollständig durch die Halbleiterschichtenfolge hindurch.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem eine Leitungsschicht in den Aussparungen ausgebildet wird. Die Leitungsschicht ist insbesondere zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht und der ersten Anschlussschicht vorgesehen. Beispielsweise grenzt die Leitungsschicht zumindest bereichsweise unmittelbar an die erste Anschlussschicht an, insbesondere in den Aussparungen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem ein Vereinzeln in eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen erfolgt. Insbesondere geht aus der Halbleiterschichtenfolge für jedes Halbleiterbauelement ein Halbleiterkörper mit zumindest einer der Mehrzahl von Aussparungen hervor. Die zumindest eine Aussparung ist in Draufsicht auf den Halbleiterkörper vollständig von dem Halbleiterkörper umgeben. Mit anderen Worten ist entlang des gesamten Umfangs der Aussparung Material der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet. Die Aussparungen befinden sich also nicht am Rand der Halbleiterkörper.
  • Vor dem Vereinzeln kann die Halbleiterschichtenfolge bereits in einzelne Halbleiterkörper zerteilt sein, beispielsweise mittels Trenngräben, die die einzelnen Halbleiterkörper in lateraler Richtung begrenzen. Die Trenngräben können in einem gemeinsamen Schritt mit den Aussparungen ausgebildet werden. Alternativ ist denkbar, dass die Aussparungen und die Trenngräben in nacheinander folgenden Herstellungsschritten ausgebildet werden. Das Ausbilden der Aussparungen und/oder der Trenngräben erfolgt beispielsweise mittels nasschemischen oder trockenchemischen Ätzens. Weiterhin kann die Halbleiterschichtenfolge auch erst beim Vereinzeln in einzelne Halbleiterkörper zerteilt werden. In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Halbleiterschichtenfolge mit einer ersten Halbleiterschicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten, zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich bereitgestellt. Eine erste Anschlussschicht wird auf der der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht ausgebildet. Eine Mehrzahl von Aussparungen wird durch die Halbleiterschichtenfolge hindurch ausgebildet. Eine Leitungsschicht wird in den Aussparungen zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht und der ersten Anschlussschicht ausgebildet. Es erfolgt ein Vereinzeln in die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen, wobei aus der Halbleiterschichtenfolge für jedes Halbleiterbauelement ein Halbleiterkörper mit zumindest einer der Mehrzahl von Aussparungen hervorgeht und die zumindest eine Aussparung in Draufsicht auf den Halbleiterkörper vollständig von dem Halbleiterkörper umgeben ist.
  • Mittels der Aussparungen und der in den Aussparungen angeordneten Leitungsschicht kann eine elektrische Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht von der der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge her erfolgen. Auf ein Metallgitter auf der ersten Halbleiterschicht zur Stromaufweitung und elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht kann verzichtet werden.
  • Die Halbleiterkörper können jeweils mehr als eine Aussparung aufweisen. Im Fall eines strahlungsemittierenden Bauelements kann so vereinfacht eine in lateraler Richtung homogene Ladungsträgerinjektion erfolgen. Im Falle eines Strahlungsempfängers verringert sich bei mehreren Aussparungen die Weglänge im Halbleiterkörper für die durch Strahlungsabsorption im aktiven Bereich erzeugten Ladungsträger, bevor diese zur ersten Anschlussschicht gelangen können.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge vor dem Ausbilden der Mehrzahl von Aussparungen entfernt. Das Aufwachssubstrat kann beispielsweise mittels eines mechanischen und/oder eines chemischen Verfahrens erfolgen. Alternativ oder ergänzend kann ein Laserablöseverfahren erfolgen. Beispielsweise erfolgt das Entfernen des Aufwachssubstrats zwischen dem Ausbilden der ersten Anschlussschicht und dem Ausbilden der Mehrzahl von Aussparungen. Ein Halbleiterbauelement, bei dem das Aufwachssubstrat entfernt ist, wird auch als Dünnfilm-Halbleiterbauelement bezeichnet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem zur elektrischen Isolation zwischen dem aktiven Bereich und der Leitungsschicht eine Trennschicht aufgebracht wird, die die Seitenflächen der Aussparungen zumindest auf Höhe der zweiten Halbleiterschicht und des aktiven Bereichs bedeckt.
  • Insbesondere wird zum Ausbilden der Trennschicht Material für die Trennschicht vollflächig auf die Halbleiterschichtenfolge mit den Aussparungen aufgebracht. Nachfolgend kann das Material mittels eines richtungsselektiven Ätzverfahrens derart entfernt werden, dass nur schräg oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge verlaufende Flächen, insbesondere die Seitenflächen der Aussparungen, von der Trennschicht bedeckt bleiben.
  • Insbesondere wird das Material der Trennschicht vollflächig dem Ätzverfahren ausgesetzt. Im Unterschied zu herkömmlichen Verfahren findet also keine Maske Anwendung, mittels derer die Bereiche, in denen Material der Trennschicht entfernt wird, und die Bereiche, in denen Material der Trennschicht auf der Halbleiterschichtenfolge verbleibt, definiert werden.
  • Das richtungsselektive Ätzverfahren weist insbesondere in vertikaler Richtung eine höhere Ätzrate auf als in lateraler Richtung. Beispielsweise eignet sich als richtungsselektives Ätzverfahren ein trockenchemisches Ätzverfahren, beispielsweise reaktives Ionenätzen.
  • Beispielsweise ist die Ätzrate in vertikaler Richtung mindestens doppelt so hoch, bevorzugt mindestens fünf Mal so hoch wie in lateraler Richtung.
