JP2000138247A - Resin encapsulation method of chip size package and resin molding equipment - Google Patents
Resin encapsulation method of chip size package and resin molding equipmentInfo
- Publication number
- JP2000138247A JP2000138247A JP31216398A JP31216398A JP2000138247A JP 2000138247 A JP2000138247 A JP 2000138247A JP 31216398 A JP31216398 A JP 31216398A JP 31216398 A JP31216398 A JP 31216398A JP 2000138247 A JP2000138247 A JP 2000138247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor chip
- size package
- sealing
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 150
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 150
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title abstract 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 87
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 87
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 6
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、チップサイズパッ
ケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置に関する。The present invention relates to a resin sealing method and a resin sealing device for a chip size package.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体チップとほぼ同サイズに形成され
るチップサイズパッケージ(CSP)の構成について図
9を参照して説明する。図9(a)は、配線パターン5
1が形成されたベースフィルム(キャリアテープ等)5
2に電気的絶縁層(エラストマー等)53を介して半導
体チップ54の表面電極が形成された面が搭載されてい
る。この電気的絶縁層53より延出した配線パターン5
1の一部であるリード55が表面電極56に接続され、
該リード55の露出部分及び半導体チップ54、電気的
絶縁層53、ベースフィルム52などの側面を含む隙間
を封止樹脂57により樹脂封止されてなる。ベースフィ
ルム52に露出成形された配線パターン51には外部接
続端子となるはんだボール58が接合されている。2. Description of the Related Art A configuration of a chip size package (CSP) formed to be substantially the same size as a semiconductor chip will be described with reference to FIG. FIG. 9A shows the wiring pattern 5.
Base film (carrier tape, etc.) 5 on which 1 is formed
2 is provided with a surface of the semiconductor chip 54 on which a surface electrode is formed via an electrically insulating layer (elastomer or the like) 53. Wiring pattern 5 extending from this electrically insulating layer 53
1 is connected to the surface electrode 56,
The exposed portions of the leads 55 and the gaps including the side surfaces of the semiconductor chip 54, the electrically insulating layer 53, the base film 52 and the like are sealed with a sealing resin 57. A solder ball 58 serving as an external connection terminal is joined to the wiring pattern 51 formed on the base film 52 by exposure.
【0003】半導体チップ54の表面電極56に接続さ
れるリード55や半導体チップ54、電気的絶縁層5
3、ベースフィルム52などの側面に充填される封止樹
脂57は、通常ポッティングにより充填されている。こ
れは、チップサイズパッケージの場合、半導体チップ5
4が電気的絶縁層53を介してベースフィルム52上に
搭載されているため、通常のトランスファモールド法で
樹脂封止したのでは、被成形品が確実に挟圧できず、不
要部分に樹脂バリが生じ、樹脂封止後にランナーを剥離
したりゲートブレイクしたりした際に、配線パターン5
1を損傷するおそれがあるためである。The leads 55 connected to the surface electrodes 56 of the semiconductor chip 54, the semiconductor chip 54, and the electrical insulating layer 5
3. The sealing resin 57 filling the side surfaces of the base film 52 and the like is usually filled by potting. This is the case with a semiconductor chip 5 in the case of a chip size package.
4 is mounted on the base film 52 via the electrical insulating layer 53. Therefore, if the resin molding is performed by the usual transfer molding method, the molded product cannot be securely pressed, and the resin flash is unnecessary on an unnecessary portion. When the runner is peeled off or the gate is broken after resin sealing, the wiring pattern 5
1 may be damaged.
【0004】図9(b)はチップサイズパッケージの他
の製品例として、半導体チップ54を矩形枠状に形成し
たリング59の内側に収納してポッティングにより樹脂
封止して構成した例、図9(c)はカン60に半導体チ
ップ54を収容してポッティングにより樹脂封止して構
成した例である。FIG. 9B shows another example of a chip size package in which a semiconductor chip 54 is housed inside a ring 59 formed in a rectangular frame shape and sealed with a resin by potting. (C) is an example in which the semiconductor chip 54 is housed in the can 60 and sealed with a resin by potting.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体チップ内
の配線が微細化(0.35→0.25→0.18→0.13μm)してい
るのに対して、チップサイズパッケージの半導体チップ
54と外部接続端子となるはんだボール58のボールピ
ッチが0.5mm (はんだボール直径0.3mm )がベースフィ
ルム52への実装上の最小ピッチであり、チップ面積の
方が実装面積より小さくなってきている。このように、
半導体チップ54の面積の方が実装面積より小さくなっ
てきたことから、半導体チップ54の表面電極56が中
央部に設けられて配線パターン51に接続するリード5
5がボンディングされるチップサイズパッケージが提案
されている。In recent years, while the wiring in a semiconductor chip has been miniaturized (0.35 → 0.25 → 0.18 → 0.13 μm), it becomes a semiconductor chip 54 of a chip size package and external connection terminals. The ball pitch of the solder balls 58 is 0.5 mm (the solder ball diameter is 0.3 mm), which is the minimum pitch for mounting on the base film 52, and the chip area is smaller than the mounting area. in this way,
Since the area of the semiconductor chip 54 has become smaller than the mounting area, the surface electrodes 56 of the semiconductor chip 54 are provided at the center and the leads 5 connected to the wiring pattern 51 are provided.
A chip size package to which the semiconductor chip 5 is bonded has been proposed.
【0006】しかしながら、従来のチップサイズパッケ
ージは、ポッティングにより樹脂封止していたため、封
止樹脂が硬化するまでに時間がかかり、生産性が悪いと
いう課題があった。また、ポッティングによる場合は、
封止樹脂を注入する際にエアを巻き込み易く、ボイドが
発生し易いという課題もあった。また、樹脂封止時に樹
脂圧を印加できないため、ボイドを小さくすることがで
きないため、封止樹脂と半導体チップ及び電気的絶縁層
との接着性は樹脂の親和性のみによっている。また、ポ
ッティングによる場合には、封止樹脂が充填される被成
形品の外形形状にばらつきがあるため、ハンドリングも
悪いという課題もあった。特に、半導体チップが最外形
ではなく厚さの薄いエラストマーとキャリアテープが最
外形となるチップサイズパッケージにあっては、成形品
の外形形状にばらつきが生じ易い。However, since the conventional chip size package is sealed with a resin by potting, it takes a long time for the sealing resin to harden, resulting in a problem of low productivity. In the case of potting,
There is also a problem that air is easily entrained when the sealing resin is injected, and voids are easily generated. Further, since the resin pressure cannot be applied during the resin sealing, the void cannot be reduced, and thus the adhesiveness between the sealing resin and the semiconductor chip and the electrical insulating layer depends only on the affinity of the resin. Further, in the case of potting, there is also a problem that handling is poor because there is a variation in the outer shape of the molded article filled with the sealing resin. In particular, in the case of a chip size package in which the semiconductor chip is not the outermost shape but the thinner elastomer and the carrier tape are the outermost shape, the outer shape of the molded product tends to vary.
