DE102011102590A1 - Method for producing light-emitting diode components - Google Patents
Method for producing light-emitting diode components Download PDFInfo
- Publication number
- DE102011102590A1 DE102011102590A1 DE102011102590A DE102011102590A DE102011102590A1 DE 102011102590 A1 DE102011102590 A1 DE 102011102590A1 DE 102011102590 A DE102011102590 A DE 102011102590A DE 102011102590 A DE102011102590 A DE 102011102590A DE 102011102590 A1 DE102011102590 A1 DE 102011102590A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- light
- emitting diode
- wafer
- chip
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 9
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000004413 injection moulding compound Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052605 nesosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004762 orthosilicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0362—Manufacture or treatment of packages of encapsulations
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von gleichartigen Leuchtdioden-Bauelementen, mit jeweils zumindest einem Leuchtdioden-Chip und einem Konversionsmittel, welches zumindest einen Teil einer vom zumindest einen Leuchtdioden-Chip ausgesandten elektromagnetischen Primärstrahlung wellenlängenkonvertiert. Es sind die Schritte vorgesehen: – Bereitstellen eines Wafers mit darauf aufgebrachten Leuchtdioden-Chips, – Einbringen des Wafers in eine Kavität einer Spritzform, – Eintreiben einer Spritzmasse, welche mit Konversionsmitteln versetzt ist, in die Kavität, so dass die Leuchtdioden-Chips mit einer gleichförmigen Schicht Spritzmasse umgeben sind, – Entfernen der Spritzform – Vereinzeln der Leuchtdioden-Bauteile auf dem Wafer.Method for producing a multiplicity of identical light-emitting diode components, each with at least one light-emitting diode chip and a conversion means which wavelength-converts at least part of an electromagnetic primary radiation emitted by the at least one light-emitting diode chip. The steps are provided: provision of a wafer with light-emitting diode chips applied thereon, introduction of the wafer into a cavity of an injection mold, driving of an injection compound which is mixed with conversion agents into the cavity, so that the light-emitting diode chips with a uniform layer of molding compound are surrounded, - removing the mold - separating the light-emitting diode components on the wafer.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Leuchtdioden-Bauelementen, bei denen mindestens ein Teil einer, von einem Leuchtdioden-Chip ausgesandten, Primärstrahlung wellenlängenkonvertiert wird.The invention relates to a method for producing light-emitting diode components in which at least a part of a, emitted by a light-emitting diode chip, primary radiation is wavelength-converted.
Heutzutage sind Leuchtdioden-Bauelemente mit verschiedenen Farborten möglich. Hierzu weist das Leuchtdioden-Bauelement einen Leuchtdioden-Chip, auch als LED bekannt, auf. Um den gesuchten Farbort zu erreichen wird von der LED abgestrahlte Primärstrahlung auf ein Konversionsmittel gestrahlt. In diesem wird die Primärstrahlung der LED in eine Sekundärstrahlung des gewünschten Farbortes konvertiert.Nowadays, light-emitting diode components with different colors are possible. For this purpose, the light-emitting diode component has a light-emitting diode chip, also known as LED. In order to reach the desired color location, primary radiation emitted by the LED is radiated onto a conversion medium. In this, the primary radiation of the LED is converted into a secondary radiation of the desired color location.
Zumindest firmenintern sind Herstellungsverfahren von Leuchtdioden-Bauelementen, die mindestens einen Teil der, von einer LED ausgesandten, Primärstrahlung wellenlängenkonvertieren durch sogenannten „CLC Layer Transfer” bekannt. Dabei wird ein ebenes Konverterplättchen direkt auf den Chip geklebt. Das „wire bond pad” wird dabei ausgespart, damit der Chip anschließend Drahtkontaktiert werden kann.At least in-house manufacturing methods of light-emitting diode components, the wavelength conversion by at least a portion of the, emitted by an LED, primary radiation by so-called "CLC Layer Transfer" known. In this case, a flat converter plate is glued directly to the chip. The "wire bond pad" is left out so that the chip can then be wire-bonded.
