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DE102023206428A1 - Apparatus and method for producing an optical element and lithography system - Google Patents

Apparatus and method for producing an optical element and lithography system Download PDF

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DE102023206428A1
DE102023206428A1 DE102023206428.6A DE102023206428A DE102023206428A1 DE 102023206428 A1 DE102023206428 A1 DE 102023206428A1 DE 102023206428 A DE102023206428 A DE 102023206428A DE 102023206428 A1 DE102023206428 A1 DE 102023206428A1
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DE
Germany
Prior art keywords
mirror body
contact surface
optical
mirror
reflection
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE102023206428.6A
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German (de)
Inventor
Philipp Bartsch
Thomas Monz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
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Filing date
Publication date
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (1) zur Herstellung eines Spiegelkörpers (2) für ein optisches Element (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi) einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage (100), welches eine optische Oberfläche (2a) aufweist, mittels Bondens aus wenigstens zwei Bauteilen (3a, 3b) an einer Kontaktfläche (4) der Bauteile (3a, 3b). Hierzu ist ein Ofen (5) zur Erhitzung des Spiegelkörpers (2) vorgesehen. Erfindungsgemäß ist wenigstens eine Reflexionsfläche (6) zur Reflexion einer Wärmestrahlung (7) vorgesehen und dazu eingerichtet, ein Temperaturprofil des Spiegelkörpers (2) während des Bondens in einem Bereich entlang der optischen Oberfläche (2a) und/oder der Kontaktfläche (4) derart zu homogenisieren, dass der Spiegelkörper (2) in dem gesamten Bereich entlang der optischen Oberfläche (2a) und/oder der Kontaktfläche (4) die gleiche Temperatur aufweist. Die wenigstens eine Reflexionsfläche (6) ist derart angeordnet, dass die Reflexionsfläche (6) wenigstens annähernd senkrecht zu der optischen Oberfläche (2a) und/oder der Kontaktfläche (4) verläuft.

Figure DE102023206428A1_0000
The invention relates to a device (1) for producing a mirror body (2) for an optical element (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi) of an EUV projection exposure system (100), which has an optical surface (2a), by means of bonding at least two components (3a, 3b) to a contact surface (4) of the components (3a, 3b). For this purpose, an oven (5) is provided for heating the mirror body (2). According to the invention, at least one reflection surface (6) is provided for reflecting thermal radiation (7) and is designed to homogenize a temperature profile of the mirror body (2) during bonding in an area along the optical surface (2a) and/or the contact surface (4) in such a way that the mirror body (2) has the same temperature in the entire area along the optical surface (2a) and/or the contact surface (4). The at least one reflection surface (6) is arranged such that the reflection surface (6) runs at least approximately perpendicular to the optical surface (2a) and/or the contact surface (4).
Figure DE102023206428A1_0000

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Herstellung eines Spiegelkörpers für ein optisches Element einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, welches eine optische Oberfläche aufweist, mittels Bondens aus wenigstens zwei Bauteilen an einer Kontaktfläche der Bauteile, mit einem Ofen zur Erhitzung des Spiegelkörpers.The invention relates to a device for producing a mirror body for an optical element of an EUV projection exposure system, which has an optical surface, by means of bonding at least two components to a contact surface of the components, with a furnace for heating the mirror body.

Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Spiegelkörpers für ein optisches Element einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, welches eine optische Oberfläche aufweist, mittels Bondens aus wenigstens zwei Bauteilen an einer Kontaktfläche der Bauteile, wobei der Spiegelkörper mit einem Ofen erhitzt wirdThe invention further relates to a method for producing a mirror body for an optical element of an EUV projection exposure system, which has an optical surface, by means of bonding at least two components to a contact surface of the components, wherein the mirror body is heated with an oven

Die Erfindung betrifft außerdem ein Lithografiesystem insbesondere eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie, mit einem Beleuchtungssystem mit einer Strahlungsquelle sowie einer Optik, welche wenigstens ein optisches Element aufweist.The invention also relates to a lithography system, in particular an EUV projection exposure system for semiconductor lithography, with an illumination system with a radiation source and an optics which has at least one optical element.

Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, dass bei einer Herstellung von wassergekühlten Spiegeln für EUV-Lithografiesysteme in einen Spiegelkörper bzw. einen Spiegelblank Strukturen, wie beispielsweise Kühlkanäle, eingebracht werden. Zum Einbringen der Kühlkanäle in den Spiegelkörper sind beispielsweise Fräsverfahren, Bohrverfahren oder dergleichen bekannt.It is known from the prior art that when producing water-cooled mirrors for EUV lithography systems, structures such as cooling channels are introduced into a mirror body or a mirror blank. Milling processes, drilling processes or the like are known for introducing the cooling channels into the mirror body.

Insbesondere für Bearbeitungsschritte, wie sie Teil eines Fräsverfahrens sein können, ist es bekannt, den Spiegelkörper in wenigstens zwei Bauteile zu zerlegen. Hierdurch können die Strukturen, insbesondere die Kühlkanäle, vorteilhaft in das Spiegelinnere eingebracht werden.In particular for processing steps, such as those that can be part of a milling process, it is known to break the mirror body down into at least two components. This allows the structures, in particular the cooling channels, to be advantageously incorporated into the interior of the mirror.

In der Praxis werden die einzelnen Bauteile in einem thermischen Prozess, insbesondere durch einen Hochtemperaturprozess in einem Ofen, wieder zusammengefügt. Als thermischer Fügeprozess kann insbesondere ein Bonden herangezogen werden.In practice, the individual components are reassembled in a thermal process, particularly through a high-temperature process in an oven. Bonding can be used as a thermal joining process.

Nachteilig bei den aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren ist, dass sich Materialeigenschaften des Spiegelkörpers während des thermischen Fügeprozesses ändern können, was zu inhomogenen Eigenschaften des Spiegelkörpers nach dem thermischen Fügeprozess führen kann.A disadvantage of the methods known from the prior art is that the material properties of the mirror body can change during the thermal joining process, which can lead to inhomogeneous properties of the mirror body after the thermal joining process.

Hierdurch kann die Zuverlässigkeit des Spiegelkörpers bzw. des auf dem Spiegelkörper basierenden Spiegels beispielsweise bei einem Betrieb des Spiegels in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, eingeschränkt sein.This can limit the reliability of the mirror body or of the mirror based on the mirror body, for example when the mirror is operated in an EUV projection exposure system.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Herstellung eines Spiegelkörpers für ein optisches Element zu schaffen, die die Nachteile des Standes der Technik vermeidet, insbesondere eine Herstellung zuverlässig geformter Spiegelkörper ermöglicht.The present invention is based on the object of creating a device for producing a mirror body for an optical element, which avoids the disadvantages of the prior art, in particular enables the production of reliably shaped mirror bodies.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch eine Vorrichtung mit den in Anspruch 1 genannten Merkmalen gelöst.According to the invention, this object is achieved by a device having the features mentioned in claim 1.

Der vorliegenden Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines Spiegelkörpers für ein optisches Element zu schaffen, das die Nachteile des Standes der Technik vermeidet, insbesondere eine Herstellung zuverlässig geformter Spiegelkörper ermöglicht.The present invention is further based on the object of creating a method for producing a mirror body for an optical element, which avoids the disadvantages of the prior art, in particular enables the production of reliably shaped mirror bodies.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren mit den in Anspruch 6 genannten Merkmalen gelöst.According to the invention, this object is achieved by a method having the features mentioned in claim 6.

Der vorliegenden Erfindung liegt außerdem die Aufgabe zugrunde, ein Lithografiesystem, insbesondere eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, zu schaffen, das die Nachteile des Standes der Technik vermeidet, insbesondere zuverlässig geformte optische Elemente aufweist.The present invention is also based on the object of creating a lithography system, in particular an EUV projection exposure system, which avoids the disadvantages of the prior art, in particular has reliably shaped optical elements.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Lithografiesystem, insbesondere eine Projektionsbelichtungsanlage, mit den in Anspruch 10 genannten Merkmalen gelöst.According to the invention, this object is achieved by a lithography system, in particular a projection exposure system, having the features mentioned in claim 10.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Herstellung eines Spiegelkörpers für ein optisches Element einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, welches eine optische Oberfläche aufweist, mittels Bondens aus wenigstens zwei Bauteilen an einer Kontaktfläche der Bauteile, mit einem Ofen zur Erhitzung des Spiegelkörpers, umfasst wenigstens eine Reflexionsfläche zur Reflexion einer Wärmestrahlung, welche dazu eingerichtet ist, ein Temperaturprofil des Spiegelkörpers während des Bondens in einem Bereich entlang der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche derart zu homogenisieren, dass der Spiegelkörper in dem gesamten Bereich entlang der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche die gleiche Temperatur aufweist. Hierzu ist die wenigstens eine Reflexionsfläche derart angeordnet, dass die Reflexionsfläche wenigstens annähernd senkrecht zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche verläuft.The device according to the invention for producing a mirror body for an optical element of an EUV projection exposure system, which has an optical surface, by means of bonding at least two components to a contact surface of the components, with a furnace for heating the mirror body, comprises at least one reflection surface for reflecting thermal radiation, which is designed to homogenize a temperature profile of the mirror body during bonding in an area along the optical surface and/or the contact surface in such a way that the mirror body has the same temperature in the entire area along the optical surface and/or the contact surface. For this purpose, the at least one reflection surface is arranged in such a way that the reflection surface runs at least approximately perpendicular to the optical surface and/or the contact surface.

Erfindungsgemäß ist jede der vorgesehenen Reflexionsflächen wenigstens annähernd senkrecht zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche angeordnet.According to the invention, each of the provided reflection surfaces is arranged at least approximately perpendicular to the optical surface and/or the contact surface.

Es wird an dieser Stelle jedoch auch eine nicht erfindungsgemäße Konfiguration offenbart, bei der mehrere Reflexionsflächen vorgesehen sind, wobei wenigstens eine der mehreren Reflexionsflächen senkrecht zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche verläuft. Auch diese kann zur Homogenisierung beitragen.However, a configuration not according to the invention is also disclosed here, in which several reflection surfaces are provided, wherein at least one of the several reflection surfaces runs perpendicular to the optical surface and/or the contact surface. This can also contribute to homogenization.

Mittels der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann eine Beheizung des Spiegelkörpers derart ausgeführt werden, dass sich Materialeigenschaften des Spiegelkörpers, insbesondere eine Nulldurchgangstemperatur bzw. Zero-Crossing-Temperatur (ZCT) nicht oder so gering wie möglich zum Negativen verändern.By means of the device according to the invention, heating of the mirror body can be carried out in such a way that material properties of the mirror body, in particular a zero-crossing temperature (ZCT), do not change negatively or change as little as possible.

Insbesondere kann mittels der erfindungsgemäßen Vorrichtung erreicht werden, dass jeder Punkt entlang der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche in dem Spiegelkörper eine gleiche zeitliche Temperaturkurve durchläuft.In particular, by means of the device according to the invention it can be achieved that every point along the optical surface and/or the contact surface in the mirror body undergoes an identical temporal temperature curve.

Mittels der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vermieden werden, dass sich das optische Element, insbesondere der Spiegel, während des Betriebs aufgrund seiner veränderten Materialeigenschaften nachteilig verformt.By means of the device according to the invention, it can be avoided that the optical element, in particular the mirror, deforms disadvantageously during operation due to its changed material properties.

Mittels der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann das optische Element ferner dergestalt zuverlässig geformt sein, dass es nach Herstellung mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung während des Betriebs eine Form aufweist, welche zwar unweigerlich von einer Idealform abweicht, jedoch tolerierbar deformiert und/oder leicht korrigierbar ist.By means of the device according to the invention, the optical element can further be reliably shaped in such a way that after production with the device according to the invention, it has a shape during operation which, although it inevitably deviates from an ideal shape, is tolerably deformed and/or easily correctable.

