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DE102021113930A1 - Method for generating an image of an object and/or a representation of data about the object, computer program product and particle beam device for carrying out the method - Google Patents

Method for generating an image of an object and/or a representation of data about the object, computer program product and particle beam device for carrying out the method Download PDF

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Publication number
DE102021113930A1
DE102021113930A1 DE102021113930.9A DE102021113930A DE102021113930A1 DE 102021113930 A1 DE102021113930 A1 DE 102021113930A1 DE 102021113930 A DE102021113930 A DE 102021113930A DE 102021113930 A1 DE102021113930 A1 DE 102021113930A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
particle beam
control parameter
method steps
group
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102021113930.9A
Other languages
German (de)
Inventor
Rainer Arnold
Wolfgang Berger
Markus Boese
Simon Diemer
Holger Dömer
Martin Edelmann
Luyang Han
Michael Hiltl
Arne Janssen
Stefan Meyer
Kai Schubert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss Microscopy GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss Microscopy GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss Microscopy GmbH filed Critical Carl Zeiss Microscopy GmbH
Priority to DE102021113930.9A priority Critical patent/DE102021113930A1/en
Publication of DE102021113930A1 publication Critical patent/DE102021113930A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261Details
    • H01J37/265Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/21Focus adjustment
    • H01J2237/216Automatic focusing methods

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen eines Bildes eines Objekts (125) und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt (125) mit einem Teilchenstrahlgerät (100), ein Computerprogrammprodukt und ein Teilchenstrahlgerät (100) zur Durchführung des Verfahrens. Das Verfahren umfasst eine erste Gruppe von Verfahrensschritten und eine zweite Gruppe von Verfahrensschritten. In der ersten Gruppe von Verfahrensschritten wird ein Abbildungsmodus gewählt und ein erster Steuerparameterwert eines Steuerparameters zur Ansteuerung einer Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122) aus einer Datenbank (126) in eine Steuereinheit (123) geladen. Es wird ein Bild des Objekts (125) erzeugt und mit einer Anzeigeeinheit (124) angezeigt. In der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten wird ein Analysemodus gewählt und ein zweiter Steuerparameterwert des Steuerparameters zur Ansteuerung der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122) aus der Datenbank (126) in die Steuereinheit (123) geladen. Es wird eine Darstellung von Daten über das Objekt (125) erzeugt und mit der Anzeigeeinheit (124) angezeigt.

Figure DE102021113930A1_0000
The invention relates to a method for generating an image of an object (125) and/or a representation of data about the object (125) using a particle beam device (100), a computer program product and a particle beam device (100) for carrying out the method. The method comprises a first group of method steps and a second group of method steps. In the first group of method steps, an imaging mode is selected and a first control parameter value of a control parameter for controlling a functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114 , 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122) are loaded from a database (126) into a control unit (123). An image of the object (125) is generated and displayed with a display unit (124). In the second group of method steps, an analysis mode is selected and a second control parameter value of the control parameter for controlling the functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114 , 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122) are loaded from the database (126) into the control unit (123). A representation of data about the object (125) is generated and displayed with the display unit (124).
Figure DE102021113930A1_0000

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen eines Bildes eines Objekts und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt mit einem Teilchenstrahlgerät, ein Computerprogrammprodukt und ein Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens. Beispielsweise ist das Teilchenstrahlgerät als Elektronenstrahlgerät oder als lonenstrahlgerät ausgebildet.The invention relates to a method for generating an image of an object and/or a representation of data about the object using a particle beam device, a computer program product and a particle beam device for carrying out the method. For example, the particle beam device is designed as an electron beam device or as an ion beam device.

Elektronenstrahlgeräte, insbesondere ein Rasterelektronenmikroskop (nachfolgend auch SEM genannt) und/oder ein Transmissionselektronenmikroskop (nachfolgend auch TEM genannt), werden zur Untersuchung von Objekten (nachfolgend auch Proben genannt) verwendet, um Kenntnisse hinsichtlich der Eigenschaften und des Verhaltens unter bestimmten Bedingungen zu erhalten.Electron beam devices, in particular a scanning electron microscope (also referred to below as SEM) and/or a transmission electron microscope (also referred to below as TEM), are used to examine objects (also referred to below as samples) in order to obtain knowledge of the properties and behavior under certain conditions.

Bei einem SEM wird ein Elektronenstrahl (nachfolgend auch Primärelektronenstrahl genannt) mittels eines Strahlerzeugers erzeugt und durch ein Strahlführungssystem auf ein zu untersuchendes Objekt fokussiert. Mittels einer Ablenkeinrichtung in Form einer Scaneinrichtung wird der Primärelektronenstrahl über eine Oberfläche des zu untersuchenden Objekts geführt. Die Elektronen des Primärelektronenstrahls treten dabei in Wechselwirkung mit dem zu untersuchenden Objekt. Als Folge der Wechselwirkung werden insbesondere Elektronen vom Objekt emittiert (sogenannte Sekundärelektronen) und Elektronen des Primärelektronenstrahls zurückgestreut (sogenannte Rückstreuelektronen). Die Sekundärelektronen und die Rückstreuelektronen werden detektiert und zur Bilderzeugung verwendet. Man erhält somit eine Abbildung des zu untersuchenden Objekts. Ferner wird bei der Wechselwirkung Wechselwirkungsstrahlung erzeugt, beispielsweise Röntgenstrahlung oder Kathodolumineszenzlicht, die zur Analyse des Objekts mittels eines Detektors detektiert und im Anschluss ausgewertet wird.In an SEM, an electron beam (also referred to below as a primary electron beam) is generated by a beam generator and focused on an object to be examined by a beam guidance system. The primary electron beam is guided over a surface of the object to be examined by means of a deflection device in the form of a scanning device. The electrons of the primary electron beam interact with the object to be examined. As a result of the interaction, electrons in particular are emitted from the object (so-called secondary electrons) and electrons from the primary electron beam are scattered back (so-called backscattered electrons). The secondary electrons and the backscattered electrons are detected and used for image generation. An image of the object to be examined is thus obtained. Furthermore, during the interaction, interaction radiation is generated, for example X-rays or cathodoluminescence light, which is detected by a detector to analyze the object and then evaluated.

Bei einem TEM wird ebenfalls ein Primärelektronenstrahl mittels eines Strahlerzeugers erzeugt und mittels eines Strahlführungssystems auf ein zu untersuchendes Objekt geführt. Der Primärelektronenstrahl durchstrahlt das zu untersuchende Objekt. Beim Durchtritt des Primärelektronenstrahls durch das zu untersuchende Objekt treten die Elektronen des Primärelektronenstrahls mit dem Material des zu untersuchenden Objekts in Wechselwirkung. Die durch das zu untersuchende Objekt hindurchtretenden Elektronen werden durch ein System bestehend aus einem Objektiv und einem Projektiv auf einem Leuchtschirm oder auf einem Detektor (beispielsweise einer Kamera) abgebildet. Die Abbildung kann dabei auch im Scan-Modus eines TEM erfolgen. Ein derartiges TEM wird in der Regel als STEM bezeichnet. Zusätzlich kann es vorgesehen sein, an dem zu untersuchenden Objekt zurückgestreute Elektronen und/oder von dem zu untersuchenden Objekt emittierte Sekundärelektronen mittels eines weiteren Detektors zu detektieren, um ein zu untersuchendes Objekt abzubilden.In the case of a TEM, a primary electron beam is also generated by means of a beam generator and guided onto an object to be examined by means of a beam guidance system. The primary electron beam radiates through the object to be examined. When the primary electron beam passes through the object to be examined, the electrons of the primary electron beam interact with the material of the object to be examined. The electrons passing through the object to be examined are imaged by a system consisting of a lens and a projective lens on a fluorescent screen or on a detector (e.g. a camera). The imaging can also take place in the scan mode of a TEM. Such a TEM is usually referred to as a STEM. In addition, it can be provided that electrons scattered back from the object to be examined and/or secondary electrons emitted by the object to be examined can be detected by means of a further detector in order to image an object to be examined.

Es ist bekannt, die Funktion eines STEM und eines SEM in einem einzelnen Teilchenstrahlgerät zu kombinieren. Mit diesem Teilchenstrahlgerät sind somit Untersuchungen von Objekten mit einer SEM-Funktion und/oder mit einer STEM-Funktion möglich.It is known to combine the function of a STEM and a SEM in a single particle beam device. With this particle beam device, it is thus possible to examine objects with an SEM function and/or with a STEM function.

Darüber hinaus ist ein Teilchenstrahlgerät in Form einer lonenstrahlsäule bekannt. Mittels eines in der lonenstrahlsäule angeordneten lonenstrahlerzeugers werden Ionen erzeugt, die zur Bearbeitung eines Objekts verwendet werden. Beispielsweise wird bei der Bearbeitung Material des Objekts abgetragen oder es wird ein Material auf das Objekt aufgebracht, beispielsweise unter Zuführung eines Gases. Zusätzlich oder alternativ hierzu werden die Ionen zur Bildgebung verwendet.A particle beam device in the form of an ion beam column is also known. Ions, which are used to process an object, are generated by means of an ion beam generator arranged in the ion beam column. For example, material of the object is removed during processing or a material is applied to the object, for example with the supply of a gas. In addition or as an alternative to this, the ions are used for imaging.

Ferner ist es aus dem Stand der Technik bekannt, Kombinationsgeräte zur Untersuchung von Objekten zu verwenden, bei denen sowohl Elektronen als auch Ionen auf ein zu untersuchendes Objekt geführt werden können. Beispielsweise ist es bekannt, ein SEM zusätzlich mit einer lonenstrahlsäule auszustatten. Mittels eines in der lonenstrahlsäule angeordneten lonenstrahlerzeugers werden Ionen erzeugt, die zur Präparation eines Objekts (beispielsweise Abtragen von Material des Objekts oder Aufbringen von Material auf das Objekt) oder auch zur Bildgebung verwendet werden. Hierzu werden die Ionen mit einer Ablenkeinrichtung in Form einer Scaneinrichtung über das Objekt gescannt. Das SEM dient hierbei insbesondere zur Beobachtung der Präparation, aber auch zur weiteren Untersuchung des präparierten oder unpräparierten Objekts.It is also known from the prior art to use combination devices for examining objects in which both electrons and ions can be guided onto an object to be examined. For example, it is known to additionally equip an SEM with an ion beam column. By means of an ion beam generator arranged in the ion beam column, ions are generated which are used for the preparation of an object (for example removing material from the object or applying material to the object) or for imaging. For this purpose, the ions are scanned over the object with a deflection device in the form of a scanning device. The SEM is used here in particular for observing the preparation, but also for further examination of the prepared or unprepared object.

Bei der Erzeugung eines Bildes eines Objekts kann eine Abbildung eines Objekts mit einem Teilchenstrahlgerät mit einer hohen Ortsauflösung erfolgen. Diese wird insbesondere durch einen sehr geringen Durchmesser des Primärelektronenstrahls in der Ebene des Objekts erzielt. Ferner kann die Ortsauflösung umso besser werden, je höher die Elektronen des Primärelektronenstrahls im Teilchenstrahlgerät zunächst beschleunigt und am Ende in der Objektivlinse oder im Bereich der Objektivlinse und dem Objekt auf eine gewünschte Energie (Landeenergie genannt) abgebremst werden. Beispielsweise werden die Elektronen des Primärelektronenstrahls mit einer Beschleunigungsspannung von 2 kV bis 30 kV beschleunigt und durch eine Elektronensäule eines Teilchenstrahlgeräts geführt. Erst im Bereich zwischen der Objektivlinse und dem Objekt werden die Elektronen des Primärelektronenstrahls auf die gewünschte Landeenergie abgebremst, mit der sie auf das Objekt treffen. Die Landeenergie der Elektronen des Primärelektronenstrahls liegt beispielsweise im Bereich von 10 eV bis 30 keV.When generating an image of an object, an object can be imaged with a particle beam device with a high spatial resolution. This is achieved in particular by a very small diameter of the primary electron beam in the plane of the object. Furthermore, the spatial resolution can be all the better, the higher the electrons of the primary electron beam are first accelerated in the particle beam device and are finally decelerated to a desired energy (called landing energy) in the objective lens or in the area of the objective lens and the object. For example, the electrons of the primary electron beam are accelerated with an acceleration voltage of 2 kV to 30 kV and guided through an electron column of a particle beam device. Only in the area between the objective lens and the object, the electrons of the primary electron beam are decelerated to the desired landing energy with which they hit the object. The landing energy of the electrons of the primary electron beam is in the range from 10 eV to 30 keV, for example.

Ein Anwender eines Teilchenstrahlgeräts ist bei Erstellung eines Bildes des Objekts darauf bedacht, die für eine Untersuchung eines Objekts benötigte optimale Bildqualität eines Bildes des Objekts zu erzielen. Mit anderen Worten ausgedrückt, möchte ein Anwender stets ein Bild des Objekts mit einer derart guten Bildqualität erstellen, dass er aufgrund des Bildes und der darin enthaltenen Bildinformationen das zu untersuchende Objekt gut analysieren kann. Dabei kann die Bildqualität beispielsweise mittels objektiver Kriterien bestimmt werden. Insbesondere ist die Bildqualität eines Bildes umso besser, je besser die Auflösung im Bild ist oder je besser der Kontrast ist. Alternativ kann die Bildqualität anhand von subjektiven Kriterien bestimmt werden. Hierbei legt ein Anwender individuell fest, ob ihm eine erzielte Bildqualität ausreicht oder nicht. Dabei kann es aber durchaus vorkommen, dass die von einem ersten Anwender für ausreichend gut befundene Bildqualität einem zweiten Anwender nicht ausreicht. Beispielsweise kann die Bildqualität eines Bildes eines Objekts auch anhand des Signal-Rausch-Verhältnisses des Detektorsignals bestimmt werden. Bei einem Signal-Rausch-Verhältnis im Bereich von 0 bis 5 ist die Bildqualität nicht ausreichend gut. Beispielsweise spricht man von einem guten Signal-Rausch-Verhältnis (und damit auch von einer guten sowie ausreichenden Bildqualität), wenn das Signal-Rausch-Verhältnis im Bereich von 20 bis 40 liegt. Auch die Richtung des Sekundärteilchenstrahls (also der Teilchenstrahl, der Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen aufweist) kann ein Maß für die Bildqualität sein. Die Sekundärelektronen können in unterschiedliche Raumwinkel aus dem Objekt emittiert werden. Ferner können die Rückstreuelektronen in verschiedene Raumwinkel an dem Objekt zurückgestreut werden. Die Richtung des Sekundärteilchenstrahls (also der Raumwinkel, in welchem der Sekundärteilchenstrahl verläuft), kann durch Kippung des Primärelektronenstrahls und/oder des Objekts zur optischen Achse des Teilchenstrahlgeräts beeinflusst werden. Hierdurch ist es zum einen möglich, die Richtung des Sekundärteilchenstrahls derart zu wählen, dass der Sekundärteilchenstrahl auf einen gewünschten Detektor trifft. Zum anderen lassen sich durch die oben genannte Kippung sowohl die Anzahl der erzeugten Sekundärelektronen als auch die Anzahl der Rückstreuelektronen beeinflussen. Wenn beispielsweise der Primärelektronenstrahl parallel zu einem Kristallgitter eines Objekts in das Objekt eintritt, so nimmt die Anzahl der Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen ab. Das Detektionssignal wird schwächer. Dies führt zu einer Verminderung der Bildqualität. Durch Einstellung der Kippung des Primärelektronenstrahls kann die Anzahl der Sekundärelektronen und der Rückstreuelektronen erhöht werden. Mit einer derartigen Einstellung ist es möglich, Kristalle mit einer ersten Orientierung von Kristallen mit einer zweiten Orientierung anhand der Stärke des Detektionssignals zu unterscheiden.When creating an image of the object, a user of a particle beam device is concerned with achieving the optimal image quality of an image of the object required for examining an object. In other words, a user always wants to create an image of the object with such a good image quality that he can analyze the object to be examined well based on the image and the image information contained therein. In this case, the image quality can be determined, for example, by means of objective criteria. In particular, the image quality of an image is better the better the resolution in the image is or the better the contrast is. Alternatively, the image quality can be determined using subjective criteria. In this case, a user individually determines whether the image quality achieved is sufficient for him or not. However, it can happen that the image quality that a first user finds to be sufficiently good is not sufficient for a second user. For example, the image quality of an image of an object can also be determined using the signal-to-noise ratio of the detector signal. If the signal-to-noise ratio is between 0 and 5, the image quality is not good enough. For example, one speaks of a good signal-to-noise ratio (and thus also of good and sufficient image quality) when the signal-to-noise ratio is in the range of 20 to 40. The direction of the secondary particle beam (ie the particle beam that has secondary electrons and/or backscattered electrons) can also be a measure of the image quality. The secondary electrons can be emitted from the object in different solid angles. Furthermore, the backscattered electrons can be scattered back into different solid angles on the object. The direction of the secondary particle beam (ie the solid angle in which the secondary particle beam runs) can be influenced by tilting the primary electron beam and/or the object to the optical axis of the particle beam device. This makes it possible, on the one hand, to select the direction of the secondary particle beam in such a way that the secondary particle beam impinges on a desired detector. On the other hand, both the number of secondary electrons generated and the number of backscattered electrons can be influenced by the above-mentioned tilting. For example, if the primary electron beam enters the object parallel to a crystal lattice of an object, then the number of secondary electrons and/or backscattered electrons decreases. The detection signal becomes weaker. This leads to a reduction in picture quality. By adjusting the tilt of the primary electron beam, the number of secondary electrons and backscattered electrons can be increased. With such an adjustment it is possible to distinguish crystals with a first orientation from crystals with a second orientation based on the strength of the detection signal.

Zur Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt, beispielsweise ein Energiespektrum oder ein Wellenlängenspektrum zur Materialanalyse, wird Röntgenstrahlung detektiert, die bei der Wechselwirkung eines Primärelektronenstrahls mit dem Objekt erzeugt wird. Mit der detektierten Röntgenstrahlung kann beispielsweise eine energiedispersive Röntgenspektroskopie (im Englischen mit EDX abgekürzt) durchgeführt werden. Bei Einfall des Primärelektronenstrahls auf das Objekt werden Atome des Objekts mittels des Primärelektronenstrahls angeregt und geben eine charakteristische Röntgenstrahlung ab. Die charakteristische Röntgenstrahlung wird bei der energiedispersiven Röntgenspektroskopie analysiert. Sie gibt Aufschluss über die Materialzusammensetzung des Objekts. Ferner ist es bekannt, mit der detektierten Röntgenstrahlung wellenlängendispersive Röntgenspektroskopie (im Englischen mit WDX abgekürzt) durchzuführen. Mittels der wellenlängendispersiven Röntgenspektroskopie wird ebenfalls charakteristische Röntgenstrahlung, welche vom Objekt nach Einfall des Primärelektronenstrahls emittiert wird, analysiert. Auch bei der wellenlängendispersiven Röntgenspektroskopie wird die Materialzusammensetzung des Objekts ermittelt.In order to generate a representation of data about the object, for example an energy spectrum or a wavelength spectrum for material analysis, X-ray radiation is detected which is generated when a primary electron beam interacts with the object. For example, an energy-dispersive X-ray spectroscopy (abbreviated to EDX in English) can be carried out with the detected X-ray radiation. When the primary electron beam impinges on the object, atoms of the object are excited by the primary electron beam and emit a characteristic X-ray radiation. The characteristic X-ray radiation is analyzed in energy-dispersive X-ray spectroscopy. It provides information about the material composition of the object. Furthermore, it is known to carry out wavelength-dispersive X-ray spectroscopy (abbreviated to WDX in English) with the detected X-ray radiation. Using wavelength-dispersive X-ray spectroscopy, characteristic X-rays, which are emitted by the object after the primary electron beam is incident, are also analyzed. The material composition of the object is also determined with wavelength-dispersive X-ray spectroscopy.

Bei der Detektion von Wechselwirkungsstrahlung kann ein Anwender eines Teilchenstrahlgeräts durchaus darauf bedacht sein, die für eine Untersuchung eines Objekts benötigte Qualität der Darstellung der auf der detektierten Wechselstrahlung beruhenden Detektionssignale eines Strahlungsdetektors zu erzielen. Wenn beispielsweise Röntgenstrahlung mit dem Strahlungsdetektor detektiert wird, dann wird beispielsweise die Qualität der Darstellung durch ein gutes Detektionssignal des Strahlungsdetektors bestimmt. Beispielsweise ist dieser als EDX-Detektor ausgebildet. Die Qualität der Darstellung wird dann beispielsweise zum einen durch die Zählrate der detektierten Röntgenquanten und zum anderen durch die Halbwertsbreite der gemessenen Peaks im Röntgenspektrum beeinflusst. Je höher die Zählrate und je geringer die Halbwertsbreite sind, umso besser ist die Qualität der Darstellung der Detektionssignale. Wenn beispielsweise Kathodolumineszenzlicht mit einem Strahlungsdetektor detektiert wird, dann kann beispielsweise die Qualität der Darstellung ebenfalls durch ein gutes Detektionssignal des Strahlungsdetektors bestimmt werden. Die Qualität der Darstellung wird beispielsweise durch die Zählrate der detektierten Photonen des Kathodolumineszenzlichts bestimmt. Die Zählrate kann durch eine geeignete Lichtoptik beeinflusst werden. Ferner kann der Primärelektronenstrahl derart eingestellt werden, dass das Objekt möglichst viele Photonen insgesamt oder eines bestimmten Wellenlängenintervalls emittiert.When detecting interaction radiation, a user of a particle beam device can definitely be concerned with achieving the quality of the representation of the detection signals of a radiation detector based on the detected alternating radiation that is required for examining an object. If, for example, X-ray radiation is detected with the radiation detector, then the quality of the display is determined, for example, by a good detection signal from the radiation detector. For example, this is designed as an EDX detector. The quality of the representation is then influenced, for example, on the one hand by the count rate of the detected X-ray quanta and on the other hand by the half-width of the measured peaks in the X-ray spectrum. The higher the count rate and the smaller the half-width, the better the quality of the representation of the detection signals. If, for example, cathodoluminescent light is detected with a radiation detector, then the quality of the display can also be determined by a good detection signal from the radiation detector, for example. The quality of the display is determined, for example, by the count rate of the detected Photons of cathodoluminescent light determined. The counting rate can be influenced by suitable light optics. Furthermore, the primary electron beam can be adjusted in such a way that the object emits as many photons as possible in total or in a specific wavelength interval.

Um eine gute Bildqualität eines Bildes und/oder eine gute Darstellung der auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung beruhenden Detektionssignale zu erzielen, welche(s) mit einem Teilchenstrahlgerät erzeugt wird, wählt ein Anwender eines aus dem Stand der Technik bekannten Teilchenstrahlgeräts in der Regel zunächst eine gewünschte Landeenergie, mit welcher Elektronen auf das Objekt auftreffen. Im Anschluss daran wählt der Anwender Einstellungen von weiteren Steuerparametern von mindestens einer Steuereinheit zur Ansteuerung von Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts. Die Steuerparameter sind beispielsweise physikalische Größen, insbesondere ein Steuerstrom oder eine Steuerspannung, aber auch beispielsweise das Verhältnis von physikalischen Größen, insbesondere eine Verstärkung von physikalischen Größen. Die Werte der physikalischen Größen sind an den oder mit den Steuereinheiten einstellbar und steuern und/oder versorgen die Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts derart, dass gewünschte physikalische Wirkungen, beispielsweise das Erzeugen von bestimmten Magnetfeldern und/oder elektrostatischer Felder, erzielt werden.In order to achieve good image quality of an image and/or a good representation of the detection signals based on the detected interaction radiation, which is generated with a particle beam device, a user of a particle beam device known from the prior art usually first selects a desired landing energy , with which electrons hit the object. The user then selects settings for further control parameters from at least one control unit for controlling functional units of the particle beam device. The control parameters are, for example, physical variables, in particular a control current or a control voltage, but also, for example, the ratio of physical variables, in particular an amplification of physical variables. The values of the physical variables can be set on or with the control units and control and/or supply the functional units of the particle beam device in such a way that desired physical effects, for example the generation of specific magnetic fields and/or electrostatic fields, are achieved.

Beispiele von Steuerparametern von mindestens einer Steuereinheit zur Ansteuerung mindestens einer Funktionseinheit eines Teilchenstrahlgeräts werden weiter unten näher erläutert.Examples of control parameters of at least one control unit for controlling at least one functional unit of a particle beam device are explained in more detail below.

Um eine gute Qualität eines Bildes des Objekts zu erzielen ist es bekannt, ein Teilchenstrahlgerät mit ersten Steuerparameterwerten von Steuerparametern von einer Steuereinheit zur Ansteuerung von Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts anzusteuern, wobei die ersten Steuerparameterwerte unterschiedlich zu zweiten Steuerparameterwerten der Steuerparameter der Steuereinheit zur Ansteuerung der Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts sind. Die zweiten Steuerparameterwerte werden für eine gute Qualität für die Darstellung von Daten über das Objekt verwendet. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden die Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts bei der Erzeugung eines Bildes zum einen und bei der Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt zum anderen insbesondere unter Verwendung einer Steuereinheit mit unterschiedlichen Steuerparameterwerten der Steuerparameter angesteuert. Beispielsweise wird das Objekt bei der Erzeugung eines Bildes des Objekts mit einem geringeren Abstand zu einer Objektivlinse des Teilchenstrahlgeräts als bei der Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt angeordnet. Der Abstand zwischen dem Objekt und der Objektivlinse wird auch als Arbeitsabstand bezeichnet. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird bei der Erzeugung eines Bildes des Objekts das Objekt mit einem geringeren Arbeitsabstand zur Objektivlinse des Teilchenstrahlgeräts als bei der Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt angeordnet. Zusätzlich oder alternativ hierzu ist es bekannt, dass zur Erzeugung eines Bildes des Objekts ein Strom des Primärelektronenstrahls im Bereich von einigen Nanoampere verwendet wird. Hingegen ist es bekannt, dass bei der Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt ein Strom des Primärelektronenstrahls im Bereich von einigen Mikroampere verwendet wird.In order to achieve good quality of an image of the object, it is known to control a particle beam device with first control parameter values of control parameters from a control unit for controlling functional units of the particle beam device, the first control parameter values being different from second control parameter values of the control parameters of the control unit for controlling the functional units of the particle beam device are. The second control parameter values are used for good quality presentation of data about the object. In other words, the functional units of the particle beam device are controlled when generating an image on the one hand and when generating a representation of data about the object on the other, in particular using a control unit with different control parameter values of the control parameters. For example, when generating an image of the object, the object is arranged at a smaller distance from an objective lens of the particle beam device than when generating a representation of data about the object. The distance between the object and the objective lens is also known as the working distance. In other words, when generating an image of the object, the object is arranged at a smaller working distance from the objective lens of the particle beam device than when generating a representation of data about the object. In addition or as an alternative to this, it is known that a current of the primary electron beam in the range of a few nanoamperes is used to generate an image of the object. On the other hand, it is known that when generating a representation of data about the object, a current of the primary electron beam in the range of a few microamperes is used.

Um zum einen eine gewünschte Qualität eines Bildes des Objekts und zum anderen eine gewünschte Qualität einer Darstellung von Daten über das Objekt zu erzielen, ist es bekannt, dass ein Anwender die ersten Steuerparameterwerte und die zweiten Steuerparameterwerte der Steuerparameter der Steuereinheit zur Ansteuerung der Funktionseinheiten eines Teilchenstrahlgeräts manuell an einer Steuereinheit einstellt. Dies ist zeitaufwendig. Darüber hinaus besteht das Risiko, dass sich ein Sichtfeld des Teilchenstrahlgeräts bei einer manuellen Einstellung der ersten Steuerparameterwerte und der zweiten Steuerparameterwerte ändert, so dass ein zuvor sich im Sichtfeld befindender zu analysierender und/oder abzubildender Bereich des Objekts sich nicht mehr im Sichtfeld des Teilchenstrahlgeräts befindet. In diesem Fall muss der zu analysierende und/oder abzubildende Bereich erneut gesucht werden.In order to achieve a desired quality of an image of the object on the one hand and a desired quality of a representation of data about the object on the other hand, it is known that a user can use the first control parameter values and the second control parameter values of the control parameters of the control unit for controlling the functional units of a particle beam device set manually on a control unit. This is time consuming. In addition, there is the risk that a field of view of the particle beam device changes when the first control parameter values and the second control parameter values are set manually, so that an area of the object to be analyzed and/or imaged that was previously in the field of view is no longer in the field of view of the particle beam device . In this case, the area to be analyzed and/or imaged must be searched again.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren und ein Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens anzugeben, mit dem Steuerparameterwerte von Steuerparametern für Steuereinheiten zur Ansteuerung von Funktionseinheiten eines Teilchenstrahlgeräts einfach einstellbar sind, wobei die Steuerparameterwerte der Steuerparameter eine gewünschte Bildqualität eines Bildes eines Objekts und/oder eine gewünschte Darstellung der auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung beruhenden Detektionssignale (also von Daten über das Objekt) gewährleisten.The invention is therefore based on the object of specifying a method and a particle beam device for carrying out the method, with which control parameter values of control parameters for control units for controlling functional units of a particle beam device can be easily set, the control parameter values of the control parameters having a desired image quality of an image of an object and /or ensure a desired representation of the detection signals based on the detected interaction radiation (ie data about the object).

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einem Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode, das ein Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens steuert, ist durch die Merkmale des Anspruchs 16 gegeben. Ferner ist ein Teilchenstrahlgerät zur Erzeugung eines Bildes eines Objekts und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt mit den Merkmalen des Anspruchs 17 gegeben. Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung, den beigefügten Ansprüchen und/oder den beigefügten Zeichnungen.According to the invention, this object is achieved with a method having the features of claim 1. A computer program product with a program code that controls a particle beam device for carrying out the method is given by the features of claim 16. Furthermore, a particle beam device for generating an image of an object and/or a representation of data about the object with the features of claim 17 is provided. Further features of the invention result are evident from the following description, the appended claims and/or the appended drawings.

Das erfindungsgemäße Verfahren dient dem Erzeugen eines Bildes eines Objekts und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit einem Teilchenstrahlgerät. Das Teilchenstrahlgerät weist mindestens einen Strahlerzeuger zum Erzeugen eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen auf. Beispielsweise sind die geladenen Teilchen Elektronen oder Ionen.The method according to the invention serves to generate an image of an object and/or a representation of data about the object (for example a radiation spectrum, in particular an X-ray spectrum) with a particle beam device. The particle beam device has at least one beam generator for generating a particle beam with charged particles. For example, the charged particles are electrons or ions.

Das erfindungsgemäße Verfahren weist eine erste Gruppe und eine zweite Gruppe von Verfahrensschritten auf. Nachfolgend werden die erste Gruppe und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten näher erläutert.The method according to the invention has a first group and a second group of method steps. The first group and the second group of method steps are explained in more detail below.

Die erste Gruppe von Verfahrensschritten weist ein Auswählen eines Abbildungsmodus des Teilchenstrahlgeräts unter Verwendung einer Steuereinheit des Teilchenstrahlgeräts auf. Der Abbildungsmodus ist der Modus des Teilchenstrahlgeräts, mit dem mindestens ein Bild des Objekts mit dem Teilchenstrahl des Teilchenstrahlgeräts erzeugt wird. Die Steuereinheit des Teilchenstrahlgeräts dient insbesondere der Ansteuerung mindestens einer Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts. Unter einer Funktionseinheit wird vorstehend und auch nachstehend eine Baueinheit des Teilchenstrahlgeräts verstanden, welche sich in irgendeiner Art und Weise einstellen lässt. Beispielsweise lässt sich die Position der Funktionseinheit im Teilchenstrahlgerät einstellen. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, eine elektrostatische und/oder magnetische Ausbildung der Funktionseinheit einzustellen. Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Möglichkeiten der Einstellung eingeschränkt. Vielmehr kann die Funktionseinheit in jeder Art und Weise eingestellt werden, die für die Erfindung geeignet ist.The first group of method steps includes selecting an imaging mode of the particle beam device using a control unit of the particle beam device. The imaging mode is the mode of the particle beam device with which at least one image of the object is generated with the particle beam of the particle beam device. The control unit of the particle beam device serves in particular to control at least one functional unit of the particle beam device. A functional unit is understood above and also below to mean a structural unit of the particle beam device, which can be adjusted in any way. For example, the position of the functional unit in the particle beam device can be adjusted. In addition or as an alternative, it is provided to set an electrostatic and/or magnetic configuration of the functional unit. The invention is not limited to the aforementioned adjustment options. Rather, the functional unit can be set up in any manner that is suitable for the invention.

Darüber hinaus umfasst die erste Gruppe von Verfahrensschritten ein Laden eines ersten Steuerparameterwertes eines Steuerparameters der Steuereinheit zur Ansteuerung mindestens einer Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts aus einer Datenbank in die Steuereinheit. Der Steuerparameter ist beispielsweise eine physikalische Größe, insbesondere ein Steuerstrom oder eine Steuerspannung, aber auch beispielsweise das Verhältnis von physikalischen Größen, insbesondere eine Verstärkung von physikalischen Größen. Die Werte der physikalischen Größe sind an der oder mit der Steuereinheit einstellbar und steuern und/oder versorgen die Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts derart, dass gewünschte physikalische Wirkungen, beispielsweise das Erzeugen von bestimmten Magnetfeldern und/oder elektrostatischer Felder, erzielt werden.In addition, the first group of method steps includes loading a first control parameter value of a control parameter of the control unit for controlling at least one functional unit of the particle beam device from a database into the control unit. The control parameter is, for example, a physical variable, in particular a control current or a control voltage, but also, for example, the ratio of physical variables, in particular an amplification of physical variables. The values of the physical variable can be set on or with the control unit and control and/or supply the functional unit of the particle beam device in such a way that desired physical effects, for example the generation of specific magnetic fields and/or electrostatic fields, are achieved.

Nachfolgend werden Beispiele von Steuerparametern der Steuereinheit näher erläutert.Examples of control parameters of the control unit are explained in more detail below.

Ein erster Steuerparameter der Steuereinheit dient der Einstellung der sogenannten Landeenergie der geladenen Teilchen des Teilchenstrahls auf dem Objekt. A first control parameter of the control unit serves to set the so-called landing energy of the charged particles of the particle beam on the object.

