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JP2000208913A - Manufacture of printed wiring board - Google Patents

Manufacture of printed wiring board

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Publication number
JP2000208913A
JP2000208913A JP11010648A JP1064899A JP2000208913A JP 2000208913 A JP2000208913 A JP 2000208913A JP 11010648 A JP11010648 A JP 11010648A JP 1064899 A JP1064899 A JP 1064899A JP 2000208913 A JP2000208913 A JP 2000208913A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
solder
wiring board
printed wiring
solder resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11010648A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4226125B2 (en
Inventor
Yoshinori Wakihara
義徳 脇原
Toshihiko Yokomaku
俊彦 横幕
Kenji Shimizu
賢治 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP01064899A priority Critical patent/JP4226125B2/en
Publication of JP2000208913A publication Critical patent/JP2000208913A/en
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Publication of JP4226125B2 publication Critical patent/JP4226125B2/en
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  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a printed wiring board, wherein an IC chip and a printed wiring board are surely joined, while a positioning mark is printed clearly. SOLUTION: After the formation of solder bumps 76U and 76D, the contamination on the surface of them and an oxide film layer on the surface of a solder resist layer 70 are removed by plasma for enhanced wettability of the solder resist layer. Thus, an underfill is connected firmly to a multilayer printed wiring board 10, and a target mark is printed clearly.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半田バンプを介
して集積回路チップを載置するパッケージ基板等を形成
するプリント配線板の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board for forming a package substrate or the like on which an integrated circuit chip is mounted via solder bumps.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般にプリント配線基板の表層は、IC
チップ等を実装するために、半田バンプ等を形成し、こ
れら半田バンプが互い融着しないようにソルダーレジス
ト層を設けてある。具体的には、導体回路からなる半田
パッドの上にソルダーレジスト層を設け、この開口にニ
ッケルめっき層、金めっき層を設けた後、半田ペースト
等を印刷、リフローして半田バンプを形成する。その
後、ターゲットマークを印刷する。そして、該ターゲッ
トマークを基準に位置決めし、半田バンプを介してIC
チップを取りつけた後、該半田バンプとICチップとの
接続信頼性を高めるために、ICチップとプリント配線
板との間にアンダーフィル(封止用樹脂)を充填する。ま
た、現在、導体回路上に上述したニッケルめっき層及び
金めっき層を介さずに、半田ペーストを直接印刷して半
田バンプを形成する方法も採用されている
2. Description of the Related Art Generally, the surface layer of a printed wiring board is an IC.
In order to mount chips and the like, solder bumps and the like are formed, and a solder resist layer is provided so that these solder bumps do not fuse with each other. Specifically, a solder resist layer is provided on a solder pad made of a conductor circuit, a nickel plating layer and a gold plating layer are provided in the opening, and a solder paste or the like is printed and reflowed to form a solder bump. After that, the target mark is printed. Then, positioning is performed with reference to the target mark, and the IC
After mounting the chip, an underfill (resin for sealing) is filled between the IC chip and the printed wiring board in order to increase the connection reliability between the solder bump and the IC chip. Currently, a method is also employed in which a solder paste is directly printed on a conductor circuit without passing through the above-described nickel plating layer and gold plating layer to form a solder bump.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ここで、該プリント配
線板にICチップを取り付ける際に、ICチップ側の半
田バンプをICチップ側の半田パッドへ接合できていな
い実装不良が発生することがあった。
Here, when an IC chip is attached to the printed wiring board, a mounting failure may occur in which the solder bumps on the IC chip cannot be joined to the solder pads on the IC chip. Was.

【0004】また、ICチップとプリント配線板との接
合信頼性を長期に渡り保つためには、実装時にアンダー
フィルとソルダーレジスト層との密着性を高める必要が
ある。即ち、アンダーフィルとソルダーレジスト層との
密着性が低いと、両者の界面から水分が侵入し、半田バ
ンプからの半田マイグレーション(鉛イオンがソルダー
レジスト層内を拡散する現象)が発生し、半田バンプ相
互の短絡が生じる。また、動作中の高温時に膨脹し、半
田バンプおよびICの接合部へ応力を加わえ、亀裂、破
壊を生じさせて断線を引き起こすことがある。しかしな
がら、ソルダーレジスト層の表面は、高温に晒される半
田バンプ形成工程にて、酸化膜層が形成され、濡れ性が
低下しているため、充分な密着力を得ることができなか
った。
In order to maintain the bonding reliability between the IC chip and the printed wiring board for a long period of time, it is necessary to increase the adhesion between the underfill and the solder resist layer during mounting. That is, if the adhesiveness between the underfill and the solder resist layer is low, moisture infiltrates from the interface between the two and solder migration from solder bumps (a phenomenon in which lead ions diffuse in the solder resist layer) occurs. Mutual short circuits occur. In addition, it expands at a high temperature during operation, and applies stress to the solder bump and the junction of the IC, which may cause cracking and destruction to cause disconnection. However, the surface of the solder resist layer was formed with an oxide film layer in a solder bump forming step exposed to a high temperature, and the wettability was reduced, so that sufficient adhesion could not be obtained.

【0005】更に、ソルダーレジストの表面は濡れ性が
低いため、ターゲットマーク等の位置決めマークを鮮明
に印刷することができなかった。このため、該ターゲッ
トマークを光学的に正確に検出することができなくな
り、ICチップの載置が適正に行えない等の後工程での
課題が発生していた。
Further, since the surface of the solder resist has low wettability, it has not been possible to clearly print a positioning mark such as a target mark. For this reason, the target mark cannot be optically detected accurately, and there has been a problem in a subsequent process such as an inability to properly mount the IC chip.

【0006】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その主たる目的は、ICチップと
プリント配線板との接合を確実にでき、また、位置決め
マークを鮮明に印刷し得るプリント配線板の製造方法を
提案することにある、
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and its main objects are to ensure that an IC chip and a printed wiring board can be bonded and that a positioning mark can be printed clearly. In proposing a method for manufacturing a printed wiring board,

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
半田バンプの接続信頼性の低下の原因を検討した結果、
プリント配線板側の半田バンプの表面の汚染により、半
田バンプの溶融した金属ボール、および、該金属ボール
表面のフラックスの濡れ性が低下し、接続信頼性が低下
しているとの結論を得た。ここで、該半田バンプ表面の
汚染は、半田バンプ形成後に、短絡・断線を確認するチ
ェッカー工程において、金属製検査プローブを押し当て
た際に油脂分が付着するものと考えられる。そして、該
汚染により、半田バンプにより、半田バンプ表面の濡れ
性が悪くなり、ICチップ側の金属ボール、および、フ
ラックスがはじかれてしまい、実装不良を起こしている
と知見した。
The inventors of the present invention have studied the causes of the decrease in the connection reliability of the solder bumps as described above.
It was concluded that the contamination of the surface of the solder bump on the printed wiring board side reduced the wettability of the molten metal ball of the solder bump, and the flux on the surface of the metal ball, and reduced the connection reliability. . Here, it is considered that the contamination of the surface of the solder bumps is caused by the adhesion of grease when the metal inspection probe is pressed in the checker process for checking short-circuit and disconnection after the formation of the solder bumps. Then, the inventors found that the solder bumps deteriorated the wettability of the surface of the solder bumps due to the contamination, repelled the metal balls and the flux on the IC chip side, and caused defective mounting.

【0008】上述のように金属ボールを保護するアンダ
ーフィルとソルダーレジストとの密着性を向上させる必
要があるが、半田バンプの形成時およびその後に、ソル
ダーレジストの表面は、酸化層が形成され、接触角度が
大きくなり、濡れ性を悪くし、これが密着性を下げる原
因となっていた。
As described above, it is necessary to improve the adhesion between the underfill that protects the metal balls and the solder resist. However, during and after the formation of the solder bump, an oxide layer is formed on the surface of the solder resist. The contact angle increases and the wettability deteriorates, which causes the adhesion to decrease.

【0009】そこで、酸処理によりソルダーレジスト表
面の酸化膜層を溶解させる、あるいは、研磨機などによ
って酸化膜層を除去させることにより、接触角度を変
え、樹脂などとの濡れ性を向上させる方法も考え得る。
しかし、酸処理により酸化膜層に溶解させたとしても、
均一に酸化膜層を除去することはできない。また、研磨
機等により物理的に酸化膜層を除去させると、ソルダー
レジスト層が剥離することがあり、現実的ではない。
Therefore, a method of dissolving the oxide film layer on the surface of the solder resist by an acid treatment or removing the oxide film layer by a polishing machine or the like to change the contact angle and improve the wettability with a resin or the like is also proposed. I can think.
However, even if dissolved in the oxide film layer by acid treatment,
The oxide film layer cannot be removed uniformly. Also, if the oxide film layer is physically removed by a polishing machine or the like, the solder resist layer may be peeled off, which is not practical.

【0010】本発明者らは、半田バンプ表面の汚染、お
よび、ソルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去し、か
つ、除去時にソルダーレジスト層、および、半田バンプ
が耐えられる方法を模索した結果、半田バンプ形成後
に、プラズマにより半田バンプ表面の汚染、および、ソ
ルダーレジスト層表面の酸化膜層を除去する、また、ソ
ルダーレジスト層の酸化膜層を除去、かつ、半田バンプ
の汚染を確実に除去でき、更に、ソルダーレジスト層の
濡れ性を高め鮮明に位置決めマークを印刷できる方法の
本発明に至った。すなわち、発明の要旨構成は、以下の
ようである。
The present inventors have sought to remove contamination on the surface of the solder bump and the oxide film layer on the surface of the solder resist layer, and to find a method that can withstand the solder resist layer and the solder bump at the time of removal. After forming the solder bump, the plasma can remove the contamination of the solder bump surface and the oxide film layer on the surface of the solder resist layer by plasma, and also remove the oxide film layer of the solder resist layer and reliably remove the contamination of the solder bump. Further, the present invention has a method of increasing the wettability of a solder resist layer and printing a positioning mark clearly. That is, the gist configuration of the invention is as follows.

【0011】ソルダーレジスト層を形成し、その開口部
に半田バンプを形成させた後、気体プラズマによるソル
ダーレジスト層の表面処理を施す。その処理方法は、半
田バンプ形成したプリント配線板を真空状態にした装置
内に入れ、酸素、あるいは、窒素、炭酸ガス、四フッカ
炭素のプラズマを放出させて、開口部の半田バンプ表面
の汚染、および、ソルダーレジスト層表面の酸化膜層を
除去させた。
After a solder resist layer is formed and a solder bump is formed in the opening, a surface treatment of the solder resist layer by gas plasma is performed. The processing method is that the printed wiring board on which the solder bumps are formed is placed in an apparatus in a vacuum state, and oxygen, or nitrogen, carbon dioxide, or plasma of four-hooker carbon is released, thereby contaminating the solder bump surface of the opening, Further, the oxide film layer on the surface of the solder resist layer was removed.

【0012】プラズマ処理によって半田バンプの汚染を
除去し、実装不良を低減させる最適条件は、プラズマ放
出量は、500〜1000W、気体供給量は、100〜
500sec./M、処理時間は、1〜15分で行うの
がよい。また、プラズマ処理により、ソルダーレジスト
層表面の酸化膜層を除去することによって、ソルダーレ
ジスト層表面の酸化膜層を除去することにより、ソルダ
ーレジスト層、および、半田バンプを損傷させることな
く、アンダーフィルとの密着性を向上させることができ
る。更に、ソルダーレジスト層の濡れ性を高め鮮明に位
置決めマークを印刷できる。
The optimum conditions for removing the contamination of the solder bumps by the plasma treatment and reducing the defective mounting are as follows: the plasma emission amount is 500 to 1000 W, and the gas supply amount is 100 to 1000 W.
500 sec. / M, the processing time is preferably 1 to 15 minutes. In addition, by removing the oxide film layer on the surface of the solder resist layer by plasma treatment, and removing the oxide film layer on the surface of the solder resist layer, the underfill without damaging the solder resist layer and the solder bumps. And the adhesiveness with the adhesive can be improved. Further, it is possible to enhance the wettability of the solder resist layer and print the positioning mark clearly.

【0013】ここで、処理時間が1分以下の場合には、
半田バンプの汚れを十分に除去できず、また、ソルダー
レジスト層の粗化による接触角度の低下を行い得ない。
他方、15分を超えると、半田バンプの表面に酸化が発
生して、むしろ接続信頼性が低下する。このため、処理
時間は上述したように1〜15分がよい。
Here, when the processing time is 1 minute or less,
The dirt on the solder bumps cannot be sufficiently removed, and the contact angle cannot be reduced due to the roughening of the solder resist layer.
On the other hand, if the time exceeds 15 minutes, oxidation occurs on the surface of the solder bump, and the connection reliability is rather lowered. Therefore, the processing time is preferably 1 to 15 minutes as described above.

【0014】接触角度は、ソルダーレジスト層表面に水
滴を一滴垂らし、その水滴の接触角度を測定した。ソル
ダーレジスト層の接触角度は40°以下が望ましい。接
触角度が40°を越えると、濡れ性が低下してしまうた
め、アンダ−フィルとソルダーレジストとの密着が低下
し、高温高湿条件での信頼性試験を行うとアンダ−フィ
ルとソルダーレジストとの界面から、水が侵入しやすく
なり、半田バンプの破壊が早期に始まる。他方、ソルダ
ーレジスト層に上述した半田バンプの表面に酸化を生じ
せしめない範囲でプラズマ処理を行っても接触角度を8
度未満にすることは困難である。このため、接触角度は
8〜40°の範囲であることが望ましい。
The contact angle was determined by dropping a single water droplet on the surface of the solder resist layer and measuring the contact angle of the water droplet. The contact angle of the solder resist layer is desirably 40 ° or less. If the contact angle exceeds 40 °, the wettability will be reduced, and the adhesion between the underfill and the solder resist will be reduced. Water easily penetrates from the interface, and the destruction of solder bumps starts early. On the other hand, even if plasma treatment is performed on the solder resist layer within a range that does not cause oxidation of the surface of the above-mentioned solder bump, the contact angle becomes 8 °.
It is difficult to make it below the degree. For this reason, the contact angle is desirably in the range of 8 to 40 °.

【0015】AFM測定で測定を行った結果、ソルダー
レジスト表面の最大高さ(Rj).1〜100nmの範
囲であることが望ましいことが判明した。即ち、最大高
さ(Rj)が0.1nm未満のときには、接触角度が4
0°を越え、前述の問題を起こす。他方の最大高さ(R
j)100nmを越えたときも酸化が発生して接続信頼
性が低下するからである。
As a result of the AFM measurement, the maximum height (Rj) of the solder resist surface was determined. It has been found that a range of 1 to 100 nm is desirable. That is, when the maximum height (Rj) is less than 0.1 nm, the contact angle is 4
Beyond 0 °, causing the aforementioned problems. The other maximum height (R
j) Even when the thickness exceeds 100 nm, oxidation occurs and the connection reliability decreases.

【0016】半田バンプ形成工程の他には、基板の導通
を検査するチェッカー工程、ソルダーレジスト層表面に
行う文字印刷工程、適時なサイズのパッケージに切断す
る切断工程、洗浄工程などがある。また、文字印刷工程
において、工程認識用のターゲットマークを形成する場
合には、半田バンプ工程―プラズマ工程−文字印刷工程
を経て、プリント配線板を製造するのが一番望ましい。
それにより、ソルダーレジスト層の濡れ性が向上するた
めに、文字印刷の文字が鮮明になり、工程認識用のター
ゲットマークも当然鮮明になるために次工程への悪影響
を抑えられる。この場合、インク飛散による半田バンプ
への汚染を防止するために、半田バンプをマスキングし
た後、文字印刷を行う、または、再度、プラズマ処理を
施すのがよい。ここで、マスキングを用いる方法は、廉
価に行え、プラズマを用いる方法は、汚染を完全に除去
できる。
In addition to the solder bump forming step, there are a checker step for inspecting the continuity of the substrate, a character printing step on the surface of the solder resist layer, a cutting step for cutting into packages of an appropriate size, a cleaning step, and the like. When forming a target mark for process recognition in the character printing process, it is most desirable to manufacture a printed wiring board through a solder bump process, a plasma process, and a character printing process.
Thereby, the wettability of the solder resist layer is improved, so that the characters of the character printing become clear, and the target mark for the process recognition becomes clear, so that the adverse effect on the next process can be suppressed. In this case, in order to prevent contamination of the solder bumps due to ink scattering, it is preferable to perform character printing after masking the solder bumps or to perform plasma processing again. Here, the method using masking can be performed at low cost, and the method using plasma can completely remove contamination.

【0017】一方、プラズマ処理を行った後、半田バン
プ形成、印刷を行うことも可能である。この場合も、ソ
ルダーレジスト層の濡れ性を高めることができるため、
ターゲットマークを鮮明に印刷でき、また、アンダーフ
ィルとの接着性を高めることができる。
On the other hand, it is also possible to perform solder bump formation and printing after performing the plasma processing. Also in this case, since the wettability of the solder resist layer can be increased,
The target mark can be printed clearly, and the adhesion with the underfill can be improved.

【0018】チェッカー工程は、半田バンプを形成した
後であれば、どの工程の間で行ってもよい。特に、プラ
ズマ工程の前に行うのが望ましい。半田バンプへの汚染
による判定の良否への影響がないからである。また、切
断工程や洗浄工程では、ソルダレジスト層の濡れ性が低
下しないので、本質的にどの工程間で行うことも可能で
あるが、切断のごみ、くずの影響をなくすためには、プ
ラズマ工程の前に行うのが望ましい。
The checker step may be performed between any steps after forming the solder bumps. In particular, it is desirable to carry out before the plasma process. This is because there is no influence on the quality of the judgment due to contamination of the solder bump. In addition, in the cutting step and the cleaning step, the wettability of the solder resist layer does not decrease, so it is possible to perform the step between essentially any steps.However, in order to eliminate the influence of cutting dust and debris, a plasma step It is desirable to perform before.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】本発明のプリント配線基板を製造
する方法について説明する。以下の方法は、セミアディ
ティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採
用してもよい。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention will be described. The following method is based on the semi-additive method, but may use the full-additive method.

【0020】まず、基板の表面に導体回路を形成した配
線基板を作成する。基板としては、ガラスエポキシ基
板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂
基板等の樹脂絶縁基板、銅張り積層板、セラミック基
板、金属基板等の基板に無電解めっき用接着剤層を形成
し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、この粗化
面全体に薄付けの無電解めっきを施し、めっきレジスト
を形成し、めっきレジスト非形成部分に厚付けの電解め
っきを施した後、めっきレジストを除去し、エッチング
処理して、電解めっき膜と無電解めっき膜とからなる導
体回路を形成する方法により行う。導体回路は、いずれ
も銅パタ−ンがよい。
First, a wiring board having a conductor circuit formed on the surface of the board is prepared. As the substrate, an adhesive layer for electroless plating is formed on a resin insulating substrate such as a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a bismaleimide-triazine resin substrate, a copper-clad laminate, a ceramic substrate, a metal substrate, and the like. The surface of the agent layer is roughened to a roughened surface, a thin electroless plating is applied to the entire roughened surface, a plating resist is formed, and a thick electrolytic plating is applied to a portion where no plating resist is formed. It is performed by a method of removing a resist, performing an etching treatment, and forming a conductor circuit including an electrolytic plating film and an electroless plating film. The conductor circuit is preferably a copper pattern.

【0021】導体回路を形成した基板には、導体回路あ
るいはスル−ホ−ルにより、凹部が形成される。その凹
部を埋めるために樹脂充填剤を塗布し、乾燥した後、不
要な樹脂充填剤を研磨により研削して、導体回路を露出
させたのち、樹脂充填剤を本硬化させる。
On the substrate on which the conductor circuit is formed, a recess is formed by the conductor circuit or through hole. A resin filler is applied to fill the recess, and after drying, the unnecessary resin filler is ground by polishing to expose the conductive circuit, and then the resin filler is fully cured.

【0022】次いで、露出した導体回路に粗化層を設け
る。形成される粗化層は、エッチング処理、研磨処理、
酸化処理、酸化還元処理により形成された銅の粗化面ま
たはめっき皮膜であることが望ましい。
Next, a roughened layer is provided on the exposed conductor circuit. The formed roughened layer is etched, polished,
It is desirable that the surface be a roughened surface or a plating film of copper formed by an oxidation treatment or an oxidation-reduction treatment.

【0023】本発明で使用される無電解めっき用接着剤
は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性
樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱
性樹脂中に分散されてなるものが最適である。酸、酸化
剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去さ
れて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成
できる。
The adhesive for electroless plating used in the present invention comprises a cured heat-resistant resin particle which is soluble in an acid or an oxidizing agent contained in an uncured heat-resistant resin which is hardly soluble in an acid or an oxidizing agent. What is dispersed is optimal. By treating with an acid or an oxidizing agent, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed, and a roughened surface composed of an octopus-shaped anchor can be formed on the surface.

【0024】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が2〜10μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が2μ
m以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が2〜
10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
1種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が0.1〜
0.8μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が0.8μ
mを越え、2μm未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、
平均粒径が0.1〜1.0μmの耐熱性粉末樹脂粉末を
用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカー
を形成できるからである。
In the above-mentioned adhesive for electroless plating, the heat-resistant resin particles which have been particularly hardened include a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, and an average particle diameter of 2 μm.
Aggregated particles obtained by aggregating the following heat-resistant resin powder, a heat-resistant powder resin powder having an average particle size of 2 to 10 μm and an average particle size of 2 μm
m and a mixture with a heat-resistant resin powder having a mean particle size of 2 or less.
Pseudo particles obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder or an inorganic powder having an average particle diameter of 2 μm or less to the surface of a 10 μm heat-resistant resin powder, and an average particle diameter of 0.1 to
0.8μm heat resistant resin powder and average particle size 0.8μ
m, and a mixture with a heat-resistant resin powder of less than 2 μm,
It is desirable to use a heat-resistant resin powder having an average particle size of 0.1 to 1.0 μm. This is because they can form more complex anchors.

【0025】前記酸あるいは、酸化剤に難溶性の耐熱性
樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂から
なる樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂
からなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者に
ついては耐熱性が高く、後者についてはバイアホ−ル用
の開口をフォトリソグラフィ−により形成できるからで
ある。
The heat-resistant resin hardly soluble in an acid or an oxidizing agent is selected from a “resin composite composed of a thermosetting resin and a thermoplastic resin” or a “resin composite composed of a photosensitive resin and a thermoplastic resin”. It is desirable to become. This is because the former has high heat resistance, and the latter can form an opening for a via hole by photolithography.

【0026】前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹
脂、フェノ−ル樹脂、ポリイミド樹脂などを使用でき
る。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル
酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキ
シ樹脂のアクリレ−トが最適である。エポキシ樹脂とし
ては、フェノ−ルノボラック型、クレゾ−ルノボラック
型などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジ
エン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することが
できる。熱可塑性樹脂としては、ポリエ−テルスルフォ
ン(PES)、ポリスルホォン(PSF)、ポリフェニ
レンスルフォン(PPS)、ポリフェニレンサルファイ
ド(PPES),ポリフェニルエ−テル(PPE)、ポ
リエ−テルイミド(PI)などを使用できる。
As the thermosetting resin, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin and the like can be used. In the case of photosensitization, methacrylic acid, acrylic acid, or the like is subjected to an acrylate reaction with a thermosetting group. Particularly, acrylate of epoxy resin is most suitable. As the epoxy resin, novolak type epoxy resins such as phenol novolak type and cresol novolak type, and alicyclic epoxy resin modified with dicyclopentadiene can be used. As the thermoplastic resin, polyether sulfone (PES), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfone (PPS), polyphenylene sulfide (PPES), polyphenyl ether (PPE), polyetherimide (PI) and the like can be used.

【0027】熱硬化性樹脂(感光性樹脂)と熱可塑性樹
脂の混合割合は、熱硬化性樹脂(感光性樹脂)/熱可塑
性樹脂=95/5〜50/50がよい。耐熱性を損なう
ことなく、高い靱性値を確保できる。前記耐熱性樹脂粒
子の混合比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対し
て5〜50重量%、望ましくは10〜40重量%がよ
い。耐熱性粒子は、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹
脂、グアナミン樹脂)、エポキシ樹脂などがよい。な
お、接着剤は、組成の異なる2層により構成してもよ
い。
The mixing ratio of the thermosetting resin (photosensitive resin) and the thermoplastic resin is preferably thermosetting resin (photosensitive resin) / thermoplastic resin = 95/5 to 50/50. High toughness can be ensured without impairing heat resistance. The mixing ratio of the heat-resistant resin particles is preferably 5 to 50% by weight, and more preferably 10 to 40% by weight, based on the solid content of the heat-resistant resin matrix. The heat-resistant particles are preferably an amino resin (melamine resin, urea resin, guanamine resin), an epoxy resin, or the like. The adhesive may be composed of two layers having different compositions.

【0028】次に、層間絶縁樹脂層を硬化する一方で、
その層間樹脂樹脂層にはバイアホ−ル形成用の開口を設
ける。
Next, while curing the interlayer insulating resin layer,
The interlayer resin layer is provided with an opening for forming a via hole.

【0029】層間絶縁樹脂層の硬化処理は、無電解めっ
き用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化樹脂である場合
は、レ−ザ−光や酸素プラズマ等を用いて穿孔し、感光
性樹脂である場合は露光現像処理にて穿孔する。なお、
露光現像処理は、バイアホ−ル形成のための円パタ−ン
が描画されたフォトマスク(ガラス基板がよい)を、円
パタ−ン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に密着させて
載置した後、露光、現像処理する。
When the resin matrix of the adhesive for electroless plating is a thermosetting resin, the interlayer insulating resin layer is perforated by using laser light, oxygen plasma or the like, and is cured by a photosensitive resin. In this case, the holes are formed by exposure and development. In addition,
In the exposure and development process, a photomask (a glass substrate is preferable) on which a circular pattern for forming a via hole is drawn is placed on the photosensitive interlayer resin insulating layer such that the circular pattern side is in close contact with the photomask. After placing, exposure and development are performed.

【0030】次に、バイアホ−ル形成用開口を設けた層
間樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤層)の表面を粗化
する。特に本実施形態では、無電解めっき用接着剤層の
表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸又は酸化剤で溶解除
去することにより、接着剤層表面を粗化処理する。この
とき、層間絶縁樹脂層に粗化層が形成される。
Next, the surface of the interlayer resin insulating layer (adhesive layer for electroless plating) provided with openings for forming via holes is roughened. In particular, in the present embodiment, the surface of the adhesive layer is roughened by dissolving and removing the heat-resistant resin particles present on the surface of the adhesive layer for electroless plating with an acid or an oxidizing agent. At this time, a roughened layer is formed on the interlayer insulating resin layer.

【0031】前記酸処理としては、リン酸、塩酸、硫
酸、又は蟻酸や酢酸等の有機酸を用いることができる。
特に有機酸を用いるのが望ましい。粗化処理した場合
に、バイアホ−ルから露出する金属導体層を腐食させに
くいからである。前記酸化処理は、クロム酸、過マンガ
ン酸塩(過マンガン酸カリウム等)を用いることが望ま
しい。
For the acid treatment, phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, or an organic acid such as formic acid or acetic acid can be used.
In particular, it is desirable to use an organic acid. This is because the metal conductor layer exposed from the via hole is hardly corroded when the roughening treatment is performed. For the oxidation treatment, it is desirable to use chromic acid or permanganate (such as potassium permanganate).

【0032】前記粗化層は、最大粗度Rmax0.1〜
20μmがよい。厚すぎると粗化層自体が損傷、剥離し
やすく、薄すぎると密着性が低下するからである。特に
セミアディティブ法では、0.1〜5μmがよい。密着
性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからであ
る。
The roughened layer has a maximum roughness Rmax of 0.1 to
20 μm is preferred. If the thickness is too large, the roughened layer itself is easily damaged and peeled off, and if the thickness is too small, the adhesiveness is reduced. Particularly, in the semi-additive method, the thickness is preferably 0.1 to 5 μm. This is because the electroless plating film can be removed while ensuring adhesion.

【0033】次に、粗化し触媒核を付与した層間絶縁樹
脂上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この
無電解めっき膜は、無電解銅めっきがよく、その厚み
は、1〜5μm,より望ましくは2〜3μmとする。な
お、無電解銅めっき液としては、常法で採用される液組
成のものを使用でき、例えば、硫酸銅:29g/l、炭酸
ナトリウム:25g/l、EDTA:140 g/l、水酸化
ナトリウム:40g/l、37%ホルムアルデヒド: 150m
l、(PH=11.5)からなる液組成のものがよい。
Next, a thin electroless plating film is formed on the entire surface of the interlayer insulating resin provided with the roughened catalyst nuclei. This electroless plating film is preferably formed by electroless copper plating, and has a thickness of 1 to 5 μm, more preferably 2 to 3 μm. As the electroless copper plating solution, those having a liquid composition employed in a usual manner can be used. For example, copper sulfate: 29 g / l, sodium carbonate: 25 g / l, EDTA: 140 g / l, sodium hydroxide : 40g / l, 37% formaldehyde: 150m
1, a liquid composition consisting of (PH = 11.5) is preferred.

【0034】次に、このように形成した無電解めっき膜
上に感光性樹脂フィルム(ドライフィルム)をラミネ−
トし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジストパ
タ−ンが描画されたフォトマスク(ガラス基板がよい)
を密着させて載置し、露光し、現像処理することによ
り、めっきレジストパタ−ンを配設した非導体部分を形
成する。
Next, a photosensitive resin film (dry film) is laminated on the electroless plating film thus formed by laminating.
And a photomask (preferably a glass substrate) on which a plating resist pattern is drawn on the photosensitive resin film.
Are placed in close contact with each other, exposed, and developed to form a non-conductive portion on which a plating resist pattern is provided.

【0035】次に、無電解銅めっき膜上の非導体部分以
外に電解めっき膜を形成し、導体回路とバイアホ−ルと
なる導体部を設ける。電解めっきとしては、電解銅めっ
きを用いることが望ましく、その厚みは、10〜20μmが
よい。
Next, an electrolytic plating film is formed on the electroless copper plating film other than the non-conductive portion, and a conductor circuit and a conductor portion serving as a via hole are provided. As the electrolytic plating, it is desirable to use electrolytic copper plating, and its thickness is preferably 10 to 20 μm.

【0036】次に、非導体回路部分のめっきレジストを
除去した後、さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫
酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化
第二銅等のエッチング液にて無電解めっき膜を除去し、
無電解めっき膜と電解めっき膜の2層からなる独立した
導体回路とバイアホ−ルを得る。なお、非導体部分に露
出した粗化面上のパラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸
過水等により溶解除去する。
Next, after removing the plating resist of the non-conductive circuit portion, the plating resist is further added to a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide or an etching solution such as sodium persulfate, ammonium persulfate, ferric chloride and cupric chloride. To remove the electroless plating film,
An independent conductor circuit and a via hole having two layers of an electroless plating film and an electrolytic plating film are obtained. The palladium catalyst nuclei on the roughened surface exposed to the non-conductive portion are dissolved and removed with chromic acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide.

【0037】次いで、表層の導体回路に粗化層を形成す
る。形成される粗化層は、エッチング処理、研磨処理、
酸化処理、酸化還元処理により形成された銅の粗化面又
もしくはめっき被膜により形成された粗化面であること
が望ましい。
Next, a roughened layer is formed on the surface conductor circuit. The formed roughened layer is etched, polished,
It is desirable that the surface be a roughened surface of copper formed by an oxidation treatment or a redox treatment or a roughened surface formed by a plating film.

【0038】次いで、前記導体回路上にソルダ−レジス
ト層を形成する。本実施形態におけるソルダーレジスト
層の厚さは、5〜40μmがよい。薄すぎるとソルダー
ダムとして機能せず、厚すぎると開口しにくくなる上、
半田体と接触し半田体に生じるクラックの原因となるか
らである。ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を
使用でき、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、
ビスフェノールA型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボ
ラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のア
クリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤など
で硬化させた樹脂を使用できる。特に、ソルダーレジス
ト層に開口を設けて半田バンプを形成する場合には、
「ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型エポ
キシ樹脂のアクリレート」からなり、「イミダゾール硬
化剤」を硬化剤として含むものが好ましい。
Next, a solder-resist layer is formed on the conductor circuit. The thickness of the solder resist layer in the present embodiment is preferably 5 to 40 μm. If it is too thin it will not function as a solder dam, if it is too thick it will be difficult to open,
This is because the contact with the solder body causes cracks to occur in the solder body. Various resins can be used as the solder resist layer, for example, bisphenol A type epoxy resin,
A resin obtained by curing an acrylate of a bisphenol A type epoxy resin, a novolak type epoxy resin, or an acrylate of a novolak type epoxy resin with an amine curing agent, an imidazole curing agent, or the like can be used. In particular, when forming an opening in the solder resist layer to form a solder bump,
What consists of "novolak type epoxy resin or acrylate of novolak type epoxy resin" and contains "imidazole hardener" as a hardener is preferable.

【0039】このような構成のソルダーレジスト層は、
鉛のマイグレーション(鉛イオンがソルダーレジスト層
内を拡散する現象)が少ないという利点を持つ。しか
も、このソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した樹
脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、はんだが溶
融する温度(200 ℃前後)でも劣化しないし、ニッケル
めっきや金めっきのような強塩基性のめっき液で分解す
ることもない。しかしながら、このようなソルダーレジ
スト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が
生じやすい。導体回路上に形成した粗化層は、このよう
な剥離を防止するために有効である。
The solder resist layer having such a structure is as follows.
There is an advantage that migration of lead (phenomenon in which lead ions diffuse in the solder resist layer) is small. Moreover, this solder resist layer is a resin layer obtained by curing an acrylate of a novolak type epoxy resin with an imidazole curing agent, has excellent heat resistance and alkali resistance, does not deteriorate even at a temperature at which solder is melted (around 200 ° C.), and does not deteriorate. It is not decomposed by a strongly basic plating solution such as plating or gold plating. However, since such a solder resist layer is formed of a resin having a rigid skeleton, peeling is likely to occur. The roughened layer formed on the conductor circuit is effective for preventing such peeling.

【0040】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用い
ることができる。上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液
状であることが望ましい。液状であれば均一混合できる
からである。このような液状イミダゾール硬化剤として
は、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール(品名:1B2MZ
)、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾー
ル(品名:2E4MZ-CN)、4-メチル−2-エチルイミダゾー
ル(品名:2E4MZ )を用いることができる。このイミダ
ゾール硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物
の総固形分に対して1〜10重量%とすることが望まし
い。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合
がしやすいからである。
Here, as the acrylate of the novolak type epoxy resin, an epoxy resin obtained by reacting glycidyl ether of phenol novolak or cresol novolak with acrylic acid, methacrylic acid or the like can be used. The imidazole curing agent is desirably liquid at 25 ° C. This is because a liquid can be uniformly mixed. As such a liquid imidazole curing agent, 1-benzyl-2-methylimidazole (product name: 1B2MZ
), 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole (product name: 2E4MZ-CN), and 4-methyl-2-ethylimidazole (product name: 2E4MZ). The addition amount of the imidazole curing agent is desirably 1 to 10% by weight based on the total solid content of the solder resist composition. The reason for this is that if the added amount is within this range, uniform mixing is easy.

【0041】上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、
溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用すること
が望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジス
ト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面を酸化させ
ない。また、人体に対する有害性も少ない。このような
グリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のも
の、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエ
ーテル(DMDG)およびトリエチレングリコールジメ
チルエーテル(DMTG)から選ばれるいずれか少なく
とも1種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加
温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケ
トンを完全に溶解させることができるからである。 CHO-(CHCHO) −CH(n=1〜5) このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト
組成物の全重量に対して10〜40wt%がよい。
The composition before curing of the solder resist is as follows:
It is desirable to use a glycol ether-based solvent as the solvent. The solder resist layer using such a composition does not generate free oxygen and does not oxidize the copper pad surface. It is also less harmful to the human body. As such a glycol ether solvent, one having the following structural formula, particularly preferably at least one selected from diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) and triethylene glycol dimethyl ether (DMTG) is used. This is because these solvents can completely dissolve benzophenone and Michler's ketone as reaction initiators by heating at about 30 to 50 ° C. CH 3 O— (CH 2 CH 2 O) n —CH 3 (n = 1 to 5) The glycol ether solvent is preferably 10 to 40% by weight based on the total weight of the solder resist composition.

【0042】以上説明したようなソルダーレジスト組成
物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エ
ステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤とし
ては、チバガイギー製のイルガキュアI907、光増感
剤としては日本化薬製のDETX−Sがよい。
In addition to the solder resist composition described above, various antifoaming agents and leveling agents, thermosetting resins for improving heat resistance and base resistance and imparting flexibility,
A photosensitive monomer or the like can be added to improve the resolution. For example, as the leveling agent, one made of a polymer of an acrylate ester is preferable. The initiator is preferably Irgacure I907 manufactured by Ciba-Geigy, and the photosensitizer is DETX-S manufactured by Nippon Kayaku.

【0043】さらに、ソルダーレジスト組成物には、色
素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できる
からである。この色素としてはフタロシアニングリーン
を用いることが望ましい。
Further, a dye or a pigment may be added to the solder resist composition. This is because the wiring pattern can be hidden. It is desirable to use phthalocyanine green as this dye.

【0044】添加成分としての上記熱硬化性樹脂として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができ
る。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ
樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘
度化が要求される場合(塗布性を重視する場合)には後
者がよい。
As the thermosetting resin as an additional component, a bisphenol type epoxy resin can be used. This bisphenol type epoxy resin includes a bisphenol A type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin, and when importance is attached to base resistance, the former is required to reduce viscosity (when importance is attached to coating properties). The latter is better.

【0045】添加成分としての上記感光性モノマーとし
ては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。
多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることが
できるからである。例えば、日本化薬製DPE−6A又
は共栄社化学製R−604のような多価アクリル系モノ
マーなどが望ましいまた、これらのソルダーレジスト組
成物は、25℃で0.5〜10Pa・s、より望ましく
は1〜10Pa・sがよい。ロールコータで塗布し易い
粘度だからである。ソルダ−レジスト形成後、開口部を
形成する。その開口は、露光、現像処理により形成す
る。
As the above-mentioned photosensitive monomer as an additional component, a polyvalent acrylic monomer can be used.
This is because the polyvalent acrylic monomer can improve the resolution. For example, polyacrylic monomers such as Nippon Kayaku's DPE-6A or Kyoeisha Chemical's R-604 are desirable. These solder resist compositions are more desirably 0.5 to 10 Pa · s at 25 ° C. Is preferably 1 to 10 Pa · s. This is because the viscosity is easy to apply with a roll coater. After the formation of the solder resist, an opening is formed. The opening is formed by exposure and development processing.

【0046】その後、ソルダ−レジスト層形成後に開口
部に無電解めっきにてニッケルめっき層を形成させる。
ニッケルめっき液の組成の例として硫酸ニッケル4.5
g/l、次亜リン酸ナトリウム25g/l、クエン酸ナ
トリウム40g/l、ホウ酸12g/l、チオ尿素0.
1g/l(PH=11)がある。脱脂液により、ソルダ
−レジスト層開口部、表面を洗浄し、パラジウムなどの
触媒を開口部に露出した導体部分に付与し、活性化させ
た後、めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層を形成させ
た。ニッケルめっき層の厚みは、0.5〜20μmで、
特に3〜10μmの厚みが望ましい。それ0.5μm未
満では、半田バンプとニッケルめっき層の接続が取り難
く、20μmを超えると、開口部に形成した半田バンプ
が収まりきれず、剥がれたりする。
Thereafter, a nickel plating layer is formed on the opening by electroless plating after the formation of the solder-resist layer.
Nickel sulfate 4.5 as an example of the composition of the nickel plating solution
g / l, sodium hypophosphite 25 g / l, sodium citrate 40 g / l, boric acid 12 g / l, thiourea 0.1 g.
There is 1 g / l (PH = 11). With a degreasing solution, the opening of the solder-resist layer, the surface is washed, a catalyst such as palladium is applied to the conductor portion exposed in the opening, activated, and immersed in a plating solution to form a nickel plating layer. Was. The thickness of the nickel plating layer is 0.5 to 20 μm,
Particularly, a thickness of 3 to 10 μm is desirable. If the thickness is less than 0.5 μm, it is difficult to establish a connection between the solder bump and the nickel plating layer. If the thickness is more than 20 μm, the solder bump formed in the opening cannot be completely accommodated and peels off.

【0047】ニッケルめっき層形成後、金めっきにて金
めっき層を形成させる。厚みは、0.03μmである。
金めっきを施すことで導体回路の防錆を図れる。
After forming the nickel plating layer, a gold plating layer is formed by gold plating. The thickness is 0.03 μm.
By applying gold plating, the rust of the conductor circuit can be prevented.

【0048】開口部に金属層を施した後、半田ペースト
を印刷により開口部内に半田バンプを形成させる。その
後、温度250℃にした窒素リフローを通し、半田バン
プを開口部内に固定させる。
After applying a metal layer to the opening, a solder paste is printed in the opening to form a solder bump in the opening. Thereafter, the solder bumps are fixed in the openings through nitrogen reflow at a temperature of 250 ° C.

【0049】その後、酸素プラズマによって、半田バン
プの表面の汚染、および、ソルダーレジストの表面の酸
化膜を除去するとともに粗化層を形成させた。真空状態
にした中に、プラズマ放射量500〜1000W、酸素
供給量100〜500sec./M、酸素供給圧0.1
5MPa、処理時間1〜15分で行った。特に処理時間
は10分未満で行うのがよい。ソルダーレジスト層の損
傷がなく、印刷した文字の剥がれ、欠けなどが起きない
からである。この処理により、ソルダーレジスト層表面
を、接触角度40°以下で8°に近い値まで低下させ、
最大粗度(Rj)を0.1〜100nmにした。なお、
この実施形態では、プラズマ処理として、酸素、窒素、
炭酸ガス、四フッ化炭素から選ばれる少なくとも1種類
以上で行うことができる。
Thereafter, contamination of the surface of the solder bump and an oxide film on the surface of the solder resist were removed by oxygen plasma, and a roughened layer was formed. In a vacuum state, the plasma radiation amount was 500 to 1000 W, the oxygen supply amount was 100 to 500 sec./M, and the oxygen supply pressure was 0.1.
The test was performed at 5 MPa for a processing time of 1 to 15 minutes. In particular, the processing time is preferably less than 10 minutes. This is because the solder resist layer is not damaged and the printed characters do not peel or chip. By this treatment, the surface of the solder resist layer is reduced to a value close to 8 ° at a contact angle of 40 ° or less,
The maximum roughness (Rj) was set to 0.1 to 100 nm. In addition,
In this embodiment, oxygen, nitrogen,
It can be carried out with at least one kind selected from carbon dioxide gas and carbon tetrafluoride.

【0050】ソルダーレジスト層の表面に文字印刷を行
った。使用するインクは、熱硬化性樹脂を用いて、製品
名、ロットナンバー、ターゲットマークなどを形成させ
た。熱硬化を行い、文字を固めた。ここで、プラズマ処
理によりソルダーレジスト表面の濡れ性が改善され、タ
ーゲットマークを鮮明に印刷できる。
Character printing was performed on the surface of the solder resist layer. As the ink to be used, a product name, a lot number, a target mark, and the like were formed using a thermosetting resin. The letters were hardened by heat curing. Here, the wettability of the solder resist surface is improved by the plasma treatment, and the target mark can be printed clearly.

【0051】そして、基板を個片に分割切断する。その
後、配線の短絡・断線を確認するチェッカー工程を経て
プリント配線板を得た。
Then, the substrate is cut into individual pieces. Thereafter, a printed wiring board was obtained through a checker process for confirming a short circuit / break of the wiring.

【0052】なお、プラズマ処理を施した後プラズマ処
理を施した後、半田バンプ形成及び文字印刷を行っても
よい。この方法では、プラズマ処理の回数を減らすこと
ができる。
After performing the plasma processing after the plasma processing, solder bump formation and character printing may be performed. In this method, the number of times of the plasma processing can be reduced.

【0053】個片に分割切断する工程、チェッカー工程
は、半田バンプ形成後であれば、いつ行っても問題ない
が、プラズマ工程、文字印刷工程を経てからがよい。そ
の理由としては、生産性がよく、工程間の不具合(半田
バンプ汚染、基板の汚れ)などが起きにくいからであ
る。
The step of dividing into individual pieces and the checker step may be performed at any time after the formation of the solder bumps, but may be performed after the plasma step and the character printing step. The reason for this is that the productivity is good, and defects between steps (solder bump contamination, substrate contamination) and the like are unlikely to occur.

【0054】[0054]

【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照して
説明する。先ず、本発明の第1実施例に係る多層プリン
ト配線板10の構成について、図7〜図9を参照して説
明する。図7は、該多層プリント配線板10の断面図
を、図8は、図7に示す多層プリント配線板10の平面
図を、図9は、図7に示す多層プリント配線板10にI
Cチップ90を取り付け、ドータボード94へ載置した
状態を示している。ここで、図8中のA−A断面が、図
7の断面図に相当する。図7に示すように、多層プリン
ト配線板10では、コア基板30の表面及び裏面に導体
回路34、34が形成され、更に、該導体回路34、3
4の上にビルドアップ配線層80A、80Bが形成され
ている。該ビルトアップ層80A、80Bは、バイアホ
ール60及び導体回路58の形成された層間樹脂絶縁層
50と、バイアホール160及び導体回路158の形成
された層間樹脂絶縁層150とからなる。該バイアホー
ル160及び導体回路158の上層にはソルダーレジス
ト70が形成されており、該ソルダーレジスト70の開
口部71を介して、バイアホール160及び導体回路1
58にバンプ76U、76Dが形成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the configuration of the multilayer printed wiring board 10 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 is a sectional view of the multilayer printed wiring board 10, FIG. 8 is a plan view of the multilayer printed wiring board 10 shown in FIG. 7, and FIG.
The state in which the C chip 90 is attached and placed on the daughter board 94 is shown. Here, the AA section in FIG. 8 corresponds to the sectional view in FIG. As shown in FIG. 7, in the multilayer printed wiring board 10, conductor circuits 34, 34 are formed on the front and back surfaces of the core substrate 30, and further, the conductor circuits 34, 3
4, the build-up wiring layers 80A and 80B are formed. The built-up layers 80A and 80B include an interlayer resin insulation layer 50 having via holes 60 and conductor circuits 58 formed therein, and an interlayer resin insulation layer 150 having via holes 160 and conductor circuits 158 formed therein. A solder resist 70 is formed on the upper layer of the via hole 160 and the conductor circuit 158, and the via hole 160 and the conductor circuit 1 are formed through the opening 71 of the solder resist 70.
58 are formed with bumps 76U and 76D.

【0055】図9中に示すように、多層プリント配線板
10の上面側の半田バンプ76Uは、ICチップ90の
ランド92へ接続される。一方、下側の半田バンプ76
Dは、ドーターボード94のランド96へ接続されてい
る。ここで、多層プリント配線板10とICチップ90
との間、及び、多層プリント配線板10とドータボード
94との間には、アンダーフィル88が充填され樹脂封
止されている。
As shown in FIG. 9, the solder bumps 76U on the upper surface of the multilayer printed wiring board 10 are connected to the lands 92 of the IC chip 90. On the other hand, the lower solder bump 76
D is connected to a land 96 of the daughter board 94. Here, the multilayer printed wiring board 10 and the IC chip 90
And between the multilayer printed wiring board 10 and the daughter board 94 are filled with an underfill 88 and sealed with a resin.

【0056】図7中の多層プリント配線板10の平面図
である図8に示すように、半田バンプ76Uは、プリン
ト配線板の中央部に配設されている。該半田バンプ76
Uの外周には、該半田バンプ76UにICチップ90を
載置する際の基準位置を示す十字状のターゲットマーク
96Aが印刷により形成されている。同様に、該ソルダ
ーレジスト70上に、ドータボード94への取り付け時
の基準位置を示す円状のターゲットマーク96B、三角
のターゲットマーク96Cが印刷されている。更に、該
ソルダーレジスト70上には、ICチップを多層プリン
ト配線板10に取り付ける取り付け装置にて製品を自動
認識するためのバーコード98a、製品名(製品認識文
字:218AHM)及びロットナンバー(製造認識文
字:3156)からなる文字情報98bが印刷されてい
る。
As shown in FIG. 8, which is a plan view of the multilayer printed wiring board 10 in FIG. 7, the solder bump 76U is disposed at the center of the printed wiring board. The solder bump 76
On the outer periphery of U, a cross-shaped target mark 96A indicating a reference position for mounting the IC chip 90 on the solder bump 76U is formed by printing. Similarly, on the solder resist 70, a circular target mark 96B and a triangular target mark 96C indicating a reference position at the time of attachment to the daughter board 94 are printed. Further, on the solder resist 70, a bar code 98a, a product name (product recognition character: 218AHM) and a lot number (manufacturing recognition) for automatically recognizing a product by a mounting device for mounting the IC chip on the multilayer printed wiring board 10. Character information 98b consisting of characters: 3156) is printed.

【0057】上述した十字状のターゲットマーク96A
は、半田バンプ76Uから5mm離して印刷されている。
また、文字情報98bは、半田バンプ76Uから8mm離
して印刷されている。即ち、半田バンプ76Uから離し
て印刷することで、印刷の際に半田バンプ76U側へイ
ンクが飛散しないようにされている。
The above-described cross-shaped target mark 96A
Are printed 5 mm apart from the solder bump 76U.
The character information 98b is printed at a distance of 8 mm from the solder bump 76U. That is, by printing away from the solder bumps 76U, ink is prevented from scattering to the solder bumps 76U during printing.

【0058】後述するように本実施例では、ソルダーレ
ジスト層70をプラズマ処理して濡れ性を高めてから、
上述したターゲットマーク96A、96B、96C、バ
ーコード98a、文字情報98bを印刷するため、文字
印刷用インクがはじかれ難く鮮明に形成できる。従っ
て、該ターゲットマーク96A、96B、96Cを基準
にして、ICチップ90の載置、及び、ドータボード9
4への取り付けを正確に行える。更に、ソルダーレジス
ト層70の濡れ性を改善してあるため、アンダーフィル
88によりICチップ90及びドータボード94へ強固
に接合できている。
As will be described later, in the present embodiment, after the solder resist layer 70 is subjected to plasma treatment to increase the wettability,
Since the target marks 96A, 96B, 96C, the barcode 98a, and the character information 98b are printed, the character printing ink is hard to be repelled and can be formed clearly. Therefore, the IC chip 90 is mounted and the daughter board 9 is mounted on the basis of the target marks 96A, 96B, 96C.
4 can be mounted accurately. Further, since the wettability of the solder resist layer 70 is improved, the solder resist layer 70 can be firmly bonded to the IC chip 90 and the daughter board 94 by the underfill 88.

【0059】引き続き、多層プリント配線板10の製造
方法について説明する。ここでは、先ず、第1実施例の
多層プリント配線板の製造方法に用いるA.無電解めっ
き用接着剤、B.層間樹脂絶縁剤、C.樹脂充填剤、
D.ソルダーレジストの原料組成物の組成について説明
する。
Next, a method of manufacturing the multilayer printed wiring board 10 will be described. Here, first, A. A. used in the method of manufacturing the multilayer printed wiring board of the first embodiment is described. Adhesive for electroless plating, B. Interlayer resin insulation, C.I. Resin filler,
D. The composition of the solder resist raw material composition will be described.

【0060】A.無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物(上層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )3.15
重量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、
NMP 3.6重量部を攪拌混合して得た。 〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン(PES)12
重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポー
ル)の平均粒径 1.0μmのものを 7.2重量部、平均粒径
0.5μmのものを3.09重量部、を混合した後、さらにN
MP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得
た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガイギー製、イル
ガキュア I−907 )2重量部、光増感剤(日本化薬
製、DETX-S)0.2 重量部、NMP 1.5重量部を攪拌混合
して得た。
A. Raw material composition for preparation of adhesive for electroless plating (adhesive for upper layer) [Resin composition] 80 wt% of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku, molecular weight 2500)
35% by weight of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of 3.15% and a photosensitive monomer (Toa Gosei Co., Aronix M315) 3.15
Parts by weight, 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (manufactured by San Nopco, S-65)
3.6 parts by weight of NMP were obtained by stirring and mixing. [Resin composition] Polyether sulfone (PES) 12
Parts by weight, epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Industries, polymer pole) with an average particle size of 1.0 μm, 7.2 parts by weight, average particle size
After mixing 0.59 μm of 3.09 parts by weight,
30 parts by weight of MP was added, and the mixture was stirred and mixed with a bead mill to obtain. [Curing agent composition] Imidazole curing agent (Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN), 2 parts by weight of a photoinitiator (Circa Geigy, Irgacure I-907), 0.2 parts by weight of a photosensitizer (Nippon Kayaku, DETX-S), and 1.5 parts by weight of NMP are stirred and mixed. I got it.

【0061】B.層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
(下層用接着剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )4重
量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部、N
MP 3.6重量部を攪拌混合して得た。 〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン(PES)12
重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポー
ル)の平均粒径 0.5μmのものを 14.49重量部、を混合
した後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで
攪拌混合して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガイギー製、イル
ガキュア I−907 )2重量部、光増感剤(日本化薬
製、DETX-S)0.2 重量部、NMP1.5 重量部を攪拌混合
して得た。
B. Raw material composition for preparing interlayer resin insulation agent (adhesive for lower layer) [Resin composition] 80 wt% of 25% acrylate of cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku, molecular weight 2500)
% Of a resin solution dissolved in DMDG at a concentration of 35%, 4 parts by weight of a photosensitive monomer (Alonix M315, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco), N
3.6 parts by weight of MP were obtained by stirring and mixing. [Resin composition] Polyether sulfone (PES) 12
After mixing 14.49 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Chemical Industries, polymer pole) having an average particle size of 0.5 μm, 30 parts by weight of NMP was further added, and the mixture was stirred and mixed with a bead mill. [Curing agent composition] Imidazole curing agent (Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN), 2 parts by weight of a photoinitiator (Circa Geigy, Irgacure I-907), 0.2 parts by weight of a photosensitizer (Nippon Kayaku, DETX-S), 1.5 parts by weight of NMP I got it.

【0062】C.樹脂充填剤調製用の原料組成物 〔樹脂組成物〕ビスフェノールF型エポキシモノマー
(油化シェル製、分子量310 、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μmのSiO球状粒子(アドマテック製、CRS
1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅
パターンの厚み(15μm)以下とする) 170重量部、レ
ベリング剤(サンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量
部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±
1℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。 〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)6.5 重量部。
C. Raw material composition for resin filler preparation [Resin composition] 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell, molecular weight 310, YL983U), having an average particle diameter of 1.6 μm coated with a silane coupling agent on the surface SiO 2 spherical particles (Admatech, CRS
1101-CE, where the maximum particle size is 170 parts by weight of the inner layer copper pattern described below (15 μm or less) and 1.5 parts by weight of a leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) by stirring and mixing. The viscosity of the mixture is 23 ±
It was obtained by adjusting to 45,000 to 49,000 cps at 1 ° C. [Curing agent composition] Imidazole curing agent (Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN) 6.5 parts by weight.

【0063】D.ソルダーレジストの原料組成物 DMDGに溶解させた60重量%のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポキシ基50%をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー(分子量4000)を 4
6.67g、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコ
ート1001)15.0g、イミダゾール硬化剤(四国化成製、
2E4MZ-CN)1.6 g、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー(日本化薬製、R604 )3g、同じく多価アク
リルモノマー(共栄社化学製、DPE6A ) 1.5g、分散系
消泡剤(サンノプコ社製、S−65)0.71gを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン(関東化学製)を2g、光増感剤としてのミヒラーケ
トン(関東化学製)を 0.2g加えて、粘度を25℃で2.0P
a・sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。な
お、粘度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL-B型)で
60rpmの場合はローターNo.4、6rpm の場合はローター
No.3によった。
D. Raw Material Composition of Solder Resist A 60% by weight cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in DMDG was sensitized with an oligomer (molecular weight 4000) having a 50% epoxy group acrylated.
6.67 g, 15.0 g of 80 wt% bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 1001) dissolved in methyl ethyl ketone, imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals,
2E4MZ-CN) 1.6 g, photosensitive acrylic monomer (Nippon Kayaku, R604) 3 g, polyvalent acrylic monomer (Kyoeisha Chemical, DPE6A) 1.5 g, dispersion defoamer (Sannopco) , S-65), and 2 g of benzophenone (Kanto Chemical) as a photoinitiator and 0.2 g of Michler's ketone (Kanto Chemical) as a photosensitizer were added to the mixture. 2.0P at 25 ° C
A solder resist composition adjusted to a · s was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (Tokyo Keiki, DVL-B type).
Rotor No.4 for 60rpm, rotor for 6rpm
No.3.

【0064】プリント配線板の製造 (1) 厚さ1mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマ
レイミドトリアジン)樹脂からなる基板30の両面に18
μmの銅箔32がラミネートされている銅張積層板30
Aを出発材料とした(図1の工程(A))。まず、この
銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、
パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に
内層銅パターン34とスルーホール36を形成した(工
程(B))。
Production of Printed Wiring Board (1) A substrate 1 made of glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin having a thickness of 1 mm
copper-clad laminate 30 on which copper foil 32 of μm is laminated
A was used as a starting material (step (A) in FIG. 1). First, this copper clad laminate is drilled and subjected to electroless plating.
The inner layer copper pattern 34 and the through-hole 36 were formed on both surfaces of the substrate by etching in a pattern (step (B)).

【0065】(2) 内層銅パターン34およびスルーホー
ル36を形成した基板30を水洗いし、乾燥した後、酸
化浴(黒化浴)として、NaOH(10g/l),NaClO
(40g/l), NaPO(6g/l)、還元浴とし
て、NaOH(10g/l),NaBH(6g/l)を用いた酸
化−還元処理により、内層銅パターン34およびスルー
ホール36の表面に粗化層38を設けた(工程
(C))。
(2) The substrate 30 on which the inner layer copper pattern 34 and the through hole 36 are formed is washed with water and dried, and then used as an oxidation bath (blackening bath) as NaOH (10 g / l) and NaClO 2.
(40 g / l), Na 3 PO 4 (6 g / l), and an oxidation-reduction treatment using NaOH (10 g / l) and NaBH 4 (6 g / l) as a reducing bath to form the inner layer copper pattern 34 and the through hole. A roughened layer 38 was provided on the surface of Step 36 (Step (C)).

【0066】(3) Cの樹脂充填剤調製用の原料組成物を
混合混練して樹脂充填剤を得た。
(3) The raw material composition for preparing the resin filler C was mixed and kneaded to obtain a resin filler.

【0067】(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤を、調製後
24時間以内に導体回路間あるいはスルーホール36内に
塗布、充填した。塗布方法として、スキ−ジを用いた印
刷法で行った。1回目の印刷塗布は、主にスルーホール
36内を充填して、乾燥炉内の温度100 ℃,20分間乾
燥させた。また、2回目の印刷塗布は、主に導体回路
(内層銅パターン)34の形成で生じた凹部を充填し
て、導体回路34と導体回路34との間およびスルーホ
ール36内を樹脂充填剤40で充填させたあと、前述の
乾燥条件で乾燥させた(工程(D))。
(4) After preparing the resin filler obtained in the above (3),
The coating and filling were performed between the conductor circuits or in the through holes 36 within 24 hours. The coating was performed by a printing method using a squeegee. In the first printing application, the inside of the through hole 36 was mainly filled and dried at 100 ° C. in a drying furnace for 20 minutes. In the second printing application, the recess formed mainly by the formation of the conductor circuit (inner layer copper pattern) 34 is filled, and the resin filler 40 is filled between the conductor circuit 34 and the conductor circuit 34 and in the through hole 36. After that, it was dried under the above-mentioned drying conditions (step (D)).

【0068】(5) 前記(4) の処理を終えた基板30の片
面を、#600 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン34の表面
やスルーホール36のランド36a表面に樹脂充填剤が
残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研
磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このよ
うな一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行っ
た(図2の工程(E))。次いで、100 ℃で1時間、 1
50℃で1時間、の加熱処理を行って樹脂充填剤40を硬
化した。
(5) The surface of the inner layer copper pattern 34 and the through holes 36 are polished on one side of the substrate 30 after the processing of the above (4) by belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku). Was polished so that the resin filler did not remain on the surface of the land 36a, and then buffed to remove the scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate (step (E) in FIG. 2). Then at 100 ° C for 1 hour, 1
Heat treatment was performed at 50 ° C. for 1 hour to cure the resin filler 40.

【0069】このようにして、スルーホール36等に充
填された樹脂充填剤40の表層部および内層導体回路3
4上面の粗化層38を除去して基板両面を平滑化し、樹
脂充填剤40と内層導体回路34の側面とが粗化層38
を介して強固に密着し、またスルーホール36の内壁面
と樹脂充填剤40とが粗化層38を介して強固に密着し
た配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤
40の表面と内層銅パターン34の表面が同一平面とな
る。
Thus, the surface portion of the resin filler 40 filled in the through holes 36 and the like and the inner conductor circuit 3
(4) The roughened layer 38 on the upper surface is removed to smooth both surfaces of the substrate, and the resin filler 40 and the side surfaces of the inner conductor circuit 34 are roughened.
To obtain a wiring board in which the inner wall surface of the through-hole 36 and the resin filler 40 are firmly adhered to each other through the roughened layer 38. That is, by this step, the surface of the resin filler 40 and the surface of the inner layer copper pattern 34 are flush with each other.

【0070】(6) 導体回路34を形成した基板30にア
ルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パ
ラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd
触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅3.9
×10−2mol/l、硫酸ニッケル3.8×10−3
mol/l、クエン酸ナトリウム7.8×10−3mo
l/l、次亜りん酸ナトリウム2.3×10−1mol
/l、界面活性剤(日信化学工業製、サーフィール46
5)1.1×10−4mol/l、PH=9からなる無
電解めっき液に浸積し、浸漬1分後に、4秒当たり1回
に割合で縦、および、横振動させて、導体回路およびス
ルーホールのランドの表面にCu−Ni−Pからなる針
状合金の被覆層及び粗化層42を設けた(工程
(F))。さらに、ホウフっ化スズ0.1mol/l、
チオ尿素1.0mol/l、温度35℃、PH=1.2
の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ
0.3μmSn層(図示せず)を設けた。
(6) The substrate 30 on which the conductor circuit 34 is formed is alkali-degreased and soft-etched, and then treated with a catalyst solution comprising palladium chloride and an organic acid to form Pd.
After applying the catalyst and activating the catalyst, copper sulfate 3.9
× 10 −2 mol / l, nickel sulfate 3.8 × 10 −3
mol / l, sodium citrate 7.8 × 10 −3 mo
1 / l, sodium hypophosphite 2.3 × 10 −1 mol
/ L, surfactant (Surfir 46, manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.)
5) Immersion in an electroless plating solution consisting of 1.1 × 10 −4 mol / l, PH = 9, 1 minute after immersion, vertical and horizontal vibrations once every 4 seconds, and A coating layer of a needle-like alloy made of Cu-Ni-P and a roughened layer 42 were provided on the surface of the land of the circuit and the through hole (step (F)). Furthermore, tin borofluoride 0.1 mol / l,
Thiourea 1.0 mol / l, temperature 35 ° C, PH = 1.2
Under the conditions described above, a 0.3 μm thick Sn layer (not shown) was provided on the surface of the roughened layer.

【0071】(7) Bの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成
物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・sに調整して層間樹脂絶
縁剤(下層用)を得た。次いで、Aの無電解めっき用接
着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度7Pa・sに
調整して無電解めっき用接着剤溶液(上層用)を得た。
(7) The raw material composition for preparing the interlayer resin insulating agent B was stirred and mixed, and the viscosity was adjusted to 1.5 Pa · s to obtain an interlayer resin insulating agent (for lower layer). Next, the raw material composition for preparing the adhesive for electroless plating of A was stirred and mixed, and the viscosity was adjusted to 7 Pa · s to obtain an adhesive solution for electroless plating (for the upper layer).

【0072】(8) 前記(6) の基板30の両面に、前記
(7) で得られた粘度 1.5Pa・sの層間樹脂絶縁剤(下層
用)44を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、
水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥(プ
リベーク)を行い、次いで、前記(7) で得られた粘度7
Pa・sの感光性の接着剤溶液(上層用)46を調製後24
時間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60
℃で30分の乾燥(プリベーク)を行い、厚さ35μmの接
着剤層50αを形成した(工程(G))。
(8) On both surfaces of the substrate 30 of (6),
The interlayer resin insulating agent (for lower layer) 44 having a viscosity of 1.5 Pa · s obtained in (7) was applied by a roll coater within 24 hours after preparation,
After standing for 20 minutes in a horizontal state, drying (prebaking) was performed at 60 ° C. for 30 minutes.
After preparing a Pa · s photosensitive adhesive solution (for upper layer) 46
Apply within 20 hours, leave it horizontal for 20 minutes, then
Drying (prebaking) was performed at 30 ° C. for 30 minutes to form an adhesive layer 50α having a thickness of 35 μm (step (G)).

【0073】(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板3
0の両面に、85μmφの黒円51aが印刷されたフォト
マスクフィルム51を密着させ、超高圧水銀灯により 5
00mJ/cmで露光した(工程(H))。これをDMT
G溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水
銀灯により3000mJ/cmで露光し、100 ℃で1時間、
120 ℃で1時間、その後 150℃で3時間の加熱処理(ポ
ストベーク)をすることにより、フォトマスクフィルム
に相当する寸法精度に優れた85μmφの開口(バイアホ
ール形成用開口)48を有する厚さ35μmの層間樹脂絶
縁層(2層構造)50を形成した(図3の工程
(I))。なお、バイアホールとなる開口48には、ス
ズめっき層(図示せず)を部分的に露出させた。
(9) The substrate 3 on which the adhesive layer was formed in the above (8)
A photomask film 51 having a black circle 51a of 85 μmφ printed thereon is brought into close contact with both sides of
Exposure was performed at 00 mJ / cm 2 (step (H)). This is DMT
G solution, and then exposed the substrate to 3000 mJ / cm 2 with an ultra-high pressure mercury lamp,
Heat treatment (post-bake) at 120 ° C. for 1 hour and then at 150 ° C. for 3 hours to obtain an 85 μmφ opening (via hole forming opening) 48 with excellent dimensional accuracy equivalent to a photomask film A 35 μm interlayer resin insulating layer (two-layer structure) 50 was formed (step (I) in FIG. 3). Note that a tin plating layer (not shown) was partially exposed in the opening 48 serving as a via hole.

【0074】(10)開口48が形成された基板30を、ク
ロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層の表面に存在す
るエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層
間樹脂絶縁層50の表面を粗化とし、その後、中和溶液
(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした(工程
(J))。さらに、粗面化処理(粗化深さ6μm)した
該基板の表面に、パラジウム触媒(アトテック製)を付
与することにより、層間樹脂絶縁層50の表面およびバ
イアホール用開口48の内壁面に触媒核を付けた。
(10) The substrate 30 in which the openings 48 are formed is immersed in chromic acid for 19 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer. The surface was roughened, and then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water (step (J)). Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment (roughening depth: 6 μm), the catalyst is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer 50 and the inner wall surface of the via hole opening 48. Attach a nucleus.

【0075】(11)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶
液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6 〜1.2 μm
の無電解銅めっき膜52を形成した(工程(K))。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 0.08 mol /l 硫酸銅 0.03 mol /l HCHO 0.05 mol /l NaOH 0.05 mol /l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.10 g/l 〔無電解めっき条件〕 65℃の液温度で20分
(11) The substrate is immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition, and a thickness of 0.6 to 1.2 μm
Was formed (step (K)). [Electroless plating aqueous solution] EDTA 0.08 mol / l Copper sulfate 0.03 mol / l HCHO 0.05 mol / l NaOH 0.05 mol / l α, α'-bipyridyl 80 mg / l PEG 0.10 g / l [Electroless plating conditions] 65 ° C 20 minutes at liquid temperature

【0076】(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜
52上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マス
クを載置して、100 mJ/cmで露光、0.8 %炭酸ナト
リウムで現像処理し、厚さ15μmのめっきレジスト54
を設けた(工程(L))。
(12) A commercially available photosensitive dry film is stuck on the electroless copper plating film 52 formed in the above (11), a mask is placed on the film, exposed at 100 mJ / cm 2 , and exposed to 0.8% sodium carbonate. Developed, 15μm thick plating resist 54
Was provided (step (L)).

【0077】(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μmの電解銅めっき
膜56を形成した(図4の工程(M))。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 mol /l 硫酸銅 0.26 mol /l 添加剤(アトテックジャパン製、カパラシドHL) 19.5 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm 時間 65 分 温度 22±2 ℃
(13) Next, electrolytic copper plating was performed on the non-resist-formed portion under the following conditions to form an electrolytic copper plating film 56 having a thickness of 15 μm (step (M) in FIG. 4). [Aqueous electrolytic plating solution] Sulfuric acid 2.24 mol / l Copper sulfate 0.26 mol / l Additive (captoside HL, manufactured by Atotech Japan) 19.5 ml / l [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ° C

【0078】(14)めっきレジスト54を5%KOH で剥離
除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、
めっきレジスト下の無電解めっき膜52を溶解除去し、
無電解めっき52及び電解銅めっき膜56からなる厚さ
18μm(10〜30μm)の導体回路58及びバイア
ホール60を得た(工程(N))。
(14) After stripping and removing the plating resist 54 with 5% KOH, the plating resist 54 is etched with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide.
Dissolve and remove the electroless plating film 52 under the plating resist,
A conductor circuit 58 and a via hole 60 each having a thickness of 18 μm (10 to 30 μm) composed of the electroless plating 52 and the electrolytic copper plating film 56 were obtained (step (N)).

【0079】更に、70℃で80g/Lのクロム酸に3分間
浸漬して、導体回路58間の無電解めっき用接着剤層5
0の表面を1μmエッチング処理し、表面のパラジウム
触媒を除去した。
The adhesive layer 5 for electroless plating between the conductor circuits 58 was immersed in chromic acid of 80 g / L at 70 ° C. for 3 minutes.
The surface of No. 0 was etched at 1 μm to remove the palladium catalyst on the surface.

【0080】(15)(6)と同様の処理を行い、導体回路5
8及びバイアホール60の表面にCu-Ni-P からなる粗化
面62を形成し、さらにその表面にSn置換を行った(工
程(O))。
(15) The same processing as in (6) is performed, and the conductor circuit 5
A roughened surface 62 made of Cu—Ni—P was formed on the surfaces of the via holes 60 and via holes 60, and the surfaces thereof were further substituted with Sn (step (O)).

【0081】(16)(7)〜(14)の工程を繰り返すことによ
り、さらに上層の層間樹脂絶縁層160とバイアホール
160及び導体回路158を形成する。さらに、バイア
ホール160及び該導体回路158の表面に粗化層16
2を形成し、多層プリント配線板を完成する(工程
(P))。なお、この上層の導体回路を形成する工程に
おいては、Sn置換は行わなかった。
(16) By repeating the steps (7) to (14), an interlayer resin insulating layer 160 as an upper layer, a via hole 160 and a conductor circuit 158 are further formed. Further, the roughened layer 16 is formed on the surface of the via hole 160 and the conductive circuit 158.
2 to complete a multilayer printed wiring board (step (P)). Note that, in the step of forming the upper conductive circuit, Sn substitution was not performed.

【0082】(17)そして、上述した多層プリント配線板
にはんだバンプを形成する。前記(16)で得られた基板3
0両面に、上記D.にて説明したソルダーレジスト組成
物70αを20μmの厚さで塗布した(図5の工程
(Q))。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥
処理を行った後、円パターン(マスクパターン)が描画
された厚さ5mmのフォトマスクフィルム(図示せず)を
密着させて載置し、1000mJ/cm の紫外線で露光し、
DMTG現像処理した。そしてさらに、80℃で1時間、 100
℃で1時間、 120℃で1時間、 150℃で3時間の条件で
加熱処理し、はんだパッド部分(バイアホールとそのラ
ンド部分を含む)の開口71(開口径 200μm)を有す
るソルダーレジスト層(厚み20μm)70を形成した
(工程(R))。
(17) The multilayer printed wiring board described above
To form solder bumps. Substrate 3 obtained in (16) above
0 on both sides. Solder resist composition explained in
The object 70α was applied in a thickness of 20 μm (step of FIG. 5).
(Q)). Then dry at 70 ° C for 20 minutes and 70 ° C for 30 minutes
After processing, a circular pattern (mask pattern) is drawn
5mm thick photomask film (not shown)
Placed in close contact, 1000mJ / cm 2Exposure with ultraviolet light
DMTG development processing was performed. And then at 80 ° C for 1 hour, 100
1 hour at 120 ° C, 1 hour at 120 ° C, 3 hours at 150 ° C
Heat the solder pad (via hole and its
(Including opening part) with opening 71 (opening diameter 200 μm)
Solder resist layer (thickness: 20 μm) 70 was formed.
(Step (R)).

【0083】(18)その後、塩化ニッケル2.3 ×10−1
ol/l、次亜リン酸ナトリウム2.8×10−1mol/
l、クエン酸ナトリウム1.6 ×10−1mol/l、から
なるpH=4.5の無電解ニッケルめっき液に、20分間
浸漬して、開口部71に厚さ5μmのニッケルめっき層
72を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリ
ウム7.6 ×10−3mol/l、塩化アンモニウム1.9 ×
10−1mol/l、クエン酸ナトリウム1.2 ×10−1
ol/l、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10−1mol/
lからなる無電解金めっき液に80℃の条件で7.5分間
浸漬して、ニッケルめっき層72上に厚さ0.03μmの金
めっき層74を形成した(工程(S))。
(18) Then, nickel chloride 2.3 × 10 −1 m
ol / l, sodium hypophosphite 2.8 × 10 −1 mol /
l, sodium citrate 1.6 × 10 −1 mol / l, was immersed in an electroless nickel plating solution having a pH of 4.5 for 20 minutes to form a nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm in the opening 71. . Further, the substrate was washed with 7.6 × 10 −3 mol / l of potassium potassium cyanide and 1.9 × 10 3 ammonium chloride.
10 -1 mol / l, sodium citrate 1.2 × 10 -1 m
ol / l, sodium hypophosphite 1.7 × 10 -1 mol /
Then, the substrate was immersed in an electroless gold plating solution composed of 1 for 7.5 minutes at 80 ° C. to form a gold plating layer 74 having a thickness of 0.03 μm on the nickel plating layer 72 (step (S)).

【0084】(19)そして、ソルダーレジスト層70の開
口部71に、半田ペーストを印刷して200℃でリフロー
することにより、半田バンプ(半田体)76U、76D
を形成した(図6の工程(T))。
(19) Then, solder paste is printed on the opening 71 of the solder resist layer 70 and reflowed at 200 ° C., so that the solder bumps (solder bodies) 76U, 76D
Was formed (step (T) in FIG. 6).

【0085】(20)その後、ソルダーレジスト層70の表
面に酸素プラズマ処理を施した(工程(U))。該酸素
プラズマ処理には、九州松下製プラズマクリーニング装
置を用い、真空状態にした中に、プラズマ放射量800
W、酸素供給量300sec./M、酸素供給圧0.1
5MPa、処理時間10分で行った。この処理により、
ソルダーレジスト層表面を、接触角度20°まで低下さ
せ、最大粗度(Rj)を30nmにした。同時に、半田
バンプ76U、76D表面の汚れを除去した。
(20) Thereafter, the surface of the solder resist layer 70 was subjected to an oxygen plasma treatment (step (U)). For the oxygen plasma treatment, a plasma cleaning device manufactured by Kyushu Matsushita was used.
W, oxygen supply amount 300 sec./M, oxygen supply pressure 0.1
The test was performed at 5 MPa for a processing time of 10 minutes. With this process,
The surface of the solder resist layer was lowered to a contact angle of 20 °, and the maximum roughness (Rj) was set to 30 nm. At the same time, stains on the surfaces of the solder bumps 76U and 76D were removed.

【0086】(21)ソルダーレジスト上に文字印字を行っ
た(図7)。熱硬化性樹脂の文字印字用インクの粘度は
50000cpsで、図8を参照して上述したように厚
さ30μmに、十字状のターゲットマーク96A、円状
のターゲットマーク96B、三角のターゲットマーク9
6C、バーコード98a、文字情報98bをスクリーン
印刷した。該印刷後、減圧室にてインク中の気泡を抜い
てから(脱泡処理)、インクを乾燥させ(乾燥処理)、
加熱炉中で100度/30分+120度/30分加熱し
て熱硬化性樹脂からなる文字印刷用のインクを硬化させ
た(硬化処理)。本実施例では、ソルダーレジスト層7
0にプラズマ処理を施し濡れ性を改善してあるため、イ
ンクがはじかれず、鮮明に印刷することができる。
(21) Character printing was performed on the solder resist (FIG. 7). The viscosity of the ink for character printing of the thermosetting resin is 50,000 cps, and the thickness of the target mark 96A, the circular target mark 96B, and the triangular target mark 9 is 30 μm as described above with reference to FIG.
6C, bar code 98a, and character information 98b were screen printed. After the printing, air bubbles are removed from the ink in a reduced pressure chamber (defoaming treatment), and the ink is dried (drying treatment).
The ink for character printing made of a thermosetting resin was cured by heating in a heating furnace at 100 ° / 30 minutes + 120 ° / 30 minutes (curing treatment). In this embodiment, the solder resist layer 7
Since the wettability is improved by performing a plasma treatment on 0, the ink is not repelled and clear printing can be performed.

【0087】(22)ルーターを持つ装置で基板を該当の大
きさに分割切断した。即ち、上述した工程の基板は多数
個取り用であるため、個々の多層プリント配線板に分割
した。その後、多層プリント配線板の短絡・断線を検査
するチェッカー工程を経て、該当する多層プリント配線
板を得た。
(22) The substrate was divided and cut into a corresponding size by a device having a router. That is, since the substrates in the above-described process are for multiple-piece production, they were divided into individual multilayer printed wiring boards. Thereafter, a corresponding multilayer printed wiring board was obtained through a checker process for inspecting a short circuit / break of the multilayer printed wiring board.

【0088】その後、該多層プリント配線板10のター
ゲットマーク96Aを画像検出用カメラで光学的に読み
出し、多層プリント配線板側の半田バンプ76UとIC
チップ90のランド92とを位置合わせし、リフロする
ことで、該半田バンプ76Uとランド92とを接合させ
る(図9参照)。ここで、本実施例では、ターゲットマ
ーク96Aを鮮明に印刷できているため、ICチップ9
0を正しく半田バンプ76Uに合わせることができる。
また、半田バンプ76Uの汚れが除去されているため、
ICチップ90側のパッド92に適切に接続できる。そ
の後、該ICチップ90と多層プリント配線板10との
間にアンダーフィル88を充填する。上述したようにソ
ルダーレジスト層70にプラズマ処理を施し、濡れ性を
改善してあるため、アンダーフィル88を強固に多層プ
リント配線板10側に接続させることができる。このた
め、アンダーフィル88と多層プリント配線板10との
界面に水分が浸入することがない。
Thereafter, the target mark 96A of the multilayer printed wiring board 10 is optically read by an image detection camera, and the solder bumps 76U on the multilayer printed wiring board side and the IC are read.
The solder bumps 76U and the lands 92 are joined by aligning the lands 92 of the chip 90 and performing reflow (see FIG. 9). Here, in the present embodiment, since the target mark 96A can be printed clearly, the IC chip 9
0 can be correctly adjusted to the solder bump 76U.
Also, since the stain on the solder bump 76U has been removed,
It can be appropriately connected to the pad 92 on the IC chip 90 side. Thereafter, an underfill 88 is filled between the IC chip 90 and the multilayer printed wiring board 10. As described above, since the plasma treatment is performed on the solder resist layer 70 to improve the wettability, the underfill 88 can be firmly connected to the multilayer printed wiring board 10 side. Therefore, moisture does not enter the interface between the underfill 88 and the multilayer printed wiring board 10.

【0089】引き続き、ドータボードへの取り付け装置
により、該多層プリント配線板10のターゲットマーク
96B、96Cにより位置及びアライメント等を調整
し、プリント配線板の半田バンプ76Dを、ドータボー
ド94側のパッド96へ接続する。その後、該多層プリ
ント配線板10とドータボード94との間にアンダーフ
ィル88を充填する。
Subsequently, the position, alignment, and the like are adjusted by the target marks 96B and 96C of the multilayer printed wiring board 10 by a device for attaching to the daughter board, and the solder bumps 76D of the printed wiring board are connected to the pads 96 on the daughter board 94 side. I do. Thereafter, an underfill 88 is filled between the multilayer printed wiring board 10 and the daughter board 94.

【0090】引き続き、本実施例の多層プリント配線板
に対する性能比較のため構成した比較例に係る多層プリ
ント配線板について説明する。 (比較例1)比較例1の多層プリント配線板は、基本的
に実施例と同様であるが、プラズマ処理を行わなかっ
た。
Next, a description will be given of a multilayer printed wiring board according to a comparative example which is configured to compare performance with the multilayer printed wiring board of the present embodiment. (Comparative Example 1) The multilayer printed wiring board of Comparative Example 1 was basically the same as the example, except that no plasma treatment was performed.

【0091】(比較例2)比較例2の多層プリント配線
板は、基本的に実施例と同様であるが、プラズマ処理を
20分間行った。
(Comparative Example 2) The multilayer printed wiring board of Comparative Example 2 was basically the same as the example, but was subjected to a plasma treatment for 20 minutes.

【0092】以上、実施例および比較例1,2で製造さ
れたプリント配線板について、接触角度、最大高さ、文
字状態、ICチップとの接続不良の発生率、実装後のア
ンダーフィルとのピール強度、PCT試験による信頼性
試験の計5項目について評価した結果を図10中に示
す。実施例では、接触角度、最大粗さも良好な数値にな
り、文字の欠損がなく、実装時の接続不良の発生もな
く、ピール強度も比較例よりも強く、信頼性の問題も発
生しなかった。
As described above, the printed wiring boards manufactured in Examples and Comparative Examples 1 and 2 have a contact angle, a maximum height, a character state, a connection failure rate with an IC chip, and a peel with an underfill after mounting. FIG. 10 shows the results of evaluation of a total of five items of the strength test and the reliability test by the PCT test. In the example, the contact angle and the maximum roughness were also good numerical values, there was no character loss, no connection failure at the time of mounting, the peel strength was stronger than the comparative example, and no reliability problem occurred. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a multilayer printed wiring board according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 2 is a manufacturing process diagram of the multilayer printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 3 is a manufacturing process diagram of the multilayer printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the multilayer printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 5 is a manufacturing process diagram of the multilayer printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。
FIG. 6 is a manufacturing process diagram of the multilayer printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板
の断面図である。
FIG. 7 is a sectional view of the multilayer printed wiring board according to the first embodiment of the present invention.

【図8】図8は、図7に示す多層プリント配線板10の
平面図である。
FIG. 8 is a plan view of the multilayer printed wiring board 10 shown in FIG.

【図9】図7に示す多層プリント配線板にICチップを
取り付け、ドータボードに載置した状態を示す断面図で
ある。
9 is a cross-sectional view showing a state where an IC chip is mounted on the multilayer printed wiring board shown in FIG. 7 and is mounted on a daughter board.

【図10】第1実施例と、比較例1及び比較例2に係る
多層プリント配線板を試験した結果を示す図表である。
FIG. 10 is a table showing the results of tests on the multilayer printed wiring boards according to the first embodiment and Comparative Examples 1 and 2.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 コア基板 34 導体回路 36 スルーホール 50 層間樹脂絶縁層 58 導体回路 60 バイアホール 70 ソルダーレジスト 72 ニッケルめっき層(金属層) 74 金めっき層(金属層) 76U、76D 半田バンプ 71 開口部 80A、80B ビルドアップ配線層 96A、96B、96D ターゲットマーク(位置決め
マーク) 98a バーコード 98b 文字情報 150 層間樹脂絶縁層 158 導体回路(導体) 162 粗化層(粗化面)
Reference Signs List 30 core substrate 34 conductive circuit 36 through hole 50 interlayer resin insulating layer 58 conductive circuit 60 via hole 70 solder resist 72 nickel plated layer (metal layer) 74 gold plated layer (metal layer) 76U, 76D solder bump 71 opening 80A, 80B Build-up wiring layer 96A, 96B, 96D Target mark (positioning mark) 98a Barcode 98b Character information 150 Interlayer resin insulation layer 158 Conductor circuit (conductor) 162 Roughened layer (roughened surface)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/38 H05K 3/38 B (72)発明者 清水 賢治 岐阜県大垣市木戸町905番地 イビデン株 式会社大垣工場内 Fターム(参考) 5E314 AA27 BB06 CC02 DD07 FF01 GG18 5E319 AA03 AB05 BB05 CD26 5E343 AA15 AA17 AA23 DD33 EE36──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 3/38 H05K 3/38 B (72) Inventor Kenji Shimizu 905 Kidocho, Ogaki-shi, Gifu IBIDEN F term in the Ogaki factory (reference) 5E314 AA27 BB06 CC02 DD07 FF01 GG18 5E319 AA03 AB05 BB05 CD26 5E343 AA15 AA17 AA23 DD33 EE36

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも以下の(a)〜(d)の工程を含
むことを特徴とするプリント配線板の製造方法、(a)
半田パッドとなる導体を形成した基板上に、該導体の少
なくとも一部を露出させる開口を設けてソルダーレジス
ト層を形成する工程、(b) 前記導体上に金属層を形
成した後、または、前記導体上に直接、半田バンプを形
成する工程、(c) 前記ソルダーレジスト表面に気体
プラズマ処理を施す工程、(d) 前記半田バンプを設
けたソルダーレジスト層上に、印字を行う工程。
1. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising at least the following steps (a) to (d): (a)
Forming a solder resist layer by providing an opening exposing at least a part of the conductor on a substrate on which a conductor to be a solder pad is formed; (b) forming a metal layer on the conductor, or A step of forming solder bumps directly on a conductor, (c) a step of performing gas plasma treatment on the surface of the solder resist, and (d) a step of printing on the solder resist layer provided with the solder bumps.
【請求項2】 少なくとも以下の(a)〜(d)の工程を含
むことを特徴とするプリント配線板の製造方法、(a)
半田パッドとなる導体を形成した基板上に、該導体の少
なくとも一部を露出させる開口を設けてソルダーレジス
ト層を形成する工程、(b) 前記ソルダーレジスト表面
に気体プラズマ処理を施す工程、(c) 前記導体上に
金属層を形成した後、または、前記導体上に直接、半田
バンプを形成する工程、(d) 前記半田バンプを設けた
ソルダーレジスト層上に、印字を行う工程。
2. A method for manufacturing a printed wiring board, comprising at least the following steps (a) to (d): (a)
Forming a solder resist layer by providing an opening exposing at least a portion of the conductor on a substrate on which a conductor to be a solder pad is formed; (b) performing a gas plasma treatment on the solder resist surface; A) a step of forming a solder bump after forming a metal layer on the conductor or directly on the conductor; and (d) a step of printing on a solder resist layer provided with the solder bump.
【請求項3】 前記気体プラズマ処理で、ソルダーレジ
スト表面の最大高さ(Rj)を0.1〜100nmにする
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のプリント配線
板の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the maximum height (Rj) of the solder resist surface is set to 0.1 to 100 nm by the gas plasma treatment.
【請求項4】 前記気体プラズマ処理で、ソルダーレジ
スト層表面の接触角度を8〜40°にすることを特徴と
する請求項1又は2に記載のプリント配線板の製造方
法。
4. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the contact angle of the solder resist layer surface is set to 8 to 40 ° by the gas plasma treatment.
【請求項5】 前記プラズマ処理は、酸素、窒素、炭酸
ガス、四フッ化炭素から選ばれる少なくとも1種類以上
であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1に記
載のプリント配線板の製造方法。
5. The printed wiring board according to claim 1, wherein the plasma treatment is at least one kind selected from oxygen, nitrogen, carbon dioxide, and carbon tetrafluoride. Manufacturing method.
【請求項6】 前記プラズマ処理は、プラズマの放射量
500〜1000Wで、酸素プラズマにより1〜15分
間行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1に記
載のプリント配線板の製造方法。
6. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the plasma treatment is performed with oxygen plasma at a radiation amount of 500 to 1000 W for 1 to 15 minutes. .
【請求項7】 前記印刷は、位置決めマークを含むこと
を特徴とする請求項1〜6のいずれか1に記載のプリン
ト配線板の製造方法。
7. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the printing includes a positioning mark.
【請求項8】 前記導体上に金属層を形成する工程にお
いて、金属層としてニッケルめっき層及び金めっき層を
形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1に
記載のプリント配線板の製造方法。
8. The printed wiring board according to claim 1, wherein in the step of forming a metal layer on the conductor, a nickel plating layer and a gold plating layer are formed as the metal layer. Manufacturing method.
【請求項9】 前記導体表面に、粗化面を形成すること
を特徴とする請求項1〜7のいずれか1に記載のプリン
ト配線板の製造方法。
9. The method according to claim 1, wherein a roughened surface is formed on the conductor surface.
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