JP2001015644A - Semiconductor package and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】実装面積の縮小が可能になり、高密度実装の要
求に十分対応することができる半導体パッケージを提供
する。
【解決手段】 アイランド部の表裏両面にそれぞれ搭載
された第1及び第2の半導体チップと、前記アイランド
部の周囲より外側へ向けて延設された複数の第1のアウ
ターリードと、前記各第1のアウターリード間において
該第1のアウターリードと段違いに前記アイランド周囲
部より外側へ向けてそれぞれ延設された第2のアウター
リードとを備え、前記第1及び第2の半導体チップと前
記第1及び第2のアウターリードとを電気的に接続し
て、封止部材で封止した。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To provide a semiconductor package capable of reducing a mounting area and sufficiently responding to a demand for high-density mounting. SOLUTION: First and second semiconductor chips respectively mounted on the front and back surfaces of the island portion, a plurality of first outer leads extending outward from the periphery of the island portion, and A first outer lead between the first outer leads and a second outer lead extending stepwise outward from the periphery of the island, the first and second semiconductor chips and the second The first and second outer leads were electrically connected and sealed with a sealing member.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、QFP(Quad
Flat Package)等の半導体パッケージ及
びその製造方法に関する。The present invention relates to a QFP (Quad).
The present invention relates to a semiconductor package such as a flat package and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種の分野の技術に関しては、
例えば図9に示すようなものがあった。2. Description of the Related Art Conventionally, with regard to technologies in this kind of field,
For example, there was one as shown in FIG.
【0003】図9は、従来のQFPタイプの半導体パッ
ケージの構造を示す断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing the structure of a conventional QFP type semiconductor package.
【0004】この半導体パッケージは、四方向全ての側
面から外部端子が導出された表面実装型パッケージであ
り、その組み立ては次のような順序で行われている。[0004] This semiconductor package is a surface mount type package in which external terminals are led out from all sides in all four directions, and its assembly is performed in the following order.
【0005】まず、lつの半導体チップ101をリード
フレームのアイランド102上にマウンティングした
後、半導体チップ101のAl電極とアウターリード群
103を、Auワイヤ104のボンディングによりそれ
ぞれ接続する。First, after mounting one semiconductor chip 101 on the island 102 of the lead frame, the Al electrode of the semiconductor chip 101 and the outer lead group 103 are connected by bonding Au wires 104, respectively.
【0006】次に、半導体チップ101を樹脂105で
モールド封止し、さらに熱処理を行い樹脂105を硬化
させる。Next, the semiconductor chip 101 is molded and sealed with a resin 105, and further heat-treated to cure the resin 105.
【0007】そして、硬化した樹脂105から外部へ導
出された前記アウターリード群103に半田でメッキ処
理を施した後、リード先端部に対するカット及びベンド
処理を行って図9に示した構造の半導体パッケージが完
成する。After the outer lead group 103 led out of the cured resin 105 is plated with solder, the tip of the lead is cut and bent to obtain a semiconductor package having the structure shown in FIG. Is completed.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体パッケージでは、メッキ処理を施した後にリ
ード先端部をカットするため、リード先端部の刃断面に
半田メッキの付着がないことから、実装強度不足が問題
となっていた。However, in the above-mentioned conventional semiconductor package, since the tip of the lead is cut after plating, there is no adhesion of solder plating on the blade section of the tip of the lead. Shortage was a problem.
【0009】すなわち、図10に示すように、実装基板
201上に上記半導体パッケージを実装するに際して
は、ベンド処理されたリード先端部103aを実装基板
201上に半田で固定する。このとき、リード先端部の
刃断面103bに半田メッキの付着がないため、良好な
半田フレット202を形成することができず、実装強度
不足となるのである。That is, as shown in FIG. 10, when mounting the semiconductor package on the mounting substrate 201, the bent lead end 103a is fixed on the mounting substrate 201 by soldering. At this time, since no solder plating adheres to the blade cross section 103b at the tip of the lead, a good solder fret 202 cannot be formed, resulting in insufficient mounting strength.
【0010】また、上記半導体パッケージは、1チップ
搭載型のパッケージであるため、回路規模が拡大するに
伴い実装面積が増大する。これでは、近年の高密度実装
の要求に対応しきれない、という問題もあった。Further, since the semiconductor package is a package mounted on one chip, the mounting area increases as the circuit scale increases. In this case, there has been a problem that the recent demand for high-density mounting cannot be met.
【0011】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、実装面積の縮
小が可能になり、高密度実装の要求に十分対応すること
ができる半導体パッケージを提供することである。ま
た、その他の目的は、実装リードの先端部に良好な半田
フィレットを容易に形成することができ、実装強度の確
保を可能にした半導体パッケージの製造方法を提供する
ことである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to reduce the mounting area and achieve a semiconductor device which can sufficiently meet the demand for high-density mounting. To provide a package. Another object is to provide a method of manufacturing a semiconductor package in which a good solder fillet can be easily formed at the tip of a mounting lead and mounting strength can be ensured.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明に係る半導体パッケージでは、
アイランド部の表裏両面にそれぞれ搭載された第1及び
第2の半導体チップと、前記アイランド部の周囲より外
側へ向けて延設された複数の第1のアウターリードと、
前記各第1のアウターリード間において該第1のアウタ
ーリードと段違いに前記アイランド周囲部より外側へ向
けてそれぞれ延設された第2のアウターリードとを備
え、前記第1及び第2の半導体チップと前記第1及び第
2のアウターリードとを電気的に接続して、封止部材で
封止したことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor package according to the first aspect.
First and second semiconductor chips respectively mounted on the front and back surfaces of the island portion, and a plurality of first outer leads extending outward from the periphery of the island portion;
A first outer chip extending between the first outer leads and a second outer lead extending stepwise outward from the island periphery; and the first and second semiconductor chips And the first and second outer leads are electrically connected and sealed with a sealing member.
【0013】請求項2記載の発明に係る半導体パッケー
ジでは、請求項1記載の半導体パッケージにおいて、前
記第1及び第2のアウターリードの先端部のみを露出す
る形状で、前記第1及び第2のアウターリードを前記封
止部材内に封止する構造としたことを特徴とする。In the semiconductor package according to the second aspect of the present invention, in the semiconductor package according to the first aspect, the first and second outer leads are formed in such a manner that only the distal ends of the first and second outer leads are exposed. The outer lead is sealed in the sealing member.
【0014】請求項3記載の発明に係る半導体パッケー
ジの製造方法では、パッケージに実装される複数の実装
リードとフレーム部に固定された複数の固定リードとが
交互に一体的に配置され且つ前記各実装リードのフレー
ム部側の先端面が空隙部に露出する形状で形成されたリ
ードフレームを用意する第1の工程と、前記リードフレ
ームのアイランド部の表裏両面にそれぞれ第1及び第2
の半導体チップをマウントする第2の工程と、前記各実
装リードと前記第1及び第2の半導体チップとを電気的
に接続する第3の工程と、前記第3工程の終了時の構造
体を封止部材で封止する第4の工程と、このリードフレ
ームの少なくとも前記フレーム部側の全体をメッキする
第5の工程と、前記実装リードの側面側を切断して前記
各実装リードを前記フレーム部より切り離す第6の工程
とを順次実行することを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor package, a plurality of mounting leads mounted on the package and a plurality of fixed leads fixed to the frame portion are alternately and integrally arranged, and A first step of preparing a lead frame formed such that a tip end surface of a mounting lead on a frame portion side is exposed to a void portion; and a first step and a second step of forming a lead frame on both sides of an island portion of the lead frame.
A second step of mounting the semiconductor chip, a third step of electrically connecting the mounting leads to the first and second semiconductor chips, and a structure at the end of the third step. A fourth step of sealing with a sealing member, a fifth step of plating at least the entire frame portion side of the lead frame, and cutting each of the mounting leads by cutting a side surface of the mounting lead into the frame. And a sixth step of separating from the part is sequentially performed.
【0015】請求項4記載の発明に係る半導体パッケー
ジの製造方法では、請求項3記載の半導体パッケージの
製造方法において、前記実装リードは、前記アイランド
部の周囲より外側へ向けて延設された複数の第1のアウ
ターリードと、前記各第1のアウターリード間において
該第1のアウターリードと段違いに前記アイランド周囲
部より外側へ向けてそれぞれ延設された第2のアウター
リードとで構成し、前記第3の工程は、前記第1及び第
2の半導体チップの電極と前記第1及び第2のアウター
リードとをワイヤボンディングしたことを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor package according to the third aspect of the present invention, the plurality of mounting leads extend outward from a periphery of the island portion. A first outer lead, and a second outer lead extending between the first outer leads and extending outward from the island peripheral portion at a level different from the first outer lead, The third step is characterized in that the electrodes of the first and second semiconductor chips are wire-bonded to the first and second outer leads.
【0016】請求項5記載の発明に係る半導体パッケー
ジでは、請求項4記載の半導体パッケージの製造方法に
おいて、前記第1と第2の半導体チップのサイズを異な
るものとしたことを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor package according to the fourth aspect, the sizes of the first and second semiconductor chips are different.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる装置の実施
形態について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the apparatus according to the present invention will be described.
【0018】図1は、本発明の実施の一形態に係る半導
体パッケージの断面構造図であり、図2は、その要部の
平面構造図、図3はその裏面側の外観図である。FIG. 1 is a sectional structural view of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan structural view of a main part thereof, and FIG.
【0019】この半導体パッケージは、両面タイプのマ
ルチチップパッケージであり、またアウターリードが2
段構成で且つ封止樹脂体内部に組み込まれたリードレス
タイプのパッケージとなっている。以下、その構造を具
体的に説明する。This semiconductor package is a double-sided type multi-chip package and has two outer leads.
It is a leadless type package that has a stepped configuration and is incorporated inside the sealing resin body. Hereinafter, the structure will be specifically described.
【0020】本実施形態の半導体パッケージは、例えば
□20mmのサイズであり、中央部には半導体チップ搭
載用のアイランド11(例えば□12mmのサイズ)が
形成され、さらにアイランド11の周囲より外側へ向け
て、第1と第2のアウターリード群12,13が延設さ
れている。ここで、各第1と第2のアウターリード1
2,13は、互い違いに配置されており、さらに、第1
のアウターリード群12がアイランド11とほぼ同一平
面位置に配置されているのに対し、第2のアウターリー
ド群13は、第1のアウターリード群12よりも一段低
い位置に配置され、共にガルウィング形状を成してい
る。The semiconductor package of the present embodiment has a size of, for example, □ 20 mm, a semiconductor chip mounting island 11 (eg, □ 12 mm size) is formed in the center, and further outward from the periphery of the island 11. Thus, first and second outer lead groups 12, 13 are extended. Here, each of the first and second outer leads 1
2, 13 are staggered, and the first
The outer lead group 12 is disposed at substantially the same plane position as the island 11, while the second outer lead group 13 is disposed at a position one step lower than the first outer lead group 12, and both have a gull-wing shape. Has formed.
【0021】かかる構造において、アイランド11の表
面側には、例えば□10mmのサイズの第1の半導体チ
ップ14がAg(銀)ペースト等の接着剤によりマウン
トされ、さらにアイランド11の裏面側には、例えば□
6mmのサイズの第2の半導体チップ15が同様にマウ
ントされている。In such a structure, a first semiconductor chip 14 having a size of, for example, □ 10 mm is mounted on the front side of the island 11 by an adhesive such as Ag (silver) paste. For example □
A second semiconductor chip 15 having a size of 6 mm is similarly mounted.
【0022】また、第1の半導体チップ14の各Al
(アルミニューム)電極が、第1のアウターリード群1
2にAu(金)線16によってそれぞれワイヤボンディ
ングされ、同様に第2の半導体チップ15の各Al電極
が、第2のアウターリード群13にAu線17によって
それぞれワイヤボンディングされている。Further, each Al of the first semiconductor chip 14
(Aluminum) electrode is the first outer lead group 1
Each of the Al electrodes of the second semiconductor chip 15 is similarly wire-bonded to the second outer lead group 13 by an Au wire 17, respectively.
【0023】そして、前記第1及び第2のアウターリー
ド群12,13のガルウィングリード部を含めて上記構
造体全体がエポキシ等の樹脂18によって封止され、第
1及び第2のアウターリード12,13の先端部のみが
該樹脂18から外部へ露出した形状となっている(図3
参照)。The entire structure including the gull wing lead portions of the first and second outer lead groups 12 and 13 is sealed with a resin 18 such as epoxy, and the first and second outer leads 12 and 13 are sealed. 13 has a shape exposed only from the resin 18 to the outside (FIG. 3).
reference).
【0024】次に、図1に示した構造の半導体パッケー
ジの製造工程を、図4、図5、図6、及び図7の工程図
を参照して説明する。Next, a manufacturing process of the semiconductor package having the structure shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 4, 5, 6 and 7.
【0025】まず第1の工程では、図4(a)に示すよ
うな形状のリードフレームを用意する。First, in a first step, a lead frame having a shape as shown in FIG. 4A is prepared.
【0026】ここで、図4(a)に示す上図は本実施形
態のリードフレームの平面図であり、同図(a)の下図
はA−A’断面図である。Here, the upper diagram shown in FIG. 4A is a plan view of the lead frame of the present embodiment, and the lower diagram of FIG. 4A is a cross-sectional view along AA '.
【0027】すなわち、このリードフレームは、同図に
示すように、パッケージに実装される実装リード(第1
及び第2のアウターリード群12,13)と、フレーム
部10に固定された固定リード10aとが交互に一体的
に配置され(ちどり状態)、且つ前記各実装リードのフ
レーム部10側の先端面が空隙部10bに露出する形状
を成している。さらに、第1のアウターリード群12が
アイランド11とほぼ同一平面位置に配置されているの
に対し、第2のアウターリード群13は、第1のアウタ
ーリード群12と段違いに配置され、共にガルウィング
形状にリード加工されている。That is, as shown in FIG. 1, the lead frame is provided with mounting leads (first
And the second outer lead groups 12 and 13) and the fixed leads 10a fixed to the frame portion 10 are alternately and integrally arranged (in a cut-off state), and the end surfaces of the mounting leads on the frame portion 10 side. Has a shape that is exposed to the gap 10b. Further, while the first outer lead group 12 is arranged at substantially the same plane position as the island 11, the second outer lead group 13 is arranged at a step different from the first outer lead group 12, and both are gull wings. It is lead processed into a shape.
【0028】次の第2の工程では、上記リードフレーム
のアイランド11の表裏両面にそれぞれ第1及び第2の
半導体チップ14,15をマウントする。まず初めに第
2の半導体チップ15をマウントすべく、図5(b)に
示すように凹型の治具21を用意し、その上に上記リー
ドフレームをフェースダウンで載置する。すると、リー
ドフレームのフレーム部10、アイランド11、第1の
アウターリード群12、及び枠部12a(アイランド1
1をフレーム部10に固定する)が治具21に支持され
るので、上向きになったアイランド11の裏面側に第2
の半導体チップ15を接着剤でマウントする。In the next second step, the first and second semiconductor chips 14 and 15 are mounted on the front and back surfaces of the island 11 of the lead frame, respectively. First, in order to mount the second semiconductor chip 15, a concave jig 21 is prepared as shown in FIG. 5B, and the lead frame is placed face down on the jig. Then, the frame portion 10 of the lead frame, the island 11, the first outer lead group 12, and the frame portion 12a (the island 1
1 is fixed to the frame portion 10), and the second jig 21 is supported on the back surface of the island 11 facing upward.
Is mounted with an adhesive.
【0029】続いて、第1の半導体チップ14をマウン
トすべく、図5(c)に示すように枠部12a及び第1
のアウターリード12群を支持するための立設部22a
が一体形成された治具22を用意し、その上に上記リー
ドフレームをフェースアップで載置する。すると、リー
ドフレームの枠部12a及び第1のアウターリード12
群が治具22の立設部22aに支持されるので、上向き
になったアイランド11の表面側に第1の半導体チップ
14を接着剤でマウントする。Subsequently, to mount the first semiconductor chip 14, as shown in FIG.
Standing portion 22a for supporting the outer lead 12 group
Is prepared, and the lead frame is placed face-up thereon. Then, the frame portion 12a of the lead frame and the first outer lead 12
Since the group is supported by the standing portion 22a of the jig 22, the first semiconductor chip 14 is mounted on the surface of the island 11 facing upward with an adhesive.
【0030】次の第3の工程では、第1及び第2のアウ
ターリード群12,13と前記第1及び第2の半導体チ
ップ14,15の各電極とをそれぞれワイヤボンディン
グする。まず初めに第2の半導体チップ15にボンディ
ングを行うべく、図6(d)に示すように、フレーム部
10と第2のアウターリード群13を支持するための立
設部23a,23bが一体形成され且つ第1の半導体チ
ップ14を保護するための凹部23cが形成された治具
23を用意し、その上に、第1及び第2の半導体チップ
14,15が搭載された上記リードフレームをフェース
ダウンで載置する。すると、リードフレームのフレーム
部10と第2のアウターリード群13が治具23の立設
部23a,23bにそれぞれ支持されると共に、第1の
半導体チップ14が凹部23c内に収納されるので、上
向きになった第2の半導体チップ15の各Al電極と第
2のアウターリード群13とをAu(金)線17によっ
てそれぞれワイヤボンディングする。In the next third step, the first and second outer lead groups 12 and 13 are wire-bonded to the respective electrodes of the first and second semiconductor chips 14 and 15, respectively. First, in order to perform bonding to the second semiconductor chip 15, as shown in FIG. 6D, upright portions 23a and 23b for supporting the frame portion 10 and the second outer lead group 13 are integrally formed. A jig 23 provided with a recess 23c for protecting the first semiconductor chip 14 is prepared, and the lead frame on which the first and second semiconductor chips 14 and 15 are mounted is mounted thereon. Place it down. Then, the frame portion 10 of the lead frame and the second outer lead group 13 are supported by the upright portions 23a and 23b of the jig 23, respectively, and the first semiconductor chip 14 is stored in the concave portion 23c. Each Al electrode of the second semiconductor chip 15 facing upward and the second outer lead group 13 are wire-bonded with an Au (gold) wire 17.
【0031】続いて、第1の半導体チップ14をワイヤ
ボンディングすべく、図6(e)に示すように第1のア
ウターリード12群とアイランド11をそれぞれ支持す
るための立設部24a,24bが一体形成された治具2
4を用意し、その上に第2の半導体チップ15のワイヤ
ボンディングを済ませた上記リードフレームをフェース
アップで載置する。すると、リードフレームの第1のア
ウターリード12群とアイランド11が治具24の立設
部24a,24bにそれぞれ支持されるので、上向きに
なった第1の半導体チップ14の各Al電極と第1のア
ウターリード群12とをAu(金)線16によってそれ
ぞれワイヤボンディングする。Subsequently, in order to wire-bond the first semiconductor chip 14, upright portions 24a and 24b for respectively supporting the first outer lead 12 group and the island 11 are formed as shown in FIG. Jig 2 integrally formed
4 is prepared, and the lead frame on which the second semiconductor chip 15 has been wire-bonded is mounted face-up thereon. Then, the first group of outer leads 12 and the island 11 of the lead frame are supported by the standing portions 24a and 24b of the jig 24, respectively, so that the Al electrodes of the first semiconductor chip 14 facing upward and the first The outer lead group 12 is bonded by Au (gold) wire 16 respectively.
【0032】次の第4の工程では、前記第3工程の終了
時の構造体を例えばトランスファーモールド法を用いて
樹脂封止する。すなわち、熱硬化性樹脂を予め加熱室内
で可塑化させておくと共に、専用成形機に取り付けられ
た金型キャビティに、前工程終了時の構造体を装填し、
型締めを行う。そして、既に成形温度(170℃)に加
熱された前記金型キャビティに、可塑化された樹脂を圧
入して硬化させる。これによって、図6(f)に示すよ
うに、前記第1及び第2のアウターリード群12,13
のガルウィングリード部を含めて上記構造体全体が樹脂
18によって封止される。In the next fourth step, the structure at the end of the third step is resin-sealed using, for example, a transfer molding method. That is, the thermosetting resin is plasticized in the heating chamber in advance, and the structure at the end of the previous process is loaded into the mold cavity attached to the dedicated molding machine,
Perform mold clamping. Then, the plasticized resin is pressed into the mold cavity heated to the molding temperature (170 ° C.) and cured. Thereby, as shown in FIG. 6F, the first and second outer lead groups 12, 13 are formed.
The entire structure including the gull wing lead is sealed with the resin 18.
【0033】次の第5の工程では、このリードフレーム
の例えば少なくともフレーム部10全体を半田メッキす
る。In the next fifth step, for example, at least the entire frame portion 10 of the lead frame is plated with solder.
【0034】次の第6の工程では、図7(g)に示すよ
うに、実装リードである第1及び第2のアウターリード
群12,13の側面(つまり空隙10bから空隙10c
に至る図7(g)の点線部分)を切断して前記第1及び
第2のアウターリード群12,13を前記フレーム部1
0より切り離す。その結果、図7(h)に示すように、
パッケージ本体から第1及び第2のアウターリード群1
2,13が交互に導出された形状となる。In the next sixth step, as shown in FIG. 7 (g), the side surfaces of the first and second outer lead groups 12, 13 as mounting leads (that is, the gaps 10b to 10c) are formed.
7 (g) of FIG. 7), and the first and second outer lead groups 12 and 13 are cut into the frame portion 1.
Separate from 0. As a result, as shown in FIG.
First and second outer lead groups 1 from the package body
2 and 13 are alternately derived shapes.
【0035】その後、第2のアウターリード群13のみ
パッケージ本体外に導出しないようにカッティングを行
えば、図1、図2及び図3に示した構造の半導体パッケ
ージが完成する。Thereafter, if cutting is performed so that only the second outer lead group 13 is not led out of the package body, the semiconductor package having the structure shown in FIGS. 1, 2 and 3 is completed.
【0036】このように本実施形態の半導体パッケージ
では、本来実装される実装リードとフレーム部10に固
定する固定リードとをちどり状態に形成し、実装リード
の先端を切断しないようにしているので、実装リードの
先端部には半田メッキが付着した状態のままである。そ
のため、実装リードの先端部に良好な半田フィレットを
容易に形成することができ、実装強度の確保を可能と
し、並びに実装後の検査も容易に行うことができる。As described above, in the semiconductor package of this embodiment, the mounting leads to be originally mounted and the fixing leads to be fixed to the frame portion 10 are formed in a chopped state so that the tips of the mounting leads are not cut. The tip of the mounting lead is still in a state where solder plating is attached. Therefore, a good solder fillet can be easily formed at the tip of the mounting lead, and the mounting strength can be ensured, and the inspection after mounting can be easily performed.
【0037】さらに、本実施形態の半導体パッケージ
は、2チップパッケージで構成しているため、多ピン化
による実装面積の縮小化及び高密度実装が可能となる。Further, since the semiconductor package of this embodiment is constituted by a two-chip package, the mounting area can be reduced and the mounting density can be increased by increasing the number of pins.
【0038】なお、上記実施形態では、第1の半導体チ
ップ14と第1のアウターリード12とをワイヤ16を
介して電気的に接続し、且つ第2の半導体チップ15と
第2のアウターリード13とをワイヤ17を介して電気
的に接続したが、図8に示すように、第1の半導体チッ
プ14と第2のアウターリード13とをワイヤ16を介
して電気的に接続し、第2の半導体チップ15と第1の
アウターリード12とをワイヤ17を介して電気的に接
続してもよい。In the above embodiment, the first semiconductor chip 14 and the first outer lead 12 are electrically connected via the wire 16, and the second semiconductor chip 15 and the second outer lead 13 Are electrically connected via the wire 17, but as shown in FIG. 8, the first semiconductor chip 14 and the second outer lead 13 are electrically connected via the wire 16, and the second The semiconductor chip 15 and the first outer lead 12 may be electrically connected via the wire 17.
【0039】[0039]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項1記
載の発明に係る半導体パッケージによれば、1つのパッ
ケージ内に2つの半導体チップを搭載したので、多ピン
化による実装面積の縮小が可能になり、高密度実装の要
求に十分対応することができる。さらに、アウターリー
ドを第1と第2のアウターリードの2段構成としたの
で、狭ピッチ化にも十分対応することができる。As described above in detail, according to the semiconductor package of the first aspect, since two semiconductor chips are mounted in one package, the mounting area can be reduced by increasing the number of pins. This makes it possible to sufficiently meet the demand for high-density mounting. Further, since the outer leads have a two-stage structure of the first and second outer leads, it is possible to sufficiently cope with a narrow pitch.
【0040】請求項2記載の発明に係る半導体パッケー
ジによれば、上記請求項1記載の発明と同等の効果を奏
するほか、第1及び第2のアウターリードを封止部材内
に封止する構造としたので、パッケージ全体のサイズを
縮小することが可能になる。According to the semiconductor package according to the second aspect of the present invention, the same effect as that of the first aspect of the present invention is provided, and the first and second outer leads are sealed in the sealing member. Therefore, the size of the entire package can be reduced.
【0041】請求項3及び請求項4記載の発明に係る半
導体パッケージの製造方法によれば、実装リードの先端
部にメッキを付着しておくことができるので、実装リー
ドの先端部に良好な半田フィレットを容易に形成するこ
とができる。これにより、実装強度の確保を可能にし、
並びに実装後の検査も容易に行うことが可能となる。According to the method of manufacturing a semiconductor package according to the third and fourth aspects of the present invention, since plating can be attached to the tip of the mounting lead, a good solder can be attached to the tip of the mounting lead. Fillets can be easily formed. This makes it possible to secure the mounting strength,
In addition, inspection after mounting can be easily performed.
【0042】請求項5記載の発明に係る半導体パッケー
ジの製造方法によれば、上記請求項4記載の発明と同等
の効果を奏するほか、前記第1と第2の半導体チップの
サイズを異なるものにしたので、ワイヤボンディングを
容易に行うことができる。According to the method of manufacturing a semiconductor package according to the fifth aspect of the present invention, the same effects as those of the fourth aspect of the present invention can be obtained, and the sizes of the first and second semiconductor chips can be different. Therefore, wire bonding can be easily performed.
【図1】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの断
面構造図である。FIG. 1 is a sectional structural view of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1の半導体パッケージの要部の平面構造図で
ある。FIG. 2 is a plan view of a main part of the semiconductor package of FIG. 1;
【図3】図1の半導体パッケージの裏面側の外観図であ
る。FIG. 3 is an external view of the back surface side of the semiconductor package of FIG. 1;
【図4】半導体パッケージの製造工程を示す工程図であ
る。FIG. 4 is a process chart showing a manufacturing process of the semiconductor package.
【図5】図4の続きの工程図である。FIG. 5 is a process drawing following FIG. 4;
【図6】図5の続きの工程図である。FIG. 6 is a process drawing following FIG. 5;
【図7】図6の続きの工程図である。FIG. 7 is a process drawing following FIG. 6;
【図8】本発明の他の半導体パッケージの断面構造図で
ある。FIG. 8 is a sectional structural view of another semiconductor package of the present invention.
【図9】従来のQFPタイプの半導体パッケージの構造
を示す断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing a structure of a conventional QFP type semiconductor package.
【図10】半田フレットを示す断面図である。FIG. 10 is a sectional view showing a solder fret.
10 フレーム部 11 アイランド 12,13 第1と第2のアウターリード群 14 第1の半導体チップ 15 第2の半導体チップ 16,17 Au(金)線 18 樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Frame part 11 Island 12 and 13 1st and 2nd outer lead group 14 1st semiconductor chip 15 2nd semiconductor chip 16 and 17 Au (gold) wire 18 Resin
Claims (5)
された第1及び第2の半導体チップと、 前記アイランド部の周囲より外側へ向けて延設された複
数の第1のアウターリードと、 前記各第1のアウターリード間において該第1のアウタ
ーリードと段違いに前記アイランド周囲部より外側へ向
けてそれぞれ延設された第2のアウターリードとを備
え、 前記第1及び第2の半導体チップと前記第1及び第2の
アウターリードとを電気的に接続して、封止部材で封止
したことを特徴とする半導体パッケージ。A first semiconductor chip mounted on each of the front and back surfaces of the island portion; a plurality of first outer leads extending outward from a periphery of the island portion; A first outer lead provided between the first outer leads and a second outer lead extending stepwise outward from the island peripheral portion, the first and second semiconductor chips and A semiconductor package characterized by being electrically connected to first and second outer leads and sealed with a sealing member.
端部のみを露出する形状で、前記第1及び第2のアウタ
ーリードを前記封止部材内に封止する構造としたことを
特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ。2. A structure in which only the distal end portions of the first and second outer leads are exposed, and the first and second outer leads are sealed in the sealing member. The semiconductor package according to claim 1, wherein:
ドとフレーム部に固定された複数の固定リードとが交互
に一体的に配置され且つ前記各実装リードのフレーム部
側の先端面が空隙部に露出する形状で形成されたリード
フレームを用意する第1の工程と、 前記リードフレームのアイランド部の表裏両面にそれぞ
れ第1及び第2の半導体チップをマウントする第2の工
程と、 前記各実装リードと前記第1及び第2の半導体チップと
を電気的に接続する第3の工程と、 前記第3工程の終了時の構造体を封止部材で封止する第
4の工程と、 このリードフレームの少なくとも前記フレーム部側の全
体をメッキする第5の工程と、 前記実装リードの側面側を切断して前記各実装リードを
前記フレーム部より切り離す第6の工程とを順次実行す
ることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。3. A plurality of mounting leads mounted on a package and a plurality of fixed leads fixed to a frame portion are alternately and integrally arranged, and a front end surface of each of the mounting leads on a frame portion side is in a gap portion. A first step of preparing a lead frame formed in an exposed shape; a second step of mounting first and second semiconductor chips on both front and back surfaces of an island portion of the lead frame; and each of the mounting leads A third step of electrically connecting the semiconductor chip to the first and second semiconductor chips; a fourth step of sealing the structure at the end of the third step with a sealing member; A fifth step of plating at least the entirety of the frame portion side and a sixth step of cutting the side surface side of the mounting lead and separating each mounting lead from the frame portion. The method of manufacturing a semiconductor package according to claim.
周囲より外側へ向けて延設された複数の第1のアウター
リードと、前記各第1のアウターリード間において該第
1のアウターリードと段違いに前記アイランド周囲部よ
り外側へ向けてそれぞれ延設された第2のアウターリー
ドとで構成し、 前記第3の工程は、前記第1及び第2の半導体チップの
電極と前記第1及び第2のアウターリードとをワイヤボ
ンディングしたことを特徴とする請求項3記載の半導体
パッケージの製造方法。4. The mounting lead includes a plurality of first outer leads extending outward from a periphery of the island portion, and a step between the first outer leads and the first outer leads between the first outer leads. A second outer lead extending outwardly from the island peripheral portion. The third step comprises: forming electrodes of the first and second semiconductor chips and the first and second electrodes. 4. The method for manufacturing a semiconductor package according to claim 3, wherein the outer leads are wire-bonded.
を異なるものにしたことを特徴とする請求項4記載の半
導体パッケージの製造方法。5. The method according to claim 4, wherein the first and second semiconductor chips have different sizes.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18236099A JP2001015644A (en) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | Semiconductor package and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18236099A JP2001015644A (en) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | Semiconductor package and manufacturing method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015644A true JP2001015644A (en) | 2001-01-19 |
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ID=16116963
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| JP18236099A Pending JP2001015644A (en) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | Semiconductor package and manufacturing method thereof |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001015644A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6849952B2 (en) | 2002-04-19 | 2005-02-01 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP2016115870A (en) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | 新光電気工業株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US11569143B2 (en) | 2018-07-27 | 2023-01-31 | Tdk Corporation | Electronic component package |
-
1999
- 1999-06-28 JP JP18236099A patent/JP2001015644A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9721876B2 (en) * | 2014-12-17 | 2017-08-01 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device and method of making the same |
| US11569143B2 (en) | 2018-07-27 | 2023-01-31 | Tdk Corporation | Electronic component package |
| US12400922B2 (en) | 2018-07-27 | 2025-08-26 | Tdk Corporation | Electronic component package |
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