Beim Auftreffen auf das Objekt weisen die geladenen Teilchen diese Landeenergie auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die Landeenergie der geladenen Teilchen die Energie, mit welcher das Objekt untersucht und/oder abgebildet wird. Die Landeenergie der geladenen Teilchen kann unterschiedlich zu der Energie sein, mit welcher die geladenen Teilchen durch eine Strahlsäule des Teilchenstrahlgeräts geführt werden. Insbesondere ist es vorgesehen, die geladenen Teilchen zunächst sehr stark zu beschleunigen und erst kurz vor dem Auftreffen auf das Objekt auf die Landeenergie abzubremsen. Dies wird weiter unten näher erläutert. Die Landeenergie der geladenen Teilchen liegt beispielsweise im Bereich von 1 eV bis 30 keV, wobei die Bereichsgrenzen mit eingeschlossen sind. Im Abbildungsmodus wird bevorzugt eine Landeenergie von 1 keV oder kleiner verwendet. Im Analysemodus, der weiter unten näher erläutert wird, wird bevorzugt eine Landeenergie im Bereich von 10 keV bis 20 keV verwendet. Die Erfindung ist aber nicht auf die vorgenannten Bereiche der Landeenergie beschränkt. Vielmehr kann bei der Erfindung jeder Bereich verwendet werden, der für die Erfindung geeignet ist.When they hit the object, the charged particles have this landing energy. In other words, the charged particle landing energy is the energy with which the object is examined and/or imaged. The landing energy of the charged particles can be different from the energy with which the charged particles are guided through a beam column of the particle beam device. In particular, provision is made for the charged particles to be accelerated very strongly at first and only to be decelerated to the landing energy shortly before they hit the object. This is explained in more detail below. The landing energy of the charged particles is, for example, in the range from 1 eV to 30 keV, including the range limits. In the imaging mode, a landing energy of 1 keV or less is preferably used. In the analysis mode, which is explained in more detail below, a landing energy in the range from 10 keV to 20 keV is preferably used. However, the invention is not limited to the aforementioned areas of landing energy. Rather, any range suitable for the invention may be used in the invention.

Ein zweiter Steuerparameter der Steuereinheit stellt den Kontrast im erzeugten Bild ein. Der Kontrast ist im Grunde der Helligkeitsunterschied (also der Intensitätsunterschied) zwischen dem hellsten Pixel mit maximaler Leuchtdichte Lmax und dem dunkelsten Pixel mit minimaler Leuchtdichte Lmin eines Bildes. Ein geringer Helligkeitsunterschied zwischen den beiden Pixeln bedeutet einen geringen Kontrast. Ein hoher Helligkeitsunterschied zwischen den beiden Pixeln bedeutet einen hohen Kontrast. Der Kontrast kann beispielsweise als Weber-Kontrast oder als Michelson-Kontrast angegeben werden. Dabei gilt für den Weber-Kontrast: K w = L m a x L m i n 1   m i t  0 K W

Figure DE102021113930A1_0001
A second control parameter of the control unit adjusts the contrast in the generated image. Contrast is basically the difference in brightness (i.e. the difference in intensity) between the brightest pixel with maximum luminance Lmax and the darkest pixel with minimum luminance Lmin in an image. A small difference in brightness between the two pixels means a low contrast. A high difference in brightness between the two pixels means a high contrast. The contrast can be given, for example, as a Weber contrast or as a Michelson contrast. The following applies to the Weber contrast: K w = L m a x L m i n 1 m i t 0 K W
Figure DE102021113930A1_0001

Für den Michelson-Kontrast gilt: K M = L m a x L m i n L m a x + L m i n   m i t  0 K M 1

Figure DE102021113930A1_0002
For the Michelson contrast applies: K M = L m a x L m i n L m a x + L m i n m i t 0 K M 1
Figure DE102021113930A1_0002

Der Kontrast, welcher im Wesentlichen durch Sekundärelektronen erzeugt wird, wird von der Topographie der Oberfläche des Objekts bestimmt. Hingegen wird der Kontrast, welcher im Wesentlichen durch Rückstreuelektronen erzeugt wird, im Wesentlichen vom Material des abgebildeten Objektbereichs bestimmt. Dieser wird auch Materialkontrast genannt. Der Materialkontrast hängt von der mittleren Kernladungszahl des abgebildeten Bereichs des Objekts ab. Der Kontrast wird beispielsweise umso größer, je größer ein Verstärkungsfaktor an einem Verstärker des Detektors eingestellt wird, wobei mit dem Detektor die Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen detektiert werden. Der Verstärker verstärkt das durch den Detektor erzeugte Detektionssignal. Analog hierzu wird der Kontrast beispielsweise umso kleiner, je kleiner der Verstärkungsfaktor an dem Verstärker des Detektors eingestellt wird.The contrast, which is essentially generated by secondary electrons, is determined by the topo graphy of the surface of the object is determined. In contrast, the contrast, which is essentially generated by backscattered electrons, is essentially determined by the material of the imaged object area. This is also called material contrast. The material contrast depends on the mean atomic number of the imaged area of the object. The contrast becomes greater, for example, the greater an amplification factor is set on an amplifier of the detector, with the detector detecting the secondary electrons and/or backscattered electrons. The amplifier amplifies the detection signal generated by the detector. Analogous to this, the contrast becomes smaller, for example, the smaller the amplification factor is set on the amplifier of the detector.

Ein dritter Steuerparameter der Steuereinheit stellt die Helligkeit (also „Brightness“) im erzeugten Bild ein. Die Helligkeit wird in einem Bild im Grunde auf jedes Pixel im Bild bezogen. Ein erstes Pixel mit einem höheren Helligkeitswert als ein zweites Pixel erscheint im Bild heller als das zweite Pixel. Die Einstellung der Helligkeit erfolgt beispielsweise durch Einstellung eines Verstärkungsfaktors des Detektionssignals des Detektors. Die Helligkeit eines jeden Pixels im Bild wird hierbei identisch erhöht oder erniedrigt, beispielsweise auch unter Heranziehung einer in einer Speichereinheit hinterlegten Farbtabelle, wobei eine bestimmte Helligkeit einer in der Farbtabelle aufgenommenen Farbe entspricht.A third control parameter of the control unit sets the brightness (i.e. “brightness”) in the generated image. In an image, brightness is basically related to each pixel in the image. A first pixel with a higher brightness value than a second pixel appears brighter in the image than the second pixel. The brightness is set, for example, by setting an amplification factor of the detection signal of the detector. In this case, the brightness of each pixel in the image is increased or decreased identically, for example also using a color table stored in a memory unit, a specific brightness corresponding to a color recorded in the color table.

Ein vierter Steuerparameter der Steuereinheit dient beispielsweise zur Ansteuerung einer Objektivlinse des Teilchenstrahlgeräts, mit welcher eine Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt eingestellt wird.A fourth control parameter of the control unit is used, for example, to control an objective lens of the particle beam device, with which a focussing of the particle beam on the object is set.

Ein fünfter Steuerparameter der Steuereinheit dient der Zentrierung des Teilchenstrahls in der Objektivlinse. Beispielsweise dient die Steuereinheit der Einstellung von elektrostatischen und/oder magnetischen Einheiten des Teilchenstrahlgeräts, mit denen die Zentrierung des Teilchenstrahls in der Objektivlinse eingestellt wird.A fifth control parameter of the control unit serves to center the particle beam in the objective lens. For example, the control unit serves to set electrostatic and/or magnetic units of the particle beam device, with which the centering of the particle beam in the objective lens is set.

Darüber hinaus wird die Bildqualität eines Bildes des Objekts und/oder die Qualität der Darstellung der auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung beruhenden Detektionssignale (also von Daten über das Objekt) von einem sechsten Steuerparameter der Steuereinheit zur Steuerung und Einstellung elektrostatischer und/oder magnetischer Ablenkeinheiten beeinflusst, welche im Teilchenstrahlgerät zu einem sogenannten „Beamshift“ verwendet werden. Hierdurch ist es möglich, die Position eines Scanbereichs auf dem Objekt einzustellen und gegebenenfalls den Scanbereich auf eine gewünschte Position zu verschieben. Dies kann ohne Verwendung eines Probentisches (nachfolgend auch Objekthalter genannt) erfolgen, an dem das Objekt angeordnet ist. Wenn beispielsweise der Scanbereich aus dem eigentlichen Bereich des Objekts, der mittels des Teilchenstrahlgeräts beobachtet wird, aufgrund einer Änderung der Einstellungen am Teilchenstrahlgerät herauswandert, wird bei einem „Beamshift“ durch translatorische Bewegungen der Teilchenstrahl derart verschoben, dass der Rasterbereich wieder im gewünschten beobachteten Bereich liegt.In addition, the image quality of an image of the object and/or the quality of the representation of the detection signals based on the detected interaction radiation (i.e. data about the object) is influenced by a sixth control parameter of the control unit for controlling and adjusting electrostatic and/or magnetic deflection units, which be used in the particle beam device for a so-called "beam shift". This makes it possible to set the position of a scan area on the object and, if necessary, to move the scan area to a desired position. This can be done without using a sample table (also referred to below as an object holder) on which the object is arranged. If, for example, the scanning area moves out of the actual area of the object that is observed using the particle beam device due to a change in the settings on the particle beam device, the particle beam is shifted during a "beam shift" by translational movements in such a way that the grid area is again in the desired observed area .

Auch ein in dem Teilchenstrahlgerät eingesetzter Stigmator kann die Bildqualität des Bildes des Objekts und/oder die Qualität der Darstellung der auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung beruhenden Detektionssignale beeinflussen. Der Stigmator, ein magnetisches und/oder elektrostatisches Multipolelement, wird insbesondere zur Korrektur von Astigmatismus verwendet. Der Stigmator kann mit der Steuereinheit mittels eines siebten Steuerparameters eingestellt werden.A stigmator used in the particle beam device can also influence the image quality of the image of the object and/or the quality of the representation of the detection signals based on the detected interaction radiation. The stigmator, a magnetic and/or electrostatic multipole element, is used in particular to correct astigmatism. The stigmator can be adjusted with the control unit using a seventh control parameter.

Die Bildqualität eines Bildes des Objekts und/oder die Qualität der Darstellung der auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung beruhenden Detektionssignale können/kann aber auch von der Position einer mechanisch verschiebbaren Einheit des Teilchenstrahlgeräts beeinflusst werden. Die Position der mechanisch verschiebbaren Einheit des Teilchenstrahlgeräts lässt sich beispielsweise mit einem achten Steuerparameter der Steuereinheit einstellen. Beispielsweise wird die Bildqualität von der Position einer Aperturblende beeinflusst, welche zur Formung und Begrenzung des Teilchenstrahls im Teilchenstrahlgerät eingesetzt wird. Alternativ oder zusätzlich hierzu ist es vorgesehen, die Position eines verstellbaren Probentisches zu ändern, an welchem das Objekt angeordnet ist. Dann ist es beispielsweise möglich, den Abstand zwischen dem Objekt und der Objektivlinse des Teilchenstrahlgeräts einzustellen. Dieser Abstand wird Arbeitsabstand genannt. Wenn das Objekt mit dem Teilchenstrahlgerät abgebildet wird (also im Abbildungsmodus), dann liegt der Arbeitsabstand beispielsweise im Bereich von 1 cm oder kleiner als 1 cm. Wenn Röntgenspektroskopie durchgeführt werden soll, dann liegt der Arbeitsabstand beispielsweise im Bereich von größer als 1 cm, beispielsweise zwischen 2 cm und 10 cm.However, the image quality of an image of the object and/or the quality of the representation of the detection signals based on the detected interaction radiation can/can also be influenced by the position of a mechanically displaceable unit of the particle beam device. The position of the mechanically displaceable unit of the particle beam device can be set, for example, with an eighth control parameter of the control unit. For example, the image quality is influenced by the position of an aperture stop, which is used to shape and limit the particle beam in the particle beam device. As an alternative or in addition to this, it is provided to change the position of an adjustable sample table on which the object is arranged. It is then possible, for example, to adjust the distance between the object and the objective lens of the particle beam device. This distance is called the working distance. If the object is imaged with the particle beam device (ie in imaging mode), then the working distance is, for example, in the range of 1 cm or less than 1 cm. If X-ray spectroscopy is to be carried out, then the working distance is in the range of greater than 1 cm, for example between 2 cm and 10 cm.

Die Bildqualität eines Bildes des Objekts und/oder die Qualität der Darstellung der auf der detektierten Wechselstrahlung beruhenden Detektionssignale können/kann ferner von der sogenannten Scan-Rotation beeinflusst werden. Dies ist eine Rotation des Scanbereichs in der Ebene des Rasterbereichs um eine optische Achse des Teilchenstrahlgeräts. Die Scan-Rotation lässt sich beispielsweise mit einem neunten Steuerparameter der Steuereinheit einstellen.The image quality of an image of the object and/or the quality of the representation of the detection signals based on the detected alternating radiation can/can also be influenced by the so-called scan rotation. This is a rotation of the scanning area in the plane of the raster area around an optical axis of the particle beam device. The scan rotation can be set, for example, with a ninth control parameter of the control unit.

Mit einem zehnten Steuerparameter der Steuereinheit können Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts derart eingestellt werden, dass der Strom des Teilchenstrahls einstellbar ist. Beispielsweise sind die Funktionseinheiten als die Objektivlinse, die Aperturblende und/oder eine Kondensorlinse ausgebildet. Zur Erzeugung eines Bildes des Objekts wird ein Strom des Teilchenstrahls im Bereich von einigen Nanoampere verwendet. Ein derartiger Strom des Teilchenstrahls wird im Abbildungsmodus bevorzugt. Hingegen wird bei der Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt ein Strom des Teilchenstrahls im Bereich von einigen Mikroampere verwendet. Ein derartiger Strom des Teilchenstrahls wird in einem Analysemodus bevorzugt, der weiter unten näher erläutert wird.With a tenth control parameter of the control unit, functional units of the particle beam device can be adjusted in such a way that the current of the particle beam can be adjusted. For example, the functional units are designed as the objective lens, the aperture stop and/or a condenser lens. A current of the particle beam in the range of a few nanoamperes is used to generate an image of the object. Such a flow of the particle beam is preferred in the imaging mode. On the other hand, when generating a representation of data about the object, a current of the particle beam in the range of a few microamperes is used. Such a flow of the particle beam is preferred in an analysis mode which will be explained in more detail below.

Mit einem elften Steuerparameter der Steuereinheit können Funktionseinheiten des Teilchenstrahlgeräts derart eingestellt werden, dass in einer Probenkammer des Teilchenstrahlgeräts ein Hochvakuum oder ein Druck herrscht, welcher nahezu dem Atmosphärendruck entspricht. Durch Einstellen des elften Steuerparameters der Steuereinheit wird beispielsweise eine an der Probenkammer angeordnete Pumpe angesteuert. Insbesondere wird die Probenkammer in einem ersten Druckbereich oder in einem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Um diese Druckbereiche zu gewährleisten, ist die Probenkammer vakuumtechnisch verschlossen. Wenn festgestellt wird, dass zum einen die Probenkammer im ersten Druckbereich betrieben wird und zum anderen sich das Objekt aufgrund der Zuführung des Teilchenstrahls auf das Objekt auflädt, dann wird der elfte Steuerparameter derart geändert, dass die Probenkammer im zweiten Druckbereich betrieben wird. Im zweiten Druckbereich wird dann beispielsweise ein Gas mit Ionen zu dem Objekt geführt, so dass die Ladung des Objekts auf der Oberfläche des Objekts neutralisiert wird. Eine Aufladung des Objekts liegt beispielsweise dann vor, wenn das Bild des Objekts instabil ist, insbesondere wenn die Helligkeit und/oder der Kontrast des Bilds des Objekts sich bei mehrfachen Scans über den identischen Bereich des Objekts ändern/ändert. Eine Aufladung des Objekts liegt beispielsweise auch dann vor, wenn sich nach einer Änderung der Richtung eines Scans durch eine Scanrotation immer noch dieselben Merkmale im Bild erkennbar sind und/oder wenn sich die Position des Objekts im Bild ändert. Zusätzlich oder alternativ hierzu wird eine Aufladung des Objekts beispielsweise durch Vergleich des Bilds des Objekts mit einem weiteren Bild des Objekts aus einer Datenbank erkannt, wobei das weitere Bild das Objekt mit Aufladungen zeigt. Für den Vergleich wird insbesondere maschinelles Lernen eingesetzt.With an eleventh control parameter of the control unit, functional units of the particle beam device can be set in such a way that a high vacuum or a pressure which almost corresponds to atmospheric pressure prevails in a sample chamber of the particle beam device. By setting the eleventh control parameter of the control unit, a pump arranged on the sample chamber is controlled, for example. In particular, the sample chamber is operated in a first pressure range or in a second pressure range. The first pressure range only includes pressures less than or equal to 10 -3 hPa, and the second pressure range only includes pressures greater than 10 -3 hPa. In order to ensure these pressure ranges, the sample chamber is sealed in terms of vacuum technology. If it is determined that the sample chamber is being operated in the first pressure range and the object is being charged due to the particle beam being fed onto the object, then the eleventh control parameter is changed such that the sample chamber is being operated in the second pressure range. In the second pressure range, for example, a gas with ions is then fed to the object, so that the charge of the object is neutralized on the surface of the object. A charging of the object is present, for example, when the image of the object is unstable, in particular when the brightness and/or the contrast of the image of the object changes/changes with multiple scans over the identical area of the object. The object is also charged, for example, if the same features are still recognizable in the image after a change in the direction of a scan due to a scan rotation and/or if the position of the object in the image changes. In addition or as an alternative to this, charging of the object is detected, for example, by comparing the image of the object with a further image of the object from a database, with the further image showing the object with charges. Machine learning in particular is used for the comparison.

Die erste Gruppe von Verfahrensschritten umfasst ferner ein Ansteuern der Funktionseinheit mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die Steuereinheit mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die Funktionseinheit entsprechend an.The first group of method steps also includes driving the functional unit with the loaded first control parameter value of the control parameter using the control unit. In other words, the control unit is controlled with the loaded first control parameter value of the control parameter and for its part controls the functional unit again accordingly.

Die erste Gruppe von Verfahrensschritten umfasst ebenfalls ein Führen des Teilchenstrahls des Teilchenstrahlgeräts auf das Objekt unter Verwendung mindestens einer Führungseinheit des Teilchenstrahlgeräts. Unter einer Führungseinheit wird jegliche Einheit zur Führung des Teilchenstrahls auf das Objekt verstanden, aber auch Einheiten zur Formung des Teilchenstrahls, der dann zu dem Objekt geführt wird. Die Führungseinheit ist beispielsweise als Objektivlinse zur Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt, als eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit zur Strahlformung oder zur Strahlführung, als Stigmator, als Kondensorlinse oder als mechanisch verstellbare Blendeneinheit ausgebildet, mit welcher der Teilchenstrahl begrenzt wird. Die Führungseinheit ist insbesondere als die bereits erläuterte Funktionseinheit ausgebildet.The first group of method steps also includes guiding the particle beam of the particle beam device onto the object using at least one guide unit of the particle beam device. A guidance unit is understood to mean any unit for guiding the particle beam onto the object, but also units for shaping the particle beam, which is then guided to the object. The guide unit is designed, for example, as an objective lens for focusing the particle beam on the object, as an electrostatic and/or magnetic unit for beam shaping or for beam guidance, as a stigmator, as a condenser lens or as a mechanically adjustable diaphragm unit with which the particle beam is limited. The guide unit is designed in particular as the functional unit already explained.

Die erste Gruppe von Verfahrensschritten umfasst auch ein Detektieren von Wechselwirkungsteilchen mit mindestens einem ersten Detektor des Teilchenstrahlgeräts, wobei die Wechselwirkungsteilchen aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt hervorgehen. Bei den Wechselwirkungsteilchen handelt es sich beispielsweise um aus dem Objekt emittierte Sekundärteilchen, beispielsweise Sekundärelektronen, am Objekt zurückgestreute Teilchen, die auch Rückstreuteilchen genannt werden, und/oder gestreute Teilchen, die beispielsweise in Richtung des Teilchenstrahls durch das Objekt transmittieren. Bei den Rückstreuteilchen handelt es sich beispielsweise um Rückstreuelektronen. The first group of method steps also includes detecting interaction particles with at least one first detector of the particle beam device, the interaction particles resulting from an interaction of the particle beam with the object when the particle beam impinges on the object. The interaction particles are, for example, secondary particles emitted from the object, for example secondary electrons, particles scattered back from the object, which are also called backscatter particles, and/or scattered particles which transmit through the object, for example in the direction of the particle beam. The backscattered particles are, for example, backscattered electrons.

Darüber hinaus umfasst die erste Gruppe von Verfahrensschritten ein Erzeugen von ersten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung des ersten Detektors. Ein Bild des Objekts wird mit der Steuereinheit unter Verwendung der ersten Detektionssignale erzeugt und mit einer Anzeigeeinheit des Teilchenstrahlgeräts angezeigt.In addition, the first group of method steps includes generating first detection signals based on the detected interaction particles using the first detector. An image of the object is generated with the control unit using the first detection signals and displayed with a display unit of the particle beam device.

Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.All of the aforementioned method steps of the first group of method steps can be carried out in the order described above. Alternatively, any order of the method steps of the first group of methods rensstufen usable, which is suitable for the invention.

Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten weist ein Auswählen eines Analysemodus des Teilchenstrahlgeräts unter Verwendung der Steuereinheit des Teilchenstrahlgeräts auf. Der Analysemodus ist der Modus des Teilchenstrahlgeräts, mit dem mindestens eine Darstellung von Daten über das Objekt (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit dem Teilchenstrahl des Teilchenstrahlgeräts erzeugt wird.The second group of method steps includes selecting an analysis mode of the particle beam device using the control unit of the particle beam device. The analysis mode is the mode of the particle beam device with which at least one representation of data about the object (for example a radiation spectrum, in particular an X-ray spectrum) is generated with the particle beam of the particle beam device.

Darüber hinaus umfasst die zweite Gruppe von Verfahrensschritten ein Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des Steuerparameters der Steuereinheit zur Ansteuerung der Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts aus der Datenbank in die Steuereinheit.In addition, the second group of method steps includes loading a second control parameter value of the control parameter of the control unit for controlling the functional unit of the particle beam device from the database into the control unit.

Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten umfasst ferner ein Ansteuern der Funktionseinheit mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die Steuereinheit mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die Funktionseinheit entsprechend an. Insbesondere ist es vorgesehen, dass mit dem zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters eine Landeenergie im Bereich von 10 keV bis 20 keV eingestellt wird. Zusätzlich oder alternativ hierzu ist es vorgesehen, dass mit dem zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters ein Strom des Teilchenstrahls im Bereich von einigen Mikroampere eingestellt wird. Wiederum zusätzlich oder alternativ hierzu ist es vorgesehen, dass mit dem zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters der Arbeitsabstand auf einen Wert im Bereich von größer als 1 cm, beispielsweise im Bereich von 2 cm bis 10 cm, eingestellt wird. The second group of method steps also includes driving the functional unit with the loaded second control parameter value of the control parameter using the control unit. In other words, the control unit is controlled with the loaded second control parameter value of the control parameter and for its part controls the functional unit again accordingly. In particular, it is provided that a landing energy in the range from 10 keV to 20 keV is set with the second control parameter value of the control parameter. In addition or as an alternative to this, it is provided that a current of the particle beam in the range of a few microamperes is set with the second control parameter value of the control parameter. In addition or as an alternative to this, provision is made for the working distance to be set to a value in the range greater than 1 cm, for example in the range from 2 cm to 10 cm, with the second control parameter value of the control parameter.

Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten umfasst ebenfalls ein Führen des Teilchenstrahls des Teilchenstrahlgeräts auf das Objekt unter Verwendung der Führungseinheit des Teilchenstrahlgeräts.The second group of method steps also includes guiding the particle beam of the particle beam device onto the object using the guide unit of the particle beam device.

Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten umfasst auch ein Detektieren von Wechselwirkungsstrahlung mit mindestens einem zweiten Detektor des Teilchenstrahlgeräts, wobei die Wechselwirkungsstrahlung aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt hervorgeht. Die Wechselwirkungsstrahlung ist beispielsweise Röntgenstrahlung oder Kathodolumineszenzlicht. Zur Detektion der Wechselwirkungsstrahlung wird beispielsweise ein Strahlungsdetektor, insbesondere ein EDX-Detektor und/oder ein WDX-Detektor, verwendet.The second group of method steps also includes detecting interaction radiation with at least one second detector of the particle beam device, the interaction radiation resulting from an interaction of the particle beam with the object when the particle beam impinges on the object. The interaction radiation is, for example, X-rays or cathodoluminescent light. For example, a radiation detector, in particular an EDX detector and/or a WDX detector, is used to detect the interaction radiation.

Darüber hinaus umfasst die zweite Gruppe von Verfahrensschritten ein Erzeugen von zweiten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung des zweiten Detektors. Eine Darstellung von Daten über das Objekt (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) wird mit der Steuereinheit unter Verwendung der zweiten Detektionssignale erzeugt und mit der Anzeigeeinheit des Teilchenstrahlgeräts angezeigt. Wenn Röntgenstrahlung detektiert wird, kann beispielsweise energiedispersive Röntgenspektroskopie oder wellenlängendispersive Röntgenspektroskopie durchgeführt werden. Beide Spektroskopiearten ermöglichen eine Analyse der Materialzusammensetzung des Objekts.In addition, the second group of method steps includes generating second detection signals based on the detected interaction radiation using the second detector. A representation of data about the object (for example a radiation spectrum, in particular an X-ray spectrum) is generated with the control unit using the second detection signals and displayed with the display unit of the particle beam device. When X-ray radiation is detected, energy-dispersive X-ray spectroscopy or wavelength-dispersive X-ray spectroscopy can be carried out, for example. Both types of spectroscopy allow an analysis of the material composition of the object.

Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.All of the aforementioned method steps of the second group of method steps can be carried out in the order described above. Alternatively, any order of the process steps of the second group of process steps suitable for the invention can be used.

Die Erfindung geht von der überraschenden Erkenntnis aus, dass geeignete Werte des Steuerparameters, die eine gewünschte Qualität eines Bildes des Objekts zum einen und eine gewünschte Qualität einer Darstellung von Daten über das Objekt zum anderen ermöglichen, in einer Datenbank des Teilchenstrahlgeräts gespeichert sind. Beispielsweise erfolgt die Speicherung des ersten Steuerparameterwertes und/oder des zweiten Steuerparameterwertes des Steuerparameters in Abhängigkeit des Objekts. Hierdurch ist es möglich, zum einen für eine gewünschte Qualität eines Bildes des Objekts geeignete Werte des Steuerparameters für das entsprechende Objekt von der Datenbank in die Steuereinheit automatisch zu laden und die Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts entsprechend mittels der Steuereinheit anzusteuern. Zum anderen ist es möglich, für eine gewünschte Qualität einer Darstellung von Daten über das Objekt geeignete Werte des Steuerparameters für das entsprechende Objekt von der Datenbank in die Steuereinheit automatisch zu laden und die Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts entsprechend mittels der Steuereinheit anzusteuern. Ein manuelles Einstellen der Steuerparameterwerte des Steuerparameters durch einen Anwender des Teilchenstrahlgeräts ist daher nicht mehr zwingend erforderlich.The invention is based on the surprising finding that suitable values of the control parameter, which enable a desired quality of an image of the object on the one hand and a desired quality of a representation of data about the object on the other, are stored in a database of the particle beam device. For example, the first control parameter value and/or the second control parameter value of the control parameter are stored as a function of the object. This makes it possible to automatically load suitable values of the control parameters for the corresponding object from the database into the control unit for a desired quality of an image of the object and to control the functional unit of the particle beam device accordingly by means of the control unit. On the other hand, it is possible to automatically load suitable values of the control parameters for the corresponding object from the database into the control unit for a desired quality of a representation of data about the object and to control the functional unit of the particle beam device accordingly by means of the control unit. A manual setting of the control parameter values of the control parameter by a user of the particle beam device is therefore no longer absolutely necessary.

Bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, zunächst geeignete Werte für den ersten Steuerparameterwert zu ermitteln und in der Datenbank zu speichern. So ist es bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgesehen, dass vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: (a) Ansteuern der Funktionseinheit mit einem wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit, so dass das Bild des Objekts mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird; sowie (b) Speichern des wählbaren Steuerparameterwertes des Steuerparameters als den ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank. Die gewünschte Bildqualität kann beispielsweise mittels objektiver Kriterien bestimmt werden. Beispielsweise ist die Bildqualität eines Bildes umso besser, je besser die Auflösung im Bild ist oder je besser der Kontrast ist. Alternativ kann die Bildqualität anhand von subjektiven Kriterien bestimmt werden. Hierbei legt ein Anwender individuell fest, ob ihm eine erzielte Bildqualität ausreicht oder nicht. Dabei kann es aber durchaus vorkommen, dass die von einem ersten Anwender für ausreichend gut befundene Bildqualität einem zweiten Anwender nicht ausreicht. Beispielsweise kann die Bildqualität eines Bildes eines Objekts auch anhand des Signal-Rausch-Verhältnisses des Detektorsignals bestimmt werden. Bei einem Signal-Rausch-Verhältnis im Bereich von 0 bis 5 ist die Bildqualität nicht ausreichend gut. Beispielsweise spricht man von einem guten Signal-Rausch-Verhältnis (und damit auch von einer guten sowie ausreichenden Bildqualität), wenn das Signal-Rausch-Verhältnis im Bereich von 20 bis 40 liegt. Auch die Richtung des Sekundärteilchenstrahls (also der Teilchenstrahl, der Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen aufweist) kann ein Maß für die Bildqualität sein. Die Sekundärelektronen können in unterschiedliche Raumwinkel aus dem Objekt emittiert werden. Ferner können die Rückstreuelektronen in verschiedene Raumwinkel an dem Objekt zurückgestreut werden. Die Richtung des Sekundärteilchenstrahls (also der Raumwinkel, in welchem der Sekundärteilchenstrahl verläuft), kann durch Kippung des Teilchenstrahls und/oder des Objekts zur optischen Achse des Teilchenstrahlgeräts beeinflusst werden. Hierdurch ist es zum einen möglich, die Richtung des Sekundärteilchenstrahls derart zu wählen, dass der Sekundärteilchenstrahl auf einen gewünschten Detektor trifft. Zum anderen lassen sich durch die oben genannte Kippung sowohl die Anzahl der erzeugten Sekundärelektronen als auch die Anzahl der zurückgestreuten Rückstreuelektronen beeinflussen. Wenn beispielsweise der Teilchenstrahl parallel zu einem Kristallgitter eines Objekts in das Objekt eintritt, so nimmt die Anzahl der Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen ab. Das Detektionssignal wird schwächer. Dies führt zu einer Verminderung der Bildqualität. Durch Einstellung der Kippung des Teilchenstrahls kann die Anzahl der Sekundärelektronen und der Rückstreuelektronen erhöht werden. Mit einer derartigen Einstellung ist es möglich, Kristalle mit einer ersten Orientierung von Kristallen mit einer zweiten Orientierung anhand der Stärke des Detektionssignals zu unterscheiden.In one embodiment of the method according to the invention, it is additionally or alternatively provided to first determine suitable values for the first control parameter value and in the save database. In this embodiment of the method according to the invention, it is provided that before the first group of method steps is carried out, the following method steps are carried out: (a) Controlling the functional unit with a selectable control parameter value of the control parameter using the control unit, so that the image of the object with a desired image quality is achieved; and (b) storing the selectable control parameter value of the control parameter as the first control parameter value of the control parameter in the database. The desired image quality can be determined using objective criteria, for example. For example, the image quality of an image is better the better the resolution in the image is or the better the contrast is. Alternatively, the image quality can be determined using subjective criteria. In this case, a user individually determines whether the image quality achieved is sufficient for him or not. However, it can happen that the image quality that a first user finds to be sufficiently good is not sufficient for a second user. For example, the image quality of an image of an object can also be determined using the signal-to-noise ratio of the detector signal. If the signal-to-noise ratio is between 0 and 5, the image quality is not good enough. For example, one speaks of a good signal-to-noise ratio (and thus also of good and sufficient image quality) when the signal-to-noise ratio is in the range of 20 to 40. The direction of the secondary particle beam (ie the particle beam that has secondary electrons and/or backscattered electrons) can also be a measure of the image quality. The secondary electrons can be emitted from the object in different solid angles. Furthermore, the backscattered electrons can be scattered back into different solid angles on the object. The direction of the secondary particle beam (ie the solid angle in which the secondary particle beam runs) can be influenced by tilting the particle beam and/or the object to the optical axis of the particle beam device. This makes it possible, on the one hand, to select the direction of the secondary particle beam in such a way that the secondary particle beam impinges on a desired detector. On the other hand, both the number of generated secondary electrons and the number of backscattered electrons can be influenced by the above-mentioned tilting. If, for example, the particle beam enters the object parallel to a crystal lattice of an object, then the number of secondary electrons and/or backscattered electrons decreases. The detection signal becomes weaker. This leads to a reduction in image quality. The number of secondary electrons and backscattered electrons can be increased by adjusting the tilting of the particle beam. With such an adjustment it is possible to distinguish crystals with a first orientation from crystals with a second orientation based on the strength of the detection signal.

Bei einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten weitere Verfahrensschritte durchgeführt werden. So erfolgt ein Einstellen der Landeenergie der geladenen Teilchen auf einen ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie. Wie oben bereits erläutert, weisen beim Auftreffen auf das Objekt die geladenen Teilchen diese Landeenergie auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die Landeenergie der geladenen Teilchen die Energie, mit welcher das Objekt untersucht und/oder abgebildet wird. Die Landeenergie der geladenen Teilchen kann unterschiedlich zu der Energie sein, mit welcher die geladenen Teilchen durch eine Strahlsäule des Teilchenstrahlgeräts geführt werden. Insbesondere ist es vorgesehen, die geladenen Teilchen zunächst sehr stark zu beschleunigen und erst kurz vor dem Auftreffen auf das Objekt auf die Landeenergie abzubremsen. Dies wird weiter unten näher erläutert. Die Landeenergie der geladenen Teilchen liegt beispielsweise im Bereich von 1 eV bis 30 keV, wobei die Bereichsgrenzen mit eingeschlossen sind. Die Erfindung ist aber nicht auf den vorgenannten Bereich der Landeenergie beschränkt. Vielmehr kann bei der Erfindung jeder Bereich verwendet werden, der für die Erfindung geeignet ist. Bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt ein Ansteuern der Funktionseinheit mit einem wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass das Bild des Objekts mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird. Hinsichtlich der gewünschten Bildqualität wird auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Zusätzlich wird die Landeenergie auf einen zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie eingestellt. Es erfolgt ein Ansteuern der Funktionseinheit mit einem weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass ein weiteres Bild des Objekts mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird. Auch hier wird hinsichtlich der gewünschten Bildqualität auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Ferner wird ein funktionaler Zusammenhang zwischen dem wählbaren Steuerparameterwert und dem weiteren wählbaren Steuerparameterwert in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie bestimmt. Der funktionale Zusammenhang wird in der Datenbank zur Berechnung des ersten Steuerparameterwertes vor dem Laden des ersten Steuerparameterwertes aus der Datenbank in die Steuereinheit gespeichert.In a further embodiment of the method according to the invention, provision is additionally or alternatively made for further method steps to be carried out before the first group of method steps is carried out. The landing energy of the charged particles is thus set to a first value from a predefinable range of the landing energy. As explained above, the charged particles have this landing energy when they hit the object. In other words, the charged particle landing energy is the energy with which the object is examined and/or imaged. The landing energy of the charged particles can be different from the energy with which the charged particles are guided through a beam column of the particle beam device. In particular, provision is made for the charged particles to be accelerated very strongly at first and only to be decelerated to the landing energy shortly before they hit the object. This is explained in more detail below. The landing energy of the charged particles is, for example, in the range from 1 eV to 30 keV, including the range limits. However, the invention is not limited to the aforementioned range of landing energy. Rather, any range suitable for the invention may be used in the invention. In this embodiment of the method according to the invention, the functional unit is controlled with a selectable control parameter value of the control parameter, so that the image of the object is obtained with a desired image quality. With regard to the desired image quality, reference is made to the comments above, which also apply here. In addition, the landing energy is set to a second value from the predefinable range of the landing energy. The functional unit is controlled with a further selectable control parameter value of the control parameter, so that a further image of the object with a desired image quality is achieved. Here, too, reference is made to the comments above with regard to the desired image quality, which also apply here. Furthermore, a functional relationship between the selectable control parameter value and the further selectable control parameter value is determined as a function of the predefinable range of the landing energy. The functional relationship is stored in the database for calculating the first control parameter value before loading the first control parameter value from the database into the control unit.

