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DE3545456A1 - Optical device having an electrically controllable intensity transmission coefficient - Google Patents

Optical device having an electrically controllable intensity transmission coefficient

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Publication number
DE3545456A1
DE3545456A1 DE19853545456 DE3545456A DE3545456A1 DE 3545456 A1 DE3545456 A1 DE 3545456A1 DE 19853545456 DE19853545456 DE 19853545456 DE 3545456 A DE3545456 A DE 3545456A DE 3545456 A1 DE3545456 A1 DE 3545456A1
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DE
Germany
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optical
electro
bundle
partial
radiation
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE19853545456
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German (de)
Inventor
Fritz Peter Prof. Dipl.-Phys. Dr. 3400 Göttingen Schäfer
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Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften
Original Assignee
Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften filed Critical Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften
Priority to DE19853545456 priority Critical patent/DE3545456A1/en
Publication of DE3545456A1 publication Critical patent/DE3545456A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

An optical device, in which the intensity transmission coefficient between at least one radiation bundle input and at least one radiation bundle output can be electrically controlled, contains an interferometric device having a bundle splitter (ST1) for generating two coherent component bundles which pass via corresponding component beam paths to a bundle-uniting device (ST2), where they interfere. Arranged in at least one of the component beam paths is an electrooptical device (EOK) in which the optical length of the segment, extending through it, of the relevant component beam path can be varied electrically, e.g. via the refractive index. The component bundles are united in a strictly parallel fashion, with the result that the recombined bundle has a constant phase over its entire cross-section, and the intensity can be modulated between 100% and 0% with reference to the intensity of the input bundle. <IMAGE>

Description

BESCHREIBUNGDESCRIPTION

In der Optik und ganz besonders in der Lasertechnik ergibt sich immer häufiger die Aufgabe ein Bündel optischer Strahlung - im folgenden kurz auch als "Lichtstrahl" bezeichnet durch ein äußeres Signal in seiner Richtung abzulenken und/oder in seiner Intensität zu verändern. Falls keine zu großen Anforderungen an die Geschwindigkeit, mit der diese Veränderungen vor sich gehen sollen, gestellt werden, läßt sich diese Aufgabe durch mechanisch oder elektromechanisch bewegte optische Bauelemente durchführen, z. B. durch schwingende oder rotierende Spiegel oder Prismen. Auch eine piezoelektrische Veränderung des Luftspalts zwischen zwei Prismen, in denen eine verhinderte Totalreflexion auftritt, erfüllt diese Aufgabe. Bei höheren zeitlichen Anforderungen werden akusto-optische Deflektoren und Modulatoren benutzt. Bei höchstens zeitlichen Anforderungen jedoch, bei denen Schalt- bzw. Modulations2eiten von nur wenigen Nanosekunden gefordert werden, lassen sich nur noch elektro-optische Bauelemente für diese Aufgabe verwenden. Hierbei ist vor allen Dingen die Pockelszelle zu erwähnen, die die mit vielen Nachteilen behaftete alte Kerrzelle fast vollständig verdrängt hat. Bei der Pockelszelle werden in einem elektrooptischen Kristall durch Anlegen eines elektrischen Feldes die Brechungsindices für den ordentlichen Strahl und den außerordentlichen Strahl in unterschiedlichem Ausmaß verändert, was eine "Änderung der Doppelbrechung des Kristalls bewirkt. Dadurch kann die Polarisation eines hindurchgehenden Lichtstrahls in Abhängigkeit von der Lange des Kristalls und der Höhe der angelegten Feldstärke umorientiert werden, so daß in einem im Strahlengang hinter der Pockelszelle angeordneten kristalloptischen Bauelement dank seiner Doppelbrechung eine Richtungs- und/oder eine Amplitudenänderung des Lichtstrahls erfolgen kann. In sehr vielen verschiedenen Ausführungsformen werden solche Einrichtungen in der Lasertechnik für verschiedene Aufgaben eingesetzt. Innerhalb eines Laserresonators angewandt, können diese Einrichtungen beispielsweise dazu benutzt werden, um die Güte eines Resonators zu einem vorgegebenen Zeitpunkt innerhalb weniger Nanosekunden stark zu verändern oder periodisch im Abstand einer ResonatorumlaufzeitIn optics and especially in laser technology, this always results more often the task of a bundle of optical radiation - hereinafter also referred to as "light beam" for short by an external signal in divert its direction and / or change its intensity. If the requirements on the speed with which these changes should take place, be made, can be perform this task by mechanically or electromechanically moved optical components, e.g. B. by vibrating or rotating Mirrors or prisms. Also a piezoelectric change in the air gap between two prisms, in which a prevented total reflection occurs, fulfills this task. With higher time requirements acousto-optic deflectors and modulators are used. In the case of maximum time requirements, however, where switching or Modulation times of just a few nanoseconds are required only use electro-optical components for this task. Above all, the Pockels cell should be mentioned here, which is almost completely the old Kerr cell, which is afflicted with many disadvantages has displaced. In the Pockels cell, the refractive indices are set in an electro-optical crystal by applying an electric field for the ordinary ray and the extraordinary ray changed to different degrees, which is a "change in birefringence of the crystal causes. This allows the polarization of a light beam passing through it as a function of the length of the Crystal and the level of the applied field strength are reoriented so that arranged in a beam path behind the Pockels cell crystal-optical component, thanks to its birefringence, a change in direction and / or amplitude of the light beam can take place. In In many different embodiments, such devices are used in laser technology for various tasks. Within a laser resonator, these devices can be used, for example, to improve the quality of a resonator to change a given point in time within a few nanoseconds or periodically at intervals of a resonator cycle time

zu moduLieren. Im ersten FaLL können sogenannte RiesenimpuLse erzeugt werden; im zweiten werden über die sogenannte aktive PhasenkoppLung uLtrakurze LaserimpuLse erzeugt. Bei der sogenannten ResonatorentLeerung (cavity-dumping) kann mit dieser Einrichtung zu einem vorgegebenen Zeitpunkt die gesamte im Resonator gespeicherte Lichtenergie ausgekoppeLt und in eine vorgegebene Richtung außerhaLb des Resonators umgeLenkt werden. AußerhaLb eines Laserresonators werden soLche Einrichtungen häufig zur IntensitätsregeLung eines LaserstrahLs oder zur ModuLation zum Zwecke der NachrichtenübermittLung benutzt.to modulate. In the first case, so-called giant pulses can be generated will; in the second, the so-called active phase coupling Ultra-short laser pulses generated. With the so-called resonator emptying (cavity dumping) can with this facility to a predetermined Time, the entire light energy stored in the resonator is coupled out and in a predetermined direction outside of the resonator be redirected. Outside of a laser resonator, such devices are often used to regulate the intensity of a laser beam or used for modulation for the purpose of transmitting messages.

Ein erhebLicher NachteiL der PockeLszeLLen ist die sehr hohe Spannung (im aLLgemeinen mehrere KiLovoLt), die für den Betrieb einer PockeLszeLLe nötig ist und deren AnLegen an die PockeLszeLLe innerhaLb von wenigen Nanosekunden mit eLektronischen HiLfsmitteLn sehr schwer zu bewerkstelLigen ist.A considerable disadvantage of the smallpock cells is the very high tension (generally several KiLovoLt), which are necessary for the operation of a Pockel cell is necessary and it is very difficult to place it on the pockel cell within a few nanoseconds with electronic aids is to be done.

Andere seLten verwandte bekannte Anordnungen wie beispieLsweise Prismen aus eLektrooptischen KristaLLen, deren LichtabLenkung von der Größe des angeLegten eLektrischen FeLdes abhängt, haben den NachteiL, daß sie wegen der geringen WinkeLänderung des LichtstrahLes bei AnLegen seLbst höchster FeLdstärken praktisch kaum verwendbar sind.Others use related known arrangements such as prisms made of electro-optic crystals, the light deflection of which depends on the size of the applied electrical field have the disadvantage that they are due to the slight change in angle of the light beam when applied even the highest field strengths can hardly be used in practice.

Es sind auch schon rein optisch arbeitende LogikschaLtungen, wie UND-, ODER- und NICHT-GLieder bekannt, die im wesentLichen aus einem Fabry-Perot-Interferometer bestehen, das ein Medium enthäLt, dessen Brechungsindex eine nichtLineare Funktion der Lichtintensität ist. Hier benötigt man jedoch reLativ hohe Lichtintensitäten, die genau gesteuert werden müssen; außerdem ist für vieLe Zwecke eine Steuerung durch ein eLektrisches SignaL vorzuziehen.There are already purely optical logic circuits, such as AND, OR and NOT elements are known, which essentially come from a Fabry-Perot interferometer that contains a medium whose index of refraction is a non-linear function of light intensity. Here, however, you need relatively high light intensities that must be precisely controlled; also is a controller for many purposes preferable through an electrical signal.

Aus der US-PS 35 86 416, von der die Erfindung ausgeht, ist schLießLich ein LichtmoduLator bekannt, der ein Interferometer mit einem BündeLteiLer, zwei TeiLstrahLengängen und einer BündeLvereinigungsvorrichtung enthäLt, wobei in mindestens einem der TeiLstrahlengänge ein optisches ELement, wie ein KDP-KristaLL angeordnet ist, dessen Brechungsindex durch eine eLektrische Spannung veränderbar ist. DieFrom US-PS 35 86 416, from which the invention is based, is finally A light modulator is known, which is an interferometer with a beam splitter, two beam paths and a beam combining device Contains, in at least one of the partial beam paths an optical element, such as a KDP-KristaLL is arranged, its Refractive index can be changed by an electrical voltage. the

Vereinigung der TeiLbündet soll unter einem kleinen Winkel erfolgen, so daß bei der Bündelvereinigung ein Interferenzstreifensystem entsteht. Am Ort dieses Interferenzstreifensystems ist eine entsprechende Maske mit abwechselnd durchsichtigen und undurchsichtigen Streifen angeordnet. Durch Änderung des Brechungsindex des elektrooptischen Elements kann das Interferenzstreifenmuster bezüglich der Maske verschoben werden, so daß sich die Intensität des von der Maske durchgelassenen Lichts zwischen einem Maximum und einem Minimum ändert. Mit einer solchen Einrichtung kann die Ausgangsintensität jedoch nur zwischen etwa 80% und 20% der Intensität des Eingangslichtbündels moduliert werden.The union of the TeiLbünds should take place at a small angle, so that an interference fringe system arises when the bundles are merged. At the location of this interference fringe system is one corresponding mask with alternating transparent and opaque strips arranged. By changing the refractive index of the electro-optical Element, the interference fringe pattern can be shifted with respect to the mask, so that the intensity of the mask transmitted light changes between a maximum and a minimum. With such a device, however, the output intensity can only between about 80% and 20% of the intensity of the input light beam can be modulated.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die obengenannte elektrooptische Einrichtung dahingehend weiterzubilden, daß eine Intensitätsmodulation zwischen im wesentlichen 100% und 0%, bezogen auf die Eingangsintensität, erreichbar ist und daß bei bevorzugten Ausführungsformen mit bedeutend niedrigeren elektrischen Feldstärken und auf einfache Weise, als bisher möglich war.It is an object of the present invention to provide the above-mentioned electro-optical Further develop the device to the effect that an intensity modulation between essentially 100% and 0%, based on the input intensity, is achievable and that in preferred embodiments with significantly lower electrical field strengths and on easier way than was previously possible.

Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 gekennzeichnete Erfindung gelöst.This object is characterized by that in claim 1 Invention solved.

Weiterbildungen und vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Einrichtung sind Gegenstand von Unteransprüchen.Developments and advantageous embodiments of the invention Establishments are the subject of subclaims.

Die Einrichtung gemäß der Erfindung hat den großen Vorteil, daß sie eine praktisch einhundertprozentige Modulation ermöglicht und bei bevorzugten Ausführungsformen und mit relativ kleinen Spannungen gesteuert werden kann, die ohne weiteres mit Halbleiterbauelementen beherrschbar sind und dementsprechend schnell geändert werden können. Außerdem zeichnet sich die vorliegende Einrichtung durch einen relativ einfachen und robusten Aufbau aus.The device according to the invention has the great advantage that it allows a practically one hundred percent modulation and controlled in preferred embodiments and with relatively small voltages that can be easily mastered with semiconductor components and can accordingly be changed quickly. In addition, the present device is characterized by a relatively simple and robust structure.

Bei vorteilhaften Ausführungsformen der vorliegenden Einrichtung wird die die optische WegLänge verändernde elektrooptisch^ Vorrichtung, z.B. ein Kristall, dessen Brechungsindex feldstärkeabhängig ist, vonIn advantageous embodiments of the present device the electro-optical device changing the optical path length, e.g. a crystal whose refractive index depends on the field strength of

einem oder beiden TeiLstrahLengängen mehrmals durchlaufen, so daß der für eine vorgegebene Intensitätsänderung des oder der AusgangsstrahlungsbündeLs oder für eine vorgegebene Schaltfunktion erforderliche Spannungshub besonders klein ist.pass through one or both partial beam paths several times, so that that for a given change in intensity of the output radiation bundle (s) or for a given switching function required voltage swing is particularly small.

Im folgenden werden AusführungsbeispieLe der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert.In the following, embodiments of the invention are referred to explained in more detail on the drawings.

Es zeigen:Show it:

Fig. 1 eine schematische DarsteLLung einer ersten Ausführungsform der vorliegenden optischen Einrichtung;Fig. 1 is a schematic representation of a first embodiment the present optical device;

Fig. 2 elektrische Ersatzschaltbilder für zwei Schaltzustände der Einrichtung gemäß Fig. 1, wenn diese aLs "optische Weiche" betrieben wi rd;Fig. 2 electrical equivalent circuit diagrams for two switching states of the Device according to FIG. 1, when this is operated as an "optical switch";

Fig. 3 eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;3 shows a schematic representation of a second embodiment the invention;

Fig. 4 elektrische Ersatzschaltbilder für zwei Schaltzustände der Einrichtung gemäß Fig. 3;Fig. 4 electrical equivalent circuit diagrams for two switching states of the Device according to FIG. 3;

Fig. 5 eine Weiterbildung der Einrichtung gemäß Fig. 1; Fig. 6 eine Weiterbildung der Einrichtung gemäß Fig. 3;FIG. 5 shows a further development of the device according to FIG. 1; 6 shows a further development of the device according to FIG. 3;

Fig. 7 eine schematische DarsteLLung einer vierten, bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;7 shows a schematic representation of a fourth, preferred embodiment of the invention;

Fig. 8 eine Darstellung des Indexellipsoids eines in der Einrichtung gemäß Fig. 7 verwendeten elektrooptisch aktiven Kristalls, undFigure 8 is a representation of the index ellipsoid of one in the facility 7 used electro-optically active crystal, and

Fig. 9 eine schematische darstellung einer Abwandlung der Einrichtung gemäß Fig. 7.9 shows a schematic illustration of a modification of the device according to FIG. 7.

Das Prinzip der Erfindung kann am einfachsten an Hand von Fig. 1 erläutert werden, die eine einfache Anordnung zur Verwirklichung des Erfindungsgedankens darstellt. Aus der Richtung (A) kommt ein Eingangs-Lichtbündel, das durch einen 50%igen Strahlteiler (STD in zwei gleich intensive kohärente Teil-Lichtbündel (1) und (11) aufgeteilt wird. Das Teilbündel (1) läuft über einen Spiegel (SpD und durch ein elektrooptisches Element (EOD zum einen Strahlteiler (ST2), während das Teilbündel (V) zunächst durch ein elektro-optisches Element (E02) über einen Spiegel (Sp2) ebenfalls zum Strahlteiler (ST2) gelangt. In dem als Strahl- oder Bündelvereinigungsvorrichtung arbeitenden Strahlteiler (ST2) werden die TeiIbündel streng parallel miteinander vereinigt, so daß die Phase des rekombinierten Strahlungsbündels über dessen ganzen Querschnitt (senkrecht zur Ausbreitungsrichtung) konstant ist. Dies gilt auch für die folgenden Ausführungsbeispiele. Je nach dem relativen Gangunterschied der beiden Teilbündel interferieren diese so, daß ein Teil des Lichts in die Richtung (C), ein anderer Teil in die Richtung (D) geht. Dabei treten keine Lichtverluste durch Masken oder andere interferenzstreifenselektive optische Raumfilter auf, wie sie bei dem obengenannten Stand der Technik im Weg des rekombinierten Bündels vorgesehen werden müssen. Die elektro-optischen Elemente enthalten Materialien, deren Brechungsindex abhängig von der angelegten Spannung bzw. Feldstärke ist. Wird nun beispielsweise die am elektrooptischen Element (EOD angelegte Spannung gesteigert, so ändert sich dessen Brechungsindex und damit die optische Weglänge für das Teilbündel (D; ist nun die Gesamtänderung der Spannung genügend groß, so kann eine Weglängenänderung von mehreren Wellenlängen erfolgen. Bei zeitlich linearer Änderung des Brechungsindex kann beispielsweise am Ausgang (C) ein durch eine (sin )-Funktion zu beschreibender zeitlicher Intensitätsverlauf des Lichts erzielt werden, während dann am Ausgang (D) ein gerade durch eine (cos )~Funktion beschreibbarer Verlauf der Intensität erfolgt. Entsprechendes gilt für die Änderung der optischen Weglänge im Teilstrahl (V) durch Anlegen einer Spannung an das elektro-optische Element (E02). Durch Gegentakt-Betrieb der beiden elektro-optischen Elemente kann die Differenz der optischen Weglängen (bei gegebenem Spannungshub) um den doppelten Betrag verändert werden.The principle of the invention can be explained most simply with reference to FIG. 1, which shows a simple arrangement for realizing the idea of the invention. An input light bundle comes from direction (A), which is split into two coherent partial light bundles (1) and (1 1 ) of equal intensity by a 50% beam splitter (STD). The partial bundle (1) runs over a mirror ( SpD and through an electro-optical element (EOD on the one hand beam splitter (ST2), while the partial beam (V) first reaches the beam splitter (ST2) through an electro-optical element (E02) via a mirror (Sp2). or the beam splitter (ST2) operating the beam splitter, the partial beams are combined strictly parallel to one another, so that the phase of the recombined radiation beam is constant over its entire cross-section (perpendicular to the direction of propagation). This also applies to the following exemplary embodiments. Depending on the relative path difference between the two partial beams These interfere in such a way that part of the light goes in direction (C) and another part in direction (D), with no loss of light through the mask n or other interference fringe-selective optical spatial filters, as they have to be provided in the above-mentioned prior art in the path of the recombined bundle. The electro-optical elements contain materials whose refractive index depends on the applied voltage or field strength. If, for example, the voltage applied to the electro-optical element (EOD is increased, its refractive index changes and thus the optical path length for the partial bundle (D; if the total change in voltage is large enough, a path length change of several wavelengths can occur A change in the refractive index can, for example, be achieved at output (C) with a time-dependent intensity curve of the light that can be described by a (sin) function, while at output (D) there is a curve of the intensity that can be described by a (cos) function applies to the change in the optical path length in the partial beam (V) by applying a voltage to the electro-optical element (E02). By push-pull operation of the two electro-optical elements, the difference between the optical path lengths (with a given voltage swing) can be doubled Amount can be changed.

Selbstverständlich genügt es auch, bloß einen Teilstrahl durch ein elektro-optisches Element zu führen und im anderen Teilstrahl zur Weglängenkompensation ein entsprechendes, nicht elektrooptisch aktives Glas o. dgl. vorzusehen. Es ist nun bemerkenswert, daß bei exakt funktionierenden Strahlteilern (STD und (ST2) und beim Anlegen einer geeigneten Spannung an ein oder beide elektrooptischen Elemente die volle bei (A) eintretende Intensität entweder ganz auf den Ausgang (C) oder ganz auf den Ausgang (D) gelenkt werden kann. Entsprechendes gilt, wenn statt des Eingangs (A) der Eingang (B) benutzt wird. Dabei ist es nun so, daß jeweils bei dem Zustand, bei dem die bei (A) eintretende Intensität bei (D) austritt, gleichzeitig auch die bei (B) eintretende Intensität bei (C) austreten würde. Im umgekehrten Fall, wenn die bei (A) eintretende Intensität bei (C) austritt, würde die bei (B) eintretende Intensität bei (D) austreten. Man sieht, daß hier die Strahlungsbündel je nach dem Schaltzustand ähnlich wie der Strom in der Elektrotechnik bei einem zweipoligen Umschalter (Fig. 2) von zwei Eingängen zu zwei Ausgängen geführt werden. Diese Anordnung kann deshalb als elektrooptisch^ Lichtweiche bezeichnet werden.Of course, it is also sufficient to only pass a partial beam through To lead electro-optical element and in the other partial beam to Path length compensation a corresponding, not electro-optically active Glass or the like to be provided. It is now noteworthy that with exactly functioning beam splitters (STD and (ST2) and when applying a suitable voltage to one or both electro-optical elements the full intensity occurring at (A) either entirely to the output (C) or can be steered entirely to the exit (D). The same applies if input (B) is used instead of input (A). Included it is now so that in each case in the state in which the at (A) entering intensity at (D) exits, at the same time the intensity entering at (B) would exit at (C). In the reverse If the intensity entering at (A) exits at (C), the intensity entering at (B) would exit at (D). One can see that here the radiation beam, depending on the switching state, is similar to that Current in electrical engineering can be led from two inputs to two outputs with a two-pole changeover switch (Fig. 2). This arrangement can therefore be referred to as an electro-optical light switch.

Der Fachmann erkennt, daß es sich bei der Anordnung in Fig. 1 um ein Mach-Zehnder-Interferometer handelt, bei dem in den Strahlengang entweder des einen oder auch der beiden getrennten kohärenten Teilbündel ein elektrooptisches Element eingesetzt wurde. Es ist nun sofort ersichtlich, daß in entsprechender Weise auch ein Michelson-Interferometer mit mindestens einem elektrooptischen Element der beschriebenen Art versehen werden kann, so daß dann wahlweise in einem ersten Betriebs- oder Schaltzustand ein Eingang (Ausgang) (A) mit einem Ausgang (Eingang) (B) verbunden ist, während im anderen Schaltzustand (A) und (B) voneinander getrennt sind, weil das jeweils bei (A) oder (B) eingestrahlte Licht lOOXig in sich zurückreflektiert wird und nicht auf den anderen Ausgang bzw. Eingang. Ein solches "elektrooptisch aktives" Michelson-Interferometer ist in Fig. 3 schematisch dargestellt; Fig. 4 zeigt das entsprechende elektrotechnische Ersatzschaltbild.Those skilled in the art will recognize that the arrangement in FIG. 1 is a Mach-Zehnder interferometer acts in which either one or the two separate coherent ones in the beam path Part of the bundle an electro-optical element was used. It is now immediately apparent that a Michelson interferometer with at least one electro-optical element can be provided of the type described, so that an input (output) is then optionally in a first operating or switching state (A) is connected to an output (input) (B), while in the other switching state (A) and (B) are separated from each other because each at (A) or (B) irradiated light is reflected back in itself and not to the other output or input. Such an “electro-optically active” Michelson interferometer is shown in FIG. 3 shown schematically; 4 shows the corresponding electrical equivalent circuit diagram.

