JP2000505152A - 真空処理装置のための熱伝導性チャック - Google Patents
真空処理装置のための熱伝導性チャックInfo
- Publication number
- JP2000505152A JP2000505152A JP10530320A JP53032098A JP2000505152A JP 2000505152 A JP2000505152 A JP 2000505152A JP 10530320 A JP10530320 A JP 10530320A JP 53032098 A JP53032098 A JP 53032098A JP 2000505152 A JP2000505152 A JP 2000505152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chuck
- substrate
- heat transfer
- seal
- chuck body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 257
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 170
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 71
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 53
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 44
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 37
- 239000013529 heat transfer fluid Substances 0.000 claims description 27
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 11
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 239000013641 positive control Substances 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 102
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 27
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000013073 enabling process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
- C23C16/463—Cooling of the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
- C23C16/463—Cooling of the substrate
- C23C16/466—Cooling of the substrate using thermal contact gas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.基材を処理チャンバ内に支持するための熱伝導性のチャックであって、 処理チャンバの負圧空間内に基材を支持するための取り付け面を有する温度調 節されたチャック本体であって、前記取り付け面は、熱を前記温度調節されたチ ャック本体と基材との間で伝搬するために、基材との間に熱伝達境界部の一部分 を形成している、チャック本体と、 前記温度調節されたチャック本体を熱伝達境界部を越えて基材にシールするた めの中間シール構造であって、前記熱伝達境界部の外周を通る熱伝達流体の実質 的に制限されない流れを許容する負圧空間に設けられた隔離された部分内に熱伝 達流体を閉じ込めるための中間シール構造と、を含むチャック。 2.請求項1に記載のチャックであって、 前記中間シール構造が、前記チャック本体と基材とのいかなる接触とも独立し て、前記負圧空間の隔離された部分を処理チャンバの負圧空間の残りの部分から シールするようになされた、チャック。 3.請求項1に記載のチャックであって、 前記熱伝達境界部の外周を通る熱伝達流体の実質的に制限されない流れを容易 にするために、複数の溝が前記取り付け面内に形成されている、チャック。 4.請求項1に記載のチャックであって、 前記熱伝達境界部の外周を通る熱伝達流体の実質的に制限されない流れを容易 にするために、前記取り付け面が、同取り付け面の残りの部分から突出している 複数の隔置された基材支持部材を含む、チャック。 5.請求項4に記載のチャックであって、 前記複数の隔置された基材支持部材が孔が開けられた縁によって形成されてい る、チャック。 6.請求項2に記載のチャックであって、 前記熱伝達境界部が、隔離された負圧の空間部分の第1の部分と、前記中間シ ール構造によって境界を定められた包囲チャンバとを形成しており、基材は、前 記隔離された負圧の空間部分の第2の部分を形成している、チャック。 7.請求項6に記載のチャックであって、 前記包囲チャンバが、更に、前記中間シール構造を基材とチャック本体とに対 してシールする第1及び第2のシールによって境界を定められている、チャック 。 8.請求項7に記載のチャックであって、 前記包囲チャンバが、更に、前記チャック本体を前記中間シール構造に接続す る処理チャンバの壁によって境界を定められている、チャック。 9.請求項8に記載のチャックであって、 前記処理チャンバの壁から突出している高さ調節可能なペローズもまた、前記 チャック本体と中間シール構造との間の接合部の一部分を形成している、チャッ ク。 10.請求項6に記載のチャックであって、 実質的に制限されない熱伝達流体の流れが、前記隔離された負圧空間部分の第 1の部分と第2の部分との間に形成されている、チャック。 11.請求項10に記載のチャックであって、 入口導管及び出口導管を更に含み、同入口導管と出口導管とのうちの一方が前 記隔離された負圧空間部分の第1の部分に接続されており、同入口導管と出口導 管とのうちの他方が前記隔離された負圧空間部分の第二の部分に接続されている 、チャック。 12.請求項11に記載のチャックであって、 前記隔離された負圧空間部分を通る流体の流れを調節するために、前記入口導 管及び出口導管に接続された制御装置を更に含んでいる、チャック。 13.請求項12に記載のチャックであって、 前記入口導管及び出口導管が一対の同心状の導管を含み、同同心状の導管のう ちの一方が入口導管として配設されており、同同心状の導管のうちの他方が出口 導管として配設されている、チャック。 14.請求項13に記載のチャックであって、 前記同心状の導管が、前記熱伝達境界部への及び同熱伝達境界部からの流体の 流れを促進するために前記取り付け面内に同心状の開口部を含んでいる、チャッ ク。 15.請求項1に記載のチャックであって、 前記基材が、処理チャンバ内の積極的な処理圧力に晒される前面と、前記隔離 された負圧空間部分内のより高い熱伝達流体圧力に晒される裏面と、を含んでい る、チャック。 16.請求項15に記載のチャックであって、 前記裏面が基材の外周部で終わっており、前記熱伝達流体の実質的に制限され ない流れが、前記隔離された負圧空間部分内の基材の外周部を越えて流れるよう になされている、チャック。 17.請求項15に記載のチャックであって、 前記中間シール構造が、前記基材の前面に接触して、前記チャック本体を基材 に対してシールし、且つ前記負圧空間の隔離された部分を前記処理チャンバの負 圧空間の残りの部分からシールしている、チャック。 18.請求項17に記載のチャックであって、 前記中間シール構造が、基材の裏面を前記取り付け面の少なくとも一部分に対 して押圧するための相対的に移動可能なクランプを含んでいる、チャック。 19.請求項18に記載のチャックであって、 第一のシールが前記クランプを前記取り付け面に接合し、第二のシールが前記 クランプを前記チャック本体に対して接合している、チャック。 20.請求項19に記載のチャックであって、 前記第一のシール及び第二のシールのうちの一方が、前記クランプの可撓性部 分から取り付けられたシール面を含んでいる、チャック。 21.請求項19に記載のチャックであって、 前記第二のシールが、前記チャック本体上に取り付けられた可撓性部分を含ん でいる、チャック。 22.