JP2000323026A - Thick film pattern forming apparatus and substrate on which thick film pattern is formed - Google Patents
Thick film pattern forming apparatus and substrate on which thick film pattern is formedInfo
- Publication number
- JP2000323026A JP2000323026A JP13344899A JP13344899A JP2000323026A JP 2000323026 A JP2000323026 A JP 2000323026A JP 13344899 A JP13344899 A JP 13344899A JP 13344899 A JP13344899 A JP 13344899A JP 2000323026 A JP2000323026 A JP 2000323026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- film pattern
- intaglio
- substrate
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明により、微細な厚膜パターンを高い精
度で形成した、すなわち、厚膜パターンの線幅や厚さを
忠実に再現した大型製品の製造が簡単にできる。また、
被転写体に直接転写する為、装置上の制約がなく、量産
効果が高く、しかも得られる厚膜パターンの質が良く、
低コストであるという点で優れている厚膜パターン形成
装置を提供する。
【解決手段】 本発明である厚膜パターン形成装置は、
所定の厚膜パターンを有する凹版と、当該凹版に基づい
て前記厚膜パターンを形成する基板を固定する基板固定
部と、前記凹版と前記基板固定部とを相対的に移動する
移動機構とを有し、厚膜パターンの材料を保持する材料
保持部と、該厚膜パターン材料を前記凹版に塗布し充填
する前に前記材料が経由する複数のローラと、当該ロー
ラを経由した厚膜パターンの材料を前記凹版と前記基板
固定部上に固定した基板との間に挟み込むことにより、
前記基板上に所定の厚膜パターンを形成する機構を有す
ることを特徴とする。
According to the present invention, it is possible to easily manufacture a large-sized product in which a fine thick film pattern is formed with high precision, that is, the line width and the thickness of the thick film pattern are faithfully reproduced. Also,
Since the image is directly transferred to the object to be transferred, there is no restriction on the apparatus, the mass production effect is high, and the quality of the obtained thick film pattern is good.
Provided is a thick film pattern forming apparatus which is excellent in low cost. SOLUTION: The thick film pattern forming apparatus according to the present invention comprises:
An intaglio having a predetermined thick film pattern, a substrate fixing portion for fixing a substrate on which the thick film pattern is formed based on the intaglio, and a moving mechanism for relatively moving the intaglio and the substrate fixing portion. A material holding unit for holding the material of the thick film pattern, a plurality of rollers through which the material passes before applying and filling the intaglio with the thick film pattern material, and a material of the thick film pattern passing through the rollers Between the intaglio and the substrate fixed on the substrate fixing portion,
A mechanism for forming a predetermined thick film pattern on the substrate.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、厚膜パターン形
成装置および厚膜パターンを形成した基板に関する発明
である。特に、ディスプレイ基板の厚膜パターン形成に
関するものであり、さらには、プラズマディスプレイパ
ネルの電極形成に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thick film pattern forming apparatus and a substrate on which a thick film pattern is formed. In particular, the present invention relates to formation of a thick film pattern on a display substrate, and further relates to formation of electrodes of a plasma display panel.
【0002】[0002]
【従来の技術】電子回路基板やディスプレイ等において
は、近年、基板の大型化が要求されている。このような
中、焼成後の線幅が30〜250μm程度、焼成後の厚
みが2μm以上の微細で且つ厚膜のパターンを極めて高
い精度で形成するという要求がある。そこで従来より、
その製造にはフォトリソグラフィ法が用いられてきた
が、製造工程が複雑であり、材料ロスが多く、大型露光
装置の開発や設備投資に莫大な費用がかかる為に製造コ
ストが高く、しかも、フォトマスクの適用サイズや塗布
機の仕様に限界があるなどの第1の問題点があった。2. Description of the Related Art In recent years, electronic circuit boards and displays have been required to be larger. Under such circumstances, there is a demand that a fine and thick film pattern having a line width after firing of about 30 to 250 μm and a thickness after firing of 2 μm or more is formed with extremely high precision. Therefore,
Although photolithography has been used for its production, the production process is complicated, the material loss is large, and the development cost of large-sized exposure equipment and capital investment are enormous. The first problem is that there is a limit to the size of the applied mask and the specifications of the coating machine.
【0003】このため、工程が簡単で量産性を有する印
刷法を用いることによって低コスト化が試みられてい
る。しかしながら、種々試みられている凹版オフセット
印刷法は、微細パターンを高い精度で形成するという用
途に最も適した印刷法と思われている。For this reason, cost reduction has been attempted by using a printing method which has a simple process and has high productivity. However, the intaglio offset printing method that has been tried variously is considered to be the printing method most suitable for the purpose of forming a fine pattern with high accuracy.
【0004】しかしながら、凹版オフセット印刷法等に
用いられる凹版は金属製の凹版またはガラス製の凹版で
あって、厚膜パターンの材料の離型性が低いものである
ために、凹版の凹部に充填された厚膜パターンの材料が
ブランケットに完全に転移されず、その一部が凹部の内
部に残存し所定の膜厚が得られないという第2の問題点
がある。However, the intaglio used in the intaglio offset printing method or the like is a metal intaglio or a glass intaglio, and the material of the thick film pattern has low releasability. The second problem is that the material of the formed thick film pattern is not completely transferred to the blanket, and a part of the material remains in the concave portion and a predetermined film thickness cannot be obtained.
【0005】また、表面がゴム層であるブランケットを
用いる為、ブランケットから被形成物への厚膜パターン
材料の転移により、厚膜パターンの形状である線幅が不
均一になったり、蛇行を生じるという第3の問題点があ
る。Further, since a blanket whose surface is a rubber layer is used, the line width, which is the shape of the thick film pattern, becomes uneven or meanders due to the transfer of the thick film pattern material from the blanket to the object to be formed. There is a third problem.
