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JP2000251463A - Memory module - Google Patents

Memory module

Info

Publication number
JP2000251463A
JP2000251463A JP11047946A JP4794699A JP2000251463A JP 2000251463 A JP2000251463 A JP 2000251463A JP 11047946 A JP11047946 A JP 11047946A JP 4794699 A JP4794699 A JP 4794699A JP 2000251463 A JP2000251463 A JP 2000251463A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory module
sheet
memory chip
circuit board
printed circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11047946A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Muneharu Tokunaga
宗治 徳永
Nobuhiro Kato
修宏 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP11047946A priority Critical patent/JP2000251463A/en
Publication of JP2000251463A publication Critical patent/JP2000251463A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メモリモジュールの動作周波数が高くなるに
従い、放射される電磁気ノイズが増大する。また、CS
P等の高密度実装法の採用に伴い、振動等によるチップ
の接続不良の発生が問題となる。さらに、メモリチップ
の消費電力の増大により、放熱に対する対策も必要とな
る。 【解決手段】 本発明のメモリモジュールは、少なくと
も粘着シートとアルミニウムシートを積層したシールド
シートを、メモリチップを覆って、メモリチップの上面
及びプリント回路基板の上面に接着し、半導体メモリチ
ップを電磁気的に遮蔽すると共にプリント回路基板に固
定する。これにより、メモリチップから放射される電磁
気ノイズが、アルミニウムシートによって遮蔽される。
また、メモリチップは粘着シートによって固定されてい
るため、振動による接続不良の発生が抑制される。さら
に、アルミニウムシートが放熱板として作用する結果、
メモリモジュールの放熱性が向上する。
(57) [Problem] To radiate electromagnetic noise increases as the operating frequency of a memory module increases. Also, CS
With the adoption of a high-density mounting method such as P, the occurrence of chip connection failure due to vibration or the like becomes a problem. Further, due to an increase in power consumption of the memory chip, measures against heat radiation are also required. SOLUTION: The memory module according to the present invention includes a shield sheet in which at least an adhesive sheet and an aluminum sheet are laminated, is bonded to an upper surface of the memory chip and an upper surface of the printed circuit board so as to cover the memory chip. And secure it to the printed circuit board. Thus, the electromagnetic noise radiated from the memory chip is shielded by the aluminum sheet.
Further, since the memory chip is fixed by the adhesive sheet, occurrence of connection failure due to vibration is suppressed. Furthermore, as a result of the aluminum sheet acting as a heat sink,
The heat dissipation of the memory module is improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、メモリモジュール
に関し、詳細には高速動作する半導体メモリチップを高
密度実装して成るメモリモジュールのノイズ防止及び耐
振動性の向上に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory module, and more particularly, to the prevention of noise and the improvement of vibration resistance of a memory module in which semiconductor memory chips operating at high speed are mounted at high density.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、コンピューター産業の分野におい
て、ノート型PC等の高速化、小型化に伴い、メインメ
モリーとして用いられるメモリモジュールも高速化、小
型化、高集積化が進められている。
2. Description of the Related Art In recent years, in the field of the computer industry, with the speeding up and miniaturization of notebook PCs and the like, memory modules used as main memories are also being sped up, downsized and highly integrated.

【0003】即ち、メモリモジュールの高速化のため、
メモリモジュールの動作周波数は、より高くなってきて
いる。また、メモリモジュールの小型化、高集積化のた
め、リードフレームを介してチップを基板に固定する従
来の実装法に代えて、半田バンプによりチップを基板に
直接固定するチップサイズパッケージング(以下CSP
と称す)等の高密度実装法が主流となっている。
That is, in order to increase the speed of a memory module,
The operating frequency of memory modules is becoming higher. Further, in order to reduce the size and integration of the memory module, instead of the conventional mounting method of fixing the chip to the substrate via a lead frame, chip size packaging (hereinafter, CSP) in which the chip is directly fixed to the substrate by solder bumps.
High-density mounting methods such as those described above) have become mainstream.

【0004】[0004]

【解決しようとする課題】メモリモジュールの動作周波
数が高くなると、メモリモジュールから放射される電磁
気ノイズが増大する。またメモリモジュール以外の回路
の動作周波数も高くなっており、メモリモジュールへ侵
入する電磁気ノイズも増大している。このため、メモリ
モジュールのノイズ対策が重要な課題となってきてい
る。しかし、ノイズ問題に関しては、従来、メモリモジ
ュール基板内部の信号線をグランド層で取り囲むといっ
た対策がなされていたものの十分ではなく、また、モジ
ュール外部からのノイズに対する対策もなされてなかっ
た。
As the operating frequency of the memory module increases, electromagnetic noise radiated from the memory module increases. In addition, the operating frequencies of circuits other than the memory module are also increasing, and the electromagnetic noise entering the memory module is also increasing. For this reason, noise countermeasures for memory modules have become an important issue. However, with respect to the noise problem, conventionally, measures have been taken to surround a signal line inside the memory module substrate with a ground layer, but this is not sufficient, and no measure has been taken against noise from outside the module.

【0005】また、メモリモジュールが振動等した場
合、メモリチップとプリント基板の接続部に応力がかか
るが、従来の実装法ではリードフレームが振動等による
応力を緩和していた。しかし、CSP等の高密度実装法
では小さな半田バンプで固定するために応力を緩和しに
くい。加えて、半田バンプは一般に接触面積が小さく、
接続強度が弱い。このためCSP等の高密度実装法を用
いたメモリモジュールは、振動等によりチップの接続不
良を起こしやすいという問題があった。
Further, when the memory module vibrates or the like, stress is applied to the connection between the memory chip and the printed circuit board. In the conventional mounting method, the stress caused by the vibration or the like is reduced by the lead frame. However, in a high-density mounting method such as CSP, it is difficult to alleviate the stress because it is fixed with small solder bumps. In addition, solder bumps generally have a small contact area,
Connection strength is weak. For this reason, a memory module using a high-density mounting method such as CSP has a problem that chip connection failure is likely to occur due to vibration or the like.

【0006】さらに、メモリチップの動作周波数化が高
くなるのに伴い、メモリチップの消費電力も増大してお
り、メモリチップの放熱に対する対策も必要となってき
ている。
Further, as the operating frequency of the memory chip increases, the power consumption of the memory chip also increases, and it is necessary to take measures against heat radiation of the memory chip.

【0007】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、高速動作するメモリチップを高密度実装して成
るメモリモジュールであって、耐ノイズ性及び耐振動性
に優れたメモリモジュールを提供することを目的とす
る。また、メモリモジュールの放熱性を改善することも
目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and provides a memory module in which high-speed operating memory chips are mounted at high density, which is excellent in noise resistance and vibration resistance. The purpose is to do. Another object is to improve the heat dissipation of the memory module.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のメモリモジュールは、プリント回路基板上
に、複数個の半導体メモリチップを実装したメモリモジ
ュールであって、少なくとも粘着シートとアルミニウム
シートを積層して成るシールドシートを、上記半導体メ
モリチップを覆って、上記半導体メモリチップの上面及
び上記プリント回路基板の上面に接着し、上記半導体メ
モリチップを電磁気的に遮蔽すると共に上記プリント基
板に固定することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a memory module according to the present invention is a memory module having a plurality of semiconductor memory chips mounted on a printed circuit board, comprising at least an adhesive sheet and an aluminum sheet. Are bonded to the upper surface of the semiconductor memory chip and the upper surface of the printed circuit board, covering the semiconductor memory chip, electromagnetically shielding the semiconductor memory chip, and fixing the semiconductor memory chip to the printed circuit board. It is characterized by doing.

【0009】これにより、メモリチップから放射される
電磁気ノイズ、及び外部からメモリチップに侵入する電
磁気ノイズが、上記アルミニウムシートによって遮蔽さ
れる。また、メモリチップは上記粘着シートによってプ
リント回路基板に固定されているため、振動による接続
不良の発生が抑制される。さらに、粘着シートが薄く、
メモリチップからの熱が粘着シートを介してアルミニウ
ムシートに良好に伝導する場合にば、アルミニウムシー
トが放熱板として作用する結果、メモリモジュールの放
熱性も向上する。
Thus, electromagnetic noise radiated from the memory chip and electromagnetic noise entering the memory chip from the outside are shielded by the aluminum sheet. Further, since the memory chip is fixed to the printed circuit board by the adhesive sheet, occurrence of connection failure due to vibration is suppressed. Furthermore, the adhesive sheet is thin,
When heat from the memory chip is well conducted to the aluminum sheet via the adhesive sheet, the aluminum sheet acts as a heat radiating plate, so that the heat dissipation of the memory module is also improved.

【0010】また、上記粘着シートが開口部を備え、上
記アルミニウムシートが該開口部を介して上記プリント
回路基板上の接地電極に接続していることが好ましい。
これにより、アルミニウムシートの電位がアース電位に
固定され、電磁気ノイズの遮蔽効果が向上する。
Preferably, the pressure-sensitive adhesive sheet has an opening, and the aluminum sheet is connected to a ground electrode on the printed circuit board through the opening.
Thereby, the potential of the aluminum sheet is fixed to the ground potential, and the effect of shielding electromagnetic noise is improved.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】実施の形態1.図1は本発明のメ
モリモジュールの一例を示す(a)斜視図、(b)平面
図及び(c)断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 1A is a perspective view, FIG. 1B is a plan view, and FIG. 1C is a sectional view showing an example of a memory module according to the present invention.

【0012】本発明のメモリモジュールは、プリント回
路基板10上に、複数個の半導体メモリチップ12を実
装して成り、アルミニウムシート16と粘着シート18
を積層したシールドシート14が、上記半導体メモリチ
ップ12を覆って、上記半導体メモリチップ12の上面
及び上記プリント回路基板の上面10に接着されてい
る。
The memory module of the present invention comprises a plurality of semiconductor memory chips 12 mounted on a printed circuit board 10, and an aluminum sheet 16 and an adhesive sheet 18.
Is laminated on the upper surface of the semiconductor memory chip 12 and the upper surface 10 of the printed circuit board so as to cover the semiconductor memory chip 12.

【0013】プリント回路基板10は、一般的にメモリ
モジュールに使用されるものであれば良く、例えばガラ
スエポキシ等の絶縁基板に銅等の配線パターンを形成し
た基板が使用できる。
The printed circuit board 10 may be a board generally used for a memory module. For example, a board in which a wiring pattern made of copper or the like is formed on an insulating board made of glass epoxy or the like can be used.

【0014】プリント回路基板10上には、複数個の半
導体メモリチップ12が、例えばCSP等の実装法によ
り実装されている。半導体メモリチップ12の構造は、
特に限定されないが、例えば、DRAM等のメモリ素子
を形成したシリコン基板をポリイミド等の絶縁基板上に
エポキシ樹脂によって封止した構造を有する。また、実
装法も特に限定されるものではないが、例えば、半導体
メモリチップ12の下面に半田バンプをマトリックス状
に配列して形成し、この半田バンプをプリント回路基板
10上に形成された端子に接続することにより実装され
る。
On the printed circuit board 10, a plurality of semiconductor memory chips 12 are mounted by a mounting method such as CSP. The structure of the semiconductor memory chip 12 is as follows.
Although not particularly limited, for example, it has a structure in which a silicon substrate on which a memory element such as a DRAM is formed is sealed with an epoxy resin on an insulating substrate such as a polyimide. Although the mounting method is not particularly limited, for example, solder bumps are arranged in a matrix on the lower surface of the semiconductor memory chip 12 and the solder bumps are formed on the terminals formed on the printed circuit board 10. Implemented by connecting.

【0015】シールドシート14は、例えば、図2に
(a)平面図及び(b)断面図を示したように、アルミ
ニウムシート16と粘着シート18を積層して成る。シ
ールドシート14は、粘着シ−ト18を下面として、半
導体メモリチップ12を覆うよう、半導体メモリチップ
12の上面およびプリント回路基板10の上面に接着さ
れている。尚、半導体メモリチップ12のプリント回路
基板10への十分な固定強度を確保するため、シールド
シート14は半導体メモリチップ12よりも十分に広い
範囲を覆うことができる面積を有することが好ましい。
The shield sheet 14 is formed, for example, by laminating an aluminum sheet 16 and an adhesive sheet 18 as shown in FIG. 2 (a) plan view and (b) sectional view. The shield sheet 14 is adhered to the upper surface of the semiconductor memory chip 12 and the upper surface of the printed circuit board 10 so as to cover the semiconductor memory chip 12 with the adhesive sheet 18 as the lower surface. In order to secure a sufficient fixing strength of the semiconductor memory chip 12 to the printed circuit board 10, it is preferable that the shield sheet 14 has an area capable of covering a sufficiently wider range than the semiconductor memory chip 12.

【0016】アルミニウムシート16は、電磁気ノイズ
を遮蔽し、放熱板としての役割を果たし得るものであれ
ば良く、特に材質及び厚みは限定されない。但し、シー
ルドシート14は半導体メモリチップ12を覆うように
変形できる可とう性を有することが好ましいため、アル
ミニウムシート16の厚みを、そのノイズ遮蔽効果及び
放熱効果を妨げない範囲で薄くすることが好ましい。
尚、アルミニウムシートに代えて他の金属シートも使用
し得るが、経済性、熱伝導率等の観点からアルミニウム
シートの使用が好ましい。
The aluminum sheet 16 is not particularly limited as long as it can shield electromagnetic noise and can play a role as a heat radiating plate. However, since the shield sheet 14 preferably has flexibility so as to cover the semiconductor memory chip 12, it is preferable to reduce the thickness of the aluminum sheet 16 as long as the noise shielding effect and the heat radiation effect are not hindered. .
Although other metal sheets may be used instead of the aluminum sheet, the use of an aluminum sheet is preferable from the viewpoint of economy, thermal conductivity, and the like.

【0017】粘着シート18は、アルミニウムシート1
6を保持し、半導体メモリチップ12をプリント回路基
板10に固定し得るものであれば良く、紙製、布製、ポ
リマー製、いずれも使用可能である。尚、粘着シート1
8は、プリント回路基板10上の配線パターンに接する
ため、電気絶縁性の高い材料であることが好ましい。ま
た、粘着シート18は、繰り返し脱着可能な材質である
ことが好ましい。シールドシート14を接着した後に、
メモリモジュールの半導体メモリチップの交換などの作
業が必要となる場合もあるからである。
The adhesive sheet 18 is made of the aluminum sheet 1
6 can be used, as long as it can fix the semiconductor memory chip 12 to the printed circuit board 10, and any of paper, cloth, and polymer can be used. In addition, the adhesive sheet 1
8 is preferably a material having a high electrical insulation property so as to be in contact with the wiring pattern on the printed circuit board 10. The adhesive sheet 18 is preferably made of a material that can be repeatedly attached and detached. After bonding the shield sheet 14,
This is because work such as replacement of a semiconductor memory chip of a memory module may be required.

【0018】さらに、粘着シート18は、半導体メモリ
チップ12からの発熱がアルミニウムシート16に良好
に伝導し得るものであることが好ましい。アルミニウム
は熱伝導率が高いため、熱をアルミニウムシート16に
伝導させることによりアルミニウムシート16が放熱板
としての役割を果たすからである。従って、粘着シート
18は、必要な絶縁性及び接着強度を維持可能な範囲で
薄いことが好ましく、また熱伝導率の高い材質であるこ
とが好ましい。
Further, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive sheet 18 be capable of transmitting heat generated from the semiconductor memory chip 12 to the aluminum sheet 16 well. This is because aluminum has a high thermal conductivity and conducts heat to the aluminum sheet 16 so that the aluminum sheet 16 functions as a heat sink. Therefore, the pressure-sensitive adhesive sheet 18 is preferably thin as long as necessary insulation and adhesive strength can be maintained, and is preferably a material having high thermal conductivity.

【0019】尚、本実施の形態においてシールドシート
が粘着シートとアルミニウムシートの2層構造である場
合を例として示したが、この構造に限定されるものでは
ない。例えば、メモリモジュールに近接する他の回路ボ
ードとの短絡防止のために、アルミニウムシートの上面
をさらに薄い電気絶縁性のシートで覆っても良い。
In this embodiment, the case where the shield sheet has a two-layer structure of an adhesive sheet and an aluminum sheet has been described as an example, but the present invention is not limited to this structure. For example, the upper surface of the aluminum sheet may be covered with a thinner electrically insulating sheet to prevent a short circuit with another circuit board close to the memory module.

【0020】実施の形態2.図3は本実施の形態におけ
るシールドシートを示す(a)平面図及び(b)断面図
である。本実施の形態のシールドシート14も、アルミ
ニウムシート16と粘着シート18を積層してなるが、
粘着シート18には、プリント回路基板10の上面に直
接接着する領域に開口部18aが設けられている。アル
ミニウムシート16は、開口部18aを介してプリント
回路基板10の上面と接触できるように加工されてい
る。即ち、図3(b)に示したように、アルミニウムシ
ート16が開口部18aから突出する突起部16aを形
成するようにプレス加工されている。また、プレス加工
による突起部16aの形成に代えて、アルミニウムシー
ト16に別の金属部材を接合して開口部18aから突出
させても良い。
Embodiment 2 3A and 3B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a shield sheet according to the present embodiment. The shield sheet 14 of the present embodiment is also formed by laminating the aluminum sheet 16 and the adhesive sheet 18,
The adhesive sheet 18 has an opening 18 a in a region directly adhered to the upper surface of the printed circuit board 10. The aluminum sheet 16 is processed so that it can contact the upper surface of the printed circuit board 10 through the opening 18a. That is, as shown in FIG. 3B, the aluminum sheet 16 is pressed so as to form a projection 16a projecting from the opening 18a. Further, instead of forming the projection 16a by press working, another metal member may be joined to the aluminum sheet 16 so as to project from the opening 18a.

【0021】図3(c)は、本実施の形態に係るメモリ
モジュールの斜視図を示す。図3(a)及び(b)に示
した構造のシールドシートが、半導体メモリチップ12
を覆って、半導体メモリチップ12の上面およびプリン
ト回路基板10の上面に接着される。プリント回路基板
10には接地電極20が形成されており、アルミニウム
シート16の突起部16aと電気的に接触するように配
置されている。アルミニウムシート16の突起部16a
と接地電極20の間の電気接触は、突起部16aを囲む
粘着シート18の接着力によって維持される。
FIG. 3C is a perspective view of the memory module according to the present embodiment. The shield sheet having the structure shown in FIGS.
And is adhered to the upper surface of the semiconductor memory chip 12 and the upper surface of the printed circuit board 10. A ground electrode 20 is formed on the printed circuit board 10, and is arranged so as to be in electrical contact with the protrusion 16 a of the aluminum sheet 16. Projection 16a of aluminum sheet 16
The electrical contact between the electrode and the ground electrode 20 is maintained by the adhesive force of the adhesive sheet 18 surrounding the protrusion 16a.

【0022】接地電極20は、メモリモジュールを構成
する回路のアース配線に接続しており、例えば金をフラ
ッシュメッキすることにより形成される。
The ground electrode 20 is connected to a ground wire of a circuit constituting the memory module, and is formed by flash plating gold, for example.

【0023】本実施の形態において、アルミニウムシー
ト16の電位は接地電極20によってアース電位に固定
されているため、メモリモジュールに出入りする電磁気
ノイズをより効果的に遮断することができる。また、メ
モリモジュール回路自身の接地電極の面積を増加させる
事にもなるため、メモリモジュール内のノイズも低減さ
れる。
In the present embodiment, since the potential of the aluminum sheet 16 is fixed to the ground potential by the ground electrode 20, the electromagnetic noise coming into and out of the memory module can be more effectively cut off. Further, since the area of the ground electrode of the memory module circuit itself is increased, noise in the memory module is also reduced.

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明のメモリモジュールは、シールド
シートによって半導体メモリチップが電磁気ノイズから
遮蔽されると共にプリント回路基板に固定されているた
め、外部に放出する電磁気ノイズが少なく、半導体メモ
リチップ接続不良に関する耐振性が高い。また、シール
ドシート中のアルミニウムシートが放熱板の役割を果た
し得るため、放熱性も良い。
According to the memory module of the present invention, the semiconductor memory chip is shielded from the electromagnetic noise by the shield sheet and is fixed to the printed circuit board. High vibration resistance. In addition, since the aluminum sheet in the shield sheet can serve as a heat radiating plate, heat dissipation is also good.

【0025】また、シールドシート中のアルミニウムシ
ートをプリント回路基板の接地電極に接続することによ
り、アルミニウムシートの電磁気ノイズの遮蔽効果を向
上させ、本発明のメモリモジュールが外部に放出する電
磁気ノイズをさらに減少することができる。
Also, by connecting the aluminum sheet in the shield sheet to the ground electrode of the printed circuit board, the effect of shielding the electromagnetic noise of the aluminum sheet is improved, and the electromagnetic noise emitted from the memory module of the present invention to the outside is further improved. Can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態1のメモリモジュールを
示す(a)斜視図、(b)平面図及び(c)断面図であ
る。
1A is a perspective view, FIG. 1B is a plan view, and FIG. 1C is a cross-sectional view illustrating a memory module according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施の形態1のシールドシートを示
す(a)平面図及び(b)断面図である。
FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating the shield sheet according to the first embodiment of the present invention.

【図3】 (a)及び(b)は、本発明の実施の形態2
のシールドシートを示す平面図及び断面図であり、
(c)は本発明の実施の形態2のメモリモジュールを示
す斜視図である。
3 (a) and (b) show Embodiment 2 of the present invention.
It is a plan view and a cross-sectional view showing a shield sheet,
(C) is a perspective view showing a memory module according to Embodiment 2 of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 プリント回路基板、12 半導体メモリチップ、
14 シールドシート、16 アルミニウムシート、1
8 粘着シート、20 接地電極、16a 突起部、1
8a 開口部。
10 printed circuit board, 12 semiconductor memory chip,
14 Shield sheet, 16 Aluminum sheet, 1
8 adhesive sheet, 20 ground electrode, 16a protrusion, 1
8a Opening.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プリント回路基板上に、複数個の半導体
メモリチップを実装して成るメモリモジュールであっ
て、 少なくとも粘着シートとアルミニウムシートを積層して
成るシールドシートを、上記半導体メモリチップを覆っ
て、上記半導体メモリチップの上面及び上記プリント回
路基板の上面に接着し、上記半導体メモリチップを電磁
気的に遮蔽すると共に上記プリント回路基板に固定した
メモリモジュール。
1. A memory module comprising a plurality of semiconductor memory chips mounted on a printed circuit board, comprising: a shield sheet formed by laminating at least an adhesive sheet and an aluminum sheet; A memory module adhered to an upper surface of the semiconductor memory chip and an upper surface of the printed circuit board to electromagnetically shield the semiconductor memory chip and to be fixed to the printed circuit board;
【請求項2】 上記粘着シートが開口部を備え、上記ア
ルミニウムシートが該開口部を介して上記プリント回路
基板上の接地電極に接続したことを特徴とする請求項1
記載のメモリモジュール。
2. The adhesive sheet according to claim 1, wherein the adhesive sheet has an opening, and the aluminum sheet is connected to a ground electrode on the printed circuit board through the opening.
A memory module as described.
JP11047946A 1999-02-25 1999-02-25 Memory module Pending JP2000251463A (en)

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004119445A (en) * 2002-09-24 2004-04-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin electromagnetic shield and flexible circuit board using the thin electromagnetic shield
US6992893B2 (en) * 2003-01-10 2006-01-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Heat sink attachment
US7202422B2 (en) 2002-04-23 2007-04-10 Nec Corporation Electromagnetically shielded circuit device and shielding method therefor
US7215551B2 (en) * 2004-09-29 2007-05-08 Super Talent Electronics, Inc. Memory module assembly including heat sink attached to integrated circuits by adhesive
JP2007526584A (en) * 2004-03-03 2007-09-13 ハベル、インコーポレーテッド Midspan patch panel with data terminal equipment, power supply, and circuit isolation for data collection
US7345892B2 (en) 2004-05-20 2008-03-18 Nec Corporation Semiconductor device, noise reduction method, and shield cover
JPWO2006082889A1 (en) * 2005-02-07 2008-08-07 パイオニア株式会社 Traverse mechanism and disk device
US7609523B1 (en) 2004-09-29 2009-10-27 Super Talent Electronics, Inc. Memory module assembly including heat sink attached to integrated circuits by adhesive and clips
KR100942725B1 (en) 2007-12-11 2010-02-16 주식회사 티엘아이 Tape wiring board to block the inflow of noise
US7768785B2 (en) 2004-09-29 2010-08-03 Super Talent Electronics, Inc. Memory module assembly including heat-sink plates with heat-exchange fins attached to integrated circuits by adhesive
US7944703B2 (en) 2004-09-29 2011-05-17 Super Talent Electronics, Inc. Flash memory device assembly using adhesive

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7202422B2 (en) 2002-04-23 2007-04-10 Nec Corporation Electromagnetically shielded circuit device and shielding method therefor
JP2004119445A (en) * 2002-09-24 2004-04-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin electromagnetic shield and flexible circuit board using the thin electromagnetic shield
US6992893B2 (en) * 2003-01-10 2006-01-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Heat sink attachment
JP2007526584A (en) * 2004-03-03 2007-09-13 ハベル、インコーポレーテッド Midspan patch panel with data terminal equipment, power supply, and circuit isolation for data collection
US7345892B2 (en) 2004-05-20 2008-03-18 Nec Corporation Semiconductor device, noise reduction method, and shield cover
US7215551B2 (en) * 2004-09-29 2007-05-08 Super Talent Electronics, Inc. Memory module assembly including heat sink attached to integrated circuits by adhesive
US7365985B1 (en) 2004-09-29 2008-04-29 Super Talent Electronics, Inc. Memory module assembly including heat sink attached to integrated circuits by adhesive
US7609523B1 (en) 2004-09-29 2009-10-27 Super Talent Electronics, Inc. Memory module assembly including heat sink attached to integrated circuits by adhesive and clips
US7768785B2 (en) 2004-09-29 2010-08-03 Super Talent Electronics, Inc. Memory module assembly including heat-sink plates with heat-exchange fins attached to integrated circuits by adhesive
US7944703B2 (en) 2004-09-29 2011-05-17 Super Talent Electronics, Inc. Flash memory device assembly using adhesive
JPWO2006082889A1 (en) * 2005-02-07 2008-08-07 パイオニア株式会社 Traverse mechanism and disk device
KR100942725B1 (en) 2007-12-11 2010-02-16 주식회사 티엘아이 Tape wiring board to block the inflow of noise

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