Die Erfinder haben erkannt, dass eine Abweichung von dem Optimalzustand, wonach jeder Punkt im gesamten Spiegelkörper optimalerweise die gleiche zeitliche Temperaturkurve durchläuft, vertretbar ist, sofern diese Bedingung für alle Punkte entlang der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche gegeben ist. Mittels der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann demnach eine räumlich möglichst homogene Temperaturverteilung in einem relevanten Teil des Spiegelkörpers erzielt werden.The inventors have recognized that a deviation from the optimal state, according to which every point in the entire mirror body optimally runs through the same temporal temperature curve, is acceptable provided that this condition is met for all points along the optical surface and/or the contact surface. Using the device according to the invention, a temperature distribution that is as spatially homogeneous as possible can therefore be achieved in a relevant part of the mirror body.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn die wenigstens eine Reflexionsfläche derart angeordnet ist, dass die Reflexionsfläche wenigstens annähernd senkrecht zu der optischen Oberfläche verläuft.It is particularly advantageous if the at least one reflection surface is arranged such that the reflection surface runs at least approximately perpendicular to the optical surface.

In einem Fall, in dem die Kontaktfläche bzw. eine Bondebene schräg zur optischen Fläche angeordnet ist, ist es von Vorteil, wenn eine homogene Temperaturverteilung an der optischen Oberfläche über eine homogene Temperaturverteilung an der Kontaktfläche priorisiert wird.In a case where the contact surface or a bonding plane is arranged obliquely to the optical surface, it is advantageous if a homogeneous temperature distribution on the optical surface is prioritized over a homogeneous temperature distribution on the contact surface.

Im Rahmen der Erfindung sind unter der optischen Oberfläche auch deren Vorläuferflächen im betreffenden Herstellungsabschnitt des optischen Elements zu verstehen.In the context of the invention, the optical surface is also understood to include its precursor surfaces in the relevant manufacturing stage of the optical element.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung eignet sich in besonderer Weise für Spiegelkörper, die Kühlkanäle aufweisen, insbesondere, wenn die Kühlkanäle im Bereich der Kontaktfläche verlaufen.The device according to the invention is particularly suitable for mirror bodies which have cooling channels, in particular if the cooling channels run in the region of the contact surface.

Durch die erfindungsgemäße Vorrichtung kann eine spätere Performanz des auf dem Spiegelkörper basierenden Spiegels dadurch erzielt werden, dass eine homogene Temperaturverteilung vor allem in einer Materialschicht zwischen einer späteren optischen Fläche des Spiegels und vorzugsweise vorgesehenen Kühlkanälen erzielt werden kann.By means of the device according to the invention, a later performance of the mirror based on the mirror body can be achieved in that a homogeneous temperature distribution can be achieved, especially in a material layer between a later optical surface of the mirror and preferably provided cooling channels.

Die auch als „kritische Zone“ zu bezeichnende Materialschicht ist insbesondere im Bereich der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche angesiedelt.The material layer, also referred to as the “critical zone”, is located particularly in the area of the optical surface and/or the contact surface.

Bereiche und/oder Zonen in dem optischen Element bzw. den Bauteilen sind tendenziell kritischer, je näher sie an der optischen Oberfläche liegen.Areas and/or zones in the optical element or components tend to be more critical the closer they are to the optical surface.

Es kann zur Herstellung von optischen Elementen, die als gekühlte Spiegel ausgebildet sind, vorgesehen sein, dass die Kontaktfläche bzw. die Bondebene so nahe an der optischen Oberfläche wie möglich angeordnet ist. Hierdurch kann diese in einem Betrieb des Spiegels möglichst effektiv gekühlt werden.To produce optical elements that are designed as cooled mirrors, it can be provided that the contact surface or the bonding plane is arranged as close to the optical surface as possible. This allows it to be cooled as effectively as possible when the mirror is in operation.

Dadurch, dass die wenigstens eine Reflexionsfläche derart angeordnet ist, dass die Reflexionsfläche wenigstens annähernd senkrecht zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche verläuft, kann erzielt werden, dass seitliche Flächen des Spiegelkörpers möglichst adiabat gehalten werden.By arranging the at least one reflection surface such that the reflection surface extends at least approximately perpendicular to the optical surface and/or the contact surface, it can be achieved that lateral surfaces of the mirror body are kept as adiabatic as possible.

Die Verwendung von Reflexionsflächen ermöglicht eine Reduktion eines Strahlungsaustauschs an Seitenflächen des Spiegelkörpers. Dies ist von besonderem Vorteil, da ein Wärmeaustausch einer Oberfläche des Spiegelkörpers mit dem Ofen bei den bei einem Bonden vorliegenden Prozesstemperaturen hauptsächlich über Strahlung stattfindet.The use of reflective surfaces enables a reduction in radiation exchange on the side surfaces of the mirror body. This is particularly advantageous because heat exchange between a surface of the mirror body and the furnace at the process temperatures present during bonding mainly takes place via radiation.

Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird die Reduktion des Strahlungsaustauschs durch das Einbringen der wenigstens einen Reflexionsfläche in den Ofen erreicht.In the device according to the invention, the reduction of the radiation exchange is achieved by introducing at least one reflection surface into the furnace.

Bei der wenigstens einen Reflexionsfläche handelt es sich vorzugsweise um eine spiegelnde Oberfläche und/oder eine Oberfläche mit einem niedrigen Emissionsgrad, insbesondere einem Emissionsgrad von weniger als 0,1, vorzugsweise weniger als 0,06.The at least one reflection surface is preferably a mirror surface and/or a surface with a low emissivity, in particular an emissivity of less than 0.1, preferably less than 0.06.

Die wenigstens eine Reflexionsfläche kann derart orientiert sein, dass die Reflexion der Wärmestrahlung zum Spiegelkörper hin oder vom Spiegelkörper weg erfolgt.The at least one reflection surface can be oriented such that the reflection of the heat radiation occurs towards or away from the mirror body.

In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass mehrere Reflexionsflächen vorgesehen und eingerichtet sind, den Spiegelkörper senkrecht zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche allseitig zu umschließen und/oder eine Ausdehnung des Spiegelkörpers senkrecht zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche vollständig zu überdecken.In an advantageous development of the device according to the invention, it can be provided that several reflection surfaces are provided and configured to enclose the mirror body on all sides perpendicular to the optical surface and/or the contact surface and/or to completely cover an extension of the mirror body perpendicular to the optical surface and/or the contact surface.

Wird der Spiegelkörper allseits von den Reflexionsflächen umfasst und entlang seiner Ausdehnung senkrecht zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche wenigstens annähernd vollständig überdeckt, so lässt sich die Temperaturverteilung in dem Spiegelkörper derart homogenisieren, dass entlang von zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche parallelen Schichten, bzw. innerhalb von zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche parallelen Schichten, in dem Spiegelkörper jeweils ein homogenes Temperaturprofil ausgebildet wird.If the mirror body is surrounded on all sides by the reflection surfaces and at least approximately completely covered along its extension perpendicular to the optical surface and/or the contact surface, the temperature distribution in the mirror body can be homogenized in such a way that a homogeneous temperature profile is formed in the mirror body along layers parallel to the optical surface and/or the contact surface, or within layers parallel to the optical surface and/or the contact surface.

Eine Temperaturverteilung in dem Spiegelkörper während eines Aufheizens und/oder eines Abkühlens des Spiegelkörpers in dem Ofen ist daher parallel zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche jeweils homogen und weist senkrecht zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche eine Schichtung auf.A temperature distribution in the mirror body during heating and/or cooling of the mirror body in the furnace is therefore homogeneous parallel to the optical surface and/or the contact surface and has a layering perpendicular to the optical surface and/or the contact surface.

Es kann vorgesehen sein, dass die Reflexionsflächen mindestens genauso „hoch“ sind, wie das aus den Bauteilen ausgebildete Werkstück bzw. der Spiegelkörper.It can be provided that the reflection surfaces are at least as “high” as the workpiece or mirror body formed from the components.

Es kann auch vorgesehen sein, die Reflexionsflächen bzw. den reflektierenden Rahmen, auf welchen an späterer Stelle eingegangen wird, höher auszuführen als das Werkstück bzw. den Spiegelkörper. Dies kann dazu dienen, die seitlichen Flächen des Spiegelkörpers noch stärker auch gegen schräg einfallende Wärmestrahlung abzuschirmen.It can also be intended to make the reflective surfaces or the reflective frame, which will be discussed later, higher than the workpiece or the mirror body. This can serve to shield the side surfaces of the mirror body even more effectively against obliquely incident heat radiation.

In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die wenigstens eine Reflexionsfläche als Beschichtung des Spiegelkörpers ausgebildet ist.In an advantageous development of the device according to the invention, it can be provided that the at least one reflection surface is designed as a coating of the mirror body.

Eine direkte Aufbringung der Reflexionsfläche als Beschichtung auf den Spiegelkörper hat den Vorteil, dass hierdurch Strahlungsverluste in einem Zwischenraum zwischen dem Spiegelkörper und der Reflexionsfläche vermieden werden.The advantage of applying the reflection surface as a coating directly to the mirror body is that it avoids radiation losses in a gap between the mirror body and the reflection surface.

Die Erfinder haben erkannt, dass die erfindungsgemäß beanspruchte Anordnung der wenigstens einen Reflexionsfläche, derart, dass diese wenigstens annähernd senkrecht zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche verläuft, besonders vorteilhaft ist. Es sei allerdings darauf hingewiesen, dass sich auch dann, wenn eine Seitenfläche des Spiegelkörpers nicht vollständig senkrecht zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche, das heißt schräg zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche, verläuft, eine vorteilhafte Homogenisierung des Temperaturprofils innerhalb der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche einstellen kann.The inventors have recognized that the arrangement of the at least one reflection surface claimed according to the invention, such that it runs at least approximately perpendicular to the optical surface and/or the contact surface, is particularly advantageous. However, it should be noted that even if a side surface of the mirror body does not run completely perpendicular to the optical surface and/or the contact surface, i.e. at an angle to the optical surface and/or the contact surface, an advantageous homogenization of the temperature profile within the optical surface and/or the contact surface can occur.

Von Vorteil ist es insbesondere, wenn die wenigstens eine Reflexionsfläche als reflektierende Schicht auf den Seitenflächen des Spiegelkörpers aufgebracht wird.It is particularly advantageous if the at least one reflection surface is applied as a reflective layer on the side surfaces of the mirror body.

In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die wenigstens eine Reflexionsfläche auf einer in dem Ofen positionierbaren Struktur, vorzugsweise einem Rahmen, ausgebildet ist.In an advantageous development of the device according to the invention, it can be provided that the at least one reflection surface is formed on a structure that can be positioned in the oven, preferably a frame.

Wird eine reflektierende Struktur seitlich um den Spiegelkörper herumführend, insbesondere in Form eines Rahmens, in den Ofen eingebracht, so ergibt sich eine hohe Flexibilität bei verschiedenen Geometrien des Spiegelkörpers. Ferner kann hierdurch ein, vorzugsweise geringer, Abstand zwischen der reflektierenden Oberfläche der Reflexionsfläche und der Seitenflächen des Spiegelkörpers erzielt werden. Hierdurch kann eine Kontamination des Spiegelkörpers durch unter Umständen bei den in dem Ofen vorliegenden hohen Temperaturen von der Struktur ausdampfenden Stoffen verhindert werden.If a reflective structure is introduced into the oven, leading laterally around the mirror body, in particular in the form of a frame, this results in a high degree of flexibility for different geometries of the mirror body. Furthermore, this makes it possible to achieve a distance, preferably a small one, between the reflective surface of the reflection area and the side surfaces of the mirror body. This can prevent contamination of the mirror body by substances that may evaporate from the structure at the high temperatures present in the oven.