請求項21に記載のチャックであって、 前記第二のシールが、当該チャックと基材との寸法公差を吸収できる大きさに 成されたエラストマシールである、チャック。 23.請求項19に記載のチャックであって、 前記チャック本体が、熱伝導性の部分と熱的に隔離された部分とを含み、前記 第二のシールが、前記クランプを前記チャック本体の熱的に隔離された部分に結 合させている、チャック。 24.請求項19に記載のチャックであって、 前記チャック本体の前記熱伝導性の部分が前記取り付け面を含んでおり、前記 チャック本体の前記熱的に隔離された部分が前記取り付け面を包囲しているチャ ック本体の伸長部分を含んでいる、チャック。 25.請求項19に記載のチャックであって、 前記第一のシールと第二のシールとが、同第一のシールと第二のシールとの間 の熱の伝達を減じるために、互いに隔置されている、チャック。 26.請求項25に記載のチャックであって、 前記クランプの温度を調節するために、同クランプの実質的な領域が、前記チ ャック本体に隣接している、チャック。 27.請求項18に記載のチャックであって、 前記熱伝達境界部が、前記隔離された負圧空間部分の第一の部分を形成してお り、前記クランプは、前記チャック本体と共に、基材との間に、前記隔離された 負圧空間部分の第二の部分を形成している、チャック。 28.請求項27に記載のチャックであって、 前記熱伝達流体の実質的に制限されない流れが、前記隔離された負圧空間部分 の第一の部分と第二の部分との間を流れる、チャック。 29.請求項28に記載のチャックであって、 前記隔離された負圧空間部分の第二の部分が、前記クランプ内に形成された凹 部によって部分的に境界が付けられている、チャック。 30.請求項28に記載のチャックであって、 前記隔離された負圧空間部分の第二の部分が、前記チャック本体内に形成され た凹部によって部分的に境界が付けられている、チャック。 31.請求項15に記載のチャックであって、 前記中間シール構造が、前記チャック本体を基材にシールするために、基材の 裏面と接している、チャック。 32.請求項31に記載のチャックであって、 前記中間シール構造が、前記チャック本体を包囲している外周支持部材を含ん でいる、チャック。 33.請求項32に記載のチャックであって、 第一のシールが前記外周支持部材を基材の裏面に結合しており、第二のシール が前記外周支持部材を前記チャック本体に結合している、チャック。 34.請求項33に記載のチャックであって、 前記外周支持部材が、基材の外周に隣接した位置で基材の裏面との間に前記第 一のシールを形成している縁を含んでいる、チャック。 35.請求項33に記載のチャックであって、 前記外周支持部材が、実質的に、前記チャック本体から熱的に隔離されている 、チャック。 36.請求項33に記載のチャックであって、 前記外周支持部材が、同外周支持部材と前記チャック本体との間の分離を提供 することによって、前記チャック本体から熱的に隔離されている、チャック。 37.請求項35に記載のチャックであって、 前記チャック本体が、熱伝導性部分と熱的に隔離された部分とを含み、前記第 二のシールが、前記外周支持部材を前記チャック本体の前記熱的に隔離された部 分に結合している、チャック。 38.請求項37に記載のチャックであって、 前記熱伝導性の部分が、基材の温度の積極的な調節に寄与し、前記熱的に隔離 された部分は、基材の温度の積極的な調節に寄与しない、チャック。 39.請求項35に記載のチャックであって、 前記外周支持部材が、熱伝導性の低い材料によって作られている、チャック。 40.請求項35に記載のチャックであって、 前記外周支持部材が、薄い壁の金属製の包囲体によって作られている、チャッ ク。 41.請求項32に記載のチャックであって、 前記取り付け面が、基材の裏面を押圧して前記外周支持部材と前記取り付け面 の少なくとも一部分とに係合させるために、静電クランプを形成するように配設 されている、チャック。 42.請求項32に記載のチャックであって、 前記熱伝達境界部が、前記隔離された負圧空間部分の第一の部分を形成してお り、前記外周支持部材が、前記チャック本体と共に、基材と協働して、隔離され た負圧空間部分の第二の部分を境界付けている、チャック。 43.請求項42に記載のチャックであって、 熱伝達流体の実質的に制限を受けない流れが、前記隔離された負圧空間部分の 第一の部分と第二の部分との間を流れる、ように成されたチャック。 44.基材を低圧処理チャンバ内に支持するための熱伝導性のチャックであっ て、 基材を低圧処理環境内に支持するための取り付け面を有するチャック本体であ って、前記取り付け面は、基材との間に、基材の中央部分を包囲している外周部 を有する熱伝達境界部を形成するように位置決めされている、チャック本体と、 前記チャック本体の前記取り付け面によって提供される基材支持部材とは独立 して、前記チャック本体を基材にシールするための中間シール構造であって、前 記チャック本体と共に前記基材との間に別個に加圧可能な領域を低圧処理環境内 に形成して、熱伝達境界部に高い流体圧力を維持するように成された、中間シー ル構造と、 熱伝達境界部における高い流体圧力を制御するために、前記別個に加圧可能な 領域内に前記熱伝達境界部の外周部を通る熱伝達流体の流れを配向する制御装置 と、 を含むチャック。 45.請求項44に記載のチャックであって、 前記別個に加圧可能な領域の第一の部分が、前記取り付け面と基材との間の前 記熱伝達境界部によって形成されており、前記別個に加圧可能な領域の第二の部 分が、前記中間シール構造、前記チャック本体及び基材によって境界付けられて いる、チャック。 46.請求項45に記載のチャックであって、 前記制御装置が、前記別個に加圧可能な領域の前記第一の部分と前記第二の部 分との間の流れを促進する少なくとも1つの導管を含む、チャック。 47.請求項46に記載のチャックであって、 前記少なくとも一つの導管が、前記別個に加圧可能な領域の前記第二の部分に 接続されている、チャック。 48.請求項47に記載のチャックであって、 前記少なくとも一つの導管が、2つの導管のうちの一つであり、同導管のうち の第一の導管が前記別個に加圧可能な領域の前記第一の部分に接続されており、 同導管のうちの第二の導管が前記別個に加圧可能な領域の前記第二の部分に接続 されている、チャック。 49.請求項48に記載のチャックであって、 前記第一の導管が入口導管であり、前記第二の導管が、前記別個に加圧可能な 領域の前記第一の部分からの流体の流れを同別個に加圧可能な領域の前記第二の 部分へと指し向けるための出口導管である、チャック。 50.請求項48に記載のチャックであって、 前記第一の導管が出口導管であり、前記第二の導管が、前記別個に加圧可能な 領域の前記第二の部分からの流体の流れを同別個に加圧可能な領域の前記第一の 部分へと指し向けるための入口導管である、チャック。 51.請求項48に記載のチャックであって、 前記第一の導管が一対の同心状の導管のうちの一つであり、同同心状の導管の うちの一方が流体を前記別個に加圧可能な領域の第一の部分へと運ぶための入口 導管として配設されており、同同心状の導管のうちの他方が流体を前記別個に加 圧可能な領域の第一の部分から運び出すための出口として配設されている、チャ ック。 52.請求項44に記載のチャックであって、 前記取り付け面が、基材の少なくとも中央部分と接するためのほぼ平坦な領域 を有している、チャック。 53.請求項52に記載のチャックであって、 前記熱伝達境界部内の流体の流れを促進するために、前記取り付け面の前記ほ ぼ平坦な領域に溝が形成されている、チャック。 54.請求項53に記載のチャックであって、 前記溝が、流体の流れを前記熱伝達境界部の外周内へと指し向けるために、同 熱伝達境界部の外周内に延びている、チャック。 55.請求項52に記載のチャックであって、 前記溝が、前記取り付け面の前記ほぼ平坦な領域内に形成された複数の溝のう ちの一つである、チャック。 56.請求項55に記載のチャックであって、 前記溝のうちのいくつかが同心状に配列されており、その他が周方向に沿って 放射状に配列されている、チャック。 57.請求項55に記載のチャックであって、 前記溝のうちの少なくとも一つが基材の外周部の形状と合致するパターンに配 列されており、その他が周方向に沿って放射状に配列されている、チャック。 58.請求項56に記載のチャックであって、 前記周方向に沿って放射状に配列されている溝のうちの少なくとも一つが、熱 伝達境界部の外周の中を伸長している、チャック。 59.請求項55に記載のチャックであって、 前記制御装置が、前記溝のうちの一つに接続された導管を含む、チャック。 60.請求項44に記載のチャックであって、 基材が、低圧処理環境内の処理圧力に晒される前面と、前記別個に加圧可能な 領域内の高い流体圧力に晒される裏面と、を含むチャック。 61.請求項60に記載のチャックであって、 前記中間シール構造が、同中間シール構造を前記基材に結合するための第一の シールと、同中間シール構造を前記チャック本体に結合するための第二のシール と、を含むチャック。 62.請求項61に記載のチャックであって、 前記低圧処理環境が処理チャンバ内に閉じ込められ、処理チャンバの壁もまた 、前記中間シール構造を前記チャック本体に結合している、チャック。 63.請求項62に記載のチャックであって、 前記中間シール構造を前記チャック本体に結合するために、前記処理チャック の壁から突出している高さ調節可能なベローズを更に含んでいる、チャック。 64.請求項61に記載のチャックであって、 前記第一のシールが、前記中間シール構造を、基材の外周に隣接した基材の前 面に結合するようになされた、チャック。 65.請求項64に記載のチャックであって、 前記中間シール構造が、前記基材の表面を前記取り付け面に対して押圧するた めのクランプを含んでいる、チャック。 66.請求項65に記載のチャックであって、 前記第一及び第二のシールのうちの一つが、前記クランプの可撓性部分に配置 されたシール面を含んでいる、チャック。 67.請求項65に記載のチャックであって、 前記クランプによる基材温度の乱れを最小化するために、前記第一及び第二の シールが、前記クランプの実質的な領域を、前記別個に加圧可能な領域内の流体 に晒すために、互いに隔置されている、チャック。 68.請求項65に記載のチャックであって、 前記チャック本体が伸長部を含み、前記クランプの実質的な領域が、前記チャ ック本体の前記伸長部に隣接していて、前記クランプと前記チャック本体との間 の熱の伝達を更に促進させるように成された、チャック。 69.請求項61に記載のチャックであって、 前記第一のシールが、前記中間シール構造を、前記基材の裏面に結合している 、チャック。 70.請求項69に記載のチャックであって、 前記中間シール構造が、前記チャック本体を包囲している外周支持部材を含ん でいる、チャック。 71.請求項70に記載のチャックであって、 前記第一のシールが、前記外周支持部材の縁によって形成されている、チャッ ク。 72.請求項70に記載のチャックであって、 前記外周支持部材が、前記チャック本体から熱的に隔離されている、チャック 。 73.請求項72に記載のチャックであって、 前記チャック本体が、熱伝導性の部分と断熱性の部分とを含み、前記第二のシ ールが、前記外周支持部材を前記チャック本体の前記熱的に隔離された部分に結 合している、チャック。 74.請求項72に記載のチャックであって、 前記外周支持部材が、熱伝導性が低い材料によって形成されている、チャック 。 75.請求項70に記載のチャックであって、 前記取り付け面が、前記基材の裏面を押圧して、前記外周支持部材及び前記取 り付け面の少なくとも一部分と結合させるための静電クランプを形成するように 配設されている、チャック。 76.低圧処理環境内の基材の温度を調節するための熱伝達装置であって、 基材と共に熱伝達境界部を形成する温度調節された本体と、 低圧処理環境の隔離された負圧部分内に熱伝達流体を閉じ込めるために、前記 温度調節された本体と基材との間にシールの少なくとも一部分を形成する中間シ ール構造と、 前記低圧処理環境の隔離された部分へ及び同部分から熱伝達流体を運び且つ前 記低圧処理環境の隔離された部分内の熱伝達境界部の外周を通る熱伝達流体の実 質的に制限を受けない流れを許容する、流体制御装置と、を含む装置。 77.請求項76に記載のチャックであって、 前記熱伝達境界部が、低圧処理環境の隔離された部分の第一の部分を形成して おり、前記中間シール構造と基材とによって少なくとも部分的に境界付けられて いる包囲チャンバが、低圧処理環境の隔離された部分の第二の部分を形成してい る、チャック。 78.請求項77に記載のチャックであって、 前記流体制御装置が、流体の流れを、前記低圧処理環境の隔離された部分の前 記第一の部分と第二の部分との間に指し向けるための入口導管及び出口導管を含 んでいる、チャック。 79.請求項76に記載のチャックであって、 前記基材が、低圧処理環境内の積極的な処理圧力に晒される前面と、同低圧処 理環境の隔離された部分のより高い熱伝達流体圧力に晒される裏面と、を含んで いるチャック。 80.請求項79に記載のチャックであって、 前記裏面が基材の外周部において終わっており、熱伝達流体の実質的に制限を 受けない流れが、前記低圧処理環境の前記隔離された部分内の基材の外周部を越 えて流れるように成された、チャック。 81.請求項79に記載のチャックであって、 前記温度調節された本体を基材に対してシールするために、前記中間シール構 造が、基材の前面と接するように成された、チャック。 82.請求項79に記載のチャックであって、 前記温度調節された本体を基材に対してシールするために、前記中間シール構 造が、前記熱伝達境界部を越えて基材の裏面と接するように成された、チャック 。 83.真空処理チャンバ内におけるチャック本体と基材との間で熱を伝達させ る方法であって、 チャック本体上に基材を取り付けて、基材とチャック本体との間に、基材の中 央部分を包囲する外周部を有する熱伝達境界部を形成する段階と、 前記熱伝達境界部を越える中間シール構造によって、チャック本体を基材に対 してシールし、且つ前記熱伝達境界部を含む真空チャンバ内に別個に加圧可能な 領域を形成する段階と、 前記チャック本体と基材との間の熱の伝達を促進するために、前記別個に加圧 可能な領域内の熱伝達境界部の外周部を通る流体の流れを促進する段階と、 を含む方法。 84.請求項83に記載の方法であって、 前記流れを促進する前段階が、前記熱伝達境界部によって形成された別個に加 圧可能な領域の第一の部分と、前記中間シール構造、チャック本体及び基材によ って境界が定められた前記別個に加圧可能な領域の第二の部分と、の間に、流体 の流れを指し向ける段階を含む、方法。 85.請求項84に記載の方法であって、 流体の流れを、前記別個に加圧可能な領域の第一の部分と第二の部分との間に 指し向ける前段階が、入口導管と出口導管とのうちの一方を前記第一の部分に接 続し、同入口導管と出口導管とのうちの他方を前記第二の部分に接続する段階を 含む、方法。 86.請求項84に記載の方法であって、 前記別個に加圧可能な領域の第一の部分と第二の部分との間に流体の流れを指 し向ける前記段階が、流体の流れを、前記別個に加圧可能な領域の第一の部分か ら同別個に加圧可能な領域の第二の部分へと指し向ける段階を含む、方法。 87.請求項84に記載の方法であって、 前記流体の流れを、別個に加圧可能な領域の第一の部分と第二の部分との間に 指し向ける前記段階が、流体の流れを、前記別個に加圧可能な領域の第二の部分 から同別個に加圧可能な領域の第一の部分へと、流体の流れを指し向ける段階を 含む、方法。 88.請求項83に記載の方法であって、 前記取り付ける段階が、基材の少なくとも中央部分をチャック本体と接続状態 に位置決めするために、基材を前記チャック本体のほぼ平坦な領域に取り付ける 段階を含む、方法。 89.請求項88に記載の方法であって、 前記チャック本体のほぼ平坦な領域内に形成された少なくとも一つの溝を使用 して、前記熱伝達境界部内の流体の流れを促進する段階を更に含む、方法。 90.請求項89に記載の方法であって、 前記熱伝達境界部の外周部を通る流体の流れを促進する前記段階が、少なくと も一つの溝を前記熱伝達境界部の外周部内に伸長させる段階を含む、方法。 91.請求項90に記載の方法であって、 前記熱伝達境界部の外周部を通る流体の流れを促進する前記段階が、前記チャ ック本体のほぼ平坦な領域に形成された複数の溝を一つのパターンで配設する段 階を含む、方法。 92.請求項83に記載の方法であって、 前記シールする段階が、第一のシールを使って前記中間シール構造を基材に結 合させる段階と、第二のシールを使って前記中間シール構造を前記チャック本体 に結合させる段階と、を含む方法。 93.請求項92に記載の方法であって、 前記シールする段階が、第一のシールを使って前記中間シール構造を基材の前 面に結合する段階を含み、前記取り付け段階が、基材の裏面を前記チャック本体 に対して位置決めする段階を含む、方法。 94.請求項93に記載の方法であって、 前記シールする段階が、前記第二のシールを使用して、前記中間シール構造を 前記チャック本体の伸長された部分に結合する段階を含む、方法。 95.請求項94に記載の方法であって、 前記チャック本体と前記中間シール構造との間の熱の伝達を、前記チャック本 体の伸長部分を熱的に隔離することによって妨害する段階を更に含む、方法。 96.請求項92に記載の方法であって、 前記取り付け段階が、前記中間シール構造を使用して、基材の裏面を前記チャ ック本体と接触する状態に押し付けて、基材の少なくとも中央部分が前記チャッ ク本体と接触状態となるようにする段階を含む、方法。 97.請求項92に記載の方法であって、 前記取り付け段階が、前記チャック本体上に静電クランプを形成して、基材の 裏面を押圧して、前記チャック本体と前記中間シール構造との両方に接触させる 段階を含む、方法。 98.請求項83に記載の方法であって、 前記取り付け段階が、基材を、前記チャック本体から突出している複数の支持 部材に対して取り付ける段階を含む、方法。 99.請求項98に記載の方法であって、 前記熱伝達境界部を通る流体の流れを促進するために、前記支持部材が同熱伝 達境界部の外周部に沿って隔置されている、方法。 100.請求項99に記載の方法であって、 前記支持部材が個々のポストとして形成されている、方法。 101.請求項99に記載の方法であって、 前記支持部材が、穴のあいた縁によって形成されている、方法。
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US3573497P | 1997-01-02 | 1997-01-02 | |
| US60/035,734 | 1997-01-02 | ||
| US08/934,287 US5936829A (en) | 1997-01-02 | 1997-09-19 | Thermally conductive chuck for vacuum processor |
| US08/934,287 | 1997-09-19 | ||
| US97562697A | 1997-11-21 | 1997-11-21 | |
| US08/975,626 | 1997-11-21 | ||
| PCT/US1997/024185 WO1998029704A1 (en) | 1997-01-02 | 1997-12-30 | Thermally conductive chuck for vacuum processor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000505152A true JP2000505152A (ja) | 2000-04-25 |
| JP3347742B2 JP3347742B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=27364895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53032098A Expired - Fee Related JP3347742B2 (ja) | 1997-01-02 | 1997-12-30 | 真空処理装置のための熱伝導性チャック、熱伝達装置及びチャック本体と基材との間で熱を伝達させる方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6907924B2 (ja) |
| JP (1) | JP3347742B2 (ja) |
| DE (1) | DE19781631T1 (ja) |
| GB (1) | GB2325939B (ja) |
| WO (1) | WO1998029704A1 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005523384A (ja) * | 2002-04-19 | 2005-08-04 | マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド | 低蒸気圧のガス前駆体を用いて基板上にフィルムを蒸着させるシステム |
| JP2013102076A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置システム、基板処理装置、静電チャック及び基板冷却方法 |
| JP2014534614A (ja) * | 2011-09-30 | 2014-12-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 温度制御付き静電チャック |
| JP2016507895A (ja) * | 2012-12-31 | 2016-03-10 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドSunEdison Semiconductor Limited | 半径方向の圧縮により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置 |
| JP2017525138A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | エンボス付き頂板および冷却チャネルを有する静電チャック |
| JP6301044B1 (ja) * | 2017-08-21 | 2018-03-28 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法 |
| JP2019035137A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-03-07 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法 |
| JP2022045016A (ja) * | 2020-09-08 | 2022-03-18 | 株式会社荏原製作所 | 電磁石装置 |
| JP2023039202A (ja) * | 2021-09-08 | 2023-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板支持体アセンブリ及びプラズマ処理装置 |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6138745A (en) * | 1997-09-26 | 2000-10-31 | Cvc Products, Inc. | Two-stage sealing system for thermally conductive chuck |
| US6073576A (en) * | 1997-11-25 | 2000-06-13 | Cvc Products, Inc. | Substrate edge seal and clamp for low-pressure processing equipment |
| US6179924B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten |
| DE19859467C2 (de) * | 1998-12-22 | 2002-11-28 | Steag Micro Tech Gmbh | Substrathalter |
| WO2000045427A1 (fr) * | 1999-01-29 | 2000-08-03 | Tokyo Electron Limited | Procede et dispositif de traitement au plasma |
| US6320736B1 (en) * | 1999-05-17 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Chuck having pressurized zones of heat transfer gas |
| US6720261B1 (en) * | 1999-06-02 | 2004-04-13 | Agere Systems Inc. | Method and system for eliminating extrusions in semiconductor vias |
| US6684759B1 (en) | 1999-11-19 | 2004-02-03 | Vladimir Gorokhovsky | Temperature regulator for a substrate in vapor deposition processes |
| CA2326228C (en) * | 1999-11-19 | 2004-11-16 | Vladimir I. Gorokhovsky | Temperature regulator for a substrate in vapour deposition processes |
| US6871700B2 (en) | 2000-11-17 | 2005-03-29 | G & H Technologies Llc | Thermal flux regulator |
| EP1654752B1 (en) * | 2003-08-01 | 2011-06-29 | SGL Carbon SE | Holder for supporting wafers during semiconductor manufacture |
| US20050194475A1 (en) * | 2004-03-04 | 2005-09-08 | Han-Ki Kim | Inductively coupled plasma chemical vapor deposition apparatus |
| US7697260B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck |
| KR100655079B1 (ko) * | 2005-11-11 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 트랜스퍼 챔버와 프로세스 챔버 사이의 기밀유지장치 |
| US20070283709A1 (en) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Veeco Instruments Inc. | Apparatus and methods for managing the temperature of a substrate in a high vacuum processing system |
| US7803419B2 (en) * | 2006-09-22 | 2010-09-28 | Abound Solar, Inc. | Apparatus and method for rapid cooling of large area substrates in vacuum |
| US20080083732A1 (en) * | 2006-10-10 | 2008-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holder and exposure apparatus equipped with wafer holder |
| US7589950B2 (en) * | 2006-10-13 | 2009-09-15 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck having sealing assembly |
| JP5241245B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2013-07-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置及び検査方法 |
| KR101840322B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2018-03-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 엣지 및 경사면 증착을 수정하기 위한 쉐도우 링 |
| US8404048B2 (en) * | 2011-03-11 | 2013-03-26 | Applied Materials, Inc. | Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly |
| US9224626B2 (en) | 2012-07-03 | 2015-12-29 | Watlow Electric Manufacturing Company | Composite substrate for layered heaters |
| US9673077B2 (en) | 2012-07-03 | 2017-06-06 | Watlow Electric Manufacturing Company | Pedestal construction with low coefficient of thermal expansion top |
| CN103076822B (zh) * | 2012-12-27 | 2015-09-09 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 调节真空设备中待制器件温度的控制方法及其实现装置 |
| US9633889B2 (en) * | 2013-03-06 | 2017-04-25 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with integrated vacuum and edge purge conduits |
| US10431435B2 (en) * | 2014-08-01 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Wafer carrier with independent isolated heater zones |
| US10883168B2 (en) * | 2014-09-11 | 2021-01-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Processing system for small substrates |
| US20160375515A1 (en) * | 2015-06-29 | 2016-12-29 | Lam Research Corporation | Use of atomic layer deposition coatings to protect brazing line against corrosion, erosion, and arcing |
| USD807481S1 (en) * | 2016-04-08 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Patterned heater pedestal |
| US20180102247A1 (en) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| US9922857B1 (en) | 2016-11-03 | 2018-03-20 | Lam Research Corporation | Electrostatically clamped edge ring |
| US11332821B2 (en) * | 2017-12-20 | 2022-05-17 | Technetics Group Llc | Deposition processing systems having active temperature control and associated methods |
| CN110571118B (zh) * | 2018-06-06 | 2022-03-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 流量阈值的确定方法、控制装置及半导体加工设备 |
| US11031273B2 (en) * | 2018-12-07 | 2021-06-08 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition (PVD) electrostatic chuck with improved thermal coupling for temperature sensitive processes |
| US11199562B2 (en) | 2019-08-08 | 2021-12-14 | Western Digital Technologies, Inc. | Wafer testing system including a wafer-flattening multi-zone vacuum chuck and method for operating the same |
| USD884855S1 (en) | 2019-10-30 | 2020-05-19 | Applied Materials, Inc. | Heater pedestal |
Family Cites Families (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4194233A (en) * | 1978-01-30 | 1980-03-18 | Rockwell International Corporation | Mask apparatus for fine-line lithography |
| US4743570A (en) * | 1979-12-21 | 1988-05-10 | Varian Associates, Inc. | Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment |
| US4909314A (en) * | 1979-12-21 | 1990-03-20 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for thermal treatment of a wafer in an evacuated environment |
| US4680061A (en) * | 1979-12-21 | 1987-07-14 | Varian Associates, Inc. | Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment |
| US4603466A (en) * | 1984-02-17 | 1986-08-05 | Gca Corporation | Wafer chuck |
| US4615755A (en) * | 1985-08-07 | 1986-10-07 | The Perkin-Elmer Corporation | Wafer cooling and temperature control for a plasma etching system |
| WO1988009054A1 (en) * | 1987-05-06 | 1988-11-17 | Labtam Limited | Electrostatic chuck using ac field excitation |
| JPH01241735A (ja) | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Toshiba Corp | コンバーゼンス測定装置 |
| JP2680338B2 (ja) | 1988-03-31 | 1997-11-19 | 株式会社東芝 | 静電チャック装置 |
| US4949783A (en) * | 1988-05-18 | 1990-08-21 | Veeco Instruments, Inc. | Substrate transport and cooling apparatus and method for same |
| DE69007733T2 (de) * | 1989-05-08 | 1994-09-29 | Philips Nv | Vorrichtung und verfahren zur behandlung eines flachen, scheibenförmigen substrates unter niedrigem druck. |
| US5180000A (en) * | 1989-05-08 | 1993-01-19 | Balzers Aktiengesellschaft | Workpiece carrier with suction slot for a disk-shaped workpiece |
| US5213650A (en) * | 1989-08-25 | 1993-05-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for removing deposits from backside and end edge of semiconductor wafer while preventing removal of materials from front surface of wafer |
| US5244820A (en) * | 1990-03-09 | 1993-09-14 | Tadashi Kamata | Semiconductor integrated circuit device, method for producing the same, and ion implanter for use in the method |
| US4971653A (en) * | 1990-03-14 | 1990-11-20 | Matrix Integrated Systems | Temperature controlled chuck for elevated temperature etch processing |
| US5094885A (en) * | 1990-10-12 | 1992-03-10 | Genus, Inc. | Differential pressure cvd chuck |
| US5452177A (en) * | 1990-06-08 | 1995-09-19 | Varian Associates, Inc. | Electrostatic wafer clamp |
| US5096536A (en) * | 1990-06-12 | 1992-03-17 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus useful in the plasma etching of semiconductor materials |
| KR0165898B1 (ko) * | 1990-07-02 | 1999-02-01 | 미다 가쓰시게 | 진공처리방법 및 장치 |
| US5192849A (en) * | 1990-08-10 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Multipurpose low-thermal-mass chuck for semiconductor processing equipment |
| US5325261A (en) * | 1991-05-17 | 1994-06-28 | Unisearch Limited | Electrostatic chuck with improved release |
| KR100188454B1 (ko) * | 1991-05-28 | 1999-06-01 | 이노우에 아키라 | 기판 처리 장치 |
| US5343012A (en) * | 1992-10-06 | 1994-08-30 | Hardy Walter N | Differentially pumped temperature controller for low pressure thin film fabrication process |
| US5567267A (en) * | 1992-11-20 | 1996-10-22 | Tokyo Electron Limited | Method of controlling temperature of susceptor |
| US5382311A (en) * | 1992-12-17 | 1995-01-17 | Tokyo Electron Limited | Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same |
| US5300175A (en) * | 1993-01-04 | 1994-04-05 | Motorola, Inc. | Method for mounting a wafer to a submount |
| KR960006958B1 (ko) | 1993-02-06 | 1996-05-25 | 현대전자산업주식회사 | 이시알 장비 |
| KR960006956B1 (ko) | 1993-02-06 | 1996-05-25 | 현대전자산업주식회사 | 이시알(ecr) 장비 |
| US5326725A (en) * | 1993-03-11 | 1994-07-05 | Applied Materials, Inc. | Clamping ring and susceptor therefor |
| JP3265743B2 (ja) | 1993-09-16 | 2002-03-18 | 株式会社日立製作所 | 基板保持方法及び基板保持装置 |
| JPH07249586A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法 |
| US5636098A (en) * | 1994-01-06 | 1997-06-03 | Applied Materials, Inc. | Barrier seal for electrostatic chuck |
| US5421401A (en) * | 1994-01-25 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Compound clamp ring for semiconductor wafers |
| US5474614A (en) * | 1994-06-10 | 1995-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for releasing a semiconductor wafer from an electrostatic clamp |
| US5738751A (en) * | 1994-09-01 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support having improved heat transfer |
| JPH08130207A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5660699A (en) * | 1995-02-20 | 1997-08-26 | Kao Corporation | Electroplating apparatus |
| US5775416A (en) * | 1995-11-17 | 1998-07-07 | Cvc Products, Inc. | Temperature controlled chuck for vacuum processing |
| US5739067A (en) * | 1995-12-07 | 1998-04-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for forming active devices on and in exposed surfaces of both sides of a silicon wafer |
| US5697427A (en) * | 1995-12-22 | 1997-12-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for cooling a substrate |
| US5805408A (en) * | 1995-12-22 | 1998-09-08 | Lam Research Corporation | Electrostatic clamp with lip seal for clamping substrates |
| JP3601153B2 (ja) * | 1995-12-27 | 2004-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理ガス供給装置のクリーニング方法 |
| US5720818A (en) * | 1996-04-26 | 1998-02-24 | Applied Materials, Inc. | Conduits for flow of heat transfer fluid to the surface of an electrostatic chuck |
| US5861061A (en) * | 1996-06-21 | 1999-01-19 | Micron Technology, Inc. | Spin coating bowl |
| US5740009A (en) * | 1996-11-29 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improving wafer and chuck edge protection |
| US5748435A (en) * | 1996-12-30 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling backside gas pressure beneath a semiconductor wafer |
| US5936829A (en) * | 1997-01-02 | 1999-08-10 | Cvc Products, Inc. | Thermally conductive chuck for vacuum processor |
| US6138745A (en) * | 1997-09-26 | 2000-10-31 | Cvc Products, Inc. | Two-stage sealing system for thermally conductive chuck |
-
1997
- 1997-12-30 GB GB9818518A patent/GB2325939B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-30 JP JP53032098A patent/JP3347742B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-30 WO PCT/US1997/024185 patent/WO1998029704A1/en active Application Filing
- 1997-12-30 DE DE19781631T patent/DE19781631T1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-10-15 US US10/271,015 patent/US6907924B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005523384A (ja) * | 2002-04-19 | 2005-08-04 | マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド | 低蒸気圧のガス前駆体を用いて基板上にフィルムを蒸着させるシステム |
| JP2014534614A (ja) * | 2011-09-30 | 2014-12-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 温度制御付き静電チャック |
| JP2013102076A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置システム、基板処理装置、静電チャック及び基板冷却方法 |
| US11276582B2 (en) | 2012-12-31 | 2022-03-15 | Globalwafers Co., Ltd. | Apparatus for stressing semiconductor substrates |
| JP2016511532A (ja) * | 2012-12-31 | 2016-04-14 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドSunEdison Semiconductor Limited | 半径方向の拡張により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置 |
| US11764071B2 (en) | 2012-12-31 | 2023-09-19 | Globalwafers Co., Ltd. | Apparatus for stressing semiconductor substrates |
| US11282715B2 (en) | 2012-12-31 | 2022-03-22 | Globalwafers Co., Ltd. | Apparatus for stressing semiconductor substrates |
| JP2016507895A (ja) * | 2012-12-31 | 2016-03-10 | サンエディソン・セミコンダクター・リミテッドSunEdison Semiconductor Limited | 半径方向の圧縮により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置 |
| US11276583B2 (en) | 2012-12-31 | 2022-03-15 | Globalwafers Co., Ltd. | Apparatus for stressing semiconductor substrates |
| JP2017525138A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | エンボス付き頂板および冷却チャネルを有する静電チャック |
| US11008646B2 (en) | 2017-08-21 | 2021-05-18 | Sakai Display Products Corporation | Vapor deposition apparatus, vapor deposition method and method of manufacturing organic EL display apparatus |
| US10669620B2 (en) | 2017-08-21 | 2020-06-02 | Sakai Display Products Corporation | Vapor deposition apparatus, vapor deposition method and method of manufacturing organic EL display apparatus |
| WO2019038811A1 (ja) * | 2017-08-21 | 2019-02-28 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法 |
| JP6301044B1 (ja) * | 2017-08-21 | 2018-03-28 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法 |
| JP2019035137A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-03-07 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 蒸着装置、蒸着方法及び有機el表示装置の製造方法 |
| JP2022045016A (ja) * | 2020-09-08 | 2022-03-18 | 株式会社荏原製作所 | 電磁石装置 |
| JP7734478B2 (ja) | 2020-09-08 | 2025-09-05 | 株式会社荏原製作所 | 電磁石装置 |
| JP2023039202A (ja) * | 2021-09-08 | 2023-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板支持体アセンブリ及びプラズマ処理装置 |
| JP7621226B2 (ja) | 2021-09-08 | 2025-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板支持体アセンブリ及びプラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19781631T1 (de) | 1999-04-01 |
| US6907924B2 (en) | 2005-06-21 |
| GB2325939A (en) | 1998-12-09 |
| JP3347742B2 (ja) | 2002-11-20 |
| GB2325939B (en) | 2001-12-19 |
| US20030029610A1 (en) | 2003-02-13 |
| GB9818518D0 (en) | 1998-10-21 |
| WO1998029704A1 (en) | 1998-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000505152A (ja) | 真空処理装置のための熱伝導性チャック | |
| US5936829A (en) | Thermally conductive chuck for vacuum processor | |
| US8007591B2 (en) | Substrate holder having a fluid gap and method of fabricating the substrate holder | |
| US6138745A (en) | Two-stage sealing system for thermally conductive chuck | |
| US6508885B1 (en) | Edge sealing structure for substrate in low-pressure processing environment | |
| JP4970679B2 (ja) | 温度均一性が改良されたプラズマ反応チャンバ構成部品及びそれを用いた処理方法 | |
| US4512391A (en) | Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet | |
| US8075729B2 (en) | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate | |
| KR101456894B1 (ko) | 챔버로 가스를 방사상으로 전달하기 위한 장치 및 그 이용 방법들 | |
| EP0480735B1 (en) | Differential pressure CVD chuck | |
| JP4745961B2 (ja) | 温度制御された基板支持体表面を有する基板支持体及びその制御方法並びに半導体処理装置及びその方法 | |
| JP3963966B2 (ja) | 基板裏面への堆積を減少させる処理装置及び処理方法 | |
| US6733593B1 (en) | Film forming device | |
| JP2005051201A (ja) | 熱伝達用アセンブリ | |
| JP2001274231A (ja) | 半導体処理システム内の温度を制御する装置 | |
| KR20230101950A (ko) | 선택적인 전-세정을 위한 신속 응답 페디스털 조립체 | |
| JP3817414B2 (ja) | 試料台ユニットおよびプラズマ処理装置 | |
| JP4260404B2 (ja) | 成膜装置 | |
| US6508062B2 (en) | Thermal exchanger for a wafer chuck | |
| JPH111775A (ja) | 成膜処理装置 | |
| JPH0793268B2 (ja) | プラズマcvd装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070906 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080906 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080906 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090906 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090906 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100906 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100906 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110906 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110906 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120906 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130906 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |