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DE2805442A1 - Verfahren zum herstellen eines schottky-sperrschicht-halbleiterbauelementes - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines schottky-sperrschicht-halbleiterbauelementes

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DE2805442A1
DE2805442A1 DE19782805442 DE2805442A DE2805442A1 DE 2805442 A1 DE2805442 A1 DE 2805442A1 DE 19782805442 DE19782805442 DE 19782805442 DE 2805442 A DE2805442 A DE 2805442A DE 2805442 A1 DE2805442 A1 DE 2805442A1
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DE
Germany
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layer
silicide
metal
schottky barrier
silicon
Prior art date
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DE19782805442
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English (en)
Inventor
Jeffrey Bruce Bindell
Franklin Labuda
Michael Moller
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AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
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Publication date
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Description

Beschreibung
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit einer Schottky-Sperrschicht-Verbindung an einem Silicium-Plättchen, bei dem durch Ionenimplantation Fremdstoffe in eine Zone des Plättchens unmittelbar unterhalb der Stelle eingebracht werden, wo eine der Definition der Schottky-Sperrschicht-Verbindung dienende Metallschicht zu erzeugen ist.
In der modernen Halbleiter-Technologie ist zunehmend Gebrauch von Schottky-Verbindungen sowohl bei diskreten Bauelementen wie Schottky-Dioden als auch integrierten Schaltungen, z. B. für Schottky-TTL-Logik, gemacht worden.
Einer der Vorteile von Schottky-Verbindungen ist der, daß eine gleichrichtende Sperrschicht mit niedrigerer Schwellenwertspannung für nennenswerte Leitung in Durchlaßrichtung (sog. Anlaufspannung) ermöglicht wird, als dieses bei gleichrichtenden p-n-übergängen der Fall ist. Bauelemente mit derart niedriger Anlaufspannung werden zunehmend interessanter, insbesondere in der Mikroelektronik, wo vorteilhaft mit den niedrigen Spannungswerten für sog. Kleinsignale gearbeitet wird. Die einer Oberflächensperrschichtyerbindung
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zugeordnete Anlaufspannung hängt sowohl vom zur Herstellung der Verbindung benutzten Metall ab als auch von der Natur des darunter befindlichen Halbleiters, zu dem die Verbindung erfolgt.
Zwar kann durch Wahl eines geeigneten Kontaktmetalls die Anlaufspannung einer Sperrschichtverbindung vergleichsweise niedrig gemacht werden, aber dieser Ausweg ist nicht immer möglich, insbesondere wenn die Wahl des Kontaktmetalls von anderen Erwägungen diktiert ist, beispielsweise wenn dasselbe Metall zum Aufbau einer Reihe gesonderter Verbindungen unterschiedlicher Eigenschaften zu dienen hat.
Man hat auch schon daran gedacht, daß die effektive Höhe einer· Oberflächensperrschichtverbindung für ein gegebenes Metall und demgemäß die Anlaufspannung reduziert werden kann durch ein flaches Implantat geeigneter Dotierstoffionen in jene Zone des Halbleiterkörpers, die unterhalb der Stelle gelegen ist, wo die Oberflächensperrschichtverbindung herzustellen ist. Insbesondere wird die Implantationstechnik dazu benutzt, dort eine lokalisierte Schicht höherer Dotierung als im Substrat zu erzeugen, um die effektive Sperrschichthöhe zu erniedrigen.
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Darüberhinaus sucht man alle implantierten Ionen in einer flachen Oberflächenschicht zu lokalisieren, um diese innerhalb der Verarmungsschicht liegen zu haben, die dem Kontaktmetall bei der angelegten Spannung gleich Null zugeordnet ist. Im Hinblick auf niedrigen Leckstrom in Sperrichtung ist es wichtig, die Hauptmasse des Substrats niedrig dotiert zu halten. Zur Erläuterung dieser Methode wird auf die U.S. P.S. 3943552 verwiesen sowie auf die Arbeit von J. M. Shannon "Reducing the Effective Height of a Schottky Barrier Using Low-Energy Ion Implantation" in Applied Physics Letters, Vol.24, Nr. 8, 15. April 1974.