Bei einer noch weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, zunächst geeignete Werte für den zweiten Steuerparameterwert zu ermitteln und in der Datenbank zu speichern. So ist es bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgesehen, dass vor Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: (a) Ansteuern der Funktionseinheit mit einem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit, so dass eine gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) erzielt wird; sowie (b) Speichern des noch weiteren wählbaren Steuerparameterwertes des Steuerparameters als den zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank.In yet another embodiment of the method according to the invention, it is additionally or alternatively provided to first determine suitable values for the second control parameter value and store them in the database. In this embodiment of the method according to the invention, it is provided that before the second group of method steps is carried out, the following method steps are carried out: (a) Controlling the functional unit with an even further selectable control parameter value of the control parameter using the control unit, so that a desired representation of data about the object (e.g. a radiation spectrum, in particular an X-ray spectrum) is obtained; and (b) storing the still further selectable control parameter value of the control parameter as the second control parameter value of the control parameter in the database.

Bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, vor Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten weitere Verfahrensschritte durchzuführen. So erfolgt ein Einstellen der Landeenergie der geladenen Teilchen auf einen weiteren ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie. Hinsichtlich der Landeenergie sowie des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie wird auf die oben gemachten Anmerkungen verwiesen, die auch hier gelten. Bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens erfolgt ein Ansteuern der Funktionseinheit mit einem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine erste gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt erzielt wird. Hinsichtlich der gewünschten Darstellung von Daten über das Objekt wird auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Zusätzlich wird die Landeenergie auf einen weiteren zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie eingestellt. Es erfolgt ein Ansteuern der Funktionseinheit mit einem wiederum weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine zweite gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt erzielt wird. Hinsichtlich der gewünschten Darstellung von Daten über das Objekt wird auch hier auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Ferner wird ein funktionaler Zusammenhang zwischen dem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert und dem wiederum weiteren wählbaren Steuerparameterwert in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie bestimmt. Der funktionale Zusammenhang wird in der Datenbank zur Berechnung des zweiten Steuerparameterwertes vor dem Laden des zweiten Steuerparameterwertes aus der Datenbank in die Steuereinheit gespeichert.In one embodiment of the method according to the invention, it is additionally or alternatively provided to carry out further method steps before carrying out the second group of method steps. The landing energy of the charged particles is thus set to a further first value from a predefinable range of the landing energy. With regard to the landing energy and the range of the landing energy that can be specified, reference is made to the comments made above, which also apply here. In this embodiment of the method according to the invention, the functional unit is controlled with an even further selectable control parameter value of the control parameter, so that a first desired representation of data about the object is achieved. Regarding the desired presentation of data about the object, reference is made to the comments above, which also apply here. In addition, the landing energy is set to a further second value from the predefinable range of the landing energy. The functional unit is controlled with an in turn further selectable control parameter value of the control parameter, so that a second desired representation of data about the object is achieved. With regard to the desired presentation of data about the object, reference is also made here to the comments above, which also apply here. Furthermore, a functional relationship between the still further selectable control parameter value and the in turn further selectable control parameter value is determined as a function of the predefinable range of the landing energy. The functional relationship is stored in the database for calculating the second control parameter value before the second control parameter value is loaded from the database into the control unit.

Um eine gewünschte Bildqualität eines Bildes eines Objekts und/oder eine gewünschte Qualität der Darstellung von Daten über das Objekt zu erzielen, ist es bei einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgesehen, dass ein Anwender möglichst viele der oben genannten Steuerparameter und/oder weitere hier näher nicht genannte Steuerparameter berücksichtigt, wobei die mit den einzelnen Steuerparametern erzielten physikalischen Wirkungen sich wiederum untereinander beeinflussen. Der Anmelderin sind die folgenden weiteren Vorgehensweisen zur Ermittlung geeigneter Werte der Steuerparameter bekannt, mit denen eine gewünschte Bildqualität und/oder Qualität der Darstellung von Daten über das Objekt erzielt werden können/kann. Beispielsweise kann man mit mathematischen Modellen geeignete Werte der einzelnen Steuerparameter ermitteln, um eine gewünschte Bildqualität und/oder Qualität der Darstellung von Daten über das Objekt zu erzielen. Allerdings sind diese berechneten und theoretischen Werte der Steuerparameter oft nicht geeignet, um eine wirklich gute Bildqualität und/oder gute Darstellung der Daten über das Objekt zu erzielen. Dies kann daran liegen, dass beispielsweise nicht alle Steuerparameter in den mathematischen Modellen berücksichtigt werden und/oder die mathematischen Modelle auf vereinfachten Annahmen basieren, die in der Realität komplexer sind. Bei einer weiteren Vorgehensweise ist es vorgesehen, die Werte der verschiedenen Steuerparameter experimentell zu ermitteln, wobei beispielsweise für die experimentelle Ermittlung eine Referenzprobe verwendet wird. Die ermittelten Werte der Steuerparameter werden zur Einstellung der Steuereinheit des Teilchenstrahlgeräts verwendet. Von Nachteil ist jedoch, dass ein zu untersuchendes und abzubildendes Objekt allerdings nicht immer mit der Referenzprobe übereinstimmt, insbesondere hinsichtlich der Materialzusammensetzung und der Topographie. Dies kann zu Abbildungsfehlern und somit zu einer Verschlechterung der tatsächlich erzielten Bildqualität führen. Eine weitere Vorgehensweise ist die Einstellung der Bildqualität und/oder der Darstellung der Daten über das Objekt durch manuelles Suchen der gewünschten Bildqualität für ein abzubildendes Objekt und/oder der gewünschten Darstellung der Daten über das Objekt. Hierbei wird zunächst die gewünschte Landeenergie der Elektronen ausgewählt, mit welcher die Teilchen des Teilchenstrahls auf das zu untersuchende Objekt auftreffen. Im Anschluss daran werden die Helligkeit, der Kontrast, die Fokussierung, die Zentrierung des Teilchenstrahls in der Objektivlinse, der Beamshift und/oder die Position der Funktionseinheit derart solange durch Versuche variiert und aufeinander abgestimmt, bis die gewünschte Bildqualität und/oder die gewünschte Darstellung der Daten über das Objekt erzielt sind/ist.In order to achieve a desired image quality of an image of an object and/or a desired quality of the representation of data about the object, it is provided in a further embodiment of the method according to the invention that a user as many as possible of the control parameters mentioned above and/or others are specified here non-mentioned control parameters are taken into account, with the physical effects achieved with the individual control parameters in turn influencing one another. The applicant is aware of the following further procedures for determining suitable values of the control parameters with which a desired image quality and/or quality of the presentation of data about the object can/can be achieved. For example, mathematical models can be used to determine suitable values for the individual control parameters in order to achieve a desired image quality and/or quality of the representation of data about the object. However, these calculated and theoretical values of the control parameters are often not suitable to achieve really good image quality and/or good representation of the data about the object. This can be because, for example, not all control parameters are taken into account in the mathematical models and/or the mathematical models are based on simplified assumptions that are more complex in reality. A further procedure provides for the values of the various control parameters to be determined experimentally, with a reference sample being used for the experimental determination, for example. The determined values of the control parameters are used to adjust the control unit of the particle beam device. The disadvantage, however, is that an object to be examined and imaged does not always match the reference sample, particularly with regard to the material composition and the topography. This can lead to imaging errors and thus to a deterioration in the image quality actually achieved. Another approach is to adjust the image quality and/or the representation of the data about the object by manually finding the desired image quality for an object to be imaged and/or the desired representation of the data about the object. First of all, the desired landing energy of the electrons is selected, with which the particles of the particle beam impinge on the object to be examined. Subsequently, the brightness, the contrast, the focusing, the centering of the particle beam in the objective lens, the beam shift and/or the position of the functional unit are varied and coordinated through experiments until the desired image quality and/or the desired representation of the Data about the object are/is obtained.

Bei einer noch weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass vor dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten ein Bereich auf dem Objekt bestimmt wird, zu dem der Teilchenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten geführt wird. Insbesondere ist es dabei vorgesehen, dass beim Durchführen der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten vor dem Detektieren der Wechselwirkungsstrahlung zunächst nochmals Wechselwirkungsteilchen mit dem ersten Detektor des Teilchenstrahlgeräts detektiert werden, weitere erste Detektionssignale mit dem ersten Detektor detektiert werden, ein weiteres Bild des Objekts mit der Steuereinheit unter Verwendung der ersten Detektionssignale erzeugt wird und der Teilchenstrahl auf den Bereich unter Verwendung des weiteren Bildes des Objekts fokussiert wird. Da es durchaus sein kann, dass der zuvor ausgewählte Bereich aufgrund der Umstellung der Werte des Steuerparameters nicht mehr im Sichtfeld des Teilchenstrahlgeräts liegt, wird hierdurch sichergestellt, dass bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten, die ja einen anderen Steuerparameterwert als die Verfahrensschritte der ersten Gruppe verwenden, der Teilchenstrahl stets zu dem Bereich, der analysiert werden soll, geführt wird. Insbesondere wird bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens hierzu ein besonderes Merkmal auf der Oberfläche des Objekts im Bild des Objekts identifiziert. Dieses besondere Merkmal sollte ebenfalls im weiteren Bild des Objekts zu sehen sein und wird als Orientierung derart verwendet, dass der Teilchenstrahl auf den zuvor ausgewählten Bereich bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten geführt wird.In yet another embodiment of the method according to the invention, it is additionally or alternatively provided that before carrying out the first group of method steps and/or the second group of method steps, a region on the object is determined to which the particle beam when carrying out the first group of method steps and/or the second group of method steps. In particular, it is provided that when the second group of method steps is carried out, before the interaction radiation is detected, interaction particles are initially detected again with the first detector of the particle beam device, further first detection signals are detected with the first detector, a further image of the object with the control unit below Using the first detection signals is generated and the particle beam is focused on the area using the further image of the object. Since it is quite possible that the previously selected area is no longer in the field of view of the particle beam device due to the change in the values of the control parameter, this ensures that when carrying out the second group of method steps, which have a different control parameter value than the method steps of the first Use group, the particle beam is always guided to the area to be analyzed. In particular, in one embodiment of the method according to the invention, a special feature on the surface of the object is identified in the image of the object. This special feature should also be visible in the further image of the object and is used as an orientation in such a way that the particle beam is guided to the previously selected area when carrying out the second group of method steps.

Bei einer noch weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass vor dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten ein erster Bereich auf dem Objekt und ein zweiter Bereich auf dem Objekt bestimmt werden. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden ein erster Bereich auf dem Objekt und ein zweiter Bereich auf dem Objekt ausgewählt. Bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten wird der Teilchenstrahl zu dem ersten Bereich geführt. Zusätzlich oder alternativ hierzu wird bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten der Teilchenstrahl zu dem zweiten Bereich geführt. Beispielsweise wird der Teilchenstrahl bei der Durchführung der Verfahrensschritte der ersten Gruppe zunächst zu dem ersten Bereich und im Anschluss daran zu dem zweiten Bereich geführt. Ferner wird beispielsweise der Teilchenstrahl bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten zunächst zu dem ersten Bereich und im Anschluss daran zu dem zweiten Bereich geführt. Alternativ hierzu ist es vorgesehen, dass der Teilchenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten zu dem ersten Bereich und im Anschluss daran bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten wieder zu dem ersten Bereich geführt wird. Im Anschluss daran wird bei einer erneuten Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten der Teilchenstrahl zu dem zweiten Bereich und im Anschluss daran bei der erneuten Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten wieder zu dem zweiten Bereich geführt. Die Erfindung ist aber nicht auf diese Reihenfolge eingeschränkt. Vielmehr kann jede Reihenfolge verwendet werden, die für die Erfindung geeignet ist. Ferner ist es beispielsweise bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgesehen, das Bild des ersten Bereichs und des zweiten Bereichs zu einem einzelnen Bild zusammenzusetzen. Gleiches gilt analog für die Darstellung von Daten über das ObjektIn yet another embodiment of the method according to the invention, provision is additionally or alternatively made for a first area on the object and a second area on the object to be determined before carrying out the first group of method steps and/or the second group of method steps. In other words, a first area on the object and a second area on the object are selected. When carrying out the first group of method steps and/or the second group of method steps, the particle beam is guided to the first area. In addition or as an alternative to this, the particle beam is guided to the second region when carrying out the first group of method steps and/or the second group of method steps. For example, when carrying out the method steps of the first group, the particle beam is first guided to the first area and then to the second area. Furthermore, for example, when the second group of method steps is carried out, the particle beam is first guided to the first area and then to the second area. As an alternative to this, provision is made for the particle beam to be guided to the first region when the first group of method steps is carried out and then again to the first region when the second group of method steps is carried out. Subsequently, when the first group of method steps is carried out again, the particle beam is guided to the second area and then when the second group of method steps is carried out again to the second area. However, the invention is not limited to this order. Rather, any order suitable for the invention can be used. Furthermore, it is provided, for example in one embodiment of the method according to the invention, to combine the image of the first area and the second area into a single image. The same applies analogously to the presentation of data about the object

Bei einer wiederum weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass mindestens einer der folgenden Verfahrensschritte durchgeführt wird: (a) Speichern der Position des ersten Bereichs in der Datenbank; (b) Speichern der Position des zweiten Bereichs in der Datenbank; (c) Festlegen für den ersten Bereich, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird und Speichern der Festlegung in der Datenbank; sowie (d) Festlegen für den zweiten Bereich, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird und Speichern der Festlegung in der Datenbank. Die vorgenannten Verfahrensschritte (c) und (d) sind deshalb von Vorteil, weil auch der Ort, an dem die Wechselwirkungsstrahlung entsteht, bestimmt wird. Damit ist es möglich, die Materialzusammensetzung an einem bestimmten Ort des Objekts genau zu bestimmen.In yet another embodiment of the method according to the invention, provision is additionally or alternatively made for at least one of the following method steps to be carried out: (a) storing the position of the first area in the database; (b) storing the location of the second region in the database; (c) determining for the first area whether the location of the origin of the interaction radiation is determined and storing the determination in the database; and (d) specifying for the second area whether the location of the origin of the interaction radiation is determined and storing the specification in the database. The aforementioned method steps (c) and (d) are advantageous because the location at which the interaction radiation occurs is also determined. This makes it possible to precisely determine the material composition at a specific location on the object.

Wie oben bereits ausgeführt, ist es bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten zunächst für den ersten Bereich durchgeführt werden und dass im Anschluss daran die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten für den zweiten Bereich durchgeführt werden.As already stated above, in one embodiment of the method according to the invention it is additionally or alternatively provided that the first group of method steps and the second group of method steps are initially carried out for the first area and that the first group of method steps and the second Group of process steps are carried out for the second area.

Bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, zusätzlich zu der oben genannten Funktionseinheit mindestens eine weitere Funktionseinheit zu verwenden. Bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens sind die Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts eine erste Funktionseinheit, der Steuerparameter ein erster Steuerparameter und die Steuereinheit eine erste Steuereinheit zur Einstellung der ersten Funktionseinheit. Ferner weist das Teilchenstrahlgerät mindestens eine zweite Funktionseinheit zur Führung des Teilchenstrahls auf das Objekt auf. Hinsichtlich der möglichen Ausbildung der Funktionseinheit wird auf die weiter oben gemachten Ausführungen verwiesen, die auch hier gelten. Darüber hinaus weist das Teilchenstrahlgerät mindestens eine zweite Steuereinheit zum Ansteuern der zweiten Funktionseinheit unter Verwendung eines zweiten Steuerparameters auf. In der ersten Gruppe von Verfahrensschritten weist diese Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zusätzlich die folgenden Verfahrensschritte auf:

  • - Laden eines ersten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters der zweiten Steuereinheit zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts aus einer Datenbank in die Steuereinheit. Hinsichtlich der Eigenschaften des zweiten Steuerparameters wird auf die Ausführungen zum Steuerparameter weiter oben verwiesen, die auch hier gelten;
  • - Ansteuern der zweiten Funktionseinheit mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der zweiten Steuereinheit. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die zweite Steuereinheit mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die zweite Funktionseinheit entsprechend an;
  • - Erzeugen von dritten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung des ersten Detektors; sowie
  • - Erzeugen des Bildes des Objekts mit der zweiten Steuereinheit unter Verwendung der dritten Detektionssignale.
In one embodiment of the method according to the invention, it is additionally or alternatively provided, in addition to that mentioned above Functional unit to use at least one other functional unit. In this embodiment of the method according to the invention, the functional unit of the particle beam device is a first functional unit, the control parameter is a first control parameter and the control unit is a first control unit for setting the first functional unit. Furthermore, the particle beam device has at least one second functional unit for guiding the particle beam onto the object. With regard to the possible design of the functional unit, reference is made to the statements made above, which also apply here. In addition, the particle beam device has at least one second control unit for controlling the second functional unit using a second control parameter. In the first group of method steps, this embodiment of the method according to the invention additionally has the following method steps:
  • - Loading a first control parameter value of the second control parameter of the second control unit for controlling the second functional unit of the particle beam device from a database into the control unit. With regard to the properties of the second control parameter, reference is made to the comments on the control parameter above, which also apply here;
  • - driving the second functional unit with the loaded first control parameter value of the second control parameter using the second control unit. In other words, the second control unit is controlled with the loaded first control parameter value of the second control parameter and in turn controls the second functional unit accordingly;
  • - generating third detection signals based on the detected interaction particles using the first detector; such as
  • - generating the image of the object with the second control unit using the third detection signals.

Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.All of the aforementioned method steps of the first group of method steps can be carried out in the order described above. Alternatively, any order of the process steps of the first group of process steps suitable for the invention can be used.

In der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten weist diese Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zusätzlich die folgenden Verfahrensschritte auf:

  • - Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters der zweiten Steuereinheit zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit des Teilchenstrahlgeräts aus der Datenbank in die zweite Steuereinheit;
  • - Ansteuern der Funktionseinheit mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der zweiten Steuereinheit. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die zweite Steuereinheit mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die zweite Funktionseinheit entsprechend an;
  • - Erzeugen von vierten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung des zweiten Detektors; sowie
  • - Erzeugen der Darstellung von Daten über das Objekt (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit der zweiten Steuereinheit unter Verwendung der vierten Detektionssignale.
In the second group of method steps, this embodiment of the method according to the invention additionally has the following method steps:
  • - Loading a second control parameter value of the second control parameter of the second control unit for controlling the second functional unit of the particle beam device from the database into the second control unit;
  • - driving the functional unit with the loaded second control parameter value of the second control parameter using the second control unit. In other words, the second control unit is controlled with the loaded second control parameter value of the second control parameter and in turn controls the second functional unit accordingly;
  • - generating fourth detection signals based on the detected interaction radiation using the second detector; such as
  • - Generating the representation of data about the object (for example a radiation spectrum, in particular an X-ray spectrum) with the second control unit using the fourth detection signals.

Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.All of the aforementioned method steps of the second group of method steps can be carried out in the order described above. Alternatively, any order of the process steps of the second group of process steps suitable for the invention can be used.

Bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass als zweite Steuereinheit die erste Steuereinheit verwendet wird. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird als erste Steuereinheit und als zweite Steuereinheit eine identische Steuereinheit verwendet.In one embodiment of the method according to the invention, it is additionally or alternatively provided that the first control unit is used as the second control unit. In other words, an identical control unit is used as the first control unit and as the second control unit.

Bei einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass zunächst die erste Gruppe von Verfahrensschritten, dann die zweite Gruppe von Verfahrensschritten und dann erneut die erste Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt werden. Ferner ist es insbesondere vorgesehen, dass nach dem erneuten Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten erneut die Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt werden. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten alternierend (also abwechselnd) durchgeführt.In a further embodiment of the method according to the invention, provision is additionally or alternatively made for the first group of method steps to be carried out first, then the second group of method steps and then the first group of method steps again. Furthermore, it is provided in particular that after the first group of method steps has been carried out again, the method steps of the second group of method steps are carried out again. In other words, the first group of method steps and the second group of method steps are carried out alternately (that is to say alternately).

Bei einer noch weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass das Verfahren mindestens einen der folgenden Verfahrensschritte aufweist:

  • - der zweite Detektor wird bei Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten in eine erste Position bewegt und bei Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten in eine zweite Position bewegt, wobei die erste Position weiter von dem Objekt als die zweite Position beabstandet ist. Auf diese Weise ist sichergestellt, dass die Wechselwirkungsstrahlung ausreichend gut mit dem in der zweiten Position angeordneten zweiten Detektor detektiert werden kann, da der Raumwinkel zur Detektion quadratisch mit dem Abstand zwischen dem zweiten Detektor und dem Objekt abnimmt. Wenn keine Wechselwirkungsstrahlung detektiert werden soll, dann wird der zweite Detektor in die erste Position bewegt. Dadurch ist es beispielsweise auch möglich, die Objektivlinse relativ zu dem Objekt mit einem Abstand von bis zu 5 mm anzuordnen;
  • - als zweiter Detektor wird der erste Detektor verwendet. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird als erster Detektor und als zweiter Detektor ein identischer Detektor verwendet.
In yet another embodiment of the method of the present invention, it is additional or alternatively provided that the method has at least one of the following method steps:
  • - the second detector is moved to a first position when performing the first group of method steps and to a second position when performing the second group of method steps, the first position being spaced further from the object than the second position. This ensures that the interaction radiation can be detected sufficiently well with the second detector arranged in the second position, since the solid angle for detection decreases with the square of the distance between the second detector and the object. If no interaction radiation is to be detected, then the second detector is moved to the first position. This also makes it possible, for example, to arrange the objective lens at a distance of up to 5 mm relative to the object;
  • - the first detector is used as the second detector. In other words, an identical detector is used as the first detector and as the second detector.

Die Erfindung betrifft auch ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode, der in einen Prozessor eines Teilchenstrahlgeräts ladbar ist oder geladen ist, wobei der Programmcode bei Ausführung in dem Prozessor das Teilchenstrahlgerät derart steuert, dass ein Verfahren mit mindestens einem der vorstehenden oder nachstehenden Merkmale oder mit einer Kombination von mindestens zwei der vorstehenden oder nachstehenden Merkmale durchgeführt wird.The invention also relates to a computer program product with a program code that can be loaded or is loaded into a processor of a particle beam device, the program code controlling the particle beam device when executed in the processor in such a way that a method with at least one of the above or following features or with a combination is performed by at least two of the above or below features.

Die Erfindung betrifft ferner ein Teilchenstrahlgerät zur Erzeugung eines Bildes eines Objekts und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt, wobei das Teilchenstrahlgerät bereits weiter oben erläutert wurde und weiter unten präzisiert wird. Nachfolgend wird dies kurz zusammengefasst. Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät weist mindestens einen Strahlerzeuger zur Erzeugung eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen auf. Die geladenen Teilchen sind beispielsweise Elektronen oder Ionen. Das Teilchenstrahlgerät weist auch einen beweglich ausgebildeten Objekthalter auf, an dem das Objekt angeordnet werden kann. Ferner weist das Teilchenstrahlgerät mindestens eine Funktionseinheit auf. Unter einer Funktionseinheit wird vorstehend und auch nachstehend eine Baueinheit des Teilchenstrahlgeräts verstanden, welche sich in irgendeiner Art und Weise einstellen lässt. Beispielsweise lässt sich die Position der Funktionseinheit im Teilchenstrahlgerät einstellen. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, eine elektrostatische und/oder magnetische Ausbildung der Funktionseinheit einzustellen. Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Möglichkeiten der Einstellung eingeschränkt. Vielmehr kann die Funktionseinheit in jeder Art und Weise eingestellt werden, die für die Erfindung geeignet ist.The invention also relates to a particle beam device for generating an image of an object and/or a representation of data about the object, with the particle beam device already being explained above and being specified further below. This is briefly summarized below. The particle beam device according to the invention has at least one beam generator for generating a particle beam with charged particles. The charged particles are, for example, electrons or ions. The particle beam device also has a movable object holder on which the object can be arranged. Furthermore, the particle beam device has at least one functional unit. A functional unit is understood above and also below to mean a structural unit of the particle beam device, which can be adjusted in any way. For example, the position of the functional unit in the particle beam device can be adjusted. In addition or as an alternative, it is provided to set an electrostatic and/or magnetic configuration of the functional unit. The invention is not limited to the aforementioned adjustment options. Rather, the functional unit can be set up in any manner that is suitable for the invention.

Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät weist darüber hinaus mindestens eine Steuereinheit zur Ansteuerung der Funktionseinheit auf. Ferner weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens eine Führungseinheit zum Führen des Teilchenstrahls auf das Objekt auf. Die Führungseinheit ist beispielsweise als die Funktionseinheit ausgebildet. Ferner weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens einen ersten Detektor zur Detektion von Wechselwirkungsteilchen auf, die aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt hervorgehen. Darüber hinaus weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens einen zweiten Detektor zur Detektion von Wechselwirkungsstrahlung auf, die aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt hervorgeht. Ferner ist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mit mindestens einer Anzeigeeinheit zum Anzeigen eines Bildes des Objekts und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt versehen, wobei das Bild und/oder die Darstellung basierend auf Detektionssignalen erzeugt werden/wird, welche durch die detektierte(n) Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung generiert werden. Darüber hinaus weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät einen Prozessor auf, in dem ein Computerprogrammprodukt mit den bereits weiter oben genannten Merkmalen geladen ist.The particle beam device according to the invention also has at least one control unit for controlling the functional unit. Furthermore, the particle beam device according to the invention has at least one guide unit for guiding the particle beam onto the object. The guide unit is designed as the functional unit, for example. Furthermore, the particle beam device according to the invention has at least one first detector for detecting interaction particles that result from an interaction of the particle beam with the object when the particle beam impinges on the object. In addition, the particle beam device according to the invention has at least one second detector for detecting interaction radiation, which results from an interaction of the particle beam with the object when the particle beam impinges on the object. Furthermore, the particle beam device according to the invention is provided with at least one display unit for displaying an image of the object and/or a representation of data about the object, the image and/or the representation being/is generated based on detection signals which are generated by the detected(s) Interaction particles and / or interaction radiation are generated. In addition, the particle beam device according to the invention has a processor in which a computer program product with the features already mentioned above is loaded.

Bei einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgeräts umfasst die Führungseinheit mindestens eines der folgenden Merkmale:

  • - mindestens eine Objektivlinse zur Fokussierung des Teilchenstrahls,
  • - mindestens eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit, wobei diese beispielsweise zur Zentrierung des Teilchenstrahls in der Objektivlinse, zur Einstellung der Rastergeschwindigkeit des Teilchenstrahls bei einer Rasterung des Teilchenstrahls über das Objekt oder zur Einstellung eines „Beamshift“ verwendet wird,
  • - mindestens einen Stigmator,
  • - mindestens eine mechanisch verstellbare Blendeneinheit, sowie
  • - mindestens eine Kondensorlinse.
In a further embodiment of the particle beam device according to the invention, the guide unit comprises at least one of the following features:
  • - at least one objective lens for focusing the particle beam,
  • - at least one electrostatic and/or magnetic unit, which is used, for example, to center the particle beam in the objective lens, to adjust the raster speed of the particle beam when the particle beam is rastered over the object or to adjust a "beam shift",
  • - at least one stigma,
  • - at least one mechanically adjustable panel unit, as well as
  • - at least one condenser lens.

Bei einer noch weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgeräts umfasst die Funktionseinheit den beweglich ausgebildeten Objekthalter.In yet another embodiment of the particle beam device according to the invention, the functional unit comprises the movably designed object holder.

Bei einer wiederum weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgeräts ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass der Strahlerzeuger als ein erster Strahlerzeuger und der Teilchenstrahl als ein erster Teilchenstrahl mit ersten geladenen Teilchen ausgebildet ist. Die Führungseinheit ist als eine erste Führungseinheit zur Führung des ersten Teilchenstrahls auf das Objekt ausgebildet. Ferner weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens einen zweiten Strahlerzeuger zur Erzeugung eines zweiten Teilchenstrahls mit zweiten geladenen Teilchen auf. Darüber hinaus weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens eine zweite Führungseinheit zur Führung des zweiten Teilchenstrahls auf das Objekt auf.In yet another embodiment of the particle beam device according to the invention, it is additionally or alternatively provided that the beam generator is designed as a first beam generator and the particle beam as a first particle beam with first charged particles. The guide unit is designed as a first guide unit for guiding the first particle beam onto the object. Furthermore, the particle beam device according to the invention has at least one second beam generator for generating a second particle beam with second charged particles. In addition, the particle beam device according to the invention has at least one second guide unit for guiding the second particle beam onto the object.

Insbesondere ist es vorgesehen, das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät als Elektronenstrahlgerät und/oder als ein lonenstrahlgerät auszubilden.In particular, provision is made for the particle beam device according to the invention to be in the form of an electron beam device and/or an ion beam device.

Weitere praktische Ausführungsformen und Vorteile der Erfindung sind nachfolgend im Zusammenhang mit den Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:

  • 1 eine schematische Darstellung eines erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgeräts;
  • 1A eine schematische Darstellung einer Steuereinheit, die mit Funktionseinheiten und Führungseinheiten des Teilchenstrahlgeräts gemäß 1 verbunden ist;
  • 2 eine schematische Darstellung eines weiteren erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgeräts;
  • 2A eine schematische Darstellung einer Steuereinheit, die mit Funktionseinheiten und Führungseinheiten des Teilchenstrahlgeräts gemäß 2 verbunden ist;
  • 3 eine schematische Darstellung eines noch weiteren erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgeräts;
  • 3A eine schematische Darstellung einer Steuereinheit, die mit Funktionseinheiten und Führungseinheiten des Teilchenstrahlgeräts gemäß 3 verbunden ist;
  • 4 ein Ablaufdiagramm einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 5 ein Ablaufdiagramm einer ersten Gruppe von Verfahrensschritten des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 6 ein Ablaufdiagramm einer zweiten Gruppe von Verfahrensschritten des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 7 ein Ablaufdiagramm von weiteren Verfahrensschritten des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 8 ein Ablaufdiagramm von noch weiteren Verfahrensschritten des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 9 ein Ablaufdiagramm von wiederum weiteren Verfahrensschritten des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 10 ein Ablaufdiagramm von Verfahrensschritten des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 11 ein Ablaufdiagramm von weiteren Verfahrensschritten des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 12 ein Ablaufdiagramm von noch weiteren Verfahrensschritten des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 13 einen weiteren Verfahrensschritt des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 14 ein Ablaufdiagramm von weiteren Verfahrensschritten des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 15 einen wiederum weiteren Verfahrensschritt des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 16 ein Ablaufdiagramm von noch weiteren Verfahrensschritten des erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 17 einen weiteren Verfahrensschritt des erfindungsgemäßen Verfahrens; sowie
  • 18 einen wiederum weiteren Verfahrensschritt des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Further practical embodiments and advantages of the invention are described below in connection with the drawings. Show it:
  • 1 a schematic representation of a particle beam device according to the invention;
  • 1A a schematic representation of a control unit with functional units and management units of the particle beam device according to FIG 1 connected is;
  • 2 a schematic representation of a further particle beam device according to the invention;
  • 2A a schematic representation of a control unit with functional units and management units of the particle beam device according to FIG 2 connected is;
  • 3 a schematic representation of yet another particle beam device according to the invention;
  • 3A a schematic representation of a control unit with functional units and management units of the particle beam device according to FIG 3 connected is;
  • 4 a flowchart of an embodiment of the method according to the invention;
  • 5 a flow chart of a first group of method steps of the method according to the invention;
  • 6 a flowchart of a second group of method steps of the method according to the invention;
  • 7 a flowchart of further method steps of the method according to the invention;
  • 8th a flow chart of further method steps of the method according to the invention;
  • 9 a flow chart of further method steps of the method according to the invention;
  • 10 a flowchart of method steps of the method according to the invention;
  • 11 a flowchart of further method steps of the method according to the invention;
  • 12 a flow chart of further method steps of the method according to the invention;
  • 13 a further process step of the process according to the invention;
  • 14 a flowchart of further method steps of the method according to the invention;
  • 15 an in turn further process step of the process according to the invention;
  • 16 a flow chart of further method steps of the method according to the invention;
  • 17 a further process step of the process according to the invention; such as
  • 18 an in turn further process step of the process according to the invention.

Die Erfindung wird nun mittels Teilchenstrahlgeräten in Form eines SEM und in Form eines Kombinationsgeräts, das eine Elektronenstrahlsäule und eine Ionenstrahlsäule aufweist, näher erläutert. Es wird ausdrücklich darauf hingewiesen, dass die Erfindung bei jedem Teilchenstrahlgerät, insbesondere bei jedem Elektronenstrahlgerät und/oder jedem lonenstrahlgerät eingesetzt werden kann.The invention will now be explained in more detail using particle beam devices in the form of an SEM and in the form of a combination device which has an electron beam column and an ion beam column. It is expressly pointed out that the invention can be used in any particle beam device, in particular in any electron beam device and/or any ion beam device.

1 zeigt eine schematische Darstellung eines SEM 100. Das SEM 100 weist einen ersten Strahlerzeuger in Form einer Elektronenquelle 101 auf, welche als Kathode ausgebildet ist. Ferner ist das SEM 100 mit einer Extraktionselektrode 102 sowie mit einer Anode 103 versehen, die auf ein Ende eines Strahlführungsrohrs 104 des SEM 100 aufgesetzt ist. Beispielsweise ist die Elektronenquelle 101 als thermischer Feldemitter ausgebildet. Die Erfindung ist allerdings nicht auf eine derartige Elektronenquelle 101 eingeschränkt. Vielmehr ist jede Elektronenquelle verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist. 1 shows a schematic representation of an SEM 100. The SEM 100 has a first beam generator in the form of an electron source 101, which is designed as a cathode. Furthermore, the SEM 100 is provided with an extraction electrode 102 and an anode 103 which is placed on one end of a beam guiding tube 104 of the SEM 100 . For example, the electron source 101 is designed as a thermal field emitter. However, the invention is not limited to such Electron source 101 restricted. Rather, any electron source suitable for the invention can be used.

