JP2001319899A - Method of dividing semiconductor wafer - Google Patents
Method of dividing semiconductor waferInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ストリートの幅を狭くすることができ、か
つ、製品の歩留りがよく生産性を向上することができる
半導体ウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】 ストリートによって区画された複数個の
チップが表面に形成された半導体ウエーハをチップ毎に
分割する半導体ウエーハの分割方法であって、半導体ウ
エーハの表面にストリートに沿ってスクライブラインを
形成して分割誘導線を生成するスクライブ工程と、該分
割誘導線が生成された半導体ウエーハの表面にテープを
貼着するテープ貼着工程と、該テープが貼着された半導
体ウエーハの裏面に該分割誘導線に沿って僅かな切り残
し部を有して切削溝を生成する裏面切削工程とを含む。
(57) [Problem] To provide a method for dividing a semiconductor wafer capable of reducing the width of a street, improving the yield of products, and improving productivity. SOLUTION: This method is a semiconductor wafer dividing method for dividing a semiconductor wafer having a plurality of chips partitioned by streets formed on a surface thereof into chips, wherein scribe lines are formed along the streets on the surface of the semiconductor wafer. A scribing step of generating a divisional guide line by applying a tape to the surface of the semiconductor wafer on which the divisional guide line is generated, and a step of attaching the tape to the back surface of the semiconductor wafer to which the tape is attached. A back surface cutting step for generating a cutting groove with a slight uncut portion along the line.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ストリートによっ
て区画された複数個の回路(チップ)が表面に形成され
た半導体ウエーハをチップ毎に分割する半導体ウエーハ
の分割方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer dividing method for dividing a semiconductor wafer having a plurality of circuits (chips) partitioned by streets on a surface thereof into chips.
【0002】[0002]
【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造におて
は、略円盤状の半導体ウエーハの表面が格子状に配列さ
れたストリートといわれる切断ラインによって複数個の
矩形領域に区画されており、この矩形領域の各々に所定
の回路(チップ)が形成されている。このようにして各
々回路(チップ)が施された複数個の矩形領域が個々に
切断分離されて、所謂半導体チップを形成する。半導体
ウエーハの切断は、一般にダイシング装置とよばれる精
密切削装置によって施される。このダイシング装置は、
厚さが20μm程度の回転ブレードを高速回転させなが
ら半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿っ
て切断し個々のチップに分割する。なお、半導体ウエー
ハの分割方法としては、ガラス切りのようなポイントス
クライバやレーザー光線による切断も試みられている。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, for example, the surface of a substantially disk-shaped semiconductor wafer is divided into a plurality of rectangular areas by cutting lines called streets arranged in a grid pattern. A predetermined circuit (chip) is formed in each of the regions. In this way, a plurality of rectangular areas each provided with a circuit (chip) are individually cut and separated to form a so-called semiconductor chip. The cutting of the semiconductor wafer is generally performed by a precision cutting device called a dicing device. This dicing device
While rotating a rotating blade having a thickness of about 20 μm at a high speed, the semiconductor wafer is cut along streets formed on the surface of the semiconductor wafer and divided into individual chips. As a method of dividing the semiconductor wafer, cutting with a point scriber such as glass cutting or a laser beam has been attempted.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】而して、ダイシング装
置による半導体ウエーハの分割は、高速回転する回転ブ
レードによりストリートに衝撃力を与えながら徐々に破
壊して切削溝を形成する形態で遂行されるため、切削溝
の両側には数μm以上の細かな欠けが複数発生する。従
って、半導体ウエーハに形成されるチップは切削時に発
生する欠けが及ばない範囲に設けなければならないた
め、ダイシング装置によって切削する場合にはストリー
トの幅が50μm程度必要となる。しかるに、半導体チ
ップの生産性を向上するためには、一枚の半導体ウエー
ハに如何に多くのチップを形成できるかが問題であり、
このためにはチップが形成されていないストリートの幅
を如何に狭くできるかが課題となる。一方、ポイントス
クライバやレーザー光線による切断は、切断幅そのもの
は狭いが割れ等による製品の歩留りが悪く、生産性の面
で必ずしも満足し得るものではない。The division of the semiconductor wafer by the dicing apparatus is performed in such a manner that a rotary blade rotating at a high speed gradually breaks the street while giving an impact to the street to form a cutting groove. Therefore, a plurality of fine chips of several μm or more are generated on both sides of the cutting groove. Therefore, the chip formed on the semiconductor wafer must be provided in a range where the chip generated during cutting does not reach. Therefore, when cutting with a dicing apparatus, the width of the street is required to be about 50 μm. However, in order to improve the productivity of semiconductor chips, the problem is how many chips can be formed on one semiconductor wafer.
For this purpose, how to reduce the width of the street where no chip is formed becomes an issue. On the other hand, cutting with a point scriber or a laser beam has a narrow cutting width itself, but the product yield is poor due to cracks or the like, and is not always satisfactory in terms of productivity.