In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass wenigstens eine zu dem Spiegelkörper hin orientierte erste Reflexionsfläche und wenigstens eine von dem Spiegelkörper weg orientierte zweite Reflexionsfläche vorgesehen sind.In an advantageous development of the device according to the invention, it can be provided that at least one first reflection surface oriented towards the mirror body and at least one second reflection surface oriented away from the mirror body are provided.

Mithin wird auf diese Weise eine Reflexion nach innen und nach außen ermöglicht.In this way, reflection both internally and externally is made possible.

Vorzugsweise liegen die erste und die zweite Reflexionsfläche aneinander an und sind zueinander parallel.Preferably, the first and second reflection surfaces abut one another and are parallel to one another.

Vorzugsweise weist die wenigstens eine Reflexionsfläche und/oder ein reflektierendes Material der wenigstens einen Reflexionsfläche und/oder die als Beschichtung ausgebildete Reflexionsfläche einen geringen Emissionsgrad und/oder einen hohen Reflexionsgrad für eine Wärmestrahlung in dem Ofen auf.Preferably, the at least one reflection surface and/or a reflective material The material of the at least one reflection surface and/or the reflection surface designed as a coating has a low emissivity and/or a high reflectivity for thermal radiation in the furnace.

Neben der Verwendung zweier Reflexionsflächen kann auch eine einzelne Reflexionsfläche verwendet werden, welche eine Reflexion der Wärmestrahlung hin zu dem Spiegelkörper und hin zu dem Ofen ermöglicht.In addition to the use of two reflection surfaces, a single reflection surface can also be used, which allows the heat radiation to be reflected towards the mirror body and towards the oven.

Es kann vorgesehen sein, dass die Reflexionsfläche ein Metall aufweist.It can be provided that the reflection surface comprises a metal.

Es kann vorgesehen sein, dass die Reflexionsfläche als Metallbeschichtung, insbesondere als Aluminium-Beschichtung der Seitenflächen des Spiegelkörpers, ausgebildet ist.It can be provided that the reflection surface is designed as a metal coating, in particular as an aluminum coating of the side surfaces of the mirror body.

Vorteilhaft kann auch eine Weiterbildung der Vorrichtung sein, bei der die Reflexionsfläche und/oder die Struktur hitzebeständig sind.A further development of the device in which the reflection surface and/or the structure are heat-resistant can also be advantageous.

Insbesondere weisen die Reflexionsfläche und/oder die Struktur bzw. das für die Struktur verwendete Material eine derartige Temperaturbeständigkeit auf, dass eine Vermeidung von Kontaminationen des Spiegelmaterials des Spiegelkörpers gegeben ist.In particular, the reflection surface and/or the structure or the material used for the structure have such a temperature resistance that contamination of the mirror material of the mirror body is avoided.

Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren mit den in Anspruch 6 genannten Merkmalen.The invention further relates to a method having the features mentioned in claim 6.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Spiegelkörpers für ein optisches Element einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, welches eine optische Oberfläche aufweist, mittels Bondens aus wenigstens zwei Bauteilen an einer Kontaktfläche der Bauteile wird der Spiegelkörper mit einem Ofen erhitzt wird. Erfindungsgemäß wird ein Temperaturprofil des Spiegelkörpers während des Bondens in einem Bereich entlang der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche durch wenigstens eine Reflexionsfläche derart homogenisiert, dass der Spiegelkörper in dem gesamten Bereich entlang der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche auf einer gleichen Temperatur gehalten wird. Hierbei werden der Spiegelkörper und die wenigstens eine Reflexionsfläche in dem Ofen derart relativ zueinander angeordnet, dass die optische Oberfläche und/oder die Kontaktfläche wenigstens annähernd senkrecht zu der wenigstens einen Reflexionsfläche verläuft.In the method according to the invention for producing a mirror body for an optical element of an EUV projection exposure system, which has an optical surface, by means of bonding at least two components to a contact surface of the components, the mirror body is heated using an oven. According to the invention, a temperature profile of the mirror body during bonding is homogenized in an area along the optical surface and/or the contact surface by at least one reflection surface in such a way that the mirror body is kept at the same temperature in the entire area along the optical surface and/or the contact surface. The mirror body and the at least one reflection surface are arranged relative to one another in the oven in such a way that the optical surface and/or the contact surface runs at least approximately perpendicular to the at least one reflection surface.

Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vor allem in einer Materialschicht zwischen einer späteren optischen Fläche des Spiegels und, vorzugsweise in dem Spiegelkörper ausgebildeten, Kühlkanälen eine vorteilhaft homogene Temperaturverteilung erzielt werden. Die Kühlkanäle sind dabei in der Regel entlang eine Ebene der Kontaktfläche bzw. angrenzend an die Kontaktfläche ausgebildet Eine homogene Temperaturverteilung in dem Bereich zwischen der Kontaktfläche und der optischen Oberfläche des Spiegels ist für eine spätere Performanz des Spiegels besonders relevant. Die optische Oberfläche und/oder die Kontaktfläche können daher als „kritische Zone“ bezeichnet werden.By means of the method according to the invention, an advantageously homogeneous temperature distribution can be achieved, especially in a material layer between a later optical surface of the mirror and cooling channels, preferably formed in the mirror body. The cooling channels are generally formed along a plane of the contact surface or adjacent to the contact surface. A homogeneous temperature distribution in the area between the contact surface and the optical surface of the mirror is particularly relevant for the later performance of the mirror. The optical surface and/or the contact surface can therefore be referred to as a "critical zone".

Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht es, den Spiegelkörper lediglich auf der Oberseite und Unterseite zu erhitzen bzw. reduziert eine Wärmeleitung über die Seitenflächen. Hierdurch ergibt sich innerhalb der kritischen Zone eine vorteilhaft homogene Temperaturverteilung.The method according to the invention makes it possible to heat the mirror body only on the top and bottom and reduces heat conduction via the side surfaces. This results in an advantageously homogeneous temperature distribution within the critical zone.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann vorgesehen sein, dass bei dem Bonden eine Temperatur von 800 °C bis 1.000 °C in dem Ofen vorherrscht. Hierdurch kann unter Umständen die ZCT sowie ein wasserstoffinduziertes Ausgasen des Spiegelkörpers beeinflusst werden. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht eine Erhaltung der vorteilhaften Spiegeleigenschaften auch unter den vorbeschriebenen hohen Temperaturen.In the method according to the invention, it can be provided that a temperature of 800 °C to 1,000 °C prevails in the furnace during bonding. This can, under certain circumstances, influence the ZCT and hydrogen-induced outgassing of the mirror body. The method according to the invention enables the advantageous mirror properties to be maintained even at the high temperatures described above.

Ferner können thermische Spannungen, welche bei den vorgenannten hohen Temperaturen entstehen können, durch das erfindungsgemäße Verfahren reduziert werden.Furthermore, thermal stresses, which can arise at the aforementioned high temperatures, can be reduced by the method according to the invention.

Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich in besonderer Weise zur Herstellung von Spiegeln zum Betrieb in einem senkrechten Einfall („normal incidence mirror“) und/oder von Spiegeln im Betrieb in einem streifenden Einfall („grazing incidence mirror“).The method according to the invention is particularly suitable for producing mirrors for operation at a normal incidence (“normal incidence mirror”) and/or mirrors for operation at a grazing incidence (“grazing incidence mirror”).

In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass der Spiegelkörper von mehreren Reflexionsflächen senkrecht zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche allseitig umschlossen und/oder senkrecht zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche vollständig überdeckt wird.In an advantageous development of the method according to the invention, it can be provided that the mirror body is enclosed on all sides by a plurality of reflection surfaces perpendicular to the optical surface and/or the contact surface and/or is completely covered perpendicular to the optical surface and/or the contact surface.

Wird ein Emissionsgrad an den Seitenflächen des Spiegelkörpers reduziert, so stellt sich ein in der Höhe des Spiegelkörpers geschichtetes Temperaturprofil ein. Es treten lediglich geringe Temperaturgradienten in seitlicher Richtung auf, so dass sich ein wesentlich homogeneres Temperaturprofil in einer Richtung parallel zu der optischen Oberfläche und/oder der Kontaktfläche einstellt.If the emissivity is reduced on the side surfaces of the mirror body, a temperature profile is created that is layered along the height of the mirror body. Only small temperature gradients occur in the lateral direction, so that a much more homogeneous temperature profile is created in a direction parallel to the optical surface and/or the contact surface.

Hierdurch kann ein Risiko einer inhomogenen Veränderung des ZCT reduziert werden.This can reduce the risk of inhomogeneous changes in the ZCT.

Ferner kann ein Risiko eines Einbringens unerwünschter Spannungen und Verformungen während des Bondprozesses reduziert werden.Furthermore, the risk of introducing unwanted stresses and deformations during the bonding process can be reduced.

In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass der Spiegelkörper in einem Rahmen angeordnet wird, dessen Mantelfläche durch die wenigstens eine Reflexionsfläche ausgebildet wird.In an advantageous development of the method according to the invention, it can be provided that the mirror body is arranged in a frame, the outer surface of which is formed by the at least one reflection surface.

Durch die Verwendung eines Rahmens ergibt sich eine hohe Flexibilität bei der relativen Anordnung des Spiegelkörpers relativ zu der wenigstens einen Reflexionsfläche.The use of a frame results in a high degree of flexibility in the relative arrangement of the mirror body relative to the at least one reflection surface.

In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass in wenigstens eines der Bauteile vor dem Bonden an der Kontaktfläche wenigstens eine Vertiefung, vorzugsweise eine Rinne eingebracht wird, und wobei durch das Bonden der Bauteile wenigstens ein Kühlkanal in dem Spiegelkörper ausgebildet wird.In an advantageous development of the method according to the invention, it can be provided that at least one recess, preferably a groove, is introduced into at least one of the components before bonding on the contact surface, and wherein at least one cooling channel is formed in the mirror body by bonding the components.

Es kann vorgesehen sein, dass der wenigstens eine Spiegelkörper aus einem Titanium-Silikatglas ausgebildet ist.It can be provided that the at least one mirror body is made of a titanium silicate glass.

Vorzugsweise sind genau zwei Bauteile vorgesehen.Preferably, exactly two components are provided.

Bei Spiegeln, welche wenigstens einen Kühlkanal aufweisen, ist die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens mit besonderen Vorteilen verbunden, da vor allem die Materialschicht zwischen der späteren optischen Oberfläche des Spiegels und dem wenigstens einen Kühlkanal für eine spätere Performanz des Spiegels relevant ist.In the case of mirrors which have at least one cooling channel, the application of the method according to the invention is associated with particular advantages, since above all the material layer between the later optical surface of the mirror and the at least one cooling channel is relevant for the later performance of the mirror.

Die Erfindung betrifft außerdem ein Lithografiesystem mit den Anspruch 10 genannten Merkmalen.The invention also relates to a lithography system having the features mentioned in claim 10.

Das erfindungsgemäße Lithografiesystem, insbesondere eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie, umfasst ein Beleuchtungssystem mit einer Strahlungsquelle sowie einer Optik, welche wenigstens ein optisches Element aufweist. Erfindungsgemäß ist wenigstens ein Spiegelkörper wenigstens eines der optischen Elemente wenigstens teilweise mittels der vorbeschriebenen erfindungsgemäßen Vorrichtung und/oder mittels des vorbeschriebenen erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellt.The lithography system according to the invention, in particular an EUV projection exposure system for semiconductor lithography, comprises an illumination system with a radiation source and an optics which has at least one optical element. According to the invention, at least one mirror body of at least one of the optical elements is produced at least partially by means of the above-described device according to the invention and/or by means of the above-described method according to the invention.

Das erfindungsgemäße Lithografiesystem zeichnet sich durch vorteilhaft zuverlässige optische Elemente aus. Hierdurch wird eine hohe Produktionsstabilität bei der Herstellung von Halbleiterbauteilen ermöglicht.The lithography system according to the invention is characterized by advantageously reliable optical elements. This enables high production stability in the manufacture of semiconductor components.

In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Lithografiesystems kann vorgesehen sein, dass der wenigstens eine wenigstens teilweise mittels der erfindungsgemäßen Vorrichtung und/oder mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellte Spiegelkörper wenigstens einen Kühlkanal aufweist.In an advantageous development of the lithography system according to the invention, it can be provided that the at least one mirror body produced at least partially by means of the device according to the invention and/or by means of the method according to the invention has at least one cooling channel.

Besonders Spiegel, deren Spiegelkörper wenigstens einen Kühlkanal aufweisen, profitieren in besonderem Maße von einer Herstellung mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens und/oder der erfindungsgemäßen Vorrichtung.In particular, mirrors whose mirror bodies have at least one cooling channel benefit particularly from production by means of the method according to the invention and/or the device according to the invention.

In besonderem Maße eignet sich das erfindungsgemäße Verfahren und/oder die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Herstellung von Spiegelkörpern oder Spiegeln von EUV-Projektionsbelichtungsanlagen.The method according to the invention and/or the device according to the invention are particularly suitable for producing mirror bodies or mirrors of EUV projection exposure systems.

Allerdings ist die erfindungsgemäße Vorrichtung und/oder das erfindungsgemäße Verfahren auch vorteilhaft einsetzbar bei einer Herstellung anderer optischer Elemente, wie beispielsweise Retikeln und/oder Linsen.However, the device according to the invention and/or the method according to the invention can also be used advantageously in the production of other optical elements, such as reticles and/or lenses.

Von mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung und/oder dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten optischen Elementen profitieren sowohl EUV-Projektionsbelichtungsanlagen als auch DUV-Projektionsbelichtungsanlagen. Generell sind die erfindungsgemäße Vorrichtung und das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von optischen Elementen, welche einen gebondeten Körper mit Kühlkanälen aufweisen, geeignet.Both EUV projection exposure systems and DUV projection exposure systems benefit from optical elements produced using the device according to the invention and/or the method according to the invention. In general, the device according to the invention and the method according to the invention are suitable for producing optical elements which have a bonded body with cooling channels.

Merkmale, die im Zusammenhang mit einem der Gegenstände der Erfindung, namentlich gegeben durch die erfindungsgemäße Vorrichtung, das erfindungsgemäße Verfahren oder das erfindungsgemäße Lithografiesystem, beschrieben wurden, sind auch für die anderen Gegenstände der Erfindung vorteilhaft umsetzbar. Ebenso können Vorteile, die im Zusammenhang mit einem der Gegenstände der Erfindung genannt wurden, auch auf die anderen Gegenstände der Erfindung bezogen verstanden werden.Features that have been described in connection with one of the objects of the invention, namely given by the device according to the invention, the method according to the invention or the lithography system according to the invention, can also be implemented advantageously for the other objects of the invention. Likewise, advantages that have been mentioned in connection with one of the objects of the invention can also be understood to relate to the other objects of the invention.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher beschrieben.In the following, embodiments of the invention are described in more detail with reference to the drawing.

Die Figuren zeigen jeweils bevorzugte Ausführungsbeispiele, in denen einzelne Merkmale der vorliegenden Erfindung in Kombination miteinander dargestellt sind. Merkmale eines Ausführungsbeispiels sind auch losgelöst von den anderen Merkmalen des gleichen Ausführungsbeispiels umsetzbar und können dementsprechend von einem Fachmann ohne Weiteres zu weiteren sinnvollen Kombinationen und Unterkombinationen mit Merkmalen anderer Ausführungsbeispiele verbunden werden.The figures each show preferred embodiments in which individual features of the present invention are shown in combination with one another. Features of an embodiment can also be implemented separately from the other features of the same embodiment and can therefore be easily combined by a person skilled in the art to form further useful combinations. and sub-combinations with features of other embodiments.

In den Figuren sind funktionsgleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen.In the figures, functionally identical elements are provided with the same reference symbols.

Es zeigen:

  • 1 eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage im Meridionalschnitt;
  • 2 eine DUV-Projektionsbelichtungsanlage;
  • 3 eine schematische Darstellung einer möglichen Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung;
  • 4 eine schematische Darstellung eines mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung temperierten Spiegelkörpers;
  • 5 eine blockdiagrammartige Darstellung einer möglichen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens;
  • 6 eine schematische Darstellung eines auf herkömmliche Weise temperierten Spiegelkörpers;
  • 7 eine schematische Darstellung einer Temperaturkurve eines Spiegelkörpers;
  • 8 eine schematische Darstellung von Wärmeübergangskoeffizienten eines Spiegelkörpers; und
  • 9 eine schematische Darstellung von Temperaturkurven eines Spiegelkörpers unter dem erfindungsgemäßen Verfahren.
Show it:
  • 1 an EUV projection exposure system in meridional section;
  • 2 a DUV projection exposure system;
  • 3 a schematic representation of a possible embodiment of a device according to the invention;
  • 4 a schematic representation of a mirror body tempered with the device according to the invention;
  • 5 a block diagram representation of a possible embodiment of a method according to the invention;
  • 6 a schematic representation of a conventionally tempered mirror body;
  • 7 a schematic representation of a temperature curve of a mirror body;
  • 8th a schematic representation of heat transfer coefficients of a mirror body; and
  • 9 a schematic representation of temperature curves of a mirror body using the method according to the invention.

Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 für die Mikrolithografie als Beispiel für ein Lithografiesystem beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 sowie deren Bestandteile sei hierbei nicht einschränkend verstanden.In the following, with reference to 1 The essential components of an EUV projection exposure system 100 for microlithography are described as an example of a lithography system. The description of the basic structure of the EUV projection exposure system 100 and its components should not be understood as limiting.

Ein Beleuchtungssystem 101 der EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 weist neben einer Strahlungsquelle 102 eine Beleuchtungsoptik 103 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 104 in einer Objektebene 105 auf. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 104 angeordnetes Retikel 106. Das Retikel 106 ist von einem Retikelhalter 107 gehalten. Der Retikelhalter 107 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 108 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.An illumination system 101 of the EUV projection exposure system 100 has, in addition to a radiation source 102, illumination optics 103 for illuminating an object field 104 in an object plane 105. A reticle 106 arranged in the object field 104 is exposed. The reticle 106 is held by a reticle holder 107. The reticle holder 107 can be displaced via a reticle displacement drive 108, in particular in a scanning direction.

In 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht in die Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 105.In 1 For explanation purposes, a Cartesian xyz coordinate system is shown. The x-direction runs perpendicular to the drawing plane. The y-direction runs horizontally and the z-direction runs vertically. The scanning direction runs in 1 along the y-direction. The z-direction is perpendicular to the object plane 105.

Die EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 umfasst eine Projektionsoptik 109. Die Projektionsoptik 109 dient zur Abbildung des Objektfeldes 104 in ein Bildfeld 110 in einer Bildebene 111. Die Bildebene 111 verläuft parallel zur Objektebene 105. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 105 und der Bildebene 111 möglich.The EUV projection exposure system 100 comprises a projection optics 109. The projection optics 109 are used to image the object field 104 into an image field 110 in an image plane 111. The image plane 111 runs parallel to the object plane 105. Alternatively, an angle other than 0° between the object plane 105 and the image plane 111 is also possible.

Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 106 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 110 in der Bildebene 111 angeordneten Wafers 112. Der Wafer 112 wird von einem Waferhalter 113 gehalten. Der Waferhalter 113 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 114 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 106 über den Retikelverlagerungsantrieb 108 und andererseits des Wafers 112 über den Waferverlagerungsantrieb 114 kann synchronisiert zueinander erfolgen.A structure on the reticle 106 is imaged onto a light-sensitive layer of a wafer 112 arranged in the area of the image field 110 in the image plane 111. The wafer 112 is held by a wafer holder 113. The wafer holder 113 can be displaced via a wafer displacement drive 114, in particular along the y-direction. The displacement of the reticle 106 on the one hand via the reticle displacement drive 108 and the wafer 112 on the other hand via the wafer displacement drive 114 can be synchronized with one another.

Bei der Strahlungsquelle 102 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 102 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 115, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung oder Beleuchtungsstrahlung bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 115 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 102 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle („Laser Produced Plasma“, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle („Gas Discharged Produced Plasma“, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 102 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser („Free-Electron-Laser“, FEL) handeln.The radiation source 102 is an EUV radiation source. The radiation source 102 emits in particular EUV radiation 115, which is also referred to below as useful radiation or illumination radiation. The useful radiation 115 has in particular a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm. The radiation source 102 can be a plasma source, for example an LPP source (“laser produced plasma”, plasma generated using a laser) or a DPP source (“gas discharged produced plasma”, plasma generated by means of gas discharge). It can also be a synchrotron-based radiation source. The radiation source 102 can be a free-electron laser (FEL).

Die Beleuchtungsstrahlung 115, die von der Strahlungsquelle 102 ausgeht, wird von einem Kollektor 116 gebündelt. Bei dem Kollektor 116 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 116 kann im streifenden Einfall („Grazing Incidence“, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall („Normal Incidence“, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 115 beaufschlagt werden. Der Kollektor 116 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung 115 und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.The illumination radiation 115 that emanates from the radiation source 102 is bundled by a collector 116. The collector 116 can be a collector with one or more ellipsoidal and/or hyperboloidal reflection surfaces. The at least one reflection surface of the collector 116 can be exposed to the illumination radiation 115 in grazing incidence (GI), i.e. with angles of incidence greater than 45°, or in normal incidence (NI), i.e. with angles of incidence less than 45°. The collector 116 can be structured and/or coated on the one hand to optimize its reflectivity for the useful radiation 115 and on the other hand to suppress stray light.

Nach dem Kollektor 116 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 115 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 117. Die Zwischenfokusebene 117 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 102 und den Kollektor 116, und der Beleuchtungsoptik 103 darstellen.After the collector 116, the illumination radiation 115 propagates through an intermediate focus in an intermediate focus plane 117. The intermediate focal plane 117 may represent a separation between a radiation source module, comprising the radiation source 102 and the collector 116, and the illumination optics 103.

Die Beleuchtungsoptik 103 umfasst einen Umlenkspiegel 118 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 119. Bei dem Umlenkspiegel 118 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 118 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 115 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 119 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet ist, die zur Objektebene 105 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 119 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 120, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 120 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.The illumination optics 103 comprises a deflection mirror 118 and a first facet mirror 119 arranged downstream of this in the beam path. The deflection mirror 118 can be a flat deflection mirror or alternatively a mirror with a beam-influencing effect beyond the pure deflection effect. Alternatively or additionally, the deflection mirror 118 can be designed as a spectral filter that separates a useful light wavelength of the illumination radiation 115 from false light of a different wavelength. If the first facet mirror 119 is arranged in a plane of the illumination optics 103 that is optically conjugated to the object plane 105 as a field plane, it is also referred to as a field facet mirror. The first facet mirror 119 comprises a plurality of individual first facets 120, which are also referred to below as field facets. Of these facets 120, only one is shown in the 1 only a few examples are shown.

Die ersten Facetten 120 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 120 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.The first facets 120 can be designed as macroscopic facets, in particular as rectangular facets or as facets with an arcuate or partially circular edge contour. The first facets 120 can be designed as flat facets or alternatively as convex or concave curved facets.

Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 120 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 119 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.As for example from the EN 10 2008 009 600 A1 As is known, the first facets 120 themselves can also be composed of a plurality of individual mirrors, in particular a plurality of micromirrors. The first facet mirror 119 can in particular be designed as a microelectromechanical system (MEMS system). For details, please refer to the EN 10 2008 009 600 A1 referred to.