  • Insbesondere ist nach der Durchführung des richtungsselektiven Ätzverfahrens eine Bodenfläche der Aussparungen und eine durch die erste Halbleiterschicht gebildete Strahlungsdurchtrittsfläche frei von Material der Trennschicht oder weist zumindest verglichen mit den Seitenflächen der Aussparungen eine stark reduzierte Dicke auf, beispielsweise höchstens 20% der Dicke der Schicht an den Seitenflächen der Aussparungen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird in einem nachfolgenden weiteren richtungsselektiven Ätzverfahren weiteres Material der Trennschicht entfernt und die erste Halbleiterschicht in den Aussparungen bereichsweise freigelegt. Insbesondere kann die Halbleiterschicht in einem Teilbereich der Seitenflächen der Aussparungen frei liegen. Beispielsweise grenzt der Teilbereich an die Strahlungsdurchtrittsfläche an. Auf der Strahlungsdurchtrittsfläche kann das Material der Trennschicht vollständig oder nur bereichsweise entfernt sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird durch das weitere richtungsselektive Ätzverfahren die erste Anschlussschicht freigelegt. Vor dem weiteren richtungsselektiven Ätzverfahren in vertikaler Richtung zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der ersten Anschlussschicht angeordnetes Material, insbesondere das Material unterhalb einer Bodenfläche der Aussparungen, wird also stellenweise vollständig entfernt, sodass die erste Anschlussschicht zugänglich ist. Beispielsweise wird durch das weitere richtungsselektive Ätzverfahren dielektrisches Material, insbesondere nur dielektrisches Material, entfernt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt, bei dem vor dem Aufbringen der Leitungsschicht eine Maskierungsschicht mit einer Mehrzahl von Öffnungen auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht wird und jede Aussparung in Draufsicht vollständig innerhalb einer der Mehrzahl von Öffnungen angeordnet ist. Die erste Halbleiterschicht ist zum Beispiel seitlich der Aussparungen stellenweise frei von der Maskierungsschicht. Für die Maskierungsschicht eignet sich beispielsweise ein Fotolack.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens verjüngen sich die Öffnungen mit zunehmendem Abstand von der Halbleiterschichtenfolge. Material für die Leitungsschicht wird insbesondere mit einer Hauptabscheiderichtung, die schräg zur vertikalen Richtung verläuft, abgeschieden, sodass in den Öffnungen abgeschiedenes Material der Leitungsschicht in Draufsicht mit auf der Maskierungsschicht abgeschiedenem Material der Leitungsschicht überlappt. In den Öffnungen bedeckt also Material der Leitungsschicht bereichsweise die erste Halbleiterschicht, insbesondere seitlich der Aussparungen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird auf die Leitungsschicht eine Abdeckschicht aufgebracht. Die Abdeckschicht dient insbesondere für einen nachfolgenden Materialabtrag der ersten Halbleiterschicht als Maske. Die Abdeckschicht wird insbesondere vor dem Entfernen der Maskierungsschicht aufgebracht. Die Abdeckschicht wird also sowohl in den Öffnungen der Maskierungsschicht als auch auf der Maskierungsschicht selbst aufgebracht. Nach dem Entfernen der Maskierungsschicht verbleibt die Abdeckschicht nur in nicht von der Maskierungsschicht bedeckten Bereichen.
  • Mittels des Materialabtrags der ersten Halbleiterschicht kann beispielsweise stellenweise eine absorbierende Kontaktschicht, die Teil der ersten Halbleiterschicht ist, entfernt werden und/oder eine Auskoppelstrukturierung ausgebildet werden. Die Kontaktschicht ist insbesondere für die verbesserte Kontaktierbarkeit der ersten Halbleiterschicht mittels der Leitungsschicht vorgesehen. Vorzugsweise ist die Kontaktschicht mindestens doppelt so hoch dotiert wie das an die Kontaktschicht angrenzende Material der ersten Halbleiterschicht.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem die Halbleiterschichtenfolge an einem Träger befestigt wird, insbesondere zwischen dem Ausbilden der ersten Anschlussschicht und dem Ausbilden der Aussparungen. Der Träger dient insbesondere der mechanischen Stabilisierung der Halbleiterschichtenfolge. Die Befestigung kann beispielsweise mittels einer Verbindungsschicht, etwa einer Lotschicht oder einer Klebeschicht erfolgen.
  • Ein Halbleiterbauelement weist gemäß zumindest einer Ausführungsform einen Halbleiterkörper mit einer ersten Halbleiterschicht, einer zweiten Halbleiterschicht und einer zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten, zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich auf. Auf der der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht ist eine erste Anschlussschicht angeordnet. Der Halbleiterkörper weist zumindest eine Aussparung auf, die sich durch den Halbleiterkörper hindurch erstreckt und in Draufsicht auf den Halbleiterkörper vollständig von dem Halbleiterkörper umgeben ist. In der zumindest einen Aussparung ist eine Leitungsschicht angeordnet, die eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht und der ersten Anschlussschicht bildet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauelements grenzt die Leitungsschicht in der zumindest einen Aussparung unmittelbar an die erste Halbleiterschicht an. Beispielsweise weist eine Seitenfläche der zumindest einen Aussparung einen Teilbereich auf, in dem die Leitungsschicht an die erste Halbleiterschicht angrenzt. Eine elektrisch leitende Kontaktierung zwischen der ersten Halbleiterschicht und der Leitungsschicht kann also über die Seitenfläche der Aussparung erfolgen. Mit anderen Worten ist zumindest stellenweise zwischen der Leitungsschicht und der ersten Halbleiterschicht in der Aussparung kein elektrisch isolierendes Material, insbesondere keine Trennschicht, vorgesehen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauelements ist die Leitungsschicht bereichsweise auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Strahlungsdurchtrittsfläche der ersten Halbleiterschicht angeordnet. Die elektrische Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht erfolgt in diesem Fall alternativ oder ergänzend zur Kontaktierung über die Seitenfläche der Aussparung von der Strahlungsdurchtrittsfläche her.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauelements weist die erste Halbleiterschicht eine Kontaktschicht auf. Die Kontaktschicht weist insbesondere eine höhere Dotierung auf als ein an die Kontaktschicht angrenzendes Material der ersten Halbleiterschicht. Insbesondere begrenzt die Kontaktschicht die erste Halbleiterschicht auf der dem aktiven Bereich abgewandten Seite.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauelements ist die Kontaktschicht in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement nur unterhalb der Leitungsschicht ausgebildet. Seitlich der Leitungsschicht ist die Kontaktschicht also entfernt. Die Gefahr einer Strahlungsabsorption durch die Kontaktschicht kann so weitgehend vermieden werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauelements ist zwischen der ersten Anschlussschicht und der zweiten Halbleiterschicht eine zweite Anschlussschicht zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Die zweite Anschlussschicht oder eine Teilschicht davon kann als eine Spiegelschicht für die im aktiven Bereich zu erzeugende oder zu empfangende Strahlung ausgebildet sein. Beispielsweise weist die Spiegelschicht eine Reflektivität von mindestens 60%, bevorzugt mindestens 80%, für eine Peak-Wellenlänge der zu erzeugenden oder zu empfangenden Strahlung auf. Die zweite Anschlussschicht ist zweckmäßigerweise von der ersten Anschlussschicht elektrisch isoliert, beispielsweise mittels einer zwischen der ersten Anschlussschicht und der zweiten Anschlussschicht angeordneten Isolationsschicht.
  • Der Halbleiterkörper ist in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement frei von einem Kontakt für die externe elektrische Kontaktierung, beispielsweise einem Bondpad für eine Drahtbondverbindung. Die Anordnung der Kontakte ist in weiten Grenzen wählbar. Beispielsweise kann das Halbleiterbauelement einen vorderseitigen Kontakt und einen rückseitigen Kontakt, zwei vorderseitige Kontakte oder zwei rückseitige Kontakte aufweisen. Als Vorderseite wird hierbei diejenige Seite verstanden, auf der die Strahlungsdurchtrittsfläche des Halbleiterkörpers ausgebildet ist.
  • Das vorstehend beschriebene Verfahren zur Herstellung ist für die Herstellung des Halbleiterbauelements besonders geeignet. Im Zusammenhang mit dem Verfahren ausgeführte Merkmale können daher auch für das Halbleiterbauelement herangezogen werden und umgekehrt.
  • Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
  • Es zeigen:
  • Die 1A bis 1I und 1K bis 1O ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements anhand von schematisch in Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten; und
  • die 2 bis 4 jeweils ein Ausführungsbeispiel für ein Halbleiterbauelement.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen.
  • Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente und insbesondere Schichtdicken zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Anhand der 1A bis 1I und 1K bis 1O wird ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung von insbesondere optoelektronischen Halbleiterbauelementen angegeben. Zur vereinfachten Darstellung ist lediglich ein Ausschnitt gezeigt, aus dem bei einem Vereinzelungsschritt genau ein Halbleiterbauelement hervorgeht. Die hergestellten Halbleiterbauelemente können beispielsweise Strahlungsemitter, etwa Lumineszenzdioden oder Strahlungsempfänger, etwa Photodioden oder Solarzellen sein.
  • Eine Halbleiterschichtenfolge 2 mit einem zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich 25 wird bereitgestellt. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist der aktive Bereich 25 zur Erzeugung von Strahlung ausgebildet und weist eine Quantenstruktur auf. Die Quantenstruktur umfasst eine Mehrzahl von Quantenschichten 251, wobei zwischen benachbarten Quantenschichten eine Barriereschicht 252 angeordnet ist. Zur vereinfachten Darstellung sind in 1A lediglich zwei Quantenschichten gezeigt, der aktive Bereich kann aber auch mehr als zwei Quantenschichten aufweisen. In den nachfolgenden Figuren ist die Struktur des aktiven Bereichs 25 zur vereinfachten Darstellung nicht explizit abgebildet. Der aktive Bereich 25 ist zwischen einer ersten Halbleiterschicht 21 und einer zweiten Halbleiterschicht 22 angeordnet. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel weist die erste Halbleiterschicht 21 auf der dem aktiven Bereich 25 abgewandten Seite eine Kontaktschicht 210 auf. Die Kontaktschicht 210 dient der vereinfachten elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht in einem nachfolgenden Verfahrensschritt. Die Kontaktschicht 210 weist zweckmäßigerweise eine höhere Dotierung als das an die Kontaktschicht angrenzende Material der ersten Halbleiterschicht auf, beispielsweise eine Dotierung von mindestens 1 × 1018 cm–3. Eine solche Kontaktschicht ist jedoch nicht zwingend erforderlich.
  • Die erste Halbleiterschicht 21 und die zweite Halbleiterschicht 22 sind bezüglich des Leitungstyps voneinander verschieden. Beispielsweise ist die erste Halbleiterschicht 21 n-leitend und die zweite Halbleiterschicht p-leitend oder umgekehrt. Die Abscheidung der Halbleiterschichtenfolge 2 erfolgt auf einem Aufwachssubstrat 200, beispielsweise mittels epitaktischer Abscheidung, etwa MOVPE.
  • Die Halbleiterschichtenfolge, insbesondere der aktive Bereich 25, enthält vorzugsweise ein III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial.
  • III-V-Verbindungs-Halbleitermaterialien sind zur Strahlungserzeugung im ultravioletten (AlxInyGa1-x-yN) über den sichtbaren (AlxInyGa1-x-yN, insbesondere für blaue bis grüne Strahlung, oder AlxInyGa1-x-yP, insbesondere für gelbe bis rote Strahlung) bis in den infraroten (AlxInyGa1-x-yAs) Spektralbereich besonders geeignet. Hierbei gilt jeweils 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1, insbesondere mit x ≠ 1, y ≠ 1, x ≠ 0 und/oder y ≠ 0. Mit III-V-Verbindungs-Halbleitermaterialien, insbesondere aus den genannten Materialsystemen, können weiterhin bei der Strahlungserzeugung hohe interne Quanteneffizienzen erzielt werden.
  • Auf der dem Aufwachssubstrat 200 abgewandten Seite wird eine Strukturierung 26 ausgebildet (1B). Die Strukturierung ist insbesondere zur Verringerung von Wellenleitereffekten und zur Verbesserung der Auskoppeleffizienz im Fall eines strahlungsemittierenden Bauelements vorgesehen. Die Strukturierung 26 kann beispielsweise in Form von Mikroprismen ausgebildet werden. Es sind jedoch auch andere Ausgestaltungen denkbar, beispielsweise eine unregelmäßige Strukturierung wie eine Aufrauhung.
  • Auf der Halbleiterschichtenfolge 2 wird eine erste Isolationsschicht 71 ausgebildet. Die erste Isolationsschicht 71 weist Aussparungen 711 auf. Die elektrische Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht erfolgt nur über die Aussparungen der ersten Isolationsschicht. Auf der Isolationsschicht wird eine zweite Anschlussschicht 32 ausgebildet. Die zweite Anschlussschicht 32 weist exemplarisch eine erste Teilschicht 321 und eine Spiegelschicht 322 auf. Die erste Teilschicht ist in den Aussparungen 711 ausgebildet und dient der elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 22. Die erste Isolationsschicht ist jedoch nicht zwingend erforderlich. Es ist auch denkbar, dass die zweite Anschlussschicht großflächig an die zweite Halbleiterschicht angrenzt. In den weiteren Zwischenschritten ist die erste Teilschicht 321 zur vereinfachten Darstellung nicht explizit gezeigt.
  • Die Bezeichnung einzelner Schichten in der Art einer Nummerierung wie „erste Isolationsschicht” und „zweite Isolationsschicht” dient im Rahmen der vorliegenden Anmeldung lediglich der vereinfachten Bezugnahme auf einzelne Schichten und impliziert keine Reihenfolge in der Herstellung der Schichten. Zudem erfordert beispielsweise der Begriff „zweite Isolationsschicht” nicht notwendigerweise das Vorhandensein einer ersten Isolationsschicht.
  • Die zweite Anschlussschicht 32 weist weiterhin Aussparungen 325 auf. In diesen Aussparungen ist die zweite Halbleiterschicht 22 frei von metallischem Material.
  • Nachfolgend wird, wie in 1C dargestellt, auf der zweiten Anschlussschicht 32 eine erste Anschlussschicht 31 aufgebracht. Die zweite Anschlussschicht 32 verläuft bereichsweise zwischen der ersten Anschlussschicht 31 und der zweiten Halbleiterschicht 22. Zur elektrischen Isolierung zwischen der ersten Anschlussschicht und der zweiten Anschlussschicht ist eine zweite Isolationsschicht 72 zwischen diesen Schichten ausgebildet. Die zweite Isolationsschicht bedeckt die Halbleiterschichtenfolge vollflächig. Weiterhin grenzt die zweite Isolationsschicht in den Aussparungen 325 der zweiten Anschlussschicht an die erste Isolationsschicht 71 an.
  • Im Bereich der Aussparungen 325 der zweiten Anschlussschicht 32 befindet sich zwischen der ersten Anschlussschicht 31 und der zweiten Halbleiterschicht 22 kein metallisches Material.
  • Die erste Anschlussschicht 31 bedeckt die Halbleiterschichtenfolge 2 vollflächig. Für die Ausbildung der ersten Anschlussschicht 31 ist also kein lithografisches Strukturierungsverfahren erforderlich.
  • Nachfolgend wird die Halbleiterschichtenfolge mittels einer Verbindungsschicht 55, etwa einer Lotschicht oder einer elektrisch leitfähigen Klebeschicht, an einem Träger 5 befestigt. Die zweite Halbleiterschicht 22 ist auf der dem Träger 5 zugewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge angeordnet (1D).
  • Der Träger dient der mechanischen Stabilisierung der Halbleiterschichtenfolge 2, sodass das Aufwachssubstrat 200 hierfür nicht mehr erforderlich ist und entfernt werden kann (1E). Das Entfernen das Aufwachssubstrats kann beispielsweise mechanisch, etwa mittels Schleifens, Läppens oder Polierens und/oder chemisch, beispielsweise mittels nasschemischen oder trockenchemischen Ätzens, erfolgen. Insbesondere kann das Aufwachssubstrat in einem ersten Teilschritt mechanisch gedünnt werden. In einem zweiten Teilschritt kann der verbliebene Rest mittels eines chemischen Abtragverfahrens entfernt werden. Davon abweichend ist auch denkbar, dass das Aufwachssubstrat 200 bei der Befestigung am Träger bereits entfernt ist. In diesem Fall kann die Halbleiterschichtenfolge bei der Befestigung am Träger beispielsweise von einem temporären Hilfsträger stabilisiert werden.
  • Wie in 1F dargestellt, werden von der dem Träger 5 abgewandten Seite her Aussparungen 29 ausgebildet, die sich vollständig durch die Halbleiterschichtenfolge 2 hindurch erstrecken. Gleichzeitig werden Trenngräben 28 zur Unterteilung der Halbleiterschichtenfolge 2 in lateral voneinander beabstandete Halbleiterkörper 20 ausgebildet. Durch das Ausbilden der Aussparungen 29 und der Trenngräben 28 in einem Herstellungsschritt wird der Aufwand bei der Herstellung reduziert. Die Aussparungen und die Trenngräben können aber auch in voneinander getrennten Schritten nacheinander ausgebildet werden. Die Aussparungen und die Trenngräben sind in lateraler Richtung voneinander beabstandet, so dass die Aussparungen der einzelnen Halbleiterkörper jeweils entlang des gesamten Umfangs von Material des Halbleiterkörpers umgeben sind. Die Aussparungen 29 und/oder Trenngräben 28 können senkrechte Flanken, also parallel zur vertikalen Richtung verlaufende Flanken, aufweisen. Alternativ können die Flanken schräg zur vertikalen Richtung ausgebildet sein, wobei sich der Querschnitt der Aussparungen 29 und/oder Trenngräben 28 in Richtung des Trägers 5 verjüngt.
  • In Draufsicht überlappen die Aussparungen 29 in der Halbleiterschichtenfolge mit den Aussparungen 325 der zweiten Anschlussschicht 325. Insbesondere verlaufen die Aussparungen 29 vollständig innerhalb der Aussparungen 325 der zweiten Anschlussschicht 325.
  • Nachfolgend wird Material für eine Trennschicht 73 mittels eines konform wirkenden Verfahrens abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD(chemical vapour deposition)-Verfahrens oder atomlagen feiner Abscheidung (atomic layer deposition, ALD). Eine konform abgeschiedene Schicht folgt in ihrem Verlauf der Form des darunter befindlichen Materials. Das Material der Trennschicht bedeckt die Halbleiterschichtenfolge vollflächig, insbesondere auch die Seitenflächen der Aussparungen 29 und der Trenngräben 28.
  • Wie in 1G gezeigt, wird die Trennschicht 73 vollflächig einem richtungsselektiven Ätzverfahren unterzogen, sodass Flächen, die parallel zur Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge 2 verlaufen, vom Material der Trennschicht befreit werden. Die Trennschicht 73 befindet sich somit nur noch an den schräg oder senkrecht zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Seitenflächen, insbesondere an den Seitenflächen 290 der Aussparungen 29 und an den Seitenflächen der Trenngräben 28.
  • Mittels des richtungsselektiven Ätzverfahrens kann also eine Trennschicht realisiert werden, die im Bereich der Aussparungen eine elektrische Isolation der Seitenflächen der Aussparungen 29 bewirkt, ohne dass hierfür ein Lithografieverfahren erforderlich ist. Vielmehr erfolgt die Ausbildung der Trennschicht 73 selbstjustierend. Durch den Verzicht auf zwei zueinander justierte Lithographieschritte für die Ausbildung der beschichteten Aussparungen kann die laterale Ausdehnung der Aussparungen 29 verringert werden. So reduziert sich der Anteil des aktiven Bereichs 25, der durch das Ausbilden der Aussparungen 29 verloren geht. Beispielsweise eignet sich als richtungsselektives Ätzverfahren ein trockenchemisches Ätzverfahren, etwa reaktives Ionenätzen.
  • Wie in 1H dargestellt, wird nachfolgend auf der Halbleiterschichtenfolge 2 eine Maskierungsschicht 8, beispielsweise eine Fotolackschicht, aufgebracht. Die Maskierungsschicht wird derart ausgebildet, dass in der Maskierungsschicht Öffnungen 81 ausgebildet sind, wobei die Aussparungen 29 in Draufsicht auf die Halbleiterschichtenfolge 2 vollständig innerhalb der Öffnungen 81 angeordnet sind. Mit zunehmendem Abstand von der Halbleiterschichtenfolge 2 verringert sich der Querschnitt der Öffnungen 81, sodass ein hinterschnittener Bereich entsteht.
  • Nachfolgend wird, wie in 1I dargestellt, mittels eines weiteren richtungsselektiven Verfahrens Material der Trennschicht 73 abgetragen. Das weitere richtungsselektive Verfahren weist ebenfalls in vertikaler Richtung eine höhere Ätzrate auf als in lateraler Richtung. Das die Seitenflächen 29 bedeckende Material wird dadurch in vertikaler Richtung abgetragen. So weisen die Seitenflächen 290 der Aussparungen 29 jeweils einen Teilbereich 291 auf, in dem die erste Halbleiterschicht 21 freiliegt. Der Teilbereich grenzt insbesondere an die Kontaktschicht 210 an.
  • Zudem wird mittels des weiteren richtungsselektiven Ätzverfahrens am Boden der Aussparungen 29 das zwischen den Aussparungen 29 und der ersten Anschlussschicht 31 befindliche Material entfernt, sodass die erste Anschlussschicht 31 freigelegt wird. Insbesondere wird in diesem Schritt im Bereich der Aussparungen 29 Material der zweiten Isolationsschicht 72 entfernt. Das Freilegen der ersten Anschlussschicht 31 erfolgt in den Aussparungen 325 der zweiten Anschlussschicht. Beim Freilegen muss also kein metallisches Material entfernt werden. Nachfolgend wird, wie in 1K dargestellt, eine Leitungsschicht 4 vollflächig auf die Halbleiterschichtenfolge 2 aufgebracht. Material der Leitungsschicht 4 bedeckt die Seitenflächen 290 der Aussparungen 29 und die Maskierungsschicht 8. Vorzugsweise erfolgt die Abscheidung der Leitungsschicht mit einer Hauptabscheiderichtung (dargestellt durch einen Pfeil 95), die schräg zur vertikalen Richtung verläuft, sodass auch Teilbereiche der ersten Halbleiterschicht mit der Leitungsschicht bedeckt werden, die in Draufsicht auf die Halbleiterschichtenfolge von der Maskierungsschicht 8 bedeckt sind. Das auf der ersten Halbleiterschicht abgeschiedene Material der Leitungsschicht 4 und das auf der Maskierungsschicht abgeschiedene Material überlappen also in Draufsicht bereichsweise. Vorzugsweise wird die Halbleiterschichtenfolge während der Abscheidung der Leitungsschicht rotiert, so dass die Leitungsschicht 4 die Aussparungen 29 auf der ersten Halbleiterschicht vollständig umläuft.