【0004】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、ストリートの幅を狭くす
ることができ、かつ、製品の歩留りがよく生産性を向上
することができる半導体ウエーハの分割方法を提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and its main technical problem is that a semiconductor wafer capable of narrowing the width of a street, improving the yield of products, and improving productivity. To provide a dividing method.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、本発明によれば、ストリートによって区画
された複数個のチップが表面に形成された半導体ウエー
ハをチップ毎に分割する半導体ウエーハの分割方法であ
って、半導体ウエーハの表面にストリートに沿ってスク
ライブラインを形成して分割誘導線を生成するスクライ
ブ工程と、該分割誘導線が生成された半導体ウエーハの
表面にテープを貼着するテープ貼着工程と、該テープが
貼着された半導体ウエーハの裏面に該分割誘導線に沿っ
て僅かな切り残し部を有して切削溝を生成する裏面切削
工程と、を含み、該切削溝の生成により該分割誘導線に
誘導されて該切り残し部が完全分割されてチップ毎に分
割される、ことを特徴とする半導体ウエーハの分割方法
が提供される。According to the present invention, there is provided a semiconductor wafer for dividing a semiconductor wafer having a plurality of chips defined by streets formed on the surface into chips, for each chip. A dividing method, wherein a scribe step of forming scribe lines along streets on a surface of a semiconductor wafer to generate division guide lines, and a tape for attaching a tape to the surface of the semiconductor wafer on which the division guide lines are generated Affixing step, and a back surface cutting step of generating a cutting groove having a slight uncut portion along the division guide line on the back surface of the semiconductor wafer to which the tape is attached, A method for dividing a semiconductor wafer is provided, wherein the semiconductor wafer is guided by the divisional guide line, and the uncut portion is completely divided and divided for each chip.
【0006】上記スクライブ工程によって生成される該
分割誘導線はスクライバによって生成され、該裏面切削
工程によって生成される該切削溝は回転ブレードによっ
て生成される。[0006] The dividing guide line generated by the scribing step is generated by a scriber, and the cutting groove generated by the back surface cutting step is generated by a rotating blade.
【0007】[0007]
【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体ウエー
ハの分割方法の実施形態について、添付図面を参照して
詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a method for dividing a semiconductor wafer according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【0008】図1には、本発明による半導体ウエーハの
分割方法の各加工工程が示されている。本発明による半
導体ウエーハの分割方法は、図1の(a)に示すように
半導体ウエーハ2の表面に設けられた各回路(チップ)
3間に形成されたストリート4に沿ってスクライブライ
ンを形成して分割誘導線5を生成するスクライブ工程
と、図1の(b)に示すように分割誘導線5が生成され
た半導体ウエーハ2の表面にテープ7を貼着するテープ
貼着工程と、図1の(c)に示すように半導体ウエーハ
2の裏面に分割誘導線5に沿って切削溝6を生成する裏
面切削工程とを含んでいる。以下、上記各工程について
更に詳細に説明する。FIG. 1 shows each processing step of the method for dividing a semiconductor wafer according to the present invention. According to the method for dividing a semiconductor wafer according to the present invention, each circuit (chip) provided on the surface of the semiconductor wafer 2 as shown in FIG.
A scribing step of forming a scribe line along a street 4 formed between the three and generating a divisional guide line 5 and a step of forming a scribe line on the semiconductor wafer 2 on which the divisional guide line 5 is generated as shown in FIG. 1 includes a tape attaching step of attaching a tape 7 to the front surface, and a back surface cutting step of forming a cutting groove 6 along the divisional guide line 5 on the back surface of the semiconductor wafer 2 as shown in FIG. I have. Hereinafter, each of the above steps will be described in more detail.
【0009】上記スクライブ工程について、図2乃至図
6を参照して説明する。図2には上記スクライブ工程を
実施するためのスクライブ装置の一実施形態が示されて
いる。図2に示すスクライブ装置は、略直方体状の装置
ハウジング1を具備している。この装置ハウジング1内
には、被加工物を保持するチャックテーブル9が加工送
り方向である矢印Xで示す方向に移動可能に配設されて
いる。チャックテーブル9は、吸着チャック支持台91
と、該吸着チャック支持台91上に装着された吸着チャ
ック92を具備しており、該吸着チャック92上に被加
工物である例えば円盤状の半導体ウエーハ2を図示しな
い吸引手段によって保持するようになっている。また、
チャックテーブル9は、図示しない回転機構によって回
動可能に構成されている。The scribing step will be described with reference to FIGS. FIG. 2 shows an embodiment of a scribing apparatus for performing the scribing step. The scribing device shown in FIG. 2 includes a substantially rectangular parallelepiped device housing 1. In the apparatus housing 1, a chuck table 9 for holding a workpiece is provided movably in a direction indicated by an arrow X which is a processing feed direction. The chuck table 9 includes a suction chuck support table 91.
And a suction chuck 92 mounted on the suction chuck support base 91 so that a workpiece, for example, a disk-shaped semiconductor wafer 2 is held on the suction chuck 92 by suction means (not shown). Has become. Also,
The chuck table 9 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).