Eine mittige Anordnung der Chipanschlüsse ist hier ungeeignet, da die Gefahr einer Klebstoffkontamination und einer damit verbundenen schlechten Bondbarkeit besteht. Aufgrund des flachen Konverterplättchens in Kombination mit speziellen Chipdesigns oder auch bedingt durch transparente Klebstoffe, kommt es zu Inhomogenitäten des Farbortes, z. B. dem sogenannten „blue piping” bei Leuchtdioden mit blauer Primärstrahlung, über den Abstrahlwinkel der Lichtquelle. Besonders betroffen sind hierbei die Seitenränder, an denen eine unzureichende Konversion stattfindet.A central arrangement of the chip connections is unsuitable here, since there is a risk of adhesive contamination and associated poor bondability. Due to the flat converter plate in combination with special chip designs or due to transparent adhesives, it comes to inhomogeneities of the color location, eg. As the so-called "blue piping" in light emitting diodes with blue primary radiation, on the radiation angle of the light source. Particularly affected are the margins, where an insufficient conversion takes place.
Ebenso ist das Verfahren der Volumenkonversion bekannt. Dabei wird der Leuchtdioden-Chip nach dem Drahtkontaktieren mit einem Vergussmaterial umhüllt, welchem der Konverter bereits beigemischt ist. Die Umhüllung des Chips geschieht dabei mittels Gießverfahren.Likewise, the method of volume conversion is known. In this case, the light-emitting diode chip is wrapped after wire contacting with a potting material to which the converter is already mixed. The wrapping of the chip happens by casting.
Der Nachteil dieses Verfahrens ist, dass es durch den sogenannten „Stokes-shift” zu einer Erwärmung des Vergussmaterials kommt, die durch die Vergusshöhe bestimmt ist. Unter „Stokes-shift” wird allgemein der Effekt verstanden, dass das von fluoreszierenden Mitteln emittierte Licht zu größeren Wellenlängen hin verschoben wird; es erfolgt also eine „Rotverschiebung”. Durch die Erwärmung kann es zu einer thermischen Überbeanspruchung des Vergussmaterials kommen, die sich durch Risse im Vergussmaterial sowie durch Konverteralterung bzw. Konverterquenching auszeichnet. Als Konverterquenching, auch unter Bezeichnung Konverterlöschung bekannt, werden Vorgänge bezeichnet, die eine Abnahme der Intensität der Fluoreszenz eines Fluoreszenzmittels zur Folge haben, ohne dass das Fluoreszenzmittel zerstört wird. Damit ist keine ausreichende Konversion mehr gegeben und es kommt zu Inhomogenitäten des Farbortes. Besonders betroffen hiervon sind Hochstromanwendungen, sogenannte high-power-Bauformen. Darüber hinaus sind Leuchtdioden-Bauelemente, die durch Volumenkonversion hergestellt werden, aufgrund ihrer erzeugten Flächenstrahlung für abbildende Systeme nicht geeignet.The disadvantage of this method is that it comes through the so-called "Stokes shift" to a heating of the potting material, which is determined by the potting height. By "Stokes shift" is generally understood the effect that the light emitted by fluorescent agents is shifted toward longer wavelengths; So there is a "redshift". The heating can lead to thermal overstressing of the potting material, which is characterized by cracks in the potting material as well as by converter aging or converter quenching. As converter quenching, also known as converter quenching, processes are referred to which result in a decrease in the intensity of the fluorescence of a fluorescence agent without the fluorescence agent being destroyed. This is no longer adequate conversion and it comes to inhomogeneities of the color location. Particularly affected by this are high-current applications, so-called high-power designs. In addition, light-emitting devices manufactured by volume conversion are not suitable for imaging systems due to their generated surface radiation.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren zur Herstellung von Leuchtdioden-Bauelementen mit Konversionselement zu entwickeln, die Inhomogenitäten des Farbortes bzw. Farbortschwankungen vermeiden und eine verbesserte Farbhomogenität über den Abstrahlwinkel erreichen.The present invention is based on the object to develop a method for producing light-emitting diode components with conversion element, which avoid inhomogeneities of the color locus or Farbortschwankungen and achieve improved color homogeneity on the emission angle.
Gelöst wird diese Aufgabe durch ein Verfahren gemäß den unabhängigen Ansprüchen. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.This object is achieved by a method according to the independent claims. Advantageous developments are specified in the dependent claims.
Erfindungsgemäß wird eine Vielzahl von gleichartigen Leuchtdioden-Bauelementen, mit jeweils einer LED und einem Konversionsmittel, welches zumindest einen Teil einer von einer LED ausgesandten Strahlung wellenlängenkonvertiert, hergestellt, indem auf den Wafer mittels Spritztechnik strahlungs- und thermisch-stabiles Material, dem Konversionsmittel zugefügt sind, aufgebracht wird.According to the invention, a multiplicity of identical light-emitting diode components, each having an LED and a conversion means which wavelength-converts at least part of a radiation emitted by an LED, are produced by radiation-stable and thermally stable material being added to the wafer by means of spraying technology , is applied.
Hierbei wird der Wafer mit den LEDs in eine Kavität einer Spritzform eingebracht, in welche in einem weiteren Schritt eine Spritzmasse eingetrieben wird. Diese Spritzmasse ist mit einem Konversionsmittel versetzt und wird derart eingetrieben, dass die gesamte Waferoberfläche gleichförmig bedeckt ist. Nachfolgend wird die Spritzform entfernt und die Leuchtdioden-Lichtquellen aus dem Waferverbund werden vereinzelt.Here, the wafer is introduced with the LEDs in a cavity of an injection mold, in which in a further step, a spray mass is driven. This spray mass is mixed with a conversion agent and is driven in such a way that the entire wafer surface is uniformly covered. Subsequently, the injection mold is removed and the light-emitting diode light sources from the wafer composite are separated.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, komplett abgedeckte Leuchtdioden-Chips herzustellen, wodurch sich eine erheblich Reduzierung bzw. Vermeidung von Inhomogenitäten des Farborts ergibt.With the method according to the invention, it is possible to produce completely covered light-emitting diode chips, which results in a considerable reduction or avoidance of inhomogeneities of the color locus.
Vorzugsweise wird als Spritzmasse Silikon mit beigefügtem Konverter verwendet. Die Spritzmasse kann mindestens ein Leuchtmittel enthalten. Dazu eignen sich beispielweise anorganische Stoffe, wie mit seltenen Erden dotierte Granate oder Nitride. Weitere geeignete Leuchtmittel, wie mit seltenen Erden dotierte Aluminate oder Orthosilikate, sind aus der
In einer erweiterten Ausführungsform werden dem Silikon-Konverter-Gemisch SiO2-Partikel zugefügt um das Silikon vor thermischer Schädigung und den Konverter vor Alterung bzw. Quenching zu schützen. In an extended embodiment, SiO.sub.2 particles are added to the silicone / converter mixture in order to protect the silicone from thermal damage and the converter from aging or quenching.
In alternativen Ausführungsformen können als Füllmaterial ein Epoxy-Silikon-Hybrid oder andere strahlungs- und thermisch-stabile Materialen verwendet werden. Diesen Kombinationen aus Füllmaterial und Konverter kann weiterhin zusätzliches thermisch leitendes Material hinzugefügt werden.In alternative embodiments, an epoxy-silicone hybrid or other radiation and thermal stable materials may be used as the filler. In addition, additional thermally conductive material can be added to these combinations of filler material and converter.
In einer zweckmäßigen Weiterbildung des Verfahrens ist die Spritzform derart ausgebildet, dass sich eine glatte, ebene Oberfläche des Spritzmaterials ergibt.In an expedient development of the method, the injection mold is designed in such a way that results in a smooth, even surface of the spray material.