In der Praxis wurde es jedoch als extrem schwierig gefunden, mit den bekannten Methoden die gewünschte Verringerung der Ahlaufspannung bei Metallsilicid-Eauelementen zu erreichen, ohne daß dabei der einer solchen Verbindung zugeordnete hohe Leckstrom in Sperrichtung unerwünscht erhöht wird. Ein Problem scheint die Schwierigkeit zu sein, das meiste der implantierten Ionen tatsächlich auf die gewünschte flache Schicht zu begrenzen. Insbesondere ist es recht schwierig, einen Ionenstrahl zu erhalten, mit dem die erforderliche schmale Dotierstoffverteilung unmittelbar unterhalb der Metallsilicid/Silicium-Grenzflache, beispielsweise einer Platinsilicid/Silicium-Grenzfläche, erhalten werden kann.
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Außerdem sind sehr flache Implantate besonders stark von der jeweiligen Oberflächennatur abhängig.
Der vorstehende Problemkreis ist für das einleitend beschriebene Verfahren gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die Fremdstoffe mit einer ersten Konzentrationsspitze an einer ersten Stelle des Plättchens implantiert werden und danach die Metallschicht mit dem Silicium zur Bildung eines Silicides reagieren gelassen wird, das sich in das Plättchen über eine Entfernung größer als die Tiefe der ersten Stelle hineinerstreckt, um die implantierten Fremdstoffe in eine schmale Schicht an einer zweiten Stelle dicht unterhalb des Silicides zu schieben, wobei die schmale Schicht eine höhere Spitzenkonzeritration als die erste Spitze besitzt und dadurch die Anlaufspannung der Schottky— Sperrschicht-Verbindung verringert wird.
Nachstehend ist das erfindungsgemäße Verfahren an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles erläutert; es zeigen:
Figuren 1 bis 4 je eine Teilansicht eines Halbleiterbauelementes in verschiedenen Stadien des Herstellungsverfahrens
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Mit der Erfindung ist eine Methode gefunden worden, die es ermöglicht, das einem Ionen-Implantat normalerweise zugeordnete Dotierstoffprofil schmaler zu machen und dessen Spitze dichter an der effektiven Oberfläche zu lokaliesieren.
Insbesondere wird beim vorliegenden Verfahren von einem Schneepflugeffekt Gebrauch gemacht, durch den eine vorschreitende Silicid-Phase die betroffenen Fremdstoff-ionen vor sich her und damit tiefer in den Halbleiter schiebt. Hierdurch kann eine Anordnung erhalten werden, bei der die meisten der implantierten Ionen in einem schmalen Bereich dicht unterhalb der Silicid/Silicium-Grenzfläche Zu liegen kommen.
Beispielsweise wird das Silicium-Halbleiterbauelement, das eine OberflachenSperrschichtverbindung aufweisen soll, in der üblichen Weise bis zu jenem Stadium im Verfahren hergestellt, an welches sich die Bildung der Oberflächensperrschichtyerbindung anschließt. Da beim angenommenen Beispiel die Oberflächensperrschichtverbindung zu einer n-leitenden Zone hergestellt werden soll, werden Donator-Ionen in eine Tiefe implantiert, die entsprechend den nachstehend beschriebenen weiteren Verfahrensschritten gewählt ist. Nach der üblichen thermischen Aktivierung der implantierten
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Ionen wird die Oberfläche durch Entfernen einer kleinen Silicium-Menge gereinigt. Auf die Oberfläche wird dann das gewünschte Kontaktmetall in ausreichender Dicke niedergeschlagen derart, daß nach Beendigung der anschließenden Reaktion mit dem Silicium die resultierende Metallsilicid/Silicium-Grenzflache gut über die ursprüngliche Lage der Implantatsspitze hinaus zu liegen kommt. Das Bauelement wird dann ausreichend lang erhitzt, damit dieses Phänomen auftreten kann und sich dabei schließlich viele der implantierten Ionen in einer schmalen Schicht ansammeln, die an die Silicid/Silicium-Grenzfläche angrenzt und tiefer als die ursprüngliche Implantations-Profilspitze gelegen ist. Von der resultierenden Anordnung wurde gefunden, daß sie eine Oberflächensperrschichtverbindung mit niedriger Anlaufspannung bei niedrigem Leckstrom in Sperrichtung liefert.
Bei bevorzugten Ausführungsformen des Verfahrens wird Platin für das Kontaktmetall verwendet und werden Arsen, Antimon oder Phosphor für die implantierten Ionen vorgesehen.
