[go: up one dir, main page]

JP2001235490A - Overcurrent detection circuit - Google Patents

Overcurrent detection circuit

Info

Publication number
JP2001235490A
JP2001235490A JP2000044412A JP2000044412A JP2001235490A JP 2001235490 A JP2001235490 A JP 2001235490A JP 2000044412 A JP2000044412 A JP 2000044412A JP 2000044412 A JP2000044412 A JP 2000044412A JP 2001235490 A JP2001235490 A JP 2001235490A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
overcurrent
circuit
current
voltage
comparator circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000044412A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hirohito Ikeuchi
洋仁 池内
Hiroyoshi Kawahara
広義 川原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2000044412A priority Critical patent/JP2001235490A/en
Publication of JP2001235490A publication Critical patent/JP2001235490A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高温時の過電流状態で、保護対象における加
速的な温度上昇を的確に阻止できる過電流検出回路を得
る。 【解決手段】 基準電圧V0 と、出力電流に応じて導出
される比較電圧V0'とを比較し、過電流制限値を超える
電流を検出して過電流判定を行うコンパレータ回路1、
コンパレータ回路1により過電流が検出されたときに出
力電流を止めるための出力段回路2を備え、コンパレー
タ回路1にバイアス電流を供給して、コンパレータ回路
1における比較電圧V0'の変動を規制することにより、
基準電圧V0 および比較電圧V0'によって設定される過
電流制限値Iocを温度上昇にしたがって減少するための
定電流回路3を設けた。
(57) [Problem] To provide an overcurrent detection circuit capable of accurately preventing an accelerated temperature rise in a protection target in an overcurrent state at a high temperature. SOLUTION: A comparator circuit 1 which compares a reference voltage V0 with a comparison voltage V0 'derived according to an output current, detects a current exceeding an overcurrent limit value, and makes an overcurrent determination,
An output stage circuit for stopping an output current when an overcurrent is detected by the comparator circuit, and supplying a bias current to the comparator circuit to regulate fluctuations of the comparison voltage V0 'in the comparator circuit By
A constant current circuit 3 is provided for reducing the overcurrent limit value Ioc set by the reference voltage V0 and the comparison voltage V0 'as the temperature rises.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体集積回路
等の保護対象に係る過電流検出回路に関し、特に、保護
対象における加速的な温度上昇を阻止する過電流検出回
路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an overcurrent detection circuit for an object to be protected, such as a semiconductor integrated circuit, and more particularly to an overcurrent detection circuit for preventing an accelerated temperature rise in the object to be protected.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は、従来の過電流検出回路の一例で
ある。図において、1はコンパレータ回路、2は出力段
回路、VBは電源、Rext は抵抗、Qext は出力トラン
ジスタである。ここで、電源VB,抵抗Rext ,出力ト
ランジスタQext は外付けとして、Rextは温度依存
性を持たない抵抗を用いるとする。回路構成としては、
過電流を検出するコンパレータ回路1、および、コンパ
レータ回路1の信号を受け、出力トランジスタQext を
ON/OFFさせることにより出力へ電流が流れるのを
許容/禁止するための出力段回路2からなる。
2. Description of the Related Art FIG. 4 shows an example of a conventional overcurrent detection circuit. In the figure, 1 is a comparator circuit, 2 is an output stage circuit, VB is a power supply, Rext is a resistor, and Qext is an output transistor. Here, it is assumed that the power supply VB, the resistor Rext, and the output transistor Qext are externally mounted, and Rext uses a resistor having no temperature dependency. As the circuit configuration,
The circuit comprises a comparator circuit 1 for detecting an overcurrent, and an output stage circuit 2 for receiving / prohibiting a current from flowing to an output by receiving a signal from the comparator circuit 1 and turning on / off an output transistor Qext.

【0003】通常時(出力に過電流が流れていない状
態)では、抵抗Rext を流れる出力電流がさほど大きく
ないため、抵抗Rext での電圧降下が小さい。そのた
め、コンパレータ回路1内の2入力電圧である基準電圧
V0 と比較電圧V0'は、比較電圧V0'の方が電位が高
く、出力段のトランジスタQ9 はOFF状態となり、ト
ランジスタQ11がON状態となる。この結果、外付けの
出力トランジスタQext はトランジスタQ11によってそ
のベースが引かれON状態にあり、出力へ電流を供給し
続ける。
In a normal state (when no overcurrent flows in the output), the output current flowing through the resistor Rext is not so large, so that the voltage drop at the resistor Rext is small. Therefore, the reference voltage V0 and the comparison voltage V0 ', which are two input voltages in the comparator circuit 1, are higher in the comparison voltage V0', the transistor Q9 in the output stage is turned off, and the transistor Q11 is turned on. . As a result, the base of the external output transistor Qext is pulled by the transistor Q11 to be in the ON state, and the current continues to be supplied to the output.

【0004】しかし、出力として、ある電流制限値Ioc
(oc=over current)を超えた電流が流
れると、抵抗Rext での電圧降下が大きくなり、上記と
は逆にコンパレータ回路1内の2入力電圧において比較
電圧V0'の方が電位が低くなる。その結果、トランジス
タQ9 がON、トランジスタQ11がOFFして出力トラ
ンジスタQext をOFFすることにより、出力トランジ
スタQext は出力に電流が流れるのを防止する。
However, as an output, a certain current limit value Ioc
When a current exceeding (oc = over current) flows, the voltage drop at the resistor Rext increases, and conversely, the potential of the comparison voltage V0 'becomes lower at the two input voltages in the comparator circuit 1. As a result, the transistor Q9 is turned on, the transistor Q11 is turned off, and the output transistor Qext is turned off, thereby preventing the output transistor Qext from flowing a current to the output.

【0005】上述したように、本回路では過電流が流れ
た瞬間に出力トランジスタQext がOFFすることによ
り、出力に過電流が流れるのを防ぐ構成になっている。
その過電流制限値Iocはコンパレータ回路1で決められ
た基準電圧V0 を比較電圧V0'が下回ることによって決
定される。以下で、その過電流制限値Iocを決める。V
BE1 〜VBE4 をトランジスタQ1 〜Q4 のベース−エミ
ッタ間電圧とし、本回路では、VBE1 =………VBE4 =
VBEに設定されているものとする。また、IBias1 とI
Bias2 はトランジスタQ4 とトランジスタQ3 に供給さ
れているバイアス電流であり、これらもIBias1 =IBi
as2 =IBiasとなるように設定されているものとする。
このとき、トランジスタQ5 とトランジスタQ6 のベー
ス電流を無視すれば、基準電圧V0 と比較電圧V0'はそ
れぞれ、 V0 =VB−2VBE−R0 ×IBias V0'=VB−Rext ×Iext −2VBE (Iext :出力
電流) と表される。通常状態では V0 −V0'=Iext ×Rext −IBias×R0 <0 であるが、出力電流Iext が過電流制限値Iocを超える
と、 V0 −V0'>0 となり、出力トランジスタがOFFすることになる。こ
の過電流制限値Iocは、V0 =V0'とすることにより求
められ、 Ioc=IBias×R0 /Rext ………(1) と決定される。
As described above, the present circuit has a configuration in which the output transistor Qext is turned off at the moment when an overcurrent flows, thereby preventing the overcurrent from flowing to the output.
The overcurrent limit value Ioc is determined when the comparison voltage V0 'falls below the reference voltage V0 determined by the comparator circuit 1. Hereinafter, the overcurrent limit value Ioc is determined. V
BE1 to VBE4 are the base-emitter voltages of the transistors Q1 to Q4. In this circuit, VBE1 =... VBE4 =
It is assumed that VBE is set. Also, IBias1 and IBias1
Bias2 is a bias current supplied to the transistors Q4 and Q3, and these are also IBias1 = IBi
It is assumed that as2 = IBias is set.
At this time, if the base currents of the transistor Q5 and the transistor Q6 are neglected, the reference voltage V0 and the comparison voltage V0 'are V0 = VB-2VBE-R0 * IBias V0' = VB-Rext * Iext-2VBE (Iext: output Current). In a normal state, V0−V0 ′ = Iext × Rext−IBias × R0 <0. However, when the output current Iext exceeds the overcurrent limit value Ioc, V0−V0 ′> 0, and the output transistor is turned off. . The overcurrent limit value Ioc is obtained by setting V0 = V0 ', and is determined as follows: Ioc = IBias × R0 / Rext (1)

【0006】(1)式で表される過電流制限値Iocの温
度依存性を考えてみる。上述したように抵抗Rext は外
付けで、温度依存性を持たない。抵抗R0 は正の温度特
性を持ち、温度が上昇するとその抵抗値は増大する。こ
こで、IBiasの温度特性が考慮されておらず、温度変化
に対して一定のバイアス電流が供給されているとするな
ら、回路全体が温度上昇した時に、この過電流制限値I
ocは増大することになる。この結果、本回路を含むIC
が高温の状態で過電流が流れた場合、制限値の増大によ
り過電流の制限がかからなくなるという問題が発生す
る。さらに、この過電流が流れ続けるとICの発熱によ
る温度上昇を助長するため、制限値がさらに増大し、加
速度的にICの温度上昇が起ってしまうことになる。
Consider the temperature dependence of the overcurrent limit value Ioc expressed by equation (1). As described above, the resistor Rext is external and has no temperature dependency. The resistance R0 has a positive temperature characteristic, and its resistance increases as the temperature rises. Here, if the temperature characteristic of IBias is not considered and a constant bias current is supplied with respect to a temperature change, when the temperature of the entire circuit rises, this overcurrent limit value I
oc will increase. As a result, the IC including this circuit
When the overcurrent flows in a state where the temperature is high, there arises a problem that the overcurrent is not restricted due to the increase of the limit value. Further, if the overcurrent continues to flow, the temperature rise due to the heat generation of the IC is promoted, so that the limit value further increases, and the temperature rise of the IC occurs at an accelerated rate.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記のよ
うな問題点を解決するためになされたものであり、高温
時において半導体集積回路等の保護対象に過電流が流れ
たときに、過電流制限値の増大により、保護対象に、過
電流が流れ続ける事を防止し、さらに保護対象における
加速的な温度上昇を的確に阻止できる過電流検出回路を
提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and is intended to be used when an overcurrent flows through a protection target such as a semiconductor integrated circuit at a high temperature. An object of the present invention is to provide an overcurrent detection circuit that can prevent an overcurrent from continuing to flow to a protection target due to an increase in a current limit value, and can accurately prevent an accelerated temperature rise in the protection target.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】第1の発明に係る過電流
検出回路では、基準電圧と、出力電流に応じて導出され
る比較電圧とを比較し、過電流制限値を超える電流を検
出して過電流判定を行うコンパレータ回路、前記コンパ
レータ回路により過電流が検出されたときに出力電流を
止めるための出力段回路を備え、前記コンパレータ回路
における基準電圧および比較電圧の少なくとも一方の変
動を規制することにより、基準電圧および比較電圧によ
って設定される過電流制限値の温度上昇による増加を阻
止するようにしたものである。
An overcurrent detection circuit according to a first aspect of the present invention compares a reference voltage with a comparison voltage derived according to an output current, and detects a current exceeding an overcurrent limit value. A comparator circuit for determining an overcurrent, and an output stage circuit for stopping an output current when an overcurrent is detected by the comparator circuit, and regulating at least one of a reference voltage and a comparison voltage in the comparator circuit. This prevents an overcurrent limit value set by the reference voltage and the comparison voltage from increasing due to a rise in temperature.

【0009】第2の発明に係る過電流検出回路では、基
準電圧と、出力電流に応じて導出される比較電圧とを比
較し、過電流制限値を超える電流を検出して過電流判定
を行うコンパレータ回路、前記コンパレータ回路により
過電流が検出されたときに出力電流を止めるための出力
段回路を備え、前記コンパレータ回路における基準電圧
および比較電圧の少なくとも一方の変動を規制すること
により、基準電圧および比較電圧によって設定される過
電流制限値を温度上昇にしたがって減少するようにした
ものである。
In the overcurrent detection circuit according to the second invention, the reference voltage is compared with a comparison voltage derived in accordance with the output current, and a current exceeding the overcurrent limit value is detected to perform an overcurrent determination. A comparator circuit, comprising an output stage circuit for stopping the output current when an overcurrent is detected by the comparator circuit, and regulating at least one of the reference voltage and the comparison voltage in the comparator circuit to thereby control the reference voltage and The overcurrent limit value set by the comparison voltage is reduced as the temperature rises.

【0010】第3の発明に係る過電流検出回路では、基
準電圧と、出力電流に応じて導出される比較電圧とを比
較し、過電流制限値を超える電流を検出して過電流判定
を行うコンパレータ回路、前記コンパレータ回路により
過電流が検出されたときに出力電流を止めるための出力
段回路を備え、前記コンパレータ回路にバイアス電流を
供給して、前記コンパレータ回路における基準電圧およ
び比較電圧の少なくとも一方の変動を規制することによ
り、基準電圧および比較電圧によって設定される過電流
制限値を温度上昇にしたがって減少するための定電流回
路を設けたものである。
In the overcurrent detection circuit according to a third aspect of the present invention, the reference voltage is compared with a comparison voltage derived according to the output current, and a current exceeding an overcurrent limit value is detected to determine an overcurrent. A comparator circuit, an output stage circuit for stopping an output current when an overcurrent is detected by the comparator circuit, and supplying a bias current to the comparator circuit; at least one of a reference voltage and a comparison voltage in the comparator circuit. And a constant current circuit for reducing the overcurrent limit value set by the reference voltage and the comparison voltage as the temperature rises.

【0011】第4の発明に係る過電流検出回路では、基
準電圧と、出力電流に応じて導出される比較電圧とを比
較し、過電流制限値を超える電流を検出して過電流判定
を行うコンパレータ回路、前記コンパレータ回路により
過電流が検出されたときに出力電流を止めるための出力
段回路を備え、前記コンパレータ回路における基準電圧
および比較電圧の少なくとも一方の変動を規制すること
により、基準電圧および比較電圧によって設定される過
電流制限値を温度上昇にかかわらず一定とするようにし
たものである。
An overcurrent detection circuit according to a fourth aspect of the present invention compares the reference voltage with a comparison voltage derived in accordance with the output current, detects a current exceeding an overcurrent limit value, and makes an overcurrent determination. A comparator circuit, comprising an output stage circuit for stopping the output current when an overcurrent is detected by the comparator circuit, and regulating at least one of the reference voltage and the comparison voltage in the comparator circuit to thereby control the reference voltage and The overcurrent limit value set by the comparison voltage is made constant regardless of the temperature rise.

【0012】第5の発明に係る過電流検出回路では、基
準電圧と、出力電流に応じて導出される比較電圧とを比
較し、過電流制限値を超える電流を検出して過電流判定
を行うコンパレータ回路、前記コンパレータ回路により
過電流が検出されたときに出力電流を止めるための出力
段回路を備え、前記コンパレータ回路における基準電圧
を温度依存性を持たない定電圧源によって設定し、その
変動を規制することにより、基準電圧および比較電圧に
よって設定される過電流制限値を温度上昇にかかわらず
一定とするようにしたものである。
In the overcurrent detection circuit according to a fifth aspect of the present invention, the reference voltage is compared with a comparison voltage derived according to the output current, and a current exceeding an overcurrent limit value is detected to perform an overcurrent determination. A comparator circuit, comprising an output stage circuit for stopping an output current when an overcurrent is detected by the comparator circuit, wherein a reference voltage in the comparator circuit is set by a constant voltage source having no temperature dependency, and a variation thereof is set. By restricting, the overcurrent limit value set by the reference voltage and the comparison voltage is made constant regardless of the temperature rise.

【0013】第6の発明に係る過電流検出回路では、基
準電圧と、出力電流に応じて導出される比較電圧とを比
較し、過電流制限値を超える電流を検出して過電流判定
を行うコンパレータ回路、前記コンパレータ回路により
過電流が検出されたときに出力電流を止めるための出力
段回路を備え、前記コンパレータ回路における基準電圧
を温度依存性を持たない定電圧源によりオペアンプを介
して設定し、その変動を規制することにより、基準電圧
および比較電圧によって設定される過電流制限値を温度
上昇にかかわらず一定とするようにしたものである。
In an overcurrent detection circuit according to a sixth aspect of the present invention, the reference voltage is compared with a comparison voltage derived in accordance with the output current, and a current exceeding an overcurrent limit value is detected to determine an overcurrent. A comparator circuit, an output stage circuit for stopping an output current when an overcurrent is detected by the comparator circuit, wherein a reference voltage in the comparator circuit is set via an operational amplifier by a constant voltage source having no temperature dependency. By regulating the fluctuation, the overcurrent limit value set by the reference voltage and the comparison voltage is made constant regardless of the temperature rise.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】実施の形態1.この発明による実
施の形態1を、図1について説明する。図1は、この発
明による過電流検出回路の全体構成図である。図中、従
来技術を示す図4と同一符号は、同一または相当部分を
示している。以下、回路の構成について図1に基づいて
説明する。図において、1はコンパレータ回路、2は出
力段回路、3は定電流回路、VBは電源、Rext は抵
抗、Qext は出力トランジスタ、Q1 〜Q23はトランジ
スタ、R0 ,R1 〜R10は抵抗である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is an overall configuration diagram of an overcurrent detection circuit according to the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 4 showing the prior art indicate the same or corresponding parts. Hereinafter, the configuration of the circuit will be described with reference to FIG. In the figure, 1 is a comparator circuit, 2 is an output stage circuit, 3 is a constant current circuit, VB is a power supply, Rext is a resistor, Qext is an output transistor, Q1 to Q23 are transistors, and R0 and R1 to R10 are resistors.

【0015】本回路は、図4で示される従来例回路のバ
イアス電流を生成するために、新たに定電流回路3を付
け加えたものである(図1中の鎖線部)。この定電流回
路3で生成された電流が、カレントミラーによって、I
Bias1 〜IBias4 からなるバイアス電流を供給する。そ
れ以外は従来例回路と同様の構成である。本回路におい
ても、電源VB,抵抗Rext ,出力トランジスタQext
は外付けであり、抵抗Rext は温度依存性をもたないも
のを用いるものとする。
This circuit is a circuit in which a constant current circuit 3 is newly added in order to generate a bias current of the conventional circuit shown in FIG. 4 (dotted line in FIG. 1). The current generated by the constant current circuit 3 is supplied to the current mirror by the current mirror.
A bias current consisting of Bias1 to IBias4 is supplied. Otherwise, the configuration is the same as that of the conventional circuit. Also in this circuit, the power supply VB, the resistor Rext, the output transistor Qext
Is external, and a resistor Rext having no temperature dependency is used.

【0016】まず、電源VBが立ち上がると、トランジ
スタQ12と抵抗R1 からなる起動回路が、定電流回路3
を起動する。起動された定電流回路3は、トランジスタ
Q13のベース・エミッタ間電圧VBE13と抵抗R2 によっ
て決まる電流VBE13/R2 を生成し、カレントミラーに
よってIBias1 〜IBias4 からなるそれぞれのバイアス
電流を供給する。ここでは、簡略化のため、R3 =R4
=………=R9 として話をすすめることにする。このと
き、IBias1 =IBias2 =………=IBias4 =VBE13/
R2 と各バイアス電流値が設定されることになる。
First, when the power supply VB rises, a starting circuit composed of the transistor Q12 and the resistor R1 is switched to a constant current circuit 3
Start The activated constant current circuit 3 generates a current VBE13 / R2 determined by the base-emitter voltage VBE13 of the transistor Q13 and the resistor R2, and supplies each bias current composed of IBias1 to IBias4 by a current mirror. Here, for simplicity, R3 = R4
== …… = R9 At this time, IBias1 = IBias2 =... = IBias4 = VBE13 /
R2 and each bias current value are set.

【0017】このように定められたバイアス電流のも
と、従来例と同じく過電流検出回路が動作する。本回路
においても、抵抗Rext を流れる電流がある制限値Ioc
を超えたとき、すなわちコンパレータ部1の2入力電圧
である基準電圧V0 と比較電圧V0'において、V0'の電
位がV0 の電位より低くなると、出力トランジスタQ11
をOFFさせることにより、トランジスタQext がOF
Fして出力に電流が流れるのを阻止する。
Under the bias current determined as described above, the overcurrent detection circuit operates as in the conventional example. Also in this circuit, the current flowing through the resistor Rext has a certain limit value Ioc.
Is exceeded, that is, when the potential of V0 'is lower than the potential of V0 when the reference voltage V0 and the comparison voltage V0' are two input voltages of the comparator section 1, the output transistor Q11
Is turned off, the transistor Qext is turned off.
F to prevent current from flowing to the output.

【0018】基準電圧V0 と比較電圧V0'は、従来例と
同じく、トランジスタQ1 〜Q4 のベース・エミッタ間
電圧が等しくVBEとなること、トランジスタQ5 とQ6
のベース電流が無視できることに加え、IBias1 =VBE
13/R2 となることを考慮すると、 V0 =VB−2VBE−(R0 /R2 )×VBE13 V0'=VB−Rext ×Iext −2VBE (Iext :出力
電流) と決まり、V0 =V0'時の出力電流がIocとなることか
ら、 Ioc=(1/Rext )×(R0 /R2 )×VBE13 ……… (2) と決定される。
The reference voltage V0 and the comparison voltage V0 'are the same as in the prior art, that is, the base-emitter voltages of the transistors Q1 to Q4 are equal to VBE, and the transistors Q5 and Q6
In addition to negligible base current, IBias1 = VBE
Considering that 13 / R2, V0 = VB-2VBE- (R0 / R2) .times.VBE13 V0 '= VB-Rext.times.Iext-2VBE (Iext: output current), and the output current when V0 = V0' Is Ioc, it is determined that Ioc = (1 / Rext) .times. (R0 / R2) .times.VBE13 (2).

【0019】(2)式で表される電流制限値Iocの温度
特性を考えてみる。Rext は外付け抵抗で温度依存性は
持たない。抵抗R0 とR2 はそれぞれ正の温度特性を持
つが、R0 /R2 となることにより、その温度特性は互
いに相殺される。結果として、電流制限値Iocの温度特
性はVBE13に依存し、ベース・エミッタ間電圧VBEは負
の温度特性をもつことから、電流制限値Iocは負の温度
特性を持つことになる。このため、本回路では、温度が
上昇するに従って過電流制限値が減少することから、温
度が上昇したときに過電流制限がかからないという従来
例の問題点を解決することができる。これにより、過電
流が流れ続ける為に発生する、ICの加速的な温度上昇
を阻止することができる。
Consider the temperature characteristic of the current limit value Ioc expressed by the equation (2). Rext is an external resistor and has no temperature dependency. The resistors R0 and R2 each have a positive temperature characteristic, but the temperature characteristics are offset by R0 / R2. As a result, the temperature characteristic of the current limit value Ioc depends on VBE13, and since the base-emitter voltage VBE has a negative temperature characteristic, the current limit value Ioc has a negative temperature characteristic. For this reason, in this circuit, since the overcurrent limit value decreases as the temperature rises, it is possible to solve the conventional problem that the overcurrent limit is not applied when the temperature rises. As a result, it is possible to prevent an accelerated temperature rise of the IC, which is generated because the overcurrent continues to flow.

【0020】この発明による実施の形態1によれば、基
準電圧V0 と、出力電流に応じて導出される比較電圧V
0'とを比較し、過電流制限値を超える電流を検出して過
電流判定を行うコンパレータ回路1、コンパレータ回路
1により過電流が検出されたときに出力電流を止めるた
めの出力段回路2を備え、コンパレータ回路1にバイア
ス電流を供給して、コンパレータ回路1における比較電
圧V0'の変動を規制することにより、基準電圧V0 およ
び比較電圧V0'によって設定される過電流制限値Iocを
温度上昇にしたがって減少するための定電流回路3を設
けたので、定電流回路3によって過電流制限値Iocを温
度上昇にしたがって減少することにより、高温時におい
て半導体集積回路等の保護対象に過電流が流れたとき
に、保護対象における加速的な温度上昇を的確に阻止で
きる過電流検出回路を得ることができる。
According to the first embodiment of the present invention, the reference voltage V0 and the comparison voltage V derived according to the output current
0 ′, a comparator circuit 1 for detecting a current exceeding the overcurrent limit value and performing an overcurrent determination, and an output stage circuit 2 for stopping the output current when the overcurrent is detected by the comparator circuit 1. A bias current is supplied to the comparator circuit 1 to regulate the fluctuation of the comparison voltage V0 'in the comparator circuit 1 so that the overcurrent limit value Ioc set by the reference voltage V0 and the comparison voltage V0' is increased. Therefore, since the constant current circuit 3 for decreasing the current is provided, the overcurrent limit value Ioc is reduced by the constant current circuit 3 according to the temperature rise, so that an overcurrent flows to a protection target such as a semiconductor integrated circuit at a high temperature. Occasionally, an overcurrent detection circuit that can accurately prevent an accelerated temperature rise in the protection target can be obtained.

【0021】実施の形態2.この発明による実施の形態
2を、図2について説明する。図2は、この発明による
過電流検出回路の全体構成図である。図中、実施の形態
1と同一符号は、同一または相当部分を示している。以
下、回路の構成について図2に基づいて説明する。図に
おいて、1はコンパレータ回路、2は出力段回路、3は
定電流回路、VBは電源、Rext は抵抗、Qext は出力
トランジスタ、Q1 〜Q26はトランジスタ、R1 〜R12
は抵抗、VREF は定電圧源電圧である。
Embodiment 2 FIG. Second Embodiment A second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is an overall configuration diagram of the overcurrent detection circuit according to the present invention. In the figure, the same reference numerals as those in the first embodiment indicate the same or corresponding parts. Hereinafter, the configuration of the circuit will be described with reference to FIG. In the figure, 1 is a comparator circuit, 2 is an output stage circuit, 3 is a constant current circuit, VB is a power supply, Rext is a resistor, Qext is an output transistor, Q1 to Q26 are transistors, and R1 to R12.
Is a resistor, and VREF is a constant voltage source voltage.

【0022】本回路は図1で示される実施の形態1の回
路において、コンパレータ回路1における基準電圧とし
ての入力しきい値電圧V0 の温度依存性をなくすため
に、温度に依存しない電圧VREF を用いて新たに構成し
なおしたものである。それ以外は実施の形態1と同様の
回路構成である。本回路においても、電源VB,抵抗R
ext ,出力トランジスタQext は外付けであり、抵抗R
ext は温度依存性を持たないものを用いるものとする。
This circuit uses the temperature-independent voltage VREF in order to eliminate the temperature dependency of the input threshold voltage V0 as the reference voltage in the comparator circuit 1 in the circuit of the first embodiment shown in FIG. It is newly reconfigured. Otherwise, the circuit configuration is the same as that of the first embodiment. Also in this circuit, the power supply VB and the resistor R
ext and the output transistor Qext are externally connected, and the resistance R
ext shall not have temperature dependency.

【0023】実施の形態1と同様、電源VBがトランジ
スタQ12および抵抗R1 からなる起動回路を立ち上げ、
この起動回路が定電流回路3を起動する。起動された定
電流回路3は、カレントミラーによって,バイアス電流
IBias1〜IBias5 を供給する。これらバイアス電流の
もと、過電流検出回路は動作する。すなわち、本回路に
おいても、抵抗Rext を流れる電流がある制限値Iocを
超えたとき、コンパレータ部1の2入力電圧としての基
準電圧V0 と比較電圧V0'において、比較電圧V0'の電
位が基準電圧V0 の電位より低くなり、出力トランジス
タQ11をOFFさせ、出力トランジスタQext がOFF
して出力に電流が流れるのを阻止する。
As in the first embodiment, the power supply VB starts up a starting circuit including the transistor Q12 and the resistor R1,
This starting circuit starts the constant current circuit 3. The activated constant current circuit 3 supplies bias currents IBias1 to IBias5 by a current mirror. Under these bias currents, the overcurrent detection circuit operates. That is, also in this circuit, when the current flowing through the resistor Rext exceeds a certain limit value Ioc, the potential of the reference voltage V0 'and the reference voltage V0' as the two input voltages of the comparator unit 1 become the reference voltage Becomes lower than the potential of V0, turning off the output transistor Q11 and turning off the output transistor Qext.
To prevent current from flowing to the output.

【0024】それでは、以下で基準電圧V0 と比較電圧
V0'について求める。トランジスタQ1 〜Q4 のベース
・エミッタ間電圧が等しくVBEとなること、各トランジ
スタのベース電流が無視できることを考慮に入れると、
比較電圧V0'は実施の形態1と同様に、 V0'=VB−Rext ×Iext −2VBE (Iext :出力
電流) と定まる。次に、基準電圧V0 についてであるが、図中
のトランジスタQ25のエミッタ電位V1 は、トランジス
タQ26のベース・エミッタ間電圧VBEが持ちあがった分
と、トランジスタQ25のVBEが持ちさがった分が相殺さ
れ、ほぼ定電圧源電圧VREF に等しくなる。このため、
トランジスタQ25のエミッタ電流はVREF /R12と決ま
る。トランジスタQ25のベース電流が無視できるとする
と、トランジスタQ2 のベース電位V2 は、 V2 =VB−(R11/R12)×VREF となり、基準電圧V0 は、 V0 =VB−(R11/R12)×VREF −2VBE と決定される。これら基準電圧V0 と比較電圧V0'が等
しくなるときの出力電流Iext =Iocは、 Ioc=(1/Rext )×(R11/R12)×VREF ……… (3) と決定される。
Now, the reference voltage V0 and the comparison voltage V0 'will be obtained below. Taking into account that the base-emitter voltages of the transistors Q1 to Q4 are equal to VBE and that the base current of each transistor can be neglected,
As in the first embodiment, the comparison voltage V0 'is determined as follows: V0' = VB-Rext * Iext-2VBE (Iext: output current). Next, as for the reference voltage V0, the emitter potential V1 of the transistor Q25 in the figure is offset by the rise of the base-emitter voltage VBE of the transistor Q26 and the fall of the VBE of the transistor Q25. , Approximately equal to the constant voltage source voltage VREF. For this reason,
The emitter current of transistor Q25 is determined as VREF / R12. Assuming that the base current of the transistor Q25 can be neglected, the base potential V2 of the transistor Q2 becomes V2 = VB- (R11 / R12) .times.VREF, and the reference voltage V0 is V0 = VB- (R11 / R12) .times.VREF-2VBE. Is determined. The output current Iext = Ioc when the reference voltage V0 becomes equal to the comparison voltage V0 'is determined as follows: Ioc = (1 / Rext) .times. (R11 / R12) .times.VREF (3)

【0025】(3)式で表される電流制限値Iocの温度
特性を考えてみる。抵抗Rext が外付け抵抗で温度依存
性を持たず、R11とR12はそれぞれが持つ正の温度特性
を互いに打ち消しあうため、R11/R12も温度依存性を
持たない。また、上述したように、電圧VREF は温度変
化に対して一定の電圧を保持するため、結果として
(3)式は温度依存性を持たない。このため本回路で
は、従来例がもつ温度上昇に対して過電流の制限がかか
らないという問題点を解決することができ、過電流が流
れ続けることによるICの加速的な発熱を防ぐことがで
きる。また、実施の形態1と異なり、温度が増加しても
常に一定の電流値で制限をかけることが可能となる。
Consider the temperature characteristic of the current limit value Ioc expressed by the equation (3). Since the resistor Rext is an external resistor and has no temperature dependency, and R11 and R12 cancel each other's positive temperature characteristics, R11 / R12 also has no temperature dependency. Further, as described above, since the voltage VREF maintains a constant voltage with respect to a temperature change, as a result, the equation (3) has no temperature dependency. For this reason, this circuit can solve the problem that the overcurrent is not limited by the temperature rise in the conventional example, and can prevent the IC from generating heat due to the overcurrent flowing continuously. Further, unlike Embodiment 1, it is possible to always limit the current with a constant current value even when the temperature increases.

【0026】この発明による実施の形態2によれば、基
準電圧V0 と、出力電流に応じて導出される比較電圧V
0'とを比較し、過電流制限値Iocを超える電流を検出し
て過電流判定を行うコンパレータ回路1、コンパレータ
回路1により過電流が検出されたときに出力電流を止め
るための出力段回路2を備え、コンパレータ回路1にバ
イアス電流を供給して、コンパレータ回路1における比
較電圧V0'の変動を規制する定電流回路3を設けるとと
もに、コンパレータ回路1における基準電圧V0 を温度
依存性を持たない定電圧源電圧VREF によって設定し、
その変動を規制することにより、基準電圧V0 および比
較電圧V0'によって設定される過電流制限値Iocを温度
上昇にかかわらず一定とするようにしたので、コンパレ
ータ回路1における基準電圧V0 を温度依存性を持たな
い定電圧源電圧VREF によって設定することにより、高
温時において半導体集積回路等の保護対象に過電流が流
れたときに、保護対象における加速的な温度上昇を的確
に阻止できる過電流検出回路を得ることができる。
According to the second embodiment of the present invention, the reference voltage V0 and the comparison voltage V derived according to the output current
0 ′, a comparator circuit 1 for detecting a current exceeding the overcurrent limit value Ioc and performing an overcurrent determination, and an output stage circuit 2 for stopping the output current when the overcurrent is detected by the comparator circuit 1 And a constant current circuit 3 for supplying a bias current to the comparator circuit 1 to regulate the fluctuation of the comparison voltage V0 'in the comparator circuit 1 and for setting the reference voltage V0 in the comparator circuit 1 to a constant value having no temperature dependency. Set by the voltage source voltage VREF,
By regulating the fluctuation, the overcurrent limit value Ioc set by the reference voltage V0 and the comparison voltage V0 'is made constant regardless of the temperature rise. Overcurrent detection circuit that can accurately prevent accelerated temperature rise in the protection target when an overcurrent flows through the protection target such as a semiconductor integrated circuit at a high temperature by setting the constant voltage source voltage VREF that does not have Can be obtained.

【0027】実施の形態3.この発明による実施の形態
3を、図3について説明する。図3はこの発明による過
電流検出回路の全体構成図である。図中、実施の形態2
と同一符号は、同一または相当部分を示している。以
下、回路の構成について図3に基づいて説明する。図に
おいて、1はコンパレータ回路、2は出力段回路、3は
定電流回路、VBは電源、Rext は抵抗、Qext は出力
トランジスタ、Q1 〜Q25はトランジスタ、R1 〜R12
は抵抗、VREF は定電圧源電圧、4はオペアンプであ
る。
Embodiment 3 Third Embodiment A third embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is an overall configuration diagram of the overcurrent detection circuit according to the present invention. In the figure, the second embodiment
The same reference numerals indicate the same or corresponding parts. Hereinafter, the configuration of the circuit will be described with reference to FIG. In the figure, 1 is a comparator circuit, 2 is an output stage circuit, 3 is a constant current circuit, VB is a power supply, Rext is a resistor, Qext is an output transistor, Q1 to Q25 are transistors, and R1 to R12.
Is a resistor, VREF is a constant voltage source voltage, and 4 is an operational amplifier.

【0028】本回路は図2で示される実施の形態2の回
路において、トランジスタQ25のエミッタ電圧V1 に温
度に依存しない電圧VREF により近い値を与えるために
構成したものである。それ以外は実施の形態2と同様の
回路構成である。本回路においても電源VB,抵抗Rex
t ,トランジスタQext は外付けであり、抵抗Rext は
温度依存性を持たないものを用いるものとする。
This circuit is configured to provide the emitter voltage V1 of the transistor Q25 with a value closer to the temperature-independent voltage VREF in the circuit of the second embodiment shown in FIG. Otherwise, the circuit configuration is the same as that of the second embodiment. Also in this circuit, the power supply VB and the resistor Rex
t, the transistor Qext is externally attached, and the resistor Rext is not temperature-dependent.

【0029】基本的な動作は実施の形態2と全く同様で
ある。すなわち、電源VBがトランジスタQ12および抵
抗R1 からなる起動回路を立ち上げ、この起動回路が定
電流回路3を起動する。起動された定電流回路3は、カ
レントミラーによってバイアス電流IBias1 〜IBias4
を供給する。これらバイアス電流のもと、過電流検出回
路が動作することになる。すなわち、抵抗Rext を流れ
る電流がある制限値Iocを超えたとき、コンパレータ部
1の2入力電圧としての基準電圧V0 と比較電圧V0'に
おいて、比較電圧V0'の電位がV0 の電位より低くな
り、出力トランジスタQ11をOFFさせ、出力トランジ
スタQext がOFFして出力に電流が流れるのを阻止す
る。
The basic operation is exactly the same as in the second embodiment. That is, the power supply VB starts up a starting circuit including the transistor Q12 and the resistor R1, and the starting circuit starts the constant current circuit 3. The activated constant current circuit 3 generates bias currents IBias1 to IBias4 by a current mirror.
Supply. Under these bias currents, the overcurrent detection circuit operates. That is, when the current flowing through the resistor Rext exceeds a certain limit value Ioc, the potential of the comparison voltage V0 'becomes lower than the potential of V0 between the reference voltage V0 as the two input voltages of the comparator unit 1 and the comparison voltage V0', The output transistor Q11 is turned off, and the output transistor Qext is turned off to prevent a current from flowing to the output.

【0030】また、基準電圧V0 と比較電圧V0'に関し
ても、Q25のベース・エミッタ電圧がVREF に等しくな
ることを考慮に入れると、 V0'=VB−Rext ×Iext −2VBE (Iext:出
力電流) V0 =VB−R11/R12×VREF −2VBE と決定される。
Also, regarding the reference voltage V0 and the comparison voltage V0 ', considering that the base-emitter voltage of Q25 becomes equal to VREF, V0' = VB-Rext * Iext-2VBE (Iext: output current) It is determined that V0 = VB-R11 / R12 * VREF-2VBE.

【0031】さてここで、実施の形態2ではトランジス
タQ25のエミッタ電位V1 はVREFに等しいものとして
話を進めたが、実際にはPNPトランジスタQ26のベー
ス・エミッタ間電圧VBE26とNPNトランジスタQ25の
ベース・エミッタ間電圧VBE25は必ずしも一致しないた
め、定電圧源電圧VREF とこれらベース・エミッタ間電
圧VBEの差|VBE25−VBE26|だけずれてしまうことに
なる。
Here, in the second embodiment, the description has been made on the assumption that the emitter potential V1 of the transistor Q25 is equal to VREF. However, actually, the base-emitter voltage VBE26 of the PNP transistor Q26 and the base potential of the NPN transistor Q25 are Since the emitter-to-emitter voltage VBE25 does not always match, the difference between the constant voltage source voltage VREF and the base-emitter voltage VBE is | VBE25-VBE26 |.

【0032】そこで、このトランジスタQ25のエミッタ
電位V1 と定電圧源電圧VREF とのずれをできるだけ少
なくするために構成したのが、本回路である。本回路で
は、オペアンプ4を用いて2入力端子の1つに定電圧源
電圧VREF を与えることにより、実施の形態2に比べ、
トランジスタQ25のエミッタ電位V1として定電圧源電
圧VREF により近い値を供給することが可能となる。過
電流制限値Iocは、実施の形態2と同じく、 Ioc=(1/Rext )×(R11/R12)×VREF ……… (3) と求まる。
Therefore, the present circuit is configured to minimize the deviation between the emitter potential V1 of the transistor Q25 and the constant voltage source voltage VREF. In this circuit, the operational amplifier 4 is used to apply a constant voltage source voltage VREF to one of the two input terminals.
A value closer to the constant voltage source voltage VREF can be supplied as the emitter potential V1 of the transistor Q25. As in the second embodiment, the overcurrent limit value Ioc is obtained as follows: Ioc = (1 / Rext) × (R11 / R12) × VREF (3)

【0033】上述したように、トランジスタQ25のエミ
ッタ電位V1 が定電圧源電圧VREFにより近い値をとる
ことから、本実施の形態の場合、(3)式はより正確な
値を取ることになる。この結果、(3)式の温度依存性
が、定電圧源電圧VREF により近い温度依存をとる形と
なり、電流制限値Iocの温度特性を実施の形態2に比べ
て少なくすることが可能となる。よって、温度変化して
も、実施の形態2に比べてより変動の少ない過電流制限
値を得ることができる。
As described above, since the emitter potential V1 of the transistor Q25 takes a value closer to the constant voltage source voltage VREF, in the case of the present embodiment, the expression (3) takes a more accurate value. As a result, the temperature dependence of the equation (3) takes a temperature dependence closer to the constant voltage source voltage VREF, and the temperature characteristic of the current limit value Ioc can be reduced as compared with the second embodiment. Therefore, even if the temperature changes, it is possible to obtain an overcurrent limit value with less variation than in the second embodiment.

【0034】この発明による実施の形態3によれば、基
準電圧V0 と、出力電流に応じて導出される比較電圧V
0'とを比較し、過電流制限値Iocを超える電流を検出し
て過電流判定を行うコンパレータ回路1、コンパレータ
回路1により過電流が検出されたときに出力電流を止め
るための出力段回路2を備え、コンパレータ回路1にバ
イアス電流を供給して、コンパレータ回路1における比
較電圧V0'の変動を規制する定電流回路3を設けるとと
もに、コンパレータ回路1における基準電圧V0 を温度
依存性を持たない定電圧源電圧VREF によりオペアンプ
4を介して設定し、その変動を規制することにより、基
準電圧V0 および比較電圧V0'によって設定される過電
流制限値Iocを温度上昇にかかわらず一定とするように
したので、コンパレータ回路1における基準電圧V0 を
温度依存性を持たない定電圧源電圧VREF によりオペア
ンプ4を介して設定することにより、高温時において半
導体集積回路等の保護対象に過電流が流れたときに、保
護対象における加速的な温度上昇を更に的確に阻止でき
る過電流検出回路を得ることができる。
According to the third embodiment of the present invention, the reference voltage V0 and the comparison voltage V derived according to the output current
0 ′, a comparator circuit 1 for detecting a current exceeding the overcurrent limit value Ioc and performing an overcurrent determination, and an output stage circuit 2 for stopping the output current when the overcurrent is detected by the comparator circuit 1 And a constant current circuit 3 for supplying a bias current to the comparator circuit 1 to regulate the fluctuation of the comparison voltage V0 'in the comparator circuit 1 and for setting the reference voltage V0 in the comparator circuit 1 to a constant value having no temperature dependency. The overcurrent limit value Ioc set by the reference voltage V0 and the comparison voltage V0 'is set to be constant irrespective of the temperature rise by setting the voltage source voltage VREF via the operational amplifier 4 and regulating the fluctuation. Therefore, the reference voltage V0 in the comparator circuit 1 is set via the operational amplifier 4 by the constant voltage source voltage VREF having no temperature dependency. Accordingly, when an overcurrent flows through the protected, such as a semiconductor integrated circuit at a high temperature, it is possible to obtain an overcurrent detection circuit capable of more accurately prevent accelerated temperature rise in the protected.

【0035】[0035]

【発明の効果】第1の発明によれば、基準電圧と、出力
電流に応じて導出される比較電圧とを比較し、過電流制
限値を超える電流を検出して過電流判定を行うコンパレ
ータ回路、前記コンパレータ回路により過電流が検出さ
れたときに出力電流を止めるための出力段回路を備え、
前記コンパレータ回路における基準電圧および比較電圧
の少なくとも一方の変動を規制することにより、基準電
圧および比較電圧によって設定される過電流制限値の温
度上昇による増加を阻止するようにしたので、高温時に
おいて半導体集積回路等の保護対象に過電流が流れたと
きに、保護対象における加速的な温度上昇を的確に阻止
できる過電流検出回路を得ることができる。
According to the first aspect, the comparator circuit compares the reference voltage with the comparison voltage derived in accordance with the output current, detects a current exceeding the overcurrent limit value, and makes an overcurrent determination. An output stage circuit for stopping an output current when an overcurrent is detected by the comparator circuit,
By regulating at least one of the reference voltage and the comparison voltage in the comparator circuit, it is possible to prevent an overcurrent limit value set by the reference voltage and the comparison voltage from increasing due to a temperature rise. When an overcurrent flows through a protection target such as an integrated circuit, it is possible to obtain an overcurrent detection circuit that can accurately prevent an accelerated temperature rise in the protection target.

【0036】第2の発明によれば、基準電圧と、出力電
流に応じて導出される比較電圧とを比較し、過電流制限
値を超える電流を検出して過電流判定を行うコンパレー
タ回路、前記コンパレータ回路により過電流が検出され
たときに出力電流を止めるための出力段回路を備え、前
記コンパレータ回路における基準電圧および比較電圧の
少なくとも一方の変動を規制することにより、基準電圧
および比較電圧によって設定される過電流制限値を温度
上昇にしたがって減少するようにしたので、コンパレー
タ回路における基準電圧および比較電圧の少なくとも一
方の変動規制により、高温時において半導体集積回路等
の保護対象に過電流が流れたときに、保護対象における
加速的な温度上昇を的確に阻止できる過電流検出回路を
得ることができる。
According to the second aspect of the invention, the comparator circuit compares the reference voltage with a comparison voltage derived according to the output current, detects a current exceeding the overcurrent limit value, and makes an overcurrent determination. An output stage circuit for stopping an output current when an overcurrent is detected by the comparator circuit, and regulating at least one of a reference voltage and a comparison voltage in the comparator circuit, thereby setting the reference voltage and the comparison voltage. Since the overcurrent limit value is reduced as the temperature rises, at least one of the reference voltage and the comparison voltage in the comparator circuit regulates the fluctuation, so that an overcurrent flows to a protection target such as a semiconductor integrated circuit at a high temperature. Sometimes, it is possible to obtain an overcurrent detection circuit that can accurately prevent an accelerated temperature rise in the protection target.

【0037】第3の発明によれば、基準電圧と、出力電
流に応じて導出される比較電圧とを比較し、過電流制限
値を超える電流を検出して過電流判定を行うコンパレー
タ回路、前記コンパレータ回路により過電流が検出され
たときに出力電流を止めるための出力段回路を備え、前
記コンパレータ回路にバイアス電流を供給して、前記コ
ンパレータ回路における基準電圧および比較電圧の少な
くとも一方の変動を規制することにより、基準電圧およ
び比較電圧によって設定される過電流制限値を温度上昇
にしたがって減少するための定電流回路を設けたので、
コンパレータ回路にバイアス電流を供給して、前記コン
パレータ回路における基準電圧および比較電圧の変動を
規制する定電流回路を設けることにより、高温時におい
て半導体集積回路等の保護対象に過電流が流れたとき
に、保護対象における加速的な温度上昇を的確に阻止で
きる過電流検出回路を得ることができる。
According to the third aspect of the invention, a comparator circuit that compares a reference voltage with a comparison voltage derived according to an output current, detects a current exceeding an overcurrent limit value, and determines an overcurrent, An output stage circuit for stopping an output current when an overcurrent is detected by the comparator circuit, and supplying a bias current to the comparator circuit to regulate a fluctuation of at least one of a reference voltage and a comparison voltage in the comparator circuit By providing a constant current circuit for reducing the overcurrent limit value set by the reference voltage and the comparison voltage as the temperature rises,
By providing a bias current to the comparator circuit and providing a constant current circuit that regulates fluctuations of the reference voltage and the comparison voltage in the comparator circuit, when an overcurrent flows to a protection target such as a semiconductor integrated circuit at a high temperature, In addition, it is possible to obtain an overcurrent detection circuit that can accurately prevent an accelerated temperature rise in the protection target.

【0038】第4の発明によれば、基準電圧と、出力電
流に応じて導出される比較電圧とを比較し、過電流制限
値を超える電流を検出して過電流判定を行うコンパレー
タ回路、前記コンパレータ回路により過電流が検出され
たときに出力電流を止めるための出力段回路を備え、前
記コンパレータ回路における基準電圧および比較電圧の
少なくとも一方の変動を規制することにより、基準電圧
および比較電圧によって設定される過電流制限値を温度
上昇にかかわらず一定とするようにしたので、基準電圧
および比較電圧によって設定される過電流制限値を温度
上昇にかかわらず一定とすることにより、高温時におい
て半導体集積回路等の保護対象に過電流が流れたとき
に、保護対象における加速的な温度上昇を的確に阻止で
きる過電流検出回路を得ることができる。
According to the fourth invention, a comparator circuit for comparing a reference voltage with a comparison voltage derived according to an output current, detecting a current exceeding an overcurrent limit value, and performing an overcurrent determination, An output stage circuit for stopping an output current when an overcurrent is detected by the comparator circuit, and regulating at least one of a reference voltage and a comparison voltage in the comparator circuit, thereby setting the reference voltage and the comparison voltage. Since the overcurrent limit value set by the reference voltage and the comparison voltage is fixed regardless of the temperature rise, the overcurrent limit value is kept constant regardless of the temperature rise. Overcurrent detection circuit that can accurately prevent accelerated temperature rise in the protection target when an overcurrent flows to the protection target such as a circuit It is possible to obtain.

【0039】第5の発明によれば、基準電圧と、出力電
流に応じて導出される比較電圧とを比較し、過電流制限
値を超える電流を検出して過電流判定を行うコンパレー
タ回路、前記コンパレータ回路により過電流が検出され
たときに出力電流を止めるための出力段回路を備え、前
記コンパレータ回路における基準電圧を温度依存性を持
たない定電圧源によって設定し、その変動を規制するこ
とにより、基準電圧および比較電圧によって設定される
過電流制限値を温度上昇にかかわらず一定とするように
したので、コンパレータ回路における基準電圧を温度依
存性を持たない定電圧源によって設定することにより、
高温時において半導体集積回路等の保護対象に過電流が
流れたときに、保護対象における加速的な温度上昇を的
確に阻止できる過電流検出回路を得ることができる。
According to the fifth aspect, a comparator circuit that compares a reference voltage with a comparison voltage derived in accordance with an output current, detects a current exceeding an overcurrent limit value, and determines overcurrent, An output stage circuit for stopping an output current when an overcurrent is detected by a comparator circuit, and a reference voltage in the comparator circuit is set by a constant voltage source having no temperature dependency, thereby regulating the fluctuation. Since the overcurrent limit value set by the reference voltage and the comparison voltage is made constant regardless of the temperature rise, by setting the reference voltage in the comparator circuit by a constant voltage source having no temperature dependency,
When an overcurrent flows through a protection target such as a semiconductor integrated circuit at a high temperature, it is possible to obtain an overcurrent detection circuit that can accurately prevent an accelerated temperature rise in the protection target.

【0040】第6の発明によれば、基準電圧と、出力電
流に応じて導出される比較電圧とを比較し、過電流制限
値を超える電流を検出して過電流判定を行うコンパレー
タ回路、前記コンパレータ回路により過電流が検出され
たときに出力電流を止めるための出力段回路を備え、前
記コンパレータ回路における基準電圧を温度依存性を持
たない定電圧源によりオペアンプを介して設定し、その
変動を規制することにより、基準電圧および比較電圧に
よって設定される過電流制限値を温度上昇にかかわらず
一定とするようにしたので、コンパレータ回路における
基準電圧を温度依存性を持たない定電圧源によってオペ
アンプを介し設定することにより、高温時において半導
体集積回路等の保護対象に過電流が流れたときに、保護
対象における加速的な温度上昇を更に的確に阻止できる
過電流検出回路を得ることができる。
According to the sixth aspect, a comparator circuit that compares a reference voltage with a comparison voltage derived according to an output current, detects a current exceeding an overcurrent limit value, and makes an overcurrent determination, An output stage circuit for stopping an output current when an overcurrent is detected by the comparator circuit is provided, and a reference voltage in the comparator circuit is set via a operational amplifier by a constant voltage source having no temperature dependency, and a variation thereof is set. By regulating, the overcurrent limit value set by the reference voltage and the comparison voltage is kept constant regardless of the temperature rise.Therefore, the reference voltage in the comparator circuit is controlled by a constant voltage source that does not have temperature dependency. When an overcurrent flows through the protection target such as a semiconductor integrated circuit at a high temperature, the acceleration It is possible to obtain an overcurrent detection circuit for a such temperature increase can be more accurately prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明による実施の形態1における負の温
度特性をもつ過電流制限値を備えた過電流検出回路を示
す接続図である。
FIG. 1 is a connection diagram showing an overcurrent detection circuit having an overcurrent limit value having a negative temperature characteristic according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 この発明による実施の形態2における温度特
性をもたない過電流制限値を備えた過電流検出回路を示
す接続図である。
FIG. 2 is a connection diagram showing an overcurrent detection circuit having an overcurrent limit value without temperature characteristics according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 この発明による実施の形態3における過電流
検出回路を示す接続図である。
FIG. 3 is a connection diagram showing an overcurrent detection circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図4】 従来例の過電流検出回路を示す接続図であ
る。
FIG. 4 is a connection diagram showing a conventional overcurrent detection circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 コンパレータ回路、2 出力段回路、3 定電流回
路、4 オペアンプ、VB 電源、Rext 抵抗、Qex
t 出力トランジスタ、Q1 〜Q26 トランジスタ、R
1 〜R12 抵抗、VREF 定電圧源電圧。
1 Comparator circuit, 2 output stage circuit, 3 constant current circuit, 4 operational amplifier, VB power supply, Rext resistor, Qex
t output transistor, Q1-Q26 transistor, R
1 to R12 resistance, VREF constant voltage source voltage.

フロントページの続き Fターム(参考) 2G035 AA03 AA06 AA16 AB02 AC02 AC16 AD02 AD10 AD23 AD56 5G004 AA04 AB02 BA03 BA04 DA02 DC04 DC12 EA01 Continued on the front page F term (reference) 2G035 AA03 AA06 AA16 AB02 AC02 AC16 AD02 AD10 AD23 AD56 5G004 AA04 AB02 BA03 BA04 DA02 DC04 DC12 EA01

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基準電圧と、出力電流に応じて導出され
る比較電圧とを比較し、過電流制限値を超える電流を検
出して過電流判定を行うコンパレータ回路、前記コンパ
レータ回路により過電流が検出されたときに出力電流を
止めるための出力段回路を備え、前記コンパレータ回路
における基準電圧および比較電圧の少なくとも一方の変
動を規制することにより、基準電圧および比較電圧によ
って設定される過電流制限値の温度上昇による増加を阻
止するようにしたことを特徴とする過電流検出回路。
1. A comparator circuit for comparing a reference voltage with a comparison voltage derived according to an output current, detecting a current exceeding an overcurrent limit value and performing an overcurrent determination, wherein the overcurrent is detected by the comparator circuit. An output stage circuit for stopping an output current when detected, and regulating at least one of a reference voltage and a comparison voltage in the comparator circuit to thereby limit an overcurrent limit value set by the reference voltage and the comparison voltage An overcurrent detection circuit characterized by preventing an increase due to a temperature rise of the overcurrent detection circuit.
【請求項2】 基準電圧と、出力電流に応じて導出され
る比較電圧とを比較し、過電流制限値を超える電流を検
出して過電流判定を行うコンパレータ回路、前記コンパ
レータ回路により過電流が検出されたときに出力電流を
止めるための出力段回路を備え、前記コンパレータ回路
における基準電圧および比較電圧の少なくとも一方の変
動を規制することにより、基準電圧および比較電圧によ
って設定される過電流制限値を温度上昇にしたがって減
少するようにしたことを特徴とする過電流検出回路。
2. A comparator circuit for comparing a reference voltage with a comparison voltage derived according to an output current, detecting a current exceeding an overcurrent limit value and performing an overcurrent determination, wherein the overcurrent is detected by the comparator circuit. An output stage circuit for stopping an output current when detected, and regulating at least one of a reference voltage and a comparison voltage in the comparator circuit to thereby limit an overcurrent limit value set by the reference voltage and the comparison voltage Is reduced as the temperature rises.
【請求項3】 基準電圧と、出力電流に応じて導出され
る比較電圧とを比較し、過電流制限値を超える電流を検
出して過電流判定を行うコンパレータ回路、前記コンパ
レータ回路により過電流が検出されたときに出力電流を
止めるための出力段回路を備え、前記コンパレータ回路
にバイアス電流を供給して、前記コンパレータ回路にお
ける基準電圧および比較電圧の少なくとも一方の変動を
規制することにより、基準電圧および比較電圧によって
設定される過電流制限値を温度上昇にしたがって減少す
るための定電流回路を設けたことを特徴とする過電流検
出回路。
3. A comparator circuit for comparing a reference voltage with a comparison voltage derived according to an output current, detecting a current exceeding an overcurrent limit value and performing an overcurrent determination, wherein the overcurrent is detected by the comparator circuit. An output stage circuit for stopping an output current when detected, and supplying a bias current to the comparator circuit to regulate at least one of a reference voltage and a comparison voltage in the comparator circuit, thereby providing a reference voltage. An overcurrent detection circuit provided with a constant current circuit for reducing an overcurrent limit value set by the comparison voltage with a rise in temperature.
【請求項4】 基準電圧と、出力電流に応じて導出され
る比較電圧とを比較し、過電流制限値を超える電流を検
出して過電流判定を行うコンパレータ回路、前記コンパ
レータ回路により過電流が検出されたときに出力電流を
止めるための出力段回路を備え、前記コンパレータ回路
における基準電圧および比較電圧の少なくとも一方の変
動を規制することにより、基準電圧および比較電圧によ
って設定される過電流制限値を温度上昇にかかわらず一
定とするようにしたことを特徴とする過電流検出回路。
4. A comparator circuit for comparing a reference voltage and a comparison voltage derived according to an output current, detecting a current exceeding an overcurrent limit value and performing an overcurrent determination, wherein the overcurrent is detected by the comparator circuit. An output stage circuit for stopping an output current when detected, and regulating at least one of a reference voltage and a comparison voltage in the comparator circuit to thereby limit an overcurrent limit value set by the reference voltage and the comparison voltage The overcurrent detection circuit is characterized in that the current is kept constant regardless of the temperature rise.
【請求項5】 基準電圧と、出力電流に応じて導出され
る比較電圧とを比較し、過電流制限値を超える電流を検
出して過電流判定を行うコンパレータ回路、前記コンパ
レータ回路により過電流が検出されたときに出力電流を
止めるための出力段回路を備え、前記コンパレータ回路
における基準電圧を温度依存性を持たない定電圧源によ
って設定し、その変動を規制することにより、基準電圧
および比較電圧によって設定される過電流制限値を温度
上昇にかかわらず一定とするようにしたことを特徴とす
る過電流検出回路。
5. A comparator circuit for comparing a reference voltage with a comparison voltage derived according to an output current, detecting a current exceeding an overcurrent limit value and performing an overcurrent determination, wherein the overcurrent is detected by the comparator circuit. An output stage circuit for stopping an output current when detected, a reference voltage in the comparator circuit is set by a constant voltage source having no temperature dependency, and a variation thereof is regulated, whereby a reference voltage and a comparison voltage are set. An overcurrent detection circuit characterized in that an overcurrent limit value set by the above is made constant regardless of a temperature rise.
【請求項6】 基準電圧と、出力電流に応じて導出され
る比較電圧とを比較し、過電流制限値を超える電流を検
出して過電流判定を行うコンパレータ回路、前記コンパ
レータ回路により過電流が検出されたときに出力電流を
止めるための出力段回路を備え、前記コンパレータ回路
における基準電圧を温度依存性を持たない定電圧源によ
りオペアンプを介して設定し、その変動を規制すること
により、基準電圧および比較電圧によって設定される過
電流制限値を温度上昇にかかわらず一定とするようにし
たことを特徴とする過電流検出回路。
6. A comparator circuit for comparing a reference voltage with a comparison voltage derived according to an output current, detecting a current exceeding an overcurrent limit value and performing an overcurrent determination, wherein the overcurrent is detected by the comparator circuit. An output stage circuit for stopping an output current when detected is provided, a reference voltage in the comparator circuit is set via an operational amplifier by a constant voltage source having no temperature dependency, and a variation thereof is regulated, whereby a reference voltage is set. An overcurrent detection circuit characterized in that an overcurrent limit value set by a voltage and a comparison voltage is fixed regardless of a temperature rise.
JP2000044412A 2000-02-22 2000-02-22 Overcurrent detection circuit Pending JP2001235490A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000044412A JP2001235490A (en) 2000-02-22 2000-02-22 Overcurrent detection circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000044412A JP2001235490A (en) 2000-02-22 2000-02-22 Overcurrent detection circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001235490A true JP2001235490A (en) 2001-08-31

Family

ID=18567164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000044412A Pending JP2001235490A (en) 2000-02-22 2000-02-22 Overcurrent detection circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001235490A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003215175A (en) * 2002-01-17 2003-07-30 Mitsumi Electric Co Ltd Circuit for detecting current
CN100433492C (en) * 2005-12-29 2008-11-12 华润矽威科技(上海)有限公司 Current limiting circuit with temperature compensation and method
JP2018124152A (en) * 2017-01-31 2018-08-09 新日本無線株式会社 Current detection circuit
CN108832900A (en) * 2018-05-31 2018-11-16 北京集创北方科技股份有限公司 Operational amplification circuit and its over-current protection method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003215175A (en) * 2002-01-17 2003-07-30 Mitsumi Electric Co Ltd Circuit for detecting current
CN100433492C (en) * 2005-12-29 2008-11-12 华润矽威科技(上海)有限公司 Current limiting circuit with temperature compensation and method
JP2018124152A (en) * 2017-01-31 2018-08-09 新日本無線株式会社 Current detection circuit
CN108832900A (en) * 2018-05-31 2018-11-16 北京集创北方科技股份有限公司 Operational amplification circuit and its over-current protection method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5831471A (en) DC-stabilized power circuit
JP4807074B2 (en) Temperature detection circuit and temperature detection method
US8030979B2 (en) Circuit for generating reference voltage
JP3358459B2 (en) Temperature detection circuit
JP2000089844A (en) Cmos band gap voltage reference
JP7354380B2 (en) Electrical circuits that allow electronic components to start and shut down safely
JPS5866130A (en) semiconductor integrated circuit
US6016050A (en) Start-up and bias circuit
JP2007265380A (en) Voltage triggered current sink circuit and method
JP4397562B2 (en) Bandgap reference circuit
US4851953A (en) Low voltage current limit loop
US4958122A (en) Current source regulator
JP2001235490A (en) Overcurrent detection circuit
US6876180B2 (en) Power supply circuit having a start up circuit
JP2006349521A (en) Overheat detection circuit and semiconductor integrated circuit apparatus
JP3779838B2 (en) Current limit circuit
US6069520A (en) Constant current circuit using a current mirror circuit and its application
KR100569555B1 (en) Temperature sensing circuit
JPH0962389A (en) Constant voltage source circuit
EP1099888B1 (en) Apparatus and method for calibration of transmission shifters
JP2001195140A (en) Overheat protection circuit and stabilized power supply circuit having the same
JP2729001B2 (en) Reference voltage generation circuit
JP4163861B2 (en) Semiconductor device
JP3330004B2 (en) DC stabilized power supply
JP3197240B2 (en) Comparison circuit

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060123