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JP2001125136A - Liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents

Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Info

Publication number
JP2001125136A
JP2001125136A JP30537399A JP30537399A JP2001125136A JP 2001125136 A JP2001125136 A JP 2001125136A JP 30537399 A JP30537399 A JP 30537399A JP 30537399 A JP30537399 A JP 30537399A JP 2001125136 A JP2001125136 A JP 2001125136A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
display device
crystal display
polyimide film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30537399A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshimasa Chikama
義雅 近間
Yoshihiro Izumi
良弘 和泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP30537399A priority Critical patent/JP2001125136A/en
Publication of JP2001125136A publication Critical patent/JP2001125136A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 第1の基板と第2の基板とを対向させて、ス
ペーサを介して一定の間隙をもって貼り合わせ、その間
隙に液晶を注入する液晶表示装置の製造方法であって、
特性が良好な液晶表示装置を簡単な製造プロセスで低コ
ストに作製できるものを提供する。 【解決手段】 透明電極6とTFT31とが形成された
第1の基板1上に、略全面に感光性ポリイミド膜8を所
定の厚さに形成する。所定のマスクを用いたハーフ露光
および現像を行って、透明電極6が占める画素領域30
のポリイミド膜8bを厚さ方向に関して部分的に除去す
る。第1の基板1上に残されたポリイミド膜8を焼成し
て重合させる。液晶19を配向させるためにポリイミド
膜8の表面をラビングする。
(57) Abstract: A method for manufacturing a liquid crystal display device, in which a first substrate and a second substrate are opposed to each other and bonded with a certain gap via a spacer, and a liquid crystal is injected into the gap. hand,
A liquid crystal display device having good characteristics can be manufactured at a low cost by a simple manufacturing process. SOLUTION: On a first substrate 1 on which a transparent electrode 6 and a TFT 31 are formed, a photosensitive polyimide film 8 is formed on a substantially entire surface to a predetermined thickness. By performing half exposure and development using a predetermined mask, a pixel region 30 occupied by the transparent electrode 6 is formed.
Is partially removed in the thickness direction. The polyimide film 8 left on the first substrate 1 is fired and polymerized. The surface of the polyimide film 8 is rubbed to align the liquid crystal 19.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示装置およ
びその製造方法に関する。より詳しくは、画素ごとに薄
膜トランジスタ(以下「TFT」という。)を備えたア
クティブマトリクス型の液晶表示装置およびその製造方
法に関する。
The present invention relates to a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device including a thin film transistor (hereinafter, referred to as “TFT”) for each pixel and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般的なアクティブマトリクス型カラー
液晶表示装置は、画素ごとに分割された透明電極(画素
電極)とスイッチング素子であるTFTとが形成された
基板(これを「アクティブマトリクス基板」という。)
と、カラーフィルタと複数の画素について共通に接続さ
れた透明電極(共通電極)とが重ねて形成された基板
(これを「カラーフィルタ基板」という。)とを対向さ
せ、これらの基板をスペーサを介して一定の間隙をもっ
て貼り合わせ、その間隙に液晶を注入して作製される。
2. Description of the Related Art A general active matrix type color liquid crystal display device has a substrate on which a transparent electrode (pixel electrode) divided for each pixel and a TFT as a switching element are formed (this is called an "active matrix substrate"). .)
And a substrate formed by overlapping a color filter and a transparent electrode (common electrode) commonly connected to a plurality of pixels (this is referred to as a “color filter substrate”). It is manufactured by bonding with a certain gap through the gap and injecting liquid crystal into the gap.

【0003】上記アクティブマトリクス基板は、例えば
次のようにして作製されている。図4(a)に示すよう
に、透明絶縁性基板101のTFT領域131上にゲー
ト電極102を形成し、続いて、基板101上の全域を
覆うようにゲート絶縁膜103を形成する。さらにTF
T領域131上に、ゲート電極102と重畳するように
チャネルとなるa−Si(非晶質シリコン)層104
と、ソース/ドレイン領域となるn+−Si(n型非晶
質シリコン)層105とを形成する。次に、基板101
上の全域を覆うようにITO(錫添加酸化インジウム)
からなる透明電極層106を形成し、続いて、TFT領
域131上に金属からなるソース/ドレイン配線107
を形成する。そして、ソース/ドレイン間を分離する溝
110を形成した後、基板101上に絶縁保護膜として
SiNx膜(窒化シリコン膜)118をCVD(化学気
相成長)法により堆積する。図4(b)に示すように、
フォトリソグラフィを行ってTFT領域131上にレジ
スト119を設け、図4(c)に示すように、このレジ
スト119をマスクとしてSiNx膜118のうち画素
領域130上の部分をエッチングして除去する。このよ
うに画素領域130上のSiNx膜118を除去するの
は、動作時に絶縁保護膜に過度の電圧降下が生じるのを
防止して液晶層に適正な電圧が印加されるようにするた
めである。レジスト119を除去した後、図4(d)に
示すように、基板101上の略全域を覆うようにポリイ
ミドからなる配向膜121を形成し、この配向膜121
の表面にラビング処理を施す。このようにラビング処理
を施した配向膜121を設けるのは、基板間に注入され
た液晶を所望の向きに配向させるためである。
The active matrix substrate is manufactured, for example, as follows. As shown in FIG. 4A, a gate electrode 102 is formed on a TFT region 131 of a transparent insulating substrate 101, and then a gate insulating film 103 is formed so as to cover the whole area on the substrate 101. Further TF
An a-Si (amorphous silicon) layer 104 serving as a channel on the T region 131 so as to overlap with the gate electrode 102;
And an n + -Si (n-type amorphous silicon) layer 105 serving as source / drain regions. Next, the substrate 101
ITO (tin-added indium oxide) to cover the whole area
And a source / drain wiring 107 made of metal are formed on the TFT region 131.
To form Then, after forming a groove 110 for separating the source / drain, a SiNx film (silicon nitride film) 118 is deposited on the substrate 101 as an insulating protective film by a CVD (chemical vapor deposition) method. As shown in FIG.
A resist 119 is provided on the TFT region 131 by performing photolithography, and as shown in FIG. 4C, a portion of the SiNx film 118 on the pixel region 130 is removed by etching using the resist 119 as a mask. The reason why the SiNx film 118 on the pixel region 130 is removed in this way is to prevent an excessive voltage drop from occurring in the insulating protective film during operation and to apply an appropriate voltage to the liquid crystal layer. . After removing the resist 119, as shown in FIG. 4D, an alignment film 121 made of polyimide is formed so as to cover substantially the entire area on the substrate 101.
Rubbing is applied to the surface of. The purpose of providing the alignment film 121 subjected to the rubbing treatment in this way is to align the liquid crystal injected between the substrates in a desired direction.

【0004】一方、上記カラーフィルタ基板は、透明絶
縁基板上に遮光膜を格子状パターンに形成するととも
に、その格子の隙間にR(赤),G(緑),B(青)の
3色のカラーフィルタを形成し、それらの上に透明電極
層と配向膜とを重ねて形成して作製されている。
On the other hand, in the color filter substrate, a light-shielding film is formed in a lattice pattern on a transparent insulating substrate, and three colors of R (red), G (green), and B (blue) are formed in gaps of the lattice. The color filters are formed, and a transparent electrode layer and an alignment film are formed on the color filters so as to overlap each other.

【0005】上記アクティブマトリクス基板とカラーフ
ィルタ基板との間に設けられるスペーサとしては、ガラ
スまたはプラスチックからなる多数の透明球が用いられ
ているる。
[0005] A large number of transparent spheres made of glass or plastic are used as spacers provided between the active matrix substrate and the color filter substrate.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の液
晶表示装置では製造プロセスの簡素化、製造コストの低
減が強く望まれている。しかしながら、上述のようにし
てアクティブマトリクス基板を作製する場合、製造プロ
セスが複雑で高コストになるという問題がある。なお、
上記SiNx膜に代えて、絶縁保護膜としてアクリル系
感光性樹脂を塗布するものとしてフォトリソグラフィ
(レジスト塗布)工程を省略する方法も提案されている
が(特開平9−152625号公報)、別途配向膜を設
ける必要があるため、製造プロセスの簡素化が十分であ
るとは言えない。
In this type of liquid crystal display device, it is strongly desired to simplify the manufacturing process and reduce the manufacturing cost. However, when the active matrix substrate is manufactured as described above, there is a problem that the manufacturing process is complicated and the cost is high. In addition,
A method of omitting the photolithography (resist coating) step by applying an acrylic photosensitive resin as an insulating protective film instead of the SiNx film has been proposed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-152625). Since it is necessary to provide a film, the simplification of the manufacturing process cannot be said to be sufficient.

【0007】また、上述のようにスペーサとして透明球
を用いた場合、液晶分子が所望の方向に配列されず、各
透明球の形状に配列してしまい、各透明球の周囲で光漏
れが生じるという特性上の問題がある。なお、カラーフ
ィルタ基板上にカラーフィルタ材料を支柱状に積層し、
その支柱をスペーサとして用いる方式が提案されている
(特開平11−183915号公報)。しかし、突起し
た支柱の形成後に透明電極層を設けることになるため、
アクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板との間
で電気的なリークが生じて、歩留まりが低下するおそれ
がある。
Further, when transparent spheres are used as spacers as described above, liquid crystal molecules are not arranged in a desired direction, but arranged in the shape of each transparent sphere, and light leakage occurs around each transparent sphere. Characteristic problem. In addition, the color filter material is laminated on the color filter substrate in a pillar shape,
A method using the support as a spacer has been proposed (JP-A-11-183915). However, since the transparent electrode layer will be provided after the formation of the projecting support,
Electric leakage may occur between the active matrix substrate and the color filter substrate, and the yield may be reduced.

【0008】そこで、この発明の目的は、特性が良好な
液晶表示装置を簡単な製造プロセスで低コストに作製で
きる液晶表示装置の製造方法を提供することにある。ま
た、簡単な製造プロセスで低コストに作製できる特性が
良好な液晶表示装置を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device which has good characteristics and can be manufactured at a low cost by a simple manufacturing process. Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having favorable characteristics which can be manufactured at a low cost by a simple manufacturing process.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の液晶表示装置の製造方法は、画素ごとに
分割された透明電極およびこの透明電極につながるTF
Tが形成された第1の基板と、透明電極が形成された第
2の基板とを対向させて、スペーサを介して一定の間隙
をもって貼り合わせ、その間隙に液晶を注入する液晶表
示装置の製造方法であって、上記透明電極とTFTとが
形成された第1の基板上に、略全面に感光性ポリイミド
膜を所定の厚さに形成する工程と、所定のマスクを用い
たハーフ露光および現像を行って、上記透明電極が占め
る画素領域の上記ポリイミド膜を厚さ方向に関して部分
的に除去する工程と、上記第1の基板上に残されたポリ
イミド膜を焼成して重合させる工程と、上記液晶を配向
させるために上記ポリイミド膜の表面をラビングする工
程を有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises a transparent electrode divided for each pixel and a TF connected to the transparent electrode.
Manufacture of a liquid crystal display device in which a first substrate on which a T is formed and a second substrate on which a transparent electrode is formed are opposed to each other and bonded with a certain gap through a spacer, and a liquid crystal is injected into the gap. Forming a photosensitive polyimide film to a predetermined thickness on substantially the entire surface of the first substrate on which the transparent electrode and the TFT are formed; and performing half-exposure and development using a predetermined mask. Performing a step of partially removing the polyimide film in the pixel region occupied by the transparent electrode in the thickness direction, and a step of firing and polymerizing the polyimide film remaining on the first substrate; A step of rubbing the surface of the polyimide film to align the liquid crystal.

【0010】この発明の液晶表示装置の製造方法では、
第1の基板上で画素領域のポリイミド膜が配向膜として
用いられ、画素領域以外の領域のポリイミド膜が絶縁保
護膜として用いられる。画素領域のポリイミド膜は、表
面がラビングされているので配向膜として有効に働く。
しかも、この画素領域のポリイミド膜は、厚さ方向に関
して部分的に除去されているので動作時に過度の電圧降
下が生ずることがなく、液晶層に適正な電圧が印加され
る。画素領域以外の領域のポリイミド膜は、エッチング
等されておらず、しかも電極層よりも上層に設けられて
いるので絶縁保護膜として有効に働く。したがって、液
晶表示装置の特性が良好なものになる。また、この液晶
表示装置の製造方法では、絶縁保護膜と配向膜とを同一
の材料で同時に並行して形成しているので、従来例に比
して製造プロセスが簡素化され、液晶表示装置が低コス
トで作製される。
In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention,
On the first substrate, a polyimide film in a pixel region is used as an alignment film, and a polyimide film in a region other than the pixel region is used as an insulating protective film. Since the surface of the polyimide film in the pixel region is rubbed, it works effectively as an alignment film.
Moreover, since the polyimide film in the pixel region is partially removed in the thickness direction, an excessive voltage drop does not occur during operation, and an appropriate voltage is applied to the liquid crystal layer. Since the polyimide film in the region other than the pixel region is not etched or the like and is provided above the electrode layer, it works effectively as an insulating protective film. Therefore, the characteristics of the liquid crystal display device are improved. Further, in this method of manufacturing a liquid crystal display device, the insulating protective film and the alignment film are simultaneously formed in parallel with the same material, so that the manufacturing process is simplified as compared with the conventional example, and the liquid crystal display device is manufactured. Produced at low cost.

【0011】また、この発明の液晶表示装置の製造方法
は、画素ごとに分割された透明電極およびこの透明電極
につながるTFTが形成された第1の基板と、透明電極
が形成された第2の基板とを対向させて、スペーサを介
して一定の間隙をもって貼り合わせ、その間隙に液晶を
注入する液晶表示装置の製造方法であって、上記透明電
極とTFTとが形成された第1の基板上に、略全面に非
感光性ポリイミド膜を所定の厚さに形成する工程と、上
記第1の基板上のポリイミド膜を焼成して重合させる工
程と、フォトリソグラフィおよびエッチングを行って、
上記透明電極が占める画素領域の上記ポリイミド膜を厚
さ方向に関して部分的に除去する工程と、上記液晶を配
向させるために上記第1の基板上に残されたポリイミド
膜の表面をラビングする工程を有することを特徴とす
る。
Further, according to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, the first substrate on which the transparent electrode divided for each pixel and the TFT connected to the transparent electrode are formed, and the second substrate on which the transparent electrode is formed are provided. A method of manufacturing a liquid crystal display device in which a substrate is opposed to each other and bonded with a certain gap via a spacer, and a liquid crystal is injected into the gap. A step of forming a non-photosensitive polyimide film to a predetermined thickness over substantially the entire surface, a step of firing and polymerizing the polyimide film on the first substrate, and performing photolithography and etching;
A step of partially removing the polyimide film in the thickness direction of the pixel region occupied by the transparent electrode, and a step of rubbing the surface of the polyimide film left on the first substrate to align the liquid crystal. It is characterized by having.

【0012】この発明の液晶表示装置の製造方法では、
上記と同様に、第1の基板上で画素領域のポリイミド膜
が配向膜として用いられ、画素領域以外の領域のポリイ
ミド膜が絶縁保護膜として用いられる。画素領域のポリ
イミド膜は、表面がラビングされているので配向膜とし
て有効に働く。しかも、この画素領域のポリイミド膜
は、厚さ方向に関して部分的に除去されているので動作
時に過度の電圧降下が生ずることがなく、液晶層に適正
な電圧が印加される。画素領域以外の領域のポリイミド
膜は、エッチング等されておらず、しかも電極層よりも
上層に設けられているので絶縁保護膜として有効に働
く。したがって、液晶表示装置の特性が良好なものにな
る。また、この液晶表示装置の製造方法では、絶縁保護
膜と配向膜とを同一の材料で同時に並行して形成してい
るので、従来例に比して製造プロセスが簡素化され、液
晶表示装置が低コストで作製される。また、この発明で
は、ポリイミド膜は非感光性であるから、材料(物性)
の選択のバリエーションが広がるとともに、感光基によ
る悪影響が生じない。
In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention,
Similarly to the above, the polyimide film in the pixel region on the first substrate is used as an alignment film, and the polyimide film in a region other than the pixel region is used as an insulating protective film. Since the surface of the polyimide film in the pixel region is rubbed, it works effectively as an alignment film. Moreover, since the polyimide film in the pixel region is partially removed in the thickness direction, an excessive voltage drop does not occur during operation, and an appropriate voltage is applied to the liquid crystal layer. Since the polyimide film in the region other than the pixel region is not etched or the like and is provided above the electrode layer, it works effectively as an insulating protective film. Therefore, the characteristics of the liquid crystal display device are improved. Further, in this method of manufacturing a liquid crystal display device, the insulating protective film and the alignment film are simultaneously formed in parallel with the same material, so that the manufacturing process is simplified as compared with the conventional example, and the liquid crystal display device is manufactured. Produced at low cost. In the present invention, since the polyimide film is non-photosensitive, the material (physical properties)
And the photosensitive group has no adverse effect.

【0013】一実施形態の液晶表示装置の製造方法で
は、上記第1の基板上に残されたポリイミド膜を上記ス
ペーサとして用いることを特徴とする。
In one embodiment of the method of manufacturing a liquid crystal display device, the polyimide film left on the first substrate is used as the spacer.

【0014】この一実施形態の液晶表示装置の製造方法
では、上記第1の基板上に残されたポリイミド膜を上記
スペーサとして用いるので、絶縁保護膜と配向膜とスペ
ーサとを同一の材料で並行して形成したことになる。こ
の結果、上記第1の基板と第2の基板との間に別途スペ
ーサを挿入する必要がなくなる。したがって、製造プロ
セスがさらに簡素化され、液晶表示装置がさらに低コス
トで作製される。しかも、画素領域にスペーサが存在し
ないので、画素領域でスペーサを通して光漏れが生ずる
おそれがない。
In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the embodiment, since the polyimide film left on the first substrate is used as the spacer, the insulating protective film, the alignment film, and the spacer are formed of the same material in parallel. That is, it was formed. As a result, it is not necessary to separately insert a spacer between the first substrate and the second substrate. Therefore, the manufacturing process is further simplified, and the liquid crystal display device is manufactured at lower cost. In addition, since there is no spacer in the pixel region, there is no possibility that light leaks through the spacer in the pixel region.

【0015】この発明の液晶表示装置は、画素ごとに分
割された透明電極およびこの透明電極につながるTFT
が形成された第1の基板と、透明電極が形成された第2
の基板とを対向させて、スペーサを介して一定の間隙を
もって貼り合わせ、その間隙に液晶を注入してなる液晶
表示装置において、上記第1の基板上で上記透明電極が
占める画素領域と上記TFTが占めるTFT領域にそれ
ぞれ同一のポリイミド樹脂からなる配向膜と絶縁性保護
膜が形成され、上記画素領域のポリイミド樹脂の厚さは
上記TFT領域のポリイミド樹脂の厚さよりも薄く設定
されていることを特徴とする。
According to the liquid crystal display device of the present invention, a transparent electrode divided for each pixel and a TFT connected to the transparent electrode are provided.
Is formed on the first substrate and the second substrate on which the transparent electrode is formed.
A liquid crystal display device in which a liquid crystal is injected into the gap with a predetermined gap therebetween via a spacer, and a pixel region occupied by the transparent electrode on the first substrate and the TFT An alignment film and an insulating protection film made of the same polyimide resin are respectively formed in the TFT regions occupied by the TFT region, and the thickness of the polyimide resin in the pixel region is set to be smaller than the thickness of the polyimide resin in the TFT region. Features.

【0016】この発明の液晶表示装置では、TFT領域
のポリイミド膜は、第1の基板と第2の基板との間の必
要とされる間隙(セルギャップ)と製造プロセスが許す
範囲で任意に設定され、しかも電極層よりも上層に設け
られているので絶縁保護膜として有効に働く。また、画
素領域のポリイミド樹脂の厚さはTFT領域のポリイミ
ド膜の厚さよりも薄く設定されているので、動作時に画
素領域のポリイミド膜に過度の電圧降下が生ずることが
なく、液晶層に適正な電圧が印加される。したがって、
液晶表示装置の特性が良好なものになる。また、この液
晶表示装置では、絶縁保護膜と配向膜とが同一のポリイ
ミド材料からなるので、同時に並行して形成され得る。
したがって、この液晶表示装置は、簡単な製造プロセス
で低コストに作製される。
In the liquid crystal display device of the present invention, the polyimide film in the TFT region is arbitrarily set within a range required by the required gap (cell gap) between the first substrate and the second substrate and the manufacturing process. In addition, since it is provided above the electrode layer, it works effectively as an insulating protective film. In addition, since the thickness of the polyimide resin in the pixel region is set to be smaller than the thickness of the polyimide film in the TFT region, an excessive voltage drop does not occur in the polyimide film in the pixel region during operation, and an appropriate voltage is applied to the liquid crystal layer. A voltage is applied. Therefore,
The characteristics of the liquid crystal display are improved. Further, in this liquid crystal display device, since the insulating protective film and the alignment film are made of the same polyimide material, they can be formed simultaneously in parallel.
Therefore, this liquid crystal display device is manufactured at a low cost by a simple manufacturing process.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、この発明の液晶表示装置お
よびその製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0018】アクティブマトリクス型カラー液晶表示装
置を作製するものとする。図2に示すように、この液晶
表示装置は、画素ごとに分割された透明電極(画素電
極)6とスイッチング素子であるTFT31とが形成さ
れた第1の基板(これを「アクティブマトリクス基板」
という。)1と、カラーフィルタ(図示せず)と複数の
画素について共通に接続された透明電極(共通電極)
(図示せず)とが重ねて形成された第2の基板(これを
「カラーフィルタ基板」という。)20とを対向させ、
これらの基板1,20をスペーサ8aを介して一定の間
隙をもって貼り合わせ、その間隙に液晶19を注入して
作製される。
An active matrix type color liquid crystal display device is to be manufactured. As shown in FIG. 2, this liquid crystal display device has a first substrate (hereinafter referred to as an “active matrix substrate”) on which a transparent electrode (pixel electrode) 6 divided for each pixel and a TFT 31 serving as a switching element are formed.
That. And 1) a transparent electrode (common electrode) commonly connected to a color filter (not shown) and a plurality of pixels.
(Not shown) and a second substrate (hereinafter, referred to as a “color filter substrate”) 20 which is formed by being overlapped with each other,
These substrates 1 and 20 are bonded together with a certain gap through a spacer 8a, and a liquid crystal 19 is injected into the gap to produce the substrate.

【0019】上記アクティブマトリクス基板1は、例え
ば図1に示すようにして作製される。まず図1(a)に
示すように、ガラスからなる透明絶縁性基板1のTFT
領域31上にゲート電極2を形成し、続いて、基板1上
の全域を覆うようにゲート絶縁膜3を形成する。さらに
TFT領域31上に、ゲート電極2と重畳するようにチ
ャネルとなるa−Si(非晶質シリコン)層4と、ソー
ス/ドレイン領域となるn+−Si(n型非晶質シリコ
ン)層5とを形成する。次に、基板1上の全域を覆うよ
うにITO(錫添加酸化インジウム)からなる透明電極
層6を形成し、続いて、TFT領域31上に金属からな
るソース/ドレイン配線7を形成する。そして、ソース
/ドレイン間を分離するために、ソース/ドレイン配線
7の表面からa−Si層4の表面に達する溝10を形成
する。この後、基板1上の略全面に、感光性ポリイミド
膜8をスピン法により所定の厚さ、例えば5μmの厚さ
に塗布する。なお、印刷法を用いても良い。スピン法や
印刷法によれば、大面積の基板であっても略全面に容易
に成膜することができる。感光性ポリイミド材料として
は、例えば日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会
社製のHD−6000シリーズ(ポジ型)などを採用す
る。この感光性ポリイミド材料は、露光波長として一般
的なi線やg線を使用できるので、一般的な露光装置を
使用できる。したがって、特殊な露光装置のための設備
投資は必要とされず、コストアップにつながることはな
い。なお、感光性ポリイミド材料は、露光波長、誘電率
特性、露光形式(ネガ、ポジ)、熱膨張率、現像液など
により様々な種類のものを選択できる。
The active matrix substrate 1 is manufactured, for example, as shown in FIG. First, as shown in FIG. 1A, a TFT on a transparent insulating substrate 1 made of glass is used.
A gate electrode 2 is formed on the region 31, and then a gate insulating film 3 is formed so as to cover the entire region on the substrate 1. Further, an a-Si (amorphous silicon) layer 4 serving as a channel and an n + -Si (n-type amorphous silicon) layer serving as a source / drain region are formed on the TFT region 31 so as to overlap the gate electrode 2. 5 is formed. Next, a transparent electrode layer 6 made of ITO (tin-added indium oxide) is formed so as to cover the whole area on the substrate 1, and then, a source / drain wiring 7 made of metal is formed on the TFT region 31. Then, in order to separate the source / drain, a groove 10 extending from the surface of the source / drain wiring 7 to the surface of the a-Si layer 4 is formed. Thereafter, a photosensitive polyimide film 8 is applied to substantially the entire surface of the substrate 1 by a spin method to a predetermined thickness, for example, a thickness of 5 μm. Note that a printing method may be used. According to the spin method or the printing method, a film can be easily formed on almost the entire surface even with a large-area substrate. As the photosensitive polyimide material, for example, HD-6000 series (positive type) manufactured by Hitachi Chemical DuPont Microsystems Co., Ltd. is used. This photosensitive polyimide material can use a general i-line or g-line as an exposure wavelength, so that a general exposure apparatus can be used. Therefore, no capital investment for a special exposure apparatus is required, and there is no increase in cost. Various types of photosensitive polyimide materials can be selected depending on the exposure wavelength, dielectric constant, exposure type (negative or positive), coefficient of thermal expansion, developer, and the like.

【0020】次に図1(b)に示すように、所定のマス
クを用いてハーフ露光を行う。具体的には、TFT領域
31上を遮光し、画素領域30上をハーフ露光(通常よ
りも弱い露光)する。なお、電極端子が設けられた領域
(図示せず)など、ポリイミド膜8を厚さ方向に関して
完全に除去すべき領域では、通常の強度の露光を行う。
続いて、アルカリ性の溶液または有機溶剤によって、現
像を行う。これにより未露光領域、ハーフ露光を行った
領域、通常の露光を行った領域のエッチングレートの差
を利用して、TFT領域31のポリイミド膜8を絶縁保
護膜およびスペーサ8aとしてそのまま残す一方、画素
領域30のポリイミド膜8を厚さ方向に関して部分的に
除去する。また、電極端子が設けられた領域(図示せ
ず)などでは、ポリイミド膜8を厚さ方向に関して完全
に除去する。このように画素領域30上のポリイミド膜
8を厚さ方向に関して部分的に除去するのは、動作時に
ポリイミド膜に過度の電圧降下が生じるのを防止して液
晶層に適正な電圧が印加されるようにするためである。
続いて、基板1上に残されたポリイミド膜(ポリアミッ
ク酸などを含む)8を約350℃の温度で焼成して重合
させる。基板1には既に複数種類の膜が形成されている
が、この焼成温度は問題を生じない程度の温度である。
この後、ポリイミド膜8の表面にラビング処理を施す。
これにより、ポリイミド膜8のうち画素領域30上に残
された部分8bに配向膜の機能をもたせる。この配向膜
8bによって、基板間に注入される液晶を所望の向きに
配向させることができる。上述の電圧降下防止とプロセ
スの安定性の観点から、画素領域30上に残すポリイミ
ド膜8bの厚さは600Å〜1000Åが望ましい。
Next, as shown in FIG. 1B, half exposure is performed using a predetermined mask. More specifically, the TFT region 31 is shielded from light, and the pixel region 30 is subjected to half exposure (lighter than usual exposure). In regions where the polyimide film 8 is to be completely removed in the thickness direction, such as regions where electrode terminals are provided (not shown), normal intensity exposure is performed.
Subsequently, development is performed using an alkaline solution or an organic solvent. Thus, the polyimide film 8 in the TFT region 31 is left as it is as the insulating protective film and the spacer 8a by utilizing the difference in the etching rate between the unexposed area, the half-exposed area, and the normally-exposed area. The polyimide film 8 in the region 30 is partially removed in the thickness direction. In a region (not shown) where the electrode terminals are provided, the polyimide film 8 is completely removed in the thickness direction. The partial removal of the polyimide film 8 on the pixel region 30 in the thickness direction in this way prevents an excessive voltage drop from occurring in the polyimide film during operation and applies an appropriate voltage to the liquid crystal layer. That's why.
Subsequently, the polyimide film (including polyamic acid or the like) 8 left on the substrate 1 is fired at a temperature of about 350 ° C. to be polymerized. Although a plurality of types of films are already formed on the substrate 1, the firing temperature is a temperature at which no problem occurs.
Thereafter, a rubbing treatment is performed on the surface of the polyimide film 8.
Thus, the portion 8b of the polyimide film 8 left on the pixel region 30 has the function of an alignment film. The liquid crystal injected between the substrates can be aligned in a desired direction by the alignment film 8b. From the viewpoint of the above-described prevention of voltage drop and the stability of the process, the thickness of the polyimide film 8b left on the pixel region 30 is desirably 600 ° to 1000 °.

【0021】一方、上記カラーフィルタ基板20は、詳
細は図示しないが、公知の手法により、透明絶縁基板上
に遮光膜を格子状パターンに形成するとともに、その格
子の隙間にR(赤),G(緑),B(青)の3色のカラ
ーフィルタを形成し、それらの上に透明電極層と配向膜
とを重ねて形成して作製する。
On the other hand, although not shown in detail, the color filter substrate 20 has a light-shielding film formed in a lattice pattern on a transparent insulating substrate by a known method, and R (red), G A color filter of three colors (green) and B (blue) is formed, and a transparent electrode layer and an alignment film are formed on the color filters.

【0022】この後、図2に示すように、これらのアク
ティブマトリクス基板1とカラーフィルタ基板20とを
スペーサ8aを介して約5μmの間隙をもって貼り合わ
せ、その間隙に液晶19を注入する。このとき、アクテ
ィブマトリクス基板1上のTFT領域31のポリイミド
膜8aをスペーサとして用いるので、基板1,20間に
別途スペーサを挿入する必要がない。
Thereafter, as shown in FIG. 2, the active matrix substrate 1 and the color filter substrate 20 are bonded together with a gap of about 5 μm via a spacer 8a, and a liquid crystal 19 is injected into the gap. At this time, since the polyimide film 8a in the TFT region 31 on the active matrix substrate 1 is used as a spacer, it is not necessary to separately insert a spacer between the substrates 1 and 20.

【0023】アクティブマトリクス基板1上のTFT領
域31のポリイミド膜8aはエッチングされておらず所
定の厚さを有しており、しかも電極層よりも上層に設け
られているので絶縁保護膜として有効に働く。また、画
素領域30のポリイミド膜8bは、表面がラビングされ
ているので配向膜として有効に働く。しかも、この画素
領域30のポリイミド膜8bの厚さはTFT領域31の
ポリイミド膜8aの厚さよりも薄く設定されているの
で、動作時に画素領域30のポリイミド膜8bに過度の
電圧降下が生ずることがなく、液晶層に適正な電圧が印
加される。しかも、画素領域30にスペーサ8aが形成
されていないので、画素領域30でスペーサを通して光
漏れが生ずるおそれがない。これらの結果、液晶表示装
置の特性が良好なものになる。
The polyimide film 8a in the TFT region 31 on the active matrix substrate 1 is not etched, has a predetermined thickness, and is provided above the electrode layer, so that it can be effectively used as an insulating protective film. work. Further, the polyimide film 8b in the pixel region 30 effectively works as an alignment film because the surface is rubbed. Moreover, since the thickness of the polyimide film 8b in the pixel region 30 is set smaller than the thickness of the polyimide film 8a in the TFT region 31, an excessive voltage drop may occur in the polyimide film 8b of the pixel region 30 during operation. Instead, an appropriate voltage is applied to the liquid crystal layer. Moreover, since the spacers 8a are not formed in the pixel region 30, there is no possibility that light leaks through the spacers in the pixel region 30. As a result, the characteristics of the liquid crystal display device are improved.

【0024】また、この製造方法では、配向膜と絶縁保
護膜とスペーサとを同一のポリイミド材料8で同時に並
行して形成することになるので、従来例に比して製造プ
ロセスを簡素化でき、液晶表示装置を低コストで作製で
きる。
Further, in this manufacturing method, since the alignment film, the insulating protective film and the spacer are formed simultaneously and in parallel with the same polyimide material 8, the manufacturing process can be simplified as compared with the conventional example. A liquid crystal display device can be manufactured at low cost.

【0025】図3は上記アクティブマトリクス基板1を
作製する別の方法を示している。まず図3(a)に示す
ように、図1の例と全く同様に、ガラスからなる透明絶
縁性基板1上にゲート電極2と、その他の層3,4,
5,6,7を形成し、ソース/ドレイン間を分離する溝
10を形成する。この後、基板1上の略全面に、非感光
性ポリイミド膜18をスピン法により所定の厚さ、例え
ば5μmの厚さに塗布する。続いて、基板1上のポリイ
ミド膜18を約350℃の温度で焼成して重合させる。
FIG. 3 shows another method for manufacturing the active matrix substrate 1. First, as shown in FIG. 3A, a gate electrode 2 and other layers 3, 4 are formed on a transparent insulating substrate 1 made of glass, just like the example of FIG.
5, 6 and 7 are formed, and a trench 10 for separating between source and drain is formed. Thereafter, a substantially non-photosensitive polyimide film 18 is applied to substantially the entire surface of the substrate 1 by a spin method to a predetermined thickness, for example, a thickness of 5 μm. Subsequently, the polyimide film 18 on the substrate 1 is baked at a temperature of about 350 ° C. to be polymerized.

【0026】次に、図3(b)に示すように、フォトリ
ソグラフィを行って、基板1のポリイミド膜18上にレ
ジストパターン9を形成する。具体的には、全面にポジ
型レジストを塗布した後、TFT領域31上を遮光し、
画素領域30上をハーフ露光(通常よりも弱い露光)す
る。なお、電極端子が設けられた領域(図示せず)な
ど、ポリイミド膜8を厚さ方向に関して完全に除去すべ
き領域では、通常の強度の露光を行う。これにより、T
FT領域31のレジスト9aをそのまま残す一方、画素
領域30のレジスト9bを厚さ方向に関して部分的に除
去する。また、電極端子が設けられた領域(図示せず)
などでは、上記レジストを厚さ方向に関して完全に除去
する。続いて、エッチング(例えばアッシング)を行っ
て、図3(c)に示すように、TFT領域31のポリイ
ミド膜18を絶縁保護膜およびスペーサ18aとしてそ
のまま残す一方、画素領域30のポリイミド膜18を厚
さ方向に関して部分的に除去する。また、電極端子が設
けられた領域(図示せず)などでは、ポリイミド膜18
を厚さ方向に関して完全に除去する。この後、ポリイミ
ド膜18の表面にラビング処理を施す。これにより、ポ
リイミド膜18のうち画素領域30上に残された部分1
8bに配向膜の機能をもたせる。
Next, as shown in FIG. 3B, a resist pattern 9 is formed on the polyimide film 18 of the substrate 1 by performing photolithography. Specifically, after applying a positive resist on the entire surface, light is shielded on the TFT region 31,
Half exposure (weaker exposure than usual) is performed on the pixel region 30. In regions where the polyimide film 8 is to be completely removed in the thickness direction, such as regions where electrode terminals are provided (not shown), normal intensity exposure is performed. This gives T
While the resist 9a in the FT region 31 is left as it is, the resist 9b in the pixel region 30 is partially removed in the thickness direction. Also, a region where the electrode terminals are provided (not shown)
For example, the resist is completely removed in the thickness direction. Subsequently, etching (for example, ashing) is performed to leave the polyimide film 18 in the TFT region 31 as an insulating protective film and a spacer 18a as shown in FIG. Partially removed in the vertical direction. In a region (not shown) where the electrode terminals are provided, the polyimide film 18 may be used.
Is completely removed in the thickness direction. Thereafter, a rubbing treatment is performed on the surface of the polyimide film 18. As a result, the portion 1 of the polyimide film 18 left on the pixel region 30
8b has the function of an alignment film.

【0027】この後、図2に示したのと同様に、このア
クティブマトリクス基板1とカラーフィルタ基板20と
をスペーサ18aを介して約5μmの間隙をもって貼り
合わせ、その間隙に液晶19を注入する。このとき、ア
クティブマトリクス基板1上のTFT領域31のポリイ
ミド膜18aをスペーサとして用いるので、基板1,2
0間に別途スペーサを挿入する必要がない。
After that, as shown in FIG. 2, the active matrix substrate 1 and the color filter substrate 20 are bonded together with a gap of about 5 μm via a spacer 18a, and a liquid crystal 19 is injected into the gap. At this time, since the polyimide film 18a in the TFT region 31 on the active matrix substrate 1 is used as a spacer, the substrates 1, 2
There is no need to insert a separate spacer between zeros.

【0028】アクティブマトリクス基板1上のTFT領
域31のポリイミド膜18aはエッチングされておらず
所定の厚さを有しており、しかも電極層よりも上層に設
けられているので絶縁保護膜として有効に働く。また、
画素領域30のポリイミド膜18bは、表面がラビング
されているので配向膜として有効に働く。しかも、この
画素領域30のポリイミド膜18bの厚さはTFT領域
31のポリイミド膜18aの厚さよりも薄く設定されて
いるので、動作時に画素領域30のポリイミド膜18b
に過度の電圧降下が生ずることがなく、液晶層に適正な
電圧が印加される。しかも、画素領域30にスペーサ1
8aが形成されていないので、画素領域30でスペーサ
を通して光漏れが生ずるおそれがない。これらの結果、
液晶表示装置の特性が良好なものになる。
The polyimide film 18a in the TFT region 31 on the active matrix substrate 1 is not etched, has a predetermined thickness, and is provided above the electrode layer, so that it can be effectively used as an insulating protective film. work. Also,
Since the surface of the polyimide film 18b in the pixel region 30 is rubbed, it works effectively as an alignment film. In addition, the thickness of the polyimide film 18b in the pixel region 30 is set to be smaller than the thickness of the polyimide film 18a in the TFT region 31.
An appropriate voltage is applied to the liquid crystal layer without causing an excessive voltage drop. Moreover, the spacer 1 is provided in the pixel region 30.
Since 8a is not formed, there is no possibility that light leaks through the spacer in the pixel region 30. As a result of these,
The characteristics of the liquid crystal display are improved.

【0029】また、この製造方法では、配向膜と絶縁保
護膜とスペーサとを同一のポリイミド材料18で同時に
並行して形成することになるので、従来例に比して製造
プロセスを簡素化でき、液晶表示装置を低コストで作製
できる。
In this manufacturing method, the alignment film, the insulating protective film, and the spacer are formed simultaneously and in parallel with the same polyimide material 18, so that the manufacturing process can be simplified as compared with the conventional example. A liquid crystal display device can be manufactured at low cost.

【0030】また、この例では、ポリイミド膜18は非
感光性であるから、材料(物性)の選択のバリエーショ
ンが広がるとともに、感光基による悪影響が生じない。
Further, in this example, since the polyimide film 18 is non-photosensitive, the choice of materials (physical properties) is widened, and no adverse effect is caused by the photosensitive group.

【0031】なお、ポリイミド膜18がそのまま残され
た領域、厚さ方向に関して部分的に残された領域、厚さ
方向に関して完全に存在しない領域を設けるには、上記
の他に、フォトリソグラフィを2回に分けて行い、ハー
フエッチングと完全なエッチングとを分けて行う方法が
考えられる。また、印刷法により、電極端子が設けられ
た領域を除いた領域のみにポリイミド膜18を設け、通
常のフォトリソグラフィとハーフエッチングとを行って
も良い。
In order to provide a region where the polyimide film 18 is left as it is, a region where the polyimide film 18 is partially left in the thickness direction, and a region where the polyimide film 18 is not completely present in the thickness direction, in addition to the above, photolithography is used. It is conceivable to perform the etching separately and perform the half etching and the complete etching separately. Alternatively, the polyimide film 18 may be provided only in a region excluding the region where the electrode terminals are provided by a printing method, and ordinary photolithography and half etching may be performed.

【0032】図1、図3の例では、スペーサ8a,18
aの厚さを5μmとしたが当然ながらこれに限られるも
のではない。スペーサの厚さは、アクティブマトリクス
基板1とカラーフィルタ基板20との間の必要とされる
間隙(セルギャップ)と製造プロセスが許す範囲で任意
に設定することができる。また、スペーサを設ける位置
は、TFT領域31に限られるものではなく、TFTに
つながる配線が設けられた領域であっても良い。
In the example shown in FIGS. 1 and 3, the spacers 8a, 18
The thickness of “a” was 5 μm, but is not limited to this. The thickness of the spacer can be arbitrarily set as long as the required gap (cell gap) between the active matrix substrate 1 and the color filter substrate 20 and the manufacturing process allow. Further, the position where the spacer is provided is not limited to the TFT region 31, and may be a region where a wiring connected to the TFT is provided.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の液
晶表示装置の製造方法によれば、第1の基板上の画素領
域のポリイミド膜は、厚さ方向に関して部分的に除去さ
れているので動作時に過度の電圧降下が生ずることがな
く、液晶層に適正な電圧が印加される。画素領域以外の
領域のポリイミド膜は、エッチング等されておらず、し
かも電極層よりも上層に設けられているので絶縁保護膜
として有効に働く。したがって、液晶表示装置の特性が
良好なものになる。また、この液晶表示装置の製造方法
では、絶縁保護膜と配向膜とを同一の材料で同時に並行
して形成しているので、従来例に比して製造プロセスが
簡素化され、液晶表示装置が低コストで作製される。
As is clear from the above, according to the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, the polyimide film in the pixel region on the first substrate is partially removed in the thickness direction. An appropriate voltage is applied to the liquid crystal layer without excessive voltage drop during operation. Since the polyimide film in the region other than the pixel region is not etched or the like and is provided above the electrode layer, it works effectively as an insulating protective film. Therefore, the characteristics of the liquid crystal display device are improved. Further, in this method of manufacturing a liquid crystal display device, the insulating protective film and the alignment film are simultaneously formed in parallel with the same material, so that the manufacturing process is simplified as compared with the conventional example, and the liquid crystal display device is manufactured. Produced at low cost.

【0034】一実施形態の液晶表示装置の製造方法で
は、上記第1の基板上に残されたポリイミド膜をスペー
サとして用いるので、絶縁保護膜と配向膜とスペーサと
を同一の材料で並行して形成したことになる。この結
果、上記第1の基板と第2の基板との間に別途スペーサ
を挿入する必要がなくなる。したがって、製造プロセス
がさらに簡素化され、液晶表示装置がさらに低コストで
作製される。しかも、画素領域にスペーサが存在しない
ので、画素領域でスペーサを通して光漏れが生ずるおそ
れがない。
In one embodiment of the method of manufacturing a liquid crystal display device, since the polyimide film left on the first substrate is used as a spacer, the insulating protective film, the alignment film, and the spacer are made of the same material in parallel. It is formed. As a result, it is not necessary to separately insert a spacer between the first substrate and the second substrate. Therefore, the manufacturing process is further simplified, and the liquid crystal display device is manufactured at lower cost. In addition, since there is no spacer in the pixel region, there is no possibility that light leaks through the spacer in the pixel region.

【0035】また、この発明の液晶表示装置では、TF
T領域のポリイミド膜は、第1の基板と第2の基板との
間の必要とされる間隙(セルギャップ)と製造プロセス
が許す範囲で任意に設定され、しかも電極層よりも上層
に設けられているので絶縁保護膜として有効に働く。ま
た、画素領域のポリイミド樹脂の厚さはTFT領域のポ
リイミド膜の厚さよりも薄く設定されているので、動作
時に画素領域のポリイミド膜に過度の電圧降下が生ずる
ことがなく、液晶層に適正な電圧が印加される。したが
って、液晶表示装置の特性が良好なものになる。また、
この液晶表示装置では、絶縁保護膜と配向膜とが同一の
ポリイミド材料からなるので、同時に並行して形成され
得る。したがって、この液晶表示装置は、簡単な製造プ
ロセスで低コストに作製される。
In the liquid crystal display device of the present invention, TF
The polyimide film in the T region is arbitrarily set within a range allowed by the required gap (cell gap) between the first substrate and the second substrate and the manufacturing process, and is provided above the electrode layer. Work effectively as an insulating protective film. In addition, since the thickness of the polyimide resin in the pixel region is set to be smaller than the thickness of the polyimide film in the TFT region, an excessive voltage drop does not occur in the polyimide film in the pixel region during operation, and an appropriate voltage is applied to the liquid crystal layer. A voltage is applied. Therefore, the characteristics of the liquid crystal display device are improved. Also,
In this liquid crystal display device, since the insulating protective film and the alignment film are made of the same polyimide material, they can be formed simultaneously in parallel. Therefore, this liquid crystal display device is manufactured at a low cost by a simple manufacturing process.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の一実施形態の液晶表示装置の製造
方法を説明する工程図である。
FIG. 1 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】 作製された液晶表示装置を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a manufactured liquid crystal display device.

【図3】 この発明の別の実施形態の液晶表示装置の製
造方法を説明する工程図である。
FIG. 3 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

【図4】 従来の液晶表示装置の製造方法を説明する工
程図である。
FIG. 4 is a process diagram illustrating a method for manufacturing a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

8 感光性ポリイミド膜 18 非感光性ポリイミド膜 30 画素領域 31 TFT領域 Reference Signs List 8 photosensitive polyimide film 18 non-photosensitive polyimide film 30 pixel area 31 TFT area

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 338 G09F 9/35 308 9/35 308 G02F 1/136 500 Fターム(参考) 2H090 HB08X HB08Y HC08 HC12 LA02 MB01 2H092 JA24 JB01 NA27 PA02 PA03 PA08 5C094 AA42 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 CA24 EA03 EA04 EA05 EA07 EC00 ED20 FB01 FB15 GB01 5G435 AA17 BB12 CC12 KK05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09F 9/30 338 G09F 9/35 308 9/35 308 G02F 1/136 500 F term (reference) 2H090 HB08X HB08Y HC08 HC12 LA02 MB01 2H092 JA24 JB01 NA27 PA02 PA03 PA08 5C094 AA42 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 CA24 EA03 EA04 EA05 EA07 EC00 ED20 FB01 FB15 GB01 5G435 AA17 BB12 CC12 KK05

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 画素ごとに分割された透明電極およびこ
の透明電極につながるTFTが形成された第1の基板
と、透明電極が形成された第2の基板とを対向させて、
スペーサを介して一定の間隙をもって貼り合わせ、その
間隙に液晶を注入する液晶表示装置の製造方法であっ
て、 上記透明電極とTFTとが形成された第1の基板上に、
略全面に感光性ポリイミド膜を所定の厚さに形成する工
程と、 所定のマスクを用いたハーフ露光および現像を行って、
上記透明電極が占める画素領域の上記ポリイミド膜を厚
さ方向に関して部分的に除去する工程と、 上記第1の基板上に残されたポリイミド膜を焼成して重
合させる工程と、 上記液晶を配向させるために上記ポリイミド膜の表面を
ラビングする工程を有することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
A first substrate on which a transparent electrode divided for each pixel and a TFT connected to the transparent electrode are formed, and a second substrate on which the transparent electrode is formed are opposed to each other;
A method for manufacturing a liquid crystal display device in which a liquid crystal display device is bonded with a certain gap through a spacer and a liquid crystal is injected into the gap, wherein the transparent electrode and the TFT are formed on a first substrate.
A step of forming a photosensitive polyimide film to a predetermined thickness on substantially the entire surface, and performing half exposure and development using a predetermined mask,
A step of partially removing the polyimide film in the pixel region occupied by the transparent electrode in the thickness direction; a step of firing and polymerizing the polyimide film remaining on the first substrate; and aligning the liquid crystal. Rubbing the surface of the polyimide film in order to manufacture the liquid crystal display device.
【請求項2】 画素ごとに分割された透明電極およびこ
の透明電極につながるTFTが形成された第1の基板
と、透明電極が形成された第2の基板とを対向させて、
スペーサを介して一定の間隙をもって貼り合わせ、その
間隙に液晶を注入する液晶表示装置の製造方法であっ
て、 上記透明電極とTFTとが形成された第1の基板上に、
略全面に非感光性ポリイミド膜を所定の厚さに形成する
工程と、 上記第1の基板上のポリイミド膜を焼成して重合させる
工程と、 フォトリソグラフィおよびエッチングを行って、上記透
明電極が占める画素領域の上記ポリイミド膜を厚さ方向
に関して部分的に除去する工程と、 上記液晶を配向させるために上記第1の基板上に残され
たポリイミド膜の表面をラビングする工程を有すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
2. A first substrate on which a transparent electrode divided for each pixel and a TFT connected to the transparent electrode are formed, and a second substrate on which a transparent electrode is formed are opposed to each other.
A method for manufacturing a liquid crystal display device in which a liquid crystal display device is bonded with a certain gap through a spacer and a liquid crystal is injected into the gap, wherein the transparent electrode and the TFT are formed on a first substrate.
A step of forming a non-photosensitive polyimide film to a predetermined thickness on substantially the entire surface; a step of baking and polymerizing the polyimide film on the first substrate; and performing photolithography and etching to occupy the transparent electrode. A step of partially removing the polyimide film in the pixel region in the thickness direction, and a step of rubbing the surface of the polyimide film left on the first substrate to align the liquid crystal. Of manufacturing a liquid crystal display device.
【請求項3】 請求項1または2に記載の液晶表示装置
の製造方法において、 上記第1の基板上に残されたポリイミド膜を上記スペー
サとして用いることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
3. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the polyimide film left on the first substrate is used as the spacer.
【請求項4】 画素ごとに分割された透明電極およびこ
の透明電極につながるTFTが形成された第1の基板
と、透明電極が形成された第2の基板とを対向させて、
スペーサを介して一定の間隙をもって貼り合わせ、その
間隙に液晶を注入してなる液晶表示装置において、 上記第1の基板上で上記透明電極が占める画素領域と上
記TFTが占めるTFT領域にそれぞれ同一のポリイミ
ド樹脂からなる配向膜と絶縁性保護膜が形成され、上記
画素領域のポリイミド樹脂の厚さは上記TFT領域のポ
リイミド樹脂の厚さよりも薄く設定されていることを特
徴とする液晶表示装置。
4. A first substrate on which a transparent electrode divided for each pixel and a TFT connected to the transparent electrode are formed, and a second substrate on which the transparent electrode is formed are opposed to each other.
In a liquid crystal display device in which liquid crystal is injected into the gap with a certain gap through a spacer, a pixel area occupied by the transparent electrode and a TFT area occupied by the TFT on the first substrate are respectively the same. A liquid crystal display device comprising: an alignment film made of a polyimide resin; and an insulating protective film, wherein a thickness of the polyimide resin in the pixel region is set smaller than a thickness of the polyimide resin in the TFT region.
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