【0007】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、生産性を向上させると共にボイドの生じ難い成形
品質を向上させたチップサイズパッケージの樹脂封止方
法及び樹脂封止装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a resin sealing method and a resin sealing device for a chip size package, which solves the above-mentioned problems of the prior art, improves productivity and improves molding quality in which voids are less likely to occur. It is in.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。即ち、配線パターンが形成
されたベースフィルムに電気的絶縁層を介して半導体チ
ップが表面電極形成面より接合され、配線パターンが表
面電極に電気的に接続された被成形品が樹脂封止されて
なるチップサイズパッケージの樹脂封止方法において、
パーティング面にリリースフィルムが張設されたモール
ド金型に、被形成品の半導体チップがキャビティ凹部内
に収容され、ベースフィルムがモールド金型によりクラ
ンプされたまま、キャビティ凹部の被成形品との間に形
成される隙間位置に開口するゲートより所定の樹脂圧で
封止樹脂が充填されて樹脂封止されることを特徴とす
る。The present invention has the following arrangement to achieve the above object. That is, the semiconductor chip is bonded to the base film on which the wiring pattern is formed from the surface electrode formation surface via the electrical insulating layer, and the molded product in which the wiring pattern is electrically connected to the surface electrode is resin-sealed. In the resin sealing method of chip size package
In a mold having a release film stretched on a parting surface, the semiconductor chip of the workpiece is accommodated in the cavity recess, and the base film is clamped by the mold and the mold is formed with the workpiece in the cavity recess. The semiconductor device is characterized in that a sealing resin is filled with a predetermined resin pressure from a gate opened at a gap position formed therebetween and resin-sealed.
【0009】また、モールド金型のキャビティ凹部の外
形寸法は、半導体チップの外形寸法より大きく形成され
ており、半導体チップの周囲に形成された隙間位置でキ
ャビティ凹部に開口する単数又は複数のゲートより封止
樹脂が充填されて樹脂封止されるようになっていても良
い。また、被成形品は、キャリアテープに複数個の半導
体チップがエラストマーを介して搭載され、配線パター
ンが半導体チップの中央部に形成された表面電極に電気
的に接続されていても良く、キャリアテープに成形品の
最外形を規定すべく半導体チップの四方を囲繞するリン
グが接合されており、該リングの一部を切欠いて形成さ
れたゲート口より封止樹脂がリングと被形成品との隙間
に充填されて樹脂封止されるようになっていても良く、
或いはキャリアテープに成形品の最外形を規定すべく半
導体チップを収容するカンが接合されており、該カンの
一部を切欠いて形成されたゲート口より封止樹脂がカン
と被成形品との隙間に充填されて樹脂封止されるように
なっていても良い。The external dimensions of the cavity recess of the mold are larger than the external dimensions of the semiconductor chip, and one or a plurality of gates opening into the cavity concave at a gap formed around the semiconductor chip. The sealing resin may be filled and sealed with the resin. Further, the molded article may be such that a plurality of semiconductor chips are mounted on a carrier tape via an elastomer, and a wiring pattern is electrically connected to a surface electrode formed in a central portion of the semiconductor chip. In order to define the outermost shape of the molded product, a ring surrounding four sides of the semiconductor chip is joined, and a sealing port is formed by cutting out a part of the ring, and a sealing resin is provided between the ring and the product to be formed. It may be filled with resin and sealed with resin,
Alternatively, a can for accommodating a semiconductor chip is bonded to the carrier tape to define the outermost shape of the molded product, and a sealing resin is formed between the can and the molded product through a gate opening formed by cutting out a part of the can. The gap may be filled and sealed with resin.
【0010】また、チップサイズパッケージの樹脂封止
装置においては、配線パターンが形成されたベースフィ
ルムに電気的絶縁層を介して半導体チップが表面電極形
成面より接合され、配線パターンが表面電極に電気的に
接続された被成形品のベースフィルムをクランプし、半
導体チップがキャビティ凹部に収容されて形成される隙
間位置に開口するゲートより封止樹脂が所定の樹脂圧で
充填されて樹脂封止するモールド金型と、モールド金型
のキャビティ凹部やポットを含むパーティング面に張設
されるリリースフィルムと、リリースフィルムをモール
ド金型のパーティング面に吸着保持させるための吸着保
持手段とを有することを特徴とする。In a resin sealing device for a chip-size package, a semiconductor chip is bonded to a base film on which a wiring pattern is formed from an surface on which a surface electrode is formed via an electrical insulating layer, and the wiring pattern is electrically connected to the surface electrode. The base film of the molded product is clamped, and the sealing resin is filled with a predetermined resin pressure from the gate that opens at the gap position where the semiconductor chip is housed in the cavity recess and sealed with the resin. Having a mold die, a release film stretched on a parting surface including a cavity concave portion and a pot of the mold die, and suction holding means for sucking and holding the release film on the parting surface of the mold die. It is characterized by.
【0011】また、モールド金型のキャビティ凹部の外
形寸法は、半導体チップの外形寸法より大きく形成され
ており、半導体チップの周囲に形成された隙間位置でキ
ャビティ凹部に開口する単数又は複数のゲートより封止
樹脂が充填されて樹脂封止されるようになっていても良
い。また、被成形品は、キャリアテープに複数個の半導
体チップがエラストマーを介して搭載され、配線パター
ンが半導体チップの中央部に形成された表面電極に接続
されていても良く、キャリアテープに成形品の最外形を
規定すべく半導体チップの四方を囲繞するリングが接合
されており、該リングの一部を切欠いて形成されたゲー
ト口より封止樹脂がリングと被形成品との隙間に充填さ
れて樹脂封止されても良く、或いはキャリアテープに成
形品の最外形を規定すべく半導体チップを収容するカン
が接合されており、該カンの一部を切欠いて形成された
ゲート口より封止樹脂がカンと被成形品との隙間に充填
されて樹脂封止されても良い。また、吸着保持手段は、
モールド金型のパーティング面で開口する吸着孔と、キ
ャビティ凹部の内底面で開口するキャビティ吸着孔とこ
れらに連絡するエア吸引機構を備えていても良い。The external dimensions of the cavity concave portion of the mold are larger than the external dimensions of the semiconductor chip, and one or a plurality of gates opening to the cavity concave portion at a gap formed around the semiconductor chip. The sealing resin may be filled and sealed with the resin. Further, the molded article may have a plurality of semiconductor chips mounted on a carrier tape via an elastomer, and a wiring pattern may be connected to a surface electrode formed at the center of the semiconductor chip. A ring surrounding the four sides of the semiconductor chip is joined to define the outermost shape of the semiconductor chip, and a sealing resin is filled in a gap between the ring and the article to be formed from a gate opening formed by cutting out a part of the ring. A can for accommodating a semiconductor chip is bonded to the carrier tape to define the outermost shape of the molded product, and a part of the can is sealed off from a gate opening formed. Resin may be filled in the gap between the can and the molded article and sealed with the resin. In addition, the suction holding means,
A suction hole that opens on the parting surface of the mold, a cavity suction hole that opens on the inner bottom surface of the cavity recess, and an air suction mechanism that communicates with these may be provided.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の態様
を添付図面に基づいて詳細に説明する。本実施の態様
は、半導体パッケージのうちチップサイズパッケージを
樹脂封止する樹脂封止方法及び樹脂封止装置について説
明するものとする。図1は樹脂封止装置の主要部の構成
を示す正面説明図、図2(a)は被成形品の製造工程を
示す説明図、図2(b)はリリースフィルムを介してモ
ールド金型にクランプされた状態を示す説明図、図3は
被成形品の平面図、図4(a)は被成形品の樹脂封止工
程を示す上視図、図4(b)は図4(a)の矢印A−A
断面図、図5(a)はモールド金型によりクランプされ
た図5(c)の被成形品を矢印B−B方向から見た断面
図、図5(b)はモールド金型によりクランプされた図
5(c)の被成形品を矢印C−C方向から見た断面図、
図5(c)は被成形品の上視図、図5(d)は図5
(c)の矢印D−D断面図、図6(a)は他例に係る被
成形品の樹脂封止工程を示す上視図、図6(b)は図6
(a)の矢印E−E断面図、図7(a)はモールド金型
によりクランプされた図7(c)の被成形品の矢印F−
F方向から見た断面図、図7(b)はモールド金型によ
りクランプされた図7(c)の被成形品の矢印G−G方
向から見た断面図、図7(c)は被成形品の上視図、図
7(d)は図7(c)の矢印H−H断面図、図8は樹脂
封止された各種チップサイズパッケージの構成を示す説
明図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In this embodiment, a resin sealing method and a resin sealing device for resin-sealing a chip size package of a semiconductor package will be described. FIG. 1 is an explanatory front view showing a configuration of a main part of a resin sealing device, FIG. 2 (a) is an explanatory view showing a manufacturing process of a molded article, and FIG. 2 (b) is a mold through a release film. FIG. 3 is a plan view of a molded product, FIG. 4A is a top view showing a resin sealing step of the molded product, and FIG. 4B is FIG. 4A. Arrow AA
FIG. 5A is a cross-sectional view of the molded product of FIG. 5C clamped by a mold, as viewed from the direction of arrows BB. FIG. 5B is clamped by a mold. FIG. 5C is a cross-sectional view of the molded product in FIG.
FIG. 5C is a top view of the molded product, and FIG.
6C is a cross-sectional view taken along the arrow DD, FIG. 6A is a top view showing a resin sealing step of a molded product according to another example, and FIG.
FIG. 7A is a cross-sectional view of the arrow EE of FIG. 7A, and FIG. 7A is an arrow F- of the molded article of FIG. 7C clamped by a mold.
7 (b) is a cross-sectional view of the molded product of FIG. 7 (c) clamped by a mold, as viewed from the direction of arrows GG, and FIG. 7 (c) is a molded product. FIG. 7D is a cross-sectional view taken along line HH of FIG. 7C, and FIG. 8 is an explanatory view showing the configuration of various chip size packages sealed with resin.
【0013】先ず、図1を参照して樹脂封止装置の概略
構成について説明する。本実施形態はトランスファーモ
ールド法によってチップサイズパッケージを樹脂封止す
る装置であり、被成形品3をクランプするモールド金型
1のパーティング面の所要部位にリリースフィルム2を
被覆して樹脂封止するものである。First, a schematic configuration of a resin sealing device will be described with reference to FIG. The present embodiment is an apparatus for resin-sealing a chip size package by a transfer molding method, and covers a required part of a parting surface of a mold 1 for clamping a molded product 3 with a release film 2 and performs resin sealing. Things.
【0014】トランスファーモールド法によって樹脂封
止される被成形品3は、配線パターンが形成された基板
面に電気的絶縁層を介して半導体チップの表面電極形成
面が搭載され、該電気的絶縁層より延出した前記配線パ
ターンの一部であるリードが前記表面電極に接続されて
なる。具体的には、図2に示すように、キャリアテープ
4に複数個の半導体チップ5がエラストマー6を介して
搭載され、配線パターン7の一部であるビームリード8
が半導体チップ5の中央部に形成された表面電極(図示
せず)に接続されてなる。尚、この半導体チップ5はキ
ャリアテープ4に1個のみ搭載される場合もある。The molded article 3 to be resin-sealed by the transfer molding method has a surface on which a surface electrode is formed of a semiconductor chip mounted on a substrate surface on which a wiring pattern is formed via an electrical insulating layer. A lead that is a part of the wiring pattern that extends further is connected to the surface electrode. Specifically, as shown in FIG. 2, a plurality of semiconductor chips 5 are mounted on a carrier tape 4 via an elastomer 6, and a beam lead 8 which is a part of a wiring pattern 7 is provided.
Are connected to a surface electrode (not shown) formed at the center of the semiconductor chip 5. Incidentally, only one semiconductor chip 5 may be mounted on the carrier tape 4 in some cases.
【0015】9、10はモールド金型1を形成する上型
及び下型である。図1の中心線より左半分は上型9と下
型10がクランプした状態を示し、右半分に封止樹脂1
1を充填した状態を示す。封止樹脂11としては柱状の
樹脂タブレットの他に顆粒樹脂、液体樹脂などを用いて
も良い。下型10には、ポット12が形成されており内
部にプラジャ13が可動に装備されている。また、下型
10にはキャビティ凹部14が形成されており、半導体
チップ5が収容される。また、キャビティ凹部14の外
形寸法は、半導体チップ5の外形寸法より大きく形成さ
れており、ビームリード8の接続部分などキャビティ凹
部14内被成形品3との間に形成される隙間位置に開口
するゲート16より所定の樹脂圧で封止樹脂11が充填
されて樹脂封止される(図4(b)、図5(a)(b)
参照)。封止樹脂11は樹脂路15が枝分かれ状に分岐
して3か所に形成され、キャビティ凹部14に開口する
ゲート16より各々隙間に充填される。尚、キャビティ
凹部14に開口するゲート16の数は1箇所でもよく、
ゲート16の高さ位置は、上型9と下型10の分割面よ
り下側で、キャリアテープ4と半導体チップ5との間に
形成されている。Reference numerals 9 and 10 denote upper and lower dies for forming the mold 1. The left half from the center line in FIG. 1 shows a state where the upper mold 9 and the lower mold 10 are clamped, and the sealing resin 1 is shown on the right half.
1 shows a state filled with 1. As the sealing resin 11, a granular resin, a liquid resin, or the like may be used in addition to the columnar resin tablet. A pot 12 is formed in the lower mold 10, and a plunger 13 is movably mounted inside the pot 12. In addition, a cavity recess 14 is formed in the lower die 10, and the semiconductor chip 5 is accommodated therein. The external dimensions of the cavity recess 14 are formed larger than the external dimensions of the semiconductor chip 5, and open to gaps formed between the cavity 3 and the molded product 3 in the cavity 14, such as a connection portion of the beam lead 8. The sealing resin 11 is filled with a predetermined resin pressure from the gate 16 and is sealed with the resin (FIGS. 4B and 5A and 5B).
reference). The sealing resin 11 is formed at three locations where the resin path 15 branches off in a branched manner, and is filled in the gaps through gates 16 that open into the cavity recesses 14. Incidentally, the number of gates 16 opened in the cavity concave portion 14 may be one,
The height position of the gate 16 is formed between the carrier tape 4 and the semiconductor chip 5 below the division surface of the upper die 9 and the lower die 10.
【0016】リリースフィルム2は、上型9及び下型1
0のキャビティ凹部14やポット12を含むパーティン
グ面に張設される。このリリースフィルム2は上型9と
下型10のパーティング面にじかに封止樹脂11を付着
させず(樹脂バリを生じさせず)に樹脂封止できるため
有効である。また、リリースフィルム2を介して被成形
品3をモールド金型1によりクランプする際に、該被成
形品3の外面を弾性的に押圧して挟圧するから被成形品
3を損傷することなくクランプすることができる。リリ
ースフィルム2は、後述するように、エア吸引によって
キャビティ凹部14の内面形状にならって吸着支持され
る柔軟性を有すると共に、金型の加熱温度に耐えられる
耐熱性を有する。また、樹脂封止後に金型から容易に離
型し、封止樹脂11と容易に剥離できるものである必要
がある。このようなフィルムとしては、例えばFEPフ
ィルム、フッ素含浸ガラスクロス、PETフィルム、E
TFEフィルム、ポリ塩化ビニリジンなどが好適に用い
られる。The release film 2 comprises an upper mold 9 and a lower mold 1
It is stretched on a parting surface including the cavity recessed portion 14 and the pot 12. The release film 2 is effective because the resin can be sealed without directly adhering the sealing resin 11 (without generating resin burrs) to the parting surfaces of the upper mold 9 and the lower mold 10. Further, when the molded product 3 is clamped by the mold 1 via the release film 2, the outer surface of the molded product 3 is elastically pressed and pressed, so that the molded product 3 is clamped without being damaged. can do. As will be described later, the release film 2 has the flexibility of being sucked and supported in accordance with the inner surface shape of the cavity concave portion 14 by air suction, and has the heat resistance to withstand the heating temperature of the mold. Further, it is necessary that the resin can be easily released from the mold after resin sealing and can be easily separated from the sealing resin 11. Such films include, for example, FEP films, fluorine impregnated glass cloths, PET films, E
TFE films, polyvinylidene chloride and the like are preferably used.
【0017】モールド金型1には、リリースフィルム3
をパーティング面に吸着保持させるための吸着保持手段
が装備されている。具体的には、キャビティ凹部14の
内底面にはスリット状に開口するキャビティ吸着孔17
が形成されている。また、上型9及び下型10のパーテ
ィング面には吸着孔18が形成されている。これらキャ
ビティ吸着孔17及び吸着孔18はモールドベース19
に設けられたエア流路を経由して図示しない外部エア吸
引機構に接続されている。The mold 1 has a release film 3
Is provided on the parting surface. Specifically, a cavity suction hole 17 opening in a slit shape is formed on the inner bottom surface of the cavity recess 14.
Are formed. Further, suction holes 18 are formed on the parting surfaces of the upper mold 9 and the lower mold 10. These cavity suction holes 17 and suction holes 18 are
Is connected to an external air suction mechanism (not shown) via an air flow path provided in the air passage.
【0018】次に、上述のように構成された樹脂封止装
置を用いてチップサイズパッケージを樹脂封止する工程
について、図1〜図5を参照して説明する。先ず、図1
において樹脂封止装置の型開きしたモールド金型1のパ
ーティング面(上下面)にリリースフィルム2を張設す
る。このリリースフィルム2は、モールド金型1のキャ
ビティ凹部14やポット12を含むパーティング面を覆
うように張設される。リリースフィルム2としては、図
示しない送り機構及び巻き取り機構を備えた長尺状のフ
ィルムを用いても良く、或いは短冊状のリリースフィル
ムを図示しない搬送手段によりモールド金型1へ搬入し
ても良い。リリースフィルム2は、上型9及び下型10
に設けられた吸着孔18やキャビティ吸着孔17より吸
引されてパーティング面に沿って吸着保持される。Next, a process of resin-sealing a chip size package by using the resin sealing device configured as described above will be described with reference to FIGS. First, FIG.
In step (1), a release film 2 is stretched on the parting surfaces (upper and lower surfaces) of the opened mold 1 of the resin sealing device. The release film 2 is stretched so as to cover the parting surface including the cavity concave portion 14 and the pot 12 of the mold 1. As the release film 2, a long film having a feed mechanism and a winding mechanism (not shown) may be used, or a strip-shaped release film may be carried into the mold 1 by a transport means (not shown). . The release film 2 includes an upper mold 9 and a lower mold 10.
Is sucked through the suction holes 18 and the cavity suction holes 17 provided in the nozzle and is suction-held along the parting surface.
【0019】またモールド金型1に搬入される被成形品
3は、本実施例では図2(a)に示すように長尺状或い
は短冊状のキャリアテープ4に複数個の半導体チップ5
がエラストマー6を介して接着され、配線パターン7の
一部であるビームリード8が半導体チップ5の中央部に
形成された表面電極にボンディングツール21によりボ
ンディング接続されてなる。具体的には、図3に示すよ
うに、キャリアテープ4のチップ搭載面と反対側面には
外部接続端子となるはんだボール22が搭載された接続
端子エリアが両側に形成されておりその間に設けられた
ビームリードウィンドウ23には、ビームリード8が両
側接続端子エリアを接続するように架設されている。こ
のビームリードウィンドウ22に架設されたビームリー
ド8を、図2(a)に示すキャピタリ20により中央部
より切断し、該切断端部をボンディングツール21によ
り半導体チップ5の表面電極に各々ボンディング接続さ
れる。また、キャリアテープ4は、両端側近傍に所定ピ
ッチで設けられたスプロケットホール24により図示し
ない送り機構によりピッチ送り可能になっている。In the present embodiment, a plurality of semiconductor chips 5 are mounted on a long or strip-shaped carrier tape 4 as shown in FIG. 2A.
Are bonded via an elastomer 6, and a beam lead 8, which is a part of the wiring pattern 7, is bonded to a surface electrode formed at the center of the semiconductor chip 5 by a bonding tool 21. More specifically, as shown in FIG. 3, on both sides of the carrier tape 4 opposite to the chip mounting surface, connection terminal areas on which solder balls 22 serving as external connection terminals are mounted are formed on both sides, and are provided therebetween. In the beam lead window 23, the beam lead 8 is installed so as to connect the connection terminal areas on both sides. The beam lead 8 laid on the beam lead window 22 is cut from the center by a capital 20 shown in FIG. 2A, and the cut end is bonded to a surface electrode of the semiconductor chip 5 by a bonding tool 21. You. Further, the carrier tape 4 can be pitch-fed by a feed mechanism (not shown) by sprocket holes 24 provided at predetermined pitches near both ends.
【0020】次に、モールド金型1のポット12にリリ
ースフィルム2を介して封止樹脂11を供給すると共
に、被成形品3を下型10のキャビティ凹部14に半導
体チップ5が収容されるよう位置合わせして供給する。
そして、この被成形品3はキャリアテープ4がモールド
金型1によりクランプされる。この状態を図2(b)及
び図4(b)に示す。リリースフィルム2は、配線パタ
ーン7が形成されたキャリアテープ4を密封するようク
ランプすると共に、はんだボール22が形成された接続
端子形成面及び半導体チップ5の外面を弾性的に挟圧す
る。Next, the sealing resin 11 is supplied to the pot 12 of the mold 1 via the release film 2 and the molded article 3 is placed in the cavity recess 14 of the lower mold 10 so that the semiconductor chip 5 is accommodated therein. Supply with alignment.
Then, the molded article 3 is clamped by the molding die 1 with the carrier tape 4. This state is shown in FIGS. 2 (b) and 4 (b). The release film 2 clamps the carrier tape 4 on which the wiring pattern 7 is formed so as to hermetically seal, and elastically presses the connection terminal forming surface on which the solder balls 22 are formed and the outer surface of the semiconductor chip 5.
【0021】次に、図4(a)及び図5(a)(b)に
示すキャビティ凹部14に連結する樹脂路15を介して
ポット12に供給された封止樹脂11をプランシャ13
を上動させて所定の樹脂圧を印加しながら充填して樹脂
封止する。モールド金型1のキャビティ凹部14の外径
寸法は、半導体チップ5の外径寸法より大きく形成され
ており、半導体チップ5の周囲に形成された隙間位置で
キャビティ凹部14に開口するゲート16より封止樹脂
11が所定の樹脂圧で充填されて樹脂封止される。本実
施例ではエラストマー6やキャリアテープ4の外形面に
形成された隙間まで樹脂封止される。また、半導体チッ
プ5とリリースフィルム2との間に隙間が形成されてい
ても良く、この場合には半導体チップ5の周囲が樹脂封
止される。また、モールド金型1のキャビティ凹部14
に開口するゲート16の位置は、図4(b)に示すよう
に、ビームリード8の半導体チップ5の表面電極へのボ
ンディング部に対応したキャリアテープ4と半導体チッ
プ5間の隙間、或いは図4(a)に示すように、エラス
トマー6とリリースフィルム2間の隙間やキャリアテー
プ4とリリースフィルム2間の隙間など半導体チップ5
の周囲に形成される隙間位置に対応して形成されてい
る。尚、モールド金型1に形成されるゲート16の位置
は、図5(c)(d)に示すように被成形品3の形状や
サイズに応じて適宜変更可能である。本実施例は、半導
体チップ5の四方及びビームリード8のボンディング部
が樹脂封止される場合について例示してある。Next, the sealing resin 11 supplied to the pot 12 through the resin path 15 connected to the cavity recess 14 shown in FIGS. 4 (a), 5 (a) and 5 (b) is
Is moved upward to fill and seal the resin while applying a predetermined resin pressure. The outer diameter of the cavity recess 14 of the mold 1 is formed larger than the outer diameter of the semiconductor chip 5, and is sealed by the gate 16 opening into the cavity recess 14 at a gap formed around the semiconductor chip 5. The sealing resin 11 is filled with a predetermined resin pressure and sealed with a resin. In this embodiment, the resin is sealed up to the gap formed on the outer surface of the elastomer 6 or the carrier tape 4. A gap may be formed between the semiconductor chip 5 and the release film 2. In this case, the periphery of the semiconductor chip 5 is sealed with a resin. Further, the cavity concave portion 14 of the mold 1
4B, the gap between the carrier tape 4 and the semiconductor chip 5 corresponding to the bonding portion of the beam lead 8 to the surface electrode of the semiconductor chip 5, or the position of the gate 16 as shown in FIG. As shown in FIG. 3A, a semiconductor chip 5 such as a gap between the elastomer 6 and the release film 2 or a gap between the carrier tape 4 and the release film 2 is formed.
Is formed corresponding to the gap position formed around the periphery. The position of the gate 16 formed on the mold 1 can be changed as appropriate according to the shape and size of the molded article 3 as shown in FIGS. The present embodiment illustrates a case where the bonding portions of the semiconductor chip 5 and the beam leads 8 are sealed with resin.
【0022】封止樹脂11は、ポット12より樹脂路1
5を経てゲート16よりキャビティ凹部14の隙間に所
定の樹脂圧を印加されて充填され、加熱硬化される。そ
して、樹脂封止後、モールド金型1を型開きして、図示
しないアンローダー等の搬出機構により取り出して、ゲ
ートブレイクが行われ、不要樹脂を分離除去して成形品
のみを取り出す。尚、成形品は、リリースフィルム2に
より覆われているので、モールド金型1からの離型性は
極めて良い。この成形品は、後に図8(a)に示すよう
にチップサイズパッケージ25として個々に分離され
る。The sealing resin 11 is supplied from the pot 12 to the resin path 1.
A predetermined resin pressure is applied to the gap of the cavity concave portion 14 from the gate 16 through the gate 5, and the space is filled with heat. Then, after sealing the resin, the mold 1 is opened, taken out by a carrying-out mechanism such as an unloader (not shown), gate break is performed, unnecessary resin is separated and removed, and only the molded product is taken out. Since the molded product is covered with the release film 2, the releasability from the mold 1 is extremely good. This molded product is individually separated as a chip size package 25 later as shown in FIG.
【0023】上記構成によれば、チップサイズパッケー
ジ25をキャリアテープ4に支持したままキャビティ凹
部14の被成形品3との間に形成される隙間位置に開口
するゲート16よりトランスファーモールドにより所定
の樹脂圧で封止樹脂が充填されて樹脂封止できるので、
ポッティングに比べて封止樹脂11の硬化時間が早く、
生産性を向上させることができる。特に、封止樹脂11
に適正な樹脂圧を印加しながら樹脂封止できるので、エ
アが混入し難く、ボイドが発生しても微小に抑えること
ができるので、成形品質を向上させることができる。ま
た、半導体チップ5が最外形ではなく厚さの薄いエラス
トマー6とキャリアテープ4が最外形となるチップサイ
ズパッケージにおいては、封止樹脂11が被成形品3の
最外形に充填されても、成形品のばらつきを抑えて一定
の形状に樹脂成形できるので、成形品のハンドリングも
向上させることができる。また被成形品3を柔軟性のあ
るリリースフィルム2を介してモールド金型1によりク
ランプするので、半導体装置の外部接続端子や、半導体
チップ5の外面に過大な圧力を加えることなくクランプ
できるので、被成形品3を損傷することなく樹脂封止で
きる。According to the above configuration, while the chip size package 25 is supported by the carrier tape 4, the predetermined resin is formed by transfer molding from the gate 16 which is opened at the gap position formed between the cavity concave portion 14 and the molded product 3. Since the sealing resin is filled with pressure and can be sealed with resin,
The curing time of the sealing resin 11 is faster than potting,
Productivity can be improved. In particular, the sealing resin 11
Since resin sealing can be performed while applying an appropriate resin pressure to the resin, air is hardly mixed in, and even if a void is generated, it can be suppressed to a minute level, so that molding quality can be improved. Further, in a chip size package in which the semiconductor chip 5 is not the outermost shape but the thinner elastomer 6 and the carrier tape 4 are the outermost shape, even if the sealing resin 11 is filled in the outermost shape of the molded article 3, Since the resin can be molded into a fixed shape while suppressing variations in the products, handling of the molded products can be improved. Further, since the molded product 3 is clamped by the mold 1 via the flexible release film 2, the external connection terminals of the semiconductor device and the outer surface of the semiconductor chip 5 can be clamped without applying excessive pressure. Resin sealing can be performed without damaging the molded article 3.
【0024】上記実施例は、被成形品3として半導体チ
ップ5の四方を樹脂封止する場合について説明したが、
図6及び図7には、半導体チップ5の長手方向の側面に
形成された隙間に封止樹脂11が充填されて樹脂封止さ
れる場合を例示する。この場合にも半導体チップ5が最
外形ではなく厚さの薄いエラストマー6とキャリアテー
プ4が最外形となるため、ゲート16の位置は、図6
(a)(b)に示すように、ビームリード8の半導体チ
ップ5の表面電極へのボンディング部に対応したキャリ
アテープ4と半導体チップ5間の隙間、或いはエラスト
マー6とリリースフィルム2間の隙間やキャリアテープ
4とリリースフィルム2間の隙間などに対応して形成さ
れている。In the above embodiment, the case where the four sides of the semiconductor chip 5 are sealed with resin as the molded article 3 has been described.
6 and 7 illustrate a case where the gap formed on the side surface in the longitudinal direction of the semiconductor chip 5 is filled with the sealing resin 11 and sealed with the resin. In this case as well, the semiconductor chip 5 is not the outermost shape but the thinner elastomer 6 and the carrier tape 4 are the outermost shape.
As shown in (a) and (b), a gap between the carrier tape 4 and the semiconductor chip 5 corresponding to a bonding portion of the beam lead 8 to the surface electrode of the semiconductor chip 5, a gap between the elastomer 6 and the release film 2, It is formed corresponding to the gap between the carrier tape 4 and the release film 2.
【0025】本発明は、上記実施の態様に限定されるも
のではなく、被成形品3としては、図8(b)(c)に
示すように、リング26やカン27を使用したチップサ
イズパッケージ25であっても良い。即ち、図8(b)
はキャリアテープ4に成形品の最外形を規定すべく半導
体チップ5の四方を囲繞するリング26が接合されてお
り、該リング26の一部を切欠いて形成されたゲート口
28より封止樹脂11がリング26と被形成品3との隙
間に充填されて樹脂封止される。図8(c)はキャリア
テープ4に成形品の最外形を規定すべく半導体チップ5
を収容するカン27が接合されており、該カン27の一
部を切欠いて形成されたゲート口28より封止樹脂11
がカン27と被成形品3との隙間に充填されて樹脂封止
される。これらの場合にも、キャビティ凹部14とリン
グ26やカン27にゲート口28を設けておくことで、
同様にトランスファーモールドにより樹脂封止できる。
また、被形成品は、キャリアテープ4を用いたチップサ
イズパッケージ25について説明したが、樹脂基板を用
いたチップサイズパッケージ25でも良く、更にはファ
ンイン/ファンアウトタイプのμ−BGAの樹脂封止に
ついても適用可能である等、発明の精神を逸脱しない範
囲内でさらに多くの改変を施し得るのはもちろんのこと
である。The present invention is not limited to the above embodiment. As the molded article 3, as shown in FIGS. 8B and 8C, a chip size package using a ring 26 and a can 27 is used. It may be 25. That is, FIG.
A ring 26 surrounding four sides of the semiconductor chip 5 is joined to the carrier tape 4 so as to define the outermost shape of the molded product, and the sealing resin 11 is inserted through a gate opening 28 formed by cutting out a part of the ring 26. Is filled in the gap between the ring 26 and the article 3 and is sealed with resin. FIG. 8C shows a semiconductor chip 5 on the carrier tape 4 for defining the outermost shape of the molded product.
Is sealed, and the sealing resin 11 is inserted through a gate opening 28 formed by cutting out a part of the can 27.
Is filled in the gap between the can 27 and the molded article 3 and is sealed with a resin. Also in these cases, by providing the gate opening 28 in the cavity concave portion 14 and the ring 26 or the can 27,
Similarly, resin sealing can be performed by transfer molding.
Also, the chip size package 25 using the carrier tape 4 has been described as a product to be formed. However, the chip size package 25 using a resin substrate may be used, and furthermore, a resin-encapsulated fan-in / fan-out type μ-BGA is used. It is needless to say that more modifications can be made without departing from the spirit of the invention, for example, the present invention can be applied.
【0026】[0026]
【発明の効果】本発明は前述したように、チップサイズ
パッケージをベースフィルムに支持したままキャビティ
凹部の被成形品との間に形成される隙間位置に開口する
ゲートよりトランスファーモールドにより所定の樹脂圧
で封止樹脂が充填されて樹脂封止できるので、ポッティ
ングに比べて封止樹脂の硬化時間が早く、生産性を向上
させることができる。特に、封止樹脂に適正な樹脂圧を
印加しながら樹脂封止することができるので、エアが混
入し難く、ボイドが発生しても微小に抑えることができ
るので、成形品質を向上させることができる。また、半
導体チップが最外形ではなく厚さの薄い電気的絶縁層と
基板が最外形となるチップサイズパッケージにおいて
は、封止樹脂が被成形品の最外形に充填される場合であ
っても、成形品のばらつきを抑えて一定の形状に樹脂成
形できるので、成形品のハンドリングも向上させること
ができる。また被成形品を柔軟性のあるリリースフィル
ムを介してモールド金型によりクランプするので、半導
体装置の外部接続端子や、半導体チップの外面に過大な
圧力を加えることなくクランプできるので、被成形品を
損傷することなく樹脂封止できる。As described above, according to the present invention, while a chip size package is supported by a base film, a predetermined resin pressure is applied by transfer molding from a gate opening at a gap formed between the cavity concave portion and a molded product. , The sealing resin is filled, and the resin can be sealed, so that the hardening time of the sealing resin is shorter than in potting, and the productivity can be improved. In particular, since resin sealing can be performed while applying an appropriate resin pressure to the sealing resin, air is less likely to be mixed in, and even if voids are generated, it is possible to minimize the occurrence of voids, thereby improving molding quality. it can. Further, in a chip size package in which the semiconductor chip is not the outermost shape but the thinner electrically insulating layer and the substrate are the outermost shape, even if the sealing resin is filled in the outermost shape of the molded product, Since resin can be molded into a fixed shape while suppressing variations in molded products, handling of molded products can be improved. Also, since the molded product is clamped by a mold via a flexible release film, it can be clamped without applying excessive pressure to the external connection terminals of the semiconductor device and the outer surface of the semiconductor chip. Resin sealing can be performed without damage.
【図1】樹脂封止装置の主要部の構成を示す正面説明図
である。FIG. 1 is an explanatory front view showing a configuration of a main part of a resin sealing device.
【図2】被成形品の製造工程及びリリースフィルムを介
してモールド金型にクランプされた状態を示す説明図で
ある。FIG. 2 is an explanatory view showing a manufacturing process of a molded article and a state where the article is clamped to a mold via a release film.
【図3】被成形品の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a molded article.
【図4】被成形品の樹脂封止工程を示す上視図及び矢印
A−A断面図である。4A and 4B are a top view and a cross-sectional view taken along a line AA showing a resin sealing step of a molded article.
【図5】モールド金型によりクランプされた被成形品を
矢印B−B方向及び矢印C−C方向から見た断面図、被
成形品の上視図及び矢印D−D断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a molded product clamped by a molding die viewed from the directions of arrows BB and CC, a top view of the molded product, and a cross-sectional diagram of arrows DD.
【図6】他例に係る被成形品の樹脂封止工程を示す上視
図及び矢印E−E断面図である。FIG. 6 is a top view and an arrow EE sectional view showing a resin sealing step of a molded article according to another example.
【図7】モールド金型によりクランプされた他例に係る
被成形品を矢印F−F方向及び矢印G−G方向から見た
断面図、被成形品の上視図及び矢印H−H断面図であ
る。FIG. 7 is a cross-sectional view of a molded product according to another example clamped by a mold, viewed from the directions of arrows FF and GG, a top view of the molded product, and a cross-sectional view of arrows HH. It is.
【図8】樹脂封止された各種チップサイズパッケージの
構成を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a configuration of various chip size packages sealed with resin.
【図9】従来の樹脂封止された各種チップサイズパッケ
ージの構成を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory view showing a configuration of a conventional various chip size package sealed with resin.
1 モールド金型 2 リリースフィルム 3 被成形品 4 キャリアテープ 5 半導体チップ 6 エラストマー 7 配線パターン 8 ビームリード 9 上型 10 下型 11 封止樹脂 12 ポット 13 プランジャ 14 キャビティ凹部 15 樹脂路 16 ゲート 17 キャビティ吸着孔 18 吸着孔 19 モールドベース 20 キャピタリ 21 ボンディングツール 22 はんだボール 23 ビームリードウィンドウ 24 スプロケットホール 25 チップサイズパッケージ 26 リング 27 カン 28 ゲート口 REFERENCE SIGNS LIST 1 mold die 2 release film 3 molded product 4 carrier tape 5 semiconductor chip 6 elastomer 7 wiring pattern 8 beam lead 9 upper die 10 lower die 11 sealing resin 12 pot 13 plunger 14 cavity concave part 15 resin path 16 gate 17 cavity suction Hole 18 Suction hole 19 Mold base 20 Capital 21 Bonding tool 22 Solder ball 23 Beam lead window 24 Sprocket hole 25 Chip size package 26 Ring 27 Can 28 Gate opening
Claims (11)
ムに電気的絶縁層を介して半導体チップが表面電極形成
面より接合され、前記配線パターンが前記表面電極に電
気的に接続された被成形品が樹脂封止されてなるチップ
サイズパッケージの樹脂封止方法において、 リリースフィルムがパーティング面に張設されたモール
ド金型に、前記被形成品の前記半導体チップがキャビテ
ィ凹部内に収容され、前記ベースフィルムが前記モール
ド金型によりクランプされたまま、前記キャビティ凹部
の前記被成形品との間に形成される隙間位置に開口する
ゲートより所定の樹脂圧で封止樹脂が充填されて樹脂封
止されることを特徴とするチップサイズパッケージの樹
脂封止方法。1. A molded article in which a semiconductor chip is joined to a base film on which a wiring pattern is formed from an surface on which a surface electrode is formed via an electrical insulating layer, and the wiring pattern is electrically connected to the surface electrode. In a resin sealing method for a chip size package which is sealed with a resin, the semiconductor chip of the article to be formed is housed in a cavity recess in a mold having a release film stretched over a parting surface, and While the film is clamped by the mold, the sealing resin is filled and sealed with a predetermined resin pressure from a gate opening at a gap position formed between the cavity concave portion and the molded product. A resin sealing method for a chip size package.
の外形寸法は、前記半導体チップの外形寸法より大きく
形成されており、前記半導体チップの周囲に形成された
隙間位置で前記キャビティ凹部に開口する単数又は複数
のゲートより封止樹脂が充填されて樹脂封止されること
を特徴とする請求項1記載のチップサイズパッケージの
樹脂封止方法。2. An external dimension of the cavity concave portion of the molding die is formed larger than an external dimension of the semiconductor chip, and a singular opening to the cavity concave portion at a gap position formed around the semiconductor chip. 2. The method according to claim 1, wherein a sealing resin is filled from a plurality of gates and sealed.
個の半導体チップがエラストマーを介して搭載され、前
記配線パターンが前記半導体チップの中央部に形成され
た前記表面電極に電気的に接続されてなることを特徴と
する請求項1又は請求項2記載のチップサイズパッケー
ジの樹脂封止方法。3. The molded article, wherein a plurality of semiconductor chips are mounted on a carrier tape via an elastomer, and the wiring pattern is electrically connected to the surface electrode formed at the center of the semiconductor chip. The resin sealing method for a chip-size package according to claim 1 or 2, wherein:
成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップの四方を
囲繞するリングが接合されており、該リングの一部を切
欠いて形成されたゲート口より封止樹脂が前記リングと
前記被形成品との隙間に充填されて樹脂封止されること
を特徴とする請求項1、2又は請求項3記載のチップサ
イズパッケージの樹脂封止方法。4. The molded article is formed by joining a ring surrounding four sides of the semiconductor chip to the carrier tape so as to define the outermost shape of the molded article, and cutting out a part of the ring. 4. The resin sealing method for a chip size package according to claim 1, wherein a sealing resin is filled from a gate opening into a gap between the ring and the article to be formed and sealed. .
成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップを収容す
るカンが接合されており、該カンの一部を切欠いて形成
されたゲート口より封止樹脂が前記カンと前記被成形品
との隙間に充填されて樹脂封止されることを特徴とする
請求項1、2又は請求項3記載のチップサイズパッケー
ジの樹脂封止方法。5. A gate opening formed by cutting out a part of the can to join the semiconductor chip with the carrier tape so as to define the outermost shape of the molded article. The resin sealing method for a chip size package according to claim 1, wherein the sealing resin is filled in a gap between the can and the molded article, and is sealed with the resin.
ムに電気的絶縁層を介して半導体チップが表面電極形成
面より接合され、前記配線パターンが前記表面電極に電
気的に接続された被成形品の前記ベースフィルムをクラ
ンプし、前記半導体チップがキャビティ凹部に収容され
て形成される隙間位置に開口するゲートより封止樹脂が
所定の樹脂圧で充填されて樹脂封止するモールド金型
と、 前記モールド金型の前記キャビティ凹部やポットを含む
パーティング面に張設されるリリースフィルムと、 前記リリースフィルムを前記モールド金型のパーティン
グ面に吸着保持させるための吸着保持手段と、 を有することを特徴とするチップサイズパッケージの樹
脂封止装置。6. A molded product in which a semiconductor chip is joined to a base film on which a wiring pattern is formed from an surface on which a surface electrode is formed via an electrical insulating layer, and the wiring pattern is electrically connected to the surface electrode. A mold for clamping the base film, filling a sealing resin with a predetermined resin pressure from a gate opening at a gap position formed by housing the semiconductor chip in the cavity recess, and sealing the resin; A release film stretched over a parting surface including the cavity recess and the pot of the mold; and suction holding means for sucking and holding the release film on the parting surface of the mold. Resin sealing device for chip size package.
個の半導体チップがエラストマーを介して搭載され、前
記配線パターンが前記半導体チップの中央部に形成され
た前記表面電極に接続されてなることを特徴とする請求
項6記載のチップサイズパッケージの樹脂封止装置。7. The molded article has a plurality of semiconductor chips mounted on a carrier tape via an elastomer, and the wiring pattern is connected to the surface electrode formed at the center of the semiconductor chip. The resin sealing device for a chip size package according to claim 6, wherein:
間位置で前記キャビティ凹部に開口する単数又は複数の
ゲートより封止樹脂が充填されて樹脂封止されることを
特徴とする請求項6又は請求項7記載のチップサイズパ
ッケージの樹脂封止装置。8. The semiconductor device according to claim 6, wherein a sealing resin is filled from one or a plurality of gates opening in the cavity recess at a gap position formed around the semiconductor chip, and the semiconductor chip is sealed. A resin sealing device for a chip size package according to claim 7.
成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップの四方を
囲繞するリングが接合されており、該リングの一部を切
欠いて形成されたゲート口より封止樹脂が前記リングと
前記被形成品との隙間に充填されて樹脂封止されること
を特徴とする請求項6、7又は請求項8記載のチップサ
イズパッケージの樹脂封止装置。9. The molded article is formed by joining a ring surrounding four sides of the semiconductor chip to the carrier tape so as to define the outermost shape of the molded article, and cutting out a part of the ring. 9. The resin sealing device for a chip-size package according to claim 6, wherein a sealing resin is filled from a gate opening into a gap between the ring and the article to be formed and sealed. .
に成形品の最外形を規定すべく前記半導体チップを収容
するカンが接合されており、該カンの一部を切欠いて形
成されたゲート口より封止樹脂が前記カンと前記被成形
品との隙間に充填されて樹脂封止されることを特徴とす
る請求項6、7又は請求項8記載のチップサイズパッケ
ージの樹脂封止装置。10. A gate opening formed by cutting out a part of the can to join the semiconductor chip with the carrier tape so as to define the outermost shape of the molded article. 9. The resin sealing device for a chip size package according to claim 6, wherein a sealing resin is filled in a gap between the can and the molded article to be sealed with the resin.
型のパーティング面で開口する吸着孔と、キャビティ凹
部の内底面で開口するキャビティ吸着孔とこれらに連絡
するエア吸引機構を備えていることを特徴とする請求項
6、7、8、9又は請求項10記載のチップサイズパッ
ケージの樹脂封止装置。11. The suction holding means includes a suction hole opened on a parting surface of the mold, a cavity suction hole opened on an inner bottom surface of the cavity recess, and an air suction mechanism communicating with these. The resin sealing device for a chip size package according to claim 6, 7, 8, 9, or 10.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31216398A JP4035240B2 (en) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | Resin sealing method and resin sealing device for chip size package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31216398A JP4035240B2 (en) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | Resin sealing method and resin sealing device for chip size package |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138247A true JP2000138247A (en) | 2000-05-16 |
| JP4035240B2 JP4035240B2 (en) | 2008-01-16 |
Family
ID=18026005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31216398A Expired - Lifetime JP4035240B2 (en) | 1998-11-02 | 1998-11-02 | Resin sealing method and resin sealing device for chip size package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4035240B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119408074A (en) * | 2025-01-07 | 2025-02-11 | 北京七星华创微电子有限责任公司 | A kind of injection mold structure for FOPLP packaging processing |
-
1998
- 1998-11-02 JP JP31216398A patent/JP4035240B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119408074A (en) * | 2025-01-07 | 2025-02-11 | 北京七星华创微电子有限责任公司 | A kind of injection mold structure for FOPLP packaging processing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4035240B2 (en) | 2008-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3194917B2 (en) | Resin sealing method | |
| US7741161B2 (en) | Method of making integrated circuit package with transparent encapsulant | |
| KR100829278B1 (en) | Semiconductor Device and Manufacture Method of That | |
| JPH07321139A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| US20050184404A1 (en) | Photosensitive semiconductor package with support member and method for fabricating the same | |
| JP3581814B2 (en) | Resin sealing method and resin sealing device | |
| US20020017738A1 (en) | Resin sealing method and resin sealing apparatus | |
| WO1998044547A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2002036270A (en) | Method and apparatus for sealing resin | |
| JP3456983B2 (en) | Method for manufacturing lead frame and resin-encapsulated semiconductor device | |
| JP2003170465A (en) | Semiconductor package manufacturing method and sealing mold therefor | |
| JP3660854B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP4803855B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP3139981B2 (en) | Resin sealing method and resin sealing device for chip size package | |
| TW202120292A (en) | Method for manufacturing lead frame after resin molding, method for manufacturing resin-molded product and lead frame wherein no resin remains on the upper surface of the lead frame | |
| JP2005085832A (en) | Resin molding apparatus | |
| JP2000176967A (en) | Resin sealing device | |
| JP2000138247A (en) | Resin encapsulation method of chip size package and resin molding equipment | |
| JP4058182B2 (en) | Resin sealing method | |
| KR100304680B1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP3820374B2 (en) | Matrix substrate and resin molding method | |
| JP2002118130A (en) | Resin sealing method for matrix package | |
| JP2005081695A (en) | Resin molding mold | |
| KR100418512B1 (en) | Mold chase for semiconductor package and method for use the same | |
| JP5121807B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050907 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070704 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070717 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070912 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071023 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071029 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |