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JP2000231246A - Electrophotographic method and electrophotographic apparatus - Google Patents

Electrophotographic method and electrophotographic apparatus

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Publication number
JP2000231246A
JP2000231246A JP11125066A JP12506699A JP2000231246A JP 2000231246 A JP2000231246 A JP 2000231246A JP 11125066 A JP11125066 A JP 11125066A JP 12506699 A JP12506699 A JP 12506699A JP 2000231246 A JP2000231246 A JP 2000231246A
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JP
Japan
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charging
wavelength
light
electrophotographic
photoreceptor
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JP11125066A
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Japanese (ja)
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Takaaki Kashiwa
孝明 栢
Masaya Kawada
将也 河田
Yuji Nakayama
雄二 中山
Tetsuya Karaki
哲也 唐木
Toshiyuki Ebara
俊幸 江原
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
  • Electrophotography Configuration And Component (AREA)
  • Control Or Security For Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、プロセスを高速度化した場合、ま
たは小型化した場合においても、ゴーストメモリを改善
でき、且つ、高帯電能の電子写真方法および電子写真装
置を提供することを目的とする。 【解決手段】 感光層を有する感光体に、除電、帯電、
潜像露光、トナー像現像、の各工程を含む一連の工程に
より画像形成を行う電子写真方法において、前記潜像露
光工程に用いる光として、前記感光層の(帯電前光メモ
リ)/(感度)の値が極小値の1.5倍以下となる範囲
の波長の光を用いる。但し、帯電前光メモリとは、帯電
前に光を照射することにより低下する帯電能をいう。
(57) [Problem] To provide an electrophotographic method and an electrophotographic apparatus which can improve a ghost memory and have a high chargeability even when a process is accelerated or miniaturized. The purpose is to do. SOLUTION: A photoreceptor having a photosensitive layer is provided with static elimination, charging,
In an electrophotographic method in which an image is formed by a series of steps including a latent image exposure step and a toner image development step, the light used in the latent image exposure step is (light before charging) / (sensitivity) of the photosensitive layer. Light having a wavelength within a range of 1.5 times or less the minimum value is used. However, the pre-charging optical memory refers to a charging ability that is reduced by irradiating light before charging.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電子写真方法及び電
子写真装置に関し、更に詳しくは、アモルファスシリコ
ン系感光体(a−Si感光体)を用いた電子写真方法及
び該感光体を有する電子写真装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrophotographic method and an electrophotographic apparatus, and more particularly, to an electrophotographic method using an amorphous silicon photoconductor (a-Si photoconductor) and an electrophotographic apparatus having the photoconductor. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】a−Si感光体は表面硬度が高く、半導
体レーザー(770nm〜800nm)などの長波長光
に高い感度を示し、しかも繰返し使用による劣化もほと
んど認められない等、特に高速複写機やLBP(レーザ
ービームプリンター)等の電子写真用感光体として商用
されている。
2. Description of the Related Art An a-Si photoreceptor has a high surface hardness, exhibits high sensitivity to long-wavelength light such as a semiconductor laser (770 nm to 800 nm), and is hardly deteriorated by repeated use. And a photoreceptor for electrophotography such as a laser beam printer (LBP).

【0003】図1はa−Si感光体を用いた電子写真装
置の画像形成プロセスの一例を説明するための概略的構
成図であって、矢印R1方向に回転する感光体401の
周辺には、主帯電器402、静電潜像形成部位403、
現像器405、転写紙供給系406、転写帯電器407
(a)、分離帯電器407(b)、クリーナ409、搬
送系410、除電光源411などが配設されている。主
帯電器402としては通常、均一な帯電性に優れるコロ
ナ帯電器が広く利用されている。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram for explaining an example of an image forming process of an electrophotographic apparatus using an a-Si photosensitive member. A photosensitive member 401 rotating in the direction of arrow R1 is provided around the photosensitive member 401. Main charger 402, electrostatic latent image forming portion 403,
Developing device 405, transfer paper supply system 406, transfer charger 407
(A), a separation charger 407 (b), a cleaner 409, a transport system 410, a static elimination light source 411, and the like are provided. As the main charger 402, a corona charger excellent in uniform chargeability is generally widely used.

【0004】以下、一例を以て画像形成プロセスを説明
すると、感光体401は+6〜8kVの高電圧を印加し
た主帯電器402により一様に帯電され、これに静電潜
像形成部位403より導き投影された静電潜像が形成さ
れ、この潜像に現像器405からネガ極性トナーが供給
されてトナー像となる。一方、転写紙供給系406を通
って感光体方向に供給される転写材Pは+7〜8kVの
高電圧を印加した転写帯電器407(a)と感光体40
1の間隙において背面から、トナーとは反対極性の正電
界を与えられ、これによって感光体表面のネガ極性トナ
ー像は転写材Pに転移する。12〜14kVp−p、3
00〜600Hzの高圧AC電圧を印加した分離帯電器
407(b)により、転写材Pは転写紙搬送系410を
通って定着装置(不図示)に至り、トナー像は定着され
て装置外に排出される。
Hereinafter, the image forming process will be described with reference to an example. The photosensitive member 401 is uniformly charged by a main charger 402 to which a high voltage of +6 to 8 kV is applied, and is guided from an electrostatic latent image forming portion 403 to be projected. The formed electrostatic latent image is formed, and a negative polarity toner is supplied from the developing device 405 to the latent image to form a toner image. On the other hand, the transfer material P supplied in the direction of the photoconductor through the transfer paper supply system 406 is transferred to the transfer charger 407 (a) to which a high voltage of +7 to 8 kV is applied and the photoconductor 40.
A positive electric field having a polarity opposite to that of the toner is applied to the transfer material P from the rear surface in the gap 1 by the negative polarity, so that the negative polarity toner image on the photoconductor surface is transferred to the transfer material P. 12-14 kVp-p, 3
The transfer material P reaches the fixing device (not shown) through the transfer paper transport system 410 by the separation charger 407 (b) to which a high AC voltage of 00 to 600 Hz is applied, and the toner image is fixed and discharged out of the device. Is done.

【0005】電子写真において、感光体における感光層
を形成する光導電材料としては、高感度で、SN比〔光
電流(Ip)/暗電流(Id)〕が高く、照射する電磁
波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトルを有する
こと、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無害であること、等の特性
が要求される。特に、事務機としてオフィスで使用され
る画像形成装置内に組み込まれる画像形成装置用感光体
の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点
である。この様な点に優れた性質を示す光導電材料に水
素化アモルファスシリコン(以下、「a−Si:H」と
表記する)があり、例えば、特公昭60−35059号
公報に画像形成装置用感光体としての応用が記載されて
いる。
In electrophotography, a photoconductive material for forming a photosensitive layer in a photoreceptor has a high sensitivity, a high SN ratio [photocurrent (Ip) / dark current (Id)], and has a low spectral characteristic of an electromagnetic wave to be irradiated. Having a suitable absorption spectrum, fast light response, and having a desired dark resistance value,
Characteristics such as being harmless to the human body during use are required. In particular, in the case of a photoconductor for an image forming apparatus that is incorporated in an image forming apparatus used in an office as an office machine, the above-described non-pollution during use is important. Hydrogenated amorphous silicon (hereinafter abbreviated as "a-Si: H") is a photoconductive material exhibiting such excellent properties. For example, Japanese Patent Publication No. 60-35059 discloses a photosensitive material for an image forming apparatus. Application as a body is described.

【0006】a−Si:Hを用いた画像形成装置用感光
体は、一般的には、導電性支持体を50℃〜400℃に
加熱し、該支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、熱CVD法、光CVD法、プ
ラズマCVD法等の成膜法によりa−Siからなる光導
電層を形成する。なかでもプラズマCVD法、すなわ
ち、原料ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グ
ロー放電によって分解し、支持体上にa−Si堆積膜を
形成する方法が好適なものとして実用に付されている。
A photoreceptor for an image forming apparatus using a-Si: H is generally prepared by heating a conductive support to 50 ° C. to 400 ° C. and depositing the conductive support on the support by a vacuum deposition method, a sputtering method, or the like.
A photoconductive layer made of a-Si is formed by a film forming method such as an ion plating method, a thermal CVD method, a photo CVD method, and a plasma CVD method. Among them, a plasma CVD method, that is, a method in which a raw material gas is decomposed by direct current, high frequency, or microwave glow discharge to form an a-Si deposited film on a support has been put to practical use as a suitable method.

【0007】たとえば、特開昭54−83746号公報
においては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素
として含むa−Si(以下、「a−Si:X」と表記す
る)光導電層からなる画像形成装置用感光体が提案され
ている。ここでは、a−Siにハロゲン原子を1乃至4
0原子%含有させることにより、耐熱性が高く、画像形
成装置用感光体の光導電層として良好な電気的、光学的
特性を得ることができるとしている。
[0007] For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 54-83746, a conductive support and an a-Si (hereinafter referred to as "a-Si: X") photoconductive layer containing a halogen atom as a constituent element are disclosed. A photoreceptor for an image forming apparatus has been proposed. Here, halogen atoms of 1 to 4 are added to a-Si.
By containing 0 atomic%, heat resistance is high, and good electrical and optical characteristics can be obtained as a photoconductive layer of a photoconductor for an image forming apparatus.

【0008】また、特開昭57−11556号公報に
は、a−Si堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時的安定性について改善を図るため、シリコン原
子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層
上に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性のア
モルファス材料で構成された表面層を設ける技術が記載
されている。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-11556 discloses that a photoconductive member having a photoconductive layer composed of an a-Si deposited film has an electrical property such as a dark resistance value, a photosensitivity, and a photoresponsive property. In order to improve the use environment characteristics such as optical and photoconductive properties and moisture resistance, as well as the stability over time, silicon atoms and carbon are deposited on a photoconductive layer composed of an amorphous material based on silicon atoms. A technique of providing a surface layer made of a non-photoconductive amorphous material containing atoms is described.

【0009】更に、特開昭60−67951号公報に
は、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗素を含有
してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体
についての技術が記載され、特開昭62−168161
号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と
41〜70原子%の水素原子を構成要素として含む非晶
質材料を用いる技術が記載されている。
Furthermore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-67951 describes a technique relating to a photoconductor in which a light-transmitting insulating overcoat layer containing amorphous silicon, carbon, oxygen and fluorine is laminated. 62-168161
Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H11-163,887 describes a technique using an amorphous material containing silicon atoms, carbon atoms, and 41 to 70 atomic% of hydrogen atoms as constituent elements as a surface layer.

【0010】さらに、特開昭57−158650号公報
には、水素を10〜40原子%含有し、赤外吸収スペク
トルの2100cm-1と2000cm-1の吸収ピークの
吸収係数比が0.2〜1.7であるa−Si:Hを光導
電層に用いることにより高感度で高抵抗な画像形成装置
用感光体が得られることが記載されている。
Furthermore, in JP-A-57-158650, hydrogen containing 10 to 40 atomic%, 0.2 absorption coefficient ratio of the absorption peak of 2100 cm -1 and 2000 cm -1 in the infrared absorption spectrum It is described that a photosensitive member for an image forming apparatus having high sensitivity and high resistance can be obtained by using a-Si: H of 1.7 for the photoconductive layer.

【0011】一方、特開昭60−95551号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を30乃至40℃に維持して
帯電、露光、現像および転写といった画像形成工程を行
うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵
抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技
術が開示されている。
On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-95551 discloses that in order to improve the image quality of an amorphous silicon photoreceptor, charging, exposing, developing and transferring while maintaining the temperature near the photoreceptor surface at 30 to 40 ° C. By performing such an image forming process, there is disclosed a technique for preventing a reduction in surface resistance due to the adsorption of moisture on the surface of a photoreceptor and an image deletion caused thereby.

【0012】これらの技術により、画像形成装置用感光
体の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が
向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。
[0012] These techniques have improved the electrical, optical, photoconductive and operating environment characteristics of the photoreceptor for an image forming apparatus, and accordingly the image quality.

【0013】また、前述の感光体の高湿画像流れを防
止、除去する為に、感光体内面側に熱源、たとえば面状
乃至棒状の電熱ヒータを円筒状感光体内面側に配設し、
感光体を加温することが知られている。
In order to prevent or remove the high-humidity image from the photosensitive member, a heat source, for example, a planar or rod-shaped electric heater is disposed on the inner surface of the photosensitive member.
It is known to heat a photoreceptor.

【0014】とはいえ、画像流れを防止する為に、ヒー
ターによって常時加熱することは前述の様に消費電力量
の増大を招く。こうしたヒーターの容量は通常15Wか
ら80W程度と必ずしも大電力量といった印象ではない
が、夜間も含め常時通電されているケースがほとんどで
あり、一日あたりの消費電力量としては、画像形成装置
全体の消費電力量の5〜15%にも達する場合もある。
Nevertheless, always heating with a heater to prevent image deletion causes an increase in power consumption as described above. The capacity of such a heater is not necessarily an impression of a large amount of power, usually about 15 W to 80 W. However, in most cases, the heater is always energized even at night, and the amount of power consumed per day is the entire image forming apparatus. In some cases, power consumption may reach 5 to 15%.

【0015】ところで電子写真装置の多用途化やオフィ
ス等の省スペース化にともない、それに合わせ、省スペ
ースでかつ、多機能、コピー速度の速いものが求められ
てきている。そのため、設計面から高速度化、小型化、
多機能化に配慮した設計が行われる必要がある。
With the versatility of electrophotographic apparatuses and the space saving of offices and the like, there has been a demand for space-saving, multifunctional, high-speed copying apparatuses. Therefore, from the design point of view, high speed, miniaturization,
It is necessary to design in consideration of multifunction.

【0016】しかしながら、電子写真装置の、高速度化
や、小型化、多機能化にともない、帯電装置の小型化、
プロセススピードが上がることにより、帯電器内の感光
体の通過時間が短くなり、高帯電を感光体表面に得るこ
と、つまり充分に感光体表面を帯電させること、が難し
くなっている。また、省エネルギーの面からは、ドラム
ヒーターのカットや帯電器の電流値を下げることによ
り、電子写真装置全体の消費電力をより一層下げること
も望まれている。
However, with the increase in speed, miniaturization, and multifunctionality of the electrophotographic apparatus, miniaturization of the charging device,
As the process speed increases, the passage time of the photoconductor in the charger becomes shorter, and it becomes difficult to obtain high charge on the photoconductor surface, that is, to sufficiently charge the photoconductor surface. Further, from the viewpoint of energy saving, it is desired to further reduce the power consumption of the entire electrophotographic apparatus by cutting the drum heater and reducing the current value of the charger.

【0017】特に、高速度化や感光体の小径化を行う場
合、帯電に対して大きな問題が発生する。高速化の場
合、帯電器の幅が同じ場合においても、帯電器内を感光
体のある1点が通過する時間、つまり、帯電されるため
の時間、が短くなり帯電量が低下する場合がある。ま
た、ドラム状の感光体の直径の小径化を行う場合は、帯
電器の幅が制限されることにより、結果として充分に帯
電するための領域をとれず帯電を十分に得ることができ
ない場合がある。
In particular, when the speed is increased or the diameter of the photosensitive member is reduced, a large problem occurs with respect to charging. In the case of high speed, even when the width of the charger is the same, the time required for a certain point of the photoconductor to pass through the inside of the charger, that is, the time required for charging is shortened, and the charge amount may decrease. . Further, when the diameter of the drum-shaped photoconductor is reduced, the width of the charger is limited, and as a result, a sufficient charging area cannot be obtained and charging may not be sufficiently obtained. is there.

【0018】高速度化や感光体の小径化の共通の問題と
して、露光から次の感光体表面の帯電のための帯電器ま
で感光体表面のある点が移動する時間が短くなることも
ある。非晶質シリコンを用いる場合、露光による光メモ
リー現象を有している。この光メモリーは露光後の時間
により減少するので、この時間が短いほど、画像にゴー
ストとして現れやすい。このゴーストを消すために、除
電露光を過剰に与えることは可能であるが、除電露光の
光量を上げるに従い帯電能が低下し易い。
As a common problem of increasing the speed and reducing the diameter of the photosensitive member, the time required for a point on the photosensitive member surface to move from exposure to a charger for charging the next photosensitive member surface may be shortened. When amorphous silicon is used, it has an optical memory phenomenon due to exposure. Since this optical memory decreases with the time after exposure, the shorter the time, the more likely it is to appear as a ghost in an image. To eliminate this ghost, it is possible to give an excessive amount of static elimination exposure, but as the amount of static elimination exposure is increased, the charging ability tends to decrease.

【0019】またこれらの問題を解決しても、感光体特
性の温度依存性が大きい場合はヒーターによる感光体の
温度制御をやめることができない。
Even if these problems are solved, the temperature control of the photoconductor by the heater cannot be stopped when the temperature dependence of the photoconductor characteristics is large.

【0020】従って、電子写真方式を利用した画像形成
装置、乃至電子写真画像形成方法を設計する際に、上記
のような課題が解決されるように、画像形成装置用感光
体の電子写真特性、機械的耐久性など総合的な観点から
の改良を図るとともに、帯電効率がよくかつ均一に帯電
する帯電装置、画像形成装置の一段の改良を図ることが
必要とされている。
Therefore, when designing an image forming apparatus or an electrophotographic image forming method using an electrophotographic method, the electrophotographic characteristics of the photoreceptor for the image forming apparatus can be improved so as to solve the above-mentioned problems. There is a need to improve from a comprehensive point of view such as mechanical durability and to further improve a charging device and an image forming apparatus which have good charging efficiency and uniformly charge.

【0021】また、高画質化に向けてドット径を小さく
することが行われるが、この場合、ドットの再現性を上
げることが必要であり、それに対し潜像レベルでの改善
を行うことも重要である。
In order to improve the image quality, the dot diameter is reduced. In this case, it is necessary to increase the reproducibility of the dots, and it is also important to improve the latent image level. It is.

【0022】[0022]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題に鑑みてなされたものであり、プロセスを高速度化
した場合、または小型化した場合においても、ゴースト
メモリを改善でき、且つ、高帯電能の電子写真方法およ
び電子写真装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a problem, and can improve a ghost memory even when a process is speeded up or downsized. An object of the present invention is to provide an electrophotographic method and an electrophotographic apparatus having high charging ability.

【0023】また、本発明は感光体を小径化し、あるい
はより一層の高速化が可能でかつ露光スポット径の小径
化が可能で更なる高画質化を達成することができる電子
写真方法及び電子写真装置を提供することを目的とす
る。
Further, the present invention provides an electrophotographic method and an electrophotographic method capable of reducing the diameter of a photoreceptor, further increasing the speed, and reducing the diameter of an exposure spot to achieve higher image quality. It is intended to provide a device.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】本発明は、光受容層を有
する感光体の表面を除電する除電工程、該感光体の表面
を帯電させる帯電工程、帯電した感光体表面を露光して
静電潜像を形成する潜像露光工程、静電潜像にトナーを
供給し現像してトナー像を形成する現像工程、を含む一
連の工程により画像形成を行う電子写真方法において、
前記光受容層はアモルファスシリコン半導体を有し、前
記潜像露光工程に用いる光として、該感光体に該感光体
を帯電する前に光を照射しなかった場合の帯電電位と所
望の波長の光を照射した後に帯電させた時の帯電電位の
差を該帯電電位の差を発生させる該波長における感度で
割った値がその極小値の1.5倍以下となる範囲の波長
の光を用いる電子写真方法を提供する。
According to the present invention, there is provided a charge removing step for removing a charge on a surface of a photoreceptor having a photoreceptive layer, a charging step for charging the charge on the surface of the photoreceptor, and a method for exposing the charged charge on the surface of the photosensitive member. A latent image exposure step of forming a latent image, a developing step of supplying a toner to the electrostatic latent image and developing to form a toner image, in an electrophotographic method of forming an image by a series of steps including
The light receiving layer has an amorphous silicon semiconductor, and as a light used in the latent image exposing step, a charge potential and a light of a desired wavelength when the light is not irradiated to the photoreceptor before the photoreceptor is charged. An electron using light having a wavelength in a range in which a value obtained by dividing a difference in charging potential when charged after irradiation with sensitivity at the wavelength that generates the difference in charging potential is 1.5 times or less the minimum value. Provide a photography method.

【0025】また、本発明は該電子写真方法を利用した
電子写真装置を提供する。
Further, the present invention provides an electrophotographic apparatus using the electrophotographic method.

【0026】加えて、本発明は、光受容層を有する感光
体、該感光体の表面を除電する除電手段、該感光体の表
面を帯電させる帯電手段、帯電した感光体表面を露光し
て静電潜像を形成する潜像露光手段、静電潜像にトナー
を供給し現像してトナー像を形成する現像手段、を含む
電子写真装置において、前記光受容層はアモルファスシ
リコンを有し、前記潜像露光手段は、像露光光源として
波長500〜680nmの光源を備える電子写真装置を
提供する。
In addition, the present invention provides a photoreceptor having a photoreceptor layer, a discharging means for discharging the surface of the photoreceptor, a charging means for charging the surface of the photoreceptor, and a method for exposing the charged photoreceptor surface to static electricity. An electrophotographic apparatus including: a latent image exposure unit that forms an electrostatic latent image; and a developing unit that supplies and develops a toner to the electrostatic latent image to form a toner image. The latent image exposure unit provides an electrophotographic apparatus including a light source having a wavelength of 500 to 680 nm as an image exposure light source.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】本発明者は、検討を重ねた結果、
感光体に照射する光に所定の範囲の波長の光を用いるこ
とにより、高速度化、感光体の小径化といった帯電能の
厳しい条件の下でも、ゴーストが改善されることを発見
した。これによって、過剰の除電露光を照射しなくても
ゴーストが改善されるので、過剰の除電露光による帯電
能の低下がなく、十分な帯電電位が得られることを見い
出した。以下に、詳しく説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION As a result of repeated studies, the present inventor has found that
It has been discovered that ghosts can be improved by using light having a predetermined range of wavelengths as light to irradiate the photoreceptor even under severe charging ability conditions such as high speed and small diameter of the photoreceptor. As a result, it has been found that the ghost can be improved without irradiating excessive static elimination exposure, so that the charging ability does not decrease due to excessive static elimination exposure and a sufficient charging potential can be obtained. The details will be described below.

【0028】図2にアモルファスシリコン感光体の各波
長における感度の一例を測定した結果を示す。ここで
は、表面が400Vに帯電されたアモルファスシリコン
感光体に各波長の光を照射して表面電位が200V(△
200V)になったときと50V(△350V)になっ
たときの単位光量[単位面積]あたりの表面電位の変化
量(つまり△200Vと△350V)の値が照射された
各波長の光ごとに示されている(単位V・cm2/μ
J)。その結果、アモルファスシリコン感光体は、70
0nm付近に感度のピークを持っており、700nm以
上の波長では、感度が急激に下がることがわかった。7
00nm以上の波長で感度が下がる理由はバンドギャッ
プ以上の十分のエネルギーを付与できないためであると
考えられる。
FIG. 2 shows the result of measuring an example of the sensitivity at each wavelength of the amorphous silicon photosensitive member. Here, the amorphous silicon photoreceptor whose surface is charged to 400 V is irradiated with light of each wavelength to have a surface potential of 200 V (△).
The amount of change in surface potential per unit light amount [unit area] (ie, 200 V and 350 V) when the voltage becomes 200 V) and 50 V (△ 350 V) is applied to each of the irradiated light beams. Shown (unit: V · cm 2 / μ
J). As a result, the amorphous silicon photoreceptor is 70
It is found that the sensitivity has a peak near 0 nm, and that the sensitivity sharply decreases at a wavelength of 700 nm or more. 7
It is considered that the reason why the sensitivity is reduced at a wavelength of 00 nm or more is that sufficient energy of the band gap or more cannot be applied.

【0029】したがって、効率良くアモルファスシリコ
ン感光体を使用するのであれば感度の良好な波長を用い
ることが望ましい。
Therefore, if an amorphous silicon photosensitive member is used efficiently, it is desirable to use a wavelength having good sensitivity.

【0030】しかし、感度の良い波長を像露光光源に用
いるというだけではアモルファスシリコン感光体を使用
するにあたっては充分とはいえない場合がある。即ち、
アモルファスシリコンは感光による光メモリが発生する
ため、感度の最も感度の高い波長を像露光の波長に単に
使うだけでは、光メモリの問題、たとえばゴーストが生
ずる場合がある。
However, simply using a wavelength having good sensitivity as an image exposure light source may not be enough for using an amorphous silicon photosensitive member. That is,
Since amorphous silicon generates optical memory due to photosensitivity, simply using the wavelength with the highest sensitivity as the wavelength for image exposure may cause a problem with the optical memory, for example, a ghost.

【0031】そこで本発明者らは、帯電前に照射した光
照射の光メモリとの関係をみるため、帯電前に波長の異
なる光を照射して、光メモリの波長依存性を調べた。図
3a)に、帯電前に照射した各波長及び各光量に対する
帯電能の減少量(単位V)、即ち帯電前光メモリを示
す。また、図3b)には帯電前の光照射から、帯電させ
るまでの時間を変更したときの各波長における帯電前光
メモリを示す。
Therefore, the present inventors examined the wavelength dependence of the optical memory by irradiating light having different wavelengths before charging in order to see the relationship between the light irradiation before charging and the optical memory. FIG. 3a) shows the amount of decrease in chargeability (unit V) with respect to each wavelength and each light amount irradiated before charging, that is, an optical memory before charging. FIG. 3B shows a pre-charging optical memory at each wavelength when the time from light irradiation before charging to charging is changed.