【0006】被形成物である基板にはその表面に微細な
凹凸やうねりがあり平坦でない為、金属製またはガラス
製の凹版のようにクッション性のない凹版を用いると、
凹版から基板上への厚膜パターン材料を転移する時に基
板が割れたり、変形したりする場合がある上、厚膜パタ
ーン材料の転移にムラを生じて厚膜パターンの品質に悪
影響を及ぼすという第4の問題点がある。Since the substrate to be formed has fine irregularities and undulations on its surface and is not flat, if an intaglio having no cushioning property such as a metal or glass intaglio is used,
When transferring the thick film pattern material from the intaglio plate onto the substrate, the substrate may be cracked or deformed, and the transfer of the thick film pattern material may cause unevenness and adversely affect the quality of the thick film pattern. There are four problems.
【0007】また、懸念事項であるが、形成した厚膜パ
ターンの断面形状のエッジがシャープであっては、厚膜
パターンの上に形成する所定の層を突き破って前記厚膜
パターンのエッジが露出してしまう第6の問題点があ
る。例えば、プラズマディスプレイパネルの電極の上に
は誘電体層を形成するが、厚膜パターンである電極のエ
ッジがシャープであってはその上に形成する誘電体層を
突き破って前記エッジが露出してしまう懸念がある。[0007] Also, as a concern, if the edge of the cross-sectional shape of the formed thick film pattern is sharp, the edge of the thick film pattern is exposed by breaking through a predetermined layer formed on the thick film pattern. There is a sixth problem. For example, a dielectric layer is formed on an electrode of a plasma display panel, but if the edge of the electrode, which is a thick film pattern, is sharp, the edge is exposed by breaking through the dielectric layer formed thereon. There is a concern.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題点に鑑みてなされたものであって、厚膜パターン形
成装置および厚膜パターンを形成した基板を提供するこ
とを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above-mentioned conventional problems, and has as its object to provide a thick film pattern forming apparatus and a substrate on which a thick film pattern is formed.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の厚膜パターン形
成装置は、所定の厚膜パターンを有する凹版と、当該凹
版に基づいて前記厚膜パターンを形成する基板を固定す
る基板固定部と、前記凹版と前記基板固定部とを相対的
に移動する移動機構とを有し、厚膜パターンの材料を保
持する材料保持部と、該厚膜パターン材料を前記凹版に
塗布し充填する前に前記材料が経由する複数のローラ
と、当該ローラを経由した厚膜パターンの材料を前記凹
版と前記基板固定部上に固定した基板との間に挟み込む
ことにより、前記基板上に所定の厚膜パターンを形成す
る機構を有することを特徴とする。According to the present invention, there is provided an apparatus for forming a thick film pattern, comprising: an intaglio having a predetermined thick film pattern; a substrate fixing portion for fixing a substrate on which the thick film pattern is formed based on the intaglio; Having a moving mechanism for relatively moving the intaglio and the substrate fixing portion, a material holding portion for holding a thick film pattern material, and before applying and filling the thick film pattern material to the intaglio, A plurality of rollers through which the material passes, and by sandwiching the material of the thick film pattern passing through the rollers between the intaglio and the substrate fixed on the substrate fixing portion, a predetermined thick film pattern is formed on the substrate. It has a mechanism for forming.
【0010】さらに、厚膜パターン材料を凹版に塗布し
充填する前に経由する複数のローラの少なくとも1本が
回転軸方向に揺動しながら回転する機構を有することが
望ましい。Furthermore, it is desirable to have a mechanism in which at least one of a plurality of rollers that pass before the thick film pattern material is applied to the intaglio plate and filled is rotated while swinging in the direction of the rotation axis.
【0011】さらに、凹版が離型材料で形成されてるこ
とをが望ましい。Furthermore, it is desirable that the intaglio is formed of a release material.
【0012】さらに、凹版内にクッション層が形成され
ていることが望ましい。Further, it is desirable that a cushion layer is formed in the intaglio.
【0013】さらに、凹版の型の側面が傾斜面を有する
ことが望ましい。Further, it is desirable that the side surface of the intaglio mold has an inclined surface.
【0014】さらに、形成した厚膜パターンを押圧する
押圧ローラを有することが望ましい。Further, it is desirable to have a pressing roller for pressing the formed thick film pattern.
【0015】本発明の厚膜パターン形成装置のいずれか
において、形成した厚膜パターンの側面が湾曲部を有す
ることを特徴とする厚膜パターンを形成した基板を特徴
とする。In any one of the thick film pattern forming apparatuses of the present invention, a substrate on which a thick film pattern is formed is characterized in that a side surface of the formed thick film pattern has a curved portion.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
としてプラズマディスプレイパネルの電極の形成装置に
関して図面を参照して詳細に説明する。もちろん、本発
明は、プラズマディスプレイパネルの電極に限る必要は
ない。種々のディスプレイ等の厚膜パターン形成に利用
できるものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, as an example of an embodiment of the present invention, an apparatus for forming an electrode of a plasma display panel will be described in detail with reference to the drawings. Of course, the present invention need not be limited to the electrodes of the plasma display panel. It can be used for forming a thick film pattern of various displays and the like.
【0017】図1は本発明の実施の形態の一例に係る厚
膜パターン形成装置を示す図である。図1(A)は、側
面図であり、図1(B)は平面図である。FIG. 1 is a view showing an apparatus for forming a thick film pattern according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a side view, and FIG. 1B is a plan view.
【0018】厚膜パターン形成装置は、所定の厚膜パタ
ーンを形成した凹版1と、厚膜パターンの被形成物であ
るガラス基板2と、ガラス基板2を載置して固定する基
板固定部3と、凹版1と基板固定部3と相対的に移動す
る図示しない移動機構と、から主に構成される。このよ
うな構成により、凹版1と基板固定部3と相対的に移動
しながら基板固定部3上に固定されたガラス基板2に凹
版1を重ね合わせて所定の厚膜パターンをガラス基板2
上の所定の位置に直接形成する。この為、簡単な製造工
程で且つ安価な製造コストで電子回路基板やディスプレ
イ等における基板の大型化要求に対応することが可能に
なった。さらに、ブランケットを用いないので、ブラン
ケットから被形成物である基板2への厚膜パターンの材
料の転移時点で、厚膜パターンの形状である線幅が不均
一になったり、蛇行を生じることがなくなった。また、
基板固定部3を静止して凹版1を移動して厚膜パターン
を形成すると、省スペース化が可能となる。もちろん、
凹版1を移動せずに基板固定部3を移動して厚膜パター
ンを形成してもよい。The thick film pattern forming apparatus includes an intaglio 1 on which a predetermined thick film pattern is formed, a glass substrate 2 on which a thick film pattern is to be formed, and a substrate fixing portion 3 on which the glass substrate 2 is placed and fixed. And a moving mechanism (not shown) that moves relative to the intaglio 1 and the substrate fixing unit 3. With such a configuration, the intaglio 1 is superimposed on the glass substrate 2 fixed on the substrate fixing portion 3 while relatively moving the intaglio 1 and the substrate fixing portion 3, and a predetermined thick film pattern is formed on the glass substrate 2.
It is formed directly on the upper predetermined position. For this reason, it has become possible to respond to a demand for a larger substrate in an electronic circuit board, a display, or the like with a simple manufacturing process and at a low manufacturing cost. Further, since the blanket is not used, the line width of the shape of the thick film pattern may become non-uniform or meander when the material of the thick film pattern is transferred from the blanket to the substrate 2 which is the object to be formed. lost. Also,
When the substrate fixing portion 3 is stopped and the intaglio 1 is moved to form a thick film pattern, space can be saved. of course,
The thick film pattern may be formed by moving the substrate fixing part 3 without moving the intaglio 1.
【0019】形成ユニット4には、前記凹版1の他に、
厚膜パターン材料6を保持する材料保持部としてブレー
ド5と出しローラ7とがあり、ブレード5と出しローラ
7との間には隙間を有する。その隙間から厚膜パターン
材料6を出して、出した材料を出しローラ7から練りロ
ーラ8に転移する。ここでは、練りローラ8は3本あ
り、それぞれが回転軸方向に交互に揺動することで前記
材料に含まれる粉体の分散を均一に保持する。特に、プ
ラズマディスプレイパネルの電極として、平均粒径0.
01〜2μm程度、より好ましくは平均粒径0.03〜
1μm程度の導電粒子(具体的には、Ag、Au、C
u、Al、Pt、Ni、Pd等の粉体の単独又は混合
物)等を含む厚膜パターンの材料6を凹版へ充填する場
合、不要部分の厚膜パターン材料6のはじきが良くな
り、凹版からはみだすことなく正確に凹版に充填するこ
とが可能となる。さらに、微少な導電粒子が均一に分散
しているために凹版への傷等のダメージがなくなる。The forming unit 4 includes, in addition to the intaglio 1,
The blade 5 and the delivery roller 7 are provided as material holding portions for holding the thick film pattern material 6, and there is a gap between the blade 5 and the delivery roller 7. The thick film pattern material 6 is discharged from the gap, and the discharged material is transferred from the discharge roller 7 to the kneading roller 8. Here, there are three kneading rollers 8, each of which oscillates alternately in the direction of the rotation axis to uniformly maintain the dispersion of the powder contained in the material. In particular, as an electrode of a plasma display panel, an average particle size of 0.1 is preferable.
About 01 to 2 μm, more preferably 0.03 to 0.03 μm
Conductive particles of about 1 μm (specifically, Ag, Au, C
When the intaglio is filled with a material 6 of a thick film pattern including powders such as u, Al, Pt, Ni, Pd, etc., alone or in a mixture, the rejection of unnecessary portions of the thick film pattern material 6 is improved, and It is possible to fill the intaglio accurately without protruding. Further, since fine conductive particles are uniformly dispersed, damage such as a scratch on the intaglio is eliminated.
【0020】また、粉体の凝集をおさえる為、粉体に表
面処理をしたり、凝集防止剤または分散剤を厚膜パター
ン材料6に入れると上記効果がより大きくなる。また、
厚膜パターン材料6にガラスフリットを入れることによ
りガラス基板との密着性を良くすることができる。Further, in order to suppress the agglomeration of the powder, if the powder is subjected to a surface treatment or if an anti-agglomeration agent or a dispersant is added to the thick film pattern material 6, the above-mentioned effect is further enhanced. Also,
By inserting a glass frit into the thick film pattern material 6, the adhesion to the glass substrate can be improved.
【0021】そして、この材料6を塗布充填ローラ9に
より凹版1に塗布し充填する。この塗布充填ローラ9は
2本用いる。これにより1本目の塗布充填ローラ9で凹
版1へ塗布充填して、さらに2本目の塗布充填ローラ9
で凹版1にきちんと充填することができる。つまり、こ
の2本目の塗布充填ローラ9は凹版1への厚膜パターン
の材料6の充填が不足していれば追加充填することがで
きる。逆に、凹版1への材料6が多ければ取り除き、再
度練りローラ8で材料6を練りながら均一な流動性、粘
性等の維持して再度凹版1に塗布充填する働きをする。
もちろん、図示した塗布充填ローラより大きな径を持つ
ローラを用いて、1本の塗布充填ローラで凹版1への厚
膜パターンの材料6の充填をしてもよい。Then, the material 6 is applied and filled on the intaglio 1 by the application and filling roller 9. Two application and filling rollers 9 are used. In this way, the first coating and filling roller 9 applies and fills the intaglio 1 and further the second coating and filling roller 9
The intaglio 1 can be filled properly. In other words, the second coating and filling roller 9 can additionally fill the intaglio 1 if the thick film pattern material 6 is insufficiently filled. Conversely, if the amount of the material 6 to the intaglio 1 is large, the material 6 is removed, and the material 6 is again kneaded by the kneading roller 8 to maintain uniform fluidity, viscosity, etc., and to apply and fill the intaglio 1 again.
Of course, the intaglio 1 may be filled with the material 6 of the thick film pattern by using one roller having a larger diameter than the illustrated coating and filling roller.
【0022】基板固定部2は、凹版1に基づいて所定の
厚膜パターンを形成するガラス基板10を載置して固定
するものである。図2(A)の基板固定部2の平面図に
示すように、2種類の大きさの基板を載置する為、各基
板の1つの角を共通に基準点20とした第1の基板位置
25、第2の基板位置26を設けてある。ここでは、縦
方向の基板の位置決め部材27が1つと横方向の基板の
位置決め部材28が2つで各基板が所定の位置になるよ
うに位置を決める。もちろん、2種類の基板に限らな
い。ここでは、各位置決め部材27、28は円柱体であ
る為、ガラス基板との接点が2点で決まる。この為、線
で基板と接する直方体の場合より、基板の位置が決めや
すい。さらに、位置決め部材27、28で位置決め時
に、位置決め部材27が1個、位置決め部材28が2個
と決めた。この数より多く用いると位置決め部材の位置
を調整するのが難しくなる。この為、基板の大きさによ
り位置決めした位置が変化する場合がでてくる。さら
に、これらの基板が固定できるように、各基板の大きさ
に対応して使い分ける第1の吸引溝21、第2の吸引溝
22、第3の吸引溝23と各溝に対応した複数の吸引孔
24とが加工されている。The substrate fixing section 2 is for mounting and fixing a glass substrate 10 on which a predetermined thick film pattern is formed based on the intaglio 1. As shown in the plan view of the substrate fixing unit 2 in FIG. 2A, the first substrate position is set with one corner of each substrate being a common reference point 20 in order to mount substrates of two sizes. 25, a second substrate position 26 is provided. Here, the position is determined such that each of the substrates is at a predetermined position with one vertical substrate positioning member 27 and two horizontal substrate positioning members 28. Of course, it is not limited to two types of substrates. Here, since each of the positioning members 27 and 28 is a cylindrical body, the point of contact with the glass substrate is determined at two points. For this reason, the position of the substrate is easier to determine than in the case of a rectangular parallelepiped contacting the substrate with a line. Further, at the time of positioning by the positioning members 27 and 28, one positioning member 27 and two positioning members 28 were determined. If more than this number, it is difficult to adjust the position of the positioning member. For this reason, the position at which the positioning is performed may change depending on the size of the substrate. Further, a first suction groove 21, a second suction groove 22, a third suction groove 23, and a plurality of suction holes corresponding to each groove are selectively used according to the size of each substrate so that these substrates can be fixed. The hole 24 is machined.
【0023】図2(B)には、基板固定部2に加工され
た第1の吸引溝21、第3の吸引溝23と複数の吸引孔
24の断面図を示す。このように、吸引溝の底面に吸引
孔が加工されている。そして、第1の基板位置25に基
板2が載置された場合は、第1の吸引溝21と第2の吸
引溝22とが選択されて、これらの吸引溝21、22に
対応した吸引孔24が選択されて第1の基板位置に載置
された基板2を吸引し固定する。同様に、第2の基板位
置26に基板2が載置された場合は、第1の吸引溝21
と第3の吸引溝23とが選択されて、これらの吸引溝2
1、23に対応した吸引孔24が選択されて第2の基板
位置に載置された基板2を吸引し固定する。FIG. 2B is a sectional view of the first suction groove 21, the third suction groove 23, and the plurality of suction holes 24 formed in the substrate fixing portion 2. Thus, the suction hole is formed in the bottom surface of the suction groove. When the substrate 2 is placed at the first substrate position 25, the first suction groove 21 and the second suction groove 22 are selected, and the suction holes corresponding to these suction grooves 21 and 22 are selected. 24 is selected to suck and fix the substrate 2 placed on the first substrate position. Similarly, when the substrate 2 is placed at the second substrate position 26, the first suction groove 21
And the third suction groove 23 are selected, and these suction grooves 2
The suction holes 24 corresponding to 1 and 23 are selected to suck and fix the substrate 2 placed at the second substrate position.
【0024】凹版1に形成された厚膜パターンの平面に
展開したイメージ図を図3に示す。もちろん、これに限
るわけではない。所定の厚膜パターンとして、プラズマ
ディスプレイパネルの表示部の電極のパターン31が基
板2の中央部に形成され、外部回路との接続の為に設け
た端子部の電極のパターン32が基板2の対向する両端
部に形成され、被形成物である基板2上に種々の機能を
有する層を順次重ね合わせて多層形成するために用いら
れる位置合わせ用のアライメントマーク33が基板2の
四隅に形成されている。このように凹版1を形成するこ
とで1回の厚膜パターン形成動作でメインの表示部の電
極のパターン31と、接続用の端子部の電極のパターン
32と、位置合わせ用のアライメントマーク33とが同
時に形成することができ、一括で所定の厚膜パターンを
形成できる。また、厚膜パターン形成動作を複数回(2
〜3回程度)繰り返すことで厚膜パターンを重ねて形成
すると、厚膜パターンをさらに厚くすることが可能であ
り、場合によっては欠陥を減少させる効果もある。FIG. 3 is an image diagram developed on the plane of the thick film pattern formed on the intaglio 1. Of course, this is not a limitation. As a predetermined thick film pattern, an electrode pattern 31 of a display portion of the plasma display panel is formed at the center of the substrate 2, and an electrode pattern 32 of a terminal portion provided for connection to an external circuit is opposed to the substrate 2. Positioning alignment marks 33 are formed at the four corners of the substrate 2, which are formed on both ends of the substrate 2, and are used for sequentially superposing layers having various functions on the substrate 2 to be formed to form a multilayer. I have. By forming the intaglio 1 in this manner, the electrode pattern 31 of the main display section, the electrode pattern 32 of the connection terminal section, and the alignment mark 33 for positioning can be formed in one thick film pattern forming operation. Can be simultaneously formed, and a predetermined thick film pattern can be formed collectively. Also, the thick film pattern forming operation is performed a plurality of times (2.
If the thick film pattern is formed by repeating the above process (about 3 times), the thick film pattern can be further thickened, and in some cases, there is an effect of reducing defects.
【0025】また、図4(A)には、凹版2に加工され
た表示部の型41を正面からみた図と、図4(B)に
は、図4(A)の側面からみた図を示す。図4(C)に
は、凹版2に加工された端子部の型42を正面からみた
図と、図4(D)には、図4(C)の側面からみた図を
示す。ここでは、凹版を保持する回転軸は省略する。図
に示すように、凹版の各型の側面が傾斜面43を有する
為、凹版の型に充填された厚膜パターン材料6が凹版の
型から離型しやすくなる。型の中に充填された厚膜パタ
ーンの材料が型の内部に残存するために厚膜パターンの
所定の膜厚が得られる。このように型を回転軸方向に直
線の型が形成されていない場合には、塗布充填ロールで
はなくてブレードで塗布充填しても良い。また、凹版内
に材料が若干残存してもよいのであれば、必ずしも凹版
の各型の側面が傾斜面43を有しなくてもよいし、部分
的に傾斜面43を有してもよい。FIG. 4 (A) is a view of the mold 41 of the display unit formed on the intaglio 2 as viewed from the front, and FIG. 4 (B) is a view as viewed from the side of FIG. 4 (A). Show. FIG. 4C shows a view of the terminal mold 42 formed on the intaglio 2 as viewed from the front, and FIG. 4D shows a view as viewed from the side of FIG. 4C. Here, the rotating shaft for holding the intaglio is omitted. As shown in the figure, since the side surface of each mold of the intaglio has the inclined surface 43, the thick film pattern material 6 filled in the mold of the intaglio can be easily released from the mold of the intaglio. Since the material of the thick film pattern filled in the mold remains inside the mold, a predetermined thickness of the thick film pattern can be obtained. In the case where the mold is not formed as a straight mold in the rotation axis direction, the mold may be applied and filled by using a blade instead of the application and filling roll. In addition, if some material may remain in the intaglio, the side surface of each mold of the intaglio need not necessarily have the inclined surface 43, or may have the inclined surface 43 partially.
【0026】さらに、凹版の型の部分を離型材料で加工
した場合はこの効果が顕著になってくる。図5は、凹版
の型の一部分を拡大して示す。図5(A)には、型50
の側面に対応する部分(シリコン部51)をシリコンを
材料として加工した型を示す。そして、型50の底面に
対応する部分(非シリコン部52)を金属や樹脂等の非
シリコン材料とする。この場合、型の深さ(版深)を1
0μm〜40μmとすると、好ましくは15μm〜30
μmとすると、型に充填された厚膜パターン材料6の5
0%程度が転移する。これにより、得られる厚膜パター
ンの厚さは5μm〜20μmとなる。また、図5(B)
には、型50の側面、底面に対応する部分(シリコン部
51)をシリコンを材料として加工した型を示す。。こ
の場合、型の深さ(版深)を5μm〜20μmとする
と、型に充填された厚膜パターン材料6の100%程度
が転移する。Further, when the intaglio mold is processed with a release material, this effect becomes remarkable. FIG. 5 shows an enlarged part of the intaglio mold. FIG. 5A shows a mold 50.
2 shows a mold in which a portion (silicon portion 51) corresponding to the side surface is processed using silicon as a material. Then, a portion (non-silicon portion 52) corresponding to the bottom surface of the mold 50 is made of a non-silicon material such as metal or resin. In this case, the mold depth (plate depth) is 1
When it is 0 μm to 40 μm, preferably 15 μm to 30 μm
μm, 5 of the thick film pattern material 6 filled in the mold.
About 0% transfer. Thereby, the thickness of the obtained thick film pattern becomes 5 μm to 20 μm. FIG. 5 (B)
Shows a mold in which portions (silicon portion 51) corresponding to the side and bottom surfaces of the mold 50 are processed using silicon as a material. . In this case, when the mold depth (plate depth) is 5 μm to 20 μm, about 100% of the thick film pattern material 6 filled in the mold is transferred.
【0027】さらに、図5(C)、図5(D)、図5
(E)、図5(F)には、凹版内にクッション層53が
形成されていることを特徴とする構成を示している。こ
のようにクッション層53を形成することにより、被形
成物であるガラス基板2の表面にあるなだらかな又微細
な凹凸面に対応して厚膜パターンの材料6を所定の膜厚
で転移できる。また、凹版の回転時の偏心等に対応して
厚膜パターンの材料6を所定の膜厚で転移できる。これ
によりガラス基板上に形成した厚膜パターンの膜厚ムラ
を防止できる。ここで用いる金属層54は、SUS、N
i、Cu、Cr、Ti又はAl等を材料としている。こ
れによりシリコンを材料とした凹版の型の伸びを押さえ
ることが可能になり、ガラス基板上への厚膜パターンの
形成精度を向上できる。また、クッション層53はガラ
ス基板のうねりを吸収できるようにゴムや樹脂でよい。
また、繰り返し厚膜パターンを形成する為にシリコン部
51とクッション層53と金属層54とが剥がれないよ
うに接着剤で固定してもよい。Further, FIGS. 5C, 5D, and 5
(E) and FIG. 5 (F) show a configuration characterized in that the cushion layer 53 is formed in the intaglio. By forming the cushion layer 53 in this manner, the material 6 of the thick film pattern can be transferred with a predetermined thickness corresponding to the smooth or fine uneven surface on the surface of the glass substrate 2 which is an object to be formed. Further, the material 6 of the thick film pattern can be transferred with a predetermined film thickness in accordance with the eccentricity or the like during rotation of the intaglio. As a result, the thickness unevenness of the thick film pattern formed on the glass substrate can be prevented. The metal layer 54 used here is made of SUS, N
The material is i, Cu, Cr, Ti, Al, or the like. This makes it possible to suppress the elongation of the intaglio mold made of silicon, thereby improving the accuracy of forming a thick film pattern on a glass substrate. The cushion layer 53 may be made of rubber or resin so as to absorb the undulation of the glass substrate.
Further, in order to repeatedly form a thick film pattern, the silicon portion 51, the cushion layer 53, and the metal layer 54 may be fixed with an adhesive so as not to peel off.
【0028】以上に示すような凹版1と基板固定部3と
を有する図1で示す厚膜パターン形成装置により厚膜パ
ターンの材料を凹版1と基板固定部3上に固定したガラ
ス基板2との間に挟み込むことにより、基板2上に所定
の厚膜パターンを形成する。これによりガラス基板2、
60上に形成した厚膜パターン61の断面形状は、図6
(A)に示すように周囲が湾曲した厚膜パターン61と
なる。このように図1に示す厚膜パターン形成装置によ
りガラス基板2上に厚膜パターンを形成することによ
り、形成した厚膜パターンの断面形状のエッジがシャー
プでなくなり、厚膜パターン63の上に形成する所定の
層突き破って前記厚膜パターンのエッジが露出してしま
うことを防止できる。The thick film pattern forming apparatus shown in FIG. 1 having the intaglio 1 and the substrate fixing portion 3 as described above is used to form a thick film pattern material on the intaglio 1 and the glass substrate 2 fixed on the substrate fixing portion 3. A predetermined thick film pattern is formed on the substrate 2 by being sandwiched therebetween. Thereby, the glass substrate 2,
The cross-sectional shape of the thick film pattern 61 formed on 60 is shown in FIG.
As shown in (A), a thick film pattern 61 having a curved periphery is obtained. As described above, the thick film pattern is formed on the glass substrate 2 by the thick film pattern forming apparatus shown in FIG. This prevents the edge of the thick film pattern from being exposed by breaking through a predetermined layer.
【0029】図1において、凹版1により厚膜パターン
をガラス基板2上に形成した後、形成ユニット4の凹版
1の後ろに配置した押圧ロール11によりガラス基板
2、60上に形成した厚膜パターン61の上面を押しつ
ぶす。これによりガラス基板2、60上に形成した厚膜
パターン61の断面形状は、図6(B)に示すように上
面が平坦で周囲が湾曲した厚膜パターン62となる。さ
らに厚膜パターンの材料にUV樹脂等の光硬化性の樹脂
を用いれば、押圧ロール11の後ろに設けたUVランプ
等を収納したランプハウスにより前記厚膜パターンの上
面が平坦で周囲が湾曲した状態で厚膜パターンを硬化で
きる。また、厚膜パターンの材料により汚れた押圧ロー
ル11は洗浄ローラ12により汚れを洗浄できる。これ
により、常にきれいな押圧ロール11の表面でガラス基
板上に形成した厚膜パターンの上面を押しつぶすことが
でき、汚れが厚膜パターンに付着することがない。ま
た、図示していないが、押圧ロール11の前に設けたU
Vランプ等を収納したランプハウスにより厚膜パターン
を硬化した後、前記厚膜パターンの上面を押圧ロール1
1で平坦にして周囲が湾曲した状態の厚膜パターンとし
てもよい。さらに、UVを照射しながら厚膜パターンを
転写し形成してもよい。In FIG. 1, after the thick film pattern is formed on the glass substrate 2 by the intaglio 1, the thick film pattern formed on the glass substrates 2 and 60 by the pressing roll 11 arranged behind the intaglio 1 of the forming unit 4. Crush the top surface of 61. As a result, the cross-sectional shape of the thick film pattern 61 formed on the glass substrates 2 and 60 becomes a thick film pattern 62 having a flat upper surface and a curved periphery as shown in FIG. Furthermore, if a photocurable resin such as a UV resin is used as the material of the thick film pattern, the upper surface of the thick film pattern is flat and the periphery is curved by a lamp house that houses a UV lamp and the like provided behind the pressing roll 11. The thick film pattern can be cured in the state. In addition, the pressing roller 11 that has been soiled by the material of the thick film pattern can be cleaned by the cleaning roller 12. Thereby, the upper surface of the thick film pattern formed on the glass substrate can be constantly crushed by the clean surface of the pressing roll 11, and dirt does not adhere to the thick film pattern. Further, although not shown, a U provided in front of the pressing roll 11 is provided.
After the thick film pattern is cured by a lamp house containing a V lamp or the like, the upper surface of the thick film pattern is
The thickness may be a thick film pattern which is flat at 1 and whose periphery is curved. Further, the thick film pattern may be transferred and formed while irradiating UV.
【0030】このようにして図1に示す厚膜パターン形
成装置によりガラス基板2上に厚膜パターンを形成する
ことにより、形成した厚膜パターンの断面形状のエッジ
がシャープでなくなり、厚膜パターン62の上面は平坦
になり、厚膜パターン63の上に形成する所定の層突き
破って前記厚膜パターンのエッジが露出してしまうこと
を防止できると同時に凹凸形状を緩和できる。この時の
厚膜パターン63と上層の誘電体層64の断面形状は、
図6(C)に示すようになる。By forming a thick film pattern on the glass substrate 2 by the thick film pattern forming apparatus shown in FIG. 1 in this manner, the edge of the cross section of the formed thick film pattern is not sharp, and the thick film pattern 62 is formed. Is flattened, thereby preventing the edge of the thick film pattern from being exposed by breaking through a predetermined layer formed on the thick film pattern 63 and, at the same time, the uneven shape can be reduced. At this time, the cross-sectional shapes of the thick film pattern 63 and the upper dielectric layer 64 are
The result is as shown in FIG.
【0031】図1における凹版1により厚膜パターンを
ガラス基板2上に形成した後、形成ユニット4の凹版1
の後ろに配置した押圧ロール11によりガラス基板2、
60上に形成した厚膜パターン61の上面を押しつぶす
別の実施の形態を示す。ここでは、厚膜パターンの材料
にUV樹脂等の光硬化性の樹脂を用いる。まず、形成ユ
ニット4をガラス基板2の左に移動した後、ガラス基板
の厚膜パターンの一番左に押圧ロール11の後ろに設け
たUVランプ等を収納したランプハウスがくるようにす
る。このようにしてランプハウスのランプにより前記厚
膜パターンを照射して厚膜パターンを一端硬化させた
後、その厚膜パターンの上面を平坦に押しつぶす。する
と、図6(B)に示すように厚膜パターンの上面は平坦
になり、その周囲が湾曲した状態の厚膜パターンを硬化
できる。また、厚膜パターンの材料により汚れた押圧ロ
ール11は洗浄ローラ12により汚れを洗浄できる。こ
れにより、常にきれいな押圧ロール11の表面でガラス
基板上に形成した厚膜パターンの上面を押しつぶすこと
ができ、汚れが厚膜パターンに付着することがない。After a thick film pattern is formed on the glass substrate 2 by the intaglio 1 in FIG.
The glass substrate 2 is pressed by the pressing roll 11
Another embodiment in which the upper surface of the thick film pattern 61 formed on the upper surface 60 is crushed is shown. Here, a photocurable resin such as a UV resin is used as the material of the thick film pattern. First, after the forming unit 4 is moved to the left of the glass substrate 2, a lamp house containing a UV lamp and the like provided behind the pressing roll 11 comes to the left of the thick film pattern of the glass substrate. After the thick film pattern is once cured by irradiating the thick film pattern with the lamp of the lamp house in this way, the upper surface of the thick film pattern is crushed flat. Then, as shown in FIG. 6B, the upper surface of the thick film pattern becomes flat, and the thick film pattern in a state where the periphery thereof is curved can be cured. In addition, the pressing roller 11 that has been soiled by the material of the thick film pattern can be cleaned by the cleaning roller 12. Thereby, the upper surface of the thick film pattern formed on the glass substrate can be constantly crushed by the clean surface of the pressing roll 11, and dirt does not adhere to the thick film pattern.
【0032】このようにして図1に示す厚膜パターン形
成装置によりガラス基板2上に厚膜パターンを形成する
ことにより、形成した厚膜パターンの断面形状のエッジ
がシャープでなくなり、厚膜パターン62の上面は平坦
になり、厚膜パターン63の上に形成する所定の層突き
破って前記厚膜パターンのエッジが露出してしまうこと
を防止できると同時に凹凸形状を緩和できる。この時の
厚膜パターン63と上層の誘電体層64の断面形状は、
図6(C)に示すようになる。By forming a thick film pattern on the glass substrate 2 by the thick film pattern forming apparatus shown in FIG. 1 in this manner, the edge of the cross-sectional shape of the formed thick film pattern is no longer sharp, and the thick film pattern 62 is formed. Is flattened, thereby preventing the edge of the thick film pattern from being exposed by breaking through a predetermined layer formed on the thick film pattern 63 and, at the same time, the uneven shape can be reduced. At this time, the cross-sectional shapes of the thick film pattern 63 and the upper dielectric layer 64 are
The result is as shown in FIG.
【0033】[0033]
【発明の効果】本発明により、微細な厚膜パターンを高
い精度で形成した、すなわち、厚膜パターンの線幅や厚
さを忠実に再現した大型製品の製造が簡単にできる。ま
た、被転写体に直接転写する為、装置上の制約がなく、
量産効果が高く、しかも得られる厚膜パターンの質が良
く、低コストであるという点で優れている。According to the present invention, it is possible to easily manufacture a large product in which a fine thick film pattern is formed with high accuracy, that is, the line width and the thickness of the thick film pattern are faithfully reproduced. In addition, since the image is directly transferred to the transfer target, there is no restriction on the device,
It is excellent in that the mass production effect is high, the quality of the obtained thick film pattern is good, and the cost is low.
【図1】本発明の実施の形態に係る厚膜パターン形成装
置を示す図FIG. 1 is a diagram showing a thick film pattern forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の実施の形態に係る厚膜パターン形成装
置の定盤を示す図FIG. 2 is a diagram showing a surface plate of the thick film pattern forming apparatus according to the embodiment of the present invention.
【図3】本発明の実施の形態に係る凹版パターンを示す
図FIG. 3 is a diagram showing an intaglio pattern according to the embodiment of the present invention.
【図4】本発明の実施の形態に係る凹版を示す図FIG. 4 is a diagram showing an intaglio according to an embodiment of the present invention.
【図5】本発明の実施の形態に係る凹版の積層構造を示
す図FIG. 5 is a view showing a laminated structure of an intaglio according to the embodiment of the present invention.
【図6】本発明の実施の形態に係る厚膜パターンを形成
した基板を示す図FIG. 6 is a view showing a substrate on which a thick film pattern according to the embodiment of the present invention is formed.
1 凹版 2 ガラス基板 3 基板固定部 4 形成ユニット 5 ブレード 6 厚膜パターン形成材料 7 出しローラ 8 練りローラ 9 塗布充填ローラ 10 ランプハウス 11 押圧ローラ 12 洗浄ローラ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Intaglio 2 Glass substrate 3 Substrate fixing part 4 Forming unit 5 Blade 6 Thick film pattern forming material 7 Dispensing roller 8 Mixing roller 9 Application filling roller 10 Lamp house 11 Press roller 12 Cleaning roller
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小坂 陽三 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 佐々木 賢 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 Fターム(参考) 5C027 AA01 AA09 5C040 GC19 GF19 GG09 JA04 JA19 JA20 JA40 MA25 MA26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yozo Kosaka 1-1-1, Ichigaya Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Inside Dai Nippon Printing Co., Ltd. (72) Inventor Ken Sasaki 1-1-1, Ichigaga-cho, Shinjuku-ku, Tokyo No. 1 Dai Nippon Printing Co., Ltd. F-term (reference) 5C027 AA01 AA09 5C040 GC19 GF19 GG09 JA04 JA19 JA20 JA40 MA25 MA26
Claims (7)
凹版に基づいて前記厚膜パターンを形成する基板を固定
する基板固定部と、前記凹版と前記基板固定部とを相対
的に移動する移動機構とを有し、厚膜パターンの材料を
保持する材料保持部と、該厚膜パターン材料を前記凹版
に塗布し充填する前に前記材料が経由する複数のローラ
と、当該ローラを経由した厚膜パターンの材料を前記凹
版と前記基板固定部上に固定した基板との間に挟み込む
ことにより、前記基板上に所定の厚膜パターンを形成す
る機構を有する厚膜パターン形成装置。An intaglio having a predetermined thick film pattern, a substrate fixing portion for fixing a substrate on which the thick film pattern is formed based on the intaglio, and a relative movement between the intaglio and the substrate fixing portion. Having a moving mechanism, a material holding unit for holding the material of the thick film pattern, a plurality of rollers through which the material passes before applying and filling the intaglio with the thick film pattern material, and via the rollers A thick film pattern forming apparatus having a mechanism for forming a predetermined thick film pattern on the substrate by sandwiching a material of the thick film pattern between the intaglio and the substrate fixed on the substrate fixing portion.
版に塗布し充填する前に経由する複数のローラの少なく
とも1本が回転軸方向に揺動しながら回転する機構を有
することを特徴とする厚膜パターン形成装置。2. A mechanism according to claim 1, wherein at least one of a plurality of rollers that pass before applying and filling the intaglio plate with the thick film pattern material is rotated while swinging in the direction of the rotation axis. Thick film pattern forming apparatus.
で形成されてることを特徴とする厚膜パターン形成装
置。3. The thick film pattern forming apparatus according to claim 1, wherein the intaglio is formed of a release material.
内にクッション層が形成されていることを特徴とする厚
膜パターン形成装置。4. A thick film pattern forming apparatus according to claim 1, wherein a cushion layer is formed in the intaglio.
の型の側面が傾斜面を有することを特徴とする厚膜パタ
ーン形成装置。5. The thick film pattern forming apparatus according to claim 1, wherein the side surface of the intaglio mold has an inclined surface.
した厚膜パターンを押圧する押圧ローラを有することを
特徴とする厚膜パターン形成装置。6. A thick film pattern forming apparatus according to claim 1, further comprising a pressing roller for pressing the formed thick film pattern.
した厚膜パターンの側面が湾曲部を有することを特徴と
する厚膜パターンを形成した基板。7. A substrate on which a thick film pattern is formed according to claim 1, wherein the side surface of the formed thick film pattern has a curved portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13344899A JP2000323026A (en) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | Thick film pattern forming apparatus and substrate on which thick film pattern is formed |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13344899A JP2000323026A (en) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | Thick film pattern forming apparatus and substrate on which thick film pattern is formed |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323026A true JP2000323026A (en) | 2000-11-24 |
Family
ID=15105021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13344899A Withdrawn JP2000323026A (en) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | Thick film pattern forming apparatus and substrate on which thick film pattern is formed |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323026A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853001B2 (en) | 2001-01-09 | 2005-02-08 | Sumitomo Rubber Industries, Ltd. | Electrode substrate of plasma display panel and method for making the same |
| WO2007013876A1 (en) * | 2004-08-26 | 2007-02-01 | 3M Innovative Properties Company | Method of forming microstructures with a template |
| JP2008059891A (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma display panel |
| KR100947961B1 (en) | 2003-12-09 | 2010-03-15 | 오리온피디피주식회사 | Bulkhead Forming Device for Plasma Display Panel |
-
1999
- 1999-05-14 JP JP13344899A patent/JP2000323026A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6853001B2 (en) | 2001-01-09 | 2005-02-08 | Sumitomo Rubber Industries, Ltd. | Electrode substrate of plasma display panel and method for making the same |
| KR100947961B1 (en) | 2003-12-09 | 2010-03-15 | 오리온피디피주식회사 | Bulkhead Forming Device for Plasma Display Panel |
| WO2007013876A1 (en) * | 2004-08-26 | 2007-02-01 | 3M Innovative Properties Company | Method of forming microstructures with a template |
| JP2008059891A (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma display panel |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20100294155A1 (en) | Printing method and a printing apparatus | |
| CN104520113B (en) | Gravure offset printing method, gravure offset printing device, and gravure | |
| CN102729591A (en) | Screen printing method and device thereof | |
| JPH11198337A (en) | Printing machine | |
| US7063014B2 (en) | Photogravure press and method for manufacturing multilayer-ceramic electronic component | |
| JP2005338806A (en) | Cliche manufacturing method and pattern forming method | |
| JP2008525222A (en) | Coating patterning method | |
| TW511425B (en) | Method of manufacturing circuit board and apparatus for manufacturing circuit board | |
| JPH0655827A (en) | Print transfer method and offset printing machine to be used for that | |
| JP2017164979A (en) | Printing plate | |
| JP2000323026A (en) | Thick film pattern forming apparatus and substrate on which thick film pattern is formed | |
| US20020073856A1 (en) | Offset printing of gasket seals for wafer scale processing of microdisplays | |
| CN1990237B (en) | Roll printing device, roll printing method, and method of fabricating liquid crystal display device using the same | |
| CN112918077B (en) | Intaglio printing plate and intaglio printing apparatus using the same | |
| JP3252763B2 (en) | Electronic component manufacturing equipment | |
| JP2014128924A (en) | Gravure offset printing method | |
| JP2012011666A (en) | Flexographic printing apparatus, flexographic printing plate equipped in the flexographic printing apparatus, and manufacturing method of the flexographic printing plate | |
| JPH03198029A (en) | Liquid crystal display element manufacturing equipment | |
| JP3166587B2 (en) | Electronic component manufacturing equipment | |
| JP2000117938A (en) | Screen printing machine | |
| JP2001353973A (en) | Intaglio for printing and offset printing method using it | |
| JP2844142B2 (en) | Thin film forming apparatus and method, and method of manufacturing liquid crystal display element | |
| JPH0929149A (en) | Single wafer coating device | |
| JP3570242B2 (en) | Manufacturing method of ceramic multilayer substrate | |
| JPH0422688A (en) | Intaglio and manufacture thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20060419 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20081208 |