FI110311B - Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista - Google Patents
Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista Download PDFInfo
- Publication number
- FI110311B FI110311B FI991628A FI991628A FI110311B FI 110311 B FI110311 B FI 110311B FI 991628 A FI991628 A FI 991628A FI 991628 A FI991628 A FI 991628A FI 110311 B FI110311 B FI 110311B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- reaction
- gas phase
- gases
- surface area
- gas
- Prior art date
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 title claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 53
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 8
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 claims 2
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 description 13
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 10
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 10
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- JTJMJGYZQZDUJJ-UHFFFAOYSA-N phencyclidine Chemical class C1CCCCN1C1(C=2C=CC=CC=2)CCCCC1 JTJMJGYZQZDUJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002910 solid waste Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
110311
Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista
Keksintö koskee kaasujen sisältämien aineiden poistamista kaasuista, kuten pienellä paineella virtaavista kaasuista. Keksintö koskee erityisesti menetelmää ja laitteistoa kaasussa 5 olevien reagoimatta jääneiden reaktioaineiden ja höyrymäisten lähdeaineiden poistamiseksi kaasuista, jotka on poistettu kaasufaasireaktoreista.
ALD-menetelmässä (Atomic Layer Chemical Vapour Deposition) substraatti sijoitetaan tyypillisesti reaktiotilaan, jossa se altistetaan vuorotellen toistuvasti ainakin kahden 10 eri reagoivan aineen pintareaktioille. Menetelmän mukaisesti reagoivat aineet päästetään toistuvasti ja vuorotellen kukin reagoiva aine kerrallaan omasta lähteestään kaasu-faasipulsseina reaktiotilaan. Täällä kaasufaasireaktioaineiden annetaan reagoida sub-straattipintojen kanssa siinä tarkoituksessa, että saadaan muodostetuksi kiinteän olomuodon ohutkalvo substraatin pinnalle.
15
Vaikka menetelmä soveltuu parhaiten niin kutsuttujen yhdisteohutkalvojen tuottamiseen käyttämällä reagoivina aineina sellaisia lähtöaineita, jotka sisältävät halutun yhdisteohut-kalvon alkuainekomponentteja, sitä voidaan soveltaa myös alkuaineohutkalvojen kasvattamiseksi. Yhdistekalvoista, joita käytetään tyypillisesti, voidaan viitata ZnS-kalvoihin, . : : 20 joita käytetään elektroluminenssinäytöissä, joissa tällaiset kalvot kasvatetaan lasisubst- • / · j raatille käyttämällä kasvatusprosessissa reagoivina aineina sinkkisulfidia ja rikkivetyä.
. *.: Alkuaineohutkalvoista puheen olleen voidaan viitata piiohutkalvoihin.
v ‘ ALD-laitteisto käsittää raktiotilan, johon substraatti voidaan sijoittaa, ja ainakin kak- ' · ‘ ' 25 si reaktioaineiden lähdettä, joista ohutkalvon kasvatuksessa käytettävät reagoivat aineet voidaan syöttää kaasufaasipulssien muodossa reaktiotilaan. Lähteet kytketään reaktioti- * · · ‘ · · · * laan reagoiville aineille tarkoitettujen sisäänvirtauskanavien avulla ja ulosvirtauskanavilla * ;· ’ (pumppauslinja), jotka yhdistetään pumppuun ja kytketään reaktiotilaan kaasumaisten •" · reaktiotuotteiden poistamiseksi ohutkalvon kasvatusprosessista sekä kaasufaasin ylimää- * * 30 räisten reaktioaineiden poistamiseksi.
110311 2 Jäte, so. reaktiotilasta poistetut ja purkautuneet reagoimattomat reaktioaineet, on vakava ongelma ALD-prosessoinnin kannalta. Jätteen joutuminen pumppauslinjaan ja pumppuun aiheuttaa aikaavievän puhdistuksen tarpeen, ja pumppu voi pahimmassa tapauksessa kulua nopeasti loppuun.
5
Kaasujen suodattaminen ja/tai saaminen kosketuksiin absorboimisaineiden kanssa auttaa jonkin verran, mutta kumpikin näistä menetelmistä on osoittautunut epätyydyttäväksi pitemmän ajan kuluessa. Kalliiden lämmitettyjen pumppauslinjojen rakentaminen jätteen poistamiseksi pumpun kautta ei auta, koska ongelmallinen jäte ei käsitä liiallisia määriä 10 erillisiä lähdeaineita kuten vettä, titaanikloridia tai alumiinikloridia, jotka voidaan pumpata helposti erillisinä aineina. Ongelma syntyy, kun materiaalit reagoivat ja muodostavat sivutuotteita, joilla on pienempi höyrypaine pumppauslinjan sisässä. Ongelma ilmenee erityisesti, kun reaktioaineet reagoivat toistensa kanssa lämpötiloissa, jotka ovat alempia kuin prosessilämpötila, jolloin tuloksena syntyy ei-toivottuja reaktioita. Tällaisissa läm-15 pötiloissa voi muodostua oksiklorideja sivutuotteena. Nämä sivutuotteet muodostavat suuren tilavuuden omaavia jauheita. Tämän kaltaisia reaktioita tapahtuu tyypillisesti pumppauslinjan sisässä reaktiovyöhykkeen ja sitä kylmempien pumppauslinjan osien välissä. Toinen ongelma esiintyy silloin, kun lähdeaineet, jolla on suuri höyrynpaine huoneenlämpötilassa, saavuttavat pumpun peräkkäisjäijestyksessä ja lämpötiloissa, jotka . V: 20 soveltuvat kalvon kasvuun. Tämä voi aiheuttaa kalvon kasvua pumpun pintoihin. Muo- dostuneet kalvot voivat olla erittäin hiovia. Tämä on ongelma erityisesti silloin, kun käy-: tössä ovat lämmitetyt pumppauslinjat ja kuumat kuivapumput. Tämä aiheuttaa kapeiden ’:' ‘; toleranssivälien täyttymisen, jolloin osat koskettavat toisiaan aiheuttaen pumppurikon.
•. · Kolmantena ongelmana ovat reaktiot edeltävän reaktiokomponentin kondensoituneen . * : 25 osan ja seuraavan pulssin höyryn välillä pumppauslinjassa. Tämä aiheuttaa CVD- tyyppistä kalvon kasvua ja runsasta jauheen muodostumista.
• · · •; · * Kuten edellä on mainittu, erilaisia ratkaisuja, jotka perustuvat reaktiojätteen suodatukseen • ” · ja/tai kemialliseen käsittelyyn, on kokeiltu vuosikymmenien ajan prosessin etupuolen : *' · 30 linjoissa enemmän tai vähemmän heikoin tuloksin. Muodostuneet sivutuotteet ja jauhe : ’: *: pyrkivät tukkimaan suodattimet, ja alhaisen prosessipaineen takia kaasun virtaus on liian 3 110311 heikko suodattimen siivilän aukipitämiseksi. Tukkeutunut suodatin aiheuttaa ylimääräisen paineenpudotuksen ja voi siten aiheuttaa muutoksia materiaali virtaukseen lähteestä. Myös prosessipaine ja kaasun virtausnopeus muuttuvat. On yritetty käyttää sykloneja ja pyöriviä kuorimia sivutuotteiden poistamiseksi suodatinsiivilästä. Näillä keinoin pysty-5 tään poistamaan osa kiinteistä jätteistä, mutta silti ne lähdeaineet, joilla on korkea höy- rynpaine, saavuttavat pumpun ja muodostavat sivutuotteita siellä.
Suomalainen patentti nro 84980 (Planar International Oy) julkistaa jäijestelmän, joka käsittää kondensointikammion, missä kaasun virtaus hidastetaan ja missä suuri osa jät-10 teestä kondensoidaan. Ennen suodatinyksikköön saapumista suodatinpesään ruiskutetaan lisää vettä sivutuotteiden hiukkaskoon kasvattamiseksi niin, että saadaan estetyksi suoda-tinsiivilän tukkeutuminen ennen, kuin jäte poistetaan pyörivän kuorintajäijestelmän avulla. Vaikka tämä laitteisto edustaa selvää parannusta alan tämän hetkiseen tekniikkaan, se ei silti ole täysin tyydyttävä.
15
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on eliminoida tunnetussa tekniikassa esiintyvät ongelmat ja antaa yksinkertainen ja luotettava tekninen ratkaisu ALD-reaktorin reak-tiovyöhykkeestä tulevan jätteen poistamiseksi.
. 20 Keksintö perustuu siihen konseptiin, että prosessoidaan pulssiannoksen kaikki ylimääräi- :‘ · set lopputuotteen muodostamiseksi tarvittavat lähdeaineet ennen kuin lähdeaineet poiste- •.:.: taan reaktorista tai reaktiovyöhykkeestä. Jätteen määrää voidaan siten vähentää voimak- : ‘ kaasti. ALD-prosessista peräisin olevan lähdeaineylijäämän jälkikäsittely suoritetaan ' · ‘ ‘ laittamalla reaktiovyöhykkeelle materiaali, jonka pinta-ala on suuri (tyypillisesti huokoi- ’ · ‘ ’ 25 nen materiaali) ja jonka yli lähdeaineet kulkevat matkalla reaktiokammion lähtöaukkoon.
Suuren pinta-alan omaava materiaali voidaan vaihtoehtoisesti laittaa erilliseen lämmitet-;;;' tyyn astiaan reaktiovyöhykkeen ulkopuolelle mutta poistopumpun edelle. Suuren pinta- ‘: * alan omaava materiaali pidetään kuitenkin kummassakin suoritusmuodossa jotakuinkin ‘ ’ kasvatusolosuhteissa (esimerkiksi samassa paineessa ja lämpötilassa) kuten reak- 30 tiovyöhyke, jotta saadaan varmistetuksi reaktiotuotteen kasvu sen pinnalle. Sen seurauk- » · · * · » • · 4 110311 sena suuren pinta-alan omaava materiaali pyydystää pinnalleen tuotejäännöksen ja päästää vain kaasumaiset tuotteet pumppuun.
Täsmällisemmin esillä olevan keksinnön mukainen menetelmä on tunnettu pääasiassa 5 siitä, mikä on määritelty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
Nyt kyseessä oleva laitteisto sisältää reaktiovyöhykkeen, joka on jäljestetty alavirtaan reaktioprosessiin nähden (so. sen jälkeen) ja joka käsittää suuren pinta-alan omaavan materiaalin ja jota voidaan ylläpitää jotakuinkin samoissa olosuhteissa kuin ne, jotka valio litsevat kaasufaasireaktioprosessissa. Reaktiovyöhyke käsittää edelleen kaasunvirtaus-kanavat kaasujen syöttämiseksi kaasufaasireaktioprosessista suuren pinta-alan omaavaan materiaaliin ja poistokaasukanavat kaasun poistamiseksi suuren pinta-alan omaavasta materiaalista.
15 Esillä olevan keksinnön mukainen laitteisto on tunnettu siitä, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 7 tunnusmerkkiosassa.
Esillä olevalla keksinnöllä saavutetaan huomattavia etuja. Suuren pinta-alan omaava materiaali pyydystää pintaansa kaasumaisten reaktioaineiden ylijäämän reaktiolopputuot- • i '. 20 teen. Loukun pinnan pinta-ala on yleensä suuri, keskimäärin 10-1000 m2/g, sen pinta-ala : t ‘ · j voi esimerkiksi olla samaa suuruusluokkaa kuin jalkapallokentän pinta-ala. Loukkua voi- : daan käyttää useissa ajoissa ennen kuin se puhdistetaan tai korvataan uudella. Reaktioti- ' · ” · laan kytketyn pumpun on selvittävä vain kaasumaisesta materiaalista, koska vain • · · '. * : ei-muodostuvat kaasumaiset sivuaineet reaktiosta saapuvat pumppuun. Kiinteä ohutkal- ‘ ’ 25 votuote tarttuu täydellisesti reaktioaineiden loukkuun; tämä vähentää laitteiston kulumista huomattavasti.
* · ’; · Nyt kyseessä oleva keksintö soveltuu yleisesti mille tahansa kaasumaisille reagoiville ‘ ’ aineille. Se on erityisen edullinen reaktioissa, joissa muodostuu syövyttäviä tai muuten ’ * 30 haitallisia sivutuotteita kaasumaisten reaktioaineiden reaktion aikana. Edullinen suori- : : : tusmuoto sopii näin ollen jätteille, joita muodostuu kaasufaasireaktiossa, jossa käytetään * · ( • · 5 110311 kloridia sisältäviä reagoivia aineita kuten alumiinikloridia, joiden annetaan reagoida veden kanssa metallioksidin tuottamiseksi. Nyt kyseessä olevaa keksintöä käytetään edullisesti ALD-prosessissa, mutta sitä voidaan käyttää myös poistuvien kaasujen käsittelemiseksi tavanomaisesta CVD-prosessista tai elektronisuihkulla tapahtuvasta kalvo-5 päällystyksestä ja mistä tahansa muusta kaasufaasiprosessista, missä poistettavat kaasu maiset reagoivat aineet voivat reagoida keskenään varsinaisen reaktiovyöhykkeen jälkeen. Seuraavassa selostuksessa keksintöä kuvataan kuitenkin viitaten ALD-menetelmään.
10 Keksintöä tarkastellaan seuraavassa edellistä yksityiskohtaisemmin viitaten oheistettuihin kuvioihin, jotka kuvaavat joukon vaihtoehtoisia suoritusmuotoja.
Kuviot la ja Ib esittävät kaavamaisesti - kuvio la ylhäältä nähtynä ja kuvio Ib sivukuvana - sen, kuinka huokoiset levyt voidaan sijoittaa ALD-reaktorin imupesän sisään 15 reaktioaineiden loukun muodostamiseksi ko. pesään.
Kuviot 2a ja 2b antavat samanlaisen kuvauksen levyjen sijoituksesta erillisessä jälkire-aktorissa, joka on yhdistetty ALD-reaktorin imupesään.
V.: 20 Kuviot 3a ja 3b vastaavat kuvioita 2a ja 2b, sillä erolla kuitenkin, että levyt on korvattu • · :‘ · lasivillakaseteilla.
• » » · · • · · * i 1 · 1 a : 1 Kuviot 4a ja 4b esittävät poikkileikkauksen kasetista, joka on täytetty lasivillalla (kuvio t · ' · ’ 1 4a) ja grafiittikalvolla (kuvio 4b) ; 25 ,,, Keksintö perustuu yleisesti sellaiselle ajatukselle, että sijoitetaan välittömästi ALD- * · ;;;1 reaktorin substraattien jälkeen materiaali, jolla on suuri pinta-ala ja joka muodostaa jälki- ‘ reaktiosubstraatin poistettaville liiallisille kaasufaasireaktioaineille, jotka jättävät varsi- * · · I · * ‘ naisen reaktiovyöhykkeen. On tärkeää, että huokoisen materiaalin pinta on niin suuri, että • 1 1 # · 30 kaikki liiallinen materiaali voidaan sitoa reaktioaineloukun pintaan ja muuntaa sitten 4 » 1 * 1 · · · > · 6 110311 vastaavaksi loppuyhdisteeksi ALE-p eri aatteen (Atomic Layer Epitaxy, atomikerrosepi-taksia) mukaisesti, kun seuraava reaktioainepulssi tuodaan sisään.
Jälkireaktion reaktioaineloukku voidaan sijoittaa tyhjiösäiliön sisään, kuumaan reak-5 tiovyöhykkeeseen; myös imupesän tilaa voidaan käyttää loukkuastioiden kannakkeena.
Esimerkkinä alumiinioksidikerroksen kasvattamisesta ALD-menetelmällä: 3000 jakson ALOs-prosessissa kulutetaan 100 g AlCl3-yhdistettä ja 100 g vettä (H2O). Karkeasti ottaen yksi kolmannes, 60 g, päätyy alumiinioksidiksi (AI2O3), alumiinia 30 g ja 10 happea 30 g, kaksi kolmannesta muodostaa suolahappoa (HC1) ja sen määrä on 140 g. Yksi kolmannes, eli kaikkiaan 20 g lähdeaineista käytetään ohutkalvotuotteen kasvattamiseen substraatille ja loput kaksi kolmannesta, 40 g Al203-yhdisteestä on siepattava loukulla. Tämä merkitsee noin 40 gramman kiintoainemäärää ajokertaa kohti. Alumiini-oksidin AI2O3 kasvun paksuus kussakin ajossa on 150 nm, joka merkitsee 15 pm kalvon 15 kasvua loukkuun sadalla ajolla. Kun valitaan huokoskokoja reitin pituus niin, että pai-neenalennusta ei juuri ole loukun yli ja että kaikki reaktiotuotteet voidaan huuhdella pois ennen kuin seuraava pulssi tulee loukkuun, loukkuun kasvanut ohutkalvo ei estä kaasun virtausta.