【0010】図示の実施形態におけるスクライブ装置
は、上述したチャックテーブル9上に保持された半導体
ウエーハ2のストリート4に沿ってスクライブラインを
形成して分割誘導線5を生成するスクライブ機構20を
具備している。スクライブ機構20について、図3およ
び図4を参照して説明する。スクライブ機構20は、移
動基台21と、該移動基台21に一端を支持軸22によ
って上下方向に揺動可能に支持されたスクライバ支持部
材23と、該スクライバ支持部材23の他端に回転支持
軸24によって回転可能に支持されたローラスクライバ
25と、スクライバ支持部材23に押圧力を作用せしめ
る押圧力付勢手段26とを具備している。移動基台21
は図示しない支持台に割り出し方向である図2において
矢印Yで示す方向(図3において紙面に垂直な方向)に
移動可能に配設されている。ローラスクライバ25は焼
結ダイヤモンドによって形成されており、図3において
紙面に垂直な方向に配設された回転支持軸24によって
スクライバ支持部材23の他端に回転可能に支持されて
いる。押圧力付勢手段26は、上記移動基台21の上端
に突出して形成された支持部211に螺合された調整ネ
ジ261と、該調整ネジ261の下端に装着されたバネ
受け板262と、該バネ受け板262と上記スクライバ
支持部材23の上面との間に配設されたコイルバネ26
3とからなっている。なお、図示の実施形態においては
押圧力付勢手段としてコイルバネ263および調整ネジ
261を用いた例を示したが、押圧力付勢手段としてエ
アーピストンを用い、エアー圧を調整することにより押
圧力を制御してもよい。また、図示の実施形態における
スクライブ装置は、顕微鏡やCCDカメラを備えたアラ
イメント手段30を具備している。図4に示すようにア
ライメント手段30の顕微鏡に形成されたヘアライン
(基準線)301と上記スクライブ機構20のローラス
クライバ25の外周接触部が同一線上に位置するように
調整されている。なお、図示の実施形態においてスクラ
イブ機構20はローラスクライバ25を用いた例を示し
たが、ローラスクライバ25に代えてポイントスクライ
バを用いてもよい。The scribing apparatus in the illustrated embodiment has a scribing mechanism 20 for forming a scribing line along the street 4 of the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 9 and generating the dividing guide line 5. ing. The scribe mechanism 20 will be described with reference to FIGS. The scribing mechanism 20 includes a moving base 21, a scriber supporting member 23 having one end supported by the moving base 21 so as to be vertically swingable by a support shaft 22, and a rotating support at the other end of the scriber supporting member 23. A roller scriber 25 rotatably supported by the shaft 24 and a pressing force urging means 26 for applying a pressing force to the scriber support member 23 are provided. Moving base 21
Is arranged movably in a direction indicated by an arrow Y in FIG. 2 (a direction perpendicular to the paper surface in FIG. 3) which is an indexing direction on a support table (not shown). The roller scriber 25 is formed of sintered diamond, and is rotatably supported at the other end of the scriber support member 23 by a rotation support shaft 24 arranged in a direction perpendicular to the plane of FIG. The pressing force urging means 26 includes an adjusting screw 261 screwed to a support portion 211 formed at the upper end of the moving base 21 and a spring receiving plate 262 mounted at a lower end of the adjusting screw 261. A coil spring 26 disposed between the spring receiving plate 262 and the upper surface of the scriber support member 23
It consists of three. In the illustrated embodiment, an example is shown in which the coil spring 263 and the adjusting screw 261 are used as the pressing force urging means. However, an air piston is used as the pressing force urging means, and the pressing force is adjusted by adjusting the air pressure. It may be controlled. Further, the scribing device in the illustrated embodiment includes an alignment unit 30 including a microscope and a CCD camera. As shown in FIG. 4, the hairline (reference line) 301 formed on the microscope of the alignment means 30 and the outer peripheral contact portion of the roller scriber 25 of the scribe mechanism 20 are adjusted so as to be located on the same line. Although the example in which the scribe mechanism 20 uses the roller scriber 25 in the illustrated embodiment, a point scriber may be used instead of the roller scriber 25.
【0011】次に、本発明における上記スクライブ工程
を上述したスクライブ装置によって実施する例について
説明する。先ず、上記チャックテーブル9の吸着チャッ
ク92上に半導体ウエーハ2が例えばオペレータによっ
て載置される。このとき、半導体ウエーハ2は表面を上
にして載置される。吸着チャック92上に載置された半
導体ウエーハ2は、図示しない吸引手段によって吸着チ
ャック92上に表面を上にして裏面が吸引保持される。
このようにして半導体ウエーハ2を吸引保持したチャッ
クテーブル9はアライメント手段30の直下まで移動せ
しめられる。チャックテーブル9がアライメント手段3
0の直下に位置付けられると、アライメント手段30に
よって半導体ウエーハ2に形成されているストリート4
が検出され、スクライブ機構20の割り出し方向である
矢印Y方向に移動調節して精密位置合わせ作業が行われ
る。その後、半導体ウエーハ2を吸引保持したチャック
テーブル9を加工送り方向である矢印Xで示す方向に移
動することにより、チャックテーブル9に保持された半
導体ウエーハ2のストリート4にはローラスクライバ2
5が転動される。この結果、ストリート4に沿ってスク
ライブラインが形成され分割誘導線5が生成される。な
お、ローラスクライバ25による分割誘導線5の生成は
50〜150gの荷重の下で実施するのが望ましい。こ
の荷重は、押圧力付勢手段26の調整ネジ261を進退
することによって調整することができる。そして、半導
体ウエーハ2に形成された全ストリート4に対して、上
述したスクライブ機構20の割り出し方向である矢印Y
方向の送りとチャックテーブル9の加工送り方向である
矢印X方向の送りとを順次繰り返して実行することによ
り、図6に示すように半導体ウエーハ2にはストリート
4に沿って分割誘導線5を生成することができる。Next, an example in which the scribing step in the present invention is performed by the scribing apparatus will be described. First, the semiconductor wafer 2 is placed on the suction chuck 92 of the chuck table 9 by, for example, an operator. At this time, the semiconductor wafer 2 is placed with its surface facing up. The semiconductor wafer 2 placed on the suction chuck 92 is suction-held with its front side up and its back side on the suction chuck 92 by suction means (not shown).