  • Nachfolgend wird eine Abdeckschicht 74 vollflächig abgeschieden (1L), vorzugsweise ebenfalls mit einer schräg zur vertikalen Richtung verlaufenden Hauptabscheiderichtung.
  • Nach dem Entfernen der Maskierungsschicht 8 (1M) sind die zuvor von der Maskierungsschicht bedeckten Bereiche der Halbleiterschichtenfolge frei von der Abdeckschicht 74. Insbesondere bedeckt die Abdeckschicht 74 die Leitungsschicht 4 vollständig.
  • Die Abdeckschicht 74 kann nun als eine Maske für einen Materialabtrag der Halbleiterschichtenfolge 2 dienen (1N). Bei dem Materialabtrag kann die Kontaktschicht 210 bereichsweise entfernt werden, sodass diese nur noch unterhalb der Abdeckschicht 74 und der Leitungsschicht 4 vorhanden ist. Mittels der Kontaktschicht 210 kann ein guter ohmscher Kontakt zur Leitungsschicht 4 erzielt werden. Seitlich der Leitungsschicht 4 ist das Material der Kontaktschicht 210 entfernt, sodass die Gefahr einer Strahlungsabsorption durch die Kontaktschicht 210 vermindert ist. Dadurch werden eine gute elektrische Kontaktierbarkeit und gleichzeitig reduzierte Absorptionsverluste auf einfache und zuverlässige Weise erzielt. Insbesondere ist hierfür kein zusätzlicher fotolithographischer Schritt erforderlich.
  • Bei dem Materialabtrag von Material der Halbleiterschichtenfolge kann weiterhin eine Auskoppelstrukturierung 27 ausgebildet werden, beispielsweise in Form einer Aufrauung.
  • Nachfolgend wird, wie in 1O dargestellt, optional eine Passivierungsschicht 75 auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht. Es ist auch denkbar, auf der Passivierungsschicht zusätzlich eine Strahlungskonversionsschicht auszubilden (nicht explizit gezeigt) oder in der Passivierungsschicht ein Strahlungskonversionsmaterial vorzusehen.
  • Der Träger 5 wird von der der Halbleiterschichtenfolge 2 abgewandten Seite her gedünnt. Dadurch kann die Bauteilhöhe verringert werden. Vor dem Dünnen kann der Träger aufgrund einer größeren Dicke eine hohe mechanische Robustheit aufweisen. Alternativ kann die Halbleiterschichtenfolge 2 auf einen Träger aufgebracht werden, der bereits die im fertig gestellten Halbleiterbauelement gewünschte Enddicke aufweist.
  • Auf der der Halbleiterschichtenfolge 2 abgewandten Seite des Trägers 5 wird ein erster Kontakt 61 ausgebildet. Der erste Kontakt 61 ist in diesem Ausführungsbeispiel über den Träger 5, die erste Anschlussschicht 31 und die Leitungsschicht 4 mit der ersten Halbleiterschicht 21 verbunden. Seitlich des Halbleiterkörpers 20 wird auf der der Halbleiterschichtenfolge 2 zugewandten Seite des Trägers 5 ein zweiter Kontakt 62 zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht 22 über die zweite Anschlussschicht 32 ausgebildet.
  • Durch Anlegen einer externen elektrischen Spannung zwischen dem ersten Kontakt 61 und dem zweiten Kontakt 62 können Ladungsträger von entgegengesetzten Seiten in den aktiven Bereich 25 injiziert werden und dort unter Emission von Strahlung rekombinieren.
  • Zur Ausbildung der einzelnen Halbleiterbauelemente wird der so hergestellte Verbund entlang von Vereinzelungslinien 9 vereinzelt, sodass die hergestellten Halbleiterbauelemente jeweils einen Teil des Trägers 5 und einen Halbleiterkörper 20 mit zumindest einer Aussparung 29 aufweisen.
  • Mit dem beschriebenen Verfahren können auf einfache und zuverlässige Weise Halbleiterbauelemente hergestellt werden, wobei der Halbleiterkörper 2, insbesondere die Strahlungsdurchtrittsfläche 11, frei von Strukturen zur Stromverteilung und einem externen elektrischen Kontakt, beispielsweise für eine Drahtbond-Verbindung, ist. Die elektrische Kontaktierung der auf der vom Träger 5 abgewandten Seite des aktiven Bereichs 25 angeordneten ersten Halbleiterschicht 21 kann über die Aussparungen 29 erfolgen, wobei die Aussparungen 29 in einem selbstjustierenden Prozess einfach und zuverlässig so hergestellt werden können, dass die Leitungsschicht 4 in den Aussparungen von der zweiten Halbleiterschicht 22 und dem aktiven Bereich 25 elektrisch isoliert ist.
  • 1O zeigt ein Ausführungsbeispiel eines so hergestellten Halbleiterbauelements 1. Das Halbleiterbauelement 1 weist lediglich exemplarisch einen rückseitigen ersten Kontakt 61 und einen vorderseitigen, insbesondere seitlich des Halbleiterkörpers 2 angeordneten, Kontakt 62 auf.
  • Die erste Isolationsschicht 71, die zweite Isolationsschicht 72, die Trennschicht 73, die Abdeckschicht 74 und die Passivierungsschicht 75 enthalten vorzugsweise jeweils ein elektrisch isolierendes Material, beispielsweise ein Oxid, etwa Siliziumoxid, oder ein Nitrid, beispielsweise Siliziumnitrid.
  • Die erste Anschlussschicht 31, die zweite Anschlussschicht 32, der erste Kontakt 61 und der zweite Kontakt 62 enthalten vorzugsweise jeweils ein Metall oder bestehen aus einem Metall oder einer metallischen Legierung. Die Schichten können jeweils einlagig oder mehrlagig ausgebildet sein.
  • Im Unterschied zu dem in 1O dargestellten Ausführungsbeispiel weist das in 2 dargestellte Ausführungsbeispiel eines Halbleiterbauelements 1 zwei vorderseitige Kontakte auf. Der erste Kontakt 61 ist also nicht auf der Rückseite des Trägers 5, sondern ebenfalls seitlich des Halbleiterkörpers 20 angeordnet. In diesem Fall kann der Träger 5 auch elektrisch isolierend ausgebildet sein.