Figur 1 zeigt im Schnitt einen Teil 10 eines größeren einkristallinen Silicium-Plättchens mit den üblichen Abmessungen von etwa 5 bis 7,5 cm im Durchmesser und etwa Ö,5irm in der Dicke. Das Plättchen kann homogen sein, wenn eine einfache
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Schottky-Diode herzustellen ist, oder es kann eine Vielzahl vorher erzeugter Zonen unterschiedlichen Leitungstyps aufweisen, um einen bestimmten Halbleiterbauelementtyp zu definieren, beispielsweise einen diskreten Übergangstransistor oder eine monolitische integrierte Schaltung. Beispielsweise ist der Teil 10 n-leitend mit einer relativ gleichförmigen Grunddotierung von etwa 1 χ 10 Phosphor-Ionen/cm . Zusätzlich ist das Teil 10 mit Donator-Ionen implantiert worden, um ein Dotierstoff-Ionen-Implantationsprofil zu erzeugen, dessen Spitze zwischen 30 und 40 nm unterhalb der Oberfläche bei einer Spitzenkonzentration von wenigstens dem zehnfachen der Grund-
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dotierung, typischerweise von 1 χ 10 bis 5 χ 10 Ionen/cm, gelegen ist und dessen Ausläufer zum Halbleiterinneren hin ab einer Tiefe von mehr als etwa 70 nm auf einen unbedeutenden Konzentrationswert abfällt, um dann nach mehreren hundert nm ganz auszulaufen. Implantationen dieser Art können mit üblichen Ionen-Implantationsgeräten leicht erreicht werden. Geeignete Donator-Implantationsprofile sind beispielsweise erreicht worden mit Antimon bei Beschleuni-
12 gungsspannungen von 90 keV und Dosierungen von 6 χ 10
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bis 9 χ 10 Ionen/cm , mit Arsen bei einer Beschleunigungs-
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spannung von 70 keV und Dosierungen von 3 χ 10 bis
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5 χ 10 Ionen/cm und mit Phosphor bei einer Beschleuni-
1 2 gungsspannung von 35 keV und Dosierungen von 4 χ 10 bis
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8 χ 10 Ionen/cm . In der Praxis können, ein. weiterer BeschleunigungsSpannungsbereich (beispielsweise 20 keV bis 120 keV) und ein weiter Dosierungsbereich (beispiels-
12 13 2
weise 1 χ 10 bis 2 χ 10 Ionen/cm ) verwendet werden, und die speziellen Bedingungen können im Hinblick auf den jeweils gewünschten Kompromiß zwischen Anlaufspannung und 'Leckstrom in Sperrichtung zugeschnitten werden. Typischerweise wird mit zunehmender Implantationsdosis die erhältliche Anlaufspannung in Durchlaßrichtung niedriger, obgleich dieses auf Kosten etwas höherer Leckströme in Sperrrichtung geschieht.
Typischerweise wird die Ionen-Implantation wirksam auf exponierte Teile des Plättchens durch eine Siliciumoxydschicht 11 lokalisiert, die an den für eine Verbindung gewünschten Stellen mit einem Fenster 12 versehen ist. Im Einzelfall können auch andere Methoden zur Lokalisierung der Implantation verwendet werden. Beispielsweise hat das
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Fenster eine Fläche von 10 nm , obgleich die spezielle Größe von der Natur des hergestellten Bauelementes abhängt. Nach der Ionen-Implantation wird das Plättchen in der üblichen Weise zur Aktivierung der implantierten Ionen erhitzt. In einigen Fällen kann dieser Schritt entfallen; statt dessen findet die Aktivierung während der späteren. Warmbehandlung des Plättchens statt.
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Es wurde allgemein als vorteilhaft befunden, vor dem Aufbringen des Kontaktmetalls die freiliegende Oberfläche insbesondere da zu reinigen, wo die Oberflächensperrschichtverbindung herzustellen ist. Die Reinigung dient der Entfernung jeglichen. Oberflächenoxydes oder jeglicher Oberflächenverunreinigung. Vorzugsweise erfolgt die Reinigung durch Einbringen des Plättchens in eine Zerstäubungsanlage, wo durch Ionen-Ätzung eine dünne, typischerweise 10 oder 20 nm dicke Oberflächenschicht abgetragen wird. Alternativ kann in einigen Fällen eine chemische Ätzbehandlung durchgeführt werden, wenn Vorsichtsmaßnahmen gegen jegliche nennenswerte Oxydneubildung auf dem Oberflächenteil getroffen werden, wo die Oberflächensperrschichtverbindung herzustell-en ist.
Figur 2 zeigt das Plättchen 10 nach dem Reinigungsschritt, durch den die Vertiefung 13 entsprechend dem Fenster in der Oxydschicht 11 entstanden ist.