Elektronen, die aus der Elektronenquelle 101 austreten, bilden einen Primärelektronenstrahl. Die Elektronen werden aufgrund einer Potentialdifferenz zwischen der Elektronenquelle 101 und der Anode 103 auf Anodenpotential beschleunigt. Das Anodenpotential beträgt bei der hier dargestellten Ausführungsform 100 V bis 35 kV gegenüber einem Massepotential eines Gehäuses einer Probenkammer 120, beispielsweise 5 kV bis 15 kV, insbesondere 8 kV. Es könnte aber alternativ auch auf Massepotential liegen. Electrons exiting the electron source 101 form a primary electron beam. The electrons are accelerated to anode potential due to a potential difference between the electron source 101 and the anode 103 . In the embodiment shown here, the anode potential is 100 V to 35 kV compared to a ground potential of a housing of a sample chamber 120, for example 5 kV to 15 kV, in particular 8 kV. Alternatively, it could also be at ground potential.

An dem Strahlführungsrohr 104 sind zwei Kondensorlinsen angeordnet, nämlich eine erste Kondensorlinse 105 und eine zweite Kondensorlinse 106. Dabei sind ausgehend von der Elektronenquelle 101 in Richtung einer ersten Objektivlinse 107 gesehen zunächst die erste Kondensorlinse 105 und dann die zweite Kondensorlinse 106 angeordnet. Es wird explizit darauf hingewiesen, dass weitere Ausführungsformen des SEM 100 nur eine einzelne Kondensorlinse aufweisen können. Zwischen der Anode 103 und der ersten Kondensorlinse 105 ist eine erste Blendeneinheit 108 angeordnet. Die erste Blendeneinheit 108 liegt zusammen mit der Anode 103 und dem Strahlführungsrohr 104 auf Hochspannungspotential, nämlich dem Potential der Anode 103 oder auf Masse. Die erste Blendeneinheit 108 weist zahlreiche erste Blendenöffnungen 108A auf, von denen eine in 1 dargestellt ist. Beispielsweise sind zwei erste Blendenöffnungen 108A vorhanden. Jede der zahlreichen ersten Blendenöffnungen 108A weist einen unterschiedlichen Öffnungsdurchmesser auf. Mittels eines Verstellmechanismus (nicht dargestellt) ist es möglich, eine gewünschte erste Blendenöffnung 108A auf eine optische Achse OA des SEM 100 einzustellen. Es wird explizit darauf hingewiesen, dass bei weiteren Ausführungsformen die erste Blendeneinheit 108 nur mit einer einzigen ersten Blendenöffnung 108A versehen sein kann. Bei dieser Ausführungsform kann ein Verstellmechanismus nicht vorgesehen sein. Die erste Blendeneinheit 108 ist dann ortsfest ausgebildet. Zwischen der ersten Kondensorlinse 105 und der zweiten Kondensorlinse 106 ist eine ortsfeste zweite Blendeneinheit 109 angeordnet. Alternativ hierzu ist es vorgesehen, die zweite Blendeneinheit 109 beweglich auszubilden.Two condenser lenses are arranged on the beam guiding tube 104, namely a first condenser lens 105 and a second condenser lens 106. Starting from the electron source 101 in the direction of a first objective lens 107, first the first condenser lens 105 and then the second condenser lens 106 are arranged. It is explicitly pointed out that further embodiments of the SEM 100 can only have a single condenser lens. A first diaphragm unit 108 is arranged between the anode 103 and the first condenser lens 105 . The first diaphragm unit 108, together with the anode 103 and the beam guidance tube 104, is at high-voltage potential, namely the potential of the anode 103 or at ground. The first diaphragm unit 108 has numerous first diaphragm openings 108A, one of which is in 1 is shown. For example, there are two first apertures 108A. Each of the plurality of first apertures 108A has a different aperture diameter. It is possible to adjust a desired first diaphragm opening 108A to an optical axis OA of the SEM 100 by means of an adjustment mechanism (not shown). It is explicitly pointed out that in further embodiments the first screen unit 108 can be provided with only a single first screen opening 108A. In this embodiment, an adjustment mechanism cannot be provided. The first panel unit 108 is then designed to be stationary. A stationary second diaphragm unit 109 is arranged between the first condenser lens 105 and the second condenser lens 106 . As an alternative to this, provision is made for the second screen unit 109 to be designed to be movable.

Die erste Objektivlinse 107 weist Polschuhe 110 auf, in denen eine Bohrung ausgebildet ist. Durch diese Bohrung ist das Strahlführungsrohr 104 geführt. In den Polschuhen 110 ist eine Spule 111 angeordnet.The first objective lens 107 has pole shoes 110 in which a bore is formed. The beam guiding tube 104 is guided through this bore. A coil 111 is arranged in the pole shoes 110 .

In einem unteren Bereich des Strahlführungsrohrs 104 ist eine elektrostatische Verzögerungseinrichtung angeordnet. Diese weist eine einzelne Elektrode 112 und eine Rohrelektrode 113 auf. Die Rohrelektrode 113 ist an einem Ende des Strahlführungsrohrs 104 angeordnet, welches einem Objekt 125 zugewandt ist, das an einem beweglich ausgebildeten Objekthalter 114 angeordnet ist.An electrostatic deceleration device is arranged in a lower region of the beam guiding tube 104 . This has a single electrode 112 and a tubular electrode 113 . The tubular electrode 113 is arranged at one end of the beam guidance tube 104 which faces an object 125 which is arranged on a movable object holder 114 .

Die Rohrelektrode 113 liegt gemeinsam mit dem Strahlführungsrohr 104 auf dem Potential der Anode 103, während die einzelne Elektrode 112 sowie das Objekt 125 auf einem gegenüber dem Potential der Anode 103 niedrigeren Potential liegen. Im vorliegenden Fall ist dies das Massepotential des Gehäuses der Probenkammer 120. Auf diese Weise können die Elektronen des Primärelektronenstrahls auf eine gewünschte Energie abgebremst werden, die für die Untersuchung des Objekts 125 gewünscht ist.The tube electrode 113 lies together with the beam guiding tube 104 at the potential of the anode 103, while the individual electrode 112 and the object 125 lie at a potential which is lower than the potential of the anode 103. In the present case, this is the ground potential of the housing of the sample chamber 120. In this way, the electrons of the primary electron beam can be decelerated to a desired energy that is desired for examining the object 125.

Das SEM 100 weist ferner eine Scaneinrichtung 115 auf, durch die der Primärelektronenstrahl abgelenkt und über das Objekt 125 gescannt (bzw. gerastert) werden kann. Die Elektronen des Primärelektronenstrahls treten dabei in Wechselwirkung mit dem Objekt 125. Als Folge der Wechselwirkung entstehen Wechselwirkungsteilchen, welche detektiert werden. Als Wechselwirkungsteilchen werden insbesondere Elektronen aus der Oberfläche des Objekts 125 emittiert - sogenannte Sekundärelektronen - oder Elektronen des Primärelektronenstrahls zurückgestreut - sogenannte Rückstreuelektronen.The SEM 100 also has a scanning device 115, by which the primary electron beam can be deflected and scanned (or rastered) over the object 125. The electrons of the primary electron beam thereby interact with the object 125. As a result of the interaction, interaction particles arise which are detected. In particular, electrons are emitted from the surface of the object 125 as interaction particles—so-called secondary electrons—or electrons of the primary electron beam are scattered back—so-called backscattered electrons.

Das Objekt 125 und die einzelne Elektrode 112 können auch auf unterschiedlichen und von Masse verschiedenen Potentialen liegen. Hierdurch ist es möglich, den Ort der Verzögerung des Primärelektronenstrahls in Bezug auf das Objekt 125 einzustellen. Wird beispielsweise die Verzögerung recht nahe am Objekt 125 durchgeführt, werden Abbildungsfehler kleiner.The object 125 and the individual electrode 112 can also be at different potentials and different from ground. This makes it possible to adjust the location of the deceleration of the primary electron beam in relation to the object 125 . For example, if the deceleration is carried out very close to the object 125, imaging errors become smaller.

Zur Detektion der Sekundärelektronen und/oder der Rückstreuelektronen ist eine Detektoranordnung im Strahlführungsrohr 104 angeordnet, die einen ersten Detektor 116 und einen zweiten Detektor 117 aufweist. Der erste Detektor 116 ist dabei entlang der optischen Achse OA quellenseitig angeordnet, während der zweite Detektor 117 objektseitig entlang der optischen Achse OA im Strahlführungsrohr 104 angeordnet ist. Der erste Detektor 116 und der zweite Detektor 117 sind in Richtung der optischen Achse OA des SEM 100 versetzt zueinander angeordnet. Sowohl der erste Detektor 116 als auch der zweite Detektor 117 weisen jeweils eine Durchgangsöffnung auf, durch welche der Primärelektronenstrahl treten kann. Der erste Detektor 116 und der zweite Detektor 117 liegen annähernd auf dem Potential der Anode 103 und des Strahlführungsrohrs 104. Die optische Achse OA des SEM 100 verläuft durch die jeweiligen Durchgangsöffnungen.A detector arrangement, which has a first detector 116 and a second detector 117, is arranged in the beam guidance tube 104 to detect the secondary electrons and/or the backscattered electrons. The first detector 116 is arranged along the optical axis OA on the source side, while the second detector 117 is arranged on the object side along the optical axis OA in the beam guiding tube 104 . The first detector 116 and the second detector 117 are offset from one another in the direction of the optical axis OA of the SEM 100 . Both the first detector 116 and the second detector 117 each have a passage opening through which the primary electron beam can pass. The first detector 116 and the second detector 117 are approximately on the Potential of the anode 103 and the beam guiding tube 104. The optical axis OA of the SEM 100 runs through the respective through openings.

Der zweite Detektor 117 dient hauptsächlich der Detektion von Sekundärelektronen. Die Sekundärelektronen weisen beim Austritt aus dem Objekt 125 zunächst eine geringe kinetische Energie und beliebige Bewegungsrichtungen auf. Durch das von der Rohrelektrode 113 ausgehende starke Absaugfeld werden die Sekundärelektronen in Richtung der ersten Objektivlinse 107 beschleunigt. Die Sekundärelektronen treten annähernd parallel in die erste Objektivlinse 107 ein. Der Bündeldurchmesser des Strahls der Sekundärelektronen bleibt auch in der ersten Objektivlinse 107 klein. Die erste Objektivlinse 107 wirkt nun stark auf die Sekundärelektronen und erzeugt einen vergleichsweise kurzen Fokus der Sekundärelektronen mit ausreichend steilen Winkeln zur optischen Achse OA, so dass die Sekundärelektronen nach dem Fokus weit auseinander laufen und den zweiten Detektor 117 auf seiner aktiven Fläche treffen. An dem Objekt 125 zurückgestreute Elektronen - also Rückstreuelektronen, die im Vergleich zu den Sekundärelektronen eine relativ hohe kinetische Energie beim Austritt aus dem Objekt 125 aufweisen - werden dagegen vom zweiten Detektor 117 nur zu einem geringen Anteil erfasst. Die hohe kinetische Energie und die Winkel der Rückstreuelektronen zur optischen Achse OA bei Austritt aus dem Objekt 125 führen dazu, dass eine Strahltaille, also ein Strahlbereich mit minimalem Durchmesser, der Rückstreuelektronen in der Nähe des zweiten Detektors 117 liegt. Ein großer Teil der Rückstreuelektronen tritt durch die Durchgangsöffnung des zweiten Detektors 117 hindurch. Der erste Detektor 116 dient daher im Wesentlichen zur Erfassung der Rückstreuelektronen.The second detector 117 mainly serves to detect secondary electrons. When exiting the object 125, the secondary electrons initially have a low kinetic energy and any direction of movement. The secondary electrons are accelerated in the direction of the first objective lens 107 by the strong extraction field emanating from the tubular electrode 113 . The secondary electrons enter the first objective lens 107 approximately in parallel. The bundle diameter of the secondary electron beam also remains small in the first objective lens 107 . The first objective lens 107 now has a strong effect on the secondary electrons and creates a comparatively short focus of the secondary electrons with sufficiently steep angles to the optical axis OA, so that the secondary electrons diverge far after the focus and hit the second detector 117 on its active surface. Electrons backscattered at the object 125--that is, backscattered electrons which, compared to the secondary electrons, have a relatively high kinetic energy when exiting the object 125--are detected by the second detector 117 only to a small extent. The high kinetic energy and the angle of the backscattered electrons to the optical axis OA when exiting the object 125 mean that a beam waist, ie a beam area with a minimal diameter, of the backscattered electrons is in the vicinity of the second detector 117 . A large part of the backscattered electrons passes through the through hole of the second detector 117 . The first detector 116 is therefore essentially used to detect the backscattered electrons.

Bei einer weiteren Ausführungsform des SEM 100 kann der erste Detektor 116 zusätzlich mit einem Gegenfeldgitter 116A ausgebildet sein. Das Gegenfeldgitter 116A ist an der zum Objekt 125 gerichteten Seite des ersten Detektors 116 angeordnet. Das Gegenfeldgitter 116A weist ein hinsichtlich des Potentials des Strahlführungsrohrs 104 negatives Potential derart auf, dass nur Rückstreuelektronen mit einer hohen Energie durch das Gegenfeldgitter 116A zu dem ersten Detektor 116 gelangen. Zusätzlich oder alternativ weist der zweite Detektor 117 ein weiteres Gegenfeldgitter auf, das analog zum vorgenannten Gegenfeldgitter 116A des ersten Detektors 116 ausgebildet ist und eine analoge Funktion aufweist.In a further embodiment of the SEM 100, the first detector 116 can additionally be formed with an opposing field grating 116A. The opposing field grating 116A is arranged on the side of the first detector 116 facing the object 125 . The opposing field grid 116A has a negative potential with respect to the potential of the beam guidance tube 104 such that only backscattered electrons with a high energy reach the first detector 116 through the opposing field grid 116A. Additionally or alternatively, the second detector 117 has a further opposing field grating, which is designed analogously to the aforementioned opposing field grating 116A of the first detector 116 and has an analogous function.

Ferner weist das SEM 100 in der Probenkammer 120 einen Kammerdetektor 119 auf, beispielsweise einen Everhart-Thornley-Detektor oder einen Ionendetektor, welcher eine mit Metall beschichtete Detektionsfläche aufweist, welche Licht abschirmt.Furthermore, in the sample chamber 120, the SEM 100 has a chamber detector 119, such as an Everhart-Thornley detector or an ion detector, which has a metal-coated detection surface that shields light.

Die mit dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 und dem Kammerdetektor 119 erzeugten Detektionssignale werden verwendet, um ein Bild oder Bilder der Oberfläche des Objekts 125 zu erzeugen.The detection signals generated by the first detector 116, the second detector 117 and the chamber detector 119 are used to generate an image or images of the surface of the object 125.

Es wird explizit darauf hingewiesen, dass die Blendenöffnungen der ersten Blendeneinheit 108 und der zweiten Blendeneinheit 109 sowie die Durchgangsöffnungen des ersten Detektors 116 und des zweiten Detektors 117 übertrieben dargestellt sind. Die Durchgangsöffnungen des ersten Detektors 116 und des zweiten Detektors 117 haben eine Ausdehnung senkrecht zur optischen Achse OA im Bereich von 0,5 mm bis 5 mm. Beispielsweise sind sie kreisförmig ausgebildet und weisen einen Durchmesser im Bereich von 1 mm bis 3 mm senkrecht zur optischen Achse OA auf.It is explicitly pointed out that the diaphragm openings of the first diaphragm unit 108 and the second diaphragm unit 109 and the passage openings of the first detector 116 and the second detector 117 are shown in an exaggerated manner. The passage openings of the first detector 116 and the second detector 117 have an extension perpendicular to the optical axis OA in the range of 0.5 mm to 5 mm. For example, they are circular and have a diameter in the range of 1 mm to 3 mm perpendicular to the optical axis OA.

Die zweite Blendeneinheit 109 ist bei der hier dargestellten Ausführungsform als Lochblende ausgestaltet und ist mit einer zweiten Blendenöffnung 118 für den Durchtritt des Primärelektronenstrahls versehen, welche eine Ausdehnung im Bereich vom 5 µm bis 500 µm aufweist, beispielsweise 35 µm. Alternativ hierzu ist es bei einer weiteren Ausführungsform vorgesehen, dass die zweite Blendeneinheit 109 mit mehreren Blendenöffnungen versehen ist, die mechanisch zum Primärelektronenstrahl verschoben werden können oder die unter Verwendung von elektrischen und/oder magnetischen Ablenkelementen vom Primärelektronenstrahl erreicht werden können. Die zweite Blendeneinheit 109 ist als eine Druckstufenblende ausgebildet. Diese trennt einen ersten Bereich, in welchem die Elektronenquelle 101 angeordnet ist und in welchem ein Ultrahochvakuum herrscht (10-7 hPa bis 10-12 hPa), von einem zweiten Bereich, der ein Hochvakuum aufweist (10-3 hPa bis 10-7 hPa). Der zweite Bereich ist der Zwischendruckbereich des Strahlführungsrohrs 104, welcher zur Probenkammer 120 hinführt.In the embodiment shown here, the second diaphragm unit 109 is designed as a perforated diaphragm and is provided with a second diaphragm opening 118 for the passage of the primary electron beam, which has an extension in the range from 5 μm to 500 μm, for example 35 μm. As an alternative to this, it is provided in a further embodiment that the second diaphragm unit 109 is provided with a plurality of diaphragm openings which can be mechanically shifted to the primary electron beam or which can be achieved using electrical and/or magnetic deflection elements from the primary electron beam. The second diaphragm unit 109 is designed as a pressure stage diaphragm. This separates a first area, in which the electron source 101 is arranged and in which there is an ultra-high vacuum (10 -7 hPa to 10 -12 hPa), from a second area, which has a high vacuum (10 -3 hPa to 10 -7 hPa ). The second area is the intermediate pressure area of the beam guiding tube 104 which leads to the sample chamber 120 .

Die Probenkammer 120 steht unter Vakuum. Zur Erzeugung des Vakuums ist an der Probenkammer 120 eine Pumpe (nicht dargestellt) angeordnet. Bei der in 1 dargestellten Ausführungsform wird die Probenkammer 120 in einem ersten Druckbereich oder in einem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Um diese Druckbereiche zu gewährleisten, ist die Probenkammer 120 vakuumtechnisch verschlossen.The sample chamber 120 is under vacuum. A pump (not shown) is arranged on the sample chamber 120 to generate the vacuum. At the in 1 illustrated embodiment, the sample chamber 120 is operated in a first pressure range or in a second pressure range. The first pressure range only includes pressures less than or equal to 10 -3 hPa, and the second pressure range only includes pressures greater than 10 -3 hPa. In order to ensure these pressure ranges, the sample chamber 120 is sealed in terms of vacuum technology.

Der Objekthalter 114 ist an einem Probentisch 122 angeordnet. Der Probentisch 122 ist in drei zueinander senkrecht angeordnete Richtungen beweglich ausgebildet, nämlich in eine x-Richtung (erste Tischachse), in eine y-Richtung (zweite Tischachse) und in eine z-Richtung (dritte Tischachse). Darüber hinaus kann der Probentisch 122 um zwei zueinander senkrecht angeordnete Rotationsachsen (Tischrotationsachsen) gedreht werden. Die Erfindung ist nicht auf den vorbeschriebenen Probentisch 122 eingeschränkt. Vielmehr kann der Probentisch 122 weitere Translationsachsen und Rotationsachsen aufweisen, entlang derer oder um welche sich der Probentisch 122 bewegen kann.The object holder 114 is arranged on a sample table 122 . The sample table 122 is arranged in three mutually perpendicular directions designed to be movable, namely in an x-direction (first table axis), in a y-direction (second table axis) and in a z-direction (third table axis). In addition, the sample table 122 can be rotated about two axes of rotation (table rotation axes) arranged perpendicular to one another. The invention is not limited to the sample table 122 described above. Rather, the sample stage 122 can have further translational axes and rotational axes along or around which the sample stage 122 can move.

Das SEM 100 weist ferner einen dritten Detektor 121 auf, welcher in der Probenkammer 120 angeordnet ist. Genauer gesagt, ist der dritte Detektor 121 von der Elektronenquelle 101 aus gesehen entlang der optischen Achse OA hinter dem Probentisch 122 angeordnet. Der Probentisch 122 und somit der Objekthalter 114 können derart gedreht werden, dass das am Objekthalter 114 angeordnete Objekt 125 vom Primärelektronenstrahl durchstrahlt werden kann. Beim Durchtritt des Primärelektronenstrahls durch das zu untersuchende Objekt 125 treten die Elektronen des Primärelektronenstrahls mit dem Material des zu untersuchenden Objekts 125 in Wechselwirkung. Die durch das zu untersuchende Objekt 125 hindurchtretenden Elektronen werden durch den dritten Detektor 121 detektiert.The SEM 100 also has a third detector 121 which is arranged in the sample chamber 120 . More specifically, the third detector 121 is arranged behind the sample stage 122 when viewed from the electron source 101 along the optical axis OA. The sample table 122 and thus the object holder 114 can be rotated in such a way that the object 125 arranged on the object holder 114 can be irradiated by the primary electron beam. When the primary electron beam passes through the object 125 to be examined, the electrons of the primary electron beam interact with the material of the object 125 to be examined. The electrons passing through the object 125 to be examined are detected by the third detector 121 .

An der Probenkammer 120 ist ein Strahlungsdetektor 500 angeordnet, mit dem Wechselwirkungsstrahlung, beispielsweise Röntgenstrahlung und/oder Kathodolumineszenzlicht, detektiert wird. Der Strahlungsdetektor 500, der erste Detektor 116, der zweite Detektor 117 und der Kammerdetektor 119 sind mit einer Steuereinheit 123 verbunden, welche einen Monitor 124 aufweist. Auch der dritte Detektor 121 ist mit der Steuereinheit 123 verbunden. Dies ist aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt. Die Steuereinheit 123 verarbeitet Detektionssignale, welche von dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117, dem Kammerdetektor 119, dem dritten Detektor 121 und/oder dem Strahlungsdetektor 500 erzeugt werden und zeigt diese in Form von Bildern auf dem Monitor 124 an.A radiation detector 500 is arranged on the sample chamber 120, with which interaction radiation, for example X-rays and/or cathodoluminescence light, is detected. The radiation detector 500, the first detector 116, the second detector 117 and the chamber detector 119 are connected to a control unit 123 which has a monitor 124. The third detector 121 is also connected to the control unit 123 . This is not shown for reasons of clarity. The control unit 123 processes detection signals which are generated by the first detector 116, the second detector 117, the chamber detector 119, the third detector 121 and/or the radiation detector 500 and displays them in the form of images on the monitor 124.

Die Steuereinheit 123 weist ferner eine Datenbank 126 auf, in der Daten gespeichert werden und aus der Daten ausgelesen werden. Ferner ist die Steuereinheit 123 mit der Scaneinrichtung 115 verbunden. Darüber hinaus ist die Steuereinheit 123 mit weiteren Einheiten des SEM 100 verbunden. Dies wird weiter unten näher dargestellt.The control unit 123 also has a database 126 in which data is stored and from which data is read. Furthermore, the control unit 123 is connected to the scanning device 115 . In addition, the control unit 123 is connected to other units of the SEM 100 . This is explained in more detail below.

Die Steuereinheit 123 des SEM 100 weist einen Prozessor auf. In den Prozessor ist ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode geladen, der bei Ausführung ein Verfahren zum Betrieb des SEM 100 ausführt. Dies wird weiter unten näher erläutert.The control unit 123 of the SEM 100 has a processor. A computer program product with program code is loaded into the processor, which when executed executes a method for operating the SEM 100 . This is explained in more detail below.

1A zeigt eine schematische Darstellung der Steuereinheit 123 des SEM 100. Wie bereits weiter oben teilweise ausgeführt, ist die Steuereinheit 123 des SEM 100 mit Funktionseinheiten und Führungseinheiten des SEM 100 leitungstechnisch verbunden. Unter einer Funktionseinheit wird eine Baueinheit des SEM 100 verstanden, welche sich in irgendeiner Art und Weise einstellen lässt. Beispielsweise lässt sich die Position der Funktionseinheit im SEM 100 einstellen. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, eine elektrostatische und/oder magnetische Ausbildung der Funktionseinheit einzustellen. Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Möglichkeiten der Einstellung eingeschränkt. Vielmehr kann die Funktionseinheit in jeder Art und Weise eingestellt werden, die für die Erfindung geeignet ist. Unter einer Führungseinheit wird jegliche Einheit zur Führung des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 verstanden, aber auch Einheiten zur Formung des Primärelektronenstrahls, der dann zu dem Objekt 125 geführt wird. Die Führungseinheit ist beispielsweise als die erste Objektivlinse 107 zur Fokussierung des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125, als eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit zur Strahlformung oder zur Strahlführung, als Stigmator, als Kondensorlinse oder als mechanisch verstellbare Blendeneinheit ausgebildet, mit welcher der Primärelektronenstrahl begrenzt wird. 1A zeigt die Steuereinheit 123, die leitungstechnisch mit Funktionseinheiten und/oder Führungseinheiten des SEM 100 verbunden ist. Genauer gesagt ist die Steuereinheit 123 mit der Elektronenquelle 101, mit der Extraktionselektrode 102, mit der Anode 103, mit der ersten Blendeneinheit 108, mit der ersten Kondensorlinse 105, mit der zweiten Kondensorlinse 106, mit dem ersten Detektor 116, mit dem zweiten Detektor 117, mit dem dritten Detektor 121, mit dem Kammerdetektor 119, mit dem Strahlungsdetektor 500, mit der Scaneinrichtung 115, mit der Spule 111, mit der Rohrelektrode 113, mit der einzelnen Elektrode 112 und mit dem Probentisch 122 verbunden. 1A shows a schematic representation of the control unit 123 of the SEM 100. As already explained in part above, the control unit 123 of the SEM 100 is connected to functional units and management units of the SEM 100 by line technology. A functional unit is understood to mean a structural unit of the SEM 100 which can be adjusted in any way. For example, the position of the functional unit in the SEM 100 can be adjusted. In addition or as an alternative, it is provided to set an electrostatic and/or magnetic configuration of the functional unit. The invention is not limited to the aforementioned adjustment options. Rather, the functional unit can be set up in any manner that is suitable for the invention. A guidance unit is understood to mean any unit for guiding the primary electron beam onto the object 125, but also units for shaping the primary electron beam, which is then guided to the object 125. The guide unit is embodied, for example, as the first objective lens 107 for focusing the primary electron beam on the object 125, as an electrostatic and/or magnetic unit for beam shaping or for beam guidance, as a stigmator, as a condenser lens, or as a mechanically adjustable diaphragm unit with which the primary electron beam is limited . 1A shows the control unit 123, which is connected to functional units and/or management units of the SEM 100 by means of lines. More precisely, the control unit 123 is connected to the electron source 101, to the extraction electrode 102, to the anode 103, to the first diaphragm unit 108, to the first condenser lens 105, to the second condenser lens 106, to the first detector 116, to the second detector 117 , to the third detector 121, to the chamber detector 119, to the radiation detector 500, to the scanning device 115, to the coil 111, to the tubular electrode 113, to the single electrode 112 and to the sample stage 122.

2 zeigt ein Teilchenstrahlgerät in Form eines Kombinationsgeräts 200. Das Kombinationsgerät 200 weist zwei Teilchenstrahlsäulen auf. Zum einen ist das Kombinationsgerät 200 mit dem SEM 100 versehen, wie es in der 1 bereits dargestellt ist, allerdings ohne die Probenkammer 120. Vielmehr ist das SEM 100 an einer Probenkammer 201 angeordnet. Die Probenkammer 201 steht unter Vakuum. Zur Erzeugung des Vakuums ist an der Probenkammer 201 eine Pumpe (nicht dargestellt) angeordnet. Bei der in 2 dargestellten Ausführungsform wird die Probenkammer 201 in einem ersten Druckbereich oder in einem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Um diese Druckbereiche zu gewährleisten, ist die Probenkammer 201 vakuumtechnisch verschlossen. 2 shows a particle beam device in the form of a combination device 200. The combination device 200 has two particle beam columns. On the one hand, the combination device 200 is provided with the SEM 100, as shown in FIG 1 is already shown, but without the sample chamber 120. Rather, the SEM 100 is arranged on a sample chamber 201. The sample chamber 201 is under vacuum. A pump (not shown) is arranged on the sample chamber 201 to generate the vacuum. At the in 2 illustrated embodiment, the sample chamber 201 is operated in a first pressure range or in a second pressure range. The first pressure range includes only pressures smaller or equal to 10 -3 hPa, and the second pressure range only includes pressures greater than 10 -3 hPa. In order to ensure these pressure ranges, the sample chamber 201 is sealed in terms of vacuum technology.

In der Probenkammer 201 ist der Kammerdetektor 119 angeordnet, der beispielsweise als ein Everhart-Thornley-Detektor oder ein Ionendetektor ausgebildet ist und der eine mit Metall beschichtete Detektionsfläche aufweist, welche Licht abschirmt. Ferner ist in der Probenkammer 201 der dritte Detektor 121 angeordnet.The chamber detector 119 is arranged in the sample chamber 201 and is designed, for example, as an Everhart-Thornley detector or an ion detector and has a metal-coated detection surface that shields light. Furthermore, the third detector 121 is arranged in the sample chamber 201 .

Das SEM 100 dient der Erzeugung eines ersten Teilchenstrahls, nämlich des bereits weiter oben beschriebenen Primärelektronenstrahls und weist die bereits oben genannte optische Achse auf, die in der 2 mit dem Bezugszeichen 709 versehen ist und nachfolgend auch erste Strahlachse genannt wird. Zum anderen ist das Kombinationsgerät 200 mit einem lonenstrahlgerät 300 versehen, das ebenfalls an der Probenkammer 201 angeordnet ist. Das lonenstrahlgerät 300 weist ebenfalls eine optische Achse auf, die in der 2 mit dem Bezugszeichen 710 versehen ist und nachfolgend auch zweite Strahlachse genannt wird.The SEM 100 serves to generate a first particle beam, namely the primary electron beam already described above, and has the optical axis already mentioned above, which is shown in FIG 2 is provided with the reference number 709 and is also referred to below as the first beam axis. On the other hand, the combination device 200 is provided with an ion beam device 300 which is also arranged on the sample chamber 201 . The ion beam device 300 also has an optical axis in the 2 is provided with the reference number 710 and is also referred to below as the second beam axis.

Das SEM 100 ist hinsichtlich der Probenkammer 201 vertikal angeordnet. Hingegen ist das lonenstrahlgerät 300 um einen Winkel von ca. 0° bis 90° geneigt zum SEM 100 angeordnet. In der 2 ist beispielsweise eine Anordnung von ca. 50° dargestellt. Das lonenstrahlgerät 300 weist einen zweiten Strahlerzeuger in Form eines lonenstrahlerzeugers 301 auf. Mit dem lonenstrahlerzeuger 301 werden Ionen erzeugt, die einen zweiten Teilchenstrahl in Form eines lonenstrahls bilden. Die Ionen werden mittels einer Extraktionselektrode 302, die auf einem vorgebbaren Potential liegt, beschleunigt. Der zweite Teilchenstrahl gelangt dann durch eine Ionenoptik des lonenstrahlgeräts 300, wobei die Ionenoptik eine Kondensorlinse 303 und eine zweite Objektivlinse 304 aufweist. Die zweite Objektivlinse 304 erzeugt schließlich eine Ionensonde, die auf das an einem Objekthalter 114 angeordnete Objekt 125 fokussiert wird. Der Objekthalter 114 ist an einem Probentisch 122 angeordnet.The SEM 100 is arranged vertically with respect to the sample chamber 201 . In contrast, the ion beam device 300 is arranged inclined at an angle of approximately 0° to 90° to the SEM 100 . In the 2 an arrangement of approx. 50° is shown, for example. The ion beam device 300 has a second beam generator in the form of an ion beam generator 301 . The ion beam generator 301 generates ions that form a second particle beam in the form of an ion beam. The ions are accelerated by means of an extraction electrode 302, which is at a predeterminable potential. The second particle beam then passes through ion optics of the ion beam device 300 , the ion optics having a condenser lens 303 and a second objective lens 304 . Finally, the second objective lens 304 produces an ion probe which is focused on the object 125 arranged on an object holder 114 . The object holder 114 is arranged on a sample table 122 .

Oberhalb der zweiten Objektivlinse 304 (also in Richtung des lonenstrahlerzeugers 301) sind eine einstellbare oder auswählbare Blende 306, eine erste Elektrodenanordnung 307 und eine zweite Elektrodenanordnung 308 angeordnet, wobei die erste Elektrodenanordnung 307 und die zweite Elektrodenanordnung 308 als Scanelektroden ausgebildet sind. Mittels der ersten Elektrodenanordnung 307 und der zweiten Elektrodenanordnung 308 wird der zweite Teilchenstrahl über die Oberfläche des Objekts 125 gescannt (bzw. gerastert), wobei die erste Elektrodenanordnung 307 in eine erste Richtung und die zweite Elektrodenanordnung 308 in eine zweite Richtung wirken, die der ersten Richtung entgegengesetzt ist. Damit erfolgt das Scannen zum Beispiel in eine x-Richtung. Das Scannen in einer dazu senkrechten y-Richtung erfolgt durch weitere, um 90° verdrehte Elektroden (nicht dargestellt) an der ersten Elektrodenanordnung 307 und an der zweiten Elektrodenanordnung 308.An adjustable or selectable diaphragm 306, a first electrode arrangement 307 and a second electrode arrangement 308 are arranged above the second objective lens 304 (i.e. in the direction of the ion beam generator 301), the first electrode arrangement 307 and the second electrode arrangement 308 being designed as scanning electrodes. The second particle beam is scanned (or rastered) over the surface of the object 125 by means of the first electrode arrangement 307 and the second electrode arrangement 308, with the first electrode arrangement 307 acting in a first direction and the second electrode arrangement 308 in a second direction, that of the first direction is opposite. The scanning thus takes place, for example, in an x-direction. The scanning in a y-direction perpendicular thereto is carried out by further electrodes (not shown) rotated by 90° on the first electrode arrangement 307 and on the second electrode arrangement 308.

Wie oben erläutert, ist der Objekthalter 114 an dem Probentisch 122 angeordnet. Auch bei der in 2 gezeigten Ausführungsform ist der Probentisch 122 in drei zueinander senkrecht angeordnete Richtungen beweglich ausgebildet, nämlich in eine x-Richtung (erste Tischachse), in eine y-Richtung (zweite Tischachse) und in eine z-Richtung (dritte Tischachse). Darüber hinaus kann der Probentisch 122 um zwei zueinander senkrecht angeordnete Rotationsachsen (Tischrotationsachsen) gedreht werden.As explained above, the object holder 114 is arranged on the sample table 122 . Also at the in 2 In the embodiment shown, the sample stage 122 is designed to be movable in three mutually perpendicular directions, namely in an x-direction (first stage axis), in a y-direction (second stage axis) and in a z-direction (third stage axis). In addition, the sample table 122 can be rotated about two axes of rotation (table rotation axes) arranged perpendicular to one another.