  • Das in 3 dargestellte Ausführungsbeispiel weist, wie das in 1O gezeigte Ausführungsbeispiel, einen vorderseitigen Kontakt und einen rückseitigen Kontakt auf. Im Unterschied hierzu ist der erste Kontakt 61, der mit der ersten Halbleiterschicht 21 elektrisch leitend verbunden ist, der vorderseitige Kontakt. Der mit der zweiten Halbleiterschicht 22 verbundene zweite Kontakt 62 bildet einen rückseitigen Kontakt. In diesem Fall ist also die auf der dem Träger zugewandten Seite des aktiven Bereichs 25 angeordnete Halbleiterschicht, nämlich die zweite Halbleiterschicht 22, durch den Träger hindurch mit einem rückseitigen Kontakt extern elektrisch kontaktierbar.
  • Bei dem in 4 dargestellten Ausführungsbeispiel ist im Unterschied zu dem im Zusammenhang mit 1O beschriebenen Ausführungsbeispiel ein Halbleiterbauelement 1 gezeigt, bei dem der erste Kontakt 61 und der zweite Kontakt 62 auf der Rückseite des Trägers 5 ausgebildet sind. In diesem Fall weist der Träger 5 Durchkontaktierungen 51 auf. Beide Kontakte des Halbleiterbauelements 1 sind von der Rückseite her zugänglich. Der Träger 5 umfasst einen Trägerkörper 50 mit Aussparungen, durch die sich die Durchkontaktierungen in vertikaler Richtung hindurch erstrecken. Der Trägerkörper ist bereichsweise, insbesondere im Bereich der Durchkontaktierungen 51, auf einer dem Halbleiterkörper 20 zugewandten Hauptfläche und auf einer vom Halbleiterkörper abgewandten Hauptfläche, von einer Trägerisolationsschicht 57 bedeckt. Die erste Anschlussschicht 31 und die zweite Anschlussschicht 32 sind über einen Zwischenraum 56 elektrisch voneinander isoliert. Der Zwischenraum kann beispielsweise mit einem Gas, etwa Luft oder einem Schutzgas, befüllt oder evakuiert sein. Alternativ kann der Zwischenraum mit elektrisch isolierender fester Materie gefüllt sein.
  • Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims (16)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (1) mit den Schritten: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer ersten Halbleiterschicht (21), einer zweiten Halbleiterschicht (22) und einem zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten, zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (25); b) Ausbilden einer ersten Anschlussschicht (31) auf der der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht; c) Ausbilden einer Mehrzahl von Aussparungen (29) durch die Halbleiterschichtenfolge hindurch; d) Ausbilden einer Leitungsschicht (4) in den Aussparungen zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht und der ersten Anschlussschicht; und e) Vereinzeln in die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen, wobei aus der Halbleiterschichtenfolge für jedes Halbleiterbauelement ein Halbleiterkörper (20) mit zumindest einer der Mehrzahl von Aussparungen hervorgeht und die zumindest eine Aussparung in Draufsicht auf den Halbleiterkörper vollständig von dem Halbleiterkörper umgeben ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem zur elektrischen Isolation zwischen dem aktiven Bereich und der Leitungsschicht eine Trennschicht (73) aufgebracht wird, die die Seitenflächen (290) der Aussparungen zumindest auf Höhe der zweiten Halbleiterschicht und des aktiven Bereichs bedeckt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem zum Ausbilden der Trennschicht Material für die Trennschicht vollflächig auf die Halbleiterschichtenfolge mit den Aussparungen aufgebracht wird und das Material mittels eines richtungsselektiven Ätzverfahrens derart entfernt wird, dass nur schräg oder senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge verlaufende Flächen von der Trennschicht bedeckt bleiben.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem in einem nachfolgenden weiteren richtungsselektiven Ätzverfahren weiteres Material der Trennschicht entfernt wird und die erste Halbleiterschicht in den Aussparungen bereichsweise freigelegt wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem durch das weitere richtungsselektive Ätzverfahren die erste Anschlussschicht freigelegt wird.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Aufwachssubstrat (200) für die Halbleiterschichtenfolge vor Schritt c) entfernt wird.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem vor dem Aufbringen der Leitungsschicht eine Maskierungsschicht (8) mit einer Mehrzahl von Öffnungen (81) auf die Halbleiterschichtenfolge aufgebracht wird und jede Aussparung in Draufsicht vollständig innerhalb einer der Mehrzahl von Öffnungen angeordnet ist und die erste Halbleiterschicht seitlich der Aussparungen stellenweise frei von der Maskierungsschicht ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem sich die Öffnungen mit zunehmendem Abstand von der Halbleiterschichtenfolge verjüngen und Material für die Leitungsschicht mit einer Hauptabscheiderichtung, die schräg zu einer senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichtenfolge verlaufenden vertikalen Richtung verläuft, abgeschieden wird, so dass in den Öffnungen abgeschiedenes Material der Leitungsschicht in Draufsicht mit auf der Maskierungsschicht abgeschiedenem Material der Leitungsschicht überlappt.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem auf die Leitungsschicht eine Abdeckschicht (74) aufgebracht wird und die Abdeckschicht für einen Materialabtrag der ersten Halbleiterschicht als Maske dient.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleiterschichtenfolge zwischen Schritt b) und Schritt c) an einem Träger befestigt wird.
  11. Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (20), der eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und einen zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordneten, zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (25) aufweist, wobei – eine erste Anschlussschicht (31) auf der der ersten Halbleiterschicht abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist; – der Halbleiterkörper zumindest eine Aussparung (29) aufweist, die sich durch den Halbleiterkörper hindurch erstreckt und in Draufsicht auf den Halbleiterkörper vollständig von dem Halbleiterkörper umgeben ist; und – eine Leitungsschicht (4) in der zumindest einen Aussparung angeordnet ist und eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht und der ersten Anschlussschicht bildet.
  12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, wobei die Leitungsschicht in der zumindest einen Aussparung unmittelbar an die erste Halbleiterschicht angrenzt.
  13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 11 oder 12, wobei die Leitungsschicht bereichsweise auf einer dem aktiven Bereich gegenüberliegenden Strahlungsdurchtrittsfläche (11) der ersten Halbleiterschicht angeordnet ist.
  14. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei die erste Halbleiterschicht eine Kontaktschicht (210) aufweist, die in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement nur unterhalb der Leitungsschicht ausgebildet ist.
  15. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei zwischen der ersten Anschlussschicht und der zweiten Halbleiterschicht eine zweite Anschlussschicht (32) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist.
  16. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 11 bis 15, das nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 hergestellt ist.
DE102014102029.4A 2014-02-18 2014-02-18 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement Withdrawn DE102014102029A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014102029.4A DE102014102029A1 (de) 2014-02-18 2014-02-18 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement
JP2016553005A JP2017512380A (ja) 2014-02-18 2015-02-17 半導体構成素子を製造する方法、及び、半導体構成素子
DE112015000850.0T DE112015000850B4 (de) 2014-02-18 2015-02-17 Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement
PCT/EP2015/053278 WO2015124551A1 (de) 2014-02-18 2015-02-17 Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen und halbleiterbauelement
US15/119,376 US10074766B2 (en) 2014-02-18 2015-02-17 Method for producing semiconductor components and semiconductor component
CN201580009283.9A CN106062976B (zh) 2014-02-18 2015-02-17 用于制造半导体器件的方法和半导体器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014102029.4A DE102014102029A1 (de) 2014-02-18 2014-02-18 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102014102029A1 true DE102014102029A1 (de) 2015-08-20

Family

ID=52477807

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014102029.4A Withdrawn DE102014102029A1 (de) 2014-02-18 2014-02-18 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement
DE112015000850.0T Active DE112015000850B4 (de) 2014-02-18 2015-02-17 Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112015000850.0T Active DE112015000850B4 (de) 2014-02-18 2015-02-17 Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10074766B2 (de)
JP (1) JP2017512380A (de)
CN (1) CN106062976B (de)
DE (2) DE102014102029A1 (de)
WO (1) WO2015124551A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10629777B2 (en) 2016-04-13 2020-04-21 Osram Oled Gmbh Optoelectronic semiconductor chip
US11050002B2 (en) 2015-10-05 2021-06-29 Osram Oled Gmbh Method for producing a semiconductor chip and semiconductor chip

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014102029A1 (de) * 2014-02-18 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement
US10529894B2 (en) * 2015-11-20 2020-01-07 Lumileds Holding B.V. Contact etching and metallization for improved LED device performance and reliability
CN106611804B (zh) * 2016-12-28 2017-12-08 合肥海润光伏科技有限公司 一种全钝化太阳能电池结构
FR3073669B1 (fr) * 2017-11-10 2021-11-05 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un dispositif optoelectronique comprenant une pluralite de diodes
DE102020001342B4 (de) * 2019-08-29 2024-12-19 Azur Space Solar Power Gmbh Metallisierungsverfahren für eine Halbleiterscheibe
US11824126B2 (en) * 2019-12-10 2023-11-21 Maxeon Solar Pte. Ltd. Aligned metallization for solar cells
DE102021130159A1 (de) * 2021-11-18 2023-05-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009030243A1 (de) * 2008-10-22 2010-05-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Halbleiter-Lichtemittervorrichtung
DE102008062933A1 (de) * 2008-12-23 2010-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Projektionsvorrichtung
DE102011056888A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
US20130256735A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
DE102012106953A1 (de) * 2012-07-30 2014-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip

Family Cites Families (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4295002A (en) * 1980-06-23 1981-10-13 International Business Machines Corporation Heterojunction V-groove multijunction solar cell
JPH0786691A (ja) 1993-09-14 1995-03-31 Sony Corp 発光装置
US5406515A (en) * 1993-12-01 1995-04-11 International Business Machines Corporation Method for fabricating low leakage substrate plate trench DRAM cells and devices formed thereby
JP3303154B2 (ja) 1994-09-30 2002-07-15 ローム株式会社 半導体発光素子
JP2780704B2 (ja) * 1996-06-14 1998-07-30 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6586762B2 (en) * 2000-07-07 2003-07-01 Nichia Corporation Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power
JP2002220656A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Sanyo Electric Co Ltd 蒸着用マスクおよびその製造方法
US6657237B2 (en) * 2000-12-18 2003-12-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same
US6388322B1 (en) * 2001-01-17 2002-05-14 Aralight, Inc. Article comprising a mechanically compliant bump
DE10219886B4 (de) * 2002-05-03 2007-10-04 Chunghwa Telecom Co.Ltd. Selbstjustierendes Verfahren zur Herstellung eines Stegwellenleiter-Halbleiterlasers
JP2003347674A (ja) * 2002-05-30 2003-12-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
TWI220578B (en) * 2003-09-16 2004-08-21 Opto Tech Corp Light-emitting device capable of increasing light-emitting active region
JP3908213B2 (ja) * 2003-09-30 2007-04-25 富士通株式会社 レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法
JPWO2005045911A1 (ja) * 2003-11-11 2007-11-29 旭硝子株式会社 パターン形成方法、およびこれにより製造される電子回路、並びにこれを用いた電子機器
TWI277815B (en) * 2004-01-16 2007-04-01 Hannstar Display Corp Liquid crystal display and manufacturing method of liquid crystal display including substrate
DE102004004942A1 (de) * 2004-01-31 2005-08-18 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Passivierung isolierender Trenngräben von integrierten Schaltungen
TWI244221B (en) * 2004-03-01 2005-11-21 Epistar Corp Micro-reflector containing flip-chip light emitting device
WO2005122290A1 (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. 窒化物系半導体発光素子
KR100550417B1 (ko) * 2004-08-18 2006-02-10 엘지전자 주식회사 양방향 광통신용 소자 및 그의 제조 방법
JP4646595B2 (ja) * 2004-10-27 2011-03-09 パナソニック株式会社 半導体記憶装置
KR100862453B1 (ko) * 2004-11-23 2008-10-08 삼성전기주식회사 ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자
KR101186019B1 (ko) * 2004-12-29 2012-09-25 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7687707B2 (en) * 2005-11-16 2010-03-30 Emcore Solar Power, Inc. Via structures in solar cells with bypass diode
JP4978014B2 (ja) * 2006-01-30 2012-07-18 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
US20100186804A1 (en) * 2009-01-29 2010-07-29 Emcore Solar Power, Inc. String Interconnection of Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells on Flexible Perforated Carriers
KR101257811B1 (ko) * 2006-06-30 2013-04-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
JP4510796B2 (ja) * 2006-11-22 2010-07-28 株式会社アルバック 磁気記憶媒体の製造方法
JP2009123718A (ja) * 2007-01-16 2009-06-04 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体素子及びその製造方法、ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
US20080185038A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-07 Emcore Corporation Inverted metamorphic solar cell with via for backside contacts
TWI320680B (en) * 2007-03-07 2010-02-11 Phoenix Prec Technology Corp Circuit board structure and fabrication method thereof
WO2008117362A1 (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Pioneer Corporation 有機トランジスタ及びその製造方法
DE102007022947B4 (de) 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
JP4367531B2 (ja) 2007-06-06 2009-11-18 ソニー株式会社 発光素子における電極構造の形成方法、及び、積層構造体の形成方法
DE102007030129A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
DE102007046337A1 (de) * 2007-09-27 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP2009158955A (ja) * 2007-12-06 2009-07-16 Rohm Co Ltd 窒化物半導体レーザダイオード
US8073031B2 (en) * 2008-03-03 2011-12-06 Sharp Kabushiki Kaisha Laser diode with improved heat dissipation
JP2009246227A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Toshiba Corp 半導体装置
JP2009277882A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
US10147843B2 (en) * 2008-07-24 2018-12-04 Lumileds Llc Semiconductor light emitting device including a window layer and a light-directing structure
JP2010067890A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Hitachi Cable Ltd 発光素子
DE102008051048A1 (de) * 2008-10-09 2010-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper
DE102008053731B4 (de) * 2008-10-29 2024-10-31 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
CN102217102B (zh) * 2008-11-14 2015-07-15 三星电子株式会社 半导体发光器件
US8993873B2 (en) * 2008-11-26 2015-03-31 Microlink Devices, Inc. Solar cell with a backside via to contact the emitter layer
US8481351B2 (en) * 2008-12-19 2013-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate manufacturing method and liquid crystal display device manufacturing method
DE102008062833A1 (de) 2008-12-23 2010-06-24 Hydac Electronic Gmbh Verfahren zum Herstellen von Teilen eines Positionsmesssystems
JP2011035017A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Hitachi Cable Ltd 発光素子
JP5526712B2 (ja) 2009-11-05 2014-06-18 豊田合成株式会社 半導体発光素子
US8115097B2 (en) * 2009-11-19 2012-02-14 International Business Machines Corporation Grid-line-free contact for a photovoltaic cell
KR101039879B1 (ko) 2010-04-12 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
DE102010024079B4 (de) * 2010-06-17 2025-08-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102010025320B4 (de) * 2010-06-28 2021-11-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101761385B1 (ko) * 2010-07-12 2017-08-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101692410B1 (ko) * 2010-07-26 2017-01-03 삼성전자 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US20120189029A1 (en) * 2010-12-07 2012-07-26 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser device
TWI412149B (zh) * 2010-12-16 2013-10-11 Univ Nat Central Laser energy conversion device
US8653550B2 (en) * 2010-12-17 2014-02-18 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Inverted light emitting diode having plasmonically enhanced emission
DE102010054898A1 (de) * 2010-12-17 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger für einen optoelektronischen Halbleiterchip und Halbleiterchip
US8604491B2 (en) * 2011-07-21 2013-12-10 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level photonic device die structure and method of making the same
CN106098889B (zh) * 2011-09-16 2019-02-15 首尔伟傲世有限公司 发光二极管及制造该发光二极管的方法
DE102011115659A1 (de) * 2011-09-28 2013-03-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Photovoltaischer Halbleiterchip
DE102011055549A1 (de) * 2011-09-30 2013-04-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit einer drahtlosen Kontaktierung
DE102011054891B4 (de) * 2011-10-28 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Durchtrennen eines Halbleiterbauelementverbunds
TWI509095B (zh) * 2012-01-12 2015-11-21 大日本印刷股份有限公司 A manufacturing method of the imposition-type deposition mask and a manufacturing method of the resulting stencil sheet and an organic semiconductor device
JP2013157496A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Sony Corp 発光素子およびその製造方法、並びに発光装置
KR20130097363A (ko) * 2012-02-24 2013-09-03 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5953155B2 (ja) * 2012-02-24 2016-07-20 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
WO2013152104A1 (en) * 2012-04-06 2013-10-10 Solar Junction Corporation Multi-junction solar cells with through-via contacts
US20130292719A1 (en) * 2012-05-04 2013-11-07 Chi Mei Lighting Technology Corp. Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same
CN102683534B (zh) * 2012-05-21 2015-02-25 厦门市三安光电科技有限公司 垂直式交流发光二极管器件及其制作方法
FR2992465B1 (fr) 2012-06-22 2015-03-20 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication collective de leds et structure pour la fabrication collective de leds
CN104488084B (zh) * 2012-07-25 2017-08-04 电力集成公司 形成锥形氧化物的方法
US8765609B2 (en) * 2012-07-25 2014-07-01 Power Integrations, Inc. Deposit/etch for tapered oxide
DE102012107921A1 (de) 2012-08-28 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102012215524A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102012108879B4 (de) * 2012-09-20 2024-03-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip mit mehreren nebeneinander angeordneten aktiven Bereichen
CN108447855B (zh) * 2012-11-12 2020-11-24 晶元光电股份有限公司 半导体光电元件的制作方法
CN102931309B (zh) * 2012-11-15 2015-04-01 安徽三安光电有限公司 一种倒装发光二极管及其制作方法
DE102012111512B4 (de) * 2012-11-28 2021-11-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterstreifenlaser
DE102012112530A1 (de) * 2012-12-18 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
KR20140104062A (ko) * 2013-02-15 2014-08-28 삼성전자주식회사 P형 질화물 반도체 제조방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자 제조방법
CN105103309B (zh) * 2013-04-12 2018-09-07 首尔伟傲世有限公司 紫外发光器件
KR20140124993A (ko) * 2013-04-17 2014-10-28 삼성디스플레이 주식회사 도너 기판의 제조 방법 및 그 제조 장치
DE102013107862A1 (de) * 2013-07-23 2015-01-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung zumindest eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterbauteils
CN105493627A (zh) * 2013-08-28 2016-04-13 夏普株式会社 电致发光装置及其制造方法
JPWO2015064354A1 (ja) * 2013-11-01 2017-03-09 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池
TWI637534B (zh) * 2013-11-29 2018-10-01 晶元光電股份有限公司 發光裝置
DE102014102029A1 (de) * 2014-02-18 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement
KR102439708B1 (ko) * 2014-05-27 2022-09-02 실라나 유브이 테크놀로지스 피티이 리미티드 광전자 디바이스
US9773945B2 (en) * 2015-01-30 2017-09-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component
KR20170030685A (ko) * 2015-09-09 2017-03-20 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009030243A1 (de) * 2008-10-22 2010-05-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Halbleiter-Lichtemittervorrichtung
DE102008062933A1 (de) * 2008-12-23 2010-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Projektionsvorrichtung
DE102011056888A1 (de) * 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
US20130256735A1 (en) * 2012-04-02 2013-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
DE102012106953A1 (de) * 2012-07-30 2014-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11050002B2 (en) 2015-10-05 2021-06-29 Osram Oled Gmbh Method for producing a semiconductor chip and semiconductor chip
US10629777B2 (en) 2016-04-13 2020-04-21 Osram Oled Gmbh Optoelectronic semiconductor chip

Also Published As

Publication number Publication date
CN106062976A (zh) 2016-10-26
DE112015000850A5 (de) 2016-11-10
CN106062976B (zh) 2018-10-19
JP2017512380A (ja) 2017-05-18
WO2015124551A1 (de) 2015-08-27
US20170062351A1 (en) 2017-03-02
US10074766B2 (en) 2018-09-11
DE112015000850B4 (de) 2022-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112015000850B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement
DE102010024079B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE112013004276B4 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
EP2553726B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip
WO2009039805A1 (de) Optoelektronisches bauelement sowie verfahren zu dessen herstellung
DE102009006177A1 (de) Strahlungsemittierender Halbleiterchip
DE112012005156B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102009053064A1 (de) Dünnfilm-Halbleiterbauelement mit Schutzdiodenstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterbauelements
DE102012112530A1 (de) Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
WO2015121062A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils sowie optoelektronisches halbleiterbauteil
DE102007032555A1 (de) Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
WO2015055346A9 (de) Verfahren zum herstellen von optoelektronischen halbleiterbauelementen und optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102010034665A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips
DE102013110853A1 (de) Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterchips
WO2014044592A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur seiner herstellung
DE102010045784A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102010033137A1 (de) Leuchtdiodenchip
DE102012106953A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
WO2016135024A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement, verfahren zur herstellung eines elektrischen kontakts und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
DE102013200509A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
WO2017009292A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips und optoelektronischer halbleiterchip
DE102015102374A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers
WO2018172205A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung
WO2017158046A1 (de) Lichtemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden halbleiterchips
WO2016023807A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R118 Application deemed withdrawn due to claim for domestic priority