Zwischen dem Kollektor 116 und dem Umlenkspiegel 118 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 115 horizontal, also längs der y-Richtung.Between the collector 116 and the deflection mirror 118, the illumination radiation 115 runs horizontally, i.e. along the y-direction.

Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 103 ist dem ersten Facettenspiegel 119 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 121. Sofern der zweite Facettenspiegel 121 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 121 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 119 und dem zweiten Facettenspiegel 121 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .In the beam path of the illumination optics 103, a second facet mirror 121 is arranged downstream of the first facet mirror 119. If the second facet mirror 121 is arranged in a pupil plane of the illumination optics 103, it is also referred to as a pupil facet mirror. The second facet mirror 121 can also be arranged at a distance from a pupil plane of the illumination optics 103. In this case, the combination of the first facet mirror 119 and the second facet mirror 121 is also referred to as a specular reflector. Specular reflectors are known from the US 2006/0132747 A1 , the EP 1 614 008 B1 and the US$6,573,978 .

Der zweite Facettenspiegel 121 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 122. Die zweiten Facetten 122 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.The second facet mirror 121 comprises a plurality of second facets 122. In the case of a pupil facet mirror, the second facets 122 are also referred to as pupil facets.

Bei den zweiten Facetten 122 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.The second facets 122 can also be macroscopic facets, which can be round, rectangular or hexagonal, for example, or alternatively facets composed of micromirrors. In this regard, reference is also made to the EN 10 2008 009 600 A1 referred to.

Die zweiten Facetten 122 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.The second facets 122 may have planar or alternatively convex or concave curved reflection surfaces.

Die Beleuchtungsoptik 103 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Fliegenaugeintegrator („Fly's Eye Integrator“) bezeichnet.The illumination optics 103 thus forms a double-faceted system. This basic principle is also called the fly's eye integrator.

Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 121 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 109 optisch konjugiert ist, anzuordnen.It may be advantageous not to arrange the second facet mirror 121 exactly in a plane which is optically conjugated to a pupil plane of the projection optics 109.

Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 121 werden die einzelnen ersten Facetten 120 in das Objektfeld 104 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 121 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 115 im Strahlengang vor dem Objektfeld 104.With the help of the second facet mirror 121, the individual first facets 120 are imaged into the object field 104. The second facet mirror 121 is the last bundle-forming or actually the last mirror for the illumination radiation 115 in the beam path in front of the object field 104.

Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 103 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 121 und dem Objektfeld 104 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 120 in das Objektfeld 104 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, „Normal Incidence“-Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (Gl-Spiegel, „Gracing Incidence“-Spiegel) umfassen.In a further embodiment of the illumination optics 103 (not shown), a transmission optics can be arranged in the beam path between the second facet mirror 121 and the object field 104, which contributes in particular to the imaging of the first facets 120 in the object field 104. The transmission optics can have exactly one mirror, but alternatively also two or more mirrors, which are arranged one behind the other in the beam path of the illumination optics 103. The transmission optics can in particular comprise one or two mirrors for perpendicular incidence (NI mirrors, “normal incidence” mirrors) and/or one or two mirrors for grazing incidence (GL mirrors, “grazing incidence” mirrors).

Die Beleuchtungsoptik 103 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 116 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 118, den Feldfacettenspiegel 119 und den Pupillenfacettenspiegel 121.The illumination optics 103 has in the design shown in the 1 As shown, after the collector 116 there are exactly three mirrors, namely the deflection mirror 118, the field facet mirror 119 and the pupil facet mirror 121.

Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 103 kann der Umlenkspiegel 118 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 103 nach dem Kollektor 116 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 119 und den zweiten Facettenspiegel 121.In a further embodiment of the illumination optics 103, the deflection mirror 118 can also be omitted, so that the illumination optics 103 can then have exactly two mirrors after the collector 116, namely the first facet mirror 119 and the second facet mirror 121.

Die Abbildung der ersten Facetten 120 mittels der zweiten Facetten 122 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 122 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 105 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.The imaging of the first facets 120 by means of the second facets 122 or with the second facets 122 and a transmission optics into the object plane 105 is usually only an approximate imaging.

Die Projektionsoptik 109 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 durchnummeriert sind.The projection optics 109 comprises a plurality of mirrors Mi, which are numbered according to their arrangement in the beam path of the EUV projection exposure system 100.

Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 109 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 115. Bei der Projektionsoptik 109 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 109 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.In the 1 In the example shown, the projection optics 109 comprises six mirrors M1 to M6. Alternatives with four, eight, ten, twelve or another number of mirrors Mi are also possible. The penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illumination radiation 115. The projection optics 109 are doubly obscured optics. The projection optics 109 have a numerical aperture on the image side that is greater than 0.5 and can also be greater than 0.6 and can be, for example, 0.7 or 0.75.

Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 103, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 115 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as free-form surfaces without a rotational symmetry axis. Alternatively, the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one rotational symmetry axis of the reflection surface shape. The mirrors Mi, just like the mirrors of the illumination optics 103, can have highly reflective coatings for the illumination radiation 115. These coatings can be designed as multilayer coatings, in particular with alternating layers of molybdenum and silicon.

Die Projektionsoptik 109 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 104 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 110. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 105 und der Bildebene 111.The projection optics 109 have a large object-image offset in the y-direction between a y-coordinate of a center of the object field 104 and a y-coordinate of the center of the image field 110. This object-image offset in the y-direction can be approximately as large as a z-distance between the object plane 105 and the image plane 111.

Die Projektionsoptik 109 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 109 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.The projection optics 109 can in particular be anamorphic. In particular, it has different image scales βx, βy in the x and y directions. The two image scales βx, βy of the projection optics 109 are preferably (βx, βy) = (+/- 0.25, +/- 0.125). A positive image scale β means an image without image inversion. A negative sign for the image scale β means an image with image inversion.

Die Projektionsoptik 109 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.The projection optics 109 thus leads to a reduction in the ratio 4:1 in the x-direction, i.e. in the direction perpendicular to the scanning direction.

Die Projektionsoptik 109 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.The projection optics 109 leads to a reduction of 8:1 in the y-direction, i.e. in the scanning direction.

Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.Other image scales are also possible. Image scales with the same sign and absolutely the same in the x and y directions, for example with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.

Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 104 und dem Bildfeld 110 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 109, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .The number of intermediate image planes in the x and y directions in the beam path between the object field 104 and the image field 110 can be the same or can be different depending on the design of the projection optics 109. Examples of projection optics with different numbers of such intermediate images in the x and y directions are known from US 2018/0074303 A1 .

Jeweils eine der Pupillenfacetten 122 ist genau einer der Feldfacetten 120 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 104 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 120 in eine Vielzahl an Objektfeldern 104 zerlegt. Die Feldfacetten 120 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 122.Each of the pupil facets 122 is assigned to exactly one of the field facets 120 to form an illumination channel for illuminating the object field 104. This can result in particular in illumination according to the Köhler principle. The far field is broken down into a plurality of object fields 104 using the field facets 120. The field facets 120 generate a plurality of images of the intermediate focus on the pupil facets 122 assigned to them.

Die Feldfacetten 120 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 122 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 104 auf das Retikel 106 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 104 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2% auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.The field facets 120 are each imaged onto the reticle 106 by an associated pupil facet 122, superimposing one another, to illuminate the object field 104. The illumination of the object field 104 is in particular as homogeneous as possible. It preferably has a uniformity error of less than 2%. The field uniformity can be achieved by superimposing different illumination channels.

Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet.By arranging the pupil facets, the illumination of the entrance pupil of the projection optics 109 can be defined geometrically. By selecting the illumination channels, in particular the subset of the pupil facets that guide light, the intensity distribution in the entrance pupil of the projection optics 109 can be set. This intensity distribution is also referred to as the illumination setting.

Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 103 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.A preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections an illumination pupil of the illumination optics 103 can be achieved by redistributing the illumination channels.

Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 104 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 beschrieben. In the following, further aspects and details of the illumination of the object field 104 and in particular the entrance pupil of the projection optics 109 are described.

Die Projektionsoptik 109 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.The projection optics 109 can in particular have a homocentric entrance pupil. This can be accessible. It can also be inaccessible.

Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 121 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 109, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 121 telezentrisch auf den Wafer 112 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.The entrance pupil of the projection optics 109 cannot usually be illuminated precisely with the pupil facet mirror 121. When the projection optics 109 images the center of the pupil facet mirror 121 telecentrically onto the wafer 112, the aperture rays often do not intersect at a single point. However, a surface can be found in which the pairwise determined distance of the aperture rays is minimal. This surface represents the entrance pupil or a surface conjugated to it in spatial space. In particular, this surface shows a finite curvature.

Es kann sein, dass die Projektionsoptik 109 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 121 und dem Retikel 106 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Bauelements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.It is possible that the projection optics 109 have different positions of the entrance pupil for the tangential and the sagittal beam path. In this case, an imaging element, in particular an optical component of the transmission optics, should be provided between the second facet mirror 121 and the reticle 106. With the help of this optical component, the different positions of the tangential entrance pupil and the sagittal entrance pupil can be taken into account.

Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 103 ist der Pupillenfacettenspiegel 121 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 konjugierten Fläche angeordnet. Der erste Feldfacettenspiegel 119 ist verkippt zur Objektebene 105 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 119 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 118 definiert ist.In the 1 In the arrangement of the components of the illumination optics 103 shown, the pupil facet mirror 121 is arranged in a surface conjugated to the entrance pupil of the projection optics 109. The first field facet mirror 119 is arranged tilted to the object plane 105. The first facet mirror 119 is arranged tilted to an arrangement plane that is defined by the deflection mirror 118.

Der erste Facettenspiegel 119 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 121 definiert ist.The first facet mirror 119 is arranged tilted to an arrangement plane which is defined by the second facet mirror 121.

In 2 ist eine beispielhafte DUV-Projektionsbelichtungsanlage 200 dargestellt. Die DUV-Projektionsbelichtungsanlage 200 weist ein Beleuchtungssystem 201, eine Retikelstage 202 genannten Einrichtung zur Aufnahme und exakten Positionierung eines Retikels 203, durch welches die späteren Strukturen auf einem Wafer 204 bestimmt werden, einen Waferhalter 205 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung des Wafers 204 und eine Abbildungseinrichtung, nämlich eine Projektionsoptik 206, mit mehreren optischen Elementen, insbesondere Linsen 207, die über Fassungen 208 in einem Objektivgehäuse 209 der Projektionsoptik 206 gehalten sind, auf.In 2 an exemplary DUV projection exposure system 200 is shown. The DUV projection exposure system 200 has an illumination system 201, a device called a reticle stage 202 for receiving and precisely positioning a reticle 203, by means of which the later structures on a wafer 204 are determined, a wafer holder 205 for holding, moving and precisely positioning the wafer 204 and an imaging device, namely a projection optics 206, with several optical elements, in particular lenses 207, which are held via mounts 208 in an objective housing 209 of the projection optics 206.

Alternativ oder ergänzend zu den dargestellten Linsen 207 können diverse refraktive, diffraktive und/oder reflexive optische Elemente, unter anderem auch Spiegel, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen, vorgesehen sein.Alternatively or in addition to the lenses 207 shown, various refractive, diffractive and/or reflective optical elements, including mirrors, prisms, end plates and the like, can be provided.

Das grundsätzliche Funktionsprinzip der DUV-Projektionsbelichtungsanlage 200 sieht vor, dass die in das Retikel 203 eingebrachten Strukturen auf den Wafer 204 abgebildet werden.The basic functional principle of the DUV projection exposure system 200 provides that the structures introduced into the reticle 203 are imaged onto the wafer 204.

Das Beleuchtungssystem 201 stellt einen für die Abbildung des Retikels 203 auf den Wafer 204 benötigten Projektionsstrahl 210 in Form elektromagnetischer Strahlung bereit. Als Quelle für diese Strahlung kann ein Laser, eine Plasmaquelle oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung wird in dem Beleuchtungssystem 201 über optische Elemente so geformt, dass der Projektionsstrahl 210 beim Auftreffen auf das Retikel 203 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.The illumination system 201 provides a projection beam 210 in the form of electromagnetic radiation required for imaging the reticle 203 onto the wafer 204. A laser, a plasma source or the like can be used as a source for this radiation. The radiation is shaped in the illumination system 201 via optical elements such that the projection beam 210 has the desired properties with regard to diameter, polarization, shape of the wave front and the like when it strikes the reticle 203.

Mittels des Projektionsstrahls 210 wird ein Bild des Retikels 203 erzeugt und von der Projektionsoptik 206 entsprechend verkleinert auf den Wafer 204 übertragen. Dabei können das Retikel 203 und der Wafer 204 synchron verfahren werden, so dass praktisch kontinuierlich während eines sogenannten Scanvorganges Bereiche des Retikels 203 auf entsprechende Bereiche des Wafers 204 abgebildet werden.An image of the reticle 203 is generated by means of the projection beam 210 and is transferred to the wafer 204 in a correspondingly reduced size by the projection optics 206. The reticle 203 and the wafer 204 can be moved synchronously so that areas of the reticle 203 are imaged onto corresponding areas of the wafer 204 practically continuously during a so-called scanning process.

Optional kann ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 207 und dem Wafer 204 durch ein flüssiges Medium ersetzt sein, welches einen Brechungsindex größer 1,0 aufweist. Das flüssige Medium kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photolithographische Auflösung auf.Optionally, an air gap between the last lens 207 and the wafer 204 can be replaced by a liquid medium having a refractive index greater than 1.0. The liquid medium can be, for example, high-purity water. Such a structure is also referred to as immersion lithography and has an increased photolithographic resolution.

Die Verwendung der Erfindung ist nicht auf den Einsatz in Projektionsbelichtungsanlagen 100, 200, insbesondere auch nicht mit dem beschriebenen Aufbau, beschränkt. Die Erfindung eignet sich für beliebige Lithografiesysteme bzw. Mikrolithografiesysteme, insbesondere jedoch für Projektionsbelichtungsanlagen, mit dem beschriebenen Aufbau. Die Erfindung eignet sich auch für EUV-Projektionsbelichtungsanlagen, welche eine geringere bildseitige numerische Apertur als jene, die im Zusammenhang mit 1 beschrieben ist, sowie keinen obskurierten Spiegel M5 und/oder M6 aufweisen. Insbesondere eignet sich die Erfindung auch für EUV-Projektionsbelichtungsanlagen, welche eine bildseitige numerische Apertur von 0,25 bis 0,5, vorzugsweise 0,3 bis 0,4, besonders bevorzugt 0,33, aufweisen. Die Erfindung sowie die nachfolgenden Ausführungsbeispiele sind ferner nicht auf eine spezifische Bauform beschränkt zu verstehen.The use of the invention is not limited to use in projection exposure systems 100, 200, in particular not with the described structure. The invention is suitable for any lithography systems or microlithography systems, but in particular for projection exposure systems with the described structure. The invention is also suitable for EUV projection exposure systems which have a lower image-side numerical aperture than those associated with 1 described, and do not have an obscured mirror M5 and/or M6. In particular, the invention is also suitable for EUV projection exposure systems which have an image-side numerical aperture of 0.25 to 0.5, preferably 0.3 to 0.4, particularly preferably 0.33. The invention and the following embodiments are also not to be understood as being limited to a specific design.

Die nachfolgenden Figuren stellen die Erfindung lediglich beispielhaft und stark schematisiert dar.The following figures represent the invention merely by way of example and in a highly schematic manner.

3 zeigt eine schematische Darstellung einer möglichen Ausführungsform einer Vorrichtung 1 zur Herstellung eines Spiegelkörpers 2. 3 shows a schematic representation of a possible embodiment of a device 1 for producing a mirror body 2.

Die Vorrichtung 1 zur Herstellung des Spiegelkörpers 2 insbesondere für ein optisches Element 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi für die Projektionsbelichtungsanlage 100, welches wenigstens eine optische Oberfläche 2a aufweist, mittels Bondens aus wenigstens zwei Bauteilen 3a, 3b (siehe 4) an einer Kontaktfläche 4 (siehe 4 der Bauteile 3a, 3b), umfasst einen Ofen 5 zur Erhitzung des Spiegelkörpers 2. Bei der Vorrichtung 1 ist wenigstens eine Reflexionsfläche 6 zur Reflexion einer Wärmestrahlung 7 vorgesehen und dazu eingerichtet, ein Temperaturprofil des Spiegelkörpers 2 während des Bondens in einem Bereich entlang der optischen Oberfläche 2a und/oder der Kontaktfläche 4 derart zu homogenisieren, dass der Spiegelkörper 2 in dem gesamten Bereich entlang der optischen Oberfläche 2a und/oder der Kontaktfläche 4 die gleiche Temperatur aufweist. Hierbei ist die wenigstens eine Reflexionsfläche 6 derart angeordnet, dass die Reflexionsfläche 6 wenigstens annähernd senkrecht zu der optischen Oberfläche 2a und/oder der Kontaktfläche 4 verläuft.The device 1 for producing the mirror body 2, in particular for an optical element 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi for the projection exposure system 100, which has at least one optical surface 2a, by means of bonding from at least two components 3a, 3b (see 4 ) on a contact surface 4 (see 4 of the components 3a, 3b), comprises an oven 5 for heating the mirror body 2. In the device 1, at least one reflection surface 6 is provided for reflecting a thermal radiation 7 and is designed to homogenize a temperature profile of the mirror body 2 during bonding in an area along the optical surface 2a and/or the contact surface 4 such that the mirror body 2 has the same temperature in the entire area along the optical surface 2a and/or the contact surface 4. In this case, the at least one reflection surface 6 is arranged such that the reflection surface 6 runs at least approximately perpendicular to the optical surface 2a and/or the contact surface 4.

In dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel sind mehrere Reflexionsflächen 6 vorgesehen und dazu eingerichtet, den Spiegelkörper 2 senkrecht zu der optischen Oberfläche 2a und/oder der Kontaktfläche 4 allseitig zu umschließen und/oder eine Ausdehnung des Spiegelkörpers 2 senkrecht zu der optischen Oberfläche 2a und/oder der Kontaktfläche 4 wenigstens annähernd vollständig zu überdecken.In the 3 In the embodiment shown, a plurality of reflection surfaces 6 are provided and designed to enclose the mirror body 2 on all sides perpendicular to the optical surface 2a and/or the contact surface 4 and/or to at least approximately completely cover an extension of the mirror body 2 perpendicular to the optical surface 2a and/or the contact surface 4.

In dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 1 ist die wenigstens eine Reflexionsfläche 6 auf einer in dem Ofen 5 positionierbaren Struktur in dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel vorzugsweise einem Rahmen 8 ausgebildet.In the 3 In the embodiment of the device 1 shown, the at least one reflection surface 6 is on a structure positionable in the oven 5 in the 3 illustrated embodiment preferably formed of a frame 8.

In einer nicht dargestellten Ausführungsform kann die wenigstens eine Reflexionsfläche 6 alternativ oder ergänzend als Beschichtung des Spiegelkörpers 2 ausgebildet sein.In an embodiment not shown, the at least one reflection surface 6 can alternatively or additionally be formed as a coating of the mirror body 2.

Gemäß dem Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 1 nach 3 sind die Reflexionsfläche 6 und der Rahmen 8, vorzugsweise bis zu einer Temperatur von mindestens 1000°C, hitzebeständig.According to the embodiment of the device 1 according to 3 the reflection surface 6 and the frame 8 are heat-resistant, preferably up to a temperature of at least 1000°C.

Gemäß einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel können wenigstens eine zu dem Spiegelkörper 2 hin orientierte erste Reflexionsfläche 6 und wenigstens eine von dem Spiegelkörper 2 weg orientierte zweite Reflexionsfläche 6 vorgesehen sein.According to an embodiment not shown, at least one first reflection surface 6 oriented towards the mirror body 2 and at least one second reflection surface 6 oriented away from the mirror body 2 can be provided.

Es kann vorgesehen sein, dass die Reflexionsfläche 6 von einer Seitenfläche des Spiegelkörpers 2 um einen Abstand beabstandet ist, welcher 1 % bis 10 %, vorzugsweise 5 % +/- 2%, einer Ausdehnung des Spiegelkörpers 2 senkrecht zu der optischen Oberfläche 2a und/oder der Kontaktfläche 4 beträgt.It can be provided that the reflection surface 6 is spaced from a side surface of the mirror body 2 by a distance which is 1% to 10%, preferably 5% +/- 2%, of an extension of the mirror body 2 perpendicular to the optical surface 2a and/or the contact surface 4.

In der Draufsicht nach 3 ist eine Oberseite des Spiegelkörpers 2 dargestellt.In the top view 3 an upper side of the mirror body 2 is shown.

4 zeigt eine schematische Darstellung eines Spiegelkörpers 2, der mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung 1 temperiert ist. 4 shows a schematic representation of a mirror body 2 which is tempered with the device 1 according to the invention.

In 4 ist eine Ausführungsform des Spiegelkörpers 2 dargestellt, bei der der Spiegelkörper 2 aus den beiden Bauteilen 3a und 3b ausgebildet ist, welche entlang der Kontaktfläche 4 miteinander verbunden sind. Entlang der optischen Oberfläche 2a und/oder der Kontaktfläche 4 hat sich durch die Temperierung mittels der Vorrichtung 1 ein homogenes Temperaturprofil ausgebildet. Senkrecht zu der optischen Oberfläche 2a und/oder der Kontaktfläche 4 ist das Temperaturprofil geschichtet.In 4 an embodiment of the mirror body 2 is shown in which the mirror body 2 is formed from the two components 3a and 3b, which are connected to one another along the contact surface 4. A homogeneous temperature profile has been formed along the optical surface 2a and/or the contact surface 4 by the temperature control by means of the device 1. The temperature profile is layered perpendicular to the optical surface 2a and/or the contact surface 4.

Bei dem in 4 dargestellten Beispiel erfolgt der Wärmeaustausch zwischen dem Spiegelkörpers 2 und dem Ofen 5 vorwiegend von oben und von unten bzw. unter einem reduzierten Emissionsgrad an den Seitenflächen des Spiegelkörpers 2.In the 4 In the example shown, the heat exchange between the mirror body 2 and the furnace 5 occurs predominantly from above and below or under a reduced emissivity on the side surfaces of the mirror body 2.

5 zeigt eine blockdiagrammartige Darstellung einer möglichen Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung des Spiegelkörpers 2. 5 shows a block diagram of a possible embodiment of a method for producing the mirror body 2.

Bei dem Verfahren zur Herstellung des Spiegelkörpers 2 für das optische Element 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, insbesondere einen Spiegel, einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100, welches die optische Oberfläche 2a aufweist, mittels Bondens aus wenigstens zwei Bauteilen 3a, 3b an der Kontaktfläche 4 der Bauteile 3a, 3b wird in einem Erhitzungsblock 20 der Spiegelkörper 2 mit dem Ofen 5 erhitzt.In the method for producing the mirror body 2 for the optical element 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, in particular a mirror, of an EUV projection exposure system 100, which has the optical surface 2a, by means of bonding at least two components 3a, 3b to the contact surface 4 of the components 3a, 3b, in a heating The mirror body 2 is heated with the furnace 5 in the heating block 20.

In einem Homogenisierungsblock 21 wird ein Temperaturprofil des Spiegelkörpers 2 während des Bondens in einem Bereich entlang der optischen Oberfläche 2a und/oder der Kontaktfläche 4 durch die wenigstens eine Reflexionsfläche 6 derart homogenisiert, dass der Spiegelkörpers 2 in dem gesamten Bereich entlang der optischen Oberfläche 2a und/oder der Kontaktfläche 4 auf einer gleichen Temperatur gehalten wird.In a homogenization block 21, a temperature profile of the mirror body 2 is homogenized during bonding in a region along the optical surface 2a and/or the contact surface 4 by the at least one reflection surface 6 such that the mirror body 2 is kept at the same temperature in the entire region along the optical surface 2a and/or the contact surface 4.

In einem Anordnungsblock 22 werden der Spiegelkörper 2 und die wenigstens eine Reflexionsfläche 6 in dem Ofen 5 derart relativ zueinander angeordnet, dass die optische Oberfläche 2a und/oder die Kontaktfläche 4 wenigstens annähernd senkrecht zu der wenigstens einen Reflexionsfläche 6 verläuft.In an arrangement block 22, the mirror body 2 and the at least one reflection surface 6 are arranged relative to one another in the furnace 5 such that the optical surface 2a and/or the contact surface 4 runs at least approximately perpendicular to the at least one reflection surface 6.

Im Rahmen des Homogenisierungsblocks 21 und/oder des Anordnungsblocks 22 wird der Spiegelkörper 2 vorzugsweise von mehreren Reflexionsflächen 6 senkrecht zu der optischen Oberfläche 2a und/oder der Kontaktfläche 4 allseitig umschlossen und/oder senkrecht zu der optischen Oberfläche 2a und/oder der Kontaktfläche 4 vollständig überdeckt.Within the framework of the homogenization block 21 and/or the arrangement block 22, the mirror body 2 is preferably surrounded on all sides by a plurality of reflection surfaces 6 perpendicular to the optical surface 2a and/or the contact surface 4 and/or completely covered perpendicular to the optical surface 2a and/or the contact surface 4.

Im Rahmen des Anordnungsblocks 22 wird der Spiegelkörper 2 ferner vorzugsweise in einem Rahmen 8 angeordnet, dessen Mantelfläche durch die wenigstens eine Reflexionsfläche 6 ausgebildet wird.Within the arrangement block 22, the mirror body 2 is further preferably arranged in a frame 8, the outer surface of which is formed by the at least one reflection surface 6.

Bei der Ausführungsform des Verfahrens gemäß 5 wird ferner vorzugsweise in wenigstens eines der Bauteile 3a, 3b vor dem Bonden an der Kontaktfläche 4 wenigstens eine Vertiefung, vorzugsweise eine Rinne eingebracht, wobei durch das Bonden der Bauteile 3a, 3b wenigstens ein Kühlkanal 9 (siehe 4) in dem Spiegelkörper 2 ausgebildet wird.In the embodiment of the method according to 5 Furthermore, at least one recess, preferably a groove, is preferably introduced into at least one of the components 3a, 3b before bonding on the contact surface 4, whereby the bonding of the components 3a, 3b creates at least one cooling channel 9 (see 4 ) is formed in the mirror body 2.

Vorzugsweise wird die wenigstens eine Vertiefung, insbesondere durch Fräsen, derart eingebracht, dass die wenigstens eine Vertiefung in der Kontaktfläche 4 offen ist.Preferably, the at least one recess is introduced, in particular by milling, such that the at least one recess in the contact surface 4 is open.

Die in 5 dargestellten Blöcke sind vorzugsweise chronologisch, wie in 5 dargestellt, geordnet. Allerdings sind auch andere Anordnungen möglich und sinnvoll. In the 5 The blocks shown are preferably chronological, as in 5 However, other arrangements are also possible and useful.

6 zeigt eine schematische Darstellung eines auf herkömmliche Weise temperierten Spiegelkörpers 2. 6 shows a schematic representation of a conventionally tempered mirror body 2.

Durch das Fehlen der seitlich angeordneten erfindungsgemäßen Reflexionsflächen 6 stellt sich auch ein Temperaturgradient innerhalb der optischen Oberfläche 2a und/oder der Kontaktfläche 4 ein.Due to the absence of the laterally arranged reflection surfaces 6 according to the invention, a temperature gradient also occurs within the optical surface 2a and/or the contact surface 4.

In dem herkömmlichen Fall einer gleichmäßigen Beheizung von allen Seiten ergibt sich der in 6 dargestellte heiße Kern im Inneren des Spiegelkörpers 2 mit Temperaturgradienten zu der gesamten Oberfläche des Spiegelkörpers in alle Raumrichtungen.In the conventional case of uniform heating from all sides, the 6 shown hot core inside the mirror body 2 with temperature gradients to the entire surface of the mirror body in all spatial directions.

Bei dem in 6 dargestellten Beispiel herrscht ein gleichmäßiger Wärmeaustausch von allen Seiten des Spiegelkörpers 2 und damit ein einheitlicher Emissionsgrad an der kompletten Oberfläche des Spiegelkörpers 2 vor.In the 6 In the example shown, there is a uniform heat exchange from all sides of the mirror body 2 and thus a uniform emissivity on the entire surface of the mirror body 2.

7 zeigt eine beispielhafte Darstellung einer Temperaturkurve zum Bonden eines Spiegelkörpers 2 aus Titanium-Silikatglas aus zwei Bauteilen 3a, 3b. 7 shows an exemplary representation of a temperature curve for bonding a mirror body 2 made of titanium silicate glass from two components 3a, 3b.

8 zeigt eine schematische Darstellung von Wärmeübergangskoeffizienten durch Strahlung und durch Konvektion an dem Spiegelkörper 2 in Abhängigkeit der Temperatur. 8th shows a schematic representation of heat transfer coefficients by radiation and by convection at the mirror body 2 as a function of temperature.

8 zeigt insbesondere einen Vergleich des Wärmeübergangs durch Strahlung und durch Konvektion in Abhängigkeit von der Temperatur des Spiegelkörpers 2. Der Wärmeübergang durch Strahlung, in 8 als S gekennzeichnet, wurde auf Basis gängiger Emissionsgrade für Titanium-Silikatglas und Ofenmaterialien und eine Temperaturdifferenz von 10 K zwischen Ofenwand und Spiegelkörper 2 abgeschätzt. Zum Vergleich sind Wärmeübergangskoeffizienten dargestellt, in 8 als V gekennzeichnet, welche sich bei einer Strahlung mit einem Emissionsgrad von 0,05, wie dieser zum Beispiel auf polierten metallischen Oberflächen auftritt, ergeben oder für natürliche Konvektion zu erwarten sind. 8th shows in particular a comparison of the heat transfer by radiation and by convection as a function of the temperature of the mirror body 2. The heat transfer by radiation, in 8th marked as S, was estimated based on common emissivities for titanium silicate glass and furnace materials and a temperature difference of 10 K between the furnace wall and mirror body 2. For comparison, heat transfer coefficients are shown, in 8th marked as V, which result from radiation with an emissivity of 0.05, as occurs for example on polished metallic surfaces, or are to be expected for natural convection.

8 zeigt deutlich, dass der Wärmeübergang bei den im Ofen 5 bei dem Bonden vorherrschenden Temperaturen stark durch Strahlung des Spiegelkörpers 2 dominiert wird. Des Weiteren ist deutlich zu erkennen, dass der Wärmeübergang durch Strahlung durch eine reflektierende Oberfläche bzw. Reflexionsfläche 6 mit einem niedrigen Emissionsgrad von 0,05 sehr stark reduziert werden kann. 8th clearly shows that the heat transfer at the temperatures prevailing in the furnace 5 during bonding is strongly dominated by radiation from the mirror body 2. Furthermore, it can be clearly seen that the heat transfer by radiation can be greatly reduced by a reflective surface or reflection area 6 with a low emissivity of 0.05.

9 zeigt eine schematische Darstellung von Temperaturkurven des Spiegelkörpers 2 bei dem erfindungsgemäßen Verfahren. 9 shows a schematic representation of temperature curves of the mirror body 2 in the method according to the invention.

In 9 sind Ergebnisse von Finite-Elements-Simulationen zu sehen, bei denen an Seitenflächen des Spiegelkörpers 2 jeweils unterschiedliche Wärmeübergangskoeffizienten angenommen wurden. Zum einen wurde der Wärmeübergangskoeffizient entsprechend dem Wärmeübergang, der mit einer Emissivität von Titanium-Silikatglas zu erwarten ist, und einmal mit einer Emissivität von 0,05 simuliert.In 9 Results of finite element simulations are shown, in which different heat transfer coefficients were assumed for the side surfaces of the mirror body 2. On the one hand, the heat transfer coefficient was determined according to the heat transfer that an emissivity of titanium silicate glass, and once simulated with an emissivity of 0.05.

In beiden Fällen wurde ein Abkühlvorgang simuliert, wobei der gesamte Spiegelkörper 2 zu Beginn der Simulation auf einer Starttemperatur vollständig durchgewärmt angenommen wurde.In both cases, a cooling process was simulated, whereby the entire mirror body 2 was assumed to be completely heated to a starting temperature at the beginning of the simulation.

9 zeigt den Temperaturverlauf einer Maximaltemperatur, einer Minimaltemperatur und einer Mitteltemperatur in dem Spiegelkörper 2 im Verlauf der Zeit für beide vorbeschriebene Fälle. Die Temperaturverläufe der beiden Fälle sind sehr ähnlich. Der Fall, bei dem der Wärmeaustausch vorwiegend über die Oberseite und die Unterseite des Spiegelkörpers 2 stattfindet, kühlt etwas langsamer ab. 9 shows the temperature profile of a maximum temperature, a minimum temperature and an average temperature in the mirror body 2 over time for both cases described above. The temperature profiles of the two cases are very similar. The case in which the heat exchange takes place predominantly via the top and bottom of the mirror body 2 cools down somewhat more slowly.

In 9 sind die Temperaturverläufe, welche unter Annahme eines einheitlichen Emissionsgrads für Titanium-Silikatglas an der gesamten Oberfläche des Spiegelkörpers 2 angenommen wurden, mit durchgezogenen Linien dargestellt. Die Temperaturverläufe, welche unter Annahme eines reduzierten Emissionsgrads an den Seitenflächen des Spiegelkörpers 2, d. h. mit einem Wärmeübergang, welcher praktisch ausschließlich an der Oberseite und der Unterseite des Spiegelkörpers 2 stattfindet, simuliert wurden, gestrichelt dargestellt.In 9 The temperature profiles, which were simulated on the assumption of a uniform emissivity for titanium silicate glass on the entire surface of the mirror body 2, are shown with solid lines. The temperature profiles, which were simulated on the assumption of a reduced emissivity on the side surfaces of the mirror body 2, ie with a heat transfer which takes place practically exclusively on the top and bottom of the mirror body 2, are shown with dashed lines.

Die Erfindung eignet sich in besonderem Maße für Spiegelkörper 2, bei denen es sich vorzugsweise um Spiegelkörper 2 für die Spiegel 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere der in 1 prinzipmäßig gezeigten EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 handelt. Bei der Projektionsbelichtungsanlage 100 gemäß 1 für die Halbleiterlithografie ist vorzugsweise wenigstens einer der Spiegelkörper der Spiegel 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi mit der vorbeschriebenen Vorrichtung hergestellt. Alternativ und/oder ergänzend ist wenigstens einer der Spiegelkörper der Spiegel 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi mit dem vorbeschriebenen Verfahren hergestellt.The invention is particularly suitable for mirror bodies 2, which are preferably mirror bodies 2 for the mirrors 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi of an EUV projection exposure system, in particular the one shown in 1 EUV projection exposure system 100 shown in principle. The projection exposure system 100 according to 1 For semiconductor lithography, preferably at least one of the mirror bodies of the mirrors 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi is produced using the device described above. Alternatively and/or additionally, at least one of the mirror bodies of the mirrors 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi is produced using the method described above.

Bei dem Spiegelkörper 2 des erfindungsgemäßen Lithografiesystems kann es sich insbesondere um den Spiegelkörper 2 für den Spiegel M2 der in 1 dargestellten EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 handeln.The mirror body 2 of the lithography system according to the invention can in particular be the mirror body 2 for the mirror M2 of the 1 This may be the EUV projection exposure system 100 shown.

Die Erfindung kann auch im Zusammenhang mit optischen Elementen, insbesondere Linsen 207 von DUV-Projektionsbelichtungsanlagen 200 Anwendung finden. Das Ausführungsbeispiel ist dabei analog derart zu verstehen, dass es sich bei dem optischen Element um eine Linse 207 der DUV-Projektionsbelichtungsanlage 200, handelt.The invention can also be used in connection with optical elements, in particular lenses 207 of DUV projection exposure systems 200. The embodiment is to be understood analogously in such a way that the optical element is a lens 207 of the DUV projection exposure system 200.

BezugszeichenlisteList of reference symbols

11
Vorrichtungcontraption
22
SpiegelkörperMirror body
2a2a
optische Oberflächeoptical surface
3a,b3a,b
BauteilComponent
44
KontaktflächeContact surface
55
OfenOven
66
ReflexionsflächeReflection surface
77
WärmestrahlungThermal radiation
88th
RahmenFrame
99
KühlkanalCooling channel
2020
ErhitzungsblockHeating block
2121
HomogenisierungsblockHomogenization block
2222
AnordnungsblockArrangement block
100100
EUV-ProjektionsbelichtungsanlageEUV projection exposure system
101101
BeleuchtungssystemLighting system
102102
StrahlungsquelleRadiation source
103103
BeleuchtungsoptikLighting optics
104104
ObjektfeldObject field
105105
ObjektebeneObject level
106106
RetikelReticle
107107
RetikelhalterReticle holder
108108
RetikelverlagerungsantriebReticle displacement drive
109109
ProjektionsoptikProjection optics
110110
BildfeldImage field
111111
BildebeneImage plane
112112
WaferWafer
113113
WaferhalterWafer holder
114114
WaferverlagerungsantriebWafer relocation drive
115115
EUV- / Nutz- / BeleuchtungsstrahlungEUV / useful / illumination radiation
116116
Kollektorcollector
117117
ZwischenfokusebeneIntermediate focal plane
118118
UmlenkspiegelDeflecting mirror
119119
erster Facettenspiegel / Feldfacettenspiegelfirst facet mirror / field facet mirror
120120
erste Facetten / Feldfacettenfirst facets / field facets
121121
zweiter Facettenspiegel / Pupillenfacettenspiegelsecond facet mirror / pupil facet mirror
122122
zweite Facetten / Pupillenfacettensecond facets / pupil facets
200200
DUV-ProjektionsbelichtungsanlageDUV projection exposure system
201201
BeleuchtungssystemLighting system
202202
RetikelstageReticle stages
203203
RetikelReticle
204204
WaferWafer
205205
WaferhalterWafer holder
206206
ProjektionsoptikProjection optics
207207
Linselens
208208
FassungVersion
209209
ObjektivgehäuseLens housing
210210
ProjektionsstrahlProjection beam
MiWed
SpiegelMirror

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102008009600 A1 [0096, 0100]DE 102008009600 A1 [0096, 0100]
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  • US 20180074303 A1 [0117]US 20180074303 A1 [0117]

Claims (11)

Vorrichtung (1) zur Herstellung eines Spiegelkörpers (2) für ein optisches Element (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi) einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage (100), welches eine optische Oberfläche (2a) aufweist, mittels Bondens aus wenigstens zwei Bauteilen (3a, 3b) an einer Kontaktfläche (4) der Bauteile (3a, 3b), mit einem Ofen (5) zur Erhitzung des Spiegelkörpers (2), dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine Reflexionsfläche (6) zur Reflexion einer Wärmestrahlung (7) vorgesehen und dazu eingerichtet ist, ein Temperaturprofil des Spiegelkörpers (2) während des Bondens in einem Bereich entlang der optischen Oberfläche (2a) und/oder der Kontaktfläche (4) derart zu homogenisieren, dass der Spiegelkörper (2) in dem gesamten Bereich entlang der optischen Oberfläche (2a) und/oder der Kontaktfläche (4) die gleiche Temperatur aufweist, wobei die wenigstens eine Reflexionsfläche (6) derart angeordnet ist, dass die Reflexionsfläche (6) wenigstens annähernd senkrecht zu der optischen Oberfläche (2a) und/oder der Kontaktfläche (4) verläuft.Device (1) for producing a mirror body (2) for an optical element (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi) of an EUV projection exposure system (100), which has an optical surface (2a), by means of bonding from at least two components (3a, 3b) to a contact surface (4) of the components (3a, 3b), with a furnace (5) for heating the mirror body (2), characterized in that at least one reflection surface (6) is provided for reflecting thermal radiation (7) and is designed to homogenize a temperature profile of the mirror body (2) during bonding in a region along the optical surface (2a) and/or the contact surface (4) in such a way that the mirror body (2) has the same temperature in the entire region along the optical surface (2a) and/or the contact surface (4), wherein the at least one reflection surface (6) is arranged in such a way is that the reflection surface (6) runs at least approximately perpendicular to the optical surface (2a) and/or the contact surface (4). Vorrichtung (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Reflexionsflächen (6) vorgesehen und eingerichtet sind, den Spiegelkörper (2) senkrecht zu der optischen Oberfläche (2a) und/oder der Kontaktfläche (4) allseitig zu umschließen und/oder eine Ausdehnung des Spiegelkörpers (2) senkrecht zu der optischen Oberfläche (2a) und/oder der Kontaktfläche (4) vollständig zu überdecken.Device (1) according to Claim 1 , characterized in that a plurality of reflection surfaces (6) are provided and arranged to enclose the mirror body (2) on all sides perpendicular to the optical surface (2a) and/or the contact surface (4) and/or to completely cover an extension of the mirror body (2) perpendicular to the optical surface (2a) and/or the contact surface (4). Vorrichtung (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Reflexionsfläche (6) als Beschichtung des Spiegelkörpers (2) ausgebildet ist.Device (1) according to Claim 1 or 2 , characterized in that the at least one reflection surface (6) is designed as a coating of the mirror body (2). Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Reflexionsfläche (6) auf einer in dem Ofen (5) positionierbaren Struktur, vorzugsweise einem Rahmen (8), ausgebildet ist.Device (1) according to one of the Claims 1 or 2 , characterized in that the at least one reflection surface (6) is formed on a structure positionable in the furnace (5), preferably a frame (8). Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine zu dem Spiegelkörper (2) hin orientierte erste Reflexionsfläche (6) und wenigstens eine von dem Spiegelkörper (2) weg orientierte zweite Reflexionsfläche (6) vorgesehen sind.Device (1) according to one of the Claims 1 until 4 , characterized in that at least one first reflection surface (6) oriented towards the mirror body (2) and at least one second reflection surface (6) oriented away from the mirror body (2) are provided. Verfahren zur Herstellung eines Spiegelkörpers (2) für ein optisches Element (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi) einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage (100), welches eine optische Oberfläche (2a) aufweist, mittels Bondens aus wenigstens zwei Bauteilen (3a, 3b) an einer Kontaktfläche (4) der Bauteile (3a, 3b), wobei der Spiegelkörper (2) mit einem Ofen (5) erhitzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass ein Temperaturprofil des Spiegelkörpers (2) während des Bondens in einem Bereich entlang der optischen Oberfläche (2a) und/oder der Kontaktfläche (4) durch wenigstens eine Reflexionsfläche (6) derart homogenisiert wird, dass der Spiegelkörper (2) in dem gesamten Bereich entlang der optischen Oberfläche (2a) und/oder der Kontaktfläche (4) auf einer gleichen Temperatur gehalten wird, wobei der Spiegelkörper (2) und die wenigstens eine Reflexionsfläche (6) in dem Ofen (5) derart relativ zueinander angeordnet werden, dass die optische Oberfläche (2a) und/oder die Kontaktfläche (4) wenigstens annähernd senkrecht zu der wenigstens einen Reflexionsfläche (6) verläuft.Method for producing a mirror body (2) for an optical element (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi) of an EUV projection exposure system (100), which has an optical surface (2a), by means of bonding at least two components (3a, 3b) to a contact surface (4) of the components (3a, 3b), wherein the mirror body (2) is heated with an oven (5), characterized in that a temperature profile of the mirror body (2) during bonding in a region along the optical surface (2a) and/or the contact surface (4) is homogenized by at least one reflection surface (6) in such a way that the mirror body (2) is kept at the same temperature in the entire region along the optical surface (2a) and/or the contact surface (4), wherein the mirror body (2) and the at least one reflection surface (6) are arranged relative to one another in the oven (5) in such a way that the optical surface (2a) and/or the contact surface (4) runs at least approximately perpendicular to the at least one reflection surface (6). Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegelkörper (2) von mehreren Reflexionsflächen (6) senkrecht zu der optischen Oberfläche (2a) und/oder der Kontaktfläche (4) allseitig umschlossen und/oder senkrecht zu der optischen Oberfläche (2a) und/oder der Kontaktfläche (4) vollständig überdeckt wird.Procedure according to Claim 6 , characterized in that the mirror body (2) is enclosed on all sides by a plurality of reflection surfaces (6) perpendicular to the optical surface (2a) and/or the contact surface (4) and/or is completely covered perpendicular to the optical surface (2a) and/or the contact surface (4). Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegelkörper (2) in einem Rahmen (8) angeordnet wird, dessen Mantelfläche durch die wenigstens eine Reflexionsfläche (6) ausgebildet wird.Procedure according to Claim 6 or 7 , characterized in that the mirror body (2) is arranged in a frame (8), the outer surface of which is formed by the at least one reflection surface (6). Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass in wenigstens eines der Bauteile (3a, 3b) vor dem Bonden an der Kontaktfläche (4) wenigstens eine Vertiefung, vorzugsweise eine Rinne eingebracht wird, und wobei durch das Bonden der Bauteile (3a,3b) durch die Vertiefung wenigstens ein Kühlkanal (9) in dem Spiegelkörper (2) ausgebildet wird.Method according to one of the Claims 6 until 8th , characterized in that at least one recess, preferably a groove, is introduced into at least one of the components (3a, 3b) before bonding to the contact surface (4), and wherein by bonding the components (3a, 3b) through the recess at least one cooling channel (9) is formed in the mirror body (2). Lithografiesystem, insbesondere EUV-Projektionsbelichtungsanlage (100) für die Halbleiterlithografie, mit einem Beleuchtungssystem (101) mit einer Strahlungsquelle (102) sowie einer Optik (103, 109), welche wenigstens ein optisches Element (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Spiegelkörper (2) wenigstens eines der optischen Elemente (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi) wenigstens teilweise - mittels einer Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5 und/oder - mittels eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 6 bis 9 hergestellt ist.Lithography system, in particular EUV projection exposure system (100) for semiconductor lithography, with an illumination system (101) with a radiation source (102) and an optics (103, 109) which has at least one optical element (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi), characterized in that at least one mirror body (2) of at least one of the optical elements (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi) at least partially - by means of a device (1) according to one of the Claims 1 until 5 and/or - by means of a method according to one of the Claims 6 until 9 is manufactured. Lithografiesystem nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine wenigstens teilweise - mittels einer Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5 und/oder - mittels eines Verfahrens nach einem der Ansprüche 6 bis 9 hergestellte Spiegelkörper (2) wenigstens einen Kühlkanal (4) aufweist.Lithography system according to Claim 10 , characterized in that the at least one at least partially - by means of a device (1) according to one of the Claims 1 until 5 and/or - by means of a method according to one of the Claims che 6 until 9 manufactured mirror body (2) has at least one cooling channel (4).
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