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DE3539981C1 - Method and device for treating semiconductor materials - Google Patents

Method and device for treating semiconductor materials

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Publication number
DE3539981C1
DE3539981C1 DE3539981A DE3539981A DE3539981C1 DE 3539981 C1 DE3539981 C1 DE 3539981C1 DE 3539981 A DE3539981 A DE 3539981A DE 3539981 A DE3539981 A DE 3539981A DE 3539981 C1 DE3539981 C1 DE 3539981C1
Authority
DE
Germany
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quartz tube
heat treatment
semi
semiconductor wafers
treatment
Prior art date
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Expired
Application number
DE3539981A
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German (de)
Inventor
Jiri Dipl-Ing Hokynar
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TELOG SYSTEMS GmbH
Original Assignee
TELOG SYSTEMS GmbH
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Filing date
Publication date
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Priority to EP86115649A priority patent/EP0225501A3/en
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Application granted granted Critical
Publication of DE3539981C1 publication Critical patent/DE3539981C1/en
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Diffusionsöfen. Außerdem bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Behandlung von Halbleiter-Wafers.The present invention relates to diffusion furnaces. The invention also relates to a method for Treatment of semiconductor wafers.

Es ist bekannt, Materialien wie Halbleiter-Wafers in Quarz­ rohren verschiedenen Behandlungsverfahren zu unterziehen. Insbesondere können Halbleiter-Wafers durch Kontaktierung mit einer Dotiermaterialien enthaltenden Atmosphäre bei hoher Temperatur dotiert werden. Ganz allgemein besteht bei diesem Verfahren das Problem, daß derartige Behandlungs­ stufen möglichst unter vollständiger Vermeidung von Konta­ mination durchgeführt werden müssen. Da Halbleiter-Wafers bei diesem Verfahren mechanisch in das Quarzrohr einge­ bracht werden müssen, sind diese Halbleiter-Wafers immer einer nicht vollständig reinen Atmosphäre ausgesetzt. Bei bekannten Verfahren wurden die Halbleiter-Wafers in das heiße Quarzrohr eingeführt. Danach wurde das Rohr ver­ schlossen und die Behandlungsatmosphäre wurde in das Quarz­ rohr eingeführt. Damit erfolgte also die anfängliche Be­ handlung in einem Gemisch von Laboratmosphäre und Spülgas. Die Halbleiter-Wafers waren von Anfang an der hohen Tempe­ ratur ausgesetzt. It is known to use materials such as semiconductor wafers in quartz tubes to undergo various treatment processes. In particular, semiconductor wafers can be contacted with an atmosphere containing dopants be doped at high temperature. In general there is at this method the problem that such treatment levels, avoiding contact completely, if possible mination must be performed. Because semiconductor wafers mechanically inserted into the quartz tube in this process must be brought, these semiconductor wafers are always exposed to an atmosphere that is not completely clean. At known methods were the semiconductor wafers in the hot quartz tube introduced. Then the pipe was ver closed and the treatment atmosphere was in the quartz tube inserted. So that was the initial loading act in a mixture of laboratory atmosphere and purge gas. The semiconductor wafers were high tempe from the start exposed to maturity.  

Um sich daraus ergebende Nachteile zu beseitigen, wurde bereits vorgeschlagen, vor das Quarzrohr eine Vorkammer zu schalten, durch die über eine mit Dichtungen versehene Durchführung, die Halbleiter-Wafers durch die Vorkammer in die Hauptbehandlungskammer, nämlich das Quarzrohr, bewegt würden. Bei diesem System ist das Problem der sich ver­ mischenden Atmosphären etwas verbessert, jedoch ergab sich das neue Problem, daß die Temperaturverteilung in dem er­ hitzten Quarzrohr sehr uneinheitlich wurde aufgrund der starken Abstrahlung durch die Öffnung des Quarzrohres in die Vorkammer. Dieses Problem ist um so signifikanter, je größer der Innendurchmesser des Quarzrohres bzw. je größer der Durchmesser der zu behandelnden Halbleiter-Wafers wird.In order to eliminate the resulting disadvantages, already proposed to an antechamber in front of the quartz tube switch through the one with seals Carrying out the semiconductor wafers through the prechamber in the main treatment chamber, namely the quartz tube, moves would. With this system the problem is ver mixing atmospheres somewhat improved, but resulted the new problem that the temperature distribution in which he heated quartz tube became very inconsistent due to the strong radiation through the opening of the quartz tube in the antechamber. This problem is all the more significant, ever larger the inner diameter of the quartz tube or the larger becomes the diameter of the semiconductor wafer to be treated.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Ver­ fahren und eine Vorrichtung zur Behandlung und insbesondere Dotierbehandlung von Halbleiter-Wafers zu schaffen, bei dem sowohl eine gleichförmige Temperaturverteilung in dem Quarzrohr als auch eine definierte Atmosphäre bei der Be­ handlung ermöglicht wird.The invention has for its object a Ver drive and a device for treatment and in particular To create doping treatment of semiconductor wafers in which both a uniform temperature distribution in the Quartz tube as well as a defined atmosphere when loading action is made possible.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Vorrichtung sowie ein Verfahren gelöst, wie es in den Ansprüchen näher gekennzeichnet ist.This object is achieved by a device as well as a method as detailed in the claims is marked.

Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung, im folgenden mit Diffusionsofen bezeichnet, bei dem das Quarzrohr vorzugs­ weise horizontal angeordnet ist, wird das Material, insbe­ sondere die Halbleiter-Wafers, in das Rohr in "kaltem" Zustand eingebracht. Das Rohr wird verschlossen und die gewünschte Atmosphäre wird in dem Rohr erzeugt. Insbeson­ dere kann dies durch anfängliches Evakuieren und darauf folgendes Einbringen der Behandlungsatmosphäre geschehen. Danach wird eine Heizung über das Quarzrohr gebracht, und die Halbleiter-Wafers werden einer sehr gleichmäßigen Er­ hitzung ausgesetzt. Insbesondere ergibt sich eine gleich­ mäßige Temperaturverteilung, wenn in dem Verschlußstück des Quarzrohres noch ein zusätzliches Heizelement angeordnet ist, und wenn die über das Quarzrohr gebrachte Heizung am Ende auch mit einem heizbaren Isolierverschluß versehen ist.In the device according to the invention, in the following with Diffusion furnace referred to, in which the quartz tube preferred is arranged horizontally, the material, esp especially the semiconductor wafers, in the tube in "cold" Condition brought. The pipe is closed and the desired atmosphere is created in the pipe. In particular this can be done by initial evacuation and on the following introduction of the treatment atmosphere happen. Then a heater is placed over the quartz tube, and the semiconductor wafers become very uniform exposed to heat. In particular, the result is the same moderate temperature distribution if in the closure piece of the Quartz tube arranged an additional heating element  and if the heating brought over the quartz tube on Also provided with a heatable insulating closure is.

Die bevorzugten zu behandelnden Materialien sind Halb­ leiter-Wafers, wie sie z. B. bei der Herstellung von Mikro­ schaltkreisen und Chips verwendet werden, insbesondere Silizium-Wafers. Das Quarzrohr kann auch aus anderem hitze­ beständigen Material bestehen, jedoch wird hier durchgehend die Bezeichnung des bevorzugten Materials, Quarz, zur Kenn­ zeichnung der Aufnahmekammer für das Behandlungsmaterial verwendet.The preferred materials to be treated are half conductor wafers such as B. in the manufacture of micro circuits and chips are used, in particular Silicon wafers. The quartz tube can also heat from other sources resistant material exist, but here is continuous the name of the preferred material, quartz, for identification Drawing of the treatment chamber used.

Typischerweise werden die Silizium-Wafers in dem Quarzrohr bei Abscheide- bzw. Temperprozessen Temperaturen von 400 bis 800°C und bei Oxidations- bzw. Diffusionsprozessen Temperaturen von 900 bis 1300°C ausgesetzt.Typically, the silicon wafers are in the quartz tube with deposition or tempering processes temperatures of 400 up to 800 ° C and in oxidation or diffusion processes Exposed to temperatures from 900 to 1300 ° C.

Weitere bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus der Zeichnung, in derFurther preferred embodiments of the invention result itself from the drawing in which

Fig. 1 einen teilweise weggebrochenen Querschnitt durch einen erfindungsgemäßen Diffusionsofen, und Fig. 1 is a partially broken cross section through a diffusion furnace according to the invention, and

Fig. 2 eine Schnittansicht längs der Linie 2-2 in Fig. 1 mit zurückgefahrener Heizeinrichtung darstellen. Fig. 2 is a sectional view taken along line 2-2 in Fig. 1 with the heater retracted.

Gemäß Fig. 1 weist der erfindungsgemäße Diffusionsofen ein Quarzrohr 1 auf, das in ein vorzugsweise koaxiales Gaszu­ führungsrohr 9 übergeht. In dieses Quarzrohr können Halb­ leiter-Wafers 5 auf einem Paddle 15 eingebracht werden. Bei der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform ist das Paddle 15 fest mit dem Ansatz 8 eines Verschlußstücks 6 verbunden. Das Verschlußstück 6 samt Ansatz 8, Paddle 15 und Halb­ leiter-Wafers 5 kann entlang einer Linear-Verschiebungsein­ richtung, wie beispielsweise einer Schiene 2 linear ver­ schoben werden, auf der diese Einrichtungen mit Hilfe von Kugellagerbüchsen 3 geführt ist.Referring to FIG. 1, the diffusion furnace according to the invention on a quartz tube 1, into a coaxial preferably Gaszu guide tube 9 passes. In this quartz tube, semiconductor wafers 5 can be introduced on a paddle 15 . In the embodiment shown in FIG. 1, the paddle 15 is firmly connected to the shoulder 8 of a closure piece 6 . The closure piece 6 together with approach 8 , paddle 15 and semiconductor wafers 5 can be moved along a linear displacement device, such as, for example, a rail 2 , on which these devices are guided by means of ball bearing bushes 3 .

Falls die Halbleiter-Wafers 5 in dem Quarzrohr 1 abgesetzt werden sollen, können hierzu brauchbare bekannte Vorrich­ tungen verwendet werden. In diesem Falle würde der das Paddle 15 nach Absetzen eines die Halbleiter-Wafers 5 ent­ haltenden Tisches in dem Quarzrohr linear aus dem Quarzrohr herausgeführt, während ein Verschlußteil 6, welches ähnlich dem in Fig. 1 gezeigten Verschlußteil ausgebildet ist, vor das Quarzrohr geschwenkt und in dichtendem Abschluß zu dem Quarzrohr verschoben wird.If the semiconductor wafers 5 are to be deposited in the quartz tube 1 , useful known devices can be used for this purpose. In this case, the paddle 15 would be guided linearly out of the quartz tube after depositing a table containing the semiconductor wafers 5 in the quartz tube, while a closure part 6 , which is similar to the closure part shown in FIG. 1, pivoted in front of the quartz tube and is moved to the quartz tube in a sealing manner.

Eine Heizeinrichtung 4, die vorzugsweise aus mehreren Heiz­ elementen 41, 42, 43 besteht, ist linear verschiebbar an­ geordnet. Die Heizeinrichtung 4 kann mit Hilfe einer mecha­ nischen Linear-Verschiebungseinrichtung, wie beispielsweise Schienen 71 und Kugellagerrollen 72 oder auch Rädern erfol­ gen. In Fig. 1 ist die Heizeinrichtung 4 in dem Zustand dargestellt, in dem sie das Quarzrohr 1 während der Be­ handlung umgibt. Gestrichelt ist in Fig. 1 die Position der Heizeinrichtung 4 dargestellt, in der das Quarzrohr 1 sich in "kaltem" Zustand befindet und mit Wafers beladen wird. Um eine Strahlung der Heizeinrichtung 4 auf die Halbleiter- Wafers in zurückgezogenem Zustand zu verhindern, sind gemäß Fig. 2 zwei Blendenelemente 10 a und 10 b vorgesehen, die, eine Blende bildend, vor die Öffnung der Heizeinrichtung 4 in deren zurückgezogenem Zustand verschwenkt werden, die dann einen thermischen Abschluß des Heizelementes bilden. Diese Isoliersegmente 10 a und 10 b enthalten eine Ausnehmung 20 a bzw. 20 b, die im zusammengeführten Zustand das Gaszu­ führungsrohr 9 möglichst anliegend umfassen.A heater 4 , which preferably consists of several heating elements 41, 42, 43 , is arranged to be linearly displaceable. The heating device 4 can with the help of a mechanical linear displacement device, such as rails 71 and ball bearing rollers 72 or even wheels. In FIG. 1, the heating device 4 is shown in the state in which it surrounds the quartz tube 1 during the treatment . The position of the heating device 4 is shown in broken lines in FIG. 1, in which the quartz tube 1 is in the “cold” state and is loaded with wafers. To a radiation of the heating device to prevent 4 onto the semiconductor wafer in the retracted position, 2 two diaphragm elements 10 a and 10 are shown in Fig. B provided, a diaphragm are forming, pivoted in front of the opening of the heating device 4 in its retracted state, which then form a thermal closure of the heating element. These insulating segments 10 a and 10 b contain a recess 20 a and 20 b , which in the merged state comprise the gas supply pipe 9 as closely as possible.

Am hinteren Ende der Heizeinrichtung 4 ist eine Isolier­ platte 45 vorgesehen, in der ebenfalls ein weiteres Heiz­ element angeordnet ist. Auch in der Abschlußeinrichtung 4 am freien Ende des Ansatzes 8 ist ein Heizelement 46 ange­ ordnet. Mit Hilfe dieser zusätzlichen Heizelemente läßt sich eine besonders gleichförmige Temperaturverteilung in dem Quarzrohr 1 erreichen.At the rear end of the heater 4 , an insulating plate 45 is provided, in which another heating element is also arranged. Also in the termination 4 at the free end of the neck 8 , a heating element 46 is arranged. With the help of these additional heating elements, a particularly uniform temperature distribution in the quartz tube 1 can be achieved.

Auf dem Äußeren des offenen Endes des Quarzrohres 1 ist eine Metallabschlußhülse 12 angeordnet. Bei der in Fig. 1 dargestellten Ausführungsform weist diese Abschlußhülse 12 einen Andruckring 120 auf, der mit axialen Schrauben 121 gegen den festen Ring 122 gezogen wird. Ein Dichtring 13 zwischen den Ringen 120 und 122 dichtet die Metallendhülse gegenüber dem Äußeren des Quarzrohres ab. In dem äußeren Ring 122 ist ein Kühlkanal 14 vorgesehen, in dem Kühl­ flüssigkeit zirkuliert werden kann. Aus Übersichtlichkeits­ gründen in der Zeichnung nicht dargestellt sind isolierte Durchführkanäle durch den festen Ring 122, vorgesehen für Thermoelemente, Gaszufuhr und Gasabfuhr. Der feste Ring 122 ist mit einer Trennwand 30 verbunden. In der Fig. 1 befin­ det sich links von der Trennwand der Reinraum, während der Raum rechts von der Trennwand 30 keinerlei besonderen An­ forderungen an die Reinheit der Atmosphäre genügen muß.On the outside of the open end of the quartz tube 1 , a metal end sleeve 12 is arranged. In the embodiment shown in FIG. 1, this end sleeve 12 has a pressure ring 120 which is pulled against the fixed ring 122 with axial screws 121 . A sealing ring 13 between the rings 120 and 122 seals the metal end sleeve from the outside of the quartz tube. In the outer ring 122 , a cooling channel 14 is provided, in which cooling liquid can be circulated. For the sake of clarity, insulated through-channels through the fixed ring 122 are not shown in the drawing, provided for thermocouples, gas supply and gas discharge. The fixed ring 122 is connected to a partition 30 . In Fig. 1 is located to the left of the partition of the clean room, while the room to the right of the partition 30 does not have to meet any special requirements for the purity of the atmosphere.

Zwischen der Metallendhülse 12 und dem Endflansch 33 des Verschlußstückes 6 ist ein Dichtungsring 125 angeordnet.A sealing ring 125 is arranged between the metal end sleeve 12 and the end flange 33 of the closure piece 6 .

