JP2000091311A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Method for manufacturing semiconductor deviceInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＡＬエッチングの寸法制御性の向上と、サイド
エッチングの軽減。
【解決手段】レジスト下にテーパをつけた酸化膜を設け
たマスクを用いる。
【効果】レジスト下にテーパをつけた酸化膜を設けたマ
スクを用いることにより、エッチング中のマスクの減少
量が低下して、ＡＬエッチングの寸法制御性を向上させ
る事が出来る。また、マスクとして用いる酸化膜にテー
パをつけることで、イオンの入射が斜め方向にコントロ
ールされ、ＡＬのサイドエッチングを軽減する事が出来
る。さらにパターン粗密において、酸化膜のテーパ角の
差を少なくすることにより、パターン粗密での寸法差を
減少する事が出来る。
[PROBLEMS] To improve the dimensional controllability of AL etching and reduce side etching. A mask provided with a tapered oxide film below a resist is used. [Effect] By using a mask provided with a tapered oxide film under a resist, the amount of mask reduction during etching is reduced, and dimensional controllability of AL etching can be improved. In addition, by making the oxide film used as a mask tapered, the incidence of ions is controlled in an oblique direction, and side etching of AL can be reduced. Furthermore, by reducing the difference in the taper angle of the oxide film in the pattern density, the dimensional difference in the pattern density can be reduced.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト下にテー
パをつけた酸化膜を設けたマスクによる、ＡＬエッチン
グの寸法制御性の向上と、サイドエッチングの軽減に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to improvement of dimensional control of AL etching and reduction of side etching by using a mask provided with a tapered oxide film below a resist.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１は従来のＡＬエッチング前の断面
図、図２は従来のＡＬエッチング後の断面図である。１
はレジスト、２はＡＬである。2. Description of the Related Art FIG. 1 is a sectional view before a conventional AL etching, and FIG. 2 is a sectional view after a conventional AL etching. 1
Is a resist and 2 is AL.
【０００３】半導体装置のＡＬエッチングにおけるマス
クは、レジストが使用されているが、エッチング時にレ
ジストが減少する量が多いため、フォト寸法とエッチン
グ寸法の差が大きくなり、寸法制御性が良くない。また
場合によっては、レジストが無くなり、パターンとして
残すべきＡＬの上部をエッチングしてしまうこともあっ
た。Although a resist is used as a mask in the AL etching of a semiconductor device, the amount of the resist reduced during etching is large, so that the difference between the photo dimension and the etching dimension increases, and the dimension controllability is poor. In some cases, the resist is lost, and the upper portion of the AL to be left as a pattern may be etched.
【０００４】ＡＬエッチングでは、マスクにテーパがつ
いていた方が、イオンの入射が斜め方向にコントロール
されるため、ＡＬのサイドエッチングを防ぎやすいが、
レジストマスクでは、テーパを安定してつけることに限
界があった。また、レジストマスクでは、パターンの粗
密によりテーパ角が変わり、その差を減少させることに
限界があるため、パターンの粗密によって寸法が違って
いた。In the AL etching, if the mask is tapered, the incidence of ions is controlled in an oblique direction, so that it is easy to prevent side etching of the AL.
In a resist mask, there is a limit in stably forming a taper. Further, in the resist mask, the taper angle changes depending on the density of the pattern, and there is a limit in reducing the difference. Therefore, the dimensions are different depending on the density of the pattern.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＡＬエッチ
ングの寸法制御性の向上と、サイドエッチングを軽減さ
せる方法を提供する物である。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of improving dimensional control of AL etching and reducing side etching.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、レジスト下に
テーパをつけた酸化膜を設けたマスクにより、ＡＬエッ
チングの寸法制御性の向上と、サイドエッチングを軽減
するものである。The present invention improves the dimensional controllability of AL etching and reduces side etching by using a mask provided with a tapered oxide film below a resist.
【０００７】[0007]
【作用】本発明においては、レジスト下にテーパをつけ
た酸化膜を設けたマスクを用いることにより、ＡＬエッ
チングの寸法制御性を向上させ、サイドエッチングを軽
減するができる。According to the present invention, the use of a mask provided with a tapered oxide film below the resist improves the dimensional controllability of the AL etching and reduces side etching.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下この発明の一実施例について
説明する。図３は、本発明の一実施例における、ＡＬエ
ッチング前の断面図である。図４は、本発明の一実施例
における、ＡＬエッチング後の断面図である。図１と同
一符号は、同一の部分を示しており、３は酸化膜、４は
イオンである。酸化膜３は、ＨＴＯやｔｈ−ＴＥＯＳ、
ＰＳＧを使用し、レジスト１をマスクとして酸化膜ドラ
イエッチャーによりテーパ角をコントロールし、粗密に
よる影響をおさえる。イオン４は、エッチング成分であ
る塩素のイオンである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below. FIG. 3 is a cross-sectional view before the AL etching in one embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view after AL etching according to one embodiment of the present invention. 1 denote the same parts, 3 denotes an oxide film, and 4 denotes ions. The oxide film 3 is made of HTO, th-TEOS,
Using PSG, the taper angle is controlled by an oxide film dry etcher using the resist 1 as a mask to suppress the influence of the density. The ions 4 are ions of chlorine which is an etching component.
【０００９】酸化膜３をマスクとして用いることによ
り、レジストに比べエッチング時に減少する量が少ない
ため、フォト寸法とエッチング寸法の差が減少する。酸
化膜３にテーパをつけることで、イオン４の入射が斜め
方向にコントロールされることにより、ＡＬのサイドエ
ッチングが軽減される。また、パターン粗密において、
酸化膜３のテーパ角の差を少なくすることにより、パタ
ーン粗密での寸法差が減少する。When the oxide film 3 is used as a mask, the amount of reduction in etching is smaller than that of resist, so that the difference between the photo dimension and the etching dimension is reduced. By making the oxide film 3 tapered, the incidence of the ions 4 is controlled in an oblique direction, so that the side etching of the AL is reduced. In addition, in pattern density
By reducing the difference in the taper angle of the oxide film 3, the dimensional difference in the pattern density is reduced.
【００１０】[0010]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、レジスト
下にテーパをつけた酸化膜を設けたマスクを用いること
により、エッチング中のマスクの減少量が低下して、Ａ
Ｌエッチングの寸法制御性を向上させる事が出来る。ま
た、マスクとして用いる酸化膜にテーパをつけること
で、イオンの入射が斜め方向にコントロールされ、ＡＬ
のサイドエッチングを軽減する事が出来る。さらにパタ
ーン粗密において、酸化膜のテーパ角の差を少なくする
ことにより、パターン粗密での寸法差を減少する事が出
来る。As described above, according to the present invention, by using a mask provided with a tapered oxide film under a resist, the amount of mask reduction during etching is reduced.
The dimensional controllability of the L etching can be improved. Also, by tapering the oxide film used as a mask, the incidence of ions is controlled in an oblique direction, and AL
Side etching can be reduced. Furthermore, by reducing the difference in the taper angle of the oxide film in the pattern density, the dimensional difference in the pattern density can be reduced.
【図１】従来のＡＬエッチング前の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view before a conventional AL etching.
【図２】従来のＡＬエッチング後の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view after conventional AL etching.
【図３】本発明の一実施例における、ＡＬエッチング前
の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view before an AL etching in one embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施例における、ＡＬエッチング後
の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view after AL etching in one embodiment of the present invention.
１ レジスト ２ ＡＬ ３ 酸化膜 ４ イオン Reference Signs List 1 resist 2 AL 3 oxide film 4 ion
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 AA01 AA02 AA04 AA16 BA11 BB18 BD02 DA00 DA04 DA05 DA06 DA07 DA08 DA09 DA11 DA12 DA13 DA14 DA29 DB03 DB04 DB07 DB08 DB09 DB12 DB16 EA01 EA03 EA06 EA07 EA09 EA19 EA28 EB02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5F004 AA01 AA02 AA04 AA16 BA11 BB18 BD02 DA00 DA04 DA05 DA06 DA07 DA08 DA09 DA11 DA12 DA13 DA14 DA29 DB03 DB04 DB07 DB08 DB09 DB12 DB16 EA01 EA03 EA06 EA07 EA09 EA19 EA28 EB02
Claims (3)
Ｌエッチングに用いることを特徴とした、半導体装置の
製造方法。A mask provided with an oxide film under a resist is formed by A
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the method is used for L etching.
ことを特徴とした、半導体装置の製造方法。2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the oxide film is tapered.
とを特徴とした、半導体装置の製造方法。3. The method according to claim 1, wherein the oxide film is a nitride film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10262135A JP2000091311A (en) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10262135A JP2000091311A (en) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | Method for manufacturing semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091311A true JP2000091311A (en) | 2000-03-31 |
Family
ID=17371550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10262135A Withdrawn JP2000091311A (en) | 1998-09-16 | 1998-09-16 | Method for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091311A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6974778B2 (en) | 2001-10-11 | 2005-12-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device manufactured with auxillary mask and method for producing the same |
-
1998
- 1998-09-16 JP JP10262135A patent/JP2000091311A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6974778B2 (en) | 2001-10-11 | 2005-12-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device manufactured with auxillary mask and method for producing the same |
| US7064081B2 (en) | 2001-10-11 | 2006-06-20 | Rohm Co., Ltd | Semiconductor device and method for producing the same |
| US7241634B2 (en) | 2001-10-11 | 2007-07-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for producing the same |
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