Die in der 2 dargestellten Abstände zwischen den einzelnen Einheiten des Kombinationsgeräts 200 sind übertrieben dargestellt, um die einzelnen Einheiten des Kombinationsgeräts 200 besser darzustellen.The one in the 2 The distances shown between the individual units of the combination device 200 are exaggerated in order to show the individual units of the combination device 200 better.

An der Probenkammer 201 ist ein Strahlungsdetektor 500 angeordnet, mit dem Wechselwirkungsstrahlung, beispielsweise Röntgenstrahlung und/oder Kathodolumineszenzlicht, detektiert wird. Der Strahlungsdetektor 500 ist mit einer Steuereinheit 123 verbunden, welche einen Monitor 124 aufweist.A radiation detector 500 is arranged on the sample chamber 201, with which interaction radiation, for example X-rays and/or cathodoluminescence light, is detected. The radiation detector 500 is connected to a control unit 123 which has a monitor 124 .

Die Steuereinheit 123 verarbeitet Detektionssignale, welche von dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 (in 2 nicht dargestellt), dem Kammerdetektor 119, dem dritten Detektor 121 und/oder dem Strahlungsdetektor 500 erzeugt werden und zeigt diese in Form von Bildern auf dem Monitor 124 an.The control unit 123 processes detection signals which are received from the first detector 116, the second detector 117 (in 2 not shown), the chamber detector 119, the third detector 121 and/or the radiation detector 500 and displays these in the form of images on the monitor 124.

Die Steuereinheit 123 weist ferner eine Datenbank 126 auf, in der Daten gespeichert werden und aus der Daten ausgelesen werden. Ferner ist die Steuereinheit 123 mit der Scaneinrichtung 115 verbunden.The control unit 123 also has a database 126 in which data is stored and from which data is read. Furthermore, the control unit 123 is connected to the scanning device 115 .

Die Steuereinheit 123 des Kombinationsgeräts 200 weist einen Prozessor auf. In den Prozessor ist ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode geladen, der bei Ausführung ein Verfahren zum Betrieb des Kombinationsgeräts 200 ausführt. Dies wird weiter unten näher erläutert.The control unit 123 of the combination device 200 has a processor. A computer program product with a program code is loaded into the processor, which, when executed, executes a method for operating the combination device 200 . This is explained in more detail below.

2A zeigt eine schematische Darstellung der Steuereinheit 123 des Kombinationsgeräts 200. Wie bereits weiter oben teilweise ausgeführt, ist die Steuereinheit 123 des Kombinationsgeräts 200 mit Funktionseinheiten und Führungseinheiten des Kombinationsgeräts 200 leitungstechnisch verbunden. Unter einer Funktionseinheit wird eine Baueinheit des Kombinationsgeräts 200 verstanden, welche sich in irgendeiner Art und Weise einstellen lässt. Beispielsweise lässt sich die Position der Funktionseinheit im Kombinationsgerät 200 einstellen. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, eine elektrostatische und/oder magnetische Ausbildung der Funktionseinheit einzustellen. Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Möglichkeiten der Einstellung eingeschränkt. Vielmehr kann die Funktionseinheit in jeder Art und Weise eingestellt werden, die für die Erfindung geeignet ist. Unter einer Führungseinheit wird jegliche Einheit zur Führung des Primärelektronenstrahls und/oder des lonenstrahls auf das Objekt 125 verstanden, aber auch Einheiten zur Formung des Primärelektronenstrahls und/oder des Ionenstrahls, welche(r) dann zu dem Objekt 125 geführt wird/werden. Die Führungseinheit ist beispielsweise als die erste Objektivlinse 107 oder die zweite Objektivlinse 304, als eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit zur Strahlformung oder zur Strahlführung, als Stigmator, als Kondensorlinse oder als mechanisch verstellbare Blendeneinheit ausgebildet, mit welcher der Primärelektronenstrahl und/oder der lonenstrahl begrenzt wird. 2A zeigt die Steuereinheit 123, die leitungstechnisch mit der Elektronenquelle 101, mit der Extraktionselektrode 102, mit der Anode 103, mit der ersten Blendeneinheit 108, mit der ersten Kondensorlinse 105, mit der zweiten Kondensorlinse 106, mit dem ersten Detektor 116, mit dem zweiten Detektor 117, mit dem dritten Detektor 121, mit dem Kammerdetektor 119, mit dem Strahlungsdetektor 500, mit der Scaneinrichtung 115, mit der Spule 111, mit der Rohrelektrode 113, mit der einzelnen Elektrode 112, mit dem Probentisch 122, mit dem lonenstrahlerzeuger 301, mit der Extraktionselektrode 302 im lonenstrahlgerät 300, mit der Kondensorlinse 303 im lonenstrahlgerät 300, mit der einstellbaren oder auswählbaren Blende 306, mit der ersten Elektrodenanordnung 307 sowie mit der zweiten Elektrodenanordnung 308 verbunden ist. 2A shows a schematic representation of the control unit 123 of the combination device 200. As already explained in part above, the control unit 123 of the combination device 200 is also included Functional units and management units of the combination device 200 wired connected. A functional unit is understood to mean a structural unit of the combination device 200 which can be adjusted in any way. For example, the position of the functional unit in the combination device 200 can be adjusted. In addition or as an alternative, it is provided to set an electrostatic and/or magnetic configuration of the functional unit. The invention is not limited to the aforementioned adjustment options. Rather, the functional unit can be set up in any manner that is suitable for the invention. A guiding unit is any unit for guiding the primary electron beam and/or the ion beam onto the object 125, but also units for shaping the primary electron beam and/or the ion beam, which is/are then guided to the object 125. The guide unit is designed, for example, as the first objective lens 107 or the second objective lens 304, as an electrostatic and/or magnetic unit for beam shaping or for beam guidance, as a stigmator, as a condenser lens or as a mechanically adjustable diaphragm unit with which the primary electron beam and/or the ion beam is limited. 2A shows the control unit 123, which is wired to the electron source 101, to the extraction electrode 102, to the anode 103, to the first diaphragm unit 108, to the first condenser lens 105, to the second condenser lens 106, to the first detector 116, to the second detector 117, with the third detector 121, with the chamber detector 119, with the radiation detector 500, with the scanning device 115, with the coil 111, with the tubular electrode 113, with the individual electrode 112, with the sample table 122, with the ion beam generator 301, with the extraction electrode 302 in the ion beam device 300, with the condenser lens 303 in the ion beam device 300, with the adjustable or selectable diaphragm 306, with the first electrode arrangement 307 and with the second electrode arrangement 308.

3 ist eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform eines Teilchenstrahlgeräts nach der Erfindung. Diese Ausführungsform des Teilchenstrahlgeräts ist mit dem Bezugszeichen 400 versehen und umfasst einen Spiegelkorrektor zum Korrigieren beispielsweise von chromatischer und/oder sphärischer Aberration. Das Teilchenstrahlgerät 400 umfasst eine Teilchenstrahlsäule 401, die als Elektronenstrahlsäule ausgebildet ist und im Wesentlichen einer Elektronenstrahlsäule eines korrigierten SEM entspricht. Das Teilchenstrahlgerät 400 ist aber nicht auf ein SEM mit einem Spiegelkorrektor eingeschränkt. Vielmehr kann das Teilchenstrahlgerät jegliche Art von Korrektoreinheiten umfassen. 3 12 is a schematic representation of a further embodiment of a particle beam device according to the invention. This embodiment of the particle beam device is provided with reference number 400 and includes a mirror corrector for correcting, for example, chromatic and/or spherical aberration. The particle beam device 400 includes a particle beam column 401, which is designed as an electron beam column and essentially corresponds to an electron beam column of a corrected SEM. However, the particle beam device 400 is not limited to an SEM with a mirror corrector. Rather, the particle beam device can include any type of corrector units.

Die Teilchenstrahlsäule 401 umfasst einen Teilchenstrahlerzeuger in Form einer Elektronenquelle 402 (Kathode), eine Extraktionselektrode 403 und eine Anode 404. Beispielsweise ist die Elektronenquelle 402 als ein thermischer Feldemitter ausgebildet. Elektronen, die aus der Elektronenquelle 402 austreten, werden zu der Anode 404 aufgrund einer Potentialdifferenz zwischen der Elektronenquelle 402 und der Anode 404 beschleunigt. Demnach wird ein Teilchenstrahl in Form eines Elektronenstrahls entlang einer ersten optischen Achse OA1 gebildet.The particle beam column 401 comprises a particle beam generator in the form of an electron source 402 (cathode), an extraction electrode 403 and an anode 404. For example, the electron source 402 is designed as a thermal field emitter. Electrons exiting electron source 402 are accelerated toward anode 404 due to a potential difference between electron source 402 and anode 404 . Accordingly, a particle beam is formed in the form of an electron beam along a first optical axis OA1.

Der Teilchenstrahl wird entlang eines Strahlwegs geführt, welcher der ersten optischen Achse OA1 entspricht, nachdem der Teilchenstrahl aus der Elektronenquelle 402 ausgetreten ist. Zur Führung des Teilchenstrahls werden eine erste elektrostatische Linse 405, eine zweite elektrostatische Linse 406 und eine dritte elektrostatische Linse 407 verwendet.The particle beam is guided along a beam path corresponding to the first optical axis OA1 after the particle beam exits from the electron source 402 . A first electrostatic lens 405, a second electrostatic lens 406 and a third electrostatic lens 407 are used to guide the particle beam.

Ferner wird der Teilchenstrahl entlang des Strahlwegs unter Verwendung einer Strahlführungseinrichtung eingestellt. Die Strahlführungseinrichtung dieser Ausführungsform umfasst eine Quelleneinstelleinheit mit zwei magnetischen Ablenkeinheiten 408, die entlang der ersten optischen Achse OA1 angeordnet sind. Darüber hinaus umfasst das Teilchenstrahlgerät 400 elektrostatische Strahlablenkeinheiten. Eine erste elektrostatische Strahlablenkeinheit 409, die bei einer weiteren Ausführungsform auch als Quadrupol ausgebildet ist, ist zwischen der zweiten elektrostatischen Linse 406 und der dritten elektrostatischen Linse 407 angeordnet. Die erste elektrostatische Strahlablenkeinheit 409 ist hinter den magnetischen Ablenkeinheiten 408 angeordnet. Eine erste Multipoleinheit 409A in Form einer ersten magnetischen Ablenkeinheit ist an einer Seite der ersten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 409 angeordnet. Darüber hinaus ist eine zweite Multipoleinheit 409B in Form einer zweiten magnetischen Ablenkeinheit an der anderen Seite der ersten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 409 angeordnet. Die erste elektrostatische Strahlablenkeinheit 409, die erste Multipoleinheit 409A und die zweite Multipoleinheit 409B werden zur Einstellung des Teilchenstrahls hinsichtlich der Achse der dritten elektrostatischen Linse 407 und des Eingangsfensters einer Strahlablenkeinrichtung 410 eingestellt. Die erste elektrostatische Strahlablenkeinheit 409, die erste Multipoleinheit 409A und die zweite Multipoleinheit 409B können wie ein Wienfilter zusammenwirken. Am Eingang der Strahlablenkeinrichtung 410 ist ein weiteres magnetisches Ablenkelement 432 angeordnet.Furthermore, the particle beam is adjusted along the beam path using a beam guiding device. The beam guidance device of this embodiment comprises a source adjustment unit with two magnetic deflection units 408 arranged along the first optical axis OA1. In addition, the particle beam device 400 includes electrostatic beam deflection units. A first electrostatic beam deflection unit 409, which is also designed as a quadrupole in a further embodiment, is arranged between the second electrostatic lens 406 and the third electrostatic lens 407. The first electrostatic beam deflection unit 409 is arranged behind the magnetic deflection units 408 . A first multipole unit 409A in the form of a first magnetic deflection unit is arranged on one side of the first electrostatic beam deflection unit 409 . In addition, a second multipole unit 409B in the form of a second magnetic deflection unit is arranged on the other side of the first electrostatic beam deflection unit 409 . The first electrostatic beam deflecting unit 409, the first multipole unit 409A and the second multipole unit 409B are adjusted to adjust the particle beam with respect to the axis of the third electrostatic lens 407 and the entrance window of a beam deflector 410. The first electrostatic beam deflection unit 409, the first multipole unit 409A and the second multipole unit 409B can work together like a Wien filter. A further magnetic deflection element 432 is arranged at the entrance of the beam deflection device 410 .

Die Strahlablenkeinrichtung 410 wird als Teilchenstrahlablenker verwendet, welcher den Teilchenstrahl in einer bestimmten Weise ablenkt. Die Strahlablenkeinrichtung 410 umfasst mehrere magnetische Sektoren, nämlich einen ersten magnetischen Sektor 411A, einen zweiten magnetischen Sektor 411B, einen dritten magnetischen Sektor 411C, einen vierten magnetischen Sektor 411D, einen fünften magnetischen Sektor 411E, einen sechsten magnetischen Sektor 411F und einen siebten magnetischen Sektor 411G. Der Teilchenstrahl tritt in die Strahlablenkeinrichtung 410 entlang der ersten optischen Achse OA1 ein und wird durch die Strahlablenkeinrichtung 410 in die Richtung einer zweiten optischen Achse OA2 abgelenkt. Die Strahlablenkung erfolgt mittels des ersten magnetischen Sektors 411A, mittels des zweiten magnetischen Sektors 411B und mittels des dritten magnetischen Sektors 411C um einen Winkel von 30° bis 120°. Die zweite optische Achse OA2 ist in demselben Winkel zu der ersten optischen Achse OA1 ausgerichtet. Die Strahlablenkeinrichtung 410 lenkt auch den Teilchenstrahl ab, welcher entlang der zweiten optischen Achse OA2 geführt ist, und zwar in die Richtung einer dritten optischen Achse OA3. Die Strahlablenkung wird durch den dritten magnetischen Sektor 411C, den vierten magnetischen Sektor 411D und den fünften magnetischen Sektor 411E bereitgestellt. Bei der Ausführungsform in 3 wird die Ablenkung zu der zweiten optischen Achse OA2 und zu der dritten optischen Achse OA3 durch Ablenkung des Teilchenstrahls in einem Winkel von 90° bereitgestellt. Somit verläuft die dritte optische Achse OA3 koaxial zu der ersten optischen Achse OA1. Es wird aber darauf hingewiesen, dass das Teilchenstrahlgerät 400 nach der hier beschriebenen Erfindung nicht auf Ablenkwinkel von 90° eingeschränkt ist. Vielmehr kann jeder geeignete Ablenkwinkel durch die Strahlablenkeinrichtung 410 gewählt werden, beispielsweise 70° oder 110°, sodass die erste optische Achse OA1 nicht koaxial zu der dritten optischen Achse OA3 verläuft. Hinsichtlich weiterer Details der Strahlablenkeinrichtung 410 wird Bezug auf die WO 2002/067286 A2 genommen.The beam deflection device 410 is used as a particle beam deflector, which deflects the particle beam in a specific manner. the Beam deflector 410 includes a plurality of magnetic sectors, namely a first magnetic sector 411A, a second magnetic sector 411B, a third magnetic sector 411C, a fourth magnetic sector 411D, a fifth magnetic sector 411E, a sixth magnetic sector 411F and a seventh magnetic sector 411G. The particle beam enters the beam deflector 410 along the first optical axis OA1 and is deflected by the beam deflector 410 in the direction of a second optical axis OA2. The beam is deflected by the first magnetic sector 411A, the second magnetic sector 411B and the third magnetic sector 411C through an angle of 30° to 120°. The second optical axis OA2 is oriented at the same angle to the first optical axis OA1. The beam deflection device 410 also deflects the particle beam, which is guided along the second optical axis OA2, specifically in the direction of a third optical axis OA3. Beam deflection is provided by third magnetic sector 411C, fourth magnetic sector 411D and fifth magnetic sector 411E. In the embodiment in 3 the deflection to the second optical axis OA2 and to the third optical axis OA3 is provided by deflection of the particle beam at an angle of 90°. The third optical axis OA3 thus runs coaxially with the first optical axis OA1. However, it is pointed out that the particle beam device 400 according to the invention described here is not limited to a deflection angle of 90°. Rather, any suitable deflection angle can be selected by the beam deflection device 410, for example 70° or 110°, so that the first optical axis OA1 does not run coaxially with the third optical axis OA3. For further details of the beam deflection device 410, reference is made to FIG WO 2002/067286 A2 taken.

Nachdem der Teilchenstrahl durch den ersten magnetischen Sektor 411A, den zweiten magnetischen Sektor 411B und den dritten magnetischen Sektor 411C abgelenkt wurde, wird der Teilchenstrahl entlang der zweiten optischen Achse OA2 geführt. Der Teilchenstrahl wird zu einem elektrostatischen Spiegel 414 geführt und verläuft auf seinem Weg zu dem elektrostatischen Spiegel 414 entlang einer vierten elektrostatischen Linse 415, einer dritten Multipoleinheit 416A in Form einer magnetischen Ablenkeinheit, einer zweiten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 416, einer dritten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 417 und einer vierten Multipoleinheit 416B in Form einer magnetischen Ablenkeinheit. Der elektrostatische Spiegel 414 umfasst eine erste Spiegelelektrode 413A, eine zweite Spiegelelektrode 413B und eine dritte Spiegelelektrode 413C. Elektronen des Teilchenstrahls, die an dem elektrostatischen Spiegel 414 zurückreflektiert werden, verlaufen wieder entlang der zweiten optischen Achse OA2 und treten wieder in die Strahlablenkeinrichtung 410 ein. Sie werden dann durch den dritten magnetischen Sektor 411C, den vierten magnetischen Sektor 411D und den fünften magnetischen Sektor 411E zu der dritten optischen Achse OA3 abgelenkt.After the particle beam is deflected by the first magnetic sector 411A, the second magnetic sector 411B and the third magnetic sector 411C, the particle beam is guided along the second optical axis OA2. The particle beam is guided to an electrostatic mirror 414 and on its way to the electrostatic mirror 414 passes a fourth electrostatic lens 415, a third multipole unit 416A in the form of a magnetic deflector, a second electrostatic beam deflector 416, a third electrostatic beam deflector 417 and a fourth Multipole unit 416B in the form of a magnetic deflection unit. The electrostatic mirror 414 includes a first mirror electrode 413A, a second mirror electrode 413B and a third mirror electrode 413C. Electrons of the particle beam, which are reflected back at the electrostatic mirror 414, again run along the second optical axis OA2 and enter the beam deflection device 410 again. They are then deflected to the third optical axis OA3 by the third magnetic sector 411C, the fourth magnetic sector 411D and the fifth magnetic sector 411E.

Die Elektronen des Teilchenstrahls treten aus der Strahlablenkeinrichtung 410 aus und werden entlang der dritten optischen Achse OA3 zu einem Objekt 425 geführt, das untersucht werden soll und in einem Objekthalter 114 angeordnet ist. Auf dem Weg zum Objekt 425 wird der Teilchenstrahl zu einer fünften elektrostatischen Linse 418, einem Strahlführungsrohr 420, einer fünften Multipoleinheit 418A, einer sechsten Multipoleinheit 418B und einer Objektivlinse 421 geführt. Die fünfte elektrostatische Linse 418 ist eine elektrostatische Immersionslinse. Der Teilchenstrahl wird durch die fünfte elektrostatische Linse 418 auf ein elektrisches Potential des Strahlführungsrohrs 420 abgebremst oder beschleunigt.The electrons of the particle beam emerge from the beam deflection device 410 and are guided along the third optical axis OA3 to an object 425 that is to be examined and is arranged in an object holder 114 . On the way to the object 425, the particle beam is guided to a fifth electrostatic lens 418, a beam guiding tube 420, a fifth multipole unit 418A, a sixth multipole unit 418B and an objective lens 421. The fifth electrostatic lens 418 is an electrostatic immersion lens. The particle beam is decelerated or accelerated by the fifth electrostatic lens 418 to an electric potential of the beam guiding tube 420 .

Der Teilchenstrahl wird durch die Objektivlinse 421 in eine Fokusebene fokussiert, in welcher das Objekt 425 angeordnet ist. Der Objekthalter 114 ist an einem beweglichen Probentisch 424 angeordnet. Der bewegliche Probentisch 424 ist in einer Probenkammer 426 des Teilchenstrahlgeräts 400 angeordnet. Der Probentisch 424 ist in drei zueinander senkrecht angeordnete Richtungen beweglich ausgebildet, nämlich in eine x-Richtung (erste Tischachse), in eine y-Richtung (zweite Tischachse) und in eine z-Richtung (dritte Tischachse). Darüber hinaus kann der Probentisch 424 um zwei zueinander senkrecht angeordnete Rotationsachsen (Tischrotationsachsen) gedreht werden.The particle beam is focused by the objective lens 421 in a focal plane in which the object 425 is arranged. The object holder 114 is arranged on a movable sample table 424 . The movable sample table 424 is arranged in a sample chamber 426 of the particle beam device 400 . The sample stage 424 is designed to be movable in three mutually perpendicular directions, namely in an x-direction (first stage axis), in a y-direction (second stage axis) and in a z-direction (third stage axis). In addition, the sample table 424 can be rotated about two axes of rotation (table rotation axes) arranged perpendicular to one another.

Die Probenkammer 426 steht unter Vakuum. Zur Erzeugung des Vakuums ist an der Probenkammer 426 eine Pumpe (nicht dargestellt) angeordnet. Bei der in 3 dargestellten Ausführungsform wird die Probenkammer 426 in einem ersten Druckbereich oder in einem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Um diese Druckbereiche zu gewährleisten, ist die Probenkammer 426 vakuumtechnisch verschlossen.The sample chamber 426 is under vacuum. A pump (not shown) is arranged on the sample chamber 426 to generate the vacuum. At the in 3 illustrated embodiment, the sample chamber 426 is operated in a first pressure range or in a second pressure range. The first pressure range only includes pressures less than or equal to 10 -3 hPa, and the second pressure range only includes pressures greater than 10 -3 hPa. In order to ensure these pressure ranges, the sample chamber 426 is sealed in terms of vacuum technology.

Die Objektivlinse 421 kann als eine Kombination einer magnetischen Linse 422 und einer sechsten elektrostatischen Linse 423 ausgebildet sein. Das Ende des Strahlführungsrohrs 420 kann ferner eine Elektrode einer elektrostatischen Linse sein. Teilchen des Teilchenstrahlgeräts werden - nachdem sie aus dem Strahlführungsrohr 420 austreten - auf ein Potential des Objekts 425 abgebremst. Die Objektivlinse 421 ist nicht auf eine Kombination der magnetischen Linse 422 und der sechsten elektrostatischen Linse 423 eingeschränkt. Vielmehr kann die Objektivlinse 421 jegliche geeignete Form annehmen. Beispielsweise kann die Objektivlinse 421 auch als rein magnetische Linse oder als rein elektrostatische Linse ausgebildet sein.The objective lens 421 can be formed as a combination of a magnetic lens 422 and a sixth electrostatic lens 423 . The end of the beam guiding tube 420 can also be an electrode of an electrostatic lens. Particles of the particle beam device - after they emerge from the beam guide tube 420 - on a potential of the object 425 is slowed down. The objective lens 421 is not limited to a combination of the magnetic lens 422 and the sixth electrostatic lens 423. Rather, the objective lens 421 can take any suitable form. For example, the objective lens 421 can also be designed as a purely magnetic lens or as a purely electrostatic lens.

Der Teilchenstrahl, der auf das Objekt 425 fokussiert wird, wechselwirkt mit dem Objekt 425. Es werden Wechselwirkungsteilchen erzeugt. Insbesondere werden Sekundärelektronen aus dem Objekt 425 emittiert oder Rückstreuelektronen werden an dem Objekt 425 zurückgestreut. Die Sekundärelektronen oder die Rückstreuelektronen werden wieder beschleunigt und in das Strahlführungsrohr 420 entlang der dritten optischen Achse OA3 geführt. Insbesondere verlaufen die Bahnen der Sekundärelektronen und der Rückstreuelektronen auf dem Weg des Strahlverlaufs des Teilchenstrahls in entgegengesetzter Richtung zum Teilchenstrahl.The particle beam, which is focused on the object 425, interacts with the object 425. Interaction particles are generated. In particular, secondary electrons are emitted from the object 425 or backscattered electrons are backscattered on the object 425 . The secondary electrons or the backscattered electrons are accelerated again and guided into the beam guiding tube 420 along the third optical axis OA3. In particular, the paths of the secondary electrons and the backscattered electrons run in the opposite direction to the particle beam on the path of the particle beam.

Das Teilchenstrahlgerät 400 umfasst einen ersten Analysedetektor 419, welcher entlang des Strahlwegs zwischen der Strahlablenkeinrichtung 410 und der Objektivlinse 421 angeordnet ist. Sekundärelektronen, welche in Richtungen verlaufen, die hinsichtlich der dritten optischen Achse OA3 in einem großen Winkel ausgerichtet sind, werden durch den ersten Analysedetektor 419 detektiert. Rückstreuelektronen und Sekundärelektronen, welche hinsichtlich der dritten optischen Achse OA3 am Ort des ersten Analysedetektors 419 einen kleinen Achsenabstand haben - d.h. Rückstreuelektronen und Sekundärelektronen, welche am Ort des ersten Analysedetektors 419 einen kleinen Abstand von der dritten optischen Achse OA3 aufweisen - treten in die Strahlablenkeinrichtung 410 ein und werden durch den fünften magnetischen Sektor 411 E, den sechsten magnetischen Sektor 411F und den siebten magnetischen Sektor 411G entlang eines Detektionsstrahlwegs 427 zu einem zweiten Analysedetektor 428 abgelenkt. Der Ablenkwinkel beträgt beispielsweise 90° oder 110°.The particle beam device 400 includes a first analysis detector 419, which is arranged along the beam path between the beam deflection device 410 and the objective lens 421. Secondary electrons traveling in directions oriented at a large angle with respect to the third optical axis OA3 are detected by the first analysis detector 419 . Backscattered electrons and secondary electrons which have a small axial distance with respect to the third optical axis OA3 at the location of the first analysis detector 419 - i.e. backscattered electrons and secondary electrons which have a small distance from the third optical axis OA3 at the location of the first analysis detector 419 - enter the beam deflection device 410 and are deflected by the fifth magnetic sector 411E, the sixth magnetic sector 411F and the seventh magnetic sector 411G along a detection beam path 427 to a second analysis detector 428. The deflection angle is 90° or 110°, for example.

Der erste Analysedetektor 419 erzeugt Detektionssignale, die weitgehend durch emittierte Sekundärelektronen erzeugt werden. Die Detektionssignale, die durch den ersten Analysedetektor 419 erzeugt werden, werden zu einer Steuereinheit 123 geführt und werden verwendet, um Informationen über die Eigenschaften des Wechselwirkungsbereichs des fokussierten Teilchenstrahls mit dem Objekt 425 zu erhalten. Insbesondere wird der fokussierte Teilchenstrahl über das Objekt 425 unter Verwendung einer Scaneinrichtung 429 gescannt. Durch die Detektionssignale, die durch den ersten Analysedetektor 419 erzeugt werden, kann dann ein Bild des gescannten Bereichs des Objekts 425 erzeugt und auf einer Darstellungseinheit angezeigt werden. Die Darstellungseinheit ist beispielsweise ein Monitor 124, der an der Steuereinheit 123 angeordnet ist.The first analysis detector 419 generates detection signals largely generated by emitted secondary electrons. The detection signals generated by the first analysis detector 419 are fed to a control unit 123 and are used to obtain information about the properties of the interaction region of the focused particle beam with the object 425 . In particular, the focused particle beam is scanned across the object 425 using a scanner 429 . An image of the scanned area of the object 425 can then be generated by the detection signals generated by the first analysis detector 419 and displayed on a display unit. The display unit is a monitor 124, for example, which is arranged on the control unit 123.

Auch der zweite Analysedetektor 428 ist mit der Steuereinheit 123 verbunden. Detektionssignale des zweiten Analysedetektors 428 werden zur Steuereinheit 123 geführt und verwendet, um ein Bild des gescannten Bereichs des Objekts 425 zu erzeugen und auf einer Darstellungseinheit anzuzeigen. Die Darstellungseinheit ist beispielsweise der Monitor 124, der an der Steuereinheit 123 angeordnet ist.The second analysis detector 428 is also connected to the control unit 123 . Detection signals from the second analysis detector 428 are fed to the control unit 123 and used to generate an image of the scanned area of the object 425 and to display it on a display unit. The display unit is, for example, the monitor 124 which is arranged on the control unit 123 .

An der Probenkammer 426 ist ein Strahlungsdetektor 500 angeordnet, mit dem Wechselwirkungsstrahlung, beispielsweise Röntgenstrahlung und/oder Kathodolumineszenzlicht, detektiert wird. Der Strahlungsdetektor 500 ist mit der Steuereinheit 123 verbunden, welche den Monitor 124 aufweist. Die Steuereinheit 123 verarbeitet Detektionssignale des Strahlungsdetektors 500 und zeigt diese in Form von Bildern auf dem Monitor 124 an.A radiation detector 500 is arranged on the sample chamber 426, with which interaction radiation, for example X-rays and/or cathodoluminescence light, is detected. The radiation detector 500 is connected to the control unit 123 which has the monitor 124 . The control unit 123 processes detection signals from the radiation detector 500 and displays them on the monitor 124 in the form of images.

Die Steuereinheit 123 weist ferner eine Datenbank 126 auf, in der Daten gespeichert werden und aus der Daten ausgelesen werden. Ferner ist die Steuereinheit 123 mit der Scaneinrichtung 429 verbunden.The control unit 123 also has a database 126 in which data is stored and from which data is read. Furthermore, the control unit 123 is connected to the scanning device 429 .

Die Steuereinheit 123 des Teilchenstrahlgeräts 400 weist einen Prozessor auf. In den Prozessor ist ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode geladen, der bei Ausführung ein Verfahren zum Betrieb des Teilchenstrahlgeräts 400 ausführt.The control unit 123 of the particle beam device 400 has a processor. A computer program product with a program code is loaded into the processor, which, when executed, executes a method for operating the particle beam device 400 .

3A zeigt eine schematische Darstellung der Steuereinheit 123 des Teilchenstrahlgeräts 400. Wie bereits weiter oben teilweise ausgeführt, ist die Steuereinheit 123 des Teilchenstrahlgeräts 400 mit Funktionseinheiten und Führungseinheiten des Teilchenstrahlgeräts 400 leitungstechnisch verbunden. Unter einer Funktionseinheit wird eine Baueinheit des Teilchenstrahlgeräts 400 verstanden, welche sich in irgendeiner Art und Weise einstellen lässt. Beispielsweise lässt sich die Position der Funktionseinheit im Teilchenstrahlgerät 400 einstellen. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, eine elektrostatische und/oder magnetische Ausbildung der Funktionseinheit einzustellen. Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Möglichkeiten der Einstellung eingeschränkt. Vielmehr kann die Funktionseinheit in jeder Art und Weise eingestellt werden, die für die Erfindung geeignet ist. Unter einer Führungseinheit wird jegliche Einheit zur Führung des Teilchenstrahls auf das Objekt 425 verstanden, aber auch Einheiten zur Formung des Teilchenstrahls, welcher dann zu dem Objekt 425 geführt wird. Die Führungseinheit ist beispielsweise als die Objektivlinse 421 zur Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt 425, als eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit zur Strahlformung oder zur Strahlführung, als Stigmator, als Kondensorlinse oder als mechanisch verstellbare Blendeneinheit ausgebildet, mit welcher der Teilchenstrahl begrenzt wird. 3A zeigt die Steuereinheit 123, die leitungstechnisch mit der Elektronenquelle 402, mit der Extraktionselektrode 403, mit der Anode 404, mit der ersten elektrostatischen Linse 405, mit der zweiten elektrostatischen Linse 406, mit der dritten elektrostatischen Linse 407, mit der magnetischen Ablenkeinheit 408, mit der ersten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 409, mit der ersten Multipoleinheit 409A, mit der zweiten Multipoleinheit 409B, mit der Strahlablenkeinrichtung 410, mit dem ersten magnetischen Sektor 411A, mit dem zweiten magnetischen Sektor 411B, mit dem dritten magnetischen Sektor 411C, mit dem vierten magnetischen Sektor 411D, mit dem fünften magnetischen Sektor 411E, mit dem sechsten magnetischen Sektor 411F, mit dem siebten magnetischen Sektor 411G, mit der ersten Spiegelelektrode 413A, mit der zweiten Spielelektrode 413B, mit der dritten Spiegelelektrode 413C, mit der vierten elektrostatischen Linse 415, mit der zweiten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 416, mit der dritten Multipoleinheit 416A, mit der vierten Multipoleinheit 416B, mit der dritten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 417, mit der fünften elektrostatischen Linse 418, mit der fünften Multipoleinheit 418A, mit der sechsten Multipoleinheit 418B, mit dem ersten Analysedetektor 419, mit der magnetischen Linse 422, mit der sechsten elektrostatischen Linse 423, mit dem Probentisch 424, mit dem zweiten Analysedetektor 428, mit der Scaneinrichtung 429, mit dem weiteren magnetischen Ablenkelement 432 und mit dem Strahlungsdetektor 500 verbunden ist. 3A shows a schematic representation of the control unit 123 of the particle beam device 400. As already explained in part above, the control unit 123 of the particle beam device 400 is connected to functional units and management units of the particle beam device 400 by line technology. A functional unit is understood to mean a structural unit of the particle beam device 400 which can be adjusted in any way. For example, the position of the functional unit in the particle beam device 400 can be adjusted. In addition or as an alternative, it is provided to set an electrostatic and/or magnetic configuration of the functional unit. The invention is not limited to the aforementioned adjustment options. Rather, the functional unit can be set up in any manner that is suitable for the invention. A guidance unit is understood to mean any unit for guiding the particle beam onto the object 425, but also units for shaping the particle beam, which is then guided to the object 425. The leadership The unit is embodied, for example, as the objective lens 421 for focusing the particle beam on the object 425, as an electrostatic and/or magnetic unit for beam shaping or for beam guidance, as a stigmator, as a condenser lens, or as a mechanically adjustable diaphragm unit with which the particle beam is limited. 3A shows the control unit 123, which is wired to the electron source 402, to the extraction electrode 403, to the anode 404, to the first electrostatic lens 405, to the second electrostatic lens 406, to the third electrostatic lens 407, to the magnetic deflection unit 408 the first electrostatic beam deflection unit 409, with the first multipole unit 409A, with the second multipole unit 409B, with the beam deflection device 410, with the first magnetic sector 411A, with the second magnetic sector 411B, with the third magnetic sector 411C, with the fourth magnetic sector 411D , with the fifth magnetic sector 411E, with the sixth magnetic sector 411F, with the seventh magnetic sector 411G, with the first mirror electrode 413A, with the second game electrode 413B, with the third mirror electrode 413C, with the fourth electrostatic lens 415, with the second electrostatic beam deflection unit 416, with which dr middle multipole unit 416A, with the fourth multipole unit 416B, with the third electrostatic beam deflection unit 417, with the fifth electrostatic lens 418, with the fifth multipole unit 418A, with the sixth multipole unit 418B, with the first analysis detector 419, with the magnetic lens 422, with the sixth electrostatic lens 423, with the sample table 424, with the second analysis detector 428, with the scanning device 429, with the further magnetic deflection element 432 and with the radiation detector 500.

