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DE10316355C5 - Leistungshalbeitermodul mit flexibler äusserer Anschlussbelegung - Google Patents

Leistungshalbeitermodul mit flexibler äusserer Anschlussbelegung Download PDF

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DE10316355C5
DE10316355C5 DE10316355A DE10316355A DE10316355C5 DE 10316355 C5 DE10316355 C5 DE 10316355C5 DE 10316355 A DE10316355 A DE 10316355A DE 10316355 A DE10316355 A DE 10316355A DE 10316355 C5 DE10316355 C5 DE 10316355C5
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semiconductor module
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Thomas Dr. Stockmeier
Jürgen Steger
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Semikron Elektronik GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron GmbH and Co KG
Semikron Elektronik GmbH and Co KG
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Abstract

Leistungshalbleitermodul (10) mit einer Grundplatte (20) oder zur direkten Montage auf einem Kühlkörper bestehend aus einem rahmenartigen Gehäuse (30); einem Deckel (70) und mit mindestens einem innerhalb des Gehäuses (30) angeordneten elektrisch isolierenden Substrat (50), das seinerseits besteht aus einem Isolierstoffkörper (52) mit einer Mehrzahl von darauf befindlichen gegeneinander isolierten metallischen Verbindungsbahnen (54), darauf befindlichen und mit diesen Verbindungsbahnen schaltungsgerecht verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen (56) sowie nach außen führenden Anschlusselementen für Last- und Hilfskontakte, wobei zumindest ein Teil der Anschlusselemente im Inneren des Leistungshalbleitermoduls gebildet wird durch Kontaktverbinder (60), die zwischen Verbindungsbahnen (54) und Kontaktpunkten (78) auf einer Leiterplatte (71) angeordnet sind, wobei die Kontaktverbinder (60) als Kontaktfedern ausgebildet sind, wobei diese Leiterplatte Leiterbahnen (72) aufweist, die diese Kontaktpunkte mit nach außen führenden Kontaktelementen (76) mit einer von der inneren Anschlußbelegung auf dem Substrat (50) abweichenden äußeren Anschlußbelegung verbindet, und wobei die Leiterplatte (71) innerhalb eines rahmenartig ausgebildeten Deckels (70) eingebettet ist...

Description

  • Die Erfindung beschreibt Leistungshalbleitermodule bestehend aus einem Gehäuse mit Grundplatte oder zur direkten Montage auf einem Kühlkörper und mindestens einem darin angeordneten elektrisch isolierenden Substrat. Dieses besteht seinerseits aus einem Isolierstoffkörper mit einer Mehrzahl darauf befindlicher gegeneinander isolierter metallischer Verbindungsbahnen und auf diesen befindlichen und mit diesen Verbindungsbahnen schaltungsgerecht verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen. Vorteilhafterweise weist das Substrat auf seiner Unterseite eine flächige metallische Schicht, vergleichbar den Verbindungsbahnen, auf. Weiterhin weisen derartige Leistungshalbleitermodule Anschlusselemente für Last- und Hilfskontakte auf.
  • Stand der Technik
  • Leistungshalbleitermodule, die Ausgangspunkt dieser Erfindung sind, sind beispielhaft bekannt auf DE 42 37 632 A1 und DE 196 30 173 C2 . Derartige Leistungshalbleitermodule weisen zumindest teilweise als Kontaktfedern ausgebildete Anschlusselemente zur Verbindung der Verbindungsbahnen des Substrates mit externen Anschlüssen auf. Diese Kontaktfedern sind derart im Leistungshalbleitermodul angeordnet, dass sie die Anschlussbelegung im Inneren des Substrates auf die äußeren Anschlüsse abbilden.
  • Nachteilig an o.g. Stand der Technik ist, dass die äußere Anschlussbelegung somit durch die interne direkt vorgegeben ist. Äußere Beschattungen, wie beispielhaft Treiberschaltungen, müssen daher an die interne Anschlussbelegung des Leistungshalbleitermoduls angepasst werden.
  • Beispielhaft aus der DE 101 25 696 A1 ist ein weiteres Leistungshalbleitermodul bekannt, welches eine senkrecht zum Substrat angeordnete Leiterplatte offenbart. Diese Leiterplatte ist mit einem Teilbereich im Inneren und mit einen weiteren Teilbereich außerhalb des Leistungshalbleitermoduls angeordnet und bildet somit dessen Anschlusselemente.
