JP2000012758A - Lead frame, resin sealed type semiconductor device using the same and manufacture thereof - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子及び半
導体素子に接続される信号接続用リード部を封止樹脂に
より封止した樹脂封止型半導体装置とその製造方法、お
よび樹脂封止型半導体装置の製造に適したリードフレー
ムに係り、特に信号接続用リード部の一部が底面から露
出した樹脂封止型半導体装置の構造に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor element and a signal connection lead connected to the semiconductor element are sealed with a sealing resin, a method of manufacturing the same, and a resin-sealed semiconductor. The present invention relates to a lead frame suitable for manufacturing a device, and more particularly to a structure of a resin-sealed semiconductor device in which a part of a signal connection lead portion is exposed from a bottom surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が進んでいる。2. Description of the Related Art In recent years, in order to cope with miniaturization of electronic equipment, it has been required to mount semiconductor components mounted on electronic equipment at a high density, and accordingly, semiconductor parts have been reduced in size and thickness. In.
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て説明する。図１１は、従来の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図である。図１１に示すように、従来の樹脂封
止型半導体装置は、裏面側に外部電極を有するタイプの
樹脂封止型半導体装置である。A conventional resin-sealed semiconductor device will be described below. FIG. 11 is a sectional view showing a conventional resin-encapsulated semiconductor device. As shown in FIG. 11, the conventional resin-encapsulated semiconductor device is of a type having an external electrode on the back surface side.
【０００４】従来の樹脂封止型半導体装置は、インナー
リード部１と、ダイパッド部２と、そのダイパッド部２
を支持する吊りリード部（図示）を有し、ダイパッド部
２上に半導体素子３が接着剤により接合されており、半
導体素子３の電極パッド（図示せず）とインナーリード
部１とは、金属細線４により電気的に接続されている。[0004] A conventional resin-encapsulated semiconductor device includes an inner lead portion 1, a die pad portion 2, and a die pad portion 2.
The semiconductor element 3 is bonded to the die pad part 2 with an adhesive, and the electrode pad (not shown) of the semiconductor element 3 and the inner lead part 1 are formed of metal. They are electrically connected by thin wires 4.
【０００５】そして、ダイパッド部２、半導体素子３、
インナーリード部１の一部、吊りリード部および金属細
線４は封止樹脂５により封止されている。この構造で
は、インナーリード部１の裏面側には封止樹脂５は存在
せず、インナーリード部１の裏面側は露出されており、
この露出面を含むインナーリード部１の下部が外部電極
部６となっている。またインナーリード部１と接続した
アウターリード部７が封止樹脂５の面より突出して設け
られている。なお、封止樹脂５との密着性を確保するた
めに、インナーリード部１やダイパッド部２の側面を表
裏の面に対して直交するのではなく、上方に向かって拡
大するようにテーパ状にしている。Then, the die pad part 2, the semiconductor element 3,
A part of the inner lead portion 1, the suspension lead portion and the thin metal wire 4 are sealed with a sealing resin 5. In this structure, the sealing resin 5 does not exist on the back surface side of the inner lead portion 1, and the back surface side of the inner lead portion 1 is exposed,
The lower part of the inner lead portion 1 including this exposed surface is the external electrode portion 6. An outer lead portion 7 connected to the inner lead portion 1 is provided so as to protrude from the surface of the sealing resin 5. In order to secure the adhesion to the sealing resin 5, the side surfaces of the inner lead portion 1 and the die pad portion 2 are not perpendicular to the front and back surfaces, but are tapered so as to expand upward. ing.
【０００６】このような従来の樹脂封止型半導体装置に
おいては、封止樹脂５の裏面とダイパッド部２の裏面と
は共通の面上にある。すなわち、リードフレームの裏面
側は実質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止型
半導体装置が実現する。In such a conventional resin-encapsulated semiconductor device, the back surface of the sealing resin 5 and the back surface of the die pad portion 2 are on a common surface. That is, since the rear surface side of the lead frame is not substantially sealed, a thin resin-sealed semiconductor device is realized.
【０００７】図１１に示す構造を有する樹脂封止型半導
体装置の製造工程においては、まず、インナーリード部
１、ダイパッド部２を有するリードフレームを用意し、
機械的または化学的加工を行なって、リードフレームの
側面をテーパ状にする。用意したリードフレームのダイ
パッド部２の上に半導体素子３を接着剤により接合した
後、半導体素子３とインナーリード部１とを金属細線４
により電気的に接続する。金属細線４には、アルミニウ
ム（Ａｌ）線、金（Ａｕ）線などが適宜用いられる。次
に、ダイパッド部２、半導体素子３、インナーリード部
１、吊りリード部の一部及び金属細線４を封止樹脂５に
より封止する。この場合、半導体素子３が接合されたリ
ードフレームが封止金型内に収納されて、トランスファ
ーモールドされるが、特にリードフレームの裏面が封止
金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂封止が
行なわれる。最後に、樹脂封止後に封止樹脂５から外方
に突出しているアウターリード７を所定の長さに切断し
て、樹脂封止型半導体装置が完成する。In a manufacturing process of a resin-encapsulated semiconductor device having a structure shown in FIG. 11, first, a lead frame having an inner lead portion 1 and a die pad portion 2 is prepared.
The side of the lead frame is tapered by mechanical or chemical processing. After bonding the semiconductor element 3 onto the die pad 2 of the prepared lead frame with an adhesive, the semiconductor element 3 and the inner lead 1 are connected to the thin metal wire 4.
For electrical connection. As the thin metal wire 4, an aluminum (Al) wire, a gold (Au) wire, or the like is appropriately used. Next, the die pad portion 2, the semiconductor element 3, the inner lead portion 1, a part of the suspension lead portion, and the thin metal wire 4 are sealed with the sealing resin 5. In this case, the lead frame to which the semiconductor element 3 is bonded is housed in the sealing mold and is transfer-molded. In particular, the back surface of the lead frame contacts the upper mold or the lower mold of the sealing mold. In this state, resin sealing is performed. Finally, the outer leads 7 protruding outward from the sealing resin 5 after the resin sealing are cut to a predetermined length to complete the resin-sealed semiconductor device.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の樹
脂封止型半導体装置では、薄型化を実現するために、実
質的にはリードフレームの半導体素子が搭載された面、
すなわちリードフレームの上面のみを封止樹脂で封止し
た構造である。However, in the conventional resin-encapsulated semiconductor device, in order to reduce the thickness, the surface of the lead frame on which the semiconductor element is mounted is substantially reduced.
In other words, only the upper surface of the lead frame is sealed with the sealing resin.
【０００９】このため、インナーリード部の底面が樹脂
封止型半導体装置の底面に一部露出しており、樹脂との
密着性が弱く樹脂と離れやすい、実装基板と接合する実
装においてもその機械的、熱的応力により信頼性が悪い
という課題があった。また、リード数（電極数）の増大
により樹脂封止型半導体装置の外形寸法が大きくなり、
それにより外部端子間も長くなり実装信頼性がより悪く
なる。また、半導体素子が小さい場合、特に金属細線の
接続が長くなり生産性、品質の課題があった。さらにプ
リント基板への実装後の応力により、金属細線で接続さ
れたインナーリード部に負荷がかかり、接続不良が発生
するという課題もあった。また、実装基板と樹脂封止型
半導体装置との実装において、ダイパッド部の裏面上に
封止樹脂の一部がはみ出していわゆる樹脂バリが介在す
ると、放熱パッド等との接触が不十分となり、放熱特性
などの所望の特性を十分発揮できない恐れがある。一
方、この樹脂バリはウォータージェットなどの利用によ
って除去できるが、かかる処理は煩雑な手間を要し、し
かも、ウォータージェット工程によって、実際にはリー
ド上に形成しているニッケル、パラジウム、金のメッキ
層が剥がれ、また不純物が付着することから、樹脂封止
工程後に封止樹脂から露出している部分に再度、メッキ
を施すことが必要となり、作業能率の低下、信頼性の悪
化を招く恐れもあった。For this reason, the bottom surface of the inner lead portion is partially exposed on the bottom surface of the resin-encapsulated semiconductor device, and has low adhesion to the resin and easily separates from the resin. There is a problem that reliability is poor due to thermal and thermal stress. In addition, the external dimensions of the resin-encapsulated semiconductor device increase due to an increase in the number of leads (the number of electrodes),
As a result, the distance between the external terminals becomes longer, and the mounting reliability becomes worse. In addition, when the semiconductor element is small, the connection of the thin metal wire is particularly long, and there is a problem in productivity and quality. Further, there is a problem that a stress is applied to the inner lead portion connected by the thin metal wire due to the stress after mounting on the printed board, and a connection failure occurs. Also, in mounting the mounting substrate and the resin-encapsulated semiconductor device, if a portion of the encapsulating resin protrudes from the back surface of the die pad portion and a so-called resin burr is interposed, the contact with the heat radiation pad or the like becomes insufficient, and the heat radiation becomes insufficient. There is a possibility that desired characteristics such as characteristics cannot be sufficiently exhibited. On the other hand, this resin burr can be removed by using a water jet or the like, but such a process requires complicated labor, and the nickel, palladium, and gold plating actually formed on the lead by the water jet process. Since the layer is peeled off and impurities are attached, it is necessary to perform plating again on the portion exposed from the sealing resin after the resin sealing step, which may cause a reduction in work efficiency and a decrease in reliability. there were.
