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JP2001272922A - Electro-optical device manufacturing method and electro-optical device manufacturing device - Google Patents

Electro-optical device manufacturing method and electro-optical device manufacturing device

Info

Publication number
JP2001272922A
JP2001272922A JP2000082529A JP2000082529A JP2001272922A JP 2001272922 A JP2001272922 A JP 2001272922A JP 2000082529 A JP2000082529 A JP 2000082529A JP 2000082529 A JP2000082529 A JP 2000082529A JP 2001272922 A JP2001272922 A JP 2001272922A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
developer
electro
optical device
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000082529A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Daikou
哲也 大構
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2000082529A priority Critical patent/JP2001272922A/en
Publication of JP2001272922A publication Critical patent/JP2001272922A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶装置の製造過程で使用される、パドル現
像工程における現像ムラをなくす方法及びそのために最
適な装置を提供する。 【解決手段】 長方形の基板のパドル現像工程におい
て、複数の現像液流出管を設け、該複数の現像液流出管
が長方形の基板表面を均等に分担して走査するように移
動させ、基板表面に現像液を載置するのに要する時間差
を極力少なくする。このための装置としては、長方形の
基板を搬送する搬送系と、基板を回転可能な基板支持部
と、長方形の基板の表面に沿って移動可能な複数の現像
液流出管とから構成する。また、パドル現像と同時に洗
浄処理もできるように構成する。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for eliminating development unevenness in a paddle development step used in a manufacturing process of a liquid crystal device and an apparatus optimal for the method. SOLUTION: In a paddle developing step of a rectangular substrate, a plurality of developing solution outflow tubes are provided, and the plurality of developing solution outflow tubes are moved so as to equally share and scan the rectangular substrate surface. The time difference required for placing the developer is minimized. The apparatus for this purpose includes a transport system for transporting a rectangular substrate, a substrate support unit capable of rotating the substrate, and a plurality of developer outlet pipes movable along the surface of the rectangular substrate. In addition, the cleaning process can be performed simultaneously with the paddle development.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は電気光学装置の製
造方法及び電気光学装置の製造に使用される電気光学装
置の製造装置に関するものである。さらに詳しくは、電
気光学パネルを構成する長方形の基板上に対してフォト
リソグラフィ法によってパターンを形成するときのレジ
ストの現像工程に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an electro-optical device and an apparatus for manufacturing an electro-optical device used for manufacturing an electro-optical device. More specifically, the present invention relates to a resist developing process when a pattern is formed on a rectangular substrate constituting an electro-optical panel by a photolithography method.

【0002】[0002]

【背景技術】長方形の基板に対するフォトリソグラフィ
法によるパターン形成は、例えば、電気光学装置の一種
である液晶装置の基板の製造で広く使用されている。フ
ォトリソグラフィ法は一種の写真技術であって、基板上
にレジストを塗布した後、所定のパターンを光で露光
し、現像液による現像処理、ポストベーク、冷却等の工
程を経て、基板上に所望のパターンを得る方法である。
2. Description of the Related Art Pattern formation on a rectangular substrate by a photolithography method is widely used, for example, in manufacturing a substrate of a liquid crystal device which is a kind of electro-optical device. Photolithography is a kind of photographic technology. After applying a resist on a substrate, a predetermined pattern is exposed to light, and through a process such as development processing with a developer, post baking, and cooling, the desired pattern is formed on the substrate. This is a method of obtaining the pattern.

【0003】現像液による現像処理をする場合におい
て、基板と現像液を接触させる方法には、現像液を液槽
に貯留しておいて当該液槽中に基板を浸漬させるデイッ
プ法がある。デイップ法では、現像処理が進むにつれて
現像液が劣化し、現像ムラが生じる欠点がある。この欠
点を解決する手段として、多量の現像液を基板表面にシ
ャワー状に供給しながら現像するシャワー方式がある。
シャワー方式では、常に新鮮な現像液が供給される反
面、現像液の消費量が莫大になり、現像液を回収して再
利用するためには、新たな設備が必要となる。
[0003] In the case of performing a developing process using a developing solution, a method of contacting the substrate with the developing solution includes a dip method in which the developing solution is stored in a liquid tank and the substrate is immersed in the liquid tank. The dip method has a drawback that the developing solution deteriorates as the developing process proceeds, resulting in uneven development. As a means for solving this drawback, there is a shower system in which development is performed while supplying a large amount of a developing solution onto the surface of the substrate in a shower shape.
In the shower system, fresh developer is always supplied, but the consumption of the developer becomes enormous, and new equipment is required to collect and reuse the developer.

【0004】あるいはまた別の方法として、基板表面に
パドル(現像液流出管)から現像液を供給して、現像液
の表面張力を利用して基板表面上に現像液の液盛りを形
成し、一定時間保持して現像処理を行うするパドル方式
も行われている。
[0004] Alternatively, as another method, a developing solution is supplied from a paddle (developing solution outflow pipe) to the substrate surface, and a liquid level of the developing solution is formed on the substrate surface by utilizing the surface tension of the developing solution. A paddle method of performing a development process while holding for a certain period of time has also been used.

【0005】パドル方式は、デイップ法やシャワー方式
に比較して、1回の現像に使用する現像液の量を大幅に
節減できる利点を有し、メンテナンスも容易であるとい
う利点も有するため、電気光学装置の製造方法としても
広く実施されている方法である。
The paddle method has an advantage that the amount of the developer used for one development can be greatly reduced and an advantage that the maintenance is easy as compared with the dip method and the shower method. This method is widely used as a method for manufacturing an optical device.

【0006】上記パドル方式の現像方法において、現像
液流出管を基板表面に沿って移動させながら、現像液供
給管に設けた複数の現像液吐出ノズルから基板表面に現
像液を滴下する方法も採用されている。
In the paddle type developing method, a method is also employed in which a developing solution is dropped from a plurality of developing solution discharge nozzles provided in a developing solution supply tube onto the substrate surface while moving a developing solution outflow tube along the substrate surface. Have been.

【0007】上記パドル方式の現像方法においては、現
像が不均一になって現像ムラを起こさないようにするこ
とが重要である。現像ムラを防ぐには、劣化のない良質
な同じ量の現像液を、基板表面に均一に供給する必要が
ある。
In the above-mentioned paddle type developing method, it is important to prevent the development from becoming non-uniform and causing uneven development. In order to prevent the development unevenness, it is necessary to uniformly supply the same amount of the developing solution of good quality without deterioration to the substrate surface.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】電気光学装置の製造に
おいては、一般に1枚のマザー基板から多数個の電気光
学パネルを面取りして製造することが行われている。電
気光学装置の製造装置では、長方形のマザー基板を基板
の長辺方向に搬送し、順次、所定の工程を経る搬送方式
が採用されている。マザー基板の長辺方向に移動させた
方が、基板を安定して搬送できるとともに、装置のスペ
ースを小さくできるからである。現像液塗布工程、現像
処理工程、現像液洗浄工程も1つの現像装置の中で実施
されるが、基板は1枚毎、基板の長辺に沿った方向に移
動して、各工程を経ている。
In manufacturing an electro-optical device, a large number of electro-optical panels are generally chamfered from one mother substrate. 2. Description of the Related Art In a manufacturing apparatus of an electro-optical device, a transport system in which a rectangular mother substrate is transported in a long side direction of the substrate and sequentially goes through a predetermined process is adopted. By moving the mother substrate in the long side direction, the substrate can be stably transported and the space for the apparatus can be reduced. The developing solution applying step, the developing processing step, and the developing solution cleaning step are also performed in one developing device, but the substrate is moved one by one in a direction along the long side of the substrate and goes through each step. .

【0009】現像液塗布工程において、現像液流出管を
マザー基板の短辺と平行に配置し、長方形のマザー基板
が長辺方向への搬送されるにつれて、マザー基板の1端
の短辺から他端の短辺に現像液が供給される場合には、
マザー基板の一端側の表面から現像液が供給され始める
時とマザー基板の他端側表面まで現像液が供給しおわる
時との間に時間的なズレが生じ、現像ムラの原因とな
る。例えば、長辺の長さ500mmの基板の表面を、毎
秒80mmの速度で現像液流出管を移動させる場合所要
時間は6.25秒となり、最初に現像液が供給された部
分と最後に現像液が供給された部分とでは、現像時間に
6.25秒の差異が生じることになる。現像液流出管と
基板搬送の相対的な移動速度を増して、基板上に短時間
に現像液を供給しようとすると、基板と現像液との濡れ
性が悪いため、現像液が基板表面で弾かれてにスムース
に広がらず、いわゆる液切れ現象を呈するようになる。
In the developing solution application step, a developing solution outflow pipe is arranged in parallel with the short side of the mother substrate, and as the rectangular mother substrate is conveyed in the long side direction, the short side at one end of the mother substrate is removed from the other side. When the developer is supplied to the short side of the end,
There is a time lag between when the developing solution starts to be supplied from one end surface of the mother substrate and when the developing solution is completely supplied to the other end surface of the mother substrate, which causes uneven development. For example, when moving the developer outflow tube at a speed of 80 mm per second on the surface of a substrate having a long side of 500 mm, the required time is 6.25 seconds, and the portion where the developer is supplied first and the last , The development time differs by 6.25 seconds. If the relative movement speed of the developer outflow tube and the substrate transport is increased and the developer is supplied onto the substrate in a short time, the wettability between the substrate and the developer is poor. After that, it does not spread smoothly, and a so-called liquid shortage phenomenon occurs.

【0010】現像時間(基板に現像液が供給され始めて
から、基板全面に現像液が供給されて、さらに基板上に
所定の時間、現像液を保持する時間)に差異が生じる
と、基板面内において得られるレジストパターンの幅に
差が生じる。すなわち、このレジストパターンのばらつ
きに起因して、最終的に基板上に形成されるパターン寸
法について、基板面内でばらつきが生じることになる。
If a difference occurs in the development time (the time when the developer is supplied to the entire surface of the substrate after the developer is supplied to the substrate, and the predetermined time on the substrate, and the time when the developer is held), the difference in the surface of the substrate In the above, there is a difference in the width of the resist pattern obtained. That is, due to the variation in the resist pattern, the dimension of the pattern finally formed on the substrate varies within the substrate surface.

【0011】電気光学装置の一例であるアクティブマト
リクス型の液晶装置で考えると、液晶駆動用素子として
使用するTFD(Thin Film Diode) 素子やTFT(Th
in Film Transistor) 素子のパターン寸法のばらつき
は、スイッチング特性がばらくつことを意味する。よっ
て、TFD素子が、一対の導電膜の間に絶縁層が介され
てなる2端子型の素子であって、一方の導電膜をタンタ
ル(Ta)パターンで形成する場合、タンタルパターン
の幅は2.5μm程度であり、パターン幅のばらつきは
±0.2μm以内にすることが求められている。また、
他方の導電膜を構成するクロム(Cr)パターンを形成
する場合、クロムパターンの幅は3.0μm程度であ
り、パターン幅のばらつきは±0.2μm以内にするこ
とが求められている。
Considering an active matrix type liquid crystal device as an example of an electro-optical device, a TFD (Thin Film Diode) element or a TFT (Thin) used as a liquid crystal driving element.
In Film Transistor Variations in element pattern dimensions mean that switching characteristics vary. Therefore, when the TFD element is a two-terminal element in which an insulating layer is interposed between a pair of conductive films, and one of the conductive films is formed in a tantalum (Ta) pattern, the width of the tantalum pattern is two. It is about 0.5 μm, and the variation in pattern width is required to be within ± 0.2 μm. Also,
When a chromium (Cr) pattern forming the other conductive film is formed, the width of the chromium pattern is about 3.0 μm, and the variation in pattern width is required to be within ± 0.2 μm.

【0012】スパッタリング法により基板の一面全部に
タンタル膜やクロム膜を形成した後、フォトリソグラフ
ィ法を使用してTFD素子用のタンタルパターンやクロ
ムパターンを形成する場合、レジストパターンの現像処
理に要する時間は、通常50〜60秒程度である。理想
的にはこの範囲内で基板全面が同じ時間現像処理される
ことが望ましい。50〜60秒程度の現像時間に対して
6.25秒の現像時間差が生じると10%以上の差が生
じることとなり、基板面内で均一なレジストパターンを
得ることは期待できない。
When a tantalum pattern or a chromium pattern is formed on the whole surface of a substrate by a sputtering method and then a tantalum pattern or a chromium pattern for a TFD element is formed by a photolithography method, a time required for developing a resist pattern is required. Is usually about 50 to 60 seconds. Ideally, it is desirable that the entire surface of the substrate is subjected to the development processing within the same range for the same time. If a development time difference of 6.25 seconds occurs for a development time of about 50 to 60 seconds, a difference of 10% or more occurs, and it is not expected to obtain a uniform resist pattern in the substrate surface.

【0013】生産効率を高めるために液晶装置用のマザ
ー基板の大きさは益々大きくなり、現像時間の差は深刻
な問題となっている。大型のマザー基板に対応可能で現
像液の使用量が少なく、短時間でマザー基板全面に均一
に現像液を載置でき、しかも現像時間差が少なくなる処
理方法の提供が求められている。
In order to increase the production efficiency, the size of a mother substrate for a liquid crystal device has become larger and larger, and the difference in development time has become a serious problem. There is a need for a processing method that can accommodate a large mother substrate, uses a small amount of a developing solution, can uniformly apply the developing solution over the entire mother substrate in a short time, and reduces the difference in developing time.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置の
製造方法は、所定のパターンに露光されたレジストが形
成された長方形の基板の前記レジストを現像液により現
像する電気光学装置の製造方法であって、前記基板を水
平に支持し、複数の現像液流出管を前記基板表面と平行
に移動させながら前記現像液を供給し、所定の時間保持
して現像処理する工程を有することを特徴とする。
A method of manufacturing an electro-optical device according to the present invention is a method of manufacturing an electro-optical device which develops a resist on a rectangular substrate on which a resist exposed to a predetermined pattern is formed by using a developing solution. A step of horizontally supporting the substrate, supplying the developing solution while moving a plurality of developing solution outflow tubes in parallel with the substrate surface, and holding and developing for a predetermined time. And

【0015】長方形の基板に現像液を載せる場合、複数
の現像液流出管を使用して現像液を散布すれば、散布に
要する時間がそれだけ短くなり、しかも現像液が最初に
載置される部分と最後に載置される部分との時間差を小
さくすることができ、基板表面の各部における現像時間
をより均一にすることができる利点を有する。基板のサ
イズが大きくなっても現像液を散布するのに要する時間
を短く抑えることが可能となる。
When a developer is placed on a rectangular substrate, if the developer is sprayed using a plurality of developer outlet pipes, the time required for spraying is shortened accordingly, and the portion where the developer is first placed is placed. And the time difference between the last portion and the portion to be placed can be reduced, and the developing time at each portion of the substrate surface can be made more uniform. Even when the size of the substrate is increased, it is possible to reduce the time required for spraying the developer.

【0016】前記現像処理工程が、さらに、前記基板を
洗浄する工程を含むことを特徴とする。
The developing step may further include a step of cleaning the substrate.

【0017】また、本発明では、前記複数の現像液流出
管として、例えば1本の主管から少なくとも2本の支管
に分岐しているものを使用することができる。主管を1
本にして構造を簡略化し、先端部で2本の支管である現
像液流出管に分岐して、それぞれの現像液流出管が、基
板表面に現像液をのせる範囲を狭くし、現像液の供給時
間を短くすることができる。
Further, in the present invention, as the plurality of developer outflow pipes, for example, those which are branched from one main pipe to at least two branch pipes can be used. One main
The structure is simplified to form a book, and at the tip end, two branch pipes are branched into a developer outflow pipe. Supply time can be shortened.

【0018】また、本発明の電気光学装置の製造方法で
は現像液流出管を2本として、該2本の現像液流出管を
基板の両端から中央に向かって移動させながら現像処理
する手段を採用することができる。
Further, in the method of manufacturing an electro-optical device according to the present invention, a means for performing development while moving the two developing solution outflow tubes from both ends of the substrate toward the center is adopted. can do.

【0019】あるいはまた、該2本の現像液流出管を基
板の中央からに両端向かって移動させながら現像処理す
る方法であっても良い。
Alternatively, a developing method may be employed in which the two developing solution outflow tubes are moved from the center of the substrate toward both ends.

【0020】さらには、2本の現像液流出管のうち1本
の現像液流出管は基板の中央から一端に向かって移動さ
せ、他の1本は基板の一端から中央に向かって移動させ
る方法であっても良い。いずれの場合にあっても1本の
現像液流出管を使用する場合に比較して、所要時間は半
分に短縮できる。
Further, a method in which one of the two developer outflow tubes is moved from the center of the substrate toward one end and the other is moved from one end of the substrate toward the center. It may be. In any case, the required time can be reduced to half as compared with the case where one developer outlet pipe is used.

【0021】前記現像液流出管としては、現像液流出管
の基板と対向する側に複数の現像液吐出ノズルを有する
ものを使用するのが好ましい。
It is preferable to use a developing solution outlet pipe having a plurality of developing solution discharge nozzles on the side of the developing solution outlet pipe facing the substrate.

【0022】なるべく短時間に均一に基板表面全面に現
像液を載置するためである。 さらに、本発明では、長
方形の基板表面を前記現像液流出管が移動する時間が、
現像時間の10%以内とすることが好ましい。
This is because the developing solution is uniformly placed on the entire surface of the substrate in as short a time as possible. Further, in the present invention, the time for the developer outflow tube to move on the surface of the rectangular substrate,
It is preferable that the development time is within 10%.

【0023】レジストパターンの現像処理に要する時間
は、通常50〜60秒程度であり、10%以内の現像時
間の差では顕著な現像ムラは認められないからである。
The time required for the development processing of the resist pattern is usually about 50 to 60 seconds, and no remarkable development unevenness is recognized when the development time is within 10%.

【0024】本発明の電気光学装置の製造装置は、長方
形の基板を有する電気光学装置の製造装置であって、前
記基板を搬送する搬送系と、前記基板を水平に支持する
基板支持部と、基板表面と平行に、前記基板に対して相
対的に移動可能でかつ複数の現像液吐出ノズルを有する
複数の現像液流出管と、前記基板表面上の前記現像液を
洗浄する洗浄手段と、を具備してなる。
An apparatus for manufacturing an electro-optical device according to the present invention is an apparatus for manufacturing an electro-optical device having a rectangular substrate, comprising: a transport system for transporting the substrate; a substrate support for horizontally supporting the substrate; In parallel with the substrate surface, a plurality of developer outflow pipes that are relatively movable with respect to the substrate and have a plurality of developer discharge nozzles, and a cleaning unit that cleans the developer on the substrate surface, It is provided.

【0025】前記洗浄手段は、基板に純水を噴射する水
洗のずるからなることが好ましい。この際、前記現像液
流出管と、前記水洗ノズルと、を前記基板支持部上に配
置し、現像液を基板にのせ、所定時間放置した直後に水
洗処理ができるように構成することが好ましい。同じ基
板支持部上で、現像液載置工程と洗浄工程が連続して行
えるように構成しておくと、作業の連続性が確保され、
かつ現像時間のバラツキを抑えることができる。
It is preferable that the cleaning means is formed by water washing in which pure water is sprayed on the substrate. At this time, it is preferable that the developing solution outflow pipe and the washing nozzle are arranged on the substrate supporting portion, and the developing solution is placed on the substrate, and the washing process can be performed immediately after leaving the developing solution for a predetermined time. On the same substrate supporting part, if it is configured so that the developer mounting step and the cleaning step can be performed continuously, the continuity of the work is secured,
In addition, variations in the development time can be suppressed.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる電気光学装
置の製造方法及びその製造方法に使用するのに適した電
気光学装置の製造装置について詳しく説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention and an apparatus for manufacturing an electro-optical device suitable for use in the manufacturing method will be described in detail.

【0027】図1は、レジストパターンの現像処理工程
を中心とした、電気光学装置の製造工程の一部分を示し
た工程図である。
FIG. 1 is a process diagram showing a part of a manufacturing process of an electro-optical device, mainly focusing on a resist pattern developing process.

【0028】本発明の電気光学装置の製造工程の概略を
示せば、透明なガラスあるいはプラスチックなどからな
るマザー基板の表面全面に、所定の膜を形成した後、こ
の膜上にレジストを塗布する(工程a)。次いで、所定
のマスクを使用してレジストを露光してパターンを焼き
付ける(工程b)。パターンを焼き付けた基板上に現像
液を供給し、所定時間保持したのち、基板を洗浄し、前
記膜上に必要なレジストパターン部分を残す(工程
c)。本発明の中心的な工程である。現像処理工程は基
板表面に現像液を供給し、一定時間保持して現像処理を
行った後、基板を純水洗浄し脱水する工程を含んでい
る。次いで、残ったレジストパターンを低温で焼き固め
(工程d)、さらに冷却(工程e)して、所望のレジス
トパターンを得る。
The manufacturing process of the electro-optical device of the present invention can be summarized as follows. After a predetermined film is formed on the entire surface of a mother substrate made of transparent glass or plastic, a resist is applied on this film ( Step a). Next, the resist is exposed using a predetermined mask to print a pattern (step b). A developer is supplied onto the substrate on which the pattern has been printed, and after maintaining the developer for a predetermined time, the substrate is washed to leave a necessary resist pattern portion on the film (step c). This is a central step of the present invention. The developing process includes a process of supplying a developing solution to the surface of the substrate, holding the developing solution for a certain period of time, performing a developing process, and then washing the substrate with pure water and dehydrating the substrate. Next, the remaining resist pattern is baked at a low temperature (step d) and further cooled (step e) to obtain a desired resist pattern.

【0029】まず、上記のような一連の現像処理工程に
使用する装置について説明する。
First, an apparatus used in the above-described series of development processing steps will be described.

【0030】図2は本発明の電気光学装置の製造装置で
あるレジスト現像装置の一例を示す断面図である。図3
は、図2の現像装置の現像室1を中心にして、上からみ
た平面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing an example of a resist developing apparatus which is an apparatus for manufacturing an electro-optical device according to the present invention. FIG.
3 is a plan view of the developing device of FIG.

【0031】図2の電気光学装置の製造装置は、中央に
配置された現像室1と、この現像室1の基板搬入側と基
板搬出側にそれぞれ隣接して配置された搬入室2と搬出
室3と、これらの部屋を貫通して基板10を搬送する基
板搬送系4と、基板搬送系4により移送されてきた基板
10の表面に、現像液を流出して載置するために現像室
1内に配置された現像液流出管5と、現像液流出管5に
現像液を定量的に送り込むための、定量ポンプ63を含
む現像液供給系6と、基板10の搬送と定量ポンプ63
による現像液の送出を、基板10の搬送のタイミングに
合わせて制御する制御部7とから主として構成されてい
る。
The electro-optical device manufacturing apparatus shown in FIG. 2 includes a developing chamber 1 disposed at the center, a loading chamber 2 and a loading chamber 2 disposed adjacent to the substrate loading side and the substrate loading side of the developing chamber 1, respectively. 3, a substrate transport system 4 for transporting the substrate 10 through these chambers, and a developing chamber 1 for flowing and placing the developer on the surface of the substrate 10 transported by the substrate transport system 4. And a developer supply system 6 including a metering pump 63 for quantitatively feeding the developer into the developer outflow pipe 5, a transfer of the substrate 10, and a metering pump 63.
And a control unit 7 for controlling the delivery of the developing solution according to the transfer timing of the substrate 10.

【0032】基板搬送系4は、回転軸41とローラー4
2から構成されたローラーユニットを搬送ライン40に
沿って多数配置することによって構成されている。現像
室1と搬入室2とを区画する搬入側隔壁11には、基板
搬入口130が形成され、現像室1と搬出室3とを区画
する搬出側隔壁13には、基板搬出口140が形成され
ている。上記搬送系4によって基板10は基板搬入口1
30から現像室1に入り、後述のようにして所定の現像
処理を行った後、基板搬出口140から搬出されるよう
になっている。
The substrate transport system 4 includes a rotating shaft 41 and rollers 4
It is configured by arranging a number of roller units composed of two along the transport line 40. A substrate loading port 130 is formed in the loading partition 11 that partitions the developing chamber 1 and the loading chamber 2, and a substrate loading port 140 is formed in the loading partition 13 that partitions the developing chamber 1 and the loading chamber 3. Have been. The substrate 10 is transferred by the transfer system 4 to the substrate loading port 1.
After entering the developing chamber 1 through the developing chamber 30 and performing a predetermined developing process as described later, the substrate is unloaded from the substrate outlet 140.

【0033】現像室1に入った基板10は、基板を水平
に支持し、かつ、回転自在に構成された基板支持部8上
に移され、現像液を洗浄する洗浄処理を含む現像処理が
行われる。現像室1内に搬送された基板10は、搬送ロ
ーラー42から基板支持部8へ載せかえられる。基板支
持部8は例えば真空チャク機構により基板10を吸着保
持できるようになっている。そして基板支持部8は図示
しない油圧式の押し上げ機構を備えていて、基板10を
吸着保持すると基板10を搬送ローラー42の面よりも
上に押し上げる。この後、現像液流出管より基板上に現
像液が供給される。
The substrate 10 which has entered the developing chamber 1 is transferred onto a rotatable substrate supporting portion 8 which supports the substrate horizontally and performs a developing process including a cleaning process for cleaning the developing solution. Will be The substrate 10 transported into the developing chamber 1 is transferred from the transport roller 42 to the substrate support 8. The substrate supporting portion 8 is capable of holding the substrate 10 by suction, for example, by a vacuum chuck mechanism. The substrate support unit 8 includes a hydraulic push-up mechanism (not shown), and when the substrate 10 is suction-held, pushes the substrate 10 above the surface of the transport roller 42. Thereafter, the developer is supplied onto the substrate from the developer outlet pipe.

【0034】現像液流出管5につて説明する。現像液流
出管5は搬送ライン40に平行(基板が搬送される方向
に対して平行)に設置しても良いし、あるいは搬送ライ
ン40に直角(基板が搬送される方向に対して直角)に
設置しても良い。図2および図3では、2本の現像液流
出管5が、基板が搬送される方向に対し、直角となるよ
うに取り付けている。現像液流出管5は支持アーム51
によって現像室1の天井に取り付けられた支持レール5
4に移動可能に懸垂状態で取り付けられ、図示しない駆
動装置によって基板10のはじからはじまでを移動可能
に構成されている。
The developer outflow pipe 5 will be described. The developer outflow pipe 5 may be installed parallel to the transport line 40 (parallel to the direction in which the substrate is transported), or at right angles to the transport line 40 (at right angles to the direction in which the substrate is transported). May be installed. In FIG. 2 and FIG. 3, the two developer outlet pipes 5 are mounted so as to be perpendicular to the direction in which the substrate is transported. The developer outflow pipe 5 is provided with a support arm 51.
Support rail 5 attached to the ceiling of the developing chamber 1 by
4 is movably attached to the substrate 10 in a suspended state, and is configured to be able to move from the edge of the substrate 10 to the edge of the substrate 10 by a driving device (not shown).

【0035】ここでは現像液流出管5を天井から懸垂状
態で支持した例を示したが、下から立ち上げて支持する
構造であっても良い。
Although the example in which the developer outflow pipe 5 is supported from the ceiling in a suspended state has been described, a structure in which the developer outflow pipe 5 is supported by being raised from below may be used.

【0036】現像液流出管5は、少なくとも2本以上の
複数の現像液流出管からなり、それぞれが基板の平面の
重ならない部分を移動でき、全部の現像液流出管で基板
10の全表面を移動できるように構成されている。
The developing solution outflow pipe 5 is composed of at least two or more developing solution outflow pipes, each of which can move on a non-overlapping part of the plane of the substrate. It is configured to be mobile.

【0037】また、現像液流出管5は、フレキシブルホ
ース53を介して現像液供給系6の主配管50に接続さ
れている。この現像液流出管5の内径は6〜10mm程
度であり、長さはほぼ基板10の短辺方向の長さに等し
くしてある。それぞれの、現像液流出管5の基板10と
対向する位置には複数の現像液吐出ノズル52が設けら
れている。現像液吐出ノズル52の口径は、例えばノボ
ラック系レジストをアルカリ水溶液で現像する場合は1
mm程度であり、現像液吐出ノズル52の間隔は2〜4
mm程度である。しかしながらこれらの値は特に制限が
あるわけではなく、現像液の種類、吐出温度、基板10
と現像液吐出ノズル52の間隔等を考慮して、適宜決め
ればよい。
The developer outlet pipe 5 is connected to a main pipe 50 of the developer supply system 6 via a flexible hose 53. The inner diameter of the developer outflow tube 5 is about 6 to 10 mm, and the length is substantially equal to the length of the substrate 10 in the short side direction. A plurality of developing solution discharge nozzles 52 are provided at respective positions of the developing solution outflow pipes 5 facing the substrate 10. The diameter of the developer discharge nozzle 52 is, for example, 1 when developing a novolak-based resist with an aqueous alkaline solution.
mm, and the interval between the developer discharge nozzles 52 is 2 to 4 mm.
mm. However, these values are not particularly limited, and the type of developer, the discharge temperature,
The distance may be determined as appropriate in consideration of the distance between the developing solution discharge nozzle 52 and the like.

【0038】現像液供給系6は、本発明の液晶装置の製
造装置外に配置された現像液タンク61と、現像液タン
ク61から現像液流出管5の現像液を供給するための供
給側配管62とを備えている。そして供給側配管62に
よる現像液の供給経路の途中には、定量ポンプ63、フ
ィルター64、電磁弁65及びサックバック66がこの
順序で挿入されている。
The developing solution supply system 6 includes a developing solution tank 61 disposed outside the apparatus for manufacturing the liquid crystal device of the present invention, and a supply pipe for supplying the developing solution from the developing solution tank 61 to the developing solution outflow pipe 5. 62. A metering pump 63, a filter 64, a solenoid valve 65, and a suck back 66 are inserted in this order in the middle of the supply path of the developer through the supply pipe 62.

【0039】現像液タンク61は、窒素等の不活性ガス
でパージされていて、現像液が空気と反応して酸化劣化
するのを防止するようにしてある。また、現像液タンク
61には必要により新しい現像液が補給されるようにな
っている。
The developing solution tank 61 is purged with an inert gas such as nitrogen to prevent the developing solution from reacting with air and being oxidized and deteriorated. The developer tank 61 is supplied with a new developer as needed.

【0040】定量ポンプ63は、現像液を現像液タンク
61から現像液流出管5に定量的に供給するものであ
る。定量ポンプ63は図示しない流量コントローラーを
備えており、制御部7からの信号で電磁弁65が開く
と、現像液流出管5に現像液を送り込み、各現像液吐出
ノズル52から所定量の現像液が吐出されるようになっ
ている。基板10の大きさや、現像液の種類が変更にな
った場合には、制御部を通して適宜流量コントローラー
を調整し、所定量の現像液が供給されるようにする。
The metering pump 63 supplies the developing solution from the developing solution tank 61 to the developing solution outflow pipe 5 quantitatively. The metering pump 63 includes a flow controller (not shown). When the solenoid valve 65 is opened by a signal from the control unit 7, the developing solution is sent to the developing solution outflow pipe 5, and a predetermined amount of developing solution is supplied from each developing solution discharge nozzle 52. Is discharged. When the size of the substrate 10 or the type of the developing solution is changed, the flow controller is appropriately adjusted through the control unit so that a predetermined amount of the developing solution is supplied.

【0041】フィルター64は、現像液に万が一混入し
た異物を除去するためのものであり、従来周知のものが
利用できる。
The filter 64 is for removing foreign matter that is mixed in the developing solution, and a conventionally known filter can be used.

【0042】サックバック66は、電磁弁65が閉じた
ときに配管内の現像液の圧力を負圧にして、現像液吐出
ノズル52からの現像液の滴下を防止するためのもので
ある。
The suck back 66 is for reducing the pressure of the developing solution in the pipe to a negative pressure when the electromagnetic valve 65 is closed to prevent the developing solution from dropping from the developing solution discharge nozzle 52.

【0043】本装置の現像室1内では、現像液を基板に
のせて、所定の時間現像液を基板上に載置した後、引き
続き現像処理の後半に相当する洗浄処理を行う。基板支
持部8は図示しない電動式の回転機構を備えていて、吸
着保持された基板10を回転させ、基板10の中心部直
上に配置された水洗ノズル9から散水された洗浄用の純
水によって基板表面の洗浄するとともに、回転の遠心力
を利用して基板から純水を吹き飛ばす。洗浄が終了する
と、再び基板支持部8を搬送ローラー42のレベルまで
下げて、基板10を搬出室3側の搬送ローラー42へ載
せ変えて、搬出室3へ搬送する。
In the developing chamber 1 of the present apparatus, the developing solution is placed on the substrate, the developing solution is placed on the substrate for a predetermined time, and then the cleaning process corresponding to the latter half of the developing process is performed. The substrate supporting unit 8 is provided with an electric rotating mechanism (not shown), and rotates the suction-held substrate 10 by using pure water for cleaning sprayed from a water washing nozzle 9 disposed immediately above the center of the substrate 10. The surface of the substrate is cleaned, and pure water is blown off from the substrate by using the centrifugal force of rotation. When the cleaning is completed, the substrate supporting unit 8 is lowered again to the level of the transport rollers 42, the substrate 10 is placed on the transport rollers 42 on the unloading chamber 3 side, and transported to the unloading chamber 3.

【0044】次に、図2に示した電気光学装置の製造装
置を使用して液晶装置を製造する際の現像処理の方法に
ついて説明する。
Next, a description will be given of a method of development processing when a liquid crystal device is manufactured using the manufacturing apparatus for an electro-optical device shown in FIG.

【0045】図3は、図2に示した電気光学装置の製造
装置の現像室1を中心にして、上から見た平面配置を示
す図である。フォトレジストが塗布されてレジストが所
定パターンに露光された基板10が、基板搬送系4によ
って搬入室2から現像室1へ搬入される。現像室1へ搬
入された基板10は、基板支持部8に乗せられる。基板
10の一端である一短辺(図3では右端)と基板10の
中央上に配置された2本の現像液流出管5a,5bから
現像液が定量的に吐出し、同時に現像液流出管5a,5
bは基板10の他端である一短辺に対向する他短辺(図
3では左端)方向に向かって一定の間隔を保って所定の
速度で移動する。この間に基板10の表面に滴下された
現像液はレジストが塗布された基板の一表面の全面に広
がり、表面張力により一定厚さの均一な液盛りを形成す
る。
FIG. 3 is a diagram showing a plan view of the developing apparatus 1 of the electro-optical device manufacturing apparatus shown in FIG. The substrate 10 to which the photoresist has been applied and the resist has been exposed in a predetermined pattern is carried into the developing chamber 1 from the carry-in chamber 2 by the substrate transport system 4. The substrate 10 carried into the developing chamber 1 is placed on the substrate support 8. The developer is quantitatively discharged from one short side (the right end in FIG. 3) which is one end of the substrate 10 and the two developer outflow tubes 5a and 5b arranged on the center of the substrate 10, and at the same time, the developer outflow tube 5a, 5
b moves at a predetermined speed in a direction of the other short side (the left end in FIG. 3) opposite to one short side which is the other end of the substrate 10 at a predetermined interval. During this time, the developer dropped on the surface of the substrate 10 spreads over the entire surface of the substrate on which the resist is applied, and forms a uniform liquid with a constant thickness due to surface tension.

【0046】図3に示した例では、現像液流出管5bと
現像液流出管5aはの主管から分岐して配管されてお
り、主管がフレキシブルチューブ54を介して現像液供
給系6の主配管50に接続されている。このように2本
の現像液流出管5a,5bは互いに一定の間隔を保って
平行に配置されており、基板10の表面を2分して現像
液をのせることができるように構成されている。
In the example shown in FIG. 3, the developer outlet pipe 5b and the developer outlet pipe 5a are branched from the main pipe, and the main pipe is connected to the main pipe of the developer supply system 6 via the flexible tube 54. 50. As described above, the two developer outflow pipes 5a and 5b are arranged in parallel at a constant distance from each other, and are configured so that the surface of the substrate 10 can be divided into two parts to apply the developer. I have.

【0047】図4は現像液流出管5a,5bが移動する
様子を説明する概観図である。現像液流出管5a,5b
は支持アーム51を介して現像室1内に設けられた支持
レール54に懸垂状態で支えられ、図示しない駆動装置
によって図面F方向あるいはF方向と反対方向に移動す
る。勿論、現像液流出管5a,5bは支持アーム51を
介して下から支えるような方式でも良い。
FIG. 4 is a schematic view for explaining how the developer outflow pipes 5a and 5b move. Developer outflow pipes 5a, 5b
Is suspended by a support rail 54 provided in the developing chamber 1 via a support arm 51, and is moved in a direction F or a direction opposite to the direction F by a driving device (not shown). Of course, the developing solution outflow pipes 5a and 5b may be supported from below via the support arm 51.

【0048】この時、現像液流出管5a,5bの移動方
向は、図5に詳細に示すように現像液流出管5aは基板
10の一端(図5では右端)から中央部に向かい、現像
液流出管5bは基板10の中央部から他端(図5では左
端)に向かう図中Fの方向に移動させることとする。2
本の現像液流出管5a,5bによって基板10の表面を
半分づつカバーして、液盛りを形成する間の時間差を少
なくするためである。
At this time, the moving direction of the developer outflow tubes 5a and 5b is such that the developer outflow tube 5a is directed from one end (the right end in FIG. 5) of the substrate 10 to the center as shown in detail in FIG. The outflow pipe 5b is moved in the direction of F in the figure from the center of the substrate 10 to the other end (the left end in FIG. 5). 2
This is because the developer outflow pipes 5a and 5b cover the surface of the substrate 10 half by half to reduce the time difference between the formation of the liquid pool.

【0049】液盛りを形成する間の時間差が少なくなる
結果、最初の現像液が載置された部分(図5では右端と
中央部の記号Sの部分)と、現像液が最後に載置された
部分(図5では中央部と左端の記号Eの部分)とで現像
時間差が小さくなり、現像ムラを回避することができ
る。
As a result, the time difference between the formations of the liquid reservoirs is reduced, and as a result, the portion where the first developing solution is placed (the portion indicated by the symbol S at the right end and the center in FIG. 5) and the portion where the developing solution is placed last The development time difference between the portion (the center portion and the portion indicated by the symbol E at the left end in FIG. 5) becomes small, and uneven development can be avoided.

【0050】2本の現像液流出管5a,5bによって基
板10の表面を半分づつカバーさせる場合に、現像液流
出管5a,5bの配置と移動方法の他の例を、図6と図
7に示す。図6では、2本の現像液流出管5a,5bが
基板10の両端に配置されており、基板10の中央部に
向かって同じ速度で移動するように構成されている。
FIGS. 6 and 7 show another example of the arrangement and movement of the developer outflow pipes 5a and 5b when the surface of the substrate 10 is covered in half by the two developer outflow pipes 5a and 5b. Show. In FIG. 6, two developer outflow pipes 5a and 5b are arranged at both ends of the substrate 10, and are configured to move at the same speed toward the center of the substrate 10.

【0051】図7では、2本の現像液流出管5a,5b
が基板10の中央に配置されており、基板10の両端部
に向かって互いに反対方向に同じ速度で移動するように
構成されている。いずれの場合においても、2本の現像
液流出管5a,5bによって基板10の表面を半分づつ
カバーして、液盛りを形成する間の時間差を少なくする
ことができる。
In FIG. 7, two developer outlet pipes 5a and 5b are provided.
Are arranged at the center of the substrate 10 and are configured to move toward opposite ends of the substrate 10 in opposite directions at the same speed. In any case, the surface of the substrate 10 is covered in half by the two developer outlet pipes 5a and 5b, so that the time difference between the formation of the liquid pool can be reduced.

【0052】なお、いずれの場合にも現像液流出管5
a,5bを移動させる方向を、基板10の短辺に沿った
方向(図5の矢印Fと直角方向)とすれば、さらに液盛
りを形成する間の時間差を少なくすることが可能とな
る。
In any case, the developer outflow pipe 5
If the direction in which a and 5b are moved is along the short side of the substrate 10 (perpendicular to the arrow F in FIG. 5), it is possible to further reduce the time difference between the formations of the liquid.

【0053】ここでは2本の現像液流出管がある場合に
ついて説明したが、基板の大きさによって、さらに多く
の現像液流出管を配置すれば、基板面内の任意の箇所で
現像時間をほぼ一定に保って均一な現像処理が可能とな
る。
Here, the case where there are two developer outflow pipes has been described. However, if more developer outflow pipes are arranged depending on the size of the substrate, the development time can be substantially reduced at an arbitrary position on the substrate surface. Uniform development processing can be performed while keeping the temperature constant.

【0054】図8には、図4及び図5のように現像液流
出管5a,5bを移動させて得られる現像液の液盛りの
形成過程を示してある。まず、現像液流出管5aによっ
て基板10上の一端部Sに滴下された現像液は、周辺に
広がって表面張力により液盛り20aを形成し、現像液
流出管5bによって基板10上の中央部Sに滴下された
現像液は、周辺に広がって表面張力により液盛り20b
を形成する(図8a参照)。現像液流出管5,5bが移
動するに従って、液盛り20a、20bも順次拡大し
(図8b参照)、現像液流出管5bが基板10上の他端
部に到達したときには、図8cに示すように基板10の
全面にわたって液盛り20が形成される。
FIG. 8 shows a process of forming a liquid bank of the developing solution obtained by moving the developing solution outflow pipes 5a and 5b as shown in FIGS. First, the developer dropped onto one end S on the substrate 10 by the developer outlet pipe 5a spreads to the periphery to form a liquid reservoir 20a by surface tension, and the central part S on the substrate 10 is formed by the developer outlet pipe 5b. The developer dropped on the surface spreads to the periphery, and the surface tension causes the liquid 20b to rise.
(See FIG. 8A). As the developer outflow pipes 5 and 5b move, the liquid reservoirs 20a and 20b also sequentially expand (see FIG. 8B), and when the developer outflow pipe 5b reaches the other end on the substrate 10, as shown in FIG. The liquid 20 is formed over the entire surface of the substrate 10.

【0055】基板10の全面にわたって液盛り20が形
成された後、現像液の供給を停止して所定時間保持して
現像処理をする。現像処理が終了すると図2に示す基板
支持部8を回転させながら、現像室1の天井に取り付け
られた散水ノズル9から洗浄用の純水を散布し、基板1
0の表面を十分に洗浄する。洗浄を終えた基板10は、
再び基板搬送系4により搬出室3に搬送し、次工程に送
られる。洗浄水としては、純度の高い純水が好ましい。
After the liquid 20 is formed on the entire surface of the substrate 10, the supply of the developing solution is stopped and the developing process is performed for a predetermined time. When the developing process is completed, pure water for cleaning is sprayed from a water spray nozzle 9 attached to the ceiling of the developing chamber 1 while rotating the substrate supporting portion 8 shown in FIG.
0 surface is thoroughly washed. The substrate 10 after cleaning is
The substrate is again transported to the unloading chamber 3 by the substrate transport system 4 and sent to the next step. As the washing water, pure water having high purity is preferable.

【0056】また、本発明で現像時間とは、基板の一端
から現像液が供給され始めた時から、他端まで現像液が
供給された後、一定時間保持されて、基板の洗浄が始ま
る前までをいう。
In the present invention, the developing time is defined as the time from when the developing solution is supplied from one end of the substrate to the time when the developing solution is supplied to the other end and is maintained for a certain period of time before the cleaning of the substrate is started. Up to.

【0057】この一連の工程は、基板10の搬送・回
転、現像液流出管5の移動、現像液の吐出、洗浄水の吐
出等全ての工程を制御部7からの信号で自動的に制御す
ることができる。
In this series of steps, all the steps such as transport / rotation of the substrate 10, movement of the developer outflow pipe 5, discharge of the developer, and discharge of the washing water are automatically controlled by the signal from the control unit 7. be able to.

【0058】(液晶装置の具体例)本発明の電気光学装
置の製造方法と現像装置を使用して製造される電気光学
装置の一例として、アクティブマトリクス型の液晶装置
を説明する。この液晶装置は、スイッチング素子として
TFD素子を備えるものである。
(Specific Example of Liquid Crystal Device) An active matrix type liquid crystal device will be described as an example of an electro-optical device manufactured using the method of manufacturing an electro-optical device and the developing device of the present invention. This liquid crystal device includes a TFD element as a switching element.

【0059】図9は、本発明の製造方法により得られる
電気光学装置を備え、スイッチング素子としてTFD素
子を用いた液晶装置の部分構成図を示す図である。図9
において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材の縮尺は実際のものとは
異なるように表わしている。
FIG. 9 is a diagram showing a partial configuration of a liquid crystal device provided with an electro-optical device obtained by the manufacturing method of the present invention and using a TFD element as a switching element. FIG.
In order to make each layer and each member large enough to be recognized in the drawings, the scale of each layer and each member is shown differently from the actual one.

【0060】図9に示すように、液晶装置100におい
て、TFD素子25を備えた素子基板(下側基板)11
1と、カラーフィルター層18を備えたカラーフィルタ
ー基板(上側基板)121とが、それぞれの基板の周縁
部において図示は省略しているシール材を介して所定間
隔を保って貼り合わせてあり、素子基板111とカラー
フィルター基板121の間に液晶層(図示省略)が挟持
されている。素子基板111は、ガラスあるいはプラス
ティックからなる透明の基板110と、その上に形成さ
れた画素電極28とTFD素子25とを主体に構成され
ている。カラーフィルター基板121は、ガラス等から
なる透明の基板120と、その下面側(液晶層側)に積
層形成されたカラーフィルター層18と透明電極19と
を主体に構成されている。
As shown in FIG. 9, in the liquid crystal device 100, an element substrate (lower substrate) 11 having a TFD element 25 is provided.
1 and a color filter substrate (upper substrate) 121 provided with a color filter layer 18 are bonded at a predetermined interval via a sealing material (not shown) at a peripheral portion of each substrate. A liquid crystal layer (not shown) is sandwiched between the substrate 111 and the color filter substrate 121. The element substrate 111 mainly includes a transparent substrate 110 made of glass or plastic, and a pixel electrode 28 and a TFD element 25 formed thereon. The color filter substrate 121 mainly includes a transparent substrate 120 made of glass or the like, a color filter layer 18 and a transparent electrode 19 laminated on the lower surface side (liquid crystal layer side).

【0061】図9に示すように、基板110上には、複
数の画素電極28がマトリクス状に配置され、これらの
画素電極28を駆動するためのTFD素子25が各画素
電極28毎に配置されている。また、基板110上にお
いて、画素電極28、TFD素子25の間には、TFD
素子を列あるいは行毎に接続する、複数の配線部21が
設けられる。
As shown in FIG. 9, a plurality of pixel electrodes 28 are arranged in a matrix on a substrate 110, and a TFD element 25 for driving these pixel electrodes 28 is arranged for each pixel electrode 28. ing. On the substrate 110, a TFD is provided between the pixel electrode 28 and the TFD element 25.
A plurality of wiring portions 21 for connecting the elements for each column or row are provided.

【0062】基板120の液晶層側の表面上には、カラ
ー画素18a及び遮光層(ブラックマトリックス)18
bからなるカラーフィルター層18が形成されている。
カラー画素18aは、着色感材法、染色法、転写法、印
刷法などにより形成され、例えばR(赤)、G(緑)、
B(青)の3色が所定のパターンで配列している。ま
た、遮光層18bはカラー画素18aが形成されない箇
所に形成され、クロムなどの金属や、黒色顔料を分散さ
せたカラーレジストなどから構成されている。カラーフ
ィルター層18の液晶層側には、インジウム錫酸化物
( Injium Tin Oxide :ITO)などからなる複数の透
明電極19が各々短冊状に形成され、各透明電極19は
素子基板110に設けられた配線部21と交差するよう
に設けられている。また、カラーフィルター層18と透
明電極19との間には保護膜や絶縁膜などが形成されて
いるが、図面上は簡略化のため省略している。
On the surface of the substrate 120 on the liquid crystal layer side, the color pixels 18 a and the light-shielding layer (black matrix) 18
b, a color filter layer 18 is formed.
The color pixels 18a are formed by a coloring material method, a dyeing method, a transfer method, a printing method, and the like. For example, R (red), G (green),
Three colors B (blue) are arranged in a predetermined pattern. The light-shielding layer 18b is formed at a portion where the color pixels 18a are not formed, and is made of a metal such as chrome, a color resist in which a black pigment is dispersed, or the like. On the liquid crystal layer side of the color filter layer 18, a plurality of transparent electrodes 19 made of, for example, indium tin oxide (ITO) are formed in a strip shape, and each transparent electrode 19 is provided on the element substrate 110. It is provided so as to intersect with the wiring part 21. Further, a protective film, an insulating film, and the like are formed between the color filter layer 18 and the transparent electrode 19, but are omitted in the drawing for simplification.

【0063】液晶装置100において、透明電極19、
配線部21のうち、一方には走査信号が印加され、もう
一方にはデータ信号が印加される。
In the liquid crystal device 100, the transparent electrodes 19,
The scanning signal is applied to one of the wiring portions 21 and the data signal is applied to the other.

【0064】画素電極28の液晶層側、透明電極19の
液晶層側には配向膜が形成されているが、図面上は簡略
化のため省略している。また、素子基板111、カラー
フィルター基板121間には、液晶セルのセルギャップ
を均一化するために多数の球状のスペーサーが配置され
ているが図面上は省略している。また、素子基板11
1、カラーフィルター基板121の外側には位相差板、
偏光板などの光学素子が設置されているが、図面上は省
略している。
Although an alignment film is formed on the liquid crystal layer side of the pixel electrode 28 and on the liquid crystal layer side of the transparent electrode 19, they are omitted in the drawing for simplicity. Further, between the element substrate 111 and the color filter substrate 121, a large number of spherical spacers are arranged in order to equalize the cell gap of the liquid crystal cell, but are omitted in the drawing. Also, the element substrate 11
1. a retardation plate outside the color filter substrate 121;
Although an optical element such as a polarizing plate is provided, it is omitted in the drawing.

【0065】上記の液晶装置100の素子基板111を
取り上げて、本発明に係る電気光学装置の製造方法を説
明する。
With reference to the element substrate 111 of the liquid crystal device 100, a method for manufacturing an electro-optical device according to the present invention will be described.

【0066】図10は、液晶装置に使用するTFD素子
の一例を示す平面図である。図10は、液晶装置を構成
する一つの画素30の液晶駆動素子の近傍部分を拡大し
て示したものである。図11は、図10に示すTFD素
子の線A−A’に沿った断面構造を示す図である。
FIG. 10 is a plan view showing an example of a TFD element used in a liquid crystal device. FIG. 10 is an enlarged view of a portion near one liquid crystal driving element of one pixel 30 constituting the liquid crystal device. FIG. 11 is a diagram showing a cross-sectional structure of the TFD element shown in FIG. 10 along line AA ′.

【0067】図10及び図11において、TFD素子2
5は基板110上に形成された絶縁膜を下地層31とし
て、この上に順に形成された第1導電膜であるタンタル
パターン22、タンタルの陽極酸化膜からなる絶縁膜2
4及び第2導電膜であるクロムパターン26から構成さ
れたTFD構造を形成している。タンタルパターン22
は基板110上に形成された配線部21の第1導電膜に
接続されており、クロムパターン26はインジウム錫酸
化物等からなる透明な画素電極28の隅部に一部が重複
して接続されている。タンタルパターン22の厚さは約
150nm程度、絶縁膜24の厚さは約50nm程度、
クロムパターン26の厚さは約80〜100nm程度で
ある。
In FIGS. 10 and 11, the TFD element 2
Reference numeral 5 denotes a tantalum pattern 22, which is a first conductive film, and an insulating film 2 made of a tantalum anodic oxide film formed on the insulating film formed on the substrate 110 as a base layer 31 in this order.
4 and a TFD structure composed of a chromium pattern 26 as a second conductive film. Tantalum pattern 22
Is connected to the first conductive film of the wiring portion 21 formed on the substrate 110, and the chromium pattern 26 is partially connected to the corner of the transparent pixel electrode 28 made of indium tin oxide or the like. ing. The thickness of the tantalum pattern 22 is about 150 nm, the thickness of the insulating film 24 is about 50 nm,
The thickness of the chrome pattern 26 is about 80 to 100 nm.

【0068】このような画素30が多数個マトリクス状
に配列されて、1個の液晶画面を構成している。液晶装
置の製造工程では、1枚の基板の上には多数の液晶画面
を同時に形成する方法が採られている。
A large number of such pixels 30 are arranged in a matrix to form one liquid crystal screen. In a liquid crystal device manufacturing process, a method of simultaneously forming a large number of liquid crystal screens on a single substrate is employed.

【0069】このようなTFD素子25は、以下のよう
な工程を経て形成させる。
Such a TFD element 25 is formed through the following steps.

【0070】図12は、ガラス等から形成される透明な
基板上にTFD素子を形成する工程を示したものであ
る。先ず、工程(a)では、大きさが(例えば、470
×600)mmのガラス製の基板110の上に、下地層
31としてタンタル(Ta)膜をスパッタリングにより
基板表面の全面に堆積させた後、熱酸化させることによ
り50〜200μm程度の厚さの酸化タンタル膜を形成
する。このように下地層31を形成することにより、基
板110と後述するTFD素子の構成要素であるタンタ
ル膜との密着性を向上させることが可能となり、また、
基板110からタンタル膜への不純物の拡散を防止する
こともできる。なお、タンタル膜への不純物の拡散が問
題とならない場合には、下地層31の形成を省略するこ
とができる。
FIG. 12 shows a process for forming a TFD element on a transparent substrate made of glass or the like. First, in step (a), the size is (for example, 470).
A tantalum (Ta) film as a base layer 31 is deposited on the entire surface of the substrate by sputtering on a glass substrate 110 of × 600) mm, and then thermally oxidized to a thickness of about 50 to 200 μm. A tantalum film is formed. By forming the base layer 31 in this manner, it is possible to improve the adhesion between the substrate 110 and a tantalum film, which is a component of a TFD element described later,
It is also possible to prevent diffusion of impurities from the substrate 110 to the tantalum film. If the diffusion of impurities into the tantalum film does not pose a problem, the formation of the underlayer 31 can be omitted.

【0071】次に、下地層31の上に、第1の導電膜と
してタングステンが0.1〜6原子%の割合で含まれた
タンタルターゲットを使用し、スパッタリングにより1
00〜500nm程度の厚さのタンタル合金膜122を
成膜する。
Then, a tantalum target containing 0.1 to 6 atomic% of tungsten is used as the first conductive film on the underlayer 31 and the first conductive film is formed by sputtering.
A tantalum alloy film 122 having a thickness of about 00 to 500 nm is formed.

【0072】次に、工程(b)では、工程(a)にて形
成されたタンタル合金膜122をフォトエッチングによ
りパターニングして、配線部21のタンタルパターンと
素子部のタンタルパターン22を形成する。
Next, in the step (b), the tantalum alloy film 122 formed in the step (a) is patterned by photoetching to form a tantalum pattern of the wiring portion 21 and a tantalum pattern 22 of the element portion.

【0073】タンタル合金膜122をフォトエッチング
によりパターニングするには、図1に示した工程に従っ
て、基板110上のタンタル合金膜122の表面にフォ
トレジストを塗布し(図1a)、所定のパターンを有す
るマスクによりレジストを露光して(図1b)、現像液
を使用して現像処理を施し(図1c)、ポストベーク
(図1d)した後、冷却してレジストパターンを得る。
次いで、レジストパターンを載置した基板110をエッ
チング処理すれば、図12(b)に示す配線部21のタ
ンタルパターンと素子部のタンタルパターン22が得ら
れる。
In order to pattern the tantalum alloy film 122 by photoetching, a photoresist is applied to the surface of the tantalum alloy film 122 on the substrate 110 (FIG. 1a) according to the process shown in FIG. The resist is exposed with a mask (FIG. 1b), subjected to a development process using a developer (FIG. 1c), post-baked (FIG. 1d), and cooled to obtain a resist pattern.
Next, by etching the substrate 110 on which the resist pattern is mounted, a tantalum pattern of the wiring portion 21 and a tantalum pattern 22 of the element portion shown in FIG. 12B are obtained.

【0074】さらに詳しくパドル現像処理の条件を説明
すると、フォトレジストは1.3μm厚さに塗布する。
次いで所定のパターンを露光した後、現像処理をする。
To explain the conditions of the paddle developing process in more detail, a photoresist is applied to a thickness of 1.3 μm.
Next, after a predetermined pattern is exposed, development processing is performed.

【0075】現像液を基板上にのせ、そのまま60秒間
静置して現像処理を行って、基板支持部8を回転させな
がら、水洗ノズル9から純水を散布して洗浄し、水を切
って現像処理を終了する。次に、図12に示す工程
(c)では、図12(b)工程で得られた配線部21の
タンタルパターンと素子部のタンタルパターン22の上
に、陽極酸化法により20〜70μm程度の厚さのタン
タル酸化膜からなる絶縁膜24を形成する。
A developing solution is placed on the substrate, and the substrate is left standing for 60 seconds to perform a developing process. While rotating the substrate supporting portion 8, pure water is sprayed from the washing nozzle 9 to wash the substrate. The development processing ends. Next, in step (c) shown in FIG. 12, a thickness of about 20 to 70 μm is formed on the tantalum pattern of the wiring portion 21 and the tantalum pattern 22 of the element portion obtained in the step of FIG. An insulating film 24 made of a tantalum oxide film is formed.

【0076】次に、図12に示す工程(d)では、図1
2(c)工程で得られた素子部のタンタルパターン22
上に形成された絶縁膜24と一部が重なるように、第2
の導電膜となるクロム(Cr)パターン26を形成す
る。クロムパターン26の厚さは50〜300μmとす
る。
Next, in step (d) shown in FIG.
Tantalum pattern 22 of element portion obtained in step 2 (c)
The second insulating film 24 is formed so as to partially overlap the insulating film 24 formed thereon.
A chromium (Cr) pattern 26 to be a conductive film is formed. The chrome pattern 26 has a thickness of 50 to 300 μm.

【0077】絶縁膜24と一部が重なるようにクロムパ
ターン26を形成するに際しても、先ず、全面にクロム
膜をスパッタリング成膜した後、クロム膜をフォトエッ
チングによりパターニングする。フォトエッチングの工
程は、前述のタンタル合金膜のフォトエッチングの場合
と同様であるので、詳しい説明は省略する。
When forming the chromium pattern 26 so as to partially overlap the insulating film 24, first, a chromium film is formed by sputtering over the entire surface, and then the chromium film is patterned by photoetching. The photo-etching process is the same as the above-described photo-etching of the tantalum alloy film, and therefore, detailed description is omitted.

【0078】そして最後に、図12に示す工程(e)で
は、クロムパターン26とその一部が重なるようにし
て、厚さ30〜200nmのITOからなる透明な画素
電極28を形成する。
Finally, in a step (e) shown in FIG. 12, a transparent pixel electrode 28 made of ITO having a thickness of 30 to 200 nm is formed so that the chromium pattern 26 and a part thereof overlap.

【0079】画素電極28を形成する際も、前記タンタ
ルパターンやクロムパターンの形成の場合と同様に、先
ず、全面にITO膜をスパッタリング成膜した後、IT
O膜をフォトエッチングによりパターニングする。フォ
トエッチングの工程は、前述のタンタル合金膜のフォト
エッチングの場合と同様であるので、詳しい説明は省略
する。
When the pixel electrode 28 is formed, similarly to the case of forming the tantalum pattern or the chromium pattern, first, an ITO film is formed on the entire surface by sputtering, and then the ITO film is formed.
The O film is patterned by photoetching. The photo-etching process is the same as the above-described photo-etching of the tantalum alloy film, and therefore, detailed description is omitted.

【0080】このようにして、素子部のタンタルパター
ン22と絶縁膜24とクロムパターン26が重なる部分
の領域に、TFD素子25が得られる。このようにして
得られたTFD素子25のタンタルパターン22の幅は
2.5μm±0.10μm、クロムパターン26の幅は
3.0μm±0.15μmで、線切れがなく、バラツキ
が極めて少なくて良好な結果が得られており、液晶パネ
ル面内でTFD素子としての特性にばらつきのない均一
な素子が得られる。
Thus, the TFD element 25 is obtained in the region where the tantalum pattern 22, the insulating film 24, and the chromium pattern 26 of the element portion overlap. The width of the tantalum pattern 22 of the TFD element 25 thus obtained is 2.5 μm ± 0.10 μm, and the width of the chromium pattern 26 is 3.0 μm ± 0.15 μm. Good results have been obtained, and a uniform element having no variation in characteristics as a TFD element within the liquid crystal panel surface can be obtained.

【0081】このようにして得られた素子基板111
を、もう一方の基板である例えばカラーフィルター基板
121と画素の位置合わせをして所定の間隔を保って貼
り合わせ、2枚の基板間に液晶を封じ込んで液晶パネル
とした後、液晶を駆動するための外部回路等を液晶パネ
ルに接続して液晶装置100とする。
The element substrate 111 obtained as described above
After the pixels are aligned with the other substrate, for example, the color filter substrate 121, and are adhered at predetermined intervals, the liquid crystal is sealed between the two substrates to form a liquid crystal panel, and then the liquid crystal is driven. The liquid crystal device 100 is obtained by connecting an external circuit and the like to the liquid crystal panel.

【0082】本発明の製造方法および製造装置により製
造される電気光学装置の具体例として、液晶装置の特に
素子のパターニングの工程について説明したが、本発明
はこれに限定されることなく、液晶装置の他のレジスト
をマスクとしてパターンを得る工程に適用できる。
As a specific example of the electro-optical device manufactured by the manufacturing method and the manufacturing apparatus according to the present invention, the step of patterning the element of the liquid crystal device has been described, but the present invention is not limited to this. It can be applied to a process of obtaining a pattern using another resist as a mask.

【0083】さらに、本発明の製造方法および製造装置
により製造される電気光学装置の具体例として、本実施
例では液晶装置を例として説明したが、本発明はこれに
限定されない。例えば、長方形の基板から製造されるE
L(エレクトロルミネッセンス)装置、フィールドエミ
ッションダイオードパネル、プラズマディスプレイパネ
ルなどの電気光学装置の製造方法および製造装置につい
て適用可能である。
Further, as a specific example of the electro-optical device manufactured by the manufacturing method and the manufacturing apparatus of the present invention, a liquid crystal device has been described as an example in the present embodiment, but the present invention is not limited to this. For example, E manufactured from a rectangular substrate
The present invention is applicable to a method and a device for manufacturing an electro-optical device such as an L (electroluminescence) device, a field emission diode panel, and a plasma display panel.

【0084】[0084]

【発明の効果】本発明の電気光学装置の製造方法によれ
ば、露光済みのレジスト膜上に現像液を載置する際に、
時間差を極力短縮できるので現像ムラがなく、均質なレ
ジストパターンが得られる。
According to the method of manufacturing an electro-optical device of the present invention, when a developer is placed on an exposed resist film,
Since the time difference can be minimized, a uniform resist pattern can be obtained without development unevenness.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 レジストパターンの現像処理工程を中心とし
た、電気光学装置の製造工程の一部分を示した工程図で
ある。
FIG. 1 is a process diagram showing a part of a manufacturing process of an electro-optical device with a focus on a development process of a resist pattern.

【図2】 本発明の電気光学装置の製造装置の一例を示
す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of an apparatus for manufacturing an electro-optical device according to the invention.

【図3】 図2に示した電気光学装置の製造装置の現像
室1を中心にして、上から見た平面配置を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing a planar arrangement as viewed from above, centering on a developing chamber 1 of the electro-optical device manufacturing apparatus shown in FIG.

【図4】 現像液流出管5が移動する様子を説明する概
観図である。
FIG. 4 is a schematic view illustrating a state in which a developer outflow tube 5 moves.

【図5】 現像液流出管5の移動方向を説明する図であ
る。
FIG. 5 is a diagram for explaining a moving direction of a developer outflow tube 5;

【図6】 現像液流出管5の移動方向の他の例を説明す
る図である。
FIG. 6 is a view for explaining another example of the moving direction of the developer outflow tube 5;

【図7】 現像液流出管5の移動方向の別の例を説明す
る図である。
FIG. 7 is a view for explaining another example of the moving direction of the developer outlet pipe 5.

【図8】 現像液のパドルの形成過程を示す図である。FIG. 8 is a view showing a process of forming a paddle of a developer.

【図9】 液晶装置の部分構造を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a partial structure of a liquid crystal device.

【図10】 液晶装置に使用するTFD素子の一例を示
す平面図である。
FIG. 10 is a plan view showing an example of a TFD element used for a liquid crystal device.

【図11】 図8に示すTFD素子の線A−A’に沿っ
た断面構造を示す図である。
11 is a diagram showing a cross-sectional structure along a line AA ′ of the TFD element shown in FIG.

【図12】 TFD素子を形成する工程を説明する図で
ある。
FIG. 12 is a diagram illustrating a step of forming a TFD element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・・・現像室 2・・・・・搬入室 3・・・・・搬出室 4・・・・・基板搬送系 40・・・・・搬送ライン 5、5a、5b・・・・・現像液流出管 50・・・・・主配管 51・・・・・支持アーム 52・・・・・現像液吐出ノズル 53・・・・・フレキシブルホース 54・・・・・支持レール 6・・・・・現像液供給系 61・・・・・現像液タンク 62・・・・・供給側配管 63・・・・・定量ポンプ 64・・・・・フィルター 65・・・・・電磁弁 66・・・・・サックバック 7・・・・・制御部 8・・・・・基板支持部 9・・・・・散水ノズル 10・・・・・基板 18・・・・・カラーフィルター層 18a・・・・・カラー画素 18b・・・・・遮光層 19・・・・・透明電極 20,20a,20b・・・・・パドル 21・・・・・配線部 22・・・・・タンタルパターン 24・・・・・絶縁膜 25・・・・・TFD素子 26・・・・・クロムパターン 28・・・・・画素電極 30・・・・・画素 31・・・・・下地層 100・・・・・液晶装置 110,120・・・・・基板 111・・・・・電気光学装置 121・・・・・カラーフィルター基板 1 ····· Developing room 2 ······ Loading room 3 ·············································· Transfer line 5, 5a, 5b ···· ·························································································································· Support rail ... developer supply system 61 ... developer tank 62 ... supply side piping 63 ... metering pump 64 ... filter 65 ... solenoid valve 66 ... ····· Suck back 7 ······ Control unit 8 ······ Substrate support unit 9 ······ Sprinkling nozzle 10 ······· Substrate 18 ····· Color filter layer 18a ... Color pixel 18b ... Light-shielding layer 19 ... Transparent electrode 20,20a, 20b ... 21 Wiring part 22 Tantalum pattern 24 Insulating film 25 TFD element 26 Chrome pattern 28 Pixel electrode 30 ... Pixel 31... Underlayer 100... Liquid crystal device 110, 120.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定のパターンに露光されたレジストが
形成された長方形の基板の前記レジストを現像液により
現像する電気光学装置の製造方法であって、前記基板を
水平に支持し、複数の現像液流出管を前記基板表面と平
行に移動させながら前記現像液を供給し、所定の時間保
持して現像処理する工程を有することを特徴とする電気
光学装置の製造方法。
1. A method for manufacturing an electro-optical device for developing a resist on a rectangular substrate having a resist exposed to a predetermined pattern on a rectangular substrate, using a developer, wherein the substrate is supported horizontally, and A method for manufacturing an electro-optical device, comprising a step of supplying the developing solution while moving a liquid outflow tube in parallel with the surface of the substrate, and holding and developing the developing solution for a predetermined time.
【請求項2】 請求項1記載の電気光学装置の製造方法
であって、前記現像処理工程が、さらに、前記基板を洗
浄する工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造
方法。
2. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein said developing step further includes a step of cleaning said substrate.
【請求項3】 前記複数の現像液流出管は、1本の主管
から分岐した少なくとも2本以上の支管であることを特
徴とする請求項1又は請求項2に記載の電気光学装置の
製造方法。
3. The method for manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the plurality of developer outlet pipes are at least two or more branch pipes branched from one main pipe. .
【請求項4】 前記複数の現像液流出管が2本であり、
該2本の現像液流出管を基板の両端から中央に向かって
移動させながら現像処理することを特徴とする請求項1
又は請求項2に記載の電気光学装置の製造方法。
4. The plurality of developer outlet pipes are two,
2. The developing process according to claim 1, wherein the two developer outlet pipes are moved from both ends of the substrate toward the center thereof.
A method for manufacturing an electro-optical device according to claim 2.
【請求項5】 前記複数の現像液流出管が2本であり、
該2本の現像液流出管を基板の中央からに前記基板の互
いに対向する両端向かって移動させながら現像処理する
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電気光
学装置の製造方法。
5. The plurality of developer outflow pipes are two,
3. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the developing process is performed while moving the two developer outflow tubes from the center of the substrate toward both ends of the substrate facing each other. .
【請求項6】 前記複数の現像液流出管が2本であり、
そのうち1本の前記現像液流出管は前記基板の中央から
に一端向かって移動させ、他の1本は前記基板の前記一
端と対向する他端から中央に向かって移動させながら現
像処理することを特徴とする請求項1又は請求項2に記
載の電気光学装置の製造方法。
6. The plurality of developer outflow pipes are two,
One of the developing solution outflow pipes is moved toward one end from the center of the substrate, and the other one is developed while moving from the other end facing the one end of the substrate toward the center. The method for manufacturing an electro-optical device according to claim 1 or 2, wherein
【請求項7】 前記複数の現像液流出管が移動する時間
が、現像時間の10%以内であることを特徴とする請求
項1から請求項6のいずれかに記載の電気光学装置の製
造方法。
7. The method for manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein a time required for the plurality of developer outlet tubes to move is within 10% of a developing time. .
【請求項8】 長方形の基板を有する電気光学装置の製
造装置であって、前記基板を搬送する搬送系と、前記基
板を水平に支持する基板支持部と、基板表面と平行に、
前記基板に対して相対的に移動可能でかつ複数の現像液
吐出ノズルを有する複数の現像液流出管と、前記基板表
面上の前記現像液を洗浄する洗浄手段と、を具備してな
る電気光学装置の製造装置。
8. An apparatus for manufacturing an electro-optical device having a rectangular substrate, comprising: a transport system that transports the substrate; a substrate support that horizontally supports the substrate;
An electro-optic comprising: a plurality of developer outlet pipes movable relative to the substrate and having a plurality of developer discharge nozzles; and cleaning means for cleaning the developer on the substrate surface. Equipment manufacturing equipment.
【請求項9】 前記洗浄手段が、前記基板表面に純水を
噴射する水洗ノズルからなることを特徴とする請求項8
記載の電気光学装置の製造装置。
9. The cleaning means according to claim 8, wherein said cleaning means comprises a washing nozzle for spraying pure water onto said substrate surface.
An apparatus for manufacturing the electro-optical device according to the above.
【請求項10】 前記現像液流出管と前記水洗ノズルが
前記基板支持部上に配置されている請求項9に記載の電
気光学装置の製造装置。
10. The apparatus for manufacturing an electro-optical device according to claim 9, wherein the developing solution outflow pipe and the washing nozzle are arranged on the substrate support.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008042187A (en) * 2006-07-18 2008-02-21 Asml Netherlands Bv Imprint lithography
JP2008219043A (en) * 2001-07-05 2008-09-18 Tokyo Electron Ltd Solution treatment apparatus and solution treatment method
US7510341B2 (en) 2003-06-30 2009-03-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Temperature calibration method for baking processing apparatus, adjustment method for development processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor apparatus
KR100972503B1 (en) * 2003-12-29 2010-07-26 엘지디스플레이 주식회사 Developer with uniform dropping of developer
JP2017176917A (en) * 2016-03-28 2017-10-05 株式会社テックインテック Process liquid discharging device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008219043A (en) * 2001-07-05 2008-09-18 Tokyo Electron Ltd Solution treatment apparatus and solution treatment method
US7510341B2 (en) 2003-06-30 2009-03-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Temperature calibration method for baking processing apparatus, adjustment method for development processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor apparatus
KR100972503B1 (en) * 2003-12-29 2010-07-26 엘지디스플레이 주식회사 Developer with uniform dropping of developer
JP2008042187A (en) * 2006-07-18 2008-02-21 Asml Netherlands Bv Imprint lithography
US8707890B2 (en) 2006-07-18 2014-04-29 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US9662678B2 (en) 2006-07-18 2017-05-30 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP2017176917A (en) * 2016-03-28 2017-10-05 株式会社テックインテック Process liquid discharging device

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