In Fig. 5 ist eine weitere vorteilhafte Ausführungsform der Grundidee nach Fig. 1 dargestellt, wobei durch die Verwendung von zwei weiteren Spiegeln (SpV) und (Sp2') die Teilbündel (1) und (11) jeweils noch einmal um 90< umgelenkt werden und sich dann unter 90 Grad kreuzen. Im Kreuzungsgebiet der beiden Teilstrahlen steht, wie dargestellt, ein elektrooptisches Element (EO), das die Form eines allseitig polierten Quaders hat, der an der Boden- und der Deckfläche mit Elektroden versehen ist. Das Material des elektrooptischen Elements ist so beschaffen, daß durch anlegen der Spannung der Brechungsindex in Richtung des Teilbündels (1) beispielsweise verringert, in Richtung des Teilbündels (V) dagegen vergrößert wird. Durch diese Anordnung wird das im allgemeinen aus einem in der richtigen Weise geschnittenen Kristall bestehende teure elektrooptische Element doppelt ausgenutzt. Ein entsprechendes elektrooptisches Michelson-Interferometer mit doppelter Ausnutzung des elektrooptischen Elements ist in Fig. 6 schematisch dargestellt.In Fig. 5, a further advantageous embodiment of the basic idea of FIG. 1 is illustrated, by the use of two further mirrors (SPV) and (SP2 '), the sub-beams respectively deflected (1) and (1: 1) again to 90 < and then cross at 90 degrees. As shown, there is an electro-optical element (EO) in the intersection area of the two partial beams. The material of the electro-optical element is such that, by applying the voltage, the refractive index is reduced in the direction of the partial bundle (1), for example, while it is increased in the direction of the partial bundle (V). This arrangement makes double use of the expensive electro-optic element, generally consisting of a properly cut crystal. A corresponding electro-optical Michelson interferometer with double utilization of the electro-optical element is shown schematically in FIG. 6.

Eine besonders vorteilhafte praktische Realisierung des anhand von Fig. 1 erläuterten Prinzips ist in Fig. 7 dargestellt. In dieser Ausführungsform der Erfindung müssen die Teilbündel mehrere Male einen als elektrooptisches Element dienenden Kristall durchqueren, wodurch mit kleinen Spannungen eine große Wegdifferenz erreicht werden kann. Als aktives Element kann hier ein elektrooptischer Kristall (EOK) benutzt werden, der aus einem allseits polierten Quader von deuteriertem KaUumdihydrogenphosphat (KD*P), z.B. mit den Dimensionen 35 χ 35 χ 7 mm besteht. Er ist so geschnitten, daß die optische Achse senkrecht auf der Papierebene steht und die kristallographischen Achsen X1 und x- in den Diagonalen des Quadrats liegen. Als Elektroden dienen aufgedampfte Goldfilme auf der Grund- und Deckfläche, die durch federnden Andruck mit Zuleitungen einer nicht dargestellten Steuerspannungsquelle kontaktiert sind. Der elektrooptische Kristall befindet sich in einem Trog (T) aus Quarzglas oder einem anderen geeigneten transparenten Material, der, wie in der Figur gezeichnet, aus vier gleichen Einzelstücken (KD, (K2), (K3) und (K4) durch Verkitten zusammengesetzt ist, die in Draufsicht etwa die Form von rechtwinkligen Dreiecken mitabgeschnittenen Ecken an der Hypothenuse haben. Der Trog ist außen also im wesentlichen quaderförmig und bildet einen bezüglichA particularly advantageous practical implementation of the principle explained with reference to FIG. 1 is shown in FIG. In this embodiment of the invention, the partial bundles have to traverse a crystal serving as an electro-optical element several times, as a result of which a large path difference can be achieved with small voltages. An electro-optical crystal (EOK) can be used as an active element, which consists of a cuboid of deuterated calcium dihydrogen phosphate (KD * P), polished on all sides, for example with the dimensions 35 35 χ 7 mm. It is cut so that the optical axis is perpendicular to the plane of the paper and the crystallographic axes X 1 and x- lie in the diagonals of the square. Evaporated gold films serve as electrodes on the base and top surface, which are contacted by resilient pressure with supply lines of a control voltage source (not shown). The electro-optical crystal is located in a trough (T) made of quartz glass or another suitable transparent material which, as shown in the figure, is assembled from four identical individual pieces (KD, (K2), (K3) and (K4) by cementing which in plan view have approximately the shape of right triangles with cut corners on the hypotenuse

der optisch polierten Außenseiten über Eck stehenden Hohlraum, in den der das elektro-optische Element (EOK) bildende Kristall möglichst genau paßt. Der technisch unvermeidbare Zwischenraum von etwa 1/10 mm zwischen dem Quarzglastrog und dem elektrooptischen Kristall wird zur Vermeidung von Reflexionsverlusten mit einer Immersionsflüssigkeit ausgefüllt, deren Brechungsindex zwischen dem des Quarzglases und dem des KDP-Kristalls liegt. Als Strahlteiler (STD und (ST2) dienen jeweils zwei nebeneinander angeordnete Quarzglasblöcke der gezeigten Form die zwischen sich einen Luftspalt solcher Dicke bilden, daß bei der Betriebswellenlänge eine exakte verlustlose Strahlteilung im Verhältnis 1:1 durch behinderte Totalreflexion erreicht wird. Dieser Luftspalt kann dadurch sehr genau in der gewünschten Weise eingestellt werden, daß an den Rändern der zusammenzulegenden Flächen im Vakuum ein Film der gewünschten Dicke aus einem passenden Material, z.B. SiO-, aufgedampft wird. Die beiden Strahlenteiler, der Trog und der elektrooptisehe Kristall sind mittels einer justierbaren mechanischen Halterung auf einer optisch ebenen Grundplatte aus Quarzglas oder Zerodur durch Andrücken festgehalten. In Fig. 7 ist der Strahlengang des am Eingang A einfallenden Lichtstrahls und des den Strahlteiler (STD durchtretenden Teilstrahls ausgezogen, der des von (STD reflektierten Teilstrahl dagegen gestrichelt gezeichnet. Man erkennt, daß durch Totalreflexion an den Wänden des Glastrogs für jeden der beiden Teilstrahlen ein fünfmaliger Durchgang durch den elektrooptischen Kristall erreicht wird, und zwar so, daß die Richtungen des durchgezogenen und des gestrichelten Teilstrahls jeweils aufeinander senkrecht stehen, was bewirkt, daß bei Anlegen eines elektrischen Feldes die optische Weglänge für den einen Teilstrahl entsprechend stark vergrößert, für den anderen im gleichen Maße verringert wird.the optically polished outer sides of the corner standing cavity, in that of the crystal forming the electro-optical element (EOK) if possible fits exactly. The technically unavoidable space of about 1/10 mm between the quartz glass trough and the electro-optical crystal to avoid reflection losses with an immersion liquid filled with a refractive index between that of the quartz glass and that of the KDP crystal. Serve as beam splitter (STD and (ST2) two quartz glass blocks of the shape shown, which are arranged side by side and form an air gap between them of such a thickness that at the operating wavelength an exact lossless beam splitting in Ratio 1: 1 is achieved by hindered total reflection. This As a result, the air gap can be set very precisely in the desired manner that a film of the desired thickness made of a suitable material, e.g. SiO-, is vaporized. The two beam splitters, the trough and the electro-optisehe crystal are by means of an adjustable mechanical Holder held on an optically flat base plate made of quartz glass or Zerodur by pressing it on. In Fig. 7 is the beam path of the light beam incident at input A and the partial beam passing through the beam splitter (STD drawn out, that of the (STD reflected partial beam, on the other hand, is shown in dashed lines. One recognises, that by total reflection on the walls of the glass trough for each of the two partial beams a five-time passage through the electro-optical Crystal is achieved in such a way that the directions of the solid and the dashed partial beam, respectively are perpendicular to each other, which has the effect that when an electric field is applied, the optical path length for one partial beam correspondingly greatly increased, for the other is reduced to the same extent.

Bei der Berechnung der Spannungsänderung Delta u, die zum völligen Umschalten vom Ausgang (C) zum Ausgang (D) oder umgekehrt benötigt wird, ist zu beachten, daß gemäß dem in Fig. 8 dargestellten Indexellipsoid sich der Brechungsindex η in Richtung der kristallographischen Achsen (x' ) und (x' ) bei Anlegen einer Spannung auf nQ + Delta η bzw. nQ - Delta η verändert, wobei aus den kristalloptischen Handbüchern bekannt ist, daß die optische Weg längenänderungWhen calculating the voltage change Delta u, which is required to switch completely from output (C) to output (D) or vice versa, it should be noted that, according to the index ellipsoid shown in FIG. 8, the refractive index η moves in the direction of the crystallographic axes ( x ') and (x') changed when a voltage is applied to n Q + Delta η or n Q - Delta η, whereby it is known from the crystal-optical manuals that the optical path length change

α * i f.-α * i f.-

354S456354S456

L DeLta η in einem Kristall, in dem die Weglänge eines Teilstrahls L beträgt, gegeben ist durchL DeLta η in a crystal, in which the path length of a partial beam L is given by

η >r, ·Λυ ♦ 1 (1.) 1· Δη » _° 63 η > r, · Λυ ♦ 1 (1.) 1 · Δη »_ ° 63

2-d2-d

wobei r., die elektrooptisch^ Konstante des betreffenden KristaLLswhere r., the electro-optical constant of the crystal in question

OJOJ

für die Betriebswellenlänge ist und d die Dicke des Kristalls in Richtung des elektrischen Feldes. Diese Weglängenänderung für einen Teilstrahl muß gerade Lambda/4 betragen, damit eine vollständige Umschaltung vom einen zum anderen Ausgang erfolgt. Mit der vorstehenden Beziehung ergibt sich also für die benötigte Umschaltspannungsänderung Delta u die Beziehungfor the operating wavelength and d is the thickness of the crystal in Direction of the electric field. This path length change for a partial beam must be exactly lambda / 4, so that a complete one Switching from one output to the other takes place. With the above The relationship thus results for the required change in switching voltage Delta u

Δυ =
(2)
Δυ =
(2)

Soll beispielsweise die Anordnung in einem Neodym-YAG-Laser benutzt werden (wellenlänge 1059 nm), so ist für KD*P η _ 1,491, r,, = 26,4 pm/V, so daß für die angegebenen Dimensionen d = 7 mm und I = 175 mm (entsprechend einem fünfmaligen Durchgang durch den 35 mm langen Kristall) die Umschaltspannung Delta u = 242 Volt beträgt. Diese niedrige Umschaltspannung ist mit Halbleiter-Bauelementen bequem beherrschbar. Bei kürzeren, z.B. sichtbaren Wellenlängen ist die Umschaltspannung noch niedriger.For example, the arrangement should be used in a neodymium-YAG laser (wavelength 1059 nm), then for KD * P η _ 1.491, r ,, = 26.4 pm / V, so that for the specified dimensions d = 7 mm and I = 175 mm (corresponding to five passes through the 35 mm long crystal) the switching voltage Delta u = 242 volts. These low switching voltage can be easily managed with semiconductor components. For shorter, e.g. visible wavelengths, the Switching voltage even lower.