【0032】露光から帯電までの時間が長いほど帯電前
光メモリが小さくなったが、帯電前光メモリのピーク波
長は、ほとんど変化がなかった。これらの結果から、帯
電能を減少させる波長は、730nm付近であることが
分かった。
The longer the time from the exposure to the charging, the smaller the pre-charging optical memory was, but the peak wavelength of the pre-charging optical memory was hardly changed. From these results, it was found that the wavelength at which the charging ability was reduced was around 730 nm.

【0033】本発明者は、図2および図3の結果を基
に、感度を維持したままメモリを小さくするためには、
感光体の感度に対する帯電前光メモリを小さくするこ
と、即ち(帯電前光メモリ)/(感度)の値、いいかえ
れば、単位コントラスト電位で発生する光メモリの値、
がなるべく小さくなる像露光を用いることによりゴース
ト電位が小さくなることを発見し、本発明に至った。
Based on the results of FIG. 2 and FIG. 3, the present inventor has made it possible to reduce the memory while maintaining the sensitivity.
Decreasing the pre-charge optical memory with respect to the sensitivity of the photoreceptor, that is, the value of (pre-charge optical memory) / (sensitivity), in other words, the value of the optical memory generated at a unit contrast potential,
It has been found that the ghost potential is reduced by using an image exposure in which is as small as possible.

【0034】像露光に用いる光の波長として(帯電前光
メモリ)/(感度)の値が極小値となる波長が最も好ま
しいが、極小値となる波長でなくても(帯電前光メモ
リ)/(感度)の値が極小値の1.5倍以下となる範囲
の波長を用いれば、本発明の効果が十分に得られる。
The wavelength of light used for image exposure is most preferably a wavelength at which the value of (pre-charging light memory) / (sensitivity) has a minimum value. However, even if the wavelength is not the minimum value, (pre-charging light memory) / (sensitivity) If the wavelength within the range where the value of ()) is 1.5 times or less of the minimum value is used, the effect of the present invention can be sufficiently obtained.

【0035】図4は、「感光体を帯電する前に光照射し
なかった電位」と、「所望の波長の平利照射した後に帯
電させた帯電電位」との差を「該波長における感度」で
割った値を示すグラフの1例である。具体的には感度
(単位V・cm2/μJ)として図2のコントラスト差
△350Vの値を用いた。その結果、像露光波長には、
500nm〜680nmの露光を用いることにより、画
像上のゴーストメモリのランクが向上することがわか
る。これにより、ゴーストレベルを落とさずに、帯電能
を向上できた。また、より好ましくは600nmから6
60nmの範囲が有効であった。このように感度に対す
る帯電前光メモリの極小値となる像露光光源を使用する
ことで、アモルファスシリコンドラムの高速化や小径化
といった、帯電能の厳しい条件の下でも、アモルファス
シリコンの高帯電能化に有効であることが分かった。
FIG. 4 shows the difference between the “potential not irradiated with light before charging the photoreceptor” and the “charging potential charged after irradiation with the desired wavelength”, as “sensitivity at the wavelength”. 6 is an example of a graph showing a value divided by. Specifically, the value of the contrast difference of △ 350 V in FIG. 2 was used as the sensitivity (unit: V · cm 2 / μJ). As a result, the image exposure wavelength
It can be seen that the use of exposure at 500 nm to 680 nm improves the rank of the ghost memory on the image. Thereby, the charging ability could be improved without lowering the ghost level. Also, more preferably, from 600 nm to 6 nm.
The range of 60 nm was effective. By using an image exposure light source that minimizes the sensitivity of the pre-charging optical memory for sensitivity, it is possible to increase the chargeability of amorphous silicon even under severe conditions such as high-speed and small diameter amorphous silicon drums. It turned out to be effective.

【0036】これは、像露光が660nm以上になると
帯電前光メモリが大きくなり、また、600nm以下の
波長では、LEDや半導体レーザーのような単一波長光
源を用いる場合、残留電位が大きくなり、見かけ上の感
度の低下を招くことによると考えられる。そのため過剰
の光が当たり、光メモリが増加するためと考えられる。
This is because the pre-charging optical memory becomes large when the image exposure becomes 660 nm or more, and the residual potential becomes large when a single wavelength light source such as an LED or a semiconductor laser is used at a wavelength of 600 nm or less. It is considered that the above decrease in sensitivity is caused. Therefore, it is considered that excess light hits and the optical memory increases.

【0037】また、半導体レーザーを使用する場合、こ
れらの波長を用いることにより、光学設計レベルでドッ
ト径を小さくすることが可能であり、それによりより高
画質な画像を得ることが可能である。
When a semiconductor laser is used, by using these wavelengths, it is possible to reduce the dot diameter at an optical design level, thereby obtaining a higher quality image.

【0038】本発明において、上記像露光を用いた場
合、最適な除電露光について以下に示す。除電光波長が
680nm以上の場合、電位ムラが急激に大きくなる傾
向にある。これは、膜質にムラがある場合、除電光によ
る光メモリのムラが発生しやすくなるためと考えられ
る。また、短波長側で波長が短くなるに従い、ムラが大
きくなるのは、残留電位ムラが発生するためであり、ム
ラを軽減するためには、600nm以上680nm以
下、より好ましくは630nm以上680nm以下の除
電露光を用いると良い事が分かった。次に、帯電能に対
するゴースト電位の評価を像露光を行った結果上記範囲
を満足することでゴーストメモリ改善にも効果があるこ
とが分かった。
In the present invention, when the above-described image exposure is used, the optimum static elimination exposure will be described below. When the wavelength of the static elimination light is 680 nm or more, the potential unevenness tends to increase rapidly. This is presumably because, when the film quality is uneven, the optical memory is likely to be uneven due to the static elimination light. Further, the reason why the unevenness increases as the wavelength becomes shorter on the short wavelength side is because the residual potential unevenness occurs. In order to reduce the unevenness, the unevenness is reduced to 600 nm to 680 nm, more preferably 630 nm to 680 nm. It turned out that it is good to use static elimination exposure. Next, as a result of performing image exposure to evaluate the ghost potential with respect to the charging ability, it was found that satisfying the above range was effective in improving the ghost memory.

【0039】すなわち、帯電能、ゴースト、帯電電位ム
ラの3点を共に満足するためには、像露光除電露光を本
発明の範囲で用いることがより望ましい。
That is, in order to satisfy all three points of charging ability, ghost, and charging potential unevenness, it is more preferable to use image exposure and charge elimination exposure within the scope of the present invention.

【0040】本発明において、帯電は通常知られるコロ
ナ放電により行うことができる。とはいえ、コロナ放電
による帯電はオゾンの発生を伴う。
In the present invention, the charging can be performed by a generally known corona discharge. However, charging by corona discharge involves generation of ozone.

【0041】発生するオゾンについては、従来からオゾ
ン除去フィルターで分解無害化して排出していた。特に
パーソナルユースの場合、排出オゾン量は極力低減しな
ければならない。このように経済面からも帯電時の発生
オゾン量を大幅に低減する方式が求められている。その
ような要望に沿う帯電装置として、たとえば特開昭63
−208878号公報に記載されている様な接触帯電方
式がある。これは、電圧を印加した帯電部材を被帯電体
に当接させて被帯電面を所望の電位に帯電するもので、
コロナ放電装置に比べて、第1に、被帯電体面に所望の
電位を得るのに必要とされる印加電圧の低電圧化が図れ
る事、第2に、帯電過程で発生するオゾン量が無乃至極
微量であり、オゾン除去フィルターの必要性が無くなる
事、そのため装置の排気系の構成が簡素化される事、メ
ンテナンスフリーである事、第3に、帯電過程で発生す
るオゾン量が無乃至極微量であることで、オゾン並びに
オゾン生成物が被帯電体である像担持体、例えば感光体
の表面に付着し、コロナ生成物の影響で感光体表面が湿
度に敏感となり水分を吸着し易くなることによる、表面
の低抵抗化による画像流れを防止する為に行われている
加熱ヒーターによる感光体表面の除湿の必要性が無くな
る事、そのため夜間通電等の電力消費の大幅な低減が図
れる事、等の長所を有している。
The generated ozone has been conventionally decomposed and made harmless by an ozone removal filter and discharged. Especially in the case of personal use, the amount of emitted ozone must be reduced as much as possible. As described above, a method for greatly reducing the amount of ozone generated at the time of charging is also demanded from the economical viewpoint. Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 63
There is a contact charging system as described in JP-A-208878. This is to charge a charged surface to a desired potential by bringing a charging member to which a voltage is applied into contact with a member to be charged,
Compared with the corona discharge device, firstly, the applied voltage required to obtain a desired potential on the surface to be charged can be reduced, and secondly, the amount of ozone generated in the charging process is zero to no. It is a very small amount, eliminating the need for an ozone removal filter, simplifying the configuration of the exhaust system of the apparatus, being maintenance-free, and thirdly, eliminating the amount of ozone generated during the charging process to an extremely small amount. Due to the minute amount, ozone and ozone products adhere to the surface of the image carrier, for example, the photoreceptor to be charged, and the surface of the photoreceptor becomes sensitive to humidity due to the influence of the corona product, so that moisture is easily adsorbed. This eliminates the need for dehumidification of the photoreceptor surface by a heater, which is performed to prevent image deletion due to surface resistance reduction, and thus enables a significant reduction in power consumption such as energization at night. Advantages of It has.

【0042】接触帯電方式の帯電装置としては、ブレー
ド状やシート状の固定式の帯電部材を被帯電体に当接さ
せ、これに帯電バイアスを印加して帯電を行うものがあ
る。
As a contact-charging type charging device, there is a charging device in which a fixed charging member in the form of a blade or a sheet is brought into contact with an object to be charged and a charging bias is applied thereto to perform charging.

【0043】(a)帯電ブレード接触帯電装置 図5に帯電ブレードを用いた接触帯電装置の一実施態様
を示す。20は接触帯電部材としての帯電ブレードであ
り、電極板21と、その感光体対向面側に形成した抵抗
層22からなり、該帯電ブレード20の先端部を感光体
1面に所定の押圧力で接触させて配設してある。nは接
触ニップ部(帯電ニップ部)である。
(A) Charging blade contact charging device FIG. 5 shows an embodiment of a contact charging device using a charging blade. Reference numeral 20 denotes a charging blade as a contact charging member, which comprises an electrode plate 21 and a resistive layer 22 formed on the surface of the photoconductor opposite to the photoconductor. The tip of the charging blade 20 is pressed against the surface of the photoconductor 1 with a predetermined pressing force. Arranged in contact. n is a contact nip portion (charging nip portion).

【0044】電極板21は、通常、アルミニウム、アル
ミニウム合金、真鍮、銅、鉄、ステンレス等の金属や、
樹脂、セラミック等の絶縁材料に導電処理、即ち、金属
をコーティングしたり、導電性塗料を塗布したりしたも
のを用いる。
The electrode plate 21 is generally made of a metal such as aluminum, aluminum alloy, brass, copper, iron, stainless steel, or the like.
An insulating material such as a resin or ceramic is subjected to a conductive treatment, that is, a material obtained by coating a metal or applying a conductive paint.

【0045】抵抗層22は、ポリプロピレン、ポリエチ
レン等の樹脂や、シリコンゴム、ウレタンゴム等のエラ
ストマーに、酸化チタン、炭素粉、金属粉等の導電性フ
ィラーを分散したものが一般的に用いられる。
The resistance layer 22 is generally made of a resin such as polypropylene or polyethylene, or an elastomer such as silicon rubber or urethane rubber in which conductive fillers such as titanium oxide, carbon powder and metal powder are dispersed.

【0046】抵抗層22の抵抗値は、HIOKI社(メ
ーカー)製のMΩテスターで250Vから1kVの印加
電圧における測定にて、1×103〜1×1012Ωcm
なる抵抗を有する。
The resistance value of the resistance layer 22 is 1 × 10 3 Ωcm to 1 × 10 12 Ωcm when measured with an MΩ tester manufactured by HIOKI (manufacturer) at an applied voltage of 250 V to 1 kV.
Has a resistance of

【0047】該帯電部材20の抵抗値は、その使用され
る環境、高帯電効率、感光体表面層の耐圧特性等に応じ
て適宜選択されることが望ましい。
It is desirable that the resistance value of the charging member 20 is appropriately selected in accordance with the environment in which the charging member 20 is used, high charging efficiency, withstand voltage characteristics of the photosensitive member surface layer, and the like.

【0048】Sは帯電ブレード20に対する帯電バイア
ス印加電源であり、該電源Sにより帯電ブレード20の
電極板21に所定の帯電バイアス電圧が印加されること
で、回転駆動されている感光体1の外周面が所定の極性
・電位に接触帯電方式で帯電処理される。
S is a power source for applying a charging bias to the charging blade 20. When a predetermined charging bias voltage is applied to the electrode plate 21 of the charging blade 20 by the power source S, the outer periphery of the photoconductor 1 being driven to rotate is controlled. The surface is charged to a predetermined polarity and potential by a contact charging method.

【0049】帯電部材20に対する帯電バイアスは直流
電圧Vdcのみを印加するDC印加方式と、直流電圧V
dcに交流電圧Vacを重畳した振動電圧を印加するA
C印加方式がある。AC印加方式について、特開昭63
−149669号公報に開示されるように、所望の帯電
電位Vdに相当する直流電圧Vdcに被帯電体の帯電開
始電圧Vthの2倍以上のピーク間電圧を持つ交流電圧
成分を重畳した振動電圧(時間と共に電圧値が周期的に
変化する電圧)を印加して帯電を行わせる方式は、交流
電圧成分による帯電電位のならし効果を目的としたもの
であり、被帯電体の帯電電位は交流電圧成分の中央であ
るVdに収束し、帯電の均一化が図られる。帯電開始電
圧Vthは帯電部材に直流電圧を印加して被帯電体の帯
電が開始する場合の帯電部材への印加電圧値である。
The charging bias applied to the charging member 20 is a DC application method in which only the DC voltage Vdc is applied,
A for applying an oscillating voltage obtained by superimposing an AC voltage Vac on dc
There is a C application method. Regarding AC application method,
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 149669, an oscillating voltage obtained by superimposing an AC voltage component having a peak-to-peak voltage that is twice or more the charging start voltage Vth of the member to be charged on a DC voltage Vdc corresponding to a desired charging potential Vd. The method of applying a voltage by applying a voltage whose voltage value changes periodically with time) is intended for the purpose of smoothing out the charging potential by an AC voltage component. It converges to Vd which is the center of the component, and charging is made uniform. The charging start voltage Vth is a voltage value applied to the charging member when a DC voltage is applied to the charging member to start charging the member to be charged.

【0050】(b)磁気ブラシ接触帯電装置 上記の解決策として、接触帯電部材のさまざまな改善と
いった進み方の中で、特開昭59−133569号公報
等のように、磁性体(マグネット、磁石)と磁性粉体
(或は粒子)からなる磁気ブラシ状の接触帯電部材を用
いた磁気ブラシ接触帯電装置が提案されている。
(B) Magnetic brush contact charging device As a solution to the above, in the course of various improvements of the contact charging member, a magnetic material (magnet, magnet, etc.) as disclosed in JP-A-59-133569, etc. ) And a magnetic powder (or particles), and a magnetic brush contact charging device using a magnetic brush contact charging member has been proposed.

【0051】磁気ブラシ接触帯電装置は、接触帯電部材
としてローラー型、ブレード型などを用いた場合より
も、被帯電体と帯電部材の接触性等の特性の向上が図ら
れる。
In the magnetic brush contact charging device, characteristics such as the contact property between the member to be charged and the charging member are improved as compared with the case where a roller type, a blade type or the like is used as the contact charging member.

【0052】図6に磁気ブラシ接触帯電装置の一実施態
様を示す。23は磁気ブラシ帯電部材であり、本例のも
のは、芯金24と、該芯金まわりに同心一体に設けた円
筒状の多極磁性体としてのマグネットローラー25と、
このマグネットローラー25の外周面に該マグネットロ
ーラーの磁力により磁気ブラシとして吸着保持させた、
磁性粉体(或は磁性粒子、磁性キャリア)の磁気ブラシ
層26と、芯金24の両端側にそれぞれ回転自由に外嵌
させた円盤型のスペーサーコロ27・27からなるマグ
ネットローラー回転タイプである。この磁気ブラシ帯電
部材23を、感光体1に略並行にして、両端側のスペー
サーコロ27・27を感光体1の両端側の面に常時当接
させた状態に保持させて、芯金24の両端側を軸受け保
持させる。また、26aは付着物、28は付着物を除去
するためのブレードである。
FIG. 6 shows an embodiment of the magnetic brush contact charging device. Reference numeral 23 denotes a magnetic brush charging member. In this embodiment, a core metal 24, a magnet roller 25 as a cylindrical multipolar magnetic body provided concentrically around the core metal,
The outer peripheral surface of the magnet roller 25 was attracted and held as a magnetic brush by the magnetic force of the magnet roller.
A magnet roller rotating type comprising a magnetic brush layer 26 of magnetic powder (or magnetic particles or a magnetic carrier) and disk-shaped spacer rollers 27 which are rotatably fitted to both ends of a core 24, respectively. . The magnetic brush charging member 23 is held substantially parallel to the photoconductor 1, and the spacer rollers 27 at both ends are kept in contact with the surfaces at both ends of the photoconductor 1. Hold the bearings at both ends. Reference numeral 26a denotes a deposit, and 28 denotes a blade for removing the deposit.

【0053】スペーサーコロ27・27はマグネットロ
ーラー25の外径よりも大きく、磁気ブラシ層26の外
径よりは小さい外径としてあり、マグネットローラー2
5と感光体1との最近接間隙(ギャップ)αを所定に規
制する役目をする。該間隙αは50〜2000μmの範
囲が好ましく、より好ましくは100〜1000μmで
ある。
The spacer rollers 27 have an outer diameter larger than the outer diameter of the magnet roller 25 and smaller than the outer diameter of the magnetic brush layer 26.
It functions to regulate the closest gap (gap) α between the photoconductor 5 and the photoconductor 1 in a predetermined manner. The gap α is preferably in the range of 50 to 2000 μm, more preferably 100 to 1000 μm.

【0054】磁気ブラシ層26は感光体1とマグネット
ローラー25との間において感光体1の面に接触して接
触ニップ部nを形成する。感光体1とマグネットローラ
ー25の最近接間隙αが上記のようにスペーサーコロ2
7・27で所定に規制されることで、接触ニップ部nの
感光体回転方向における幅が安定化される。
The magnetic brush layer 26 contacts the surface of the photoconductor 1 between the photoconductor 1 and the magnet roller 25 to form a contact nip n. The closest gap α between the photoreceptor 1 and the magnet roller 25 is equal to the spacer roller 2 as described above.
By the predetermined regulation at 7.27, the width of the contact nip n in the photoconductor rotation direction is stabilized.

【0055】帯電部材23のマグネットローラー25
は、本例においては、接触ニップ部nにおいて感光体1
の回転方向とは逆方向である矢示の時計方向に回転駆動
され、回転感光体1面が接触ニップ部nにおいて磁気ブ
ラシ層26で摺擦される。
Magnet roller 25 of charging member 23
In the present example, the photoconductor 1 at the contact nip n
Is rotated in the clockwise direction indicated by the arrow, which is the opposite direction to the rotation direction, and the surface of the rotating photoconductor 1 is rubbed by the magnetic brush layer 26 at the contact nip n.

【0056】電源Sにより芯金24、マグネットローラ
ー25を介して磁気ブラシ層26に対して所定の帯電バ
イアス電圧がDC印加方式或はAC印加方式で印加され
て、回転駆動されている感光体1の外周面が接触帯電方
式にて所定の極性・電位に均一帯電処理される。磁性体
としてのマグネットローラー25は、通常、フェライト
磁石、ゴムマグネット等が用いられる。
A predetermined charging bias voltage is applied by a power source S to the magnetic brush layer 26 via the metal core 24 and the magnet roller 25 by a DC application method or an AC application method, and the photoreceptor 1 being driven to rotate is rotated. Is uniformly charged to a predetermined polarity and potential by a contact charging method. As the magnet roller 25 as a magnetic material, a ferrite magnet, a rubber magnet, or the like is usually used.

【0057】磁性粉体は、磁性酸化鉄(フェライト
粉)、マグネタイト粉、周知の磁性トナー材等が一般的
に用いられる。
As the magnetic powder, magnetic iron oxide (ferrite powder), magnetite powder, a well-known magnetic toner material and the like are generally used.

【0058】該帯電部材23の抵抗値は、その使用され
る環境、高帯電効率、感光体表面層の耐圧特性等に応じ
て適宜選択されることが望ましい。
It is desirable that the resistance value of the charging member 23 is appropriately selected according to the environment in which the charging member 23 is used, high charging efficiency, withstand voltage characteristics of the photosensitive member surface layer, and the like.

【0059】マグネットローラー25の外側に被磁性材
の電極スリーブを外嵌させて、このスリーブの外周面に
内部のマグネットローラー25の磁力で磁性粉体を磁気
ブラシとして吸着保持させて磁気ブラシ層26を形成保
持させスリーブを回転させる、スリーブ回転タイプもあ
る。
An electrode sleeve of a magnetic material is externally fitted to the outside of the magnet roller 25, and the magnetic powder is attracted and held as a magnetic brush on the outer peripheral surface of the sleeve by the magnetic force of the internal magnet roller 25, thereby forming a magnetic brush layer 26. There is also a sleeve rotation type in which the sleeve is rotated by forming and holding the.

【0060】このような磁気ブラシ接触帯電装置によ
り、像担持体と接触帯電部材の接触性、摩耗性特性が向
上し、耐久劣化に対して機械的摩耗等の格段の向上を図
ることができる。
With such a magnetic brush contact charging device, the contact and abrasion characteristics of the image bearing member and the contact charging member are improved, and remarkable improvements such as mechanical abrasion against deterioration of durability can be achieved.

【0061】(c)ファーブラシ接触帯電装置 接触帯電部材としてファーブラシを利用した例を説明す
る。図7にファーブラシ接触帯電装置の一実施態様を示
す。30はファーブラシ帯電部材であり、これはローラ
ー状の電極部材31の外周面に、導電性を有するブラシ
状接触子、例えば、メッキした金属ブラシや導電材料を
分散させた繊維ブラシを植設してブラシ層(ファーブラ
シ)32を設け、該ブラシ層32を被帯電体としての感
光体1に接触させて配設し、該ファーブラシ帯電部材3
0を回転させ、電極部材31には電源から所定の帯電バ
イアス電圧を印加して感光体1の帯電を行わせるもので
ある。
(C) Fur brush contact charging device An example in which a fur brush is used as a contact charging member will be described. FIG. 7 shows an embodiment of the fur brush contact charging device. Reference numeral 30 denotes a fur brush charging member, in which a brush-like contact having conductivity, for example, a plated metal brush or a fiber brush in which a conductive material is dispersed is planted on the outer peripheral surface of the roller-shaped electrode member 31. A brush layer (fur brush) 32, and the brush layer 32 is disposed in contact with the photoreceptor 1 as a member to be charged.
By rotating 0, a predetermined charging bias voltage is applied to the electrode member 31 from a power source to charge the photoconductor 1.

【0062】このファーブラシ接触帯電装置の場合は、
磁気ブラシ接触帯電装置のような磁性粉体の減少がな
く、メンテナンス間隔を伸ばすことが可能である。ファ
ーブラシの毛状の帯電ムラは、ファーブラシ帯電部材3
0を感光体1との接触ニップ部nにおいて感光体の回転
方向とは逆方向や高回転に回転させることで解消して画
質の向上を図ることができる。
In the case of this fur brush contact charging device,
There is no decrease in the magnetic powder as in the magnetic brush contact charging device, and the maintenance interval can be extended. The fur-like charging unevenness of the fur brush is caused by the fur brush charging member 3
By rotating 0 in the direction opposite to the rotation direction of the photoconductor or at a high rotation speed in the contact nip portion n with the photoconductor 1, the image quality can be improved.

【0063】また、除電光の条件を同じにし、コロナ帯
電器、接触帯電を比較すると、接触帯電の方がゴースト
に対して優位であることが分かった。これは以下の理由
によると考えられる。
Further, when the conditions of the charge removing light were the same and the corona charger and the contact charging were compared, it was found that the contact charging was superior to the ghost. This is considered for the following reasons.

【0064】コロナ帯電の場合電位が均等に降り注ぐた
め、ゴーストの電位差に関係なく帯電を与える。一方接
触帯電は、接触部材の電位に合わせるように、帯電を与
える。そのため発生したゴースト電位の電位差をなくす
方向に働くと考えられる。
In the case of corona charging, since the potential drops uniformly, charging is applied regardless of the potential difference of the ghost. On the other hand, the contact charging gives a charge to match the potential of the contact member. Therefore, it is considered that it works in a direction to eliminate the potential difference of the generated ghost potential.

【0065】また、接触帯電部材に磁性粉体ブラシを用
いた場合は、磁性粉体の減少があった。しかしながら、
本発明により、磁性粉体の減少を大幅に改善できた。つ
まり、本発明により、ゴーストレベルを改善することが
できるとともに、帯電能を下げ、暗減衰を大きくする除
電光の光量を抑えることが出来たためと考えられる。そ
のため、帯電後の暗減衰も小さくなり、磁性粉体の付着
に対して大幅な改善が出来たと考えられる。
When a magnetic powder brush was used as the contact charging member, the amount of magnetic powder was reduced. However,
According to the present invention, the reduction of the magnetic powder can be significantly improved. In other words, it is considered that the ghost level can be improved and the amount of static elimination light, which reduces the charging ability and increases the dark decay, can be suppressed by the present invention. Therefore, it is considered that the dark decay after charging was reduced, and the adhesion of the magnetic powder was significantly improved.

【0066】[画像形成装置]図8はa−Si感光体を
用いた電子写真装置の1例を示す概略図である。図8
中、矢印R1方向に回転する感光体1301の周辺に
は、主帯電器1302、静電潜像形成部位1303、現
像器1305、転写紙供給系1306、転写帯電器13
07(a)、分離帯電器1307(b)、クリーナ13
09、搬送系1310、除電光源1311などが配設さ
れている。本例では主帯電器1302として接触帯電装
置を用いた例を示している。以下、一例を以て画像形成
プロセスを説明すると、感光体1301はローラー状の
主帯電器1302により一様に帯電される。帯電部材に
は、弾性のゴムを用いたもの、磁性粉体、金属やグラフ
ァイトのファイバーを用いたファーブラシを、帯電に適
した抵抗値に合わせ込み用いることが出来る。これに静
電潜像形成部位より導き投影された静電潜像が形成さ
れ、この潜像に現像器1305からネガ極性トナーが供
給されてトナー像となる。一方、転写紙供給系1306
を通って感光体方向に供給される転写材Pは+7〜8k
Vの高電圧を印加した転写帯電器1307(a)と感光
体1301の間隙において背面から、トナーとは反対極
性の正電界が与えられ、これによって感光体表面のネガ
極性トナー像は転写材Pに転移する。12〜14kVp
−p、300〜600Hzの高圧AC電圧を印加した分
離帯電器1307(b)により、転写材Pは転写紙搬送
系1310を通って定着装置(不図示)に至り、トナー
像は定着されて装置外に排出される。
[Image Forming Apparatus] FIG. 8 is a schematic view showing an example of an electrophotographic apparatus using an a-Si photosensitive member. FIG.
A main charger 1302, an electrostatic latent image forming portion 1303, a developing device 1305, a transfer paper supply system 1306, a transfer charger 13 are provided around the photosensitive member 1301 rotating in the direction of arrow R1.
07 (a), separation charger 1307 (b), cleaner 13
09, a transport system 1310, a static elimination light source 1311, and the like. In this example, an example in which a contact charger is used as the main charger 1302 is shown. Hereinafter, the image forming process will be described with reference to an example. The photoconductor 1301 is uniformly charged by a roller-shaped main charger 1302. As the charging member, a material using elastic rubber, a magnetic powder, or a fur brush using metal or graphite fibers can be used according to the resistance value suitable for charging. An electrostatic latent image guided and projected from the electrostatic latent image forming portion is formed on this, and a negative polarity toner is supplied from the developing device 1305 to the latent image to form a toner image. On the other hand, the transfer paper supply system 1306
Transfer material P supplied in the direction of the photoconductor through
In the gap between the transfer charger 1307 (a) to which the high voltage of V is applied and the photosensitive member 1301, a positive electric field having a polarity opposite to that of the toner is applied from the back surface, whereby the negative polarity toner image on the photosensitive member surface is transferred to the transfer material P. Transfer to 12-14kVp
The transfer material P passes through a transfer paper transport system 1310 to a fixing device (not shown) by a separation charger 1307 (b) to which a high AC voltage of 300 to 600 Hz is applied, and the toner image is fixed. It is discharged outside.

【0067】[アモルファスシリコン系感光体(a−S
i)]以下、図面に従って本発明で好適に用いられる感
光体の光受容層について詳細に説明する。図9は、画像
形成装置用感光体の層構成の一例を説明するための模式
的構成図である。図9(a)に示す画像形成装置用感光
体500は、感光体用としての支持体501の上に、光
受容層である感光層502が設けられている。該感光層
502はシリコン原子を母体とし水素原子又はハロゲン
原子を含有するアモルファスシリコン(a−Si:H、
X)からなり光導電性を有する光導電層503で構成さ
れている。図9(b)は、画像形成装置用感光体の他の
層構成を説明するための模式的構成図である。図9
(b)に示す画像形成装置用感光体500は、感光体用
としての支持体501の上に、感光層502が設けられ
ている。該感光層502はa−Si:H、Xからなり光
導電性を有する光導電層503と、アモルファスシリコ
ン系又はアモルファス炭素系表面層504とを有する。
[Amorphous silicon-based photoconductor (a-S
i)] Hereinafter, the photoreceptor layer of the photoreceptor suitably used in the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 9 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a layer configuration of the photoconductor for an image forming apparatus. In the photoconductor 500 for an image forming apparatus shown in FIG. 9A, a photosensitive layer 502 as a light receiving layer is provided on a support 501 for a photoconductor. The photosensitive layer 502 is made of amorphous silicon (a-Si: H,
X) and a photoconductive layer 503 having photoconductivity. FIG. 9B is a schematic configuration diagram for explaining another layer configuration of the photoconductor for an image forming apparatus. FIG.
In the photoreceptor 500 for an image forming apparatus shown in (b), a photosensitive layer 502 is provided on a support 501 for a photoreceptor. The photosensitive layer 502 has a photoconductive layer 503 made of a-Si: H, X and having photoconductivity, and an amorphous silicon-based or amorphous carbon-based surface layer 504.

【0068】図9(c)は、画像形成装置用感光体の他
の層構成を説明するための模式的構成図である。図9
(c)に示す画像形成装置用感光体500は、感光体用
としての支持体501の上に、感光層502が設けられ
ている。該感光層502はa−Si:H、Xからなり光
導電性を有する光導電層503と、アモルファスシリコ
ン系又はアモルファス炭素系表面層504と、アモルフ
ァスシリコン系電荷注入阻止層505とを有する。
FIG. 9C is a schematic configuration diagram for explaining another layer configuration of the photosensitive member for an image forming apparatus. FIG.
In the photoreceptor 500 for an image forming apparatus shown in (c), a photosensitive layer 502 is provided on a support 501 for a photoreceptor. The photosensitive layer 502 includes a photoconductive layer 503 made of a-Si: H, X and having photoconductivity, an amorphous silicon-based or amorphous carbon-based surface layer 504, and an amorphous silicon-based charge injection blocking layer 505.

【0069】図9(d)は、画像形成装置用感光体のさ
らに他の層構成を説明するための模式的構成図である。
図9(d)に示す画像形成装置用感光体500は、感光
体用としての支持体501の上に、感光層502が設け
られている。該感光層502は光導電層503を構成す
るa−Si:H、Xからなる電荷発生層507ならびに
電荷輸送層508と、アモルファスシリコン系又はアモ
ルファス炭素系表面層504とを有する。
FIG. 9D is a schematic configuration diagram for explaining still another layer configuration of the photosensitive member for an image forming apparatus.
In the photoconductor 500 for an image forming apparatus shown in FIG. 9D, a photosensitive layer 502 is provided on a support 501 for the photoconductor. The photosensitive layer 502 has a charge generation layer 507 made of a-Si: H, X and a charge transport layer 508 constituting the photoconductive layer 503, and an amorphous silicon-based or amorphous carbon-based surface layer 504.

【0070】以下、実験例及び実施例により本発明を具
体的に説明する。なお、本発明はこれらの実験例及び実
施例に限定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Experimental Examples and Examples. The present invention is not limited to these experimental examples and examples.

【0071】[実験例1]RF−PCVD法により画像
形成装置用感光体の製造装置を用い、直径108mmの
鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、表1に
示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層を形成し
て感光体を作成した。
[Experimental Example 1] A charge injection blocking layer and light were applied to a mirror-finished aluminum cylinder having a diameter of 108 mm under the conditions shown in Table 1 using an apparatus for manufacturing a photoreceptor for an image forming apparatus by RF-PCVD. A photosensitive layer was formed by forming a conductive layer and a surface layer.

【0072】[0072]

【表1】 [Table 1]

【0073】この感光体の感度に対する帯電前露光のメ
モリを求めた結果、図4に示したようになった。
As a result of obtaining a memory for the pre-charging exposure with respect to the sensitivity of the photoreceptor, the result is as shown in FIG.

【0074】このように作成した感光体を画像形成装置
(キヤノン製NP6060をデジタルテスト用に改造)
にセットして帯電能、ゴースト電位を評価した。
The photoreceptor thus prepared is used as an image forming apparatus (NP6060 manufactured by Canon is modified for digital test).
And the ghost potential was evaluated.

【0075】なお、除電露光は680nmLEDを使用
し、像露光には700nmのLEDヘッドを使用し、感
光体は300mm/sの速度で回転した。帯電能の測定
は1次帯電器の電流が1000μAの時の値を使用し
た。また、ゴースト電位の測定は、暗部電位400V、
露光部電位50Vで露光後感光体1周後の暗部電位の測
定をすることにより求めた。
A 680 nm LED was used for the charge removal exposure, a 700 nm LED head was used for the image exposure, and the photosensitive member was rotated at a speed of 300 mm / s. For the measurement of the charging ability, the value when the current of the primary charger was 1000 μA was used. In addition, the measurement of the ghost potential was performed at a dark area potential of 400 V
It was determined by measuring the dark area potential after one round of the photoreceptor after exposure at an exposed area potential of 50V.

【0076】まず、除電露光の光量を増すことでどの程
度ゴーストを消すことが可能かを確かめるために、この
条件の下で、除電露光の光量を、1Lux・sから11
Lux・sまで変化させ、各像露光波長における、ゴー
スト電位と帯電能を求めた。その結果、図10に示すよ
うに、除電露光の光量を上げるに従いゴーストとして現
れる電位は減少したが、帯電能が低下した。つまり、除
電露光の光量を上げるだけでは、ゴーストと帯電能の両
方を満足することができないことが明らかである。
First, in order to confirm how much a ghost can be eliminated by increasing the amount of charge-discharge exposure, under this condition, the amount of charge-discharge exposure from 1 Lux · s to 11
Lux · s, and the ghost potential and charging ability at each image exposure wavelength were determined. As a result, as shown in FIG. 10, the potential appearing as a ghost was reduced as the light amount of the static elimination exposure was increased, but the charging ability was reduced. That is, it is apparent that simply increasing the light amount of the charge erasing exposure cannot satisfy both the ghost and the charging ability.

【0077】そこで、次に前露光の光量を4Lux・s
に固定し、像露光の波長を変化した。像露光の光源には
565、610、660、700nmのLEDヘッドを
使用し、ゴースト電位の測定を行った。結果を図11に
示すように、像露光光源に565、610、660のL
EDを用いた場合、像露光光源に700nmのLEDヘ
ッドを使用したときに比べ、ゴースト電位が改善した。
Then, the light quantity of the pre-exposure is set to 4 Lux · s
And the wavelength of the image exposure was changed. Ghost potentials were measured using LED heads of 565, 610, 660, and 700 nm as light sources for image exposure. As shown in FIG. 11, the image exposure light source was 565, 610, and 660 L.
When the ED was used, the ghost potential was improved as compared with the case where a 700 nm LED head was used as the image exposure light source.

【0078】[実験例2]実験例1で作製した感光体
を、実験例1の画像形成装置を用いて帯電能、ゴースト
電位を評価した。像露光光源には635、650、68
0、788nmの半導体レーザーを用いた。除電露光光
源には、波長680nm、光量4Lux・sを使用し
た。
[Experimental Example 2] The photoreceptor produced in Experimental Example 1 was evaluated for charging ability and ghost potential using the image forming apparatus of Experimental Example 1. 635, 650, 68 for the image exposure light source
A semiconductor laser of 0,788 nm was used. A light source having a wavelength of 680 nm and a light amount of 4 Lux · s was used as a charge removing exposure light source.

【0079】図12の結果から、像露光光源に635、
650の半導体レーザーを用いた場合、ゴースト電位が
改善することが判る。
From the results shown in FIG. 12, the image exposure light source was 635,
It can be seen that when the semiconductor laser of No. 650 is used, the ghost potential is improved.

【0080】実験例1および2から明らかなように、感
度に対する帯電前光メモリの値がなるべく小さくなるよ
うな像露光光源を用いることで、ゴーストメモリが改善
するし、その結果、従来に対し除電露光の光量を少なく
することができる。そのため、帯電能を上げることも可
能である。
As is clear from Experimental Examples 1 and 2, a ghost memory is improved by using an image exposure light source in which the value of the pre-charging light memory with respect to the sensitivity is reduced as much as possible. Can be reduced. Therefore, it is possible to increase the charging ability.

【0081】[実験例3]像露光を打たない場合での暗
部電位の電位ムラの除電光波長についての検討を行っ
た。図13には、帯電電位400Vを合わせた場合の電
位ムラを示した。除電光波長が680nm以上の場合電
位ムラが急激に大きくなる傾向にある。また、波長が短
くなるのに従い、徐々に周ムラは拡大した。この結果、
除電露光の波長は600nm以上680nm以下、より
好ましくは630nm以上680nm以下の除電露光を
用いると良いことが分かった。
[Experimental Example 3] A study was made on the wavelength of the static elimination light of the potential unevenness of the dark portion potential when no image exposure was performed. FIG. 13 shows potential unevenness when the charging potential is adjusted to 400V. When the wavelength of the static elimination light is 680 nm or more, the potential unevenness tends to increase rapidly. In addition, as the wavelength became shorter, the peripheral unevenness gradually increased. As a result,
It was found that the wavelength of the charge erasing exposure is preferably 600 nm or more and 680 nm or less, more preferably 630 nm or more and 680 nm or less.

【0082】[実験例4]除電露光のゴーストに対する
影響について評価した。1次電流を1000μAで一定
にし、帯電能が400Vになるように、各波長の除電光
光源の光量を合わせた。像露光光源には650nmのレ
ーザー光源を用い、露光部電位50V、コントラスト電
位350Vになるように調整した。この時除電光の波長
を変化した場合の、ゴースト電位を図14に示す。除電
光に600nm以上680nm以下の除電露光を用いる
と、ゴーストが改善することが分かった。
[Experimental Example 4] The effect of the charge removal exposure on the ghost was evaluated. The primary current was kept constant at 1000 μA, and the light amounts of the static elimination light sources of each wavelength were matched so that the charging ability was 400 V. A laser light source of 650 nm was used as an image exposure light source, and the exposure portion potential was adjusted to 50 V and the contrast potential was adjusted to 350 V. FIG. 14 shows the ghost potential when the wavelength of the static elimination light is changed at this time. It has been found that the ghost is improved when a charge removal exposure of 600 nm or more and 680 nm or less is used as the charge removal light.

【0083】[実験例5]実験例1で用いた感光体、画
像形成装置を用いて、帯電部材に対するゴースト電位を
評価した。なお、除電光は680nmLED光量を4L
ux・sに固定し、像露光の波長を変化した場合の帯電
部材に対するゴースト電位の測定を行った。像露光の光
源には565、610、660、700nmのLEDヘ
ッドを使用した。帯電部材には、コロナ帯電器−1
ローラー帯電器−2ファーブラシ帯電器−3磁性粉
体ブラシ帯電器を用いた。結果を図15に示す。図15
より分かるように、コロナ帯電器を使用したときに比
べ、接触帯電器を用いた場合よりゴースト電位が改善し
た。
[Experimental Example 5] Using the photosensitive member and the image forming apparatus used in Experimental Example 1, the ghost potential of the charging member was evaluated. In addition, the charge removal light is 680 nm LED light amount 4L.
ux · s, and the ghost potential of the charging member was measured when the wavelength of image exposure was changed. As light sources for image exposure, LED heads of 565, 610, 660, and 700 nm were used. The charging member includes a corona charger-1
Roller charger-2 Fur brush charger-3 Magnetic powder brush charger was used. FIG. 15 shows the results. FIG.
As can be seen, the ghost potential was improved as compared with the case where the contact charger was used, as compared with the case where the corona charger was used.

【0084】[実験例6]実験例5で用いた磁性粉体ブ
ラシ帯電器を用いて、露光条件を変え耐久試験を行っ
た。その場合の磁性粉体ブラシの磁性粉体の減少量につ
いて調べた。なお条件は暗部電位400V明部電位50
V、ゴースト電位が一定となるように除電露光量、帯電
条件を変化した。除電露光700nm像露光700nm
の減少量を10に規格化した場合の磁性粉体の減少量の
結果を図16に示す。この場合、磁性粉体の減少防止に
効果があった。
[Experimental Example 6] Using the magnetic powder brush charger used in Experimental Example 5, an exposure condition was changed and a durability test was performed. The amount of reduction of the magnetic powder of the magnetic powder brush in that case was examined. The conditions were as follows: dark potential 400 V light potential 50
V and the charge removal conditions and the charging conditions were changed so that the ghost potential was constant. Charge removal exposure 700nm Image exposure 700nm
FIG. 16 shows the result of the reduction amount of the magnetic powder when the reduction amount of the magnetic powder was normalized to 10. In this case, there was an effect in preventing the reduction of the magnetic powder.

【0085】[実施例1]実験例1で作製した感光体
を、実験例1で用いた画像形成装置を用いて、画像評価
を行った。帯電はコロナ帯電、像露光光源には、635
nmの半導体レーザーを用いた。除電露光には660n
mのLEDを用い、感光体は300mm/sの速度で回
転した。この時画像形成に必要な帯電能は十分に得られ
た。
Example 1 Image evaluation was performed on the photosensitive member manufactured in Experimental Example 1 using the image forming apparatus used in Experimental Example 1. Charging is corona charging, and 635 is used for the image exposure light source.
nm semiconductor laser was used. 660n for static elimination exposure
Using m LEDs, the photoreceptor was rotated at a speed of 300 mm / s. At this time, the charging ability required for image formation was sufficiently obtained.

【0086】次に、暗部電位を400V、明部電位を5
0Vに設定し画像による評価を行った。評価用の原画像
として、白画像、黒画像、50%反射画像、ゴースト画
像、0.5mm方眼紙を用いた。いずれの場合にも、良
好な画像が得られた。特に、評価用の原画像としてゴー
スト画像を用いた場合であっても、電子写真画像にはゴ
ーストが見られず、良好な画像が得られた。
Next, the dark part potential is set to 400 V and the light part potential is set to 5
The voltage was set to 0 V, and evaluation was performed using images. As an original image for evaluation, a white image, a black image, a 50% reflection image, a ghost image, and 0.5 mm grid paper were used. In each case, good images were obtained. In particular, even when a ghost image was used as the original image for evaluation, no ghost was seen in the electrophotographic image, and a good image was obtained.

【0087】[実施例2]実験例1で作製した感光体
を、実験例1で用いた画像形成装置を用いて、画像評価
を行った。帯電はコロナ帯電、像露光光源には、650
nmの半導体レーザーを用いた。除電露光には700n
mのLEDを用い、感光体は260mm/sの速度にて
回転した。この時画像形成に必要な帯電能は十分に得ら
れた。
Example 2 Image evaluation was performed on the photosensitive member manufactured in Experimental Example 1 using the image forming apparatus used in Experimental Example 1. Charging is corona charging, and 650 is used for the image exposure light source.
nm semiconductor laser was used. 700n for static elimination exposure
The photoreceptor was rotated at a speed of 260 mm / s using m LEDs. At this time, the charging ability required for image formation was sufficiently obtained.

【0088】次に、実施例1と同じ評価を行ったところ
いずれの場合にも、良好な画像が得られた。特に、ゴー
スト画像を用いた場合もゴーストが見られず、良好であ
った。
Next, the same evaluation as in Example 1 was performed. In each case, a good image was obtained. In particular, when a ghost image was used, no ghost was observed, and the result was good.

【0089】[実施例3]実験例1で作製した感光体
を、実験例1で用いた画像形成装置を用いて、画像評価
を行った。帯電はコロナ帯電、像露光光源には、650
nmのLEDヘッドを用いた。除電露光には660nm
のLEDを用い、感光体は260mm/sの速度で回転
した。この時画像形成に必要な帯電能は十分に得られ
た。
Example 3 Image evaluation was performed on the photoreceptor manufactured in Experimental Example 1 using the image forming apparatus used in Experimental Example 1. Charging is corona charging, and 650 is used for the image exposure light source.
nm LED head was used. 660 nm for static elimination exposure
And the photoreceptor was rotated at a speed of 260 mm / s. At this time, the charging ability required for image formation was sufficiently obtained.

【0090】次に、実施例1と同じ評価を行ったところ
いずれの場合にも、良好な画像が得られた。特に、ゴー
スト画像を用いた場合もゴーストが見られず、良好であ
った。
Next, the same evaluation as in Example 1 was performed. In each case, a good image was obtained. In particular, when a ghost image was used, no ghost was observed, and the result was good.

【0091】[実施例4]実験例1で作製した感光体
を、実験例1で用いた画像形成装置を用いて、画像評価
を行った。帯電はコロナ帯電、像露光光源には、630
nmのLEDヘッドを用いた。除電露光には680nm
のLEDを用い、感光体は360mm/sの速度で回転
した。この時画像形成に必要な帯電能は十分に得られ
た。
Example 4 The photosensitive member produced in Experimental Example 1 was subjected to image evaluation using the image forming apparatus used in Experimental Example 1. Charging is corona charging, and 630 is used for the image exposure light source.
nm LED head was used. 680 nm for static elimination exposure
And the photoreceptor was rotated at a speed of 360 mm / s. At this time, the charging ability required for image formation was sufficiently obtained.

【0092】次に、実施例1と同じ評価を行ったところ
いずれの場合にも、良好な画像が得られた。特に、ゴー
スト画像を用いた場合もゴーストが見られず、良好であ
った。
Next, the same evaluation as in Example 1 was performed. In each case, good images were obtained. In particular, when a ghost image was used, no ghost was observed, and the result was good.

【0093】[実施例5]実験例1で作製した感光体
を、実験例1で用いた画像形成装置を用いて、画像評価
を行った。帯電はコロナ帯電、像露光光源には、650
nmの半導体レーザーを用いた。なお、除電光には63
0nmのLEDを用い、感光体は260mm/sの速度
で回転した。この時画像形成に有効な帯電能は十分に得
られた。次に、実施例1と同じ評価を行ったところ、い
ずれの場合にも、良好な画像が得られた。特に、ゴース
ト画像にゴーストが見られず、良好であった。
Example 5 Image evaluation of the photoreceptor manufactured in Experimental Example 1 was performed using the image forming apparatus used in Experimental Example 1. Charging is corona charging, and 650 is used for the image exposure light source.
nm semiconductor laser was used. In addition, the charge removal light is 63
Using a 0 nm LED, the photoreceptor was rotated at a speed of 260 mm / s. At this time, sufficient charging ability effective for image formation was obtained. Next, when the same evaluation as in Example 1 was performed, in each case, a good image was obtained. In particular, no ghost was seen in the ghost image, which was favorable.

【0094】[実施例6]実験例1で作製した感光体
を、実験例1で用いた画像形成装置を用いて、画像評価
を行った。帯電はコロナ帯電、像露光光源には、650
nmのLEDヘッドを用いた。なお、除電光には610
nmのLEDを用い、感光体は260mm/sの速度で
回転した。この時画像形成に有効な帯電能は十分に得ら
れた。次に、実施例1と同じ評価を行ったところ、いず
れの場合にも、良好な画像が得られた。特に、ゴースト
画像にゴーストが見られず、良好であった。
Example 6 The photosensitive member produced in Experimental Example 1 was subjected to image evaluation using the image forming apparatus used in Experimental Example 1. Charging is corona charging, and 650 is used for the image exposure light source.
nm LED head was used. In addition, 610 is used for static elimination light.
The photoreceptor was rotated at a speed of 260 mm / s using an nm LED. At this time, sufficient charging ability effective for image formation was obtained. Next, when the same evaluation as in Example 1 was performed, in each case, a good image was obtained. In particular, no ghost was observed in the ghost image, which was favorable.

【0095】[実施例7]実験例1で作製した感光体
を、実験例1で用いた画像形成装置を用いて、画像評価
を行った。帯電器は磁性粉体ブラシ帯電器を用い、像露
光光源には、635nmの半導体レーザーを用いた。な
お、除電光には660nmのLEDを用い、感光体は3
00mm/sの速度で回転した。この時画像形成に有効
な帯電能は十分に得られた。次に、暗部電位を400
V、明部電位を50Vに設定し画像による評価を行っ
た。画像は、白画像、黒画像、50%反射画像、ゴース
ト画像、0.5mm方眼紙を用いた。いずれの場合に
も、良好な画像が得られた。特に、ゴースト画像にゴー
ストが見られず、良好であった。
Example 7 An image of the photoreceptor manufactured in Experimental Example 1 was evaluated using the image forming apparatus used in Experimental Example 1. A magnetic powder brush charger was used as a charger, and a 635 nm semiconductor laser was used as an image exposure light source. Note that a 660 nm LED is used for static elimination light, and the photoconductor is 3
It rotated at a speed of 00 mm / s. At this time, sufficient charging ability effective for image formation was obtained. Next, the dark area potential is set to 400
V and the bright portion potential were set to 50 V, and the evaluation was performed using images. The images used were a white image, a black image, a 50% reflection image, a ghost image, and 0.5 mm grid paper. In each case, good images were obtained. In particular, no ghost was observed in the ghost image, which was favorable.

【0096】[実施例8]実験例1で作製した感光体
を、実験例1で用いた画像形成装置を用いて、画像評価
を行った。帯電器はファーブラシ帯電器を用い、像露光
光源には、650nmの半導体レーザーを用いた。な
お、除電光には630nmのLEDを用い、感光体は2
60mm/sの速度で回転した。この時画像形成に有効
な帯電能は十分に得られた。次に、実施例1と同じ評価
を行ったところ、いずれの場合にも、良好な画像が得ら
れた。特に、ゴースト画像にゴーストが見られず、良好
であった。
Example 8 The photosensitive member manufactured in Experimental Example 1 was subjected to image evaluation using the image forming apparatus used in Experimental Example 1. A fur brush charger was used as a charger, and a semiconductor laser of 650 nm was used as an image exposure light source. A 630 nm LED was used for the charge removal light, and the
It rotated at a speed of 60 mm / s. At this time, sufficient charging ability effective for image formation was obtained. Next, when the same evaluation as in Example 1 was performed, in each case, a good image was obtained. In particular, no ghost was observed in the ghost image, which was favorable.

【0097】[実施例9]実験例1で作製した感光体
を、実験例1で用いた画像形成装置を用いて、画像評価
を行った。帯電器はローラー帯電器を用い、像露光光源
には、650nmのLEDヘッドを用いた。なお、除電
光には610nmのLEDを用い、感光体は260mm
/sの速度で回転した。この時画像形成に有効な帯電能
は十分に得られた。次に、実施例1と同じ評価を行った
ところ、いずれの場合にも、良好な画像が得られた。特
に、ゴースト画像にゴーストが見られず、良好であっ
た。
Example 9 Image evaluation of the photoreceptor manufactured in Experimental Example 1 was performed using the image forming apparatus used in Experimental Example 1. A roller charger was used as a charger, and a 650 nm LED head was used as an image exposure light source. A 610 nm LED was used for the charge removing light, and the photosensitive member was 260 mm.
/ S speed. At this time, sufficient charging ability effective for image formation was obtained. Next, when the same evaluation as in Example 1 was performed, in each case, a good image was obtained. In particular, no ghost was observed in the ghost image, which was favorable.

【0098】[実施例10]実験例1で作製した感光体
を、実験例1で用いた画像形成装置を用いて、画像評価
を行った。帯電器は磁性粉体ブラシ帯電器を用い、像露
光光源には、630nmのLEDヘッドを用いた。な
お、除電光には680nmのLEDを用い、感光体は3
60mm/sの速度で回転した。この時画像形成に有効
な帯電能は十分に得られた。次に、実施例1と同じ評価
を行ったところ、いずれの場合にも、良好な画像が得ら
れた。特に、ゴースト画像にゴーストが見られず、良好
であった。
Example 10 The photosensitive member produced in Experimental Example 1 was subjected to image evaluation using the image forming apparatus used in Experimental Example 1. A magnetic powder brush charger was used as a charger, and a 630 nm LED head was used as an image exposure light source. Note that a 680 nm LED was used for the charge removing light, and the photoconductor was 3 LEDs.
It rotated at a speed of 60 mm / s. At this time, sufficient charging ability effective for image formation was obtained. Next, when the same evaluation as in Example 1 was performed, in each case, a good image was obtained. In particular, no ghost was observed in the ghost image, which was favorable.

【0099】[0099]

【発明の効果】本発明によると、高速度化や、小型化と
いった条件においても、ゴーストメモリを改善でき、且
つ、高帯電能の電子写真方法及び電子写真装置を提供す
ることが出来る。特に、ゴーストメモリを効果的に改善
し、除電光量等を大きくしなくても、ゴーストが画像上
に現れない。
According to the present invention, it is possible to provide an electrophotographic method and an electrophotographic apparatus which can improve a ghost memory and have a high charging ability even under conditions of high speed and miniaturization. In particular, the ghost does not appear on the image even if the ghost memory is effectively improved and the amount of charge removal is not increased.

【0100】また、像露光光源に半導体レーザーを用い
る場合、スポット径を小さくすることが可能であり、更
なる高画質な画像を実現出来る。
When a semiconductor laser is used as the image exposure light source, the spot diameter can be reduced, and a higher quality image can be realized.

【0101】加えて、本発明は接触帯電との組合せてよ
り一層の効果を発揮し、なかでも接触帯電部材に、磁性
粉体ブラシを用いる場合、磁性粉体の減少を大幅に改善
することが出来る。
In addition, the present invention exerts a further effect in combination with contact charging. In particular, when a magnetic powder brush is used as a contact charging member, the reduction of magnetic powder can be significantly improved. I can do it.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】電子写真装置の構成の一例を示す概略的構成図
である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating an example of the configuration of an electrophotographic apparatus.

【図2】アモルファスシリコン感光体の波長に対する感
度の一例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an example of sensitivity to wavelength of an amorphous silicon photoconductor.

【図3】帯電前に感光体に照射した光とメモリとの関係
の一例を示す図である。 a)各波長に対する光強度の関係 b)各波長に対する照射時間の関係
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a relationship between light irradiated to a photoconductor before charging and a memory. a) Relationship between light intensity for each wavelength b) Relationship between irradiation time for each wavelength

【図4】アモルファスシリコンの感度に対する帯電前に
感光体に照射された光によるメモリの値と照射される光
の波長との関係の一例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a relationship between a memory value by light irradiated to a photoconductor before charging with respect to sensitivity of amorphous silicon and a wavelength of the irradiated light.

【図5】接触帯電装置の一例を説明するための模式的構
成図である。
FIG. 5 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a contact charging device.

【図6】接触帯電装置の一例を説明するための模式的構
成図である。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a contact charging device.

【図7】接触帯電装置の一例を説明するための模式的構
成図である。
FIG. 7 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a contact charging device.

【図8】接触帯電装置を有する電子写真装置の構成の一
例を示す概略的構成図である。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram illustrating an example of the configuration of an electrophotographic apparatus having a contact charging device.

【図9】アモルファスシリコン感光体の層構成の一例を
説明するための模式的断面図である。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a layer configuration of an amorphous silicon photoconductor.

【図10】除電露光光量の違いに対する帯電能とゴース
ト電位との関係の一例を示す散布図である。
FIG. 10 is a scatter diagram illustrating an example of a relationship between a charging ability and a ghost potential with respect to a difference in the amount of light exposure for exposure.

【図11】各露光波長に対するゴースト電位の一例を示
す図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating an example of a ghost potential with respect to each exposure wavelength.

【図12】各露光波長に対するゴースト電位の一例を示
す図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a ghost potential with respect to each exposure wavelength.

【図13】各除電露光波長に対する電位ムラの一例を示
す図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating an example of potential unevenness with respect to each charge removal exposure wavelength.

【図14】各除電露光波長に対するゴーストメモリの一
例を示す図である。
FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a ghost memory for each charge removal exposure wavelength.

【図15】各露光波長に対するゴースト電位の一例を示
す図である。
FIG. 15 is a diagram illustrating an example of a ghost potential with respect to each exposure wavelength.

【図16】各露光波長に対する磁性粉体の減少の一例を
示す図である。
FIG. 16 is a diagram showing an example of a decrease in magnetic powder for each exposure wavelength.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 感光体 20 帯電ブレード 21 電極板 22 抵抗層 23 磁気ブラシ帯電部材 24 芯金 25 マグネットローラー 26 磁気ブラシ層 26a 付着物 27 スペーサーコロ 28 ブレード 30 ファーブラシ帯電部材 31 電極部材 32 ブラシ層(ファーブラシ) n 接触ニップ部 S 帯電バイアス印加電源 401 a−Si感光体 402 主帯電器 403 静電潜像形成部位 405 現像器 406 転写紙供給系 407a) 転写帯電器 407b) 分離帯電器 409 クリーナー 410 搬送系 411 除電光源 500 感光体 501 支持体 502 感光層 503 光導電層 504 表面層 505 電荷注入阻止層 506 自由表面 507 電荷発生層 508 電荷輸送層 1301 感光体 1302 主帯電器 1303 静電潜像形成部位 1305 現像器 1306 転写紙供給系 1307(a) 転写帯電器 1307(b) 分離帯電器 1309 クリーナ 1310 搬送系 1311 除電光源 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Photoconductor 20 Charging blade 21 Electrode plate 22 Resistance layer 23 Magnetic brush charging member 24 Core metal 25 Magnet roller 26 Magnetic brush layer 26a Attachment 27 Spacer roller 28 Blade 30 Fur brush charging member 31 Electrode member 32 Brush layer (fur brush) n Contact nip section S Charging bias application power supply 401 a-Si photoreceptor 402 main charger 403 electrostatic latent image forming site 405 developing unit 406 transfer paper supply system 407a) transfer charger 407b) separation charger 409 cleaner 410 transport system 411 Static elimination light source 500 Photoconductor 501 Support 502 Photosensitive layer 503 Photoconductive layer 504 Surface layer 505 Charge injection blocking layer 506 Free surface 507 Charge generation layer 508 Charge transport layer 1301 Photoconductor 1302 Main charger 1303 Electrostatic latent image forming portion 1305 Current Vessel 1306 transfer sheet supply system 1307 (a) transfer charger 1307 (b) separation charger 1309 cleaner 1310 transfer system 1311 light scanning lamp

フロントページの続き (72)発明者 中山 雄二 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 唐木 哲也 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 江原 俊幸 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 2H068 DA23 FB07 FB08 FC01 FC05 FC17 2H076 AB05 AB42 DA03 DA06 DA37Continuation of the front page (72) Inventor Yuji Nakayama 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Tetsuya Karaki 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Toshiyuki Ehara 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term in Canon Inc. (reference) 2H068 DA23 FB07 FB08 FC01 FC05 FC17 2H076 AB05 AB42 DA03 DA06 DA37

Claims (47)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光受容層を有する感光体の表面を除電す
る除電工程、該感光体の表面を帯電させる帯電工程、帯
電した感光体表面を露光して静電潜像を形成する潜像露
光工程、静電潜像にトナーを供給し現像してトナー像を
形成する現像工程、を含む一連の工程により画像形成を
行う電子写真方法において、前記光受容層はアモルファ
ス半導体を有し、前記潜像露光工程に用いる光として、
該感光体に該感光体を帯電する前に光を照射しなかった
場合の帯電電位と所望の波長の光を照射した後に帯電さ
せた時の帯電電位の差を該帯電電位の差を発生させる該
波長における感度で割った値がその極小値の1.5倍以
下となる範囲の波長の光を用いる電子写真方法。
1. A charge removing step for removing charge from a surface of a photoreceptor having a photoreceptor layer, a charging step for charging the surface of the photosensitive member, and a latent image exposure for exposing the charged surface of the photosensitive member to form an electrostatic latent image. An electrophotographic method in which an image is formed by a series of steps including a step of supplying a toner to the electrostatic latent image and developing the toner to form a toner image, wherein the light-receiving layer has an amorphous semiconductor; As light used in the image exposure process,
The difference between the charging potential when the photoreceptor is not irradiated with light before charging the photoreceptor and the charging potential when charging after irradiating light of a desired wavelength is a difference between the charging potentials. An electrophotographic method using light having a wavelength in a range in which a value divided by the sensitivity at the wavelength is 1.5 times or less the minimum value.
【請求項2】 前記範囲の波長の光は単一波長光源から
の光である請求項1記載の電子写真方法。
2. The electrophotographic method according to claim 1, wherein the light having the wavelength in the range is light from a single wavelength light source.
【請求項3】 前記範囲の波長の光は該範囲内に主波長
を有する請求項1記載の電子写真方法。
3. The electrophotographic method according to claim 1, wherein the light having a wavelength within the range has a dominant wavelength within the range.
【請求項4】 前記アモルファス半導体はアモルファス
シリコンである請求項1記載の電子写真方法。
4. The electrophotographic method according to claim 1, wherein said amorphous semiconductor is amorphous silicon.
【請求項5】 前記範囲の波長の光は500nm以上6
80以下の光である請求項1記載の電子写真方法。
5. A light having a wavelength within the above range is not less than 500 nm and not more than 6 nm.
2. The electrophotographic method according to claim 1, wherein the light is 80 or less.
【請求項6】 前記範囲の波長の光は600nm以上6
60nm以下の範囲に主波長を有する請求項1記載の電
子写真方法。
6. The light having a wavelength within the above range is not less than 600 nm and not more than 6 nm.
2. The electrophotographic method according to claim 1, wherein the dominant wavelength is within a range of 60 nm or less.
【請求項7】 前記除電工程は除電用露光を行なうこと
を含む請求項1記載の電子写真方法。
7. The electrophotographic method according to claim 1, wherein the charge removing step includes performing a charge removing exposure.
【請求項8】 前記除電用露光は600nm以上680
nm以下の波長の光を用いる請求項7記載の電子写真方
法。
8. The method according to claim 1, wherein the charge removing exposure is not less than 600 nm and not more than 680.
The electrophotographic method according to claim 7, wherein light having a wavelength of not more than nm is used.
【請求項9】 前記除電用露光はピーク波長が630n
m以上680nm以下の波長を有する請求項7記載の電
子写真方法。
9. The charge removing exposure has a peak wavelength of 630 n.
The electrophotographic method according to claim 7, which has a wavelength of m to 680 nm.
【請求項10】 前記帯電工程はコロナ帯電を用いて行
なわれる請求項1記載の電子写真方法。
10. The electrophotographic method according to claim 1, wherein said charging step is performed using corona charging.
【請求項11】 前記帯電工程は接触帯電を用いて行な
われる請求項1記載の電子写真方法。
11. The electrophotographic method according to claim 1, wherein said charging step is performed using contact charging.
【請求項12】 前記帯電工程は前記感光体の表面に帯
電部材を接触させた状態で該帯電部材に電圧を印加する
ことを含む請求項1記載の電子写真方法。
12. The electrophotographic method according to claim 1, wherein the charging step includes applying a voltage to the charging member while the charging member is in contact with the surface of the photoconductor.
【請求項13】 前記帯電部材は、ゴムローラーである
請求項12記載の電子写真方法。
13. The electrophotographic method according to claim 12, wherein said charging member is a rubber roller.
【請求項14】 前記帯電部材は、ファーブラシである
請求項12記載の電子写真方法。
14. The electrophotographic method according to claim 12, wherein the charging member is a fur brush.
【請求項15】 前記帯電部材は、磁性粉体ブラシであ
る請求項12記載の電子写真方法。
15. The electrophotographic method according to claim 12, wherein said charging member is a magnetic powder brush.
【請求項16】 前記除電工程は除電用露光を行なうこ
とを含み、前記帯電工程はコロナ帯電を用いて行なわれ
る請求項1記載の電子写真方法。
16. The electrophotographic method according to claim 1, wherein the discharging step includes performing a discharging exposure, and the charging step is performed using corona charging.
【請求項17】 前記除電用露光は600nm以上68
0nm以下の波長の光を用いる請求項16記載の電子写
真方法。
17. The exposure for static elimination according to claim 1, wherein the exposure is at least 600 nm and at least 68 nm.
17. The electrophotographic method according to claim 16, wherein light having a wavelength of 0 nm or less is used.
【請求項18】 前記除電用露光はピーク波長が630
nm以上680nm以下の波長を有する請求項16記載
の電子写真方法。
18. The charge removing exposure having a peak wavelength of 630.
The electrophotographic method according to claim 16, having a wavelength of not less than nm and not more than 680 nm.
【請求項19】 前記除電工程は除電用露光を行なうこ
とを含み、前記帯電工程は接触帯電を用いて行なわれる
請求項1記載の電子写真方法。
19. The electrophotographic method according to claim 1, wherein the charge removing step includes performing a charge removing exposure, and the charging step is performed using contact charging.
【請求項20】 前記除電工程は除電用露光を行なうこ
とを含み、前記帯電工程は前記感光体の表面に帯電部材
を接触させた状態で該帯電部材に電圧を印加することを
含む請求項1記載の電子写真方法。
20. The charge removing step includes performing a charge removing exposure, and the charging step includes applying a voltage to the charging member in a state where the charging member is in contact with the surface of the photoconductor. The described electrophotographic method.
【請求項21】 前記除電用露光は600nm以上68
0nm以下の波長の光を用いる請求項20記載の電子写
真方法。
21. The method according to claim 1, wherein the charge removing exposure is not less than 600 nm and not more than 68 nm.
The electrophotographic method according to claim 20, wherein light having a wavelength of 0 nm or less is used.
【請求項22】 前記除電用露光はピーク波長が630
nm以上680nm以下の波長を有する請求項20記載
の電子写真方法。
22. The exposure for static elimination has a peak wavelength of 630.
21. The electrophotographic method according to claim 20, having a wavelength of not less than nm and not more than 680 nm.
【請求項23】 前記帯電部材は、ゴムローラーである
請求項20記載の電子写真方法。
23. The electrophotographic method according to claim 20, wherein the charging member is a rubber roller.
【請求項24】 前記帯電部材は、ファーブラシである
請求項20記載の電子写真方法。
24. The electrophotographic method according to claim 20, wherein the charging member is a fur brush.
【請求項25】 前記帯電部材は、磁性粉体ブラシであ
る請求項20記載の電子写真方法。
25. The electrophotographic method according to claim 20, wherein the charging member is a magnetic powder brush.
【請求項26】 光受容層を有する感光体、該感光体の
表面を除電するための除電手段、該感光体の表面を帯電
させるための帯電手段、帯電した感光体表面を露光して
静電潜像を形成するための潜像露光手段、静電潜像にト
ナーを供給し現像してトナー像を形成するための現像手
段、を有する電子写真装置において、前記光受容層はア
モルファス半導体を有し、前記潜像露光手段は、該感光
体に該感光体を帯電する前に光を照射しなかった場合の
帯電電位と所望の波長の光を照射した後に帯電させた時
の帯電電位の差を該帯電電位の差を発生させる該波長に
おける感度で割った値がその極小値の1.5倍以下とな
る範囲の波長の光を発生するための光源を有する電子写
真装置。
26. A photoreceptor having a photoreceptor layer, a discharging means for discharging the surface of the photoreceptor, a charging means for charging the surface of the photoreceptor, and a method for exposing the charged photoreceptor surface to electrostatic charge An electrophotographic apparatus comprising: a latent image exposing unit for forming a latent image; and a developing unit for supplying and developing toner to an electrostatic latent image to form a toner image, wherein the light receiving layer includes an amorphous semiconductor. The latent image exposure unit is configured to detect a difference between a charging potential when the photoconductor is not irradiated with light before charging the photoconductor and a charging potential when charging after irradiating light having a desired wavelength. An electrophotographic apparatus having a light source for generating light having a wavelength in a range in which a value obtained by dividing by a sensitivity at the wavelength that generates the difference in the charged potential is 1.5 times or less the minimum value.
【請求項27】 前記光源は500nm以上680nm
以下の波長を発生する光源である請求項26記載の電子
写真装置。
27. The light source has a wavelength of 500 nm or more and 680 nm.
27. The electrophotographic apparatus according to claim 26, which is a light source that generates the following wavelengths.
【請求項28】 前記光源は600nm以上660nm
以下のピーク波長を発生する光源である請求項26記載
の電子写真装置。
28. The light source has a wavelength of 600 nm or more and 660 nm.
The electrophotographic apparatus according to claim 26, which is a light source that generates the following peak wavelengths.
【請求項29】 前記光源はLEDまたは半導体レーザ
ーである請求項26記載の電子写真装置。
29. The electrophotographic apparatus according to claim 26, wherein the light source is an LED or a semiconductor laser.
【請求項30】 前記除電手段は除電用光源を有する請
求項26記載の電子写真装置。
30. The electrophotographic apparatus according to claim 26, wherein said static elimination means has a static elimination light source.
【請求項31】 前記アモルファス半導体はアモルファ
スシリコンである請求項26記載の電子写真装置。
31. The electrophotographic apparatus according to claim 26, wherein said amorphous semiconductor is amorphous silicon.
【請求項32】 前記除電用光源は600nm以上68
0nm以下の波長の光を発する光源である請求項30記
載の電子写真装置。
32. A light source for static elimination of 600 nm or more and 68 nm or more.
31. The electrophotographic apparatus according to claim 30, which is a light source that emits light having a wavelength of 0 nm or less.
【請求項33】 前記除電用光源はピーク波長が630
nm以上680nm以下の波長の光を発する光源である
請求項30記載の電子写真装置。
33. The light source for static elimination has a peak wavelength of 630.
31. The electrophotographic apparatus according to claim 30, which is a light source that emits light having a wavelength of not less than nm and not more than 680 nm.
【請求項34】 前記帯電手段はコロナ帯電を行なうた
めの手段である請求項26記載の電子写真装置。
34. An electrophotographic apparatus according to claim 26, wherein said charging means is means for performing corona charging.
【請求項35】 前記帯電手段は前記感光体の表面に接
触した状態で電圧を印加することが可能な帯電部材を有
する請求項26記載の電子写真装置。
35. The electrophotographic apparatus according to claim 26, wherein said charging means has a charging member to which a voltage can be applied while being in contact with the surface of said photoreceptor.
【請求項36】 前記帯電部材は、ゴムローラーである
請求項35記載の電子写真装置。
36. The electrophotographic apparatus according to claim 35, wherein the charging member is a rubber roller.
【請求項37】 前記帯電部材は、ファーブラシである
請求項35記載の電子写真装置。
37. The electrophotographic apparatus according to claim 35, wherein the charging member is a fur brush.
【請求項38】 前記帯電部材は、磁性粉体ブラシであ
る請求項35記載の電子写真装置。
38. The electrophotographic apparatus according to claim 35, wherein said charging member is a magnetic powder brush.
【請求項39】 前記除電手段は除電用光源を有し、前
記帯電手段は該感光体の表面に接触した状態で電圧を印
加することが可能な帯電部材を有する請求項26記載の
電子写真装置。
39. The electrophotographic apparatus according to claim 26, wherein said discharging means has a light source for discharging, and said charging means has a charging member to which a voltage can be applied while being in contact with the surface of said photoreceptor. .
【請求項40】 前記帯電部材は、ゴムローラーである
請求項39記載の電子写真装置。
40. The electrophotographic apparatus according to claim 39, wherein the charging member is a rubber roller.
【請求項41】 前記帯電部材は、ファーブラシである
請求項39記載の電子写真装置。
41. The electrophotographic apparatus according to claim 39, wherein the charging member is a fur brush.
【請求項42】 前記帯電部材は、磁性粉体ブラシであ
る請求項39記載の電子写真装置。
42. The electrophotographic apparatus according to claim 39, wherein said charging member is a magnetic powder brush.
【請求項43】 前記除電用光源は600nm以上68
0nm以下の波長の光を発する光源である請求項39記
載の電子写真装置。
43. A light source for static elimination of 600 nm or more and 68 nm or more.
The electrophotographic apparatus according to claim 39, which is a light source that emits light having a wavelength of 0 nm or less.
【請求項44】 前記除電用光源はピーク波長が630
nm以上680nm以下の波長の光を発する光源である
請求項39記載の電子写真装置。
44. The light source for static elimination has a peak wavelength of 630.
The electrophotographic apparatus according to claim 39, which is a light source that emits light having a wavelength of not less than nm and not more than 680 nm.
【請求項45】 光受容層を有する感光体、該感光体の
表面を除電する除電手段、該感光体の表面を帯電させる
帯電手段、帯電した感光体表面を露光して静電潜像を形
成する潜像露光手段、静電潜像にトナーを供給し現像し
てトナー像を形成する現像手段、を含む電子写真装置に
おいて、 前記光受容層はアモルファスシリコンを有し、前記潜像
露光手段は、像露光光源として波長500〜680nm
の光源を備える電子写真装置。
45. A photoreceptor having a photoreceptor layer, a discharging means for discharging the surface of the photoreceptor, a charging means for charging the surface of the photoreceptor, and forming an electrostatic latent image by exposing the charged surface of the photoreceptor An electrophotographic apparatus including: a latent image exposing unit that supplies toner to the electrostatic latent image and develops the toner to form a toner image; wherein the light receiving layer includes amorphous silicon; and the latent image exposing unit includes Wavelength of 500 to 680 nm as an image exposure light source
An electrophotographic apparatus provided with a light source.
【請求項46】 前記像露光光源は、主波長600〜6
60nmの単一波長光源である請求45記載の電子写真
装置。
46. The image exposure light source has a main wavelength of 600 to 6
The electrophotographic apparatus according to claim 45, which is a single-wavelength light source of 60 nm.
【請求項47】 前記単一波長光源は、半導体レーザー
またはLEDである請求項45記載の電子写真装置。
47. The electrophotographic apparatus according to claim 45, wherein the single wavelength light source is a semiconductor laser or an LED.
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