Anschließend wird eine Kontaktmetallschicht, vorzugsweise eine Platinschicht, auf die saubere Oberfläche niedergeschlagen. Das Niederschlagen erfolgt vorteilhaft durch Aufstäuben in derselben Anlage, in der vorher auch die Ionen-Ätzung erfolgt ist, um die Notwendigkeit, das Plättchen entfernen zu müssen, zu vermeiden und dabei möglicher-
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weise das Plättchen einer oxydierenden Atmosphäre auszusetzen, die die saubere Oberfläche erneut oxydieren könnte. Jedoch sind alternative Methoden für das Niederschlagen der Schicht solange gleichfalls brauchbar, wie dabei eine nennenswerte Oxydbildung vermieden wird/ die die Eigenschaften der Sperrschicht beeinträchtigen könnte.
Wichtig ist, daß die Dicke der Platinschicht ausreichend gewählt wird, daß bei der nachfolgenden Reaktion mit dem Silicium die Grenzfläche zwischen der Platin-Silicid-Phase und dem Silicium gut oberhalb der Spitze zu liegen kommt. Zu diesem Ende ist es als vorteilhaft befunden worden, eine Dicke von wenigstens mehreren 10 nm für das Platin zu verwenden. Im vorliegenden Beispiel wurde eine Dicke von ..50 nm ·'·.·· als vorteilhaft befunden. Die Dicke sollte größer sein als die Tiefe der Ionen-Implantationsprofilspitze; sie beträgt vorzugsweise wenigstens das zweifache dieser Tiefe. Gewöhnlich ist es erwünscht, eine Platindicke von mehr als 100 nm zu vermeiden, um dadurch eine übermäßige Silicid-Bildung zu vermeiden, die Anlaß zu mit inneren Spannungen verknüpften Problemen geben kann. Nach dem Platinschichtniederschlag wird das Plättchen dem Zerstäubung ssystem entnommen.
Figur 3 zeigt das Plättchen 10 nach der Bildung der"Platin-
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schicht 14, die sich über die freiliegende Oberfläche des Plättchenteils und den Oxydfensterrand hinaus erstreckt.
Als nächstes wird die Platinschicht mit dem Silicium dort in Reaktion gebracht, wo die beiden, einander berühren. Vorteilhaft läßt man die Reaktion in fester Phase ablaufen, um die stöchiometrische Verbindung, d. h. das Silicid zu erhalten. Zu diesem Zweck wird das Plättchen auf 400 bis 700 ° C ausreichend lange für den Ablauf der Reaktion erhitzt. Beim vorliegenden Beispiel lieferte eine etwa 10 Minuten lange Erwärmung in einem Ofen bei 650 ° C die gewünschte Reaktion und führte zu einem Eindringen der Platin-Silicid/-Silicium-Grenzflache auf eine Tiefe von etwa 50 nm von der ursprünglichen Platin/Silicium-Grenzflache aus und entsprach der Bildung einer insgesamt etwa 100 nm dicken Platin-Silicid-Schicht.
Diese Eindringtiefe von 50 nm geht gut über die anfängliche Tiefe der ursprünglichen Implantatsspitze hinaus, die wie erwähnt bei etwa 10 bis 20 nm unterhalb der ursprünglichen Platin/Silicium-Grenzflache lag. Darüberhinaus wurde gefunden, daß die vorschreitende Platin-Silicid-Phase,die die vor ihr befindlichen implantierten Ionen nach Art eines Schneepfluges eingesammelt und vor sich her geschoben hat - wahrscheinlich auch die meisten der für die Grunddotierung
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verantwortlichen Dotierstoffionen - wodurch unmittelbar vor der vorschreitenden Grenzfläche eine schmale Anreicherungszone erhöhter Dotierstoffkonzentration gebildet wird. Für das betrachtete Beispiel läßt sich abschätzen, daß als Resultat dieser Schneepflugwirkung eine an die Platin-Silicid/Silicium-Grenzfläche angrenzende Schicht entstanden ist, deren Dicke zwischen 10 und 20 nm liegt und deren durchschnittliche Dotierstoffkonzentration wenigstens ein mehrfaches der Konzentrationsspitze des implantierten Profils und wenigstens
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10 Ionen pro cm beträgt. Es darf also angenommen werden, daß diese Schicht schmaler ist, eine höhere Konzentration aufweist und dichter an der Platin-Silicid/Silicium-Grenzfläche gelegen ist, als dieses bisher mit den bekannten Methoden zu realisieren möglich war.
