JP2000046863A - Mechanical quantity sensor - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極間を短絡しない力学量センサを提供す
る。
【解決手段】 質量部13が固定されて質量部13の変
位に応じて変形する薄肉部11、薄肉部11が固定され
るフレーム12より成るダイアフラム1を有し、周縁に
フレーム22を残して形成される深さの小さい窪み2
1、フレーム22の外側に形成されるパド形成面24、
窪み21に形成される金属被膜電極25、パド形成面2
4に形成されるパド26、金属被膜電極25とパド26
を接続する配線27より成るストッパ2を有し、ダイア
フラムフレーム12とストッパフレーム22とを接合し
た接合面に配線27を通過せしめる溝23を形成した力
学量センサにおいて、溝23を屈曲部231を有するク
ランク状溝230に構成し、屈曲部231の近傍にポケ
ット232を形成した力学量センサ。
(57) [Problem] To provide a mechanical quantity sensor that does not short-circuit between electrodes. SOLUTION: The diaphragm 1 has a thin portion 11 to which a mass portion 13 is fixed and deformed in accordance with displacement of the mass portion 13, and a frame 12 to which the thin portion 11 is fixed, and is formed while leaving a frame 22 on a peripheral edge. Pit with small depth 2
1, a pad forming surface 24 formed outside the frame 22,
Metal film electrode 25 formed in depression 21, pad formation surface 2
4, the pad 26, the metal film electrode 25 and the pad 26
In the mechanical quantity sensor having the stopper 2 composed of the wiring 27 connecting the diaphragm frame 12 and the stopper frame 22 and forming the groove 23 for passing the wiring 27 on the joint surface where the diaphragm frame 12 and the stopper frame 22 are joined, the groove 23 has the bent portion 231. A mechanical quantity sensor formed in a crank-shaped groove 230 and having a pocket 232 formed near a bent portion 231.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、力学量センサに
関し、特に、導電性の異物に起因する動作不良を生じな
い力学量センサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dynamic quantity sensor, and more particularly, to a dynamic quantity sensor which does not cause malfunction due to conductive foreign matter.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来例を図3を参照して説明する。図3
(a)は力学量センサの従来例のダイアフラムを説明す
る斜視図であり、図3(b)はストッパを説明する斜視
図である。図3(a)において、1はダイアフラム全体
を示す。ダイアフラム1はこの従来例においては半導体
であるシリコン基板を原材料として構成される。この原
材料シリコン基板の表面に周知慣用の異方性エッチング
処理を施し、これにより薄肉部11を蝕刻形成し、その
結果として周縁にダイアフラムフレーム12を一体的に
残存形成すると共に、中心部に質量部13を一体的に残
存形成することによりダイアフラム1を構成する。この
如くして、弾性体である薄肉部11を介して周縁のダイ
アフラムフレーム12に支持される質量部13を有する
一体構造のダイアフラムが構成される。2. Description of the Related Art A conventional example will be described with reference to FIG. FIG.
FIG. 3A is a perspective view illustrating a diaphragm of a conventional example of a dynamic quantity sensor, and FIG. 3B is a perspective view illustrating a stopper. In FIG. 3A, reference numeral 1 denotes the entire diaphragm. The diaphragm 1 is formed using a silicon substrate which is a semiconductor in this conventional example as a raw material. The surface of the raw material silicon substrate is subjected to a well-known and commonly used anisotropic etching process, thereby forming a thin portion 11 by etching. As a result, a diaphragm frame 12 is integrally formed around the periphery and a mass portion is formed at the center. The diaphragm 1 is formed by integrally forming the remaining portions 13. In this manner, an integral diaphragm having the mass portion 13 supported on the peripheral diaphragm frame 12 via the thin portion 11 which is an elastic body is formed.
【0003】図3(b)において、2はストッパ全体を
示す。ストッパ2はこの従来例においてはガラス板を原
材料として構成される。この原材料ガラス板の表面に周
知慣用の化学的或いは機械的エッチング処理を施すこと
により周縁にストッパフレーム22を残して深さの極く
小さい窪み21を蝕刻形成する。この場合、ストッパフ
レーム22の外側にストッパフレーム22上面より高さ
の低いパド形成面24を形成すると共にストッパフレー
ム22の一部は深さが窪み21の深さに等しい溝23を
形成した状態とされ、窪み21とパド形成面24とを連
通する。この如くして構成されたストッパ2の窪み21
の表面に金属スパッタリング技術により金属被膜を成膜
してこれを金属被膜電極25とする。この金属被膜を成
膜するに際して、パド形成面24にパド26を同時に成
膜形成すると共に金属被膜電極25とパド26とを接続
する配線27をも同時に成膜形成する。溝23と配線2
7により配線部28が形成されている。In FIG. 3B, reference numeral 2 denotes the entire stopper. The stopper 2 is made of a glass plate as a raw material in this conventional example. By subjecting the surface of the raw material glass plate to a well-known and commonly used chemical or mechanical etching process, a depression 21 having a very small depth is formed by etching, leaving a stopper frame 22 on the periphery. In this case, a pad forming surface 24 having a height lower than the upper surface of the stopper frame 22 is formed outside the stopper frame 22 and a part of the stopper frame 22 is formed with a groove 23 having a depth equal to the depth of the depression 21. Then, the dent 21 and the pad forming surface 24 communicate with each other. The depression 21 of the stopper 2 thus configured
A metal film is formed on the surface of the substrate by a metal sputtering technique, and this is used as a metal film electrode 25. When this metal film is formed, the pad 26 is simultaneously formed on the pad forming surface 24, and the wiring 27 connecting the metal film electrode 25 and the pad 26 is also formed simultaneously. Groove 23 and wiring 2
7, a wiring portion 28 is formed.
【0004】ここで、図3(a)のダイアフラム1のフ
レーム12と図3(b)のストッパ2のフレーム22と
を例えば接着剤、陽極接合により一体化し、ダイアフラ
ム1とストッパ2とを一体化して加速度センサのダイア
フラム構造体が構成される。図4を参照するに、これは
ダイアフラム構造体の配線部28を上から視た図であ
る。図4(a)には、窪み21を蝕刻形成するに際して
ストッパフレーム22の一部に形成された深さが窪み2
1の深さに等しい直線状の溝23が示されている。直線
状の溝23には金属被膜電極25とパド26とを接続す
る配線27が形成されている。図4(b)を参照する
に、これもダイアフラム構造体の配線部28を上から視
た図であり、配線部28の溝23はクランク状に構成さ
れている。Here, the frame 12 of the diaphragm 1 in FIG. 3A and the frame 22 of the stopper 2 in FIG. 3B are integrated by, for example, an adhesive or anodic bonding, and the diaphragm 1 and the stopper 2 are integrated. Thus, a diaphragm structure of the acceleration sensor is formed. Referring to FIG. 4, this is a diagram of the wiring portion 28 of the diaphragm structure viewed from above. FIG. 4A shows that the depth formed in a part of the stopper frame 22 when the recess 21 is formed by etching is
A straight groove 23 equal to a depth of 1 is shown. In the linear groove 23, a wiring 27 connecting the metal film electrode 25 and the pad 26 is formed. Referring to FIG. 4B, this is also a view of the wiring portion 28 of the diaphragm structure viewed from above, and the groove 23 of the wiring portion 28 is formed in a crank shape.