【００１０】一方、ダイパッド部を封止樹脂内に内蔵し
たタイプの半導体装置においては、上記の共通課題のほ
か、インナーリード部の先端部に段差があり先端部が変
形するという課題があり、また、金属細線の接続工程に
おいて生産安定性に課題があった。また、封止工程でも
金属細線が互いに接触するという課題があり、インナー
リード部の先端部の位置がばらつくため、段差部の下に
樹脂が充填されないという品質上の課題もあった。On the other hand, in a semiconductor device of a type in which a die pad portion is embedded in a sealing resin, in addition to the above-mentioned common problems, there is a problem that the tip of the inner lead portion has a step and the tip is deformed. In addition, there is a problem in the production stability in the connecting process of the thin metal wires. Also, there is a problem in the sealing process that the fine metal wires come into contact with each other, and there is also a quality problem that the resin is not filled under the step because the position of the tip of the inner lead portion varies.
【００１１】本発明は、前記従来の樹脂封止型半導体装
置における課題に鑑みてなされたものであり、前記従来
の課題を解決し、リードフレームおよびそれを用いた樹
脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供すること
を目的とする。具体的には本発明の第１の目的は、半導
体素子の大きさの変化に対応可能で、信頼性の向上が可
能なリードフレームとそれを用いた小型の樹脂封止型半
導体装置を提供する。また、本発明の第２の目的は、信
号接続用リード部の外部端子部と半導体素子との距離が
ある樹脂封止型半導体装置の信号接続用リード部に補強
手段を講ずることにより、小型の半導体装置を提供す
る。そして本発明の第３の目的は、信号接続用リード部
の先端部に段差を有し、段差部の一部に突出部を設ける
ことにより実装品質の良い小型の樹脂封止型半導体装置
を提供する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems in the above-mentioned conventional resin-encapsulated semiconductor device, and solves the above-mentioned conventional problems, and provides a lead frame and a resin-encapsulated semiconductor device using the same. It is intended to provide a manufacturing method. Specifically, a first object of the present invention is to provide a lead frame capable of coping with a change in the size of a semiconductor element and capable of improving reliability, and a small resin-sealed semiconductor device using the same. . Further, a second object of the present invention is to provide a signal-connection lead portion of a resin-encapsulated semiconductor device having a distance between an external terminal portion of a signal-connection lead portion and a semiconductor element by using a reinforcing means to reduce the size of the signal-connection lead portion. A semiconductor device is provided. A third object of the present invention is to provide a small-sized resin-encapsulated semiconductor device having good mounting quality by providing a step at a tip end of a signal connection lead portion and providing a protrusion at a part of the step portion. I do.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】前記した目的を達成する
ために本発明のリードフレームおよびそれを用いた樹脂
封止型半導体装置およびその製造方法は、以下のような
構成を有している。すなわち、リードフレームにおいて
は、ダイパッド部と、前記ダイパッド部の近傍にその各
先端部が延在して配置された信号接続用リード部と、前
記信号接続用リード部と連続して接続するアウターリー
ド部とよりなるリードフレームにおいて、前記信号接続
用リード部の先端部は前記アウターリード部に対して厚
さが薄い薄厚部を有し、前記薄厚部の領域内に下方に突
出した突出部を有し、前記突出部の表面と前記アウター
リード部の底面とは同一面であるリードフレームであ
る。また、ダイパッド部と、前記ダイパッド部の近傍に
その各先端部が延在して配置された信号接続用リード部
と、前記信号接続用リード部に連続して接続するアウタ
ーリード部と、アウターリード部の他端を支持したフレ
ーム枠とよりなるリードフレームにおいて、少なくとも
フレーム枠、信号接続用リード部の一部、およびダイパ
ッド部底面に樹脂フィルムが貼付されたリードフレーム
である。また、信号接続用リード部の先端部は薄厚部を
有し、前記薄厚部の領域内の前記信号接続用リード部表
面には複数個の溝部が設けられているリードフレームで
あり、信号接続用リード部には幅広部が形成されている
リードフレームである。In order to achieve the above-mentioned object, a lead frame of the present invention, a resin-sealed semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same have the following structures. That is, in the lead frame, a die pad portion, a signal connection lead portion having each end portion extended near the die pad portion, and an outer lead continuously connected to the signal connection lead portion A leading end portion of the signal connection lead portion has a thin portion thinner than the outer lead portion, and has a protruding portion projecting downward in a region of the thin portion. Then, the surface of the protruding portion and the bottom surface of the outer lead portion are the same lead frame. A die pad portion, a signal connection lead portion having a distal end portion extending in the vicinity of the die pad portion, an outer lead portion continuously connected to the signal connection lead portion, and an outer lead portion. In a lead frame comprising a frame supporting the other end of the portion, at least a frame, a part of a signal connection lead portion, and a lead frame having a resin film adhered to a bottom surface of a die pad portion. Also, the signal connection lead portion has a thin portion at a tip end, and a lead frame provided with a plurality of grooves on a surface of the signal connection lead portion in a region of the thin portion. The lead portion is a lead frame in which a wide portion is formed.
【００１３】また樹脂封止型半導体装置においては、ダ
イパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素
子と金属細線により電気的に接続された信号接続用リー
ド部と、前記ダイパッド部、半導体素子、金属細線の領
域を封止し、少なくとも前記信号接続用リード部の裏面
の一部を突出させて封止した封止樹脂とよりなる樹脂封
止型半導体装置であって、前記信号接続用リード部はそ
の先端部付近に突出部を有し、前記突出部が前記封止樹
脂面から突出して露出している樹脂封止型半導体装置で
ある。そして信号接続用リード部はその表面に溝部を有
しているものである。また、信号接続用リード部はその
表面に幅広部を有しているものである。また、信号接続
用リード部はその先端部付近に突出部を有し、前記突出
部の先端部が幅広部を有し、その幅広部の表面が封止樹
脂面から露出しているものである。In a resin-encapsulated semiconductor device, a semiconductor element mounted on a die pad, a signal connection lead electrically connected to the semiconductor element by a thin metal wire, the die pad, A resin-sealed semiconductor device comprising: a sealing resin that seals an area of a thin metal wire and projects and seals at least a part of the back surface of the signal connection lead. The portion is a resin-sealed semiconductor device having a protruding portion near a tip portion thereof, wherein the protruding portion protrudes from the sealing resin surface and is exposed. The signal connection lead has a groove on its surface. The signal connection lead portion has a wide portion on its surface. Further, the signal connection lead portion has a protruding portion near the distal end thereof, the distal end of the protruding portion has a wide portion, and the surface of the wide portion is exposed from the sealing resin surface. .
【００１４】また、樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいては、ダイパッド部と、前記ダイパッド部の近傍に
その各先端部が延在して配置された信号接続用リード部
と、前記信号接続用リード部と連続して接続するアウタ
ーリード部と、前記アウターリード部の他端を支持した
フレーム枠とよりなるリードフレームであって、少なく
ともフレーム枠、信号接続用リード部の一部、およびダ
イパッド部底面に樹脂フィルムが貼付され、前記信号接
続用リード部の先端部は前記アウターリード部に対して
厚さが薄い薄厚部を有し、前記薄厚部の領域内に下方に
突出した突出部を有し、前記突出部の表面と前記アウタ
ーリード部の底面とは同一面であるリードフレームにに
対して、半導体素子を前記ダイパッド部上に接着する工
程と、前記ダイパッド部上に接着した半導体素子と前記
信号接続用リード部とを金属細線により電気的に接続す
る工程と、前記信号接続リード部、アウターリード部お
よびダイパット部底面を前記樹脂フィルムとともに樹脂
封止用の金型面に押圧して封止樹脂により、前記半導体
素子、金属細線、信号接続用リード部の領域を樹脂封止
する工程と、前記樹脂フィルムを除去し、底面の封止樹
脂面より突出したアウターリード部よりなる外部電極
部、突出部およびダイパット部を形成する工程と、前記
外部電極部の前記フレーム枠と接続した部分を切断し、
外部電極部の先端面と封止樹脂の側面とをほぼ同一面に
形成する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方
法である。In the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, a die pad portion, a signal connection lead portion having respective tips extending near the die pad portion are provided, and the signal connection lead portion is provided. A lead frame comprising an outer lead portion continuously connected to a lead portion, and a frame supporting the other end of the outer lead, wherein at least the frame, a part of the signal connection lead, and a die pad are provided. A resin film is affixed to the bottom surface, and the distal end of the signal connection lead has a thin portion that is thinner than the outer lead, and has a protruding portion that protrudes downward in the region of the thin portion. Bonding a semiconductor element on the die pad portion to a lead frame in which the surface of the protruding portion and the bottom surface of the outer lead portion are on the same surface; Electrically connecting the semiconductor element adhered on the lead portion to the signal connection lead portion with a thin metal wire, and sealing the signal connection lead portion, the outer lead portion and the die pad portion bottom surface together with the resin film with a resin film. Pressing the mold surface of the semiconductor element, the thin metal wires, and the areas of the signal connection lead portions with a sealing resin, and removing the resin film and projecting from the sealing resin surface on the bottom surface. Forming an external electrode portion consisting of an outer lead portion, a projecting portion and a die pad portion, and cutting a portion of the external electrode portion connected to the frame,
A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising the steps of forming a front end surface of an external electrode portion and a side surface of a sealing resin on substantially the same surface.
【００１５】前記構成により、本発明のリードフレーム
は、信号接続用リードの先端部近傍に下方に突出する突
出部を有したことにより、金属細線を安定に接続するこ
とができ、生産性、品質、実装信頼性の良い樹脂封止型
半導体装置に適したリードフレームを提供できる。With the above-described structure, the lead frame of the present invention has a protruding portion protruding downward near the tip of the signal connection lead, so that thin metal wires can be stably connected, and productivity and quality can be improved. In addition, it is possible to provide a lead frame suitable for a resin-encapsulated semiconductor device having high mounting reliability.
【００１６】また本発明の樹脂封止型半導体装置は、突
出部が封止樹脂の底面領域に配列されるため、信号接続
用リード部と封止樹脂の結合性が良く、実装信頼性の高
い樹脂封止型半導体装置を提供できる。In the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, since the protruding portions are arranged in the bottom region of the encapsulating resin, the connection between the signal connection lead portion and the encapsulating resin is good, and the mounting reliability is high. A resin-sealed semiconductor device can be provided.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームお
よびそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造
方法について、その実施形態を図面を参照しながら説明
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a lead frame of the present invention, a resin-sealed semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same will be described with reference to the drawings.
【００１８】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、外
部端子部と段差部の突出部底面あるいは幅広部底面を封
止樹脂の裏面から露出させた共通の構成を有しており、
その中の各種の実施形態と製造方法、また使用されるリ
ードフレームの各種形態とその製造方法について説明す
る。The resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment has a common configuration in which the external terminal portion and the bottom surface of the projecting portion or the wide portion of the step portion are exposed from the back surface of the sealing resin.
Various embodiments and a manufacturing method thereof, and various forms of a lead frame to be used and a manufacturing method thereof will be described.
【００１９】まず図１〜図４を参照しながら本実施形態
のリードフレームについて説明する。図１は本実施形態
のリードフレームを示す平面図であり、図２は信号接続
用リード部の部分を示す平面図（ａ）および断面図
（ｂ）であり、図３は信号接続用リード部の部分を示す
平面図（ａ）および断面図（ｂ）であり、図４は信号接
続用リード部の部分を示す平面図（ａ）および断面図
（ｂ）である。First, a lead frame according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view showing a lead frame of the present embodiment, FIG. 2 is a plan view (a) and a sectional view (b) showing a part of a signal connection lead, and FIG. 3 is a signal connection lead. 4A and 4B are a plan view and a sectional view, respectively, showing a portion of a signal connection lead portion.
【００２０】まず図１に示すように本実施形態のリード
フレームにおいては、信号接続用リード部８がアウター
リード部９と接続して、フレーム枠１０により支持され
ている。そして少なくとも信号接続用リード部８、アウ
ターリード部９、フレーム枠１０の底面の一部は、樹脂
フィルム１１の面に密着している。樹脂フィルム１１は
フレーム枠１０の裏面側に貼付され、フレーム枠１０の
開口部面にその接着部分が露出しているものである。ま
た半導体素子を搭載するダイパッド部１２は、フレーム
枠１０の開口部に露出した樹脂フィルム１１上に密着し
て設けられ、信号接続用リード部８の各先端部が延在し
て配置された中央部に固着されている。また、ダイパッ
ド部１２は吊りリード部１３により支持されてフレーム
枠１０に接続されているが、吊りリード部１３を廃して
樹脂フィルム１１に直接固着してもよい。なお、ダイパ
ッド部１２が封止樹脂内に内蔵の樹脂封止型半導体装置
では、吊りリード部１３が存在する場合、その吊りリー
ド部１３に段差を設け、ダイパッド部１２がアップセッ
トされているものである。また、吊りリード部１３を有
した樹脂封止型半導体装置に使用する本実施形態のリー
ドフレームは樹脂フィルム１１を使用しないことも可能
であり、樹脂封止型半導体装置の大きさにより、樹脂フ
ィルム１１を使用しても良いが、突出部８ａの下面に樹
脂バリが発生しなければ不要である。ダイパッド部内蔵
型の樹脂封止型半導体装置のダイパッド部１２の下面に
は樹脂フィルム１１は接着されず、ダイパッド部１２は
浮き上がった状態である。そしてダイパッド部１２は、
その形状を目的とする樹脂封止型半導体装置の特性、搭
載する半導体素子の大きさ、厚さ、実装条件、要求信頼
性等により決定し、樹脂フィルム１１上に固着すること
により構成される。なお、本実施形態のリードフレーム
は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーを
設けていないリードフレームである。また、本実施形態
において、信号接続用リード部８は、直線的に構成され
ており、曲げ加工等が施されていないリード構成であ
る。First, as shown in FIG. 1, in the lead frame of the present embodiment, a signal connection lead 8 is connected to an outer lead 9 and supported by a frame 10. At least a part of the signal connection lead portion 8, the outer lead portion 9, and a part of the bottom surface of the frame 10 are in close contact with the surface of the resin film 11. The resin film 11 is affixed to the back side of the frame 10, and the adhesive portion is exposed on the opening surface of the frame 10. The die pad 12 on which the semiconductor element is mounted is provided in close contact with the resin film 11 exposed at the opening of the frame 10, and is provided at the center where the distal ends of the signal connection lead portions 8 extend. It is fixed to the part. Although the die pad portion 12 is supported by the suspension lead portions 13 and connected to the frame 10, the suspension lead portions 13 may be omitted and directly fixed to the resin film 11. In the case of a resin-sealed semiconductor device in which the die pad portion 12 is embedded in the sealing resin, when the suspension lead portion 13 is present, a step is provided in the suspension lead portion 13 and the die pad portion 12 is upset. It is. Further, the lead frame of the present embodiment used for the resin-encapsulated semiconductor device having the suspension lead portion 13 may not use the resin film 11, and the resin film may vary depending on the size of the resin-encapsulated semiconductor device. Although 11 may be used, it is unnecessary if no resin burr is generated on the lower surface of the protruding portion 8a. The resin film 11 is not adhered to the lower surface of the die pad portion 12 of the resin-encapsulated semiconductor device having a built-in die pad portion, and the die pad portion 12 is in a floating state. And the die pad section 12
The shape is determined by the characteristics of the intended resin-encapsulated semiconductor device, the size and thickness of the semiconductor element to be mounted, mounting conditions, required reliability, and the like, and is fixed on the resin film 11. The lead frame of the present embodiment is a lead frame that does not have a tie bar for stopping the outflow of the sealing resin during resin sealing. Further, in the present embodiment, the signal connection lead portion 8 is configured to be linear, and has a lead configuration in which no bending or the like is performed.
【００２１】さらに、本実施形態のリードフレームは、
実際には図１に示した構成よりなるパターンが１つでは
なく、複数個、左右、上下の連続した配列になっている
ものである。図１において、破線で示した領域は、半導
体素子をダイパッド部１２上に搭載し、樹脂封止型半導
体装置を構成する際に樹脂封止する領域であり、また一
点鎖線で示した領域は、樹脂フィルム１１がリードフレ
ーム裏面に貼付された領域を示している。すなわち、破
線で示した内側の領域はインナーリード部である信号接
続用リード部８を構成し、外側の領域はアウターリード
部９を構成するものである。Further, the lead frame of the present embodiment
Actually, the pattern having the configuration shown in FIG. 1 is not a single pattern, but a plurality, a left, right, up, and down, continuous arrangement. In FIG. 1, a region indicated by a broken line is a region where a semiconductor element is mounted on the die pad portion 12 and is sealed with a resin when forming a resin-sealed semiconductor device, and a region indicated by a dashed line is The area where the resin film 11 is adhered to the back surface of the lead frame is shown. That is, the inner area shown by the broken line constitutes the signal connection lead section 8 which is an inner lead section, and the outer area constitutes the outer lead section 9.
【００２２】次に図２〜図４に示すように信号接続用リ
ード部８は、突出部８ａ、薄厚部８ｂ、幅広部８ｄ、溝
部８ｃを有しており、封止樹脂との密着性向上、実装基
板との接合性向上および生産性向上を図っている。図２
に示したリード構造では、信号接続用リード部８は、そ
の先端部に突出部８ａを有し、突出部８ａを含むリード
先端部が薄厚部８ｂを構成している。また、図３に示し
たリード構造では、信号接続用リード部８は、その先端
部に突出部８ａを有し、リードの表面には溝部８ｃが設
けられ、それらを含むリード先端部が薄厚部８ｂを構成
している。また、図４に示したリード構造では、信号接
続用リード部８は、その先端部に突出部８ａを有し、そ
の突出部８ａの先端部は平面的に突出して幅広部８ｄを
有し、その突出部８ａを含むリード先端部が薄厚部８ｂ
を構成している。なお、図２〜図４に示した信号接続用
リード部８の構成については、突出部８ａ、薄厚部８
ｂ、幅広部８ｄ、溝部８ｃの各構成を適宜、組み合わせ
てもよい。なお、突出部８ａの表面と信号接続用リード
部８の薄厚部８ｂ以外（アウターリード部）の底面と
は、同一面で構成されている。Next, as shown in FIGS. 2 to 4, the signal connection lead portion 8 has a protruding portion 8a, a thin portion 8b, a wide portion 8d, and a groove portion 8c to improve the adhesion to the sealing resin. Therefore, the improvement of the joining property with the mounting substrate and the improvement of the productivity are aimed at. FIG.
In the lead structure shown in (1), the signal connection lead portion 8 has a protruding portion 8a at the front end thereof, and the front end of the lead including the protruding portion 8a forms a thin portion 8b. Further, in the lead structure shown in FIG. 3, the signal connection lead portion 8 has a protruding portion 8a at the front end thereof, a groove 8c is provided on the surface of the lead, and the lead front end including them has a thin portion. 8b. In addition, in the lead structure shown in FIG. 4, the signal connection lead portion 8 has a protruding portion 8a at a distal end thereof, and the distal end portion of the protruding portion 8a has a wide portion 8d which protrudes in a planar manner. The leading end of the lead including the protruding portion 8a is a thin portion 8b.
Is composed. Note that the configuration of the signal connection lead portion 8 shown in FIGS.
b, the wide portion 8d, and the groove 8c may be appropriately combined with each other. The surface of the protruding portion 8a and the bottom surface of the signal connection lead portion 8 other than the thin portion 8b (outer lead portion) are formed on the same plane.
【００２３】なお、樹脂フィルム１１の第１の働きは、
特に信号接続用リード部８の各先端部の段差部の突出部
８ａに接着し、突出部８ａの固定を図り、半導体素子を
搭載した後のワイヤーボンド時の金属細線の接続安定性
の役割を果たすものである。また、第２の働きは、信号
接続用リード部８の各先端部の段差部の下面に封止樹脂
を安定して充填する働きである。また、第３の働きは、
ダイパッド部１２の下面側および信号接続用リード部８
の裏面側の外部端子部を構成する部分、突出部８ａ表面
に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするマス
ク的な役割を果たすためのものであり、この樹脂フィル
ム１１の存在によって、ダイパッド部１２の下面や、信
号接続用リード部８の裏面側である外部端子部を構成す
る面、突出部８ａの裏面に樹脂バリが形成されるのを防
止するものである。The first function of the resin film 11 is as follows.
In particular, it adheres to the protruding portion 8a of the step portion at each end of the signal connection lead portion 8, fixes the protruding portion 8a, and plays a role of connection stability of the thin metal wire at the time of wire bonding after mounting the semiconductor element. To fulfill. The second function is to stably fill the lower surface of the step portion at each end of the signal connection lead portion 8 with the sealing resin. The third function is
Lower surface side of die pad portion 12 and lead portion 8 for signal connection
And a role as a mask for preventing the sealing resin from wrapping around the surface of the protruding portion 8a at the time of sealing the resin, and the presence of the resin film 11 This prevents resin burrs from being formed on the lower surface of the die pad portion 12, the surface constituting the external terminal portion on the back surface side of the signal connection lead portion 8, and the back surface of the projecting portion 8a.
【００２４】この樹脂フィルム１１は、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド、ポリカーボネートなどを主
成分とする樹脂をベースとしたフィルム状またはテープ
状のものであり、樹脂封止後は容易に剥がすことがで
き、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるもの
であればよい。なお樹脂バリとは、樹脂封止の際に発生
するリードフレームに対する残余樹脂であり、樹脂成形
上、不必要な部分である。The resin film 11 is in the form of a film or tape based on a resin containing polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate or the like as a main component, and can be easily peeled off after sealing with a resin. What is necessary is just to have resistance to the high temperature environment at the time of sealing. Note that the resin burr is a residual resin for the lead frame generated at the time of resin sealing, and is an unnecessary part in resin molding.
【００２５】また、樹脂封止の際、片方の金型はこの樹
脂フィルム１１の働きにより、封止樹脂と接することが
ないため、樹脂バリの発生のほかにも、離型のための押
し出しピンや封止樹脂から金型変形を防止する焼き入れ
等の金型構造を単純化することが出来る。In addition, when the resin is sealed, one of the molds does not come into contact with the sealing resin due to the function of the resin film 11, so that in addition to the occurrence of resin burrs, an extruding pin for releasing the mold. And a mold structure such as quenching for preventing mold deformation from the sealing resin.
【００２６】以上、本実施形態のリードフレームは、フ
レーム枠１０の裏面に接着面を有した樹脂フィルム１１
が貼付され、開口部から露出した部分には吊りリード部
１３で支持されたダイパッド部１２が設けられ、また開
口部には、ダイパッド部１２の周囲近傍に延在する折り
曲げ加工のない直線的な信号接続用リード部８と、その
信号接続用リード部８と連続して接続したアウターリー
ド部９が設けられ、樹脂フィルム１１上に固着されてい
るものである。そして信号接続用リード部８の先端部
は、薄厚部８ｂを有するとともに、薄厚部８ｂの領域内
では、下方に突出する突出部８ａが設けられ、突出部８
ｂの下面が樹脂フィルム１１に固着しているものであ
る。さらに薄厚部８ｂの領域内では、リード表面に溝部
８ｃや、突出部８ａの先端部には幅広部８ｄが設けられ
ているものである。なお、ダイパッド部１２がアップセ
ットされている場合においては、ダイパッド部１２の下
面は樹脂フィルム１１に固着されず、樹脂フィルム１１
とダイパッド部１２との間には隙間が形成されているも
のである。As described above, the lead frame according to the present embodiment has a resin film 11 having an adhesive surface on the back surface of the frame 10.
A die pad portion 12 supported by a suspension lead portion 13 is provided in a portion exposed from the opening, and a straight line extending around the die pad portion 12 without bending is provided in the opening. A signal connection lead portion 8 and an outer lead portion 9 connected to the signal connection lead portion 8 are provided, and are fixed on the resin film 11. The distal end of the signal connection lead portion 8 has a thin portion 8b, and in the region of the thin portion 8b, a projecting portion 8a projecting downward is provided.
The lower surface of b is fixed to the resin film 11. Further, in the region of the thin portion 8b, a groove 8c is provided on the lead surface, and a wide portion 8d is provided at the tip of the protruding portion 8a. When the die pad portion 12 is set up, the lower surface of the die pad portion 12 is not fixed to the resin film 11,
A gap is formed between the die pad 12 and the die pad 12.
【００２７】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置に
ついて図面を参照しながら説明する。図５は本実施形態
の樹脂封止型半導体装置を示す斜視平面図であり、図６
はその斜視底面図、図７は主としてダイパッド部／半導
体素子部／信号接続用リード部の部分断面図である。Next, the resin-sealed semiconductor device of this embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a perspective plan view showing the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment, and FIG.
Is a perspective bottom view, and FIG. 7 is a partial sectional view mainly showing a die pad portion / semiconductor element portion / lead portion for signal connection.
【００２８】図５〜図７に示すように、本実施形態の樹
脂封止型半導体装置の外観構造としては、外部電極部１
４が封止樹脂１５の周囲に配置され、裏面の封止樹脂１
５にはダイパッド部１２の裏面が露出した構造である。
また、裏面の封止樹脂１５の外部電極部１４の内側領域
には、信号接続用リード部８の突出部８ａの裏面が露出
している構造である。そして本実施形態の樹脂封止型半
導体装置の内部構造としては、ダイパッド部１２上に半
導体素子１６が接着剤により搭載され、半導体素子１６
の電極パッド（図示せず）と信号接続用リード部８の先
端部とが金属細線１７により電気的に接続され、ダイパ
ッド部１２の裏面以外の領域、半導体素子１６、信号接
続用リード部８の裏面以外の領域は封止樹脂１５により
封止されているものである。すなわち、ダイパッド部１
２と信号接続用リード部８の裏面を除く領域が封止樹脂
１５により封止された構造である。また信号接続用リー
ド部８の上面部分には、溝部１８ａ，１８ｂが設けられ
ているものである。図８には、本実施形態の信号接続用
リード部８の部分平面図（ａ）とその部分断面図（ｂ）
を示す。図示するように、信号接続用リード８部は、先
端部に突出部８ａとその突出部８ａを含む先端部領域に
薄厚部８ｂが設けられ、またリードの上面部分には、溝
部１８ａ，１８ｂおよび幅広部１９が設けられているも
のである。As shown in FIGS. 5 to 7, the external structure of the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment is the external electrode portion 1.
4 are arranged around the sealing resin 15, and the sealing resin 1
5 has a structure in which the back surface of the die pad portion 12 is exposed.
The rear surface of the protruding portion 8a of the signal connection lead portion 8 is exposed in a region inside the external electrode portion 14 of the sealing resin 15 on the rear surface. As the internal structure of the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment, the semiconductor element 16 is mounted on the die pad portion 12 by an adhesive,
The electrode pad (not shown) is electrically connected to the distal end of the signal connection lead portion 8 by a thin metal wire 17, and the region other than the back surface of the die pad portion 12, the semiconductor element 16, and the signal connection lead portion 8 are formed. The region other than the back surface is sealed with the sealing resin 15. That is, the die pad portion 1
2 and a region excluding the back surface of the signal connection lead portion 8 are sealed with a sealing resin 15. Also, grooves 18a and 18b are provided on the upper surface of the signal connection lead portion 8. FIG. 8 is a partial plan view (a) and a partial cross-sectional view (b) of the signal connection lead 8 of the present embodiment.
Is shown. As shown in the figure, the signal connection lead 8 has a projection 8a at the tip and a thin portion 8b in the tip region including the projection 8a, and grooves 18a, 18b and A wide portion 19 is provided.
【００２９】また、信号接続用リード部８の外側領域の
下面側には封止樹脂１５は存在せず、信号接続用リード
部８の下面が露出されており、外部電極部１４を構成し
ている。この信号接続用リード部８の露出した下面、お
よび先端部の突出部８ａ、ダイパット部１２の下面が実
装基板との接続面となる。そして、ダイパッド部１２の
露出部および外部電極部１４、リードの突出部８ａの下
面には、樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分であ
る樹脂バリが存在せず、実装基板の電極との接合の信頼
性が向上する。なお、ダイパッド部１２および外部電極
部１４、突出部８ａの構造は後述する製造方法によって
実現できるものである。Further, the sealing resin 15 does not exist on the lower surface side of the outer region of the signal connection lead portion 8, the lower surface of the signal connection lead portion 8 is exposed, and the external electrode portion 14 is formed. I have. The exposed lower surface of the signal connection lead portion 8, the protruding portion 8a at the tip, and the lower surface of the die pad portion 12 serve as connection surfaces with the mounting board. The exposed portion of the die pad portion 12, the external electrode portion 14, and the lower surface of the lead protruding portion 8 a do not have resin burrs, which are portions of the resin protruding in the resin sealing step, and are not bonded to the electrodes of the mounting board. Reliability is improved. The structures of the die pad portion 12, the external electrode portion 14, and the protruding portion 8a can be realized by a manufacturing method described later.
【００３０】なお、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
では、信号接続用リード部８の側方には実質的に外部電
極端子となるアウターリード部が存在せず、信号接続用
リード部８の下部が外部電極部１４となっているので、
樹脂封止型半導体装置の小型化を図ることができる。In the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment, there is substantially no outer lead portion serving as an external electrode terminal beside the signal connection lead portion 8, and the signal connection lead portion 8 is not provided. Is the external electrode portion 14 at the bottom,
The size of the resin-encapsulated semiconductor device can be reduced.
【００３１】また封止樹脂の裏面において、外部電極部
１４（信号接続用リード部８の裏面部分）、突出部８ａ
およびダイパッド部１２が封止樹脂１５の面より突出し
て形成されているため、実装基板に樹脂封止型半導体装
置を実装する際の外部電極部１４、突出部８ａおよびダ
イパッド部１２と実装基板の電極との接合において、外
部電極部１４、突出部８ａおよびダイパッド部１２のス
タンドオフ高さが予め確保されていることになる。した
がって、外部電極部１４をそのまま外部端子として用い
ることができ、実装基板への実装のために外部電極部１
４にはんだボールを付設する必要はなく、製造工数、製
造コスト的に有利となる。また突出部８ａは実装信頼性
が保てる場合は実装基板への接合を必ずしもしなくても
良い。また、突出部８ａのみを実装基板に接続しても良
くまた、半田ボールを付けて接続することもできる。On the back surface of the sealing resin, the external electrode portion 14 (the back surface portion of the signal connection lead portion 8), the projecting portion 8a
Since the die pad portion 12 is formed so as to protrude from the surface of the sealing resin 15, the external electrode portion 14, the protruding portion 8 a and the die pad portion 12 when mounting the resin-encapsulated semiconductor device on the mounting substrate are formed. In joining with the electrodes, the standoff height of the external electrode portion 14, the protruding portion 8a, and the die pad portion 12 is secured in advance. Therefore, the external electrode portion 14 can be used as it is as an external terminal, and the external electrode portion 1 can be used for mounting on a mounting board.
There is no need to attach a solder ball to 4, which is advantageous in terms of man-hours and manufacturing costs. The projection 8a does not necessarily need to be joined to the mounting board if the mounting reliability can be maintained. Further, only the protruding portion 8a may be connected to the mounting board, or may be connected by attaching a solder ball.
【００３２】ここで、本実施形態の第１の特徴は、図１
のようにダイパッド部１２と、突出部８ａとを有した信
号接続用リード部８と、信号接続用リード部８に接続す
る外部電極部１４とよりなるリードフレームの底面側に
接着性を有した樹脂フィルム１１を密着させたリードフ
レームを使用することにある。このことにより、突出部
８ａの底面に樹脂バリの付着をなくし生産性、製造上の
従来の課題を解決することが可能になった。第２の特徴
は、先端部は外部端子部に対して段差（薄厚部８ｂ）を
有し、薄厚部の一部に突出部８ａを有しているため、封
止樹脂が突出部８ａの周辺に埋め込まれ、強固な接合が
可能になる。第３の特徴は、実装時に信号接続用リード
部８にかかる応力は、信号接続用リード部８の上面の溝
部１８ａ，１８ｂおよび幅広部１９と先端部の突出部８
ａにより緩和され、実装信頼性を向上させることができ
る。Here, the first feature of the present embodiment is that FIG.
As shown in the figure, the lead frame for signal connection having the die pad portion 12, the projecting portion 8a, and the external electrode portion 14 connected to the signal connection lead portion 8 has an adhesive property on the bottom side of the lead frame. It is to use a lead frame to which the resin film 11 is adhered. As a result, it becomes possible to eliminate the adhesion of resin burrs on the bottom surface of the protruding portion 8a and to solve the conventional problems in productivity and manufacturing. The second feature is that the tip portion has a step (thin portion 8b) with respect to the external terminal portion, and has the protruding portion 8a in a part of the thin portion, so that the sealing resin is provided around the protruding portion 8a. Embedded in the substrate, enabling strong bonding. The third feature is that the stress applied to the signal connection lead portion 8 during mounting is reduced by the grooves 18a and 18b and the wide portion 19 on the upper surface of the signal connection lead portion 8 and the projecting portion 8 at the tip end.
a, the mounting reliability can be improved.
【００３３】次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。Next, a method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment will be described with reference to the drawings.
【００３４】図９は本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造工程を示す断面図であり、工程別に示した図であ
る。FIG. 9 is a cross-sectional view showing the steps of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the present embodiment, and is a view showing each step.
【００３５】まず、図９（ａ）に示すように、信号接続
用リード部８に連結するアウターリード部９よりなるリ
ードフレームの下面および、信号接続用リード部８の先
端部に設けた突出部、ダイパッド部１２に樹脂フィルム
１１を密着させたリードフレーム２０構成体を用意す
る。図中、信号接続用リード部８、アウターリード部
９、および信号接続用リード部８の先端に設けた突出
部、ダイパッド部１２の底面は、少なくとも樹脂フィル
ム１１によって固着されている。なお、信号接続用リー
ド部８は、図で示したような形状を構成しているもので
あるが、図９においては詳細な図示は省略している。ま
た信号接続用リード部８（および連結するアウターリー
ド部９）の外方はフレーム枠に接続されている。フレー
ム枠は信号接続用リード部８と連続しているために、こ
の図面では境界が現れていない。さらに、用意するリー
ドフレーム２０は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止
めるタイバーを設けていないリードフレームである。ま
た、本実施形態におけるリードフレーム２０は、銅（Ｃ
ｕ）素材のフレームに対して、下地メッキとしてニッケ
ル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム（Ｐｄ）層が、最
上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれメッキされた３層
の金属メッキ済みのリードフレームである。ただし、銅
（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等の素材を使用で
き、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金
（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されていてもよく、さ
らに、かならずしも３層メッキでなくてもよい。First, as shown in FIG. 9A, a lower surface of a lead frame composed of an outer lead portion 9 connected to a signal connection lead portion 8 and a protruding portion provided at a distal end portion of the signal connection lead portion 8. Then, a lead frame 20 structure in which the resin film 11 is adhered to the die pad portion 12 is prepared. In the figure, the signal connection lead portion 8, the outer lead portion 9, the protrusion provided at the tip of the signal connection lead portion 8, and the bottom surface of the die pad portion 12 are fixed at least by a resin film 11. Although the signal connection lead portion 8 has the shape as shown in the figure, a detailed illustration is omitted in FIG. The outside of the signal connection lead portion 8 (and the outer lead portion 9 to be connected) is connected to a frame. Since the frame is continuous with the signal connection lead portion 8, no boundary appears in this drawing. Furthermore, the prepared lead frame 20 is a lead frame which does not have a tie bar for stopping outflow of the sealing resin during resin sealing. Further, the lead frame 20 in the present embodiment is made of copper (C
u) A three-layer metal plating with a nickel (Ni) layer as a base plating, a palladium (Pd) layer on top, and a thin gold (Au) layer on the top layer, respectively Is a lead frame. However, a material such as a 42 alloy material other than the copper (Cu) material can be used, and a noble metal plating other than nickel (Ni), palladium (Pd), and gold (Au) may be applied. It is not always necessary to use three-layer plating.
【００３６】次に、図９（ｂ）に示すように、用意した
リードフレーム２０のダイパッド部１２上に半導体素子
１６を搭載して、接着剤により両者を互いに接合する。
この工程は、いわゆるダイボンド工程である。Next, as shown in FIG. 9B, the semiconductor element 16 is mounted on the die pad portion 12 of the prepared lead frame 20, and the two are joined to each other with an adhesive.
This step is a so-called die bonding step.
【００３７】そして、図９（ｃ）に示すように、ダイパ
ッド部１２上に接合した半導体素子１６と信号接続用リ
ード部８とを金属細線１７により電気的に接合する。こ
の工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。なお、
実際には、信号接続用リード部８の上面に設けた溝部と
溝部との間の領域に金属細線をボンディングすることに
より、樹脂封止した際、溝部に樹脂が充填され、金属細
線１７の接続の信頼性向上が図れるものである。また、
信号接続用リード部８の先端部に設けた突出部の近傍に
金属細線１７をボンデイングするため、突出部の働きに
より、接続安定性が得られる。Then, as shown in FIG. 9C, the semiconductor element 16 bonded on the die pad portion 12 and the signal connection lead portion 8 are electrically connected by the thin metal wires 17. This step is a so-called wire bonding step. In addition,
Actually, by bonding a thin metal wire to a region between the grooves provided on the upper surface of the signal connection lead portion 8, the resin is filled in the groove when the resin is sealed, and the connection of the thin metal wire 17 is performed. Reliability can be improved. Also,
Since the thin metal wire 17 is bonded to the vicinity of the protruding portion provided at the tip of the signal connection lead portion 8, connection stability is obtained by the function of the protruding portion.
【００３８】次に、図９（ｄ）に示すように、半導体素
子１６が接合され、金属細線１７により電気的接続がな
され、樹脂フィルム１１が貼り付けられたリードフレー
ム２０を樹脂封止用の金型内に収納し、金型でリードフ
レーム２０の信号接続用リード８の先端側を樹脂フィル
ム１１とともに押圧して、金型内に封止樹脂１５を流し
込んで樹脂封止を行う。この樹脂フィルム１１は、特に
ダイパッド部１２の下面側、および信号接続用リード部
８の裏面側に樹脂封止時に封止樹脂１５が回り込まない
ようにするマスク的な役割を果たし、この樹脂フィルム
１１の存在によって、ダイパッド部１２の下面や、信号
接続用リード部８の裏面に樹脂バリが形成されるのを防
止することができる。なお、この樹脂フィルム１１は、
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリカーボ
ネートなどを主成分とする樹脂をベースとしたテープで
あり、樹脂封止後は容易に剥がすことができ、また樹脂
封止時における高温環境に耐性があるものであればよ
い。本実施形態では、ポリイミドを主成分とした接着性
を有した樹脂フィルム１１を用い、厚みは５０［μｍ］
とした。Next, as shown in FIG. 9D, the semiconductor element 16 is joined, the electrical connection is made by the fine metal wire 17, and the lead frame 20 to which the resin film 11 is attached is sealed with a resin. It is housed in a mold, and the distal end side of the signal connection lead 8 of the lead frame 20 is pressed together with the resin film 11 by the mold, and the sealing resin 15 is poured into the mold to perform resin sealing. The resin film 11 serves as a mask to prevent the sealing resin 15 from entering around the lower surface of the die pad portion 12 and the rear surface of the signal connection lead portion 8 during resin sealing. Can prevent resin burrs from being formed on the lower surface of the die pad portion 12 and the rear surface of the signal connection lead portion 8. In addition, this resin film 11
It is a tape based on a resin containing polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate or the like as a main component, and can be easily peeled off after resin sealing, and may be any as long as it is resistant to a high temperature environment during resin sealing. . In this embodiment, an adhesive resin film 11 containing polyimide as a main component is used, and has a thickness of 50 [μm].
And
【００３９】次に、図９（ｅ）に示すように、樹脂封止
後、ダイパッド部１２の下面、信号接続用リード部８の
裏面、信号接続用リード部の先端の突出部の裏面に貼付
した樹脂フィルム１１をピールオフにより除去する。こ
れにより、ダイパッド部１２の下面、信号接続用リード
部８の裏面の一部、信号接続用リード部の先端の突出部
の裏面側に封止樹脂１５の裏面よりも下方に突出した構
造が得られ、封止樹脂１５の裏面より突出した外部電極
部が形成される。Next, as shown in FIG. 9 (e), after resin sealing, it is adhered to the lower surface of the die pad portion 12, the rear surface of the signal connection lead portion 8, and the rear surface of the projecting portion at the tip of the signal connection lead portion. The removed resin film 11 is removed by peel-off. As a result, a structure is obtained in which the lower surface of the die pad portion 12, a part of the back surface of the signal connection lead portion 8, and the back surface side of the projecting portion at the tip of the signal connection lead portion project below the back surface of the sealing resin 15. As a result, an external electrode portion protruding from the back surface of the sealing resin 15 is formed.
【００４０】最後に、図９（ｆ）に示すように、信号接
続用リード部８の他端、すなわちアウターリード部９側
を、封止樹脂１５の側面とがほぼ同一面になるように切
り離すことにより、樹脂封止型半導体装置が完成され
る。ここで、ダイパッド部１２の下面、信号接続用リー
ド部８の裏面に貼付した樹脂フィルム１１を除去する前
に、信号接続用リード部８の他端側をレーザーあるい
は、金型でカットしても良い。なお、信号接続用リード
部８の裏面の露出した部分が外部電極部１４を構成す
る。Finally, as shown in FIG. 9 (f), the other end of the signal connection lead portion 8, that is, the outer lead portion 9 side is cut off so that the side surface of the sealing resin 15 is substantially flush. Thus, a resin-sealed semiconductor device is completed. Here, before removing the resin film 11 attached to the lower surface of the die pad portion 12 and the back surface of the signal connection lead portion 8, the other end of the signal connection lead portion 8 may be cut with a laser or a mold. good. The exposed portion of the back surface of the signal connection lead portion 8 forms the external electrode portion 14.
【００４１】本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法によると、樹脂封止工程の前に予めダイパッド部１
２の下面、および信号接続用リード部８の裏面領域に樹
脂フィルム１１を貼付しているので、樹脂封止際、封止
樹脂１５が回り込むことがなく、ダイパッド部１２や、
信号接続用リード部８の先端に設けた突出部、外部電極
となる信号接続用リード部８の裏面には樹脂バリの発生
はない。したがって、信号接続用リード部８の下面を露
出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法のごと
く、ダイパッド部１２の下面や外部電極部１４上に形成
された樹脂バリをウォータージェットなどによって除去
する必要はない。すなわち、この樹脂バリを除去するた
めの面倒な工程の削除によって、樹脂封止型半導体装置
の量産工程における工程の簡略化が可能となる。また、
従来、ウォータージェットなどによる樹脂バリ除去工程
において生じるおそれのあったリードフレームのニッケ
ル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）などの金
属メッキ層の剥がれや不純物の付着は解消できる。その
ため、樹脂封止工程前における各金属層のプリメッキ品
質が向上する。なお、ウォータージェットによる樹脂バ
リ除去工程を削除できるかわりに、樹脂フィルム１１を
貼付する工程が新たに必要となるが、樹脂フィルム１１
を貼付する工程の方が、ウォータージェット工程よりも
コスト的に安価であり、また工程管理も容易であるた
め、確実に工程の簡略化が図れる。なによりも、従来必
要であったウォータージェット工程では、リードフレー
ムの金属メッキが剥がれる、不純物が付着するという品
質上のトラブルが発生するが、本実施形態の方法では、
樹脂フィルム１１の貼付により、ウォータージェットが
不要となって、メッキ剥がれをなくすことができる点は
大きな工程上の利点となる。According to the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device of this embodiment, the die pad 1
Since the resin film 11 is adhered to the lower surface of the substrate 2 and the rear surface region of the signal connection lead portion 8, the sealing resin 15 does not go around during resin sealing, and the die pad portion 12 and
There is no resin burr on the projecting portion provided at the tip of the signal connection lead portion 8 and on the back surface of the signal connection lead portion 8 serving as an external electrode. Therefore, as in the conventional method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which the lower surface of the signal connection lead portion 8 is exposed, resin burrs formed on the lower surface of the die pad portion 12 and on the external electrode portion 14 are removed by a water jet or the like. do not have to. That is, by eliminating the troublesome process for removing the resin burr, the process in the mass production process of the resin-encapsulated semiconductor device can be simplified. Also,
Conventionally, peeling of a metal plating layer of nickel (Ni), palladium (Pd), gold (Au), or the like on a lead frame, which may occur in a resin burr removal step using a water jet or the like, and adhesion of impurities can be eliminated. Therefore, the pre-plating quality of each metal layer before the resin sealing step is improved. It should be noted that instead of removing the resin burr removing step using a water jet, a step of attaching the resin film 11 is newly required.
Is more cost-effective and easier to manage than the water-jet process, so that the process can be reliably simplified. Above all, in the water jet process conventionally required, quality problems such as peeling of the metal plating of the lead frame and attachment of impurities occur, but in the method of the present embodiment,
The application of the resin film 11 eliminates the need for a water jet and eliminates plating peeling, which is a major process advantage.
【００４２】なお、樹脂封止工程においては、封止金型
の熱によって樹脂フィルム１１が軟化するとともに熱収
縮するので、ダイパッド部１２、信号接続用リード部８
の突出部および信号接続用リード部８が樹脂フィルム１
１に食い込み、ダイパッド部１２と封止樹脂１５の裏面
との間、信号接続用リード部８の裏面と封止樹脂１５の
裏面との間、突出部の裏面と封止樹脂１５の裏面との間
には、それぞれ段差が形成される。したがって、ダイパ
ッド部１２の裏面および信号接続用リード部８に設けた
突出部の突出面は、封止樹脂１５の裏面から突出した構
造となり、ダイパッド部１２のスタンドオフ高さや、信
号接続用リード部８の下部である外部電極部１４の突出
量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、本実施
形態では、樹脂フィルム１１の厚みを５０［μｍ］とし
ているので、外部電極部１４の突出量を例えば２０［μ
ｍ］程度にできる。In the resin sealing step, the resin film 11 is softened and contracted by the heat of the sealing mold, so that the die pad portion 12 and the signal connection lead portion 8 are formed.
Of the resin film 1
1, between the die pad portion 12 and the back surface of the sealing resin 15, between the back surface of the signal connection lead portion 8 and the back surface of the sealing resin 15, and between the back surface of the projecting portion and the back surface of the sealing resin 15. A step is formed between them. Accordingly, the rear surface of the die pad portion 12 and the protruding surface of the protruding portion provided on the signal connection lead portion 8 have a structure protruding from the rear surface of the sealing resin 15, and the stand-off height of the die pad portion 12 and the signal connection lead portion The protrusion amount (stand-off height) of the external electrode portion 14, which is the lower portion of the portion 8, can be secured. For example, in the present embodiment, the thickness of the resin film 11 is set to 50 [μm].
m].
