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JP2001042822A - アクティブマトリクス型表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス型表示装置

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Publication number
JP2001042822A
JP2001042822A JP11220291A JP22029199A JP2001042822A JP 2001042822 A JP2001042822 A JP 2001042822A JP 11220291 A JP11220291 A JP 11220291A JP 22029199 A JP22029199 A JP 22029199A JP 2001042822 A JP2001042822 A JP 2001042822A
Authority
JP
Japan
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light
light emitting
display device
light emission
subfield
Prior art date
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Pending
Application number
JP11220291A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Ishizuka
真一 石塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Electronic Corp
Priority to JP11220291A priority Critical patent/JP2001042822A/ja
Publication of JP2001042822A publication Critical patent/JP2001042822A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 表示パネルの全面に亘って輝度階調のばらつ
きのない高精度の多階調表示が可能なアクティブマトリ
クス型の表示装置を提供する。 【解決手段】 入力映像データの同期タイミングに対応
する単位フレーム期間内に、複数のサブフィールド期間
を設定する設定手段と、上記複数のサブフィールド期間
毎に発光パネルの各行を順次走査して、上記複数の入力
映像データに応じて発光素子を発光せしめる表示制御手
段と、サブフィールド期間の各々に対し、発光制御手段
が発光パネルの全ての行の走査に要する期間であるアド
レス期間が所定の発光期間よりも長い場合に、発光素子
の各々の発光期間が所定の発光期間に達した時に発光素
子の各々の発光を停止せしめる発光停止手段と、を有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアクティブマトリク
ス型表示装置、特に、有機エレクトロルミネセンス素子
等の発光素子を有するアクティブマトリクス型発光パネ
ルを用いた表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネセンス素子（以
下、有機ＥＬ素子と称する）は発光素子を流れる電流に
よってその発光輝度を制御することができ、このような
発光素子をマトリクス状に配置して構成される発光パネ
ルを用いたマトリクス型ディスプレイの開発が広く進め
られている。かかる有機ＥＬ素子を用いた発光パネルと
して、有機ＥＬ素子を単にマトリクス状に配置した単純
マトリクス型発光パネルと、マトリクス状に配置した有
機ＥＬ素子の各々にトランジスタからなる駆動素子を加
えたアクティブマトリクス型発光パネルがある。アクテ
ィブマトリクス型発光パネルは単純マトリクス型発光パ
ネルに比べて、低消費電力であり、また画素間のクロス
トークが少ないなどの利点を有し、特に大画面ディスプ
レイや高精細度ディスプレイに適している。
【０００３】図１は、従来のアクティブマトリクス型発
光パネルの１つの画素１０に対応する回路構成の１例を
示している。かかる回路構成は、例えば、特開平８−２
４１０５７号公報に開示されている。図１において、Ｆ
ＥＴ（Field Effect Transistor)１１（アドレス選択用
