JP2001235548A - Scintillator panel - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、医療用のＸ線撮影
等に用いられるシンチレータパネルに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scintillator panel used for medical X-ray photography and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】医療、工業用のＸ線撮影では、Ｘ線感光
フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果の保存
性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメージング
システムが普及してきている。このような放射線イメー
ジングシステムにおいては、放射線検出素子により２次
元の放射線による画素データを電気信号として取得し、
この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示して
いる。2. Description of the Related Art In medical and industrial X-ray photography, an X-ray photosensitive film has been used. However, a radiation imaging system using a radiation detecting element has become widespread in terms of convenience and preservation of photographed results. I have. In such a radiation imaging system, pixel data due to two-dimensional radiation is acquired as an electric signal by a radiation detection element,
This signal is processed by a processing device and displayed on a monitor.
【０００３】従来、代表的な放射線検出素子として、特
開平５−１９６７４２号公報、特開昭６３−２１５９８
７号公報に開示されている放射線検出素子等が知られて
いる。この放射線検出素子は、撮像素子又はＦＯＰ上に
シンチレータを形成し、シンチレータ側から入射する放
射線をシンチレータで光に変換して検出している。Conventionally, typical radiation detecting elements are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 5-196742 and 63-21598.
There is known a radiation detecting element and the like disclosed in Japanese Patent No. In this radiation detecting element, a scintillator is formed on an imaging element or an FOP, and radiation incident from the scintillator side is converted into light by the scintillator and detected.
【０００４】ここで典型的なシンチレータ材料であるＣ
ｓＩは、吸湿性材料であり、空気中の水蒸気（湿気）を
吸収して潮解し、シンチレータの特性、特に解像度が劣
化することから、上述の放射線検出素子においては、シ
ンチレータ層の上部に水分不透過性の防湿バリヤを形成
することにより、シンチレータを湿気から保護してい
る。Here, a typical scintillator material, C
sI is a hygroscopic material, which absorbs water vapor (moisture) in the air and deliquesces, deteriorating the characteristics of the scintillator, particularly the resolution. Therefore, in the above-described radiation detecting element, moisture is not present above the scintillator layer. The formation of a permeable moisture barrier protects the scintillator from moisture.
【０００５】ところでシンチレータを湿気から保護する
ための防湿バリヤとして、ポリパラキシリレン膜等が用
いられているが、このポリパラキシリレン膜は、ＣＶＤ
法（気相成長法）により蒸着されている。ここでＣＶＤ
法によりポリパラキシリレン膜を蒸着する場合には、シ
ンチレータを形成した基板を平板状の蒸着台やメッシュ
状の蒸着台上に置いた状態で蒸着台を蒸着装置の蒸着室
に入れ、ポリパラキシリレン膜の蒸着を行っている。[0005] A polyparaxylylene film or the like is used as a moisture barrier for protecting the scintillator from moisture.
It is deposited by a vapor deposition method. Where CVD
In the case of depositing a polyparaxylylene film by the method, the substrate on which the scintillator is formed is placed on a flat plate-like deposition table or a mesh-like deposition table, and the deposition table is put into a deposition chamber of a deposition apparatus. A xylylene film is deposited.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
方法によりポリパラキシリレン膜の蒸着を行うと、基板
のみならず蒸着台にもポリパラキシリレン膜が形成され
るため、基板を蒸着台から取り上げにくく、また、シン
チレータを形成した基板の全面にポリパラキシリレン膜
を形成することができなかった。However, when the polyparaxylylene film is deposited by the above-described method, the polyparaxylylene film is formed not only on the substrate but also on the deposition table. It was difficult to take up, and a polyparaxylylene film could not be formed on the entire surface of the substrate on which the scintillator was formed.