Alternativ wird die Spritzform derart gestaltet, dass die Abdeckung des Chips dreidimensional (z. B. in Form einer Kuppel) ausgeführt ist. Dadurch wird gleichzeitig eine Verbesserung der Farbhomogenität über den Abstrahlwinkel erreicht.Alternatively, the injection mold is designed such that the cover of the chip is embodied in three dimensions (eg in the form of a dome). As a result, an improvement in the color homogeneity over the emission angle is achieved at the same time.
In einer vorteilhaften Ausführung des Verfahrens wird das „wire bond pad” des Chips frei von Spritzmasse gehalten um eine Drahtkontaktierung des Chips zu ermöglichen. Dies geschieht zweckmäßig durch Abtragung der Masse, über den betreffenden elektrischen Kontakten, mittels Laser. In einer alternativen Ausführung ist das Spritzwerkzeug derart gestaltet, dass es direkt den bond-Kontakt abdichtet und somit frei von Vergussmaterial hält. In einer weiteren Ausführung wird das „wire bond pad” mittels einer darauf aufgebrachten Folie vor Vergussmaterial geschützt.In an advantageous embodiment of the method, the "wire bond pad" of the chip is kept free of the injection compound in order to enable wire bonding of the chip. This is done suitably by removal of the mass, over the relevant electrical contacts, by means of laser. In an alternative embodiment, the injection molding tool is designed such that it seals the bond contact directly and thus keeps it free of potting material. In a further embodiment, the "wire bond pad" is protected from potting material by means of a film applied thereon.
In einer besonders vorteilhaften Ausführung des Verfahrens wird ein Anschlusskontakt, das sogenannte „bond pad”, durch Auftragung einer photoaktiven Schicht geschützt, die im Anschluss wieder entfernt werden kann. Dies kann z. B. durch nasschemische Verfahren realisiert werden.In a particularly advantageous embodiment of the method, a connection contact, the so-called "bond pad", is protected by application of a photoactive layer, which can subsequently be removed again. This can be z. B. be realized by wet chemical methods.
Zweckmäßig werden die Leuchtdioden-Chips nach dem Umhüllen, mittels Sägens des Wafers, vereinzelt.Suitably, the light-emitting diode chips after wrapping, by means of sawing the wafer, isolated.
Durch die vollständige Abdeckung des Chips (inkl. der Mesa) mit konvertergefülltem Vergussmaterial werden Inhomogenitäten des Farbortes erheblich reduziert bzw. vermieden.The complete coverage of the chip (including the mesa) with converter-filled potting material significantly reduces or avoids inhomogeneities in the color location.
Gemäß alternativer Verfahren wird eine Vielzahl von vorsortierten LEDs zu einem künstlichen Wafer angeordnet und dieser in eine Kavität einer Spritzform eingebracht, in welche in einem weiteren Schritt eine Spritzmasse eingetrieben wird. Diese Spritzmasse ist mit Konversionsmitteln versetzt und wird derart eingetrieben, dass die gesamte Waferoberfläche gleichförmig bedeckt ist. Nachfolgend wird die Spritzform entfernt und die Leuchtdioden-Bauelemente aus dem künstlichen Waferverbund werden vereinzelt.According to alternative methods, a plurality of presorted LEDs is arranged to form an artificial wafer and this is introduced into a cavity of an injection mold, into which a injection molding compound is driven in a further step. This spray mass is mixed with conversion means and is driven in such a way that the entire wafer surface is uniformly covered. Subsequently, the injection mold is removed and the light-emitting diode components from the artificial wafer composite are separated.
Die Anordnung vorsortierter LEDs auf einem künstlichen Wafer ermöglicht es besonders farbhomogene Leuchtdioden-Bauelemente, deren Farbortverteilung durch die Vorsortierung eingeschränkt ist, herzustellen.The arrangement of presorted LEDs on an artificial wafer makes it possible to produce especially color-homogeneous light-emitting diode components whose color location distribution is limited by the presorting.