【００４３】半導体素子の電極と信号接続用リード部と
を接続する金属細線の長さは外部電極部の数、半導体素
子の大きさにより決まり、その長さは生産性、品質に影
響を与える。特に樹脂封止工程での樹脂の流れによる金
属細線のショートによる影響は大きな課題であったが、
外部電極部より薄く加工した信号接続用リード部の突出
部を好適に配することにより、金属細線の接続長さを短
くすることができ、突出部は、金属細線の接続信頼性を
向上し、また、信号接続用リード部と接続した外部電極
部の露出面および突出の下面を、封止樹脂面より突出し
配列することにより、実装基板と半導体装置の実装後の
信頼性に好適な樹脂封止型半導体装置を提供できる。ま
た、突出部に樹脂フィルムを密着するため、金属細線の
接続も容易でまた、樹脂封止性に優れ生産性が良い樹脂
封止型半導体装置を提供できる。The length of the thin metal wire connecting the electrode of the semiconductor element and the signal connection lead is determined by the number of external electrode parts and the size of the semiconductor element, and the length affects productivity and quality. In particular, the effect of short-circuiting of the thin metal wires due to the flow of the resin in the resin sealing process was a major issue,
By suitably arranging the protruding portions of the signal connection lead portions processed to be thinner than the external electrode portions, the connection length of the fine metal wires can be shortened, and the protruding portions improve the connection reliability of the fine metal wires, In addition, by arranging the exposed surface and the lower surface of the protrusion of the external electrode portion connected to the signal connection lead portion so as to protrude from the sealing resin surface, the resin sealing suitable for the reliability after mounting the mounting substrate and the semiconductor device is achieved. Semiconductor device can be provided. In addition, since the resin film is in close contact with the protruding portion, connection of a thin metal wire is easy, and a resin-encapsulated semiconductor device having excellent resin-encapsulation properties and high productivity can be provided.
【００４４】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の構成
について、別の実施形態について図面を参照しながら説
明する。図１０は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す部分的な断面図である。Next, another embodiment of the structure of the resin-sealed semiconductor device of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 10 is a partial cross-sectional view showing the resin-sealed semiconductor device of the present embodiment.
【００４５】図示するように、本実施形態における樹脂
封止型半導体装置の基本的な構造は、上記第１の実施形
態における図７に示した構造と同様であるが、信号接続
用リード部８の形状が異なる。そこで、本実施形態にお
いては、信号接続用リード部８の形状について説明し、
他の部分についての説明は省略する。As shown in the figure, the basic structure of the resin-encapsulated semiconductor device in this embodiment is the same as the structure shown in FIG. Are different. Therefore, in the present embodiment, the shape of the signal connection lead 8 will be described.
The description of the other parts is omitted.
【００４６】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、信
号接続用リード部８と、半導体素子１６を支持するため
のダイパッド部１２とよりなり、ダイパッド部１２上に
半導体素子１６が接着剤により接合されており、半導体
素子１６の電極パッドと信号接続用リード部８とは、金
属細線１７により互いに電気的に接続されている。そし
て、信号接続用リード部８、半導体素子１６および金属
細線１７は、封止樹脂１５内に封止されている構造であ
る。また、封止樹脂１５の底面において、信号接続用リ
ード部８の底面側が外部電極部１４を構成している。The resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment comprises a signal connection lead portion 8 and a die pad portion 12 for supporting the semiconductor element 16, and the semiconductor element 16 is mounted on the die pad portion 12 with an adhesive. The electrode pads of the semiconductor element 16 and the signal connection lead portions 8 are electrically connected to each other by thin metal wires 17. The signal connection lead portion 8, the semiconductor element 16, and the thin metal wire 17 are structured to be sealed in a sealing resin 15. Further, on the bottom surface of the sealing resin 15, the bottom surface side of the signal connection lead portion 8 constitutes the external electrode portion 14.
【００４７】ここで本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、図７で示した構造に対して、信号接続用リード部８
の先端部に突出部８ａが設けられ、かつその突出部８ａ
の近傍のリード上面に溝部８ｃが設けられているもので
ある。また信号接続用リード部８の上面には、溝部１８
ａ，１８ｂも設けられており、金属細線１７は溝部１８
ａと溝部１８ｂとの間に接続されているものである。ま
た信号接続用リード部８はその先端部に薄厚部８ｂを有
している。なお、信号接続用リード部８は、平面方向に
幅広部を有したり、突出部８ａの先端部に幅広部を有し
たり、それらを組み合わせた構造を有していてもよい。
突出部８ａの先端部の幅広部の働きについて、その一つ
は、封止樹脂１５が突出部８ａの周辺に埋め込まれ、幅
広部の働きにより底面方向にも強固な接合が可能になる
ことである。Here, the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment differs from the structure shown in FIG.
Is provided with a protruding portion 8a at a tip end thereof, and the protruding portion 8a
Is provided with a groove 8c on the upper surface of the lead near the groove. A groove 18 is provided on the upper surface of the signal connection lead 8.
a, 18b are also provided, and the fine metal wire 17 is
a and the groove 18b. The signal connection lead portion 8 has a thin portion 8b at its tip. Note that the signal connection lead portion 8 may have a wide portion in the planar direction, a wide portion at the tip of the protruding portion 8a, or have a structure in which they are combined.
One of the functions of the wide portion at the tip end of the protruding portion 8a is that the sealing resin 15 is embedded around the protruding portion 8a, and the wide portion enables strong bonding also in the bottom direction. is there.
【００４８】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、信
号接続用リード部８には溝部１８または幅広部、さらに
はその両方を有することにより、リード部と封止樹脂１
５との密着性（アンカー効果）を向上させることがで
き、製品の外部電極部１４に加わるストレスや金属細線
１７の接続部分へのストレスを緩和させることができ、
製品の信頼性を保つことができる。すなわち、封止樹脂
１５から外部電極部１４のヌケはがれを防止できるもの
である。In the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment, the signal connection lead portion 8 has the groove portion 18 or the wide portion, or both, so that the lead portion and the sealing resin 1 are formed.
5 (anchor effect), the stress applied to the external electrode portion 14 of the product and the stress on the connection portion of the thin metal wire 17 can be reduced.
Product reliability can be maintained. That is, the peeling of the external electrode portion 14 from the sealing resin 15 can be prevented.
【００４９】そして信号接続用リード部８の先端部付近
に突出部８ａを有しているため、封止樹脂１５が突出部
８ａの周辺に埋め込まれ、強固な接合が可能になる。ま
た、信号接続用リード部８の上面の溝部８ｃの働きによ
り、封止樹脂１５と信号接続用リード部８の密着性（ア
ンカー効果）を向上させることができ、金属細線１７を
この近傍に接続する際には、封止樹脂１５によるストレ
スを緩和できる。さらに実装時にも信頼性上の働きがあ
る。外部電極部１４に対しては、実装基板との接合によ
る応力が印加されることになるが、外部電極部１４の上
側部には溝部１８ａ，１８ｂが設けられ、その溝部１８
ａ，１８ｂによって、外部電極部１４に加わる応力を吸
収し、緩和することができるとともに、突出部８ａを有
しているため、封止樹脂１５との結合が強固で機械的、
熱的応力等の実装信頼性が飛躍的に向上する。また突出
部８ａの露出面を実装基板と接合することも可能でより
実装信頼性が向上する。Since the protruding portion 8a is provided near the distal end of the signal connection lead portion 8, the sealing resin 15 is embedded around the protruding portion 8a, thereby enabling a strong bonding. In addition, by the action of the groove 8c on the upper surface of the signal connection lead 8, the adhesion (anchor effect) between the sealing resin 15 and the signal connection lead 8 can be improved, and the thin metal wire 17 is connected to the vicinity thereof. In this case, stress caused by the sealing resin 15 can be reduced. In addition, there is a reliability function during mounting. A stress due to bonding with the mounting substrate is applied to the external electrode portion 14, and grooves 18 a and 18 b are provided on the upper portion of the external electrode portion 14, and the grooves 18 a and 18 b are provided.
The a and 18b can absorb and relieve the stress applied to the external electrode portion 14, and have the protruding portion 8a, so that the connection with the sealing resin 15 is strong and mechanical,
Mounting reliability such as thermal stress is dramatically improved. Further, the exposed surface of the protruding portion 8a can be joined to the mounting board, and the mounting reliability is further improved.
【００５０】また、本発明の要旨を越えない限り種々の
変形実施が可能であることはいうまでもない。例えば、
突出部８ａの働きで安定した金属細線１７と信号接続用
リード部８の接着強度が得られるため、金線細線の接続
部分を信号接続用リード部８の上部の溝部１８ａ，１８
ｂより離して配置しても良く、金属細線１７の接続長さ
を短くでき、生産性を向上させることができる。It goes without saying that various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example,
Since the stable bonding strength between the thin metal wire 17 and the signal connection lead portion 8 is obtained by the function of the protruding portion 8a, the connection portion of the thin gold wire is connected to the grooves 18a, 18 on the upper portion of the signal connection lead portion 8.
The connection length of the fine metal wires 17 can be shortened, and the productivity can be improved.
【００５１】[0051]
【発明の効果】以上、本発明のリードフレームとそれを
用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法におい
て、信号接続用リード部の先端部付近に下方に突出した
突出部を有し、その突出部により樹脂封止した際、リー
ド部が封止樹脂に密着し、信頼性の高い樹脂封止型半導
体装置の構造を得ることができる。また信号接続用リー
ド部の先端部に突出部を設けているため、金属細線によ
る接続の際、安定して接続することができる。また突出
部の露出面を実装基板と接合することも可能であり、よ
り実装信頼性を向上させることができる。As described above, the lead frame of the present invention, the resin-encapsulated semiconductor device using the same, and the method of manufacturing the same have a downwardly projecting portion near the tip of the signal connection lead portion. When the resin is sealed by the protruding portion, the lead portion adheres to the sealing resin, and a highly reliable structure of the resin-sealed semiconductor device can be obtained. In addition, since the protruding portion is provided at the distal end of the signal connection lead portion, the connection can be stably performed when the connection is made with a thin metal wire. In addition, the exposed surface of the protruding portion can be joined to the mounting board, so that mounting reliability can be further improved.
【図１】本発明の一実施形態におけるリードフレームを
示す平面図FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施形態におけるリードフレームを
示す図FIG. 2 is a view showing a lead frame according to the embodiment of the present invention;
【図３】本発明の一実施形態におけるリードフレームを
示す図FIG. 3 is a view showing a lead frame according to the embodiment of the present invention;
【図４】本発明の一実施形態におけるリードフレームを
示す図FIG. 4 is a view showing a lead frame according to the embodiment of the present invention;
【図５】本発明の一実施形態における樹脂封止型半導体
装置を示す斜視図FIG. 5 is a perspective view showing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図６】本発明の一実施形態における樹脂封止型半導体
装置を示す斜視図FIG. 6 is a perspective view showing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図７】本発明の一実施形態における樹脂封止型半導体
装置を示す断面図FIG. 7 is a sectional view showing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図８】本発明の一実施形態における樹脂封止型半導体
装置のリードを示す図FIG. 8 is a view showing leads of a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図９】本発明の一実施形態における樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の一実施形態における樹脂封止型半導
体装置を示す断面図FIG. 10 is a sectional view showing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図１１】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図FIG. 11 is a sectional view showing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
１ インナーリード部 ２ ダイパッド部 ３ 半導体素子 ４ 金属細線 ５ 封止樹脂 ６ 外部電極部 ７ アウターリード部 ８ 信号接続用リード部 ９ アウターリード部 １０ フレーム枠 １１ 樹脂フィルム １２ ダイパッド部 １３ 吊りリード部 １４ 外部電極部 １５ 封止樹脂 １６ 半導体素子 １７ 金属細線 １８ａ、１８ｂ 溝部 １９ 幅広部 ２０ リードフレーム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Inner lead part 2 Die pad part 3 Semiconductor element 4 Thin metal wire 5 Sealing resin 6 External electrode part 7 Outer lead part 8 Lead part for signal connection 9 Outer lead part 10 Frame frame 11 Resin film 12 Die pad part 13 Suspended lead part 14 External Electrode part 15 Sealing resin 16 Semiconductor element 17 Fine metal wire 18a, 18b Groove part 19 Wide part 20 Lead frame
Claims (9)
傍にその各先端部が延在して配置された信号接続用リー
ド部と、前記信号接続用リード部と連続して接続するア
ウターリード部とよりなるリードフレームにおいて、前
記信号接続用リード部の先端部は前記アウターリード部
に対して厚さが薄い薄厚部を有し、前記薄厚部の領域内
に下方に突出した突出部を有し、前記突出部の表面と前
記アウターリード部の底面とは同一面であることを特徴
とするリードフレーム。1. A die pad portion, a signal connection lead portion having respective tips extending near the die pad portion, and an outer lead portion continuously connected to the signal connection lead portion. In the lead frame, the distal end portion of the signal connection lead portion has a thin portion having a smaller thickness with respect to the outer lead portion, and has a protruding portion projecting downward in a region of the thin portion, A lead frame, wherein a surface of the protruding portion and a bottom surface of the outer lead portion are flush with each other.
傍にその各先端部が延在して配置された信号接続用リー
ド部と、前記信号接続用リード部に連続して接続するア
ウターリード部と、アウターリード部の他端を支持した
フレーム枠とよりなるリードフレームにおいて、少なく
ともフレーム枠、信号接続用リード部の一部、およびダ
イパッド部底面に樹脂フィルムが貼付されたことを特徴
とする請求項１に記載のリードフレーム。2. A die pad portion, a signal connection lead portion having respective tips extending near the die pad portion, and an outer lead portion continuously connected to the signal connection lead portion. A lead frame comprising a frame supporting the other end of the outer lead, wherein a resin film is affixed to at least the frame, a part of the signal connection lead, and the bottom surface of the die pad. 2. The lead frame according to 1.
有し、前記薄厚部の領域内の前記信号接続用リード部表
面には複数個の溝部が設けられていることを特徴とする
請求項１に記載のリードフレーム。3. The signal connection lead portion has a thin portion at the tip end, and a plurality of grooves are provided on a surface of the signal connection lead portion in a region of the thin portion. The lead frame according to claim 1.
ていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレー
ム。4. The lead frame according to claim 1, wherein the signal connection lead portion has a wide portion.
と、前記半導体素子と金属細線により電気的に接続され
た信号接続用リード部と、前記ダイパッド部、半導体素
子、金属細線の領域を封止し、少なくとも前記信号接続
用リード部の裏面の一部を突出させて封止した封止樹脂
とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記信号接
続用リード部はその先端部付近に突出部を有し、前記突
出部が前記封止樹脂面から突出して露出していることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。5. A semiconductor device mounted on a die pad portion, a signal connection lead portion electrically connected to the semiconductor device by a thin metal wire, and a region of the die pad portion, the semiconductor device, and the thin metal wire are sealed. A resin-encapsulated semiconductor device comprising a sealing resin in which at least a part of the back surface of the signal connection lead portion is protruded and sealed, wherein the signal connection lead portion protrudes near a tip end thereof. A resin-encapsulated semiconductor device, comprising: a protruding portion protruding from the sealing resin surface and being exposed.
有していることを特徴とする請求項５に記載の樹脂封止
型半導体装置。6. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 5, wherein the signal connection lead portion has a groove on a surface thereof.
を有していることを特徴とする請求項５に記載の樹脂封
止型半導体装置。7. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 5, wherein the signal connection lead portion has a wide portion on a surface thereof.
突出部を有し、前記突出部の先端部が幅広部を有し、そ
の幅広部の表面が封止樹脂面から露出していることを特
徴とする請求項５に記載の樹脂封止型半導体装置。8. The signal connection lead portion has a protruding portion near the distal end thereof, the distal end of the protruding portion has a wide portion, and the surface of the wide portion is exposed from the sealing resin surface. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 5.
傍にその各先端部が延在して配置された信号接続用リー
ド部と、前記信号接続用リード部と連続して接続するア
ウターリード部と、前記アウターリード部の他端を支持
したフレーム枠とよりなるリードフレームであって、少
なくともフレーム枠、信号接続用リード部の一部、およ
びダイパッド部底面に樹脂フィルムが貼付され、前記信
号接続用リード部の先端部は前記アウターリード部に対
して厚さが薄い薄厚部を有し、前記薄厚部の領域内に下
方に突出した突出部を有し、前記突出部の表面と前記ア
ウターリード部の底面とは同一面であるリードフレーム
に対して、半導体素子を前記ダイパッド部上に接着する
工程と、前記ダイパッド部上に接着した半導体素子と前
記信号接続用リード部とを金属細線により電気的に接続
する工程と、前記信号接続用リード部、アウターリード
部およびダイパット部底面を前記樹脂フィルムとともに
樹脂封止用の金型面に押圧して封止樹脂により、前記半
導体素子、金属細線、信号接続用リード部の領域を樹脂
封止する工程と、前記樹脂フィルムを除去し、底面の封
止樹脂面より突出したアウターリード部よりなる外部電
極部、突出部およびダイパット部を形成する工程と、前
記外部電極部の前記フレーム枠と接続した部分を切断
し、外部電極部の先端面と封止樹脂の側面とをほぼ同一
面に形成する工程とよりなることを特徴とする樹脂封止
型半導体装置の製造方法。9. A die pad portion, a signal connection lead portion having a tip portion extending in the vicinity of the die pad portion, and an outer lead portion continuously connected to the signal connection lead portion. A lead frame comprising a frame supporting the other end of the outer lead, wherein at least a frame, a part of a signal connection lead, and a bottom surface of a die pad are bonded with a resin film, and the signal connection is formed. The tip of the lead portion has a thin portion having a smaller thickness with respect to the outer lead portion, has a protruding portion projecting downward in the region of the thin portion, and has a surface of the protruding portion and the outer lead portion. Bonding a semiconductor element on the die pad portion to a lead frame that is flush with the bottom surface of the semiconductor device; and bonding the semiconductor element bonded on the die pad portion and the signal connection lead. And the step of electrically connecting the portion with a thin metal wire, and the signal connection lead portion, the outer lead portion and the die pad portion bottom surface together with the resin film by pressing against the resin sealing mold surface by a sealing resin, A step of resin-sealing the semiconductor element, the thin metal wire, and the region of the signal connection lead portion, removing the resin film, and an external electrode portion including an outer lead portion protruding from the sealing resin surface on the bottom surface, a protrusion, and Forming a die pad portion, and cutting a portion of the external electrode portion connected to the frame, and forming a tip surface of the external electrode portion and a side surface of the sealing resin on substantially the same surface. A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
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