Es sei noch darauf hingewiesen, daß bei der Anordnung gemäß Fig. jeweils die erste und letzte Totalreflexion im Glastrog an einer Teilfläche erfolgt, die jeweils von den mit Pfeil markierten Stellen (a), (b), (c) und (d) an bis zur benachbarten Kittstelle gegenüber der benachbarten Wand in der eingezeichneten Art und Weise um etwa 5 Grad nach innen abgewinkelt ist. Hierdurch wird die Einkopplung und Auskopplung der Teilstrahlen in den bzw. aus dem GlastrogIt should be noted that in the arrangement according to FIG. In each case the first and last total reflection in the glass trough on one Partial area takes place, each from the points marked with arrows (a), (b), (c) and (d) to the adjacent putty point opposite the adjacent wall is angled inwards by about 5 degrees in the manner shown. This is the coupling and coupling out the partial beams into or out of the glass trough

ermöglicht, da beim ersten bzw. letzten Auftreffen der Strahlungsbündel auf die Wand keine Totalreflexion erfolgt, sondern ein reflexionsfreier Durchtritt durch die Wandung, wenn polarisiertes Licht benutzt wird, dessen elektrischer Vektor parallel zur Zeichenebene schwingt. Ebenswo reflexionsfrei ist der Durchtritt des Lichtes durch diejenigen Wände der Bündelteiler, welche senkrecht zum Luftspalt verlaufen. Schräggestellte Eintrittswände müssen dagegen entspiegelt werden.made possible because the radiation bundle occurs at the first or last impact There is no total reflection on the wall, but a reflection-free one Passage through the wall when polarized light is used, the electric vector of which oscillates parallel to the plane of the drawing. As well The passage of light through the walls is free of reflection the bundle dividers, which run perpendicular to the air gap. On the other hand, inclined entrance walls must be anti-reflective.

Fig. 9 zeigt schließlich noch wie die Anordnung gemäß Fig. 7 abzuändern ist, um ein entsprechendes elektro-optisches Michelson-Interferometer zu erhalten. Dazu wird nur an Stelle des Bündelteilers (STD der Fig. 7 ein Spiegelblock (S) benutzt, der beispielsweise aus einem Glasprisma besteht, dessen Flächen (SD und (S2) so verspiegelt sind, daß die beiden Teilbündel jeweils genau in sich zurückreflektiert werden. Die Umschaltspannung Delta u für diese Ausführung ist genau halb so groß, wie die bei Fig. 7 benötigte, da jedes Teilbündel jetzt zehnmal durch den Kristall geht.FIG. 9 finally shows how the arrangement according to FIG. 7 can be modified is to obtain a corresponding electro-optic Michelson interferometer. For this purpose, instead of the bundle splitter (STD in FIG. 7 a mirror block (S) is used, which consists for example of a glass prism whose surfaces (SD and (S2) are mirrored so that the both partial bundles are each precisely reflected back in itself. The switching voltage Delta u for this embodiment is exactly half as large as that required in FIG. 7, since each sub-bundle is now ten times going through the crystal.

Es ist nun leicht einzusehen, daß durch Anlegen einer gewissen Vorspannung ein beliebiger Zustand erreicht werden kann, beispielsweise unter Bezugnahme auf Fig. 7, daß ein bei (A) eintretendes Bündel völlig bei (D) oder bei (C) austritt oder aber auch jeweils Bündel gleicher Intensitäten bei (C) und (D) austreten. Durch überlagerung einer Wechselspannung geeigneter Amplitude und Frequenz können beispielsweise die Intensitäten an den Ausgängen (C) und (D) gegenphasig moduliert werden oder aber durch Anlegen von Rechteckimpulsen zwischen den Ausgängen (C) und (D) umgeschaltet werden, überdies sind bei liebige Überlagerungen verschiedener Impulsformen denkbar, so daß eine außerordentliche Vielzahl von Anwendungen mit den unterschiedlichsten Anforderungen durch die beschriebene Erfindung möglich wird.It is now easy to see that any state can be achieved by applying a certain bias, for example with reference to FIG. 7, that a bundle entering at (A) exits completely at (D) or at (C) or else bundles of the same are in each case Intensities emerge at (C) and (D). By superimposing an alternating voltage of suitable amplitude and frequency, for example the intensities at the outputs (C) and (D) can be modulated in phase opposition or by applying square pulses between the Outputs (C) and (D) are toggled, and there are also Liebige Superimpositions of different pulse shapes are conceivable, so that an extraordinary number of applications with the most varied Requirements by the described invention is possible.

Anstelle der beschriebenen Typen von interferometrischen Vorrichtungen lassen sich selbstverständlich auch noch andere bekannte interferometrische Vorrichtungen verwenden, bei denen die Teilstrahlengänge genügend getrennt sind, so daß eine elektrooptische Vorrichtung der beschriebenen Art eingesetzt werden kann.Instead of the types of interferometric devices described Of course, other known interferometric measurements can also be used Use devices in which the partial beam paths are sufficiently separated so that an electro-optic device of the type described can be used.

Claims (10)

PatentansprücheClaims 1. Optische Einrichtung mit elektrisch steuerbarem Intensitätsübertragungsmaß zwischen mindestens einem Strahlungsbündeleingang und mindestens einem Strahlungsbündelausgang, bei welcher1. Optical device with electrically controllable intensity transmission between at least one radiation beam entrance and at least one radiation beam exit at which - jeder Strahlungsbündeleingang (A, B) mit einem Eingang eines Strahlteilers (STI) einer interferometrischen Vorrichtung optisch gekoppelt ist, welcher jedes ihr zugeführte optische Strahlungsbündel in zwei kohärente Teilbündel (1, 11) zerlegt,- each input radiation beam (A, B) is optically coupled to an input of a beam splitter (STI) of an interferometric device, wherein each supplied thereto optical radiation beam into two coherent partial beams (1, 1 1) disassembled, - der Strahlteiler (STD über zwei Teilstrahlengänge, die jeweils eines der Teilbündel führen, mit entsprechenden Teilbündeleingängen einer Strahlvereinigungsvorrichtung (ST2) optisch gekoppelt ist, welche mindestens einen Ausgang für ein durch Interferenz der Teilbündel erzeugtes rekombiniertes Strahlungsbündel hat,- the beam splitter (STD via two partial beam paths, each lead one of the sub-bundles, with corresponding sub-bundle inputs a beam combining device (ST2) is optically coupled, which at least one output for a by interference of the Has recombined radiation beam generated by sub-beam, - in mindestens einem der Teilstrahlengänge eine elektrooptisch^ Vorrichtung (E01, E02) angeordnet ist, bei der die optische Länge des durch sie verlaufenden Stückes des betreffenden Tei!strahlen^ ganges elektrisch veränderbar ist, und- in at least one of the partial beam paths an electro-optical ^ Device (E01, E02) is arranged, in which the optical length of the piece of the relevant part running through it is radiated ganges is electrically changeable, and - jeder Strahlungsbündelausgang (C, D) der Einrichtung über einen Ausgangsbündelstrahlengang optisch mit einem Ausgang der Strahlvereinigungsvorrichtung (ST2) verbunden ist,- Each radiation beam exit (C, D) of the device via one Output beam path is optically connected to an output of the beam combining device (ST2), dadurch gekennzeichnet , daß die TeiIstrahlengänge (1, V) und die Strahlvereinigungsvorrichtung (ST2) so angeordnet sind, daß die Teilbündel parallel miteinander vereinigt werden und sich über den ganzen Querschnitt des rekombinierten Strahlungsbündel eine im wesentlichen konstante Phase ergibt. characterized in that the partial beam paths (1, V) and the beam combining device (ST2) are arranged so that the partial beams are combined in parallel with one another and an essentially constant phase results over the entire cross section of the recombined radiation beam. 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die2. Device according to claim 1, characterized in that the interferometrische Vorrichtung nach Art eines Mach-Zehnder-Interferometers aufgebaut ist (Fig. 1).interferometric device in the manner of a Mach-Zehnder interferometer is constructed (Fig. 1). 3. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die3. Device according to claim 1, characterized in that the interferometrische Vorrichtung nach Art eines Michelson-Interferometers aufgebaut ist (Fig. 3).interferometric device in the manner of a Michelson interferometer is constructed (Fig. 3). 4. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet/ daß4. Device according to claim 1 or 2, characterized / that die TeiIstrahlengänge eine Spiegelanordnung (Sp1, Sp-T, Sp2, Sp2') enthalten, welche die Teilstrahlen so umlenkt, daß sie sich mindestens einmal kreuzen und daß in mindestens einem dieser Kreuzungspunkte eine elektrooptische Vorrichtung der angegebenen Art angeordnet ist (Fig. 5, 6 und 7 ).the partial beam paths contain a mirror arrangement (Sp1, Sp - T, Sp2, Sp2 ') which deflects the partial beams so that they cross at least once and that an electro-optical device of the specified type is arranged in at least one of these crossing points (Fig. 5, 6 and 7). 5. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrooptische Vorrichtung (EOK) einen quadratischen Querschnitt hat und über Eck in einem sie eng umschließenden, die Spiegelanordnung bildenden Trog (T) aus transparentem Material angeordnet ist.5. Device according to claim 4, characterized in that the electro-optical device (EOK) has a square cross-section and is arranged at a corner in a trough (T) made of transparent material which tightly encloses it and forms the mirror arrangement. 6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß Teile (a, b, c, d) der Außenseiten des Troges (T) zur Einkopplung und Auskopplung der Teilbündel in den bzw. aus dem Trog (T) bezüglich der restlichen Teile der Außenseiten abgewinkelt sind.6. Device according to claim 5, characterized in that parts (a, b, c, d) of the outer sides of the trough (T) for coupling and decoupling the sub-bundles into or out of the trough (T) with respect to the remaining parts of the outer sides are angled. 7. Einrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die elektro-optische Vorrichtung ein Material enthält, dessen Brechungsindex eine Funktion der elektrischen Feldstärke ist.7. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the electro-optical device contains a material whose refractive index is a function of the electric field strength. 8. Einrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die8. Device according to claim 7, characterized in that the elektro-optische Vorrichtung einen vorzugsweise deuterierten Kaliumdihydrogenphosphat-KristalI enthält.electro-optical device a preferably deuterated potassium dihydrogen phosphate crystal contains. 9. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Strahlteiler zwei Strahlungseingänge hat und/oder die Strahlvereinigungsvorrichtung zwei Strahlungsausgänge hat.9. Device according to claim 1, characterized in that the beam splitter has two radiation inputs and / or the beam combining device has two radiation outputs. 10. Einrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der AusgangsbündeIstrahlengang frei von interferenzstreifenselektiven optischen Raumfiltern ist.10. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the output bundle beam path is free of interference fringe-selective optical space filters.
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