Thus, the chuck table 9 holding the semiconductor wafer 2 by suction is moved to just below the alignment means 30. The chuck table 9 is the alignment means 3
0, the street 4 formed on the semiconductor wafer 2 by the alignment means 30
Is detected, and the scribe mechanism 20 is moved and adjusted in the arrow Y direction, which is the indexing direction, to perform a precise alignment work. Thereafter, the chuck table 9 holding the semiconductor wafer 2 by suction is moved in the direction indicated by the arrow X, which is the processing feed direction, so that the street 4 of the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 9 is placed on the roller scriber 2.
5 is rolled. As a result, a scribe line is formed along the street 4 and a division guide line 5 is generated. It is desirable that the generation of the division guide wire 5 by the roller scriber 25 be performed under a load of 50 to 150 g. This load can be adjusted by moving the adjusting screw 261 of the pressing force urging means 26 forward and backward. The arrow Y, which is the indexing direction of the scribe mechanism 20 described above, is applied to all the streets 4 formed on the semiconductor wafer 2.
In the semiconductor wafer 2, a divided guide line 5 is generated along the street 4 as shown in FIG. 6 by sequentially and repeatedly performing the feed in the direction X and the feed in the arrow X direction which is the processing feed direction of the chuck table 9. can do.
【0012】このようにして半導体ウエーハ2のストリ
ート4に沿って分割誘導線5を生成するスクライブ工程
が終了した後、半導体ウエーハ2を保持したチャックテ
ーブル9は、最初に半導体ウエーハ2を吸引保持した位
置に戻され、ここで半導体ウエーハ2の吸引保持を解除
する。従って、スクライブ工程によって分割誘導線5が
生成され半導体ウエーハ2をチャックテーブル9上から
取り出すことができる。After the scribing step of generating the divisional guide lines 5 along the streets 4 of the semiconductor wafer 2 is completed, the chuck table 9 holding the semiconductor wafer 2 first suction-holds the semiconductor wafer 2. The semiconductor wafer 2 is returned to the position, and the suction holding of the semiconductor wafer 2 is released. Accordingly, the division guide wire 5 is generated by the scribing process, and the semiconductor wafer 2 can be taken out from the chuck table 9.
【0013】このようにして、半導体ウエーハ2のスト
リート4に沿って分割誘導線5を生成したならば、上述
したテープ貼着工程を実施する。即ち、図1の(b)に
示すように分割誘導線5が生成された半導体ウエーハ2
の表面にテープ7を貼着する。従って、半導体ウエーハ
2は表面に形成された各チップ3の表面がテープ7と貼
着する。After the divisional guide lines 5 are generated along the streets 4 of the semiconductor wafer 2 in the above-described manner, the above-described tape attaching step is performed. That is, as shown in FIG. 1B, the semiconductor wafer 2 on which the divisional guide wire 5 is generated
The tape 7 is stuck on the surface of. Therefore, the surface of each chip 3 formed on the surface of the semiconductor wafer 2 is adhered to the tape 7.
【0014】上述したようにテープ貼着工程を実施した
ら、上記裏面切削工程を実施するが、ここで裏面切削工
程を実施するための切削装置であるダイシング装置につ
いて図7および図8を参照して説明する。図示の実施形
態におけるダイシング装置は、略直方体状の装置ハウジ
ング10を具備している。この装置ハウジング10内に
は、被加工物を保持するチャックテーブル11が切削送
り方向である矢印Xで示す方向に移動可能に配設されて
いる。チャックテーブル11は、吸着チャック支持台1
11と、該吸着チャック支持台111上に装着された吸
着チャック112を具備しており、該吸着チャック11
2上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハ2
を図示しない吸引手段によって保持するようになってい
る。また、チャックテーブル11は、図示しない回転機
構によって回動可能に構成されている。After the tape attaching step is performed as described above, the back side cutting step is performed. Here, a dicing apparatus which is a cutting apparatus for performing the back side cutting step will be described with reference to FIGS. 7 and 8. explain. The dicing apparatus in the illustrated embodiment includes a substantially rectangular parallelepiped device housing 10. In the apparatus housing 10, a chuck table 11 for holding a workpiece is provided so as to be movable in a cutting feed direction indicated by an arrow X. The chuck table 11 holds the suction chuck support 1.
11 and a suction chuck 112 mounted on the suction chuck support 111.
For example, a disc-shaped semiconductor wafer 2 which is a workpiece is
Is held by suction means (not shown). The chuck table 11 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).
【0015】図示の実施形態におけるダイシング装置
は、切削手段としてのスピンドルユニット40を具備し
ている。スピンドルユニット40は、図示しない移動基
台に装着された割り出し方向である矢印Yで示す方向お
よび切り込み方向である矢印Zで示す方向に移動調整さ
れるスピンドルハウジング41と、該スピンドルハウジ
ング41に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構
によって回転駆動される回転スピンドル42と、該回転
スピンドル42に装着された回転ブレード43とを具備
している。なお、回転ブレード43は、図示の実施形態
においてはVブレードが用いられている。また、図示の
ダイシング装置におけるアライメント手段30は、赤外
線CCDカメラを備えている。The dicing apparatus in the illustrated embodiment has a spindle unit 40 as cutting means. The spindle unit 40 is mounted on a moving base (not shown) and is adjusted to move in a direction indicated by an arrow Y which is an indexing direction and in a direction indicated by an arrow Z which is a cutting direction, and is freely rotatable by the spindle housing 41. And a rotary blade 43 mounted on the rotary spindle 42 and supported by the rotary drive mechanism (not shown). The rotating blade 43 is a V blade in the illustrated embodiment. The alignment means 30 in the illustrated dicing device includes an infrared CCD camera.
【0016】図示の実施形態におけるダイシング装置
は、図7に示すように被加工物である半導体ウエーハ2
をストックするカセット12と、被加工物搬出手段13
と、被加工物搬送手段14と、洗浄手段15、および洗
浄搬送手段16を具備している。なお、カセット12
は、図示しない昇降手段によって上下に移動可能に配設
されたカセットテーブル121上に載置される。As shown in FIG. 7, the dicing apparatus in the illustrated embodiment uses a semiconductor wafer 2 as a workpiece.
Cassette 12 for stocking the workpiece,
, A workpiece transporting means 14, a cleaning means 15, and a cleaning transporting means 16. The cassette 12
Is mounted on a cassette table 121 which is arranged to be able to move up and down by lifting means (not shown).
【0017】次に、本発明における上記裏面切削工程を
上述した切削装置によって実施する例について説明す
る。なお、上記テープ貼着工程において半導体ウエーハ
2の表面に貼着されたテープ7はフレーム8に装着され
ており、半導体ウエーハ2はテープ7を介してフレーム
8に装着された状態で上記カセット12に収容される。
従って、フレーム8に装着された半導体ウエーハ2は、
裏面を上にして収容される。カセット12の所定位置に
収容されたフレーム8に装着された状態の半導体ウエー
ハ2(以下、フレーム8に装着された状態の半導体ウエ
ーハ2を単に半導体ウエーハ2という)は、図示しない
昇降手段によってカセットテーブル121が上下動する
ことにより搬出位置に位置付けられる。次に、被加工物
搬出手段13が進退作動して搬出位置に位置付けられた
半導体ウエーハ2を被加工物載置領域18に搬出する。
被加工物載置領域18に搬出された半導体ウエーハ2
は、被加工物搬送手段14の旋回動作によって上記チャ
ックテーブル11の吸着チャック112上に搬送され、
該吸着チャック112に裏面を上にして表面側が吸引保
持される。なお、このときテープ7を介して半導体ウエ
ーハ2を装着したフレーム8は、チャックテーブル11
に配設されたクランプ113によって固定される。この
ようにして半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテ
ーブル11はアライメント手段30の直下まで移動せし
められる。チャックテーブル11がアライメント手段3
0の直下に位置付けられると、アライメント手段30に
よって上記スクライブ工程で半導体ウエーハ2のストリ
ート4に生成された分割誘導線5が検出され、スピンド
ルユニット40の割り出し方向である矢印Y方向に移動
調節して精密位置合わせ作業が行われる。なお、半導体
ウエーハ2は上記テープ貼着工程において表面(分割誘
導線5が生成されている側の面)にテープ7が貼着され
ているので、裏面が上側に位置付けられているが、アラ
イメント手段30は赤外線CCDカメラを備えているの
で、下側に位置する表面に生成された分割誘導線5を検
出することができる。Next, an example in which the above-described back surface cutting step in the present invention is performed by the above-described cutting device will be described. The tape 7 attached to the surface of the semiconductor wafer 2 in the tape attaching step is attached to the frame 8, and the semiconductor wafer 2 is attached to the cassette 12 while attached to the frame 8 via the tape 7. Will be accommodated.
Therefore, the semiconductor wafer 2 mounted on the frame 8
It is housed with its back side up. The semiconductor wafer 2 mounted on the frame 8 accommodated in a predetermined position of the cassette 12 (hereinafter, the semiconductor wafer 2 mounted on the frame 8 is simply referred to as the semiconductor wafer 2) is moved by a cassette table (not shown) by a lifting means (not shown). By moving up and down 121, it is positioned at the carry-out position. Next, the workpiece unloading means 13 moves forward and backward to unload the semiconductor wafer 2 positioned at the unloading position to the workpiece mounting area 18.
The semiconductor wafer 2 unloaded to the workpiece mounting area 18
Is conveyed onto the suction chuck 112 of the chuck table 11 by the turning operation of the workpiece conveying means 14,
The front side is suction-held by the suction chuck 112 with the back side up. At this time, the frame 8 on which the semiconductor wafer 2 is mounted via the tape 7 is attached to the chuck table 11.
Is fixed by a clamp 113 disposed at the bottom. The chuck table 11 holding the semiconductor wafer 2 by suction in this manner is moved to just below the alignment means 30. Chuck table 11 is alignment means 3
When positioned just below 0, the alignment guide 30 detects the divisional guide line 5 generated on the street 4 of the semiconductor wafer 2 in the scribing step and moves and adjusts it in the direction of the arrow Y which is the indexing direction of the spindle unit 40. Precision positioning work is performed. Since the semiconductor wafer 2 has the tape 7 adhered to the front surface (the surface on which the divisional guide wire 5 is generated) in the tape adhering step, the back surface is positioned on the upper side. Since 30 is provided with an infrared CCD camera, it is possible to detect the divisional guide line 5 generated on the lower surface.
【0018】その後、半導体ウエーハ2を吸引保持した
チャックテーブル11を切削送り方向である矢印Xで示
す方向に移動することにより、半導体ウエーハ2の裏面
側から分割誘導線5に沿って切削溝6を生成することが
できる。なお、このとき、回転ブレード43による切り
込み量は、分割誘導線5が形成されたストリート4の表
面から20〜50μmまでの位置に設定されている。即
ち、裏面切削工程においては、回転ブレード43によっ
て半導体ウエーハ2は裏面側から分割誘導線5に沿って
ストリート4の表面から20〜50μmの切り残し部を
設けて切削溝6が生成される。このように、分割誘導線
5に沿ってストリート4の表面から20〜50μmの切
り残し部を設けて切削溝6が生成されることにより、半
導体ウエーハ2は分割誘導線5に誘導されて切り残し部
が完全分割される。そして、半導体ウエーハ2に形成さ
れた上記全分割誘導線5に対して、上述したスピンドル
ユニット40の割り出し方向である矢印Y方向の送りと
チャックテーブル11の切削送り方向である矢印X方向
の送りとを順次繰り返して実行することにより、図9に
誇張して示すように各チップ3に分割することができ
る。なお、分割された半導体チップは、テープ7の作用
によってバラバラにはならず、フレーム8に装着された
半導体ウエーハ2の状態が維持されている。Thereafter, by moving the chuck table 11 holding the semiconductor wafer 2 by suction in the direction indicated by the arrow X, which is the cutting feed direction, the cutting groove 6 is formed along the division guide line 5 from the back side of the semiconductor wafer 2. Can be generated. At this time, the cut amount by the rotary blade 43 is set at a position from 20 to 50 μm from the surface of the street 4 on which the divisional guide line 5 is formed. That is, in the back surface cutting step, the semiconductor wafer 2 is provided with the uncut portion of 20 to 50 μm from the surface of the street 4 along the division guide line 5 from the back surface side by the rotating blade 43 to generate the cutting groove 6. As described above, by providing the uncut portion of 20 to 50 μm from the surface of the street 4 along the division guide line 5 to form the cutting groove 6, the semiconductor wafer 2 is guided by the division guide line 5 and left uncut. The division is completely split. The feed in the arrow Y direction, which is the indexing direction of the spindle unit 40, and the feed in the arrow X direction, which is the cutting feed direction of the chuck table 11, are performed with respect to the above-mentioned divided guide lines 5 formed on the semiconductor wafer 2. Are repeatedly executed in sequence to divide each chip 3 as shown in an exaggerated manner in FIG. The divided semiconductor chips do not fall apart due to the action of the tape 7, and the state of the semiconductor wafer 2 mounted on the frame 8 is maintained.
【0019】以上のように図示の実施形態においては、
半導体ウエーハ2のストリート4に形成されたスクライ
ブラインによって生成された分割誘導線5の裏面から分
割誘導線5に沿って切り残し部を設けて切削溝6を生成
することにより、分割誘導線5に誘導されて切り残し部
が完全分割されてチップ毎に分割するので、半導体ウエ
ーハ2の表面に形成されるストリート4の幅を極めて狭
くすることが可能となる。従って、ストリート4の幅を
10μm以下にすることができるので、半導体ウエーハ
2の表面に多数のチップを形成することができ、生産性
の向上を図ることができる。また、図示の実施形態にお
いては、半導体ウエーハ2のストリート4に形成された
分割誘導線5の裏面から分割誘導線5に沿って切り残し
部を設けて確実性の高い切削溝6を生成することによっ
て各チップに分割するので、ポイントスクライバやレー
ザー光線による切断のように割れ等の発生がなく、製品
の歩留りがよく生産性を向上することができる。なお、
図示の実施形態においては、回転ブレード43にVブレ
ードを用いた例を示したが、回転ブレード43は図1の
(c)において2点差線で示すような先端が丸みを有す
る形状のブレードを用いてもよい。As described above, in the illustrated embodiment,
By providing an uncut portion along the divisional guide line 5 from the back surface of the divisional guide line 5 generated by the scribe line formed on the street 4 of the semiconductor wafer 2 to generate a cutting groove 6, the divisional guide line 5 Since the uncut portion is guided to be completely divided and divided for each chip, the width of the street 4 formed on the surface of the semiconductor wafer 2 can be extremely reduced. Therefore, the width of the street 4 can be reduced to 10 μm or less, so that a large number of chips can be formed on the surface of the semiconductor wafer 2 and the productivity can be improved. Further, in the illustrated embodiment, a cutting groove 6 having high reliability is formed by providing an uncut portion along the divisional guide line 5 from the back surface of the divisional guide line 5 formed on the street 4 of the semiconductor wafer 2. The chip is divided into individual chips, so that there is no occurrence of cracks or the like unlike cutting by a point scriber or a laser beam, and the yield of products can be improved and the productivity can be improved. In addition,
In the illustrated embodiment, an example is shown in which a V blade is used as the rotating blade 43. However, the rotating blade 43 uses a blade having a rounded tip as shown by a two-dot line in FIG. You may.
【0020】このようにして半導体ウエーハ2が各チッ
プに分割されたら、半導体ウエーハ2を保持したチャッ
クテーブル11は、最初に半導体ウエーハ2を吸引保持
した位置に戻され、ここで半導体ウエーハ2の吸引保持
を解除するとともに、クランプ113によるフレーム8
の固定も解除する。次に、半導体ウエーハ2は、洗浄搬
送手段16によって洗浄手段15に搬送され、ここで洗
浄される。このようにして洗浄された半導体ウエーハ2
は、被加工物搬送手段14によって被加工物載置領域1
8に搬出される。そして、半導体ウエーハ2は、被加工
物搬出手段13によってカセット12の所定位置に収納
される。なお、各チップに分割された半導体ウエーハ2
はテープ7によって半導体ウエーハの形態を維持してい
るが、個々のチップに分割されているため、搬送の際に
隣接するチップ同士が擦れ合い損傷する虞がある。即
ち、従来一般に行われているダイシング装置による切削
によって半導体ウエーハを各チップに分割した場合に
は、各チップ間には切削ブレードの厚さ(20μm程
度)の隙間が形成される。しかるに、本発明による分割
方法によって分割された各チップは、上述したように切
削ブレード43により切り残し部を設けて切削溝6が生
成されて分割されるので、分割面は実質的に接触してい
る。このため、分割された各チップの自重によってテー
プ7が下方に撓むことによりチップが中心方向によって
チップ同士が擦れ合う。When the semiconductor wafer 2 is divided into chips in this manner, the chuck table 11 holding the semiconductor wafer 2 is returned to the position where the semiconductor wafer 2 is first suction-held, and the semiconductor wafer 2 is sucked here. The holding is released, and the frame 8 by the clamp 113 is released.
Also release the fixation. Next, the semiconductor wafer 2 is transported to the cleaning means 15 by the cleaning and transporting means 16, where it is cleaned. Semiconductor wafer 2 thus cleaned
Is the work placement area 1 by the work transfer means 14.
It is carried out to 8. Then, the semiconductor wafer 2 is stored in a predetermined position of the cassette 12 by the workpiece carrying-out means 13. The semiconductor wafer 2 divided into each chip
Although the shape of the semiconductor wafer is maintained by the tape 7, the chips are divided into individual chips, so that adjacent chips may be rubbed and damaged during transportation. In other words, when the semiconductor wafer is divided into chips by cutting with a dicing apparatus generally used in the related art, a gap having a thickness of a cutting blade (about 20 μm) is formed between the chips. However, since each chip divided by the dividing method according to the present invention is provided with the uncut portion by the cutting blade 43 and the cutting groove 6 is generated and divided, the divided surfaces are substantially in contact with each other. I have. Therefore, the tape 7 bends downward due to the weight of each divided chip, and the chips rub against each other in the center direction.
【0021】上述した搬送時における各チップ同士の擦
れ合いを防止することが望ましい。搬送時における各チ
ップ同士の擦れ合いを防止するためには、各チップ同士
の間隔を広げればよく、次の方策が考えられる。第1の
方策は、各チップに貼着されているテープにおけるフレ
ームとの間を刺繍枠のような枠で押さえ、テープ全体を
拡張することにより、各チップ同士の間隔を広げる。第
2の方策は、分割されたチップをテープを介して装着し
ているフレームを上下反転してチップを貼着している面
を下側にし、分割された各チップの自重によってテープ
7が下方に撓むことにより各チップ同士の間隔を広げ
る。It is desirable to prevent the chips from rubbing each other during the transport. In order to prevent the chips from rubbing each other during transportation, the distance between the chips may be increased, and the following measures are conceivable. The first measure is to hold the space between the chips on the tape attached to each chip with a frame such as an embroidery frame to expand the entire tape, thereby increasing the space between the chips. The second measure is to turn the frame in which the divided chips are mounted via a tape upside down so that the surface on which the chips are attached is on the lower side, and the tape 7 is moved downward by the weight of each of the divided chips. The distance between the chips is widened by bending.
【0022】[0022]
【発明の効果】本発明による半導体ウエーハの分割方法
は以上のように構成されているので、次の作用効果を奏
する。The method for dividing a semiconductor wafer according to the present invention is configured as described above, and has the following effects.
【0023】即ち、本発明によれば、半導体ウエーハの
表面にストリートに沿ってスクライブラインを形成して
分割誘導線を生成し、半導体ウエーハの表面にテープを
貼着した後、裏面から分割誘導線に沿って切り残し部を
設けて切削溝を生成することにより、分割誘導線に誘導
されて切り残し部が完全分割されてチップ毎に分割する
ので、半導体ウエーハの表面に形成されるストリートの
幅を極めて狭くすることが可能となる。従って、ストリ
ートの幅を10μm以下にすることができるので、半導
体ウエーハの表面に多数のチップを形成することがで
き、生産性の向上を図ることができる。また、図示の実
施形態においては、半導体ウエーハのストリートに形成
された分割誘導線の裏面から分割誘導線に沿って切り残
し部を設けて確実性の高い切削溝を生成することによっ
て各チップに分割するので、ポイントスクライバやレー
ザー光線による切断のように割れ等の発生がなく、製品
の歩留りがよく生産性を向上することができる。That is, according to the present invention, a scribe line is formed along a street on the front surface of a semiconductor wafer to generate a divisional guide line, and a tape is attached to the surface of the semiconductor wafer, and then the divisional guide line is formed from the back surface. By generating a cutting groove by providing an uncut portion along the width of the street formed on the surface of the semiconductor wafer since the uncut portion is completely divided and divided into chips by being guided by the dividing guide line. Can be made extremely narrow. Accordingly, since the width of the street can be reduced to 10 μm or less, a large number of chips can be formed on the surface of the semiconductor wafer, and the productivity can be improved. Further, in the illustrated embodiment, the chips are divided into individual chips by providing uncut portions along the division guide lines from the back surface of the division guide lines formed on the streets of the semiconductor wafer to generate highly reliable cutting grooves. Therefore, there is no occurrence of cracks or the like as in the case of cutting with a point scriber or a laser beam, and the yield of products can be improved and the productivity can be improved.
【図1】本発明による半導体ウエーハの分割方法の各工
程を示す説明図。FIG. 1 is an explanatory view showing each step of a method for dividing a semiconductor wafer according to the present invention.
【図2】本発明による半導体ウエーハの分割方法のスク
ライブ工程を実施するためのスクライブ装置の一実施形
態を示す斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing an embodiment of a scribing apparatus for performing a scribing step of the method for dividing a semiconductor wafer according to the present invention.
【図3】図2に示すスクライブ装置に装備されるスクラ
イブ機構の正面図。FIG. 3 is a front view of a scribe mechanism provided in the scribe device shown in FIG. 2;
【図4】図2に示すスクライブ装置に装備されるスクラ
イブ機構のローラスクライバとアライメント手段との関
係を示す説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a relationship between a roller scriber of a scribe mechanism provided in the scribe device shown in FIG. 2 and alignment means.
【図5】図2に示すスクライブ装置の要部斜視図。FIG. 5 is a perspective view of a main part of the scribe device shown in FIG. 2;
【図6】図2に示すスクライブ装置によって分割誘導線
が生成された半導体ウエーハの斜視図。FIG. 6 is a perspective view of a semiconductor wafer in which division guide lines have been generated by the scribe device shown in FIG. 2;
【図7】本発明による半導体ウエーハの分割方法の裏面
切削工程を実施するための切削装置としてのダイシング
装置の一実施形態を示す斜視図。FIG. 7 is a perspective view showing one embodiment of a dicing device as a cutting device for performing a back surface cutting step of the method for dividing a semiconductor wafer according to the present invention.
【図8】図2に示すダイシング装置の要部斜視図。8 is a perspective view of a main part of the dicing apparatus shown in FIG.
【図9】本発明による半導体ウエーハの分割方法によっ
て分割されたチップの正面図。FIG. 9 is a front view of a chip divided by the method for dividing a semiconductor wafer according to the present invention.
1:スクライブ装置の装置ハウジング 2:半導体ウエーハ 3:回路(チップ) 4:ストリート 5:分割誘導線 6:切削溝 7:テープ 8:フレーム 9:スクライブ装置のチャックテール 91:吸着チャック支持台 92:吸着チャック 10:ダイシング装置の装置ハウジング 11:ダイシング装置のチャックテール 111:吸着チャック支持台 112:吸着チャック 113:クランプ 12:カセット 13:被加工物搬出手段 14:被加工物搬送手段 15:洗浄手段 16:洗浄搬送手段 20:スクライブ機構 21:スクライブ機構の移動基台 23:スクライブ機構のスクライバ支持部材 25:スクライブ機構のローラスクライバ 26:スクライブ機構の押圧力付勢手段 30:アライメント手段 40:スピンドルユニット 41:スピンドルハウジング 42:回転スピンドル 43:回転ブレード 1: Device housing of a scribe device 2: Semiconductor wafer 3: Circuit (chip) 4: Street 5: Dividing guide wire 6: Cutting groove 7: Tape 8: Frame 9: Chuck tail of scribe device 91: Suction chuck support base 92: Suction chuck 10: Dicing machine housing 11: Dicing machine chuck tail 111: Suction chuck support base 112: Suction chuck 113: Clamp 12: Cassette 13: Workpiece unloading means 14: Workpiece conveying means 15: Cleaning means 16: Cleaning / conveying means 20: Scribe mechanism 21: Moving base of scribe mechanism 23: Scribe support member for scribe mechanism 25: Roller scriber for scribe mechanism 26: Pressing force urging means for scribe mechanism 30: Alignment means 40: Spindle unit 41: S Pindle housing 42: rotating spindle 43: rotating blade
Claims (2)
チップが表面に形成された半導体ウエーハをチップ毎に
分割する半導体ウエーハの分割方法であって、 半導体ウエーハの表面にストリートに沿ってスクライブ
ラインを形成して分割誘導線を生成するスクライブ工程
と、 該分割誘導線が生成された半導体ウエーハの表面にテー
プを貼着するテープ貼着工程と、 該テープが貼着された半導体ウエーハの裏面に該分割誘
導線に沿って僅かな切り残し部を有して切削溝を生成す
る裏面切削工程と、を含み、 該切削溝の生成により該分割誘導線に誘導されて該切り
残し部が完全分割されてチップ毎に分割される、 ことを特徴とする半導体ウエーハの分割方法。1. A semiconductor wafer dividing method for dividing a semiconductor wafer having a plurality of chips partitioned by streets formed on a surface thereof into chips, wherein scribe lines are formed along the streets on the surface of the semiconductor wafer. A scribing step of generating a divisional guide line by applying a tape to the surface of the semiconductor wafer on which the divisional guide line is generated; and a dividing step of attaching the tape to the back surface of the semiconductor wafer to which the tape is attached. A back surface cutting step of generating a cutting groove having a slight uncut portion along the guide line, and the cutting guide line is guided by the split guide line to completely split the uncut portion. A method for dividing a semiconductor wafer, which is performed for each chip.
分割誘導線はスクライバによって生成され、該裏面切削
工程によって生成される該切削溝は回転ブレードによっ
て生成される、請求項1記載のウエーハの分割方法。2. The wafer dividing method according to claim 1, wherein the dividing guide line generated by the scribing step is generated by a scriber, and the cutting groove generated by the back surface cutting step is generated by a rotating blade. .
Priority Applications (6)
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| JP2000139111A JP4590064B2 (en) | 2000-05-11 | 2000-05-11 | Semiconductor wafer dividing method |
| TW090110430A TWI228780B (en) | 2000-05-11 | 2001-05-01 | Semiconductor wafer dividing method |
| US09/846,294 US6593170B2 (en) | 2000-05-11 | 2001-05-02 | Semiconductor wafer dividing method |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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ID=18646614
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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