·:: 20 On tärkeää varmistaa, että mitään suurimolekyylisiä oksiklorideja, joilla on suuri tilavuus, ei pääse muodostumaan j a tukkimaan suuren pinta-alan omaavan materiaalin virtausreit-tejä.
• · • · · '.: * Nyt kyseessä olevan keksinnön mukaisesti loukun muodostava(t) lohko(t) tai levyt voi- '. * ‘ 25 daan tehdä mistä tahansa sopivasta materiaalista, jolla on suuri pinta-ala (esim. huokoinen materiaali), (esim. grafiitti, kuten esimerkiksi huokoiset grafiittikalvot, alumiinioksidi t · » * · ’ · · · * (AI2O3) tai piidioksidi). Erilaisia keraamisia materiaaleja, esim. huokoiskeraamia, ja ·;· * muita vastaavia mineraalimateriaaleja kuten lasivillaa voidaan myös käyttää. Verkkomai- ’ ”: nen lasimainen hiili on vielä yksi esimerkki sopivasta materiaalista. Materiaalilta vaadi- ’ ”: 30 taan sitä, että se sietää reaktiovyöhykkeessä vallitsevat fysikaaliset ja kemialliset olosuh- : _! ’: teet (reaktiolämpötila ja -paine; sen pitää olla reagoimaton eli inertti käytettävien reaktio- I I ( • · 7 110311 aineiden suhteen). Sillä pitää edelleen olla suuri pinta-ala, jotta se mahdollistaa kaasumaisten reaktioaineiden reaktion pinnallaan reaktiotuotteen (kuten alumiinioksidin) muo- •j dostamiseksi. Loukkumateriaalin pinta-ala on yleisesti 10-2000 m /g, tarkemmin noin 100-1500 m /g. Yhtenä vaihtoehtona on käyttää huokoista keraamista materiaalia, jolla 5 on karhennettu pinta, joka sallii kaasumaisten reaktioaineiden pääsyn materiaalin sisään ja jättää samalla kertaa sivutuotteet, kuten suolahapon, pinnalle niin, että ne voidaan puhdistaa pois. Huokoisen materiaalin huokoset eivät saa olla liian kapeita ja syviä niin, että edellisen pulssin (reagoimattomia) jäänteitä ei saada puhdistetuksi pois ennen seuraavan pulssin tuomista. Huokoset, joiden huokoskoko on keskimäärin luokkaa n. 10-100 pm, 10 on erityisen kiinnostavia.
Nyt kyseessä olevan keksinnön mukaan on edelleen tärkeää, että reaktioaineiden loukun pinta on niin suuri, että samaa materiaalia voidaan käyttää useiden ohutkalvoelementtieri-en kasvattamisen ajan. Kuten edellä on selostettu, reagoivan aineen ylimäärä on yleensä 15 4-5-kertainen verrattuna siihen määrään, joka tarvitaan peittämään substraatin pinta halutun paksuisella ohutkalvolla. Materiaalin pinnan pitää siten olla ainakin 4-5 kertaa suurempi kuin substraattien kokonaispinnan, ja tarkemmin vielä, reaktorin tuotantokapasiteetista riippuen, pinnan pitää olla paljon suurempi, esimerkiksi niin, että se sallii keskeytymättömän toiminnan koko päivän ajaksi.
20 • · • *.: Vielä yksi kriittinen elementti reaktioaineiden loukun suuren pinta-alan omaavan materi- aalin kannalta on se, että materiaalin yli ei saa olla merkittävää paine-eroa. Tästä syystä ’; ‘ ’ * suuren pinta-alan omaavassa materiaalissa tulee olla virtausreitit, jotka mahdollistavat :: : kaasujen vapaan virtauksen, mutta taqoavat samalla kaasufaasikomponenteille riittävän '.' * 25 suuren pinnan pintareaktioita varten. Kuvioiden suoritusmuodoissa on kuvattu eri tapoja toteuttaa vapaat virtausreitit , joissa syntyy minimaalinen paineenpudotus.
•; · ’ Kohdistamalla nyt huomio oheistettujen kuvioiden puoleen, kuvioista 1 a ja Ib voidaan havai- ’ ” ’ ta, että reaktioaineiden loukku 1 (jota voidaan kutsua myös ’’jälkipolttimeksi”) on sijoitettu 30 ALD-reaktorin varsinaisen reaktiotilan 2 alle. Reaktioaineiden loukku käsittää useita ; ; ’: loukkulevyjä 3, jotka on sijoitettu toisiinsa nähden rinnakkain reaktorin imupesään 4.
8 110311
Loukkulevyjen 3 välissä on virtauskanavat, jotka on muotoiltu sallimaan kaasujen virtaus edelleen pumppuun. Kun loukkulevyt on tehty sopivasta materiaalista, jolla on suuri pinta-ala, reagoivat aineet diffusoituvat levyjen sisään ja kerrostuvat pintareaktioiden takia samaan tapaan kuin reaktioissa, jotka tapahtuvat reaktiotilassa esim. lasisubstraatin ja 5 reaktioaineiden höyryjen välillä.
Kun reaktioaineiden loukku jäljestetään välittömästi reaktiovyöhykkeen perään tai alle, reaktioaineiden ylijäämälle saadaan helposti jäljestetyksi vapaa virtausreitti tai kanava. Samalla on yksinkertaista suorittaa kaasun poisto reaktioaineiden loukusta, koska siihen 10 kohdistuu reaktorin muuhun osaan nähden sama alentunut paine, jonka tuottaa poisto-pumppu.
Sen jälkeen kun kukin reaktioainepulssi on syötetty reaktiotilaan ja edelleen reaktioaineiden loukkuun 1, reaktioilla puhdistetaan tavallisesti inertillä tai epäaktiivisella kaasulla 15 kuten typellä. Sitten syötetään seuraava kaasufaasipulssi reaktiotilaan (ja reaktioaineiden loukkuun). Näin ollen esim. alumiinikloridipulssin jälkeen syötetään tavallisesti vesi-höyrypulssi reaktiotilaan alumiinikloridin muuntamiseksi alumiinioksidiksi. Sama reaktio tapahtuu ALD-reaktoriin sijoitettujen substraattien pinnalla ja reaktioaineiden loukussa. Kun reaktioaineiden loukku sijoitetaan saman reaktiotilan sisään tai reaktiopesään , *; * · 20 kuin substraatit, tarvittava lämpötila ja paine, jolla saavutetaan ALE-reaktio (Atomic
• I
• * . layer Epitaxy, atomikerrosepitaksia) loukkumateriaalin pinnalla, saavutetaan automaatti- • · : sesti. Reagoivat aineet muodostavat loukun pinnalla saman lopputuotteen, esim. ATO tai ' ί AI2O3, kuin substraattien pinnalla.
* * • · » • t I 4 » ( · V · 25 Kuvioiden 2a ja 2b suoritusmuoto on samantapainen kuin se, joka selostettiin edellä sillä poikkeuksella, että reaktioaineiden loukku 11 on sijoitettu erilliseen astiaan 13, joka pi- * · · •... * detään samoissa reaktio-olosuhteissa kuin reaktori. Loukkulevyt 12 on jäljestetty vastaa- ... ’ valla tavalla kuin kuvioiden 1 a ja 1 b levyt, mutta virtauskanava on jäljestetty kiemurai- ‘: * ’: seksi. Tällä tavoin saadaan riittävä kosketusaika loukkulevyjen kanssa. Reaktioaineiden ‘:· 30 loukkuastia on liitetty ALD-reaktorin imupesään putkijohdon avulla.
* 4 # • * > 4 · 9 110311
Kuvioiden 3a ja 3b suoritusmuoto vastaa kuvioiden 2 ja 3 suoritusmuotojen yhdistelmää siinä mielessä, että loukkulevyt 22 on sijoitettu erilliseen astiaan 23, mutta levyt on kiinnitetty toisiinsa nähden rinnakkaisesti niin, että virtausreitit ovat niiden välissä. Levyt on tehty lasivillasta.
5
Kuviot 4a ja 4b esittävät vaihdettavat kasetit 32, jotka on tehty suuren pinta-alan omaavasta materiaalista kuten lasivillasta (kuvio 4a) niin, että virtauspolut 33 muodostuvat mainitun materiaalin sisään. Samaan tapaan virtausreitit 35 on jäljestetty kiertyvästi käärityn grafiittikalvon 34 vierekkäisten kerrosten väliin kuviossa 4b. Kerrokset on edulli-10 sesti jäljestetty noin 0,1-10 mm etäisyydelle, edullisesti noin 0,5-5 mm etäisyydelle toisistaan.
Kuvioiden 4a ja 4b loukut on tehty niin halvasta materiaalista, että ne voidaan heittää pois tehollisen käyttöjakson jälkeen.
15
Kaikkien kuvioiden 2-4 suoritusmuodoissa lähdeaineloukun toiminta on hyvin samantapainen kuin siinä suoritusmuodossa, joka on kuvattu kuvioissa la ja Ib. Suuren pinta-alan omaava materiaali pidetään lämpötilassa, joka on vastaava kuin varsinaisessa reak-tiovyöhykkeessä (so. lähdeaineista ja substraatista riippuen noin lämpötilassa 50-600°C, 20 yleensä noin lämpötilassa 200-500°C). Paine voi olla ilmakehän paine, mutta yleensä on
• I
\ | edullista toimia alennetussa paineessa n. 1-100 mbar (so. ’’matalassa paineessa”). Puh- • · : :': distuksessa käytettävä epäaktiivinen kaasu käsittää typen tai jonkin jaiokaasun kuten ar- *: ” i gonin.
« I » f t » » · > * » · V ·* 25 Vaikka edellä mainitut suoritusmuodot ovat erityisen merkityksellisiä ohutkalvorakentei- den valmistuksessa kaikenlaisille puolijohdelaitteiden ja litteiden näyttölaitteiden pin- i * · 1.., · noille, on huomattava, että sitä voidaan soveltaa mihin tahansa kemialliseen kaasu- * i · ... ’ faasikasvatusreaktoriin, joita käytetään esimerkiksi katalyytin valmistamiseksi kaasufaa- i ;··! sissa.
·:··: 30 > » · » · * > » · > » »
Claims (10)
10 110311
1. Menetelmä ALD- kaasufaasireaktioprosessista poistettavien kaasujen sisältämien aineiden poistamiseksi, tunnettu siitä, että kaasut saatetaan kosketuksiin suuren 5 pinta-alan omaavan materiaalin kanssa, jota materiaalia pidetään oleellisesti samoissa olosuhteissa kuin kaasufaasireaktioprosessin aikana vallitsevat olosuhteet, ja suuren pinta-alan omaava materiaali altistetaan pintareaktiolle kaasujen sisältämien aineiden kanssa kiinteän olomuodon reaktiotuotteen muodostamiseksi suuren pinta-alan omaavan materiaalin pinnalle ja aineiden poistamiseksi kaasuista.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ALD-prosessin reaktioaineiden kaasufaasipulssien ylimäärä saatetaan kosketuksiin huokoisen substraatin kanssa reaktiotuotteen muodostamiseksi materiaalin pinnalle.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että huokoinen materiaali käsittää materiaalin, joka on huokoinen grafiittimateriaali, huokoinen keraaminen materiaali, alumiinioksidi, piidioksidi tai lasivilla.
4. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että . , 20 ainakin osa kaasuista on kloridia sisältäviä kaasuja. * 1 · ’ .' 5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kaasufaasireaktioprosessi ja reaktio suuren pinta-alan omaavan materiaalin kanssa , ; ·, toteutetaan samassa reaktiotilassa. 25
6. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 1—4 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ‘ ·. suuren pinta-alan omaava materiaali on sijoitettu erilliseen reaktioillaan, joka on ' ‘; yhdistetty kaasufaasireaktion reaktioillaan.
7. Laitteisto ALD-kaasufaasireaktioprosessin poistettavien kaasujen sisältämien aineiden poistamiseksi, joka laitteisto käsittää reaktioprosessiin nähden alavirtaan „ 110311 jäljestetyn reaktiovyöhykkeen, tunnettu siitä, että reaktiovyöhyke puolestaan käsittää suuren pinta-alan omaavan materiaalin ja joka on pidettävissä oleellisesti samoissa olosuhteissa, kuin ne olosuhteet, jotka vallitsevat kaasufaasiprosessin aikana, niin että mainittu reaktiovyöhyke käsittää edelleen kaasunvirtauskanavat kaasufaasiprosessista 5 poistuvien kaasujen syöttämiseksi suuren pinta-alan omaavaan materiaaliin sekä poistokaasukanavat kaasun poistamiseksi suuren pinta-alan omaavasta materiaalista.
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että reaktiovyöhyke on jäljestetty sen reaktorin rungon sisälle, jossa kaasufaasireaktio toteutetaan. 10
9. Patenttivaatimuksen 7 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että reaktiovyöhyke on jäljestetty erillisen reaktioastian sisälle, joka on yhdistetty kaasufaasireaktoriin ja joka pidetään samoissa olosuhteissa.
10. Minkä tahansa patenttivaatimuksen 7-9 mukainen laitteisto, tunnettu siitä, että suuren pinta-alan omaava materiaali on huokoinen grafiittimateriaali, huokoinen keraaminen materiaali, alumiinioksidi, piidioksidi tai lasivilla. • · * · *00 • · • · · • · · • · 1 · • · 12 110311 Paten tkrav:
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI991628A FI110311B (fi) | 1999-07-20 | 1999-07-20 | Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista |
| TW089114140A TW555585B (en) | 1999-07-20 | 2000-07-14 | Method and apparatus for removing substances from gases |
| US09/619,820 US6506352B1 (en) | 1999-07-20 | 2000-07-20 | Method for removing substances from gases |
| JP2000220782A JP2001062244A (ja) | 1999-07-20 | 2000-07-21 | 気体から物質を除去するための方法と装置 |
| US10/205,296 US20020187084A1 (en) | 1999-07-20 | 2002-07-24 | Method and apparatus for removing substances from gases |
| US12/138,358 US7799300B2 (en) | 1999-07-20 | 2008-06-12 | Method and apparatus for removing substances from gases |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI991628A FI110311B (fi) | 1999-07-20 | 1999-07-20 | Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista |
| FI991628 | 1999-07-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI991628L FI991628L (fi) | 2001-01-21 |
| FI110311B true FI110311B (fi) | 2002-12-31 |
Family
ID=8555096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI991628A FI110311B (fi) | 1999-07-20 | 1999-07-20 | Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6506352B1 (fi) |
| JP (1) | JP2001062244A (fi) |
| FI (1) | FI110311B (fi) |
| TW (1) | TW555585B (fi) |
Families Citing this family (345)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI110311B (fi) | 1999-07-20 | 2002-12-31 | Asm Microchemistry Oy | Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista |
| FI117978B (fi) * | 2000-04-14 | 2007-05-15 | Asm Int | Menetelmä ja laitteisto ohutkalvon kasvattamiseksi alustalle |
| US7060132B2 (en) * | 2000-04-14 | 2006-06-13 | Asm International N.V. | Method and apparatus of growing a thin film |
| US6620723B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7101795B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer |
| US7964505B2 (en) | 2005-01-19 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tungsten materials |
| US7405158B2 (en) | 2000-06-28 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US7732327B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition of tungsten materials |
| US6551929B1 (en) | 2000-06-28 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques |
| US6770145B2 (en) * | 2000-12-11 | 2004-08-03 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Low-pressure CVD apparatus and method of manufacturing a thin film |
| US6765178B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US6998579B2 (en) | 2000-12-29 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Chamber for uniform substrate heating |
| US6811814B2 (en) | 2001-01-16 | 2004-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method for growing thin films by catalytic enhancement |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6734020B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-05-11 | Applied Materials, Inc. | Valve control system for atomic layer deposition chamber |
| US7037574B2 (en) | 2001-05-23 | 2006-05-02 | Veeco Instruments, Inc. | Atomic layer deposition for fabricating thin films |
| US7211144B2 (en) | 2001-07-13 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pulsed nucleation deposition of tungsten layers |
| US7085616B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-01 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition apparatus |
| US6936906B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| WO2003062490A2 (en) * | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Sundew Technologies, Llc | Ald apparatus and method |
| US6998014B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6833161B2 (en) | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US7439191B2 (en) | 2002-04-05 | 2008-10-21 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications |
| US6720027B2 (en) | 2002-04-08 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer |
| US6846516B2 (en) | 2002-04-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor cyclical deposition system |
| US6875271B2 (en) | 2002-04-09 | 2005-04-05 | Applied Materials, Inc. | Simultaneous cyclical deposition in different processing regions |
| US7279432B2 (en) | 2002-04-16 | 2007-10-09 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming an integrated barrier layer |
| US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
| US6844260B2 (en) * | 2003-01-30 | 2005-01-18 | Micron Technology, Inc. | Insitu post atomic layer deposition destruction of active species |
| KR20060079144A (ko) | 2003-06-18 | 2006-07-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 배리어 물질의 원자층 증착 |
| US6893484B2 (en) | 2003-10-06 | 2005-05-17 | Desert Energy Ltd | Low operating pressure gas scrubber |
| US7071118B2 (en) * | 2003-11-12 | 2006-07-04 | Veeco Instruments, Inc. | Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate |
| US20050148199A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-07-07 | Frank Jansen | Apparatus for atomic layer deposition |
| EP1771598B1 (en) * | 2004-06-28 | 2009-09-30 | Cambridge Nanotech Inc. | Atomic layer deposition (ald) system and method |
| US7455720B2 (en) * | 2005-02-16 | 2008-11-25 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for preventing products of TiCL4 and NH3 or other feed gas reactions from damaging vacuum pumps in TiN or other deposition systems |
| US20060216548A1 (en) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Ming Mao | Nanolaminate thin films and method for forming the same using atomic layer deposition |
| US8679287B2 (en) * | 2005-05-23 | 2014-03-25 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for preventing ALD reactants from damaging vacuum pumps |
| US20060272577A1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Ming Mao | Method and apparatus for decreasing deposition time of a thin film |
| US8268078B2 (en) * | 2006-03-16 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing particle contamination in a deposition system |
| US7833358B2 (en) * | 2006-04-07 | 2010-11-16 | Applied Materials, Inc. | Method of recovering valuable material from exhaust gas stream of a reaction chamber |
| US20100212591A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-08-26 | Alta Devices, Inc. | Reactor lid assembly for vapor deposition |
| US9328417B2 (en) | 2008-11-01 | 2016-05-03 | Ultratech, Inc. | System and method for thin film deposition |
| US9175388B2 (en) * | 2008-11-01 | 2015-11-03 | Ultratech, Inc. | Reaction chamber with removable liner |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| JP5921168B2 (ja) * | 2011-11-29 | 2016-05-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| TWI815915B (zh) | 2018-06-27 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
| KR102854019B1 (ko) | 2018-06-27 | 2025-09-02 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| JP7603377B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-12-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR20200141931A (ko) | 2019-06-10 | 2020-12-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| TWI851767B (zh) | 2019-07-29 | 2024-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| CN112342526A (zh) | 2019-08-09 | 2021-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR102806450B1 (ko) | 2019-09-04 | 2025-05-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692B (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-15 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN120432376A (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| JP7636892B2 (ja) | 2020-01-06 | 2025-02-27 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
| TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR20210093163A (ko) | 2020-01-16 | 2021-07-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TW202513845A (zh) | 2020-02-03 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置結構及其形成方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR20210103956A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| KR20210103953A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| CN113410160A (zh) | 2020-02-28 | 2021-09-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 专用于零件清洁的系统 |
| KR20210113043A (ko) | 2020-03-04 | 2021-09-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 정렬 고정구 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| KR102775390B1 (ko) | 2020-03-12 | 2025-02-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR20210130646A (ko) | 2020-04-21 | 2021-11-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 방법 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| JP2021172585A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | バナジウム化合物を安定化するための方法および装置 |
| TWI884193B (zh) | 2020-04-24 | 2025-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
| TW202208671A (zh) | 2020-04-24 | 2022-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法 |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| JP7726664B2 (ja) | 2020-05-04 | 2025-08-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| KR20210146802A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| KR20210156219A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
| KR20220021863A (ko) | 2020-08-14 | 2022-02-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| TW202228863A (zh) | 2020-08-25 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統 |
| TWI874701B (zh) | 2020-08-26 | 2025-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法 |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| TW202217045A (zh) | 2020-09-10 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| TW202232565A (zh) | 2020-10-15 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 製造半導體裝置之方法及使用乙太網路控制自動化技術之基板處理裝置 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| TW202233884A (zh) | 2020-12-14 | 2022-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成臨限電壓控制用之結構的方法 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE393967B (sv) * | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
| FI57975C (fi) * | 1979-02-28 | 1980-11-10 | Lohja Ab Oy | Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor |
| US4389973A (en) * | 1980-03-18 | 1983-06-28 | Oy Lohja Ab | Apparatus for performing growth of compound thin films |
| US4840921A (en) * | 1987-07-01 | 1989-06-20 | Nec Corporation | Process for the growth of III-V group compound semiconductor crystal on a Si substrate |
| US4940213A (en) * | 1987-08-24 | 1990-07-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exhaust processing apparatus |
| US5130269A (en) * | 1988-04-27 | 1992-07-14 | Fujitsu Limited | Hetero-epitaxially grown compound semiconductor substrate and a method of growing the same |
| US5417934A (en) * | 1988-06-04 | 1995-05-23 | Boc Limited | Dry exhaust gas conditioning |
| EP0382984A1 (en) * | 1989-02-13 | 1990-08-22 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Thermal decomposition trap |
| FI84980C (fi) | 1990-08-29 | 1992-02-25 | Planar Int Oy | Foerfarande och anordning foer avlaegsnande av aemnen fraon gas som floedar under laogt tryck. |
| US5102637A (en) * | 1990-10-12 | 1992-04-07 | Westinghouse Electric Corp. | Method of purifying zirconium tetrachloride and hafnium tetrachloride in a vapor stream |
| US5316793A (en) * | 1992-07-27 | 1994-05-31 | Texas Instruments Incorporated | Directed effusive beam atomic layer epitaxy system and method |
| US5569455A (en) * | 1992-06-10 | 1996-10-29 | Shimadzu Corporation | Exhaust gas catalytic purifier construction |
| US5462905A (en) * | 1992-08-21 | 1995-10-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Exhaust gas purifying catalyst |
| JP3405466B2 (ja) * | 1992-09-17 | 2003-05-12 | 富士通株式会社 | 流体切替弁および半導体装置の製造装置 |
| FI97730C (fi) * | 1994-11-28 | 1997-02-10 | Mikrokemia Oy | Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi |
| FI100409B (fi) * | 1994-11-28 | 1997-11-28 | Asm Int | Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi |
| US5688479A (en) * | 1994-12-22 | 1997-11-18 | Uop | Process for removing HCl from hydrocarbon streams |
| JP3246708B2 (ja) * | 1995-05-02 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ装置及びこれを用いた未反応処理ガス排気機構 |
| US6193802B1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6332925B1 (en) * | 1996-05-23 | 2001-12-25 | Ebara Corporation | Evacuation system |
| US5928426A (en) * | 1996-08-08 | 1999-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors |
| US5855675A (en) * | 1997-03-03 | 1999-01-05 | Genus, Inc. | Multipurpose processing chamber for chemical vapor deposition processes |
| JPH1180964A (ja) * | 1997-07-07 | 1999-03-26 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 |
| US6063197A (en) * | 1997-09-29 | 2000-05-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Trap for capturing waste by-product generated by a chemical vapor deposition system |
| US5998787A (en) | 1997-10-31 | 1999-12-07 | Mds Inc. | Method of operating a mass spectrometer including a low level resolving DC input to improve signal to noise ratio |
| US6099649A (en) * | 1997-12-23 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal |
| EP1094881B1 (en) * | 1998-07-08 | 2004-05-26 | Shell Internationale Researchmaatschappij B.V. | Process for the removal of metal carbonyl from a gaseous stream |
| US6238514B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-05-29 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for removing condensable aluminum vapor from aluminum etch effluent |
| US6197119B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-03-06 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for controlling polymerized teos build-up in vacuum pump lines |
| US6200893B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-03-13 | Genus, Inc | Radical-assisted sequential CVD |
| US6305314B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-10-23 | Genvs, Inc. | Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition |
| US6334304B1 (en) * | 1999-04-16 | 2002-01-01 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Degradation discrimination system of internal combustion engine exhaust gas purification system |
| EP1066874B1 (en) * | 1999-07-09 | 2009-09-23 | Nissan Motor Company, Limited | Exhaust gas purifying catalyst and method of producing same |
| KR100319494B1 (ko) * | 1999-07-15 | 2002-01-09 | 김용일 | 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치 |
| FI110311B (fi) * | 1999-07-20 | 2002-12-31 | Asm Microchemistry Oy | Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista |
| US20010048902A1 (en) * | 2000-05-01 | 2001-12-06 | Christopher Hertzler | Treatment system for removing hazardous substances from a semiconductor process waste gas stream |
| US6398837B1 (en) * | 2000-06-05 | 2002-06-04 | Siemens Westinghouse Power Corporation | Metal-ceramic composite candle filters |
| US6770145B2 (en) * | 2000-12-11 | 2004-08-03 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Low-pressure CVD apparatus and method of manufacturing a thin film |
-
1999
- 1999-07-20 FI FI991628A patent/FI110311B/fi not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-07-14 TW TW089114140A patent/TW555585B/zh active
- 2000-07-20 US US09/619,820 patent/US6506352B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-21 JP JP2000220782A patent/JP2001062244A/ja active Pending
-
2002
- 2002-07-24 US US10/205,296 patent/US20020187084A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-06-12 US US12/138,358 patent/US7799300B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090074964A1 (en) | 2009-03-19 |
| US6506352B1 (en) | 2003-01-14 |
| JP2001062244A (ja) | 2001-03-13 |
| FI991628L (fi) | 2001-01-21 |
| US7799300B2 (en) | 2010-09-21 |
| TW555585B (en) | 2003-10-01 |
| US20020187084A1 (en) | 2002-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI110311B (fi) | Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista | |
| FI117980B (fi) | Menetelmä ohutkalvon kasvattamiseksi alustalle | |
| KR101216927B1 (ko) | 침착 공정에서 부산물의 휘발성을 유지시키는 방법 및 장치 | |
| FI118805B (fi) | Menetelmä ja kokoonpano kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktiokammioon | |
| KR20200020608A (ko) | 고체 소스 승화기 | |
| FI104383B (fi) | Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi | |
| WO2006127693A2 (en) | Method and apparatus for preventing ald reactants from damaging vacuum pumps | |
| TWI599677B (zh) | CVD apparatus and CVD apparatus Treatment chamber purification method | |
| JP7029192B2 (ja) | 流体透過性材料のコーティング | |
| US20080199613A1 (en) | Thermal chemical vapor deposition methods, and thermal chemical vapor deposition systems | |
| US7455720B2 (en) | Method and apparatus for preventing products of TiCL4 and NH3 or other feed gas reactions from damaging vacuum pumps in TiN or other deposition systems | |
| US6656376B1 (en) | Process for cleaning CVD units | |
| US5855651A (en) | Method for processing waste gas exhausted from chemical vapor and deposition equipment | |
| CN103764870B (zh) | 用于连续地涂覆基板的方法和设备 | |
| CN220589338U (zh) | 一种过滤装置 | |
| JP2025087626A (ja) | 処理ガスのリサイクル | |
| TW202530471A (zh) | 氣體回收系統 | |
| KR20250048639A (ko) | 반도체 공정 장비의 예방 유지보수를 위한 방법 및 시스템 | |
| JP2003500535A (ja) | 保護ガスシールド装置 | |
| JPH10158845A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JPH10237655A (ja) | 薄膜製造装置用排気装置および排気方法 | |
| JPH0510318B2 (fi) | ||
| FI20205586A1 (fi) | Hiukkasmateriaalien päällystäminen | |
| JPH06345569A (ja) | パルスｃｖｉ装置 | |
| TW200535276A (en) | Method and apparatus for maintaining by-product volatility in deposition process |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM | Patent lapsed |