Zusätzlich wird diese schmale Schicht mit vergleichsweise freizügiger Kontrolle der Verfahrensparameter erreicht, insbesondere der Breite und Tiefe der anfänglichen Implantation, wegen der nachfolgende Anreicherungswirkung der vorschreitenden Silicid-Front. Von der resultierenden Verbindung wird gefunden, daß sie niedrigere Leckströme in Sperrichtung bei gegebener Anlaufspannung in Durchlaßrichtung ermöglicht. Alternativ kann ein Bauelement
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erhalten werden, dessen Anlaufspannung bei gegebenem Leckstrom niedriger ist. Schließlich erlaubt das vorliegende Verfahren die Realisierung von Sperrschichtanschlüssen mit höheren Durchbruchsspannungen in Sperrrichtung.
Figur 4 zeigt die resultierende Anordnung, bei der also die Platin-Silicid/Silicium-Grenzflache 15 tiefer in das Plättchen eingedrungen ist und demgemäß die Schicht 16 eingeengt hat, in der die implantierten Ionen hauptsächlich konzentriert sind. Typischerweise wird auf das Silicid dann noch eine weitere Metallschicht aufgebracht, die als die Elektrode dient, an der ein Anschlußleiter angeheftet wird, um zu diesem Plättchenteil den elektrischen Anschluß zu haben. Dieser Metallbelag kann jeder einschlägig bekannte Platin-Siliciä-Kontaktierungsbelag sein.
Mit dem beschriebenen Verfahren konnten die Anlaufspannungen in Vorwärtsrichtung von beispielsweise 410 Millivolt auf etwa 314 Millivolt entsprechend einem Strom von 10
Mikroampere für eine Sperrschichtgröße von 630 Mikrometer reduziert werden, während der Leckstrom bei einem Mikroampere
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für Sperrspannungen von 15,8 Volt und bei 10 Mikroampere für Sperrspannungen .von 17,9 Volt gehalten werden konnte. Durch höhere Dotierung konnten sogar noch niedrigere Anlaufspannungen erhalten werden, obschon auf Kosten etwas höherer Leckströme.
Zahlreiche Abwandlungen sind möglich.
Ersichtlich handelt es sich beim vorliegenden Verfahren um eine Methode zur Konzentrierung einer Anzahl ursprünglich breiter verteilter implantierter Ionen auf eine unterhalb einer Kontaktzone gelegene schmale Schicht. Zu diesem Zweck ist es lediglich notwendig, daß ein Kontaktmaterial benutzt wird, das mit dem darunter liegenden Halbleiter ein Reaktionsprodukt bildet, das die gewünschte Anreicherungseigenschaf t bezüglich der betroffenen implantierten Ionen besitzt.
Von den Metallen·, die Silicide mit Silicium bilden, sind neben dem bereits erwähnten Platin auch Palladium, Nickel, Titan, Wolfram, Molybdän, Chrom und Rhodium besonders geeignet. Alternativ können auch Metalle benutzt werden, die mit dem Halbleiter Legierungen bilden, solange die Legierungsphase die gewünschte Anreicherungseigenschaft hat.
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Der Ausdruck "Silicid" ist demgemäß in diesem verallgemeinerten Sinne zu verstehen. Allgemein wird der Anreicherungs- oder Schneepflugeffekt behalten, wenn der Verteilungskoeffizient des betroffenen Ions, derart ist/ daß das Ion vorzieht, sich tiefer in den Halbleiter hinein zu bewegen, statt in der sich neu bildenden Phase aufzugehen.
Auch kann, obgleich die anfängliche Ionen-Implantation in das Plättchen als durch ein Fenster in einer Oxydschicht hindurch erfolgend beschrieben worden ist, die Implantation durch eine Oxydschicht hindurch erfolgen, wenn dieses im Einzelfall erwünscht sein sollte und solange die Ionen-Energie ausreicht, daß die Ionen diese Schicht passieren und noch adäquat in das Plättchen eindringen können. Diese Methode vermag die Größe der Oberflächenbeschädigung zu reduzieren, ebenso auch die Silicium-Menge, die vor dem Niederschlag des Kontaktmetalles zu entfernen ist. In einigen Fällen kann es erwünscht sein, das Kontaktmetall zuerst niederzuschlagen und dann durch das niedergeschlagene Metall hindurch zu implantieren.