Die in das Quarzrohr 1 eingeführten Wafers 5 werden in kaltem Zustand von kontaminierter Atmosphäre weitgehend befreit, vorzugsweise durch Evakuieren über Evakuierungs­ kanäle, die durch die Metallendhülse, und insbesondere den Festring 122 verlaufen. Danach wird der Innenraum des Quarzrohrs 1 über das Gaszuführungsrohr 9 mit der Behand­ lungsatmosphäre angefüllt. Die Halbleiter-Wafers sind damit im kalten Zustand der Behandlungsatmosphäre gleichmäßig ausgesetzt. Die Segmente 10 a und 10 b werden auseinanderge­ fahren und die Heizeinrichtung 4 wird linear in axialer Richtung über das Quarzrohr 1 geschoben, wodurch die Halb­ leiter-Wafers 5 in der Behandlungsatmosphäre erhitzt werden. Dadurch kann beispielsweise in der Atmosphäre vor­ handenes Dotierungsmaterial in die Halbleiter-Wafers ein­ diffundiert werden. Der Behandlungsraum ist gleichmäßig mit dem Behandlungsmedium gefüllt, so daß alle Halbleiter- Wafers 5 derselben Behandlung ausgesetzt werden. Die Tempe­ raturverteilung ist durch die Struktur des Diffusionsofens sehr einheitlich.The wafers 5 introduced into the quartz tube 1 are largely freed of contaminated atmosphere in the cold state, preferably by evacuation via evacuation channels which run through the metal end sleeve, and in particular the fixed ring 122 . Then the interior of the quartz tube 1 is filled with the treatment atmosphere via the gas feed tube 9 . The semiconductor wafers are thus evenly exposed to the treatment atmosphere when cold. The segments 10 a and 10 b are moved apart and the heating device 4 is pushed linearly in the axial direction over the quartz tube 1 , whereby the semiconductor wafers 5 are heated in the treatment atmosphere. As a result, a doping material can be diffused into the semiconductor wafers in the atmosphere, for example. The treatment room is evenly filled with the treatment medium, so that all semiconductor wafers 5 are exposed to the same treatment. The temperature distribution is very uniform due to the structure of the diffusion furnace.

Nach der erfolgten Behandlung wird die Heizeinrichtung 4 zurückgezogen und in die in Fig. 1 gezeigte gestrichelte Stellung gebracht. Die Segmente 10 a und 10 b werden zusam­ mengeführt, wodurch der Innenraum der Heizeinrichtung 4 abgeschlossen wird. Die Halbleiter-Wafers werden abkühlen gelassen, wobei ein Reingasstrom durch das Gaszuführungs­ rohr 9 aufrechterhalten wird. Nach ausreichender Abkühlung der Halbleiter-Wafers 5 wird das Verschlußteil 6 entfernt und die behandelten Halbleiter-Wafers können entnommen werden.After the treatment has taken place, the heating device 4 is withdrawn and brought into the dashed position shown in FIG. 1. The segments 10 a and 10 b are brought together, whereby the interior of the heating device 4 is completed. The semiconductor wafers are allowed to cool, while a clean gas flow through the gas supply tube 9 is maintained. After the semiconductor wafers 5 have cooled sufficiently, the closure part 6 is removed and the treated semiconductor wafers can be removed.

Claims (17)

1. Vorrichtung zur Wärmebehandlung insbesondere von Halb­ leiter-Wafers, mit
  • a) einem Quarzrohr (1), das an seinem offenen Ende die axiale Beladung mit zu behandelndem Material er­ möglicht,
  • b) einer Einrichtung (2, 3) zum axialen Einfahren von zu behandelndem Material in das Quarzrohr (1),
  • c) einer Heizeinrichtung (4), die das Quarzrohr (1) umgebend die Aufheizung des zu behandelnden Mate­ rials (5) ermöglicht,
  • d) einer Verschlußeinrichtung (6) zum Verschließen des offenen Ende des Quarzrohres (1),
1. Device for heat treatment, in particular of semiconductor wafers, with
  • a) a quartz tube ( 1 ), which enables axial loading of the material to be treated at its open end,
  • b) a device ( 2, 3 ) for axially moving material to be treated into the quartz tube ( 1 ),
  • c) a heating device ( 4 ) which enables the quartz tube ( 1 ) to heat the material to be treated ( 5 ),
  • d) a closure device ( 6 ) for closing the open end of the quartz tube ( 1 ),
gekennzeichnet durchmarked by
  • e) eine Linear-Verschiebeeinrichtung (7), auf der die Heizeinrichtung angeordnet ist und mit deren Hilfe die Heizeinrichtung (4) axial über das Quarzrohr (1) geschoben und von diesem zurückgezogen werden kann.e) a linear displacement device ( 7 ) on which the heating device is arranged and by means of which the heating device ( 4 ) can be pushed axially over the quartz tube ( 1 ) and withdrawn from it.
2. Vorrichtung zur Wärmebehandlung insbesondere von Halb­ leiter-Wafers nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung (4) in an sich bekannter Weise eine Mehrzahl einzeln steuerbarer erster Heizelemente (41, 42, 43) aufweist.2. Device for heat treatment, in particular of semiconductor wafers according to claim 1, characterized in that the heating device ( 4 ) has a plurality of individually controllable first heating elements ( 41, 42, 43 ) in a manner known per se. 3. Vorrichtung zur Wärmebehandlung insbesondere von Halb­ leiter-Wafers nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Heizeinrichtung (4) zylindrisch zum Umfassen des Quarzrohres (1) ausgebildet ist, und stirn­ seitig ein scheibenartiges Isolierelement (45) mit einem elektrischen zweiten Heizelement aufweist.3. A device for heat treatment, in particular of semi-conductor wafers according to claim 1 or 2, characterized in that the heating device ( 4 ) is cylindrical to include the quartz tube ( 1 ), and a disc-like insulating element ( 45 ) with an electrical end face second heating element. 4. Vorrichtung zur Wärmebehandlung insbesondere von Halb­ leiter-Wafers nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Verschlußeinrichtung (6) einen im Betriebszustand in das Quarzrohr (1) ragenden Ansatz (8) aufweist, der an seinem freien Ende ein drittes Heizelement (46) aufweist.4. A device for heat treatment, in particular of semi-conductor wafers according to one of claims 1 to 3, characterized in that the closure device ( 6 ) has an in the operating state in the quartz tube ( 1 ) projecting approach ( 8 ) at its free end has a third heating element ( 46 ). 5. Vorrichtung zur Wärmebehandlung insbesondere von Halb­ leiter-Wafers nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Quarzrohr (1) mit zumindest einem länglichen Gaszuführungsrohr (9) kommuniziert.5. A device for heat treatment, in particular of semi-conductor wafers according to one of claims 1 to 4, characterized in that the quartz tube ( 1 ) communicates with at least one elongated gas supply tube ( 9 ). 6. Vorrichtung zur Wärmebehandlung insbesondere von Halb­ leiter-Wafers nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekenn­ zeichnet durch eine Strahlungsabschirmblende (10), die beweglich derart angeordnet ist, daß sie vor das offene Ende der von dem Quarzrohr (1) zurückgezogenen Heizein­ richtung (4) unter Ausbildung einer thermischen Abschir­ mung des inneren der Heizeinrichtung (4) bewegt werden kann.6. A device for heat treatment, in particular of semi-conductor wafers according to one of claims 1 to 5, characterized marked by a radiation shielding aperture ( 10 ) which is movably arranged such that it retracts in front of the open end of the heater ( 1 ) retracted from the quartz tube ( 1 ) ( 4 ) with the formation of a thermal shield of the interior of the heating device ( 4 ) can be moved. 7. Vorrichtung zur Wärmebehandlung insbesondere von Halb­ leiter-Wafers nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Strahlungsabschirmblende (10) zumindest zwei Segmente (10 a, 10 b) aufweist, die beweglich derart an­ geordnet sind, daß sie von der Rohrachse weg und zu dieser hin bewegt werden können.7. A device for heat treatment, in particular of semi-conductor wafers according to claim 6, characterized in that the radiation shielding aperture ( 10 ) has at least two segments ( 10 a , 10 b) which are arranged in such a way that they move away from the tube axis and can be moved towards this. 8. Vorrichtung zur Wärmebehandlung insbesondere von Halb­ leiter-Wafers nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Äußeren des offenen Endes des Quarzrohres (1) eine Metallendhülse (12) über einen Dichtring (13) verbunden ist, die einen Kühlflüs­ sigkeitskanal (14) aufweist.8. Apparatus for heat treatment, in particular of semi-conductor wafers according to one of the preceding claims, characterized in that with the exterior of the open end of the quartz tube ( 1 ) a metal end sleeve ( 12 ) is connected via a sealing ring ( 13 ), which has a cooling liquid channel ( 14 ). 9. Vorrichtung zur Wärmebehandlung insbesondere von Halb­ leiter-Wafers nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallendhülse (12) mit zumindest einer gas­ dichten Durchführung versehen ist.9. A device for heat treatment, in particular of semi-conductor wafers according to claim 8, characterized in that the metal end sleeve ( 12 ) is provided with at least one gas-tight implementation. 10. Vorrichtung zur Wärmebehandlung insbesondere von Halb­ leiter-Wafers nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine Gasabsaugeinrichtung mit einer gasdichten Durchführung durch die Metallendhülse (12) verbunden ist.10. A device for heat treatment, in particular of semi-conductor wafers according to one of claims 8 or 9, characterized in that a gas extraction device is connected to a gas-tight passage through the metal end sleeve ( 12 ). 11. Vorrichtung zur Wärmebehandlung insbesondere von Halb­ leiter-Wafers nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest der Teil des Innenbereichs der Metallendhülse (12), der der Atmosphäre des Inneren des Quarzrohres (1) ausgesetzt ist, mit einem tempe­ ratur- und chemikalienbeständigen Kunststoff überzogen ist.11. A device for heat treatment, in particular of semi-conductor wafers according to one of claims 8 to 10, characterized in that at least the part of the inner region of the metal end sleeve ( 12 ) which is exposed to the atmosphere of the interior of the quartz tube ( 1 ) with a tempe ratur- and chemical-resistant plastic is coated. 12. Vorrichtung zur Wärmebehandlung insbesondere von Halb­ leiter-Wafers nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlflüssigkeitskanal (14) in der Metallendhülse (12) über den gesamten Umfang der Metallendhülse verläuft.12. A device for heat treatment, in particular of semi-conductor wafers according to one of claims 8 to 11, characterized in that the cooling liquid channel ( 14 ) in the metal end sleeve ( 12 ) extends over the entire circumference of the metal end sleeve. 13. Verfahren zur Behandlung von Halbleiter-Wafers, dadurch gekennzeichnet, daß
  • a) Halbleiter-Wafers mit einem Durchmesser von 120 mm oder mehr in ein unbeheiztes Quarzrohr eingebracht werden,
  • b) schädliche Atmosphäre um die Halbleiter-Wafers zumin­ dest teilweise aus dem Quarzrohr entfernt wird,
  • c) die Halbleiter-Wafers dann der Behandlungsatmosphäre ausgesetzt werden,
  • d) ein erhitzter Ofen über das Quarzrohr bewegt wird, die Halbleiter-Wafers erhitzt und der Behandlungs­ prozeß dadurch in Gang gesetzt wird.
13. A method for treating semiconductor wafers, characterized in that
  • a) semiconductor wafers with a diameter of 120 mm or more are introduced into an unheated quartz tube,
  • b) harmful atmosphere around the semiconductor wafers is at least partially removed from the quartz tube,
  • c) the semiconductor wafers are then exposed to the treatment atmosphere,
  • d) a heated furnace is moved over the quartz tube, the semiconductor wafers are heated and the treatment process is thereby started.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die schädliche Atmosphäre durch Evakuieren des Inneren des Quarzrohres entfernt wird.14. The method according to claim 13, characterized in that the harmful atmosphere by evacuating the inside the quartz tube is removed. 15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeich­ net, daß die Halbleiter-Wafers im Behandlungsprozeß einer Dotiermaterial enthaltenden und/oder Oxidations­ mittel enthaltenden Atmosphäre ausgesetzt werden.15. The method according to claim 13 or 14, characterized in net that the semiconductor wafers in the treatment process a dopant containing and / or oxidation exposed medium. 16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Wafers in dem Behandlungsprozeß auf eine Behandlungstemperatur von 900 bis 1300°C erhitzt werden.16. The method according to claim 15, characterized in that the semiconductor wafers in the treatment process to one Treatment temperature of 900 to 1300 ° C to be heated.
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