【０００７】この発明は、シンチレータの保護性能を高
めたシンチレータパネルを提供することを目的とする。It is an object of the present invention to provide a scintillator panel having enhanced scintillator protection performance.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明に係るシンチレ
ータパネルは、基板と、この基板の一方の表面上に形成
されているシンチレータと、シンチレータの表面全体か
ら基板のシンチレータ形成面の反対面までの基板の略全
面を覆って一体として蒸着形成されている有機膜と、を
備えていることを特徴とする。A scintillator panel according to the present invention comprises a substrate, a scintillator formed on one surface of the substrate, and a scintillator extending from the entire surface of the scintillator to a surface opposite to the scintillator forming surface of the substrate. And an organic film formed by vapor deposition integrally over substantially the entire surface of the substrate.
【０００９】本発明に係るシンチレータパネルは、蒸着
台上に配置され、試料支持体の少なくとも３点以上の凸
部によりシンチレータが形成された基板を蒸着台から離
間して支持し、その状態で蒸着台をＣＶＤ装置の蒸着室
に導入して、基板のシンチレータ及び基板の全面にＣＶ
Ｄ法により有機膜を蒸着させることで製造される。A scintillator panel according to the present invention is disposed on a vapor deposition table, and supports a substrate on which a scintillator is formed by at least three projections of a sample support at a distance from the vapor deposition table. The table is introduced into the deposition chamber of the CVD apparatus, and the scintillator of the substrate and the CV
It is manufactured by depositing an organic film by the method D.
【００１０】このようにすれば、基板が蒸着台上に配置
された試料支持体により蒸着台から離間して支持されて
いるため、試料支持体により支持されている基板の裏面
側にも有機膜を蒸着させることができ、シンチレータが
形成された基板のシンチレータ及び基板の全面にＣＶＤ
法により有機膜を蒸着させることができる。また、有機
膜を蒸着した後に基板を蒸着台から容易に取り上げるこ
とができる。[0010] According to this structure, since the substrate is supported by the sample support placed on the deposition table at a distance from the deposition table, the organic film is also provided on the back side of the substrate supported by the sample support. Can be deposited, and the entire surface of the scintillator and the substrate on which the scintillator has been formed is subjected to CVD.
An organic film can be deposited by the method. After the organic film is deposited, the substrate can be easily removed from the deposition table.
【００１１】この発明は、有機膜がポリパラキシリレン
膜であることを特徴とする。この発明によれば、シンチ
レータが形成された基板のシンチレータ及び基板の全面
にＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜を蒸着させるこ
とができる。The present invention is characterized in that the organic film is a polyparaxylylene film. According to the present invention, the polyparaxylylene film can be deposited on the entire surface of the scintillator and the substrate on which the scintillator is formed by the CVD method.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態にかかるシンチレータパネルの説明を行
う。以下、順にその製造方法について説明する。図１
は、本発明に係るシンチレータパネルにおいてポリパラ
キシリレン膜の蒸着方法に用いられるポリパラキシリレ
ン蒸着装置の構成図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A scintillator panel according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Hereinafter, the manufacturing method will be described in order. FIG.
FIG. 1 is a configuration diagram of a polyparaxylylene vapor deposition apparatus used for a polyparaxylylene film vapor deposition method in a scintillator panel according to the present invention.
【００１３】このポリパラキシリレン蒸着装置は、ポリ
パラキシリレンの原料であるジパラキシリレンを挿入し
気化させる気化室１、気化したジパラキシリレンを加熱
昇温してラジカル化する熱分解室２、ラジカル化された
状態のジパラキシリレンをシンチレータが形成された基
板に蒸着させる蒸着室３、防臭、冷却を行う冷却室４及
び真空ポンプを有する排気系５を備えて構成されてい
る。ここで、蒸着室３は、図２に示すように熱分解室２
においてラジカル化されたポリパラキシリレンを導入す
る導入口３ａ及び余分なポリパラキシリレンを排出する
排出口３ｂを有すると共に、ポリパラキシリレン膜の蒸
着を行う試料を支持するターンテーブル（蒸着台）３ｃ
を有する。In this polyparaxylylene vapor deposition apparatus, a vaporization chamber 1 for inserting and vaporizing diparaxylylene, which is a raw material of polyparaxylylene, a thermal decomposition chamber 2 for heating and raising the temperature of the vaporized diparaxylylene to form a radical, It comprises a vapor deposition chamber 3 for depositing diparaxylylene in a state of being formed on a substrate on which a scintillator is formed, a cooling chamber 4 for deodorizing and cooling, and an exhaust system 5 having a vacuum pump. Here, as shown in FIG.
A turntable (evaporation table) having an inlet 3a for introducing radicalized polyparaxylylene and an outlet 3b for discharging extra polyparaxylylene, and supporting a sample on which a polyparaxylylene film is deposited. ) 3c
Having.
【００１４】このポリパラキシリレン蒸着装置において
は、まず、シンチレータ１２を形成した円板状又は矩形
板状の基板１０（本発明に係るシンチレータパネルとな
る。）を蒸着室３のターンテーブル３ｃ上に試料支持針
２０により支持する。即ち、図２及び図３に示すように
基板１０の底面を、略正三角形を形成するように配置さ
れた３本の試料支持針２０により支持し、ターンテーブ
ル３ｃ上に配置する。この３本の試料支持針２０が試料
支持体を構成する。ここで試料支持針２０は、一端に鋭
く尖った試料支持部２０ａを有すると共に他端にターン
テーブル３ｃの上面に接する円板状の設置部２０ｂを有
している。なお、シンチレータ１２を形成した基板１０
は、図４（ａ）に示すように、円板状又は矩形平板状の
Ａｌ製の基板１０（厚さ０．５ｍｍ）の一方の表面に、
ＴｌをドープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって２
５０μｍの厚さで成長させてシンチレータ１２を形成し
たものである。In this polyparaxylylene vapor deposition apparatus, first, a disk-shaped or rectangular-plate-shaped substrate 10 (scintillator panel according to the present invention) on which a scintillator 12 is formed is placed on a turntable 3c of a vapor deposition chamber 3. Is supported by the sample supporting needle 20. That is, as shown in FIGS. 2 and 3, the bottom surface of the substrate 10 is supported by three sample supporting needles 20 arranged so as to form a substantially equilateral triangle, and arranged on the turntable 3c. These three sample support needles 20 constitute a sample support. Here, the sample support needle 20 has a sharply pointed sample support portion 20a at one end, and a disk-shaped installation portion 20b at the other end that is in contact with the upper surface of the turntable 3c. The substrate 10 on which the scintillator 12 is formed
As shown in FIG. 4 (a), a disk-shaped or rectangular-plate-shaped Al substrate 10 (0.5 mm thick) is provided on one surface.
A columnar crystal of CsI doped with Tl was deposited by vapor deposition.
The scintillator 12 is formed by growing with a thickness of 50 μm.
【００１５】次に、このシンチレータ１２を形成した基
板１０を配置したターンテーブル３ｃを蒸着室３内に導
入し、気化室１において１７５℃に加熱して気化させ、
熱分解室２において６９０℃に加熱昇温してラジカル化
したジパラキシリレンを、導入口３ａから蒸着室３に導
入して、シンチレータ１２及び基板１０の全面に第１の
ポリパラキシリレン膜１４を１０μｍの厚さで蒸着する
（図４（ｂ）参照）。即ち、シンチレータ１２を形成し
た基板１０は、ターンテーブル３ｃ上において試料支持
針２０の試料支持部２０ａの先端部のみで支持されてい
るため、シンチレータ１２の表面及び基板１０の表面の
みならず基板１０の裏面等にも第１のポリパラキシリレ
ン膜１４を蒸着させることができる。Next, the turntable 3c on which the substrate 10 on which the scintillator 12 is formed is placed is introduced into the vapor deposition chamber 3, and is heated to 175 ° C. in the vaporization chamber 1 to be vaporized.
Diparaxylylene radicalized by heating to 690 ° C. in the pyrolysis chamber 2 was introduced into the vapor deposition chamber 3 through the inlet 3a, and the first polyparaxylylene film 14 was formed on the entire surface of the scintillator 12 and the substrate 10 by 10 μm. (See FIG. 4B). That is, since the substrate 10 on which the scintillator 12 is formed is supported only on the turntable 3c by the tip of the sample support portion 20a of the sample support needle 20, not only the surface of the scintillator 12 and the surface of the substrate 10 but also the substrate 10 The first polyparaxylylene film 14 can be deposited also on the back surface and the like.
【００１６】なお、この場合に、蒸着室３内は真空度１
３Ｐａに維持されている。又、ターンテーブル３ｃは、
第１のポリパラキシリレン膜１４が均一に蒸着されるよ
うに、４ｒｐｍの速度で回転させている。また、余分な
ポリパラキシリレンは、排出口３ｂから排出され、防
臭、冷却を行う冷却室４及び真空ポンプを有する排気系
５に導かれる。In this case, the inside of the vapor deposition chamber 3 has a degree of vacuum of 1
It is maintained at 3 Pa. The turntable 3c is
The rotation is performed at a speed of 4 rpm so that the first polyparaxylylene film 14 is uniformly deposited. Excess polyparaxylylene is discharged from the discharge port 3b and guided to a cooling chamber 4 for deodorizing and cooling and an exhaust system 5 having a vacuum pump.
【００１７】次に、第１のポリパラキシリレン膜１４が
蒸着された基板１０を蒸着室３から取り出し、シンチレ
ータ１２側の第１のポリパラキシリレン膜１４の表面に
ＳｉＯ2膜１６をスパッタリングにより３００ｎｍの厚
さで成膜する(図５（ａ）参照)。ＳｉＯ2膜１６は、シン
チレータ１２の耐湿性の向上を目的とするものであるた
め、シンチレータ１２を覆う範囲で形成される。Next, the substrate 10 on which the first polyparaxylylene film 14 has been deposited is taken out of the deposition chamber 3, and a SiO 2 film 16 is sputtered on the surface of the first polyparaxylylene film 14 on the scintillator 12 side. To form a film with a thickness of 300 nm (see FIG. 5A). Since the SiO 2 film 16 is intended to improve the moisture resistance of the scintillator 12, it is formed in a range that covers the scintillator 12.
【００１８】更に、ＳｉＯ2膜１６の表面及び基板１０
側のＳｉＯ2膜１６が形成されていない第1のポリパラキ
シリレン膜１４の表面に、再度ＣＶＤ法により第２のポ
リパラキシリレン膜１８を１０μｍ厚さで蒸着する(図
５（ｂ）参照)。即ち、この場合においても第１のポリパ
ラキシリレン膜１４を蒸着させたときと同様に、基板１
０を蒸着室３のターンテーブル３ｃ上において３本の試
料支持針２０により支持する。即ち、第1のポリパラキシ
リレン膜１４を蒸着したときと同様に、基板１０の底面
を、略正三角形を形成するように配置された３本の試料
支持針２０により支持しターンテーブル３ｃ上に配置す
る(図２及び図３参照)。この場合においては、第１のポリ
パラキシリレン膜１４を蒸着する際に試料支持針２０に
より基板１０を支持した位置と第２のポリパラキシリレ
ン膜１８を蒸着する際に試料支持針２０により基板１０
を支持する位置とをずらすようにして基板１０を支持す
る。Further, the surface of the SiO 2 film 16 and the substrate 10
On the surface of the first polyparaxylylene film 14 on which the SiO 2 film 16 on the side is not formed, a second polyparaxylylene film 18 is again deposited to a thickness of 10 μm by the CVD method (FIG. 5B). reference). That is, even in this case, the substrate 1 is formed in the same manner as when the first polyparaxylylene film 14 is deposited.
0 is supported by three sample supporting needles 20 on the turntable 3 c of the vapor deposition chamber 3. That is, similarly to the case where the first polyparaxylylene film 14 is deposited, the bottom surface of the substrate 10 is supported by three sample supporting needles 20 arranged so as to form a substantially equilateral triangle, and is placed on the turntable 3c. (See FIGS. 2 and 3). In this case, the position where the substrate 10 is supported by the sample supporting needle 20 when depositing the first polyparaxylylene film 14 and the position where the sample supporting needle 20 is deposited when depositing the second polyparaxylylene film 18. Substrate 10
The substrate 10 is supported so as to be shifted from the position for supporting the substrate 10.
【００１９】そして、ターンテーブル３ｃを蒸着室３内
に導入し、気化室１において１７５℃に加熱して気化さ
せ、熱分解室２において６９０℃に加熱昇温してラジカ
ル化したジパラキシリレンを、導入口３ａから蒸着室３
に導入して、シンチレータ１２及び基板１０の全面に第
２のポリパラキシリレン膜１８を１０μｍの厚さで蒸着
する。この工程を終了することにより本発明に係るシン
チレータパネル３０の製造が終了する。このシンチレー
タパネル３０は、シンチレータ１２側に図示しない撮像
素子（ＣＣＤ）を貼り合わせると共に、基板１０側から
Ｘ線を入射させることにより放射線検出器として用いら
れる。Then, the turntable 3c is introduced into the vapor deposition chamber 3, heated to 175 ° C. in the vaporization chamber 1, vaporized, and heated to 690 ° C. in the thermal decomposition chamber 2, and radicalized diparaxylylene is introduced. Evaporation chamber 3 from mouth 3a
And a second polyparaxylylene film 18 is deposited on the entire surface of the scintillator 12 and the substrate 10 to a thickness of 10 μm. When this step is completed, the manufacture of the scintillator panel 30 according to the present invention is completed. The scintillator panel 30 is used as a radiation detector by adhering an image pickup device (CCD) (not shown) to the scintillator 12 side and allowing X-rays to enter from the substrate 10 side.
【００２０】以上説明したポリパラキシリレン膜の蒸着
方法によれば、シンチレータ１２を形成した基板１０
は、ターンテーブル３ｃ上において試料支持針２０の試
料支持部２０ａの先端部のみで支持されているため、基
板１０の底面と試料支持部２０ａの先端部との接触面積
が小さくなることから、基板１０の裏面等にもポリパラ
キシリレン膜を均一に蒸着させることができる。また、
第１のポリパラキシリレン膜１４、第２のポリパラキシ
リレン膜１８を蒸着させた後に、基板１０をターンテー
ブル３ｃ上から容易に取り上げることができる。According to the polyparaxylylene film deposition method described above, the substrate 10 on which the scintillator 12 is formed
Is supported only on the tip of the sample support 20a of the sample support needle 20 on the turntable 3c, so that the contact area between the bottom surface of the substrate 10 and the tip of the sample support 20a is reduced. The polyparaxylylene film can be uniformly deposited on the back surface of the substrate 10 or the like. Also,
After the first polyparaxylylene film 14 and the second polyparaxylylene film 18 are deposited, the substrate 10 can be easily taken out from the turntable 3c.
【００２１】また、第１のポリパラキシリレン膜１４を
蒸着する際に試料支持針２０により基板１０を支持した
位置と第２のポリパラキシリレン膜１８を蒸着する際に
試料支持針２０により基板１０を支持した位置とをずら
しているため、第１のポリパラキシリレン膜１４及び第
２のポリパラキシリレン膜１８の剥がれを防止すること
ができ、また、シンチレータ１２の耐湿性を向上させる
ことができる。The position where the substrate 10 is supported by the sample supporting needle 20 when depositing the first polyparaxylylene film 14 and the position where the sample supporting needle 20 is deposited when depositing the second polyparaxylylene film 18. Since the position where the substrate 10 is supported is shifted, peeling of the first polyparaxylylene film 14 and the second polyparaxylylene film 18 can be prevented, and the moisture resistance of the scintillator 12 is improved. Can be done.
【００２２】なお、上述の説明においては、シンチレー
タ１２が形成された基板１０を３本の試料支持針２０に
より支持しているが、４本以上の試料支持針により支持
するようにしても良い。In the above description, the substrate 10 on which the scintillator 12 is formed is supported by the three sample supporting needles 20, but may be supported by four or more sample supporting needles.
【００２３】また、上述の説明においては、試料支持針
２０が一端に鋭く尖った試料支持部２０ａを有すると共
に他端に円板状の設置部２０ｂを有しているが、試料支
持針２０の形状は、基板１０の底面との接触面積が小さ
く、かつ、ターンテーブル３ｃ上において基板１０を安
定に支持できるものであれば、その形状は適宜変更可能
である。例えば、図６に示すように、綱体（試料支持
体）４０により基板を支持するようにしてもよい。この
場合においても綱体４０の少なくとも３点の凸部４０ａ
により基板１０が支持されることから、基板１０の底面
と網体４０との接触面積が小さくでき基板１０の裏面等
にもポリパラキシリレン膜を均一に蒸着させることがで
きる。In the above description, the sample support needle 20 has a sharply pointed sample support portion 20a at one end and a disk-shaped installation portion 20b at the other end. The shape can be appropriately changed as long as the contact area with the bottom surface of the substrate 10 is small and the substrate 10 can be stably supported on the turntable 3c. For example, as shown in FIG. 6, the substrate may be supported by a rope (sample support) 40. Also in this case, at least three convex portions 40a of the rope body 40 are provided.
By supporting the substrate 10, the contact area between the bottom surface of the substrate 10 and the mesh body 40 can be reduced, and the polyparaxylylene film can be uniformly deposited on the back surface of the substrate 10 and the like.
【００２４】また、上述の説明においては、透明無機膜
としてＳｉＯ2膜１６を用いているが、これに限らずＳｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2，Ｍｇ
Ｏ，ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＣａＦ2、ＡｇＣｌ、ＳｉＮＯ及
びＳｉＮ等を材料とする無機膜を使用しても良い。In the above description, the SiO 2 film 16 is used as the transparent inorganic film.
O 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , In 2 O 3 , SnO 2 , Mg
An inorganic film made of O, MgF 2 , LiF, CaF 2 , AgCl, SiNO, SiN or the like may be used.
【００２５】また、上述の説明においては、シンチレー
タ１２としてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられているが、これ
に限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、ＬｉＩ（Ｅ
ｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等を用いてもよい。In the above description, CsI (Tl) is used as the scintillator 12, but the present invention is not limited to this, and CsI (Na), NaI (Tl) and LiI (E
u), KI (Tl) or the like may be used.
【００２６】また、上述の説明においては、基板１０と
してＡｌ製の基板が用いられているが、Ｘ線透過率の良
い基板であればよいことから、アモルファスカーボン製
の基板、Ｃ（グラファイト）製の基板等炭素を主成分と
する基板、Ｂｅ製の基板、ＳｉＣ製の基板等を用いても
よい。また、ガラス製の基板、ＦＯＰ（ファイバオプテ
ィカルプレート）を用いてもよい。In the above description, the substrate made of Al is used as the substrate 10. However, any substrate having good X-ray transmittance may be used. Therefore, a substrate made of amorphous carbon and a substrate made of C (graphite) are used. A substrate mainly composed of carbon, a substrate made of Be, a substrate made of SiC, or the like may be used. Further, a glass substrate or a FOP (fiber optical plate) may be used.
【００２７】また、上述の実施の形態における、ポリパ
ラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモノ
クロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、
ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキ
シリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチル
パラキシリレン等を含む。The polyparaxylylene in the above-mentioned embodiment includes, in addition to polyparaxylylene, polymonochloroparaxylylene, polydichloroparaxylylene,
Including polytetrachloroparaxylylene, polyfluoroparaxylylene, polydimethylparaxylylene, polydiethylparaxylylene and the like.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明によれば、基板上のシンチレータ
及び基板の全面に有機膜を蒸着させたシンチレータパネ
ルを容易に製造することができ、また、有機膜を蒸着さ
せた後に、基板をターンテーブル上から容易に取り上げ
ることができる。According to the present invention, a scintillator on a substrate and a scintillator panel having an organic film deposited on the entire surface of the substrate can be easily manufactured, and the substrate is turned after the organic film is deposited. It can be easily picked up from the table.
【図１】本発明に係るシンチレータパネルの製造に用い
られるポリパラキシリレン蒸着装置の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a polyparaxylylene vapor deposition apparatus used for manufacturing a scintillator panel according to the present invention.
【図２】図１の蒸着装置の蒸着室の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a vapor deposition chamber of the vapor deposition apparatus of FIG.
【図３】図１の蒸着装置のターンテーブル上での基板の
支持状態を示す図である。FIG. 3 is a view showing a support state of a substrate on a turntable of the vapor deposition apparatus of FIG. 1;
【図４】本発明に係るシンチレータパネルの製造工程を
示す図である。FIG. 4 is a view showing a manufacturing process of the scintillator panel according to the present invention.
【図５】本発明に係るシンチレータパネルの製造工程の
続きを示す図である。FIG. 5 is a view showing a continuation of the manufacturing process of the scintillator panel according to the present invention.
【図６】図６は、本発明に係るシンチレータパネルの製
造に用いられる試料支持体の変形例である。FIG. 6 is a modified example of the sample support used for manufacturing the scintillator panel according to the present invention.
１０…基板、１２…シンチレータ、１４…第１のポリパ
ラキシリレン膜（有機膜）、１６…ＳｉＯ2膜、１８…
第２のポリパラキシリレン膜、３０…シンチレータパネ
ル。10 ... substrate, 12 ... scintillator 14 ... first polyparaxylylene film (organic film), 16 ... SiO 2 film, 18 ...
Second polyparaxylylene film, 30 ... scintillator panel.
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) H01L 31/00 A
Claims (2)
と、 前記シンチレータの表面全体から前記基板のシンチレー
タ形成面の反対面までの前記基板の略全面を覆って一体
として蒸着形成されている有機膜と、 を備えているシンチレータパネル。A substrate, a scintillator formed on one surface of the substrate, and a substantially whole surface of the substrate from an entire surface of the scintillator to a surface opposite to a scintillator forming surface of the substrate. A scintillator panel comprising: an organic film formed by vapor deposition.
ある請求項１記載のシンチレータパネル。2. The scintillator panel according to claim 1, wherein said organic film is a polyparaxylylene film.
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
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| JP2000371623A JP2001235548A (en) | 1998-06-18 | 2000-12-06 | Scintillator panel |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000555116 Division |
Related Child Applications (1)
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| JP2004110318A Division JP4317068B2 (en) | 1998-06-18 | 2004-04-02 | Scintillator panel |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001235548A true JP2001235548A (en) | 2001-08-31 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2000371623A Pending JP2001235548A (en) | 1998-06-18 | 2000-12-06 | Scintillator panel |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012505374A (en) * | 2008-10-07 | 2012-03-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Container for hygroscopic scintillation crystals for nuclear imaging |
| JPWO2018173894A1 (en) * | 2017-03-22 | 2019-03-28 | 富士フイルム株式会社 | Radiation detector and radiographic imaging apparatus |
-
2000
- 2000-12-06 JP JP2000371623A patent/JP2001235548A/en active Pending
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| JPWO2018173894A1 (en) * | 2017-03-22 | 2019-03-28 | 富士フイルム株式会社 | Radiation detector and radiographic imaging apparatus |
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