In verschiedenen Weiterbildungen des alternativen Verfahrens können wieder die gleichen Spritzmassen und Oberflächenformen verwendet werden, wie vorangehend beschrieben. Auch können die vorherig beschriebenen Verfahren zur Aussparung des „wire bond pads” angewendet werden.In various developments of the alternative method, the same injection molding materials and surface shapes can be used again, as described above. Also, the previously described methods for recessing the "wire bond pads" can be used.
Nach dem Umhüllen der LEDs werden diese durch Sägen des künstlichen Wafers vereinzelt. Der so vereinzelte Chip ist auf allen Seitenflanken sowie der Oberfläche mit konvertergefülltem Vergussmaterial umhüllt, was zu einer erheblichen Reduktion von Inhomogenitäten des Farbortes, insbesondere an den Rändern, führt.After wrapping the LEDs they are separated by sawing the artificial wafer. The so isolated chip is coated on all side flanks and the surface with converter-filled potting material, resulting in a significant reduction of inhomogeneities of the color location, especially at the edges.
In alternativen Ausführungen des Verfahrens werden die einzelnen LEDs durch Wasserstrahlschneiden, Lasern oder durch Stanzen vereinzelt.In alternative embodiments of the method, the individual LEDs are separated by water jet cutting, lasers or punching.
In einer besonders vorteilhaften Ausführung des Verfahrens werden die LEDs mittels einer speziell ausgeführten Säge vereinzelt, die eine Struktur an den Seitenkanten, entlang der Trennlinie, erzeugt. Damit wird eine weitere Verbesserung des Farbhomogenität über den Abstrahlwinkel erreicht.In a particularly advantageous embodiment of the method, the LEDs are singulated by means of a specially designed saw, which generates a structure at the side edges, along the parting line. This achieves a further improvement of the color homogeneity over the emission angle.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele anhand der Figuren erläutert.Embodiments will be explained with reference to the figures.
Es zeigen: Show it:
In den Ausführungsbeispielen sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen.In the embodiments, the same or equivalent components are each provided with the same reference numerals.
Das Zwischenprodukt in
In
Das Zwischenprodukt in
Das in
In alternativen Formen können die Zwischenprodukte in den
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.
Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- WO 98/12757 [0012] WO 98/12757 [0012]
Claims (14)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011102590A DE102011102590A1 (en) | 2011-05-27 | 2011-05-27 | Method for producing light-emitting diode components |
| PCT/EP2012/058825 WO2012163655A1 (en) | 2011-05-27 | 2012-05-11 | Method for producing encapsulated light emitting diode with wavelength converters inside the encapsulation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011102590A DE102011102590A1 (en) | 2011-05-27 | 2011-05-27 | Method for producing light-emitting diode components |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102011102590A1 true DE102011102590A1 (en) | 2012-11-29 |
Family
ID=46124325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102011102590A Withdrawn DE102011102590A1 (en) | 2011-05-27 | 2011-05-27 | Method for producing light-emitting diode components |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102011102590A1 (en) |
| WO (1) | WO2012163655A1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998012757A1 (en) | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Sealing material with wavelength converting effect, application and production process |
| DE10008203A1 (en) * | 2000-02-23 | 2001-08-30 | Vishay Semiconductor Gmbh | Manufacturing electronic semiconducting components involves attaching semiconducting body to conductive substrate, making electrical connections, encapsulating body, dividing substrate |
| DE10258193A1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-07-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED chip manufacturing method for LED light source, involves filling pouring material containing light-emission material and light-emission transformation material, into trenches of bonding layer inserted into injection mold |
| DE102008025756A1 (en) * | 2008-05-29 | 2009-12-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | A semiconductor device |
| DE102009036621A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7915085B2 (en) * | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
| JP4386789B2 (en) * | 2004-05-12 | 2009-12-16 | ローム株式会社 | Method for manufacturing light-emitting diode element |
| JP2007324417A (en) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Sharp Corp | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
| US8227269B2 (en) * | 2009-05-19 | 2012-07-24 | Intematix Corporation | Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion |
| US8227276B2 (en) * | 2009-05-19 | 2012-07-24 | Intematix Corporation | Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion |
| KR20120081809A (en) * | 2011-01-12 | 2012-07-20 | 삼성엘이디 주식회사 | Method of depositing phosphor on semiconductor light emitting device and an apparatus for depositing phosphor on semiconductor light emitting device |
-
2011
- 2011-05-27 DE DE102011102590A patent/DE102011102590A1/en not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-05-11 WO PCT/EP2012/058825 patent/WO2012163655A1/en active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998012757A1 (en) | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Sealing material with wavelength converting effect, application and production process |
| DE10008203A1 (en) * | 2000-02-23 | 2001-08-30 | Vishay Semiconductor Gmbh | Manufacturing electronic semiconducting components involves attaching semiconducting body to conductive substrate, making electrical connections, encapsulating body, dividing substrate |
| DE10258193A1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-07-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED chip manufacturing method for LED light source, involves filling pouring material containing light-emission material and light-emission transformation material, into trenches of bonding layer inserted into injection mold |
| DE102008025756A1 (en) * | 2008-05-29 | 2009-12-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | A semiconductor device |
| DE102009036621A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012163655A1 (en) | 2012-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102010053362B4 (en) | Method for producing a radiation-emitting semiconductor chip, radiation-emitting semiconductor chip and radiation-emitting component | |
| DE112014005954B4 (en) | Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component | |
| DE102011102350A1 (en) | Optical element, optoelectronic component and method for the production of these | |
| EP1917686B1 (en) | Method for producing an led chip and led chip | |
| DE102008011153B4 (en) | Process for producing an arrangement with at least two light-emitting semiconductor components | |
| DE102013207308B4 (en) | Method for manufacturing an optoelectronic assembly and optoelectronic assembly | |
| DE102015114849A1 (en) | Method for producing light-emitting diode filaments and light-emitting filament | |
| DE102018109542B4 (en) | LIGHT-emitting device and method for manufacturing a light-emitting device | |
| DE102010009456A1 (en) | Radiation-emitting component with a semiconductor chip and a conversion element and method for its production | |
| WO2014095923A1 (en) | Method for producing an optoelectronic semiconductor device, and optoelectronic semiconductor device | |
| EP2162927A1 (en) | Method for producing optoelectronic components, and optoelectronic component | |
| DE112011103157T5 (en) | Semiconductor light emitting devices having optical coatings and methods of making the same | |
| DE102015101143A1 (en) | Optoelectronic semiconductor component and method for its production | |
| DE102007046348A1 (en) | Radiation-emitting device with glass cover and method for its production | |
| WO2013167399A1 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
| DE102014215939A1 (en) | Lighting device and method for producing such | |
| DE102010046257A1 (en) | Method for manufacturing LED chip mounted on circuit board, involves providing carrier with adhesive surface, applying molding material on adhesive film, and cutting molding material between semiconductor chips | |
| WO2011151156A1 (en) | Wavelength conversion element, optoelectronic component comprising a wavelength conversion element and method for producing a wavelength conversion element | |
| DE102015102460A1 (en) | Method for producing a light-emitting component and light-emitting component | |
| DE102012101892B4 (en) | Wavelength conversion element, light-emitting semiconductor component and display device therewith as well as method for producing a wavelength conversion element | |
| DE102012216552A1 (en) | LED lighting device manufacturing method, involves covering LED chip with converter layer, filling matrix material in converter layer, roughening surface of LED chip, and applying adhesion promoter on surface of LED chip | |
| DE102009048401A1 (en) | Method for producing an optoelectronic semiconductor component and optoelectronic semiconductor component | |
| WO2018083187A1 (en) | Production of radiation-emitting semiconductor components | |
| DE102017120385B4 (en) | Light-emitting component and method for producing a light-emitting component | |
| DE102011102590A1 (en) | Method for producing light-emitting diode components |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R163 | Identified publications notified | ||
| R012 | Request for examination validly filed | ||
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |