DE69219750T2

DE69219750T2 - Magnetoresistiver Fühler für schwache Magnetfelder

Info

Publication number: DE69219750T2
Application number: DE69219750T
Authority: DE
Inventors: Alain Schuhl; Stephane Tyc
Original assignee: Thomson CSF SA
Current assignee: Thales SA
Priority date: 1991-12-23
Filing date: 1992-12-15
Publication date: 1997-09-04
Anticipated expiration: 2012-12-16
Also published as: JPH06181349A; JP3295152B2; FR2685489A1; FR2685489B1; DE69219750D1; EP0550306B1; US5313186A; EP0550306A1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen magnetoresistiven Fühler für schwache Magnetfelder und insbesondere auf die Struktur der diesen bildenden Materialschichten.
Als magnetoresistiven Fühler bezeichnet man einen Fühler, der die Resistivitätsänderung von wenigstens einem diesen bildenden Material in Abhängigkeit von der Änderung eines Magnetfeldes nutzt. Ein schwaches Magnetfeld ist beispielsweise das von dem Band einer Magnetaufnahme ausgestrahlte Feld.
Es sind unterschiedliche Typen von magnetoresistiven Fühlern bekannt, die in Systemen zum Lesen von magnetischer Aufzeichnung, wie auf Bändern, Trommeln und Disketten eingesetzt werden. Diese Fühler weisen einen monolithischen Teil, einen Block aus einer ferromagnetischen Legierung mit hoher Magnetoresistenz auf, der in dem Magnetkreis eines Lesekopfes angeordnet ist, welcher die Änderungen des elektrischen Widerstandes des magnetoresistiven Fühlers im Verlaufe des Abspielens einer Aufnahme wiedergibt. Die derzeit am häufigsten verwendeten Legierungen sind ferromagnetische Legierungen auf der Grundlage von Nickel, wie beispielsweise NiCo, NiFe (Permalloy) mit hoher Magnetoresistenz, die jedoch bei Umgebungstemperatur eine relative Widerstandsänderung von nur einigen Prozent liefern.
Vor kurzem sind empfindlichere Fühler entwickelt worden; sie nutzen eine Erscheinung, die unter dem Namen "immense Magnetoresistenz" bekannt ist und auftritt, wenn das empfindliche Element des Fühlers von einer abwechselnd aus magnetischen und nichtmagnetischen Metallen bestehenden Vielfachschicht gebildet ist. In dieser Vielfachschicht sind die Magnetschichten bei Nichtvorhandensein eines Magnetfeldes vom ferromagnetischen (parallelen) Typ oder unter Einwirkung eines Magnetfeldes vom antiferromagnetischen (antiparallelen) Typ gekoppelt, und der Übergang von einem Zustand in den anderen erfolgt über einen geringen Feldbereich. Der Nachteil dieser Vielfachschichtfühler besteht in dem zu hohen Wert des für das "Umkehren" erforderlichen Magnetfeldes, um die Magnetisierungen der Schichten vom parallelen Zustand in den antiparallelen Zustand überzuführen. Ein starkes Magnetfeld ist erforderlich, wenn die Schichten gleichmäßige Dicken aufweisen und miteinander gekoppelt sind. Die "Umkehren"-Energie ist gleich der Summe der Energien zur Kopplung einer Schicht mit den beiden benachbarten Schichten. Ein Ausführungsbeispiel einer derartigen Vorrichtung ist in der europäischen Patentanmeldung Nº 0 406 060 A1 zu finden.
Die Erfindung schlägt einen eine Vielfachschichtstruktur aufweisenden magnetoresistiven Fühler für schwache Magnetfelder vor, bei dem die Umkehrenergie gering und zum Messen eines schwachen Magnetfeldes geeignet ist. Ein erfindungsgemäßer Fühler enthält wenigstens eine Zelle, in der zwei Schichten aus nichtmagnetischen Materialien regelmäßig mit drei Schichten aus magnetischen Materialien abwechseln. Die Dicken der zwei nichtmagnetischen Schichten sind unterschiedlich und derart, daß die mittlere magnetische Schicht mit einer ersten benachbarten magnetischen Schicht antiferromagnetisch und mit einer zweiten benachbarten magnetischen Schicht aufferromagnetische Weise gekoppelt ist; unabhängig von der Ausrichtung der Magnetisierung der mittleren Schicht ist eine der beiden Kopplungen frustriert, d.h. sie entspricht nicht dem, was sie bei Nichtvorhandensein anderer magnetischer Kopplungen und Wechselwirkungen sein sollte.
Genauer gesagt betrifft die Erfindung einen magnetoresistiven Fühler für schwache Magnetfelder mti einer metallischen Vielfachschicht aus wenigstens drei Schichten aus magnetischen Materialien, die sich mit zwei Schichten aus nichtmagnetischen Materialien abwechseln, wobei dieser Fühler dadurch gekennzeichnet ist, daß die Dicke der ersten nichtmagnetischen Schicht so gewählt ist, daß sich zwischen der ersten und der zweiten magnetischen Schicht eine antiferromagnetische Kopplung ergibt, und daß die Dicke der zweiten nichtmagnetischen Schicht so gewählt ist, daß sich zwischen der zweiten und der dritten magnetischen Schicht eine ferromagnetische Kopplung ergibt, wobei die Magnetisierungen der ersten und der dritten magnetischen Schicht in einer ferromagnetischen Konfiguration blockiert sind, was unabhängig von dem von diesem Fühler gemessenen magnetischen Feld eine Frustrationserscheinung der Kopplungen erzeugt.
Die Erfindung wird anhand der nun folgenden Beschreibung eines Anwendungsbeispieles in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen besser verständlich, hierin zeigen:
- die Figuren 1 und 2: eine Vielfachschichtstruktur mit immenser Magnetoresistenz, welche den antiferromagnetischen Kopplungstyp (Figur 1) und den ferromagnetischen Kopplungstyp (Figur 2) zeigt,
- Figur 3: eine Kurve, welche die Änderung der Magnetoresistenz in Abhängigkeit vom Magnetfeld zeigt,
- Figur 4: eine Kurve, welche die Änderung der Magnetoresistenz in Abhängigkeit von der Dicke nichtmagnetischer Materialien zeigt,
- die Figuren 5 und 6: zwei erfindungsgemäße magnetoresistive Vielfachschichtstrukturen in einer Elementarzelle (Figur 5) und im Netz (Figur 6).
In Figur 1 ist ein Teil einer Vielfachschicht mit immenser Magnetoresistenz dargestellt; diese Struktur ist an sich bekannt, sie bildet jedoch die Grundlage des erfindungsgemäßen Fühlers. Auf einem starren Substrat - das nicht dargestellt ist - wird beispielsweise mittels Kathodenzerstäubung eine einkristalline Vielfachschichtstruktur gebildet, die durch abwechselndes Aufeinandersetzen von Schichten aus einem magnetischen Material 1, 3, 5 und Schichten aus einem nichtmagnetischen Material 2, 4 erhalten wird.
Die am häufigsten verwendeten nichtmagnetischen Materialien sind Cu, Ag, Au, Mn, Cr, Va, Ti. Die magnetischen Materialien sind vor allem Fe, Ni, Co, und die gängigsten Paare sind Fe/Cr, Co/Au, Fe/Cu, obwohl Paare seltener Erden, wie zum Beipsiel Gd/Y, Gd/Dy, Dy/Y, Y/Er etc. ebenfalls angegeben werden.
Die Dicken der Schichten 1 bis 5 sind - bis auf die Niederschlagsgenauigkeit - gleichmäßig und liegen in einem Bereich von 5 bis 100 Ångström, so daß die Schichten 1, 3, 5 aus magnetischem Material bei Nichtvorhandensein eines Magnetfeldes eine Kopplung vom antiferromagnetischen Typ aufweisen. Dieser Kopplungstyp ist in Figur 1 durch die drei symbolischen Pfeile 6, 7, 8 dargestellt; wenn die Magnetisierung der magnetischen Schicht 1 bei Nichtvorhandensein eines äußeren Magnetfeldes in der Figur beispielsweise nach rechts gerichtet ist (Pfeil 6), so ist die Magnetisierung der benachbarten Schicht 3 - da die nichtmagnetische Schicht 2 nicht magnetisiert ist - nach links gerichtet (Pfeil 7), also antiparallel, und die Magnetisierung der magnetischen Schicht 5 ist wiederum nach rechts gerichtet (Pfeil 8), also erneut antiparallel zu der vorhergehenden. Die Magnetisierungszustände in den magnetischen Schichten 1, 3, 5 befinden sich, bei Nichtvorhandensein eines Feldes in einer antiparallelen Anordnung.
Unter Einwirkung eines zu den magnetischen Schichten 1, 3, 5 parallel verlaufenden Magnetfeldes geht der antiparallele Anordnungszustand (antiferromagnetische Kopplung) der Figur 1 in den in Figur 2 dargestellten parallelen Anordnungszustand (ferromagnetische Kopplung) über, in welchem die Magnetisierungszustände alle dieselbe Ausrichtung haben. Der Übergang von einem antiparallelen Anordnungszustand in einen parallelen Anordnungszustand erfolgt in einem Bereich mit schwachem Magnetfeld.
Der elektrische Widerstand einer Vielfachschichtstruktur variiert entsprechend dem Anordnungszustand. Die den Strom fördernden Elektronen haben einen Spin, der zwei Werte aufweisen kann, und zwar + 1/2 oder - 1/2, und der der Drehrichtung eines Elektrons um seine Achse entspricht. Um die Erklärungen zu vereinfachen wollen wir diese beiden Elektronentypen als "hohe" Elektronen und "niedrige" Elektronen bezeichnen. In einer Vielfachschicht in antiparallelem Zustand (Figur 1) diffundieren die "hohen" Elektronen an den Grenzflächen der Schichten, die einen Zustand "hoher" Magentisierung (Pfeile 6, 8) haben, und die "niedrigen" Elektronen diffundieren an den Grenzflächen der Schichten, welche einen Zustand "niedriger" Magnetisierung (Pfeil 7) haben; alle magnetischen Schichten 1, 3, 5 weisen beim Durchgang des Stromes den gleichen Widerstand mit "hohem" Wert auf, und der Widerstand der Vielfachschicht ist hoch. In einer Vielfachschicht in parallelem Zustand (Figur 2) hingegen, diffundieren die "hohen" Elektronen an den "hohen" Schichten, die "niedrigen" Elektronen diffundieren jedoch an keiner Schicht (oder umgekehrt). Infolgedessen führen die "niedrigen" Elektronen einen geringen Widerstand der Vielfachschicht zu. Es handelt sich hierbei um die immense Magnetoresistenz, die lediglich bei gewissen Spezifizitäten der Vielschichtstruktur und der Art der Materialien immens ist, so daß die Widerstandsänderung bei Magnetfeldänderung in einem begrenzten Bereich als magnetoresistiver Fühler verwendet werden kann.
Figur 3 zeigt die Änderung des Verhältnisses Widerstand unter Einwirkung eines Feldes/Widerstand bei nicht Nichtvorhandensein eines Feldes R/RH = 0 in Abhängigkeit vom Magnetfeld für drei Vielfachschichtstrukturen Fe/Cr, die unterschiedliche Chromdicken aufweisen. Es ist ersichtlich, daß in diesem System die Magnetoresistenz R/RH = 0 etwa im Verhältnis 1 zu 0,5 variieren kann, daß man jedoch diese Änderung zum Preis eines großen magnetischen Umkehrfeldes Hs, in diesem Beispiel von 20 Kilogauss (1G = 10&supmin;&sup4;T) erhält.
Hierin liegt nun der hauptsächliche Nachteil dieser Fühler; der zu hohe Wert des magnetischen Sättigungsfeldes Hs, welches für den Erhalt der parallelen/antiparallelen Umkehr erforderlich ist, relativiert den Vorteil, den die immense Magnetoresistenz darstellt. Um Hs zu vermindern, kann die Kraft der Kopplung durch Vergrößerung des Abstandes zwischen den Schichten verringert werden, die Magnetoresistenz vermindert sich jedoch sehr schnell, da das Volumen des die Elektrizität leitenden Metalls vergrößert wird, ohne die Anzahl von Grenzflächen, an denen die Elektronen diffundieren zu erhöhen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe eines magnetoresistiven Fühlers zugrunde, der bei einem sehr schwachen Magnetfeld funktioniert und der eine Haupteigenschaft von gewissen metallischen Vielfachschichten, d.h. die Frustration der magnetischen Kopplungen zwischen Schichten nutzt. Dies ermöglicht es, die Sättigungs felder Hs dieser Fühler zu vermindern.
Es ist seit sehr kurzer Zeit bekannt, daß die Magnetoresistenz einer metallischen Vielfachschichtstruktur in Abhängigkeit von der Dicke der Schichten aus nichtmagnetischem Material eine Schwingungserscheinung erfährt, zumindest bei einigen Materialkopplungen. Genauer gesagt ist die Art der ferromagnetischen oder antiferromagnetischen Kopplung zwischen den aufeinanderfolgenden magnetischen Schichten von der diese trennenden Dicke aus nichtmagnetischem Material abhängig (siehe Dokument Applied Physic letters; Band 58, Nº 20, 20. Mai 1991, Seiten 2306- 2308).