  • Nachteilig hierbei ist, dass durch die Lage der Leiterplatte ebenfalls die äußere Anschlussbelegung festgelegt wird.
  • Weiterhin ist aus der DE 100 33 610 A1 ein druckkantaktiertes Halbleitermodul bekannt, wobei die Gateanschlüsse der Transistoren mittels federnd ausgestaltet Kontaktverbinder gebildet werden. Diese Kontaktverbinder bestehen aus einer Hülse mit darin angeordneter Spiralfeder und an deren Enden angeordneten beweglichen Kontaktelementen. Diese Kontaktverbinder stellen in dem druckkontaktierten Aufbau die sichere elektrische Verbindung zwischen den Gates eines Transistors und den Gatevorwiderständen, welche auf einer Verbindungslage angeordnet sind, her.
  • Aufgabenstellung
  • Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde ein Leistungshalbleitermodul vorzustellen, bei dem die interne Anschlussbelegung schaltungsgerecht ausgeführt ist und durch einfache Maßnahmen an eine davon abweichende äußere Anschussbelegung angepasst werden kann.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Leistungshalbleitermodul nach dem Anspruch 1, spezielle Ausgestaltungen finden sich in den Unteransprüchen.
  • Der Grundgedanke der Erfindung geht aus von einem Leistungshalbleitermodul mit einer Grundplatte oder zur direkten Montage auf einem Kühlkörper nach dem genannten Stand der Technik bestehend aus einem rahmenartigen Gehäuse mit mindestens einem darin angeordneten elektrisch isolierenden Substrat. Dieses Substrat besteht seinerseits aus einem Isolierstoffkörper mit einer Mehrzahl von auf seiner ersten Hauptfläche befindlichen gegeneinander isolierten metallischen Verbindungsbahnen sowie vorzugsweise aus einer auf seiner zweiten Hauptfläche angeordneten flächigen metallischen Schicht. Auf den Verbindungsbahnen der ersten Hauptfläche und mit diesen Verbindungsbahnen schaltungsgerecht verbunden ist eine Mehrzahl von Leistungshalbleiterbauelementen angeordnet. Das erfinderische Leistungshalbleitermodul weist nach außen führende Anschlusselemente für Last- und Hilfskontakte auf. Zumindest ein Teil dieser Anschlusselemente wird im Inneren des Leistungshalbleitermoduls gebildet durch Kontaktverbinder, vorzugsweise Kontaktfedern, die in einer Haltevorrichtung zwischen Verbindungsbahnen und auf einer Leiterplatte angeordneten Kontaktpunkten angeordnet sind. Die Leiterplatte weist Leiterbahnen auf, die diese Kontaktpunkte mit nach außen führenden Konaktelementen, die ebenfalls auf dieser Leiterplatte angeordnet sind, verbindet.
  • Vorteilhafterweise kann durch Anordnung weiteren Bauelemente auf der Leiterplatte die Funktionalität des Leistungshalbleitermoduls erhöht werden.
  • Vorteilhaft an dieser Ausgestaltung eines Leistungshalbleitermoduls ist, dass die äußere Anschlussbelegung unabhängig von der inneren gewählt werden kann. Somit müssen beispielhaft Treiberplatinen bei einer Änderung des oder der Substrate und/oder der Art oder Anzahl der Leistungshalbleiterbauelemente nicht verändert werden.
  • Ausführungsbeispiel
  • Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den 1 bis 4 näher erläutert.
  • 1 zeigt ein Teilmodul eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in Draufsicht.
  • 2 zeigt eine Ausgestaltung eines erfin dungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls in Seitenansicht.
  • 3 zeigt eine erfindungsgemäße Ausgestaltung eines intelligenten Leistungshalbleitermoduls in Seitenansicht.
  • 4 zeigt eine Anordnung von drei erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodulen in dreidimensionaler Ansicht.
  • 1 zeigt ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermoduls in Draufsicht. Dargestellt ist ein Leistungshalbleitermodul (10) bestehend aus einer Grundplatte (20) zur Montage auf einem Kühlkörper. Hierzu weist diese Grundplatte (20) im Bereich ihrer Ecken jeweils eine Ausnehmung (22) auf. Das Modul besteht weiterhin aus einem rahmenartigen Gehäuse (30) sowie zwei elektrisch isolierenden Substraten (50). Das jeweilige Substrat besteht sei nerseits aus einem Isolierstoffkörper (52) mit einer Mehrzahl von auf seiner ersten der Grundplatte abgewandten Hauptfläche befindlichen gegeneinander isolierten metallischen Verbindungsbahnen (54). Auf seiner zweiten der Grundplatte zugewandten Hauptfläche weist das Substrat eine den Verbindungsbahnen der ersten Hauptfläche gleichartige flächige Metallisierung auf. Auf den Verbindungsbahnen (54) und mit diesen schaltungsgerecht mittels Drahtbondverbindungen (58) verbunden sind Leistungshalbleiterbauelemente (56), sowie ein Sensorikbauteil (58) angeordnet. Zur elektrische Kontaktierung weist das Teilmodul (10) Anschlusselemente (40) für die Lastanschlüsse auf. Die Verbindungsbahnen (54) der Substrate (50) sind zum Teil miteinander und mit den Anschlusselementen (40) mittels Drahtbondverbindungen (42, 44, 46) verbunden.
  • Weiterhin weist das erfindungsgemäße Leistungshalbleiterbauelement Federkontakte (60) auf, die einem nicht dargestellten Hilfsrahmen angeordnete sind auf. Diese Federkontakte (60) verbinden die Verbindungsbahnen (54) mit Kontaktpunkten auf einer Leiterplatte (71). Diese Kontaktpunkte sind auf der Unterseite der Leiterplatte (71) angeordnet, die weiterhin auf dieser, dem Substrat (50) zugewandten Unterseite Leiterbahnen (72) aufweist. Diese verbinden die Kontaktpunkte (78) mit nach außen führenden Kontaktelementen, hier Steckstiftverbindern (74). Alternativ sind hierzu beispielhaft auch Lötösen oder Lötstifte mögliche Kontaktelemente. Dies Kontaktelemente durchdringen den Deckel (70) und stellen somit die äußere Anschlussbelegung dar. Diese äußere Anschlussbelegung weicht von der durch die Kontaktstellen der Federkontakte auf dem Substrat (50) dargestellten inneren Anschlussbelegung deutlich ab. Somit gestattet das erfindungsgemäße Leistungshalbleiterbauelement eine von der inneren völlig unabhängige äußere Anschlussbelegung.
  • Die 2 und 3 zeigen verschieden Ausgestaltungen eines erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermoduls (10) mit einem rahmenartigen Gehäuse (30) in der Seitenansicht. Auf der Grundplatte (20) angeordnet ist ein sog. DCB (Direct Copper Bonding) Substrat (50). Dieses besteht aus einem Isolierstoffkörper (52), beispielhaft einer Aluminiumoxid- oder Aluminiumnitridkeramik, mit auf seiner der Grundplatte zugewandten Seite flächigen (53) und auf seiner der Grundplatte (20) abgewandten Seite struktruierten Kupferschicht (54). Diese Kupferschicht (54) stellt die Verbindungsbahnen des Leistungshalbleitermoduls dar. Auf diesen Verbindungsbahnen (54) sind die Bauelemente (56), in der Regel Leistungshalbleiterbauelemente und Sensorikbauteile, angeordnet. Die schaltungsgerechten Verbindungen erfolgen mittels Drahtbondverbindungen (44).
  • In 2 werden die Anschlusselemente im ersten Teil ihres Verlaufs ebenfalls mittels Kontaktfedern (60) und auf einer Leiterplatte angeordneter Leiterbahnen (72) gebildet. Die Leiterplatte, auf deren Kontaktflächen (78) diese Kontaktfedern enden, ist allerdings integraler Bestandteil des Deckels (70). Der Deckel ist hier rahmenartig ausgebildet und umschließt die Leiterplatte an ihren Kanten, ohne sie vollständig zu überdecken. Die Kontaktelemente (76) für die äußere Kontaktierung werden durch Lötstifte, die die Leiterplatte (71) durchdringen, gebildet.
  • 3 zeigte ein erfahrungsgemäßes Leistungshalbleitermodul gemäß 2 mit einer erhöhten Funktonalität. Durch die Anordnung von weiteren aktiven und/oder passiven Bauelementen, wie Widerständen, Kondensatoren oder integrierten Schaltungen, wird aus dem bekannten Leistungshalbleitermodul ein intelligentes Leistungshalbleitermodul, da hier zumindest teilweise die Funktonalität einer Treiber- oder sonstigen Schaltung (Auswerte-, Sensorikbeschaltung) direkt in bzw. auf dem Modul angeordnet wird. Falls auch Lastanschlüsse in der beschriebenen Art ausgebildet sind, können auch Stromsen soren und deren Auswerteschaltungen auf der Leiterplatte angeordnet werden.
  • 3 zeigt weiterhin einen zusätzlichen Kontaktverbinder, eine Kontaktfeder (61), der die Grundplatte (20) und damit auch den Kühlkörper elektrisch leitend mit der Leiterplatte (71) verbindet. Somit wird an der Leiterplatte (71) dieses Potential für dort beispielhaft angeordnete Auswerteschaltungen zur Verfügung gestellt.
  • 4 zeigt eine Anordnung von drei erfindungsgemäßen Leistungshalbleitermodulen in dreidimensionaler Ansicht. Hierbei bilden drei Leistungshalbleitermodule (10) mit jeweils einer Halbbrückenschaltung eine 3-Phasen Brückenschaltung. Ein gemeinsamer Deckel (70) mit einer Anordnung der Leiterbahnen (72) und Kontaktelementen (76) gemäß 3 überdeckt alle drei Einzelmodule (10).

Claims (5)

  1. Leistungshalbleitermodul (10) mit einer Grundplatte (20) oder zur direkten Montage auf einem Kühlkörper bestehend aus einem rahmenartigen Gehäuse (30); einem Deckel (70) und mit mindestens einem innerhalb des Gehäuses (30) angeordneten elektrisch isolierenden Substrat (50), das seinerseits besteht aus einem Isolierstoffkörper (52) mit einer Mehrzahl von darauf befindlichen gegeneinander isolierten metallischen Verbindungsbahnen (54), darauf befindlichen und mit diesen Verbindungsbahnen schaltungsgerecht verbundenen Leistungshalbleiterbauelementen (56) sowie nach außen führenden Anschlusselementen für Last- und Hilfskontakte, wobei zumindest ein Teil der Anschlusselemente im Inneren des Leistungshalbleitermoduls gebildet wird durch Kontaktverbinder (60), die zwischen Verbindungsbahnen (54) und Kontaktpunkten (78) auf einer Leiterplatte (71) angeordnet sind, wobei die Kontaktverbinder (60) als Kontaktfedern ausgebildet sind, wobei diese Leiterplatte Leiterbahnen (72) aufweist, die diese Kontaktpunkte mit nach außen führenden Kontaktelementen (76) mit einer von der inneren Anschlußbelegung auf dem Substrat (50) abweichenden äußeren Anschlußbelegung verbindet, und wobei die Leiterplatte (71) innerhalb eines rahmenartig ausgebildeten Deckels (70) eingebettet ist und somit selbst einen Teil des Deckels bildet.
  2. Leistungshalbleitermodul (10) nach Anspruch 1, wobei auf der Leiterplatte (71) aktive und/oder passive elektronische Bauelemente (80, 82) angeordnet und schaltungsgerecht mit den Verbindungsbahnen (72) verbunden sind.
  3. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei auch die Grundplatte (20) oder der Kühlkörper mittels mindestens eines Kontaktverbinders (61) mit der Leiterplatte (71) verbunden ist.
  4. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Kontaktelemente als Steckstiftverbinder oder Lötösen ausgebildet sind.
  5. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei mindestens ein Substrat (50) ein Sensorikbauteil aufweist.
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ES04006022T ES2316889T3 (es) 2003-04-10 2004-03-13 Modulo semiconductor de potencia.
AT04006022T ATE416478T1 (de) 2003-04-10 2004-03-13 Leistungshalbleitermodul
DK04006022T DK1467407T3 (da) 2003-04-10 2004-03-13 Effekthalvledermodul
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JP2004095429A JP4264375B2 (ja) 2003-04-10 2004-03-29 パワー半導体モジュール
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10333329B4 (de) 2003-07-23 2011-07-21 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG, 90431 Leistungshalbleitermodul mit biegesteifer Grundplatte
DE10333328B3 (de) 2003-07-23 2005-01-27 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleitermodul in skalierbarer Aufbautechnik
DE102004025609B4 (de) * 2004-05-25 2010-12-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung in Schraub- Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102005024900B4 (de) * 2004-06-08 2012-08-16 Fuji Electric Co., Ltd. Leistungsmodul
FR2877436B1 (fr) * 2004-11-03 2007-01-26 Mitsubishi Electric Corp Dispositif de detection de courant
DE102004057421B4 (de) * 2004-11-27 2009-07-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckkontaktiertes Leistungshalbleitermodul für hohe Umgebungstemperaturen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102004061099B4 (de) * 2004-12-18 2010-11-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit ESD-Schutzbeschaltung
DE102005063532B3 (de) 2005-02-17 2022-03-10 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbaugruppe
DE102005046063B3 (de) * 2005-09-27 2007-03-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Überstromschutzeinrichtung
ES2367036T3 (es) * 2005-09-27 2011-10-27 SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG PATENTABTEILUNG Módulo de semiconductor de potencia con medios de protección contra la sobre corriente.
DE102005053396B4 (de) * 2005-11-09 2010-04-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungseinrichtung, insbesondere Frequenzumrichter
DE102005055713B4 (de) * 2005-11-23 2011-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Anschlusselementen
DE102006008807B4 (de) * 2006-02-25 2010-10-14 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil
DE102006011995B3 (de) * 2006-03-16 2007-11-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit segmentierter Grundplatte
DE102006021412B3 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
DE102006025453B4 (de) 2006-05-31 2009-12-24 Infineon Technologies Ag Halbleiterschaltungsanordnung
DE102006027481C5 (de) * 2006-06-14 2012-11-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit gegeneinander elektrisch isolierten Anschlusselementen
DE102007022336A1 (de) * 2007-05-12 2008-11-20 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitersubstrat mit Metallkontaktschicht sowie Herstellungsverfahren hierzu
WO2009023551A1 (en) * 2007-08-10 2009-02-19 Arizona Board Of Regents And On Behalf Of Arizona State University Hybrid integrated mems reconfigurable antenna array (himra)
JP5176507B2 (ja) * 2007-12-04 2013-04-03 富士電機株式会社 半導体装置
DE102008018841A1 (de) * 2008-04-15 2009-10-22 Conti Temic Microelectronic Gmbh Verfahren zur Herstellung und Aufbau eines Leistungsmoduls
WO2011115081A1 (ja) * 2010-03-16 2011-09-22 富士電機システムズ株式会社 半導体装置
DE102010053392A1 (de) 2010-12-03 2012-06-06 Volkswagen Ag Leistungshalbleitermodul, Kondensatormodul, Schaltungsanordnung sowie elektrisches System eines Kraftfahrzeugs
GB201122324D0 (en) 2011-12-23 2012-02-01 Univ Edinburgh Antenna element & antenna device comprising such elements
DE102012012759A1 (de) * 2012-06-27 2014-01-02 Sensitec Gmbh Anordnung zur Strommessung
CN104701277B (zh) * 2013-12-10 2017-12-05 江苏宏微科技股份有限公司 功率模块的封装结构
EP2933836B1 (de) 2014-04-15 2020-10-14 IXYS Semiconductor GmbH Leistungshalbleitermodul
DE202014003171U1 (de) 2014-04-15 2014-05-14 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
US10959342B2 (en) 2019-04-08 2021-03-23 Kevin R. Williams Condensation resistant power semiconductor module
US9620877B2 (en) 2014-06-17 2017-04-11 Semiconductor Components Industries, Llc Flexible press fit pins for semiconductor packages and related methods
DE102014109816B4 (de) * 2014-07-14 2016-11-03 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul und System mit mindestens zwei Leistungshalbleitermodulen
DE102014110008A1 (de) * 2014-07-16 2016-01-21 Infineon Technologies Ag Träger, Halbleitermodul und Verfahren zu deren Herstellung
CN105336723B (zh) 2014-07-28 2018-09-14 通用电气公司 半导体模块、半导体模块组件及半导体装置
US9431311B1 (en) 2015-02-19 2016-08-30 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package with elastic coupler and related methods
DE102016107083B4 (de) * 2016-04-18 2019-05-23 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronische Anordnung und Fahrzeug hiermit
DE202016006849U1 (de) * 2016-11-07 2018-02-08 Liebherr-Elektronik Gmbh Leistungselektronikmodul
CN111162015A (zh) * 2019-12-20 2020-05-15 珠海格力电器股份有限公司 一种智能功率模块及封装方法
EP3937214A1 (de) * 2020-07-07 2022-01-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung einer leistungseinheit
DE102022213629A1 (de) * 2022-12-14 2024-06-20 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leistungsmodul
DE102022213628A1 (de) * 2022-12-14 2024-06-20 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leistungsmodul
DE102023116599A1 (de) * 2023-06-23 2024-12-24 Infineon Technologies Ag Halbleitermodulanordnung
WO2025191977A1 (ja) * 2024-03-15 2025-09-18 富士電機株式会社 パワー半導体装置及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4237632A1 (de) * 1992-11-07 1994-05-11 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
DE10025696A1 (de) * 1999-05-25 2000-11-30 Ohg Accossato Giovanni Sas Di Steuerungsvorrichtung für die Bremse oder Kupplung eines Motorrads und Betätigungshebel für diese Vorrichtung
DE19630173C2 (de) * 1996-07-26 2001-02-08 Semikron Elektronik Gmbh Leistungsmodul mit Halbleiterbauelementen
DE10033610A1 (de) * 1999-07-23 2001-03-01 Fuji Electric Co Ltd Halbleitervorrichtung

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4965710A (en) * 1989-11-16 1990-10-23 International Rectifier Corporation Insulated gate bipolar transistor power module
US6414391B1 (en) * 1998-06-30 2002-07-02 Micron Technology, Inc. Module assembly for stacked BGA packages with a common bus bar in the assembly
JP3547333B2 (ja) * 1999-02-22 2004-07-28 株式会社日立産機システム 電力変換装置
US6222264B1 (en) * 1999-10-15 2001-04-24 Dell Usa, L.P. Cooling apparatus for an electronic package
JP2001189416A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
US6703703B2 (en) * 2000-01-12 2004-03-09 International Rectifier Corporation Low cost power semiconductor module without substrate
US6373125B1 (en) 2000-02-23 2002-04-16 International Business Machines Corporation Chip scale package with direct attachment of chip to lead frame
US6867493B2 (en) * 2000-11-15 2005-03-15 Skyworks Solutions, Inc. Structure and method for fabrication of a leadless multi-die carrier
JP4130527B2 (ja) * 2000-12-13 2008-08-06 三菱電機株式会社 半導体装置
JP3923258B2 (ja) * 2001-01-17 2007-05-30 松下電器産業株式会社 電力制御系電子回路装置及びその製造方法
JP4490041B2 (ja) * 2001-04-02 2010-06-23 三菱電機株式会社 電力用半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4237632A1 (de) * 1992-11-07 1994-05-11 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
DE19630173C2 (de) * 1996-07-26 2001-02-08 Semikron Elektronik Gmbh Leistungsmodul mit Halbleiterbauelementen
DE10025696A1 (de) * 1999-05-25 2000-11-30 Ohg Accossato Giovanni Sas Di Steuerungsvorrichtung für die Bremse oder Kupplung eines Motorrads und Betätigungshebel für diese Vorrichtung
DE10033610A1 (de) * 1999-07-23 2001-03-01 Fuji Electric Co Ltd Halbleitervorrichtung

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Publication number Publication date
ES2316889T3 (es) 2009-04-16
ATE416478T1 (de) 2008-12-15
EP1467407A1 (de) 2004-10-13
DK1467407T3 (da) 2009-02-23
US20040245548A1 (en) 2004-12-09
EP1467407B1 (de) 2008-12-03
JP4264375B2 (ja) 2009-05-13
DE10316355B3 (de) 2004-07-01
US6958534B2 (en) 2005-10-25
JP2004319991A (ja) 2004-11-11
DE502004008566D1 (de) 2009-01-15

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