JP2001170402A - Trap device - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガス流入口近傍以外の箇所における固形物の
蓄積を促進させることにより、装置の使用時間を延ば
し、かつ、固形物の収集効率を向上させる。
【解決手段】 両端に開口を有した円筒形状の容器２２
の一方の開口がガス流入口２４として、他方の開口がガ
ス流出口２６として用いられる。容器の内部のガス流入
口とガス流出口との間に、排気経路に接続されるガスの
流路が形成されている。この流路は、螺旋状に延在する
主流路と、この主流路の一部から分岐して当該主流路の
他の部分に接続する副流路とで構成される。主流路は、
容器内部の円筒形状の軸体２８の表面に接続された薄板
３０によって形成される。副流路は、薄板の所定の位置
に形成された開口３２によって形成される。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To promote the accumulation of solid matter at a place other than the vicinity of a gas inlet, thereby prolonging the use time of an apparatus and improving the solid matter collection efficiency. SOLUTION: A cylindrical container 22 having openings at both ends.
Is used as a gas inlet 24 and the other opening is used as a gas outlet 26. A gas flow path connected to the exhaust path is formed between the gas inlet and the gas outlet inside the container. This flow path includes a spirally extending main flow path and a sub flow path that branches off from a part of the main flow path and connects to another part of the main flow path. The main channel is
It is formed by a thin plate 30 connected to the surface of a cylindrical shaft 28 inside the container. The sub flow path is formed by an opening 32 formed at a predetermined position on the thin plate.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、真空ポンプによ
り排気される気密容器の排気経路に配置される、ガスの
混合によって生じる固形物を除去するためのトラップ装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a trap device for removing solid matter generated by mixing gases, which is disposed in an exhaust path of an airtight container evacuated by a vacuum pump.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば、半導体製造用のプラズマＣＶＤ
装置では、気密容器内でのプラズマＣＶＤプロセスによ
ってａ−Ｓｉ膜やＳｉＮ膜などを基板に成膜する。しか
し、基板以外の気密容器内壁などにも薄膜が堆積されて
しまう。通常、この薄膜を除去するため、ＮＦ3 を用い
て気密容器内のプラズマクリーニングが行われる。この
とき、気密容器には、ＮＦ3 ガスの他にＳｉ2 Ｆ6 （Ｎ
Ｈ4 ）3 ・Ｆ* を主体としたガス状の生成物が発生す
る。プラズマクリーニング中も気密容器は排気され続け
るため、気密容器減圧用の真空ポンプの後方に配置され
た排気経路となる配管などにＳｉ2 Ｆ6 （ＮＨ4 ）3 ・
Ｆ* を主体とした粉末状の固形物が堆積する。固形物が
蓄積すると配管詰まりが引き起こされる。これを防止す
るため、固形物の収集を目的としたトラップ装置を排気
経路に設けてある。2. Description of the Related Art For example, plasma CVD for semiconductor manufacturing
In the apparatus, an a-Si film, a SiN film, or the like is formed on a substrate by a plasma CVD process in an airtight container. However, a thin film is deposited on the inner wall of the airtight container other than the substrate. Usually, in order to remove this thin film, plasma cleaning in an airtight container is performed using NF 3 . At this time, in addition to NF 3 gas, Si 2 F 6 (N
A gaseous product mainly composed of H 4 ) 3 .F * is generated. Since the airtight container continues to be evacuated even during the plasma cleaning, Si 2 F 6 (NH 4 ) 3.
A powdery solid mainly composed of F * is deposited. The accumulation of solids causes pipe clogging. To prevent this, a trap device for collecting solids is provided in the exhaust path.
【０００３】以下、従来のトラップ装置につき、図９を
参照して説明する。図９は、従来のトラップ装置の構成
を示す断面図である。Hereinafter, a conventional trap device will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional trap device.
【０００４】図９（Ａ）に示すトラップ装置は、両端に
開口を有した円筒形状の容器１０により構成される。容
器１０の一方の開口がガス流入口１２として用いられ、
容器１０の他方の開口がガス流出口１４として用いられ
る。容器１０の内部には、円筒状の遮蔽板１６が設けら
れており、この遮蔽板１６の内側に冷却媒体流入口１８
ａおよび冷却媒体流出口１８ｂを具えた冷却管１８が設
けられている。また、容器１０の壁面にも、冷却媒体流
入口２０ａおよび冷却媒体流出口２０ｂを具えた冷却管
２０が設けられている。これら冷却管１８および２０に
は、水などの冷却媒体を循環させる。The trap device shown in FIG. 9 (A) is constituted by a cylindrical container 10 having openings at both ends. One opening of the container 10 is used as a gas inlet 12,
The other opening of the container 10 is used as a gas outlet 14. A cylindrical shielding plate 16 is provided inside the container 10, and a cooling medium inlet 18 is provided inside the shielding plate 16.
a and a cooling pipe 18 having a cooling medium outlet 18b. A cooling pipe 20 having a cooling medium inlet 20a and a cooling medium outlet 20b is also provided on the wall surface of the container 10. A cooling medium such as water is circulated through the cooling pipes 18 and 20.
【０００５】気密容器から排気されたガスは、容器１０
のガス流入口１２から内部に導入され、容器１０の内壁
と遮蔽板１６との間を通ってガス流出口１４から排気経
路に流出される。このガスは熱を帯びている。容器１０
および遮蔽板１６は、冷却管１８および２０により、ガ
スの温度よりも低い温度に冷却されている。そのため、
容器１０内においてガスは固体化し、上述の生成物が固
形物として析出される。この固形物は容器１０の壁面や
遮蔽板１６の表面に蓄積される。The gas exhausted from the airtight container is
The gas is introduced into the inside from the gas inlet 12, passes through the space between the inner wall of the container 10 and the shielding plate 16, and flows out from the gas outlet 14 to the exhaust path. This gas is hot. Container 10
The shield plate 16 is cooled by the cooling pipes 18 and 20 to a temperature lower than the gas temperature. for that reason,
The gas is solidified in the container 10, and the above-mentioned product is deposited as a solid. This solid matter is accumulated on the wall surface of the container 10 and the surface of the shielding plate 16.
【０００６】また、図９（Ｂ）に示すトラップ装置は、
複数回折れ曲がった形状の冷却管２１を容器１０の内部
に具えている。これにより、ガス混合物と冷却管２１と
の接触面積を増大させ、固形物の収集効率の向上を図っ
ている。Further, the trap device shown in FIG.
A plurality of bent cooling tubes 21 are provided inside the container 10. Thereby, the contact area between the gas mixture and the cooling pipe 21 is increased, and the efficiency of collecting solids is improved.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
トラップ装置では、ガス流入口近傍の冷却管上に局所的
に固形物が蓄積し、ガス流入口から離れた冷却管上には
ほとんど固形物の蓄積はみられなかった。したがって、
固形物の蓄積によるガス流路のコンダクタンスの減少
は、流入口近傍で局所的に進行する。このため、トラッ
プ装置を交換、洗浄するまでの使用時間が短くなり、ま
た、収集効率の面においても十分な性能が得られない。However, in the conventional trap device, solid matter locally accumulates on the cooling pipe near the gas inlet, and almost no solid matter accumulates on the cooling pipe far from the gas inlet. No accumulation was observed. Therefore,
The decrease in conductance of the gas flow path due to the accumulation of solids locally progresses near the inlet. For this reason, the use time until replacement and cleaning of the trap device is shortened, and sufficient performance is not obtained in terms of collection efficiency.
【０００８】したがって、従来より、ガス流入口近傍以
外の箇所における固形物の蓄積を促進させることによ
り、装置の使用時間を延ばし、かつ、固形物の収集効率
が向上するトラップ装置の出現が望まれていた。[0008] Therefore, it has been desired to have a trap device that promotes the accumulation of solids in places other than the vicinity of the gas inlet, thereby extending the use time of the device and improving the solids collection efficiency. I was
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】そこで、この出願に係る
発明の発明者は、固形物の発生が温度だけでなく圧力に
も依存することに着目して、下記のような独特の構成の
トラップ装置を想到するに至った。Therefore, the inventor of the present invention focused on the fact that the generation of solids depends not only on temperature but also on pressure, and has a trap having a unique configuration as described below. I arrived at the device.
【００１０】すなわち、この出願に係る発明のトラップ
装置によれば、真空ポンプにより排気される気密容器の
排気経路に配置されており、この排気経路内で固体化す
るガスを固形物として除去するためのトラップ装置にお
いて、このトラップ装置は、排気経路に接続されるガス
の流路を内部に有した容器により構成されており、流路
中のガスの流速が当該流路の位置に応じた所定の流速に
制御されることを特徴とする。That is, according to the trap device of the invention of the present application, the trap device is disposed in the exhaust passage of the airtight container that is evacuated by the vacuum pump, and removes the gas that solidifies in the exhaust passage as a solid. In this trap device, the trap device is configured by a container having therein a gas flow path connected to an exhaust path, and the flow velocity of the gas in the flow path is a predetermined value corresponding to the position of the flow path. The flow rate is controlled.
【００１１】このように、流路の位置に応じてガスの流
速が制御されるので、流速の比較的小さいところでは固
形物の蓄積が促進される。一方、流速の比較的大きいと
ころでは固形物の蓄積が回避される。したがって、流路
中の所定の位置に固形物を蓄積させることが可能である
とともに、流路のコンダクタンスを低下させたくないと
ころには固形物を蓄積させないようにすることができ
る。よって、ガス流入口近傍以外の箇所において固形物
の蓄積を促進させることができ、これにより装置の使用
時間が延び、しかも、固形物の収集効率が向上する。As described above, since the gas flow rate is controlled in accordance with the position of the flow path, the accumulation of solids is promoted where the flow rate is relatively small. On the other hand, where the flow velocity is relatively high, accumulation of solids is avoided. Therefore, it is possible to accumulate the solid matter at a predetermined position in the flow path and not to accumulate the solid matter in a place where it is not desired to reduce the conductance of the flow path. Therefore, the accumulation of solids can be promoted in places other than the vicinity of the gas inlet, thereby increasing the use time of the apparatus and improving the solids collection efficiency.
【００１２】この発明のトラップ装置の好適例によれ
ば、前述の流路が、螺旋状に延在する主流路と、この主
流路の一部から分岐して当該主流路の他の部分に接続す
る副流路とで構成される。According to a preferred embodiment of the trap device of the present invention, the above-mentioned flow path is a spirally extending main flow path, and is branched from a part of the main flow path and connected to another part of the main flow path. And a sub flow path.
【００１３】このように構成すると、主流路と副流路と
の合流点において、主流路に流れるガスは副流路から流
れ込むガスによって緩行される。それにより、装置内に
おけるガスの滞留時間が延び、固形物の蓄積が促進され
る。また、主流路においては装置の使用時間の増加に伴
い固形物の蓄積が進行して、流路断面積が減少するが、
ガスは副流路を通って後段の主流路に流出するので、主
流路の後段も有効に使用される。したがって、装置の使
用時間を従来に比べ延長させることが可能である。With this configuration, at the junction of the main flow path and the sub flow path, the gas flowing through the main flow path is slowed down by the gas flowing from the sub flow path. Thereby, the residence time of the gas in the apparatus is extended, and the accumulation of solids is promoted. In the main channel, accumulation of solids progresses with an increase in use time of the device, and the cross-sectional area of the channel decreases.
Since the gas flows through the sub-flow path to the downstream main flow path, the downstream side of the main flow path is also effectively used. Therefore, it is possible to extend the use time of the device as compared with the related art.
【００１４】また、この発明のトラップ装置において、
好ましくは、前述の主流路が、容器の内部に設けられた
軸体の表面に接続された薄板によって形成されており、
前述の副流路が、薄板の所定の位置に形成された開口に
よって形成されると良い。In the trap device of the present invention,
Preferably, the main flow path is formed by a thin plate connected to a surface of a shaft provided inside the container,
The above-mentioned sub-channel may be formed by an opening formed at a predetermined position of the thin plate.
【００１５】また、この発明のトラップ装置の他の好適
例によれば、前述の流路が、複数の環状の第１流路と、
各第１流路の間を接続する第２流路とで構成されてお
り、第１流路の流路断面積を所定の位置で変化させてあ
る。According to another preferred embodiment of the trap device of the present invention, the above-mentioned flow path includes a plurality of annular first flow paths,
A second flow path connects between the first flow paths, and the flow path cross-sectional area of the first flow path is changed at a predetermined position.
【００１６】このように構成すると、ガスは各第１流路
および第２流路中に流入する。第２流路より第１流路に
流入したガスは２系統に分流される。所定の第１流路に
は、流路断面積が変化するところがあり、ガスは流路断
面積の小さい側と流路断面積の大きい側とにそれぞれ進
行する。流路断面積の小さい側では、流路断面積の大き
い側に比べてガスの流速が速くなる。したがって、流路
断面積の小さい側では固形物が蓄積されにくくなり、一
方、流路断面積の大きい側では固形物が蓄積されやす
い。このように、固形物の蓄積が促進される箇所とコン
ダクタンスの低下を防ぐ箇所とを所定の位置に設定する
ことができる。よって、固形物の蓄積を非局所的に生じ
させることが可能であり、後段の第１流路も有効に使用
される。したがって、装置の使用時間が従来に比べて長
くなる。With this configuration, the gas flows into each of the first and second flow paths. The gas flowing from the second flow path into the first flow path is divided into two systems. The predetermined first channel has a portion where the channel cross-sectional area changes, and the gas advances to the side having the smaller channel cross-sectional area and the side having the larger channel cross-sectional area. The gas flow velocity is higher on the side with the smaller flow path cross section than on the side with the larger flow path cross section. Therefore, solids are less likely to accumulate on the side with a smaller flow path cross-sectional area, while solids are more likely to accumulate on the side with a larger flow path cross-sectional area. In this way, the location where the accumulation of solids is promoted and the location where the decrease in conductance is prevented can be set at predetermined locations. Therefore, it is possible to cause the accumulation of solid matter non-locally, and the first flow path at the subsequent stage is also effectively used. Therefore, the use time of the device becomes longer than before.
【００１７】また、この発明のトラップ装置において、
好ましくは、前述の第１流路が、容器の内部に設けられ
た軸体の表面に接続された複数枚の薄板によって形成さ
れていて、前述の第２流路が、薄板の所定の位置に形成
された開口によって形成されており、薄板の所定の位置
に段差を形成することにより、第１流路の流路断面積を
変化させると良い。In the trap device of the present invention,
Preferably, the first flow path is formed by a plurality of thin plates connected to the surface of a shaft provided inside the container, and the second flow path is provided at a predetermined position on the thin plate. The cross-sectional area of the first flow passage is preferably changed by forming a step at a predetermined position of the thin plate, which is formed by the formed opening.
【００１８】また、上述の薄板は凹凸状または波形状に
折り曲げてあるのが好ましい。薄板の表面積が増大し
て、固形物の蓄積が可能となる有効面積が増加するから
である。また、ガスの流路が延長され、装置の使用時間
の延長および固形物の収集効率の向上が図れる。Further, it is preferable that the above-mentioned thin plate is bent into an uneven shape or a wavy shape. This is because the surface area of the thin plate increases, and the effective area in which solid matter can be accumulated increases. In addition, the gas flow path is extended, so that the use time of the apparatus can be extended and the solids collection efficiency can be improved.
【００１９】さらに、好ましくは、薄板の表面に凹凸構
造を形成してあると良い。このためには、例えば、薄板
の表面にブラスト加工を施して凹凸面を形成するのが好
適である。この結果、薄板の表面積が増大する。Further, it is preferable that an uneven structure is formed on the surface of the thin plate. For this purpose, for example, it is preferable to apply blasting to the surface of the thin plate to form an uneven surface. As a result, the surface area of the thin plate increases.
【００２０】さらに、上述した軸体の内部に冷却機構が
設けられていると好適である。Further, it is preferable that a cooling mechanism is provided inside the shaft.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
実施の形態につき説明する。なお、図は、この発明が理
解できる程度に形状、大きさおよび配置関係を概略的に
示しているに過ぎない。また、以下に記載される数値等
の条件は単なる一例に過ぎない。よって、この発明は、
この実施の形態に何ら限定されることがない。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the drawings merely schematically show the shapes, sizes, and arrangements so that the present invention can be understood. The conditions such as numerical values described below are merely examples. Therefore, the present invention
There is no limitation to this embodiment.
【００２２】この実施の形態で説明するトラップ装置
は、真空ポンプにより排気される気密容器の排気経路に
配置され、排気経路内で固体化するガスを固形物として
除去する装置である。図８は、トラップ装置の使用例を
示すブロック図である。図８（Ａ）に示すように、気密
容器（真空容器）５０の排気経路には、真空ポンプ５
２、トラップ装置５４およびフィルタ５６が気密容器５
０側からこの順序で設けられている。気密容器５０で
は、例えばプラズマＣＶＤプロセスによってａ−Ｓｉ膜
やＳｉＮ膜などを基板に成膜することが行われるが、基
板以外の気密容器５０の内壁などにも薄膜が堆積する。
この薄膜を除去するため、ＮＦ3 を用いて気密容器５０
内のプラズマクリーニングが行われる。そのとき、気密
容器５０には、ＮＦ3 ガスの他にＳｉ2 Ｆ6 （ＮＨ4 ）
3 ・Ｆ* を主体としたガス状の生成物を含むガス混合物
が発生する。真空ポンプ５２により、プラズマクリーニ
ング中も気密容器５０は排気され続けるので、ガス混合
物は、真空ポンプ５２後方に配置されたトラップ装置５
４内に導入される。トラップ装置５４は、ガス混合物を
冷却して上述の生成物を析出する。Ｓｉ2 Ｆ6 （ＮＨ
4 ）3 ・Ｆ* を主体とした生成物は、粉末状の固形物と
してトラップ装置５４内に蓄積される。The trap device described in this embodiment is a device that is disposed in an exhaust passage of an airtight container that is evacuated by a vacuum pump and removes a solidified gas in the exhaust passage as a solid. FIG. 8 is a block diagram showing a usage example of the trap device. As shown in FIG. 8A, a vacuum pump 5 is provided in the exhaust path of the airtight container (vacuum container) 50.
2. The trap device 54 and the filter 56 are
It is provided in this order from the 0 side. In the hermetic container 50, an a-Si film, a SiN film, or the like is formed on the substrate by, for example, a plasma CVD process. However, a thin film is deposited on the inner wall of the hermetic container 50 other than the substrate.
In order to remove this thin film, an airtight container 50 using NF 3 is used.
Plasma cleaning is performed. At that time, in addition to NF 3 gas, Si 2 F 6 (NH 4 )
3 · F * gas mixture comprising gaseous product composed mainly of occurs. Since the airtight container 50 is continuously evacuated by the vacuum pump 52 even during the plasma cleaning, the gas mixture is transferred to the trap device 5 disposed behind the vacuum pump 52.
4 is introduced. The trap device 54 cools the gas mixture and precipitates the above-mentioned products. Si 2 F 6 (NH
4 ) The product mainly composed of 3 · F * is accumulated in the trap device 54 as a powdery solid.
【００２３】また、トラップ装置５４を真空ポンプ５２
の前段に配置するように構成しても良い。例えば、図８
（Ｂ）に示すように、気密容器５０の排気経路に、トラ
ップ装置５４、フィルタ５６および真空ポンプ５２を気
密容器５０側からこの順序で設けると良い。The trap device 54 is connected to a vacuum pump 52
May be arranged at the preceding stage. For example, FIG.
As shown in (B), a trap device 54, a filter 56, and a vacuum pump 52 may be provided in the exhaust path of the airtight container 50 in this order from the airtight container 50 side.
【００２４】以下、上述したトラップ装置５４の構成例
について説明する。Hereinafter, a configuration example of the above-described trap device 54 will be described.
【００２５】［第１の実施の形態］まず、第１の実施の
形態のトラップ装置について説明する。図１は、第１の
実施の形態のトラップ装置の構成を示す図である。図１
（Ａ）はトラップ装置の斜視図を示し、図１（Ｂ）はト
ラップ装置の側面図を示している。[First Embodiment] First, a trap device according to a first embodiment will be described. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of the trap device according to the first embodiment. FIG.
1A shows a perspective view of the trap device, and FIG. 1B shows a side view of the trap device.
【００２６】図１に示すトラップ装置は、両端に開口を
有した円筒形状の容器（ケーシング）２２により構成さ
れている。容器２２の一方の開口がガス流入口２４とし
て用いられ、容器２２の他方の開口がガス流出口２６と
して用いられる。これらガス流入口２４およびガス流出
口２６はそれぞれ排気経路に接続される。また、容器２
２の内部の、ガス流入口２４とガス流出口２６との間
に、上述の排気経路に接続されるガス（ガス混合物）の
流路が形成されている。このトラップ装置は、ガス流入
口２４、流路およびガス流出口２６が水平方向に配列す
るように上述の排気経路中に設けられる。The trap device shown in FIG. 1 comprises a cylindrical container (casing) 22 having openings at both ends. One opening of the container 22 is used as a gas inlet 24, and the other opening of the container 22 is used as a gas outlet 26. Each of the gas inlet 24 and the gas outlet 26 is connected to an exhaust path. Container 2
A gas (gas mixture) flow path connected to the above-described exhaust path is formed between the gas inlet port 24 and the gas outlet port 26 in the interior 2. The trap device is provided in the above-described exhaust path so that the gas inlet 24, the flow path, and the gas outlet 26 are arranged in a horizontal direction.
【００２７】そして、この実施の形態のトラップ装置
は、上述した流路中のガスの流速が当該流路の位置に応
じた所定の流速に制御されるようになっている。そのよ
うに構成するために、第１の実施の形態では、上述の流
路を、螺旋状に延在する主流路と、この主流路の一部か
ら分岐して当該主流路の他の部分に接続する副流路とで
構成する。第１の実施の形態では、上述の主流路が、容
器２２の内部に設けられた円筒形状の軸体２８の表面に
接続された薄板３０によって形成される。また、上述の
副流路は、薄板３０の所定の位置に形成された開口３２
（図１（Ｂ）では図示が省略されている。）によって形
成される。In the trap device according to this embodiment, the flow velocity of the gas in the above-described flow path is controlled to a predetermined flow rate corresponding to the position of the flow path. In order to make such a configuration, in the first embodiment, the above-described flow path is divided into a main flow path extending in a spiral shape, and a part of the main flow path that is branched to another part of the main flow path. It is composed of a sub flow path to be connected. In the first embodiment, the above-described main flow path is formed by the thin plate 30 connected to the surface of the cylindrical shaft 28 provided inside the container 22. In addition, the above-described sub-flow path is provided with an opening 32 formed at a predetermined position of the thin plate 30.
(The illustration is omitted in FIG. 1B.)
【００２８】上述の軸体２８は、当該軸体２８の中心軸
と容器２２の中心軸とが一致するような位置に設置され
ている。軸体２８の一端は容器２２のガス流入口２４側
の壁部に接続されており、軸体２８の他端は容器２２の
ガス流出口２６側の壁部に接続されている。軸体２８の
内部は、ガス流入口２４およびガス流出口２６にそれぞ
れ通じている。また、軸体２８の両端近傍の壁面には、
開口３４および３６がそれぞれ形成されている。したが
って、これら開口３４および３６は、ガス流入口２４お
よびガス流出口２６にそれぞれ通じている。なお、図１
では図示を省略してあるが、軸体２８の内部の開口３４
および３６間に、冷却機構３８が設けられている。開口
３４および３６間の軸体２８の内部は、この冷却機構３
８によって塞がれている。このため、ガス流入口２４に
入ったガスは、軸体２８の内部を流れてガス流出口２６
に導出されることはない。すなわち、ガス流入口２４に
入ったガスは、ガス流入口２４側の開口３４を経て容器
２２の内部に導入され、容器２２中の流路を通り、ガス
流出口２６側の開口３６を経て、ガス流出口２６から排
気経路へ導出される。The shaft 28 described above is installed at a position where the center axis of the shaft 28 and the center axis of the container 22 coincide. One end of the shaft 28 is connected to the wall of the container 22 on the gas inlet 24 side, and the other end of the shaft 28 is connected to the wall of the container 22 on the gas outlet 26 side. The inside of the shaft 28 communicates with the gas inlet 24 and the gas outlet 26, respectively. Also, on the wall surface near both ends of the shaft body 28,
Openings 34 and 36 are respectively formed. Accordingly, the openings 34 and 36 communicate with the gas inlet 24 and the gas outlet 26, respectively. FIG.
Although not shown in the drawings, the opening 34 inside the shaft body 28 is not shown.
And 36, a cooling mechanism 38 is provided. The interior of the shaft 28 between the openings 34 and 36
Blocked by 8. For this reason, the gas that has entered the gas inlet 24 flows inside the shaft 28 and
Is not derived. That is, the gas entering the gas inlet 24 is introduced into the container 22 through the opening 34 on the gas inlet 24 side, passes through the flow path in the container 22, passes through the opening 36 on the gas outlet 26 side, The gas is led out from the gas outlet 26 to the exhaust path.
【００２９】また、上述の薄板３０は、ガス流入口２４
側からガス流出口２６側にわたり、軸体２８を中心に螺
旋状に延在する１枚の板である。この薄板３０の、隣接
する板の間の空間が、上述の主流路として用いられる。
ガス流入口２４側から容器２２内に導入されたガスは、
ガス流出口２６側へ向かって、主流路に沿って、軸体２
８を中心に螺旋状に流れるようになっている。The above-mentioned thin plate 30 is connected to the gas inlet 24.
It is a single plate extending spirally around the shaft 28 from the side to the gas outlet 26 side. The space between the adjacent plates of the thin plate 30 is used as the above-described main flow path.
The gas introduced into the container 22 from the gas inlet 24 is
Toward the gas outlet 26 side, the shaft 2
8 flows in a spiral around the center.
【００３０】また、上述したように、薄板３０の所定の
位置に形成された開口３２により、副流路が形成されて
いる。つまり、この副流路は、主流路の一部から分岐し
て当該主流路の他の部分に接続される流路となってい
る。ガス流入口２４側から容器２２内に導入されたガス
は、ガス流出口２６側へ向かって、主流路に沿って流れ
るとともに、ガスの一部は副流路側にも分流され、軸体
２８の軸方向に沿って流れるようになっている。As described above, the sub flow path is formed by the opening 32 formed at a predetermined position of the thin plate 30. That is, the sub flow path is a flow path branched from a part of the main flow path and connected to another part of the main flow path. The gas introduced into the container 22 from the gas inlet 24 flows along the main flow path toward the gas outlet 26 side, and a part of the gas is also split into the sub flow path side. It flows along the axial direction.
【００３１】ここで、上述した冷却機構３８につき、図
２を参照して説明する。図２は、冷却機構の構成を示す
断面図である。なお、図中、断面を示すハッチングは省
略してある。また、図２に示す断面は、図１（Ｂ）に示
す軸体２８の中心軸を含む位置（図１（Ｂ）のＩ−Ｉ線
の位置）の切り口に相当する断面である。Here, the above-described cooling mechanism 38 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the cooling mechanism. In the drawings, hatching indicating a cross section is omitted. The cross section shown in FIG. 2 is a cross section corresponding to a cut at a position including the center axis of the shaft body 28 shown in FIG. 1B (the position along the line II in FIG. 1B).
【００３２】図２（Ａ）に示すとおり、上述の冷却機構
３８は、円柱形状の棒状部材４０により構成される。こ
の棒状部材４０は、軸体２８の内部に嵌合する形状とし
てあり、その両端に切欠き部４０ａおよび４０ｂがそれ
ぞれ形成されている。これら切欠き部４０ａおよび４０
ｂは、棒状部材４０が軸体２８の内部に嵌合したとき
に、軸体２８の開口３４および３６がそれぞれ切欠き部
４０ａおよび４０ｂの位置に合わさるように形成されて
いる。このため、棒状部材４０が軸体２８の内部に挿入
されたとしても、ガス流入口２４と開口３４との間、お
よびガス流出口２６と開口３６との間はそれぞれつなが
った状態になされる。図２では、棒状部材４０が軸体２
８の内部に嵌合されたときの開口３４および３６の位置
を、それぞれ破線ａおよびｂにより示している。As shown in FIG. 2A, the above-mentioned cooling mechanism 38 is constituted by a cylindrical rod-shaped member 40. The rod-shaped member 40 has a shape that fits inside the shaft body 28, and has cutouts 40a and 40b at both ends. These notches 40a and 40
b is formed such that when the rod-shaped member 40 is fitted inside the shaft 28, the openings 34 and 36 of the shaft 28 are aligned with the positions of the notches 40a and 40b, respectively. For this reason, even if the rod-shaped member 40 is inserted into the shaft 28, the gas inlet 24 and the opening 34 and the gas outlet 26 and the opening 36 are connected to each other. In FIG. 2, the rod-shaped member 40 is
The positions of openings 34 and 36 when fitted inside 8 are indicated by dashed lines a and b, respectively.
【００３３】また、棒状部材４０の内部には冷却管４２
が埋設されている。この冷却管４２の両端部分は棒状部
材４０の外部に導出されており、それぞれが冷却媒体流
入口４２ａおよび冷却媒体流出口４２ｂとして用いられ
る。軸体２８内に設置された棒状部材４０は、その長手
方向が水平方向に一致しており、冷却媒体流入口４２ａ
および冷却媒体流出口４２ｂは鉛直方向に配列した状態
に設置される。そのとき、上側に冷却媒体流出口４２ｂ
が配置され、下側に冷却媒体流入口４２ａが配置され
る。この冷却管４２中には、水などの冷却媒体が流され
る。これにより、棒状部材４０が冷やされ、これに接触
する軸体２８が冷却される。さらに、この軸体２８に接
続された薄板３０が冷却され、薄板３０の温度はガスの
温度よりも低い、ガスの固体化に適した温度に調整され
る。A cooling pipe 42 is provided inside the rod-shaped member 40.
Is buried. Both ends of the cooling pipe 42 are led out of the rod-shaped member 40, and are used as a cooling medium inlet 42a and a cooling medium outlet 42b, respectively. The longitudinal direction of the rod-shaped member 40 installed in the shaft body 28 coincides with the horizontal direction, and the cooling medium inlet 42a
The cooling medium outlets 42b are installed in a state of being arranged in the vertical direction. At this time, the cooling medium outlet 42b
Is arranged, and the cooling medium inlet 42a is arranged on the lower side. A cooling medium such as water flows through the cooling pipe 42. As a result, the rod-shaped member 40 is cooled, and the shaft 28 in contact with the rod-shaped member 40 is cooled. Further, the thin plate 30 connected to the shaft 28 is cooled, and the temperature of the thin plate 30 is adjusted to a temperature lower than the gas temperature and suitable for solidifying the gas.
【００３４】なお、上述の例では、軸体２８と冷却機構
３８とを別体にしたが、これら軸体２８および冷却機構
３８は一体構造であっても構わない。例えば、図２
（Ｂ）に示すように、上述した軸体２８の代わりに、内
部に冷却管４２が埋設された中密の棒状部材の軸体２８
ａを用いると良い。図２（Ｂ）に示す軸体２８ａの両端
には、それぞれ軸体２８ａの軸方向に沿って延在する中
空部２９ａおよび２９ｂが形成されており、これら中空
部２９ａおよび２９ｂはそれぞれガス流入口２４および
ガス流出口２６に通じている。また、軸体２８ａの壁面
には中空部２９ａおよび２９ｂに通じる開口が形成され
ており、上述の中空部２９ａおよび２９ｂは容器２２の
内部にそれぞれ通じている。このような軸体２８ａを容
器２２の内部に設置すれば、軸体２８と冷却機構３８と
を別体に構成した上述の例と同様のものが実現する。In the above-described example, the shaft 28 and the cooling mechanism 38 are separated from each other. However, the shaft 28 and the cooling mechanism 38 may be integrated. For example, FIG.
As shown in (B), instead of the shaft 28 described above, a shaft 28 of a dense rod-like member having a cooling pipe 42 embedded therein.
It is good to use a. At both ends of the shaft 28a shown in FIG. 2 (B), hollow portions 29a and 29b are respectively formed extending in the axial direction of the shaft 28a, and these hollow portions 29a and 29b are respectively provided with gas inlets. 24 and a gas outlet 26. An opening communicating with the hollow portions 29a and 29b is formed in the wall surface of the shaft 28a, and the hollow portions 29a and 29b communicate with the inside of the container 22, respectively. If such a shaft 28a is installed inside the container 22, the same thing as the above-described example in which the shaft 28 and the cooling mechanism 38 are configured separately is realized.
【００３５】次に、上述した構成のトラップ装置の動作
につき、図３を参照して説明する。図３は、第１の実施
の形態のトラップ装置の動作説明に供する図である。図
３は、上述した容器２２内の流路を示すものである。図
中の上下の水平方向に延在する２本の線分は容器２２を
示しており、これら線分の間に互いに平行に配列する複
数の線分は薄板３０を示している。図中、軸体２８など
の他の構成成分は図示を省略してある。また、図中左側
がガス流入口２４側となっており、図中右側がガス流出
口２６側となっている。さらに、図中の矢印記号は、ガ
スが流れる方向を表している。Next, the operation of the trap device having the above configuration will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the trap device according to the first embodiment. FIG. 3 shows the flow path in the container 22 described above. The two line segments extending in the upper and lower horizontal directions in the figure indicate the container 22, and the plurality of line segments arranged in parallel with each other between these line segments indicate the thin plate 30. In the figure, other components such as the shaft 28 are not shown. The left side in the figure is the gas inlet 24 side, and the right side in the figure is the gas outlet 26 side. Further, the arrow symbols in the drawing indicate the direction in which the gas flows.
【００３６】容器２２内に導入されたガスは、流路を通
って、ガス流入口２４側からガス流出口２６側へ、すな
わち、図中左側から図中右側へ向かって流れてゆく。主
流路を流れるガスは、図中の記号ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、
ｆ、ｇおよびｈで示された箇所の近傍を、この順に通り
過ぎてゆく。主流路を流れるガスの一部は、薄板３０に
形成された開口３２すなわち副流路を通って、主流路の
他の部分に流出される。この副流路より流出されたガス
の一部は、主流路に流れるガスを緩行させる。よって、
副流路と主流路との合流部近傍では、ガスの滞留時間が
延び、その結果、固形物の蓄積が促進される。図中、破
線記号により固形物の蓄積が促進される箇所を示してあ
る。The gas introduced into the container 22 flows from the gas inlet 24 to the gas outlet 26 through the flow path, that is, from the left side in the figure to the right side in the figure. The gases flowing through the main flow path are denoted by symbols a, b, c, d, e,
It passes in the order of f, g and h in this order. Part of the gas flowing through the main flow path passes through the opening 32 formed in the thin plate 30, that is, the sub flow path, and flows out to another part of the main flow path. Part of the gas flowing out of the sub flow path slows down the gas flowing in the main flow path. Therefore,
In the vicinity of the junction of the sub flow path and the main flow path, the residence time of the gas is increased, and as a result, accumulation of solids is promoted. In the figure, the dashed symbols indicate locations where the accumulation of solids is promoted.
【００３７】このように、ガスは薄板３０の開口３２を
通って後段に流出してゆくので、薄板３０の全体が固形
物の蓄積のために有効に使用される。つまり、固形物の
蓄積促進箇所は、薄板３０の開口３２の位置に対応して
流路全体にわたり分散するようになる。したがって、装
置の使用時間に伴い固形物の蓄積が進行して流路断面積
が減少するが、従来のように局所的に蓄積が進行するこ
とはなく、装置の使用時間が延びる。As described above, the gas flows out to the subsequent stage through the opening 32 of the thin plate 30, so that the entire thin plate 30 is effectively used for accumulation of solids. In other words, the accumulation accelerating portions of the solid matter are dispersed over the entire flow path corresponding to the position of the opening 32 of the thin plate 30. Therefore, although the accumulation of solids progresses with the use time of the device and the cross-sectional area of the flow path decreases, the accumulation does not locally proceed as in the related art, and the use time of the device is extended.
【００３８】なお、薄板３０を凹凸状や波形状に折り曲
げてあると良い。図４は、第１の実施の形態のトラップ
装置の変形例を示す側面図である。例えば、薄板３０の
断面を、図４に示すような連続したＶ字形状や、連続し
たＵ字形状や、正弦波形状などになるように折り曲げ
る。さらに、薄板３０の表面に凹凸構造を形成しておく
と良い。例えば、薄板３０の表面にブラスト加工を施す
ことにより、薄板３０の表面を凹凸面に形成する。この
ように、薄板３０の表面積が大きくなるようにすると、
固形物の蓄積が可能となる有効面積が増大し、かつ、ガ
スの流路が延長される。したがって、装置の使用時間を
さらに伸ばすことが可能になるとともに、固形物の収集
効率をより向上させることができる。It is preferable that the thin plate 30 is bent into an uneven shape or a wavy shape. FIG. 4 is a side view showing a modification of the trap device according to the first embodiment. For example, the cross section of the thin plate 30 is bent into a continuous V shape, a continuous U shape, a sine wave shape, or the like as shown in FIG. Further, an uneven structure is preferably formed on the surface of the thin plate 30. For example, by blasting the surface of the thin plate 30, the surface of the thin plate 30 is formed into an uneven surface. As described above, when the surface area of the thin plate 30 is increased,
The effective area in which solids can accumulate is increased, and the gas flow path is extended. Therefore, the use time of the apparatus can be further extended, and the collection efficiency of solids can be further improved.
【００３９】［第２の実施の形態］次に、第２の実施の
形態のトラップ装置について説明する。図５は、第２の
実施の形態のトラップ装置の構成を示す図である。図５
（Ａ）はトラップ装置の斜視図を示し、図５（Ｂ）はト
ラップ装置の側面図を示している。なお、第１の実施の
形態で説明したものと同一の構成成分については、図５
中、同じ番号で示してある。[Second Embodiment] Next, a trap device according to a second embodiment will be described. FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a trap device according to the second embodiment. FIG.
5A shows a perspective view of the trap device, and FIG. 5B shows a side view of the trap device. Note that the same components as those described in the first embodiment are shown in FIG.
Inside, they are indicated by the same numbers.
【００４０】第２の実施の形態のトラップ装置は、両端
に開口を有した円筒形状の容器（ケーシング）２２によ
り構成されている。容器２２の一方の開口がガス流入口
２４として用いられ、容器２２の他方の開口がガス流出
口２６として用いられる。これらガス流入口２４および
ガス流出口２６はそれぞれ排気経路に接続される。ま
た、容器２２の内部の、ガス流入口２４とガス流出口２
６との間に、上述の排気経路に接続されるガスの流路が
形成されている。The trap device according to the second embodiment comprises a cylindrical container (casing) 22 having openings at both ends. One opening of the container 22 is used as a gas inlet 24, and the other opening of the container 22 is used as a gas outlet 26. Each of the gas inlet 24 and the gas outlet 26 is connected to an exhaust path. The gas inlet 24 and the gas outlet 2 inside the container 22 are also provided.
6, a gas flow path connected to the above-described exhaust path is formed.
【００４１】そして、この実施の形態のトラップ装置
は、上述した流路中のガスの流速が当該流路の位置に応
じた所定の流速に制御されるようになっている。そのよ
うに構成するために、第２の実施の形態では、上述の流
路を、複数の環状の第１流路と、各第１流路の間を接続
する第２流路とで構成する。また、この第１流路の流路
断面積を所定の位置で変化させる。第２の実施の形態で
は、上述の第１流路が、容器２２の内部に設けられた円
筒形状の軸体２８の表面に接続された複数枚の薄板４４
によって形成される。また、上述の第２流路は、薄板４
４の所定の位置に形成された開口４６（図５（Ｂ）では
図示が省略されている。）によって形成される。さら
に、薄板４４の所定の位置に段差４８を形成することに
より、第１流路の流路断面積を変化させている。In the trap device according to this embodiment, the flow velocity of the gas in the above-described flow path is controlled to a predetermined flow rate corresponding to the position of the flow path. In order to achieve such a configuration, in the second embodiment, the above-described flow path is configured by a plurality of annular first flow paths and a second flow path that connects between the first flow paths. . Further, the cross-sectional area of the first flow path is changed at a predetermined position. In the second embodiment, a plurality of thin plates 44 connected to the surface of a cylindrical shaft 28 provided in the container 22
Formed by In addition, the above-mentioned second flow path is a thin plate 4
4 (not shown in FIG. 5B). Further, by forming a step 48 at a predetermined position of the thin plate 44, the flow path cross-sectional area of the first flow path is changed.
【００４２】上述の軸体２８については、第１の実施の
形態の項で説明したので、ここではその説明を省略す
る。また、軸体２８の内部には、第１の実施の形態の項
で図２を参照して説明したものと同じ冷却機構が設けら
れている。また、軸体２８の両端部には、第１の実施の
形態で説明したように開口３４および３６がそれぞれ形
成されている。なお、図５では、開口３６の図示が省略
されている。Since the shaft 28 has been described in the first embodiment, the description thereof is omitted here. The same cooling mechanism as that described in the first embodiment with reference to FIG. 2 is provided inside the shaft body 28. Openings 34 and 36 are formed at both ends of the shaft 28 as described in the first embodiment. In FIG. 5, the illustration of the opening 36 is omitted.
【００４３】上述の各薄板４４は、軸体２８を中心に環
状に延在する板である。各薄板４４は、ガス流入口２４
側からガス流出口２６側にわたり、軸体２８に沿って配
列している。隣接する薄板４４の間の空間が、上述の第
１流路として用いられる。Each of the above-mentioned thin plates 44 is a plate extending annularly around the shaft 28. Each thin plate 44 is connected to the gas inlet 24.
From the side to the gas outlet 26 side, they are arranged along the shaft body 28. The space between the adjacent thin plates 44 is used as the above-described first flow path.
【００４４】また、上述したように、薄板４４の所定の
位置に形成された開口４６により、第２流路が形成され
ている。つまり、この第２流路は、第１流路の一部から
分岐して当該第１流路に隣接する他の第１流路に接続さ
れる流路となっている。したがって、ガス流入口２４側
から容器２２内に導入されたガスは、ガス流出口３６側
へ向かって、各第１流路を経て、第２流路に沿って流れ
る。Further, as described above, the second flow path is formed by the opening 46 formed at a predetermined position of the thin plate 44. That is, the second flow path is a flow path branched from a part of the first flow path and connected to another first flow path adjacent to the first flow path. Therefore, the gas introduced into the container 22 from the gas inlet 24 flows toward the gas outlet 36 through each of the first flow paths and along the second flow path.
【００４５】また、薄板４４の少なくとも一部を折り曲
げることにより、薄板４４に段差４８が形成されてい
る。このように段差４８が形成されたところでは、隣接
する薄板４４との間の間隙が変化している。したがっ
て、第１流路の流路断面積は段差４８を形成した部分で
変化するようになっている。段差４８の部分では、第１
流路のコンダクタンスが変化し、つまり、ガスの流れる
速度が変化する。A step 48 is formed in the thin plate 44 by bending at least a part of the thin plate 44. Where the step 48 is formed, the gap between the adjacent thin plate 44 changes. Therefore, the flow path cross-sectional area of the first flow path changes at the portion where the step 48 is formed. In the portion of the step 48, the first
The conductance of the flow path changes, that is, the speed at which the gas flows changes.
【００４６】次に、上述した構成のトラップ装置の動作
につき、図６を参照して説明する。図６は、第２の実施
の形態のトラップ装置の動作説明に供する図である。図
６は、上述した容器２２内の流路を示すものである。図
中の上下の水平方向に延在する２本の線分は容器２２を
示しており、これら線分の間に互いに平行に配列する複
数の線分は薄板４４を示している。図中、軸体２８など
の他の構成成分は図示を省略してある。また、図中左側
がガス流入口２４側となっており、図中右側がガス流出
口２６側となっている。さらに、図中の矢印記号は、ガ
スが流れる方向を表している。Next, the operation of the trap device having the above configuration will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of the trap device according to the second embodiment. FIG. 6 shows the flow path in the container 22 described above. In the figure, two line segments extending in the upper and lower horizontal directions indicate the container 22, and a plurality of line segments arranged in parallel with each other between these line segments indicate the thin plate 44. In the figure, other components such as the shaft 28 are not shown. The left side in the figure is the gas inlet 24 side, and the right side in the figure is the gas outlet 26 side. Further, the arrow symbols in the drawing indicate the direction in which the gas flows.
【００４７】容器２２内に導入されたガスは、流路すな
わち各第１流路および第２流路を通って、ガス流入口２
４側からガス流出口２６側へ、すなわち、図中左側から
図中右側へ向かって流れてゆく。第２流路より第１流路
へ流出されたガスは、二系統に分流され、例えば、図
中、記号ａおよびｂで示す互いに逆の向きにガスは流れ
てゆく。第１流路の流路断面積は、薄板４４の段差４８
のところで変化している。流路断面積の大きいところで
は、ガス流速が速くなり、固形物の蓄積が進行しにく
い。したがって、この部分では、コンダクタンスの減少
が防止される。一方、流路断面積の小さいところでは、
ガス流速が遅くなり、固形物の蓄積が促進される。図
中、破線記号により固形物の蓄積が促進される箇所を示
してある。The gas introduced into the container 22 passes through the flow paths, that is, the first and second flow paths, and passes through the gas inlet 2.
It flows from the 4 side to the gas outlet 26 side, that is, from the left side in the figure to the right side in the figure. The gas that has flowed out of the second flow path to the first flow path is split into two systems, for example, the gases flow in opposite directions indicated by symbols a and b in the figure. The flow path cross-sectional area of the first flow path is a step 48 of the thin plate 44.
Is changing at In a place where the flow path cross-sectional area is large, the gas flow velocity is high, and the accumulation of solids is difficult to progress. Therefore, in this portion, a decrease in conductance is prevented. On the other hand, where the cross-sectional area of the channel is small,
The gas flow rate is reduced, accelerating the accumulation of solids. In the figure, the dashed symbols indicate locations where the accumulation of solids is promoted.
【００４８】このように、ガスは薄板４４の開口４６を
通って後段に流出してゆくので、薄板４４の全体が固形
物の蓄積のために有効に使用される。つまり、固形物の
蓄積促進箇所は、薄板４４の段差４８の位置に対応して
流路全体にわたり分散するようになる。したがって、装
置の使用時間に伴い固形物の蓄積が進行して流路断面積
が減少するが、従来のように局所的に蓄積が進行するこ
とはなく、装置の使用時間が延びる。As described above, since the gas flows out to the subsequent stage through the opening 46 of the thin plate 44, the whole thin plate 44 is effectively used for the accumulation of solid matter. That is, the solid accumulation accumulating portions are dispersed throughout the flow path corresponding to the positions of the steps 48 of the thin plate 44. Therefore, although the accumulation of solids progresses with the use time of the device and the cross-sectional area of the flow path decreases, the accumulation does not locally proceed as in the related art, and the use time of the device is extended.
【００４９】なお、薄板４４を凹凸状や波形状に折り曲
げてあると良い。図７は、第２の実施の形態のトラップ
装置の変形例を示す側面図である。例えば、薄板４４の
断面を、図７に示すような連続したＶ字形状や、連続し
たＵ字形状や、正弦波形状などになるように折り曲げ
る。さらに、薄板４４の表面に凹凸構造を形成しておく
と良い。例えば、薄板４４の表面にブラスト加工を施す
ことにより、薄板４４の表面を凹凸面に形成する。この
ように、薄板４４の表面積が大きくなるようにすると、
固形物の蓄積が可能となる有効面積が増大し、かつ、ガ
スの流路が延長される。したがって、装置の使用時間を
さらに伸ばすことが可能になるとともに、固形物の収集
効率をより向上させることができる。It is preferable that the thin plate 44 is bent into an uneven shape or a wavy shape. FIG. 7 is a side view showing a modification of the trap device according to the second embodiment. For example, the cross section of the thin plate 44 is bent into a continuous V shape, a continuous U shape, a sine wave shape, or the like as shown in FIG. Further, an uneven structure is preferably formed on the surface of the thin plate 44. For example, by blasting the surface of the thin plate 44, the surface of the thin plate 44 is formed into an uneven surface. As described above, when the surface area of the thin plate 44 is increased,
The effective area in which solids can accumulate is increased, and the gas flow path is extended. Therefore, the use time of the apparatus can be further extended, and the collection efficiency of solids can be further improved.
【００５０】[0050]
【発明の効果】この発明のトラップ装置によれば、トラ
ップ装置は、排気経路に接続されるガスの流路を内部に
有した容器により構成されており、流路中のガスの流速
が当該流路の位置に応じた所定の流速に制御される。According to the trap device of the present invention, the trap device is constituted by a container having therein a gas flow path connected to the exhaust path, and the flow rate of the gas in the flow path is controlled by the flow rate. The flow rate is controlled to a predetermined value according to the position of the road.
【００５１】このように、流路の位置に応じてガスの流
速が制御されるので、流速の比較的小さいところでは固
形物の蓄積が促進される。一方、流速の比較的大きいと
ころでは固形物の蓄積が回避される。したがって、流路
中の所定の位置に固形物を蓄積させることが可能である
とともに、流路のコンダクタンスを低下させたくないと
ころには固形物を蓄積させないようにすることができ
る。よって、ガス流入口近傍以外の箇所において固形物
の蓄積を促進させることができ、これにより装置の使用
時間が延び、しかも、固形物の収集効率が向上する。As described above, since the flow rate of the gas is controlled according to the position of the flow path, the accumulation of solids is promoted where the flow rate is relatively small. On the other hand, where the flow velocity is relatively high, accumulation of solids is avoided. Therefore, it is possible to accumulate the solid matter at a predetermined position in the flow path and not to accumulate the solid matter in a place where it is not desired to reduce the conductance of the flow path. Therefore, the accumulation of solids can be promoted in places other than the vicinity of the gas inlet, thereby increasing the use time of the apparatus and improving the solids collection efficiency.
【００５２】また、この発明のトラップ装置を、例えば
半導体製造用のプラズマＣＶＤ装置に適用すれば、この
ＣＶＤ装置の運転効率や生産性の向上を図ることができ
る。Further, when the trap device of the present invention is applied to, for example, a plasma CVD device for manufacturing semiconductors, the operation efficiency and productivity of the CVD device can be improved.
【図１】第１の実施の形態のトラップ装置の構成を示す
図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a trap device according to a first embodiment.
【図２】冷却機構の構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a cooling mechanism.
【図３】第１の実施の形態のトラップ装置の動作説明に
供する図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the trap device according to the first embodiment;
【図４】第１の実施の形態のトラップ装置の変形例を示
す図である。FIG. 4 is a diagram showing a modification of the trap device according to the first embodiment.
【図５】第２の実施の形態のトラップ装置の構成を示す
図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a trap device according to a second embodiment.
【図６】第２の実施の形態のトラップ装置の動作説明に
供する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of the trap device according to the second embodiment;
【図７】第２の実施の形態のトラップ装置の変形例を示
す図である。FIG. 7 is a diagram showing a modification of the trap device according to the second embodiment.
【図８】トラップ装置の使用例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a usage example of the trap device.
【図９】従来のトラップ装置の構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a conventional trap device.
１０，２２：容器 １２，２４：ガス流入口 １４，２６：ガス流出口 １６：遮蔽板 １８，２０，２１，４２：冷却管 １８ａ，２０ａ，４２ａ：冷却媒体流入口 １８ｂ，２０ｂ，４２ｂ：冷却媒体流出口 ２８，２８ａ：軸体 ２９ａ，２９ｂ：中空部 ３０，４４：薄板 ３２，３４，３６，４６：開口 ３８：冷却機構 ４０：棒状部材 ４０ａ，４０ｂ：切欠き部 ４８：段差 ５０：気密容器 ５２：真空ポンプ ５４：トラップ装置 ５６：フィルタ 10, 22: Vessel 12, 24: Gas inlet 14, 26: Gas outlet 16: Shielding plate 18, 20, 21, 42: Cooling pipe 18a, 20a, 42a: Cooling medium inlet 18b, 20b, 42b: Cooling Medium outlets 28, 28a: Shafts 29a, 29b: Hollow portions 30, 44: Thin plates 32, 34, 36, 46: Openings 38: Cooling mechanism 40: Bar-shaped members 40a, 40b: Notches 48: Steps 50: Airtight Container 52: Vacuum pump 54: Trap device 56: Filter
フロントページの続き Ｆターム(参考） 3H076 AA21 BB21 CC52 CC95 4D076 BE01 BE10 CD22 EA08X EA08Y EA12X EA14X EA16X EA16Y EA26X HA12 JA02 JA03 Continued on the front page F term (reference) 3H076 AA21 BB21 CC52 CC95 4D076 BE01 BE10 CD22 EA08X EA08Y EA12X EA14X EA16X EA16Y EA26X HA12 JA02 JA03
Claims (10)
排気経路に配置されており、該排気経路内で固体化する
ガスを固形物として除去するためのトラップ装置におい
て、 該トラップ装置は、前記排気経路に接続されるガスの流
路を内部に有した容器により構成されており、 前記流路中のガスの流速が当該流路の位置に応じた所定
の流速に制御されることを特徴とするトラップ装置。1. A trap device which is disposed in an exhaust path of an airtight container evacuated by a vacuum pump and removes a solidified gas in the exhaust path as a solid substance. A gas flow path connected to the flow path, the flow path of the gas in the flow path being controlled to a predetermined flow rate according to the position of the flow path. Trap device.
て、 前記流路が、螺旋状に延在する主流路と、該主流路の一
部から分岐して当該主流路の他の部分に接続する副流路
とで構成されることを特徴とするトラップ装置。2. The trap device according to claim 1, wherein the flow path is a spirally extending main flow path, and is branched from a part of the main flow path and connected to another part of the main flow path. A trap device comprising a sub flow path.
て、 前記主流路が、前記容器の内部に設けられた軸体の表面
に接続された薄板によって形成されており、 前記副流路が、前記薄板の所定の位置に形成された開口
によって形成されることを特徴とするトラップ装置。3. The trap device according to claim 2, wherein the main flow path is formed by a thin plate connected to a surface of a shaft provided inside the container, and the sub flow path is A trap device formed by an opening formed at a predetermined position of a thin plate.
て、 前記流路が、複数の環状の第１流路と、各前記第１流路
の間を接続する第２流路とで構成されており、 前記第１流路の流路断面積を所定の位置で変化させてあ
ることを特徴とするトラップ装置。4. The trap device according to claim 1, wherein the flow path comprises a plurality of annular first flow paths and a second flow path connecting between the first flow paths. A trap device, wherein a cross-sectional area of the first flow path is changed at a predetermined position.
て、 前記第１流路が、前記容器の内部に設けられた軸体の表
面に接続された複数枚の薄板によって形成されていて、 前記第２流路が、前記薄板の所定の位置に形成された開
口によって形成されており、 前記薄板の所定の位置に段差を形成することにより、前
記第１流路の流路断面積を変化させていることを特徴と
するトラップ装置。5. The trap device according to claim 4, wherein the first flow path is formed by a plurality of thin plates connected to a surface of a shaft provided inside the container. The two flow paths are formed by openings formed at predetermined positions of the thin plate. By forming a step at a predetermined position of the thin plate, the flow path cross-sectional area of the first flow path is changed. A trap device.
において、 前記薄板を凹凸状に折り曲げてあることを特徴とするト
ラップ装置。6. The trap device according to claim 3, wherein the thin plate is bent into an uneven shape.
において、 前記薄板を波形状に折り曲げてあることを特徴とするト
ラップ装置。7. The trap device according to claim 3, wherein the thin plate is bent into a wave shape.
において、 前記薄板の表面に凹凸構造を形成してあることを特徴と
するトラップ装置。8. The trap device according to claim 3, wherein an uneven structure is formed on a surface of the thin plate.
において、 前記薄板の表面にブラスト加工を施して凹凸面を形成し
ていることを特徴とするトラップ装置。9. The trap device according to claim 3, wherein a surface of the thin plate is blasted to form an uneven surface.
置において、 前記軸体の内部に冷却機構が設けられていることを特徴
とするトラップ装置。10. The trap device according to claim 3, wherein a cooling mechanism is provided inside the shaft.
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