4 zeigt eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, das mit dem SEM 100 gemäß der 1 ausgeführt wird. Hinsichtlich der Ausführung dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens bei den weiteren oben genannten Teilchenstrahlgeräten 200 und 400 gilt Entsprechendes. 4 shows an embodiment of the method according to the invention with the SEM 100 according to the 1 is performed. The same applies to the execution of this embodiment of the method according to the invention in the other particle beam devices 200 and 400 mentioned above.

Die Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens dient dem Erzeugen eines Bildes des Objekts 125 und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt 125 (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit dem SEM 100. Die Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens weist eine erste Gruppe von Verfahrensschritten und eine zweite Gruppe von Verfahrensschritten auf. Im Verfahrensschritt S1 wird die erste Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt. Im Verfahrensschritt S2 wird die zweite Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt. Nachfolgend werden die erste Gruppe und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten näher erläutert.The embodiment of the method according to the invention serves to generate an image of the object 125 and/or a representation of data about the object 125 (for example a radiation spectrum, in particular an X-ray spectrum) with the SEM 100. The embodiment of the method according to the invention has a first group of method steps and a second group of process steps. The first group of method steps is carried out in method step S1. The second group of method steps is carried out in method step S2. The first group and the second group of method steps are explained in more detail below.

5 zeigt eine Ausführungsform der ersten Gruppe von Verfahrensschritten. Die erste Gruppe von Verfahrensschritten weist den Verfahrensschritt S11 auf. Im Verfahrensschritt S11 erfolgt ein Auswählen eines Abbildungsmodus des SEM 100 unter Verwendung der Steuereinheit 123. Der Abbildungsmodus ist der Modus des SEM 100, mit dem mindestens ein Bild des Objekts 125 mit dem Primärelektronenstrahl des SEM 100 erzeugt wird. Die Steuereinheit 123 dient insbesondere der Ansteuerung mindestens einer Funktionseinheit des SEM 100. Unter einer Funktionseinheit wird vorstehend und auch nachstehend eine Baueinheit des SEM 100 verstanden, welche sich in irgendeiner Art und Weise einstellen lässt. Beispielsweise lässt sich die Position der Funktionseinheit im SEM 100 einstellen. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, eine elektrostatische und/oder magnetische Ausbildung der Funktionseinheit einzustellen. Die Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Möglichkeiten der Einstellung eingeschränkt. Vielmehr kann die Funktionseinheit in jeder Art und Weise eingestellt werden, die für die Erfindung geeignet ist. Das SEM 100 weist beispielsweise folgende Funktionseinheiten auf: die Elektronenquelle 101, die Extraktionselektrode 102, die Anode 103, die erste Blendeneinheit 108, die erste Kondensorlinse 105, die zweite Kondensorlinse 106, den ersten Detektor 116, den zweiten Detektor 117, den dritten Detektor 121, den Kammerdetektor 119, den Strahlungsdetektor 500, die Scaneinrichtung 115, die Spule 111, die Rohrelektrode 113, die einzelne Elektrode 112 und den Probentisch 122. 5 shows an embodiment of the first group of method steps. The first group of method steps includes method step S11. In method step S11, an imaging mode of the SEM 100 is selected using the control unit 123. The imaging mode is the mode of the SEM 100 with which at least one image of the object 125 is generated with the primary electron beam of the SEM 100. The control unit 123 serves in particular to control at least one functional unit of the SEM 100. Above and also below, a functional unit is understood to mean a structural unit of the SEM 100 which can be adjusted in any way. For example, the position of the functional unit in the SEM 100 can be adjusted. In addition or as an alternative, it is provided to set an electrostatic and/or magnetic configuration of the functional unit. The invention is not limited to the aforementioned adjustment options. Rather, the functional unit can be set up in any manner that is suitable for the invention. The SEM 100 has, for example, the following functional units: the electron source 101, the extraction electrode 102, the anode 103, the first aperture unit 108, the first condenser lens 105, the second condenser lens 106, the first detector 116, the second detector 117, the third detector 121 , the chamber detector 119, the radiation detector 500, the scanning device 115, the coil 111, the tubular electrode 113, the single electrode 112 and the sample table 122.

Darüber hinaus umfasst die erste Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S12. Im Verfahrensschritt S12 erfolgt ein Laden eines ersten Steuerparameterwertes eines Steuerparameters der Steuereinheit 123 zur Ansteuerung mindestens einer Funktionseinheit des SEM 100 aus der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123. Wie oben bereits ausgeführt, ist der Steuerparameter beispielsweise eine physikalische Größe, insbesondere ein Steuerstrom oder eine Steuerspannung, aber auch beispielsweise das Verhältnis von physikalischen Größen, insbesondere eine Verstärkung von physikalischen Größen. Die Werte der physikalischen Größe sind an der oder mit der Steuereinheit 123 einstellbar und steuern und/oder versorgen die Funktionseinheit des SEM 100 derart, dass gewünschte physikalische Wirkungen, beispielsweise das Erzeugen von bestimmten Magnetfeldern und/oder elektrostatischer Felder, bewirkt werden.In addition, the first group of method steps includes method step S12. In method step S12, a first control parameter value of a control parameter of control unit 123 for controlling at least one functional unit of SEM 100 is loaded from database 126 into control unit 123. As already explained above, the control parameter is, for example, a physical variable, in particular a control current or a control voltage , but also, for example, the relationship between physical variables, in particular an amplification of physical variables. The values of the physical variable can be set on or with the control unit 123 and control and/or supply the functional unit of the SEM 100 in such a way that desired physical effects, for example the generation of specific magnetic fields and/or electrostatic fields, are brought about.

Nachfolgend werden Beispiele von Steuerparametern der Steuereinheit 123 näher erläutert.Examples of control parameters of the control unit 123 are explained in more detail below.

Ein erster Steuerparameter der Steuereinheit 123 dient der Einstellung der sogenannten Landeenergie der Elektronen des Primärelektronenstrahls auf dem Objekt 125. Beim Auftreffen auf das Objekt 125 weisen die Elektronen diese Landeenergie auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die Landeenergie der Elektronen die Energie, mit welcher das Objekt 125 untersucht und/oder abgebildet wird. Die Landeenergie der Elektronen kann unterschiedlich zu der Energie sein, mit welcher die Elektronen durch das Strahlführungsrohr 104 des SEM 100 geführt werden. Insbesondere ist es vorgesehen, die Elektronen zunächst sehr stark zu beschleunigen und erst kurz vor dem Auftreffen auf das Objekt 125 auf die Landeenergie abzubremsen. Die Landeenergie der Elektronen liegt beispielsweise im Bereich von 1 eV bis 30 keV, wobei die Bereichsgrenzen mit eingeschlossen sind. Die Erfindung ist aber nicht auf den vorgenannten Bereich der Landeenergie beschränkt. Vielmehr kann bei der Erfindung jeder Bereich verwendet werden, der für die Erfindung geeignet ist. Im Abbildungsmodus wird bevorzugt eine Landeenergie von 1 keV oder kleiner verwendet. Im Analysemodus, der weiter unten näher erläutert wird, wird bevorzugt eine Landeenergie im Bereich von 10 keV bis 20 keV verwendet.A first control parameter of the control unit 123 is used to set the so-called landing energy of the electrons of the primary electron beam on the object 125. When they strike the object 125, the electrons have this landing energy. In other words, the landing energy of the electrons is the energy with which the object 125 is examined and/or imaged. The landing energy of the electrons can be different from the energy with which the electrons are guided through the beam guiding tube 104 of the SEM 100 . In particular, provision is made for the electrons to first be accelerated very strongly and only to be decelerated to the landing energy shortly before they strike the object 125 . The landing energy of the electrons is, for example, in the range from 1 eV to 30 keV, including the range limits. However, the invention is not limited to the aforementioned range of landing energy. Rather, any range suitable for the invention may be used in the invention. In the imaging mode, a landing energy of 1 keV or less is preferably used. In the analysis mode, which is explained in more detail below, a landing energy in the range from 10 keV to 20 keV is preferably used.

Ein zweiter Steuerparameter der Steuereinheit 123 stellt den Kontrast im erzeugten Bild ein. Der Kontrast ist im Grunde der Helligkeitsunterschied (also der Intensitätsunterschied) zwischen dem hellsten Pixel mit maximaler Leuchtdichte Lmax und dem dunkelsten Pixel mit minimaler Leuchtdichte Lmin eines Bildes. Ein geringer Helligkeitsunterschied zwischen den beiden Pixeln bedeutet einen geringen Kontrast. Ein hoher Helligkeitsunterschied zwischen den beiden Pixeln bedeutet einen hohen Kontrast. Der Kontrast kann beispielsweise als Weber-Kontrast oder als Michelson-Kontrast angegeben werden. Dabei gilt für den Weber-Kontrast: K w = L m a x L m i n 1   m i t  0 K W

Figure DE102021113930A1_0003
A second control parameter of the control unit 123 adjusts the contrast in the generated image. The contrast is basically the difference in brightness (i.e. the difference in intensity) between the brightest pixel with maximum luminance Lmax and the darkest pixel with minimum luminance Lmin in an image. A small difference in brightness between the two pixels means a low contrast. A high difference in brightness between the two pixels means a high contrast. The contrast can be given, for example, as a Weber contrast or as a Michelson contrast. The following applies to the Weber contrast: K w = L m a x L m i n 1 m i t 0 K W
Figure DE102021113930A1_0003

Für den Michelson-Kontrast gilt: K M = L m a x L m i n L m a x + L m i n   m i t  0 K M 1

Figure DE102021113930A1_0004
For the Michelson contrast applies: K M = L m a x L m i n L m a x + L m i n m i t 0 K M 1
Figure DE102021113930A1_0004

Der Kontrast, welcher im Wesentlichen durch Sekundärelektronen erzeugt wird, wird von der Topographie der Oberfläche des Objekts 125 bestimmt. Hingegen wird der Kontrast, welcher im Wesentlichen durch Rückstreuelektronen erzeugt wird, im Wesentlichen vom Material des abgebildeten Objektbereichs bestimmt. Dieser wird auch Materialkontrast genannt. Der Materialkontrast hängt von der mittleren Kernladungszahl des abgebildeten Bereichs des Objekts 125 ab. Der Kontrast wird beispielsweise umso größer, je größer ein Verstärkungsfaktor an einem Verstärker des ersten Detektors 116, des zweiten Detektors 117 sowie des Kammerdetektors 119 eingestellt wird, wobei mit dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 sowie dem Kammerdetektor 119 die Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen detektiert werden. Der Verstärker verstärkt das durch mindestens einen der vorgenannten Detektoren 116, 117 und 119 erzeugte Detektionssignal. Analog hierzu wird der Kontrast beispielsweise umso kleiner, je kleiner der Verstärkungsfaktor an dem Verstärker des Detektors eingestellt wird.The contrast, which is essentially generated by secondary electrons, is determined by the topography of the surface of the object 125. In contrast, the contrast, which is essentially generated by backscattered electrons, is essentially determined by the material of the imaged object area. This is also called material contrast. The material contrast depends on the average atomic number of the imaged area of the object 125. The contrast becomes greater, for example, the greater an amplification factor is set on an amplifier of the first detector 116, the second detector 117 and the chamber detector 119, with the first detector 116, the second detector 117 and the chamber detector 119 being used to generate the secondary electrons and/or Backscattered electrons are detected. The amplifier amplifies the detection signal generated by at least one of the aforementioned detectors 116, 117 and 119. Analogous to this, the contrast becomes smaller, for example, the smaller the amplification factor is set on the amplifier of the detector.

Ein dritter Steuerparameter der Steuereinheit 123 stellt die Helligkeit (also „Brightness“) im erzeugten Bild ein. Die Helligkeit wird in einem Bild im Grunde auf jedes Pixel im Bild bezogen. Ein erstes Pixel mit einem höheren Helligkeitswert als ein zweites Pixel erscheint im Bild heller als das zweite Pixel. Die Einstellung der Helligkeit erfolgt beispielsweise durch Einstellung eines Verstärkungsfaktors des Detektionssignals des ersten Detektors 116, des zweiten Detektors 117 sowie des Kammerdetektors 119. Die Helligkeit eines jeden Pixels im Bild wird hierbei identisch erhöht oder erniedrigt, beispielsweise auch unter Heranziehung einer in der Datenbank 126 hinterlegten Farbtabelle, wobei eine bestimmte Helligkeit einer in der Farbtabelle aufgenommenen Farbe entspricht.A third control parameter of the control unit 123 sets the brightness (ie “brightness”) in the generated image. In an image, brightness is basically related to each pixel in the image. A first pixel with a higher brightness value than a second pixel appears brighter in the image than the second pixel. The brightness is set, for example, by setting an amplification factor of the detection signal of the first detector 116, the second detector 117 and the chamber detector 119. The brightness of each pixel in the image is increased or decreased identically, for example using one stored in the database 126 Color table, where a specific lightness corresponds to a color recorded in the color table.

Ein vierter Steuerparameter der Steuereinheit 123 dient beispielsweise zur Ansteuerung der ersten Objektivlinse 107 des SEM 100, mit welcher eine Fokussierung des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 eingestellt wird.A fourth control parameter of the control unit 123 is used, for example, to control the first objective lens 107 of the SEM 100, with which a focusing of the primary electron beam on the object 125 is set.

Ein fünfter Steuerparameter der Steuereinheit 123 dient der Zentrierung des Primärelektronenstrahls in der ersten Objektivlinse 107. Beispielsweise dient die Steuereinheit 123 der Einstellung der ersten Kondensorlinse 105 und der zweiten Kondensorlinse 106, mit denen die Zentrierung des Primärelektronenstrahls in der ersten Objektivlinse 107 eingestellt wird.A fifth control parameter of the control unit 123 is used to center the primary electron beam in the first objective lens 107. For example, the control unit 123 is used to adjust the first condenser lens 105 and the second condenser lens 106, with which the centering of the primary electron beam in the first objective lens 107 is adjusted.

Darüber hinaus wird die Bildqualität eines Bildes des Objekts 125 (und die weiter unten noch ausgeführte Darstellung von Daten über das Objekt 125) von einem sechsten Steuerparameter der Steuereinheit 123 zur Steuerung und Einstellung elektrostatischer und/oder magnetischer Ablenkeinheiten beeinflusst, welche im SEM 100 zu einem sogenannten „Beamshift“ verwendet werden. Hierdurch ist es möglich, die Position eines Scanbereichs auf dem Objekt 125 einzustellen und gegebenenfalls den Scanbereich auf eine gewünschte Position zu verschieben. Dies kann ohne Verwendung des Probentisches 122 erfolgen, an dem das Objekt 125 angeordnet ist. Wenn beispielsweise der Scanbereich aus dem eigentlichen Bereich des Objekts 125, der mittels des SEM 100 beobachtet wird, aufgrund einer Änderung der Einstellungen am SEM 100 herauswandert, wird bei einem „Beamshift“ durch translatorische Bewegungen der Primärelektronenstrahl derart verschoben, dass der Rasterbereich wieder im gewünschten beobachteten Bereich (Sichtfeld) liegt.In addition, the image quality of an image of the object 125 (and the representation of data about the object 125 explained further below) is influenced by a sixth control parameter of the control unit 123 for controlling and adjusting electrostatic and/or magnetic deflection units, which in the SEM 100 become a so-called "beam shift" can be used. This makes it possible to set the position of a scan area on the object 125 and, if necessary, to shift the scan area to a desired position. This can be done without using the sample table 122 on which the object 125 is placed. For example, if the scanning area differs from the actual area of the object 125, which is means of the SEM 100 migrates out due to a change in the settings on the SEM 100, in the case of a "beam shift" the primary electron beam is shifted by translational movements in such a way that the raster area is again in the desired observed area (field of view).

Auch ein in dem SEM 100 eingesetzter Stigmator kann die Bildqualität des Bildes des Objekts 125 (sowie die Qualität der weiter unten erläuterten Darstellung von Daten über das Objekt 125) beeinflussen. Der Stigmator, ein magnetisches und/oder elektrostatisches Multipolelement, wird insbesondere zur Korrektur von Astigmatismus verwendet. Der Stigmator kann mit der Steuereinheit 123 mittels eines siebten Steuerparameters eingestellt werden.A stigmator used in the SEM 100 can also affect the image quality of the image of the object 125 (as well as the quality of the representation of data about the object 125 discussed below). The stigmator, a magnetic and/or electrostatic multipole element, is used in particular to correct astigmatism. The stigmator can be adjusted with the control unit 123 by means of a seventh control parameter.

Die Bildqualität eines Bildes des Objekts 125 (und die Qualität der weiter unten erläuterten Darstellung von Daten über das Objekt 125) kann aber auch von der Position einer mechanisch verschiebbaren Einheit des SEM 100 beeinflusst werden. Die Position der mechanisch verschiebbaren Einheit des SEM 100 lässt sich beispielsweise mit einem achten Steuerparameter der Steuereinheit 123 einstellen. Beispielsweise wird die Bildqualität von der Position der ersten Blendeneinheit 108 und/oder der Position der zweiten Blendeneinheit 109 beeinflusst, welche zur Formung und Begrenzung des Primärelektronenstrahls im SEM 100 eingesetzt wird. Alternativ oder zusätzlich hierzu ist es vorgesehen, die Position des Probentisches 122 zu ändern, an welchem das Objekt 125 angeordnet ist. Dann ist es beispielsweise möglich, den Abstand zwischen dem Objekt 125 und der ersten Objektivlinse 107 des SEM 100 einzustellen. Dieser Abstand wird Arbeitsabstand genannt. Wenn das Objekt 125 mit dem SEM 100 abgebildet wird (also im Abbildungsmodus), dann liegt der Arbeitsabstand beispielsweise im Bereich von 1 cm oder kleiner als 1 cm. Wenn Röntgenspektroskopie durchgeführt werden soll (siehe weiter unten), dann liegt der Arbeitsabstand beispielsweise im Bereich von größer als 1 cm, beispielsweise zwischen 2 cm bis 10 cm.However, the image quality of an image of the object 125 (and the quality of the representation of data about the object 125 explained further below) can also be influenced by the position of a mechanically displaceable unit of the SEM 100 . The position of the mechanically displaceable unit of the SEM 100 can be set, for example, with an eighth control parameter of the control unit 123 . For example, the image quality is influenced by the position of the first aperture unit 108 and/or the position of the second aperture unit 109, which is used to shape and limit the primary electron beam in the SEM 100. As an alternative or in addition to this, it is provided to change the position of the sample table 122 on which the object 125 is arranged. Then it is possible to adjust the distance between the object 125 and the first objective lens 107 of the SEM 100, for example. This distance is called the working distance. If the object 125 is imaged with the SEM 100 (ie in imaging mode), then the working distance is in the range of 1 cm or less than 1 cm, for example. If X-ray spectroscopy is to be carried out (see below), then the working distance is in the range of greater than 1 cm, for example between 2 cm and 10 cm.

Die Bildqualität eines Bildes des Objekts 125 (und die Qualität der weiter unten erläuterten Darstellung von Daten über das Objekt 125) kann ferner von der sogenannten Scan-Rotation beeinflusst werden. Dies ist eine Rotation des Scanbereichs in der Ebene des Rasterbereichs um die optische Achse OA des SEM 100. The image quality of an image of the object 125 (and the quality of the representation of data about the object 125 explained below) can also be influenced by the so-called scan rotation. This is a rotation of the scan area in the plane of the grid area around the optical axis OA of the SEM 100.

Die Scan-Rotation lässt sich beispielsweise mit einem neunten Steuerparameter der Steuereinheit 123 einstellen.The scan rotation can be set with a ninth control parameter of the control unit 123, for example.

Mit einem zehnten Steuerparameter der Steuereinheit 123 können Funktionseinheiten des SEM 100 derart eingestellt werden, dass der Strom des Primärelektronenstrahls des SEM 100 einstellbar ist. Beispielsweise sind die Funktionseinheiten als die erste Objektivlinse 107, die erste Blendeneinheit 108, die zweite Blendeneinheit 109, die erste Kondensorlinse 105 sowie die zweite Kondensorlinse 106 ausgebildet. Zur Erzeugung eines Bildes des Objekts 125 (also im Abbildungsmodus) wird ein Strom des Primärelektronenstrahls im Bereich von einigen Nanoampere verwendet. Hingegen wird bei der weiter unten noch erläuterten Erzeugung einer Darstellung von Daten über das Objekt 125 (Analysemodus) ein Strom des Primärelektronenstrahls im Bereich von einigen Mikroampere verwendet.With a tenth control parameter of the control unit 123, functional units of the SEM 100 can be adjusted in such a way that the current of the primary electron beam of the SEM 100 can be adjusted. For example, the functional units are designed as the first objective lens 107, the first aperture unit 108, the second aperture unit 109, the first condenser lens 105 and the second condenser lens 106. A current of the primary electron beam in the range of a few nanoamperes is used to generate an image of the object 125 (ie in imaging mode). On the other hand, a current of the primary electron beam in the range of a few microamperes is used in the generation of a representation of data about the object 125 (analysis mode), which will be explained further below.

Mit einem elften Steuerparameter der Steuereinheit 123 können Funktionseinheiten des SEM 100 derart eingestellt werden, dass in der Probenkammer 120 des SEM 100 ein Hochvakuum oder ein Druck herrscht, welcher nahezu dem Atmosphärendruck entspricht. Durch Einstellen des elften Steuerparameters der Steuereinheit 123 wird beispielsweise eine an der Probenkammer 120 angeordnete Pumpe angesteuert. Wie oben ausgeführt, wird die Probenkammer 120 in dem ersten Druckbereich oder in dem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Wenn festgestellt wird, dass zum einen die Probenkammer 120 im ersten Druckbereich betrieben wird und zum anderen sich das Objekt 125 aufgrund der Zuführung des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 auflädt, dann wird der elfte Steuerparameter derart geändert, dass die Probenkammer 120 im zweiten Druckbereich betrieben wird. Im zweiten Druckbereich wird dann beispielsweise ein Gas mit Ionen zu dem Objekt 125 geführt, so dass die Ladung des Objekts 125 auf der Oberfläche des Objekts 125 neutralisiert wird. Eine Aufladung des Objekts 125 liegt beispielsweise dann vor, wenn das Bild des Objekts 125 instabil ist, insbesondere wenn die Helligkeit und/oder der Kontrast des Bilds des Objekts 125 sich bei mehrfachen Scans über den identischen Bereich des Objekts 125 ändern/ändert. Eine Aufladung des Objekts 125 liegt beispielsweise auch dann vor, wenn sich nach einer Änderung der Richtung eines Scans durch eine Scanrotation immer noch dieselben Merkmale im Bild erkennbar sind und/oder wenn sich die Position des Objekts 125 im Bild ändert. Zusätzlich oder alternativ hierzu wird eine Aufladung des Objekts 125 beispielsweise durch Vergleich des Bilds des Objekts 125 mit einem weiteren Bild des Objekts 125 aus einer Datenbank erkannt, wobei das weitere Bild das Objekt 125 mit Aufladungen zeigt. Für den Vergleich wird insbesondere maschinelles Lernen eingesetzt.With an eleventh control parameter of the control unit 123, functional units of the SEM 100 can be adjusted in such a way that in the sample chamber 120 of the SEM 100 there is a high vacuum or a pressure which almost corresponds to atmospheric pressure. By setting the eleventh control parameter of the control unit 123, a pump arranged on the sample chamber 120 is controlled, for example. As stated above, the sample chamber 120 is operated in the first pressure range or in the second pressure range. The first pressure range only includes pressures less than or equal to 10 -3 hPa, and the second pressure range only includes pressures greater than 10 -3 hPa. If it is determined that on the one hand the sample chamber 120 is operated in the first pressure range and on the other hand the object 125 charges due to the delivery of the primary electron beam onto the object 125, then the eleventh control parameter is changed such that the sample chamber 120 is operated in the second pressure range. In the second pressure range, for example, a gas with ions is then fed to the object 125, so that the charge of the object 125 on the surface of the object 125 is neutralized. Charging of the object 125 is present, for example, when the image of the object 125 is unstable, in particular when the brightness and/or the contrast of the image of the object 125 changes/changes with multiple scans over the identical area of the object 125. The object 125 is also charged, for example, if the same features are still recognizable in the image after a change in the direction of a scan due to a scan rotation and/or if the position of the object 125 in the image changes. In addition or as an alternative to this, charging of the object 125 is detected, for example, by comparing the image of the object 125 with a further image of the object 125 from a database, with the further image showing the object 125 with charges. Machine learning in particular is used for the comparison.

Die Erfindung ist nicht auf die oben genannten Steuerparameter eingeschränkt. Vielmehr kann für die Erfindung jeder Steuerparameter verwendet werden, der für die Erfindung geeignet ist.The invention is not limited to the control parameters mentioned above. Rather can any control parameter suitable for the invention may be used for the invention.

Darüber hinaus umfasst die erste Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S13. Im Verfahrensschritt S13 erfolgt ein Ansteuern der Funktionseinheit mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit 123. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die Steuereinheit 123 mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die Funktionseinheit entsprechend an.In addition, the first group of method steps includes method step S13. In method step S13, the functional unit is controlled with the loaded first control parameter value of the control parameter using control unit 123. In other words, control unit 123 is controlled with the loaded first control parameter value of the control parameter and in turn controls the functional unit accordingly.

Die erste Gruppe von Verfahrensschritten umfasst auch den Verfahrensschritt S14. Im Verfahrensschritt S14 erfolgt ein Führen des Primärelektronenstrahls des SEM 100 auf das Objekt 125 unter Verwendung mindestens einer Führungseinheit des SEM 100. Unter einer Führungseinheit wird jegliche Einheit zur Führung des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 verstanden, aber auch Einheiten zur Formung des Primärelektronenstrahls, der dann zu dem Objekt 125 geführt wird. Die Führungseinheit ist beispielsweise als Fokussiereinheit zur Fokussierung des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125, als eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit zur Strahlformung oder zur Strahlführung, als Stigmator, als Kondensorlinse oder als mechanisch verstellbare Blendeneinheit ausgebildet, mit welcher der Primärelektronenstrahl begrenzt wird. Beispielsweise weist das SEM 100 die folgenden Führungseinheiten auf: die Extraktionselektrode 102, die Anode 103, die erste Blendeneinheit 108, die erste Kondensorlinse 105, die zweite Kondensorlinse 106, die Scaneinrichtung 115, die Spule 111, die Rohrelektrode 113 sowie die einzelne Elektrode 112.The first group of method steps also includes method step S14. In method step S14, the primary electron beam of SEM 100 is guided onto object 125 using at least one guide unit of SEM 100. A guide unit is understood to mean any unit for guiding the primary electron beam onto object 125, but also units for shaping the primary electron beam, which then is led to the object 125. The guidance unit is embodied, for example, as a focusing unit for focusing the primary electron beam on the object 125, as an electrostatic and/or magnetic unit for beam shaping or for beam guidance, as a stigmator, as a condenser lens, or as a mechanically adjustable diaphragm unit with which the primary electron beam is limited. For example, the SEM 100 has the following guide units: the extraction electrode 102, the anode 103, the first aperture unit 108, the first condenser lens 105, the second condenser lens 106, the scanning device 115, the coil 111, the tube electrode 113 and the single electrode 112.

Darüber hinaus weist die erste Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S15 auf. Im Verfahrensschritt S15 erfolgt ein Detektieren von Wechselwirkungsteilchen mit einem Detektor des SEM 100, beispielsweise dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 sowie dem Kammerdetektor 119. Die Wechselwirkungsteilchen gehen aus einer Wechselwirkung des Primärelektronenstrahls mit dem Objekt 125 beim Auftreffen des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 hervor. Bei den Wechselwirkungsteilchen handelt es sich beispielsweise um Sekundärelektronen und Rückstreuelektronen.In addition, the first group of method steps includes method step S15. In method step S15, interaction particles are detected with a detector of SEM 100, for example first detector 116, second detector 117 and chamber detector 119. The interaction particles result from an interaction of the primary electron beam with object 125 when the primary electron beam impinges on object 125 out. The interaction particles are, for example, secondary electrons and backscattered electrons.

Ferner weist die erste Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S16 auf. Im Verfahrensschritt S16 erfolgt ein Erzeugen von ersten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung eines Detektors, beispielsweise dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 sowie dem Kammerdetektor 119. Ein Bild des Objekts 125 wird mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der ersten Detektionssignale erzeugt (Verfahrensschritt S17) und mit dem Monitor 124 des SEM 100 angezeigt (Verfahrensschritt S18).Furthermore, the first group of method steps includes method step S16. In method step S16, first detection signals are generated based on the detected interaction particles using a detector, for example the first detector 116, the second detector 117 and the chamber detector 119. An image of the object 125 is generated with the control unit 123 using the first detection signals (Step S17) and displayed with the monitor 124 of the SEM 100 (Step S18).

Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.All of the aforementioned method steps of the first group of method steps can be carried out in the order described above. Alternatively, any order of the process steps of the first group of process steps suitable for the invention can be used.

6 zeigt eine Ausführungsform der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten. Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten weist den Verfahrensschritt S21 auf. Der Verfahrensschritt S21 umfasst ein Auswählen eines Analysemodus des SEM 100 unter Verwendung der Steuereinheit 123 des SEM 100. Der Analysemodus ist der Modus des SEM 100, mit dem mindestens eine Darstellung von Daten über das Objekt 125 (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit dem Primärelektronenstrahl des SEM 100 erzeugt wird. 6 shows an embodiment of the second group of method steps. The second group of method steps includes method step S21. Method step S21 includes selecting an analysis mode of the SEM 100 using the control unit 123 of the SEM 100. The analysis mode is the mode of the SEM 100 with which at least one representation of data about the object 125 (for example a radiation spectrum, in particular an X-ray spectrum) with the primary electron beam of the SEM 100 is generated.

Darüber hinaus umfasst die zweite Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S22. Im Verfahrensschritt S22 erfolgt ein Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des oben genannten Steuerparameters der Steuereinheit 123 zur Ansteuerung der Funktionseinheit des SEM 100 aus der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123. Der zweite Steuerparameterwert des oben genannten Steuerparameters stellt den Analysemodus sicher. Hierzu wird insbesondere der für den Analysemodus geeignete zweite Steuerparameterwert für den Arbeitsabstand und/oder den Strom des Primärelektronenstrahls geladen.In addition, the second group of method steps includes method step S22. In method step S22, a second control parameter value of the above control parameter of control unit 123 for controlling the functional unit of SEM 100 is loaded from database 126 into control unit 123. The second control parameter value of the above control parameter ensures the analysis mode. For this purpose, in particular the second control parameter value suitable for the analysis mode for the working distance and/or the current of the primary electron beam is loaded.

Ferner umfasst die zweite Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S23. Im Verfahrensschritt S23 erfolgt ein Ansteuern der oben genannten Funktionseinheit mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit 123. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die Steuereinheit 123 mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die Funktionseinheit entsprechend an.Furthermore, the second group of method steps includes method step S23. In method step S23, the above-mentioned functional unit is controlled with the loaded second control parameter value of the control parameter using control unit 123. In other words, control unit 123 is controlled with the loaded second control parameter value of the control parameter and in turn controls the functional unit accordingly.

Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten weist zusätzlich den Verfahrensschritt S24 auf. Im Verfahrensschritt S24 erfolgt ein Führen des Primärelektronenstrahls des SEM 100 auf das Objekt 125 unter Verwendung der oben genannten Führungseinheit des SEM 100.The second group of method steps also includes method step S24. In method step S24, the primary electron beam of SEM 100 is guided onto object 125 using the above-mentioned guiding unit of SEM 100.

Die zweite Gruppe von Verfahrensschritten umfasst auch den Verfahrensschritt S25. Im Verfahrensschritt S25 erfolgt ein Detektieren von Wechselwirkungsstrahlung mit einem Detektor des SEM 100, beispielsweise dem Strahlungsdetektor 500. Die Wechselwirkungsstrahlung geht aus einer Wechselwirkung des Primärelektronenstrahls mit dem Objekt 125 beim Auftreffen des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 hervor. Bei der Wechselwirkungsstrahlung handelt es sich beispielsweise um Röntgenstrahlung oder Kathodolumineszenzlicht.The second group of method steps also includes method step S25. in proceedings In step S25, interaction radiation is detected with a detector of SEM 100, for example radiation detector 500. The interaction radiation results from an interaction of the primary electron beam with object 125 when the primary electron beam impinges on object 125. The interaction radiation is, for example, X-ray radiation or cathodoluminescent light.

Ferner umfasst die zweite Gruppe von Verfahrensschritten auch den Verfahrensschritt S26. Im Verfahrensschritt S26 erfolgt ein Erzeugen von zweiten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung beispielsweise des Strahlungsdetektors 500. Darüber hinaus umfasst die zweite Gruppe von Verfahrensschritten den Verfahrensschritt S27. Im Verfahrensschritt S27 erfolgt ein Erzeugen einer Darstellung von Daten über das Objekt 125 (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der zweiten Detektionssignale. Die erzeugte Darstellung von Daten über das Objekt 125 wird mit dem Monitor 124 des SEM 100 im Verfahrensschritt S28 angezeigt.Furthermore, the second group of method steps also includes method step S26. In method step S26, second detection signals are generated based on the detected interaction radiation using, for example, the radiation detector 500. In addition, the second group of method steps includes method step S27. In method step S27, a representation of data about the object 125 (for example a radiation spectrum, in particular an X-ray spectrum) is generated with the control unit 123 using the second detection signals. The generated representation of data about the object 125 is displayed with the monitor 124 of the SEM 100 in method step S28.

Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.All of the aforementioned method steps of the second group of method steps can be carried out in the order described above. Alternatively, any order of the process steps of the second group of process steps suitable for the invention can be used.

7 zeigt eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens. Bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich vorgesehen, zunächst geeignete Werte für den ersten Steuerparameterwert zu ermitteln und in der Datenbank 126 zu speichern. So ist es bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgesehen, dass vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten zunächst der Verfahrensschritt S01 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S01 erfolgt ein Ansteuern der oben genannten Funktionseinheit mit einem wählbaren Steuerparameterwert des oben genannten Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit 123, so dass das Bild des Objekts 125 mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird. Sodann erfolgt im Verfahrensschritt S02 ein Speichern dieses wählbaren Steuerparameterwertes des Steuerparameters als den ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank 126. Im Verfahrensschritt S03 wird geprüft, ob die Verfahrensschritte S01 und S02 wiederholt werden sollen. Wenn sie wiederholt werden sollen, werden die Verfahrensschritte S01 und S02 erneut durchlaufen, um weitere wählbare Steuerparameterwerte als ersten Steuerparameterwert zu ermitteln und in der Datenbank 126 zu speichern. Wenn sie nicht wiederholt werden, wird beispielsweise der Verfahrensschritt S1 durchgeführt. 7 shows a further embodiment of the method according to the invention. In this embodiment of the method according to the invention, it is additionally provided that suitable values for the first control parameter value are first determined and stored in the database 126 . In this embodiment of the method according to the invention, provision is made for method step S01 to be carried out before the first group of method steps is carried out. In method step S01, the functional unit mentioned above is controlled with a selectable control parameter value of the control parameter mentioned above, using the control unit 123, so that the image of the object 125 is obtained with a desired image quality. Then, in method step S02, this selectable control parameter value of the control parameter is stored as the first control parameter value of the control parameter in database 126. In method step S03, it is checked whether method steps S01 and S02 should be repeated. If they are to be repeated, the method steps S01 and S02 are run through again in order to determine further selectable control parameter values as the first control parameter value and to store them in the database 126. If they are not repeated, method step S1, for example, is carried out.

Die vorgenannte gewünschte Bildqualität kann beispielsweise mittels objektiver Kriterien bestimmt werden. Beispielsweise ist die Bildqualität eines Bildes umso besser, je besser die Auflösung im Bild ist oder je besser der Kontrast ist. Alternativ kann die Bildqualität anhand von subjektiven Kriterien bestimmt werden. Hierbei legt ein Anwender individuell fest, ob ihm eine erzielte Bildqualität ausreicht oder nicht. Dabei kann es aber durchaus vorkommen, dass die von einem ersten Anwender für ausreichend gut befundene Bildqualität einem zweiten Anwender nicht ausreicht. Beispielsweise kann die Bildqualität eines Bildes des Objekts 125 auch anhand des Signal-Rausch-Verhältnisses des Detektorsignals bestimmt werden. Bei einem Signal-Rausch-Verhältnis im Bereich von 0 bis 5 ist die Bildqualität nicht ausreichend gut. Beispielsweise spricht man von einem guten Signal-Rausch-Verhältnis (und damit auch von einer guten sowie ausreichenden Bildqualität), wenn das Signal-Rausch-Verhältnis im Bereich von 20 bis 40 liegt. Auch die Richtung des Sekundärteilchenstrahls (also der Teilchenstrahl, der Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen aufweist) kann ein Maß für die Bildqualität sein. Die Sekundärelektronen können in unterschiedliche Raumwinkel aus dem Objekt 125 emittiert werden. Ferner können die Rückstreuelektronen in verschiedene Raumwinkel an dem Objekt 125 zurückgestreut werden. Die Richtung des Sekundärteilchenstrahls (also der Raumwinkel, in welchem der Sekundärteilchenstrahl verläuft), kann durch Kippung des Primärelektronenstrahls und/oder des Objekts 125 zur optischen Achse OA des SEM 100 beeinflusst werden. Hierdurch ist es zum einen möglich, die Richtung des Sekundärteilchenstrahls derart zu wählen, dass der Sekundärteilchenstrahl auf einen gewünschten Detektor trifft. Zum anderen lassen sich durch die oben genannte Kippung sowohl die Anzahl der erzeugten Sekundärelektronen als auch die Anzahl der zurückgestreuten Rückstreuelektronen beeinflussen. Wenn beispielsweise der Primärelektronenstrahl parallel zu einem Kristallgitter des Objekts 125 in das Objekt 125 eintritt, so nimmt die Anzahl der Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen ab. Das Detektionssignal wird schwächer. Dies führt zu einer Verminderung der Bildqualität. Durch Einstellung der Kippung des Primärelektronenstrahls kann die Anzahl der Sekundärelektronen und der Rückstreuelektronen erhöht werden. Mit einer derartigen Einstellung ist es möglich, Kristalle mit einer ersten Orientierung von Kristallen mit einer zweiten Orientierung anhand der Stärke des Detektionssignals zu unterscheiden.The aforementioned desired image quality can be determined, for example, using objective criteria. For example, the image quality of an image is better the better the resolution in the image is or the better the contrast is. Alternatively, the image quality can be determined using subjective criteria. In this case, a user individually determines whether the image quality achieved is sufficient for him or not. However, it can happen that the image quality that a first user finds to be sufficiently good is not sufficient for a second user. For example, the image quality of an image of the object 125 can also be determined based on the signal-to-noise ratio of the detector signal. If the signal-to-noise ratio is between 0 and 5, the image quality is not good enough. For example, one speaks of a good signal-to-noise ratio (and thus also of good and sufficient image quality) when the signal-to-noise ratio is in the range of 20 to 40. The direction of the secondary particle beam (ie the particle beam that has secondary electrons and/or backscattered electrons) can also be a measure of the image quality. The secondary electrons can be emitted from the object 125 in different solid angles. Furthermore, the backscattered electrons can be scattered back into different solid angles on the object 125 . The direction of the secondary particle beam (ie the solid angle in which the secondary particle beam runs) can be influenced by tilting the primary electron beam and/or the object 125 with respect to the optical axis OA of the SEM 100 . This makes it possible, on the one hand, to select the direction of the secondary particle beam in such a way that the secondary particle beam impinges on a desired detector. On the other hand, both the number of generated secondary electrons and the number of backscattered electrons can be influenced by the above-mentioned tilting. If, for example, the primary electron beam enters the object 125 parallel to a crystal lattice of the object 125, the number of secondary electrons and/or backscattered electrons decreases. The detection signal becomes weaker. This leads to a reduction in image quality. By adjusting the tilt of the primary electron beam, the number of secondary electrons and backscattered electrons can be increased. With such an adjustment it is possible to distinguish crystals with a first orientation from crystals with a second orientation based on the strength of the detection signal.

8 zeigt eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens. Auch bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich vorgesehen, vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten weitere Verfahrensschritte durchzuführen, um einen Weg zu bestimmen, erste Steuerparameterwerte des oben genannten Steuerparameters zu ermitteln. So erfolgt im Verfahrensschritt S04 ein Einstellen der Landeenergie der Elektronen des Primärelektronenstrahls auf einen ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie. Beim Auftreffen auf das Objekt 125 weisen die Elektronen des Primärelektronenstrahls diese Landeenergie auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die Landeenergie der Elektronen die Energie, mit welcher das Objekt 125 untersucht und/oder abgebildet wird. Die Landeenergie der Elektronen kann unterschiedlich zu der Energie sein, mit welcher die Elektronen durch das Strahlführungsrohr 104 des SEM 100 geführt werden. Insbesondere ist es vorgesehen, die Elektronen zunächst sehr stark zu beschleunigen und erst kurz vor dem Auftreffen auf das Objekt 125 auf die Landeenergie abzubremsen. Die Landeenergie der Elektronen liegt beispielsweise im Bereich von 1 eV bis 30 keV, wobei die Bereichsgrenzen mit eingeschlossen sind. Die Erfindung ist aber nicht auf den vorgenannten Bereich der Landeenergie beschränkt. Vielmehr kann bei der Erfindung jeder Bereich verwendet werden, der für die Erfindung geeignet ist. Insbesondere wird beim Abbildungsmodus eine Landeenergie von ungefähr 1 keV verwendet. 8th shows a further embodiment of the method according to the invention. In this embodiment of the method according to the invention, it is additionally provided to carry out further method steps before carrying out the first group of method steps in order to determine a way of determining first control parameter values of the control parameter mentioned above. In method step S04, the landing energy of the electrons of the primary electron beam is set to a first value from a predefinable range of the landing energy. When hitting the object 125, the electrons of the primary electron beam have this landing energy. In other words, the landing energy of the electrons is the energy with which the object 125 is examined and/or imaged. The landing energy of the electrons can be different from the energy with which the electrons are guided through the beam guiding tube 104 of the SEM 100 . In particular, provision is made for the electrons to first be accelerated very strongly and only to be decelerated to the landing energy shortly before they strike the object 125 . The landing energy of the electrons is, for example, in the range from 1 eV to 30 keV, including the range limits. However, the invention is not limited to the aforementioned range of landing energy. Rather, any range suitable for the invention may be used in the invention. In particular, a landing energy of approximately 1 keV is used in the imaging mode.

Bei der Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß der 8 erfolgt im Verfahrensschritt S05 ein Ansteuern der oben genannten Funktionseinheit mit einem wählbaren Steuerparameterwert des oben genannten Steuerparameters, so dass das Bild des Objekts 125 mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird. Hinsichtlich der gewünschten Bildqualität wird auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Zusätzlich wird im Verfahrensschritt S06 die Landeenergie auf einen zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie eingestellt. Es erfolgt im Verfahrensschritt S07 ein Ansteuern der oben genannten Funktionseinheit mit einem weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass ein weiteres Bild des Objekts 125 mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird. Auch hier wird hinsichtlich der gewünschten Bildqualität auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten.In the embodiment of the method according to the 8th In method step S05, the above-mentioned functional unit is activated with a selectable control parameter value of the above-mentioned control parameter, so that the image of the object 125 is obtained with a desired image quality. With regard to the desired image quality, reference is made to the comments above, which also apply here. In addition, in method step S06, the landing energy is set to a second value from the predefinable range of the landing energy. In method step S07, the above-mentioned functional unit is controlled with a further selectable control parameter value of the control parameter, so that a further image of the object 125 with a desired image quality is obtained. Here, too, reference is made to the comments above with regard to the desired image quality, which also apply here.

Ferner wird im Verfahrensschritt S08 geprüft, ob die Verfahrensschritte S06 und S07 wiederholt werden sollen. Wenn die Verfahrensschritte S06 und S07 wiederholt werden sollen, dann werden die Verfahrensschritte S06 und S07 erneut durchgeführt, um weitere wählbare Steuerparameterwerte des oben genannten Steuerparameters zu ermitteln, bei denen Bilder des Objekts 125 mit einer gewünschten Bildqualität erzielt werden. Wenn die Verfahrensschritte S06 und S07 nicht wiederholt werden sollen, dann wird im Verfahrensschritt S09 ein funktionaler Zusammenhang zwischen dem wählbaren Steuerparameterwert und dem weiteren wählbaren Steuerparameterwert (bzw. den weiteren wählbaren Steuerparameterwerten) in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie bestimmt. Im Verfahrensschritt S010 wird der funktionale Zusammenhang in der Datenbank 126 zur Berechnung des ersten Steuerparameterwertes vor dem Laden des ersten Steuerparameterwertes aus der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123 gespeichert.Furthermore, in method step S08 it is checked whether method steps S06 and S07 should be repeated. If the method steps S06 and S07 are to be repeated, then the method steps S06 and S07 are performed again in order to determine further selectable control parameter values of the above control parameter at which images of the object 125 with a desired image quality are achieved. If method steps S06 and S07 are not to be repeated, then in method step S09 a functional relationship between the selectable control parameter value and the further selectable control parameter value (or the further selectable control parameter values) is determined as a function of the specifiable range of the landing energy. In method step S010, the functional relationship is stored in database 126 for calculating the first control parameter value before the first control parameter value is loaded from database 126 into control unit 123.

9 zeigt eine noch weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens. Bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten weitere Verfahrensschritte durchzuführen, um einen Weg zu bestimmen, zweite Steuerparameterwerte des oben genannten Steuerparameters zu ermitteln. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden zunächst geeignete Werte für den zweiten Steuerparameterwert ermittelt und in der Datenbank 126 gespeichert. So ist es bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens im Verfahrensschritt S011 vorgesehen, die oben genannte Funktionseinheit mit einem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit 123 anzusteuern, so dass eine gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt 125 (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) erzielt wird. Im Verfahrensschritt S012 erfolgt ein Speichern des noch weiteren wählbaren Steuerparameterwertes des Steuerparameters als den zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank 126. Im Verfahrensschritt S013 wird geprüft, ob die Verfahrensschritte S011 und S012 wiederholt werden sollen. Wenn sie wiederholt werden sollen, werden die Verfahrensschritte S011 und S012 erneut durchlaufen, um weitere wählbare Steuerparameterwerte als zweiten Steuerparameterwert zu ermitteln und in der Datenbank 126 zu speichern. Wenn sie nicht wiederholt werden, wird beispielsweise der Verfahrensschritt S1 oder S2 durchgeführt. 9 shows yet another embodiment of the method according to the invention. In this embodiment of the method according to the invention it is additionally or alternatively provided to carry out further method steps before carrying out the first group of method steps or the second group of method steps in order to determine a way of determining second control parameter values of the abovementioned control parameter. In other words, suitable values for the second control parameter value are first determined and stored in the database 126 . In this embodiment of the method according to the invention, it is provided in method step S011 to control the above-mentioned functional unit with an even further selectable control parameter value of the control parameter using control unit 123, so that a desired representation of data about object 125 (for example a radiation spectrum, in particular an X-ray spectrum) is obtained. In method step S012, the still further selectable control parameter value of the control parameter is stored as the second control parameter value of the control parameter in database 126. In method step S013, a check is made as to whether method steps S011 and S012 should be repeated. If they are to be repeated, the method steps S011 and S012 are run through again in order to determine further selectable control parameter values as the second control parameter value and to store them in the database 126. If they are not repeated, method step S1 or S2, for example, is carried out.

Die zuvor genannte gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt 125 ist beispielsweise eine Darstellung mit einer gewünschten Qualität. Wenn beispielsweise Röntgenstrahlung mit dem Strahlungsdetektor 500 detektiert wird, dann wird beispielsweise die Qualität der Darstellung durch ein gutes Detektionssignal des Strahlungsdetektors 500 bestimmt. Die Qualität der Darstellung wird dann beispielsweise zum einen durch die Zählrate der detektierten Röntgenquanten und zum anderen durch die Halbwertsbreite der gemessenen Peaks im Röntgenspektrum beeinflusst. Je höher die Zählrate und je geringer die Halbwertsbreite sind, umso besser ist die Qualität der Darstellung der Detektionssignale. Wenn beispielsweise Kathodolumineszenzlicht mit dem Strahlungsdetektor 500 detektiert wird, dann kann beispielsweise die Qualität der Darstellung ebenfalls durch ein gutes Detektionssignal des Strahlungsdetektors 500 bestimmt werden. Die Qualität der Darstellung wird beispielsweise durch die Zählrate der detektierten Photonen des Kathodolumineszenzlichts bestimmt. Die Zählrate kann durch eine geeignete Lichtoptik beeinflusst werden. Ferner kann der Primärelektronenstrahl derart eingestellt werden, dass das Objekt 125 möglichst viele Photonen insgesamt oder eines bestimmten Wellenlängenintervalls emittiert.The aforementioned desired representation of data about the object 125 is, for example, a representation with a desired quality. If, for example, x-ray radiation is detected with the radiation detector 500, then the quality of the display is determined by a good detection signal from the radiation detector 500, for example. The quality of the display is then determined, for example, by the count rate of the detected X-ray quanta and on the other hand influenced by the half-width of the measured peaks in the X-ray spectrum. The higher the count rate and the smaller the half-width, the better the quality of the representation of the detection signals. If, for example, cathodoluminescence light is detected with the radiation detector 500, then the quality of the display can also be determined by a good detection signal from the radiation detector 500, for example. The quality of the representation is determined, for example, by the counting rate of the detected photons of the cathodoluminescent light. The counting rate can be influenced by suitable light optics. Furthermore, the primary electron beam can be adjusted in such a way that the object 125 emits as many photons as possible in total or in a specific wavelength interval.

10 zeigt eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens. Auch bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich vorgesehen, vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten weitere Verfahrensschritte durchzuführen, um einen Weg zu ermitteln, zweite Steuerparameterwerte des oben genannten Steuerparameters zu ermitteln. So erfolgt im Verfahrensschritt S014 ein Einstellen der Landeenergie der Elektronen des Primärelektronenstrahls auf einen ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie. Beim Auftreffen auf das Objekt 125 weisen die Elektronen des Primärelektronenstrahls diese Landeenergie auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, ist die Landeenergie der Elektronen die Energie, mit welcher das Objekt 125 untersucht und/oder abgebildet wird. Es wird auf sämtliche bereits gemachten Ausführungen zur Landeenergie verwiesen, die bereits weiter oben gemacht wurden. Diese gelten auch hier. 10 shows a further embodiment of the method according to the invention. In this embodiment of the method according to the invention, it is additionally provided to carry out further method steps before carrying out the first group of method steps or the second group of method steps in order to determine a way of determining second control parameter values of the abovementioned control parameter. In method step S014, the landing energy of the electrons of the primary electron beam is set to a first value from a predefinable range of the landing energy. When hitting the object 125, the electrons of the primary electron beam have this landing energy. In other words, the landing energy of the electrons is the energy with which the object 125 is examined and/or imaged. Reference is made to all the statements on landing energy that have already been made above. These also apply here.

Bei der Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß der 10 erfolgt im Verfahrensschritt S015 ein Ansteuern der oben genannten Funktionseinheit mit einem wählbaren Steuerparameterwert des oben genannten Steuerparameters, so dass eine Darstellung von Daten des Objekts 125 mit einer gewünschten Qualität erzielt wird. Hinsichtlich der gewünschten Qualität der Darstellung von Daten über das Objekt 125 wird auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Zusätzlich wird im Verfahrensschritt S016 die Landeenergie auf einen zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie eingestellt. Es erfolgt im Verfahrensschritt S017 ein Ansteuern der oben genannten Funktionseinheit mit einem weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine weitere Darstellung von Daten über das Objekt 125 mit einer gewünschten Qualität erzielt wird. Auch hier wird hinsichtlich der gewünschten Qualität auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Ferner wird im Verfahrensschritt S018 geprüft, ob die Verfahrensschritte S016 und S017 wiederholt werden sollen. Wenn die Verfahrensschritte S016 und S017 wiederholt werden sollen, dann werden die Verfahrensschritte S016 und S017 erneut durchgeführt, um weitere wählbare Steuerparameterwerte des oben genannten Steuerparameters zu ermitteln, bei denen Darstellungen von Daten über das Objekt 125 mit einer gewünschten Qualität erzielt werden. Wenn die Verfahrensschritte S016 und S017 nicht wiederholt werden sollen, dann wird im Verfahrensschritt S019 ein funktionaler Zusammenhang zwischen dem wählbaren Steuerparameterwert und dem weiteren wählbaren Steuerparameterwert (bzw. den weiteren wählbaren Steuerparameterwerten) in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie bestimmt. Im Verfahrensschritt S020 wird der funktionale Zusammenhang in der Datenbank 126 zur Berechnung des zweiten Steuerparameterwertes vor dem Laden des zweiten Steuerparameterwertes aus der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123 gespeichert. Im Anschluss erfolgt der Verfahrensschritt S1 oder S2.In the embodiment of the method according to the 10 In method step S015, the above-mentioned functional unit is controlled with a selectable control parameter value of the above-mentioned control parameter, so that data of the object 125 is displayed with a desired quality. With regard to the desired quality of the representation of data about the object 125, reference is made to the comments above, which also apply here. In addition, in method step S016, the landing energy is set to a second value from the predefinable range of the landing energy. In method step S017, the above-mentioned functional unit is controlled with a further selectable control parameter value of the control parameter, so that a further representation of data about the object 125 with a desired quality is achieved. Here, too, reference is made to the comments above with regard to the desired quality, which also apply here. Furthermore, in method step S018 it is checked whether method steps S016 and S017 should be repeated. If method steps S016 and S017 are to be repeated, then method steps S016 and S017 are performed again to determine further selectable control parameter values of the above control parameter at which representations of data about the object 125 of a desired quality are achieved. If method steps S016 and S017 are not to be repeated, then in method step S019 a functional relationship between the selectable control parameter value and the further selectable control parameter value (or the further selectable control parameter values) is determined as a function of the predefinable range of the landing energy. In method step S020, the functional relationship is stored in database 126 for calculating the second control parameter value before the second control parameter value is loaded from database 126 into control unit 123. This is followed by method step S1 or S2.

Bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, zusätzlich zu der oben genannten Funktionseinheit mindestens eine weitere Funktionseinheit zu verwenden. Bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens sind die Funktionseinheit des SEM 100 eine erste Funktionseinheit und der Steuerparameter ein erster Steuerparameter. Wie oben erwähnt, weist das SEM 100 weitere Funktionseinheiten auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, weist das SEM 100 mindestens eine zweite Funktionseinheit auf. Mit der Steuereinheit 123 wird die zweite Funktionseinheit unter Verwendung eines zweiten Steuerparameters angesteuert. In der ersten Gruppe von Verfahrensschritten weist diese Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zusätzlich die nachfolgend erläuterten Verfahrensschritte gemäß der 11 auf. Im Verfahrensschritt S19 erfolgt ein Laden eines ersten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters der Steuereinheit 123 zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit des SEM 100 aus der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123. Hinsichtlich der Eigenschaften des zweiten Steuerparameters wird auf die Ausführungen zum Steuerparameter weiter oben verwiesen, die auch hier gelten. Ferner erfolgt im Verfahrensschritt S19A ein Ansteuern der zweiten Funktionseinheit mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit 123. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die Steuereinheit 123 mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die zweite Funktionseinheit entsprechend an. Im Verfahrensschritt S19B erfolgt ein Erzeugen von dritten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung eines Detektors, beispielsweise dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 sowie dem Kammerdetektor 119. Wie oben bereits erwähnt, wird das Bild des Objekts 125 mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der ersten Detektionssignale erzeugt. Zusätzlich hierzu wird im Verfahrensschritt S19C das Bild des Objekts 125 mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der dritten Detektionssignale erzeugt. Das Bild wird dann auf dem Monitor 124 des SEM 100 angezeigt.In one embodiment of the method according to the invention, it is additionally or alternatively provided to use at least one further functional unit in addition to the above-mentioned functional unit. In this embodiment of the method according to the invention, the functional unit of the SEM 100 is a first functional unit and the control parameter is a first control parameter. As mentioned above, the SEM 100 has other functional units. In other words, the SEM 100 has at least one second functional unit. The second functional unit is controlled by the control unit 123 using a second control parameter. In the first group of method steps, this embodiment of the method according to the invention also has the method steps explained below according to FIG 11 on. In method step S19, a first control parameter value of the second control parameter of control unit 123 for controlling the second functional unit of SEM 100 is loaded from database 126 into control unit 123. With regard to the properties of the second control parameter, reference is made to the statements on control parameters above, which also apply here. Furthermore, in method step S19A, the second functional unit is controlled with the loaded first control parameter value of the second control parameter using control unit 123. In other words, control unit 123 is controlled with the loaded first control parameter value of the second control parameter and in turn controls the second functional unit again speaking to. In method step S19B, third detection signals are generated based on the detected interaction particles using a detector, for example the first detector 116, the second detector 117 and the chamber detector 119. As already mentioned above, the image of the object 125 is processed with the control unit 123 under Generated using the first detection signals. In addition to this, in step S19C, the image of the object 125 is generated with the control unit 123 using the third detection signals. The image is then displayed on the monitor 124 of the SEM 100.

Wie oben bereits erwähnt, können sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der ersten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.As already mentioned above, all the aforementioned method steps of the first group of method steps can be carried out in the order described above. Alternatively, any order of the process steps of the first group of process steps suitable for the invention can be used.

In der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten weist diese Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens zusätzlich die nachfolgend erläuterten Verfahrensschritte gemäß der 12 auf. Im Verfahrensschritt S29 erfolgt ein Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters der Steuereinheit 123 zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit des SEM 100 aus der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123. Ferner erfolgt im Verfahrensschritt S29A ein Ansteuern der zweiten Funktionseinheit mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit 123. Mit anderen Worten ausgedrückt, wird die Steuereinheit 123 mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters angesteuert und steuert ihrerseits wieder die zweite Funktionseinheit entsprechend an. Darüber hinaus erfolgt im Verfahrensschritt S29B ein Erzeugen von vierten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung eines Detektors, beispielsweise des Strahlungsdetektors 500. Wie oben bereits erwähnt, wird die Darstellung von Daten über das Objekt 125 mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der zweiten Detektionssignale erzeugt. Zusätzlich wird hierzu im Verfahrensschritt S29C die Darstellung von Daten über das Objekt 125 (beispielsweise ein Strahlungsspektrum, insbesondere ein Röntgenspektrum) mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der vierten Detektionssignale erzeugt.In the second group of method steps, this embodiment of the method according to the invention also has the method steps explained below according to FIG 12 on. In method step S29, a second control parameter value of the second control parameter of control unit 123 for controlling the second functional unit of SEM 100 is loaded from database 126 into control unit 123. Furthermore, in method step S29A, the second functional unit is controlled with the loaded second control parameter value of the second control parameter using the control unit 123. In other words, the control unit 123 is controlled with the loaded second control parameter value of the second control parameter and in turn controls the second functional unit accordingly. In addition, in method step S29B, fourth detection signals are generated based on the detected interaction radiation using a detector, for example the radiation detector 500. As already mentioned above, the representation of data about the object 125 is generated with the control unit 123 using the second detection signals . In addition to this, in method step S29C, the representation of data about the object 125 (for example a radiation spectrum, in particular an X-ray spectrum) is generated with the control unit 123 using the fourth detection signals.

Sämtliche vorgenannten Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten können in der vorbeschriebenen Reihenfolge durchgeführt werden. Alternativ hierzu ist jede Reihenfolge der Verfahrensschritte der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten verwendbar, welche für die Erfindung geeignet ist.All of the aforementioned method steps of the second group of method steps can be carried out in the order described above. Alternatively, any order of the process steps of the second group of process steps suitable for the invention can be used.

13 zeigt eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens. Bei dieser Ausführungsform ist es vorgesehen, dass beispielsweise vor dem Verfahrensschritt S1 ein Verfahrensschritt S30 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S30 wird ein Bereich auf dem Objekt 125 bestimmt, zu dem der Primärelektronenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten geführt wird. Ferner ist es beispielsweise zusätzlich vorgesehen, die in der 14 dargestellten Verfahrensschritte S23A bis S23D bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten nach dem Verfahrensschritt S23 durchzuführen. So ist es im Verfahrensschritt S23A vorgesehen, zunächst nochmals Wechselwirkungsteilchen mit einem Detektor, beispielsweise dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 sowie dem Kammerdetektor 119 zu detektieren. Die Wechselwirkungsteilchen gehen aus einer Wechselwirkung des Primärelektronenstrahls mit dem Objekt 125 beim Auftreffen des Primärelektronenstrahls auf das Objekt 125 hervor. Bei den Wechselwirkungsteilchen handelt es sich beispielsweise um Sekundärelektronen und Rückstreuelektronen. Im Verfahrensschritt S23B erfolgt ein Erzeugen von weiteren ersten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung eines Detektors, beispielsweise dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 sowie dem Kammerdetektor 119. Ein weiteres Bild des Objekts 125 wird mit der Steuereinheit 123 unter Verwendung der weiteren ersten Detektionssignale im Verfahrensschritt S23C erzeugt. Im Verfahrensschritt S23D wird der Primärelektronenstrahl auf den zuvor ausgewählten Bereich des Objekts 125 unter Verwendung des weiteren Bildes des Objekts 125 fokussiert. Da es durchaus sein kann, dass der zuvor ausgewählte Bereich aufgrund der Umstellung der Werte des Steuerparameters oder der Steuerparameter nicht mehr im Sichtfeld des SEM 100 liegt, wird hierdurch sichergestellt, dass bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten der Primärelektronenstrahl stets zu dem Bereich, der analysiert werden soll, geführt wird. 13 shows a further embodiment of the method according to the invention. In this embodiment, it is provided that a method step S30 is carried out before method step S1, for example. In method step S30, an area on object 125 is determined to which the primary electron beam is guided when carrying out the first group of method steps and/or the second group of method steps. Furthermore, it is additionally provided, for example, in the 14 to carry out the method steps S23A to S23D illustrated when carrying out the second group of method steps after method step S23. Thus, in method step S23A, provision is made for interaction particles to first be detected again using a detector, for example the first detector 116, the second detector 117 and the chamber detector 119. The interaction particles result from an interaction of the primary electron beam with the object 125 when the primary electron beam impinges on the object 125 . The interaction particles are, for example, secondary electrons and backscattered electrons. In method step S23B, further first detection signals are generated based on the detected interaction particles using a detector, for example the first detector 116, the second detector 117 and the chamber detector 119. Another image of the object 125 is created with the control unit 123 using the further first detection signals generated in step S23C. In step S23D, the primary electron beam is focused on the previously selected area of the object 125 using the further image of the object 125. Since it is quite possible that the previously selected area is no longer in the field of view of the SEM 100 due to the change in the values of the control parameter or parameters, this ensures that when the second group of method steps is carried out, the primary electron beam is always directed to the area to be analyzed.

15 zeigt eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens. Bei dieser Ausführungsform ist es vorgesehen, dass beispielsweise vor dem Verfahrensschritt S1 ein Verfahrensschritt S31 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S31 werden beispielsweise vor dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten ein erster Bereich auf dem Objekt 125 und ein zweiter Bereich auf dem Objekt 125 bestimmt. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden ein erster Bereich auf dem Objekt 125 und ein zweiter Bereich auf dem Objekt 125 ausgewählt. Ferner ist es beispielsweise zusätzlich vorgesehen, dass bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten statt des Verfahrensschritts S14 der Verfahrensschritt S14A gemäß der 16 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S14A wird der Primärelektronenstrahl zum ersten Bereich oder zum zweiten Bereich auf dem Objekt 125 geführt. Beispielsweise wird der Primärelektronenstrahl zunächst zu dem ersten Bereich geführt sowie die weiteren Verfahrensschritte S15 und S16 durchgeführt. Im Anschluss daran werden die Verfahrensschritte S14A sowie S15 bis S16 wiederholt, wobei der Primärelektronenstrahl hier zum zweiten Bereich auf dem Objekt geführt wird. Im Anschluss daran wird das Bild des Objekts 125 erzeugt und auf dem Monitor 124 angezeigt (Verfahrensschritte S17 und S18). Darüber hinaus ist es beispielsweise zusätzlich vorgesehen, dass bei der Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten statt des Verfahrensschritts S24 der Verfahrensschritt S24A gemäß der 16 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S24A wird der Primärelektronenstrahl zum ersten Bereich oder zum zweiten Bereich auf dem Objekt 125 geführt. Beispielsweise wird der Primärelektronenstrahl zunächst zu dem ersten Bereich geführt sowie die weiteren Verfahrensschritte S25 und S26 durchgeführt. Im Anschluss daran werden die Verfahrensschritte S24A sowie S25 bis S26 wiederholt, wobei der Primärelektronenstrahl hier zum zweiten Bereich auf dem Objekt 125 geführt wird. Im Anschluss daran wird die Darstellung von Daten über das Objekt 125 erzeugt und auf dem Monitor 124 angezeigt (Verfahrensschritte S27 und S28). Alternativ zu den vorgenannten Ausführungsformen ist es bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgesehen, dass die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten zunächst für den ersten Bereich durchgeführt werden und dass im Anschluss daran die erste Gruppe von Verfahrensschritten sowie die zweite Gruppe von Verfahrensschritten für den zweiten Bereich durchgeführt werden. 15 shows a further embodiment of the method according to the invention. In this embodiment, it is provided that a method step S31 is carried out before method step S1, for example. In method step S31, a first area on the object 125 and a second area on the object 125 are determined, for example, before the first group of method steps is carried out. In other words, a first area on the object 125 and a second area on the object 125 are made chosen. Furthermore, it is additionally provided, for example, that when carrying out the first group of method steps, instead of method step S14, method step S14A according to FIG 16 is carried out. The primary electron beam is guided to the first area or the second area on the object 125 in step S14A. For example, the primary electron beam is first guided to the first area and the further method steps S15 and S16 are carried out. Following this, method steps S14A and S15 to S16 are repeated, with the primary electron beam being guided here to the second area on the object. The image of the object 125 is then generated and displayed on the monitor 124 (method steps S17 and S18). In addition, it is additionally provided, for example, that when carrying out the second group of method steps, instead of method step S24, method step S24A according to FIG 16 is carried out. The primary electron beam is guided to the first area or the second area on the object 125 in step S24A. For example, the primary electron beam is first guided to the first area and the further method steps S25 and S26 are carried out. Following this, the method steps S24A and S25 to S26 are repeated, with the primary electron beam being guided to the second area on the object 125 here. Following this, the representation of data about the object 125 is generated and displayed on the monitor 124 (method steps S27 and S28). As an alternative to the aforementioned embodiments, one embodiment of the method according to the invention provides for the first group of method steps and the second group of method steps to be carried out first for the first area and then for the first group of method steps and the second group of method steps to be carried out be carried out for the second area.

Bei einer wiederum weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es vorgesehen, dass die Position des ersten Bereichs in der Datenbank 126 gespeichert wird. Zusätzlich oder alternativ hierzu ist es vorgesehen, dass die Position des zweiten Bereichs in der Datenbank 126 gespeichert wird. Bei einer noch weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es vorgesehen, dass für den ersten Bereich festgelegt wird, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird. Diese Festlegung wird in der Datenbank 126 gespeichert. Zusätzlich oder alternativ hierzu ist es vorgesehen, dass für den zweiten Bereich festgelegt wird, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird. Diese Festlegung wird in der Datenbank 126 gespeichert. Die vorgenannten Verfahrensschritte sind deshalb von Vorteil, weil auch der Ort, an dem die Wechselwirkungsstrahlung entsteht, bestimmt wird. Damit ist es möglich, die Materialzusammensetzung an einem bestimmten Ort des Objekts 125 genau zu bestimmen.In yet another embodiment of the method according to the invention, it is provided that the position of the first area is stored in the database 126 . In addition or as an alternative to this, it is provided that the position of the second area is stored in the database 126 . In yet another embodiment of the method according to the invention, it is provided that for the first area it is determined whether the location of the origin of the interaction radiation is determined. This determination is stored in the database 126. In addition or as an alternative to this, it is provided that for the second area it is specified whether the location of the origin of the interaction radiation is determined. This determination is stored in the database 126. The aforementioned method steps are advantageous because the location at which the interaction radiation occurs is also determined. This makes it possible to precisely determine the material composition at a specific location of the object 125 .

Bei einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es vorgesehen, dass nach dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten im Verfahrensschritt S3 gemäß der 4 geprüft wird, ob die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten erneut durchgeführt werden sollen. Wenn dies der Fall ist, werden die Verfahrensschritte S1 und S2 erneut durchgeführt. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden die Verfahrensschritte S1 und S2 alternierend (also abwechselnd) durchgeführt. Wenn die Verfahrensschritte S1 und S2 nicht erneut durchgeführt werden sollen, wird im Verfahrensschritt S4 gemäß der 4 das erfindungsgemäße Verfahren angehalten.In a further embodiment of the method according to the invention it is provided that after carrying out the first group of method steps and the second group of method steps in method step S3 according to FIG 4 it is checked whether the first group of method steps and the second group of method steps should be carried out again. If this is the case, method steps S1 and S2 are carried out again. In other words, the method steps S1 and S2 are carried out alternately (ie alternately). If the method steps S1 and S2 are not to be carried out again, in method step S4 according to the 4 stopped the inventive method.

Bei einer noch weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich vorgesehen, dass nach dem Verfahrensschritt S11 der ersten Gruppe von Verfahrensschritten der Verfahrensschritt S11A gemäß der 17 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S11A wird der Strahlungsdetektor 500 in eine erste Position bewegt. Zusätzlich ist es vorgesehen, dass nach dem Verfahrensschritt S21 der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten der Verfahrensschritt S21A gemäß der 18 durchgeführt wird. Im Verfahrensschritt S21A wird der Strahlungsdetektor 500 in eine zweite Position bewegt. Zur Bewegung des Strahlungsdetektors 500 ist eine Bewegungseinrichtung (nicht dargestellt) vorgesehen. Die erste Position ist weiter von dem Objekt 125 als die zweite Position beabstandet. Auf diese Weise ist sichergestellt, dass die Wechselwirkungsstrahlung ausreichend gut mit dem in der zweiten Position angeordneten Strahlungsdetektor 500 detektiert werden kann. Wenn keine Wechselwirkungsstrahlung detektiert werden soll, dann wird der Strahlungsdetektor 500 in die erste Position bewegt, sodass die erste Objektivlinse 107 relativ zu dem Objekt 125 in einem Arbeitsabstand von beispielsweise bis zu 5 mm bewegt werden kann.In yet another embodiment of the method according to the invention, it is additionally provided that after method step S11 of the first group of method steps, method step S11A according to FIG 17 is carried out. In step S11A, the radiation detector 500 is moved to a first position. In addition, it is provided that after the method step S21 of the second group of method steps, the method step S21A according to the 18 is carried out. In step S21A, the radiation detector 500 is moved to a second position. A movement device (not shown) is provided for moving the radiation detector 500 . The first position is spaced further from the object 125 than the second position. This ensures that the interaction radiation can be detected sufficiently well with the radiation detector 500 arranged in the second position. If no interaction radiation is to be detected, then the radiation detector 500 is moved to the first position, so that the first objective lens 107 can be moved relative to the object 125 at a working distance of up to 5 mm, for example.

Sämtliche Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens gehen von der überraschenden Erkenntnis aus, dass geeignete Werte des Steuerparameters, die eine gewünschte Qualität eines Bildes des Objekts 125 zum einen und die eine gewünschte Qualität einer Darstellung von Daten über das Objekt 125 zum anderen ermöglichen, in einer Datenbank 126 des SEM 100 gespeichert sind. Beispielsweise erfolgt die Speicherung des ersten Steuerparameterwertes und/oder des zweiten Steuerparameterwertes des Steuerparameters in Abhängigkeit des Objekts 125. Hierdurch ist es möglich, zum einen für eine gewünschte Qualität eines Bildes des Objekts 125 geeignete Werte des Steuerparameters für das entsprechende Objekt 125 von der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123 automatisch zu laden und die Funktionseinheit(en) des SEM 100 entsprechend mittels der Steuereinheit 123 anzusteuern. Zum anderen ist es möglich, für eine gewünschte Qualität einer Darstellung von Daten über das Objekt 125 geeignete Werte des Steuerparameters für das entsprechende Objekt 125 von der Datenbank 126 in die Steuereinheit 123 automatisch zu laden und die Funktionseinheit(en) des SEM 100 entsprechend mittels der Steuereinheit 123 anzusteuern. Ein manuelles Einstellen der Steuerparameterwerte des Steuerparameters durch einen Anwender des SEM 100 ist daher nicht mehr zwingend erforderlich.All embodiments of the method according to the invention are based on the surprising finding that suitable values of the control parameter, which enable a desired quality of an image of the object 125 on the one hand and a desired quality of a representation of data about the object 125 on the other, are stored in a database 126 of the SEM 100 are stored. For example, the user is saved th control parameter value and/or the second control parameter value of the control parameter as a function of object 125. This makes it possible, on the one hand, to transfer control parameter values suitable for a desired quality of an image of object 125 for the corresponding object 125 from database 126 to control unit 123 automatically to load and to control the functional unit(s) of the SEM 100 accordingly by means of the control unit 123. On the other hand, it is possible to automatically load suitable values of the control parameter for the corresponding object 125 from the database 126 into the control unit 123 for a desired quality of a representation of data about the object 125 and to activate the functional unit(s) of the SEM 100 accordingly using the Control unit 123 to control. A manual setting of the control parameter values of the control parameter by a user of the SEM 100 is therefore no longer absolutely necessary.

Die in der vorliegenden Beschreibung, in den Zeichnungen sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebigen Kombinationen für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen wesentlich sein. Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Sie kann im Rahmen der Ansprüche und unter Berücksichtigung der Kenntnisse des zuständigen Fachmanns variiert werden.The features of the invention disclosed in the present description, in the drawings and in the claims can be essential both individually and in any combination for the realization of the invention in its various embodiments. The invention is not limited to the embodiments described. It can be varied within the scope of the claims and taking into account the knowledge of the person skilled in the art.

BezugszeichenlisteReference List

100100
SEMS.E.M
101101
Elektronenquelleelectron source
102102
Extraktionselektrodeextraction electrode
103103
Anodeanode
104104
Strahlführungsrohrbeam guide tube
105105
erste Kondensorlinsefirst condenser lens
106106
zweite Kondensorlinsesecond condenser lens
107107
erste Objektivlinsefirst objective lens
108108
erste Blendeneinheitfirst aperture unit
108A108A
erste Blendenöffnungfirst aperture
109109
zweite Blendeneinheitsecond aperture unit
110110
Polschuhepole shoes
111111
SpuleKitchen sink
112112
einzelne Elektrodesingle electrode
113113
Rohrelektrodetubular electrode
114114
Objekthalterobject holder
115115
Scaneinrichtungscanning device
116116
erster Detektorfirst detector
116A116A
Gegenfeldgitteropposing field grid
117117
zweiter Detektorsecond detector
118118
zweite Blendenöffnungsecond aperture
119119
Kammerdetektorchamber detector
120120
Probenkammersample chamber
121121
dritter Detektorthird detector
122122
Probentischrehearsal table
123123
Steuereinheit mit ProzessorControl unit with processor
124124
Monitormonitor
125125
Objektobject
126126
Datenbank Database
200200
Kombinationsgerätcombination device
201201
Probenkammer sample chamber
300300
lonenstrahlgerätion beam device
301301
lonenstrahlerzeugerion beam generator
302302
Extraktionselektrode im lonenstrahlgerätExtraction electrode in the ion beam device
303303
Kondensorlinsecondenser lens
304304
zweite Objektivlinse second objective lens
306306
einstellbare oder auswählbare Blendeadjustable or selectable aperture
307307
erste Elektrodenanordnungfirst electrode arrangement
308308
zweite Elektrodenanordnung second electrode arrangement
400400
Teilchenstrahlgerät mit KorrektoreinheitParticle beam device with correction unit
401401
Teilchenstrahlsäuleparticle beam column
402402
Elektronenquelleelectron source
403403
Extraktionselektrodeextraction electrode
404404
Anodeanode
405405
erste elektrostatische Linsefirst electrostatic lens
406406
zweite elektrostatische Linsesecond electrostatic lens
407407
dritte elektrostatische Linsethird electrostatic lens
408408
magnetische Ablenkeinheitmagnetic deflection unit
409409
erste elektrostatische Strahlablenkeinheitfirst electrostatic beam deflection unit
409A409A
erste Multipoleinheitfirst multipole unit
409B409B
zweite Multipoleinheitsecond multipole unit
410410
Strahlablenkeinrichtungbeam deflection device
411A411A
erster magnetischer Sektorfirst magnetic sector
411B411B
zweiter magnetischer Sektorsecond magnetic sector
411C411C
dritter magnetischer Sektorthird magnetic sector
411D411D
vierter magnetischer Sektorfourth magnetic sector
411E411E
fünfter magnetischer Sektorfifth magnetic sector
411F411F
sechster magnetischer Sektorsixth magnetic sector
411G411G
siebter magnetischer Sektor seventh magnetic sector
413A413A
erste Spiegelelektrodefirst mirror electrode
413B413B
zweite Spiegelelektrodesecond mirror electrode
413C413C
dritte Spiegelelektrodethird mirror electrode
414414
elektrostatischer Spiegelelectrostatic mirror
415415
vierte elektrostatische Linsefourth electrostatic lens
416416
zweite elektrostatische Strahlablenkeinheitsecond electrostatic beam deflection unit
416A416A
dritte Multipoleinheitthird multipole unit
416B416B
vierte Multipoleinheitfourth multipole unit
417417
dritte elektrostatische Strahlablenkeinheitthird electrostatic beam deflection unit
418418
fünfte elektrostatische Linsefifth electrostatic lens
418A418A
fünfte Multipoleinheitfifth multipole unit
418B418B
sechste Multipoleinheitsixth multipole unit
419419
erster Analysedetektorfirst analysis detector
420420
Strahlführungsrohrbeam guide tube
421421
Objektivlinseobjective lens
422422
magnetische Linsemagnetic lens
423423
sechste elektrostatische Linsesixth electrostatic lens
424424
Probentischrehearsal table
425425
Objektobject
426426
Probenkammersample chamber
427427
Detektionsstrahlwegdetection beam path
428428
zweiter Analysedetektorsecond analysis detector
429429
Scaneinrichtung scanning device
432432
weiteres magnetisches Ablenkelement another magnetic deflection element
500500
Strahlungsdetektor radiation detector
709709
erste Strahlachsefirst beam axis
710710
zweite Strahlachse second beam axis
OAOA
optische Achseoptical axis
OA1OA1
erste optische Achsefirst optical axis
OA2OA2
zweite optische Achsesecond optical axis
OA3OA3
dritte optische Achse third optical axis
S1 bis S4S1 to S4
Verfahrensschritteprocess steps
S11 bis S19S11 to S19
Verfahrensschritteprocess steps
S11AS11A
Verfahrensschrittprocess step
S14AS14A
Verfahrensschrittprocess step
S19A bis S19CS19A to S19C
Verfahrensschritteprocess steps
S21 bis S29S21 to S29
Verfahrensschritteprocess steps
S21AS21A
Verfahrensschrittprocess step
S23A bis S23DS23A to S23D
Verfahrensschritteprocess steps
S24AS24A
Verfahrensschrittprocess step
S29A bis S29CS29A to S29C
Verfahrensschritteprocess steps
S30 bis S31S30 to S31
Verfahrensschritteprocess steps
S01 bis S020S01 to S020
Verfahrensschritteprocess steps

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturPatent Literature Cited

  • WO 2002/067286 A2 [0113]WO 2002/067286 A2 [0113]

Claims (21)

Verfahren zum Erzeugen eines Bildes eines Objekts (125, 425) und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit einem Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400), wobei das Verfahren eine erste Gruppe von Verfahrensschritten und eine zweite Gruppe von Verfahrensschritten umfasst, wobei - die erste Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte aufweist: (i) Auswählen eines Abbildungsmodus des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) unter Verwendung einer Steuereinheit (123) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400); (ii) Laden eines ersten Steuerparameterwertes eines Steuerparameters zur Ansteuerung mindestens einer Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A , 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) aus einer Datenbank (126) in die Steuereinheit (123); (iii) Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit (123); (iv) Führen eines Teilchenstrahls des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) auf das Objekt (125, 425) unter Verwendung mindestens einer Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400), wobei das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) mindestens einen Strahlerzeuger (101, 301, 402) zum Erzeugen eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen aufweist; (v) Detektieren von Wechselwirkungsteilchen mit mindestens einem ersten Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428) des Teilchenstrahlgeräts, wobei die Wechselwirkungsteilchen aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425) hervorgehen; (vi) Erzeugen von ersten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung des ersten Detektors (116, 117, 119, 121, 419, 428); (vii) Erzeugen eines Bildes des Objekts (125, 425) mit der Steuereinheit (123) unter Verwendung der ersten Detektionssignale; sowie (viii) Anzeigen des Bildes des Objekts (125, 425) mit einer Anzeigeeinheit (124) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400); und wobei - die zweite Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte aufweist: (ix) Auswählen eines Analysemodus des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) unter Verwendung der Steuereinheit (123); (x) Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des Steuerparameters zur Ansteuerung der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) aus der Datenbank (126) in die Steuereinheit (123); (xi) Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit (123); (xii) Führen des Teilchenstrahls des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) auf das Objekt (125, 425) unter Verwendung der Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432); (xiii) Detektieren von Wechselwirkungsstrahlung mit mindestens einem zweiten Detektor (500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400), wobei die Wechselwirkungsstrahlung aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425) hervorgeht; (xiv) Erzeugen von zweiten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung des zweiten Detektors (500); (xv) Erzeugen einer Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit der Steuereinheit (123) unter Verwendung der zweiten Detektionssignale; sowie (xvi) Anzeigen der Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit der Anzeigeeinheit (124).Method for generating an image of an object (125, 425) and/or a representation of data about the object (125, 425) with a particle beam device (100, 200, 400), the method having a first group of method steps and a second group of method steps, wherein - the first group of method steps has the following method steps: (i) selecting an imaging mode of the particle beam device (100, 200, 400) using a control unit (123) of the particle beam device (100, 200, 400); (ii) Loading a first control parameter value of a control parameter for controlling at least one functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A , 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A , 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 4.82, 424, 4.82 , 432, 500) of the particle beam device (100, 200, 400) from a database (126) into the control unit (123); (iii) Driving the functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121 , 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 4111D, 4111E , 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) with the loaded first control parameter value of the control parameter using the control unit (123); (iv) Guiding a particle beam of the particle beam device (100, 200, 400) onto the object (125, 425) using at least one guide unit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113 , 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 4111G, 4111G, 4111G , 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432) of the particle beam device (100, 200, 400), wherein the particle beam device (100 , 200, 400) has at least one beam generator (101, 301, 402) for generating a particle beam with charged particles; (v) detecting interaction particles with at least one first detector (116, 117, 119, 121, 419, 428) of the particle beam device, the interaction particles resulting from an interaction of the particle beam with the object (125, 425) when the particle beam hits the object (125, 425); (vi) generating first detection signals based on the detected interacting particles using the first detector (116, 117, 119, 121, 419, 428); (vii) generating an image of the object (125, 425) with the control unit (123) using the first detection signals; and (viii) displaying the image of the object (125, 425) with a display unit (124) of the particle beam device (100, 200, 400); and wherein - the second group of method steps comprises the following method steps: (ix) selecting an analysis mode of the particle beam device (100, 200, 400) using the control unit (123); (x) Loading a second control parameter value of the control parameter for controlling the functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411B, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 9, 824, 424 432, 500) from the database (126) into the control unit (123); (xi) Driving the functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121 , 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 4111D, 4111E , 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) with the loaded second control parameter value of the control parameter using the control unit (123); (xii) guiding the particle beam of the particle beam device (100, 200, 400) onto the object (125, 425) using the guide unit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 4111G, 4131F, 4111F 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432); (xiii) detecting interaction radiation with at least one second detector (500) of the particle beam device (100, 200, 400), the interaction radiation resulting from an interaction of the particle beam with the object (125, 425) when the particle beam impinges on the object (125, 425) emerges; (xiv) generating second detection signals based on the detected interaction radiation using the second detector (500); (xv) generating a representation of data about the object (125, 425) with the control unit (123) using the second detection signals; such as (xvi) displaying the representation of data about the object (125, 425) with the display unit (124). Verfahren nach Anspruch 1, wobei vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters unter Verwendung der Steuereinheit (123), so dass das Bild des Objekts (125, 425) mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird; sowie - Speichern des wählbaren Steuerparameterwertes des Steuerparameters als den ersten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank (126).procedure after claim 1 , wherein the following method steps are carried out before the first group of method steps is carried out: 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 42, 420, 4, 22, 142, 4, 22, 142 424, 428, 429, 432, 500) with a selectable control parameter value of the control parameter using the control unit (123) such that the image of the object (125, 425) is obtained with a desired image quality; and - storing the selectable control parameter value of the control parameter as the first control parameter value of the control parameter in the database (126). Verfahren nach Anspruch 1, wobei vor Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: - Einstellen einer Landeenergie der geladenen Teilchen auf einen ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie; - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass das Bild des Objekts (125, 425) mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird; - Einstellen der Landeenergie auf einen zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie; - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass ein weiteres Bild des Objekts (125, 425) mit einer gewünschten Bildqualität erzielt wird; - Bestimmen eines funktionalen Zusammenhangs zwischen dem wählbaren Steuerparameterwert und dem weiteren wählbaren Steuerparameterwert in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie; - Speichern des funktionalen Zusammenhangs in der Datenbank (126) zur Berechnung des ersten Steuerparameterwertes vor dem Laden des ersten Steuerparameterwertes aus der Datenbank (126) in die Steuereinheit (123).procedure after claim 1 , the following method steps being carried out before the first group of method steps is carried out: setting a landing energy of the charged particles to a first value from a predeterminable range of the landing energy; - Controlling the functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122 , 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 4111E, 41111E ,413A,413B,413C,414,415,416,416A,416B,417,418,418A,418B,419,420,421,422,423,424,428,429,432,500) with a selectable control parameter value control parameters such that the image of the object (125, 425) is obtained with a desired image quality; - Setting the landing energy to a second value from the predefinable range of the landing energy; - Controlling the functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122 , 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 4111E, 41111E , 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) with another selectable control parameter value the control parameter such that another image of the object (125, 425) is obtained with a desired image quality; - determining a functional relationship between the selectable control parameter value and the further selectable control parameter value as a function of the predefinable range of the landing energy; - storing the functional relationship in the database (126) for calculating the first control parameter value before loading the first control parameter value from the database (126) into the control unit (123). Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei vor Ausführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem noch weiteren auswählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) erzielt wird; sowie - Speichern des noch weiteren auswählbaren Steuerparameterwertes als den zweiten Steuerparameterwert des Steuerparameters in der Datenbank (126).Method according to one of the preceding claims, wherein the following method steps are carried out before the second group of method steps is carried out: - Controlling the functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122 , 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 4111E, 41111E , 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) with one more to choose from control parameter value of the control parameter such that a desired representation of data about the object (125, 425) is achieved; such as - storing the still further selectable control parameter value as the second control parameter value of the control parameter in the database (126). Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei vor Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten die folgenden Verfahrensschritte durchgeführt werden: - Einstellen einer Landeenergie der geladenen Teilchen auf einen weiteren ersten Wert aus einem vorgebbaren Bereich der Landeenergie; - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine erste gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) erzielt wird; - Einstellen der Landeenergie auf einen weiteren zweiten Wert aus dem vorgebbaren Bereich der Landeenergie; - Ansteuern der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit einem wiederum weiteren wählbaren Steuerparameterwert des Steuerparameters, so dass eine zweite gewünschte Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) erzielt wird; - Bestimmen eines funktionalen Zusammenhangs zwischen dem noch weiteren wählbaren Steuerparameterwert und dem wiederum weiteren wählbaren Steuerparameterwert in Abhängigkeit des vorgebbaren Bereichs der Landeenergie; sowie - Speichern des funktionalen Zusammenhangs in der Datenbank (126) zur Berechnung des zweiten Steuerparameterwertes vor dem Laden des zweiten Steuerparameterwertes aus der Datenbank (126) in die Steuereinheit (123).Procedure according to one of Claims 1 until 3 , the following method steps being carried out before the second group of method steps is carried out: setting a landing energy of the charged particles to a further first value from a predeterminable range of the landing energy; - Controlling the functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122 , 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 4111E, 41111E , 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) with one more selectable control parameter value of the control parameter such that a first desired representation of data about the object (125, 425) is achieved; - Setting the landing energy to a further second value from the predefinable range of the landing energy; - Controlling the functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122 , 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 4111E, 41111E , 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) with yet another selectable control parameter value of the control parameter such that a second desired representation of data about the object (125, 425) is achieved; - Determining a functional relationship between the still further selectable control parameter value and the further selectable control parameter value as a function of the predefinable range of the landing energy; and - storing the functional relationship in the database (126) for calculating the second control parameter value before loading the second control parameter value from the database (126) into the control unit (123). Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei vor dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten ein Bereich auf dem Objekt (125, 425) bestimmt wird, zu dem der Teilchenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten geführt wird.Method according to one of the preceding claims, wherein before carrying out the first group of method steps and/or the second group of method steps, an area on the object (125, 425) is determined to which the particle beam when carrying out the first group of method steps and /or the second group of process steps is performed. Verfahren nach Anspruch 6, wobei beim Durchführen der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten vor dem Detektieren der Wechselwirkungsstrahlung zunächst nochmals Wechselwirkungsteilchen mit dem ersten Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) detektiert werden, weitere erste Detektionssignale mit dem ersten Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428) detektiert werden, ein weiteres Bild des Objekts (125, 425) mit der Steuereinheit (123) unter Verwendung der ersten Detektionssignale erzeugt wird und der Teilchenstrahl auf den Bereich unter Verwendung des weiteren Bildes des Objekts (125, 425) fokussiert wird.procedure after claim 6 , wherein when the second group of method steps is carried out, before the interaction radiation is detected, interaction particles are initially detected again with the first detector (116, 117, 119, 121, 419, 428) of the particle beam device (100, 200, 400), further first detection signals with the first detector (116, 117, 119, 121, 419, 428) are detected, another image of the object (125, 425) is generated with the control unit (123) using the first detection signals and the particle beam onto the area using of the further image of the object (125, 425) is focused. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei - vor dem Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten ein erster Bereich auf dem Objekt (125, 425) und ein zweiter Bereich auf dem Objekt (125, 425) bestimmt werden; - der Teilchenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten zu dem ersten Bereich geführt wird; und wobei - der Teilchenstrahl bei der Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten und/oder der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten zu dem zweiten Bereich geführt wird.Method according to one of the preceding claims, wherein - Before carrying out the first group of method steps and/or the second group of method steps, a first area on the object (125, 425) and a second area on the object (125, 425) are determined; - the particle beam is guided to the first region when carrying out the first group of method steps and/or the second group of method steps; and where - the particle beam is guided to the second region when carrying out the first group of method steps and/or the second group of method steps. Verfahren nach Anspruch 8, wobei mindestens einer der folgenden Verfahrensschritte durchgeführt wird: (i) Speichern der Position des ersten Bereichs in der Datenbank (126); (ii) Speichern der Position des zweiten Bereichs in der Datenbank (126); (iii) Festlegen für den ersten Bereich, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird und Speichern der Festlegung in der Datenbank (126); (iv) Festlegen für den zweiten Bereich, ob der Ort des Entstehens der Wechselwirkungsstrahlung bestimmt wird und Speichern der Festlegung in der Datenbank (126).procedure after claim 8 wherein at least one of the following method steps is performed: (i) storing the position of the first region in the database (126); (ii) storing the location of the second region in the database (126); (iii) determining for the first region whether the location of the generation of the interaction radiation is determined and storing the determination in the database (126); (iv) determining for the second area whether the location of the origin of the interaction radiation is determined and storing the determination in the database (126). Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, wobei - die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten zunächst für den ersten Bereich durchgeführt werden; und wobei - im Anschluss daran die erste Gruppe von Verfahrensschritten und die zweite Gruppe von Verfahrensschritten für den zweiten Bereich durchgeführt werden.procedure after claim 8 or 9 , wherein - the first group of method steps and the second group of method steps are initially carried out for the first region; and wherein - subsequently the first group of method steps and the second group of method steps are carried out for the second region. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei - die Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) eine erste Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500), der Steuerparameter ein erster Steuerparameter und die Steuereinheit (123) eine erste Steuereinheit (123) zur Einstellung der ersten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) sind; - das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) mindestens eine zweite Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) aufweist; - das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) mindestens eine zweite Steuereinheit (123) zum Ansteuern der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) unter Verwendung eines zweiten Steuerparameters aufweist; und wobei das Verfahren die folgenden Verfahrensschritte in der ersten Gruppe von Verfahrensschritten umfasst: - Laden eines ersten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) aus der Datenbank (126) in die zweite Steuereinheit (123); - Ansteuern der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen ersten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der zweiten Steuereinheit (123); - Erzeugen von dritten Detektionssignalen basierend auf den detektierten Wechselwirkungsteilchen unter Verwendung des ersten Detektors (116, 117, 119, 121, 419, 428); sowie - Erzeugen des Bildes des Objekts (125, 425) mit der zweiten Steuereinheit (123) unter Verwendung der dritten Detektionssignale; und wobei das Verfahren die folgenden Verfahrensschritte in der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten umfasst: - Laden eines zweiten Steuerparameterwertes des zweiten Steuerparameters zur Ansteuerung der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) aus der Datenbank (126) in die zweite Steuereinheit (123); - Ansteuern der zweiten Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) mit dem geladenen zweiten Steuerparameterwert des zweiten Steuerparameters unter Verwendung der zweiten Steuereinheit (123); - Erzeugen von vierten Detektionssignalen basierend auf der detektierten Wechselwirkungsstrahlung unter Verwendung des zweiten Detektors (500); sowie - Erzeugen der Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425) mit der zweiten Steuereinheit (123) unter Verwendung der vierten Detektionssignale.Method according to one of the preceding claims, wherein - the functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 4111B, 4111C, 411D 411E 411F 411G 413A 413B 413C 414 415 416 416A 416B 417 418 418A 418B 419 420 421 422 423 424 434 2928 434 500) of the particle beam device (100, 200, 400) a first functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A , 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411B , 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 4.82, 424, 4.82 , 432, 500), the control parameter a first control parameter and the control unit (123) a first control unit (123) for one Position of the first functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122 , 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 4111E, 41111E , 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500); - the particle beam device (100, 200, 400) has at least one second functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A , 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411B , 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 4.82, 424, 4.82 , 432, 500) of the particle beam device (100, 200, 400); - the particle beam device (100, 200, 400) has at least one second control unit (123) for controlling the second functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113 , 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A , 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 209, 221, 44, 224, 44, 224 , 423, 424, 428, 429, 432, 500) using a second control parameter; and wherein the method comprises the following method steps in the first group of method steps: - loading a first control parameter value of the second control parameter for controlling the second functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110 , 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407 , 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 414, 818, 414 , 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) of the particle beam device (100, 200, 400) from the database (126) into the second control unit (123); - Controlling the second functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411G 413A 413B 413C 414 415 416 416A 416B 417 418 418A 418B 419 420 421 422 423 424 428 429 432 500) with the first loaded control parameter value of the second control parameter using the second control unit (123); - generating third detection signals based on the detected interaction particles using the first detector (116, 117, 119, 121, 419, 428); and - generating the image of the object (125, 425) with the second control unit (123) using the third detection signals; and wherein the method comprises the following method steps in the second group of method steps: - loading a second control parameter value of the second control parameter for controlling the second functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110 , 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407 , 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 414, 818, 414 , 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) from the database (126) to the second control unit (123); - Controlling the second functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) with the second loaded control parameter value of the second control parameter using the second control unit (123); - generating fourth detection signals based on the detected interaction radiation using the second detector (500); and - generating the representation of data about the object (125, 425) with the second control unit (123) using the fourth detection signals. Verfahren nach Anspruch 11, wobei als zweite Steuereinheit (123) die erste Steuereinheit (123) verwendet wird.procedure after claim 11 , wherein the first control unit (123) is used as the second control unit (123). Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei - zunächst die erste Gruppe von Verfahrensschritten, - dann die zweite Gruppe von Verfahrensschritten, und - dann erneut die erste Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt werden.Method according to one of the preceding claims, wherein - first the first group of process steps, - then the second group of process steps, and - Then again the first group of method steps are carried out. Verfahren nach Anspruch 13, wobei nach dem erneuten Durchführen der ersten Gruppe von Verfahrensschritten erneut die zweite Gruppe von Verfahrensschritten durchgeführt wird.procedure after Claim 13 , wherein after the first group of method steps has been carried out again, the second group of method steps is carried out again. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Verfahren mindestens einen der folgenden Verfahrensschritte aufweist: (i) der zweite Detektor (500) wird bei Durchführung der ersten Gruppe von Verfahrensschritten in eine erste Position bewegt und bei Durchführung der zweiten Gruppe von Verfahrensschritten in eine zweite Position bewegt, wobei die erste Position weiter von dem Objekt (125, 425) als die zweite Position beabstandet ist; (ii) als zweiter Detektor wird der erste Detektor verwendet.Method according to one of the preceding claims, wherein the method has at least one of the following method steps: (i) the second detector (500) is moved to a first position when performing the first group of method steps and to a second position when performing the second group of method steps, the first position being further from the object (125, 425) than the second position is spaced; (ii) the first detector is used as the second detector. Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode, der in einen Prozessor (123) eines Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) ladbar ist und bei Ausführung das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) derart steuert, dass ein Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche durchgeführt wird.Computer program product with a program code that can be loaded into a processor (123) of a particle beam device (100, 200, 400) and, when executed, controls the particle beam device (100, 200, 400) in such a way that a method according to one of the preceding claims is carried out. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) zur Erzeugung eines Bildes eines Objekts (125, 425) und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425), mit - mindestens einem Strahlerzeuger (101, 301, 402) zur Erzeugung eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen; - mindestens einem beweglich ausgebildeten Objekthalter (114, 122, 424) zum Halten und Positionieren des Objekts (125, 425); - mindestens einer Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400); - mindestens einer Steuereinheit (123) zur Ansteuerung der Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500); - mindestens einer Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432) zum Führen des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425); - mindestens einem ersten Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428) zur Detektion von Wechselwirkungsteilchen, die aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425) hervorgehen; - mindestens einem zweiten Detektor (500) zur Detektion von Wechselwirkungsstrahlung, die aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425) hervorgeht; - mindestens einer Anzeigeeinheit (124) zum Anzeigen eines Bildes des Objekts (125, 425) und/oder einer Darstellung von Daten über das Objekt (125, 425), wobei das Bild und/oder die Darstellung basierend auf Detektionssignalen erzeugt werden/wird, welche durch das Detektieren der Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselstrahlung generiert werden; und mit - mindestens einem Prozessor (123) in dem ein Computerprogrammprodukt nach Anspruch 16 geladen ist.Particle beam device (100, 200, 400) for generating an image of an object (125, 425) and/or a representation of data about the object (125, 425), with - at least one beam generator (101, 301, 402) for generating a particle beam with charged particles; - At least one movably designed object holder (114, 122, 424) for holding and positioning the object (125, 425); - at least one functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122 , 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 4111E, 41111E , 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) of the particle beam device (100) 200, 400); - at least one control unit (123) for controlling the functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 4111B, 4111C, 411D 411E 411F 411G 413A 413B 413C 414 415 416 416A 416B 417 418 418A 418B 419 420 421 422 423 424 434 2928 434 500); - at least one guiding unit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407 , 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 417, 818, 420B , 421, 422, 423, 429, 432) for guiding the particle beam onto the object (125, 425); - At least one first detector (116, 117, 119, 121, 419, 428) for detecting interaction particles that result from an interaction of the particle beam with the object (125, 425) when the particle beam impinges on the object (125, 425). ; - At least one second detector (500) for detecting interaction radiation resulting from an interaction of the particle beam with the object (125, 425) when the particle beam impinges on the object (125, 425); - at least one display unit (124) for displaying an image of the object (125, 425) and/or a representation of data about the object (125, 425), wherein the image and/or the representation is/are generated based on detection signals, which are generated by detecting the interaction particles and/or alternating radiation; and with - at least one processor (123) in which a computer program product Claim 16 is loaded. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach Anspruch 17, wobei die Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) und/oder die Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432) mindestens eines der folgenden Merkmale umfasst: (i) mindestens eine Objektivlinse (107, 304) zur Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425); (ii) mindestens eine elektrostatische und/oder magnetische Einheit (102, 103, 104, 105, 106, 107, 110, 111, 112, 113, 115, 302, 303, 304, 307, 308, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432); (iii) mindestens einen Stigmator; (iv) mindestens eine Kondensorlinse (105, 106, 303); (v) mindestens eine mechanisch verstellbare Blendeneinheit (108, 109).particle beam device (100, 200, 400). Claim 17 , where the functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122 , 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 4111E, 41111E , 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) and/or the guide unit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119, 303, 304, 306, 307, 308, 405, 406, 407, 408, 409 , 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A,42 1.24, 418B , 423, 429, 432) comprises at least one of the following features: (i) at least one objective lens (107, 304) for focusing the particle beam onto the object (125, 425); (ii) at least one electrostatic and/or magnetic unit (102, 103, 104, 105, 106, 107, 110, 111, 112, 113, 115, 302, 303, 304, 307, 308, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417,41 8A, 417,41 418B, 420, 421, 422, 423, 429, 432); (iii) at least one stigmator; (iv) at least one condenser lens (105, 106, 303); (v) at least one mechanically adjustable screen unit (108, 109). Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach Anspruch 17 oder 18, wobei die Funktionseinheit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122, 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 411E, 411F, 411G, 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) den beweglichen Objekthalter (114, 122, 424) umfasst.particle beam device (100, 200, 400). Claim 17 or 18 , where the functional unit (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 116A, 117, 118, 119, 121, 122 , 301, 302, 303, 304, 306, 307, 308, 402, 403, 404, 405, 406, 407, 408, 409, 409A, 409B, 410, 411A, 411B, 411C, 411D, 4111E, 41111E , 413A, 413B, 413C, 414, 415, 416, 416A, 416B, 417, 418, 418A, 418B, 419, 420, 421, 422, 423, 424, 428, 429, 432, 500) the movable specimen holder (114) , 122, 424). Teilchenstrahlgerät (200) nach einem der Ansprüche 17 bis 19, wobei der Strahlerzeuger (101) als ein erster Strahlerzeuger und der Teilchenstrahl als ein erster Teilchenstrahl mit ersten geladenen Teilchen ausgebildet ist, wobei die Führungseinheit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113, 115, 116A, 118, 119) als eine erste Führungseinheit zur Führung des ersten Teilchenstrahls auf das Objekt (125) ausgebildet ist, und wobei das Teilchenstrahlgerät (200) ferner aufweist: - mindestens einen zweiten Strahlerzeuger (301) zur Erzeugung eines zweiten Teilchenstrahls mit zweiten geladenen Teilchen; und mit - mindestens einer zweiten Führungseinheit (303, 304, 306, 307, 308) zur Führung des zweiten Teilchenstrahls auf das Objekt (125).Particle beam device (200) according to one of claims 17 until 19 , wherein the beam generator (101) is designed as a first beam generator and the particle beam is designed as a first particle beam with first charged particles, the guide unit (104, 105, 106, 107, 108, 108A, 109, 110, 111, 112, 113 , 115, 116A, 118, 119) is designed as a first guidance unit for guiding the first particle beam onto the object (125), and wherein the particle beam device (200) also has: - at least one second beam generator (301) for generating a second particle beam with second charged particles; and with - at least one second guide unit (303, 304, 306, 307, 308) for guiding the second particle beam onto the object (125). Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach einem der Ansprüche 17 bis 20, wobei das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) ein Elektronenstrahlgerät und/oder ein lonenstrahlgerät ist.Particle beam device (100, 200, 400) according to one of claims 17 until 20 , wherein the particle beam device (100, 200, 400) is an electron beam device and/or an ion beam device.
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