トランジスタ）のゲートＧは、アドレス信号が供給され
るアドレス走査電極線（アドレスライン）に接続され、
ＦＥＴ１１のソースＳはデータ信号が供給されるデータ
電極線（データライン）に接続されている。ＦＥＴ１１
のドレインＤはＦＥＴ１２（駆動用トランジスタ）のゲ
ートＧに接続され、キャパシタ１３を通じて接地されて
いる。ＦＥＴ１２のソースＳは接地され、ドレインＤは
有機ＥＬ素子１５の陰極に接続され、有機ＥＬ素子１５
の陽極を通じて電源に接続されている。この回路の発光
制御動作について述べると、先ず、図１においてＦＥＴ
１１のゲートＧにオン電圧が供給されると、ＦＥＴ１１
はソースＳに供給されるデータの電圧に対応した電流を
ソースＳからドレインＤへ流す。ＦＥＴ１１のゲートＧ
がオフ電圧であるとＦＥＴ１１はいわゆるカットオフと
なり、ＦＥＴ１１のドレインＤはオープン状態となる。
従って、ＦＥＴ１１のゲートＧがオン電圧の期間に、ソ
ースＳの電圧がキャパシタ１３に充電され、その電圧が
ＦＥＴ１２のゲートＧに供給されて、ＦＥＴ１２にはそ
のゲート電圧とソース電圧に基づいた電流が有機ＥＬ素
子１５を通じてドレインＤからソースＳへ流れ、有機Ｅ
Ｌ素子１５を発光せしめる。また、ＦＥＴ１１のゲート
Ｇがオフ電圧になると、ＦＥＴ１１はオープン状態とな
り、ＦＥＴ１２はキャパシタ１３に蓄積された電荷によ
りゲートＧの電圧が保持され、次の走査まで駆動電流を
維持し、有機ＥＬ素子１５の発光も維持される。尚、Ｆ
ＥＴ１２のゲートＧとソースＳの間にはゲート入力容量
が存在するのでキャパシタ１３を設けなくとも上記と同
様な動作が可能である。
【０００４】アクティブマトリクス駆動により発光制御
を行う表示パネルの１画素に対応する回路はこのように
構成され、当該画素の有機ＥＬ素子１５が駆動された場
合に当該画素の発光が維持される。上記したアクティブ
マトリクス型発光パネルの各画素の輝度階調の制御は、
ＦＥＴ１２のゲートＧにかかる電圧を振幅変調すること
によって行なわれていた。すなわち、ＦＥＴ１２のソー
ス−ドレイン電流はゲートＧにかかる電圧によって変化
するので、供給される入力映像信号に応じて、ゲートＧ
に印加する電圧の大きさを調整することにより、有機Ｅ
Ｌ素子１５に流れる駆動電流量を調整することができ
る。従って、有機ＥＬ素子１５の駆動電流量を調整する
ことによって有機ＥＬ素子１５の瞬時輝度を調整してい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような振幅変調によって輝度階調表示を行う表示装置
においては、駆動ＦＥＴのゲートにかかる電圧値とソー
ス−ドレイン間を流れる電流値の関係、すなわち、駆動
ＦＥＴの電流−電圧特性が非線形であるため、表示パネ
ル面内の駆動ＦＥＴ間の特性ばらつきによって輝度階調
にばらつきが生じ、精度の高い多階調表示が困難である
という問題があった。
【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、表示パネルの全面に亘
って輝度階調のばらつきのない高精度の多階調表示が可
能なアクティブマトリクス型の表示装置を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による表示装置
は、マトリクス状に配置された発光素子と、データ信号
電流を蓄積して保持する保持回路と、該保持された電圧
に応じて発光素子の各々を駆動する駆動素子と、を含む
アクティブマトリクス型の発光パネルを用いた表示装置
であって、入力映像データの同期タイミングに対応する
単位フレーム期間内に、複数のサブフィールド期間を設
定する設定手段と、上記サブフィールド期間毎に発光パ
ネルの各行を順次走査して、上記複数の入力映像データ
に応じて発光素子を発光せしめる表示制御手段と、サブ
フィールド期間の各々に対し、発光制御手段が発光パネ
ルの全ての行の走査に要する期間であるアドレス期間が
所定発光期間よりも長い場合に、発光素子の各々の発光
期間が所定発光期間に達した時に発光素子の各々の発光
を停止せしめる発光停止手段と、を有することを特徴と
している。
【０００８】本発明の他の特徴として、上記発光停止手
段は、発光パネルの各行毎に発光素子の発光を停止せし
める。また、本発明の他の特徴として、上記発光停止手
段は、タイマとタイマの出力に応じて駆動素子の各々の
導通を遮断するスイッチ回路と、を有している。更に、
本発明の他の特徴として、上記スイッチ回路は駆動素子
及び保持回路の間に直列に接続されている。
【０００９】本発明の更なる特徴として、上記スイッチ
回路は保持回路に並列に接続されている。また、本発明
の他の特徴として、上記スイッチ回路は発光素子に直列
に接続されている。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面を参照しつ
つ詳細に説明する。尚、以下に説明する図において、実
質的に同等な部分には同一の参照符を付している。図２
は、本発明の第１の実施例であるアクティブマトリクス
型発光パネルを用いた有機ＥＬ表示装置２０の構成を概
略的に示している。
【００１１】図２において、アナログ／デジタル（Ａ／
Ｄ）変換器２１は、アナログ映像信号入力を受けてデジ
タル映像信号データに変換する。変換により得られたデ
ジタル映像信号はＡ／Ｄ変換器２１からフレームメモリ
２４へ供給され１フレーム単位のデジタル映像信号デー
タが一旦フレームメモリ２４に記憶される。一方、有機
ＥＬ表示装置２０内の各部の制御をなす表示制御部（以
下、コントローラと称する）２６は、相異なる発光時間
をパラメータとする複数のサブフィールド（以下では８
個のサブフィールドの場合を例に説明する）によって、
上記フレームメモリ２４に記憶されたデジタル映像信号
データを、列アドレスカウンタ２及び行アドレスカウン
タ２３を用いて制御することにより、複数（ここでは８
個）の階調表示データに変換し、それぞれ発光パネル３
０の画素のアドレスに対応する発光・非発光データと共
に順次マルチプレクサ２５に供給する。
【００１２】また、コントローラ２６は、マルチプレク
サ２５に供給された発光・非発光データの中から各サブ
フィールドに対応する列データを第１行目から順次画素
の配列順に列ドライバ２８が有するデータラッチ回路に
保持させるように制御する。コントローラ２６は、デー
タラッチ回路によって順次保持された各サブフィールド
毎の列データを、１行単位で発光パネル３０に供給する
と共に、行ドライバ２７によって対応する行が有する画
素列において同時に発光させる。また、コントローラ２
６は計時装置（タイマ）を内部に有し（図示しない）、
発光制御ドライバ３１を制御して、各サブフィールド毎
に各画素の発光期間を制御する。この動作は、１フレー
ムのデータ単位で、第１サブフィールドから第８サブフ
ィールドまでのそれぞれの列データに関して行なわれる
（ここでは８回行なわれる）。発光パネル３０の各画素
は、供給される各サブフィールドの各々に対し、後述す
る所定の発光期間だけ発光制御され、１フレーム分の発
光表示を多階調表示によって行うことができる。
【００１３】なお、図３に示すように、本実施例におい
ては、上記入力映像信号における１フレーム期間を８個
のサブフィールドに分割し、各サブフィールド期間内に
おける輝度の相対比がそれぞれ１／２，１／４，１／
８，１／１６，１／３２，１／６４，１／２５６（すな
わち、順に第１サブフィールド〜第８サブフィール
ド），となるように設定され、それらのサブフィールド
の選択的組合せにより２５６通りの輝度階調表示（すな
わち、サブフィールド２n階調法に基づいた方法による
表示）をなすことができる。
【００１４】本発明における有機ＥＬ表示装置は、この
ように構成され、入力されるアナログ映像信号に対し、
各サブフィールド毎に発光パネルの画面全体のアドレス
走査による発光制御を繰り返すことにより、フレーム単
位の発光表示を多階調表示によって行うことができる。
図４は、本発明の第１の実施例であるアクティブマトリ
クス型発光パネルの１画素に対応する回路構成を示した
ものである。本実施例が図１に示した従来技術の回路構
成と異なるのは、アドレス選択用ＦＥＴ１１のソースＳ
及びキャパシタ１３の接続点と駆動用ＦＥＴ１２のゲー
トＧとの間に、駆動用ＦＥＴ１２の導通を制御して有機
ＥＬ素子１５の発光及び非発光（発光停止）を制御する
スイッチ回路３２が設けられている点である。スイッチ
回路３２は、後述する発光制御ドライバ３１からの発光
制御信号に応じてスイッチングを行う２つのＦＥＴ３
３、３４を有している。スイッチ回路３２において、Ｆ
ＥＴ３３はＦＥＴ１１のソースＳ及びキャパシタ１３の
接続点とＦＥＴ１２のゲートＧとの間に接続され、ＦＥ
Ｔ３４はＦＥＴ１２のゲートＧとグランド（ＧＮＤ）間
に接続されている。従って、ＦＥＴ３３が導通し、ＦＥ
Ｔ３４が非導通となったとき、スイッチ回路３２は有機
ＥＬ素子１５を発光せしめる（ＯＮ）発光制御を行い、
その逆の場合に有機ＥＬ素子１５の発光を停止せしめる
（ＯＦＦ）発光制御を行う。
【００１５】以下に、コントローラ２６が、フレームメ
モリ２４に記憶されたデジタル映像信号データに基づい
て発光パネル３０の発光・非発光を制御して多階調表示
を実現する発光制御動作について、図５及び図６に示す
タイムチャートを参照しつつ詳細に説明する。先ず、コ
ントローラ２６は、デジタル映像信号データがフレーム
メモリ２４に供給されると、１フレーム分のデジタル映
像信号データをフレームメモリ２４に書き込む。次に、
コントローラ２６は、マルチプレクサ２５に対し第１サ
ブフィールド（ＳＦ１）のデータを出力する旨の指令を
出す。次に、コントローラ２６は、行アドレスカウンタ
２３に対して第１行を指定する旨の指令を出すと共に、
列アドレスカウンタ２２に対して第１列を指定する旨の
指令を出す。
【００１６】これにより、指定されたアドレス（第１
行、第１列）の１フレーム分のデジタル映像信号データ
が、各サブフィールドに対応する８つの階調表示データ
に変換され、発光パネル３０の画素のアドレスに対応す
る発光・非発光データを含んだデータとして順次マルチ
プレクサ２５に供給される。コントローラ２６は、マル
チプレクサ２５に供給された上記指定されたアドレス
（第１行、第１列）のデータの中から第１サブフィール
ドのデータを列ドライバ２８に出力する。列ドライバ２
８では、列ドライバ２８内に設けられたデータラッチ回
路（図示しない）によってこのデータを保持する。
【００１７】次に、コントローラ２６は、列アドレスカ
ウンタ２２に対して列を１つ更新する指令を出す。すな
わち、列アドレスカウンタ２２に対して第２列を指定す
る旨の指令を出す。このことにより、アドレス（第１
行、第２列）が指定され、先に述べたアドレス（第１
行、第１列）が指定された場合と同様の動作を繰り返
す。このようにして、コントローラ２６は、第１行の各
列に対し順次、上記した動作を繰り返すことにより、第
１行の全ての列のデータを列ドライバ２８が有するデー
タラッチ回路に保持させる。
【００１８】第１行の全ての列データがラッチされた
後、図５に示すように、コントローラ２６は第１行の列
データのそれぞれを、対応する各列の画素に書き込む。
すなわち、各画素に対応するアドレス選択用ＦＥＴ１１
を導通せしめる。これと同時に、コントローラ２６は発
光制御ドライバ３１を制御してスイッチ回路３２を導通
（発光制御ＯＮ）させる制御信号を供給せしめ、発光を
示すデータを有する画素の有機ＥＬ素子を発光せしめ
る。尚、コントローラ２６は、更に、第１サブフィール
ドに対し予め決められた所定の発光期間（ＴL1）が経過
したときに、上記有機ＥＬ素子の発光の停止を指示する
信号を発光制御ドライバ３１に供給する。発光制御ドラ
イバ３１は第１行の全てのスイッチ回路３２に有機ＥＬ
素子の発光を停止せしめる制御信号（発光制御ＯＦＦ）
を供給し、有機ＥＬ素子は非発光となる。
【００１９】コントローラ２６は、第１行の全ての列デ
ータがラッチされた後のステップとして、行アドレスカ
ウンタ２３を第２行に指定する旨の指令を出すと共に、
列アドレスカウンタ２２を第１列に指定する旨の指令を
出す。上記した第１行の場合の動作と同様にして、第２
行の全ての列データのデータラッチを行うように制御を
実行する。第２行の全ての列データのラッチ後、上記し
た第１行の場合と同様にして第２行の各列の画素の発光
制御動作が実行される。
【００２０】コントローラ２６は、このような動作を全
ての行（すなわち、第１ライン〜第ｍライン）に亘って
行うことにより、第１サブフィールドのデータに対応さ
せて発光パネル３０の全ての画素の発光制御を行うこと
ができる。次に、コントローラ２６は、マルチプレクサ
２５に対し第２サブフィールドのデータを出力する旨の
指令を発する。以下、コントローラ２６は、先に述べた
第１サブフィールドの場合と同様の動作を繰り返し、第
２サブフィールドのデータに対応した発光がなされる。
【００２１】このようにして、第１サブフィールドから
第８サブフィールドまでに対応した発光がなされるが、
本発明における特徴として、各サブフィールド毎に所定
の発光期間が経過した後、発光素子の発光を停止せしめ
る手段を有しているので、アドレス期間（ＴA）よりも
短い任意の発光期間をサブフィールドに対し割り当てる
ことが可能である。すなわち、発光停止手段を有しない
場合にアドレス期間よりも短い発光期間をサブフィール
ドに割り当てることができないのは、次のサブフィール
ドのアドレス期間の開始によって画素の発光（又は非発
光）が更新されるまで、発光していた画素の発光を停止
できず、次のサブフィールドは、全ての行の走査に要す
る期間であるアドレス期間が終了するまで開始できない
からである。
【００２２】図５は、第ｋサブフィールド（１≦ｋ≦
８）に対し、アドレス期間（ＴA）よりも短い発光期間
で各ラインの発光を制御する場合を示している。コント
ローラ２６による前述したのと同様な制御により、各行
はこのサブフィールドに対して設定された所定の発光期
間（ＴLk）で発光制御される。例えば、１フレームを６
０Ｈｚで表示する場合、１フレームは約１６.７ミリ秒
（ｍｓ）である。ここで、アドレス期間を０．８４ｍｓ
（１フレーム期間の４０％×１／８）、第１サブフィー
ルド（１／２）における発光期間を１フレーム期間の１
／２以下の値、例えば５ｍｓとそれぞれ設定する場合を
例に説明する。このとき、第２サブフィールド以降のサ
ブフィールドにおける発光期間はそれぞれ第１サブフィ
ールドの発光期間の１／２1，１／２2，１／２3，・・
・，１／２7である２．５ｍｓ，１．２５ｍｓ，０．６
２５ｍｓ，・・・，０．０３９ｍｓとなる。従って、こ
の場合、第４サブフィールド以降のサブフィールド（第
４〜第８サブフィールド）における発光期間はアドレス
期間（ＴA＝０．８４ｍｓ）よりも短いが、各サブフィ
ールドに対し所望の発光期間を有するように制御がなさ
れる。
【００２３】上記したようにして、第１サブフィールド
から第８サブフィールドまでの表示制御が終了した時点
で１フレームの表示が完了する。その後、コントローラ
２６は、フレームメモリ２４に記憶されるデータを次の
フレームに対応するデータに書き替えて、次のフレーム
の表示制御を行う。従って、本発明によれば、上述した
発光停止制御により、各サブフィールドに対しアドレス
期間よりも短い任意の発光期間で発光を制御できるの
で、広範な階調表示が可能である。
【００２４】図７は、本発明の第２の実施例であるアク
ティブマトリクス型発光パネルの１画素に対応する回路
構成を示したものである。本実施例が第１の実施例と異
なるのは、スイッチ回路３２がキャパシタ１３に並列に
接続されたＦＥＴ３５を有している点である。すなわ
ち、ＦＥＴ３５のドレインＤはＦＥＴ１１のソースＳ及
びキャパシタ１３の接続点に接続され、ソースＳはグラ
ンドに接地されている。従って、ゲートＧに供給される
制御信号に応じてＦＥＴ３５が導通したときに有機ＥＬ
素子１５の発光は停止される。
【００２５】図８は、本発明の第３の実施例である発光
パネルの１画素に対応する回路構成を示したものであ
る。本実施例が前述の実施例と異なるのは、スイッチ回
路３２がキャパシタ１３とＦＥＴ１２のゲートＧとの間
に直列に接続されたＦＥＴ３６を有している点である。
すなわち、ＦＥＴ３６のドレインＤはＦＥＴ１１のソー
スＳ及びキャパシタ１３の接続点に接続され、ソースＳ
はＦＥＴ１２のゲートＧに接続されている。従って、ゲ
ートＧに供給される制御信号に応じてＦＥＴ３６が非導
通となったときに有機ＥＬ素子１５の発光は停止され
る。
【００２６】図９ないし１１は、本発明の他の実施例で
ある発光パネルの１画素に対応する回路構成をそれぞれ
示したものである。各実施例が前述の実施例と異なるの
は、スイッチ回路３２が有機ＥＬ素子１５と直列に接続
されたＦＥＴ３７を有している点である。すなわち、Ｆ
ＥＴ３７のゲートＧに供給される制御信号に応じてＦＥ
Ｔ３７が非導通となったときに有機ＥＬ素子１５の発光
は停止される。
【００２７】上記したように、本発明によれば、上述し
た発光停止制御により、各サブフィールドに対しアドレ
ス期間よりも短い任意の発光期間で発光を制御できるの
で、広範な階調表示が実現できる。尚、上記した実施例
において示した各数値は例であって適宜変更してもよ
い。また、各種のスイッチング回路等は、適宜組み合わ
せて用いることができる。
【００２８】
【発明の効果】上記したことから明らかなように、本発
明によれば、各サブフィールドにおける発光期間を任意
に制御できるので、表示パネルの全面に亘って輝度階調
のばらつきのない高精度の多階調表示が可能なアクティ
ブマトリクス型の表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のアクティブマトリクス型発光パネルの１
つの画素に対応する回路構成の１例を概略的に示す図で
ある。
【図２】本発明の実施例であるアクティブマトリクス型
発光パネルを用いた有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に
示す図である。
【図３】デジタル映像信号の１フレーム期間、サブフィ
ールド期間、及びアドレス期間を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施例であるアクティブマトリ
クス型発光パネルの１画素に対応する回路構成を示す図
である。
【図５】コントローラがサブフィールド毎に実行する発
光制御のタイミングを示すタイムチャートである。
【図６】コントローラが、アドレス期間よりも短い発光
期間で発光を制御する制御タイミングを示すタイムチャ
ートである。
【図７】本発明の第２の実施例であるアクティブマトリ
クス型発光パネルの１画素に対応する回路構成を示す図
である。
【図８】本発明の第３の実施例である発光パネルの１画
素に対応する回路構成を示す図である。
【図９】本発明の他の実施例である発光パネルの１画素
に対応する回路構成を示す図である。
【図１０】本発明の他の実施例である発光パネルの１画
素に対応する回路構成を示す図である。
【図１１】本発明の他の実施例である発光パネルの１画
素に対応する回路構成を示す図である。
【主要部分の符号の説明】
１０ 画素 １１ アドレス選択用ＦＥＴ １２ 駆動用ＦＥＴ １３ キャパシタ １５ 発光素子 ２０ 表示装置 ２１ Ａ／Ｄ変換器 ２２ 列アドレスカウンタ ２３ 行アドレスカウンタ ２４ フレームメモリ ２５ マルチプレクサ ２６ コントローラ ２７ 行ドライバ ２８ 列ドライバ ３０ 発光パネル ３１ 発光制御ドライバ ３２ スイッチ回路 ３３，３４，３５，３６ ＦＥＴ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マトリクス状に配置された発光素子と、
    データ信号電流を蓄積して保持する保持回路と、該保持
    された電圧に応じて前記発光素子の各々を駆動する駆動
    素子と、を含むアクティブマトリクス型の発光パネルを
    用いた表示装置であって、 入力映像データの同期タイミングに対応する単位フレー
    ム期間内に、複数のサブフィールド期間を設定する設定
    手段と、 前記サブフィールド期間毎に前記発光パネルの各行を順
    次走査して、前記入力映像データに応じて前記発光素子
    を発光せしめる表示制御手段と、 前記複数のサブフィールド期間の各々に対し、前記発光
    素子の各々の発光期間が所定発光期間に達した時に前記
    発光素子の各々の発光を停止せしめる発光停止手段と、
    を有することを特徴とする表示装置。
  2. 【請求項２】 前記発光停止手段は、前記発光パネルの
    各行毎に前記発光素子の発光を停止せしめることを特徴
    とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 【請求項３】 前記発光停止手段は、タイマと、前記タ
    イマの出力に応じて前記駆動素子の各々の導通を遮断す
    るスイッチ回路と、を有することを特徴とする請求項１
    又は２に記載の表示装置。
  4. 【請求項４】 前記スイッチ回路は、前記駆動素子及び
    前記保持回路の間に直列に接続されていることを特徴と
    する請求項３に記載の表示装置。
  5. 【請求項５】 前記スイッチ回路は、前記保持回路に並
    列に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の
    表示装置。
  6. 【請求項６】 前記スイッチ回路は、前記駆動素子及び
    前記保持回路の間に直列に接続された第１のスイッチ素
    子及び前記駆動素子に並列に接続された第２のスイッチ
    素子を少なくとも有することを特徴とする請求項３に記
    載の表示装置。
  7. 【請求項７】 前記スイッチ回路は、前記発光素子に直
    列に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の
    表示装置。
  8. 【請求項８】 前記所定発光期間は、サブフィールド２
    n階調法に基づいて定められることを特徴とする請求項
    １ないし７に記載の表示装置。
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