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JP2000128638A - Strontium ruthenate sintered body, method for producing the same, and sputtering target using the same - Google Patents

Strontium ruthenate sintered body, method for producing the same, and sputtering target using the same

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Publication number
JP2000128638A
JP2000128638A JP10310197A JP31019798A JP2000128638A JP 2000128638 A JP2000128638 A JP 2000128638A JP 10310197 A JP10310197 A JP 10310197A JP 31019798 A JP31019798 A JP 31019798A JP 2000128638 A JP2000128638 A JP 2000128638A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
strontium
sintered body
ruthenate
strontium ruthenate
same
Prior art date
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Pending
Application number
JP10310197A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Daisuke Takahashi
大輔 高橋
Yukio Noguchi
幸雄 野口
Hideshi Suzuki
秀史 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP10310197A priority Critical patent/JP2000128638A/en
Publication of JP2000128638A publication Critical patent/JP2000128638A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ルテニウム酸ストロンチウム焼結体をスパッタ
リングターゲットとして用いた場合、良好な誘電体膜を
得られるようにする。 【解決手段】炭酸ストロンチウムと酸化ルテニウムから
仮焼合成したルテニウム酸ストロンチウム仮焼粉を原料
として用いることにより、密度3.5g/cm3以上の高密度な
ルテニウム酸ストロンチウム焼結体を得る。
(57) [Problem] To provide a good dielectric film when a strontium ruthenate sintered body is used as a sputtering target. A high-density sintered strontium ruthenate having a density of 3.5 g / cm 3 or more is obtained by using, as a raw material, a calcined strontium ruthenate powder synthesized from strontium carbonate and ruthenium oxide.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピューター用
メモリーなどに用いられるルテニウム酸ストロンチウム
膜をスパッタリングにて形成するための、ルテニウム酸
ストロンチウムターゲットの製造方法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a strontium ruthenate target for forming a strontium ruthenate film used for a memory for a computer by sputtering.

【0002】[0002]

【従来の技術】次世代の半導体メモリーのキャパシタと
して電極に酸化ルテニウム、強誘電膜にBST(バリウ
ム・ストロンチウム・チタン)を用いることが考えられ
るが、その一方で両者の結合性が問題となっている。そ
こでこれらの間にルテニウム酸ストロンチウムを挟むこ
とにより、密着性をあげることが望まれており、このル
テニウム酸ストロンチウムの膜を形成するためにはスパ
ッタリングが用いられる。
2. Description of the Related Art As a capacitor of a next-generation semiconductor memory, it is conceivable to use ruthenium oxide for an electrode and BST (barium / strontium / titanium) for a ferroelectric film. I have. Therefore, it is desired to improve adhesion by sandwiching strontium ruthenate between them, and sputtering is used to form a strontium ruthenate film.

【0003】図1に一般的なスパッタ装置の概略図を示
す。真空チャンバー中に二枚の対向電極(陰極(ターゲ
ット)3,陽極4 )を置き,高電圧をかける。ガス導入口
2 により供給されたArガスはグロー放電を生じ,生成し
た正イオンは電場中で加速され,原料である陰極(ター
ゲット)3 の表面に衝突する。そのため,ターゲット表
面の原子、分子は運動量をもって真空中にはね飛ばさ
れ,基板5 上に堆積する。したがって、陰極3 を成すタ
ーゲットをルテニウム酸ストロンチウムの焼結体で形成
しておけば、基板5 上にルテニウム酸ストロンチウムの
膜を形成することができる。このようにして薄膜を生成
する手法をスパッタリングという。
FIG. 1 is a schematic view of a general sputtering apparatus. Two counter electrodes (cathode (target) 3, anode 4) are placed in a vacuum chamber, and a high voltage is applied. Gas inlet
The Ar gas supplied by 2 generates a glow discharge, and the generated positive ions are accelerated in an electric field and collide with the surface of the cathode (target) 3 as a raw material. Therefore, atoms and molecules on the target surface are splashed with a momentum into a vacuum and deposited on the substrate 5. Therefore, if the target forming the cathode 3 is formed of a sintered body of strontium ruthenate, a strontium ruthenate film can be formed on the substrate 5. The method of forming a thin film in this way is called sputtering.

【0004】従来のターゲットを成すルテニウム酸スト
ロンチウムターゲットは、酸化ストロンチウムと酸化ル
テニウムの粉体を混合したのち成形、焼成を経て作製さ
れていた。
[0004] A strontium ruthenate target as a conventional target has been manufactured by mixing powders of strontium oxide and ruthenium oxide, followed by molding and firing.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記スパッタリングは
真空中で行われ、このとき真空度が低いとスパッタリン
グの効率は低下する。ところが、従来のルテニウム酸ス
トロンチウム焼結体の製造方法では、高密度なものを製
造することが出来なかったため、ターゲット自体が内部
に気孔(空気)を含みこれが高真空の条件の妨げとなっ
ていた。そのため従来のルテニウム酸ストロンチウムの
ターゲットはスパッタリングの効率が非常に悪く実用的
なものではなかった。
The above-mentioned sputtering is performed in a vacuum. At this time, if the degree of vacuum is low, the efficiency of the sputtering is reduced. However, in the conventional method of manufacturing a strontium ruthenate sintered body, since a high-density material cannot be manufactured, the target itself contains pores (air) therein, which hinders the conditions of high vacuum. . For this reason, the conventional strontium ruthenate target has a very low sputtering efficiency and is not practical.

【0006】また、ルテニウム酸ストロンチウムをスパ
ッタすると、スパッタリング中にストロンチウムが蒸発
し、スパッタ膜中のストロンチウムがスパッタリングタ
ーゲットの組成よりも減少し、特性が低下するという問
題があった。このため従来のルテニウム酸ストロンチウ
ム焼結体はスパッタリングターゲットとして用いること
ができなかった。
Further, when strontium ruthenate is sputtered, strontium evaporates during sputtering, and the strontium in the sputtered film is reduced from the composition of the sputtering target, resulting in a problem that the characteristics are deteriorated. For this reason, the conventional strontium ruthenate sintered body could not be used as a sputtering target.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明では、炭酸ストロ
ンチウムと酸化ルテニウムから仮焼合成したルテニウム
酸ストロンチウム仮焼粉を原料として用いることによ
り、密度3.5g/cm3以上の高密度なルテニウム酸ストロン
チウム焼結体を得るようにしたものである。これによ
り、得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして
用いた場合、良好な誘電体膜を得ることができる。
According to the present invention, a high-density strontium ruthenate having a density of 3.5 g / cm 3 or more is obtained by using a calcined ruthenate strontium powder synthesized from strontium carbonate and ruthenium oxide as a raw material. This is to obtain a sintered body. Thereby, when the obtained sintered body is used as a sputtering target, a good dielectric film can be obtained.

【0008】また、ルテニウム酸ストロンチウム焼結体
をスパッタリングターゲットとして用いる為には、スパ
ッタリング中にストロンチウムが蒸発するためにストロ
ンチウム量を過剰にしておかなければならない。一方ス
トロンチウムの量が多すぎてもスパッタリング後ストロ
ンチウムが不純物として残ってしまうため特性が低下す
る。このことから、種々実験を行った結果、スパッタリ
ングターゲットとして適当なルテニウム酸ストロンチウ
ム焼結体中のストロンチウムのルテニウムに対するモル
比は1.1から1.3であることを見いだした。
Further, in order to use a strontium ruthenate sintered body as a sputtering target, the amount of strontium must be made excessive because strontium evaporates during sputtering. On the other hand, even if the amount of strontium is too large, strontium remains as an impurity after sputtering, so that the characteristics are deteriorated. From this, as a result of conducting various experiments, it was found that the molar ratio of strontium to ruthenium in the strontium ruthenate oxide suitable as a sputtering target was 1.1 to 1.3.

【0009】本発明は、炭酸ストロンチウムと酸化ルテ
ニウムの調合比を、重量比で炭酸ストロンチウムが40か
ら70%、酸化ルテニウムが60から30%で調合したのち、
仮焼温度・焼結温度を制御することにより、焼結体中の
ストロンチウムがルテニウムに対してモル比で1.1 から
1.3 倍であるルテニウム酸ストロンチウム焼結体を製造
することができる。この焼結体をスパッタリングターゲ
ットとして用いた場合、良好な誘電体膜を得ることがで
きる。
According to the present invention, the compounding ratio of strontium carbonate and ruthenium oxide is prepared by mixing strontium carbonate by 40 to 70% and ruthenium oxide by 60 to 30% by weight.
By controlling the calcination temperature and sintering temperature, the strontium in the sintered body can be reduced from 1.1 by mole ratio to ruthenium.
It is possible to manufacture a strontium ruthenate sintered body which is 1.3 times as large. When this sintered body is used as a sputtering target, a good dielectric film can be obtained.

【0010】さらに、仮焼温度は1100から1400
℃が望ましい。1100℃以下の場合、未反応の炭酸ス
トロンチウムが残り、焼結体の密度を低下させる。14
00℃以上では粒成長が大きくなり、焼結性が低下す
る。
Further, the calcination temperature is from 1100 to 1400
C is desirable. When the temperature is 1100 ° C. or lower, unreacted strontium carbonate remains, and the density of the sintered body decreases. 14
If the temperature is higher than 00 ° C., the grain growth increases and the sinterability decreases.

【0011】本発明では、上記の仮焼粉に水、有機系バ
インダーを加えスラリー状にしたのち混合し、噴霧乾燥
する。粉末は、望むべき焼結体形状、サイズ等を考慮
し、金型成形、冷間静水圧プレスなどの成形法の中から
最も適した成形法により成形する。この時の成形圧とし
ては、緻密な焼結体を得る為、最低でも0.8ton/cm2、好
ましくは、1.0ton/cm2以上で成形すると良い。
In the present invention, water and an organic binder are added to the calcined powder to form a slurry, mixed, and spray-dried. The powder is molded by the most suitable molding method from among molding methods such as die molding and cold isostatic pressing, in consideration of the desired shape and size of the sintered body. The molding pressure at this time to obtain a dense sintered body, 0.8ton / cm 2 at a minimum, or preferably, when molded at 1.0 ton / cm 2 or more.

【0012】成型体の焼成は1500から1700℃で
行う。1500℃以下の場合、密度が上がらずスパッタ
リングターゲットとして用いることができない。また、
1700℃以上では、台版と反応してしまい、焼結体の
形状を維持することが難しくなる。また、ルテニウム酸
ストロンチウムは通常、焼成治具としてよく使われるア
ルミナとの反応性が高いため、ジルコニアまたはスピネ
ルを焼成治具として用いる。
The firing of the molded body is performed at 1500 to 1700 ° C. When the temperature is 1500 ° C. or lower, the density does not increase and it cannot be used as a sputtering target. Also,
If the temperature is 1700 ° C. or more, the metal reacts with the slab, and it becomes difficult to maintain the shape of the sintered body. In addition, strontium ruthenate usually has high reactivity with alumina often used as a firing jig, and therefore, zirconia or spinel is used as a firing jig.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。Embodiments of the present invention will be described below.

【0014】実施例1 重量比で炭酸ストロンチウム60%、酸化ルテニウム4
0%の原料をボールミルで混合してスラリーとし、乾燥
後、1230℃で仮焼合成しルテニウム酸ストロンチウ
ム仮焼粉を得た。仮焼粉に水、有機系バインダーを混
ぜ、200℃にて噴霧乾燥を行った。プレス成形し、脱
脂工程を経て1600から1700℃で2時間焼結させ
た後、φ300×6tとなるよう研削した。得られた焼
結体は密度4.0g/cm3 となり、良好なターゲット材料
として使用する事が出来た。
Example 1 60% by weight of strontium carbonate and 4 parts of ruthenium oxide
A 0% raw material was mixed with a ball mill to form a slurry, dried, and calcined at 1230 ° C. to obtain a strontium ruthenate calcination powder. Water and an organic binder were mixed with the calcined powder and spray-dried at 200 ° C. After press molding, sintering at 1600 to 1700 ° C. for 2 hours through a degreasing process, the resultant was ground to φ300 × 6t. The obtained sintered body had a density of 4.0 g / cm 3 and could be used as a good target material.

【0015】実施例2 重量比で炭酸ストロンチウム60%、酸化ルテニウム4
0%をボールミルで混合してスラリーとし、乾燥後、1
200から1400℃で仮焼温度を振り、ルテニウム酸
ストロンチウムの平均結晶径と焼結体密度を調べた。結
果を表1に示すように、いずれの場合も密度は3.5 g/cm
3 以上となった。
Example 2 Strontium carbonate 60% by weight, ruthenium oxide 4
0% was mixed with a ball mill to form a slurry.
The calcination temperature was varied at 200 to 1400 ° C., and the average crystal diameter and sintered body density of strontium ruthenate were examined. As shown in Table 1, the density was 3.5 g / cm in each case.
3 or more.

【0016】一方、比較例として、酸化ストロンチウム
と酸化ルテニウム粉末を混合して成形し、焼成してなる
従来のルテニウム酸ストロンチウム焼結体を作製したと
ころ、密度は2.8g/cm3と低く、内部に多数の気孔を有す
るものであった。
On the other hand, as a comparative example, when a conventional strontium ruthenate sinter was produced by mixing strontium oxide and ruthenium oxide powder, molding and firing the mixture, the density was as low as 2.8 g / cm 3 , Had a large number of pores.

【0017】これらの本発明実施例及び比較例のルテニ
ウム酸ストロンチウムでターゲットを作製し、図1に示
す装置でスパッタリングを行ったところ、比較例のもの
ではチャンバー内の真空度が低くなりスパッタリングの
効率が悪かった。
A target was prepared from the strontium ruthenate of the example of the present invention and the comparative example, and sputtering was performed with the apparatus shown in FIG. 1. In the comparative example, the degree of vacuum in the chamber was reduced, and the efficiency of sputtering was reduced. Was bad.

【0018】これに対し、密度を3.5 g/cm3 以上とした
本発明実施例では、効率的なスパッタリングを行うこと
ができた。
On the other hand, in the embodiment of the present invention where the density was 3.5 g / cm 3 or more, efficient sputtering could be performed.

【0019】[0019]

【表1】 [Table 1]

【0020】実施例3 重量比で炭酸ストロンチウム60%、酸化ルテニウム4
0%をボールミルで混合してスラリーとし、乾燥後、1
230℃で仮焼合成しルテニウム酸ストロンチウム仮焼
粉を得る。仮焼粉に水、有機系バインダーを混ぜ、20
0℃にて噴霧乾燥を行う。プレス成形し、脱脂工程を経
て1680℃で2時間焼結させた後、φ300×6tと
なるよう研削した。得られた焼結体中のストロンチウム
のルテニウムに対するモル比は1.20で、これは良好
なターゲット材料となった。
Example 3 Strontium carbonate 60% by weight, ruthenium oxide 4
0% was mixed with a ball mill to form a slurry.
Calcination synthesis at 230 ° C. to obtain strontium ruthenate calcined powder. Mix water and organic binder with calcined powder,
Spray dry at 0 ° C. After press molding, sintering at 1680 ° C. for 2 hours through a degreasing process, the resultant was ground to φ300 × 6t. The molar ratio of strontium to ruthenium in the obtained sintered body was 1.20, which was a good target material.

【0021】実施例4 重量比で炭酸ストロンチウム60%、酸化ルテニウム4
0%をボールミルで混合してスラリーとし、乾燥後、仮
焼温度を1200から1400℃、焼結温度を1600
から1700℃で振り、ルテニウム酸ストロンチウム焼
結体中のストロンチウム量をICP にて調べた。ストロン
チウム量はルテニウムに対するモル比で示した。
Example 4 Strontium carbonate 60% by weight, ruthenium oxide 4
0% was mixed with a ball mill to form a slurry, and after drying, the calcination temperature was 1200 to 1400 ° C and the sintering temperature was 1600.
At 1700 ° C., and the amount of strontium in the strontium ruthenate sintered body was examined by ICP. The amount of strontium was shown as a molar ratio to ruthenium.

【0022】結果を表2に示すように、仮焼温度と焼成
温度を調整することによって焼結体中のストロンチウム
のルテニウムに対するモル比を制御することが可能であ
った。
As shown in Table 2, the molar ratio of strontium to ruthenium in the sintered body could be controlled by adjusting the calcination temperature and the calcination temperature.

【0023】一方、比較例として、ルテニウムに対する
ストロンチウムのモル比を1としたものを用意した。
On the other hand, as a comparative example, one having a molar ratio of strontium to ruthenium of 1 was prepared.

【0024】これらの本発明実施例と比較例のルテニウ
ム酸ストロンチウムを用いて、スパッタリング用ターゲ
ットを作製し、図1に示す装置でスパッタリングを行っ
た。その結果、比較例では、使用中にストロンチウムが
蒸発して特性が低下してしまった。これに対し、ストロ
ンチウムのルテニウムに対するモル比を1.1〜1.3
の範囲に設定した本発明実施例では、使用中の特性の低
下は見られなかった。
Using these strontium ruthenates of the examples of the present invention and the comparative examples, sputtering targets were prepared, and sputtering was performed by the apparatus shown in FIG. As a result, in the comparative example, strontium was evaporated during use and the characteristics were deteriorated. On the other hand, the molar ratio of strontium to ruthenium is 1.1 to 1.3.
In the examples of the present invention set in the range, no decrease in characteristics during use was observed.

【0025】[0025]

【表2】 [Table 2]

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明は、炭酸ストロンチウムと酸化ル
テニウムから仮焼合成したルテニウム酸ストロンチウム
仮焼粉を原料として用いることにより、密度3.5g/cm3
上の高密度なルテニウム酸ストロンチウム焼結体を得る
ことができる。また、この焼結体をスパッタリングター
ゲットとして用いた場合、良好な誘電体膜を得ることが
できる。
According to the present invention, a high-density strontium ruthenate sinter having a density of 3.5 g / cm 3 or more is obtained by using strontium ruthenate calcination powder calcined from strontium carbonate and ruthenium oxide as a raw material. Obtainable. Further, when this sintered body is used as a sputtering target, a good dielectric film can be obtained.

【0027】本発明により得られたルテニウム酸ストロ
ンチウム焼結体は、ストロンチウムがルテニウムに対し
てモル比で1.1から1.3倍であるため、スパッタリ
ングの際にストロンチウムが蒸発しても良好なルテニウ
ム酸ストロンチウム膜を得ることができる。
Since the strontium ruthenate sintered body obtained by the present invention has a molar ratio of 1.1 to 1.3 times strontium with respect to ruthenium, even if strontium evaporates during sputtering, it is excellent. A strontium ruthenate film can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】一般的なスパッタ装置の概略図である。FIG. 1 is a schematic view of a general sputtering apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:真空ポンプ 2:ガス導入口 3:陰極(ターゲット) 4:陽極 5:基板 1: vacuum pump 2: gas inlet 3: cathode (target) 4: anode 5: substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4G030 AA09 AA26 BA09 GA08 GA14 4G048 AA01 AA05 AB01 AC02 AE05 4K029 CA05 DC05 DC09 DC12 5G303 AA10 AB20 BA09 CA01 CB32 CB43 DA01 DA05  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4G030 AA09 AA26 BA09 GA08 GA14 4G048 AA01 AA05 AB01 AC02 AE05 4K029 CA05 DC05 DC09 DC12 5G303 AA10 AB20 BA09 CA01 CB32 CB43 DA01 DA05

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ルテニウム酸ストロンチウムの化学組成を
もち、密度が3.5g/cm3 以上であり、焼結体中のスト
ロンチウム量がルテニウムに対してモル比で1.1から
1.3倍であることを特徴とするルテニウム酸ストロン
チウム焼結体。
1. A has a chemical composition of strontium ruthenate, and a density of 3.5 g / cm 3 or more, strontium amount in the sintered body at 1.3 times 1.1 in a molar ratio with respect to ruthenium A strontium ruthenate sinter characterized by the above.
【請求項2】炭酸ストロンチウムと酸化ルテニウムを仮
焼合成してルテニウム酸ストロンチウム仮焼粉を作成
し、得られたルテニウム酸ストロンチウム仮焼粉を所定
形状に作成し、焼成する工程からなるルテニウム酸スト
ロンチウム焼結体の製造方法。
2. Strontium ruthenate comprising the steps of calcining and synthesizing strontium carbonate and ruthenium oxide to form a calcined strontium ruthenate powder, forming the calcined strontium ruthenate powder into a predetermined shape, and calcining the powder. A method for manufacturing a sintered body.
【請求項3】上記炭酸ストロンチウムを40〜70重量%
と、酸化ルテニウムを60〜30重量%の範囲で調合し、11
00〜1400℃で仮焼合成した後、1500〜1700℃で焼成温度
することを特徴とする請求項2記載のルテニウム酸スト
ロンチウム焼結体の製造方法。
3. The strontium carbonate of 40 to 70% by weight.
And ruthenium oxide in a range of 60 to 30% by weight,
The method for producing a strontium ruthenate sinter according to claim 2, wherein the sintering is performed at a temperature of 1500 to 1700 ° C after the calcination synthesis at 00 to 1400 ° C.
【請求項4】請求項1記載のルテニウム酸ストロンチウ
ム焼結体から成ることを特徴とするスパッタリングター
ゲット。
4. A sputtering target comprising the sintered strontium ruthenate according to claim 1.
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