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JP2000285409A - 磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッド - Google Patents

磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッド

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Publication number
JP2000285409A
JP2000285409A JP11087089A JP8708999A JP2000285409A JP 2000285409 A JP2000285409 A JP 2000285409A JP 11087089 A JP11087089 A JP 11087089A JP 8708999 A JP8708999 A JP 8708999A JP 2000285409 A JP2000285409 A JP 2000285409A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
magnetic pole
material layer
head
gap
Prior art date
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Pending
Application number
JP11087089A
Other languages
English (en)
Inventor
Michiko Hara
通子 原
Akio Hori
昭男 堀
Takashi Koizumi
隆 小泉
Tomohiko Nagata
友彦 永田
Hiroaki Yoda
博明 與田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP11087089A priority Critical patent/JP2000285409A/ja
Priority to US09/536,743 priority patent/US6564445B1/en
Publication of JP2000285409A publication Critical patent/JP2000285409A/ja
Priority to US10/401,869 priority patent/US6751846B2/en
Pending legal-status Critical Current

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    • G11B5/313—Disposition of layers
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10T29/49044—Plural magnetic deposition layers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の課題は、下部記録磁極の上部を予め
凸部形状に加工し、この凸部上に形成された非磁性材料
層の凹部内に上部磁極を埋込み形成する記録再生一体型
磁気ヘッドを作成する際に、メッキ法により埋め込み特
性良く上部磁極を形成でき、また、磁気特性にも優れた
磁気ヘッドを得ることのできる磁気ヘッドの製造方法を
提供することにある。 【解決手段】 本発明は凸部１１を有する下部磁極７
と、下部磁極表面に設けられた磁気ギャップ１２と、磁
気ギャップ１２表面に設けられ凸部１１に位置整合させ
た凹部１４を有し凹部１４底面には磁気ギャップ層１２
が露出する構造の非磁性材料層１３とを備えた積層体を
形成する工程と、非磁性材料層１３及び露出した磁気ギ
ャップ１２表面にメッキ電極膜を形成する工程と、前記
メッキ電極膜表面にメッキ法により上部磁極材料層１６
を形成する工程を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等に用いられる磁気ヘッドの製造方法及び磁気ヘッドに
関わる。
【０００２】
【従来の技術】近年磁気記録媒体に記録される情報の高
密度化が進み、ＨＤＤでは１Ｇ／ｉｎｃｈ２という高記
録密度のシステムが実用化されており、さらなる高密度
化が要求されている。そのための方策の一つとしては、
磁気ヘッドにおいて狭トラック（１μｍ以下）を形成す
ることが大きなポイントとなる。
【０００３】記録再生一体型薄膜磁気ヘッドにおいても
狭トラック化を達成するために様々な構造の提案がなさ
れている。
【０００４】例えば、特開平１０−２１４４０７号公報
に図１９に示すような構造の記録再生一体型薄膜磁気ヘ
ッドが記載されている。
【０００５】図１９は記録再生一体型薄膜磁気ヘッドの
構成を媒体対向面から見た断面図である。基板（図示せ
ず）上に軟磁性材料からなる下側磁気シールド１が形成
され、下側磁気シールド１上には非磁性絶縁材料からな
る下側再生磁気ギャップ２を介して磁気抵抗効果膜（Ｍ
Ｒ膜）３が形成されている。ＭＲ膜３の両端には一対の
リード４が接続形成されている。これらによってＭＲ素
子部５が構成されている。ＭＲ素子部５上には非磁性絶
縁性材料からなる上側再生ギャップ６が形成されてい
る。さらにその上には下側磁気シールド層１と同様な材
料からなる上側磁気シールド層７が形成されている。こ
れらによって再生ヘッドとして機能するシールド型ＭＲ
ヘッド８が構成されている。
【０００６】シールド型ＭＲヘッド８からなる再生ヘッ
ド上には誘導型薄膜磁気ヘッド９からなる記録ヘッドが
形成されている。これらによって録再一体型磁気ヘッド
１０が構成されている。
【０００７】誘導型薄膜磁気ヘッド９の下部磁極はシー
ルド型ＭＲヘッド８の上側磁気シールド層７を構成する
軟磁性層からなる。すなわち、上側磁気シールド層７は
記録ヘッドの下部磁極を兼ねている。上側磁気シールド
層を兼ねる下部磁極（以下、下部磁極とする）７上には
非磁性材料からなる記録磁気ギャップ１２が形成されて
いる。下部磁極７は磁極先端部（ギャップ対向部）１１
として凸部を有している。この凸部状の下部先端部１１
は記録磁気ギャップ１２と接する上面の幅が記録トラッ
ク幅Ｔｗに相当する幅とされている。記録磁気ギャップ
１２は凸状の下部磁極先端部１１を有する下部磁極７の
形状に沿って形成されている。記録磁気ギャップ１２を
含む凸状の下部磁極先端部（凸部）１１をトラック幅方
向から挟むように非磁性材料層１３が形成されている。
非磁性材料層１３は凸部１１に対して位置整合された凹
部１４を有している。凹部１４内には、上部磁極１５の
上部磁極先端部１６を構成する磁性材料が埋め込み形成
されている。上部磁極先端部１６は、記録磁気ギャップ
１２に向けて凸状とされている。凹部１４内に埋め込み
形成された磁極先端部１６を含む上部磁極１５の後方側
には、非磁性材料１３上に絶縁層内に埋め込まれたコイ
ルが形成されている。上述した各構成要素によって録再
一体型磁気ヘッド１０が構成されている。
【０００８】このような構成の磁気ヘッドにおいては、
下部磁極の記録磁気ギャップと対向する面の幅と上部磁
極のそれと同一となるため、上部磁極の幅と下部磁極の
幅が異なる磁気ヘッドにおいて狭トラック化を達成する
場合に問題となる、記録トラックのサイドからの漏洩磁
界による記録ビット線でのエッジでの曲がりや再生ライ
ティングの問題が生じない。
【０００９】上記記録再生一体型磁気ヘッドにおいて
は、下部磁極の上部をあらかじめ凸部形状に加工しこの
凸部上に凹部を配置した非磁性材料層を形成し、その凹
部に磁性材料を埋め込みこれを上部磁極としている。
【００１０】上部磁極を凹部内に埋め込み形成する方法
としては、メッキや、コリメーシヨンスパッタ等の方法
が考えられるが、プロセスコストが安く、実績がある方
法としては、メッキ法が飛び抜けている。メッキ法で上
部磁極を埋め込み特性良く形成するにはあらかじめ凹部
内にメッキ電極膜として使用する導電性の層が必要であ
る。
【００１１】従来技術においては記録磁気ギャップを導
電性材料とし、１つの凹部に下部磁極先端部、記録磁気
ギャップ及び上部磁極先端部をメッキ法で埋め込み形成
する方法がある。しかしながら記録磁気ギャップに導電
性膜を用いると過電流損失が生じ磁気ヘッドの磁気特性
が低下するという問題点があった。
【００１２】また、一方、図１９のように上部磁極先端
部１６の幅が上部磁極１５の上部（補助磁極部）の幅よ
り狭くなっている場合、狭トラック化時に発生させるこ
とができる磁界強度を強めることができるが、上部磁極
１５の上部（補助磁極部）の磁気ギャップ面側の角部分
から漏洩する磁界強度が大きくなりやすく、記録媒体へ
の信号書き込み時に隣接トラックへの書き込み、あるい
は隣接トラック上の情報を消去するといった問題点があ
った。
【００１３】また、一方、図１９に示す上部磁極１５を
形成する際、先に主に上部磁極先端部１６となる層を形
成し、その後主に補助磁極部となる残部層の形成を行う
ことが、ＵＳＰ５２８３９４２等に記載されている。先
に形成した層と、残部層との境目は、上部磁極先端部の
内部か、または、上部磁極先端部と補助磁極部の境界に
あたる部分にくることとなる。しかしながら、先に形成
した層と、残部層との境目には先に形成した層の表面劣
化層や、残部層を形成するための下地層といった非磁性
物質の層がわずかな厚みながら存在することが多い。し
たがって、磁束がより多く集中する位置である上部磁極
先端部と補助磁極部の境界に、先に形成した層と、残部
層との境目が存在すると、この部分が擬似ギャップとな
り磁束のもれによって記録特性の劣化を引き起こすとい
った問題点があった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の課題
は、狭トラック化および線記録密度の高密度化を達成す
るヘッド構造である、下部記録磁極の上部を予め凸部形
状に加工し、この凸部上に形成された非磁性材料層の凹
部内に上部磁極を埋込み形成する記録再生一体型磁気ヘ
ッドを作成する際に、メッキ法により埋め込み特性良く
上部磁極を形成でき、また、磁気特性にも優れた磁気ヘ
ッドを得ることのできる磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることにある。
【００１５】また、本発明の第二の課題は、狭トラック
化に対応して上部磁極先端部の幅のみを狭くした場合、
上部磁極の上部（補助磁極部）の磁気ギャップ面側の角
部分から漏洩する磁界強度を低減し、記録媒体への信号
書き込み時に隣接トラックへの書き込み、あるいは隣接
トラック上の情報を消去するといった問題点を解決する
ことのできる磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的とする。
【００１６】また、本発明の第三の課題は、磁極の形成
を２度以上に分けておこなた場合、各層の境界にできる
擬似キャップからのもれ磁界を低減することができ、記
録特性に優れた磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法を
提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記第一の課題を解決す
る本発明の第一発明は、下部磁極と、下部磁極と磁気ギ
ャップを介して対向配置された上部磁極とを有する磁気
ヘッドを製造するにあたり、凸部を有する下部磁極と、
下部磁極表面に設けられた磁気ギャップと、磁気ギャッ
プ表面に設けられ前記凸部に位置整合させた凹部を有し
前記凹部底面には磁気ギャップが露出する構造の非磁性
材料層とを備えた積層体を形成する工程と、非磁性材料
層及び露出した磁気ギャップ表面にメッキ電極膜を形成
する工程と、前記メッキ電極膜表面にメッキ法により上
部磁極材料層を形成する工程と、メッキ電極膜及び上部
磁極材料層をエッチングし非磁性材料層及び上部磁極材
料層とが略同一平面とする工程と、上部磁極の残部を形
成する工程とを具備することを特徴とする磁気ヘッドの
製造方法。
【００１８】上記第一の課題を解決する本発明の第二発
明は、下部磁極と、下部磁極と磁気ギャップを介して対
向配置された上部磁極とを有する磁気ヘッドを製造する
にあたり、凸部を有する下部磁極と、下部磁極表面に設
けられた磁気ギャップと、磁気ギャップ表面に設けられ
前記凸部に位置整合させた凹部を有し前記凹部底面には
磁気ギャップが露出する構造の非磁性材料層とを備えた
積層体を形成する工程と、非磁性材料層及び露出した磁
気ギャップ表面にメッキ電極膜を形成する工程と、前記
メッキ電極表面にメッキ法により上部磁極材料層を形成
する工程と、メッキ電極膜及び上部磁極材料層をエッチ
ングし所望形状の上部磁極を形成する工程とを具備する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法である。
【００１９】上記第一の課題を解決する本発明の第三発
明は、下部磁極と、下部磁極と磁気ギャップを介して対
向配置された上部磁極とを有する磁気ヘッドを製造する
にあたり、凸部を有する下部磁極と、前記凸部先端に設
けられた磁気ギャップと、磁気ギャップ表面に設けられ
たメッキ電極膜を備えた積層体を形成する工程と、前記
凸部に位置整合させた凹部を有し前記凹部底面にはメッ
キ電極膜が露出する構造の非磁性材料層を下部磁極表面
に形成する工程と、前記凹部にメッキ法により上部磁極
材料を充填する工程と、上部磁極の残部を形成する工程
とを具備することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００２０】上記第二の課題を解決する本発明の第四発
明は、下部磁極と、下部磁極と磁気ギャップを介して対
向配置された上部磁極とを有する磁気ヘッドを製造する
にあたり、凸部を有する下部磁極と、下部磁極表面に設
けられた磁気ギャップと、磁気ギャップ表面に設けられ
前記凸部に位置整合させた第１の凹部を有する第１の非
磁性材料層とを備えた積層体を形成する工程と、前記第
１の非磁性材料層の第１の凹部内に上部磁極材料層を形
成する工程と、第１の非磁性材料層及び上部磁極材料層
とが略同一平面とする工程と、前記略同一平面上に、少
なくとも側面の一部が湾曲した形状を有する第２の凹部
を有する第２の非磁性材料層を形成する工程と、前記第
２の凹部内に上部磁極残部を形成する工程を具備するこ
とを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【００２１】上記第三の課題を解決する本発明の第五発
明は、磁気ギャップと、磁気ギャップを介して対向配置
された一対の磁極とを具備し、前記一対の磁極の少なく
とも一方が、前記磁気ギャップと接する位置に配置され
た磁極先端部と、前記磁極先端部より幅広の補助磁極と
を有し、磁極の形成を２段階以上分けて行う磁気ヘッド
において、磁極先端部と、補助磁極の磁気ギャップ側の
少なくとも一部分が連続して形成されていることを特徴
とする磁気ヘッドである。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、第一発明〜第五発明を実施
するための形態について説明する。
【００２３】まず、第一発明〜第五発明に係る磁気ヘッ
ドの構成について図１、図２を用いて説明する。
【００２４】図１は第一発明〜第五発明に係わる記録再
生一体型磁気ヘッドの構成を媒体対向面からみた断面図
である。図２は図１に示す記録再生一体型磁気ヘッドの
媒体対向面に直角方向の縦断面図である。ここで本発明
でいう記録再生一体型ヘッドとは、例えば磁気抵抗効果
素子部を有する再生ヘッドと、誘導型磁気ヘッドからな
る記録ヘッドとを上下に一体的に配置形成した磁気ヘッ
ドである。
【００２５】図１、図２において１は図示を省略したＡ
ｌ２Ｏ３・ＴｉＣ基板などの上に形成された下側磁気シ
ールド層である。下側磁気シールド層１は例えばＮｉＦ
ｅ合金やＦｅＡｌＳｉ合金などの結晶質軟磁性材料、Ｃ
ｏＺｒＮｂ合金などのアモルファス軟磁性材料からな
る。
【００２６】下側磁気シールド層１上にはＡｌＯｘ（例
えばＡｌ２Ｏ３）などの非磁性絶縁材料からなる下側再
生磁気ギャップ２を介して、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）
３が形成されている。
【００２７】ＭＲ膜３としては例えば電流の方向と磁性
層の磁化モーメントのなす角度に依存して電気抵抗が変
化するＮｉ８０Ｆｅ２０等からなる異方性磁気抵抗効果
膜、磁性膜と非磁性膜との積層構造を有し、各磁性層の
磁化のなす角度に依存して電気抵抗が変化するいわゆる
スピンバルブ効果を示すＣｏ９０Ｆｅ１０／Ｃｕ／Ｃｏ
９０Ｆｅ１０積層膜などからなるスピンバルブ膜、ある
いは巨大磁気抵抗効果を示す人工格子膜が例示される。
【００２８】ＭＲ膜３の両端にはＣｕなどからなるリー
ド４が形成されている。これらによってＭＲ素子部５が
構成されている。ＭＲ素子部５には必要に応じてＭＲ膜
３にバイアス磁界を印可する硬磁性バイアス膜や反強磁
性バイアス膜などを有する。
【００２９】ＭＲ素子部５上にはＡｌＯｘ等の非磁性絶
縁材料からなる上側再生磁気ギャップ６が形成されてい
る。さらにその上には下側磁気シールド層１と同様な軟
磁性材料からなる上側磁気シールド層７が形成されてい
る。これらによって再生ヘッドとして機能するシールド
型ＭＲヘッド８が構成されている。
【００３０】シールド型ＭＲヘッド８からなる再生ヘッ
ド上には、誘導型薄膜磁気ヘッド９からなる記録ヘッド
が形成されている。これらによって記録再生一体型磁気
ヘッド１０が構成されている。
【００３１】誘導型薄膜磁気ヘッド９の下部磁極はシー
ルド型ＭＲヘッド８の上側磁気シールド層７を構成する
軟磁性層からなる。すなわち、上部磁気シールド層７は
記録ヘッドの下部磁極を兼ねている。
【００３２】上側磁気シールド層を兼ねる下部磁極（以
下、下部磁極と略記する）７上にはＡｌＯｘ、Ｓｉ、Ｓ
ｉＮｘなどの非磁性材料からなる記録磁気ギャップ１２
が形成されている。
【００３３】下部磁極７は磁極先端部（ギャップ対向
部）１１として凸部を有している。この凸状の下部磁極
先端部１１は記録磁気ギャップ１２と接する上面の幅が
記録トラック幅Ｔｗに相当する幅とされている。下部磁
極先端部１１は媒体対向面の幅が記録磁気ギャップ１２
に向かって収束している。すなわち下部磁極先端部１１
は記録磁気ギャップ１２に向けて凸状とされており、こ
の凸部は記録磁気ギャップ１２に向かって収束するよう
なテーパを有している。
【００３４】記録磁気ギャップ１２は凸状の下部磁極先
端部１１を有する下部磁極７の形状に沿って形成されて
いる。なお、記録磁気ギャップ１２は下部磁極先端部１
１上のみに形成することも可能である。記録磁気ギャッ
プ１２上には、この記録磁気ギャップ１２を含む凸状の
下部磁極先端部（凸部）１１をトラック幅方向から挟む
ようにＳｉＯｘなどの記録磁気ギャップとは異なる非磁
性絶縁材料からなる非磁性材料層１３が形成されてい
る。
【００３５】非磁性材料層１３は凸部１１に対して位置
整合された凹部１４を有している。凹部１４の形状は媒
体対向面の幅が記録磁気ギャップ１２に向かって収束し
ている。凸状の上部磁極先端部１１に対して位置整合さ
れた凹部１４内には、上部磁極１５の磁極先端部（ギャ
ップ対向部）１６を構成する磁性材料が埋め込み形成さ
れている。上部磁極１５の構成材料としては、下側磁気
シールド層１と同様な軟磁性材料が用いられる。
【００３６】凹部１４内に埋め込み形成された上部磁極
先端部１６は、記録磁気ギャップ１２に向けて凸状とさ
れており、さらに凹部１４の形状に応じて記録磁気ギャ
ップ１２に向かって収束するようなテーパを有してい
る。すなわち、下部磁極先端部１１と上部磁極先端部１
６とは、記録磁気ギャップ１２を挟んで凸部同士を突き
合わせ構造を有しており、かつ記録磁気ギャップ１２に
向けてそれぞれ収束している。さらに、凸部１１と凹部
１４とは位置整合されているため、下部磁極先端部１１
と上部磁極先端部１６とは、記録磁気ギャップ１２を介
してそれぞれの中心位置Ｃ１、Ｃ２が重なるように、高
精度に位置合せされた状態で形成されている。また、こ
れら磁極先端部１１、１６の記録磁気ギャップ１２と接
する面の幅もほぼ同一とされている。
【００３７】凹部１４内に埋め込み形成された磁極先端
部１６を含む上部磁極１５の後方側には、図２に示すよ
うに非磁性材料層１３上に、ポリイミドなどの絶縁層１
７内に埋め込まれたコイル１８が形成されている。コイ
ル１８は例えばＣｕからなる。
【００３８】上述した各構成要素によって、録再一体型
磁気ヘッド１０が構成されている。
【００３９】以下第一発明を実施するための形態につい
て説明する。
【００４０】第一発明を記録再生一体型磁気ヘッドの製
造に適用した際の製造工程について説明する。
【００４１】まず、基板の上にシールド型ＭＲヘッドを
作製する。このシールド型ＭＲヘッドは一般的なシール
ド型ＭＲヘッドの製造工程に基づいて作製される。
【００４２】次にシールド型ＭＲヘッドからなる再生ヘ
ッド上に誘導型薄膜磁気ヘッドからなる記録ヘッドを作
製する。この誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を図３を
参照して説明する。
【００４３】図３は再生ヘッドであるシールド型ＭＲヘ
ッド上に形成される誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を
示す概略図である。なお、図３においてシールド型ＭＲ
ヘッドの構造を一部省略した。
【００４４】まず、図３（ａ）に示すごとく、シールド
型ＭＲヘッド８において、凸型に形成した下部磁極先端
部１１を有する下部磁極（上側磁気シールド層）７上に
スパッタ法などで記録磁気ギャップ１２を形成し、さら
に下部磁極７の凸型に位置整合させた凹部１４を有する
非磁性材料層１３を形成する。このとき凹部底面には記
録磁気ギャップ７１２が露出する構造である。
【００４５】次に、図３（ｂ）に示すごとく例えばスパ
ッタリング等の方法で非磁性材料層１３表面及び露出し
た記録磁気ギャップ１２に導電膜１９を形成する。導電
膜１９は凹部１４内の底面、側壁にも均一に成長させる
ため、なるべくステップカバレッジの良好なスパッタあ
るいはバイアススパッタなどの方法で作成することが望
ましい。
【００４６】次に、図３（ｃ）に示すごとく、この導電
膜１９をメッキ法を行うためのメッキ電極膜としメッキ
法により上部磁極材料層すなわち軟磁性層（上部磁極先
端部）１６を成長させる。
【００４７】その後、図３（ｄ）に示すごとく、ＣＭ
Ｐ、エッチバック等の方法により凹部１４内に埋め込ま
れた軟磁性層（上部磁極先端部）１６を残して軟磁性層
及び導電膜をエッチングし、非磁性材料層及び上部磁極
材料層とが略同一平面とする。
【００４８】引き続きコイル、コイルが埋め込まれた絶
縁膜等を作成し、さらに図３（ｅ）に示すごとく上部磁
極１５の上側を形成する。
【００４９】第一発明によれば、上部磁極を形成するた
めにメッキ電極膜を設けてメッキ法を行うため記録磁気
ギャップに導電材料を用いる必要がない。したがって磁
気ヘッドの磁気特性を損なうことがない。
【００５０】また、本発明によれば導電層であるメッキ
電極膜は、非磁性材料層及び露出した記録磁気ギャップ
表面の全面に亘って形成し、不要部分は後工程で除去す
ることができるので、ウエハ内に複数の磁気ヘッドを作
製する場合において、上部磁極先端部をメッキ法で埋め
込みする際、ウエハ全域に渡る広面積のメッキ電極膜を
形成する方法を使用することができる。その場合以下の
効果を得ることができ、量産性に優れる。
【００５１】すなわち、１．ウエハ内に複数の磁気ヘッ
ドを作製した場合であっても、膜厚、組成のばらつきの
少ない上部磁極先端部を形成できる。２．メッキ法を行
う際にメッキ電極膜が最外層であるため、電極として取
り出すことは容易である。３．メッキ電極膜の不要部分
は後工程で除去するため、メッキ電極膜のパターンをヘ
ッドパターンとは別にウエハ内に配置する必要が無く、
ウエハ内から取得できるヘッドの個数を減らすことがな
い。
【００５２】以下、第二発明を実施するための形態につ
いて説明する。
【００５３】第二発明を記録再生一体型磁気ヘッドの製
造に適用した際の製造工程について説明する。
【００５４】まず、第１発明の説明に記載したように、
基板の上にシールド型ＭＲヘッドを作製する。
【００５５】次にシールド型ＭＲヘッドからなる再生ヘ
ッド上に誘導型薄膜磁気ヘッドからなる記録ヘッドを作
製する。この誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を図４を
参照して説明する。
【００５６】図４は第二発明に係り、再生ヘッド上に形
成される誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す概略図
である。なお、図４においてシールド型ＭＲヘッドの構
造を一部省略した。
【００５７】まず、図４（ａ）に示すごとく、シールド
型ＭＲヘッド８において、凸型に形成した下部磁極先端
部１１を有する下部磁極（上側磁気シールド）７上にス
パッタ法などで記録磁気ギャップ１２を作製し、さらに
下部磁極７の凸型に位置整合させた凹部１４を具備した
非磁性材料層１３を形成する。このとき凹部底面には記
録磁気ギャップ１２が露出する構造である。その後コイ
ル、コイルが埋め込まれた絶縁膜等を形成する（図中省
略）。
【００５８】次に図４（ｂ）に示す様に、例えばスパッ
タリング等の方法で非磁性材料層３表面及び露出した記
録磁気ギャップ１２全体に導電膜１９を形成する。導電
膜１９は凹部１４内の底面、側壁にも均一に成長させる
ため、なるべくステップカバレッジの良好なスパッタ、
バイアススパッタなどの方法で作成することが望まし
い。
【００５９】次に図４（ｃ）に示す如くこの導電膜１９
をメッキ電極膜としメッキ法により上部磁極材料層すな
わち軟磁性層１６を成長させる。
【００６０】その後、図４（ｄ）に示す如く、ＣＭＰ、
エッチバック等の方法により軟磁性層１６及び導電膜１
９をエッチングして所望の形状を有する上部磁極１５と
する。
【００６１】第二発明によれば、上部磁極を形成するた
めにメッキ電極膜を設けてメッキ法を行うため記録磁気
ギャップに導電材料を用いる必要がない。したがって磁
気ヘッドの磁気特性を損なうことがない。
【００６２】また、導電層であるメッキ電極膜は、非磁
性材料層全面に亘って形成し、不要部分は後工程で除去
するため、ウエハ内に複数の磁気ヘッドを作製する場合
において、上部磁極先端部をメッキ法で埋め込みする
際、ウエハ全域に渡る広面積のメッキ電極膜を形成する
方法を使用することができる。したがって以下の効果を
得ることができ、量産性に優れる。
【００６３】すなわち、１．ウエハ内に複数の磁気ヘッ
ドを作製した場合であっても、膜厚、組成のばらつきの
少ない上部磁極先端部を形成できる。２．メッキ法を行
う際にメッキ電極膜が最外層であるため、電極として取
り出すことは容易である。３．メッキ電極膜の不要部分
は後工程で除去するため、メッキ電極膜のパターンをヘ
ッドパターンとは別にウエハ内に配置する必要が無く、
ウエハ内から取得できるヘッドの個数を減らすことがな
い。
【００６４】また、上部磁極を先端部、上部の２つに分
割して作成する必要がないので工程数も減り、プロセス
コストが安くできる。
【００６５】以下、第三発明を実施するための形態につ
いて説明する。
【００６６】第三発明の記録再生一体型磁気ヘッドの製
造に適用した際の製造工程について説明する。
【００６７】まず、第１発明の説明に記載したように、
基板の上にシールド型ＭＲヘッドを作製する。
【００６８】次にシールド型ＭＲヘッドからなる再生ヘ
ッド上に誘導型薄膜磁気ヘッドからなる記録ヘッドを作
製する。この誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を図５を
参照して説明する。
【００６９】図５は第三発明に係り、再生ヘッド上に形
成される誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す概略図
である。なお、図５においてシールド型ＭＲヘッドの構
造を一部省略した。
【００７０】まず、図５（ａ）に示すごとく、シールド
型ＭＲヘッドにおいて下部磁極７上に凸型に成形された
下部磁極先端部１１に記録磁気ギャップ１２及び導電層
１９が積層された凸部２０を作成する。その際、下から
下部磁極層、記録磁気ギャップとなる層、最外層に導電
層を積層してから凸部２０に加工する。
【００７１】次に、図５（ｂ）に示すように、この凸部
２０に位置整合させた凹部１４を具備した非磁性材料層
１３を下部磁極７上に形成する。このとき凹部１４底面
には導電層１９を露出させる。
【００７２】次に、図５（ｃ）に示すように、凹部１４
にこの導電層１９をメッキ電極膜とし軟磁性層（上部磁
極先端部）１６をメッキ法にて充填させる。
【００７３】図５（ｄ）に示すように、コイル、コイル
が埋め込まれた絶縁膜等を作成し（図示せず）、上部磁
極１５の上側を形成する。
【００７４】第三発明によれば、上部磁極を形成するた
めにメッキ電極膜を設けてメッキ法を行うため記録磁気
ギャップに導電材料を用いる必要がない。したがって磁
気ヘッドの磁気特性を損なうことがない。
【００７５】また、上部磁極先端部をメッキ法で形成す
る際に、凹部底面のメッキ電極膜に平行に成長するた
め、「す」が無く、凹部内の粒子の密度分布を均一にで
きる。また、凹部内の上部磁極先端部を２つの材料から
構成したい場合にも、記録ギャップに略平行な２層から
構成することが可能になる。
【００７６】以下第四発明を実施するための形態につい
て説明する。
【００７７】次に第四発明を記録再生一体型磁気ヘッド
に適用した際の製造工程について説明する。
【００７８】まず、第１発明の説明に記載したように、
基板の上にシールド型ＭＲヘッドを作製する。次にシー
ルド型ＭＲヘッドからなる再生ヘッド上に誘導型薄膜磁
気ヘッドからなる記録ヘッドを作製する。この誘導型薄
膜磁気ヘッドの製造工程を図１３、図１４、図１５、図
１６を用いて説明する。
【００７９】図１３、図１４、図１５、図１６は第四発
明に係り、再生ヘッド上に形成される誘導型薄膜磁気ヘ
ッドの製造工程を示す該略図である。なお、図１３、図
１４、図１５、図１６においてはシールド型ＭＲヘッド
の構造を一部省略した。
【００８０】まず、図１３（ａ）に示すごとく、シール
ド型ＭＲヘッド８において、凸型に形成した下部磁極先
端部１１を有する下部磁極（上側磁気シールド層）７上
にスパッタ法などで記録磁気ギャップ１２を形成し、さ
らに下部磁極７の凸型に位置整合させた凹部１４を有す
る非磁性材料層１３を形成する。このとき凹部底面には
記録磁気ギャップ７１２が露出する構造である。
【００８１】次に、図１３（ｂ）に示すごとく例えばス
パッタリング等の方法で非磁性材料層１３表面及び露出
した記録磁気ギャップ１２に導電膜１９を形成する。導
電膜１９は凹部１４内の底面、側壁にも均一に成長させ
るため、なるべくステップカバレッジの良好なスパッタ
あるいはバイアススパッタなどの方法で作成することが
望ましい。
【００８２】次に、図１３（ｃ）に示すごとく、この導
電膜１９をメッキ法を行うためのメッキ電極膜としメッ
キ法により上部磁極材料層すなわち軟磁性層（上部磁極
先端部）１６を成長させる。
【００８３】その後、図１３（ｄ）に示すごとく、ＣＭ
Ｐ、エッチバック等の方法により凹部１４内に埋め込ま
れた軟磁性層（上部磁極先端部）１６を残して軟磁性層
及び導電膜をエッチングし、非磁性材料層及び上部磁極
材料層とが略同一平面とする。
【００８４】以上の工程により上部磁極先端部１６と非
磁性層１３の上面は平坦化されほぼ同一平面となってい
る。ひきつづきコイル、コイルが埋め込まれた絶縁膜等
を作製する。
【００８５】さらに図１４（ｅ）に示すように平坦化さ
れた上部磁極先端部１６及び非磁性層１３の上部に、略
Ｒ形状、すなわち少なくとも側面の一部が湾曲した形状
を有する第２の凹部を持つ第２の非磁性層３０を作製す
る。
【００８６】その後図１４（ｆ）に示すように第２の凹
部に上部磁極１５の残部を埋め込む。
【００８７】第四発明により、媒体対向面上において上
部磁極１５の磁気ギャップ側の角を面取りして丸くした
形状とすることができる。これにより、上部磁極１５の
上部（補助磁極部）の磁気ギャップ面側の角部分から漏
洩する磁界強度を低減することができ、記録媒体への信
号書き込み時に隣接トラックへの書き込み、あるいは隣
接トラック上の情報を消去するといった問題点を解決す
ることができる。
【００８８】上記第四発明において前記第２の凹部を有
する第２の非磁性層３０及び上部磁極１５の残部を形成
するには以下の方法が挙げられる。
【００８９】まず、図１３（ａ）〜（ｄ）にて示される
工程を上記の通り行う。それにより上部磁極先端部１６
と非磁性層１３の上面は平坦化されほぼ同一平面となっ
ている。ひきつづきコイル、コイルが埋め込まれた絶縁
膜等を作製する。
【００９０】次に図１５（ａ）に示すように平坦化され
た上部磁極先端部１６及び非磁性層１３の上部にレジス
ト層３１をパターンニングする。このときレジスト層３
１の断面形状は、略Ｔ字形状とする。このような形状は
塗布後のレジストの表面処理や、レジストを２段に重ね
ることによって形成することができる。
【００９１】図１５（ｂ）に示すように前記レジスト層
３１及び非磁性層１３の上部に非磁性材料層３０をスパ
ッタリング等の方法で形成する。レジスト層３１が傘と
なり略Ｒ形状の非磁性材料の凹部が形成できる。
【００９２】次にレジスト層３１を剥離することによっ
て、レジスト層３１及びレジスト層３１上の非磁性材料
層３０が剥離され、残った非磁性材料層は、少なくとも
側面の一部が湾曲した形状を有する第２の凹部を持つ。
【００９３】さらに、上記第２の非磁性層３０上にレジ
スト層からなるフレーム３１を形成する。このフレーム
３１にメッキ等の手段によって上部磁極を形成すること
ができる。
【００９４】このように非磁性層をリフトオフすること
により第２の凹部を有する非磁性層を得ることができ
る。
【００９５】上記第四発明において前記第２の凹部を有
する第２の非磁性層３０及び上部磁極１５の残部を形成
する別の方法を以下に示す。
【００９６】まず、図１３（ａ）〜（ｄ）にて示される
工程を上記の通り行う。それにより上部磁極先端部１６
と非磁性層１３の上面は平坦化されほぼ同一平面となっ
ている。ひきつづきコイル、コイルが埋め込まれた絶縁
膜等を作製する。
【００９７】次に図１６（ａ）に示すように平坦化され
た上部磁極先端部１６及び非磁性層１３の上部に第２の
非磁性層３０をスパッタリングなどの方法で形成する。
【００９８】次に図１６（ｂ）に示すようにレジスト層
３１を形成しこれを露光、現像しパターンニングする。
【００９９】図１６（ｃ）に示すように次にＣＤＥ（Ch
emical Dry etching）、ＲＩＥやイオンミリング、ケ
ミカルエッチング等の方法を用いて、第２非磁性層３０
をエッチングし、略Ｒ形状の凹部を形成する。
【０１００】さらに、上記第２の非磁性層３０上にレジ
スト層からなるフレーム３１を形成する。このフレーム
３１にメッキ等の手段によって上部磁極を形成すること
ができる。
【０１０１】このように非磁性層をエッチングすること
により第２の凹部を有する非磁性層を得ることができ
る。
【０１０２】以下、第五発明を実施するための形態につ
いて説明する。
【０１０３】次に第五発明を記録再生一体型磁気ヘッド
に適用した際の製造工程について説明する。
【０１０４】まず、第１発明の説明に記載したように、
基板の上にシールド型ＭＲヘッドを作製する。次にシー
ルド型ＭＲヘッドからなる再生ヘッド上に誘導型薄膜磁
気ヘッドからなる記録ヘッドを作製する。この誘導型薄
膜磁気ヘッドの製造工程を図１７及び図１８を用いて説
明する。
【０１０５】図１７及び図１８は第５発明に係り、再生
ヘッド上に形成される誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程
を示す該略図である。なお、図１７、図１８においては
シールド型ＭＲヘッドの構造を一部省略した。
【０１０６】図１７（ａ）に示すごとく、シールド型Ｍ
Ｒヘッド８において、凸型に形成した下部磁極先端部１
１を有する下部磁極（上側磁気シールド）７上にスパッ
タ法などで記録磁気ギャップ１２を作製し、さらに下部
磁極７の凸型に位置整合させた凹部１４を具備した非磁
性材料層１３を形成する。このとき凹部底面には記録磁
気ギャップ１２が露出する構造である。その後コイル、
コイルが埋め込まれた絶縁膜等を形成する（図中省
略）。
【０１０７】次に図１７（ｂ）に示す様に、例えばスパ
ッタリング等の方法で非磁性材料層３表面及び露出した
記録磁気ギャップ１２全体に導電膜１９を形成する。導
電膜１９は凹部１４内の底面、側壁にも均一に成長させ
るため、なるべくステップカバレッジの良好なスパッ
タ、バイアススパッタなどの方法で作成することが望ま
しい。ひき続きコイル、コイルが埋め込まれた絶縁膜等
を作製する。
【０１０８】さらに図１８（ａ）に示すよう先端部近傍
に軟磁性層１６を凹部１４からあふれる形で形成し、次
に図１８（ｂ）に示すごとく上部磁極１５の残部を形成
する。
【０１０９】第五発明によれば分離形成する上部磁極の
形成を２度以上に分けておこなった場合、分離形成する
磁極の境界部分を凹部より外側に持ってくることが可能
となる。それにより時速の集中が少ない所に擬似ギャッ
プを持ってくることができることと、境界領域の断面積
を大きくすることができるために、磁気抵抗が小さくな
り、擬似ギャップからのもれ磁界を低減することができ
る。それにより記録特性に優れた磁気ヘッドを提供する
ことができる。
【０１１０】
【実施例】実施例１ 第一発明の実施例を示す。
【０１１１】記録再生一体型磁気ヘッドの製造工程につ
いて図６、図７を用いて説明する。なお、図７において
は再生ヘッド部分の図示を省略している。
【０１１２】まず、Ａ１２Ｏ３付きＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣ
基板等の上に、再生ヘッドであるシールド型ＭＲヘッド
を作製する。このシールド型ＭＲヘッドは、一般的なシ
ールド型ＭＲヘッドの製造工程に基づいて作製する。図
６（ａ）において１０１は図示を省略したＡｌ２Ｏ３・
ＴｉＣ基板などの上に形成された下側磁気シールド層で
ある。下側磁気シールド層１０１上には下側再生磁気ギ
ャップ１０２を介して、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）１０
３が形成されている。ＭＲ膜１０３の両端にはリード１
０４が形成されている。これらによってＭＲ素子部１０
５が構成されている。ＭＲ素子部１０５上には上側再生
磁気ギャップ１０６が形成されている。さらにその上に
は上側磁気シールド層１０７が形成されている。これら
によって再生ヘッドとして機能するシールド型ＭＲヘッ
ド１０８が構成されている。
【０１１３】シールド型ＭＲヘッド１０８からなる再生
ヘッド上には、誘導型薄膜磁気ヘッドを作製する。
【０１１４】まず、シールド型ＭＲヘッド１０８の上側
磁気シールド層を兼ねる下部磁極１０７の上面を、例え
ばエッチパックやポリッシング等により平坦化した後、
下部磁極１０７のギャップ対向部となる凸部１０９を形
成する（図６（ａ））。
【０１１５】次に、凸部１０９を有する下部磁極１０７
上に、例えば厚さ０．２μｍ程度のＡｌＯｘ膜等からな
る記録磁気ギャップ１１０を形成する。次いで、記録磁
気ギャップ１１０上にＳｉＯｘ層等からなる非磁性材料
層１１１を１．５μｍ程度形成する（図６（ｂ））。
【０１１６】次いで、上述した凸部１０９の形状に沿っ
て形成された非磁性材料層１１１上に、平坦化効果を有
する樹脂層１１２を形成すると共に、この樹脂層１１２
の表面を平坦化する（図６（ｃ））。
【０１１７】この平坦化効果を有する樹脂層１１２とし
ては、例えば低分子量の樹脂、例えばノボラック樹脂等
が用いられる。低分子量の樹脂は例えば４７３Ｋ程度の
加熱により流動化するため、コーティング後に加熱処理
を施すことによって、その表面を平坦化することができ
る。
【０１１８】次に、例えばフッ素系の反応性ガスを用い
たＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）等
のエッチングを行う。この時のエッチング条件は、樹脂
層１１２より、非磁性材料層１１１のエッチングレート
が大きくなるように設定し、凸部１０９上の非磁性材料
層１１１を選択的にエッチング除去して凹部１１３を形
成することができる。また、エッチング条件を、非磁性
材料層１１１を構成するＳｉＯｘ等に対して選択性を有
し、ＡｌＯｘ，Ｓｉ，ＳｉＮｘ等からなる記録磁気ギャ
ップ１１０に対するエッチング速度が遅くなるように設
定することによって、記録磁気ギャップ１１０がエッチ
ングストッパー層として機能するため、狭ギャップ構造
も容易である（図６（ｃ））。
【０１１９】以上の工程により凸部１０９を有する下部
磁極１０７と、下部磁極上１０７に設けられた磁気ギャ
ップ１１０と、磁気ギャップ１１０上に設けられ凸部１
０９に位置整合させた凹部１１３を有し凹部１１３底面
には磁気ギャップ層１１０が露出する構造の非磁性材料
層１１１とを備えた積層体が形成された。
【０１２０】次に、図７（ｄ）に示すように樹脂層１１
２を除去後、凹部１１３を具備した非磁性材料層表面１
１１に沿って、例えばＮｉＦｅ等からなる約１００ｎｍ
のメッキ電極膜１１４を形成する。形成方法としては、
凹部底面、側壁にも均一に成長する、ステップカバレッ
ジの良好なスパッタリングが望ましい（図７（ｄ））。
【０１２１】次に、メッキ法により、メッキ電極膜上に
軟磁性材料層１１５を成長させる。この時に軟磁性材料
層は凹部１１３内にも、埋込形成される（図７
（ｅ））。
【０１２２】次に、ＣＭＰ、エッチバック等の方法によ
り、凹部１２１３内に埋め込まれた軟磁性材料以外はエ
ッチングし平坦化する。これにより、軟磁性材料からな
る上部磁極先端部１１６が形成する（図７（ｆ））。
【０１２３】ついで、上部磁極先端部１１６後方の非磁
性材料層１１１上にＣｕ等からなるコイルが埋め込まれ
たポリイミド樹脂等の絶縁層を形成する（図省略）。こ
の後、上部磁極の残部を形成する軟磁性材料を成膜し、
イオンミリングにより加工し、上部磁極の残部１１７を
形成する。さらに、図示を省略したＡ１Ｏｘ等からなる
保護層を形成することによって、記録再生一体型ヘッド
の主要部が完成する（図７（ｇ））。
【０１２４】実施例２ 第二発明の実施例を示す。
【０１２５】記録再生一体型磁気ヘッドの製造工程につ
いて図６及び図８を用いて説明する。なお、図８におい
ては再生ヘッド部分の図示を省略している。
【０１２６】まず、実施例１と同様に、基板上にシール
ド型ＭＲヘッドからなる再生ヘッドを作製する。さらに
その上に誘導型薄膜磁気ヘッドからなる記録ヘッドを作
製する。誘導型薄膜磁気ヘッドからなる記録ヘッドを作
製する際は、図６（ａ）から図６（ｃ）で示される工程
までは実施例１と同様に行った。
【０１２７】以上の工程により凸部１０９を有する下部
磁極１０７と、下部磁極上１０７に設けられた磁気ギャ
ップ１１０と、磁気ギャップ１１０上に設けられ凸部１
０９に位置整合させた凹部１１３を有し凹部１１３底面
には磁気ギャップ層１１０が露出する構造の非磁性材料
層１１１とを備えた積層体が形成された。
【０１２８】図６（ｃ）に示される工程の後、凹部１１
３後方の非磁性材料層１１１上にＣｕ等からなるコイル
が埋め込まれたポリイミド樹脂等の絶縁層を形成する
（図省略）。
【０１２９】以下の工程は図８を参照して説明する。
【０１３０】次に、非磁性材料層１１１に形成された凹
部１１３に沿って、例えばＮｉＦｅ等からなる約１００
ｎｍのメッキ電極膜１１４を形成する。形成方法として
は、凹部底面、側壁にも均一に成長する、ステップカバ
レッジの良好なスパッタリングが望ましい（図８
（ｄ））。
【０１３１】次に、メッキ法により、メッキ電極膜１１
４上に軟磁性材料層１１５を成長させる。この時に凹部
１１３内にも、軟磁性材料層１１４が埋込形成される
（図１９（ｅ））。
【０１３２】この後、イオンミリングにより、軟磁性材
料層１１５を所望の上部磁極形状に加工する。上部磁極
は、メッキ電極膜１１４とメッキ法で形成された軟磁性
材料層１１５の２部分から構成される。さらに、図示を
省略したＡ１Ｏｘ等からなる保護層を形成することによ
って、記録再生一体型ヘッドの主要部が完成する（図８
（ｆ））。
【０１３３】実施例３ 第三発明の実施例を示す。
【０１３４】記録再生一体型磁気ヘッドの製造工程につ
いて図９、図１０、図１１を用いて説明する。（なお、
図９、図１０、図１１においては再生ヘッド部分の図示
を省略している）。
【０１３５】まず、実施例１と同様に、基板上にシール
ド型ＭＲヘッドからなる再生ヘッドを作製し、さらにそ
の上に誘導型薄膜磁気ヘッドからなる記録ヘッドを作製
する。この誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を図９、図
１０、図１１を参照して説明する。
【０１３６】図９においてまず、シールド型ＭＲヘッド
の上側磁気シールド層を兼ねる下部磁極１０７の上面
を、例えばエッチバックやポリッシング等により平坦化
した後、記録磁気ギャップ１１０となる、例えば厚さ
０．２μｍ程度のＳｉＯｘ膜等を成膜し、その上に、メ
ッキ電極膜１１４となる、例えばＴｉ／ＮｉＦｅ膜等を
成膜する（図９（ａ））。
【０１３７】その後、記録トラック幅に相当する幅を有
する凸部１１８を形成する。この凸部１１８は上から、
メッキ電極膜１１４、記録磁気ギャップ１１２、下部磁
極１１０７の一部からなる。この凸部１１８の形成工程
には、通常のＰＥＰ（Ｐｈｏｔｏ Ｅｎｇｒａｖｅｍｅ
ｎｔ Ｐｒｏｃｅｓｓ）技術、及びイオンミリングが用
いられる（図９（ｂ））。
【０１３８】以上の工程により凸部を有する下部磁極１
０７と、凸部先端に設けられた磁気ギャップ１１２と、
磁気ギャップ１１２上に設けられたメッキ電極膜１１４
を備えた積層体が形成される。
【０１３９】続いて、凸部１１８上にＳｉＯｘ層等から
なる非磁性材料層１０７を１．５μｍ程度形成する（図
９（ｃ））。
【０１４０】次いで、上述した凸部１１８の形状に沿っ
て形成された非磁性材料層１１１上、平坦化効果を有す
る樹脂層１１２を形成すると共に、この樹脂層１１２の
表面を平坦化する（図１０（ｄ））。
【０１４１】この平坦化効果を有する樹脂層１１２とし
ては、例えば低分子量の樹脂、例えばノボラック樹脂等
が用いられる。低分子量の樹脂は例えば４７３Ｋ程度の
加熱により流動化するため、コーティング後に加熱処理
を施すことによって、その表面を平坦化することができ
る。
【０１４２】次に、例えばフッ素系の反応性ガスを用い
たＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎ
ｇ）等のエッチングを行う。この時のエッチング条件
は、樹脂層１１２より、非磁性材料層１１１のエッチン
グレートが大きくなるように設定し、凸部１１８上の非
磁性材料層１１１を選択的にエッチング除去して凹部１
１３を形成することができる。また、エッチング条件
を、非磁性材料層１１１を構成するＳｉＯｘ等に対して
選択性を有し、金属からなるメッキ電極膜１１４に対す
るエッチング速度が遅くなるように設定することによっ
て、メッキ電極膜１１４がエッチングストッパー層とし
て機能するため、狭ギャップ構造も容易である（図１０
（ｅ））。
【０１４３】以上の工程により凸部１１８に位置整合さ
せた凹部１１３を有し凹部底面１１３にはメッキ電極膜
１１４が露出する構造の非磁性材料層が下部磁極１０７
上に形成される。
【０１４４】次に、メッキ法により、メッキ電極膜上に
軟磁性材料層１１５を成長させる。その前に、メッキ中
の場所による電流分布を小さくするため、フレームメッ
キ法と類似した形態になるよう、凹部１１３から約１０
μｍ離れたところにも、メッキ電極膜となる導電層１１
９を形成する。この形成方法は、凹部を損傷しないため
にもリフトオフ法で形成することが望ましい。続いて、
メッキ電極膜１１４，１１９の上に軟磁性材料層を成長
させる。凹部１１３内には、メッキ電極膜１１５が埋込
形成される（図１０（ｆ））。
【０１４５】次いで、メッキ電極膜１１９の上に成長さ
せた軟磁性材料層は不要なため、メッキ電極膜１１９を
含め除去する。このときレジストマスクを用いて、ケミ
カルエッチングで行う（図１０（ｇ））。
【０１４６】次に、ＣＭＰ、エッチバック等の方法によ
り、凹部内に埋め込まれた軟磁性材料層１１５以外はを
エッチングし、平坦化する。メッキ電極膜１１４と軟磁
性材料層１１５から上部磁極先端部は構成される。メッ
キ層を薄くすることにより、凹部１１３内から溢れさせ
ることなく軟磁性材料層を成長させれば、平坦化の工程
は省いても良い（図１１（ｈ））。
【０１４７】次いで、上部磁極先端部１１６後方の非磁
性材料層１１１上にＣｕ等からなるコイルが埋め込まれ
たポリイミド樹脂等の絶縁層を形成する（図省略）。こ
の後、上部磁極上部半体１１７を形成する軟磁性材料を
成膜し、イオンミリングにより加工し、上部磁極上部半
体１１７を形成する（図１１（ｉ））。
【０１４８】さらに、図示を省略したＡｌＯｘ等からな
る保護層を形成することによって、記録再生一体型ヘッ
ドの主要部が完成する。
【０１４９】実施例４ 第三発明の実施例を示す。
【０１５０】記録再生一体型磁気ヘッドの製造工程につ
いて図９、図１０、図１２を用いて説明する。まず、実
施例１と同様に、基板上にシールド型ＭＲヘッドからな
る再生ヘッドを作製し、さらにその上に誘導型薄膜磁気
ヘッドからなる記録ヘッドを作製する。この誘導型薄膜
磁気ヘッドの製造工程を図９、図１０、図１２を用いて
説明する。
【０１５１】このとき図９（ａ）から図１０（ｅ）で示
される工程までは実施例３と同様に行った。（図１２
（ａ）。
【０１５２】次に、メッキ法により、メッキ電極膜１１
４上に軟磁性材料層Ａ１２０を約０．３μｍ程度成長さ
せる。続いてメッキ法により、軟磁性材料Ｂ１２１を約
０．５μｍ程度成長させる。軟磁性材料Ａ，Ｂの飽和磁
束密度ＢｓはＡ＞Ｂの関係になっていることがヘッド特
性上望ましい。このＡ，Ｂの２層とメッキ電極膜１１４
で上部磁極先端部は構成される。この際、非磁性材料層
１１１上に、メッキ電極膜となる導電層１１９を配置
し、メッキの組成の安定化を図る方法をとる（図１２
（ｂ））。
【０１５３】次いで、メッキ電極膜１１９上に成長させ
た軟磁性材料層をメッキ電極膜１１９を含め、ケミカル
エッチングで除去する（図１２（ｃ））。
【０１５４】次いで、上部磁極先端部後方の非磁性材料
層１１１上にＣｕ等からなるコイルが埋め込まれたポリ
イミド樹脂等の絶縁層を形成する（図省略）。この後、
上部磁極上部半体１１７を形成する軟磁性材料を成膜
し、イオンミリングにより加工し、上部磁極上部半体１
１７を形成する。さらに、図示を省略したＡｌＯｘ等か
らなる保護層を形成することによって、記録再生一体型
ヘッドの主要部が完成する（図１２（ｄ））。
【０１５５】
【発明の効果】以上詳述した如く狭トラック化を達成す
るヘッド構造である、下部記録磁極の上部を予め凸部形
状に加工し、この凸部上に形成された非磁性材料層の凹
部内に上部磁極を埋込み形成する記録再生一体型磁気ヘ
ッドを作成する際に、メッキ法により埋め込み特性良く
上部磁極を形成でき、また、磁気特性にも優れた磁気ヘ
ッドを得ることができる。
【０１５６】本発明の課題は、狭トラック化および線記
録密度の高密度化を達成するヘッド構造である、下部記
録磁極の上部を予め凸部形状に加工し、この凸部上に形
成された非磁性材料層の凹部内に上部磁極を埋込み形成
する記録再生一体型磁気ヘッドを作成する際に、メッキ
法により埋め込み特性良く上部磁極を形成でき、また、
磁気特性にも優れた磁気ヘッドを得ることのできる磁気
ヘッドの製造方法を提供することにある。
【０１５７】また、本発明によれば狭トラック化に対応
して上部磁極先端部の幅のみを狭くした場合、上部磁極
の上部（補助磁極部）の磁気ギャップ面側の角部分から
漏洩する磁界強度を低減し、記録媒体への信号書き込み
時に隣接トラックへの書き込み、あるいは隣接トラック
上の情報を消去するといった問題点を解決することがで
きる。
【０１５８】また、本発明によれば磁極の形成を２度以
上に分けておこなった場合、各層の境界にできる擬似キ
ャップからのもれ磁界を低減することができ、記録特性
に優れた磁気ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第一発明〜第三発明に係る記録再生一体型磁
気ヘッドの構成を媒体対向面からみた断面図。
【図２】 図１に示す記録再生一体型磁気ヘッドの媒体
対向面に直角方向の縦断面図。
【図３】 第一発明に係り、再生ヘッド上に形成される
誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す概略図。
【図４】 第二発明に係り、再生ヘッド上に形成される
誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す概略図。
【図５】 第三発明に係り、再生ヘッド上に形成される
誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す概略図。
【図６】 実施例１、実施例２の記録再生一体型磁気ヘ
ッドの製造工程を示す概略図。
【図７】 実施例１の記録再生一体型磁気ヘッドの製造
工程を示す概略図。
【図８】 実施例２の記録再生一体型磁気ヘッドの製造
工程を示す概略図。
【図９】 実施例３、実施例４の記録再生一体型磁気ヘ
ッドの製造工程を示す概略図。
【図１０】 実施例３、実施例４の記録再生一体型磁気
ヘッドの製造工程を示す概略図。
【図１１】 実施例３の記録再生一体型磁気ヘッドの製
造工程を示す概略図。
【図１２】 実施例４の記録再生一体型磁気ヘッドの製
造工程を示す概略図。
【図１３】 第四発明に係り、再生ヘッド上に形成され
る誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す概略図。
【図１４】 第四発明に係り、再生ヘッド上に形成され
る誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す概略図。
【図１５】 第四発明に係り、再生ヘッド上に形成され
る誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す概略図。
【図１６】 第四発明に係り、再生ヘッド上に形成され
る誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す概略図。
【図１７】 第五発明に係り、再生ヘッド上に形成され
る誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す概略図。
【図１８】 第五発明に係り、再生ヘッド上に形成され
る誘導型薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す概略図。
【図１９】 記録・再生一体型薄膜磁気ヘッドの構成を
媒体対向面から見た断面図。
【符号の説明】
１…下側磁気シールド層 ２…下側再生磁気ギャップ ３…磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜） ４…リード ５…ＭＲ素子部 ６…上側再生磁気ギャップ ７…上側磁気シールド層（下部磁極） ８…シールド型ＭＲヘッド ９…誘導型薄膜磁気ヘッド １０…記録再生一体型磁気ヘッド １１…下部磁極先端部（凸部） １２…記録磁気ギャップ １３…非磁性材料層 １４…凹部 １５…上部磁極 １６…上部磁極先端部 １７…絶縁層 １８…コイル １９…導電膜（メッキ電極膜） ２０…凸部 ３０…第２の非磁性層（非磁性材料層） ３１…レジスト層（フレーム） １０１…下側磁気シールド層 １０２…下側再生磁気ギャップ １０３…磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜） １０４…リード １０５…ＭＲ素子部 １０６…上側再生磁気ギャップ １０７…上側磁気シールド層（下部磁極） １０８…シールド型ＭＲヘッド １０９…凸部 １１０…記録磁気ギャップ １１１…非磁性材料層 １１２…樹脂層 １１３…凹部 １１４…メッキ電極膜 １１５…軟磁性材料層 １１６…上部磁極先端部 １１７…上部磁極の残部 １１８…凸部 １１９…導電層 １２０…軟磁性材料層Ａ １２１…軟磁性材料層Ｂ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小泉 隆 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内 (72)発明者 永田 友彦 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内 (72)発明者 與田 博明 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内 Ｆターム(参考） 5D033 BA07 BA12 CA02 DA04 DA31

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下部磁極と、下部磁極と磁気ギャップを
    介して対向配置された上部磁極とを有する磁気ヘッドを
    製造するにあたり、凸部を有する下部磁極と、下部磁極
    表面に設けられた磁気ギャップと、磁気ギャップ表面に
    設けられ前記凸部に位置整合させた凹部を有し前記凹部
    底面には磁気ギャップが露出する構造の非磁性材料層と
    を備えた積層体を形成する工程と、非磁性材料層及び露
    出した磁気ギャップ表面にメッキ電極膜を形成する工程
    と、前記メッキ電極膜表面にメッキ法により上部磁極材
    料層を形成する工程と、メッキ電極膜及び上部磁極材料
    層をエッチングし非磁性材料層及び上部磁極材料層とが
    略同一平面とする工程と、上部磁極の残部を形成する工
    程とを具備することを特徴とする磁気ヘッドの製造方
    法。
  2. 【請求項２】 下部磁極と、下部磁極と磁気ギャップを
    介して対向配置された上部磁極とを有する磁気ヘッドを
    製造するにあたり、凸部を有する下部磁極と、下部磁極
    表面に設けられた磁気ギャップと、磁気ギャップ表面に
    設けられ前記凸部に位置整合させた凹部を有し前記凹部
    底面には磁気ギャップが露出する構造の非磁性材料層と
    を備えた積層体を形成する工程と、非磁性材料層及び露
    出した磁気ギャップ表面にメッキ電極膜を形成する工程
    と、前記メッキ電極表面にメッキ法により上部磁極材料
    層を形成する工程と、メッキ電極膜及び上部磁極材料層
    をエッチングし所望形状の上部磁極を形成する工程とを
    具備することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項３】 下部磁極と、下部磁極と磁気ギャップを
    介して対向配置された上部磁極とを有する磁気ヘッドを
    製造するにあたり、凸部を有する下部磁極と、前記凸部
    先端に設けられた磁気ギャップと、磁気ギャップ表面に
    設けられたメッキ電極膜を備えた積層体を形成する工程
    と、前記凸部に位置整合させた凹部を有し前記凹部底面
    にはメッキ電極膜が露出する構造の非磁性材料層を下部
    磁極表面に形成する工程と、前記凹部にメッキ法により
    上部磁極材料を充填する工程と、上部磁極の残部を形成
    する工程とを具備することを特徴とする磁気ヘッドの製
    造方法。
  4. 【請求項４】 下部磁極と、下部磁極と磁気ギャップを
    介して対向配置された上部磁極とを有する磁気ヘッドを
    製造するにあたり、凸部を有する下部磁極と、下部磁極
    表面に設けられた磁気ギャップと、磁気ギャップ表面に
    設けられ前記凸部に位置整合させた第１の凹部を有する
    第１の非磁性材料層とを備えた積層体を形成する工程
    と、前記第１の非磁性材料層の第１の凹部内に上部磁極
    材料層を形成する工程と、第１の非磁性材料層及び上部
    磁極材料層とが略同一平面とする工程と、前記略同一平
    面上に、少なくとも側面の一部が湾曲した形状を有する
    第２の凹部を有する第２の非磁性材料層を形成する工程
    と、前記第２の凹部内に上部磁極残部を形成する工程を
    具備することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
  5. 【請求項５】 磁気ギャップと、磁気ギャップを介して
    対向配置された一対の磁極とを具備し、前記一対の磁極
    の少なくとも一方が、前記磁気ギャップと接する位置に
    配置された磁極先端部と、前記磁極先端部より幅広の補
    助磁極とを有し、磁極の形成を２段階以上分けて行う磁
    気ヘッドにおいて、磁極先端部と、補助磁極の磁気ギャ
    ップ側の少なくとも一部分が連続して形成されているこ
    とを特徴とする磁気ヘッド。
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