JP2000114097A - Multilayer ceramic capacitors - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 内部電極へのメッキ液浸入防止を防止し、ま
た、湿中電圧試験においても、熱衝撃試験時において
も、クラック発生を防止できる積層セラミックコンデン
サを提供する。
【解決手段】 積層セラミックコンデンサ10におい
て、積層体1の稜線部分の曲率半径rと積層体1の最外
層の誘電体層2a(2z)の厚みtが、稜線部の丸みの
曲率半径rの1.2〜3.3倍であることを特徴とする
積層セラミックコンデンサである。
(57) [Problem] To provide a multilayer ceramic capacitor capable of preventing a plating solution from infiltrating into an internal electrode, and preventing a crack from being generated in a wet / medium voltage test and a thermal shock test. SOLUTION: In the multilayer ceramic capacitor 10, the radius of curvature r of the ridge portion of the multilayer body 1 and the thickness t of the dielectric layer 2a (2z) of the outermost layer of the multilayer body 1 are 1 of the radius of curvature r of the roundness of the ridge portion. It is a multilayer ceramic capacitor characterized in that the ratio is 0.2 to 3.3 times.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は積層セラミックコン
デンサに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer ceramic capacitor.
【0002】[0002]
【従来の技術】積層セラミックコンデンサは、図4の断
面図に示すように、誘電体層52・・・の層間に、第1
及び第2の内部電極53、54が配置された積層体51
と、この積層体51の一対の端部に形成された外部電極
55、56とから構成されている。尚、外部電極55、
56は、下地導体膜55a、56aとその表面に被覆さ
れたメッキ層55b、56bとから成っている。2. Description of the Related Art As shown in the sectional view of FIG. 4, a multilayer ceramic capacitor has a first dielectric layer 52.
Laminate 51 on which second internal electrodes 53 and 54 are arranged
And external electrodes 55 and 56 formed on a pair of ends of the laminate 51. The external electrodes 55,
Reference numeral 56 denotes base conductor films 55a and 56a and plating layers 55b and 56b covering the surfaces thereof.
【0003】積層体51のうち、特に、最外層(上下
面)の容量の発生に寄与しない上下マージンとなる最外
層の誘電体層52a、52zが配置されている。最外層
の誘電体層52a、52zは、積層体51の焼結時のそ
りを抑えたり、ハンドリング時の外部応力に耐え得るよ
うにするためである。[0003] Out of the laminated body 51, particularly, outermost dielectric layers 52a and 52z serving as upper and lower margins which do not contribute to the generation of the capacitance of the outermost layer (upper and lower surfaces) are arranged. The outermost dielectric layers 52a and 52z are provided to suppress warpage during sintering of the multilayer body 51 and to withstand external stress during handling.
【0004】また、このような積層体51の稜線部分に
は、輸送時や実装時の振動等によって角が欠けたり割れ
たりすることを防止するために、稜線部に丸み、即ち曲
面加工が施されている。この曲面加工は、製造工程中、
内部電極53、54を所定端面から完全に露出させて、
外部電極55、56と安定して接続させるための研磨工
程で同時に形成する。In order to prevent the corners of the laminated body 51 from being chipped or broken due to vibration during transportation or mounting, the ridges are rounded, that is, curved. Have been. This curved surface processing, during the manufacturing process,
By completely exposing the internal electrodes 53 and 54 from predetermined end faces,
They are formed at the same time in a polishing step for stable connection with the external electrodes 55 and 56.
【0005】そして、上述の積層体51の一対の端部、
即ち、端面及端面と隣接する4つの面の一部に外部電極
を形成する方法としては、積層体51の一対の端面に安
定的に内部電極53、54を露出させて、次いで両端部
に、Ag、Ag−Pd、Cuなどの金属粉末(導電成
分)に、ガラスフリット、有機バインダー、溶剤などを
配合してなる導電ペーストを塗布し焼き付けて下地導体
膜55a、56aを形成し、その後、半田耐熱性向上の
ために、メッキ層55b、56bを形成する。[0005] Then, a pair of ends of the above-mentioned laminated body 51,
That is, as a method of forming the external electrodes on the end faces and on a part of the four faces adjacent to the end faces, the internal electrodes 53 and 54 are stably exposed on the pair of end faces of the laminate 51, and then on both ends, A conductive paste formed by mixing a glass frit, an organic binder, a solvent, and the like is applied to a metal powder (conductive component) such as Ag, Ag-Pd, or Cu, and baked to form underlying conductive films 55a and 56a, and then solder Plating layers 55b and 56b are formed to improve heat resistance.
【0006】ここで、導電ペーストに含まれるガラスフ
リットは、焼き付け後に下地導体膜55a、56aと誘
電体層52との界面との密着性を高め、メッキ工程で使
用するメッキ液が積層体51の内部に浸入することを防
止している。Here, the glass frit contained in the conductive paste enhances the adhesion between the underlying conductor films 55a and 56a and the interface between the dielectric layers 52 after baking, and the plating solution used in the plating process is Prevents intrusion into the interior.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
積層セラミックコンデンサでは、図5(a)(b)のよ
うに、外部電極55を積層体51の端面及びそれと隣接
する4つの面に形成すると、下地導体膜55a、56a
は平面部分においてある程度の厚みが得られるものの、
端面とこれと隣接する稜線部分付近によって、その厚み
が変動してしまう。However, in the conventional multilayer ceramic capacitor, as shown in FIGS. 5A and 5B, when the external electrodes 55 are formed on the end face of the laminate 51 and four faces adjacent thereto, Base conductor films 55a, 56a
Has a certain thickness in the plane part,
The thickness varies depending on the end face and the vicinity of the adjacent ridge line.
【0008】一般にメッキ液の浸入は、積層体51の端
面と隣接する4つ面での積層体51と外部電極55、5
6との界面部分から浸入する場合と、外部電極55、5
6の下地導体膜55a、56aから直接浸入する場合と
が考えられる。下地導体膜55a、56aにおいては、
導体膜中空孔が存在しており、この空孔を介して浸入す
る。[0008] Generally, the infiltration of the plating solution is caused by the laminate 51 and the external electrodes 55, 5 on four faces adjacent to the end face of the laminate 51.
6 and the external electrodes 55, 5
It is conceivable that the infiltration directly from the base conductor films 55a and 56a of No. 6 may occur. In the base conductor films 55a and 56a,
There is a hollow hole in the conductor film, and the hole penetrates through the hole.
【0009】従って、内部電極53、54とメッキ液が
かかる外部電極55、56の下地導体膜55a、56a
との最短距離が小さい程、内部電極53、54へメッキ
液が浸入しやすくなるということになる。Accordingly, the underlying conductor films 55a, 56a of the internal electrodes 53, 54 and the external electrodes 55, 56 to which the plating solution is applied.
The smaller the shortest distance between them, the easier it is for the plating solution to enter the internal electrodes 53 and 54.
【0010】また、積層体51の端面領域に付着する下
地導体膜55a、56aは、導電性ペーストの表面張力
によっても、下地導体膜55a、56aの厚みが変動し
てしまう。傾向としては、積層体51の端面の中央部で
はかなりの厚みに形成されるものの、端面の外側領域で
は厚みが薄くなってしまう。Further, the thickness of the underlying conductor films 55a and 56a attached to the end face regions of the laminated body 51 varies depending on the surface tension of the conductive paste. The tendency is that the laminate 51 is formed to have a considerable thickness at the center of the end face, but the thickness is reduced in a region outside the end face.
【0011】例えば、最外層に位置する例えば誘電体層
52aの厚みtが薄いと、図5(b)のように、積層体
51の稜線部分付近で、下地導体膜55aと内部電極5
3との距離d1 が短くなってしまう。これによって、こ
の部分d1 でメッキ液が浸入し易くなってしまい、その
結果、絶縁抵抗特性が劣化し、湿中耐圧試験での信頼性
が大きく低下する。For example, when the thickness t of the dielectric layer 52a located at the outermost layer is small, for example, as shown in FIG. 5B, the base conductor film 55a and the internal electrode 5
3 the distance between the d 1 is shortened. Thus, becomes easy plating solution infiltrates in this portion d 1, as a result, the insulation resistance characteristic is deteriorated, greatly decreases the reliability of a medium pressure test humidity.
【0012】また、焼成後のバレル研磨時に、同時に内
部電極53が削られるため、バレル研磨のバラツキによ
って等価直列抵抗(ESR)バラツキが発生するという
問題点もある。Further, since the internal electrode 53 is simultaneously shaved during barrel polishing after firing, there is also a problem that variations in barrel polishing cause variations in equivalent series resistance (ESR).
【0013】これに対し、最外層の誘電体層2aの厚み
tが厚いと、図5(a)のように、積層体1の端面部分
で下地導体膜55aと内部電極53との距離d2 が短く
なる。また、誘電体層2aが厚いと、誘電体層2aの外
表部分と内部電極53との界面部分との熱収縮率の差が
顕著になり、その結果、熱衝撃(ΔT)試験(例えば3
40℃の半田浴に浸漬する)で、積層体51にクラック
が発生しやすいという問題点があった。On the other hand, when the thickness t of the outermost dielectric layer 2a is large, the distance d 2 between the underlying conductor film 55a and the internal electrode 53 at the end face of the laminate 1 is increased as shown in FIG. Becomes shorter. When the dielectric layer 2a is thick, the difference in the thermal shrinkage between the outer surface of the dielectric layer 2a and the interface between the internal electrode 53 becomes remarkable. As a result, a thermal shock (ΔT) test (for example, 3
(Soaked in a solder bath at 40 ° C.), there is a problem that cracks are easily generated in the laminate 51.
【0014】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、積層体にメッキ液の浸入を防
止し、バレル研磨のバラツキによる特性の変動を抑え、
熱収縮率の差による熱衝撃試験時のクラックを防止する
ことができる積層セラミックコンデンサを提供すること
にある。The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and has as its object to prevent the plating solution from invading the laminate, suppress fluctuations in characteristics due to variations in barrel polishing,
An object of the present invention is to provide a multilayer ceramic capacitor capable of preventing a crack during a thermal shock test due to a difference in thermal shrinkage.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体層と内
部電極とが交互に積層されて成る積層体の一対の端部に
前記内部電極に接続する外部電極を形成して成る積層セ
ラミックコンデンサにおいて、前記積層体の稜線部が曲
面加工されているとともに、前記積層体の最外層の誘電
体層の厚みtが、前記稜線部の曲率半径rの1.2〜
3.3倍であることを特徴とする積層セラミックコンデ
ンサである。According to the present invention, there is provided a laminated ceramic comprising an outer electrode connected to the internal electrode at a pair of ends of a laminated body in which dielectric layers and internal electrodes are alternately laminated. In the capacitor, the ridge of the laminate is curved, and the thickness t of the outermost dielectric layer of the laminate is 1.2 to 1.2 times the radius of curvature r of the ridge.
It is a multilayer ceramic capacitor characterized by a factor of 3.3.
【0016】[0016]
【作用】本発明では、積層体の曲面加工により稜線部が
丸みを有しており、積層体の最外層の誘電体層の稜線部
分にも丸みを有することになる。そして、積層体の最外
層の誘電体層の厚みtがこの稜線部の丸みの曲率半径r
の1.2〜3.3倍としている。According to the present invention, the ridge portion is rounded due to the curved surface processing of the laminate, and the ridge portion of the outermost dielectric layer of the laminate is also rounded. Then, the thickness t of the outermost dielectric layer of the laminate is equal to the radius of curvature r of the roundness of the ridge line portion.
1.2 to 3.3 times.
【0017】このため、内部電極とメッキ液がかかる外
部電極の下地導体膜との距離を適正化できるため、内部
電極にメッキ液が浸入することを防止でき、また、バレ
ル研磨加工の衝撃を緩和でき、バレル研磨加工バラツキ
による特性の変動を抑え、熱衝撃試験、湿中耐圧試験で
の信頼性が大きく向上する。As a result, the distance between the internal electrode and the underlying conductive film of the external electrode to which the plating solution is applied can be optimized, so that the plating solution can be prevented from entering the internal electrode, and the impact of barrel polishing can be reduced. As a result, fluctuations in characteristics due to variations in barrel polishing processing are suppressed, and reliability in a thermal shock test and a humidity and pressure resistance test is greatly improved.
【0018】これは、積層体の最外層の誘電体層の厚み
tと、この誘電体層の稜線部分の曲面加工による曲率半
径の関係の規定により、最外層の誘電体層として機能を
充分に発揮できることに起因する。This is because the thickness of the outermost dielectric layer of the laminated body, t, and the relationship between the radius of curvature of the ridge portion of the dielectric layer by the curved surface processing are defined, so that the function as the outermost dielectric layer is sufficiently achieved. It can be demonstrated.
【0019】仮に、積層体の最外層の誘電体層の厚みt
が、稜線部の曲率半径rの1.2倍未満では、相対的に
積層体の最外層の誘電体層tの厚みが薄くなりすぎて、
積層体の稜線部分での内部電極と外部電極の下地導体膜
との距離が短くなり、メッキ液の浸入が発生しやすくな
る。また、バレル研磨加工で発生する機械的ストレス
が、誘電体層と内部電極との界面部分に集中しやすくな
り、層間密着力の低下してしまう。また、バレル研磨の
バラツキにより等価直列抵抗(ESR)バラツキも発生
してしまう。しかも、プリント配線基板に半田接合した
場合、その熱ストレスが内部電極にまで到達してしま
い、積層セラミックコンデンサの層間剥がれや割れ等な
どが発生してしまう。It is assumed that the thickness t of the outermost dielectric layer of the laminate is t
However, when the radius of curvature r of the ridge portion is less than 1.2 times, the thickness of the dielectric layer t as the outermost layer of the laminate becomes relatively too thin,
The distance between the internal electrode and the underlying conductive film of the external electrode at the ridgeline portion of the laminate becomes shorter, and the infiltration of the plating solution is more likely to occur. In addition, mechanical stress generated by barrel polishing tends to concentrate on the interface between the dielectric layer and the internal electrode, and the interlayer adhesion decreases. In addition, variations in equivalent series resistance (ESR) also occur due to variations in barrel polishing. In addition, when soldering is performed on a printed wiring board, the thermal stress reaches the internal electrodes, and interlayer delamination or cracking of the multilayer ceramic capacitor occurs.
【0020】逆に、積層体の最外層の誘電体層の厚みt
が、曲率半径rの3.3倍を越えると、相対的に最外層
の誘電体層の厚みが厚くなりすぎて、最外層の誘電体層
の外面とと内部電極との界面分との熱収縮率に差が顕著
となることから、熱衝撃(ΔT)試験でクラックが発生
しやすくなる。Conversely, the thickness t of the outermost dielectric layer of the laminate
However, if the radius of curvature exceeds 3.3 times the radius of curvature r, the thickness of the outermost dielectric layer becomes relatively too thick, and the heat between the outer surface of the outermost dielectric layer and the interface between the internal electrode and the internal electrode is relatively large. Since the difference in the shrinkage ratio becomes remarkable, cracks tend to occur in the thermal shock (ΔT) test.
【0021】即ち、最外層の誘電体層の厚みを、稜線部
の曲率半径の3.3倍以下とすることにより、その熱収
縮率の差を小さくすることができ、熱衝撃(ΔT)試験
でクラック発生を抑えることができる。That is, by setting the thickness of the outermost dielectric layer to be 3.3 times or less the radius of curvature of the ridge, the difference in the thermal shrinkage can be reduced, and the thermal shock (ΔT) test Thus, the occurrence of cracks can be suppressed.
【0022】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明の積層セラミックコ
ンデンサを図面に基づいて詳説する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a multilayer ceramic capacitor according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0023】図1は本発明の積層セラミックコンデンサ
10の外観斜視図であり、図2は図1の積層セラミック
コンデンサの断面図であり、図3(a)は積層体1の縦
断面図であり、(b)は横断面図である。FIG. 1 is an external perspective view of a multilayer ceramic capacitor 10 of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the multilayer ceramic capacitor of FIG. 1, and FIG. , (B) are cross-sectional views.
【0024】図において、10は積層セラミックコンデ
ンサであり、1は積層体、2は誘電体層、3は第1の内
部電極、4は第2の内部電極、5は第1の内部電極3と
接続する第1の外部電極、6は第2の内部電極4と接続
する第2の外部電極である。In the figure, 10 is a multilayer ceramic capacitor, 1 is a laminate, 2 is a dielectric layer, 3 is a first internal electrode, 4 is a second internal electrode, and 5 is a first internal electrode 3. The first external electrode 6 to be connected is a second external electrode connected to the second internal electrode 4.
【0025】積層体1は、チタン酸バリウム、チタン酸
ストロンチウムなどの誘電体セラミック材料からなる複
数の誘電体層2が積層されて構成されている。そして、
この積層体層2の層間には、第1の内部電極3または第
2の内部電極4とが交互に配置されている。第1及び第
2の内部電極3、4は、PdまたはAg−Pd合金など
の貴金属材料あるいはNiなどの卑金属材料からなる。
そして、第1の内部電極3は、例えば積層体1の一方の
端面、図では左側の端面から延出されている。The laminate 1 is formed by laminating a plurality of dielectric layers 2 made of a dielectric ceramic material such as barium titanate and strontium titanate. And
The first internal electrodes 3 or the second internal electrodes 4 are alternately arranged between the stacked layers 2. The first and second internal electrodes 3 and 4 are made of a noble metal material such as Pd or an Ag-Pd alloy or a base metal material such as Ni.
The first internal electrode 3 extends from, for example, one end face of the multilayer body 1, that is, the left end face in the drawing.
【0026】また、第2の内部電極4は、第1の内部電
極3が形成された誘電体層間と隣接する層間に配置さ
れ、例えば積層体1の他方の端面、図では右側の端面か
ら延出されている。The second internal electrode 4 is disposed between a dielectric layer on which the first internal electrode 3 is formed and an adjacent layer. For example, the second internal electrode 4 extends from the other end face of the multilayer body 1, that is, the right end face in the figure. Has been issued.
【0027】また、積層体1の両端面に下地導体膜5
a、6a、メッキ層5b、6bから成る第1の外部電極
5、第2の外部電極6が形成されている。この第1の外
部電極5は、複数の第1の内部電極3と接続するため
に、積層体1の一方の端面、即ち左側の端面を中心に、
該端面と隣接する4つの面の端部よりに形成されてい
る。The base conductor film 5 is provided on both end surfaces of the laminate 1.
The first external electrode 5 and the second external electrode 6 are formed of a, 6a and plating layers 5b, 6b. The first external electrode 5 is connected to one end face of the multilayer body 1, that is, the left end face, in order to connect to the plurality of first internal electrodes 3.
It is formed from the ends of four faces adjacent to the end face.
【0028】第2の外部電極6は、複数の第2の内部電
極4と接続するために、積層体1の他方の端面、即ち右
側の端面を中心に、該端面と隣接する4つの面の端部よ
りに形成されている。The second external electrode 6 is connected to the plurality of second internal electrodes 4, and is connected to the other end face of the multilayer body 1, that is, the four end faces adjacent to the end face, centering on the right end face. It is formed from the end.
【0029】本発明においては、積層体1を構成する誘
電体層2・・・のうち、最外層の誘電体層2a、2zの
厚みが、積層体1の稜線部分の曲率半径rに応じて適宜
決定されている。即ち、最外層の誘電体層2a(焼成後
の誘電体層)の厚みは、積層体1の稜線部分の曲率半径
rとすると、曲率半径rの1.2〜3.3倍の厚さを有
している。In the present invention, the thickness of the outermost dielectric layers 2a and 2z among the dielectric layers 2... Constituting the laminate 1 is determined by the radius of curvature r of the ridge portion of the laminate 1. It is determined as appropriate. That is, assuming that the thickness of the outermost dielectric layer 2a (dielectric layer after firing) is the radius of curvature r of the ridge line portion of the laminate 1, the thickness is 1.2 to 3.3 times the radius of curvature r. Have.
【0030】上記構成の積層セラミックコンデンサ10
はつぎのように作製する。The multilayer ceramic capacitor 10 having the above structure
Is prepared as follows.
【0031】まず、誘電体材料から成る2種類のセラミ
ックグリーンシートを用意する。1つのセラミックグリ
ーンシートは、最外層の誘電体層2a、2zとなるグリ
ーンシートであり、今1つのセラミックグリーンシート
は、最外層の誘電体層に挟まれる誘電体層2となるセラ
ミックグリーンシートである。First, two types of ceramic green sheets made of a dielectric material are prepared. One ceramic green sheet is a green sheet that becomes the outermost dielectric layers 2a and 2z, and another ceramic green sheet is a ceramic green sheet that becomes the dielectric layer 2 sandwiched between the outermost dielectric layers. is there.
【0032】尚、各セラミックグリーンシートは、複数
の積層セラミックコンデンサとなる素子領域が縦横に配
列されているが、1つの素子領域について説明する。In each ceramic green sheet, a plurality of element regions to be a multilayer ceramic capacitor are arranged vertically and horizontally. One element region will be described.
【0033】次に、例えば最外層の誘電体層2aとなる
セラミックグリーンシートを除いて、各グリーンシート
の素子領域に、第1の内部電極3となる導体膜、または
第2の内部電極4となる導体膜を、金属粉末を有する導
電性ペーストの印刷により形成する。尚、第1の内部電
極3と第2の内部電極4は、それぞれ矩形状であり、そ
の延出方向は互いに異なるである。Next, for example, except for the ceramic green sheet to be the outermost dielectric layer 2a, a conductor film to be the first internal electrode 3 or a second internal electrode 4 The conductive film is formed by printing a conductive paste having metal powder. Note that the first internal electrode 3 and the second internal electrode 4 are each rectangular, and their extending directions are different from each other.
【0034】次に、第1及び第2の内部電極3、4とな
るグリーンシートを、積層順序に応じて積層する。この
時、最下面には、最外層となる誘電体層2zとなるグリ
ーンシートから、第1の内部電極3となる導体膜を形成
したグリーンシート、第2の内部電極4となる導体膜を
形成したグリーンシートを交互に積層して、最上層に
は、誘電体層2aとなるグリーンシートを積層し全体を
圧着する。Next, green sheets to be the first and second internal electrodes 3 and 4 are laminated according to the lamination order. At this time, on the lowermost surface, a green sheet on which a conductive film serving as the first internal electrode 3 is formed from a green sheet serving as the dielectric layer 2z serving as the outermost layer, and a conductive film serving as the second internal electrode 4 are formed. The green sheets are alternately stacked, and a green sheet serving as the dielectric layer 2a is stacked on the uppermost layer, and the whole is pressed.
【0035】次に、このグリーンシートの積層体を、所
定素子領域に応じて所定寸法に切断して積層体となる未
焼成のチップ状積層体を形成する。Next, the green sheet laminate is cut into a predetermined size in accordance with a predetermined element region to form an unfired chip-like laminate to be a laminate.
【0036】次いでこの未焼成のチップ状積層体を所定
の雰囲気、温度で焼成する。これより、未焼成のチップ
状積層体を構成する誘電体層2となるグリーンシート、
内部電極3、4となる導体膜は焼成処理され、互いに強
固に密着しあう一体焼結積層体となる。Next, the unfired chip-like laminate is fired in a predetermined atmosphere and temperature. As a result, a green sheet serving as the dielectric layer 2 constituting the unfired chip-shaped laminate,
The conductor films serving as the internal electrodes 3 and 4 are subjected to a baking treatment to form an integrally sintered laminate in which the conductor films are firmly adhered to each other.
【0037】その後、焼成された一体焼結積層体をバレ
ル研磨加工する。このバレル研磨加工は、一体焼結積層
体の最外層に位置する誘電体層2a、2zの厚みを考慮
して、バレル研磨条件を設定して、一体焼結積層体の稜
線部に丸み加工(曲面)加工を行う。これより、積層体
1の稜線部は、曲面となるとともに、第1の内部電極3
及び第2の内部電極4が、積層体1の端面から完全に露
出することになる。Thereafter, the fired integral sintered laminate is subjected to barrel polishing. In this barrel polishing, the barrel polishing conditions are set in consideration of the thickness of the dielectric layers 2a and 2z located at the outermost layers of the integrated sintered laminate, and the edge of the integrated sintered laminate is rounded ( (Curved surface) processing. As a result, the ridge portion of the laminate 1 becomes a curved surface and the first internal electrode 3
Then, the second internal electrode 4 is completely exposed from the end face of the multilayer body 1.
【0038】尚、このバレル研磨加工は、積層体1の稜
線部に曲率半径をrと、積層体1の最外層の誘電体層2
a(2z)の厚みをtとすると、厚みt=1.2r〜
3.3rとなるようにする。In this barrel polishing, the radius of curvature is set at the ridge of the laminate 1 and the outermost dielectric layer 2 of the laminate 1 is formed.
Assuming that the thickness of a (2z) is t, the thickness t = 1.2r ~
3.3r.
【0039】次に、積層体1の第1の内部電極3が露出
する端面に外部電極5を、第2の内部電極4が露出する
端面に外部電極6を形成する。具体的には、積層体1の
端面部分をAgまたはAg−Pd合金からなる導電性ペ
ースト槽内に浸漬(ディッピング)して、積層体1の端
面付近に導電性ペーストを塗布する。そして、塗布した
導電性ペーストを焼き付けて下地導体膜5a、6aを形
成する。その後、下地導体膜5a、6aの表面に、半田
食われが生じ難い材料からなるNiメッキ層やSnまた
はSn−Pb合金などの材料からなるメッキ層(合わせ
てメッキ層5b、6b)を形成する。Next, the external electrode 5 is formed on the end face of the multilayer body 1 where the first internal electrode 3 is exposed, and the external electrode 6 is formed on the end face where the second internal electrode 4 is exposed. Specifically, the end face portion of the laminate 1 is dipped (dipped) into a conductive paste tank made of Ag or an Ag-Pd alloy, and a conductive paste is applied to the vicinity of the end face of the laminate 1. Then, the applied conductive paste is baked to form underlying conductive films 5a and 6a. Thereafter, on the surfaces of the base conductor films 5a and 6a, a Ni plating layer made of a material that is unlikely to suffer from solder erosion and a plating layer made of a material such as Sn or Sn—Pb alloy (together with the plating layers 5b and 6b) are formed. .
【0040】かくして、本発明の積層セラミックコンデ
ンサ10によれば、積層体1の稜線部に所定曲率半径r
が付与されている。積層体1の最外層の誘電体層2a
(2z)の厚みtが、曲率半径rの1.2〜3.3倍と
なっている。Thus, according to the multilayer ceramic capacitor 10 of the present invention, the predetermined radius of curvature r
Is given. Outermost dielectric layer 2a of laminate 1
The thickness t of (2z) is 1.2 to 3.3 times the radius of curvature r.
【0041】このため、内部電極3、4とメッキ液がか
かる外部電極5、6部分との距離を充分長くすることが
できる。これにより、外部電極5、6と積層体1との界
面部分から、また、直接外部電極5、6から内部電極
3、4に浸入するメッキ液を防止することができる。Therefore, the distance between the internal electrodes 3 and 4 and the external electrodes 5 and 6 to which the plating solution is applied can be made sufficiently long. Accordingly, it is possible to prevent the plating solution from intruding into the internal electrodes 3 and 4 from the interface between the external electrodes 5 and 6 and the stacked body 1 or directly from the external electrodes 5 and 6.
【0042】また、バレル研磨加工時に発生する機械的
ストレスによる稜線部の誘電体層間密着力の低下が防止
できる。また、バレル研磨のバラツキにより内部電極
3、4を削除することがなく、等価直列抵抗(ESR)
バラツキを解消することができる。さらに、積層セラミ
ックコンデンサをプリント配線基板等に半田接合した状
態では、外部電極5、6に半田フィレットが形成され
る。しかし、外部から機械的ストレスが加わっても、そ
のストレスは内部電極3、4と誘電体層2・・・の界面
または誘電体層2・・相互の界面へ集中することがなく
なり、プリント配線基板等に実装された積層セラミック
コンデンサの層間の剥がれや割れ等が防止される。Further, it is possible to prevent a decrease in the adhesion between the dielectric layers at the ridge portion due to mechanical stress generated during barrel polishing. In addition, the internal electrodes 3 and 4 are not deleted due to variations in barrel polishing, and the equivalent series resistance (ESR) is reduced.
Variations can be eliminated. Further, when the multilayer ceramic capacitor is soldered to a printed wiring board or the like, solder fillets are formed on the external electrodes 5 and 6. However, even if mechanical stress is applied from the outside, the stress does not concentrate on the interface between the internal electrodes 3 and 4 and the dielectric layers 2... Or the dielectric layers 2. Thus, peeling and cracking between layers of the multilayer ceramic capacitor mounted on the like are prevented.
【0043】また、最外層の誘電体層2a(2z)にお
いて、外表面側部分と内部側の内部電極と界面部分との
熱収縮率に差を緩和することができるため、熱衝撃(Δ
T)試験でクラックが発生しにくくなる。Further, in the outermost dielectric layer 2a (2z), the difference in the heat shrinkage between the outer surface side portion, the inner side internal electrode and the interface portion can be reduced, so that the thermal shock (Δ
T) Cracks are less likely to occur in the test.
【0044】[0044]
【実験例】次に本発明者は、2012形(長さ=2.0
mm、幅=1.25mm、厚み=1.25mm)の積層
セラミックコンデンサを用い、積層体1の稜線部分の曲
率半径を一定にして、最外層の誘電体層2aの厚みを6
0〜300μmと変化させた試料を作成し、メッキ液浸
入による誘電体層の絶縁不良(IR不良)の発生率(p
pm)、半田接合時による積層体のクラックの発生(Δ
T不良)の個数、さらに、湿度85%中、125Vの交
番電圧を与えた時の絶縁抵抗不良(SP不良)の個数を
調べた。[Experimental Example] Next, the inventor of the present invention has proposed a model 2012 (length = 2.0
mm, width = 1.25 mm, thickness = 1.25 mm), the radius of curvature of the ridgeline portion of the multilayer body 1 is kept constant, and the thickness of the outermost dielectric layer 2a is 6 mm.
A sample having a thickness of 0 to 300 μm was prepared, and the rate of occurrence of insulation failure (IR failure) of the dielectric layer due to intrusion of the plating solution (IR failure) (p
pm), occurrence of cracks in the laminate due to solder bonding (Δ
T failure) and the number of insulation resistance failure (SP failure) when an alternating voltage of 125 V was applied in 85% humidity.
【0045】具体的には、チタン酸バリウムを主成分と
するセラミック粉末と焼成助材、純水及び分散剤をアト
ラーターを用いて10hr分散させて水溶性のスラリー
を作製する。このスラリーに、固形分に対して20wt
%のバインダー水溶液(8wt%のバインダー固形分)
を添加して攪拌してフィルターパスを行い、スリップと
する。Specifically, a water-soluble slurry is prepared by dispersing a ceramic powder containing barium titanate as a main component, a sintering aid, pure water and a dispersant for 10 hours using an attorter. 20 wt% of this slurry
% Binder aqueous solution (8 wt% binder solid content)
Is added and agitated to perform a filter pass to obtain a slip.
【0046】このスリップを用いて、通常のシート作製
法により厚さ数10μmのセラミック生シートを作製
し、このグリーンシート上に厚さ2〜5μmの内部電極
(パラジウムペースト)をスクリーン印刷のような従来
から公知の薄膜形成方法により形成する。内部電極形成
した生シートを70〜80層積層し、熱圧着、カットを
行い、未焼成状態のチップ状積層体を得る。ここで、積
層方向の上下には内部電極を形成していない生シートを
数枚積層し、最外層誘電体層であるトップマージン部と
する。Using this slip, a ceramic raw sheet having a thickness of several tens of μm is prepared by a normal sheet preparation method, and an internal electrode (palladium paste) having a thickness of 2 to 5 μm is formed on this green sheet by screen printing. It is formed by a conventionally known thin film forming method. 70 to 80 layers of the raw sheet on which the internal electrodes are formed are laminated, thermocompression-bonded and cut to obtain an unfired chip-shaped laminate. Here, several raw sheets on which no internal electrodes are formed are laminated above and below in the laminating direction to form a top margin portion which is the outermost dielectric layer.
【0047】次に、この未焼成状態のチップ状積層体を
300℃×2hrで脱脂した後、1100〜1400℃
で一体焼成する。焼成中に内部電極を全く印刷しないシ
ート数枚は一体化する。Next, the chip-shaped laminate in the unfired state is degreased at 300 ° C. × 2 hr, and then degreased at 1100 to 1400 ° C.
And fired together. Several sheets that do not print any internal electrodes during firing are integrated.
【0048】次に、この焼結された積層体の稜線部分を
バレル研磨加工により各稜線部分に、表2に示す曲率半
径となるように曲面加工を施す。その後、積層体の端面
部分に、外部電極(銀ペースト)の印刷焼き付けを行
い、通常の電解メッキ法によりメッキを被着させた。Next, the ridge portion of the sintered laminate is subjected to barrel polishing by barrel polishing so as to have a radius of curvature shown in Table 2. Thereafter, printing and baking of an external electrode (silver paste) was performed on the end face portion of the laminate, and plating was applied by a normal electrolytic plating method.
【0049】尚、積層セラミックコンデンサは、静電容
量、磁器厚みを一定に保つようにしながら、最外層の誘
電体層2a(2z)の厚みtを変化させたときのメッキ
後の不良発生率を示し、例えば絶縁抵抗は、104 Ω以
上となるものを不良とし、その発生率をppmで示して
いる。In the multilayer ceramic capacitor, the rate of occurrence of defects after plating when the thickness t of the outermost dielectric layer 2a (2z) is changed while keeping the capacitance and the thickness of the porcelain constant is maintained. For example, those having an insulation resistance of 10 4 Ω or more are regarded as defective, and the occurrence rate is shown in ppm.
【0050】また、ΔT不良は、340℃の半田浴に所
定時間浸漬した後のクラック等の発生を不良とした。The ΔT failure was defined as failure such as cracking after immersion in a solder bath at 340 ° C. for a predetermined time.
【0051】また、SP不良は、湿度85%で125V
の交番電圧を印加して、その時の絶縁抵抗が初期状態の
絶縁抵抗から劣化の見られたものを不良とした。The SP failure is 125 V at 85% humidity.
, And the insulation resistance at that time, whose insulation resistance was deteriorated from the insulation resistance in the initial state, was regarded as defective.
【0052】[0052]
【表1】 [Table 1]
【0053】このように、最外層の誘電体層2a(2
z)を適当に調節することにより、チップ状積層体1の
厚み寸法の増大、信頼性の低下を防ぎながら、最外層の
誘電体層の厚みを、曲率半径の1.2倍以上、この好ま
しくは1.25倍以上、3.3倍以下、好ましくは3.
25倍以下とすることにより、静電容量などの初期特性
を規格内に収めつつ、メッキ液の浸入による不良発生率
を防止することができ、プリント配線基板上に半田接合
した時の熱衝撃による誘電体層と内部電極との剥離を防
止することができ、しかも、SP不良を防止することが
できる。As described above, the outermost dielectric layer 2a (2
By properly adjusting z), the thickness of the outermost dielectric layer can be reduced to 1.2 times or more the radius of curvature, while preventing an increase in the thickness dimension of the chip-shaped laminate 1 and a decrease in reliability. Is 1.25 times or more and 3.3 times or less, preferably 3.times.
By setting it to 25 times or less, it is possible to prevent the occurrence rate of defects due to the infiltration of the plating solution while keeping the initial characteristics such as the capacitance within the standard, and to prevent the thermal shock when soldering on the printed wiring board. Separation of the dielectric layer and the internal electrode can be prevented, and SP failure can be prevented.
【0054】例えば、試料番号1、2に示すように、曲
率半径の1.2倍未満であると、50個以上の試料で絶
縁抵抗不良が発生してしまい、ΔT不良、SP不良が発
生してしまう。これは、最外層の誘電体層の厚みtが、
曲率半径rに比較して相対的に薄くなり、積層体1の稜
線部分における内部電極3、4と外部電極5、6との距
離d1 が短くなるためである。For example, as shown in Sample Nos. 1 and 2, when the radius of curvature is less than 1.2 times, insulation resistance failure occurs in 50 or more samples, and ΔT failure and SP failure occur. Would. This is because the thickness t of the outermost dielectric layer is
This is because the thickness becomes relatively thinner than the radius of curvature r, and the distance d 1 between the internal electrodes 3 and 4 and the external electrodes 5 and 6 at the ridgeline portion of the multilayer body 1 becomes short.
【0055】また、試料番号12、13に示すように、
曲率半径の3.3倍を越えると、ΔT不良が発生してし
まう。これは、最外層の誘電体層の厚みtが、曲率半径
rに比較して相対的に厚くなり、積層体1の端面部分に
おける下地導体膜5a、6aの厚みが薄くなる傾向によ
り、積層体1の端面部分における外部電極5、6と内部
電極3、4との距離d2 が接近することに起因するもの
である。As shown in sample numbers 12 and 13,
If it exceeds 3.3 times the radius of curvature, a ΔT failure occurs. This is because the thickness t of the outermost dielectric layer is relatively thicker than the radius of curvature r, and the thicknesses of the underlying conductor films 5a and 6a at the end surfaces of the multilayer body 1 tend to be smaller. This is due to the fact that the distance d 2 between the external electrodes 5 and 6 and the internal electrodes 3 and 4 at the end face portion 1 is short.
【0056】本発明者は、その他の積層体の寸法につい
ても、同様に最外層の厚みと積層体の曲率半径rとの関
係を調べた。The present inventor similarly examined the relationship between the thickness of the outermost layer and the radius of curvature r of the laminate for other dimensions of the laminate.
【0057】[0057]
【表2】 [Table 2]
【0058】その結果、積層体の寸法(1005形 長
さ、幅、厚みが1.0mm、0.5mm、0.5mm、
1608形 長さ、幅、厚みが1.6mm、0.8m
m、0.8mm)においても、最外層の誘電体層2a
(2Z)の厚みtと積層体1の稜線部分の曲率半径rの
関係も1.2〜3.3倍であると、絶縁抵抗、耐熱衝
撃、湿中耐圧試験においても不良が一切発生しないこと
を確認した。As a result, the dimensions (1005 length, width, and thickness of the laminate were 1.0 mm, 0.5 mm, 0.5 mm,
Type 1608 Length, width, thickness 1.6mm, 0.8m
m, 0.8 mm), the outermost dielectric layer 2a
If the relationship between the thickness t of (2Z) and the radius of curvature r of the ridgeline portion of the laminate 1 is also 1.2 to 3.3 times, no failure occurs at all in the insulation resistance, heat shock, and humidity and pressure resistance test. It was confirmed.
【0059】なお、本発明は上記の実施の形態例に限定
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内
での種々の変更や改良等は何ら差し支えない。It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and various changes and improvements may be made without departing from the scope of the present invention.
【0060】[0060]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、積層体
の稜線部が曲面加工されており、かつ積層体の最外層の
誘電体層の厚みtが、稜線部分の曲率半径rの1.2〜
3.3倍である。As described above, according to the present invention, the ridge of the laminate is curved, and the thickness t of the outermost dielectric layer of the laminate is smaller than the radius of curvature r of the ridge. 1.2 ~
3.3 times.
【0061】このため、内部電極と外部電極との最短距
離部分からメッキ液が浸入し、内部電極にまで到達する
ことがなく、絶縁抵抗、耐熱衝撃、湿中耐圧試験におい
ても不良が一切発生しない積層セラミックコンデンサと
なる。For this reason, the plating solution does not penetrate from the shortest distance between the internal electrode and the external electrode, does not reach the internal electrode, and does not cause any failure even in the insulation resistance, heat shock, and humidity and pressure resistance test. It becomes a multilayer ceramic capacitor.
【0062】また、バレル研磨加工の際に加えられる機
械的ストレスによる稜線部の層間密着力の低下の恐れが
なくなる。また、バレル研磨のバラツキにより等価直列
抵抗(ESR)バラツキもなくなる。Further, there is no fear that the interlayer adhesion at the ridgeline portion is reduced due to mechanical stress applied during barrel polishing. In addition, variations in equivalent series resistance (ESR) are eliminated due to variations in barrel polishing.
【図1】本発明の積層セラミックコンデンサの外観斜視
図である。FIG. 1 is an external perspective view of a multilayer ceramic capacitor according to the present invention.
【図2】本発明の積層セラミックコンデンサの断面図で
ある。FIG. 2 is a cross-sectional view of the multilayer ceramic capacitor of the present invention.
【図3】本発明の積層体の断面図であり、(a)は縦断
面図であり、(b)は横断面図である。FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views of a laminate of the present invention, wherein FIG. 3A is a vertical cross-sectional view and FIG.
【図4】従来のセラミックコンデンサの断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a conventional ceramic capacitor.
【図5】(a)、(b)はそれぞれ部分断面図である。FIGS. 5A and 5B are partial cross-sectional views.
10、50・・・積層セラミックコンデンサ 1、51・・・積層体 2、52・・・誘電体層 3、4、53、54・・・内部電極 5、6、55、56・・・外部電極 7、8、57、58 メッキ部 r・・・積層体の稜線部分の曲率半径 t・・・最外層の誘電体層の厚み 10, 50: multilayer ceramic capacitor 1, 51: multilayer body 2, 52: dielectric layer 3, 4, 53, 54: internal electrode 5, 6, 55, 56: external electrode 7, 8, 57, 58 Plating portion r: radius of curvature of ridge line portion of laminated body t: thickness of outermost dielectric layer
Claims (1)
て成る積層体の一対の端部に、前記内部電極に接続する
外部電極を形成して成る積層セラミックコンデンサにお
いて、 前記積層体の稜線部分が曲面加工されているとともに、
前記積層体の最外層の誘電体層の厚みが、前記稜線部分
の曲率半径の1.2〜3.3倍としたことを特徴とする
積層セラミックコンデンサ。1. A multilayer ceramic capacitor comprising a pair of end portions of a laminated body in which dielectric layers and internal electrodes are alternately laminated, and external electrodes connected to the internal electrodes are formed. The ridge line is curved and
A multilayer ceramic capacitor, wherein the thickness of the outermost dielectric layer of the multilayer body is 1.2 to 3.3 times the radius of curvature of the ridge portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10276886A JP2000114097A (en) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | Multilayer ceramic capacitors |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114097A true JP2000114097A (en) | 2000-04-21 |
Family
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- 1998-09-30 JP JP10276886A patent/JP2000114097A/en active Pending
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