Figur 4 zeigt zwei Beispiele dieses Schwingungstyps der Magnetoresistenz MR für zwei Systeme aus den Materialien Co/Cu und Fe/Cu, in Abhängigkeit von der in Ängström ausgedrückten Dicke tCu der Kupferschichten, wobei die besagten Schichten in der Vielfachschicht eine regelmäßige Dicke aufweisen. Die Magnetisierungen befinden sich in einer antiparallelen Konfiguration (antiferromagnetische Kopplung) mit sehr geringen Kupferdicken (unter 10Å bei Co/Cu und unter 15Å bei Fe/Cu), anschließend nehmen sie eine parallele Konfiguration (ferromagnetische Kopplung) ein, wenn die Kupferdicke zunimmt. Wird die Kupferdicke weiter vergrößert (auf über 15Å bzw. 20Å), so befindet sich das System erneut in einer antiparallelen Konfiguration und so weiter.
Diese Schwingungserscheinung bei der Art der magnetischen Kopplung zwischen Schichten wird bei dem Fühler der Erfindung genutzt, um die Verankerung zwischen magnetischen Schichten zu vermindern, ohne die Magnetoresistenz zu verringern. In Figur 5 ist eine Elementarzelle dieses magnetoresistiven Fühlers dargestellt.
Die Struktur dieser Zelle hat mit derjenigen der Figur 1 gemein, daß sie eine metallische Vielfachschicht ist, welche aus drei magnetischen Schichten 9, 11 und 13 besteht, die sich mit zwei nichtmagnetischen Schichten 10 und 12 abwechseln. Das Substrat, welches diese Vielfachschicht trägt, ist sowohl hier, als auch in der folgenden Figur nicht dargestellt. Die bevorzugten magnetischen Materialien (9, 11, 13) sind Eisen, Kobalt, Nickel, und die bevorzugten nichtmagnetischen Materialien (10, 12) sind Kupfer, Silber, Gold, Mangan, Chrom, Vanadium oder Titan.
Ein erstes Merkmal des erfindungsgemäßen Fühlers besteht in der Anordnung der Wechselwirkungen, welche die unterschiedlichen magnetischen Schichten miteinander koppeln; es wird eine Kopplungsfrustration erzeugt, um die Sättigungsfelder und infolgedessen die Umkehrenergien zu verringern. Um dies zu realisieren, wird die Dicke e1 einer ersten Schicht aus nichtmagnetischem Material, z.B. die Schicht 10, festgelegt, damit die zweite magnetische, mittlere Schicht der Zelle, d.h. die Schicht 11, eine antiferromagnetische Kopplung mit der ersten magnetischen Schicht 9 aufweist. Gleichzeitig wird die Dicke e2 der zweiten Schicht aus nichtmagnetischem Material, in diesem Fall die Schicht 12, festgelegt, damit die gleiche zweite magnetische Schicht 11 eine ferromagnetische Kopplung mit der dritten magnetischen Schicht 13 aufweist, wobei diese Kopplung etwas schwächer ist als die vorhergehende antiferromagnetische Kopplung. Des weiteren sind jedoch die Materialien der ersten und dritten magnetischen Schicht 9 und 13 wegen ihres starken Koerzitivfeldes so gewählt, daß die Magentisierungen (Pfeile 6 und 8) dieser beiden Schichten in einer ferromagnetischen Konfiguration blockiert sind. Somit ist eine der beiden Kopplungen, da die Magnetisierungen der Schichten 9 und 13 blockiert sind, und da die Art der Kopplungen zwischen den drei magnetischen Schichten durch die Dicken e&sub1; und e&sub2; der beiden nichtmagnetischen Schichten gesteuert wird, unabhängig von der Ausrichtung der Magnetisierung stets frustriert.
In dem dargestellten Fall betrifft die Frustration die Kopplung 11-13, weil sie etwas schwächer als die Kopplung 9-11 gewählt worden ist, die Wahl der Dicken e&sub1; und e&sub2; sowie der Materialien kann jedoch zu einer umgekehrten Situation führen.
Ein zweites Merkmal des erfindungsgemäßen Fühlers bezieht sich auf die Wahl der magnetischen Materialien. Ein System wie beispielsweise Fe/Cu, bei dem ein erstes magnetisches Material regelmäßig mit einem zweiten nichtmagnetischem Material abgewechselt wird, gehört zum Gebiet der Erfindung, wenn es die Dicken e&sub1; e&sub2; einhält, die zu einer Frustration bei einer der beiden Kopplungen zwischen magnetischen Schichten 9/11 und 13/11 führen.
Dennoch ist es erfindungsgemäß vorzuziehen, zwei unterschiedliche magnetische Materialien zu wählen. Auf der Ebene einer Elementarzelle, wie diejenige, welche in Figur 5 dargestellt ist:
- sind die erste und die dritte magnetische Schicht 9 und 13 aus "harten" magnetischen Materialien, d.h. mit starkem Koerzitivfeld. Bei normalem Betrieb des Fühlers ist das zu erfassende Magnetfeld zu schwach, um die Magnetisierungen dieser beiden Schichten, welche in ferromagnetischer Konfiguration blockiert sind, umzukehren. Dies ist beispielsweise Kobalt.
- ist die zweite, in der Mitte der Zelle gelegene magnetische Schicht 11 vorzugsweise aus "weichem" magnetischem Material mit schwachem Sättigungsfeld, also mit schwacher Umkehrenergie. Dies ist beispielsweise Eisen.
Die immense Magnetoresistenz tritt auf, wenn die Magnetisierung der mittleren Schicht 11 von der antiparallelen Position (Antiferromagnetismus) in die parallele Position (Ferromagnetismus) wandert. Das für diese Umstellung erforderliche Feld wird durch die Energiedifferenz zwischen den beiden Positionen bestimmt, die - aufgrund der Frustration einer Kopplung - gleich der Differenz zwischen den der antiferromagnetischen bzw. ferromagnetischen Kopplung entsprechenden Energien Eaf und Ef ist; die Folge hiervon ist eine große Magnetoresistenz mit sehr schwachem Magnetfeld, d.h., daß der erfindungsgemäße Fühler für schwache Felder empfindlich ist. Im Gegensatz hierzu ist bei den bekannten Fühlern, welche die Kopplungsfrustration nicht nutzen, die Umkehrenergie gleich der Summe der Energien Eaf und Ef, und diese Fühler sind weniger empfindlich.
Die Figur 5 ist einer Elementarzelle gewidmet. Ein magnetoresistiver Fühler weist in der Tat eine große Anzahl ähnlicher Zellen auf, am häufigsten werden die Beispiele von 30, 40 oder 60 Schichten genannt, und aus diesem Grund zeigt Figur 6 nur einen Bereich eines erfindungsgemäßen Fühlers, dessen Substrat nicht dargestellt ist.
In diesem allgemeineren Fall einer großen Anzahl von Schichten, ist ein Fühler durch Aufeinanderschichten von mit A, B... bezeichneten Zellen gebildet, in welchen die dritte magnetische Schicht (13, 23) einer Zelle die erste magnetische Schicht der folgenden Zelle bildet. Die Folge der Aufeinanderschichtung der unterschiedlichen Schichten aus nichtmagnetischen Materialien kann derart sein, daß Dicken eine Folge vom Typ e&sub1; e&sub2; e&sub1; e&sub2; e&sub1; etc. oder eine Folge vom Typ e&sub1; e&sub2; e&sub2; e&sub1; e&sub2; etc. bilden, es darf hier jedoch keine Nachbarschaft zwischen zwei Schichten mit der Dicke e&sub1; vorliegen, da die entsprechende magnetische Schicht (11, 21) aus "weichem" Material nicht frustriert und der Fühler hier somit an Empfindlichkeit verlieren würde. Die Varianten hinsichtlich der Reihenfolge der Dicken e&sub1; und e&sub2; hat keine Änderung bei der Reihenfolge der Aufeinanderschichtung der Schichten aus "harten" (9, 13, 23) und "weichen" (11, 21) magnetischen Materialien zur Folge.
Allgemeiner gesagt entspricht der erfindungsgemäße magnetoresistive Fühler einem Dreifachwechsel:
- Schichten aus magnetischen Materialien werden mit Schichten aus nichtmagnetischen Materialien abgewechselt,
- unter den magnetischen Schichten werden die Materialien vom Typ "hart" mit starkem Koerzitivfeld mit den Materialien vom Typ "weich" mit schwachem Sättigungsfeld abgewechselt,
- unter den nichtmagnetischen Schichten ändern sich die Dicken derat, daß die Kopplungen zwischen magnetischen Schichten abwechselnd vom ferromagnetischen und vom antiferromagnetischen Typ sind.
Der erfindungsgemäße magnetoresistive Fühler wird insbesondere zum Lesen der magnetischen Aufzeichnungen verwendet.

Claims

1. Magnetoresistiver Fühler für schwache Magnetfelder mit einer metallischen Vielfachschicht aus wenigstens drei Schichten (9, 11, 13) aus magnetischen Materialien, die sich mit zwei Schichten (10, 12) aus nichtmagnetischen Materialien abwechseln, wobei der Fühler dadurch gekennzeichnet ist, daß die Dicke (e&sub1;) der ersten nichtmagnetischen Schicht (10) so gewählt ist, daß sich zwischen der ersten (9) und der zweiten (11) magnetischen Schicht eine antiferromagnetische Kopplung ergibt, und daß die Dicke (e&sub2;) der zweiten nichtmagnetischen Schicht (12) so gewählt ist, daß sich zwischen der zweiten (11) und der dritten (13) magnetischen Schicht eine ferromagnetische Kopplung ergibt, wobei die Magnetisierungen der ersten (9) und dritten (13) magnetischen Schicht in einer ferromagnetischen Konfiguration blockiert ist, was unabhängig von dem von dem Fühler gemessenen magnetischen Feld eine Frustrationserscheinung der Kopplungen erzeugt.

2. Magnetoresistiver Fühler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetschichten (9, 11, 13) in der metallischen Vielfachschicht aus Materialien bestehen, die abwechselnd vom Typ "hart" mit starkem Koerzitivfeld (9, 13) und vom Typ "weich" mit schwachem Sättigungsfeld (11) sind.

3. Magnetoresistiver Fühler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetisierung der magnetischen Schichten (9, 13) vom Typ "hart" durch ihr starkes Koerzitivfeld blockiert ist.

4. Magnetoresistiver Fühler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetischen Schichten (11) vom Typ "weich" diejenigen sind, deren magnetische Kopplung wegen der Dicken (e&sub1;, e&sub2;) der benachbarten nichtmagnetischen Schichten (10, 12) frustriert ist.

5. Magnetoresistiver Fühler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die "harten" magnetischen Materialien aus Co, Ni ausgewählt sind, das "weiche" magnetische Material Fe ist und die nichtmagnetischen Materialien aus Cu, Ag, Au, Mn, Cr, Va, Ti ausgewählt sind.

6. Magnetoresistiver Fühler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er einen Dreifachwechsel aufweist:

- magnetische Materialien (9, 11, 13, 21, 33) und nichtmagnetische Materialien (10, 12, 20, 22);

- magnetische Materialien vom Typ "hart" (9, 13, 23) und "weich" (11, 21);

- nichtmagnetische Materialien mit den Dicken (e&sub1;, e&sub2;), die so gewählt sind, daß die Kopplungen der Schichten der "weichen" Materialien (11, 21) bei einer antiferromagnetisch und bei der anderen ferromagnetisch sind.