Weiterhin kann, während im beschriebenen Beispiel die Oberflächensperrschichtverbindung zu η-leitendem Silicium
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erfolgt, eine solche Verbindung auch zu p-leitendem Silicium erfolgen. In diesem Fall würden geeignete Akzeptor-Ionen zu implantieren sein und man erhielte gleichfalls eine Verringerung der Anlaufspannung. Es ist auch möglich, Ionen des entgegengesetzten Leitungstyps in das Substrat derart zu implantieren, dais eine effektive Erhöhung der Sperrschichthöhe erhalten wird. Dies kann in speziellen Anwendungs-fällen nützlich sein, beispielsweise wenn zwischen zwei Kontakten unterschiedliche Sperrschichthöhen verlangt werden.
Weiterhin kann das Verfahren auch in jenen Fällen angewandt werden, in welchen eine einzige Verbindung zur Kontaktierung benachbarter n- und p-leitender Silicium-Oberflächenzonen dient, wobei eine Oberflächensperrschichtverbindung zur einen und eine Ohmsche Verbindung zur anderen Zone herzustellen ist. In einem solchen Fall kann eine nicht selektive Donator-Implantation in beide Zonen zum Erhalt einer der Oberflächensperrschichtverbindung zugeordneten reduzierten Anlaufspannung bei der einen Zone verwendet werden, ohne daß der Ohmsche Kontakt zur anderen Zone beeinträchtigt würde. Alternativ kann durch Lokalisierung des Implantates derart, daß dieses nur unter einem
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Teil einer Verbindung zu liegen kommt, eine Verbindung mit nur einem Metall erzeugt werden, das einen Teil mit einer niedrigen und einen anderen Teil mit einer höheren Sperrschicht aufweist.
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Claims (4)

  1. BLUMBACH . WESER . BERGEN .
    ZWIRNER - HIRSCH
    PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN
    Postadresse München: Patentconsult 8 München 60 Radeckestraße 43 Telefon (089)883603/883604 Telex 05-212313 Postadresse Wiesbaden: Patentconsult 62 Wiesbaden Sonnenberger Straße 43 Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237
    Western Electric Company, Incorporated Bindell, 1—13—1 New York, N. Y. USA
    Verfahren zum Herstellen eines Schottky-Sperrschicht-Halbleiterbauelementes
    Patentansprüche
    ^1 Λ Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelenentes mit einer Schottky-Sperrschicht-Verbindung an einem Siliciumplättchen, bei dem durch Ionenimplantation Fremdstoffe in eine Zone des Plättchens unmittelbar unterhalb der Stelle eingebracht werden, wo eine der Definition der Schottky-Sperrschicht-Verbindung dienende Metallschicht zu erzeugen ist,
    dadurch gekennzeichnet, daß die Fremdstoffe (16) mit einer ersten Konzentrationsspitze an einer ersten Stelle im
    Plättchen (10) implantiert werden und danach die Metallschicht (14) mit dem Silicium zur Bildung eines Silicides reagieren gelassen wird, das sich in das Plättchen über
    eine Entfernung größer als die Tiefe der ersten Stelle
    hineinerstreckt, um die implantierten Fremdstoffe in
    eine schmale Schicht an einer zweiten Stelle dicht unter-
    MUnchen: Kramer · Dr.Weser · Hirsch — Wiesbaden: Blumbach · Dr. Bergen · Zwirner
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    halb des Silicides zu schieben, wobei die schmale Schicht eine höhere Spitzenkonzentration als die erste Spitze besitzt und dadurch die Anlaufspannung der Schottky-Sperrschicht-Verbindung verringert wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Niederschlagen des Kontaktmetalls die Ionenimplantation so vorgenommen wird, daß die Spitze des Ionenimplantatprofils wenigstens einige 1Onm tief zu liegen kommt und daß eine der Reaktion des Metallkontaktes mit dem Plättchen dienende Warmbehandlung anschließend so ausgeführt wird, daß die Spitze des Implantatprofils weniger als 10nm unterhalb der Silicid/ Silicium-Grenzflache zu liegen kommt.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2,
    dadurch gekennzeichnet, daß für das Metall Platin verwendet wird und daß wenigstens ein Teil der Verbindung als OberflächensperrSchichtverbindung vorliegt.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3,
    dadurch gekennzeichnet, daß für die Zone n-Leitungstypus vorgesehen wird und daß Antimon, Arsen oder Phosphor für die Ionenimplantation verwendet wird.
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DE19782805442 1977-02-11 1978-02-09 Verfahren zum herstellen eines schottky-sperrschicht-halbleiterbauelementes Ceased DE2805442A1 (de)

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