【0005】以上の図3および図4の従来例は、配線部
28の溝23をストッパ側に構成した例であるが、溝2
3はダイアフラム1側のダイアフラムフレーム12に構
成することができる。この場合、ストッパ2のフレーム
22に溝23は形成しないので、配線27は窪み21か
らストッパフレーム22上面を乗り越えて形成され、パ
ド26に到達する。ストッパフレーム22上面を乗り越
えて形成される配線27はダイアフラムフレーム12に
構成される溝23内を通過することにより、ダイアフラ
ムフレーム12とストッパフレーム22を接合する際に
両者間に隙間が生ずることなしに接合することができ
る。[0005] In the conventional example of FIGS. 3 and 4 described above, the groove 23 of the wiring portion 28 is formed on the stopper side.
Reference numeral 3 denotes a diaphragm frame 12 on the diaphragm 1 side. In this case, since the groove 23 is not formed in the frame 22 of the stopper 2, the wiring 27 is formed from the depression 21 over the upper surface of the stopper frame 22 and reaches the pad 26. The wiring 27 formed over the upper surface of the stopper frame 22 passes through the groove 23 formed in the diaphragm frame 12, so that no gap is formed between the diaphragm frame 12 and the stopper frame 22 when they are joined. Can be joined.
【0006】ダイアフラム構造体を加速度センサの力学
量検出部として使用することを考える。図3における紙
面上下方向の加速度が印加されたとき、質量部13に慣
性力が作用する。これにより、質量部13および薄肉部
11とストッパ2の金属被膜電極25の間の静電容量が
変化する。この静電容量の変化を検出することにより入
力加速度を検出することができる。ダイアフラム構造体
に図3における紙面上下方向の加速度が入力されると、
質量部13に慣性力が作用する結果、ダイアフラム1の
薄肉部11とストッパ2の金属被膜電極25の間の静電
容量は変化するので、この静電容量変化を検出すること
により入力加速度を検出することができる。[0006] Consider the use of a diaphragm structure as a physical quantity detector of an acceleration sensor. When an acceleration in the vertical direction on the paper of FIG. 3 is applied, an inertial force acts on the mass unit 13. Thereby, the capacitance between the mass portion 13 and the thin portion 11 and the metal film electrode 25 of the stopper 2 changes. The input acceleration can be detected by detecting the change in the capacitance. When the acceleration in the vertical direction on the paper in FIG. 3 is input to the diaphragm structure,
As a result of the inertial force acting on the mass portion 13, the capacitance between the thin portion 11 of the diaphragm 1 and the metal film electrode 25 of the stopper 2 changes. Therefore, the input acceleration is detected by detecting the change in the capacitance. can do.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】以上のダイアフラム1
およびストッパ2の何れを製造する場合も、1個づつ製
造するのではなくして、1枚の大きなウェハに互いに同
一のダイアフラム1或いはストッパ2をマトリクス状に
同時に多数形成する。そして、これら2枚のウェハを例
えば接着剤或いは陽極接合により接合した後、ダイシン
グ加工を施して個々の切り分け製造する。DISCLOSURE OF THE INVENTION The above diaphragm 1
In manufacturing either of the stopper 2 and the stopper 2, instead of manufacturing one by one, a large number of the same diaphragms 1 or stoppers 2 are simultaneously formed in a matrix on one large wafer. Then, these two wafers are joined by, for example, an adhesive or anodic bonding, and then subjected to dicing to produce individual cuts.
【0008】ここで、シリコン半導体のウェハを原材料
としてダイアフラム1をダイシング加工する場合、シリ
コン半導体のウェハとダイシングブレードが接触すると
ころに冷却液を供給しながら切削加工するのであるが、
これに際して導電性の異物であるシリコン半導体の切削
微粒子が生成され、このシリコン半導体微粒子が冷却液
に含まれて溝23に侵入し、滞留する場合がある。これ
がダイアフラム1とストッパ2とを接合して構成したダ
イアフラム構造体の金属被膜電極25側とダイアフラム
1側との間を短絡することがあり、これにより両者間に
静電容量を形成することができなくなる。導電性の異物
は被加工物から生成されるのみならず、ダイシング加工
に際してダイシングブレードが損耗することによっても
生成される。絶縁材料であるガラスを原材料としてスト
ッパ2を加工する場合においてもダイシングブレードが
損耗することにより同様に導電性の異物は生成されてス
トッパフレーム22に溝23を形成した場合にここに滞
留する恐れがある。導電性の異物の滞留は溝23を直線
状に形成した場合、或いはクランク状に形成した場合の
双方において発生する。Here, when dicing the diaphragm 1 using a silicon semiconductor wafer as a raw material, cutting is performed while supplying a cooling liquid to a place where the silicon semiconductor wafer and the dicing blade are in contact with each other.
At this time, fine particles of silicon semiconductor, which are conductive foreign substances, are generated, and the silicon semiconductor fine particles may enter the groove 23 by being contained in the cooling liquid and stay there. This may cause a short circuit between the metal-coated electrode 25 side and the diaphragm 1 side of the diaphragm structure formed by joining the diaphragm 1 and the stopper 2, whereby a capacitance can be formed between the two. Disappears. The conductive foreign matter is generated not only from the workpiece, but also due to wear of the dicing blade during dicing. In the case where the stopper 2 is processed using glass as an insulating material as a raw material, a conductive foreign matter is similarly generated due to wear of the dicing blade, and when the groove 23 is formed in the stopper frame 22, there is a possibility that the foreign matter will stay there. is there. The stagnation of the conductive foreign matter occurs when the groove 23 is formed linearly or when the groove 23 is formed in a crank shape.
【0009】この発明は、溝23の配線27が形成され
る領域に導電性の異物の滞留が生起し難い上述の問題を
解消したダイアフラム構造体を有する力学量センサを提
供するものである。The present invention is to provide a dynamic quantity sensor having a diaphragm structure which solves the above-mentioned problem, in which conductive foreign matter is unlikely to stay in a region of the groove 23 where the wiring 27 is formed.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項1:質量部13、
質量部13が固定されて質量部13の変位に応じて変形
する薄肉部11、薄肉部11が固定されるダイアフラム
フレーム12より成るダイアフラム1を有し、周縁にス
トッパフレーム22を残在して形成される深さの極く小
さい窪み21、ストッパフレーム22の外側に形成され
るパド形成面24、窪み21に形成される金属被膜電極
25、パド形成面24に形成されるパド26、金属被膜
電極25とパド26を接続する配線27より成るストッ
パ2を有し、ダイアフラムフレーム12とストッパフレ
ーム22とを接合した接合面に配線27を通過せしめる
溝23を形成したダイアフラム構造体を具備する力学量
センサにおいて、溝23を屈曲部231を有するクラン
ク状溝230に構成し、屈曲部231の近傍にポケット
232を形成した力学量センサを構成した。Means for Solving the Problems Claim 1: Mass part 13,
The diaphragm 1 includes a thin portion 11 to which the mass portion 13 is fixed and deformed in accordance with the displacement of the mass portion 13, and a diaphragm frame 12 to which the thin portion 11 is fixed, and a stopper frame 22 is formed around the periphery. Recess 21 having a very small depth, a pad forming surface 24 formed outside the stopper frame 22, a metal film electrode 25 formed in the recess 21, a pad 26 formed in the pad forming surface 24, a metal film electrode A mechanical sensor having a diaphragm 2 having a stopper 2 consisting of a wiring 27 connecting the pad 25 and the pad 26 and having a groove 23 for passing the wiring 27 formed on a joint surface where the diaphragm frame 12 and the stopper frame 22 are joined. , The groove 23 is formed as a crank-shaped groove 230 having a bent portion 231, and a pocket 232 is formed near the bent portion 231. You configure the academic amount sensor.
【0011】そして、請求項2:請求項1に記載される
力学量センサにおいて、クランク状溝230はダイアフ
ラム側或いはストッパ側の何れか一方に形成されるもの
である力学量センサを構成した。 また、請求項3:請求項1および請求項2の内の何れか
に記載される力学量センサにおいて、ポケット232は
屈曲部231に隣接して形成した力学量センサを構成し
た。Claim 2: In the dynamic quantity sensor according to claim 1, the crank-shaped groove 230 constitutes a dynamic quantity sensor formed on one of the diaphragm side and the stopper side. Claim 3: In the physical quantity sensor according to any one of claims 1 and 2, the pocket 232 constitutes a physical quantity sensor formed adjacent to the bent portion 231.
【0012】更に、請求項4:請求項1および請求項2
の内の何れかに記載される力学量センサにおいて、ポケ
ット232は屈曲部231から僅かに離隔して形成した
力学量センサを構成した。 また、請求項5:請求項1ないし請求項4の内の何れか
に記載される力学量センサにおいて、ポケット232は
クランク状溝230の外部から内部に向かう延伸方向に
沿って形成した力学量センサを構成したを構成した。Further, claim 4: claim 1 and claim 2
In the physical quantity sensor described in any one of the above, the pocket 232 constitutes a physical quantity sensor formed slightly apart from the bent portion 231. Claim 5: In the physical quantity sensor according to any one of Claims 1 to 4, the pocket 232 is formed along the extending direction from the outside to the inside of the crank-shaped groove 230. Was configured.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図1およ
び図2を参照して説明する。図1はダイアフラム構造体
の実施例を説明する図である。図1(a)は力学量セン
サのダイアフラムの実施例を説明する斜視図であり、図
1(b)はストッパを説明する斜視図である。図2
(a)および図2(b)は何れも配線部の実施例を説明
する図である。図1および図2において、図3および図
4の従来例の参照符号と共通する参照符号は共通する部
材を示す。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment of a diaphragm structure. FIG. 1A is a perspective view illustrating an embodiment of a diaphragm of a physical quantity sensor, and FIG. 1B is a perspective view illustrating a stopper. FIG.
2A and 2B are diagrams for explaining an embodiment of a wiring portion. 1 and 2, the same reference numerals as those of the conventional example in FIGS. 3 and 4 indicate the same members.
【0014】図1を参照して説明するに、この実施例
も、力学量センサの従来例と同様に、質量部13、質量
部13が固定されて質量部13の変位に応じて変形する
薄肉部11、薄肉部11が固定されるダイアフラムフレ
ーム12より成るダイアフラム1を有し、周縁にストッ
パフレーム22を残在して形成される深さの極く小さい
窪み21、ストッパフレーム22の外側に形成されるパ
ド形成面24、窪み21に形成される金属被膜電極2
5、パド形成面24に形成されるパド26、金属被膜電
極25とパド26を接続する配線27より成るストッパ
2を有している。そして、ダイアフラムフレーム12と
ストッパフレーム22とを接合し、接合面に配線27を
通過せしめる溝23を形成している。As will be described with reference to FIG. 1, this embodiment also has a mass portion 13 which is fixed and deforms in accordance with the displacement of the mass portion 13, similarly to the conventional example of the physical quantity sensor. A diaphragm 21 comprising a diaphragm frame 12 to which the thin portion 11 is fixed, and a very small recess 21 formed by leaving a stopper frame 22 on the periphery, formed outside the stopper frame 22 Pad forming surface 24, metal film electrode 2 formed in depression 21
5, a pad 26 formed on the pad forming surface 24, and a stopper 2 including a wiring 27 connecting the metal film electrode 25 and the pad 26. Then, the diaphragm frame 12 and the stopper frame 22 are joined, and a groove 23 for passing the wiring 27 is formed on the joining surface.
【0015】ここで、この発明の実施例は溝23を屈曲
部231を有するクランク状溝230に構成し、屈曲部
231の近傍にポケット232を形成した。図示される
クランク状溝230はストッパ2側に形成されている
が、これはダイアフラム1側或いはストッパ2側の何れ
か一方に形成される。図2(a)には、配線部28を拡
大してポケット232が屈曲部231に隣接して形成し
たところが示されている。図2(b)配線部28を拡大
してポケット232が屈曲部231から僅かに離隔して
形成したところが示されている。In the embodiment of the present invention, the groove 23 is formed as a crank-shaped groove 230 having a bent portion 231, and a pocket 232 is formed near the bent portion 231. Although the illustrated crank-shaped groove 230 is formed on the stopper 2 side, it is formed on either the diaphragm 1 side or the stopper 2 side. FIG. 2A shows that the wiring portion 28 is enlarged and a pocket 232 is formed adjacent to the bent portion 231. FIG. 2 (b) shows that the wiring portion 28 is enlarged and the pocket 232 is formed slightly apart from the bent portion 231.
【0016】また、ポケット232はクランク状溝23
0の外部から内部に向かう延伸方向に沿って形成されて
いる。以上の構成を採用することにより、ダイシング加
工時に冷却液に含まれて侵入する導電性の異物はこのポ
ケット232に捕捉される。即ち、冷却液はクランク状
溝230に沿って流通する訳であるが、冷却液が屈曲部
231にさしかかるとその中に含まれる導電性の異物は
冷却液の流れの外側に押しやられ、ここに形成されるポ
ケット232に捕捉されることとなる。ダイシング加工
時に侵入する導電性の異物がポケット232に捕捉され
る結果、導電性の異物が溝23の配線27が形成される
領域に滞留して金属被膜電極25側とダイアフラム1側
との間が短絡することは殆どなくなるに到る。特に、ポ
ケット232を導電性の異物の進入方向に沿って形成す
ることにより、より良好にポケット232に捕捉され
る。The pocket 232 is formed in the crank-shaped groove 23.
0 is formed along the extending direction from the outside to the inside. By adopting the above configuration, conductive foreign substances that are contained in the cooling liquid and enter in the dicing process are captured in the pocket 232. That is, the coolant flows along the crank-shaped groove 230. However, when the coolant reaches the bent portion 231, conductive foreign substances contained therein are pushed to the outside of the flow of the coolant, and The pocket 232 that is formed will be captured. As a result, the conductive foreign matter entering the pocket 232 during the dicing process is trapped in the region of the groove 23 where the wiring 27 is formed. Short circuits are almost eliminated. In particular, by forming the pocket 232 along the direction in which the conductive foreign matter enters, the pocket 232 is more appropriately captured by the pocket 232.
【0017】[0017]
【発明の効果】以上の通りであって、この発明によれ
ば、配線部の溝を屈曲部を有するクランク状溝に構成
し、屈曲部の近傍にポケットを設けることにより、溝に
侵入した導電性の異物を配線の形成される領域から排除
することができ、金属被膜電極側とダイアフラム側との
間が短絡することは殆どなくなるに到る。As described above, according to the present invention, the groove of the wiring portion is formed as a crank-shaped groove having a bent portion, and a pocket is provided near the bent portion, so that the conductive material that has entered the groove is formed. The conductive foreign matter can be excluded from the region where the wiring is formed, and the short circuit between the metal film electrode side and the diaphragm side hardly occurs.
【図1】 実施例を説明する斜視図り。図1(a)はダ
イアフラムを説明する斜視図、図1(b)はストッパを
説明する斜視図である。FIG. 1 is a perspective view illustrating an embodiment. FIG. 1A is a perspective view illustrating a diaphragm, and FIG. 1B is a perspective view illustrating a stopper.
【図2】配線部の実施例を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a wiring unit.
【図3】従来例を説明する図であり、図3(a)はダイ
アフラムを説明する斜視図、図3(b)はストッパを説
明する斜視図である。3A and 3B are diagrams illustrating a conventional example. FIG. 3A is a perspective view illustrating a diaphragm, and FIG. 3B is a perspective view illustrating a stopper.
【図4】配線部の従来例を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a conventional example of a wiring unit.
1 ダイアフラム 11 薄肉部 12 ダイアフラムフレーム 13 質量部 2 ストッパ 21 窪み 22 ストッパフレーム 23 溝 230 クランク状溝 231 屈曲部 232 ポケット 24 パド形成面 25 金属被膜電極 26 パド 27 配線 28 配線部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Diaphragm 11 Thin part 12 Diaphragm frame 13 Mass part 2 Stopper 21 Depression 22 Stopper frame 23 Groove 230 Crank-shaped groove 231 Bent part 232 Pocket 24 Pad formation surface 25 Metal film electrode 26 Pad 27 Wiring 28 Wiring part
Claims (5)
に応じて変形する薄肉部、薄肉部が固定されるダイアフ
ラムフレームより成るダイアフラムを有し、周縁にスト
ッパフレームを残して形成される深さの極く小さい窪
み、ストッパフレームの外側に形成されるパド形成面、
窪みに形成される金属被膜電極、パド形成面に形成され
るパド、金属被膜電極とパドを接続する配線より成るス
トッパを有し、ダイアフラムフレームとストッパフレー
ムとを接合した接合面に配線を通過せしめる溝を形成し
たダイアフラム構造体を具備する力学量センサにおい
て、 溝を屈曲部を有するクランク状溝に構成し、屈曲部の近
傍にポケットを形成したことを特徴とする力学量セン
サ。1. A diaphragm comprising a mass portion, a thin portion in which the mass portion is fixed and deformed in response to displacement of the mass portion, and a diaphragm frame in which the thin portion is fixed, and formed with a stopper frame on the periphery. A dent with an extremely small depth, a pad forming surface formed outside the stopper frame,
It has a metal film electrode formed in the depression, a pad formed on the pad formation surface, and a stopper composed of a wire connecting the metal film electrode and the pad, and allows the wiring to pass through a joint surface where the diaphragm frame and the stopper frame are joined. A dynamic quantity sensor comprising a diaphragm structure having a groove, wherein the groove is formed as a crank-shaped groove having a bent portion, and a pocket is formed near the bent portion.
いて、 クランク状溝はダイアフラム側或いはストッパ側の何れ
か一方に形成されるものであることを特徴とする力学量
センサ。2. The physical quantity sensor according to claim 1, wherein the crank-shaped groove is formed on one of the diaphragm side and the stopper side.
記載される力学量センサにおいて、 ポケットは屈曲部に隣接して形成したことを特徴とする
力学量センサ。3. The physical quantity sensor according to claim 1, wherein the pocket is formed adjacent to the bent portion.
記載される力学量センサにおいて、 ポケットは屈曲部から僅か離隔して形成したことを特徴
とする力学量センサ。4. The physical quantity sensor according to claim 1, wherein the pocket is formed slightly apart from the bent portion.
記載される力学量センサにおいて、 ポケットはクランク状溝の外部から内部に向かう延伸方
向に沿って形成したことを特徴とする力学量センサ。5. The dynamic quantity sensor according to claim 1, wherein the pocket is formed along an extending direction from the outside to the inside of the crank-shaped groove. Quantity sensor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10217640A JP2000046863A (en) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | Mechanical quantity sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10217640A JP2000046863A (en) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | Mechanical quantity sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000046863A true JP2000046863A (en) | 2000-02-18 |
Family
ID=16707437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10217640A Withdrawn JP2000046863A (en) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | Mechanical quantity sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000046863A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045371B2 (en) | 2003-09-12 | 2006-05-16 | Denso Corporation | Foreign material removing method for capacitance type dynamic quantity sensor |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP10217640A patent/JP2000046863A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045371B2 (en) | 2003-09-12 | 2006-05-16 | Denso Corporation | Foreign material removing method for capacitance type dynamic quantity sensor |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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